Разработка и исследование способа разделения прозрачных хрупких диэлектрических материалов излучением лазера на парах меди тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.03.01, кандидат технических наук Иванов, Игорь Александрович

• Иванов, Игорь Александрович
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Иванов, Игорь Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПРОЗРАЧНЫМИ ХРУПКИМИ МАТЕРИАЛАМИ.

1.1. Физические процессы при воздействии излучения на материалы.

1.1.1. Воздействие излучения на непрозрачные материалы.

1.1.2. Воздействие излучения на прозрачные материалы.

1.2. Выводы по данным литературного обзора.

1.3. Цели и задачи исследования.

ГЛАВА 2. ЛАЗЕРНОЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ.

2.1. Лазеры на парах меди.

2.2. Разработка лазерного оборудования для обработки прозрачных хрупких материалов. t 2.2.1. Разработка лазерного модуля «Кулон-15 Си».

2.2.1.1. Определение конструктивных особенностей.

2.2.1.2. Определение особенностей, параметров и характеристик излучения.33 2.2.2. Разработка фокусирующих систем излучения ЛПМ.

2.2.2.1. Расчет параметров склеенных ахроматических объективов.

2.2.2.2. Экспериментальное исследование параметров склеенных ахроматических объективов.

2.3. Выводы по главе 2.

ГЛАВА 3. МЕХАНИЗМЫ ЛАЗЕРНОГО РАЗРУШЕНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ХРУПКИХ МАТЕРИАЛОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИМПУЛЬСНОГО

ИЗЛУЧЕНИЯ.

3.1. Поглощение излучения прозрачными хрупкими материалами.

3.1.1. Несобственные механизмы поглощения.

3.1.2. Собственные механизмы поглощения.

3.1.2.1. Ударная ионизация. t 3.1.2.2. Многофотонная ионизация.

3.2. Теория механического разрушения объемов и поверхностей прозрачных хрупких материалов импульсным излучением.

3.2.1. Физическая постановка задачи и выбор уравнений термоупругого разрушения.

3.2.2. Критерий образования механического повреждения.

3.2.3. Формирование трещины.

3.3 Определение условий роста лазерного разрушения.

3.3.1. Выбор критерия разрушения материала.

3.3.2. Зарождение трещины на краю пластины.

3.3.3. Поведение трещины на стадии стабильного роста.

3.4. Особенности механического разрушения поверхностей.

3.5. Выводы по главе 3.

ГЛАВА 4. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ РАЗРУШЕНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ХРУПКИХ МАТЕРИАЛОВ ИЗЛУЧЕНИЕМ ЛПМ.

4.1. Определение влияния основных параметров излучения ЛПМ на результат обработки.

4.1.1. Влияние энергетических параметров и характеристик.

4.1.2. Влияние временных параметров и характеристик излучения.

4.1.3. Особенности многоимпульсной обработки.

4.2. Определение оптической чистоты материалов, обрабатываемых излучением ЛПМ.

4.3. Технология комбинированной обработки импульсами двух длин волн излучения ЛПМ.

4.3.1. Способ обработки.

4.3.2. Устройство для комбинированной обработки.

4.4. Выводы по главе 4.

ГЛАВА 5. ПРИМЕРЫ ПРИМЕНЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ ЛПМ ДЛЯ ОБРАБОТКИ.

5.1. Описание экспериментального технологического стенда.

5.2. Особенности технологии формирования изображений в стекле.

5.3. Особенности технологии скрайбирования, пробивки отверстий и разделения в режиме удаления прозрачных хрупких материалов.

5.4. Выводы по главе 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование способа разделения прозрачных хрупких диэлектрических материалов излучением лазера на парах меди»

При традиционных способах изготовления большинства изделий из стекла (стеклянная тара, элементы мебели, стеклянные ограждения и т.д.) его последующая обработка с целью изменения формы, размеров и качества поверхности практически не производится, поскольку указанные параметры стараются обеспечить на стадии формования (выдувание, вытяжка, прокатка и т.д.). Для других изделий (например, применяемых в электровакуумном производстве и приборостроении) основными методами обработки являются: тепловая обработка в процессе сварки деталей в узлы, направленное нарушение прочности стекла с помощью тепловых, абразивных и твердосплавных инструментов с последующим его разламыванием по намеченному контуру, шлифовка и полировка с целью обеспечения высокой точности и химические методы обработки. В этом случае основными физическими свойствами стекла, предопределяющими использование этих методов, являются хрупкость при нормальной температуре, высокая пластичность, плавно меняющаяся в широком диапазоне температур, начиная от температуры стеклования (размягчения), и химическая неустойчивость. Эти технологические процессы известны давно и доведены в настоящее время до максимальной простоты и совершенства.

