Разработка и исследование радиационного метода контроля на основе полупроводникового преобразователя жесткого тормозного излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.02.11, кандидат технических наук Рубинович, Илья Матвеевич
- Специальность ВАК РФ05.02.11
- Количество страниц 234
Оглавление диссертации кандидат технических наук Рубинович, Илья Матвеевич
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. МЕТОДЫ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЖЁСТКОГО ТОРМОЗНОГО
ИЗЛУЧЕНИЯ, ПРИМЕНЯЕМЫЕ В ИНТРОСКОПИИ.
§ I.I. Краткий обзор развития методов и средств визуализации изображений.II
§ 1.2. Люминесцентные преобразователи.
1.2.1. Флюороскопические экраны
1.2.2. Сцинтилляционные кристаллы
§ 1.3. Преобразователи, использующие явление внутреннего фотоэффекта.
1.3.1. Рентген-видикон
1.3.2. Преобразователи с косвенной модуляцией
1.3.3. Мозаичные полупроводниковые преобразователи
1.3.4. Преобразователи на основе комбинированных детекторов
§ 1.4. Сравнение чувствительности интроскопических систем.
Выводы к главе I.
ГЛАВА 2. РЕГИСТРАЦИЯ ЖЁСТКОГО ТОРМОЗНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
ПЛОСКИМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕМ ИЗ КРЕМНИЯ.
§ 2.1. Моделирование переноса быстрых заряженных частиц.
§ 2.2. Взаимодействие моноэнергетического гамма-излучения с плоским преобразователем из кремния
§ 2.3. Моделирование переноса гамма-квантов через вещество.
2.3.1. Спектры жесткого тормозного излучения по поглотителями из стали.
2.3.2. Энергетические факторы накопления для рентгеновского излучения.«
§ 2.4. Взаимодействие жесткого тормозного излучения, прошедшего поглотитель, с преобразователем из кремния.
Выводы к главе 2.
ГЛАВА 3. ПОВЫШЕНИЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ
С ПОМОЩЬЮ УСИЛИВАЮЩИХ ЭКРАНОВ.
§ 3.1. Влияние передних усиливающих экранов на регистрацию моноэнергетического гамма-излучения
§ 3.2. Регистрация жесткого тормозного излучения преобразователем с передними и задними усиливающими экранами
§ 3.3. Боковые усиливающие экраны в мозаичном подупроводниковом преобразователе.
§ 3.4. Взаимное влияние детекторов и конструкция мозаичного преобразователя жесткого тормозного излучения
§ 3.5. Апертурные характеристики детекторов.
Выводы к главе
ГЛАВА 4. АНАЛИЗ РАБОТЫ ДЕТЕКТОРОВ И СРАВНЕНИЕ
С ЭКСПЕРИМЕНТАМИ.
§ 4.1. Эквивалентные схемы ВД1ДМ - и ЬЩД-структур с постоянным смещением.
§ 4.2. Импульсные и переходные характеристики детектора излучения на основе Щ1-структуры с постоянным смещением.
§ 4.3. Эквивалентная схема ВДЩМ-структуры с ВЧ смещением.
§ 4.4. Коэффициент усиления ЩПДМ-структуры с ВЧ смещением.
§ 4.5. Экспериментальные подтвервдения подученных результатов и практические рекомендации.
Выводы к главе 4.
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Методы контроля и диагностика в машиностроении», 05.02.11 шифр ВАК
Гибридные электронно-оптические устройства и системы преобразования динамических изображений для ввода в ЭВМ2002 год, доктор технических наук Симонов, Валентин Павлович
Определение атомного номера вещества объектов по ослаблению пучков фотонов с энергиями до 10 МэВ2014 год, кандидат наук Курилик, Александр Сергеевич
Взаимодействие быстрых электронов со слоистыми мишенями1998 год, кандидат физико-математических наук Костин, Дмитрий Владимирович
Спектрометрия тяжелых заряженных частиц при миллисекундном времени интегрирования заряда2007 год, кандидат физико-математических наук Зо Лин Хан
Методы диагностики атомных и ядерных процессов в исследованиях лазерной пикосекундной плазмы2004 год, кандидат физико-математических наук Андрианов, Василий Петрович
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование радиационного метода контроля на основе полупроводникового преобразователя жесткого тормозного излучения»
Радиационная интроскопия является в настоящее время наиболее оперативным методом контроля, позволяющим получать изобра -жение дефекта непосредственно в момент просвечивания. Современное производство ставит перед интроскопией задачу обнаружения дефектов в изделиях большой толщины (до 40 см стали), которую можно решить, используя мощные источники жёсткого тормозного излучения, в частности бетатроны, микротроны или линейные ускорители. В то же время чувствительность существующих интроскопи-ческих систем оказывается в этом случае слишком низкой либо вследствие низкой эффективности регистрации жёсткого тормозного излучения ускорителя преобразователем, либо из-за больших по -терь информации при преобразовании сигнала в канале интроскопа. Таким образом, возникает проблема создания интроскопической системы нового типа на основе преобразователя, обладающего достаточно высокой эффективностью регистрации жёсткого тормозного излучения, и со значительно меньшими потерями информации в канале.
