Разработка и исследование перспективных СВЧ-микросборок с заглубленными компонентами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.05, кандидат технических наук Иовдальский, Виктор Анатольевич

• Иовдальский, Виктор Анатольевич
• кандидат технических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат технических наук Иовдальский, Виктор Анатольевич

МПП

4.5.Технология сборки и монтажа кристаллов в углублениях платы

4.6.Вывод ы

5. Исследование и анализ эффективности совершенствования СВЧ ГИС и МСБ

5.¡.Улучшение электрических характеристик ГИС и МСБ новых разработок

5.2. Улучшение тепловых характеристик новых разработок

5.3 .Улучшение массогабаритных показателей СВЧ устройств новой разработки

5.4. Выводы

Заключение

Литература

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ СОКРАЩЕНИЙ.

АФАР - активная фазированная решетка.

ГМИП - гибридно-монолитный интегральный прибор.

ГИС, БГИС - гибридные интегральные схемы, большие ГИС.

ГУН - генератор, управляемый напряжением.

КВЧ - крайне высокие частоты.

КПД - коэффициент полезного действия.

КСВН - коэффициент стоячей волны.

КУС - краевой угол смачивания.

МГВУ - микрополосковое гибридное вакуумное устройство.

МКП - многослойные коммутационные платы.

МПЛ - микрополосковая линия.

МФНУ - микрофотонаборная установка.

МПП - микрополосковые платы.

МСБ - микросборка.

НЧ - низкая частота.

ОИС - объемные интегральные схемы.

ОГИС и ОМСБ - объемные ГИС и объемные МСБ.

ПП - полупроводниковые приборы.

ПМУ - промежуточный монтажный уровень.

ПТШ - полевой транзистор Шотки.

ПЧ - промежуточная частота.

РЭА - радиоэлектронная аппаратура.

ССОИ - система сверхбыстрой обработки информации.

TBK - тепловыделяющий компонент.

ТВЭ - тепловыделяющий элемент.

TOB - тепловыделяющий выступ.

УВН - установка вакуумного напыления.

УМ - усилитель мощности.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование перспективных СВЧ-микросборок с заглубленными компонентами»

ВВЕДЕНИЕ.

Современный период развития общества ознаменован нарастающими темпами научно-технического прогресса во всех отраслях промышленности и в особенности в таких наукоемких, как радиоэлектроника. Во многом успехи развития радиоэлектроники базируются на тех достижениях которые получены в области микроэлектроники, создающей фундамент для разработки более сложных, принципиально новых устройств и получения уникальных свойств радиоэлектронной аппаратуры. Вместе с тем развитие радиоэлектроники и микроэлектроники сопровождается повышением требований к надежности работы, уменьшению массы и объема, а также снижению энергопотребления и трудоемкости изготовления электронных изделий.

Проблемы разработки изделий электронной техники нового поколения, отличающейся большей степенью интеграции, сложностью и универсальностью породили новую тенденцию развития микроэлектроники - комплексную микроминиатюризацию (КММ). [1]

КММ направлена на постоянное увеличение отношения функционального содержания устройства, сложности, степени интеграции к его материальному содержанию (массе, объему, стоимости). Поэтому естественно, что КММ использует новейшие достижения науки и техники в области физики, химии, математики, биологии и т.д. При этом требуется разработка новых методов формообразования конструкций и по-новому ставятся задачи обеспечения эксплуатационной надежности устройства. Повышение степени интеграции компонентов выражающееся обычно в количестве элементов на кристалл или на единицу площади кристалла, привело к появлению подобной оценки плотности компоновки, как плотности размещения элементов и (или) компонентов на единице площади монтажной плоскости. [1] и сопровождается развитием техники размещения компонентов в функционально-законченных блоках и устройствах. Появление же объемных или трехмерных гибридных и монолитных интегральных модулей (устройств) привело к появлению нового показателя - количество элементов и (или) компонентов на единицу объема.

Развивая идею объемной компоновки, с появлением объемных гибридных интегральных схем, а затем объемных интегральных модулей и даже блоков, появился подобный показатель и для них.

Актуальность работы. Успехи развития микроэлектронных устройств во многом связаны с достижениями техники гибридных интегральных схем (ГИС), больших ГИС (БГИС), микросборок (МСБ). Именно гибридная технология позволяет решать задачи существенного повышения технических характеристик проектируемых устройств СВЧ диапазона.

Существующие конструкторские решения и технологические методы изготовления СВЧ ГИС не позволяют в полной мере удовлетворить задачам проектирования и реализации новых оригинальных конструкций СВЧ ГИС и МСБ с улучшенными электрическими, массо-габаритными и тепловыми характеристиками, а также повышенной надежностью. Создание нового поколения СВЧ ГИС с улучшенными характеристиками наталкивается на отсутствие эффективных конструкторских решений либо рекомендаций и адекватных физико-математических моделей, технологических методов формообразования сложнопрофильных подложек для микрополосковых плат (МПП), методик расчета эффективности модернизации конструкции и технологии изготовления таких устройств. Поэтому задачи, связанные с совершенствованием конструкции и технологии СВЧ ГИС и МСБ с целью улучшения их электрических, тепловых и массогабаритных характеристик, а также с повышением эксплуатационной надежности практически необходимы и актуальны.

Цель работы. Разработка и исследование новых конструкций и технологий изготовления СВЧ ГИС и МСБ на основе микрополосковых плат (МПП) с заглублением в них корпу-сированных либо бескорпусных компонентов, что позволяет улучшить электрические и тепловые характеристики, а также массогабаритные показатели СВЧ устройств.

Постановка задачи. Исходя из сформулированной цели, в диссертации поставлены следующие задачи:

1. Анализ имеющихся и разработка новых перспективных конструкций СВЧ устройств и технологии их производства.

2. Моделирование и исследование электрофизических и тепловых параметров, сравнительный анализ известных и новых СВЧ устройств.

3. Совершенствование конструкций конкретных СВЧ устройств.

4. Разработка и исследование технологии изготовления МПП с углублениями и ГИС (МСБ) на их основе.

5. Исследование и анализ эффективности совершенствования СВЧ ГИС и МСБ.

Объектом исследования являются СВЧ ГИС и МСБ с заглубленными в МПП элементами и компонентами и технология их изготовления.

Предметом исследования служат электрические, тепловые и массогабаритные характеристики СВЧ ГИС, технологические операции и маршруты их изготовления, а также электрофизические параметры и состав материала подложек.

Метод исследования - комплексный, характеризуемый последовательным использованием современных теоретических представлений и методик по обработке сигналов в СВЧ устройствах, теории теплопередачи в них, ЭВМ, технологических методик, спектрального анализа и вероятностного анализа.

