Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат технических наук Осинский, Андрей Владимирович

• Осинский, Андрей Владимирович
• кандидат технических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат технических наук Осинский, Андрей Владимирович

ОГЛАВЛЕНИЕ

Аннотация

Введение. Задачи исследований. ^

Глава 1. Молекулярно лучевая эпитаксия гетероструктур 2п8еАЗаА8/ \4

1.1 Особенности конструкций системы для молекулярно лучевой эпитаксии из металлов и металлоорганических соединений

1.2 Разработка технологии МЛЭ: начальная подготовка поверхности, влияние соотношения потоков, роль температуры подложки

1.3 Исследование дефектообразования в напряженных и релаксировавших слоях 2п8е, выращенных МЛЭ на ваАв

1.4 Анализ начальной стадии зарождения и роста напряженных пленок 2п8е на ОаАБ. Модель роста

1.5 Выводы

Глава 2. Молекулярно лучевая эпитаксия наноструктур ¿пСс^е/ваАБ

из металлоорганических соединений

2.1 Исследование характеристик разложения металлоорганических соединений диметилселена, диметилтеллура, диэтилсеры методом масс-спектрометрии

2.2 Оптимизация условий роста слоев гпБе и 2п8е8 на ваЛв

2.3 Сравнение процессов роста и характеристик структур выращенных методом МЛЭ и МЛЭ МОС

2.4 Особенности МЛЭ теллуридов и сульфидов из МОС

2.5 Выводы

Глава 3. Формирование поверхностных наноструктур Сс12п8е/7п8е с

пониженной размерностью

3.1 Разработка нового метода обработки поверхностей соединений А2В6 на примере гетероструктур 2пСс18е/2п8е

3.2 Создание квантовых нитей в структурах Сё2п8е/гп8е используя комбинацию жидкостного и реактивного ионно-плазменного травления

3.3 Исследование люминесцентных свойств квантовых нитей

3.4 Выводы

Глава 4. Создание и исследование придорных наноструктур гаСАйей/влА*

4.1 Многослойные наноструктуры на основе 2п8е с квантовыми ямами и сверхрешетками

4.2 Лазерные структуры 2пС(18е8/1пОаА8, полученные МЛЭ МОС..

4.3 Получение легированных слоев 2п8е в процессе МЛЭ

4.4 Выводы

Заключение

Литература

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

МЛЭ -молекулярно-лучевая эпитаксия

МОС -металлоорганические соединения

ПНБ - пиролитический нитрид бора

MAC - микроскопия атомных сил

ПЭМ - просвечивающая электронная микроскопия

КДО - кривые дифракционного отражения

2D, 3D - двумерные и трёхмерные моды роста.

КМА - квадрупольный масс-анализатор

ДУ - дефекты упаковки

ДН - дислокации несоответствия

КЯ, КТ, КН - квантовые ямы, точки , нити

MQW - многослойные квантовые ямы

РИПТ - реактивное ионно плазменное травление

ЯД -лазерный диод

СИД - светоизлучающий диод

Í>IT - фотоприемник

НВТ - гетеробиполярный транзистор

НЕМТ -high electron mobility transistor (транзистор с высокой тодвижностью электронов).

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений»

ВВЕДЕНИЕ

Развитие технологий гетероструктур [1] позволило создать ряд принципиально новых элементов таких как микролазеры, светодиоды, гетеробиполярные транзисторы (НВТ), и полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов(НЕМТ), на основе которых разработанны и широко применяются новые оптоэлектронные устройства - волоконно-оптические линии связи и скоросные компьютерные сети, лазерные компакт-диски и принтеры, системы спутникового телевидения и другие.

Для расширения спектрального диапазона и функциональных возможностей гетеролазеров, фотоприемников, транзисторных и других приборных структур большой интерес представляют

7 fi

полупроводники А В , которые позволяют создавать приборы в сине-зеленой области спектра (Рис.В1), в несколько раз увеличить пространственную разрешающую способность, разработать устройства эффективной стимуляции химических и биологических процессов. Однако физико-химические проблемы контроля стехиометрии соединений А В до последнего времени не позволяли разработать надежных технологий создания приборных структур, удовлетворяющих требованиям, обеспечивающим их широкое применение. Используя метод молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) фирмы "Sony", Япония и "ЗМ", США продемонстрировали инжекционные лазеры на >и=510нм для плотной записи информации. Однако из-за высокой концентрации дефектов, их наработка в непрерывном режиме не превышала 100 часов, что существенно ограничивает возможности их применения. В ряде фирм и университетов проводится разработка на этих материалах