Интроскопические системы на основе флюороскопических экранов обладают низкой чувствительностью из-за малой толщины экранов. В этом плане они не могут конкурировать с системами на основе сцинтилляционных кристаллов, но большое число ступеней преобразования в канале телевизионного интроскопа со сцинтилля-ционным кристаллом приводит к резком/ снижению чувствительности. К недостаткам таких систем следует отнести также низкую надёж -ность и сложность в эксплуатации вакуумных передающих телеви -зионных трубок (суперортикона или изокона) и влияние наведённой радиации, засвечивающей кристалл в промежутке между импульсами излучения ускорителя. В то же время использование явления внутреннего фотоэффекта для регистрации жесткого тормозного излучения позволяет производить практически прямое преобразование энергии, поглощенной в преобразователе, в электрический сигнал. Это явление лежит в основе работы рентген-видикона, но его мишень также имеет низкую эффективность регистрации жёсткого тормозного излучения и подвержена воздействию наведённой радиации. Построение интроскопической системы с мозаичным полупроводниковым преобразователем на основе детекторов типа структур металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл (ЩПДМ) с высокочастотным (ВЧ) смещением позволяет получить высокую эффективность регистрации жёсткого тормозного излучения, дополнительное усиление сигнала до введения его в цепи памяти и сканирования, а также избавиться от влияния наведённой радиации путём очувствления структур на короткое время. Кроме того, такая система является безвакуумной, что выгодно отличает её от имеющихся ин-троскопических систем и соответствует современным тенденциям развития техники визуализации изображений.
Исследованию радиационного метода контроля с использованием полупроводникового преобразователя жёсткого тормозного излучения и посвящена настоящая диссертация.
В первой главе дан обзор и анализ существующих методов и средств преобразования жёсткого тормозного излучения, производится выбор типа детектора и полупроводникового материала, сравниваются чувствительности различных интроскопи-ческих систем.
Во второй главе моделируется перенос быстрых заряженных частиц и гамма-квантов и рассчитываются сигналы и шумы при регистрации жесткого гамма-излучения с учетом переноса заряженных частиц. Подучены спектры жесткого тормозного излучения за стальными поглотителями и энергетические факторы накопления. Рассчитаны зависимости сигнала, отношения сигнал/шум и контраста цри контроле жестким тормозным изучением от толщин поглотителя и преобразователя. По подученным данным определяется дефектоскопическая чувствительность метода.
В третьей главе проводятся расчеты влияния передних и боковых усиливающих экранов из свинца на величины сигнала, отношения сигнал/щум и контраста. Рассчитаны апертур-ные характеристики и взаимное влияние детекторов.
В четвертой главе разработан метод анализа быстрых релаксационных процессов установления равновесия между внешним полем и полем объемного заряда в полупроводнике. В результате подучены эквивалентные схемы детекторов с посто -янным и ВЧ смещением, а также импульсные и переходные характеристики ВД1-структуры с постоянным смещением. Подучено выражение для коэффициента усиления ЦЩЦМ-структуры с ВЧ смещением с учетом движения основных носителей, рекомбинации на границах и диффузионного расплывания сгустка избыточных носителей. В конце главы приводятся экспериментальные подтверждения полученных результатов и некоторые практические рекомендации.
В заключении суммируются основные результаты проделанной работы.
Список литературы содержит 130 наименований отечественных и зарубежных источников*
Приложения к диссертации содержат блок-схемы программ, таблицы спектров, результаты расчета поглощенной энергии и шумового фактора при взаимодействии гамма-излучения с кремниевым преобразователем, а также акт внедрения.
На защиту выносятся следующие положения.
1. Метод интроскопического контроля на основе твёрдотельного преобразователя, выполненного с использованием ВД1ДМ -структур с ВЧ смещением, при регистрации жесткого тормозного излучения с максимальной энергией 20-30 МэВ и мощностью дозы 3,0.10"^ Кл/кг.с (70 Р/мин) позволяет получать высокую надёжность и дефектоскопическую чувствительность, достигающую одного процента при контроле стальных поглотителей толщиной около 10 см.
2. Повышения чувствительности контроля можно достичь,применяя передние и боковые усиливающие экраны, эффективность которых растёт с увеличением толщины контролируемого поглотителя и максимальной энергии спектра жесткого тормозного излучения. Предложенная конструкция преобразователя сотового типа позволяет в несколько раз увеличить дефектоскопическую чувствительность при больших толщинах поглотителя и довести её до одного процента при контроле 30 см стали.
3. Выбор режима работы преобразователя следует производить с учётом того, что нижняя граница допустимых частот ВЧ смещения меняется пропорционально корню квадратному из амплитуды приложенного напряжения.
