Разработка конструкций и технологий изготовления микроэлектромеханических приборов в герметичном исполнении тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Бритков, Олег Михайлович

• Бритков, Олег Михайлович
• кандидат технических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат технических наук Бритков, Олег Михайлович

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. ПРОБЛЕМЫ СОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ КОНСТРУКЦИЙ И ТЕХНОЛОГИЙ

ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИХ ПРИБОРОВ И СИСТЕМ

1.1. Основные разновидности микроэлектромеханических приборов и систем и области их применения

1.1.1. Разнообразие ассортимента МЭМС

1.1.2. Назначение и разновидности инклинометров

1.1.3. Микромеханические датчики давления (ММД)

1.1.4. Планарные микродвигатели

1.2. Актуальные технологические проблемы разработки и изготовления МЭМС

1.2.1. Особенности технологии изготовления МЭМС

1.2.2. Травление в технологии изготовления МЭМС

1.2.3. Реализация трёхмерных структур

1.3. Контроль и измерения параметров и характеристик МЭМС

1.4. Выводы

1.5. Постановка задач диссертационной работы

Глава 2. КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ

СЛОЖНО-ФУНКЦИОНАЛЬНЫХМИКРОПРИВОДОВ (СФМ) '

2.1. Анализ основных типов конструкции подвижной части СФМ

2.2.Требования к СФМ и расчёт геометрических параметров подвижной части, необходимых для их обеспечения

2.3. Конструкция образца СФМ

2.3.1. Роторный узел макетного образца СФМ

2.3.2. Статорная пластина макетного образца СФМ

2.3.3. Обеспечение необходимого зазора между роторным узлом и статорной пластиной

2.4. Задачи, решаемые при разработке технологии изготовления СФМТ

2.5. Технологические погрешности изготовления подвижной части СФМ

2.5.1. Погрешности методического типа.

2.5.2. Погрешности инструментального типа

2.6. Исследование и разработка технологии выполнения операций сборки и монтажа СФМ

2.6.1. Специфика сборки и монтажа СФМ.

2.6.2. Совмещение и фиксация деталей СФМ

2.6.3. Методы соединения деталей МЭМС. Анодное сращивание

2.6.4. Методы соединения деталей МЭМС

2.7. Технология изготовления деталей макетных образцов СФМ

2.8. Разработка и обоснование алгоритма выполнения технологического процесса сборки и монтажа СФМ

2.9. Сборка, монтаж и герметизация образцов СФМ "

2.9.1. Посадка чипа в корпус методом клеевого соединения

2.9.2. Посадка чипа в корпус методом пайки

2.9.3. Посадка чипа в корпус

2.9.4. Герметизация СФМ

2.10. Разработка перспективной конструкции СФМ

2.10.1. Статорная пластина

2.10.2. Прокладка

2.10.3. Роторный элемент

2.11. Проверка работоспособности, контроль параметров и характеристик образцов СФМ

2.11.1. Анализ контролируемых параметров СФМ

2.11.2. Разработка устройства для контроля основных параметров и характеристик СФМ

2.11.3. Контроль параметров и характеристик СФМ

2.11.4. Разработка устройства контроля внутренних параметров СФМ.

2.12. Изготовление макетных образцов СФМ и проверка их работоспособности

2.12.1. Проверка работоспособности СФМ

2.12.2. Проверка работоспособности оптическим методом

2.12.3.Метод проверки работоспособности СФМ по внутренним параметрам

2.12.4. Проверка работоспособности макетных образцов СФМ

2.13. Выводы

Глава 3. МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЕ ДАТЧИКИ УСКОРЕНИЯ,

УГЛОВОЙ СКОРОСТИИ И ИНКЛИНОМЕТРЫ

3.1. Микроэлектромеханические вибрационные гироскопы

3.2. Влияние эксплуатационных факторов на параметры ММВГ

3.2.1. Исследование влияние давления на добротность ЧЭ ММВГ

3.2.2. Влияние температуры на собственную частоту колебаний гироскопа

3.2.3. Исследование параметров ММВГ

3.2.4. Исследование изменение добротности с течением времени загерметизированных образцов ММВГ с геттером во внутренней полости.

3.3. Микромеханические акселерометры (ММА)

3.3.1. Моделирование конструкции подвесов чувствительных элементов

3.3.2. Анализ влияния внешних статических механических возмущений на значения максимального напряжения в торсионах микроакселерометра с сечением различной конфигурации.

