Разработка и исследование технологических основ формирования наноразмерных планарных структур на основе пленок BiFeO3 для устройств обработки и хранения информации тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Алябьева, Наталья Ивановна

• Алябьева, Наталья Ивановна
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Алябьева, Наталья Ивановна

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ПЛЕНКИ ФЕРРИТА ВИСМУТА ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ

1.1 Приборы на основе пленок BiFe03

1.1.1 Структура и свойства BiFe03

1.1.2 Пленки BiFe03 в устройствах обработки и хранения информации

1.2 Технологии получения пленок BiFe03

1.3 Способы исследования пленок BiFe03

1.3.1 Сканирующая электронная микроскопия

1.3.2 Просвечивающая электронная микроскопия

1.3.3 Сканирующая зондовая микроскопия

1.4 Режимы взаимодействия системы «кантилевер-образец» для исследования электрофизических свойств материалов методами АСМ

1.4.1 Моделирование системы взаимодействия «кантилевер-

образец» в динамической АСМ

1.4.2 Моделирование системы взаимодействия «кантилевер-

образец» в токовой статической АСМ

1.5 Выводы и постановка задачи

ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕЖИМОВ АСМ-ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ СИСТЕМЫ «КАНТИЛЕВЕР-ОБРАЗЕЦ» ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОК BiFe03

2.1 Модель определения оптимальной длины зонда кантилевера для исследования нормального пьезоотклика пленок BiFe03 методом пьезо-силовой микроскопии

2.2 Модель определения оптимальной силы прижима кантилевера к поверхности образца для исследования его электрических характеристик методом АСМ

2.3 Выводы по главе

ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА МЕТОДИК АСМ-НАНОДИАГНОСТИКИ

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК BiFe03

ЗЛ Комплексный анализ электрофизических параметров пленки

BiFe03 методами АСМ

ЗЛЛ Исследование морфологии поверхности и СДС пленки BiFe03

методом ПСМ

ЗЛ.2 Разработка методики определения трехмерной ориентации

векторов поляризации СДС пленок BiFe03 методом ПСМ

ЗЛ.З Исследование закономерностей влияния геометрических параметров зонда АСМ на компоненты сил взаимодействия в

системе «кантилевер-образец» динамического режима АСМ

ЗЛ.4 Разработка модифицированного кантилевера для исследования

нормального пьезомодуля d33 СДС пленки BiFe03

ЗЛ.5 Исследование нормального пьезомодуля d33 СДС пленки

BiFe03 методом ПСМ

3.2 Исследование СДС пленки BiFe03 методами электронной микроскопии

3.2.1 Разработка методики отображения СДС пленки BiFe03

методом растровой электронной микроскопии

3.2.2 Исследование СДС пленки BiFe03 методами просвечивающей электронной микроскопии

3.3 Определение оптимальных режимов взаимодействия системы «кантилевер-образец» для исследования электрических параметров материалов методом АСМ ОСР

3.4 Выводы по главе

ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛАНАРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК BiFe03 ДЛЯ УСТРОЙСТВ ОБРАБОТКИ И ХРАНЕНИЯ

ИНФОРМАЦИИ

4.1 Разработка технологического маршрута и исследование процессов формирования наноразмерных планарных структур на основе пленки BiFe03

-44.1.1 Исследование электрофизических параметров наноразмерных

планарных структур на основе пленки ЕИБеОз

4.1.2 Исследование влияния динамики ориентационных фазовых переходов СДС пленки ЕНРеОз на изменение вольт-токовых характеристик наноразмерных емкостных ячеек

4.1.3 Исследование влияния размерных эффектов наноразмерных планарных структур на основе пленки В1Ре03

4.2 Разработка конструкции и технологического маршрута формирования устройства обработки и хранения информации с

пленкой В1Ре03 в качестве переключающего элемента

4.3 Выводы по главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ

ПРИЛОЖЕНИЕ А «Документ об аттестации методики измерений»

ПРИЛОЖЕНИЕ Б «Документы о внедрении и использовании

результатов диссертационной работы»

-5 -

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

АСМ - атомно-силовая микроскопия ПСМ - пьезо-силовая микроскопия

НПСМ - нормальный пьезоотклик, детектируемый методом пьезо-силовой микроскопии

ЛПСМ - латеральный пьезоотклик, детектируемый методом пьезо-силовой микроскопии

ОСР - отображение сопротивления растекания

БК АСМ - бесконтактная атомно-силовая микроскопия

СДС - сегнетоэлектрическая доменная структура

ИЛО - импульсное лазерное осаждение

МЛЭ - молекулярно-лучевая эпитаксия

ФИП - фокусированные ионные пучки

ГФХО - химическое осаждение из газовой фазы

ГИС - газоинжекторная система

КДК - коммерчески доступный кантилевер

МК - модифицированный кантилевер

TLD - Through Lens Detector/ детектор расположенный за линзой

BSE - Backscatter Electron Imaging/ изображение обратно-рассеянными

электронами

РЭМ - растровая электронная микроскопия

ПЭМ - просвечивающая электронная микроскопия

ВАХ - вольт-амперная характеристика

ВТХ - вольт-токовая характеристика

ПТШ - полевые транзисторы с затвором Шоттки

КМОП - комплементарная структура металл-оксид-полупроводник

FeRAM - Ferroelectric Random Access Memory/ сегнетоэлектрическое оперативное

запоминающее устройство

IT - 1 Transistor/ однотранзисторная ячейка

1С - 1 Capacitor/ одноемкостная ячейка

MRAM - Magnetoresistive Random Access Memory/ магниторезистивное оперативное запоминающее устройство

ReRAM - Resistive Random Access Memory/ резистивное оперативное запоминающее устройство

FeTRAM - Ferroelectric Field Effect Random Access Memory/

Сегнетоэлектрическое полевое оперативное запоминающее устройство

НЕМТ - High Electron Mobility Transistor/ транзистор с высокой подвижностью

электронов

ДЭГ - двумерный электронный газ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование технологических основ формирования наноразмерных планарных структур на основе пленок BiFeO3 для устройств обработки и хранения информации»

-7-ВВЕДЕНИЕ

Актуальность диссертационной работы

Развитие современной электронной техники связано с модернизацией компонентов приборов для улучшения основных приборных характеристик: быстродействия, плотности упаковки элементов, энергопотребления и т.д. В связи с этим, актуальной задачей является применение материалов, которые обладают уникальными электрофизическими свойствами, но совместимы с полупроводниковыми материалами компонентов приборов. Мультиферроик BiFe03 обладает магнитоэлектрическими свойствами при комнатной температуре, достаточно высокой температурой фазовых переходов (Тк = 1143 К, TN = 643 К) и высоким значением спонтанной поляризации (-100 мкКл/см ). Свойство BiFe03 дискретно изменять направление вектора поляризации на 180°, 109° и 71° под воздействием внешнего электрического поля и сохранять его в отсутствии поля используется в качестве физической основы работы элементов устройств обработки и хранения информации типа FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) и ReRAM (Resistive Random Access Memory). Выполняя роль основного компонента памяти, емкостная ячейка BiFe03 может быть масштабирована до нескольких десятков нанометров, сохраняя при этом необходимые приборные свойства. Перспектива формирования массивов наноразмерных планарных структур - емкостных ячеек на основе пленок BiFe03 - открывает новые возможности увеличения плотности упаковки компонент устройств обработки и хранения информации. На сегодняшний день минимальный латеральный размер емкостных ячеек на основе BiFe03 составляет порядка 100 нм, при этом ключевой задачей является разработка технологических основ создания таких ячеек.

Одним из основных способов прецизионной диагностики характеристик пленок BiFe03, а также оценки качества разрабатываемой технологии формирования наноразмерных емкостных структур являются методы атомно-силовой микроскопии (АСМ). Так, метод пьезо-силовой микроскопии (ПСМ) позволяет исследовать сегнетоэлектрическую доменную структуру (СДС) материалов за счет обратного пьезоэффекта, определять значения их

пьезомодулей, а также исследовать фазовые ориентационные переходы. Метод АСМ отображения сопротивления растекания (АСМ ОСР) в режиме спектроскопии позволяет исследовать ток реполяризации емкостных ячеек, детектируя токи вплоть до нескольких пикоампер. Несмотря на достоинства методов ПСМ и АСМ ОСР, их применение осложнено возможностью возникновения артефактов в детектируемых сигналах. Так, исследование методом ПСМ осложнено возможностью искажения нормального пьезоотклика в результате влияния механических продольных сил, действующих на зонд, и электростатических сил, действующих между острием зонда и поверхностью образца. При исследовании тока реполяризации емкостной ячейки В1Ре03 методом АСМ ОСР возможно снижение достоверности токового сигнала ячейки, зависящего от стабильности взаимодействия системы «кантилевер-образец».

Таким образом, задачи разработки технологических основ формирования наноразмерных сегнетоэлектрических емкостных ячеек В1Ре03 и совершенствования методик нанодиагностики методами ПСМ и АСМ ОСР для исследования электрофизических свойств пленок В1Ре03 являются актуальными.

Цели и задачи диссертационной работы

Целью диссертационной работы является разработка технологических основ формирования наноразмерных сегнетоэлектрических емкостных ячеек на основе пленок В1Ре03 методом фокусированных ионных пучков (ФИП) и методик АСМ-нанодиагностики электрофизических свойств пленок В1Ре03 для создания перспективных устройств обработки и хранения информации.