Научная новизна. В диссертации впервые получены следующие результаты:

1. Разработаны и защищены авторскими свидетельствами и патентами новые конструкции различных СВЧ устройств с элементами и компонентами в МЛН с улучшенными электрофизическими и тепловыми характеристиками и массогабаритными параметрами.

2. Исследованы возможности улучшения тепловых характеристик СВЧ устройств за счет заглубления компонентов в МШТ с применением машинного моделирования.

3. Разработаны технологические процессы реализации разработанных СВЧ устройств.

4. Разработаны и исследованы конструкции СВЧ устройств частного применения с заглубленными компонентами.

5. Исследовано влияние технологических режимов выполнения отдельных производственных операций на выходные параметры изготавливаемых устройств во взаимосвязи с конструктивными особенностями.

6. Исследован состав приповерхностных слоев подложки после углетермического травления углублений.

Научные положения выносимые на защиту.

1. Существенное улучшение комплекса параметров ГИС и МСБ СВЧ устройств достигается размещением элементов и компонентов в углублениях МШТ с обеспечением: планарно-сти рабочей поверхности, оптимальных зазоров, составляющих величину 0,05...0,15 мм между компонентами и стенками углубления и заполнением связующим теплоогводящим веществом.

2. Использование в качестве диэлектрика конденсаторов материала подложки Mliii путём её локального утончения позволяет изготовить монолитные конденсаторы, улучшать параметры ГИС и МСБ СВЧ и повысить их надёжность.

3. Создание комбинированных систем теплоотвода от тепловыделяющих элементов ГИС и МСБ (кристаллов полупроводниковых приборов и пленочных резисторов) позволяет значительно (в случае кристаллов в 2 раза, а в случае резисторов - до 8 раз) снизить температуру их перегрева.

4. Разработанные алгоритмы использования оригинальных и оптимизированных известных технологических приемов позволяют реализовать оптимальные технологические маршруты изготовления сложнопрофильных МШТ для перспективных ГИС и МСБ СВЧ.

Практическая ценность. Разработаны, исследованы и защищены 29s авторскими свидетельствами СССР и патентами России новые перспективные конструкции СВЧ ГИС и МСБ и

технологические процессы их реализации.

Результаты исследований опубликованы в 23- статьях.

Предложено размещение элементов и компонентов в углублениях Ml 11 1 с обеспечением планарности рабочей поверхности устройства, с обеспечением зазоров между компонентами и стенками углублений при дозированном заполнении последних связующим теп-лопроводящим веществом.

Разработаны перспективные конструкции СВЧ устройств частного применения с заглубленными компонентами и улучшенными параметрами.

Разработаны конденсаторы ГИС и МСБ СВЧ в составе Ml 111 с использованием в качестве диэлектрика конденсаторов мембран, выполненных из материала подложки путем ее локального утонения.

Предложены и унифицированы конструкции фотошаблонов и подложек с углублениями для производства МПП.

Разработаны новые оригинальные конструкции СВЧ ГИС и МСБ с улучшенными характеристиками за счет заглубления элементов и компонентов в объеме МПП, применения многослойных конструкций МПП, использования теплоотводящих вставок, теплоотводящих выступов, специальных конструкций теплоотводов и структуре ГИС и МСБ.

Разработаны технологические операции и маршруты для призводства МПП и СВЧ устройств.

Разработаны конструкторско-технологические рекомендации для оптимизации параметров СВЧ устройств.

Полученные результаты использованы при разработке и внедрении в серийное производство маршрутных карт ТС0.710.903МК, ТС0.710.904МК, ТС0.034.749МК, ТС0.034.750МК, ТС0.034.751МК, КРПГ.741.291.001МК1. По результатам проведенной работы разработаны и внедрены стандарты предприятия СТП ТС0.010.013-86. Платы микро-полосковые. Технические требования. [2]; СТП ТСО.019.017-88. Платы микрополосковые. Фотошаблоны. Технические требования. [3] И отраслевой руководящий документ РД11.0751-90 [4]. Внедрение результатов исследования по переводу производства МПП на модернизированную технологию с использованием разработанной конструкции фотошаблонов и результатов совершенствования отдельных технологических операций позволило получить экономический эффект при серийном производстве МПП в цехах 33 и 31 завода "Рений" НПО "ИСТОК". [5]

Оценка эффективности улучшения конкретных устройств на базе СВЧ ГИС и МСБ новых конструкций показала целесообразность и перспективность результатов работы.

Апробация работы. Основные результаты работы обсуждались : На научно-техническом семинаре НПО "ИСТОК", 1990г.; на 5-й Всесоюзной школе-семинаре "Математическое моделирование САПР и конструкторско-технологическое проек-

тирование объемных интегральных схем (ОИС) СВЧ и КВЧ диапазона", г.Тула, 1990г.; на Всесоюзном научно-техническом семинаре "Применение лазерных технологий в машиностроении и приборостроении, НПО "Корпус", г.Красногорск (Москва), 1991г.; на 6-й Межгосударственной школе-семинаре "Техника, теория, математическое моделирование и САПР систем сверхбыстрой обработки информации на объемных интегральных схемах (ОИС) СВЧ и КВЧ", г.Москва, 1992г.; на 3-й Крымской международной конференции "СВЧ техника и спутниковый прием", г.Севастополь, 1993г.; на 4-й Крымской международной конференции "СВЧ техника и спутниковый прием", г.Севастополь, 1994г.; на секции Межотраслевого экспертного совета по содействию внедрению научно-технических достижений, ВНИИМИ г.Москва, 22.09.1994г.

Публикация результатов работы. По результатам выполненных исследований опубликовано 23 печатных работы, 3 научно-технических отчета и 3 стандарта. Новые конструктор-ско-технологические решения нашли отражения в материалах 29 заявок на изобретение, на которые получено 2 авторских свидетельства, 9 патентов, 18 положительных решений о выдаче патентов России.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, 5 глав, заключения и списка литературы. Работа изложена на 133 страницах, содержит ¿¿>7 рисунков, и список литературы на ££0 наименований.

1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ СВЧ ГИС И МСБ.

1.1.ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ РЭА И ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ МАТЕРИАЛЫ

КОНСТРУКТИВОВ.

Совершенствование конструкций и технологии изготовления радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), работающей в СВЧ диапазоне, имеет свою специфику. Особенности функционирования СВЧ устройств, предъявляют с ростом частоты обрабатываемого сигнала все более жесткие требования к применяемым схемотехническим и конструкторско-технологическим решениям.

Твердотельная микроэлектроника в последние 20 лет завоевала прочные позиции при разработке изделий электронной техники СВЧ диапазона. Этому способствовали успехи в изучении новых физических явлений в полупроводниках, таких как лавинно-пролетный эффект, эффект Ганна и т.д., разработка микрополосковой техники на различных линиях передачи, разработка и освоение технологии создания изделий элементной базы на новых материалах. Современная РЭА СВЧ строится на базе ГИС и МСБ.