Отдельно следует рассматривать лазерную технологию обработки стекла, при которой отсутствует механическое воздействие инструмента (луча) на материал. Данная технология использует кроме указанных ещё и оптические свойства стекла, тем самым значительно расширяя возможности его обработки. Лазерная обработка прозрачных хрупких диэлектриков (стекло, сапфир, алмаз, рубин и др.) является постоянно развивающимся и важным методом обработки для электронной промышленности, электровакуумного производства и приборостроения. Операции лазерного разделения хрупких материалов, применяемые в указанной области, обеспечивают требуемые высокие показатели чистоты получаемых изделий, точности геометрии и качества обработанных поверхностей. В этой области применяются различные типы лазеров, и для каждого случая обработки доминирующим является тот или иной механизм разделения материала: абляция или термоупругое разрушение. С помощью лазерного излучения могут выполняться следующие технологические процессы: скрайбирование, управляемое термораскалывание, сварка, возгонка отверстий, сквозное разделение стекла с одновременным оплавлением краёв и объемная обработка. Лазерное скрайбирование представляет собой локальное ослабление прочности стекла, не приводящее к самопроизвольному его разделению, с последующим механическим разламыванием по намеченному контуру. Под управляемым термораскалыванием имеется в виду локальный нагрев листового стекла по заданному контуру, режим которого обеспечивает последующее за нагревом появление трещины в стекле, которая с достаточной точностью следует за перемещающимся следом лазерного луча по поверхности материала. Операции лазерного разделения хрупких материалов, применяемых в электронной промышленности, обеспечивают высокую чистоту получаемых изделий. Поскольку абразивная и алмазная обработка трудно реализуемы в вакууме, лазерная обработка практически не имеет альтернатив при изготовлении полупроводниковых особо чистых изделий. Лазерная сварка стекла и другие операции, связанные с его расплавлением, отличаются от известных процессов только ограниченной областью нагрева и, так же, как возгонка отверстий и сквозное разделение, не нуждаются в общих пояснениях. Кроме того, в последнее время всё более широкое распространение приобретает лазерная объёмная обработка стекла. Данная технология является уникальной в том смысле, что в процессе обработки импульсное лазерное излучение фокусируется в объём материала, и в стекле образуются внутренние микроразрушения, при этом поверхность материала остаётся не затронутой воздействием. Таким образом, путём периодической фокусировки импульсного лазерного луча в стекло создаётся совокупность микроразрушений, представляющая собой определённую пространственную картину. Несмотря на то, что целенаправленное формирование микроразрушений на поверхности и в объеме прозрачных материалов началось исследователями ещё в конце 80-х годов прошлого столетия, к настоящему времени не сформировано конкретного системного решения проблемы лазерной обработки материалов, прозрачных для лазерного излучения. Опубликованные по этой теме материалы имеют, за небольшим исключением, характер реклам, патентных описаний и кратких сообщений о возможности осуществления технологических операций—без детального анализа происходящих при этом физических процессов. Также актуальной является задача о создании инициатора разрушения для получения целенаправленного разрушения в процессе лазерного термораскалывания, поскольку в работах, посвященных технологии термораскалывания этому вопросу уделяется недостаточно внимания.

Наиболее часто применяемыми для обработки являются С02-лазеры, эксимерные лазеры, твердотельные лазеры с неодимом и лазеры на парах меди (ЛПМ), в области создания которых за последние несколько лет были достигнуты значительные результаты.