Для достижения целей диссертационной работы должны быть решены следующие задачи:

1. Обобщение и выявление основных требований к характеристикам пленок В1Ре03 для применения в устройствах обработки и хранения информации. Анализ методов прецизионного исследования сегнетоэлектрических свойств пленок В1Ре03;

-92. Теоретические и экспериментальные исследования закономерностей влияния геометрических параметров зонда АСМ на компоненты сил взаимодействия в системе «кантилевер-образец» в динамическом режиме АСМ;

3. Теоретические и экспериментальные исследования закономерностей влияния давления на зонд АСМ на достоверность отображения сопротивления растекания;

4. Разработка комплексной методики анализа трехмерной ориентации векторов поляризации СДС пленки BiFe03 методом ПСМ;

5. Разработка технологического маршрута формирования методом фокусированных ионных пучков планарных наноразмерных сегнетоэлектрических емкостных ячеек на основе пленок BiFe03. Исследование методами АСМ тока реполяризации, размерных эффектов и динамики ориентационных переходов векторов поляризации СДС в наноразмерных сегнетоэлектрических емкостных ячейках на основе пленок BiFe03;

6. Разработка конструкции и технологического маршрута формирования устройства обработки и хранения информации на основе пленки BiFe03 в качестве переключающего элемента с использованием кластерного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ.

Научная новизна:

1. Разработана математическая модель, устанавливающая теоретические закономерности влияния длины зонда АСМ на его отклонение по нормали в динамическом режиме АСМ с учетом емкостных, кулоновской, упругих сил и нагрузки на кантилевер и позволяющая определять оптимальные параметры зонда для исследования нормального пьезоотклика образца методом ПСМ. Результаты расчетов подтверждены экспериментальными исследованиями.

2. Теоретически установлены закономерности влияния силы прижима кантилевера к поверхности образца на определяемое методом АСМ ОСР удельное сопротивление полупроводникового материала с учетом изменения приконтактной площади «зонд-образец», позволяющие подбирать нагрузку на

кантилевер для определения удельного сопротивления с высокой достоверностью. Результаты расчетов подтверждены экспериментальными исследованиями.

3. Экспериментально установлены закономерности влияния динамики ориентационных фазовых переходов СДС пленки BiFe03 на изменение вольт-токовых характеристик наноразмерных емкостных ячеек с учетом нагрузки на кантилевер.

Практическая значимость работы:

1. Разработана методика определения нормального пьзеомодуля d33 и трехмерной ориентации векторов поляризации СДС пленки BiFe03. Показано, что для модифицированного кантилевера с длиной зонда 1,4 мкм детектируемый пьезомодуль пленки BiFe03 составляет й?зз=(50-70) пм/В, при этом взаимная ориентация соседних векторов поляризации составляет 71°. Для наноразмерной емкостной ячейки на основе пленки BiFe03 толщиной (50-70) нм приложение к кантилеверу коэрцитивного напряжения -8 В и нагрузки (0,5-1) мкН приводит к переключению вектора поляризации СДС пленки BiFe03 на 109° или 180°, а приложение нагрузки 2 мкН приводит к переключению вектора поляризации СДС пленки BiFe03 на 0° или 71°;

2. Разработана методика визуализации СДС пленки BiFe03 методом РЭМ с использованием TLD-BSE детектора, позволяющая при параметрах электронного пучка 5 кВ, 0,4 нА и 0° наклона образца относительно TLD отображать нормальную составляющую пьезоотклика BiFe03, а при 15° наклона образца относительно TLD - отображать латеральную составляющую пьезоотклика BiFe03;

3. Разработана и зарегистрирована в реесте Центра метрологического обеспечения и оценки соответствия нанотехнологий и продукции наноиндустрии (№023-01.00281-2011) методика выполнения измерений удельного сопротивления полупроводниковых материалов гомогенного типа методом АСМ ОСР, на основе которой установлено, что высокая точность определения удельного сопротивления для образца КЭС-0,01 достигается при силе прижима кантилевера 1 мкН, а для КДБ-10 - при 2,5 мкН;

4. Разработан технологический маршрут формирования методом ФИП массивов наноразмерных емкостных ячеек на основе пленки BiFe03. Показано, что при параметрах ионного пучка 30 кВ, 30 пА достигается латеральный размер ячейки 90 нм, коэрцитивное напряжение ±8 В, значение пьезомодуля d33 порядка 10 пм/В. Согласно оценкам, при параметрах ионного пучка 5 кВ, 0,4 нА методика позволит формировать емкостные ячейки размером (10-20) нм;

5. Предложена конструкция элемента энергонезависимого оперативного запоминающего устройства FeTRAM типа 1Т с емкостной ячейкой на основе пленки BiFe03. Согласно оценкам, конструкция позволит снизить число транзисторов в ячейке с 6 до 1 в сравнении с КМОП ипонизить требования к значениям поляризации пленки BiFe03 в сравнении с аналогами на основе ПТШ, при этом время переключения емкостной ячейки из одного состояния в другое составит порядка 2 не.

Положения, выносимые на защиту:

1. Математическая модель зависимости отклонения зонда АСМ по нормали от его длины в динамическом режиме АСМ с учетом емкостных, кулоновской, упругих сил и нагрузки на кантилевер, позволяющая определять его оптимальную длину для исследования нормального пьезоотклика методом ПСМ;

2. Методика ПСМ для определения трехмерной ориентации векторов поляризации СДС пленки BiFe03, позволяющая определять ориентацию доменов в емкостной ячейке на основе пленки BiFe03 и диагностировать направление и углы вектора переключения поляризации (180°, 109° и 71°), коррелирующие с вольт-токовым характеристиками структуры;

3. Технологический маршрут формирования методом ФИП наноразмерных емкостных ячеек на основе пленки BiFe03 с латеральным размером 90 нм.

Реализация результатов работы:

Диссертационная работа выполнялась в соответствии с планом госбюджетных научно-исследовательских работ кафедры НТМСТ и НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ в 2009-2013 гг.: «Исследование и разработка технологических процедур для производства элементов изделий микро- и

наноэлектронной техники на основе использования сверхвысоковакуумной технологической автоматизированной платформы кластерного типа» х/д ЗАО «НТ-МДТ»; «Проведение поисковых научно-исследовательских работ в области микро- и наноструктур на основе оксидных, органических и биологических материалов, разработка технологии их получения для развития перспективной сенсорики, основанной на новых физических принципах» в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы»; «Разработка и исследование методик формирования зондовых датчиков для специализированных задач зондовой нанодиагностики методом фокусированных ионных пучков» в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы; «Синтез наноструктурированных слоев оксидных материалов методами магнетронного распыления и импульсного лазерного осаждения в условиях ионной стимуляции для использования в качестве чувствительных элементов фотоприемников инфракрасного диапазона и газовых сенсоров», РФФИ 2013 год.

Результаты диссертационной работы внедрены в ЗАО «НТ-МДТ» (г. Москва), в НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ (г. Таганрог), а также в учебный процесс на кафедре НТМСТ ЮФУ (г.Таганрог).

Апробация работы:

Основные научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на различных международных и всероссийских конференциях и семинарах: The 4th International Conference on Advanced Materials Research, (Китай, г. Макао, 2014); International Symposium on Physics and Mechanics of New Materials and Underwater Applications «PHENMA 2014» (Таиланд, г. Кхонкэн, 2014); International Symposium on Physics and Mechanics of New Materials and Underwater Applications «PHENMA 2013» (Тайвань, г. Гаосюн, 2013); XI Всероссийская конференция по физике полупроводников (Россия, г. Санкт-Петербург, 2013); The 5th Forum NANO and GIGA CHALLENGES in Electronics, Photonics and Renewable Energy - Symposium and Summer school (Россия, г.

Москва, Зеленоград, 2011); XXIII Всероссийская конференция по электронной микроскопии (Россия, г. Черноголовка, 2010); Международная научно-техническая конференция и молодежная школа-семинар «Нанотехнологии-2010» (Россия, п. Дивноморское, 2010); I региональная научно-практическая конференция «Развитие работ в области нанотехнологий и их метрологическое обеспечение в Южном федеральном округе» (Россия, г. Азов, 2009); Межрегиональная научно-технологическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых Южного федерального округа «Студенческая научная весна -2009» (Россия, г. Новочеркасск, 2009); Всероссийская молодежная школа-семинар «Нанотехнологии и инновации - НАНО-2009» (Россия, г. Таганрог, 2009); «Неделя науки» (Россия, г. Ростов-на-Дону, 2008); У-УП Ежегодная научная конференция студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН (Россия, г. Ростов-на-Дону, 2009-2011); 1Х-Х Всероссийская научная конференция студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (Россия, г. Таганрог, 2008, 2010).

Результаты работы отмечены дипломами ряда конференций и конкурсов научных работ: Второй международной конференции «Образование для сферы нанотехнологий: современные подходы и перспективы» (Россия, г. Москва, 2011); VII Ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН (Россия, г. Ростов-на-Дону, 2011); X Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (Россия, г. Таганрог, 2010); Всероссийской молодежной школы-семинара «Нанотехнологии и инновации - НАНО-2009» (Россия, г. Таганрог, 2009).