4. Учёт движения основных носителей заряда, рекомбинации на границах и расплывания сгустка избыточных носителей заряда приводит к уточнению оценки коэффициента усиления детектора на 30 %.
По материалам диссертации опубликовано 15 работ в центральной печати, подучено 2 авторских свидетельства на изобретения и положительное решение по заявке на авторское свидетельство. Материалы диссертации докладывались на региональной научно-практической конференции "Молодые учёные и специалисты - народному хозяйству", г.Томск, 1977 г., на второй республиканской научно-технической конференции "Новые физические методы и средства контроля промышленных изделий", г.Минск, 1978 г., на девятой Всесоюзной научно-технической конференции " Неразрушагацие физические методы и средства контроля", г.Минск, 1981 г., на секции полупроводниковых первичных преобразователей седьмого Всесоюзного семинара по оптическим и электрооптическим методам и средствам передачи, преобразования, переработки и хранения информации, г.Москва, 1981 г., на третьем и четвертом Всесоюзных совещаниях по применению ускорителей заряженных частиц в народном хозяйстве, г.Ленинград, 1979 и 1982 гг. и на втором Совещании "Подупроводниковые детекторы ядерного излучения на широкозонных материалах", г.Новосибирск, 1983 г.
Похожие диссертационные работы по специальности «Методы контроля и диагностика в машиностроении», 05.02.11 шифр ВАК
Разработка методов повышения чувствительности и точности флуоресцентного рентгенорадиометрического анализа состава сложных сред в широком диапазоне атомных номеров2011 год, кандидат физико-математических наук Трушин, Арсений Владимирович
Формирование изображений в цифровых рентгенографических системах на основе источников высокоэнергетичных фотонов2010 год, кандидат технических наук Касьянов, Станислав Валериевич
Полупроводниковые детекторы ядерных излучений в задачах прецизионной спектрометрии радионуклидов1985 год, кандидат физико-математических наук Сандуковский, Вячеслав Григорьевич
Теория, исследование и разработка методов и аппаратно-программных средств медицинской цифровой рентгенографии2001 год, доктор технических наук Зеликман, Михаил Израилевич
Создание систем мониторирования характеристик полей ионизирующих излучений ускорителей при радиационных испытаниях2004 год, доктор технических наук Мордасов, Николай Григорьевич
Заключение диссертации по теме «Методы контроля и диагностика в машиностроении», Рубинович, Илья Матвеевич
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
1. Проведены расчёты средней поглощенной энергии и шумово -го фактора для различных толщин преобразователя из кремния при регистрации жесткого гамма-излучения различных энергий. Получе -ны спектры и энергетические факторы накопления для жесткого тормозного излучения за стальными поглотителями различных толщин.
2. Рассчитаны зависимости сигнала, отношения сигнал/щум и контраста от толщины стального поглотителя для различных толщин преобразователя при контроле жестким тормозным излучением. При мощности экспозиционной дозы 4,3ЛО"4 Кл/кг.с (100 Р/мин), времени накопления 0,04 с, площади детектора 0,1 см2 и толщине преобразователя I см получены значения дефектоскопической чувстви -тельности от 0,65 % при контроле 10 см поглотителя до 3 % при просвечивании 30 см стали.
3. Показано, что оптимальная толщина переднего усиливагаце -го экрана из свинца возрастает от 2,2 до 3 мм при увеличении максимальной энергии жесткого тормозного излучения от 20 до 30 МэВ и практически не зависит от толщин кремния и стального поглотителя.
4. Показано, что эффективность оптимального переднего усиливающего экрана растёт при увеличении максимальной энергии жёсткого тормозного излучения, уменьшении слоя кремния и увеличении толщины стали, изменяясь от 1,1 до 1,7 при возрастании слоя поглотителя от 2,5 до 30 см, максимальной энергии спектра 30 МэВ и I см кремния.
5. Показано, что для цилиндрического детектора диаметром
3 мм с образующей, ориентированной параллельно переносу излучения и равной I см, оптимальная толщина боковых усиливающих экранов из свинца растёт от 0,3 до 0,4 мм при увеличении толщины стального поглотителя от 2,5 до 30 см и максимальной энергии спектра тормозного излучения 20-30 МэВ. Эффективность оптимального бокового усиливающего экрана возрастает от 1,2 до 1,65 при увеличении слоя стали от 2,5 до 30 см, максимальной энергии излучения 30 МэВ и тех же размерах детектора.
6. Рассчитано взаимное влияние детекторов и их апертурные характеристики. Предложена конструкция преобразователя, включающая передние и боковые усиливающие экраны и позволяющая повысить дефектоскопическую чувствительность в 2,7 раза при контроле стального поглотителя толщиной 30 см.
