Разработка конструкторско-технологических методов и средств повышения надёжности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.14, кандидат наук Макеев, Мстислав Олегович

• Макеев, Мстислав Олегович
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Макеев, Мстислав Олегович

ОГЛАВЛЕНИЕ

Стр.

Обозначения и сокращения

Введение

Глава 1. Проблемы обеспечения надежности при производстве смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов

1.1. Перспективность применения резонансно-туннельных диодов в нелинейных преобразователях радиосигналов

1.2. Анализ конструкций микро- и наноэлектронных диодных смесителей СВЧ-радиосигналов и технологий их производства

1.2.1. Типы конструкций смесителей СВЧ-радиосигналов

1.2.2. Применение метода ИК-спектральной эллипсометрии

в технологиях приборостроения

1.2.3. Технологии изготовления смесителей радиосигналов

на основе РТД

1.3. Анализ литературных данных по проблеме надежности диодных смесителей радиосигналов на основе РТД

1.4. Цель и задачи работы

Глава 2. Теоретические исследования влияния деградационных явлений

в структуре РТД и погрешностей его изготовления на выходные

электрические параметры смесителя радиосигналов

2.1. Исследование влияния диффузионных процессов в наноразмерных АЬ^АЗаАз резонансно-туннельных структурах, приконтактных областях и омических контактах на ВАХ РТД и выходные электрические параметры смесителя радиосигналов

2.1.1. Механизмы диффузии в А^АЗаАБ гетероструктурах

2.1.2. Определение активационных параметров диффузии

2.1.3. Оценка влияния диффузионных процессов в наноразмерных АЬ^ЛЗаАэ резонансно-туннельных

гетероструктурах и омических контактах на ВАХ РТД и выходные электрические параметры смесителя радиосигналов

2.2. Исследование влияния технологических погрешностей на форму ВАХ РТД и выходные электрические параметры смесителя радиосигналов

2.2.1. Исследование чувствительности выходных электрических параметров балансного смесителя на основе РТД к толщине барьеров РТГС

2.2.2. Исследование чувствительности выходных электрических параметров балансного смесителя на основе РТД к высоте барьеров симметричной РТГС

2.2.3. Исследование чувствительности выходных электрических параметров балансного смесителя на основе РТД к толщине ямы симметричной РТГС

2.3. Исследование влияния технологических факторов (температуры выращивания и отжига) на деградацию РТС и приконтактных областей

Глава 3. Экспериментальные исследования влияния технологического процесса изготовления на модификацию свойств резонансно-туннельной

гетероструктуры и омических контактов смесительных РТД

3.1. Методики и оборудование для проведения исследований влияния технологического процесса изготовления на модификацию свойств резонансно-туннельной гетероструктуры и омических контактов смесительных РТД

3.1.1. ИК-спектральный эллипсометр IR-VASE

3.1.2. Стенд Agilent для измерения выходных электрических характеристик смесителя радиосигналов

3.1.3. Микрозондовый стенд для измерения ВАХ РТД

3.1.4. Оборудование для проведения ускоренного старения смесительных РТД и АЬ^ЛЗаАз резонансно-туннельных гетероструктур

3.2. Экспериментальные исследования наноразмерных модельных органических и металлоорганических гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии

3.2.1. Гетероструктуры на основе политетрафторэтилена

3.2.2. Гетероструктуры на основе лавсана

3.3. Экспериментальные исследования влияния параметров технологического процесса изготовления наноразмерных А^/ваАз резонансно-туннельных гетероструктур на скорость деградационных процессов в этих структурах

3.3.1. Исследование гетероструктуры с эпитаксиальным слоем ОаАв

3.3.2. Исследование гетероструктуры с Б^легированным слоем ваАв

3.3.3. Исследование сильно легированной структуры п-ОаАв

3.3.4. Исследование АЬ^ЛЗаАв резонансно-туннельной гетероструктуры

3.4. Экспериментальные исследования влияния параметров конструкции и технологии изготовления АиОе№ омических контактов резонансно-туннельных диодов на скорость их диффузионной деградации

Глава 4. Разработка методик технической диагностики и прогнозирования надежности резонансно-туннельных диодов и

смесителей радиосигналов на их основе

4.1. Разработка программно-расчетного комплекса сНОИТБ для проведения математического моделирования диффузионных

процессов в AlAs/GaAs наноразмерных гетероструктурах и вольт-амперных характеристик РТД на базе данных гетероструктур

4.1.1. Модуль численного моделирования диффузионных процессов в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах

4.1.2. Модуль численного моделирования вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов

4.1.3. Модуль численного моделирования деградации AuGeNi омических контактов

4.1.4. Экспериментальная проверка точности моделирования ВАХ РТД программно-расчетным комплексом dif2RTD

4.2. Исследование применимости Microwave Office для проектирования смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов

4.2.1. Измерение рабочих параметров смесителей

4.2.2. Анализ корректности расчета параметров БСМ по различным методикам

4.3. Разработка методики диагностики качества наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур на основе ИК-спектральной эллипсометрии

4.4. Разработка методики оценки изменения ВАХ РТД под действием деградационных процессов в его структуре

4.5. Разработка методики прогнозирования надежности смесителей радиосигналов на основе РТД в результате диффузионных процессов в резонансно-туннельной структуре, приконтактных областях и омических контактах

Глава 5. Выбор конструкторско-технологических методов и средств повышения надежности смесителей радиосигналов на основе AlAs/GaAs резонансно-туннельных диодов

5.1. Применение методики диагностики качества наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур на основе ИК-спектральной эллипсометрии для выбора режимов технологической операции молекулярно-лучевой эпитаксии

5.2. Применение методики оценки изменения вольт-амперных характеристик РТД под действием деградационных процессов в его структуре для выбора варианта исполнения омических контактов смесительных РТД

5.3. Разработка технологической операции контроля качества изготовления наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур на основе метода ИК-спектральной эллипсометрии

5.4. Разработка технологической операции селекции смесительных AlAs/GaAs РТД

5.5. Разработка рекомендаций по изменению параметров конструкции наноразмерной AlAs/GaAs резонансно-туннельной гетероструктуры

Выводы и заключение

Список используемых источников

Обозначения и сокращения

РТД - резонансно-туннельный диод

ВАХ - вольт-амперная характеристика

РЭС - радиоэлектронная система

ДБШ - диод с барьером Шоттки

РТС - резонансно-туннельная структура

СмР - смесители радиосигналов

РТГС - резонансно-туннельная гетероструктура

ОК - омические контакты

МЛЭ - молекулярно-лучевая эпитаксия

ИК - инфракрасный спектр

ИК-СЭ - ИК-спектральная эллипсометрия

ЭМ - эллипсометрическая модель

ТО - transverse optical

LO - longitudinal optical

ГС - гетероструктура

MC - монослой

СГСМ - субгармонический смеситель

БСМ - балансный смеситель

ДБС - двойной балансный смеситель

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка конструкторско-технологических методов и средств повышения надёжности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов»

Введение

Актуальность работы

Одним из путей улучшения качества радиоэлектронных систем является использование полупроводниковых приборов, функционирующих на основе квантоворазмерных эффектов. К таким приборам относятся резонансно-туннельные диоды (РТД) на базе многослойных наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур (РТГС) с поперечным токопереносом. Малое время туннелирования электронов 10"14с) обеспечивает предельно высокое быстродействие диода (частота ~ 1 ТГц) и подавление дробовых шумов. Изменяя параметры слоев резонансно-туннельных гетероструктур (толщину, химический состав), можно варьировать форму вольт-амперной характеристики (ВАХ). Такие свойства РТД позволяют создавать на его базе различные нелинейные преобразователи радиосигналов: смесители, выпрямители, умножители и генераторы для диапазонов СВЧ и КВЧ, функциональные характеристики которых могут быть улучшены за счет оптимизации формы ВАХ нелинейного элемента.

Смесители радиосигналов (СмР) конструктивно реализуются в виде монолитной или гибридной интегральной схемы. Их конструкция включает в себя подложку, на которой реализуется интегральная схема, расположенные на ней пассивные элементы и, собственно, диод. Применение смесителя радиосигналов на основе РТД позволяет повысить чувствительность и помехоустойчивость приемника. Вместе с тем задача обеспечения заданных высоких показателей надёжности СмР на основе РТД на настоящий момент полностью не решена, между тем как требования к гамма-процентной наработке до отказа (7^0,9999) СмР для авиационного приборостроения составляют 6...8 лет, для космической отрасли - 13... 15 лет.

Задача достижения указанных значений надежности СмР может быть решена при системном подходе к этой проблеме, основанном на исследовании деградационных явлений в структуре СмР, определяющих формирование их

отказов, с учетом параметров конструкции и технологии изготовления. В конечном итоге это позволит провести выбор конструкторско-технологических методов и средств повышения надежности СмР на основе РТД.

Предварительные исследования, проведённые в МГТУ им. Н.Э. Баумана, показали, что для СмР основным типом отказов являются постепенные отказы, которые в свою очередь обусловлены процессами старения элементов РТД. В соответствии со структурой РТД старение происходит в результате деградационных явлений, обусловленных диффузионным размытием, в А1А8АЗаА8 резонансно-туннельной структуре (РТС), приконтактных слоях (слои 8ьлегированного ваАз) и омических контактах (ОК). Интенсивность отказов зависит от параметров РТГС, технологии ее изготовления и от конструкции и технологии изготовления омических контактов.

В связи с этим представляется актуальной, имеющей важное научное и практическое значение работа, направленная на обеспечение заданного уровня надежности смесителей радиосигналов на резонансно-туннельных диодах. Ее выполнение предполагает проведение теоретических и экспериментальных исследований деградации показателей назначения смесителей радиосигналов на основе А1Аз/ОаА8 РТД.