На сегодняшний день лазер на парах меди представляет собой источник мощного (средняя мощность до 100 Вт) импульсного видимого излучения с длиной волны 0,51 и 0,58 мкм, с высокой частотой следования импульсов от 2 до 50 кГц, короткой длительностью импульсов порядка 20 не с высоким качеством, близким к дифракционному (расходимость порядка 0,2 мрад), и высокой пиковой мощностью (от 10 до 1000 кВт). Такое сочетание параметров излучения является идеальной комбинацией для прецизионной микрообработки с испарением практически любых материалов и на сегодняшний день является причиной повышенного интереса к излучению ЛПМ как к технологическому инструменту. При этом современные модели являются простыми в использовании, надежными и обладают низкими эксплуатационными расходами, что также послужило причиной их широкого применения в промышленности для операций пробивки микроотверстий и прецизионной резки металлов.

В настоящее время отсутствует систематизированное представление о возможностях использования импульсно-периодического излучения для обработки прозрачных хрупких диэлектриков. Поэтому в полной мере не используются технологические возможности современных лазеров с указанным типом излучения, в частности, твердотельных лазеров с диодной накачкой и ЛПМ.

В связи с изложенным, исследование процессов взаимодействия излучения лазера на парах меди с прозрачными хрупкими диэлектрическими материалами и разработка способа технологического воздействия данного излучения на указанные материалы при операциях разделения является актуальной задачей.

Данная работа посвящена исследованию и разработке процессов разделения прозрачных хрупких диэлектрических материалов с помощью излучения лазера на парах меди.

Научная новизна заключается в решении проблемы управления технологической обработкой прозрачных хрупких материалов импульсно-периодическим излучением ЛПМ, состоящем в следующем:

1. Установлено, что в случае воздействия импульса излучения ЛПМ с интенсивностью выше критической при превышении термоупругими растягивающими напряжениями предела прочности в прозрачном хрупком материале образуется трещина. Это происходит при превышении температурой и скоростью изменения температуры материала критической величины.

2. Установлено, что для избежания вызванного действием термоупругих напряжений растрескивания поверхности, образованной в процессе резки или прошивки отверстия с удалением материала путем абляции, интенсивность импульса излучения ЛПМ должна обеспечивать нагрев материала выше температуры абляции, но быть ниже критической для образования трещины.

3. Разработан способ двухимпульсной обработки с удалением материалов, для которых нагрев выше температуры абляции не может быть обеспечен одним импульсом ЛПМ с интенсивностью ниже критической, при которой образуется трещина. В этом способе нагрев материала до температуры абляции происходит последовательно двумя импульсами волновых составляющих (0,51 и 0,58 мкм) излучения ЛПМ, интенсивность каждого из которых ниже критической для образования трещины.

Результаты работы были использованы при:

1. Разработке способа и устройства объемной лазерной маркировки прозрачных хрупких материалов, позволяющих повысить разрешение и яркость получаемого изображения путем уменьшения размеров и устранения зоны трещинообразования около разрушения. В способе воздействие на материал происходит двумя импульсами излучения. Первый импульс имеет допороговую интенсивность. Задержка по времени между первым и вторым импульсом сравнима со временем релаксации температурного поля и поля напряжений в материале, возникающих в результате воздействия первого импульса. Второй импульс формирует полость в объеме материала.

2. Проведении модернизации ЛПМ типа «Кулон» с одним активным элементом на основе разработанных технических требований к лазерному технологическому оборудованию. Определены зависимости средней мощности и расходимости излучения от параметров используемого резонатора.

3. Определении диапазона параметров излучения ЛПМ и соответствующих элементов лазерного оборудования, необходимых для процессов разделения различных марок стекла, алмаза, рубина, сапфира.

4. Расчете, изготовлении и исследовании объективов для фокусировки излучения ЛПМ с двумя длинами волн. В результате проведенных расчетов и экспериментов получены значения размера пучка излучения ЛПМ в фокусе ахроматических склеенных двухлинзовых объективов с различным фокусным расстоянием.

5. Создании автоматизированного лазерного технологического комплекса на базе ЛПМ в ФГУП «НПП «Исток», г. Фрязино для прецизионной обработки прозрачных материалов, в состав которого вошли разработанные устройства.

Основные материалы работы опубликованы в 3-х печатных работах. Материалы работы составили также содержание соответствующих глав 3-х научно-технических отчетов по НИР и ОКР.