3.3.3. Расчет параметров чувствительных элементов микроакселерометров

3.3.4. Расчет углов отклонения чувствительного элемента акселерометра

3.3.5. Конструкция микромеханического акселерометра

3.3.6. Совершенствование конструкции ММА

3.3.7. Анализ влияния газового демпфирования на параметры ММА

3.4. Кольцевой микромеханический гироскоп

3.4.1. Расчёт геометрических размеров ЧЭ ММГ кольцевого типа

3.4.2. Конструкция КМГ

3.5. Исследование характера изменения ТКР стекла ЛК-105 в зависимости от температуры

3.6. Использование травления для формирования чувствительных элементов микромеханических устройств

3.7. Исследование свойств гидрогенизированных образцов кремния методами ИК спектроскопии

3.8. Совершенствование технологии изготовления ММА и КМГ

3.8.1. Технология изготовления ММА

3.8.2. Технология изготовления КМГ

3.9. Изготовление образцов ММА и КМГ

3.9.1. Изготовление образцов ММА

3.9.2. Изготовление образцов КМГ

3.10. Применение микромеханических акселерометров в изделиях микросистемой техники "

3.11. Микромеханический инклинометр

3.12. Выводы 162 4. МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЕ ДАТЧИКИ ДАВЛЕНИЯ (ММД)

4.1. Разработка конструкции экспериментальных образцов ММД давления

4.1.1. Выбор материалов для изготовления ММД

4.1.2. Основные типы датчиков давления, принципы измерения давления и обоснование выбора конструкции разрабатываемого датчика.

4.1.3. Особенности конструкции разработанного датчика давления.

4.2. Разработка технологических процессов изготовления ММД давления

4.2.1. Особенности технологии изготовления ММД.

4.2.2. Использование групповых процессов обработки пластин в технологии ММД

4.2.3. Сборка и монтаж деталей конструкции ММД давления 180 4.4. ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка конструкций и технологий изготовления микроэлектромеханических приборов в герметичном исполнении»

В настоящее время объём производства и ассортимент микроэлектромеханических приборов и систем (МЭМС) достаточно велики и постоянно возрастают. Области их применения разнообразны, включают автомобильную, медицинскую, аэрокосмическую и оборонную и другие отрасли.

В табл.1 приведены данные, характеризующие темпы развития мирового рынка МЭМС изделий, составленный по результатам исследования маркетинговых служб, компаний Roger Grace Associates (США) и Network of excellence in multifunctional microsystems (Европа).

Таблица 1

Прогноз развития мирового рынка МЭМС изделий.

Области применения устройств, в составе которых функционируют МЭМС. Объем рынка, млн. долл. Среднегодовой прирост, %

2000г. 2008г.

Информационные технологии / периферийные устройства. 8700 15000 11.5

Медицина/биохимия, микроанализаторы, микроинструменты, масс-спектрометры, газохроматографы, жидкостные/газовые клапаны, микронасосы, смесительные камеры. 2400 9500 32.5

Промышленность /системы автоматизации. 1190 2100 11.6

Телесвязь ВЧ системы: реле, переключатели, матричные коммутаторы, перестраиваемые индукторы и конденсаторы, разъемы, фильтры; оптические системы: волоконные узлы совмещения, фильтры, переключатели, дисплеи, принтеры. 130 4700 128.1

Мониторинг окружающей среды 560 1100 35.4

МЭМС представляют собой множество микроустройств самых разнообразных конструкций и назначения, производимых с использованием как оригинальных, так и модифицированных групповых технологий изготовления изделий микроэлектроники.

Такими микроустройствами могут быть:

- миниатюрные детали: гидравлические и пневматические клапаны, струйные сопла принтеров, пружины для подвески головки винчестера,

- микроинструменты: скальпели и пинцеты для работы с объектами микронных и наноразмеров,

- микромашины: моторы, насосы, турбины величиной с горошину и мн. др.

- микророботы,

- микродатчики и исполнительные устройства,

- аналитические микролаборатории,

- и другие.

Некоторые из МЭМС производятся в мире многомиллионными тиражами, другие только разрабатываются и проходят испытания, их производство входят в состав изделий микросистемной техники. Известен целый ряд организаций как зарубежных, так и отечественных, разрабатывающих и изготавливающих микромеханические устройства. Широко применяется продукция, таких зарубежных фирм, как Analog Devices, Draper Laboratory, Murata, Systron Dormer и многие другие, наиболее известными производителями гироскопов на сегодняшний- день являются фирмы Futaba, JR-Graupner, Ikarus, CSM, Robbe, Hobbico и т.д. Российские организации, занимающиеся проектированием и изготовлением микромеханических датчиков, это - ОАО НПП «Темп-Авиа» (г. Арзамас), АО РПКБ (г. Раменское), «Электроприбор» (г. С.-Петербург), НИИФИ (г. Пенза) и некоторые другие. В России ведутся и интенсивно развиваются собственные разработки МЭМС на основе последних достижений технологии микроэлектроники [1,2].