Публикации:

По теме диссертации опубликовано 23 печатных работ, из них 7 статей в журналах, входящих в Перечень ВАК.

- 14-

Структура и объем диссертации:

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка используемой литературы и приложений.

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, приведены цель работы, основные задачи исследований, научная новизна и практическая значимость работы, а также сведения об апробации работы и структуре диссертации.

В первой главе представлен обзор основных свойств мультиферроидных материалов с выраженными магнитоэлектрическими связями. Рассмотрены основные конструкции устройств обработки и хранения информации с пленкой В1Ре03 в качестве переключающего элемента. Показано, что устройства обработки и хранения информации на основе В1Ре03 являются конкурентоспособными, так как обладают низким энергопотреблением, большим числом циклов обращения к ячейке, быстродействием и возможностью создания массивов наноструктур с высокой плотностью упаковки сегнетоэлектрических компонент элементов памяти. Выявлены основные проблемы, возникающие при использовании пленок В1Ре03 как компонент элементов памяти:

- необходимость выбора оптимальной конструкции гетероструктуры с функциональным слоем В1Ре03, позволяющей осуществлять латеральное масштабирование пленки В1Ре03 вплоть до нескольких десятков нанометров;

необходимость разработки комплексных методик исследования сегнетоэлектрических свойств пленки В1Ре03, а также способов снижения артефактов в детектируемых сигналах ПСМ и АСМ ОСР;

- отсутствие технологий и режимов создания емкостных ячеек на основе В1Ре03 с латеральным размером менее 100 нм для применения в перспективных устройствах обработки и хранения информации.

Сделан вывод о необходимости совершенствования методов исследований СДС пленок В1Ре03 с целью поиска способов устранения артефактов в детектируемых сигналах ПСМ и АСМ ОСР, а также разработки технологических

основ формирования наноразмерных емкостных ячеек на основе пленок В1Ре03 для перспективных устройств обработки и хранения информации.

Результаты обзора позволили поставить цель и определить задачи работы.

Во второй главе представлены результаты теоретических исследований оптимальной длины зонда кантилевера, позволяющего снизить влияние компонент сил, действующих на систему «проводящий кантилевер-образец» в динамической АСМ и повысить возможности измерительной системы к детектированию нормального пьезоотклика СДС пленки В1Ре03 методом ПСМ. Представлены теоретические расчеты влияния длины зонда кантилевера на показатели его нормальной, латеральной и продольной жесткости, на основе чего было рассмотрено влияние длины зонда на его отклонение по нормали с учетом емкостных, кулоновской, упругих сил и нагрузки на кантилевер в динамическом режиме АСМ. Был определен диапазон оптимальных значений длины зонда кантилевера, позволяющий минимизировать все побочные компоненты сил, действующих на систему «проводящий кантилевер-образец» в динамическом режиме АСМ.

На базе существующих аналитических моделей взаимодействия системы «проводящий кантилевер-полупроводниковый образец» в токовой статической АСМ была установлена теоретическая закономерность влияния силы прижима кантилевера к поверхности образца гомогенного типа на значения его удельного сопротивления.

В третьей главе представлены результаты экспериментальных исследований пленки BiFe03(110) толщиной 60 нм, осажденной на буферную гетероструктуру 8гКи03/Г)у8с03. Сегнетоэлектрическая доменная структура пленки В1Ре03 исследовалась методом ПСМ с частотой модуляции кантилевера 100 кГц. Проведено исследование трехмерной ориентации векторов поляризации СДС пленки В1Ре03. Экспериментально подтверждены результаты теоретических расчетов влияния длины зонда кантилевера на вертикальное смещение кончика его балки. Был модифицирован коммерчески доступный кантилевер путем

удаления зонда длиной 14,79 мкм и последовательного роста методом ФИП пирамидальной структуры длиной 1,4 мкм.

Проведено исследование СДС пленки BiFe03 методом РЭМ на базе TLD-BSE детектора. Исследованы доменные стенки пленки BiFe03 методом ПЭМ, а также сечение BiFe03/SrRu03/DySc03 с атомарным разрешением.

Определены оптимальные режимы взаимодействия системы «проводящий кантилевер-В1Ре03» на базе тестовых подложек кремния с удельным сопротивлением 0,01, 1, 5 и 10 Ом-см, что позволило сравнить экспериментальные результаты с известными значениями. Было показано, что для воспроизводимого измерения тока растекания и определения удельного сопротивления необходимо формировать стабильный контакт зонд-подложка.

Полученные в третьей главе результаты были использованы при исследовании электрофизических параметров емкостных ячеек на основе BiFe03, сформированных методом ФИП по разработанному технологическому маршруту.

В четвертой главе разработан технологический маршрут формирования методом ФИП наноразмерных сегнетоэлектрических емкостных ячеек на основе пленки BiFe03. Исследован ток реполяризации емкостных ячеек BiFe03 методом АСМ ОСР в режиме токовой спектроскопии. Показано, что вольт-токовые характеристики (ВТХ) емкостных ячеек имеют токовый гистерезис, который связан с сегнетоэлектрической поляризацией BiFe03.

Экспериментально установлены закономерности влияния динамики ориентационных фазовых переходов СДС пленки BiFe03 на изменение вольт-токовых характеристик наноразмерных емкостных ячеек с учетом нагрузки на кантилевер. Исследовано влияние размерного эффекта емкостных ячеек на основе пленки BiFe03 на их вольт-токовые характеристики.

Предложены конструкция и технологический маршрут формирования устройства обработки и хранения информации, которое представляет собой структуру FeTRAM (FeFET RAM) типа 1 Т.

В заключении сформулированы основные результаты диссертационной работы. Содержание диссертации изложено на 171 страницах, включающих в

себя: 72 страницы с рисунками; 9 страниц с таблицами; список использованных источников, включающий 133 наименований. В приложенях содержатся документы об аттестации методики измерений, а также акты внедрения результатов исследований диссертационной работы.

ГЛАВА 1. ПЛЕНКИ ФЕРРИТА ВИСМУТА ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ

1.1 Приборы на основе пленок В1Ее03 1.1.1 Структура и свойства В1Ее03

Материалы, в которых осуществляются два и более типов сегнетоупорядочеиия (электрическое, магнитное и механическое) относят к классу мультиферроиков [1]. Формируемое упорядочение приводит к появлению гистерезиса по отношению к соответствующему полю [2, 3]: в случае ферромагнетиков намагниченность М может меняться под действием магнитного поля Н, для сегнетоэлектриков спонтанная поляризация Р зависит от приложенного электрического поля Е и для сегнетоэластиков спонтанная деформация е может меняться при приложении механического напряжения а (рисунок 1.1) [3].

н Е

Рисунок 1.1 - Классификация сегнетоматериалов [3]

При удалении внешнего поля сегнетоматериалы сохраняют два остаточных состояния, а также способны образовывать локальное направленное упорядочение -домены [2].

Частным случаем мультиферроиков являются магнитоэлектрики -материалы, способные приобретать электрическую поляризацию под действием внешнего магнитного поля и магнитный момент под действием внешнего электрического поля [4]. Все магнитоэлектрики должны удовлетворять основным критериям [4]:

- высокое значение магнитоэлектрического эффекта;

- высокое сопротивление при комнатной температуре;

- высокие температуры магнитного и электрического упорядочения.

К материалам с сильными магнитоэлектрическими связями можно отнести [5] СоСг204, В1Мп03, УМпОз, ТЬ2Мп205, ТЬМп03, Сг203, В1Ре03 и другие сложные оксиды.

Было установлено [6], что В1Ре03 является одним из наиболее перспективных материалов, широко применяемых в последние несколько лет в качестве компонентов устройств обработки и хранения информация за счет выраженных магнитоэлектрических свойств, проявляющихся при комнатной температуре, а также высокой температуры фазовых переходов: сегнетоэлектрического - при Тк = 1143 К, антиферромагнитного - при Тк = 643 К [30]. Для объяснения физических процессов, на которых базируется приборная часть с применением В1Ре03, рассмотрим его кристаллическую структуру.

Структура ШГеО]

Феррит висмута имеет сложную фазовую диаграмму, как показано на рисунке 1.2(а) для порошкового объемного В1Ре03. При температуре более 925°С структура В1Бе03 представляет собой структуру перовскита с ионами В1 в углах куба и одним ионом Бе3+ в центре кристаллической решетки. На каждой стороне куба располагаются ионы О2", которые образуют кислородную структуру в форме октаэдра (рисунок 1.2, б) [8, 9].