Результаты работы докладывались на:

- Конференции «Лазерные системы и их применение. Лазерные системы'2004», Кострома, 29 июня-1 июля 2004 г.

- Международном симпозиуме «Образование через науку», Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 17-19 мая 2005 г.

- Научных семинарах кафедры «Лазерные технологии в машиностроении» (МТ-12) МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2002-2005 гг. t

Заключение диссертации по теме «Технологии и оборудование механической и физико-технической обработки», Иванов, Игорь Александрович

5.5. ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Так как при взаимодействии излучения ЛПМ высокой интенсивности (>108 Вт/см2) с образцами обычной чистоты широкого ряда хрупких материалов: стекло, кристаллический кварц, сапфир и др. преобладает механизм локального поглощения на неоднородностях с повышенным коэффициентом поглощения, то эффективность поглощения, а, значит, и процесса обработки, определяется количеством и характеристиками дефектов, определяющими оптическое качество материала.

2. Разрушение с образованием трещины при локальном поглощении излучения лазера на парах меди прозрачным хрупким диэлектриком возникает при превышении растягивающими термонапряжениями предела прочности материала. Это происходит при превышении температурой и скоростью изменения температуры материала критической величины. Данные условия выполняются при превышении интенсивностью излучения критической величины, определяемой свойствами материала.

3. Теоретически и экспериментально установлено, что при воздействии излучения ЛПМ на прозрачные хрупкие материалы типа стекол при появлении трещиноватого разрушения его размер пропорционален энергии импульса и зависит от параметров фокусировки. Установлено влияние параметров излучения ЛПМ на результат обработки в случае формирования как объемных, так и поверхностных дефектов в материале.

4. Приведена классификация по необходимой интенсивности излучения процессов обработки излучением ЛПМ ряда прозрачных хрупких диэлектрических материалов: 1-10 ГВт/см2—скрайбирование, 5-50 ГВт/см2— резка и пробивка отверстий, >25 ГВт/см2—формирование изображения в объеме материала.

5. Расчетным путем установлено, что с помощью воздействия на материал двух импульсов излучения с периодом ~ десятков не появляется возможность расширения технологических возможностей обработки рассматриваемых материалов излучением ЛПМ. Предлагаемый способ заключается в управлении характером (гладкое или трещиноватое) разрушения, производимого вторым импульсом, путем выбора требуемой величины задержки между импульсами и интенсивности 1-го и 2-го импульса. Предложено устройство для реализации способа.

6. Разработана технология получения с помощью излучения ЛПМ плоских изображений в стекле, состоящих из отдельных объемных микроразрушений. Технология обеспечивает получение трещиноватых микроразрушений размером от 50 до 300 мкм с расстоянием между ними от 15 мкм в зависимости от требуемых разрешения и яркости изображения.

7. При скрайбировании, пробивке отверстий и резке прозрачных хрупких диэлектриков излучением ЛПМ удаление материала происходит путем абляции. Так как глубина распространения тепла за время действия импульса излучения ЛПМ для рассматриваемых материалов составляет ~1 мкм, то значение диаметра отверстия или ширииы реза практически определяется диаметром луча с интенсивностью выше пороговой для абляции. Типичные значения указанных размеров составляют 10-30 мкм.

142

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Иванов, Игорь Александрович, 2006 год

1. Григорьянц А.Г., Соколов А.А. Лазерная обработка неметаллических материалов М.: Высшая школа, 1988. - 192 с.

2. Мачулка Г.А. Лазерная обработка стекла М.: Советское радио, 1979. - 136 с.

3. Данилейко Ю.К., Маненков А.А., Нечитайло B.C. Исследование объёмного лазерного разрушения и рассеяния света в кристаллах и стёклах//Труды ФИАН. 1978. - Т. 101.-С.31-74

4. Маненков А.А., Прохоров A.M. Лазерное разрушение прозрачных твёрдых тел //Успехи физических наук. 1986. - Т. 148, № 1. - С. 179211

5. Колдунов М.Ф., Маненков А.А., Покотило И.Л. Взаимосвязь характеристик лазерного разрушения в статистической теории //Квантовая электропика. 2000. - Т. 30, № 7. - С. 592-596