Основными задачами настоящей диссертационной работы являются следующие: проведение исследований и разработка новых конструкций, технологий изготовления, методов контроля и измерения параметров МЭМС в герметичном исполнении, а именно микрогироскопов, микроаксерометров, инклинометров, микрозеркал (сложно-функциональных микроприводов), микромеханических датчиков давления, не представленных другими отечественными предприятиями в виде широко тиражируемой продукции.

Перечисленные приборы имеют как общие, так и специфические особенности, но все они имеют герметичное исполнение, что повышает их качество, но и усложняет задачи их разработки, делает необходимым решение сложных технологических задач герметизации, контроля и стабилизации параметров внутрикорпусной парогазовой среды.

Поставленные в настоящей диссертации задачи планировались и решались в рамках имеющегося научного направления кафедры Микроэлектроники, с учётом и использованием научно-технических результатов, наработанных творческим коллективом сотрудников, работающих по проблемам разработки, изготовления и использования МЭМС и являются их развитием.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Бритков, Олег Михайлович

4.4. Выводы

1. На основании проведённых экспериментов разработаны технологические процессы изготовления чувствительных элементов (ЧЭ) ММД давления. Проведены исследования, по результатам которых установлены наилучшие режимы выполнения отдельных технологических операций, входящих в ТП изготовления ЧЭ.

В разработанном технологическом процессе изготовления ЧЭ ММД давления использована технология анизотропного травления кремния. Наилучшее качество травления как в плоскости (100), так и в плоскости (111) было получено при использовании в качестве травителя водного раствора КОН с концентрацией 33% при температуре 92±2°С.

2. Для изготовления чувствительного элемента ММД давления разработана и практически использована технология «скрытых масок», с её использованием возможно формирование в объёме кремниевой пластины трёх и более разно глубинных рельефных слоёв, как с одной стороны пластины, так и с обеих сторон, а также объёмных фигур травления.

3. При1 выборе способа совмещения деталей ММД давления было учтено то обстоятельство, что одна из совмещаемых деталей прозрачна (неподвижная часть изготовлена из стекла). Это позволило разработать и реализовать способ сборки деталей ММД с использованием меток совмещения, который широко используется в типовых процессах фотолитографии при изготовлении интегральных схем.

4. Для изготовления экспериментальных образцов как ММД давления, так и СФМ было использовано специально разработанное приспособление (кассета) из стали 12Х18Н10Т, позволяющее обеспечивать совмещение деталей с точностью не хуже ± 1мкм, их фиксацию и последующую высокотемпературную обработку. Загрузкой подвижного кремниевого элемента и неподвижного стеклянного основания в данное приспособление для сборки обеспечивалось последующее совмещение и фиксация деталей.

5. Разработана структурная схема электронного устройства, предназначенного для использования совместно с ММД для измерения давления. С помощью1 изготовленного в соответствии с этой схемой устройства осуществлялось снятие выходного аналогового сигнала с датчика и его преобразование в цифровой сигнал, который выводился на контрольное устройство для осуществления мониторинга измеряемого давления.

6. Разработан комплект эскизной технологической документации, на ММД. С его помощью изготовлены экспериментальные образцы ММД давления, с параметрами, соответствующими данным технического задания:

- измеряемое давление - до 25 кПа. Увеличение или уменьшение измеряемого о п давления возможно в пределах от 10 до 2-10 Па при соответствующих изменениях параметров конструкции ММД давления;

- ресурс образцов ММД составил не менее 15000 часов непрерывной работы;

- масса датчика - менее 10 г.

Проведенные испытания образцов подтвердили, что ММД давления соответствуют заданным техническим и эксплуатационным характеристикам.

Заключение

1. Анализ информации по уровню развития, областям использования и направлениях совершенствования МЭМС позволил определить основные тенденции их развития. Они состоят в расширении областей применения МЭМС, разработке новых, всё более совершенных конструкций для различных применений в улучшении и оптимизации их параметров и характеристик.

2. Для заданных параметров СФМ" - угла поворота, полосы рабочих частот, величины управляющего напряжения и емкостей датчика угла поворота и датчика момента - рассчитаны размеры элементов подвижной части конструкции. Рассчитаны габаритные размеры подвижной части, размеры торсиона, величина зазора между обкладками датчика для двух типов конструкций СФМ. Полученные расчётные значения использованы в конструкциях экспериментальных образцов, получено хорошее соответствие между расчётными и практическими параметрами СФМ.

