Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Лешко, Андрей Юрьевич

• Лешко, Андрей Юрьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Лешко, Андрей Юрьевич

Введение.

Глава1 Инжекционные гетеролазеры на основе четверных твёрдых растворов МтаАвР.

§1.1 Основные конструкции одномодовых и многомодовых инжекционных гетеролазеров в системе твёрдых растворов 1пОаАвР. п.п. 1.1.1 Разнообразие конструкций одномодовых и многомодовых гетеролазеров. п.п. 1.1.2 Зарощенная мезаполосковая конструкция одномодовых гетеролазеров.

§1.2 Волноводный эффект в лазерах конструкции "мелкая меза".

§1.3 Лазеры с напряжёнными активными областями.

§1.4 Лазеры с широким волноводом.

Выводы к Главе 1.

Глава2 Технология изготовления одномодовых лазеров конструкции мелкая меза".

Выводы к Главе2.

ГлаваЗ Исследование МгаАвРЯпР гетеролазеров с узким контактом конструкции "мелкая меза", изготовленных на основе структур, полученных методами жидкофазной и газофазной МОСгидридной эпитаксий.

§3.1 Особенности изготовления гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии для лазеров конструкции "мелкая меза".

§3.2 Исследование излучательных характеристик одномодовых лазеров конструкции "мелкая меза и лазеров с широким контактом, полученных методом жидкофазной эпитаксии.

§3.3 Исследование излучательных характеристик одномодовых лазеров конструкции "мелкая меза", полученных методом газофазной МОС-гидридной эпитаксии.

Выводы к ГлавеЗ.

Глава4 Исследование мощных ТпваАзРЛпР лазеров с широким контактом и малыми внутренними оптическими потерями.

§4.1 Расчёт величины внутренних оптических потерь в

ГпОаАвРЛпР лазерах с расширенным волноводом.

§4.2 Исследование свойств МтаАвРЛпР лазеров с расширенным волноводом и широким мезаполосковым контактом.

§4.3 Температурная зависимость дифференциальной квантовой эффективности квантоворазмерных шОаАвРЯпР лазеров с расширенным волноводом.

§4.4 Температурный выброс носителей тока и стимулированный квантовый выход в квантоворазмерных ТпОаАзРЛпР лазерах с однородным и ступенчатым расширенным волноводом.

Выводы к Главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров»

Ширина запрещённой зоны четверных твёрдых растворов 1пСаАзР, изопериодических с фосфидом индия, при комнатной температуре может изменяться от 0.73 эВ до 1.35 эВ. Гетеролазеры на основе соединений 1пОаАзР/1пР с использованием напряжённых квантоворазмерных слоёв излучают в спектральном диапазоне 1.15-4.85 мкм. Основные разработки в этом направлении связаны с применениями в волоконно-оптических линиях связи (ВОЛС). И хотя успехи, достигнутые в этой области за два последних десятилетия, огромны, не ослабевает поток публикаций, посвященных исследованию физических основ работы и разработке технологии изготовления приборов.

Решение более сложных задач ставит вопрос об улучшении характеристик лазерных диодов, таких как мощность излучения, дифференциальная квантовая эффективность, пороговая плотность тока, температурная стабильность и другие. К началу выполнения данной работы (1993г.) в результате применения в гетероструктурах напряжённых квантоворазмерных активных областей произошёл качественный скачок в улучшении основных характеристик лазерных диодов. В это время в ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН был разработан модифицированный метод жидкофазной эпитаксии [1]. Применение модифицированного метода показало преимущества двойных 1пОаАзР гетероструктур раздельного электронного и оптического ограничения (ДГС РО) с низкими внутренними оптическими потерями [2]. Однако разработанная технология жидкофазной эпитаксии не позволила в полной степени реализовать преимущества лазерных РО ЫЗаАзР ДГС с низкими внутренними оптическими потерями.

В связи с этим развитие данной концепции с использованием метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОС-гидридной эпитаксии) и разработка на ее основе мощных InGaAsP/InP лазерных диодов позволяют считать тему работы актуальной как с научной, так и с практической точки зрения.