д

л §

со «

о

1

со 05

и

К Рч

3

2

М§8

ZnS

прямозонные П-У1 непрямозонные Ш-V прямозонные Ш-У

сате

248

310

413

2 к

к §

со

й

620 «

1240

5.25 5.50 5.75 6.00 6.25 6.50 Постоянная решётки [А]

6.75

1

Рис. В1. Ширины запрещенных зон, длины волн и постоянные

л / ^ г

решетки для полупроводников А В и А В . Заштрихована область составов системы ХпСёЗеБ. Пунктиром показаны составы, изорешеточные к ОаАв.

фотоприёмников для синей области спектра, которые не чувствительны в остальной видимой и ИК областях.

Большие возможности для управления составом растушей фазы и уменьшения дефектности тонких плёнок предоставляются методом МЛЭ из металлоорганических соединении (МЛЭ МОС). Для полупроводников А В требуется разработка конкретных режимов разложения МОС и изучение их влияния на процессы начальных стадий роста нанослоёв. Хотя вопросам МЛЭ плёнок

9 Л

полупроводников А В посвящено много работ, в них подробно не исследован их рост из МОС, имеющий существенные особенности как в химизме взаимодействия молекулярных потоков с поверхностью подложки, так и в характере образования зародышей, их эволюции. Принципиальное значение для изучения физических процессов и разработки технологии имеет создание поверхностных

л с

наноструктур соединений А В , таких как квантовые нити.

2 6

Из широкозонных материалов А В наиболее перспективными для физико-технологических исследований механизмов МЛЭ МОС и приборных применений является 2п8е и его твердые растворы, подходящей подложкой для которых является ОаАБ. Фактически, необходимо разработать воспроизводимую технологию МЛЭ МОС яа подложке другого химического состава, которой является ОаАБ.

Цель диссертационной работы состояла в исследовании троцессов формирования наноструктур соединений А2В6 методом УШЭ из металлических и МО источников, разработка способов их травления и создания эффективных излучающих структур в сине-зеленой области спектра. Для этого необходимо было разработать )яд диагностических методик исследования поверхности, структурного совершенства, разработать и создать ряд узлов

аппаратуры МЛЭ МОС. Особо ставилась задача доведения результатов до приборных структур.

Научная новизна и практическая ценность результатов работы.

Установлены основные закономерности молекулярно-лучевой эпитаксии 2п8е и его твердых растворов из МОС, которые составляют физико-технологическую основу создания многослойных гетероструктур нанометровых размеров для формирования сверхрешеток, квантовых ям (КЯ) и квантовых нитей (КН), как элементов лазеров, фотоприемников, оптоэлектронных переключателей и других приборов для сине-зеленой области спектра.

Создана установка МЛЭ МОС для выращивания структур

О Л

полупроводников А В . Проведены комплексные исследования начальных стадий образования зародышей и их эволюции в процессе МЛЭ 2пБе на подложках ваАз. Исследованы морфология поверхности и механизм роста 2пБе из атомарных пучков Бе и Ъъ. в зависимости от потоков и температуры подложки ваАз.

Предложен и разработан новый метод создания поверхностных рельефных наноструктур КН в соединениях А2В6 с латеральной шириной до ЗОнм. Проведены исследования кристаллической структуры и люминесцентных свойств КН 2пС<18е/2п8е: для ширин нитей меньших бОнм наблюдается коротковолновый сдвиг, вплоть цо 17 мэВ, при ширине полоска 30 нм. Наблюдается уменьшение ашрины полос ФЛ КН по сравнению с исходными структурами, что связывается с одномерным характером плотности состояний.

Проведены комплексные исследования полученных при различных физико-технологических параметрах наноструктур в системе 7пСс18е8ЛЗаА8 методами рентгеновской дифракции (РД),

микроскопии атомных сил (MAC), ФЛ и определены оптимальные условия МЛЭ МОС многослойных структур с КЯ и сверхрешетками ZnCdSe/ZnSeS на подложках GaAs, InGaAs и ZnSe

Разработана технология легирования ZnSe примесью азота, позволяющая достигать концентраций акцепторов 4.1х1018см"3, достаточной для создания приборных гетероструктур.

По разработанной технологии МЛЭ МОС выращены лазерные изорешеточные структуры с КЯ MQW ZnCdSe/ZnSe на InGaAs(lOO) и MQW ZnCdSe/ZnSeS на GaAs(lOO) для сине-зеленой области спектра, на которых получена лазерная генерация при оптическом возбуждении и исследованы процессы деградации. Основные положения, выносимые на защиту.

1. Оригинальная конструкция крекеров для разложения металлоорганики, держателей образцов и их взаимное расположение в ростовой камере. Оптимальными условиями МЛЭ МОС многослойных структур с КЯ и сверхрешетками на основе ZnSe на подложках GaAs, InGaAs и ZnSe являются: Тр0Ста = 250-300°С, Ткрекинга = 1000°С, давление в натекателе 5.5-6.1 Тор.

2. Для быстрого прохождения стадии трехмерного роста и достижения преобладания двухмерного механизма (2D) роста необходима предварительная высокотемпературная обработка поверхности арсенида галлия селеном и образование на границе соединения Ga2Se3, способствующего равномерному зародышеобразованию, быстрой коалесценции трехмерных зародышей в 2D режим роста, обеспечивающую высокое качество очень тонких плёнок, порядка десятков нанометров.

I. Процесс релаксации упругих напряжений в неизорешеточных структурах ZnSe/GaAs проходит стадию образования точечных

дефектов, которые объединяются в кластеры, дефекты упаковки, дислокации несоответствия, дислокационные сетки. В разработанном МЛЭ процессе толщина напряженного слоя ZnSe на подложке GaAs равна примерно 150 нм.

4. Линейное возрастание температурной зависимости эффективности разложения МОС Se, Те и S на участке 100-150°С, после которого разложение замедляется и переходит в насыщение на уровне 80-90%.

5. Механизм, ответственный за уменьшение скорости роста плёнок ZnSe на GaAs из МОС при температурах подложки выше 240°С определяется конкурирующими процессами адсорбция и десорбции атомного селена на поверхности. Энергии активации десорбции Se в МЛЭ МОС и МЛЭ - процессах равны 0.8 мэВ и 0.9 мэВ, соответственно. Использование атомарного селена позволяет получать высококачественные когерентно-напряженные плёнки ZnSe с шероховатостью поверхности 0.23 нм (порядка одного монослоя)

6. Сочетание реактивного ионно-плазменного травления (РИПТ) с последующим двухступенчатым жидкостным процессом и заращиванием наноструктур методом МЛЭ МОС позволяет формировать высококачественные структуры КН CdZnSe/ZnSe с латеральной шириной 30 нм.

7. Состав травителя и технология пассивации ZnSe серой.

8. Разработанная технология формирования КН не приводит к ухудшению их люминесцентных свойств.

9. Преимущественное встраивание атомов серы по сравнению с атомами селена и его использование в МЛЭ МОС для контроля состава растущей плёнки ZnSeS по величине потока серы.

•у

10. Пороги генерации ~30-40кВт/см лазерных изорешеточных структур с КЯ MQW на 1пОаАз(001) и MQW

2пСс18е/2п8е8 на ОаАз(001) для сине-зеленой области спектра. Более высокие времена наработки лазерных структур, не содержащих серы и выращенных на подложках 1пОаАз(001) по сравнению со структурами из соединений серы на подложках ваЛв.

Диссертация состоит из введения, 4-х глав, заключения с основными выводами и списка цитируемой литературы.

Во введении обоснована актуальность выбранной темы, сформулирована цель исследования, излагаются основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава посвящена разработке технологии МЛЭ селенида цинка на подложках из арсенида галлия. Кратко описывается конструкция установки МЛЭ, особенности конструкции эпитаксиальной системы для молекулярно лучевого роста из металлов и металлоорганических соединений. Рассматриваются вопросы начальной подготовки поверхности, влияние соотношения потоков, роль температуры подложки. Анализируются начальные стадии зарождения и роста напряженных пленок 2п8е на ваАБ. Предложена модель роста, учитывающая особенности системы 2п8е /ваАБ . Приводятся результаты исследований напряженных пленок 2п8е ЛлаАз (100) методами рентгеновской дифрактометрии, фотолюминисценции, просвечивающей электронной микроскопии и микроскопии атомных сил. Полученные результаты сравниваются с известными из литературных источников и приводится обсуждение их особенностей.