6. Колдунов М.Ф., Маненков А.А., Покотило И.Л. Теоретический анализ эффекта накопления в лазерном разрушении прозрачных диэлектриков при многократном облучении //Квантовая электроника. 1995. - Т. 22, №7.-С. 701-705

7. Колдунов М.Ф., Маненков А.А., Покотило И.Л. Закономерности лазерного разрушения прозрачных твердых тел, инициированного поглощающими включениями различных типов //Квантовая электроника. 1998. - Т. 25, № 9. - С. 833-837

8. Колдунов М.Ф., Маненков А.А., Покотило И.Л. Эффективность различных механизмов лазерного разрушения прозрачных твердых тел //Квантовая электроника. 2002. - Т. 32, № 7. - С. 623-628

9. Колдунов М.Ф., Маненков А.А., Покотило И.Л. Механическое разрушение прозрачных твердых тел лазерными импульсами разной длительности //Квантовая электроника. 2002. - Т. 32, № 4. - С. 335-340

10. Hopper R.W., Uhlman D.R. Mechanism of inclusion damage in laser glass //J. Appl. Phys. 1970. - V. 41, № 4. - P. 4023-4025

11. Григорьянц А.Г., Иванов И.А., Лябин H.A. Способ обработки прозрачных диэлектрических материалов излучением лазера на парах меди //Технология машиностроения. 2005. - № 10. - С. 60-64

12. Григорьянц А.Г., Казарян М.А., Лябин Н.А. Лазеры на парах меди: конструкция, характеристики и применения М.: ФИЗМАТЛИТ, 2005.-312 с.

13. Высокоскоростная импульсная модуляция излучения лазеров на самоограниченных переходах атомов химических элементов /Н.М. Лепехин, Ю.С. Присеко, Н.А. Лябин и др. // Прикл. физика. -2005.-№2.-С. 51-55

14. Лябин Н. А. Разработка и исследование промышленных отпаянных лазеров на парах меди мощностью 10-50 Вт для технологического и медицинского применений: Дис. . канд. техн. наук. Фрязино, 2002. -244 с.

15. Пат. 2082263 (Россия). Способ возбуждения импульсных лазеров на самоограниченных переходах /А.С. Скрипниченко, А.Н. Солдатов, Н.А. Юдин. //Б.И. 1997. - № 6

16. Исаев А.А. Кинетика возбуждения рабочих уровней лазера на парах меди в режиме сдвоенных импульсов //Квантовая электроника. 1988. -Т. 15, №9.-С. 2510-2513

17. Жариков В.М. Исследование физических процессов взаимодействия излучения лазера на парах меди с материалами электронной техники и разработка технологии их прецизионной обработки: Дис. . канд. техн. наук. Фрязино, 1999. - 104 с.

18. Михайловская Л.И. Двухлинзовый склеенный объектив. Методические указания для курсового и дипломного проектирования М.: Ротапринт МВТУ им. Н.Э. Баумана, 1973. - 54 с.

19. Турыгин И.А. Прикладная оптика М.: Машиностроение, 1966. - ч.Н-312 с.

20. Креопалова Г.В., Лазарева Н.Л., Пуряев Д.Т. Оптические измерения: Учебник для вузов по специальностям «Оптико-электронные приборы» и «Технология оптического приборостроения» М.: Машиностроение, 1987. - 264 с.

21. Горшков А.С., Епифанов А.С., Маненков А.А. Влияние УФ-подсветки на пробой щелочно-галоидных кристаллов излучением С02-лазера //ЖЭТФ. 1979. - Т. 76, № 5. - С. 617-621

22. Braunlich P., Shmid A., Kelley P. Analysis of laser-induced damage in crystals //Appl. Phys. Lett. 1975. - V. 26, № 1. - P. 150-155

23. Shmid A., Kelley P., Braunlich P. Multi-photon absorption in crystals //Phys. Rev. Ser. B. 1977. - V. 16, № 7. - P. 4569-4574

24. Kelley P., Shmid A., Braunlich P. The role of molecular double-photon effective section in laser beam absorption by transparent materials // Appl. Phys. Lett. 1979. - V. 20, № 5. - P. 815-823