Цель диссертационной работы

Целью работы является повышение надёжности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов. Основные задачи исследования

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие основные задачи:

1. Исследование закономерностей формирования постепенных отказов смесителей радиосигналов на основе РТД;

2. Исследование влияния деградационных явлений в РТС, приконтактных областях и омических контактах РТД на выходные электрические параметры смесителей радиосигналов;

3. Исследование влияния технологического процесса изготовления на модификацию свойств резонансно-туннельной гетероструктуры и омических контактов смесительных РТД с использованием методов ИК-спектральной эллипсометрии (ИК-СЭ) и ускоренного старения полупроводниковых устройств;

4. Разработка методик технической диагностики РТД с использованием методов ИК-СЭ и ускоренного старения полупроводниковых устройств и методики прогнозирования надежности смесителей радиосигналов на основе РТД;

5. Выбор конструкторско-технологических методов и средств повышения надежности смесителей радиосигналов на основе ЛЬАвАЗаАв РТД.

Научная новизна

Новыми научными результатами, полученными автором, являются:

1. Определена физическая сущность процессов, определяющих формирование постепенных отказов смесителей радиосигналов на основе РТД, в основе которых лежат особенности протекания деградационных процессов как в наноразмерных полупроводниковых А^зАлаАв резонансно-туннельных гетероструктурах, так и омических контактах резонансно-туннельных диодов;

2. Математическая модель деградационных процессов в РТД, позволяющая проводить оценку дрейфа ВАХ РТД в процессе эксплуатации и связанного с этим изменения выходных электрических параметров СмР, и, соответственно, прогнозировать надежность СмР на основе РТД при различных конструкторско-технологических решениях изделия. Модель формализована в виде двух частных моделей: математической модели деградации РТГС, определяемой диффузией А1 и в РТГС, и математической модели деградации контактного сопротивления ОК, связанной с диффузионным размытием структуры омических контактов.

3. Комплекс методик технической диагностики РТД, позволяющий оценить качество их изготовления, включает в себя методику диагностики качества наноразмерных АЬ^/ваЛв РТГС с использованием метода ИК-СЭ, позволяющую определять коэффициенты диффузии А1 и 81 в ОаАв, и методику оценки изменения ВАХ РТД под действием деградационных процессов в его структуре, позволяющую определять зависимость контактного сопротивления ОК от времени и температуры;

4. Методика прогнозирования надежности СмР на основе РТД, включающая в себя моделирование деградационных процессов в РТД, его ВАХ и выходных электрических характеристик смесителя радиосигналов на основе РТД. Методика позволяет выбирать рациональные конструкторско-технологические решения, обеспечивающие заданный уровень надежности СмР на основе РТД.

Практическая ценность работы

1. Разработанный программно-расчетный комплекс сН£21ИТ) позволяет моделировать ВАХ РТД с учетом диффузионных процессов в А1Аз/ОаА8 РТГС и омических контактах. На основе сШ2КЛТ) на этапе конструкторско-технологического проектирования проводится выбор рациональных параметров, а именно толщин и химического состава как РТС, так и приконтактных областей с целью улучшения показателей надежности РТД и СмР на их основе;

2. Разработан алгоритм выбора вариантов исполнения омических контактов смесительных РТД с целью поиска ОК с минимальной скоростью термической деградации при эксплуатации смесительных АЬ^/ОаАз РТД; выбор проводится на этапе отработки технологии изготовления СмР и реализуется на базе методики оценки изменения ВАХ РТД под действием деградационных процессов в его структуре;

3. Разработан алгоритм выбора режимов технологической операции молекулярно-лучевой эпитаксии с учетом технологических особенностей

оборудования на этапе отработки технологии изготовления смесительных РТД с целью минимизации деградации АЬ^ЛЗаАз РТС в процессе изготовления и эксплуатации смесителей радиосигналов; выбор реализуется с применением методики диагностики качества наноразмерных АГАзЛЗаАв РТГС на основе ИК-СЭ;

4. Разработана технологическая операция контроля качества изготовления наноразмерных А1 Аз/ваЛв РТГС на основе ИК-СЭ (на базе разработанной автором методики), которая позволяет повысить надежность смесителей радиосигналов на основе РТД;

5. Разработана технологическая операция селекции смесительных А1А8ЛЗаА8 РТД (на базе разработанной автором методики), которая позволяет в рамках технологического цикла производства СмР определять численные значения как индивидуальной, так и групповой надёжности РТД и СмР на его основе, а также выполнять селекцию образцов по степени их надежности.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Математическая модель деградационных процессов в РТД, состоящая из суперпозиции моделей диффузии А1 и 81 в РТС и приконтактных областях и деградации контактного сопротивления ОК;

2. Результаты теоретических и экспериментальных исследований формирования показателей надежности СмР на основе РТД с использованием методов ИК-СЭ и ускоренного старения полупроводниковых устройств, в том числе, экспериментально определенные численные характеристики основных деградационных процессов, происходящих в структуре СмР на основе РТД (активационные параметры диффузии А1 и 51 в РТС и приконтактных областях, а также зависимость контактного сопротивления АиОе№ омических контактов от времени и температуры);

3. Комплекс методик технической диагностики РТД, позволяющий оценить качество их изготовления, включает в себя методику диагностики качества наноразмерных АЬ^/ваЛв РТГС на основе ИК-СЭ и методику оценки изменения ВАХ РТД под действием деградационных процессов в его структуре;

4. Методика прогнозирования надежности смесителей радиосигналов на основе РТД;

5. Конструкторско-технологические методы и средства повышения надежности смесителей радиосигналов на основе А1Аз/СаА8 резонансно-туннельных диодов:

• Алгоритм выбора режимов технологической операции МЛЭ на базе методики диагностики качества наноразмерных А1 Аз Ал а Аз резонансно-туннельных гетероструктур на основе ИК-СЭ;

• Алгоритм выбора структуры омических контактов смесительных РТД на базе методики исследования изменения ВАХ РТД под действием деградационных процессов в его структуре;

• Технологическая операция контроля качества изготовления наноразмерных АЬ^АлаАз РТГС на основе ИК-СЭ;

• Технологическая операция селекции смесительных АЬ^ЛЗаАв РТД;

• Рекомендации по изменению параметров конструкции наноразмерной А1А8АлаА8 РТГС для повышения надёжности СмР на основе РТД.

Методы исследования

В работе использовались фундаментальные положения технологии приборостроения, технологии радиотехнических средств, физических основ микроэлектроники, физики твёрдого тела. Экспериментальные исследования проводились по специально разработанным методикам с использованием ИК-спектрального эллипсометра, микрозондового стенда, измерительного СВЧ-стенда и др. спец. оборудования.

Достоверность и обоснованность научных положений и выводов,

представленных в диссертационной работе автором, подтверждена результатами экспериментальных исследований деградационных процессов в наноразмерных AlAs/GaAs РТГС методом ИК-СЭ, измерений СВЧ-параметров СмР и ВАХ РТД, применением методов Цу-Есаки и матриц переноса для расчета ВАХ РТД, методов гармонического баланса и рядов Вольтера для моделирования параметров СмР, а также практическим использованием полученных результатов в производственных условиях.

Личный вклад автора

Все результаты диссертационной работы получены лично автором или при его непосредственном участии в результате проведения экспериментальных и расчетных работ. Во всех необходимых случаях заимствования чужих результатов в диссертации приведены ссылки на литературные источники.

Реализация и внедрение результатов работы

Внедрение и промышленная апробация результатов работы осуществлялась на ФГУП ЦНИРТИ им. академика А.И. Берга г. Москва, а также в НИИ РЛ и УИЦ HT НМСТ МГТУ им. Н.Э. Баумана, что подтверждено актами о внедрении.

Апробация результатов работы

Вошедшие в диссертацию результаты докладывались и обсуждались на 11 международных и всероссийских конференциях, симпозиумах и форумах.

Публикации

Основное содержание работы отражено в 14 публикациях, из них в журналах из перечня ВАК РФ - 8.

Структура и объём работы

Диссертация состоит из введения, 5 глав, выводов, списка используемой литературы и приложений. Содержит 241 страницу, в том числе 155 иллюстраций и 8 таблиц.

Глава 1. Проблемы обеспечения надежности при производстве смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов

Данная глава посвящена анализу перспективности применения РТД в нелинейных преобразователях радиосигналов, анализу конструкций микро- и наноэлектронных диодных смесителей СВЧ-радиосигналов и технологий их производства, а также проблеме достижения заданного уровня надежности диодных смесителей радиосигналов на основе РТД.

1.1. Перспективность применения резонансно-туннельных диодов в нелинейных преобразователях радиосигналов

В радиотехнических системах передача информации осуществляется путем частотного преобразования сигналов: в радиопередающем тракте -модуляцией несущей и повышающим преобразованием частоты, в радиоприемном - переносом спектра частот сигнала вниз и его демодуляцией. При этом часто применяется нерезонансное умножение или деление частоты. Такие операции выполняются нелинейными устройствами - модулятором, детектором, смесителем, делителем и умножителем частоты. Нелинейные преобразования сигналов сложны для анализа, поскольку на выходе устройств кроме полезного сигнала возникает множество комбинационных составляющих, уровень которых зависит от вида вольт-амперной характеристики (ВАХ) нелинейного элемента, схемотехнического решения, количества входных сигналов и соотношения их частот и амплитуд.

Развитие радиоэлектронных систем (РЭС) телекоммуникаций, связи, радиолокации, специального назначения предполагает улучшение их технических характеристик при повышении рабочего диапазона частот: уменьшение искажений сигналов, расширение полосы частот и динамического диапазона обрабатываемых сигналов, повышения помехоустойчивости. Вместе

с этим ужесточаются требования к эксплуатационным и конструктивным параметрам.

Современные приемники сантиметровых и миллиметровых волн строятся по схеме с преобразованием частоты. В таких приемниках характеристики нелинейного входного устройства - преобразователя частоты (смесителя) -вносят основной вклад в чувствительность, помехоустойчивость и неискаженную передачу информации всей системой.