Основная цель работы заключалась в создании PO InGaAsP/InP гетероструктуры с низкими внутренними оптическими потерями для изготовления мощных лазерных диодов, а также в исследовании свойств и оптимизации характеристик полученных гетеролазеров. Достижение поставленной цели включало в себя следующие основные этапы: I. Разработка постростовой технологии мезаполосковых одномодовых и многомодовых лазеров с учетом особенностей конструкций лазерных гетероструктур, полученных методами жидкофазной и газофазной МОС-гидридной эпитаксий.

П. Исследование свойств и создание мощных одномодовых и многомодовых с широким мезаполосковым контактом PO InGaAsP/InP гетеролазеров на базе структур, полученных методом жидкофазной эпитаксии.

III. Создание лазерной гетероструктуры раздельного ограничения с низкими внутренними оптическими потерями в системе твёрдых растворов InGaAsP/InP с использованием газофазной МОС-гидридной эпитаксии.

IV. Исследование свойств мощных многомодовых PO InGaAsP/InP лазеров с широким мезаполосковым контактом.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые:

1. Аналитически и экспериментально изучены свойства PO InGaAsP/InP лазерных гетероструктур с расширенным однородным и ступенчатым волноводом.

2. Показано, что в InGaAsP/InP лазерных гетероструктурах раздельного ограничения наблюдается выброс инжектированных носителей тока из активной области в волновод. Вследствие токовых утечек происходит снижение стимулированного квантового выхода.

3. Предложено в РО InGaAsP/InP лазерной гетероструктуре увеличить глубину квантовой ямы для электронов, используя ступенчатый расширенный волновод, сохраняя при этом максимальный фактор оптического ограничения волноводного слоя.

4. Показано, что применение в РО InGaAsP/InP лазерной гетероструктуре ступенчатого расширенного волновода обеспечивает максимальный квантовый выход стимулированного излучения при минимуме внутренних оптических потерь.

5. Установлено, что РО InGaAsP/InP лазерные гетероструктуры обладают высокой температурной чувствительностью дифференциальной квантовой эффективности (T^l 25-^250 К), что ограничивает максимально достижимую излучаемую мощность.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. Разработана последовательность постростовых технологических операций для изготовления мезаполосковых одномодовых и многомодовых с широким контактом РО InGaAsP/InP гетеролазеров.

2. Созданы одномодовые мезаполосковые лазерные диоды, излучающие на длинах волн 1.3 и 1.5 мкм оптическую мощность 200 и 100 мВт в непрерывном режиме генерации на базе лазерных гетероструктур, полученных методом жидкофазной эпитаксии, и 220 и 150 мВт -методом газофазной МОС-гидридной эпитаксии.

3. Разработана оптимальная РО InGaAsP/InP лазерная гетероструктура с расширенным ступенчатым волноводом, обеспечивающая минимальные внутренние оптические потери и максимальный внутренний квантовый выход стимулированного излучения.

4. Созданы мощные лазерные диоды на базе РО InGaAsP/InP лазерной гетероструктуры с расширенным ступенчатым волноводом, полученной методом газофазной МОС-гидридной эпитаксии, излучающие на длине волны 1.55 мкм.

Совокупность представленных в диссертации экспериментальных и теоретических данных позволяет сформулировать следующие основные научные положения и результаты, выносимые на защиту:

Положение 1. Снижение концентрации свободных носителей в

15 3 волноводных слоях до 10 см" и увеличение фактора оптического ограничения вследствие максимального расширения волноводного слоя позволяет достичь минимума внутренних оптических потерь в РО 1пОаА8Р/1пР гетеролазерах.

Положение 2. В лазерах на основе твёрдых растворов ЫЗгаАзР, изопериодических с 1пР, вследствие особенностей строения энергетической зонной структуры, наблюдается выброс инжектированных носителей тока из активной области в волновод, что снижает внутренний квантовый выход стимулированного излучения.

Положение 3. Применение ступенчатого расширенного волновода в РО 1пОаАзР/1пР гетероструктурах позволяет увеличить глубину квантовой ямы для электронов, сохраняя при этом максимальное значение фактора оптического ограничения волноводного слоя и минимальные внутренние оптические потери.

Положение 4. Использование ступенчатого расширенного волновода в РО 1пОаАзР/1пР гетероструктуре позволяет снизить выброс носителей тока из активной области в волновод и увеличить внутренний квантовый выход стимулированного излучения.