Рисунок 1.2 - Структура BiFe03: а) - фазовая диаграмма системы Bi203-Fe203,

полученная для порошкового объемного материала, где а-фаза BiFe03 -сегнетоэлектрическая, у-фаза - параэлектрическая фаза [8]; б) - две структурные

ячейки, ромбоэдрический вектор (индекс «rh») и псевдокубический вектор

(индекс «с») [9]

При охлаждении BiFe03 проходит несколько фазовых переходов. При температуре 925°С BiFe03 имеет структурный фазовый переход к орторомбической /?-фазе и все еще является параэлектриком. Переход от параэлектрической к сегнетоэлектрической фазе также сопровождается структурным фазовым переходом и происходит при Тс ~ 825° С. Так называемая а-фаза (ниже 825°С) имеет ромбоэдрическую симметрию и является окончательной структурной фазой. Ромбоэдрическая симметрия эволюционирует от идеальной структуры перовскита путем искажения кристаллической структуры следующим образом (рисунок 1.2, б) [9]:

1. кубическая структура перовскита вытягивается вдоль псевдокубического направления [111]с в ромбоэдрическую симметрию;

2. кислородный октаэдр вращается вокруг каждой кубической оси, смещаясь на угол а= ±13,8°;

3. ионы Fe3+ и Bi3+ смещаются вдоль направления [111]с по отношению к ионам О " [10].

Из-за вращения кислородного октаэдра полная кристаллическая ячейка включает два псевдокуба (рисунок 1.2, б).

Сегнетоэлектричество в BiFeOi

Сегнетоэлектричество в BiFe03 главным образом формируется за счет ионов Bi3+ [11]. Ион Bi3+ имеет стереохимически активную одинокую пару 6s2, которая позволяет осуществлять гибридизацию бр орбитали с О 2р орбиталями [11]. Это смещает ионы Bi от центра и приближает к иону О что приводит к возникновению сегнетоэлектричества.

Величина спонтанной поляризации BiFe03 вдоль оси [111]с составляет порядка 100 мкКл/см2 в тонких пленках, монокристаллах и керамике [11, 12, 13]. Ионы кислорода формируют плоскости, перпендикулярные к направлению [111]с, с периодом 1,33 А. В параэлектрической фазе Bi3+ ион находится в пределах плоскости кислорода, в то время как ион Fe3+ находится посередине между двумя кислородными плоскостями. В сегнетоэлектрической фазе при комнатной температуре в результате сегнетоэлектрической поляризации ионы Fe3+ и ионы Bi3+ сдвинуты на 0,13 и 0,54 А вдоль направления [111]с, соответственно.

Антиферромагнитизм в BiFeOi

Исходя из выше сказанного, можно сделать вывод, что при комнатной температуре в отсутствии внешнего электрического поля BiFe03 имеет спонтанное электрическое упорядочение вдоль направления [111]с структуры перовскита. Возникновение сегнетоэлектричества в BiFe03 приводит к искажению симметрии кристаллической структуры от кубической к ромбоэдрической и, как следствие, сегнетоэластической деформации кристаллической решетки [6, 11, 15]. При этом сегнетоэлектрическая поляризация в BiFe03 может иметь восемь возможных ориентаций, соответствующих положительным и отрицательным направлениям четырех диагоналей куба. Под действием внешнего электрического поля сегнетоэлектрическая поляризация

осуществляет фазовый ориентационный переход на 180°, 109° и 71° (рисунок 1.3) [15].

Bi Fe

• о

V -а 1

'tSkJtM щь

[001]

а)

Ф А*

С #

б)

г)

Рисунок 1.3 - Кристаллическая структура BiFe03: а) - две структурные единицы (псевдокубические ячейки) в отсутствии внешнего электрического поля. Ориентационный переход сегнетоэлектрического домена на:

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Алябьева, Наталья Ивановна, 2014 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Eerenstein, W. et al. Multiferroic and magnetoelectric materials / W. Eerenstein, N.D. Mathur, J.F. Scott // Nature. - 2006. - Vol. 442. - P. 759-765.

2. Spaldin, N.A. The renaissance of magnetoelectric multiferroics / N.A. Spaldin, M. Fiebig // Science. - 2005. - P. 309-391.

3. Brookes, N.B. Electronic structure and magnetism / N.B. Brookes // ESRF Highlights. - 2009. - P. 66.

4. Ryu, J. et al. Magnetoelectric effect in composites of magnetostrictive and piezoelectric materials / Jungho Ryu, Shashank Priya, Kenji Uchino, Hyoun-Ee Kim // Journal of electroceramics. - 2002. - Vol. 8. - P. 107-119.

5. Bea, H. et al. Spintronics with multiferroics / H. Bea, M. Gajek, M. Bibes, A. Barthélémy // Phys.: condens. matter. - 2008. - 20, 434221. - P. 1-11.

6. Baek, S.H. et al. Ferroelastic switching for nanoscale non-volatile magnetoelectric devices / S.H. Baek, H.W. Jang, C.M. Folkman, Y.L. Li, B. Winchester, J.X. Zhang, Q. He, Y.H. Chu, C.T. Nelson, M.S. Rzchowski, X.Q. Pan, R. Ramesh, L.Q. Chen, C.B. Eom // Nature materials. - 2010. - Vol. 9. -P. 309-313.

7. Rovillain, P. et al. Sacuto, et al. Electric-field control of spin waves at room temperature in multiferroic BiFe03 / P. Rovillain, M. Cazayous, Y. Gallais, A. Sacuto, M.A. Measson, R. de Sousa, D. Colson, A. Forget, M. Bibes, A. Barthélémy // Nature materials. - 2010. - Vol. 9. - P. 975-979.

8. Palai, R. et al. Beta phase and gamma-beta metal-insulator transition in multiferroic BiFe03 / Palai, R, Katiyar, RS, Schmid, H, Tissot, P, Clark, SJ, Robertson, J, Redfern, SAT, Catalan, G, Scott, JF // Phys. rev. - 2008. - В 77, 014110 - P. 1-3.

9. Moreau, J.M. et al. Ferroelectric BiFe03 X-ray and neutron direction study / J.M. Moreau, C. Michel, R. Gerson, W.J. James // J. Phys. chem. solids. - 1971. -Vol. 32.-P. 1315-1320.

10. Kubel, F. et al. Structure of a ferroelectric and ferroelastic monodomain crystal of the perovskite BiFe03 / F. Kubel, H. Schmid // Acta Crystallogr. - 1990. - B 46. -P. 698-702.

11.Neaton, J.B. et al. First principles study of spontaneous polarization in multiferroic BiFe03 / J.B. Neaton, C. Ederer, U.V. Waghmare, N.A. Spaldin, K.M. Rabe // Phys. Rev. - 2005. - B 71, 014113. - P. 1-9.

12. Baek, S.H. et al. The nature of polarization fatigue in BiFe03 / Seung-Hyub Baek, Chad M. Folkman, Jae-Wan Park, Sanghan Lee, Chung-Wung Bark // Adv. mater.-2011.-23.-P. 1621-1625.

13. Kim, T.H. et al. Polarity-dependent kinetics of ferroelectric switching in epitaxial BiFe03 (111) capacitors / T.H. Kim, S.H. Baek, S.M. Yang, Y.S. Kim, B.C. Jeon, D. Lee, J.S. Chung, C.B. Eom, J.G. Yoon, T.W. Noh // Applied physics letters. -2011.-99, 012905. - P. 1-4.

14. Wang, J. et al. Epitaxial BiFe03 multiferroic thin film heterostructures / J. Wang, J.B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S.B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D.G. Schlom, U.V. Waghmare, N.A. Spaldin, K.M. Rabe, M. Wuttig, R. Ramesh // Science. - 2003. - Vol 299. - P. 1719-1721.

15. Zhao, T. et al. Electrical control of antiferromagnetic domains in multiferroic BiFe03 films at room temperature / T. Zhao, A. Scholl, F. Zavaliche, K. Lee, M. Barry, A. Doran, M.P. Cruz, Y.H. Chu, C. Ederer, N.A. Spaldin, R.R. Das, D.M. Kim, S.H. Baek, C.B. Eom, R. Ramesh // Nature materials. - 2006. - Vol. 5. -P. 823-829.

16. Ederer, C. et al. Weak ferromagnetism and magnetoelectric coupling in bismuth ferrite / C. Ederer, N.A. Spaldin // Phys. rev. - 2005. - B 71, 060401(R) - P. 1-4.

17. Bai, F. et al. Destruction of spin cycloid in (11 l)c-oriented BiFe03 thin films by epitaxial constraint: Enhanced polarization and release of latent magnetization / Feiming Bai, Wang, Junling, Wuttig, M., Li, Jiefang Wang, Naigang Pyatakov, A.P. Zvezdin, A.K. Cross, L.E. Viehland, D. // Appl. phys. lett. - 2005. - 86, 032511.-P. 1-3.

18. Koo, C.Y. et al. Electrical properties of BiFe03 doped PZT thin films for embedded FeRAM devices / Chang Young Koo, Jong-Hyeon Cheon, Jung-Hoon

Yeom, Jowoong Ha, Seung-Hyun Kim // Journal of the Korean Physical Society. -2006.-Vol. 49.-P. 514-517.

19.Зайцев, И. О надежности и качестве ферроэлектрической памяти/ И. Зайцев // Компоненты и технологии. - 2004. - №6. - Р. 78-81.

20.Kang, Н.В. et al. A nonvolatile refresh scheme adopted lT-FeRAM for alternative IT-DRAM / Hee-Bok Kang, Bok-Gil Choi, Man Young Sung // Journal of semiconductor technology and science. - 2008. - Vol. 8. - №.1. -P. 98-103.

21. Liu, X. et al. Ferroelectric memory based on nanostructures / Xingqiang Liu, Yueli Liu, Wen Chen, Jinchai Li, Lei Liao // Nanoscale research letters. - 2012. -7:285.-P. 1-16.