Основным элементом смесителя, определяющим его технические характеристики, является нелинейный элемент — диод или транзистор. В диапазонах СВЧ и КВЧ в смесителях применяют, как правило, диоды с барьером Шоттки (ДБШ). Принципиальным свойством ДБШ является экспоненциальная форма вольт-амперной характеристики, что обусловливает появление в спектре выходного сигнала смесителей паразитных составляющих и побочных каналов приема. Помимо снижения помехоустойчивости побочные каналы приема снижают чувствительность приемника за счет преобразованных шумов. Экспоненциальная форма ВАХ ДБШ обуславливает также высокий уровень нелинейных и интермодуляционных искажений, что ограничивает динамический диапазон обрабатываемых сигналов. Для частичного устранения этих недостатков применяют балансные смесители с двумя, четырьмя и более диодами, работающие при повышенной мощности гетеродина. Для распределения без потерь мощностей сигнала и гетеродина на каждый диод применяют направленные ответвители и согласующие трансформаторы, что накладывает ограничения на диапазон рабочих частот смесителя, увеличивает массу и габариты конструкции. В диапазоне миллиметровых волн смесители являются первым каскадом приемника; технически реализуемы смесители с одним либо двумя диодами.

Таким образом, использование диодов Шоттки ограничивает расширение динамического диапазона и полосы частот сигналов, чувствительность и помехоустойчивость системы.

Одним из путей улучшения качества смесителей является применение в качестве нелинейного элемента полупроводниковых приборов, функционирующих на основе квантоворазмерных эффектов. Среди них привлекает внимание резонансно-туннельный диод (РТД) на базе многослойных наноразмерных полупроводниковых гетероструктур А3В5 с поперечным токопереносом [1-3]. Изменяя параметры слоев гетероструктуры (толщину, химический состав), можно управлять формой вольтамперной характеристики и создавать диод с оптимальной для конкретного вида нелинейного преобразования формой В АХ [4-5]. Малое время туннелирования электронов (порядка 10"14 с) обеспечивает предельно высокое быстродействие диода и подавление дробовых шумов.

Одним из первых теоретические и экспериментальные вопросы радиотехнических приложений РТД исследовал Т.СХ.О. 8о1пег [6-9]. Набор возможных нелинейных преобразований с применением РТД очень широк: генерация радиосигналов, частотная модуляция, смешивание радиосигналов, амплитудное детектирование, выпрямление, генерация сетки частотных меток и др. [10]. С практической точки зрения важны два обстоятельства:

- РТД функционирует в нужном для технических приложений диапазоне температур и других внешних воздействий,

- технология и оборудование для производства РТД давно существуют в рамках технологий микроэлектроники.

Исследованиям РТД и функциональных устройств на его основе посвящена обширная библиография. В работах [1-5, 10-19], рассматриваются применения ЛЮа/ваАв РТД в нелинейных преобразователях радиосигналов. Темой исследования работ [20-28] являются физические процессы в гетероструктуре АЮаАЗаАз РТД и построение их моделей. Вопросам стойкости к внешним воздействиям и надежности АЮаЛлаАв РТД посвящены работы [29, 30].

Топология, конструкция и внешний вид одного из макетов АЮаЛЗаАз РТД показаны на Рисунках 1.1 - 1.3 соответственно.

1 и 7 - контактные площадки, 2 и 6 - соединительные мостики, 3 - нижний, 4 -

верхний выводы (электроды) диода, 5 - область мезаструктуры Рисунок 1.1. Схема топологии макета РТД

1 - полуизолирующая ваАз подложка, 2 - п+ - слой, 3 - участки п+ слоя с уничтоженной электропроводностью,4 — контактные площадки, 5 и 10 -воздушные мостики, 6 - полиимидный слой, 7 и 9 - нижний и верхний выводы

диода, 8- гетероструктура Рисунок 1.2. Схема конструкции макета РТД

Рисунок 1.3. Внешний вид макета РТД

Рассмотрим принцип действия двухбарьерного РТД на основе АЮаЛлаАя гетероструктуры. Профиль дна зоны проводимости АЮаАЗаАз резонансно-туннельной гетероструктуры (РТГС) поперек слоев РТД показан на Рисунке 1.4. Структура состоит из областей «эмиттера» и «коллектора», между которыми располагается резонансно-туннельная структура (РТС). РТС состоит из 2-х слоев широкозонного материала (барьеры) и слоя узкозонного материала (потенциальная яма). РТС имеет характерные размеры в несколько десятков нанометров, и токоперенос в ней описывается законами квантовой механики. Области «эмиттера» и «коллектора» имеют характерные микрометровые размеры, и токоперенос в них описываются законами классической электродинамики.

Прафаяь да» юны яроюдшостш «омр«( сявм:

Е - 0,5 эВ

электрон О-►

Ер-0,1 эВ

II

"Г"

» «

| Аи ; СаАз • •

электрон

О-

СвО

I 5 ОаАв ; Оа^х « <5аАв 5 А& !

М

> % % % ^ «V

ваАв ; ОаАв ! <в1>

Аи

Рисунок 1.4. Профиль дна зоны проводимости АЮаАБ гетероструктуры поперек слоев РТД

Область РТС представляет собой собственный полупроводник и поднята по энергии относительно областей эмиттера и коллектора на величину контактной разности потенциалов около 0,1 эВ между АЮа/ваАз и металлическими электродами. Состояние электрона проводимости в центральных квантоворазмерных слоях описывается волновой функцией, а в периферийных микронных слоях - классическим распределением вероятности.

Токоперенос через РТС может быть описан с помощью метода матрицы переноса (ММП), который позволяет вычислить так называемую прозрачность квантоворазмерной гетероструктуры. Решение получается в виде

полуклассической формулы Цу-Есаки [31-33]:

00

КЕ, и) = С j Ef FÍE, и) ■ Т{Е, U)dE, (1.1)

о

где J - плотность тока поперек слоев, А/см2;

U - напряжение, приложенное к исследуемой структуре, В;

С — постоянная, равная 2-10 А/(см -эВ );

Е — кинетическая энергия движения электронов в зоне проводимости поперек слоев РТС, эВ;

Ер — уровень Ферми, эВ;

F(E, U) - подынтегральная функция Ферми, характеризующая энергетическую плотность распределения электронов;

Т(Е, U) — прозрачность гетероструктуры, т.е. вероятность прохождения электрона поперек слоев, Т(Е, U) рассчитывается методом матрицы переноса [33].

На Рисунке 1.5 представлены ВАХ AlGa/GaAs РТД с различными толщинами слоев. Тут же для сравнения приведена ВАХ типичного диода с барьером Шоттки (ДБШ). Видно, что ВАХ РТД более пологие, чем экспоненциальная ВАХ ДБШ.

Таким образом, анализ литературных источников по приборам, функционирующих на основе явления резонансного туннелирования носителей заряда позволяет заключить:

РТД функционирует в нужном для технических приложений диапазоне температур и других внешних воздействий;

Технология и оборудование для производства РТД давно существуют в рамках технологий микроэлектроники;

РТД используются, или предлагаются для использования в нелинейных преобразователях радиосигналов: генераторах, частотных модуляторах, переносчиках частоты, смесителях, смесителях с усилением сигнала, детекторах, выпрямителях;

РТД может использоваться в смесителях любых типов и конструкций на частотах от звуковых до 1000 ГГц.

1,отн.ед.

Рисунок 1.5. В АХ РТД (кривые 1,2,3,5,6,7) и ДБШ (кривая 4)

Реализация более пологой ВАХ РТД по сравнению с экспоненциальной ВАХ ДБШ способствует уменьшению амплитуд паразитных составляющих в спектре выходного сигнала смесителя. Это позволит снизить уровень искажений сигналов, уменьшить влияние побочных каналов приема и уровень преобразованных шумов.

ВАХ РТД может изменяться в широких пределах, т.е. можно создать РТД с оптимальной для конкретного вида нелинейного преобразования формой ВАХ за счет выбора параметров слоев наноразмерной гетероструктуры А3В5.

Технологический процесс изготовления РТД включает в себя типовые операции изготовления элементов на технологической базе микроэлектроники. Полупроводниковые слои наноразмерной толщины получают, как правило, методом молекулярно-лучевой эпитаксии, ионной имплантации, топологию формируют известными методами нанесения тонких пленок и фотолитографией.

Кроме того, квантоворазмерные принципы токопереноса позволяют применять устройства на основе РТД вплоть до диапазона ТГц. В результате открывается возможность повышения технических характеристик радиолокационных систем, плотности потоков информации систем радиосвязи и телекоммуникаций.

1.2. Анализ конструкций микро- и наноэлектронных диодных смесителей СВЧ-радиосигналов и технологий их производства

1.2.1. Типы конструкций смесителей СВЧ-радиосигналов

В смесителях СВЧ-радиосигналов применяются смесители (СмР) на ДБШ двух основных типов: классические балансные, которые используют в качестве промежуточной частоты разность между частотой сигнала и гетеродина, двойные балансные, с фазовым подавлением зеркальной частоты и субгармнические, у которых частота гетеродина в несколько раз меньше сигнальной. При этом промежуточная частота является разностью между частотой сигнала и гармоникой гетеродина. В смесителях исторически первыми применялись точечно-контактные ДБШ, затем планарные диоды. Планарные ДБШ обладают большей механической прочностью, воспроизводимостью, и могут объединяться по несколько штук в кольцевые, соединенные звездой, последовательной или антипараллельной конфигурации.

Проблема использования балансных смесителей (БСМ) в субмиллиметровом (СММ) диапазоне состоит в отсутствии генераторов требуемой мощности. Поэтому данный тип применяется до 900 ГГц [34] и требует подачи напряжения смещения на диоды. В этом случае рядом с диодом

необходимо устанавливать блокировочные чип-конденсаторы, что является серьезной проблемой в СММ диапазоне. Более высокочастотные смесители используют в качестве гетеродина лазеры.