7. Проведён анализ быстрых релаксационных процессов уста -новления равновесия между внешним полем и полем объёмного заряда в полупроводнике, в результате которого получены эквиватент-ная схема ЩПДМ-структуры с постоянным смещением, пределы применимости эквивалентной схемы, импульсные и переходные характеристики детектора излучения на основе ВДПДМ-структуры. Установлена зависимость инерционности такого детектора от степени обеднения полупроводника.
8. Показано, что движение основных носителей в полупроводнике под действием ВЧ напряжения подчиняется уравнению Риккати с одним параметром, характеризующим влияние поля объёмного заряда. Подучены решения этого уравнения для различных значений параметра, из которых следует увеличение инерционности ВДПДМ -структуры при уменьшении амплитуды ВЧ напряжения и возможность работы на частотах более 2,5 МГц при амплитуде ВЧ напряжения 100 В для структур на основе кремния р-типа с удельным сопротивлением 10^ Ом.см и толщиной в направлении приложения поля 3 мм. Получено уточнённое выражение для коэффициента усиления детектора с учётом рекомбинации на границах, диффузионного рас -плывания сгустка избыточных носителей и движения основных носителей.
Исследованный метод может использоваться для контроля жестким тормозным излучением изделий большой толщины. Методика расчёта сигнала и шумов применима для расчёта любых цреобразо -вателей излучения, в том числе с усиливающими экранами, и позволяет проводить оптимизацию с целью получения максимальной чувствительности.
Метод получения эквивалентной схемы ЩПДМ-структуры и рассмотрения динамики образования обеднённой зоны может быть использован в изучении быстрых релаксационных процессов в полупроводниках при различных импульсных воздействиях.
Дальнейшее усовершенствование метода контроля с исполь -зованием полупроводникового преобразователя лежит на пути разработки детекторов на основе новых полупроводниковых материалов с большим эффективным атомным номером и плотностью, увеличения разрешающей способности за счёт миниатюризации детекторов и систем сканирования (специализированные микросхемы) , применения методов апертурной коррекции, а также сочетания полупроводникового преобразователя с ЭВМ, снабженной специальными алгоритмами обработки информации.
Автор благодарит кандидата технических наук, доцента В.С.Мелихова за полезные обсуждения, постоянную поддержку и внимание к работе.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В данной работе была поставлена задача: определить предельные возможности метода интроскопического контроля жестким тормозным излучением поглотителей больших толщин с применением полупроводникового преобразователя на основе ЦЦВДМ-1структур с ВЧ смещением, оценить преимущества данного метода, исследовать пути повышения чувствительности метода с помощью усиливающих экранов, провести анализ процессов, происходящих в детекторах под действием излучения и электрического поля, с целью определения режимов работы структур ЩПДМ.
Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Рубинович, Илья Матвеевич, 1983 год
1. Добромыслов В,А., Румянцев С.В. Радиационная интроскопия. -M.S Атомиздат, 1972. - 352 с.
2. Варбанский A.M. Телевидение. М. : Связь, 1973. - 464 с.
3. Зворыкин В.К., Мортон Д.А. Телевидение. М.: Изд-во иностр. лит., 1956. - 784 с.
4. Роуз А. Зрение человека и электронное зрение. М.: Мир, 1977. - 216 с.
5. Золотарёв В.Ф. Безвакуумные аналоги телевизионных трубок. -М.з Энергия, 1972. 216 с.
6. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения / Под ред. П.Йесперса и др. М.: Мир, 1979. - 576 с.
7. Сангстер, Тир. "Пожарные цепочки". Зарубежная радиоэлектроника, X97I, № 10, с.116-125.
8. ЛоуСе W.S., SmithG.Е. Charge CoupCed Semiconductor devices,-Mi System Jechn.J., 1970,v.49,/Tj,p. 587-593. . .
9. Моди H., Пол В., Джой M. Медицинские гамма-камеры. Обзор. -ТИИЭР, 1970, т.58, № 2, с.41-70.ю. Parker R. Р., Gunnersen Е. М.,Ufanktincj. 3.L.,
10. Etiti R-.Л Semiconductor Gamma Camera with
11. Quantitative Output. In : Medical Radioisotope
12. Scintigraphy: IЛЕЯ Sijтр.(Saliburcj).Vienna,I969,u.l ,p. 71-85.1.. Mc Cready.tf.R.,Parker RA,&unnersen E.M.,ElUsR.,MossE.,
13. Gore Uf.G.f$ett J. CCinicaC tests on a Prototype
14. Semiconductor 9 am ma Camera, -(ftrit. J Radiol., 1971, V, 44, VJ/7, p. 58 -62.
15. Петушков А.А. Полупроводниковые детекторы адерных излучений в медицине и биологии. М.: Медицина, 1976. - 152 с.
16. Owen R.S., dwcock M.L. One and Two Dimensional Position Sensing Semiconductor DetectorsrIEEE Утопе. Kuct. Set., /968, v. MS -15 ,ff3,p. 290-303.