Рассчитаны статические параметры резонатора и подвеса чувствительных элементов (ЧЭ) КМГ и для ММА. Проведён расчет углов отклонения чувствительного элемента (ЧЭ) ММА при действии ускорения вдоль оси чувствительности, анализ максимальных напряжений подвеса чувствительного элемента при отклонении на заданный угол и при действии внешних статических возмущений до 10g по осям х, у, z. На основе полученных расчетных данных разработаны конструкции ЧЭ КМГ и ММА.

3. Были проведены исследования свойств стекла, в результате которых было установлено, что ТКР стекла при достижении температуры —540 °С достаточно резко изменяется, по-видимому, из-за изменения его структуры за счёт полиморфных модификаций. Полученный результат указывает на необходимость выбора температуры сращивания деталей из стекла ЛК-105 и кремния не выше 540 °С.

4. Результаты ИК спектроскопии гидрогенизированных слоёв кремниевых пластин показали, что температура подложки играет важную роль в формировании водородосодержащего дефектного слоя в кремнии. Водородные центры в имплантированных протонами поверхностных слоях кремния на разных установках и при несколько отличающихся условиях внедрения характеризуются практически одинаковыми ИК спектрами в области валентных колебаний Si-H связей. Интерференционно-спектральная картина даёт полезную дополнительную информацию о дефектной структуре приповерхностных имплантированных слоев, особенно если рассматривать её в широком спектральном интервале (25000-400) см"1, т.е. (0,4-25) мкм.

5. Разработаны технологии изготовления наиболее сложного и ответственного элемента различных МЭМС - КМГ, ММА, СФМ и ММД — чувствительного элемента (ЧЭ). Для изготовления ЧЭ КМГ использован метод анизотропного плазмохимического травления (ПХТ) кремния. Рамка КМГ присоединялась к стеклянному основанию методом анодного сращивания. Для изготовления ЧЭ ММА применено жидкостное анизотропное травление, а для формирования соединения кремниевой рамки со стеклянным основанием использована эвтектической пайки Аи-Si. Изготовления ЧЭ СФМ включало изготовление роторного узла, прокладки- и статорной пластины, а также сборку и монтаж этих деталей в единую конструкцию. Для изготовления чувствительного элемента ММД давления разработана и практически использована технология «скрытых масок», основанная на использовании типовых процессов фотолитографии на всех этапах формирования многопрофильной конструкции.

6. Разработаны алгоритмы выполнения сборочно-монтажных операций для изготовления МЭМС. Образцы ММА были герметизированы при нормальном и пониженном давлении в атмосфере инертного газа, а КМГ - с пониженным давлением во внутрикорпусном объёме. Исследована возможность изготовления образцов ММВГ с геттером, размещаемом в корпусах до герметизации, что позволило повысить и стабилизировать добротность этих образцов (примерно на -30%).

При сборке и монтаже СФМ и ММД исследованы возможности применения в сборочно-монтажных операциях для соединения деталей процессов анодного сращивания, пайки эвтектическим припоем и стеклофриттой, выбор методов присоединения был сделан в пользу пайки эвтектическим припоем Si-Au для СФМ и анодного сращивания и эвтектической пайки для ММД. Были определены оптимальные режимы сращивания чувствительного кремниевого элемента со стеклянной платой, как в условиях нормального атмосферного давления, так и в условиях вакуума Рраб ~ 10"5мм.рт.ст. Надежное и воспроизводимое сращивание происходило при температуре ~ 410°С и высоком напряжении ~ 420 В.

7. Разработана и создана конструкция микроэлектромеханического инклинометра на базе ММА. Исследованы, характеристики, опытных образцов-инклинометров с помощью специально разработанного измерительного устройства. Контур обратной связи в измерительную схему был введен для увеличения диапазона измерений и точности измерений.

8. Для- формирования- точных трёхмерных структур в объёме подложки из монокристаллического кремния с ориентацией плоскости поверхности (100) выбран метод жидкостного анизотропного травленияУстановлено влияние на механические параметры подвижной части СФМ технологических погрешностей изготовления деталей его конструкции.

Исходя из: этого, были определены основные технические требования, предъявляемые к исходным кремниевым пластинам для, изготовления деталей МЭМС, властности подвижной части СФМ, а также к стеклянным пластинам.

9. Разработана конструкция СФМ в металлостеклянном корпусе с прозрачным окном, выполненным в его крышке, и специализированного оборудования для контроля- основных технических параметров СФМ. Чип СФМ имеет в свосм составе две платы, выполненные из кремниевой, и стеклянной пластин. Для- достижения необходимых величин зазоров между платами были использованы специальные прокладки. Измерение номинального угла поворота СФМ проводилось с помощью оптической и оптико-электронной систем.