Схемотехническое изображение конструкторской иерархии РЭА представлено на рис. 1.1. Иерархию РЭА по функциональной сложности можно представить различными уровнями: от 0-го до 5-го (см.рис.1.1.). Изделия нулевого уровня: коммутационные платы, навесные компоненты - интегральные схемы (ИС)(в том числе ГИС), дискретные полупроводниковые приборы (1Ш), резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д., а также прочие конструктивы, к которым относятся детали и узлы конструкций, например рамки, соединители, реле, трансформаторы, переключатели, индикаторы и другие - являются элементной базой для построения многих устройств различного функционального назначения и для разнообразных областей применения.

С возрастанием уровня модуля от первого - функциональных ячеек и кассет - до второго, к которому относятся отдельные электронные блоки, затем третьего, т.е. РЭА в виде шкафов, стоек и т.п., и далее к 4-му - комплексу РЭА и 5-му - радиоэлектронным системам РЭС, значительно меняются количественные и качественные параметры и характеристики, описывающие эти устройства, возрастает их функциональная сложность.

В настоящее время постоянно расширяется область применения МСБ. МСБ - это микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования информации и состоящее из элементов, компонентов, (в том числе интегральных схем, корпусных и бескорпусных, а также других электрорадиоэлементов (ЭРЭ), находящихся в различных сочетаниях. МСБ характеризуются обычно высокой степенью интеграции и имеет конкретное назначение. Из рис. 1.1. видно, что РЭА 1, 2 и Зуровней может быть выполнена в виде отдельных микросборок, а для РЭА 4 и 5 уровней МСБ являются основными конструкциями.

система

I

вй-уровень

Комплекс РЭА^

шкафоЯ, стоек и т. д.

т

Отделбнь!е электронные тки

-2*уро#тб

Функциональны^

%йки,кассету

и_____

Коммутационные платы

Сутркотненм* рШн$/ештг/ш>

ные модули, много-

криеталШ/е шЯу-

I

Рис. 1.1. Схематическое представление конструкторской иерархии радиоэлектронной

аппаратуры (РЭА).

Для современной РЭА характерно применение суперкомпонентов. Суперкомпонент -это микроэлектронное изделие, представляющее собой преимущественно многокристальную МСБ различного (многоиерархического) использования и многофункционального назначения (см.рис.1.1.).

ГИС и МСБ являются основными изделиями электронной техники СВЧ диапазона. Конструктивно ГИС или МСБ представляют собой плату с топологическим рисунком пленочных элементов и межсоединений и с размещенными на ней навесными элементами (компонентами). Особенностью ГИС и МСБ СВЧ является то, что в состав топологического рисунка плат включаются элементы, специфичные для данного диапазона, например направленные ответвители (мосты Ланге), фильтры, различные согласующие элементы; резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д.. Такие платы получили название МПП.

Согласно требованиям КММ изделий, основными путями совершенствования МСБ и ГИС СВЧ являются: улучшение электрических характеристик; снижения массы и габаритов, улучшения тепловых режимов работы; повышения надежности; повышение технологичности, снижение стоимости.

Именно с этих позиций следует оценивать различные конструкции и технологии изготовления ГИС и МСБ, а также их отличия от аналогичных устройств на печатных платах. Очевидно, что ГИС и МСБ резко превосходят устройства на печатных платах по массогаба-ритным показателям. [6]

В настоящее время разработана и успешно применяется большое количество разнообразных конструктивно-технологических вариантов ГИС и МСБ. Классификация их может осуществляться по различным признакам и критериям: конструктивным, технологическим, по степени интеграции, по физическому принципу работы активных элементов, быстродействию, по потребляемой мощности, по способу применения в аппаратуре и т.д.

В настоящей работе рассматриваются ГИС и МСБ в основном ограниченные по применению СВЧ диапазоном. МПП - обычно представляет собой диэлектрическую подложку, на поверхности которой сформированы сосредоточенные элементы - резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д. и распределенные элементы схемы - микрополосковые линии (МПЛ); МПЛ линии передачи.

Традиционным для классификации СВЧ ГИС и МСБ является признак разделения по конструкции микрополосковых линий и их структуре. По технологии изготовления они делятся на толстопленочные и тонкопленочные ГИС. Толстопленочные ГИС и МСБ имеют толщину проводящих дорожек порядка ЗОмкм, шириной не менее 250мкм, получаемых нанесением металлизированной пасты содержащей измельченные проводящие или ризистивные и связующие стеклообразные составляющие. Однако из-за слабой химической связи толстые

пленки плохо адгезируют к хорошо обработанной (до 13-14 класса чистоты) подложке, при воздействии высокой температуры (300°С) и влажности происходит отслаивание. Это явление не наблюдается при нанесении толстых пленок на подложку 8-10 класса обработки, однако при этом возрастают потери и ухудшается точность нанесения рисунка схемы, что существенно для применения в СВЧ диапазоне. Реальная точность выполнения размеров элементов по толстопленочной технологии составляет ±20мкм. Отмеченные недостатки ограничивают использование толстопленочных ГИС и МСБ в основном нижней частью СВЧ диапазона (1-^-4 ГГц). [7]

Заключение диссертации по теме «Интегральные радиоэлектронные устройства», Иовдальский, Виктор Анатольевич

5.4. ВЫВОДЫ

В данном разделе определены основные электрические параметры и исследованы их характеристики в зависимости от схематических и конструкторских реализаций для различных СВЧ - устройств. По результатам исследований проведен сравнительный анализ традиционных и новых разработок, позволивший оценить эффективность последних с точки зрения улучшения их электрофизических параметров.

Разработаны и исследованы тепловые модели фрагментов ГИС (МСБ) с теплонапря-женными элементами и компонентами, позволившие оценить целесообразность модернизации конструкции этих ГИС (МСБ) с точки зрения обеспечения наилучших условий теплоотвода.

Тепловое моделирование с помощью ЭВМ позволило также осуществить оптимизацию разработанных СВЧ - устройств не только с целью улучшения теплоотвода, но и для снижения массогабаригных показателей этих устройств.

В результате оценки эффективности проведенной модернизации конструкций различных устройств в виде Г'ИС и МСБ с заглубленными элементами и (или) компонентами установлено существенное улучшение их электрических и тепловых характеристик, а также массогабаритных параметров на примере трех различных изделий, а именно: малошумящего усилителя, генератора управляемого напряжением и усилителя мощности.

Переход к разработанному варианту конструкции позволяет заметно улучшить массо-габаритные показатели ГИС и МСБ, а именно -сократить их объем на ~17,4% и массу на -16,2%.