В БСМ установлены два диода и присутствуют два независимых входа сигнала и гетеродина, что исключает необходимость диплексеров и потери мощности гетеродина. БСМ подавляют амплитудные шумы гетеродина, но из-за наличия двух диодов имеют больший коэффициент шума, чем однодиодные СмР. Однако параллельное соединение диодов по промежуточной частоте в два раза уменьшает выходное сопротивление БСМ, что существенно облегчает согласование с малошумящим УПЧ на выходе приемника, расширяет полосу частот и уменьшает потери преобразования по сравнению с однобалансными СмР. Недостатком БСМ является то, что они одинаково преобразуют в промежуточную частоту полосы сигнала, лежащие симметрично выше и ниже частоты гетеродина (двухполосное преобразование 28В), что способствует снижению помехоустойчивости и увеличению коэффициента шума за счет шумов на комбинационных частотах.

Более чистым спектром, чем у БСМ обладают двойные балансные смесители (ДБС). Их преимущество состоит в меньшем значении потерь преобразования, увеличенном динамическом диапазоне, максимальном значении входной мощности и развязке входов.

Смесители с фазовым подавлением зеркальной частоты (или смесители с разделением полос частот 88В) состоят из двух БСМ, на которые сигнал гетеродина подается через квадратурный направленный ответвитель со сдвигом фаз 90 ° , а полезный сигнал - синфазно через делитель мощности. На выходе ПЧ установлен еще один квадратурный ответвитель, входы которого присоединены к ПЧ выходам БСМ. На одном из выходов ответвителя выделяется зеркальная частота, на другом - промежуточная, т.е. происходит разделение полос. Проблемы проектирования ДБС в СММ диапазоне состоят в трудности разработки гибридных направленных ответвителей, сумматоров и делителей мощности с низкими потерями.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Макеев, Мстислав Олегович, 2014 год

Список используемых источников

1. Повышение показателей качества радиоэлектронных систем нового поколения за счет применения резонансно-туннельных нанодиодов / Ю.А. Иванов [и др.] // Наноинженения. 2011. №1. С. 34-43.

2. Ю.А. Иванов, К.В. Малышев, Н.В. Федоркова. Наноэлектроника на базе многослойных гетероструктур // Известия ВУЗов. Машиностроение. 2003. № 5. С. 73-78.

3. Резонансно-туннельный диод на основе гетеросистемы GaAs/AlAs для субгармонического смесителя / Н.В. Алкеев [и др.] // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 5. С. 356-365.

4. Ю.А. Иванов, И.А. Федоренко, Н.В. Федоркова. Анализ влияния формы ВАХ резонансно-туннельного нанодиода на параметры смесителя СВЧ-диапазона // Вопросы инженерной нанотехнологии. Сб. докл. Междунар. конф. М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2008. С. 38-40.

5. Нанодиод для смесителя / Ю.А. Иванов [и др.] // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии: тез. докл. 12 междунар. Крымской конф. Севастополь. 2002. С. 462-463.

6. Resonant tunneling through quantum wells at frequencies up to 2.5 THz / T.C.L.G. Sollner [et al.] // Appl. Phys. Lett.. 1983. V. 43. P. 588-590.

7. E.R. Brown, W.D. Goodhue, T.C.L.G. Sollner. Fundamental oscillations up to 200 GHz in resonant tunneling diodes and new estimates of their maximum oscillation frequency from stationary-state tunneling theory// J. Appl. Phys.. 1988. V. 64,1. 3. P. 1519-1529.

8. E.R. Brown, C.D. Parker, T.C.L.G. Solner. Effect of quasibound-state lifetime on the oscillation power of resonant tunneling diodes // Appl. Phys. Lett.. 1989. V. 54. P. 934-936.

9. Oscillations up to 420 GHz in GaAs/AlAs resonant tunneling diodes / E.R. Brown [etal.] //Appl. Phys. Lett.. 1989. V. 55. P. 1777-1779.

10. Исследование направлений применения резонансно-туннельного диода в интегральных схемах СВЧ диапазона / А.М. Георгиевский [и др.] // Микроэлектроника. 1996. Т. 25, №4. 249 с.

11. JI.А. Белов. Преобразователи частоты. Современные ВЧ-компоненты. М.: Электроника: наука, технологии, бизнес. 2004. № 2. 44 с.

12. Н.В. Алкеев. Расчет параметров субгармонического смесителя на резонансно-туннельном диоде // Радиотехника и электроника. 2003. Т. 48. №4. С. 508-514.

13. Н.В. Алкеев. Анализ шумовых и динамических свойств субгармонического смесителя на резонансно-туннельном диоде // Радиотехника и электроника. 2004. Т. 49, № 104. С. 1258-1263.

14. К.В. Малышев. Разработка технологического метода повышения эксплуатационных показателей нелинейных преобразователей спектра радиосигналов путём применения AlGaAs гетероструктур: дис.... канд.техн.наук. М.: МГТУ им.Н.Э.Баумана. 2004. 183 с.

15. Интермодуляционные параметры субгармонического смесителя на базе резонансно-туннельного диода / Ю.А. Иванов [и др.] // СВЧ-техника и телекоммуника-ционные технологии Тез. Докл. 19 Международной Крымской конф. Севастополь. 2009. С. 567-568.

16. Гармониковый смеситель СВЧ диапазона на РТД / Ю.А. Иванов [и др.] // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрымиКо 1998): Материалы 8 Междунар. Крымской конф. Севастополь. 1998. С. 590-591.

17. Иванов Ю.А., Федоркова Н.В., Шалаев В.А. Наноэлектроника в СВЧ нелинейных преобразователях для радиолокации // Радиооптические технологии в приборостроении: Тез. Докл. 1 научно-технич. конф. Сочи. 2003. С. 15-19.

18. Повышение показателей качества назначеия субгармонического смесителя радиосигналов за счёт применения резонансно-тунельного диода / Ю.А. Иванов [и др.] // Сетевой электронный научный журнал

«Системотехника». 2010. № 8. http://systech.miem.edu.ru/2010/meshkov.htm (дата обращения 12.11.2012).

19. S.A. Maas. Nonlinear Microwave Circuits. IEEE Press, New York. 1997. 114 p.

20. Иванов Ю.А., Малышев K.B., Перунов Ю.М. Численное моделирование смесителей на резонансно-туннельных диодах // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрымиКо 1998): Материалы 8 Междунар. Крымской конф. Севастополь. 1998. С. 597-598.

21. Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломийцева Н.В. Исследование влияния границ раздела «сшивки» в комбинированной модели РТД // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрымиКо 2006): Материалы 16 Международной Крымской конф. Севастополь. 2006. С. 667-668.

22. Э.Д. Прохоров. Квантово-размерные эффекты в твердотельных сверхвысокочастотных приборах. Харьков: ХНУ им. В.Н. Каразина. 2005. 220 с.

23. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, Н.В. Коломийцева. Комбинированная модель резонансно-туннельного диода // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39, В. 9. С. 1138-1145.

24. М.П. Бежко, И.Ю. Безотосный, С.С. Шмелев. Особенности поведения дифференциальной проводимости резонансно-туннельных структур // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии: тез. Докл. 7 междунар. науч. конф. Кисловодск. 2007. С. 13-14.

25. И.И. Абрамов, A.B. Королев. Теоретическое исследование приборных структур, содержащих резонансно-туннельные диоды // Журнал технической физики. 2001. Т. 71. В. 9. С. 128-133.

26. Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломийцева Н.В. Моделирование резонансно-туннельных структур с использованием комбинированных одно-и двухзонных физико-топологических моделей // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрымиКо 2005): Материалы 15 Международной Крымской конф. Севастополь. 2005. С. 617-618.

27. Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломийцева Н.В. Моделирование РТД на основе GaAs/AlGaAs с использованием однозонной комбинированной модели // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрымиКо 2006): Материалы 16 Международной Крымской конф. Севастополь. 2006. С. 665-666.

28. Коломийцева Н.В. Моделирование резонансно-туннельных структур с использованием комбинированных одно- и двухзонных физико-топологических моделей // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрымиКо 2005): Материалы 15 Международной Крымской конф. Севастополь. 2005. С. 617-618.

29. Elesin V.V., Maltcev P.P., Nikiforov A.Y. Radiation effects in resonance-tunnel diode structures // Third European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems. Arcashon (France). 1995. P. 557 - 559.

30. Прогнозирование индивидуальной надёжности гетероструктурного РТД и устройств на его основе / Ю.А. Иванов [и др.] // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо 2008): Материалы 18 Междунар. Крымской конф. Севастополь. 2008. Т. 1. С. 558-559.

31. R. Tsu, L. Esaki. Tunneling in a finite superlattice // Appl. Phys. Lett.. 1973. V. 22,1. 11. P. 562-564.

32. Нанотехнологии в электронике / Под ред. Ю.А. Чаплыгина. М.: Техносфера. 2005. 448 с.

33. К. В. Малышев. Физические основы наноэлектроники: курс лекций [Книга]. Москва: МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2009. 70 с.

34. S. A. Maas. Mixer technologies for modern microwave and wireless systems, in Proc. GaAs, 2002 Conf.. 2002. P. 245-248.

35. N.R. Erickson. A Schottky-Diode Balanced Mixer for 1.5 THz // 19th International Symposium on Space Terahertz Technology, Groningen. 2008. P. 221-223.

36. A Millimeter-Wave Ultra-Compact Broadband Diode Mixer Using Modified Marchand Balun / P.-S. Wu [et al.] // 13th GAAS Symposium, Paris. 2005. P. 349352.

37. First Wideband 520-590 GHz Balanced Fundamental Schottky Mixer /Е. Schlecht [et al.] // 18th International Symposium on Space Terahertz Technology, California. 2007. P. 296-299.