10. Разработаны, изготовлены и использованы по назначению стенды для контроля параметров и характеристик МЭМС. Обработки результатов измерения выполнялась с использованием специальной компьютерной программы. Проведены^ измерения параметров и характеристик изготовленных образцов ММА по специально разработанным методикам.

11. Разработаны конструкции и технологии изготовления МЭМС приборов различного назначения: микрогироскопов, микроакселерометров, сложнофункциональных микроприводов, инклинометров и датчиков давления. Изготовлены экспериментальные образцы этих приборов, параметры и характеристик которых соответствовали заданным техническим заданием на разработку.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Бритков, Олег Михайлович, 2009 год

1. Мальцев П.М. Перспективы разработки микросистемной техники в России//Микросистемная техника, №8, 2002. С. 7-11

2. Шурыгина Е.В., Долгожданные МЭМС: технология малых формЮЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес, 2002, №4, с. 8-13

3. Вавилов В.Д. Интегральные датчики //Учебник. Нижегород. гос. техн. ун-т. Н. Новгород, 2003 - С. 270-315.

4. Распопов В .Я. Микромеханические приборы. Издательство: "Машиностроение", Издание 1-е. 2007г. 400 с.

5. Вавилов В.Д. Принцип построения интегрального гироскопа // Датчики и системы. 2000. - № 6. - С. 34-37.

6. Плеханов В.Е. Анализ путей повышения точности микромеханических инерциальных датчиков на основе модели погрешностей одного типа микрогироскопа // Оборонная техника. 1995. - № 8. - С. 11-14.

7. Васенков В.А., Епифанова В.А., Юдинцев В.В. "Микроэлектромеханические системы. Настало время выходить в свет". ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. Выпуск № 5-6/1998

8. Михайловский В. Н., Иванов С. К., Измерение кривизны скважин, К., 1960.

9. Калинин А. Г., Искривление буровых скважин, М., 1963.10. http://trosman.rinet.ru/inclin.htm11. http://www.rospribor.eom/catalog/cat/7.html

10. Маргелов А.В. Датчики давления компаний Honeywell и Motorola // Электронные компоненты, 2003, №8. С. 103-106.

11. Мокров Е.А. Интегральные датчики. Состояние разработок и производства. Направления развития, объемы рынка // Датчики и системы.-2000.-№1.-С. 28.30.

12. Васильев А.Н., Лучинин В.В., Мальцев П.П. Микросистемная техника. Материалы, технологии, элементная база.//Электронные компоненты, 2000, №4.

13. Вернер В.В., Сауров А.Н., Чаплыгин Ю.А., Шелепин Н.А. Микросистемы и биочипы трансфер технологии микроэлектроники.// Электронные компоненты.№1.2000.С.З-5.

14. Погалов А.И., Тимошенков В.П., Тимошенков С.П. Чаплыгин Ю.А. Разработка микрогироскопов на основе многослойных структур кремния и стекла.// Микросистемная техника №1.1999 с. 36-41.

15. Петрова В.З., Погалов А.И., Тимошенков С.П. Оптимизация параметров многослойных структур микросенсоров.//Изв.вузов Электроника №3 1999, с. 41-44.

16. Богданович Б.Ю., Графутин В.И.,.Залужный А.Г, Калугин В.В., Нестерович А.В., Прокопьев Е.П., Суворов A.JL, Тимошенков С.П., Чаплыгин Ю.А. Технологии и методы исследования структур кремний на изоляторе. М.: МИЭТ, 2003 - 288 с.

17. Виглеб Г. Датчики: Пер. с нем. М.: Мир, 1989. - 196 с.

18. Ваганов В.И. Интегральные тензопреобразователи. М.: Энергоатомиздат, 1983. -136 с.

19. Волков В.А. Сборка и герметизация микроэлектронных устройств. М.: Радио и связь, 1982. 144 с.

20. Маргелов А.В. "Мэмс-датчики давления FREESCALE SEMICONDUCTOR". Новости Электроники за 2006г., №14 стр. 13-14.

21. Казарян А. А. "Пленочные датчики давления". Бумажная галерея, 2006 г. 320 стр.

22. Волков В.А. "Применение датчиков давления фирмы MOTOROLA". КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ. 2000 г., №6

23. Вавилов В.Д., Поздяев В.И. Конструирование интегральных датчиков. М: Изд-во МАИ, 1993.- 68 с.

24. Косцов Э.Г. "Шаговые емкостные высокоэнергоемкие микродвигатели". Электронные компоненты, 2001, №1.

25. Бачурин В.В., Полехов В.В., Пыхтухов А.И. Применение анизотропного травления кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов // Электронная техника. 1982. №3. - С. 52-54.

26. Отчет К-БАЗА-ЭТ-04 «Отработка технологии и изготовление чувствительных элементов микромеханических датчиков», 2004г.