25. Виноградов A.B., Файзуллов Ф.С. К механизму разрушения кристаллов лазерным излучением //Квантовая электроника. 1977. -Т. 4,№6. -С. 1144-1147

26. Епифанов А.С. Исследование закономерностей и механизм собственного оптического пробоя стекол //ЖЭТФ. 1974. - Т. 67, № 10.-С. 1805-1810

27. Епифанов А.С., Маненков А.А., Прохоров A.M. Лазерное разрушение особо чистых оптических материалов //ЖЭТФ. 1976. - Т. 70, № 5. -С. 728-732

28. Лазерное разрушение щелочно-галоидных кристаллов /Б.Г. Горшков, Ю.К. Данилейко, А.С. Епифанов и др. //ЖЭТФ. 1977. - Т. 72, № 9. -С. 1171-1175

29. Горшков Б.Г., Данилейко Ю.К., Николаев В.Н. Исследование закономерностей и механизм собственного оптического пробоя прозрачных материалов //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1985. - Т. 49, №8.-С. 1140-1143

30. Гомелаури Г.В., Маненков А.А. О многофотонном поглощении в кристаллах //Квантовая электроника. 1979. - Т. 6, № 1. - С. 45-48

31. Эффективное сечение двухфотонного поглощения в кристаллах /Ю.К. Данилейко, Т.П. Лебедева, А.А. Маненков и др. //ЖЭТФ. -1978.-Т. 74, №4.-С. 765-769

32. Боли Б., Уэйнер Дж. Теория термоупругих напряжений М.: Мир, 1964.- 517 с.

33. Коздоба Л.А. Методы решения нелинейных задач теплопроводности -М.: Наука, 1975. 228 с.

34. Хеллан К. Введение в механику разрушения М.: Мир, 1988. - 364 с.

35. Колдунов М.Ф., Маненков А.А., Покотило И.Л. Теоретический анализ условий теплового взрыва и фотоионизационная неустойчивость прозрачных диэлектриков с поглощающими включениями //Квантовая электроника. 1988. - Т. 15, № 3. - С. 544-549

36. Разрушение: /Пер. с англ./ред. Г. Лившиц М.: Мир, 1976. Т.7-Разрушение неметаллов и композиционных материалов. 4.1. Неорганические материалы (стекла, горные породы, композиты, керамика, лед) - 634 с.

37. Малов И.Е. Исследование и разработка технологии управляемого термораскалывания листового стекла излучением твердотельного лазера: Дис. . канд. техн. наук. Москва, 2000. - 147 с.

38. Разрушение: /Пер. с англ./Ред. Г. Лившиц М.: Мир, 1976. Т.2-Математические основы теории разрушения - 767 с.

39. Пух В.П. Прочность и разрушение стекла Л.: Наука, 1973. - 156 с.

40. Бартенев Г.М. Строение и механические свойства неорганических стёкол М.: Стройиздат, 1966. - 216 с.

41. Бокин П.Я. Механические свойства силикатных стёкол Л.: Наука, 1970.- 180 с.

42. Лыков А.В. Теория теплопроводности М.: Высшая школа, 1967. -600 с.

43. Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики -М.: Наука, 1972. 736 с.

44. Феодосьев В.И. Сопротивление материалов М.: Физматгиз, 1962. -536 с.

45. Паркус Г. Неустановившиеся температурные напряжения М.: Физматгиз, 1963. - 252 с.

46. Подстригач Я.С., Коляно Ю.М. Неустановившиеся температурные поля и напряжения в тонких пластинках Киев: Наукова думка, 1972. -308 с.

47. Коляно Ю.М., Нудин А.Н. Температурные напряжения от объёмных источников Киев: Наукова думка, 1983. - 287 с.

48. Прудников А.П., Брычков Ю.А., Маричев О.И. Интегралы и ряды. Элементарные функции М.: Наука, 1981. - 800 с.

49. Прудников А.П., Брычков Ю.А., Маричев О.И. Интегралы и ряды. Специальные функции М.: Наука, 1983. - 752 с.

50. Янке Е., Эмде Ф., Лёш Ф. Специальные функции М.: Наука, 1977. -344 с.