Положение 5. РО ЫтаАзРЯпР гетеролазеры обладают высокой температурной чувствительностью дифференциальной квантовой эффективности (Т1=125-К250 К), ограничивающей достижение максимально возможной излучаемой мощности.

Результат 1. Разработана последовательность постростовых технологических операций для изготовления мезаполосковых одномодовых и многомодовых с широким контактом РО InGaAsP/InP гетеролазеров.

Результат 2. С использованием разработанной постростовой технологии созданы одномодовые лазерные диоды, излучающие на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм оптическую мощность 200 и 100 мВт в непрерывном режиме генерации, на базе лазерных гетероструктур, полученных методом жидкофазной эпитаксии, и 220 и 150 мВт - методом газофазной МОС-гидридной эпитаксии.

Результат 3. Создана оптимальная InGaAsP/InP лазерная гетероструктура с расширенным ступенчатым волноводом, обладающая внутренними оптическими потерями 3.6 см"1 и внутренним квантовым выходом стимулированного излучения более 85%.

Результат 4. На базе РО LiGaAsP/InP гетероструктуры с расширенным ступенчатым волноводом, полученной методом МОС-гидридной эпитаксии, созданы лазерные диоды с шириной мезаполоскового контакта 100 мкм, излучающие на длине волны 1.55 мкм 4.2 Вт в непрерывном режиме генерации.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на 2-ой Российской конференции по физике полупроводников, 1996, Зеленогорск; на 2-ой Международной конференции "International Symposium Nanostructures: Physics and Technology", 1996, июнь, С-Петербург; на 6-ой Международной конференции "International Symposium Nanostructures: Physics and Technology", 2000, июнь, С-Петербург.

Публикации. По материалам диссертационной работы опубликовано 6 работ, список которых приведён в заключение диссертации. Ссылки на эти работы в тексте диссертации отмечены цифрами со звёздочкой.

Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения и списка цитированной литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Лешко, Андрей Юрьевич

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1 .Разработана последовательность постростовых технологических операций для изготовления мезалолосковых одномодовых и многомодовых с широким контактом РО InGaAsP/InP гетеролазеров с учетом особенностей гетероструктур, полученных методами газофазной МОС-гидридной и жидкофазной эпитаксий.

2. С использованием разработанной постростовой технологии созданы одномодовые лазерные диоды, излучающие на длинах волн 1.3 и 1.5 мкм оптическую мощность 200 и 100 мВт в непрерывном режиме генерации на базе лазерных гетероструктур, полученных методом жидкофазной эпитаксии, и 220 и 150 мВт - методом газофазной МОС-гидридной эпитаксии.

3. Максимальные значения дифференциальной квантовой эффективности в РО InGaAsP/InP гетеролазерах достигаются при минимальных внутренних оптических потерях. Минимум внутренних оптических потерь в InGaAsP/InP РО ДГС достигается при снижении концентрации свободных носителей в

15 3 волноводных слоях до 10 см" и увеличении фактора оптического ограничения волноводного слоя вследствие максимального расширения волноводного слоя.

4. Вследствие особенностей строения энергетической зонной структуры твёрдых растворов InGaAsP, изопериодических с InP, в лазерных РО ДГС наблюдается выброс инжектированных носителей тока из активной области в волновод, что снижает внутренний квантовый выход стимулированного излучения.

5. Применение ступенчатого расширенного волновода в РО InGaAsP/InP ДГС позволяет увеличить глубину квантовой ямы для электронов, сохраняя максимальный фактор оптического ограничения волноводного слоя и минимальные внутренние оптические потери, а также снизить выброс носителей тока из активной области в волновод и увеличить внутренний квантовый выход стимулированного излучения.

6. PO InGaAsP/InP гетеролазеры обладают высокой температурной чувствительностью дифференциальной квантовой эффективности (Т]=125+250 К), ограничивающей достижение максимально возможной излучаемой мощности.

7. Разработана оптимальная InGaAsP/InP лазерная гетероструктура с расширенным ступенчатым волноводом, обладающая внутренними оптическими потерями 3.6 см"1 и внутренним квантовым выходом стимулированного излучения более 85%.