27. Тимошенков С. П. Технология формирования структур «Кремний на изоляторе»// Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. М.: МИЭТ, 2004, с. 263.

28. Petersen К.Е. Silicon as a mechanical material.//Proceedings of IEEE, pp. 420-457, 1982

29. Козин С.А. и др. Размерное травление кремния при изготовлении интегральных чувствительных элементов преобразователей механических величин // Приборы и системы управления. 1990 - № 10. - С. 42.43.

30. Тимошенков С.П. Рубчиц В.Г. Моделирование процесса прецизионного травления вибрационной системы датчика угловой скорости. Микросистемная техника, №3, 1992 г.

31. Симонов Б.М., Заводян А.В. Технологические основы микроэлектроники / Под ред. С.П. Тимошенков в 2-х ч.: ч.2.-М.: МИЭТ, 2009, 172 с.

32. Перри Дж. Справочник Инженера-химика/ Пер. с англ. Т.2. - М.: Химия, 1969.

33. Возьмилова JI.H., Бердиченко М.М. Травление сквозных отверстий в пластинах кремния. // Электронная техника, сер.2. Полупроводниковые приборы. 1980. - вып. 2.-С. 102.107.

34. Shimoyama I., Капо О., and Miura H., "3D Micro-structures Folded by Lorentz Force," 1998 IEEE 11th International Workshop on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS'98), Heidelberg, Germany, January 25-29, 1998, pp. 24-28

35. Тимошенков С.П., Дьячков C.A. Анодное сращивание кремниевых микромеханических элементов// Новые материалы и технологии НМТ-98: Тез. Докл. Всерос. науч. техн. конф. М.: МАТИ, 1998. - с. 295.

36. Tong Q.-Y., Gosel М. Wafer bonding and layer splitting for microsystems // Adv. Mater. No. 17. 11. 1999. P. 1409-1425.43. http://www.virginiasemi.com/

37. Моряков О. С. Производство корпусов полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1985

38. Тимошенков С. П., Бойко А. Н., Калугин В. В. Особенности герметизации микромеханических приборов// Оборонный комплекс научно-техническому прогрессу России, 2005. №1

39. Mirrors with Integrated Position-Sence Electronics for Optical-Switching Applications, Analog dialogue 36-04, 2002, p 3-4

40. Микроэлектромеханическое зеркало и массив зеркал, ВОИС, патент на изобретение №2075426, Transparent Networks, Inc., США, заявка №779189, 07.02.2001

41. Оптический переключатель и способ его изготовления, ЕПВ, патент на изобретение №1351078, G 02В 6/35, Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha, Япония, заявка №2002071959, 15.03.2002

42. Электромеханический настраиваемый микроаттешоатор, ЕПВ, патент на изобретение №1089109, G 02В 26/02, Jds Uniphase Inc., США, заявка №405789, 27.09.1999

43. Электромеханическое оптическое микроустройство, ЕПВ, патент на изобретение №1093003, G 02В 26/08, Lucent Technologies Inc., США, заявка №390580, 03.09.1999

44. Бистабильное микрозеркало с бесконтактными ограничителями, США, патент на изобретение №6657759, G 02В 26/08, Pts Corporation, США, 2001, заявка №899004, 03.07.2001

45. Оптический переключатель, Япония, патент на изобретение №3405528, G 02В 26/02, Fujikura Ltd, Nippon Telegraph & Telephone, Япония, заявка №208674, 07.08.1996

46. Микрозеркало и оптическая считывающая система, Япония, патент на изобретение №3406276, G 02В 26/08, Lg Electronics Inc., Корея, заявка №9919050, 26.05.1999

47. Способ изготовления матрицы зеркал, Япония, патент на изобретение №3482237, G 02В 5/08, Nippon Steel Corp, Япония, заявка №103355, 18.04.1994

48. Микрозеркало жесткой конструкции и способ его изготовления, США, патент на изобретение №6704132, G 02В 26/00, Texas Instruments Incorporated, США, заявка №26318, 20.12.2001

49. Микромеханический поляризующий модулятор, США, патент на изобретение №6707595, G 02В 26/00, Enstman Kodak Company, США, заявка № 351764

50. Сборка микрозеркала в корпусе, США, патент на изобретение №6714336, G 02F 1/01, Texas Instruments Incorporated, США, заявка №957476, 20.09.2001

51. Качающееся зеркало и способ его применения, США, патент на изобретение №6700688, G 02В 26/08, Ricoh Company, Ltd., Япония, заявка №338811, 29.11.1999

52. Устройство для управления угловым смещением зеркал, США, патент на изобретение №6577431, G 02F 1/09, Industrial Technology Research Institute, США, заявка №880813, 15.06.2001