17. Адаменко A.A., Валевич М.И. Радиационный неразрушающий контроль сварных соединений. Киев:. Техника, 1981.- 160 с.
18. Дцаменко А.А., Валевич М.И., Шалдерван П.И. Радиометричес -кий дефектоскоп для непрерывного визуального контроля материалов и изделий. Изв.вузов. Приборостроение, 1979, т.22, № 5, с.66-70.
19. ГР 74048070; Инв. $ Б 338773. Томск, 1974. - 163 с.
20. Горбунов В.И., Мелихов B.C. Полупроводниковые детекторы жёсткого тормозного излучения в дефектоскопии / При участии И.М.рубиновича/. Дефектоскопия, 1978, № 2, с.28-36.
21. Положительное решение по заявке 3530932/18-09. Способ компенсации неравномерности видеосигнала матричного фотоприёмника / Н.Ю. Герасёнов, И.М.Г^бинович.
22. Герасёнов Н.Ю., Рубинович Й.М. Отношение сигнал/шум на выходе интроскопа с мозаичным полупроводниковым преобразователем жесткого тормозного издучения и цифровой обработкой информации. Дефектоскопия, 1983, № I, с.69-77.
23. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1982. -376 с.
24. Ильина М.А., Гурвич A.M. Эксплуатационные свойства люминесцентных экранов для рентгеноскопии. Заводская лаборатория, 1964, т.30, № 5, с.580-584.
25. Иванов В.И. ftypc дозиметрии. 3-е изд., перераб. и доп. -М.: Атомиздат, 1978. - 392 с.
26. Гурвич A.M., Катомина Р.В. О выборе светосостава для рентгеновских экранов. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1961, т.25, № 4, с.506-508.
27. Гурвич A.M. Рентгенолюминофоры и рентгеновские экраны. -М.: Атомиздат, 1976. 152 с.
28. Холмшоу. Методы визуализации рентгеновского и гамма-издуче-ния. В кн.: Методы неразрушагацих испытаний: Физическиеосновы, практические применения, перспективы развития / Под ред. Р.Шарпа. М.: Мир, 1972, гл.8, с.261-287.
29. Wgcherley J.R.,Shemmans M.J. Fluoroscopy with а Marconi 12in. Image dmpliftez at 15 MeV and 18 MeV. -dppl. Mater. Res., 1966, p. 195-199.
30. Vincent <3J.,Shemmans M. J.(Fluoroscopy urith a Marconi 12 in.I mage ^Amplifier at Energies up to 5МеУ.-Лрре. Mater.Res.,1966,v.5} /S3,p. 172-180.
31. Rosed.Fke Sensitivity Performance of the Human Eye on an (Absolute Scale. J. Opt. Soc. dim., №8, V. 38, tf2, p. 196-205.
32. Sturm R.E., Morgan R. H. Screen Intensification Sgsterns and <f/teir Limitations .-dmЛ Roentgenol. Rod. (Ther., Ш, v. 62f X5, p. 617- 634.
33. Fowler F.F.Jhe Fundamental Limits of Information Content in Solid Stale Image Intensifying Panels Compared with Other Intensifying Systems.-3rit. J. Radiol., I960, v. , Уд90у p. 352 337. ■
34. Воробьёв A.A., Горбунов В.Й., Воробьев В.Д., Титов Г.В. Бетатронная дефектоскопия материалов и изделий. М.: Атом-издат, 1965. - 180 с.
35. Егоров Ю.А. Сцинтилляционный метод спектрометрии гамма-из -дучения и быстрых нейтронов. М.: Госатомиздат, 1963. -308 с.
36. Polanshy £>.,Criscuolo E.L.Characteristics of a Closed Link Television X- Roy Inspection System. - Monde s tr. (Testing, 1956, v. ,JV3, p. 18 -<?/.
37. Эйнгер, Дэвис. Эффективность регистрации гамма-лучей и пространственное разрешение йодистого натрия. Приборы длянаучных исследований, 1964, № 6, с.37-42.
38. ЗаЦцман Г.И., Свирякин Д.И., Шпагин А.П. Оценка свойств некоторых сцинтилляторов как преобразователей гамма-изображения в видимое. ПТЭ, 1966, № 6, с.90-93.
39. Горбунов В.И., Шпагин А.П. Исследование характеристик радиационных интроскопов. В кн.: Электронные ускорители: Труды У1 Межвузовской конференции по электронным ускорителям. Томск, 21-26 февраля 1966 г. М.: Энергия, 1968, с.569-576.
40. Забродский В,А., Недавний О.И. Влияние рассеянного излуче -ния на изображение дефекта при интроскопии высокоэнергети -ческим тормозным излучением. Дефектоскопия, 1978, № 3,с.35-42.
41. Бьгоб Р. Фотопроводимость твёрдых тел. М.: Изд-во иностр. лит., 1962. - 560 с.