8. На базе PO InGaAsP/InP гетероструктуры с расширенным ступенчатым волноводом, полученной методом МОС-гидридной эпитаксии, созданы лазерные диоды с шириной мезаполоскового контакта 100 мкм, излучающие на длине волны 1.55 мкм 5.2 Вт в непрерывном режиме генерации.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1 .М.А.Иванов, Ю.В.Ильин, Н.Д.Ильинская, Ю.А.Корсакова, А.Ю.Лешко, A.B. Лунёв, А.В.Лютецкий, А.В.Мурашова, Н.А.Пихтин, И.С.Тарасов, "Полосковые одномодовые InGaAsP/InP лазеры, излучающие на длине волны 1.55 мкм", Письма в ЖТФ, 1995, т. 21, вып. 5, сс. 70+75.

2. И.С.Тарасов, Н.А.Пихтин, А.В.Мурашова, А.В.Лютецкий, А.Ю.Лешко, М.А.Иванов, Н.АБерт, Ж.И.Алфёров, "Самоупорядоченные InGaAsP наногетероструктуры", 2-ая Российская конференция по физике полупроводников, Зеленогорск, 26 февраля - 1 марта 1996 года, Тезисы докладов, Т.1, с. 40.

3. N.A.Pikhtin, A.Yu.Leshko, A.V.Lyutetskiy, V.B.Khalfin, N.V.Shuvalova, Yu.V.Ilyin, I.S.Tarasov, "Two-section InGaAsP/InP (A,=1.55jim) Fabri-Perot laser diode with 12 nm tuning range", Proceed, of Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St.Peterburg, Russia, 24-28 June 1996, pp.351+353.

4.А.Ю.Лешко, И.С.Тарасов, И.Н.Арсентьев, Б.Я.Бер, Ю.В.Ильин, Н.В.Шувалова, "Многоямковые лазерные гетероструктуры, полученные методом жидкостной эпитаксии", Письма в ЖТФ, 1998, т. 24, вып. 21, сс. 61+67.

5.Е.Г.Голикова, В.А.Горбылёв, Н.Ю.Давидюк, В.А.Курешов, А.Ю.Лешко, А.В.Лютецкий, Н.А.Пихтин, Ю.А.Рябоштан, В.А.Симаков, И.С.Тарасов, Н.В.Фетисова, "Мощные InGaAsP-гетеролазеры раздельного ограничения, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений", Письма в ЖТФ, 2000, т. 26, вып. 6, сс. 5+11.

6.Е.Г.Голикова, В.А.Горбылёв, Ю.В.Ильин, В.А.Курешов, А.Ю.Лешко, А.В.Лютецкий, Н.А.Пихтин, Ю.А.Рябоштан, В.А.Симаков, И.С.Тарасов, Е.А.Третьякова, Н.В.Фетисова, "Мезаполосковые одномодовые РО ДГС InGaAsP лазеры, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений", Письма в ЖТФ, 2000, т.26, вып. 7, сс. 57+62.

7.А.Ю.Лешко, А.В.Лютецкий, Н.А.Пихтин, Г.А.Скрынников, И.С.Тарасов, Ж.И.Алфёров, "Свойства InGaAsP/InP гетеролазеров с широким мезаполосковым контактом", ФТП, 2000, т. 34, вып. 7, сс. 886+890.

8. А.Ю.Лешко., Д.А.Лившиц, А.В.Лютецкий, Н.АЛихтин, З.Н.Соколова, И.С.Тарасов, Н.В.Фетисова, "О внутреннем квантовом выходе и выбросе носителей в квантоворазмерных InGaAsP/InP лазерах", ФТП, 2000, в печати. 9. E.G.Golikova, V.A.Kureshov, A.Yu.Leshko, A.V.Lyutetskiy, N.A.Pikhtin, Yu.A.Ryaboshtan, G.V.Skrynnikov, I.S.Tarasov, Zh.I.Alferov, Properties of wide

125 mesastripe InGaAsP heterolasers, Proceed, of Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St.Peterburg, Russia, 19-K23 June, 2000, to be published.