Во второй главе описана схема распределения газовых потоков и источников разложения металлоорганики элементов 6-ой группы. Основное внимание уделено масс-спектрометрическим исследованиям процессов разложения металлоорганических соединений триметилселена,диметилтеллура и диэтилсеры и определено их влияние на характер роста и свойства выращенных слоев. Приводится оптимизация условий роста слоев 2п8е и гпБеЗ на ваАз. Выявлена важная роль молекулярного состояния элементов шестой группы в процессых трехмерного и двумерного роста. Обнаружена существенная роль пограничного монослоя в процессах зародышевания и структурного совершенства слоев 2п8е, его влияние на качество гетероструктур 2п8е / ваЛв. Показана возможность роста по этому механизму совершенных пленок 2п8е8. Приведено сравнение процессов роста и характеристик структур, выращенных методом МЛЭ из металлических и металлоорганических источников.

Третья глава посвящена формированию поверхностных наноструктур квантовых нитей. Разработан новый метод обработки поверхностей соединений А2В6 на примере 2п8е. Представлена разработанная технология травления наноразмерных канавок и выступов в стрктурах 2пСс18е/2п8е, полученных методом МЛЭ МОС, описанным в предыдущей главе. Показана возможность формирования нитей с поперечным размером ЗОнм. Исследованны структурные и люминеейентных свойства квантовых нитей. Показанно, что разработанная технология не ухудшает люминесцентных свойств квантоворазмерных структур. Разработанную технологию можно использовать для создания чазеров, фотоприемников, оптоэлектронных коммутаторов.

В четвертой главе приводятся результаты разработки технологии создания квантоворазмерных гетероструктур 2пС(18е8/ОаА8 как элементов и приборов на их основе. Определенны оптимальные технологические параметры МЛЭ МОС лазерных структур на подложках арсенида галлия и арсенида галлия-индия.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Осинский, Андрей Владимирович

Основные результаты данной работы сводятся к следующему:

1. Разработаны физико-химические основы технологии молекулярно-лучевой эпитаксии селенида цинка и его твердых растворов из металлоорганических соединений, позволяющей создавать многослойные гетероструктуры нанометровых размеров для формирования сверхрешеток, квантовых ям и квантовых нитей, как элементов лазеров, фотоприемников, оптоэлектронных переключателей и других приборов для сине-зеленой области спектра.

2. Создана установка молекулярно-лучевой эпитаксии из металлоорганических соединений для выращивания структур полупроводников А В в которой оригинальная конструкция крекеров для разложения металлоорганики, держателей образцов и их взаимное расположение в ростовой камере обеспечивают оптимальные технологические параметры эпитаксиального роста нано и микрослоев селенида цинка и его твердых растворов.

3. Проведены комплексные исследования начальных стадий образования зародышей и их эволюции в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии селенида цинка на подложках арсенида галлия. Показано, что быстрому прохождению стадии трехмерного роста и достижению преобладания двухмерной моды роста способствует предварительная высокотемпературная обработка поверхности арсенида галлия селеном, приводящая к образованию на границе соединения вагЗез. Это способствует равномерному зародышеобразованию, быстрой коалесценции трехмерных зародышей в двумерную моду роста, обеспечивающую высокое качество очень тонких пленок, порядка десятков нанометров.

4. Показано, что при релаксации упругих напряжений в неизорешеточных структурах 2п8еЛлаА8 образуются точечные дефекты, которые объединяются в кластеры, дефекты упаковки, дислокации несоответствия, дислокационные сетки. Установлена толщина когерентно - напряженного слоя 2п8е на подложке ваАв, равная примерно 150-180нм.

5. Установлено, что имеется участок (100-150°С) линейного возрастания эффективности разложения металлоорганических соединений Бе, Те и Б с температурой, который входит в насыщение на уровне 80-90%. Эта зависимость определяет давление в ростовой камере и скорость роста пленок.

6. Исследованы морфология поверхности и механизм роста 2п8е из атомарных пучков Бе и 2п в зависимости от потоков и температуры подложки арсенида галлия. Найдено, что скорость роста начинает уменьшаться при температурах подложки выше 240°С, что обусловлено конкурирующими процессами прилипания и десорбция атомного селена на поверхности при МЛЭ МОС. Определены энергии активации десорбции Эе в МЛЭ МОС и МЛЭ-процессах, которые равны 0.8мэВ и 0.9мэВ, соответственно. Показано, что использование атомного селена позволяет получать высококачественные когерентно-напряженные пленки 2п8е с шероховатостью поверхности 0.23нм (порядка одного монослоя) в интервале температур МЛЭ МОС 250-270°С. Высокое качество этих пленок обусловлено быстрым переходом начальной стадии к двумерной моде роста.