38. Single-chip balanced sis mixer for 200-300 GHz / A.R. Kerr [et al.] //Proceedings of the 11th International Symposium on Space Terahertz Technology. 2000. P. 251-259.

39. An 874 GHz fundamental balanced mixer based on MMIC membrane planar Schottky diodes / B. Thomas [et al.] // 21st International Symposium on Space Terahertz Technology, Oxford. 2010. P. 155-158.

40. A V band singly balanced diode mixer for space application / C. Florian [et al.] //Gallium Arsenide Applications Symposium. 2005. P. 441-444.

41. 2.5-THz GaAs Monolithic Membrane-Diode Mixer / P.H. Siegel [et al.] //IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1999. V. 47, I. 5. P. 596-604.

42. First Wideband 520-590 GHz Balanced Fundamental Schottky Mixer /Е. Schlecht [et al.] // 18th International Symposium on Space Terahertz Technology, California. 2007. P. 296.

43. Микроволновые устройства телекоммуникационных систем / М.З. Згуровский [и др.] К.: «Видавництво «Полггехшка», 2003. Т.2.: Устройства передающего и приемного трактов. Проектирование устройств и реализация систем. 616 с.

44. S. А. Maas. Mixer technologies for modem microwave and wireless systems. inProc. GaAs, 2002 Conf.. 2002. P. 245-248.

45. S.-S. Kim, J.-H. Lee, K.-W. Yeom. Design of a Novel Balun for a Star Configuration Double-balanced Mixer at S-band // Microwave Journal. 2004. V. 47,1. 5. P. 228-230.

46. Diode for mm-wave Imaging Applications / F. Amir [et al.] // 5th ESA workshop on Millimetre Wave Technology and Applications, Noordwijk, The Netherlands. 2009. P. 201-205.

47. A 380 GHz sub-harmonic mixer using MMIC foundry based Schottky diodes transferred onto quartz substrate / J. Treuttel [et al.] // 20th International Symposium on Space Terahertz Technology, Charlottesville. 2009. P. 251-254.

48. W-BAND GaAs HEMT MMIC Subharmonically Pumped Diode Mixers for Array of Microwave Background Anisotropy (AmiBA) Recievers / Y.-J. Hwang [et al.] // Proc. Of XXVIIURSI General Assembly. 2002. P. 2161-2163.

49. C.A. Zelley, A.R. Barnes, R.W. Ashcroft. A 60 GHz double balanced sub-harmonic mixer MMIC // Gallium Arsenide Applications Symposium. 2001. P. 95-98.

50. Гудков А.Г., Мешков C.A., Агасиева C.B. Оптимальное проектирование гетероструктуры для смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов // Биомедицинская радиоэлектроника. 2010. № 10. С. 6167.

51. Отчет по НИР «Исследования и разработка полупроводниковых наногетероструктур для смесителей радиосигналов систем микро- и наноэлектроники», этап 2. Программа (мероприятие): Федеральная целевая программа «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 гг., в рамках реализации мероприятия № 1.2.1 Проведение научных исследований научными группами под руководством докторов наук. № г.р. темы 01201171493 от 19.07.2011 г. Инв. № отчета 02201160404 От 30.08.2011 г.

52. Макеев М.О., Иванов Ю.А., Мешков С.А. Исследование деградационных явлений в наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктурах методом ИК-спектроэллипсометрии // Наноинженерия. 2011. № 4. С. 44-48.

53. Infrared spectroscopic ellipsometry - a new tool for semiconductor heterostructures / A. Kasic [et al.] // Vibrational Spectroscopy. 2002. V. 29. P. 121124.

54. Variable angle of incidence spectroscopic ellipsometry: Application to GaAs-AlxGai-xAs multiple heterostructures /P.G. Snyder [et al.] // J. Appl. Phys. 1986. V. 60, № 9. P. 3293-3302.

55. Hilfiker J.N., Synowicki R.A., Tompkins H.G. Spectroscopic Ellipsometry Methods for Thin Absorbing Coatings // Society of Vacuum Coaters. 51st Annual Technical Conference Proceedings. 2008. P. 511-516.

56. Studies of thin strained InAs, AlAs, and AlSb layers by spectroscopic ellipsometry / C.M. Herzinger [et al.] // J. Appl. Phys. 1996. V. 79, № 5. P. 26632674.

57. Determination of AlAs optical constants by variable angle spectroscopic ellipsometry and a multisample analysis / C.M. Herzinger [et al.] // J. Appl. Phys. 1995. V. 77, № 9. P. 4677-4687.

58. Nakano H., Sakamoto Т., Taniguchi K. Nondestructive measurement of thickness and carrier concentration of GaAs epitaxial layer using infrared spectroscopic ellipsometry // J. Appl. Phys. 1998. V. 83, № 3. P. 1384-1389.

59. Humlicek J., Henn R., Cardona M. Far-infrared ellipsometry of depleted surface layer in heavily doped n-type GaAs // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69, № 17. P. 2581-2583.

60. Erman M., Frijlink P.M. Interface analysis by spectroscopic ellipsometry of Gai.xAlxAs-GaAs heterojunctions grown by metal organic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1983. V. 43, № 3. P. 285-287.

61. Blanco J.R., McMarr P.J. Roughness measurements of Si and Al by variable angle spectroscopic ellipsometry // Applied Optics. 1991. V. 30, № 22. P. 32103220.

62. Исследование гетеростуктур методами широкополосной ИК-эллипсометрии-спектроскопии / М.О. Макеев [и др.] // Вестник Московского государственного технического университета им. Н.Э. Баумана. Приборостроение. Специальный выпуск Наноинженерия. 2010. С. 80-91.

63. М.О. Макеев, Ю.М. Миронов. Использование методов ИК-спектроэллипсометрии и атомно-силовой микроскопии для исследования

изменения свойств поверхности политетрафторэтилена в результате модификации в низкотемпературной плазме // Приложение к журналу Физическое образование в вузах. 2011. Т. 17, № 1. С. П28.

64. Morota Н., Adachi S. Structural and optical properties of GaAs (001) surfaces thermally annealed in dry N2 atmosphere // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. 123520-(l-7).

65. Infrared ellipsometry of GaAs epilayers on Si (100) / G. Yu [et al.] // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82, № 11. P. 1730-1732.

66. Исследование диффузии кремния в полупроводниковых наноразмерных эпитаксиальных гетероструктурах на основе GaAs методом ИК-спектроэллипсометрии / М.О. Макеев [и др.] // Материалы Международной научно - технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 23 - 27 ноября 2010 г., Москва. / Под ред. чл.-корр. РАН А.С. Сигова. М.: Энергоатомиздат. 2010. Ч. 2. С. 55 - 61.

67. В.А. Швец, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий. Анализ статической схемы эллипсометрических измерений // Опт. и спектр. 2004. Т. 97, № 3. С. 514 -525.

68. Эллипсометрия - прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением / В.А. Швец [и др.] // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4, № 3-4. С. 72-84.

69. Ellipsometric measurements of molecular-beam-epitaxy-grown semiconductor multilayer thicknesses: A comparative study /J.A. Woollam [et al.] // J. Appl. Phys. 1987. V. 62, № 12. P. 4867-4871.

70. H. Morota, S. Adachi. Properties of GaAs (001) surfaces thermally annealed in vacuum // J. Appl. Phys. 2009. V. 105,1. 4. P. 043508 - 043508-7.

71. Infrared response of multiple-component free-carrier plasma in heavily doped p-type GaAs / S. Zangooie [et al.] // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78.1. 7. P. 937-939.

72. Ellipsometric analysis of computer disk structures /Р. He [et al.] // J. Appl. Phys. 1990. V. 67,1. 9. P. 4878-4880.

73. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV // Phys. Rev. B. 1983. V. 27,1. 2. P. 985-1009.

74. L. Vina, M. Cardona. Optical properties of pure and ultraheavily doped germanium: Theory and experiment // Phys. Rev. B. 1986. V. 34, № 4. P. 25862597.

75. Optical properties of laser-deposited a-Ge films: a comparison with sputtered and e-beam-deposited films / J.C.G. de Sande [et al.] // Appl. Optics. 1992. V. 31, I. 28. P. 6133-6138.

76. D.E. Aspnes, A. A. Studna, E. Kinsbron. Dielectric properties of heavily doped crystalline and amorphous silicon from 1.5 to 6.0 eV // Phys. Rev. B. 1984. V. 29, I. 2. P. 768-779.

77. K. Suto, S. Adachi. Optical properties of ZnTe // J. Appl. Phys.. 1993. V. 73, I. 2. P. 926-931.

78. Spectroscopic-ellipsometry characterization of the interface layer of PbZrO.40TiO.6003/LaNi03/Pt multilayer thin films / Z.G. Hu [et al.] // J. Vac. Sci. Technol. A. 2004. V. 22, № 4. P. 1152-1157.

79. Spectroscopic ellipsometry analysis of multilayered Ti02-Ag thin films for photochromic application / L. Miao [et al.] // Phys. Stat. Sol. (c). 2008. V. 5, I. 5. P. 1125-1128.

80. J. Rivory. Characterization of inhomogeneous dielectric films by spectroscopic ellipsometry// Thin Sol. Films. 1998. V. 313-314. P. 333-340.

81. Spectroscopic Ellipsometry as a Tool for On-Line Monitoring and Control of Surface Treatment Processes / C. Eitzinger [et al.] // Materials Science Forum. 2006. V. 518. P. 423-430.

82. Experimental results from spectroscopic ellipsometry on the (7 x 7) Si(lll) surface reconstruction: dielectric function determination / Z. Hammadi [et al.] // Surf. Sci.. 1995. V. 341, № 1-2. P. 202-212.