В заключение автор хотел бы выразить глубокую благодарность научному руководителю И.С.Тарасову за повседневное руководство, внимание и полезное обсуждение результатов работы; сотрудникам Н.А.Пихтину, А.В.Лютецкому, Н.В.Фетисовой, С.О.Слипченко, при помощи и непосредственном участии которых были выполнены исследования; Н.Д.Ильинской, Л.С.Вавиловой, И.Н.Арсентеву, А.В.Мурашовой, А.Л.Станкевичу за активную помощь в технологических вопросах; З.Н.Соколовой и Г.В.Скрынникову за помощь в проведении теоретических расчётов; Е.А.Третьяковой, Т.Н.Дрокиной, Е.И.Кухаревой, Н.Ф.Кадощук, Т.А.Налёт, А.В.Лунёву за огромную работу по изготовлению экспериментальных образцов; Асряну Л.В. за внимательные и доброжелательные теоретические консультации.

Заключение.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Лешко, Андрей Юрьевич, 2000 год

1. Garbuzov D.Z., Antonishkis N.Yu., Bondarev A.D., Gulakov A.B., Zhigulin S.N., Katsavets N.I., Kochergin A.V., Rafailov E.V., High-power 0.8 jim InGaAsP-GaAs SCH SQW lasers, IEEE J. Quant. Electron., V.QE-27, №6, pp. 1531-1536, (1991).

2. Panish M.B., Hayashi I., Sumski S., Double-heterostructure injection lasers with room-temperature thresholds as low as 2300 A/cm", Appl. Phys. Lett., V.16, №8, 326-327, (1970).

3. Hayashi I., Panish М.В., Foy P.W., Sumski S., Junction lasers which operate continuosly at room temperature, Appl. Phys. Lett., V.17, №3, pp. 109-111, (1970).

4. Dyment J.C., D'Asaro L. A., North J.C., Miller B.I., Ripper J.E., Proton-bombardment formation of stripe-geometri heterostructure lasers for 300 К CW operation, Proc. IEEE, Y.60, №6, pp. 726-728, (1972).

5. Casey H.C., Jr., Panish M.B., Heterostructure Lasers, Academik Press, New York, San Francisko, London, 1978.

6. Hartman RL., Schumaker NE., Dixon R.W., Continuously operated (Al,Ga)As double-heterostructure lasers with 70°C lifetimes as longas two years, Appl. Phys. Lett., V.31, №11, pp. 756-759, (1977).

7. Богатов А.П., Долгинов JI.M., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г., Свердлов Б.Н., Шевченко Е.Г., Излучательные характеристики лазерных гетероструктур на основе InP-GalnPAs, ФТП, Т.9, вып.10, сс. 1956-1961,1975).

8. Hsieh J.J., Room-temperature operation of Са1пАзЯпР double-heterostructure diode lasers emitting at 1.1 ¿im, Appl. Phys. Lett., V.28, №5, pp. 283-285,1976).

9. Hsieh J.J., Rossi J.A., Donnelly J.P., Room-temperature cw operation of GalnAs/InP double-heterostructure diode lasers emitting at 1.1 jum, Appl. Phys. Lett, V.28, №12, pp. 709-711, (1976).

10. Yamamoto Т., Sakai K., Akiba S., Suematsu Y., Ini.xGaxAsyPi.y/InP DH lasers fabricated on InP(lOO) substrates, IEEE J. Quant. Electron., V.QE-14, №2, pp. 95-98, (1978).

11. Алфёров Ж.И., Арсентьев И.Н., Гарбузов Д.З., Румянцев В.Д., Красные инжекционные гетеролазеры в системе Ga-In-As-P, Письма в ЖТФ, Т.1, вып.9, сс. 406-408, (1975).

12. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г., Свердлов Б.Н., Шевченко Е.Г., Полосковый гетеролазер непрерывного действия на основе четырёхкомпонентного твёрдого раствора GalnPAs, Крат, сообщ. по физике ФИАН, № 8, с. 38-41, (1976).

13. Kawaguchi Н., Takahei К., Toyoshima Y., Nagai Н., Iwane G., Room-temperature c.w. operation of InP/InGaAsP/InP double heterostructure diode lasers emitting at 1.55 \im, Electron. Lett. Y.15, №21, pp. 669-670 (1979).

14. Akiba S., Sakai K., Matsushima Y., Yamamoto T., Room temperature c.w, operation of InGaAsP/InP heterostructure lasers emitting at 1.56 pm, Electron. Lett. V.15, №19, pp. 606+607 (1979).