22. Gouxa, L. et al. Deposition of 60 nm thin Sro.8Bi2.2Ta209 layers for application in scaled 1T1C and IT FeRAM devices / L. Gouxa, Z. Xua, B. Kaczera, G. Groesenekena, D.J. Woutersa // Microelectronic engineering. - 2005. - Vol. 80. -P. 162-165.

23. Yang, C. et al. Effect of annealing temperature on electrical properties of metal-ferroelectric (BiFe03)-insulator (Bi2Ti207)-silicon capacitors / Changhong Yang, Guangda, Jincui Wang // Microelectronic engineering. - 2012. - Vol 91. -P. 132-136.

24. Pane, I. et al. The influence of mechanical constraint upon the switching of a ferroelectric memory capacitor / I. Pane, N.A. Fleck, D.P. Chub, J.E. Huber // European journal of mechanics. - 2009. - A/Solids 28. - P. 195-201.

25. Cheng, Z. et al. Enhanced electrical polarization and ferromagnetic moment in a multiferroic BiFeO3/Bi3 25Sm0.75Ti2 98V0.02Oi2 double-layered thin film / Z. Cheng, X. L. Wang, С. V. Kannan, K. Ozawa, H. Kimura // Applied physics letters. -2006.-88, 132909.-P. 1-5.

26. Bez, R. et al. Non-volatile memory technologies: emerging concepts and new materials / Roberto Bez, Agostino Pirovano // Materials science in semiconductor processing. - 2004. - 7. - P. 349-355.

27. Waser. R. Modeling of electroceramics - applications and prospects / Rainer Waser // Journal of the European ceramic society. - 1999. - Vol. 19. - P. 655664.

28. Kim, K. et al. Integration technology for ferroelectric memory devices / Kinam Kim, Yoon J. Song // Microelectronics reliability. - 2003. - Vol. 43. -P. 385-398.

29.Zang, Y. Investigation of novel ferroelectrics and their electrical and optical applications / Yongyuan Zang // A thesis of McGill University. Department of electrical and computer engineering. - 2012. - P. 1-240.

30. Jung, I. et al. A nonvolatile memory device made of a grapheme nanoribbon and a multiferroic BiFe03 gate dielectric layer /1. Jung, J.Y. Son // Carbon. - 2012. -Vol. 50.-P. 3854-3858.

31. Ramesh. R. Making metallic memories / Ramamoorthy Ramesh // Nature nanotechnology. - 2010. - Vol. 5. - P. 761-762.

32. Wu, S.M. et al. Reversible electric control of exchange bias in a multiferroic field-effect device / S.M. Wu, Shane A. Cybart, P. Yu, M.D. Rossell, J.X. Zhang, R. Ramesh, R.C. Dynes // Nature materials. - 2010. - Vol. 9. - P. 756-761.

33. Yang, J.J. et al. Memristive devices for computing / J. Joshua Yang, Dmitri B. Strukov, Duncan R. Stewart // Nature nanotechnology. - 2012. - Vol. 8. -P. 13-24.

34. Jiang, A.Q. et al. A resistive memory in semiconducting BiFe03 thin-film capacitors / An Quan Jiang, Can Wang, Kui Juan Jin, Xiao Bing Liu, James F. Scott, Cheol Seong Hwang, Ting Ao Tang, Hui Bin Lu, Guo Zhen Yang // Adv. mater.-2011.-23.-P. 1277-1281.

35. Wang, C. et al. Switchable diode effect and ferroelectric resistive switching in epitaxial BiFe03 thin films / Can Wang, Kui-juan Jin, Zhong-tang Xu, Le Wang, Chen Ge, Hui-bin Lu, Hai-zhong Guo,Meng He, Guo-zhen Yang // Applied physics letters.-2011.-98, 192901.-P. 1-3.

36. Choi, T. et al. Switchable ferroelectric diode and photovoltaic effect in BiFe03 / T. Choi, S. Lee, Y.J. Choi, V. Kiryukhin, S.W. Cheong // Science. - 2009. -Vol. 324.-P. 63-66.

37. Zhuravlev, M.Y. et al. Giant electroresistance in ferroelectric tunnel junctions / M.Y. Zhuravlev, R.F. Sabirianov, S.S. Jaswal, E.Y. Tsymbal // Phys. rev. lett. -2005.-94, 246802.-P. 1-3.

38.Wang, Y.P. et al. Electrical and magnetic properties of single-phased and highly resistive ferroelectromagnet BiFe03 ceramic / Y.P. Wang, G.L. Yuan, X.Y. Chen, J-M. Liu, Z.G. Liu // J. Phys. D: appl. phys. - 2019. - Vol. 39. - P. 2019-2023.

39. Pintilie, L. et al. Orientation-dependent potential barriers in case of epitaxial Pt-BiFe03-SrRu03 capacitors / L. Pintilie, C. Dragoi, Y.H. Chu, L.W. Martin, R. Ramesh, M. Alexe // Applied physics letters. - 2009. - 94, 232902. - P. 1-4.

40. Morelli, A. et al. Mask assisted fabrication of nanoislands of BiFe03 by ion beam milling / A. Morelli, F. Johann, N. Schammelt, D. McGrouther, I. Vrejoiu // J. Appl. phys.-2013,- 113, 154101.-P. 1-4.

41.Park, J.M. et al. Preparation and characterization of BiFe03 thin films deposited on ito substrates by using pulsed laser deposition / Jung Min Park, Fumiya Gotoda, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama // Journal of the Korean Physical Society.-2011.-Vol. 59.-№3.-P. 2537-2541.

42. Himcinschi, C. et al. Substrate influence on the optical and structural properties of pulsed laser deposited BiFe03 epitaxial films / C. Himcinschi, I. Vrejoiu, M. Friedrich, E. Nikulina, L. Ding, C. Cobet, N. Esser, M. Alexe, D. Rafaja, D.R.T. Zahn // Journal of applied physics. - 2010. - 107, 123524. - P. 1-5.

43. Daumont, C.J.M. et al. Tuning the atomic and domain structure of epitaxial films of multiferroic BiFe03 / C.J.M. Daumont, S. Farokhipoor, A. Ferri, J.C. Wojde, Jorge Iniguez, B.J. Kooi, B. Noheda // Physical review. - 2010. - B 81, 144115. -P. 1-6.

44. Cha, J.O. et al. Multiferroic BiFe03 thin films prepared by using a conventional RF magnetron sputtering method / Jeong Ok Cha, Jeung Sun Ahn, Kwang Bae Lee // Journal of the Korean Physical Society. - 2009. - Vol. 54. - №.2. -p. 844-848.

45.Lee, C.C. et al. Enhanced characterizations of RF-magnetron sputtered BiFe03 thin film using (Ba0.5, Sro.5)Ti03 buffered layer / Chia-Ching Lee, Chen-Chan Wang, Shih-Wei Chen, Yi-Hsien Lee, Chun-Sheng Liang, Fang-Chen Chou,

Jenn-Ming Wu // Journal of the electrochemical society. - 2010. -158(11). -P. 231-235.

46.Картавцева, M.C. и др. Исследование тонких пленок мультиферроика BiFe03 полученных методом химического осаждения из паров металлоорганических соединений / М.С. Картавцева, О. Ю. Горбенко, А.Р. Кауль, С.А. Савинов // Поверхность. Ренгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - № 1.-С. 3-14.

47.Yang, S.Y. et al. Metalorganic chemical vapor deposition of lead-free ferroelectric BiFe03 films for memory applications / S.Y. Yang, F. Zavaliche, L. Mohaddes-Ardabili, V. Vaithyanathan, D.G. Schlom, Y.J. Lee, Y.H. Chu, M.P. Cruz, Q. Zhan, T. Zhao, R. Ramesh // Appl. phys. left. - 2005. - 87, 102903.-P. 1-3.

48. Kayani, Z.N. et al. Preparation of BiFe03 films by sol-gel technique and their characterization / Zohra N. Kayani, Saira Riaz, Shahzad Naseem // Sci.Int. (Lahore). - 2011. -23(4). - P. 255-258.

49. Raghavender, A.T. et al. Effects of Mn doping on structural and magnetic properties of multiferroic BiFe03 nanograins made by sol-gel method / A.T. Raghavender, Nguyen Hoa Hong // Journal of magnetics. - 2011. - Vol. 16. -P. 19-22.

50. Ihlefeld, J.F. et al. Adsorption-controlled molecular-beam epitaxial growth of BiFe03 / J.F. Ihlefeld, A. Kumar, V. Gopalan, D.G. Schloma // Applied physics letters. - 2007. - 91, 071922 - P. 1-3.

51. Lubk, A. et al. Electromechanical coupling among edge dislocations, domain walls, and nanodomains in BiFe03 revealed by unit-cell-wise strain and polarization maps / A. Lubk, M.D. Rossell, J. Seidel, Y.H. Chu, R. Ramesh, M.J. Hytch, E. Snoeck //Nano lett. - 2013. - 13(4).-P. 1410-1415.

52. Lee, W.M. et al. Spatially resolved photodetection in leaky ferroelectric BiFe03 / Won-Mo Lee, Ji Ho Sung, Kanghyun Chu, Xavier Moya, Donghun Lee, Cheol-Joo Kim, Neil D. Mathur, S.W. Cheong, C.H. Yang, Moon-Ho Jo // Adv. mater. -2012.-P. 1-5.