83. Dry etch processes and sensors / G. Barna [et al.] // Solid State Technology. 1994. V. 37, № 1. P. 47-53.

84. Швец В.А. Эллипсометрия процессов молекулярно-лучевой эпитаксии Cdi_xHgxTe: Автореф. дисс. ...д-ра физ.- мат. наук. Красноярск. 2010. 30 с.

85. Васев A.B. Реконструкции поверхности GaAs(OOl) и их влияние на морфологию слоев при МЛЭ и вакуумном отжиге: Автореф. дисс. ...канд. физ.-мат. наук. Новосибирск. 2009. 18 с.

86. Пшеницын В.И. Эллипсометрия модифицированных поверхностных слоев и шероховатых поверхностей оптических материалов: дисс. ...д-ра физ.- мат. наук. Всероссийский научный центр ГОИ им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург. 1994. 264 с.

87. R. Seitz, R. Brings, R. Geiger. Protein adsorption on solid-liquid interfaces monitored by laser-ellipsometry // Appl. Surf. Sei.. 2005. V. 252, № 1. P. 154-157.

88. Oxidation kinetics of an AlCuFeCr approximant compound: an ellipsometric study / G. Bonhomme [et al.] // Journal of Non-Crystalline Solids. 2004. V. 334. P. 532-539.

89. Мардежов A.C., Михайлов H.H., Швец В.А. Эллипсометрический контроль предэпитаксиальной подготовки подложек GaAs и роста эпитаксиальных пленок CdTe // Поверхность. 1990. № 12. С. 92 - 96.

90. A New Non-Contact Method to Measure Temperature of the Surface of Semiconductor Wafers / T. Tomita [et al.] // Jap. J. Appl. Phys.. 1986. V. 25,1. 11. P. L925-L927.

91. Possibility of simultaneous monitoring of temperature and surface layer thickness of Si substrate by in situ spectroscopic ellipsometry / Z.T. Jiang [et al.] // Jap. J. Appl. Phys.. 1998. V. 37,1. 2. P. 479-483.

92. F.G. Celii, W.M. Duncan, Y.C. Kao. Real-Time monitoring of III-V molecular beam epitaxial growth using spectroscopic ellipsometry // Journal of Electronic Materials. 1995. V. 24,1. 4. P. 391-395.

93. M.B. Сухорукова, И.А. Скороходова, В.П. Хвостиков. Исследование ультратонких слоев AlxGai.xAs методом эллипсометрии // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34, В. 1. С. 57-61.

94. А.И. Беляева, A.A. Галуза, С.Н. Коломиец. Границы раздела слоев и шероховатость в многослойной кремниевой структуре // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38, В. 9. С. 1050-1055.

95. Спектральная эллипсометрия аморфного гидрогенизированного углерода, выращенного при магнетронном распылении графита / С.Г. Ястребов [и др.] // ФТП. 2003. Т. 37, В. 10. С. 1241-1243.

96. Жуков А.Е. Лазеры на основе полупроводниковых наноструктур. Спб.: Элмор. 2007. 304 с.

97. Арсенид галлия в микроэлектронике: Пер. с англ. с сокращ. и доп. / Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир. 1988. 555 с.

98. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: Пер. с англ. / Под ред. JI. Ченга, К. Плога. М.: Мир. 1989. 584 с.

99. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ. — М.: Мир. 1991.632 с.

100. М. Херман. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир. 1989. 240 с.

101. Xu Yanyang, P. Fay, D.H. Chow. Experimental investigation of the temperature dependence of InAs-AlSb-GaSb Resonant Interband tunnel diodes // IEEE Transactions on Electron Devices. 2004. V. 51,1. 7. P. 1060-1064.

102. H. Sato, T. Tsuchiya, T. Kiteteni. Highly reliable 1.3-pm InGaAlAs buried heterostructure laser diode for 10 Gb // 16 th International Conference Phoshide and Related materials. Kagoshma, Japan. 2004. P. 731-733.

103. Хныкина C.B. Разработка операционной технологии термоиспытаний с целью оценки надежности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельного диода: дис. ... канд. техн. наук. М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2008. 133 с.

104. В. Лакшминарайянан. Методы повышения надежности электронных систем // ChipNews. 2000. № 8. С. 46-48.

105. Кашкаров П.К. Образование точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах//Соросовский образовательный журнал. 1999. № 1. С. 105-112.

106. Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. Образование дефектов в полупроводниках при импульсном лазерном облучении // Поверхность. Физика, химия, механика. 1995. № 6. С. 5-34.

107. Шашурин В.Д. Надёжность элементной базы электронных приборов: Учебное пособие по курсу «Надёжность РЭС» / Под ред. А.А. Сгибнева. М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2003. 32 с.

108. Луцкий В.А. Расчёт надёжности и эффективности радиоэлектронной аппаратуры: Справочник; 2-ое доп. и перераб. изд. Киев. 1966. 206 с.

109. Ветрова Н.А., Хныкина С.В., Шашурин В.Д. К вопросу о прогнозировании качества смесителей радиосигналов на основе РТД на этапе их сборки // Сборка в машиностроении, приборостроении. 2010. № 4. С. 30-37.

110. Исследование гетеростуктур методами широкополосной ИК-эллипсометрии-спектроскопии / М.О. Макеев [и др.] // Вестник Московского государственного технического университета им. Н.Э. Баумана. Приборостроение. Специальный выпуск Наноинженерия. 2010. С. 80-91.

111. Mehrer Н. Diffusion in Solids. Fundamentals, Methods, Diffusion-controlled Processes. Leipzig: LE-TEX Jelonek, Schmidt &VocklerGbR. 2007. 645 p.

112. Fisher DJ. Diffusion in GaAs and other III-V Semiconductors 10 Years of Research. Switzerland: Scitec Publications. 1998. 520 p.

113. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука. 1972. 384 с.

114. J.F. Wager. Energetics of self-diffusion in GaAs // J. Appl. Phys.. 1991. V. 69, I. 5. P. 3022-3031.

115. T.Y. Tan, H.-M. You, U.M. Gosele. Thermal equilibrium concentrations and effect of negatively charged Ga vacancies in n-type GaAs // Appl. Phys. A. 1993. V. 56. P. 249-258.

116. H.M. You, U.M. Gosele, T.Y. Tan. Simulation of the transient indiffusion-segregation process of triply negatively charged Ga vacancies in GaAs and AlAs/GaAssuperlattices //J. Appl. Phys.. 1993. V. 74,1. 4. P. 2461-2470.

117. Yu S., Gosele U.M., Tan T.Y. A model of Si Diffusion in GaAs based on the effect of the Fermi level // J. Appl. Phys.. 1989. V. 66, No.7. P. 2952 - 2961.

118. T.Y. Tan, U. Gosele. Mechanisms of doping-enhanced superlattice disordering and of gallium self-diffusion in GaAs // Appl. Phys. Lett.. 1988. V. 52, No. 15. P. 1240-1242.

119. T.Y. Tan, S. Yu, U. Gosele. Determination of vacancy and self-interstitial contributions to gallium self-diffusion in GaAs // J. Appl. Phys.. 1991. V. 70, No. 9. P. 4823-4826.

120. Diffusion in GaAs and related compounds: recent developments / U. Gosele [et al.] // Defect and Diffusion Forum. 1997. V. 143-149. P. 1079-1094.

121. C.-H. Chen, U. M. Gosele, T. Y. Tan. Dopant diffusion and segregation in semiconductor heterostructures: Part III, diffusion of Si into GaAs // Appl. Phys. A. 1999. V. 69. P. 313-321.

122. H.-M. You, U.M. Gosele, T.Y. Tan. A study of Si outdiffusion from predoped GaAs // J. Appl. Phys.. 1993. V. 73, No. 11. P. 7207-7216.

123. G.A. Baraff, M. Schluter. Electronic Structure, Total Energies, and Abundances of the Elementary Point Defects in GaAs // Phys. Rev. Lett.. 1985. V. 55. P. 1327-1330.

124. F. El-Mellouhi, N. Mousseau. Thermally activated charge reversibility of gallium vacancies in GaAs // J. Appl. Phys.. 2006. V. 100, No. 8 (083521). 8 p.

125. R.M. Cohen. Application of the charged point-defect model to diffusion and interdiffusion in GaAs // J. Appl. Phys.. 1990. V. 67, No. 12. P. 7268 - 7273.

126. Kinetics of silicon-induced mixing of AlAs-GaAs superlattices / P. Mei [et al.] // Appl. Phys. Lett.. 1987. V. 50, No. 25. P. 1823 - 1825.

127. I. Harrison, H.P Ho, N. Baba Ali. Diffusion induced disorder of GaAs/AlGaAs superlattices // Journal of Electronic Materials. 1991. V. 20, No. 6. P. 449-456.

128. Role of point defects in the silicon diffusion in GaAs and Alo.3Gao.7As and in the related superlattice disordering / L. Pavesi [et al.] // J. Appl. Phys.. 1992. V. 71, No. 5. P. 2225 - 2237.

129. Lee K.H., Stevenson D.A., Deal M.D. Diffusion kinetics of Si in GaAs and related defect chemistry // J. Appl. Phys.. 1990. V. 68, No. 8. P. 4008 - 4013.

130. Self- and interdiffusion in AlxGai.xAs/GaAs isotope heterostructures / H. Bracht [et al.] // Appl Phys. Lett.. 1999. V. 74, No. 1. P. 49-51.

131. The activation energy for GaAs/AlGaAs interdiffusion / S.F. Wee [et al.] // J. Appl. Phys.. 1997. V. 82, No. 10. P. 4842-4846.

132. B.L. Olmsted, S.N. Houde-Walter. Al-Ga interdiffusion through group Ill-vacancy second nearest-neighbor hopping // Appl Phys. Lett.. 1993. V. 63, No. 4. P. 530-532.

133. Ga self-diffusion in GaAs isotope heterostructures / L. Wang [etal.] // Phys. Rev. Lett.. 1996. V. 76. P. 2342-2345.