Эффективность улучшения различных характеристик для каждого устройства своя, однако их общий уровень достаточно высок и достигает в 15-70%, что указывает несомненную целесообразность проведенной работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

В данной работе показано, что существующие конструкции и технология изготовления СВЧ - устройств имеют ряд серьезных недостатков и не позволяют улучшить их электрофизические параметры, а также организовать достаточно эффективное производство. Анализ тенденций развития конструкции показал возможность более эффективного использования поверхности объема подложек ГИС и МСБ при групповом изготовлении МПП на подложках размером 48X60 мм, максимального для выпускаемых промышленностью. Теоретические и экспериментальные исследования позволили получить следующие результаты.

1. Разработаны варианты конструкций СВЧ ГИС и МСБ с улучшенными характеристиками на основе более эффективного использования объема подложки МПП, что позволило выработать конструкторско-технологические решения по созданию ГИС и МСБ СВЧ нового направления - объемных многокристальных модулей.

2. Разработаны варианты комбинированных конструкций с эффективными теплоотводами от тепловыделяющих заглубленных компонентов (кристаллов Г1Г1) и планочных резисторов СВЧ ГИС и МСБ.

3. Разработаны конструкторские решения ГИС с проходными и блокировочными конденсаторами на основе заглубленных элементов, выполненных на мембранах из материала подложек, что позволило повысить их надежность из-за отсутствия сварных и паяных соединений.

4. С использованием физико-математического моделирования и сравнительного исследования двух моделей - разработанной и традиционной конструкций СВЧ ГИС и МСБ (с расположением элементов и компонентов в углублениях подложки и конструкции с расположением компонентов на поверхности МОП и установлены преимущества новой конструкции с точки зрения улучшения электрофизических параметров устройства и эффективности производства.

5. Разработаны и унифицированы конструкции фотошаблонов и подложек, предусматривающие максимально плотное расположение топологий МПП на подложке, освобождение краевых областей для размещения знаков совмещения и маркировки, строго определенную ширину зоны реза и линий, обозначающих зону реза.

6. При выполнении исследования и совершенствования технологических операций по изготовлению МПП установлено преимущество обработкив азотно-перекисных и хромовой смесях и оценено их влияние на стабильность резисторов, разработаны и внедрены в серийное производство оптимальные технологические режимы прошивки отверстий в положках из различных материалов различной толщины, показана возможность и целесообразность использования масок, выполненных из поликора, с тонким формообразующим краем.

7. С применением теплового моделирования выявлено, что разработанные объемные конструкции ГИС и МСБ позволяют значительно снизить перегрев их компонентов и элементов, а именно: перегрев кристаллов ГШ в 2 раза, а пленочных резисторов в 8 раз. Машинное моделирование с использованием разработанных тепловых моделей позволило оптимизировать конструкцию мощных СВЧ - устройств для обеспечения лучшего теплоот-вода.

8. Разработаны технолог ические процессы фрезерования подложек МПП СВЧ ГИС и МСБ нового поколения. Выработаны технологические рекомендации по оптимизации режимов формирования углублений в МПП объемных устройств.

9. Разработаны многослойные конструкции ГИС СВЧ на основе многослойных МПП содержащих в объеме пленочные пассивные элементы при различных вариантах расположения навесных компонентов в различных функциональных слоях платы.

10. Исследована и подтверждена эффективность разработок - МПП с углублениями в конструкциях объемных СВЧ ГИС и МСБ с точки зрения улучшения электрофизических параметров СВЧ - устройств и повышения их эксплуатационной надежности при улучшении массогабаригных показателей.

11. Результаты данной работы использованы при разработке высоконадежных СВЧ устройств базового комплекса бортовой аппаратуры летательных аппаратов пятого поколения (тема «Паритет «-Т»), 1160].

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Иовдальский, Виктор Анатольевич, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА,

1. Конструирование и расчет БГИС, микросборок и аппаратуры на их основе/Под ред. Высоцкого Б Ф. - -М. Радио и связь, 1981 - 5-7с.

2. СТП ТСО. 010. 013-86. Платы микрополосковые Технические требования. ГНПП "ИСТОК"/ Иовдальский В.А, и др., 1986.

3. СТП ТСО. 010. 017-88. Платы микрополосковые. Фотошаблоны. Технические требования. ГНПП "ИСТОК"/ Муратов Б Д., Иовдальский В.А., Сафронов B.C., 1988.

4. РД 110751-90. Отраслевой руководящий документ. Модули СВЧ интегральные. Требования к конструированию микрополосковых плат. / Мурсков А.Ф, Климачев И.И., Северюхина Л И., Иовдальский В.А., Савцова А.Ф. —М.:1ГТУ МЭП СССР, 1990.

5. Иовдальский В.А. и др. Технический отчет 334. Разработка серийной технологии группового изготовления микрополосковых плат с целью снижения трудоемкости, сокращения материалов и химических реактивов. УД621.3.049.776.002 И-75, I7174/PM-1,1985.

6. Бондаренко O.E., Федотов Л.М. Конструктивно-технологические основы проектирования микросборок., -М :Радио и связь, М., 1988.

7. Ермолаев Ю.П., Пономарев М.Ф., Крюков Ю Г. Конструкции и технология микросхем., — М : Советское радио, 1980.

8. Бушминский И.П., Морозов Г.В. Технология гибридных интегральных схем СВЧ. -М :Высшая школа, 1980.

9. Korb R.W., Ross D.O. Dirrect attochement of leandeless chip carriers to organic matrix printed wiring boards. Transactions on Components, Hgbrids and Manufacturing Technology, vol. 6, №3, - 1983 - p.227-231.

10. Алексеенко А Г. Основы микросхемотехники. -M. Советское радио, 1977.

11. Микроэлектронные устройства СВЧ. /Под ред. Веселова Г.И., -М: Высшая школа, 1988.

12. С ыноров В.Ф., Пивоварова Л.П., Петров Б.К. и др. Физические основы надежности интегральных схем, под ред.Миллера, -М :Советское радио, 1986.

13. Котовщикова Н.К., Обрязан О.И., Теплофизика и тепловые режимы твердотельных модулей СВЧ. Обзоры по электронной технике. Сер.1., СВЧ-техника. Вып.8(1677), 1992.

14. Мушкаренко Ю.Н., Высокотеплопроводные материалы в электронике СВЧ. /Обзоры по электронной технике, Сер.6, Материалы. Выпуск 4 (1349), 1988.

15. 13th Europen microwave conf.-Ziege, 10-13 September, 1983, -p.203-208.

16. 14th Europen microwave conf.-Ziege, 10-13 September, 1984.

17. Использование подложек из нитрита алюминия в гибридно-монолитных приборах, /Сигнал, № 35(135), изд. НПО "ИСТОК", -1990 -6 с.

18. Интегральный прибор СВЧ. Патент США № 4.267.520, МКИ3 НОЗГ 3/60, H05K 5/00, H01L 27/00, НЕЙ 330-286, май 1981.