42. Быков Р.Е., Коркунов Ю.Ф. Телевидение в медицине и биологии. Л.: Энергия. Ленингр. отд -ние, 1968. - 224 с.
43. Малахов И.К. Применение гамма-дучей и ультразвука в телевидении. Техника кино и телевидения, 1961, № 7, с.76-83. .
44. Левин, Фейнголд. Система видения миллиметрового диапазона для работы в любых метеорологических условиях. Электроника, 1970, т.43, № 17, с.16-23.
45. Полупроводниковые детекторы в дозиметрии ионизирующих излучений / Кронгауз А.Н., Ляпидевский В.К., Мандельцвайг Ю.Б.,
46. Подгорный В.Н.; Под ред. докт.техн.наук В.К.Ляпидевского. -М.: Атомиэдат, 1973. 180 с.
47. Прикладная спектрометрия с полупроводниковыми детекторами / Балдин С.А., Вартанов Н.А., Ерыхайлов Ю.В., Иоаннесянц Л.М., Матвеев В.В., Сельдяков Ю.П. М.: Атомиздат, 1974. - 320 с.
48. Mayer J., Gossick Use of du -Ge $roaddrea(Carrier as dEpha -ParticEe Spectrometer. -Rev.Sctlnstrum., 1956, v. 27 7 AT 6, p. Ш -Ш.
49. Акимов Ю.К., Калинин А.И., Кущнирук В.Ф., Юнгклауссен X. Полупров одниковые детекторы ядерных частиц и их применение
50. Под ред. канд.физ.-мат. наук Ю.К.Акимова. М.: Атомиздат, 1967. - 256 с.
51. Дирнли Дж., Нортроп Д. Полупроводниковые счётчики ядерных излучений. М.: Мир, 1966. - 360 с.
52. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников, М.: Наука, 1971. - 480 с.
53. Martin cF. Uf. IntegratedЕ and df/dx Semiconductor ParticEe /Detectors Made 6y Ion Implantation. -tfucE. Inst rum. Meth .,1969, v.72, tf 2,p. 223-225.
54. Легирование полупроводников ионным внедрением: Сборник статей / Пер. под ред. В.С.Вавилова, B.M.ItyceBa. М.: Мир, 1971. - 532 с.
55. Set carz Е., Chwaszczeurska3.t Stapa М., Szymczak М., <7ysJ, Surface Carrier Lithium drifted SiCicon Юе tec tor with Evaporated Guard Ring.-NucC. Instzum. Meth.,1970, i/.77/l,p.21-28.
56. PeEE £ M. Ion £)rift in an n-p Junction- J. Qpp€. PhtfS., I960, tr. 31,j/t2, p. 291-302.
57. Роуз А. Основы теории фотоцроводимости. М.: Мир, 1966. -192 с.
58. Eddoiis &V., Wright Н.С. Photocurrent &ain ina. c. c&Lased Photoconductors. $ri t. J. dpp£, Phys., 196b, v. /, tftl, p, №9 -1457.
59. Соммерс. Демодуляция широкополосных слабых оптических сигналов при помощи полупроводников. ТИИЭР, 1963, т.51 , № I, с.179-185.
60. Соммерс, Тейч. Демодуляция широкополосных слабых оптичес -ких сигналов при помощи полупроводников. Часть.П: анализ работы детектора на фотосопротивлении. ТИИЭР, 1964, т.52, & 2, с.150-159. .
61. Соммерс мл., Гетчелл. Демодуляция широкополосных слабых оптических сигналов при помощи полупроводников. Часть Ш: экспериментальное исследование приёмников излучения на фотосопротивлении. ТИИЭР, 1966, т.54, Г» II, с.58-75.
62. Мендел JI. Флуктуации изображения в многокаскадных усилите -лях яркости. В кн.: Каскадные электронно-оптические пре образователи и их применение: Сборник статей. М.: Мир, 1965, с.233-239.
63. Шпагин А.П. Разработка и исследование радиационного телевизионного интроскопа: Дис. на соиск.учён. степени кацц.техн. наук. Томск, 1967. - 208 с.
64. Mann H. H.R., Sherman I. S. OBseri/ations on the Energy Resolution of GermaniumiDetectors for 0,1-10 Me V Gamma-Rays.-IEEETrans. MucE. Sci., 1966, tr.JVS-13, Jf3,p. 252 264.
65. Meyer 0., Lanymann H.J. HersteEEuno und Untcrsuchuny von dicken oasisfreien OBerEachen Sperrschicht -ZahEern -NucE.Instrum. Meth.,1966, v.39,Nl,p. 119 -12%.
66. Sher d.H. Carrier (Trapping in Ge(Li)^Detectors. -IEEE frans. NucE. Sci., 1971, tr. WS -16 , Ml,p. 175-183.
67. Henck R., Gutknecht Ю., Siffert P.,Z)eLaet L ., Schoenmaekers W. frapp Lay Effects In Ge (Li)сdetectors and Search for a Correlation with Characteristics Measured on the P-fype CrystaEs-IEEE Jrans. NucE. Sci., 1970, и, JVS-179M3-,tp. 149-159.