134. H. Ono, N. Ikarashi, T. Baba. Al diffusion into GaAs monatomic AlAs layers investigated by localized vibrational modes // Appl Phys. Lett. 1995. V. 66, No. 5. P. 601-603.

135. Modeling Silicon Diffusion in GaAs Using Well Defined Silicon Doped Molecular Beam Epitaxy Structures / J.J. Murray [et al.] // Journal of the Electrochemical Society. 1992. V. 137, No. 7. P. 2037-2041.

136. Environmental degradation of AlxGai_xAs-GaAs quantum-well heterostructures / J.M. Dallesasse [et al.] // J. Appl. Phys.. 1990. V. 68,1. 5. P. 2235-2238.

137. Макеев M.O., Литвак Ю.Н., Иванов Ю.А., Мешков С.А., Мигаль Д.Э. dif2RTD: свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2012661001.2012.

138. М. Murakami. Development of refractory ohmic contact materials for gallium arsenide compound semiconductors // Science and Technology of Advanced Materials. 2002. V. 3. P. 1-27.

139. Effects of interfacial microstructure on uniformity and thermal stability of Au-NiGe ohmic contact to n-type GaAs / Y.C. Shih [et al.] // J. Appl. Phys.. 1987. V. 62,1. 2. P. 582-590.

140. Structural analysis of Au-Ni-Ge and Au-Ag-Ge alloyed ohmic contacts on modulation doped AlGaAs-GaAs heterostructures / Т.К. Higman [et al.] // J. Appl. Phys.. 1986. V. 60,1. 2. P. 677-680.

141. K.C. Lee. Degradation of GaAs/AlGaAs quantized hall resistors with alloyed AuGe/Ni contacts // J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol.. 1998. V. 103,1. 2. P. 177200.

142. Исследование термической деградации AuGeNi омических контактов резонансно-туннельных диодов на базе наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктур / М.О. Макеев [и др.] // Наука и образование. МГТУ им. Н.Э. Баумана. Электрон. журн. 2012. № 9. DOI: http://dx.doi.org/10.7463/0912.0453636.

143. М. Murakami. Development of refractory ohmic contact materials for gallium arsenide compound semiconductors // Science and Technology of Advanced Materials. 2002. V. 3. P. 1-27.

144. T.B. Бланк, Ю.А. Гольдберг. Механизмы протекания тока в омических контактах металл—полупроводник // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41, В. 11. С. 1281-1308.

145. V. A. Vashchenko, V. F. Sinkevitch. Physical limitations of semiconductor devices. // Springer. 2008. P. 330.

146. J.C. Irvin. The Reliability of GaAs FETs in GaAs FET Principle and Technology, J.W. Dilorenzo and D.D. Khandelwal (eds) // MA: Artech House, chapter 6. 1982.

147. M. Henini. Molecular Beam Epitaxy: From Research to Mass Production // Elsevier Science. 2012. 744 p.

148. J.Y. Tsao. Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy // Academic Press. 1993. 301 p.

149. K. Ploog. Molecular Beam Epitaxy of III-V Compounds: Technology and Growth Process //Ann. Rev. Mater. Sci. 1981.1. 11. P. 171-210.

150. J. Dosanjh. Molecular Beam Epitaxy: Applications and Equipment // Oxford Instrumens Plasma Technology, 2004.

http://www.oxfordplasma.de/pla_news/mbe_over.pdf. (дата обращения 06.06.2012)

151. GEN930 МВБ System Product Guide. Veeco Instruments Inc. 2003 r. http://www.nd.edu/~diena/gen930 product guide.pdf. (дата обращения 19.05.2012)

152. H.S. Nalwa. Handbook of thin film materials // San Diego (Calif.): Academic Press. 2002. 633 p.

153. Gaylord Т.К., Glytsis E.N., Brennan K.F. Semiconductor superlattice interference filter design // J. Appl. Phys. 1989. V. 65,1. 6. P. 2535-2540.

154. E.A. Нелин. Импедансные характеристики кристаллоподобных структур // Журнал технической физики. 2009. Т. 79, В. 7. С. 27-31.

155. Ветрова Н.А. Расчетно-методическое обеспечение выбора рациональных конструкторско-технологических решений при производстве смесителей радиосигналов на резонансно-туннельных диодах с целью повышения их надежности: дис. ... канд. техн. наук. М.: МГТУ им. Н. Э. Баумана. 2011. 139 с.

156. Mechanism responsible for the semi-insulating properties of low-temperature-grown GaAs / X. Liu [et al.] // Appl. Phys. Lett.. 1994. V. 65,1. 23. P. 3002-3004.

157. S. O'Hagan, M. Missous. Effect of As^Ga flux ratio on electrical and optical properties of low-temperature GaAs grown by molecular beam epitaxy // J. Appl. Phys.. 1994. V. 75,1. 12. P. 7835-7841.

158. Структура и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре / М.Д. Вилисова [и др.] // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33, В. 8. С. 900-906.

159. Defect reduction by thermal annealing of GaAs layers grown by molecular beam epitaxy on Si substrates / J.W. Lee [etal.] // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50, I. 1. P. 31-23.

160. Postgrowth annealing of GalnAs/GaAs and GalnAsN/GaAs quantum well samples placed in a proximity GaAs box: A simple method to improve the

crystalline quality / J. Pakarinen [etal.] // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92, 232105. DOI: 10.1063/1.2943157.

161. Lai C.Y., Hsu T.M., Lin C.L. Room temperature study of low temperature grown AlGaAs/GaAs multiple quantum wells by modulation reflectance // J. Appl. Phys. 2000. V. 87,1. 12. P. 8589-8593.

162. Hozhabri N., Lee S.H., Alavi K. Infrared measurements in annealed molecular beam epitaxy GaAs grown at low temperature // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66, I. 19. P. 2546-2548.

163. Feng W., Chen F., Cheng Q. Influence of growth conditions on Al-Ga interdiffusion in low-temperature grown AlGaAs/GaAs multiple quantum wells //Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71., I. 12. P. 1677-1678.

164. Rapid thermal annealing of low-temperature GaAs layers / Z. Liliental-Weber [et al.] // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66,1. 16. P. 2086-2088.

165. Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / М.Д. Вилисова [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36, В. 9. С. 1025-1030.

166. IR-VASE User's Manual / J.A.Woollam Co., Inc.. 2006.

167. Контрольно - измерительные приборы общего назначения: Каталог фирмы Agilent Technologies. Москва. 2006. 192 с.

168. Горлов М.И., Строгонов А.В., Емельянов В.А. Отбраковочные испытания как средство повышения надёжности партии ИС // Технологии в электронной промышленности. 2006. № 1. С. 70 - 73.

169. Петров Е.Н. Физико-математические модели отказов. Снежинск: РФ ЯЦ ВНИИТФ. 2000. 101 с.

170. Пряников B.C. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов. М.: Энергия. 1978. 112 с.

171. Строгонов А.В. Оценка долговечности БИС по результатам ускоренных испытаний // Технологии в электронной промышленности. 2007. № 3. С. 90-91.

172. Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Вводный том IV / Под ред. Фортова В.Е. М.: Наука. 2000. 508 с.

173. Воздействие плазмы тлеющего НЧ-разряда на полиимидные пленки различной структуры / Гильман А.Б. [и др.] // Химия высоких энергий. 1997. Т. 31, №2. С. 54-57.

174. Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир. 1985. 583с. [Azzam R.M.A., Bashara N.M. Ellipsometry and Polarized Light. Amsterdam: North-Holland Publ. Co.. 1977.]

175. S. Wu. Polymer Interfaces and Adhesion. CRC Press. 1982. 630 p.

176. Handbook of Vibrational Spectroscopy / Ed. by J.M. Chalmers, P.R. Griffits. Chichester (UK): John Wiley & Sons. 2002. 4000 p.

177. Application of IR ellipsometry to determination of the film thickness of a polytetrafluoroethylene sample modified in direct-current discharge / M.O. Makeev [et al.] // High Energy Chemistry. 2011. V. 45, N. 6. P. 536-538.

178. Использование метода ИК-спектроэллипсометрии для определения толщины слоя образца ПТФЭ, модифицированного в разряде постоянного тока / М.О. Макеев [и др.] // Химия Высоких Энергий. 2011. том 45, № 6. С. 574-576.

179. Исследование физико-химических свойств поверхности ПТФЭ методом ИК-спектроэллипсометрии / М.О. Макеев [и др.] // Нанотехника. 2011. № 3. С. 27-32.

180. Использование метода ИК-спектроэллипсометрии для исследования изменения свойств поверхности политетрафторэтилена в результате модификации в низкотемпературной плазме / М.О. Макеев [и др.] // Материалы Международной научно - технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 23 - 27 ноября 2010 г., Москва. / Под ред. чл.-корр. РАН А.С. Сигова. М.: Энергоатомиздат. 2010. Ч. 2. С. 268-273.

181. ИК-спектроэллипсометрический метод определения толщины и состава слоя политетрафторэтилена, модифицированного в разряде постоянного тока

/ М.О. Макеев [и др.] // Материалы IV Всероссийской конференции «Актуальные проблемы химии высоких энергий», М.: РХТУ им. Д.И. Менделеева. 2009. С. 62.

182. Модификация поверхности пленок фторсодержащих полимеров в низкотемпературной плазме с целью улучшения их адгезионных свойств / М.С. Пискарев [и др.] // Тезисы конференции «Макромолекулярные нанообъекты и полимерные нанокомпозиты», М.: ИСПМ РАН. 2009. С. 103.

183. Исследование методом ИК-спектроэллипсометрии (ИК-СЭ) свойств поверхности политетрафторэтилена, модифицированной в низкотемпературной плазме / М.О. Макеев [и др.] // Успехи химической физики. 2011. С. 168.