15. Arai S., Asada M., Suematsu Y., Itaya Y., Room temperature CW operation of GalnAsP/InP DH laser emitting at 1.51 jim, Japn. J. Appl. Phys., V.17, №12, pp. 2333+2334, (1979).

16. Thompson G.H.B., Kirkby P.A., (GaAl)As lasers with a heterostructure for optical confinement and additional heterojunctions for exstreme carrier confinement, IEEE J. Quant. Electron., V.QE-9, №2, pp. 311+318, (1973).

17. Panish M.B., Casey H.C., Jr., Sumski S., Foy P.W., Reduction of threshold current density in GaAs-AlxGaixAs heterostructure lasers by separate optical and carrier confinement, Appl. Phys. Lett., V.22, №11, pp. 590+591, (1973).

18. Thompson G.H.B., Kirkby P.A., Low threshold-current density in 5-layer-heterostructure (GaAl)As/GaAs localised-gain-region injection lasers, Electron. Lett., V.9, №13, pp. 295+296, (1973).

19. Casey H.C., Jr., Panish M.B., Schlosser W.O., Paoli T.L., GaAs-A^Ga^As heterostructure laser with separate optical and carrier confinement, J. Appl. Phys., V.45, №1, pp. 322+333, (1974).

20. Tanbun-Ek T., Temkin H., Chu S.N.G., Logan R.A., Reproducible growth of low-threshold single and multiple quantum well InGaAsP/InP lasers by a novel interlayer growth technique, Appl. Phyh. Lett., V.55, №9, pp. 819+821 (1989).

21. Thijs P.J., Tiemeijer L.F., M.Binsma J.J., van Dongen Т., Progress in long-wavelength strained-layer InGaAs(P) quantum-well semiconductor lasers and amplifiers, IEEE J. Quant. Electron., V.QE-30, №2, pp. 477-499 (1994).

22. Garbusov D., Xu L., Forrest S.R., Menna R., Martinelli R., Connolly J.C., 1.5 jim wavelength, SCH-MQW InGaAsP/InP broadened-waveguide laser diodes with low internal loss and high output power, Electron. Lett., V.32, №18, pp. 1717-1719, (1996).

23. Asano H., Takano S., Kawaradani M.,Kitamura M., Mito I., 1,48-|im highpower InGaAs/InGaAsP MQW LD's for Er-doped fiber amplifiers, IEEE Photon. Technol. Lett., V.3, №5, pp. 415-417, (1991).

24. Елисеев П.Г., Лавров B.H., Применение инжекционных гетеролазеров в волоконно-оптических системах связи (обзор), Квантовая электроника, Т.7, №9, сс. 1845-1868, (1980).

25. InGaAsP Alloy semiconductors, Edited by T.P. Pearsall, New-York, 1982.

26. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Нивин А.Б., Овчинников А.В., Тарасов И.С., Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на основе жидкофазной РО InGaAsP ДГС (Х=\.35 мкм, Т=300К), ФТП, Т.21, №5, сс. 456-459, (1987).

27. Горелёнок А.Т., Колышкин В.И., Тарасов И.С., Полосковые лазеры на основе ДГС в системе InGaAsP/InP, полученные имплантацией ионов кислорода, ЖТФ, Т.53, №> 10, сс. 1973-1978, (1983).

28. Collor A., Renner D., Greene P.D., Moule D., Butler В., High power performance of double channel mesa lasers, Physica, V.129B, pp. 455-458, (1985).

29. Горелёнок A.T., Груздов В.Г., Декальчук A.A., Декальчук Т.В., Ильинская Н.Д., Мокина И. А., Тарасов И. С., Мезаполосковые

30. GaAsP/InP (À,=1.55 мкм) лазеры непрерывного действия, ЖТФ, Т.55, №9,сс. 1872+1876, (1985).

31. Sugimoto M., Suzuki A., Nomura H., Lang R., Mesa substrate burned heterostructure lasers diode fabricated by one-step liquid-phase epitaxy, J. Lightwave Tecnol., V.LT-2, №4, pp. 496+502 (1984).