19. Фролов А.Д. Соединения в конструкциях радиотехнических изделий, Л.:Энергия, -1966 -292с.

20. Корпус для электронной схемы. Европейский патент №0335.783А1 МКИ4 HG1L23/52, Н05К23/52, H05K 7/20, от 24.03.1989.

21. Заявка Великобритании №1.443.028, МКИ3 H01L 23/02, 23/50, НКИ И!К. публикация 21.06.1976.

22. Патент Великобритании № 2.129.223А, МКИ3 Н05К 1/18, 7/20, от 10.05.1984.

23. Теплоотвод для полупроводникового прибора. Заявка Японии № 1-24550, МКИ4 Н01 L, 23/46, Н05К 7/20, от 28.03.1988.

24. Панов Е.Н. Особенности сборки специализированных БИС на базовых матричных кристаллах. -М: Высшая школа, -1990 -88 с.

25. Сокол В.А., Пар кун В.М., Воробьева А.И., Бачило Е.Э. Топологическое проектирование многоуровневых ГИС, формируемых по алюмоокисной технологии/ Техника средств связи. Сер.Технология производства и оборудование: научно-технический сборник, Вып.З. 1988, -3-8 с.

26. Гуськов Г.Я., Блинов Г.А., Газаров А.А. Монтаж микроэлектронной аппаратуры. -М.: Радио и связь, 1986.

27. Microwave Journal. Vol. 33, №10., 1990. -p. 99, 103-105. БОБПГИ НПО "ИСТОК", (Сигнал) №9 (145), 1991г. -16 с16.

28. Резнков Г.В. Расчет и конструирование систем охлаждения ЭВМ., -М :Радио и связь, 1986.

29. Устройство теплоотвода и охлаждения для чипов интегральных схем. Патент США №4.327.399, МКИ4 Н05К 7/20, НКИ 361-385, публикация 27.04.1982.

30. Method of providing thermal 1 у conductive ground connections for integreted circuits. Патент CIIIA №3.735.485 crr 29.05.1975.

31. Нукуи T. Техника НИС. МО-монтаж. Новый метод многокристального монтажа. Дэнси Дзайре, №5, 1981. -58-63 с.

32. Кито Хирхо Ноери М. Метод изготовления полупроводникового прибора. Патент Японии №57-36746, МКИ3 HOl 23/52, 23/48. от 17.10.1975.

33. Mikrowave Journal., №11, 1988, -p. 67-68.

34. Microwave Journal., Vol. 36, №4, 1993, p. 87.

35. Monolithic substrate for om electronic power component and process for the production thereof. Патент США № 4. 869. 520, МКИ Н05к 7/20, НКИ 428-137, от 22.08.1989.

36. Гвоздев В.И., Нефедов Е.И. Объемные интегральные схемы СВЧ. -М :Наука, 1985.

37. Афромеев В. А., Привалов В Н., Яшин A.A. Согласующие устройства гибридных и полупроводниковых интегральных СВЧ-схем. -Киев.:Наукова думка, 1989.

38. Гвоздев В.И., Кузаев Г.А. Топология полей. Физика элементарной базы объемных интегральных схем СВЧ/ Ж. Микроэлектроника, том 21, вып. 1, 1992, 3-19 с.

39. Гвоздев В.И., Кузаев Г.А., Нефедов Е.И., Яшин A.A. Физические основы модернизирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ/ Ж. Успехи физических наук, том 162, №3, март 1992.

40. Тематический курс лекций 5-й Всесоюзной школы-семинара с приложением тезисов докладов и сообщений Математическое моделирование, САПР и конструкторско-технологическое проектирование объемных интегральных схем (ОИС) СВЧ и КВЧ диапазонов/ Под ред. Нефедова Е.И. -Тула.: 1990.

41. 5-я Межгосударственная школа-семинар Техника, теория, математическое моделирование и САПР систем сверхбыстрой обработки информации на объемных интегральных схемах (ОИС) СВЧ и КВЧ., /Под редакц. Нефедова Е.И., том 1 и 2 -М., 1992г., Лекции, доклады, сообщения.

42. Бродуленко И.И., Афанасьев А.И., Андрианова Е.П., Ковтунов Д.А., Лебедев В.Н., Мальцев В. А. Стабильные низковольтные электровакуумные и полупроводниковые СВЧ-генераторы повышенной мощности. /Обзоры по электронной технике. Серия 1. СВЧ-техника Вып. 4(1671), 1992.

43. Ковтунов Д. А., Абраменков A.A., Бродуленко И.И. и др. /Электронная техника. Сер Л, Электроника СВЧ., Вып.З. (427), 1992,- 17-19с.

44. Балыко А.К., Мартынов Я.Б., Тагер A.C. Проектирование автогенераторов на полевых транзисторах. /Электронная техника. Сер. 1 ,Электроника СВЧ, Вып. 1(405), 1988г.- 29-33с.

45. Балыко А.К., Ковтунов Д.А., Тагер A.C. Вольтамперные характеристики полевых транзисторов при отрицательных напряжениях сток-исток. /Электронная техника. Сер. 1, Электроника СВЧ., Вып.5(419). 1988.

46. Блейвас И М., Бродуленко И.И., Ковтунов Д А. и др. Тепловые режимы и миниатюризация полупроводниковых гибридно-интегральных СВЧ-генераторов. /Электронная техника. Сер. 1, Электротехника СВЧ, Вып. 8(402) -1987г. -18-22с.

47. Ковтунов Д А., Спиричева Л. А., Бродуленко И.И., Елисеева О.Ф. Термостабильность частоты и тепловой режим гибридно-интегральных транзисторных СВЧ-генераторов. /Электронная техника. Сер. 1, Электроника СВЧ, Вып. 2(436), 1991. - 22-21с.

48. Радиопередающие устройства. /Под ред.Челнокова O.A., -М.:Радио и связь, 1982.

49. Kitchen J. Octave bandwidth varactor-tunned oscillators. /Microwave J., Vol.5, -1987. -p.347-358.

50. Bisstgger С A.Building an oscillator. Zump it and Zik it! /Microwave J., Vol. 7, -1978- p.45-53.

51. Adams К., Oxley С. Brodband FET VCO design. /Electronic Engineering Supplement. №746, -1989 - p.25, 26, 29,30.

52. 20 th European Microwave conf. - Hangary , Published bu microwave exhibitions publishers limited, 1990. -p. 326.

53. Military Microwaves. -London, 5-7 July, 1988, p. 397-402.

54. Military Microwaves. -London, 24-26 Okt, 1984, p. 449-456.

55. Electronics Letter.-Vol. 25, №10, -1989. -p. 639-640.

56. Полевые транзисторы на арсениде галлия. /Под ред. Ди Лоренцо Д.В., Кандеелуола Д.Д., Пер. с английского, -М/Радио и связь, 1988.

57. MSN and CTVol.19, № 3, -1989. - p. 15-21.

58. 20th European Microwave Conf. -Budapest, Sept. 10-13,1990 -p. 307-309.

59. IEEE MTT-S Ent. Microwave Symp. - Washington, May, 1980. - p. 117-179.

60. 1EEE MTT-S. Digest. NewJourk, 1988, -p. 839-842.

61. Иовдальский В.А., Айзенберг Э.В., Бейль В Н. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ

диапазона. Положительное решение по заявке на изобретение №92-01 4568/21., МКИ5 Н05К. ot25.12.1992.

62. Микроэлектронная аппаратура на бескорпусных интегральных микросхемах. Под ред. Во-женина И.Н , -М.: Радио и связь, 1985.

63. Батыгина Э.И., Батыгин В.Н., Бравинский В.Г., Катюргина О.А., Куликов В.И. Диэлектрические подложки для интегральных схем СВЧ. /Обзоры по электронной технике. Серия 1, , Вып. 4(703) -М. ЦНИИ Электроника, 1980.

64. Иовдальский В.А., Павлова Н.В. Анализ серийного производства и пути повышения надежности модулей СВЧ. /Электронная техника. Серия 1., СВЧ-техника., Вып.2(462), 1994.

65. Анемарин И.П., Васильев Н.Н, Амбросов В.А. Быстрые методы статической обработки и планирования эксперимента. -Л : ЛГУ, 1975.

66. Иовдальский В.А. Улучшение параметров ГИС СВЧ. /Электронная техника. Сер.1., СВЧ-техника., Вып. 9-10(453-454), 1992., 41-43с,

67. Патент Японии № 59-44890 от 13.03.84г., МКИ3 H05IC 3/18, НО 1С 7/20, Н05к №/46, заявка №57-155186 от 08.09.1982.

68. Полупроводниковый прибор., Патент Японии №1-13219 В4, МКИ4 HOIL 21/60, 23/48, заявка 55-80040 от 13.06.1980.

69. Полупроводниковые входные устройства СВЧ / Под ред. Эткина B.C., Том. 1, Общие вопросы теории. Туннельные и транзисторные усилители и детекторы СВЧ, М.: Советское радио, 1975.

70. М.Букингем. Шумы в электронных приборах и системах. /Под ред. Губанкова В.Н., -М.Мир, 1986.

71. Красноперкин В.Н., Прокопьева Н.Г., Самохин Г.С. Комплекс программ анализа устройств на связанных полосковых линиях. /Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ, Вып. 10(370) -1984. -6с.

72. Красноперкин В.М., Самохин Г.С., Силин Р. А. К расчету матрицы частичных емкостей для многополосковых линий. /Электронная техника. Сер. 1. Электротехника СВЧ., Вып. 2(404) -1980 - 40-49с.

73. Красноперкин В.М., Силин Г.С. Матрица Грина в задачах электростатики для слоистого диэлектрика. -В кн.: Машинное проектирование устройств и систем СВЧ. Межвузовский сборник трудов МИРЭА. -М.:МИРЭА, 1981. -119-136с.

74. NEC Res. and Develop. Vol. 34, №2, -1993 -p. 199-205.

75. Ceramic Bulletin, -Vol. 71, №5, -1992 - p. 751-755.

76. Корпус кристалла ГИС., Патент США №4. 774. 632, МКИ4* Н05К 7/20, ЫКИ 361-362., опубликован 27.09.1988.

77. Иовдальский В. А., Климачев И.И., Цикин A.B., Лапин В.Г .. Коробкин В. А. Корпус СВЧ полупроводникового прибора. Положительное решение о выдаче патента РФ. по заявке на

изобретение №050562217/09(035906) приоритет 24.07.92г. МПК6 H01L 23/00, 23/02 от 5.11.1996.

78. Иовдальский В.А., Климачев И.И. Корпус мощного СВЧ полупроводникового прибора. Положительное решение о выдаче патента РФ по заявке на изобретение № 05057130/09(036453), приоритет 29.07.92г., МПК6 НО IL 23/00, 23/02. от 05.11 1996.

79. Иовдальский В.А., Мякиньков В.Ю. Корпус интегральной схемы СВЧ диапазона. Патент РФ №2079931., заявка на изобретение №92-015945 приоритет 31.12.92г.

80. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств. Под ред. Вольмана В.И., -М :Радио и связь, 1982.

81. Иовдальский вА, Совершенствование конструкции и технологии изготовления ГИС СВЧ. /Электронная техника. Сер. СВЧ-техника, Вып. 2(456), 1993г., 35-39с.

82. Заявка Японии № 1-173745 от 10.07.89г., МКИ4 YHOI 23/36, Гибридная интегральная схема.

83. Solid State Technology Vol. 36, №2, -1993. -p.59-62.

84. Иовдальский В. А., Ипполитов B.M., Блейвас И М., Улучшение тепловых характеристик ГИС. /Электронная техника. Сер. СВЧ-техника, Вып. 1 (467), 1996., 34-39с.

85. Парфенов О.Д. Технология микросхем., изд. Высшая школа, 1986., 263с.

86. Иовдальский В. А., Рыжик Э.И., Тархов Б. А. Гибридная интегральная схема. Патент России № 2025822 С1 приоритет 19.03.91г., МКИ5 HOL 21/00.

87. Иовдальский В. А., Долич В.М., Липатова В.А. Гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ. Патент России №1812580 AI, приоритет 19.03.1991., МКИ5 HOI L 23/00.

88. Иовдальский В. А., Эйзенберг Э.В., Бейль В.И. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ. Положительное решение по выдаче патента России по заявке на изобретение № 92-015724, приоритет 25.12.1992.

89. Иовдальский В.Д.. Темное A.M. Гибридная интегральная схема СВЧ, Авторское свидетельство СССР № 667571/, приоритет от 02.06.1989.

90. Иовдальский В.А. Гибридная интегральная схема СВЧ диапазона. Положительное решение о выдаче патента России по заявке на изобретение № 92-0145000.

91. Иовдальский В.А., Молдованов Ю.И., Ануфриев А.Н. Гибридная интегральная схема СВЧ. Авторское свидетельство № 1694021, приоритет 28.06.1989.

92. Иовдальский В.А., Блейвас И М., Ипполитов В.М., Демиденко В.В.Патент Мощная гибридная интегральная схема. России №2076472, приоритет 31.12.1992., Заявка № 92-015725 мгас6 HOSK1/00.

93. Иовдальский В. А., Ипполитов В.М., Блейвас И.М. /Электронная техника. Сер. СВЧ-техника, Вып.2(466), 1995. 19-23с.

94. Иовдальский В. А., Айзенберг Э.В., Бейль В.И. Гибридная интегральная схема. СВЧ. Положительное решение о выдаче патента по заявке на изобретение № 92-015732, приоритет 25.12.1992.