53. Переменный оптический аттенюатор на основе микроэлектромеханических систем, США, патент на изобретение №6556338, G 02В 6/00, Innpax, Inc, США, заявка №368612, 02.11.2001

54. Микроэлектромеханическое зеркало и массив зеркал, США, патент на изобретение №6480320, G 02В 26/00, Transparent Optical, Inc., США, заявка №779189, 07.02.2001

55. Непрерывно регулируемое аналоговое устройство с микрозеркалом, США, патент на изобретение №6666561, G 02В 7/182, Hevlett-Packard Development Company, L.P., США, заявка №282363, 28.10.2002

56. Тимошенков С.П., Зотов С.А., Калугин В.В., Бритков О.М., Рубчиц В.Г., Воротников А.А., Прокопьев Е.П. Залечивание пор на границе сращивания подложек в структурах КНИ. Петербургский журнал электроники.2007.№1.С.21-29.

57. Mei Y., Lahiji Н., Najafi К. Gold-Silicon Eutectic Wafer Bonding Technology for Vacuum Packaging, WIMS ERC Annual Report, 2002, p. 120

58. Sparks D., Massoud-Ansari S., Najafi N. Reliable Vacuum Packaging Using NanoGettersTM and Glass Frit Bonding, Integrated Sensing Systems Inc., USA, Jan 2004, P. 71-75.

59. Cheng Y.-T., Hsu W. Т., Najafi K., Nguyen C., Lin L. Vacuum Packaging Technology Using Localized Aluminum/Silicon-to-Glass Bonding, Journal of microelectromechanical systems , vol. 11, No. 5, October 2002

60. Schmidt В., Nitzsche P., Lange K., Grigull S., Kreissig U., Thomas В., Herzog. In situ investigation of ion drift processes in glass during anodic bonding. Sensors and Actuators. A67 (1998), p. 191-198

61. Тимошенков С.П., Зотов C.A., Калугин B.B., Рубчиц В.Г., Бритков О.М., Прокопьев Е.П. Влияние пор и поверхностных нанослоев на изгибную жесткость подвеса чувствительных элементов МЭМС. Микросистемная, техника. 2006. №7. С.11-16.

62. Тимошенков С.П.; Бритков О.М., Зотов С.А., Рубчиц В.Г., Калугин В.В., Прокопьев Е.П. Исследования и разработка технологических процессов изготовления элементов микромеханики. Оборонный комплекс научно-техническому прогрессу России. 2006. №2. С.3-7.

63. Технология и конструкция полупроводниковых приборов. М., «Энергия», 1970.

64. Мазур А. И., Алехин В. П., Шоршоров М. X. Процессы сварки и пайки в производстве полупроводниковых приборов. -М.: Радио и связь, 1981, с. 204

65. Бритков О.М., Симонов С.Б., Исследование тепловых свойств полимерных материалов, используемых в конструкциях герметичных блоков микроэлектронной аппаратуры // Микроэлектроника и информатика — 2003. М.: МИЭТ, 2003

66. Корпуса микросборок. Технические условия ПИЖМ.430114.001

67. Z. Harmany, "Effects of Vacuum Pressure on the Resonance Characteristics of MEMS Cantilever Structures", NSF EE REU PENN STATE Annual Research Journal Vol. I (2003), pp. 54-63

68. Бритков O.M., Симонов Б.М., Разработка технологии герметизации микромеханических устройств в стеклянном корпусе. // Микроэлектроника и информатика 2004. М.: МИЭТ, 2004

69. Chang-Chien P., Wise К. Hermetic Vacuum Packaging using Localized Mass Deposition, WIMS ERC Annual Report, 2002, p. 119

70. Liu Sh., MEMS Packaging and Testing, HuaZhong University of Sciences and Technology, Dec. 2002, P. 153-155,

71. Тимошенков С.П., Рубчиц В.Г., Шилов В.Ф., Плеханов В.Е., Тихонов В.А., Максимов В.Н. Перспективы создания и применения микромеханических вибрационных гироскопов.// Сб. «ДДАТ-2003», Пенза 2003, С. 39.

72. Бойко А.Н. Исследование влияния температуры на функционирование микромеханического вибрационного гироскопа.// «Микроэлектроника и информатика 2004», М.: МИЭТ, 2004, с. 114

73. Саксаганский Г.Л., Уколов С.И. Вакуумно-технологические характеристики нераспыляемых геттеров и средства откачки на их основе.// Сб. «Криогенное и вакуумное машиностроение», сер. ХМ-6, 1991, С. 1,2.86. www.ansys.com

74. Пешехонов В.Г. Ключевые задачи современной автономной навигации.// Гироскопия и навигация. № 1. - 1996. - С. 48-55.