53.Streier, S.K. et al. Domain patterns in epitaxial rhombohedral ferroelectric films. I. Geometry and experiments / S.K. Streiffer, C.B. Parker, A.E. Romanov, M.J. Lefevre, L. Zhao, J.S. Speck, W. Pompe, C.M. Foster, G.R. Bai // J. Appl. phys. -1998.-83, 2742.-P. 1-5.

54. Johann, F. et al. Epitaxial strain and electric boundary condition effects on the structural and ferroelectric properties of BiFe03 films / Florian Johann, Alessio Morelli, Daniel Biggemann, Miryam Arredondo, Ionela Vrejoiu // Physical review. -2011,-B 84, 094105.-P. 1-10.

55. Zavaliche, F. et al. Multiferroic BiFe03 films: domain structure and polarization dynamics / F. Zavaliche, S.Y. Yang, T. Zhao, Y.H. Chu, M.P. Cruz, C.B. Eom, R. Ramesh // Phase transit. - 2006. - Vol. 79. - № 12. - P. 997-1017.

56. Jang, H.W. et al. Domain engineering for enhanced ferroelectric properties of epitaxial (001) BiFe03 thin films / Ho Won Jang, Daniel Ortiz, Seung-Hyub Baek, Chad M. Folkman, Rasmi R. Das, Padraic Shafer, Yanbin Chen, Christofer T. Nelson, Xiaoqing Pan, Ramamoorthy Ramesh, Chang-Beom Eom // Adv. mater. - 2009. - Vol. 21. - P. 817-823.

57. Yu, P. et al. Interface control of bulk ferroelectric polarization / P. Yua, W. Luo, D. Yia, J.X. Zhanga, M.D. Rossell, C.H. Yangf, L. Youg, G. Singh-Bhalla, S.Y. Yanga, Q. Hea, Q. M. Ramassed,i, R. Ernidj, L. W. Martink, Y. H. Chul, S. T. Pantelidesb,c, S. J. Pennycookb,c, and R. Ramesha // P. Nat. Acad. Sci. USA. -2012.-Vol. 109.-№25.-P. 9710-9715.

58. Chu, Y.H. et al. Nanoscale control of domain architectures in BiFe03 thin films / Y.H. Chu, Q. He, C.H. Yang, P. Yu, L. W. Martin, P. Shafer, R. Ramesh // Nano lett. - 2009. - №9 (4). - P. 1726-1730.

59.Pandu, R. et al. Effect of sintering temperature on structural and electrical properties of BiFe03 multiferroics / Ratnakar Pandua, K.L. Yadavb, Amit Kumarb, P. Ravinder Reddyc // Indian journal of engineering & materials sciences. - 2010. - Vot. 17. -P. 481-485.

60. Zhang, X.Y. et al. Synthesis and ferroelectric properties of multiferroic BiFe03 nanotube arrays / X.Y. Zhang, C.W. Lai, X. Zhao, D.Y. Wang, J.Y. Daia // Applied physics letters. - 2005. - 87, 143102. - P. 1-3.

61. Song, J.H. et al. Microstructures and multiferroic properties of electrospun bifeo3 nanofibers / Jong-Han Song, Joong-Hee Nam, Jung-Ho Cho, Byung-Ik Kim, Myoung-Pyo Chun // Journal of the Korean Physical Society. - 2011. - Vol. 59. -№ 3. - P. 2308-2312.

62. Casper, M.D. et al. MU016-deposition methods of BiFe03 thin films / M.D. Casper, M.D. Losego, S.M. Aygun, J.P. Maria // Applications of ferroelectrics. - 2008. - Vol. 2. - P. 1-3.

63. Wua, J. et al. BiFe03/Zni_xMnx0 bilayered thin films / Jiagang Wua, John Wangb, Dingquan Xiaoa, Jianguo Zhua // Applied surface science. - 2011. -Vol. 258.-P. 1390-1394.

64. Lia, M. et al. Rapid epitaxial growth of magnetoelectric thick BiFe03 films by hybrid liquid-phase epitaxy / Meicheng Lia, Ahmed Kursumovica, Xiaoding Qia, Judith L. MacManus-Driscolla // Journal of crystal growth. - 2006. - Vol. 293. -P. 128-135.

65. Rosenman, G. et al. Observation of ferroelectric domain structures by secondary-electron microscopy in as-grown KTi0P04 crystals / G. Rosenman, A. Skliar, I. Lareah, N. Angert, M. Tseitlin, M. Roth // The American physical society. -1996. - Vol. 54. - №9. - P. 6222-6226.

66. Naganuma, H. et al. Structural analysis of polycrystalline BiFe03 films by transmission electron microscopy / Hiroshi Naganuma, Andras Kovacs, Akihiko Hirata, Yoshihiko Hirotsu, Soichiro Okamura // Materials transactions. - 2007. -Vol. 48. - №9. - P. 2370-2373.

67. Nelson, C.T. et al. Spontaneous vortex nanodomain arrays at ferroelectric heterointerfaces / Christopher T. Nelson, Benjamin Winchester, Yi Zhang, Sung-Joo Kim, Alexander Melville, Carolina Adamo, Chad M. Folkman, Seung-Hyub Baek, Chang-Beom Eom, Darrell G. Schlom, Long-Qing Chen, Xiaoqing Pan // Nano lett. - 2011. - Vol. 11. - P. 828-834.

68. Zhang, J.X. et al. Large field-induced strains in a lead-free piezoelectric material / J.X. Zhang, B. Xiang, Q. He, J. Seidel, R.J. Zeches, P. Yu, S.Y. Yang, C.H. Wang, Y.H. Chu, L.W. Martin, A.M. Minor, R. Ramesh // Nature nanotechnology. - 2011. -Vol. 6.-P. 98-102.

69. Chen, Y.B. et al. Ferroelectric domain structures of epitaxial (001) BiFe03 thin films / Y.B. Chen, M.B. Katz, X.Q. Pana // Applied physics letters. - 2007. - 90, 072907.-P. 1-3.

70.Bhatnagar, A. et al. Role of domain walls in the abnormal photovoltaic effect in BiFe03 / Akash Bhatnagar, Ayan Roy Chaudhuri, Young Heon Kim, Dietrich Hesse, Marin Alexe // Nature communications. - 2013. - 4:2835. - P. 1-8.

71. Freitas, V.F. et al. A phenomenological model for ferroelectric domain walls and its implications for BiFe03-PbTi03 multiferroic compounds / Valdirlei F. Freitas, Otävio A. Protzek, Luciano A. Montoro, André M. Gonçalves, Ducinei Garcia, José A. Eiras, Ruyan Guo, Amar S. Bhalla, Luiz F. Coticaad, Ivair A. Santos // J. mater, chem. - 2014. - Vol. 2. -P. 364-372.

72. Beinik, I. et al. Electrical properties of ZnO nanorods studied by conductive atomic force microscopy / I. Beinik, M. Kratzer, A. Wachauer, L. Wang, R.T. Lechner, С. Teichert, С. Motz, W. Anwand, G. Brauer, X.Y. Chen, X.Y. Hsuand A.B. Djurisic // Journal of applied physics. - 2011. - 110, 052005. - P. 1-8.

73. Ageev, O.A. et al. Development of a technique for determining Young's modulus of vertically aligned carbon nanotubes using the nanoindentation method / O.A. Ageev, V.A. Smirnov, A.A. Fedotov, O.I. Il'in, A.S. Kolomiitsev, B.G. Konoplev, M.V. Rubashkina // Nanotechnologies in Russia. - 2012. -Vol. 7.-№12.-P. 47-53.

74. Chu, Y.H. et al. Ferroelectric size effects in multiferroic BiFe03 thin films / Y.H. Chu, T. Zhao, M.P. Cruz, Q. Zhan, P.L. Yang, L.W. Martin, M. Huijben, C.H. Yang, F. Zavaliche, H. Zheng, and R. Ramesh // Applied physics letters. -2007.-90, 252906.-P. 1-3.

75. Pawlak, R. et al. High-resolution imaging of C60 molecules using tuning-fork-based non-contact atomic force microscopy / R. Pawlak, S. Kawai, S. Fremy, T. Glatzel, E. Meyer // J. Phys.: condens. matter. - 2012. - 24, 084005. - P. 1-10.

7 6. Руководство пользования зондовой нанолабораторией NTEGRA и Нанотехнологические комплексы [Электронные ресурсы] URL: http://www.ntmdt.ru/platform/ntegra и http://www.ntmdt.ru/nanofab 100

77.Kalinin, S.V. Nanoscale electric phenomena at oxide surfaces and interfaces by scanning probe microscopy: dissertation of PhD in the materials science and engineering / Sergei V. KalininA. - 2002. - P. 304.

78. Seo, Y. et al. Atomic-resolution noncontact atomic force microscopy in air / Yongho Seo, Hwansung Choe, Wonho Jhea // Applied physics letters. - 2003. -Vol. 83. - № 9. - P. 1860-1862.