95. Темнев A.M., Силин P.A., Михальченков А.Г. Гибридно-монолитные интегральные приборы СВЧ : конструирование и технология изготовления. /Обзоры по электронной технике. Серия 1. Электроника СВЧ. Выпуск 20(1319) 1987.

96. Pucel R. Disign Considerations for monolithic Microwave circuits. /1ЕЕЕ Trans. 1981. -Vol. MTT

-29, №6, -p. 518-519.

97. СТП TCO 010. 014-86. Гибридно-монолитные интегральные приборы СВЧ. Микроплаты. Конструирование и технология изготовления. Изд. ГНПП "ИСТОК", 1986

98. Способ изготовления СВЧ ИС. Патент США №4737236, МКИ4 Н05Л 3/00 НКИ 156-644, опубликованный 12.04.1988.

99. Иовдальский В.А.., Кругов A.B., Тагер A.C., Митлнн В.А. Гибридно-монолитная интегральная схема СВЧ. Положительное решение о выдаче патента по заявке №5027.200 приоритет 19.08.1991.

100. Иовдальский В, А. Совершенствование конструкции и технологии гибридно-монолитных малошумящих усилителей СВЧ-диапазона. /Электронная техника. Сер. СВЧ-техника, Вып. 3(463), 1994., 19-23с.

101. Д.В.Быков, Воробьевский Е.М., Гвоздев В.И. и др. /Схемотехнические и конструктор-ско-технологические аспекты создания ОИС СВЧ /Зарубежная радиоэлектроника. 1992. №11. 49-65с.

102. Solid State Technology. -1993. - Vol. -36, №2. -p.59-62.

103. П И.Овсищер, Ю.В.Голованов, В.П.Ковешников и др. Несущие конструкции радиоэлектронной аппаратуры. -М.:Радио и связь, 1988., 213-215с.

104. Иовдальский В.А. Мощная гибридная интегральная схема. Положительное решение о выдаче патента России по заявке на изобретение №92-015733,.

105. Microwave Journal. Vol. 36, №6. -1993. -p. 120-122.

106. Иовдальский B.A., Молдованов Ю.И. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона. Положительное решение о выдаче патента России по заявке №92-014570, МКИ5 Н05К 3/00, 5/00. приоритет 25.12.1992.

107. Иовдальский В.А., Ипполитов М.В., Блейвас И М. Улучшение тепловых характеристик ГИС. /Электронная техника. Сер. СВЧ-техника., Вып. 1. (467), 1996. 34-39с.

108. Иовдальский В.А. Мощная Гибридная интегральная схема СВЧ -диапазона. Положительное решение о выдаче патента России по заявке №92-014501 от 31.12.1992.

109. Иовдальский В.А. Повышение плотности монтажа активных элементов в ГИС СВЧ. /Электронная техника. Сер. СВЧ-техника. Вып. 2(466), 1995., 10-13с.

110. Иовдальский В.А., Буданов В Н. Гибридная интегральная двухсторонняя схема. Патент России №2.067.363, МКИ5 НО! 23/00.

111. Иовдальский В.А. Гибридная интегральная СВЧ и КВЧ—схема. Положительное решение о выдаче патента России по заявке на изобретение №04901888/09(004406), приоритет от 11.01.1991.

112. Иовдальский В.А. Гибридная интегральная схема СВЧ. Патент России №2004036 el, МКИ5 H01L 21/, Н05К 5/00, приоритет 25.04.1991.

113. Иовдальский В.А. Гибридная интегральная схема. Положительное решение о выдаче патента России по заявке на изобретение №495241/21(056089), приоритет 28.06.1991.

114. Иовдальский В.А., Мякиньков В.Ю. Гибридная интегральная схема. Положительное решение о выдаче патента России по заявке №4935414/21 (039769), приоритет 12.05.1991., МКИ4 H01L 21/00. от 27.08.1996.

115. Иовдальский В.А. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона. Положительное решение о выдаче патента России по заявке на изобретение №4951008/21(055823). Приоритет 28.06.1991. от 08.07.1992.

116. Иовдальский В.А. Совершенствование конструкции и технологии гибридно-интегральных мощных усилителей СВЧ-диапазона. /Электронная техника. Сер. СВЧ-техяика. Вып.4(464), 1994. 13-16с.

117. Иовдальский В.А., Баяыко А.К. Совершенствование конструкции широкодиапазонных генераторов на полевых транзисторах с варакторной перестройкой. /Электронная техника. Сер.1, СВЧ-техника., Вып. 1(461), 1994, 11-15с.

118. Малорацкий Л.Г. Миниатюризация элементов и устройств СВЧ. -М. Советское радио, 1976.

119. Асадов А.К, Михеенко П Н. Элементные Диссипативные образования металлоокисной керамики УВагСи3Ох /Физика твердого тела ., т.34, №4, 1989, 51-54с.

120. Азизов A.B., Балыко А.К., Белицкий A.B., Гусельников И.А., Иовдальский В.А., Тагер A.C., Юсупова Н И. Гибридная интегральная схема. Патент России №2070354, приоритет 19.03.1993.

121. Викулов И.К. Зарубежная СВЧ-техника в условиях изменяющейся политико-экономической ситуации /Электронная техника. Сер.1. СВЧ-техника. Вып.5(449), 1992, 3~8с.

122. Brodie J. Physical considerations in vacuum mikroelectronics devices./lEEE Transaction on Electron Devices. -November 1989. -Vol. 36, №11, -p. 2641-2644.

123. Бейль В И. Исследование и разработка ВЧ-усилителей на авто катодах. Аннотационный отчет по этапу НИР Мол, НПО "ИСТОК", Декабрь 1992.

124. Щелкунов Г П. Обоснование последующих этапов НИР Мол, НПО"ИСТОК". Март 1993.

125. Щелкунов Г.П., Иовдальский В.А., Бейль В.И. Конструкции и технологии некоторых элементов микрополосковых гибридных вакуумных устройств. /Электронная техника. Сер. СВЧ-электроника.,Вып. 1(467), 1996,24-27с.

126. Щелкунов Г.П., Иовдальский В.А., Бейль В.И., Грицук Р.В. Гибридное интегральное вакуумное устройство. Патент России №2073936 приоритет 14.05.1994.

127. Успехи научных и прикладных исследований устройств аналоговой и цифровой обработки информации на ОИС СВЧ. /Тематический сборник трудов научной конференции Методологические, информационные и изобретательские аспекты научных исследований в области создания объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ. / Под ред. Нефедова Е.И., г.Тула, 22-26 апреля 1991.

128. Яшин A.A., Кандлин В В., Плотникова Л.Н. Проектирование многофункциональных объемных интегральных модулей СВЧ и КВЧ диапазона. /Под ред. Нефедова E R. М. Информационная техника. 1992.