184. Использование метода ИК-спектроэллипсометрии для исследования изменения свойств поверхности политетрафторэтилена в результате модификации в низкотемпературной плазме / М.О. Макеев [и др.] // 2-я Всероссийска школа-семинар студентов, аспирантов и молодых учёных «Функциональные наноматериалы для космической техники», сб. научн. трудов /МИЭМ. Москва. 2011. С. 128-130.

185. Palik E.D. Handbook of optical constants of solids V. 1. N.Y.: Academic Press. 1985. 785 p.

186. Свиташева C.H. Эллипсометрия шероховатых поверхностей: дис. ... канд. физ.-мат. наук. Новосибирск. 2009. 240 с.

187. Aspnes D.E. Optical properties of thin films // Thin Solid Films. 1981. V. 89, № 3. P. 249-262.

188. Wooten F. Optical Properties of Solids. N.Y.: Academic Press. 1972. 260 p.

189. Исследование диффузии кремния в полупроводниковых наноразмерных эпитаксиальных гетероструктурах на основе GaAs методом ИК-спектроэллипсометрии / М.О. Макеев [и др.] // Материалы Международной научно - технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 23 - 27 ноября 2010 г., Москва. / Под ред. чл.-корр. РАН A.C. Сигова. М.: Энергоатомиздат. 2010. Ч. 2. С. 55-61.

190. Исследование процессов диффузии кремния в полупроводниковых наноразмерных GaAs-гетероструктурах методом ИК-спектроэллипсометрии / М.О. Макеев [и др.] // Студенческий научный вестник. Сборник статей Международного молодежного научного форума-олимпиады по приоритетным направлениям развития Российской Федерации., МГТУ им, Н.Э. Баумана / Под ред. С.С. Гаврюшина. М.: HTA «АПФН», (Сер. Профессионал). 2010. С. 89-95.

191. Исследование диффузии кремния в полупроводниковых наноразмерных эпитаксиальных гетероструктурах на основе GaAs методом ИК-спектроэллипсометрии / М.О. Макеев [и др.] // Необратимые процессы в природе и технике: Труды Шестой Всероссийской конференции 26-28 января 2011 г. М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2011. Ч. 3. С. 59-62.

192. Макеев М.О. Исследование диффузии кремния в полупроводниковых наноразмерных эпитаксиальных гетероструктурах на основе GaAs методом ИК-спектроэллипсометрии // Приложение к журналу Физическое образование в вузах. 2011. Т. 17. № 1. С. П39.

193. Fox M. Optical properties of solids. Oxford University Press. 2001. 318 p.

194. Palik E.D. Handbook of optical constants of solids V. 2. N.Y.: Academic Press. 1991. 1096 p.

195. S. Perkowitz, R, Sudharsanan, S.S. Yom, TJ. Drummond. AlAs Phonon Parameters and Heterostructure Characterization // Solid State Commun.. 1987. V. 62. P. 645.

196. Исследования деградации резонансно-туннельных диодов на базе AlAs/GaAs наногетероструктур / М.О. Макеев [и др.] // Инженерный журнал: наука и инновации. 2013. Вып. 6. URL: http://engiournal.ni/catalog/nano/hidden/81 lhtml (дата обращения 02.12.2013).

197. К вопросу о повышении надежности смесительных AlAs/GaAs РТД конструкторско-технологическими методами / М.О. Макеев [и др.] // Наука и образование. МГТУ им. Н.Э. Баумана. Электрон, журн. 2013. № 11. DOI: http://dx.doi.Org/10.7463/l 113.0637834.

198. Деградация вольт-амперных характеристик AlAs/GaAs резонансно-туннельных диодов / М.О. Макеев [и др.] // Ресурсоэффективные системы в управлении и контроле: взгляд в будущее: сборник научных трудов II Международной конференции школьников, студентов, аспирантов, молодых ученых «Ресурсоэффективные системы в управлении и контроле: взгляд в будущее» в 4т. Т.1 / Томский политехнический университет. Томск: Изд-во Томского политехнического университета. 2013. С. 145-148.

199. С.В. Агасиева, В.Д. Шашурин. Влияние процесса деградации нанодиода на качество нелинейного преобразователя сигналов //Наноинженерия. 2011. № 3. С. 36-40.

200. В. Д. Шашурин, Н. А. Ветрова, Н. В. Назаров. Определение управляемых параметров для конструкторско-технологической оптимизации СВЧ смесителей радиосигналов на резонансно-туннельных диодах по критерию их надежности // Наука и Образование. МГТУ им. Н.Э. Баумана. Электрон, журн. 2011. № И. Режим доступа: http://technomag.edu.ru/doc/228008.html (дата обращения 25.01.2012).

201. Моделирование кинетики вольт-амперных характеристик AlAs/GaAs РТД в результате диффузионных процессов в его структуре / М.О. Макеев [и др.] // Наноинженерия. 2014. № 1. С. 24-29.

202. М. Murakami. Development of refractory ohmic contact materials for gallium arsenide compound semiconductors // Science and Technology of Advanced Materials. 2002. V. 3. P. 1-27.

203. T.B. Бланк, Ю.А. Гольдберг. Механизмы протекания тока в омических контактах металл—полупроводник // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41, В. 11. С. 1281-1308.

204. V. A. Vashchenko, V. F. Sinkevitch. Physical limitations of semiconductor devices. // Springer. 2008. P. 330.

205. J.C. Irvin. The Reliability of GaAs FETs in GaAs FET Principle and Technology, J.W. Dilorenzo and D.D. Khandelwal (eds) // MA: Artech House, chapter 6. 1982.

206. Исследование термической деградации AuGeNi омических контактов резонансно-туннельных диодов на основе GaAs гетероструктур / М.О. Макеев [и др.] // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения / Материалы Международной научно - технической конференции «INTERMATIC - 2012», 3-7 декабря 2012 г., Москва. / Под ред. академика РАН А.С. Сигова. М.: МГТУ МИРЭА-ИРЭ РАН. 2012. Ч. 4. С. 9-14.

207. Полупроводниковые приборы. Сверхвысокочастотные диоды. Справочник / Б.А. Наливайко и др. Под ред. Б.А. Наливайко. Томск: МГП «РАСКО». 1992. 223 е.: ил.

208. Горлов М.И., Строгонов А.В. Геронтология интегральных схем: прогнозирование долговечности ИС // Петербургский журнал электроники. 1996. №4. С. 35-41.

209. В.Д. Разевиг, Ю.В. Потапов, А.А. Курушин. Проектирование СВЧ устройств при помощи Microwave Office, COJIOH-пресс. 2003. 492 с.

210. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984, (Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices. New York: Wiley, 1981). 842 c.

211. Interfacial reactions in the formation of ohmic contacts to wide bandgap semiconductors /Р.Н. Holloway [etal.] // Appl. Surf. Sci.. 1997. V. 117-118. P. 362-372.

212. A. Callegari, E.T-S Pan, M. Murakami. Uniform and thermally stable AuGeNi ohmic contacts to GaAs // Appl Phys. Lett. 1985. V. 46,1. 12. P. 1141-1143.

213. N. Braslau, J.B. Gunn, J.L. Staples. Metal-semiconductor contacts for GaAs bulk effect devices // Solid-State Electron.. 1967. V. 10,1. 5. P. 381-383.

214. J. Eun, J.A. Cooper Jr. High temperature ohmic contact technology to n-type GaAs // School of Electrical Engineering, Purdue University. 1993. P. 102.

215. Фазовые и структурные изменения в многослойных контактах к n-GaAs, стимулированные быстрыми термическими обработками /Н.С. Болтовец [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, В. 9. С. 1138-1142.

216. E.B. Ерофеев, В.А. Кагадей. Влияние термообработки на параметры контактов металл-полупроводник, сформированных на халькогенизированной поверхности n-GaAs // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45, В. 9. С. 1191-1196.

217. С.М. Авдеев, Е.В. Ерофеев, В.А. Кагадей. Исследование влияния сульфидной и ультрафиолетовой обработок поверхности n-i-GaAs на параметры омических контактов // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45, В. 8. С. 1056-1061.

218. W.T. Anderson Jr., A. Christou, J.F. Giuliani. Laser annealed Ta/Ge and Ni/Ge ohmic contacts to GaAs // IEEE Electron Device Lett. EDL-2. 1981. P. 115-117.

219. Nonalloyed ohmic contacts to n-GaAs by solid-phase epitaxy of Ge /E.D. Marshall [et al.] // J. Appl. Phys.. 1987. V. 62,1. 3. P. 942-947.

220. Y.G. Wang, D. Wang, D.G. Ivey. Thermal stability of Pd/Ge-based ohmic contacts to n-type GaAs // J. Appl. Phys.. 1998. V. 84,1. 3. P. 1310-1315.

221. В. M. Кравченко, А. В. Кравченко. Надежный омический контакт к гетероэпитаксиальным структурам на основе арсенида галлия // Сборник статей 8-го Беларусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» Минск. 2011. С. 213-216.

222. InxGa!_xAs ohmic contacts to n-type GaAs prepared by sputter deposition / M. Okunishi [et al.] // J. Electron. Mater.. 1995. V. 24,1. 4. P. 333-339.

223. ГОСТ P 50779.30-95. Статистические методы. Приемочный контроль качества. Общие требования. ИПК Издательство стандартов, 2004. 28 с.

224. ГОСТ Р ИСО 2859-1-2007. Статистические методы. Процедуры выборочного контроля по альтернативному признаку. Часть 1. Планы выборочного контроля последовательных партий на основе приемлемого уровня качества. Стандартинформ. 2007. 101 с.

225. Коуден Д. Статистические методы контроля качества. Перевод с английского О.В. Бруханской, Ф.С. Соловейчика, К.Н. Трофимова. Под редакцией Б.Р. Левина. Государственное издательство физико-математической литературы. Москва. 1961. 624 с.