7. Предложен и разработан новый метод создания поверхностных

Л /Г рельефных наноструктур квантовых нитей в соединениях А В , состоящий в сочетании реактивного ионно-плазменного травления с последующим двухступенчатым жидкосным процесом и заращиванием наноструктур методом МЛЭ МОС. Разработаны физико-химические основы технологии формирования высококачественных структур квантовых нитей Сс12п8е/2п8е с лотеральной шириной ЗОнм.

8. Разработан состав эффективного травителя для 2п8е. Установлено, что при обработке в этом травителе на поверхности образуется пленка аморфного селена, которая затем удаляется обработкой в сульфиде аммония, приводящей к пассивации поверхности серой и ее защите от окисления.

9. Показано, что разработанная технология формирования квантовых нитей не приводит к ухудшению их люминесцентных свойств. Для ширин квантовых нитей больше 60-80нм наблюдается сдвиг максимума фотолюминесценции в длинноволновую область, тогда как для меньших ширин он сдвигается в коротковолновую область вплоть до 17мэВ при ширине полоска ЗОнм. Наблюдается уменьшение ширины полос фотолюминесценции квантовых нитей по сравнению с исходными структурами, что связывается с одномерным характером плотности состояний.

10. Комплексные исследования полученных при различных физико-технологических параметрах наноструктур в системе 2пСс18е8/СаА8 методами рентгеновской дифракции, микроскопии атомных сил и фотолюминесценции позволили определить следующие оптимальные условия молекулярно-лучевой эпитаксии из металлоорганических соединений многослойных структур с квантовыми ямами и сверхрешетками на основе селенида цинка на подложках арсенида галлия, арсенида галлия-индия и селенида цинка: Тр0Ста = 250-300°С, Ткрекинга =1000°С, поток селена 5.56.1 Тор.

11. Показано, что при молекулярно-лучевой эпитаксии пленок 2п8еБ из металлорганических соединений селена и серы происходит преимущественное встраивание атомов серы по сравнению с атомами селена, что позволяет вести контроль состава растущей пленки 2п8е8 по величине потока серы.

12. Разработана технология легирования селенида цинка примесью азота для получения слоев р-типа, позволяющая достигать максимальных концентраций свободных дырок р=4.1х1018см-3, достаточных для создания приборных гетероструктур. Легирование производится в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии из атомного потока азота, полученного пиролитическим разложением моноокиси азота в крекере при температуре 700-900°С.

13. По разработанной технологии МЛЭ МОС выращенны лазерные изорешеточные структуры с квантовыми ямами 2пСа8е/гп8е на 1пОаА8(ЮО) и МС>\У 2пС(18е/2п8е8 на ОаАз(100) для сине-зеленой области спектра. Показано, что при оптическом возбуждении оба типа структур имеют близкие пороги генерации ~30-40кВт/см2, однако не содержащие серы структуры на подложках 1пОаАз(100) обладают существенно большими временами наработки из-за низкой концентрации дефектов типа темных линий.

Работа выполнялась в Физико-Техническом институте им.А.Ф.Иоффе РАН и в Университете штата Колорадо, США. Приношу глубокую признательность моему научному руководителю д.ф.-м.н., профессору СЛ.ГуреВичу и руководителю работ в Университете штата Колорадо профессору Г.Темкину за постановку задачи, предоставленную возможность выполнения исследований, помощь и внимание; профессорам Е.Л.Портному и С.Г.Конникову за интерес и внимание к работе. Особую благодарность хочу выразить сотрудникам ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН В.И. Скопиной, Н. Фалееву, Н.А. Берт, В. Третьякову, А. Минтаирову, Ф. Н. Тимофееву, О. Лавровой, С. И. Нестерову а также Университета штата Колорадо и Технологического университета штата Техас Д. Куксенкову, Б. Паркинсону, Р. Штафу, Й. Киу а также В. Фуфлыгину из МГУ и другим за плодотворное сотрудничество и полезное обсуждение результатов.

Заключение.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Осинский, Андрей Владимирович, 1998 год

Литература.

1. Ж.И. Алферов. Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего. / В кн: Физика сегодня и завтра, Л.: Наука, 1973,61-68.

2. Herman, Н. Sitter. "Molecular Beam Epitaxy" Fundamentals and current status, Springier-Verlag Berlin Heidelberg, 1989.

3. K. Ploog. "Molecular Beam Epitaxy of Ш-V Compounds", in Crystal-Growth, Properties and Applications, Vol.3, ed. by H.C. Freyhardt, Springer, Berlin, Heidelberg, 1980.

4. C.A. Гуревич, А.И. Екимов, И.А. Кудрявцев, О.Г. Люблинская, А.В. Осинский, А.С. Усиков, Н.Н. Фалеев., "Рост нанокристаллов CdS в силикатных стёклах и тонких плёнках SiCh на начальных стадиях разделения фаз твёрдых растворов." Физика и техника полупроводников, 28, 830-843, 1994.

5. М.В. Panish, Н. Temkin. "Gas Source Molecular Beam Epitaxy", Springier-Verlag, Berlin, 1993.

6. M.S. Tamargo, J. L. De Miguel, D. M. Hwang, H. H. Farrel. J. Vac. Sci. Technol. B6, 784, 1988

7. С .A. Coronado, E. Ho, L. A. Kolodziejski., J. Crys. Growth, 127, 323, 1993.

8. S. Yoshida, M. Sasaki. J. Cryst. Growth 135, 633, 1994.

9. Y. Kawakami, T. Toyoda, Y. Wu, Sz. Fujita, Sg. Fujita. Jap. J. Appl. Phys., 29, 2440, 1990.

10. Y. Kawakami, T. Toyoda, Sz. Fujita, Sg. Fujita. J. Crys. Growth, 136, 371, 1994.

11. Y. Li, W. K. Hall. J. Phys. Chem., 94, 6145, 1990

12. S. Guha, H. Manekata, F. K. LeGoues, L. L. Chang. Appl. Phys. Lett, 60, 3220,1992.

13. S. Guha, Manekata, L. L. Chang. Appl. Phys. Lett, 73, 2294, 1992.

14. J. Y. Tsao. Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy., Academic Press, 1993.

15. Y.Qiu, A. Osinsky, A. A. El-Emawy, E. Littlefield, H. Temkin, N. Faleev, "Growth modes of ZnSe on GaAs", J. Appl. Phys. 79, 1164, 1996.

16. Thermodynamic data for inorganic sulfides, selenides and tellurides", Butterworths, London, 1974.

17. S.V.Tsvinskii, L.A. Maslova, Mater. Sci. Eng., 30,147, 1977.

18. L. Tapfer, J. R. Martinez, K. Poog, Scemicond. Sci. Technol. 4, 617, 1989.

19. S. Guha, H. Munekata et. all., Role of initial growth mode on the dislocation structure in MBE grown ZnSe/GaAs(100), J. Cryst. Growth 127, 308-313, 1993

20. A. Krost, W. Richter, D. R. T. Zahn, K. Hingerl, H. Sitter. Appl. Phys. Lett. 57, 1981, 1990.

21. W. G. Wilke, R. Seedorf, K. Horn, J. Vac. Sci. Technol. B7, 807, 1989.

22. W. G. Wilke, K. Horn, J. Vac. Sci. Technol. B6, 1211, 1988.

23. Sz. Fukita, J. Cryst. Growth 101, 78, 1990.

24. J. H. Neave, P. Blood, B. A. Joyce. Appl. Phys. Lett, 36, 311, 1980.

25. A. Yoshikawa, H. Oniyama, S. Yamaga, H. Kasai. J. Cryst. Growth, 95, 572, 1989.

26. Y. Qiu, AA.El-Emawy, A. Osinsky, E. Littefield and H. Temkin, " Se species in metalorganic molecular beam epitaxy of ZnSe", Appl. Phys. Lett. 68, 3311-3313, 1996.

27. A.A. El-Emawy, Y. Qiu, A. Osinsky, E. Littefield and H. Temkin, "Novel technique for p-type doping of ZnSe", Proc. 37 Electronic Materials Conference, T2, June 21-23, 1996, Charlottesville, USA.

28. A. Osinsky, Y. Qiu, A.A. El-Emawy, E. Littlefield, H. Temkin and N.

th

Faleev, "Growth modes ofZnSe on GaAs", 37 Electronic Materials Conference, T6, June 21-23, 1995, Charlottesville, USA.

29. P. D. Floyd, J. L. Merz, H. Luo, J. K. Furdyna, Toshiya Yakogawa, Yoichi Yamada, "Optically pumped CdZnSe/ZnSe blue-green vertical cavity surface emitting lasers." Appl. Phys. Lett. 66, 2929, 1995.

30. M. A. Haase, P. F. Baude, M. S. Hagedorn, J. Qiu, J. M. DePuydt, H. Cheng, S. Guha, G. A. Hofler and B.J. Wu, Appl. Phys. Lett. 63, 2315, 1993.

31. R. R. Drenten, K. W. Haberern, and J. M. Gaines, J. Appl Phys. 76, 3988, 1994

32. M. Misous and K. E. Singer, Appl. Phys. Lett. 50, 694, 1987.

33. J. H. Neave, P. Blood, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett.

34. D. A. Cammack, K. Shahzad, and T. Marshal, Appl. Phys. Lett. 56, 845, 1990

35. H. Cheng, J. M. DePuydt, M. Haase, and J. E. Potts, Appl. Phys. Lett. 56, 848, 1990

36. Y. Kawakami, T. Toyoda, Y. Wu, Sz. Fujita, and Sg. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys. 29, 2440, 1990.

37. C.T. Foxton and B. A. Joyce, Surf. Sci. 64, 293, 1977.

38. Y. Kawakami, T. Toyoda, Sz. Fujita, and Sg. Fujita, J. Cryst. Growth 136, 371, 1994.

39. Nobuo Matsumura, Mitsutaka Tsubokura, Junji Saraie and Yutaka Yodogawa, "MBE Growth of high quality lattice matched ZnSSe on GaAs substrates." Journal of Crystal growth 86, 311, 1988.

40. G.D. Stringfellow, Organometallic Vapor-Phase Epitaxy (Academic, San Diego, 1989), p. 141.

41. C.A. Conrado, E. Ho, and L.A. Kolodziejski, J. Cryst. Growth, 127, 323, 1993.

42. E. Ho, C.A. Conrado, and L.A. Kolodziejski, J. Electron. Mater. 22,473, 1993.

43. A. Yoshikawa, H. Oniyama, S. Yamaga, and H. Kasai, J. Ciyst. Growth 95, 572, 1989.

44. T. Yao and S. Maekawa, J. Cryst. Growth 53, 423, 1981.

45. A. Osinsky, Y. Qiu, J. Mahan, H. Temkin, S.A. Gurevich, S.I. Nesterov, E. M. Tanklevskaia, V. Tretyakov, O. A. Lavrova, and V. I. Skopina. "Novel wet chemical etch for nanostructures based on II-VI compounds", Appl. Phys. Lett. 71, 509-511, 1997.

46. S.A. Gurevich, O.A. Lavrova, N.V. Lomasov, V.l. Skopina, E. M. Tanklevskaja, V.V. Travnikov, A. Osinsky, Y. Qiu, H. Temkin, M. Rabe, F. Henneberger. "ZnCdSe/ZnSe quantum well wires fabricated by reactive ion etching and wet chemical treatment", Semiconductor Science and Technology, 13,139-141, 1998.

47. A. Osinsky, Y. Qiu, J. Mahan, H. Temkin, S.A. Gurevich, S.I. Nesterov, E. M. Tanklevskaia, V. Tretyakov, O. A. Lavrova, and V. I. Skopina. Proc. 38th Electronic Materials Conference, M10, June 2628, 1996, Santa Barbara, USA.

48. J. Ding, A.V. Numrikko, D.C. Grillo, L. He, J. Han, R.L. Ganshor, Appl. Phys. Lett, 63, 2254, 1993.

49. M. Illing, G. Bacher, T. Kümmel, F. Forchel, N. G. Andersson, D. Hommel, B. Jobst, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett. 67, 124, 1995.

50. K. Menda, I. Takayasu, T. Minato and M. Kawashima, J. Cryst. Growth, 86, 342, 1988.

51. R. M. Park, H. A. Mar, and N.M. Salansky, J. Vac. Sei. Technol. B3, 1637, 1985.

52. K. Ohkawa, T. Karasawa, and T. Mitsuyu, J. Vac. Sei. Techn. B9, 1934, 1991.

53. W. C. Hughes, C. Boney, M. L. N. Jonson, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schezina, Abstracts of the 38th Electronic Materials Conference, M7, June 26-28, 1996, Santa Barbara, USA.

54. G. Cantwell, W. C. Harsch, H. L. Cotal, B. G. Markey, S. W. S. McKeever, and E. Thomas, J Appl. Phys. 71, 2931, 1992.

55. H. J. Leamy, J. Appl. Phys., 53, R51, 1982.

56. W. Chen, A. Kahn, P. Soukiassian, P. S. Mangat, J. Gains, C. Ponzoni, and D. Olego, Phys. Rev. 49, 10790, 1994.

57. F. Timofeev, V Smirnitskii, S. Gurevich, E. Tanklevskaya, V. Skopina, O. Lavrova, and V. Mikhailo, Semic. Sei. and Technol. 11, 801, 1996.

58. D. Gershoni, H. Temkin, G. J. Dolan, J. Dunsmuir, S. N. G. Chu, and M. B. Panish, Appl. Phys. Lett, 53, 995, 1988.

59. E. Kapon. Quantum wire semiconductor laser, in Quantum well lasers, ed. By P.S. Sory. Jr., 1993 - Academic Press, NY, p. 461-500.

60. R.T. Smith, Semiconductors, Cambridge, 381-383, 1961

61. G. Baher, M. Illing, A. Forhel, D. Hommel, B. Jobst and G. Landwehr, Phys. Status Solidi B187, 371, 1995.

62. Le Si Dang, C. Gourdon, N. Magnea, H. Mariette and C. Vieu, Semicond. Sei. and Technol. B13, 1953, 1994.

63. In Chemical Encyclopedia, Selenium and Compounds, 962, 1974.

64. M. Illing, G. Bacher, T. Kümmel, F. Forchel, D. Hommel, B. Jobst, G. Landwehr. J. Vac. Sei. Technol. B 13,2792, 1995.

65. S. A. Gurevich, A. V. Kolobov, V. M. Lyubin, S. I. Nesterov, M. M. Kulagina, F. N. Timofeev, S. I. Troshkov, Soviet. Techn. Phys. Lett. 18, 581, 1992

66. K. Ohkawa, T. KarasawaA. Yoshida, T. Hirao, and T. Mitsuyu, Appl. Phys. Lett, 54, 2553, 1989.

67. WJ. Choyke and L. Patrick, Phys. Rev., 108, 25, 1957.

68. J. Ding, A.V. Nurmikko, D.C. Grillo, Li He, J. Han, R. L. Gunshor, Appl Phys. Lett, 63, 2254, 1993.

69. M. Onomura, M. Ishikawa, Y. Nishikawa, S. Saito, P.J. Parbrook, K. Nitta, J. Rennie and G. Hatakoshi, "Blue-green laser diode operation on InGaP band offset reduction layers", Electronics Letters, 29, 1488, 1993

70. M. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272,1991.

71. S.Guha, J.M. DePuydt, M. Haase, J. Qiu, and H. Cheng, "Degradation of П-VT based blue-green light emitters." Appl. Phys. Lett. 63, 3107— 3109, 1993.

72. A.A.E1-Emawy, Y. Qiu, A. Osinsky, E. Littefield and H. Temkin, "Novel technique forp-type doping of ZnSe", Appl. Phys. Lett. 67, 1238-1240, 1995.

73. R. M. Park, M. B. Troffe, С. M. Rouleau, J. M. De Puydt, and M. A. Haase. Appl. Phys. Lett. 57, 2127, 1990.

74. A. Taike, M. Migita, and Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 56, 1989, 1990.

75. A. Ohki, N. Shibata, K. Undo, and A. Katsui, J. Cryst, Growth, 99, 413, 1990.

76. J. M. DePuydt, M. A. Haase, H. Cheng, and J. E. Potts, Appl Phys. Lett 55,1103, 1989.

77. K. Kosai, B. J. Fitzpatrick, H. G. Grimmeiss, R. N. Bhargava, and G. F. Neumark, Appl. Phys. Lett. 35, 1994. 1979.

78. T. Yao aand Y. Okada, Jpn. J. Appl. Phys. 25, 821,1986.

79. S. M. Shibi, M. C. Tamargo, B. J. Skrome, S. A. Shwartz, C. L. Shwartz, R. E. Nahory, and R. J. Martin, J. VaC. Sci. Technol. B8, 187,1990.

80. K. Akimoto, H. Okuyama, M. Ikeda, and Y. Mori, J. Crist. Growth 117, 420, 1992.

81. K. Imai, E. Kusisto, J. Lilja, M. Pessa, D. Suzuki, H. Ozaki, K. Kumazaki, and Hingeri, J. Cryst. Growth, 117, 406, 1992.

82. A. Kamata, H. Mitsuhashi, and H. Fujita, Appl. Phys. Lett, 63, 2384, 1993.

83. K. Morimoto aand T. Fujino, Appl. Phys. Lett., 63, 3353, 1993.

84. J. Qiu, J. M. DePuydt, H. Cheng, and M. A. Haase, Appl. Phys. Lett, 59, 2992, 1990.

85. Y. Li and W. K. Hall, J. Phys, Chem. 94, 6145, 1990.

86. Y. Li and W. K. Hall, J. Catalysis 129, 202, 1991