129. Journal Electronic Engineering. Vol. 30, № 324, -1993. p. 40-43.

130. ШЕЕ Transactions on Microwave Theory and Technique, Vol.44, №12, part 11, 1996, p.2340, 2347.

131. Иовдальский В.А., Буданов B.H., . Яшин A.A., Кадлин B.B. Многослойная ГИС СВЧ. Положительное решение о выдаче патента России по заявке на изобретение № 5056249, приоритет 24.07.1992.

132. Иовдальский В.А., Буданов В Н., Яшин A.A., Кандлин В.В. Многослойная ГИС СВЧ-диалазона. Патент России № 2071646, приоритет 29 07.1992.

133. Иовдальский В.А., Буданов В Н., Яшин .A.A., Кандлин В.В. Многослойная ГИС СВЧ и КВЧ диапазонов. Положительное решение о выдаче патента России по заявке на изобретение № 92-015106, приоритет 25.12.1992.

134. Годовская К.И., Живова Е.И. Сборник задач по техническому анализу. М :Высшая школа, 1976.

1.35. Иовдальский В.А., Климачев И.И., Родионов Д.,Я . Северюхина Л.И., Стародубов И.П. Унификация типоразмеров микрополосковых плат для гибридно-интегральных схем СВЧ. /Электронная техника. Серия I. Электроника СВЧ. Вып.6(440), 1991. 46-47с.

136. Демиденко В.В , Иовдальский В.А. Разработка и внедрение технологии масочного напыления резистивных и проводящих слоев на микрополосковые платы с целью сокращения трудоемкости изготовления плат на 15-20%. Технический отчет №19-6944, 1983.

137. Богомолов Н.Г., Григорьев А.Н., Исследование и. разработка технологии локального напыления низкотемпературных припоев толщиной до 25±5мкм и температурой плавления до 250°С с целью проведения сборки ГИС без применения флюса. НТО №179-8215, 1988.

138. Иовдальский В.А , Рыбкин В Н. Патент России №2003735С1, приоритет 12.05.1991, Маска для напыления пленочных элементов на подложку. МКИ С23 С 14/04.

139. Ануфриев А Н., Баланин А.Е., Белозеров B.C. и др. Лазерная технологическая установка Кантата для размерной обработки диэлектрических материалов./ Электронная техника. Серия I. Электроника СВЧ. Вып. 12(384), 1985. 56-60с.

1.40. Верховский Е.И. Лазерная технология в производстве интегральных микросхем. -М :Высшая школа., 1990.

1.41. Бравинский В.Г., Иовдальский В.А., Орлов A.A. Унифицированный технологический режим размерной лазерной обработки керамических деталей. /Электронная техника.Сер. 1 Электроника СВЧ.Вып.5 (439), 1991,48с,

142, Очистка деталей электронных приборов. /Под ред.Б.Д.Луфт, А Д ПГустиной, М. Энергия, 1964.

143. Павельева О.Х., Иовдальский В.А., Старшинов И.П., Павельев В.М., Буковшина Н.А. /Очистка поликоровых подложек в производстве микрополосковых плат. /Электронная техника. Сер. I, Электроника СВЧ. Вып. 4 (41В), 1989.

144. Тонкая техническая керамика. Под ред.Х.Янагида, M. : Металлургия, 1986.

145. Иовдальский В.А., Рыбкин В.Н. Перцизионное химическое фрезерование корундовых материалов в технологии ТИС СВЧ. /Электронная техника. Сер. 1, СВЧ-техника., Вып.4 (458), 1993.

146. Способ химического фрезерования. Патент Японии №1-57496, МКИ4 H01L 21/30, приоритет США №273272, 12.06.1981.

147. Батыгин В.Н., Куликов В.И., Куликова C.B. и др. Термохимическая обработка поверхности сапфира в водороде. /Физика и химия обработки материалов, №2, 1978. 126-130с.

148. Батыгин В.Н., Куликов В.И., Куликова C.B., Рыбкин В.Н , Способ термохимической обработки корундовых материалов. Авторское свидетельство №524769 СССР, МКИ4 COIF 7/02, BOU 17/00. заявлено 19.03.1974.

149. Панков B.C., Классен-Неклюдова M B., Говорков В.Г. Способ обработки заготовок из корунда. Авторское свидетельство №182705 СССР, МПК COIF Заявка №808188 /23-26 класс 12т 7/02. от 07.12.1962.

150. Батыгин В.Н., Куликов В.И., Куликова C.B., Сложное формообразование корундовых изделий методами газового травления. /Электронная техника. Сер. 1, СВЧ-техника, Вып.10, 88-95С.

151. Иовдальский В.А., Маркин Б.В., Рыюкин В Н., Исследование свойств алюмооксидных керамических подложек, прошедших углетермическое травление. /Электронная техника. Сер. СВЧ-техника., вып.5-6(459-460), 1993.

152. Подложки из керамического материала. ТУ11-76 ЩЕ0.781.001.

153. Иовдальский В.А. и др. Фазовый метод контроля диэлектрической проницаемости различных сред. /Измерительная техника, №4, -1996 -53-55с.

154. Иовдальский B.Â. и др. Устройство для измерения диэлектрических параметров среды. Положительное решение о выдачи патента России по заявке на изобретение №9439385/09, приоритет 30.09.1994.

155. Z.E. Devis, N.S. M с Donald, P.W. Palmberg et al. /Physical Electronics Industriers-Edma, 1976.

156. Иовдальский В. А. Некоторые особенности конструкций микрополосковых плат для ГИС СВЧ. /Электронная техника. Сер. СВЧ-техника, Вып.3(457), 1993.

157. Тархов Б.А., Иовдальский В.А.,' Ануфриев А.Н., Баланин АН., Липатова В.А. /Прецизионная лазерная обработка в технологии ГИС СВЧ. /Материалы научно-

технического семинара применение лазерных технологий в машиностроении и приборостроении, М.:НТЦИнформтехника., апрель 1991.

158. Иовдальский В.А., Способ монтажа кристалла полупроводникового прибора. Положительное решение о выдаче патента России по заявке на изобретение №92015726/07(0602273), МПК6 Н01Ь 21/52 приоритет 31.12.1992.

159. Программа решения двумерной нестационарной задачи теплопроводности для узлов электронных приборов. Жбанов А.И., Блейвас И.М. и др. /Электронная техника. Сер. I, Электроника СВЧ, Вып 1, 1980. 61с.

160. Молдованов Ю.И., Иовдальский В. А. и др. Разработка предложений по базовым технологическим процессам изготовления высоконадежных изделий электронной техники для базового комплекса бортовой аппаратуры летательных аппаратов пятого поколения (по теме Паритет-Т), НТО №4-9107, 1996. -99с.