51. Поверхностное разрушение лазерных кристаллов рубина /Ю.К. Данилейко, А.А. Маненков, A.M. Прохоров и др. //Труды ФИАН. 1978. - Т. 101, № 1.-С. 9-21

52. Оптический пробой прозрачных сред, содержащих микронеоднородности /A.M. Бонч-Бруевич, И.В. Алешин, Я.А. Имас и др. //ЖТФ. -1971. Т. 41, № 3. - С. 532-537

53. Взаимодействие лазерного излучения с оптическими полимерами /К.М. Дюмаев, А.А. Маненков, А.П. Маслюков и др. //Труды ИОФАН. 1991.-Т. 33, № 1.- С. 144-149

54. Григорьянц А.Г., Шиганов И.Н. Лазерная сварка металлов М.: Высш. школа, 1988.-207 с.

55. Хазов Л.Д., Ферсман И.А., Бортникер В.Ю. О накопительном эффекте разрушения прозрачных диэлектриков при многократном облучении лазером //ЖТФ. 1974. - Т. 44, № 4. - С. 2020-2030

56. Данилейко Ю.К., Маненков А.А., Нечитайло B.C. Предпороговые явления при лазерном разрушении оптических материалов //Квантовая электроника. 1976. - Т. 3, № 3. - С. 438-448

57. Merkle L.D., Bass М., Swimm R.T. Multiple pulse laser-induced bulk damage in crystalline and fused quartz at 1.064 and 0.532 цт //Opt. Engng. 1983. - V. 22, № 3. - P. 405-413

58. Разрушение поверхности монокристаллов ниобата и танталата лития под действием лазерного излучения /Г.М. Зверев, Е.А. Левчук, В.А. Пашков и др. //Квантовая электроника. 1972. - № 2. - С. 94108

59. She C.Y., Edwards D.F. Interaction gradients, concurrent light scattering experiments and bulk laser damage in solids //NBS Spec. Publ. 1972. -№372.-P. 11-24

60. Крутякова В.П., Смирнов В.Н. Сопоставление кинетики роста рассеяния и вспышек свечения в щелочно-галоидных кристаллах под действием импульсов излучения СОг-лазера //ЖТФ. 1979. - Т. 49, № 5. - С. 2647-2655

61. Разрушение прозрачных диэлектриков под действием мощного лазерного излучения /Б.М. Ашкинадзе, В.И. Владимиров, В.А. Лихачев и др. //ЖЭТФ. 1966. - Т. 50, № 8. - С. 1187-1194

62. Разрушение прозрачных диэлектриков под воздействием лазерного излучения /М.Б. Агранат, И.К. Красюк, Н.П. Новиков и др. //ЖЭТФ. -1971. Т. 60, № 10. - С. 1748-1758

63. Об эффекте накопления в лазерном разрушении оптических материалов /А.А. Маненков, Г.А. Матюшин, B.C. Нечитайло и др. //Изв АН СССР. Сер. физич. 1988. - Т. 52, № 9. - С. 1788-1794

64. Григорьева И.С., Михайлова Е.З. Физические величины: Справочник. -М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

65. Пат. SU 1838163 (СССР). Способ формирования изображений. /П.В. Агринский, А.Г. Григорьянц, В.Н. Рождествин и др. //Б.И. -1992.-№25

66. Troitski I. Laser-induced damage creates interior images //Opt. Eng. Reports. № 191. 1999. - P. 12-13

67. Пат. 2243102 (Россия). Способ формирования изображений и устройство для его осуществления /П.В. Агринский, Ю.П. Астраханцев, A.M. Шилин //Б.И. 2004. - № 12

68. Keiper В., Exner Н., Loschner U., Kuntze Т. Drilling of glass by excimer laser mask projection technique //ICALEO. 1999. - № 12. - P. 124-136

69. Knowles M.R.H., Bell A.I., Rutterford G., Kearsley A.J., Webb C.E. Laser micro-machining of diamond //De Beers 3rd Annual Diamond Conference.: Appear, thes. of Int. conf. London, 2002. - P. 112-119

70. Григорьянц А.Г., Иванов И.А. Применение лазеров на парах меди для технологической обработки //Лазерные системы и их применение: Сб. научных трудов /Под ред. В.А. Петрова. М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2004.-С. 131-137