79. Lauritsen, J.V. et al. Atomic resolution non-contact atomic force microscopy of clean metal oxide surfaces / J.V. Lauritsen, M. Reichling // J. Phys.: condens. Matter. - 2010. - 22, 263001. - P. 1-23.

80.Eyben, P. et al. Probing semiconductor technology and devices with scanning spreading resistance microscopy/ P. Eyben, W. Vandervorst, D. Alvarez, M. Xu, M. Fouchier // Springer handbook of nanotechnology. - 2007. - P. 31-49.

81. Clarysse, T. et al. Characterization of electrically active dopant profiles with the spreading resistance probe / T. Claryssea, D. Vanhaerena, I. Hoflijka, W. Vandervorsta // Materials science and engineering. - 2004. - R47- P. 123-206.

82. Harnagea, C. et al. Contact resonances in voltage-modulated force microscopy / C. Harnagea, M. Alexe, D. Hesse // Applied physics letters. - 2003. - Vol 83. -№2(14). -P. 338-340.

83.Proksch, R. et al. Piezoresponse force microscopy / Roger Proksch, Sergei Kalinin. - Asylum research, PFM. -App. Note 10. - P. 24.

84. Kalinin, S.V. et al. Vector Piezoresponse Force Microscopy / Sergei V. Kalinin, Brian J. Rodriguez, Stephen Jesse, Junsoo Shin, Arthur P. Baddorf, Pradyumna Gupta, Himanshu Jain, David B. Williams, Alexei Gruverman // Microsc. microanal. - 2006. -Vol. 12. - P. 206-220.

85.Farokhipoor, S. et al. Conduction through 71° domainwalls in BiFe03 thin films / S. Farokhipoor, B. Noheda//PRL. - 2011. - 107, 127601. - P. 1-4.

86. Zavaliche, F. et al. Polarization switching in epitaxial BiFe03 films / F. Zavaliche, P. Shafer, R. Ramesh // Applied physics letters. - 2005. - 87, 252902.-P. 1-3.

87. Park, M. et al. Three-dimensional ferroelectric domain imaging of epitaxial BiFe03 thin films using angle-resolved piezoresponse force microscopy / Moonkyu Park, Seungbum Hong, Jeffrey A. Klug, Michael J. Bedzyk, Orlando Auciello, Kwangsoo No, Amanda Petford-Long // Applied physics letters. -2010.-97, 112907.-P. 1-3.

88. Chu, Y.H. et al. Domain control in multiferroic BiFe03 through substrate vicinality / Y.H. Chu, M. P. Cruz, C.H. Yang, L.W. Martin, P.L. Yang, J.X. Zhang, K. Lee, P. Yu, L.Q. Chen, R. Ramesh // Adv. mater. - 2007. -Vol. 19. -P. 2662-2666.

89. Song, Y. et al. Modeling of tip-cantilever dynamics in atomic force microscopy / Yaxin Song, Bharat Bhushan // Nanoscience and technology. - 2006. -P. 149-223.

90. Jesse, S. et al. Dynamic behaviour in piezoresponse force microscopy / Stephen Jesse, Arthur P. Baddorf, Sergei V. Kalinin // Nanotechnology. - 2006. - 17. -P. 1615-1628.

91.Kalinin, S.V. et al. Imaging mechanism of piezoresponse force microscopy of ferroelectric surfaces / Sergei V. Kalinin, Dawn A. Bonnell // Physical review. -2002. - Vol. 65, 125408. - P. 1-12.

92.Winchester, B. et al. Phase-field simulation of domain structures in epitaxial BiFe03 films on vicinal substrates / B. Winchester, P. Wu, L. Q. Chen // Appl. phys. lett. - 2011. - 99, 052903. - P. 1-3.

93. Dominiczak, M. et al. Evaluation of the nanotube intrinsic resistance across the tip-carbon nanotube-metal substrate junction by atomic force microscopy / Dominiczak M, Otubo L, Alamarguy D, Houze F, Volz S, Noel S, Bai J. // Nanoscale research letters. - 2011. - 6:335. - P. 1-10.

94. Frammelsberger, W. et al. C-AFM-based thickness determination of thin and ultra-thin Si02 films by use of different conductive-coated probe tips / Werner Frammelsberger, Guenther Benstetter, Janice Kiely, Richard Stamp // Applied surface science. - 2007. - 253. - P. 3615-3626.

95.Gao, D.Y. Nonlinear elastic beam theory with application in contact problems and variational approaches / David Yang Gao // Mechanics research communications. - 1996. - Vol. 23. -№ 1. - P. 11-17.

96. Ross, C.T.F. Strength of materials and structures / Carl T. F. Ross, John Case, A. Chilver // The Times Higher Education Supplement. - 2000. - № 24. - P. 720.

97. Neumeister, J.M. et al. Lateral, normal, and longitudinal spring constants of atomic force microscopy cantilevers / Jonas M. Neumeister, William A. Ducker // Review of scientific instruments. - 1994. - 65, 2527. - P. 1-6.

98. Kaminski, M. et al. Load capacity and stiffness of angular cross section reinforced concrete beams under torsion / M. Kaminski, W. Pawlak // Archives of civil and mechanical engineering. - 2011. - Vol. 11(4). - P. 885-903.

99. Sinha. S.K. Combined torsional-bending-axial dynamics of a twisted rotating cantilever beam with contact-impact loads at the free end / Sunil K. Sinha // J. Appl. mech. - 2006. - 74(3). - P. 505-522.

100. Fazelzadeh, S.A. et al. Nonlinear aeroelastic analysis of bending-torsion wings subjected to a transverse follower force / S.A. Fazelzadeh, A. Mazidi // J. Comput. nonlinear dynam. - 2011. - 6(3), 031016. - P. 1-8.

101. Han, S.M. et al. Dynamics of transversely vibrating beams using four engineering theories / Seon M. Han, Haym Benaroya, Timothy Wei // Journal of sound and vibration. - 1999. - 225(5). - P. 935-988.

102. Джанколи, Д. Физика / Д. Джанколи. - М.: Мир, 1989. - С. 672.

103. Cappella, В. et al. Force-distance curves by atomic force microscopy /

B. Cappella, G. Dietler // Surface science reports. - 1999. - 34. - P. 1-104.

104. Ландау, Л.Д. Теория упругости / Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. - 4 изд. -М., 1987.-С. 248

105. Мартыненко, В.А. и др. Расчет напряженно-деформированных состояний в элементах конструкции силовых полупроводниковых модулей с паяными контактами / В.А. Мартыненко, А.А. Хапугин, К.Н. Нищев, М.И. Новопольцев // Физико-математические науки. Физика. - 2012. - №2(22). -

C. 185-194.

106. Jian, S.R. et al. Structural and nanomechanical properties of BiFe03 thin films deposited by radio frequency magnetron sputtering / Sheng-Rui Jian, Huang-Wei Chang, Yu-Chin Tseng, Ping-Han Chen, Jenh-Yih Juang // Nanoscale research letters. - 2013. - 8:297. - P. 1-6.

107. Zhang, J.X. et al. Computer simulation of ferroelectric domain structures in epitaxial BiFe03 thin films / J.X. Zhang, Y.L. Li, S. Choudhury, L.Q. Chen, Y.H. Chu, F. Zavaliche, M.P. Cruz, R. Ramesh, Q. X. Jia // Journal of applied physics.-2008,- 103, 094111.-P. 1-6.

108. Ageev, O.A. et al. Investigation of the nanodiagnostics probe modes for semiconductor resistivity measurements by atomic force microscopy / Oleg A. Ageev, Natalie I. Alyabieva, Boris G. Konoplev, Vladimir A. Smirnov, Vladislav V. Tkachuk // Advanced Materials Research. - 2014. - Vol. 894. - P. 374-378.

109. Ageev, O.A. et al. Research of semiconductor materials spreading resistance modes by atomic force microscopy / O.A. Ageev, V.A. Smirnov, N.I. Serbu // Abstract of the 5th Forum NANO and GIGA CHALLENGES in Electronics, Phonics and Renewable Energy, Symposium and Summer school (Tutorial Lectures). - Moscow-Zelenograd, 2011. - P. 1.

110. Агеев, O.A. и др. Исследование наноструктуры внутренней поверхности микроканальных пластин методом атомно-силовой микроскопии / О.А. Агеев, В.А. Смирнов, Н.И. Сербу, Д.Г. Самканашвили, А.К. Уртаев, З.Х. Епхиев // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2011. -№4.-С. 40-45.

111. Смирнов, В.А. и др. Исследование наноструктуры и электрических параметров внутренней поверхности каналов микроканальных пластин методом АСМ / Смирнов В.А., Сербу Н.И. // Труды международной научно-технической конференции и молодежной школы-семинара «Нанотехнологии-2010».- Дивноморское, 2010. -4.2. - С. 97-99.

112. Агеев, О.А. и др. Исследование наноразмерной ферроэлектрической доменной структуры пленок BiFe03 методами пьезо-силовой и растровой электронной микроскопии / Агеев О.А., Алябьева Н.И., Коломийцев А.С.,

Ткачук В.В. // Фундаментальные исследования. - 2014. - № 3 (часть 4). -С. 697-700.