32. Ishikawa H., Imai H., Tanahashy T., Hori K., Takahei K., Y-grooved substrate buried heterostructsure InGaAsP/InP laser emitting at 1.3 jum wavelength, IEEE Transactions on Microwave Theory and Technique, V.MTT-30, №10, pp. 1692+1699, (1982).

33. Asano T., Okumura T., 1.3 |um high-power BH laser on p-InP substrates, IEEE J. Quant. Electron., V.QE-21, №6, pp. 619+622, (1985).

34. Clawson A., Mullin D., Elder D., Weider H., J. Crystal Growth, V.64, p. 90, (1983).

35. Knight D. G., Benyon W., Method for reliable liquid phase epitaxial growth of semi-insulating InP doped with Ti and Zn, J. Crystal Growth, V.102, №1/2, pp. 249+254, (1990).

36. Botez D., Effective refractive index and first-order mode cutoff conditions in InGaAsP/InP DH laser structure (À.=1.2-1.6 fim), IEEE J Quant. Electron., V.QE-18, №5, pp. 865+870, (1982).

37. Беришев И.Э., "Разработка жидкофазной технологии изготовления мощных низкопороговых зарощенных InGaAsP/InP лазеров, Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Санкт-Петербург, 1993.

38. Wilt D.P. and Yariv A., A self-consistent staitic model of the double-heterostructure laser, IEEE J Quant. Electron., V.QE-17, №9, pp. 1941+1949, (1981).

39. Ohtoshi Т., Yamaguchi К., Nagaoka С., Uda Т., Murayama Y., Chinone N, A Two-dimensional device simulator of semiconductor lasers, Solid-State Electronics, V.30, №6, pp. 627+638, (1987).

40. Ueno M., Asada S., Kumashiro S., Two-dimensional numerical analysis of lasing characteristics for self-aligned structure semiconductor lasers, IEEE J. Quant. Electron., V.QE-26, № 6, pp. 972-981, (1990).

41. Nappi J., Ovtchimikov A., Asonen H., Savolainen P, Pessa M., Limitations of two-dimensional passive waveguide, model for A,=980 nm Al-free ridge waveguide lasers, Appl. Phys. Lett., V.64, №17, pp 2703+2705, (1994).

42. Adams A.R., Band structure engineering for low threshold high efficiency semiconductor lasers, Electron. Lett., V.22, №2, pp. 249+250 (1986).

43. Yablonovitch E., Kane E.O., Reduction of the lasing threshold current density by lowering the valence band ejjective mass, J. Lightwave Technol., V.LT-4, №5, pp.504+506; (1986); также "Correction", J. Lightwave Technol., V.LT-4, №6, p. 961,(1986).

44. Yablonovitch E., Kane E.O., Band structure engineering of semiconductor lasers for aptical communication, J. Lightwave Technol., V.LT-6, №8, pp. 1292+1299, (1988).

45. Mattehws J.W., Blakeslee A.E., Defects in epitaxial multilayers, J. Crystal Growth, V.27, pp. 118-125, (1974).

46. Semiconductors lasers, edited by Eli Kapon, Academic Press, 1999.

47. Silver M., O'Reilly E.P., Optimization of long wavelength InGaAsP strained quantum-well lasers, IEEE J. Quant. Electron., V.QE-31, №7, pp. 1193-1200, (1995).

48. Kasukawa A., Namegaya T., Iwai N., Yamanaka N., Ikegami Y., Tsukiji N., Extremely high power 1.48 ¡am GalnAsP/InP GRIN-SCH strained MQW lasers, IEEE Photon. Technol. Lett., V.6, №1, pp. 4-6, (1994).

49. Mawst L.J., Bhattacharya A., Nesnidal M., Lopez J., Botez D., Monis J.A., Zory P., High CW output power and 'wallplug' efficiency Al-free InGaAs/InGaAs/InGaP double quantum well diode lasers, Electron. Lett., V.31, №14, pp. 1153-1154,1995.

50. Osinski J.S., Zou Y., Grodzinski P., Mathur R.A., Darkus P.D., Low-threshold-current-density 1.5 jim lasers using compressively strained InGaAsP quantum wells, IEEE Photon. Technol. Lett., V.4, pp. 10-13, (1992).