68. Ван дер Зил А. Флуктуации в радиотехнике и физике. М.; Л.: Госэнергоиздат, 1958. - 296 с.
69. Ван дер Зил А. Шум (источники, описание, измерение). М.: Сов.радио, 1973. - 228 с.
70. Кольчужкин A.M., Учайкин В.В. К расчёту выявляемости дефектов в сцинтилляционной гамма-дефектоскопии. Дефектоскопия,1969, № I, с.86-94.
71. Katz L., Penfotd Л. S. flange-Energy Relation for Electrons and the Determination of Seta-Rag End Poin t Energies 6g Absorption. - Rev. Mod. Phgs.,
72. Воробьёв А. А., Кононов Б.А. Проховдение электронов.через вещество. Томск: йзд-во Томск. ун-та, 1966. - 178 с.
73. Аккерман А.Ф., Никитушев Ю.М., Ботвин В.А. Решение методом Монте-Карло задач переноса быстрых электронов в веществе. -Алма-Ата: Изд-во "Наука" Казахской ССР, 1972. 164 с.
74. Goudsmit S., Sounder son O.L. Muttipte Scattering of Etectrons.-Phgs. Rev., 194-0, v. 57p. 24 -29.
75. Goudsmit S. ,Saunderson J.L. MuttLpk Scattering of Etectrons.I. -Phgs.Rev., 1940, v. 58,tfl,p. 36-42.
76. Afigam J3.P., Sundaresan M.K.,Wu T-Y. J-freorg of Muttipte Scattering -. Second (Лот dtpproximation and Corrections to Mo tic re's Work.-Phgs. Ret/., 1959,if. 115 , , p. 491-502.
77. Marion O.cM.9 Zimmerman S.dt. Muttipte Scattering of Charged Partictes-Nuct. In strum .Meth., 1967, V. 51 p. 93 -101.80. (fiethe H.dt. Motiere's cTheorg of Muttipte Scattering. -Phgs. Rev., 1953, ir.89, //6,p. 1256-1266.
78. Leiss J E,, Penner S., RoSinson C. S. Range Straggling of Htyh -Energg Etectrons in Сагбоп. -Phgs.Rev., 1957, v. 107, л/6, p. 154-4 -1548.
79. Perkins J. F. Monte С art о Cat си tat ion of (Transportof Jast Etectrons.-Phys. Rev, 1962, v. 126, ss5,p.t78l4784.
80. J~rump О.О., Wright fid., Cearke d.M. tDistriSution of Ionization in Materials Irradiated 6у Jiuv and Jhree МШоп ~Mt Cathode Rays. -J.dppB. Phys., v. 21,
81. Sternheimer FL.M. Ohe density Effect for the Ionization loss in Ifarious Mater iats.-Phys, Rev., 1952, v.88, Я4, p. 851-859.
82. Stemheimer R.M. Jhe Energy loss of a Sast Charged Particle 6y Cerenkov Radiation. -Phys. Rev., 1953, V.9t,JT2, p 256-265.
83. JeEdman О. Range of 1-lOkeV Electrons in So fids. -Phys. Rev., 1950, V. 117, ЛГ2, p. U55-459.
84. Альфа- , бета- и гамма-спектроскопия. Вып.I / Под ред. К.Зигбана. М.: Атомиздат, 1969. - 568 с.
85. Стародубцев С.В., Романов A.M. Взаимодействие гамма-излучения с веществом: Часть I. Источники гамма-излучения и элементарные процессы взаимодействия гамма-лучей с веществом.-Ташкент: Изд-во "Наука" Узбекской ССР, 1964. 252 с.
86. Сторм Э., Исраэль X. Сечения взаимодействия гамма-излуче -ния: Справочник. М.: Атомиздат, 1973. - 256 с.
87. Росси Б. Частицы больших энергий. ГИТТЛ, 1955. - 636 с.
88. Stearns М. Mean Square dn^es of JSremsstrahZung, and Pair Production. -Pfiys. Rev., /049, ir. 76\ at6,p. 836 839.
89. Аккерман А.Ф., Ботвин В.А., Чернов Г.Я. Вторичные излучения из плоской мишени, облученной высокоэнергетичными J' -квантами. Алма-Ата, 1976. - 24 с. - (Препринт / Институт физики высоких энергий Академии наук Казахской ССР: ИФВЭ-28 -76 ). .
90. ФаноУ., Спенсер Л., Бергер М. Перенос гамма-излучения. М.: Госатомиздат, 1963. 284 с.
91. Кольчужкин A.M.Учайкин В.В. Введение в теорию прохождения частиц через вещество. М.: Атомиздат, 1978. - 256 с.
92. Гольдштейн Г. Основы защиты реакторов. М.: Госатомиздат, 196I. - 344 с.
93. Кузнецов В.Б. Исследование переноса тормозного излучения с энергией 1-30 МэВ: Дис. на соиск. учён, степени кацц. физ.-мат. наук. Томск, 1965. - 139 с.
94. White G.R.&he Penetration and diffusion of Co Gamma -Rays in Water Using Sphericae Geometryr Phys. Rev., /950, v. 80, sf2, p. 154- -156.
95. Кимель Л.P. Определение фактора накопления в барьерной геометрии. Атомная энергия, 1963, т.14, вып.З, с.315-316.
96. Schijf LJ.Energy-dnyte £)istri6ution of (Thin Jar yet <%remsstrah£ung. -Phys. Rev., /951,v. 83, Я 2, p. 252 255.
97. Янкелевич Ю.Б. Исследование многократного рассеяния гамма-излучения с энергией 100-1000 кэВ: Дис. на соиск. учён, степени канд. физ.-мат» наук. Томск, 1965. - 103 с.
98. Якобсон А. М., Джгалян К. М. Экспериментальное определение контраста рентгеновского изображения дефектов в изделиях. -Заводская лаборатория, 1963, т.29, № 7, с.811-813.
99. Шпагин А.П., Выстропов В.И. К расчёту контраста рентгеновского изображения. Дефектоскопия, 1972, № 3, с.118-122.
100. Шпагин А.П., Рубинович И.М. Энергетические факторы накоп -ления для рентгеновского излучения. Заводская лаборато -рия, 1982, т.48, №7, с.49-51.
101. Машкович В.П. Защита от ионизирующих излучений: Сцравоч -ник. 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергоатомиздат, 1982. - 296 с. .
102. Орлов А.Н. Расчёт влияния рассеянного излучения на чувствительность радиографического метода. В кн.: Гамма-дефек -тоскопия металлов. М.: Изд-во АН СССР, 1955, с.22-53.
103. НО. Голиков Е.Г., Зольников П.П., Q/ханова К.А. Характеристики излучения, отражённого свинцовыми экранами при бетатронографии. Дефектоскопия,1974, № 2, с.97-100.
104. Румянцев С.В. Радиационная дефектоскопия. 2-е изд.,пере-раб. и доп. - М.:Атомиздат,1974. - 512 с.
105. Копелиович М.Х.,Якобсон A.M. Металлическая пластина в качестве электронного преобразователя гамма (рентгеновских) изображений. В кн.:Интроскопия. М.: Изд-во ЦНИИ ТЭИ приборостроения, 1967, вып.I , с.54-61.
106. ИЗ. Огееп £).Z,Xiktas UJ.Z Лп Image IntensLfLer fi/Se with. High Sain /or I MeV Photons. Mater. Evaluation, /954, v. 22, fsTIO, p. 465- 470.
107. Мелихов B.C.,Рубинович И.М. Эффективность усиливающих экранов в мозаичном полупроводниковом преобразователе и апертур-ные характеристики датчиков. -Дефектоскопия,1982, № 12,с.54-60.
108. А.с. 766467 (СССР). Мозаичный преобразователь жесткого ионизирующего излучения / В.С.Мелихов,И.М.Рубинович.-Опубл. в1. Б.И.,1982, № 43 .
109. А.с.1005225 (СССР).Мозаичный преобразователь жесткого ионизирующего излучения / Н.Ю.Герасенов, В.С.Мелихов, И.М.Рубинович.
110. Рыбкин С.М. 0 так называемом "вторичном" и "сквозном" фототоке в полупроводниках. ЖТФЛ956, т.26, вып.Ц, с.2439-2447.
111. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М.; Физматгиз, 1963. 496 с.
112. Ковтонюк Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник-диэлектрик. М.: Энергия, 1976. - 184 с.
113. Heiman J. P. On the determination of Minority Carrier Lifetime from the (Transient Response of an MOS Capacitor. -IEEE Jrans. Electron {Devices, 1967, v. ЕЮ-lb, /Ml, p 781 -784.
114. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергия, 1973. -608 с.
115. Горбачёв В.В., Гохфельд Ю.И. Импеданс ЩПДМ-структуры. -Радиотехника и электроника, 1973, т.18, вып.9, с.1986-1988.
116. Мелихов B.C., Рубинович И.М. Фотоэлектрические свойства ЩПДМ-структур с высокочастотным смещением. Томск, 1980.29 с. - Рукопись представлена Томск, политехи, ин-том им. С.М.Кирова. Деп. в ВДИИ "Электроника" 3 февраля 1981 г.,
117. ДЭ-3125. Реф.: МРС ВИШ "Техника, технология, экономика" , Сер. " ЭР " , 1981, № 24.
118. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике: Для научных работников и инженеров. 4-е изд. - М.: Наука, 1977. -832 с.
119. Камке Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям. 5-е стереотип, изд. - М.: Наука, 1976. - 576 с.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.