113. Алябьева, Н.И. и др. Исследование и анализ доменной структуры BiFe03 методом пьезо силовой микроскопии / Н.И. Алябьева, О.А. Агеев, Damien Mcgrouther, Ian Maclaren, Alessio Morelli, Ionela Vrejiou // Тезисы доклада XI Российской конференции по физике полупроводников. - Санкт-Петербург, 2013. - С. 423.

114. Alyabieva, N.I. et al. Investigation of the Domain Structure Orientation of BiFe03 by Piezoelectric Force Microscopy / N.I. Alyabieva, O.A. Ageev, Damien Mcgrouther, Ian Maclaren, Alessio Morelli, Ionela Vrejiou // 2013 International Symposium on "Physics and Mechanics of New Materials and Underwater Applications" (PHENMA 2013). - Kaohsiung, Taiwan, 2013. -P. 104.

115. Коноплев, Б.Г. и др. Модификация зондов для сканирующей зондовой микроскопии методом фокусированных ионных пучков / Коноплев Б.Г., Агеев О.А., Смирнов В.А., Коломийцев А.С., Сербу Н.И. // Микроэлектроника. - 2012. -№ 1. - Том 41. - С. 47-56.

116. Rojac, Т. et al. Piezoelectric nonlinearity and frequency dispersion of the direct piezoelectric response of BiFe03 ceramics / Tadej Rojac, Andreja Bencan, Goran Drazic, Marija Kosec, Dragan Damjanovic // Accepted in journal of applied physics. -2012.-P. 1-38.

117. Zhao, J.L. et al. Thickness dependence of piezo electric property of ultra thin BiFe03 films / J.L. Zhao, H.X.Lu, J.R.Sun, B.G.Shen // Physic. - 2012. -B407.-P. 2258-2261.

118. Syurik, J. et al. AFM-based model of percolation in graphene-based polymer nanocomposites / Julia Syurik, Natalya Alyabyeva, Alexander Alekseev, Oleg A. Ageev // Composites Science and Technology. - 2014. - Vol. 95. -P. 38-43.

119. Агеев, O.A. и др. Исследование влияния концентрации углеродных нанотрубок на электрическое сопротивление пленок полимерного

нанокомпозита / Агеев O.A., Сюрик Ю.В., Коломийцев A.C., Сербу Н.И. // Нано- и микросистемная техника. -2010.-№10.-С. 2-6.

120. Алябьева, Н.И. Разработка методики определения электрических параметров гомогенных полупроводниковых структур на основе методов атомно-силовой микроскопии / Алябьева Н.И // Тезисы докладов VII Ежегодная научная конференция студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН. - Ростов - на - Дону, 2011. - С. 183-184.

121. Алябьева, Н.И. Исследование электрических параметров полупроводниковых структур методом отображения сопротивления растекания на зондовой нанолаборатории NTEGRA VITA / Алябьева Н.И. // Сборник материалов X Всероссийская научная конференция студентов и аспирантов «Техническая кибернетика радиоэлектроника и системы управления». - Таганрог, 2010. - Т.2. - С. 17.

122. Алябьева, Н.И. и др. Разработка методики определения параметров полупроводниковых структур методом атомно-силовой микроскопии на зондовой нанолаборатории Ntegra Vita / Н.И. Алябьева, В.А. Смирнов // Тезисы докладов VI Ежегодная научная конференция студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН. - Ростов - на -Дону, 2010.-С. 183-184.

123. Агеев, O.A. и др. Методика статического определения геометрических параметров массивов наноразмерных структур методом атомно-силовой микроскопии / O.A. Агеев, В.А. Смирнов, Н.И. Алябьева // Тезисы докладов I региональной научно-практическая конференции «Развитие работ в области нанотехнологий и их метрологическое обеспечение в Южном федеральном округе». - Азов, 2009. - С. 44-45.

124. Агеев, O.A. и др. Разработка и исследование методики контроля параметров наноразмерных структур с помощью зондовой нанолаборатории Ntegra Vita / Агеев O.A., Смирнов В.А., Коломийцев А.С, Алябьева Н.И. // Материалы Межрегиональной научно - технологической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых Южного федерального округа «Студенческая научная весна - 2009». - 2009. -С. 247-248.

-166125. Агеев, O.A. и др. Фотоактивация процессов формирования наноструктур методом локального анодного окисления пленки титана / Агеев O.A., Алябьева Н.И., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Смирнов В.А. // Известия высших учебных заведений. «Электроника». - 4.2. - 2010. -№2(82). -С. 23-31.

126. Смирнов, В.А. и др. Разработка методики воспроизводимого формирования наноразмерных каналов проводимости методом локального анодного окисления пластины титана / В.А. Смирнов, Н.И. Алябьева, М.В. Кужелев // Тезисы докладов V Ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН. - Ростов - на -Дону, 2009.-С. 168-169.

127. Смирнов, В.А.и др. Исследование параметров наноразмерных структур на нанотехнологическом комплексе НАНОФАБ НТК-9 и зондовой нанолаборатории NTEGRA VITA / Смирнов В.А., Сюрик Ю.В., Алябьева Н.И. // Сборник тезисов докладов победителей студенческих научных конференций, проходящий в рамках «Недели науки». - Ростов-на-Дону, 2008.-С. 150-154.

128. Алябьева, Н.И. и др. Исследование режимов формирования структур элементов наноэлектронии методом локального анодного окисления / Н.И. Алябьева, М.В. Кужелев // Сборник материалов IX Всероссийская научная конференция студентов и аспирантов «Техническая кибернетика радиоэлектроника и системы управления». - Таганрог, 2008. - Т.2. -С. 9-10.

129. Смирнов, В.А. и др. Экспериментальное исследование параметров наноразмерных структур на сверхвысоковакуумном нанотехнологическом комплексе НАНОФАБ / В.А. Смирнов, Н.И. Алябьева // Сборник тезисов докладов Всероссийской молодежной школы-семинара «Нанотехнологии и Инновации» (НАНО-2009). - 2009. - С. 69-70.

130. Агеев, O.A. и др. Исследование режимов формирования наноразмерных структур методами фокусированных ионных пучков, электронной и зондовой микроскопии / O.A. Агеев, Н.И. Алябьева, B.JI. Громов, О.И. Ильин, A.C. Коломийцев // Тезисы докладов XXIII Российская

конференция по электронной микроскопии. - Черноголовка, 2010. -С. 173-174.

131. Alyabyeva, N.I. et al. Development of the method of nanoscale planar structures forming based on BiFe03/SrRu03/DySc03 for information processing and storage devices / N.I. Alyabyeva, O.A. Ageev, D. Mcgrouther // 2014 International Symposium on "Physics and Mechanics of New Materials and Underwater Applications" (PHENMA 2014). - Khon Kaen, Thailand, 2014. -

P. 16-17.

132. Агеев, O.A. и др. Исследование параметров взаимодействия фокусированных ионных пучков с подложкой / О.А. Агеев, А.С. Коломийцев // Известия вузов. «Электроника». - 2011. - №3(89). - С. 20-25.

133. Смирнов, В. А. и др. Исследование и анализ параметров наноразмерных структур методом атомно-силовой микроскопии на зондовой нанолаборатории Ntegra Vita / В.А. Смирнов, Н.И. Алябьева, А.С. Пустовой, М.В. Рубашкина // Сборник тезисов докладов Всероссийской молодежной школы-семинара «Нанотехнологии и Инновации» (НАНО-2009).-2009.-С. 68-69.

- 168 -ПРИЛОЖЕНИЕ А «Документ об аттестации методики измерений»

icpu.ihiioc hi си iciiso но leuiii'iecKOMY регулированию и метрологии

Федеральное бюджетное учреждение «ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РЕГИОНАЛЬНЫЙ ЦЕНТР СТАНДАРТ ИЗАЦИИ, МЕТРОЛОГИИ И ИСПЫТАНИЙ В РОСТОВСКОЙ ОБЛАСТИ» (Ф1>У «Ростовский ЦСМ»)

.U4000. Россия, Южный федеральный округ. Ростовская область, • Роспюп-на-Лону. пр. Соколова 58

СВИДЕТЕЛЬСТВО

об аттестации методики (метода) измерений К» 023-01.00281-2011

Методика измерений удельного сопротивления гомогенных_

полупроводниковых материалов методом атомно-силовой микроскопии

наименование и назначение методики измерений

ТТИ ФГАОУ ВПО «ЮФУ»

Разработанная

347928, г. Таганрог, ГСП-17А, пер. Некрасовский, 44

наименование и адрес разработчика методики измерений

Обозначение и наименование документа, содержащего методику измерений МВИ 17-2011 «Методика измерений удельного сопротивления гомогенных полупроводниковых материалов методом атомно-силовой микроскопии» на 23 листах, утвержденная в 2011 году_

Аттестация осуществлялась в соответствии с ГОСТ Р 8.563-2009 по результатам метрологической экспертизы материалов по разработке методики измерений _

вид работ метрологическая экспертиза материалов по разработке методики измерений, теоретическое и,и жспсрнметтталыюе исследование методики измерений, друте виды работ

В результате аттестации методики измерений установлено, что методика соответствует предъявляемым к ней метрологическим требованиям и обладает следующими основными метрологическими характеристиками, приведенными на обратной стороне свидетельства

Заместитель генерального директора по метрологии

,А. Романов

Дата выдачи

3 Система менеджмента качества сертифицирована на а