75. Зотов С.А. Микромеханические акселерометры. // Техника XXI века глазами молодых ученых и специалистов. Тула 2000. - С. 23-32

76. Бритков О.М., Разработка конструкции микромеханического акселерометра. //Микроэлектроника и информатика 2005 12-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. М.: МИЭТ, 2005. С 123

77. Зотов С.А. Расчет формы деформируемой балки микромеханического акселерометра. // Известия Тул. госуд. университета сер. Проблемы специального машиностроения. Выпуск 4 (4.2). Тула 2001. - С. 154-157.

78. Зотов С.А., Бойко А.Н., Бритков О.М. Косвенный анализ жесткости подвеса чувствительного элемента микромеханического устройства.// «XXXI Гагаринские чтения», М. 2005, с. 42-43

79. Stein H.S. Bonding and stability of cm planed hydrogen in silicon. Journal of Electronic Materials, vol.4, No.l, 1975, 159-174.

80. Tatarkiewicz J. Optical Effects of High Energy Implantations in Semiconductors. Phys. Slot. sol. (6), vol.153, No.ll, 1989, p. 11-47.

81. Budde M., Lupke G., Chen E., Zhang X., TolkN.H., Feldman L.C., Tarhan E., Ramdas A.K., and Stavola M. Lifetimes of Hydrogen and Deuterium Related Vibrational Modes in Silicon. Phys. Rev. Let., vol.87, No. 14, 2001, pp.145501-1-145501-4.

82. Тимошенков С.П., Калугин B.B., Прокопьев Е.П. Исследование процессов подготовки поверхности пластин кремния в процессе изготовления структур КНИ и микроэлектронных изделий.// Микроэлектроника, т.32. №6. - С. 459-465.

83. Козлов Ю.Ф., Зотов В.В. Структуры кремния на сапфире: Технология, свойства, методы контроля. М.:МИЭТ, 2004.С.5-10.

84. Бударагин В.В. Исследование физических процессов ионного отщепления («Smart-cut») оптическими методами. Диссертация. Москва. 2004 г. Российский научный центр «Курчатовский институт».

85. Katsuhiro Yokota, Tetsuya Kageyama, Saichi Katayama. Oxidation and stress relief in air at room temperature of amorphous silicon hydrogenated in a glow discharge. Sol.-State Electronics, vol.28, No. 9, pp893-901, 1985.

86. Киланов Д.В., Попов B.T., Сафронов П.Н., Никифоров А.И., Шольц Р. Водородно-индуцированное скалывание в кремнии по заглубленному слою, сильно легированному бором. Физика и техника полупроводников, том 37, вып.6, 2003 г., стр.644-648.

87. Chen C.S. and Schroder D.K. Lattice distortions and vibrational anodes of substitutional impurities in silicon. Phys. Rev.V.35 №2.1987.P.713-717/

88. Chabal Y.S. and Kroshnan Raghavachari. New Ordered Structure for the H-Saturated Si (100) Surface: The (3x1) Phase. Phys. Rev. Let., vol.54, No.10, ppl055-1058.

89. Yoshihiro Kobayashi, Hiroaki Isaka and Toshio Ogino. Observation of Si-H Surface Vibrations on Si (001) by Infrared Reflection Spectroscopy. Physical Science Research Laboratory. Internet.

90. Ma Y., Huang Y.L., Job R., Fahrner W.R. Dissociation, Transformation and Recombination of Sill Bonds in Hydrogenated Crystalline Silicon Determined by In-Situ ji-Raman Spectroscopy. Phys. Rev. 1371, 045206, 2005.

91. Clergand В., Cote D., and Naud C. Evidence for Complexes of Hydrogen with Deep-Level Defects in Bulk III v Materials. Phys. Rev. Let., vol.58, No.17, 1987, 1755-1757.

92. Крылова Т.Н. Интерференционные покрытия. Ленинград, «Машиностроение». 1973г.

93. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977.С.68-70.

94. Лехницкий С.Г. Теория упругости анизотропного тела. М., ОГИЗ, 1950.

95. Тимошенков С.П., Калугин В.В., Светлов-Прокопьев Е.П. Подготовка кремниевых пластин для структур КНИ: химическая обработка // Петербургский журнал электроники. №1. 2004 г. С. 13-19.

96. Калугин В.В., Дьячков С.А. Анодное соединение элементов микроэлектромеханических приборов // Тезисы доклада на Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика-99».- М.:- С.62.

97. Артемов В.М., Кудряшов Е.А., Левина Е.С. Пути совершенствования емкостных датчиков давления и ускорения // Приборы и системы управления. 1989.-№ 9.- С.7.8