51. Hayakawa T., Wada M., Yamanaka F., Asano H., Kuniyasu T., Ohgoh T., Fukunaga T., Effects of broad-waveguide structure in 0.8 ¡urn high-power

52. GaAsP/InGaP/AlGaAs lasers, Appl. Phys. Lett., V.75, №13, pp. 1839-1841, (1999).

53. Wade J.K., Mawst L.J., Botez D., Nabiev R.F., Jansen M., Morris J.A., 6.1 W continuous wave front-faset power from Al-free active-region (1=805 nm) diode lasers, Appl. Phys. Lett., V.72, №1, pp. 4-6, (1998).

54. Wang J., Smith B., Xie X., Wang X., Burnham G. T., High-efficiency diode lasers at high output power, Appl. Phys. Lett., V.74. №11, pp. 1525-1527, (1999).

55. He.X., SrinivasanS., Wilson S., Mitchell C., Patel R, 10.9 W continuous waveoptical power from 100 p,m aperture InGaAs/AlGaAs (915 nm) laser diodes, Electron. Lett., V.34, №22, pp. 2126-2127, (1998).

56. Al-Muhanna A., Mawst L.J., Botez D., Garbusov D.Z., Martinelli R.U., Connolly J.C., High-power (>10W) continuous-wave operation from 100-jj.m-aperture 0.97-¡im-emitting Al-free diode lasers, Appl. Phys. Lett., V.73, №9, pp. 1182-1184, (1998).

57. Nabiev R.F., Vail E.C., Chang-Hasnain C.J., Temperature dependent efficiency and modulation characteristics of Al-free 980-nm laser diodes, IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., V.l, pp. 234+243, (1995).

58. Овчинников A.B., Разработка жидкофазной технологии изготовления InGaAsP/InP (1=1.3 мкм) лазерных структур (для ВОЛС) со сверхтонкими активными областями, Диссертация на соискание учёной степени кандидата ф.-м. наук, Ленинград, 1988.

59. Kuphal Е., Phase diagrams of InGaAsP, InGaAs and InP lattis-matched to (100)inP, J. Crystal Growth, V.67, pp. 441+457, (1984).

60. Голикова Е.Г., Дураев В.П., Козиков C.A., Кригель В.Г., Лабушн О.А., Швейкин В.И., Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями. Квантовая электроника. Т.22. вьш.2. ее. 105+107, (1995).

61. Казаринов Р.Ф., Константинов O.B., Перель В.И., Эфрос А.Л., К электромагнитной теории инжекционного лазера, ФТТ, Т.7, №5, сс. 1506+1516, (1965).

62. Adachi S., Physical Properties of 3 5 Semiconductor Compounds, John Wiley & Sons, 1992.

63. Тарасов И.С., Гарбузов Д.З., Евтихиев В.П., Овчинников А.В., Соколова З.Н., ЧудиновА.В., Особенноста температурной зависимости порогов в

64. PO InGaAsP/InP ДГ лазерах (1=1.3 мкм) с тонкой активной областью, ФТП, Т.19, вып.8, сс. 1496-1498, (1985).

65. Mawst L.J., Bhattacharya A., Nesnidal М., Lopez J., Botez D., Morris J.A., Zory P., High continuous wave output power InGaAsftnGaAsP/InGaP diode lasers: effekt of substrate misorientation, Appl. Phys. Lett, V.67, pp. 2901-2903, (1995).

66. Osinski J.S., Grodzinski P., Zou Y, Dapkus P.D, Karim Z., Tanguay A.R., Low treshold current 1.5 дт bured heterostructure lasers using strained quaternary quantum wells, IEEE Photon. Technol. Lett., V.4, №12, pp. 1313-1315, (1992).

67. Sugiura H., Noguchi Y., Iga R., Yamada Т., Kamada H., Sakai Y, Yasaka H., Straned-layer InGaAs quantum well lasers emitting at 1.5 jim grown by chemical beam epitaxy, Appl. Phys. Lett., V.61, №3, pp. 318-320, (1992).

68. Kunii Т., Matsui Y., Katoh I., Kamidjoh Т., Low threshold current and high output power operation for 1.5 jxm GRINSCH strained MQW laser diode, Electron. Lett., V.31, №4, pp. 282-284, (1995).

69. Гарбузов Д.З., Овчинников A.B., Пихтин H.A., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Халфин В.Б., Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС