Разработка и исследование метода синтеза трихлорсилана по реакции гидрирования тетрахлорида кремния в водородной плазме тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат химических наук Корнев, Роман Алексеевич

• Корнев, Роман Алексеевич
• кандидат химических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат химических наук Корнев, Роман Алексеевич

Глава 1. Литературный обзор.

1.1. Химические методы синтеза хлорсиланов и силана из тетрахлорида кремния.

1.1.1. Гидрирование SiCl4 с использованием высокоактивных восстановителей.

1.1.2. Гидрирование SiCl4 при высоких температура.

1.1.3. Гидрирование SiCl4 с использованием катализаторов.

1.1.4. Сравнительный анализ методов гидрирования SiCl4.

1.2. Термодинамика реакций восстановления хлорсиланов водородом.

1.3. Особенности восстановления тетрахлорида кремния в плазме.

1.3.1. Плазмохимические методы восстановления тетрахлорида кремния.

1.3.2. Термодинамика плазмохимического восстановления тетрахлорида кремния.

1.3.3. Некоторые характерные особенности плазмообразующих газов Н2, Аг и Не.

1.3.4. Специфика плазмы в электроотрецательных газах.

Глава 2. Разработка методики водородного восстановления тетрахлорида кремния в ВЧ-разряде.

2.1. Подготовка плазмообразующего газа и выбор типа разряда.

2.1.1. Методика подготовки водорода и SiCl4.

2.1.2. Устройство смешения реагентов.

2.1.3. Выбор типа разряда для проведения плазмохимического восстановления SiCl4.

2.2. Стадии формирования реакционной плазмы и оптимизация реакционной камеры.

2.2.1. Стадии формирования реакционной плазмы.

2.2.2. Оптимизация реакционной камеры.

Глава 3. Исследование выхода трихлорсилана от параметров процесса плазмохимического гидрирования SiCl4.

3.1. Зависимость выхода трихлорсилана от удельного энерговклада.63 3.1.1. Установка для плазмохимического синтеза трихлорсилана.

3.1.2. Определение мощности вкладываемой в разряд и температуры газа в плазме.

3.1.3. Определение удельного энерговклада и удельных энергозатрат.

3.2. Зависимость выхода продуктов реакции от мольного соотношения H2/SiCl4 и давления в реакционной зоне.

3.2.1. Зависимость выхода трихлорсилана и кремния от соотношения H2/SiCl4.

3.2.2. Зависимость выхода трихлорсилана от давления в реакторе.

3.2.3. Обсуждение механизма образования трихлорсилана в ВЧ-разряде.

Глава 4. Исследование поведения углеродсодержащих примесей в процессе плазмохимического гидрирования тетрахлорида кремния.

4.1. Исследование взаимодействия четыреххлористого углерода с тетрахлоридом кремния и водородом в ВЧ-разряде при сравнимых концентрациях.

4.1.1. Методика эксперимента.

4.1.2. Явления, наблюдаемые в ходе эксперимента.

4.2. Исследования поведения примесей четыреххлористого углерода и хлороформа в процессе плазмохимического восстановления тетрахлорида кремния.

4.2.1. Исследование поведения примесей СС14 и СИСЬ от давления.*.

4.2.2. Исследование поведения примесей СС14 и CHCI3 от мольного соотношения H2/SiCl4.

4.2.3. Оценка коэффициента разделения а для примеси СС14.

Глава 5. Исследование процессов разделения водородсодержащих смесей на мембранах из сплавов на основе палладия.

5.1. Исследование водородопроницаемости и разделительной способности сплава Pd - In (5,5%) - Ru (0,5%).

5.1.1. Исследование водородопроницаемости сплава

Pd-In -Ru.

5.1.2. Исследование разделительной способности сплава

Pd-In -Ru.

5.2. Исследование водородопроницаемости и разделительной способности сплава Pd - Ru (6%).

5.2.1. Исследование водородопроницаемости сплава

Pd-Ru.

5.2.2. Исследование разделительной способности сплава

Pd-Ru.,.

5.3. Разработка технологической схемы безотходного метода синтеза трихлорсилана в водородной плазме.

5.3.1. Установка для переработки хлористого водорода.

5.3.2. Технологическая схема безотходного метода синтеза трихлорсилана.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование метода синтеза трихлорсилана по реакции гидрирования тетрахлорида кремния в водородной плазме»

Существование и развитие промышленности невозможно без электронных приборов. Разработка и освоение методов их изготовления на основе полупроводников, способствовали резкому росту производства одного из основных полупроводниковых материалов-кремния.

В период с 1965 по 1971 год происходил выбор наиболее рациональной схемы производства кремния [1-3]. Были описаны четыре основных способа : цинкотермический (восстановление SiCl4 цинком), моносилановый (разложение SiH4), иодидный (синтез SiJ4, его ректификация и диссоциация) и метод водородного восстановления SiCU или SiHCl3. В настоящее время, в промышленности применяют методы водородного восстановления SiCl4 и SiHCl3 и разложения моносилана.

Метод водородного восстановления хлорсиланов рализуется с протеканием реакций [2]:

Использование трихлорсилана при водородном восстановлении имеет ряд преимуществ по сравнению с SiCl4. Это легкая дистилляционная очистка из-за отсутствия азеотропов с примесями и большая скорость осаждения. Перечисленные преимущества позволяют существенно повысить производительность установок при производстве полупроводникового кремния. Хлорсиланы также предпочтительнее использовать вместо силана и дисилана при осаждении методом CVD, так как гомогенное зародышеобразование мелких (тонкодисперсных) частиц с хлорсиланами менее вероятно [4].

SiCU + Н2 SMCI3 + НС1

О) (2)

3)

4)

S1HCI3 SiCb + НС1 SiCl2 + Н2 <-> Si + 2НС1

2SiCl2 о Si + SiCL,

Тетрахлорид кремния является побочным продуктом не только в процессах газофазного осаждения кремния, но и при диспропорционировании трихлорсилана на ионообменных смолах с целью получения моносилана по схеме:

SiHCl3 + SiHCl3 о Si Н2С12 + SiCl4

SiHCl3 + SiH2Cl2 о Si H3C1 + SiCl4 t = 110°C

SiHCl3 + SiH3Cl ^ Si H4 + SiCl4.

Таким образом, трихлорсилан является практически наиболее важным веществом для производства кремния, а тетрахлорид кремния - основным побочным продуктом этого производства.

Содержание примесей в тетрахлориде кремния находится на уровне чистоты исходного трихлорсилана. Поэтому, в целях создания безотходной, экологически безопасной технологии получения высокочистого кремния, важной задачей является разработка методов, обеспечивающих конверсию тетрахлорида кремния в трихлорсилан с высоким выходом и низкими энергзатратами, а так же без дополнительного загрязнения примесями на этой стадии.

В промышленности используются термические методы каталитического и высокотемпературного гидрирования SiCl4, достоинства и недостатки которых будут рассмотрены ниже. Кроме того, существуют плазмохимические методы, в которых подвод энергии осуществляется через электромагнитное поле.

Плазмохимические методы относятся к сравнительно новому направлению химической технологии - плазмохимии. Это направление [5] развилось в результате расширения знаний о химических реакциях в электрических разрядах и плазме, что привело к развитию прикладных исследований и возникновению нового направления технической химии-плазмохимии. Плазмохимия обобщает процессы синтеза материалов которые протекают при непосредственном взаимодействии вещества и плазмы и сопровождающиеся химическими превращениями. Плазма здесь является либо генератором активных частиц и энергоносителем либо только энергоносителем.

Различают высокотемпературную (степень ионизации газа достигает 100%) и низкотемпературную (степень ионизации менее 1%) плазму [6]. Для плазмохимической технологии характерны новые эффекты, связанные с электропроводностью плазмы, ее чувствительностью к электромагнитным полям, неравновесностью, электромагнитным излучением, позволяющие осуществлять химические превращения с высокой энергетической эффективностью. Плазма позволяет повышать селективность реакций, достигать высоких выходов продуктов, получать вещества и материалы с новыми, уникальными свойствами. В настоящее время, плазма широко применяется в химической технологии, технике физико-химических исследований, микроэлектронике, реакциях термоядерного синтеза, электроэнергетике (МГД-генераторы)[6].

Для создания плазмы применяют различные газы и их смеси. Подбором состава плазмообразующего газа можно создать нейтральную, окислительную и восстановительную среды.

Водород является перспективным восстановителем в плазмохимической технологии. Он обеспечивает максимальное использование тепловой энергии, выделяющейся при рекомбинации водородной плазмы по сравнению с другими газами (аргон, гелий и т.д.) [7].

Поэтому проведение процесса восстановления тетрахлорида кремния водородом в плазме является естественным шагом на пути поиска новых методов перевода SiCL} в SiHC^.

Целью настоящей работы является разработка и исследование метода, сочетающего процесс синтеза высокочистого трихлорсилана по реакции плазмохимического гидрирования тетрахлорида кремния с отделением водорода от хлорсиланов диффузией через металлические мембраны.

Для достижения этой цели необходимо было:

1) подобрать условия плазмохимического процесса, при которых принципиально возможно образование трихлорсилана. Данные исследования включают в себя выбор типа разряда, подготовку плазмообразующего газа, оптимизацию реакционной камеры.

2) провести оценку температуры газа в плазме в условиях синтеза трихлорсилана.

3) провести исследования по оптимизации технологических параметров процесса синтеза трихлорсилана таких как энерговклад, энергозатраты, давление и соотношение реагентов. Необходимость этих исследований объясняется сильным различием характеристик, описанных в литературе, плазмохимических методов водородного восстановления тетрахлорида кремния, что обусловлено многообразием возможных вариантов реализации данного процесса, а так же недостаточно полной информацией, имеющейся в патентах и статьях.

4) провести исследования поведения основных примесей в процессе синтеза трихлорсилана и установить уровень фоновых загрязнений и условия процесса, способствующие уменьшению содержания определенного класса примесей в продуктах реакции.

5) провести исследования и оптимизировать процесс разделения смеси водорода и хлорсиланов с использованием металлических мембран из сплава на основе палладия.

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Корнев, Роман Алексеевич

Выводы

1. Исследовано влияние основных технологических параметров на выход трихлорсилана в процессе плазмохимического гидрирования тетрахлорида кремния в условиях высокочастотного, емкостного разряда. Установлены зависимости выхода трихлорсилана от мольного соотношения H2/SiCl4, давления и энерговклада. Предложен вероятный механизм образования трихлорсилана с участием колебательно - возбужденных молекул Н2. Определены оптимальные условия, Р = 550 Тор и H2/SiCl4 = 6,2, обеспечивающие выход трихлорсилана 60%.

2. Энергозатраты в разработанном методе синтеза трихлорсилана составляют менее 2 кВт-ч/кг, что сравнимо с энергозатратами в химических методах.

3. Исследовано влияние давление и мольного соотношения реагентов на степень превращения углеродсодержащих примесей ССЦ и CHCI3 в карбид кремния и углерод. Максимальная степень превращения для примеси ССЦ составляет более 99,9%, для примеси CHCI3 - более 96,7%.

4. Проведена оценка разделительной способности мембран из сплавов Pd -In (5,5%) - Ru (0,5%) и Pd - Ru (6%) при разделении смеси водорода с хлорсиланами. Показано, что рабочий интервал температур для сплава Pd - Ru (6%) составляет 170 - 270°С. Установлена возможность практического применения мембран Pd - Ru (6%) для разделения смесей хлорсиланов с водородом.

5. Предложена схема безотходного метода синтеза трихлорсилана в водородной плазме включающая стадии плазмохимического синтеза трихлорсилана и отделения водорода от продуктов гидрирования с последующим возвратом в технологический процесс.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Корнев, Роман Алексеевич, 2007 год

1. Реиьяи В.Р. Технология полупроводникового кремния. Издательство " Металлургия", 1969.

2. Салли И.В., Фалькевич Э.С. Производство полупроводникового кремния. Издательство " Металлургия", 1970.

3. ШашковЮ.М. Металлургия полупроводников. Металлургиздат, 1960.

4. Allen К. D., Sawin Н.Н. J. Electrochem. Soc. 1986,133,421.

5. Пархоменко В.Д., Сорока П.И., Краснокутский Ю.И. и др. Плазмохимическая технология. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1991, 392с.

6. Крапивина С.А. Плазмохимические технологические процессы,- JL: Химия, 1981.248с.

7. Пархоменко В.Д., Сорока П.И. и др. Плазма в химической технологии. Издательство " Технжа", 1986, 144с.

8. D.T. Hurd. J. Amer. Chem Soc., 67, 1545 (1945).

9. D.T. Hurd. Пат. США 2406605 (1946); C.A., 40, 7236 (1946).

10. Англ. Пат. 609134 (1948); С.А., 44, 6090 (1950).

11. Пат. США 2458703 (1949); С.А., 43,3441 (1949).

12. G.A. Wagner, C.E. Erickson. Пат. США 2595620 (1952); С.A. 46, 7820 (1952).

13. Пат. 50-17035 Япония, МКИ COIB 33/08. Способ получения хлорсиланов. 1975.

14. Пат. Германия 4108614, МКИ COIB 33/107. Способ получения трихлорсилана из тетрахлорида кремния. 1992.

15. Пат. 745698. Великобритания, МКИ COIB 33/02. Метод получения высокочистого кремния термическим разложением силана. 1956.

16. Пат. 838275. Великобритания, МКИ COIB 33/04. Метод получения силана для производства высокочистого кремния. 1960.

17. Пат. 2888328. США, МКИ COIB 33/04. Усовершенствованный метод получения силана. 1959.

18. Пат. 3053691. США, МКИ COIB 33/04. Метод получения силана. 1962.

19. Пат.1080077. ФРГ, МКИ СОЮ 33/04. Получение гидрида кремния. 1960.

20. Пат. 215370. Швеция, МКИ COIB 33/04. Способ получения силана. 1967.

21. Пат. 3050366. США, МКИ COIB 33/04. Метод получения силана. 1962.

22. Пат.3419354. США, МКИ COIB 33/02. Метод получения силана. 1967.

23. О. Glemser, W. Lohman. Z. anorgan. Und allgem Chem., 275, 260 (1954).

24. Пат. 949943 ФРГ, МКИ СОЮ 33/04. Способ частичного или полного гидрирования или алкилирования летучих галогенидов элементов III-V групп. 1956.

25. Заявка. 2.082953 Франция, МКИ COIB 33/08. Получение трихлорсилана гидрированием тетрахлорида кремния. 1972.

26. Пат. 4217334 США, МКИ COIB 33/08. Процесс получения хлорсиланов. 1980.

27. Пат. 2209267 ФРГ, МКИ СОЮ 33/08. Процесс производства хлорсиланов. 1973.

28. Заявка 60-81010 (А) Япония, МКИ СОЮ 33/107. Способ получения трихлорсилана. 1987.

29. Пат. 3933985 США, МКИ СОЮ 39/00. Способ получения поликристаллического кремния. 1976.

30. Заявка 62-21707 (А) Япония, МКИ СОЮ 38/08. Способ получения трихлорсилана. 1987.

31. Заявка 60-3002 (В) Япония, МКИ COIB 33/08. Способ получения трихлорсилана. 1985.

32. Заявка 62-123011 Япония, МКИ COIB 33/107. Способ и устройство для получения трихлорсилана. 1987.

33. Заявка 63-8207 Япония, МКИ COIB 33/104. Гидрированный тетрахлорид кремния. 1988.

34. Пат. 3565590 США, МКИ COIB 33/02. Способ и устройство для получения трихлорсилана. 1971.

35. Пат. 4695441 США, МКИ COIB 33/04. Получение силана. 1987.

36. Заявка 61-56164 Япония, МКИ COIB 33/107. Способ получения трихлорсилана. 1986.

37. Пат. 4526769 США, МКИ COIB 33/08. Получение трихлорсилана. 1985.

38. Заявка 3341340 ФРГ, МКИ СОЮ 33/107. Способ превращения тетрахлорида кремния в трихлорсилан. 1985.

39. Пат. 2595620 США, МКИ COIB 33/104. Гидрирование галогенсиланов. 1952.

40. Пат. 4340574 США, МКИ СОЮ 33/04. Способ получения высокочистого силана с рециркуляцией через разделительные колонны. 1982.

41. Заявка 57-129817 (А) Япония, МКИ СОЮ 33/107. Способ получения трихлорсилана. 1982.

42. Заявка 57-140312 (А) Япония, МКИ COIB 33/107. Способ получения трихлорсилана. 1982.

43. Заявка 59-45919 (А) Япония, МКИ COIB 33/107. Способ непрерывного получения трихлорсилана. 1984.

44. Заявка 62-59051 (8) Япония, МКИ COIB 33/02. Способ получения высокочистого кремния. 1987.

45. Романов В.В., Орико JI.M. Исследование синтеза дихлорсилана// Вестн. Львовского политехнич. ин-та. Сер. Химия, технология веществ и их применение. 1982. N 163.С.150-151.

46. Заявка 55-10532 (В) Япония, МКИ COIB 33/107. Способ получения трихлорсилана. 1980.

47. Заявка 62-256713 (А) Япония, МКИ COIB 33/107. Способ получения трихлорсилана. 1987.

48. Заявка 62-270413 (А) Япония, МКИ COIB 33/08. Способ получения трихлорсилана. 1987.

49. Пат. 2458703 США, МКИ COIB 33/08. Восстановление соединений кремния с галогенами. 1949.

50. Гранков И.В., Иванов JI.C. Интенсификация процесса получения поликристаллического кремния. //Цв. Металлы, 1986, №6.с.60-64.

51. William M. Lngle and Marilyn S. Peffley, J. Electrochem. Soc.: SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. May 1985,. VOL.132, №5, p.1236-1240.

52. Theuerer H.C., J. Electrochem. Soc., 1961, V.108,№7, p.649.

53. Belander E.G., J. Electrochem. Soc., 1962, V.109,№6, p. 1071.

54. Li C. Phys. Stat. Solidi, 1966,V.15, p.419.

55. Sedwick Т.О., J. Electrochem. Soc., 1964, V.III, 12, p. 1381.

56. Бочкарёв Э.П., Дементьев Ю.С., Иванов JI.С. и др. // Кремний и германий. Вып. 2.М.: Металлургия, 1970.

57. Иванов JI.C., Батов Д.В. Высокочистые вещества, 1994, №6, стр.54.

58. Lever R.C. J.B.M. J. Res. Developm., 1964, V.4, p. 160.

59. L.P. Hunt and E. Sirtl, J. Electrochem. Soc.: SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. December 1972, p. 1741. VOL.119, №12.

60. E. Sirtl, L.P. Hunt, and D.H. Sawyer, J. Electrochem. Soc.: SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. July 1974,. VOL.121, №7, p.919-925.

61. Шабалин Ю.П., Пожиткова C.A., Берденникова A.E., Иванов JI.C. Высокочистые вещества 1988, № 6, с.68-71.

62. Заявка 2530528 Франция МКИ C07F 7/02.Получение трихлорсилана, используемого для получения высокочистого кремния высокой чистоты. 1984.

63. Заявка 2530638 Франция МКИ C07F 7/02. Получение трихлорсилана, используемого для получения высокочистого кремния. 1984.

64. Пат. 0100266 ЕГО (ЕР), МКИ COIB 33/07. Способ получения трихлорсилана. 1984.

65. Пат. 4309259 США, МКИ COIB 33/107. Способ гидрирования тетрахлорида кремния. 1985.

66. Пат. 4542004 США, МКИ COIB 33/107. Способ гидрирования тетрахлорида кремния. 1985.

67. Пат. 4321246 США, МКИ COIB 33/02, COIB 33/107. Способ получения поликристаллического кремния. 1982.

68. Рид Т. Химические реакции в индукционной плазме.-В кн.: Использование плазмы в химических процессах. МИР 1970, с.38-40.

69. С.А. Нестер, Б.В. Потапкин, А. А. Левицкий, В.Д. Русанов, Б.Г. Трусов, А.А. Фридман. Кинетико-статическое моделирование химических реакций в газовом разряде. М. ЦНИИ атоминформ, 1988.

70. А.П. Карпов, A.JI. Сурис, С.Н. Шорин. II Симпозиум по плазмохимии Т.2 «Тезисы докладов» Издательство «Зинанте» Рига 1975, стр. 178-181.

71. A.J1. Сурис. II Симпозиум по плазмохимии Т.2 «Тезисы докладов» Издательство «Зинанте» Рига 1975, стр.198-201.

72. В.Е. Алемасов и др. Термодинамические и теплофизические свойства продуктов сгорания, т.1,3.М., ВИНИТИ, 1971.

73. Ю.П. Райзер. Физика газового разряда. М.: Наука, 1987.-590с.

74. Словецкий Д.И. Химия пазмы / под ред. Смирнова Б.М. М.:1. Атомиздат,1974, вып.1.

75. Низкотемпературная плазма 3// под редакцией JI.C. Полака и

76. Ю.А. Лебедева. Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1991.-328с.

77. А.В. Егоров, А.Ф. Морсин. Электрические печи.-М: Металлургия, 1975.-352с.

78. Нефёдов В.И., Вовна В.И. «Электронная структура химических соединений» М.:НаукаД987.

79. Г.Л. Гуцев; ЖНХД993, Т.38, №8, с.1377.

80. Крылов В.А., Салганский Ю.М., Чернова О.Ю. Высокочувствительное газохроматографическое определение примесей углерод- и водородсодержащих веществ в тетрахлориде кремния.// ЖАХ, 2001, Т.56, №9, с.956-961.

81. Верятин У.Д. и др. Термодинамические свойства неорганических веществ. Справочник под редакцией А.П. Зефирова. М., Атомиздат, 1965,460с.

82. Kearby К. J. Am. Chem. Soc;, 1936, V.58, р.374.

83. Е.П. Велихов, А.С. Ковалёв, А.Т. Рахимов «Физические явления в газоразрядной плазме». М. Наука 1987,160с.

84. Т.Е. Ремнёв, А.И. Пушкарёв, М.А. Пушкарёв; в кн. Труды III Международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Томск, 2002.С.371-372.

85. Г.Е. Ремнёв, А.И. Пушкарёв, М.А. Пушкарёв; в кн. Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем. Материалы VI всероссийской (международной) конференции. М.: МИФИ 2002, 428с.

86. В.Е. Брагин, А.Н. Быканов, В.И. Марданов, В.Д. Матюхин, В.Ф. Муравьёв //Международный симпозиум по теоретической и прикладной плазмохимии. Рига, 1991, с. 77-79.

87. Е.Г. Крашенинников, В.Д. Русанов, С.В. Санюк, А.А. Фридман. ЖТФ 1986, Т.56, в.б.стр.1104.

88. Крылов В.А., Салганский Ю.М., Чернова О.Ю., Малыгина JI.C., Котков А.П. // ЖАХ, 2003,т.58, №8,841 846.

89. Won Е. Wolf und R. Teichman, Z. anorg. allg Chem. 460, 65-80 (1980).

90. B.K. Животов, В.Д. Русанов, A.A. Фридман. «Диагностика неравновесной химическиактивной плазмы», Москва, Энергоатомиздат. 1985,216с.

91. Переработка тетрахлорида кремния, образующегося в производстве полупроводникового кремния/ Сивошинская Т.И., Гранков И.В., Шабалин Ю.П., Иванов Л.С.// ЦНИИЭИ Цветмет. 1989.Вып.2.

92. Ming-Der Su and Н. Bernhard Schlegel. An ab Initio MO Study of the Thermal Decomposition of Clorinated Monosilanes, SiH4.nCl(n=j-4). //The Journal of Physical Chemestiy, 1993,V.97,n 39, pp 9981-9985.

93. Белоусова Э.В. и др. «Химия высоких энергий», Т.25, №6,1991, с.556.

94. Шишкин Ю.А., Ягжев В.В. // Изв. Сиб. отделение АН СССР. 1985. Сер.1. Химия. 4. Вып.И. с. 124.

95. Бубнов А.Г., Гриневич В. И., Костров В.В. «Химия высоких энергий», Т.25, №4, 1991, с.365.

96. Пазинкевич И. // Возможность очистки газов с помощью коронных электрических разрядов. 11-й Международный газовый конгресс. М.: IGU/B8-70,1970. с.1-22.

97. Гришфельдер Д.Н., Кертисс У., Берд Р. Молекулярная теория газов и жидкостей. М., ИЛ, 1961.

98. Van-Hove L. Physica 23,441 (1957).

99. Словецкий Д.И. В сб. Плазмохимия-71. М., ИНХС АНСССР 1971, стр.19.

100. Huffman R.E., Katyama D.H., J. Chem. Phys., 45,138, (1966).

101. Каллир А., Ламберт Дис. Б. сб: Возбуждение частицы в химической кинетике. М., Мир, 1973.

102. Anderson D.A., Spear W.E., Phil Mag. 35,1 (1977).

103. Catherin Y., Turban G., Round Table of Surface

104. Treatment and plasma Polymerization, Univ. of Limoges., 1977.

105. Mudoch H.D., Hamblyn S.M. Patent France №1582154, 3.7. 1967.

106. Suwancy L.R. Patent, US № 3485858, 26.9.1968.

107. Silbiger J., Schnell C. Patent Suisse №472337,10.6.1968.

108. B.A. Рабинович, З.Я. Хавин. /Краткий химический справочник Л.: Химия, 1991,432с.

109. В.А. Рябин, М.А. Остроумов, Т.Ф. Свит. //Термодинамические свойства веществ. Справочник. Л., «Химия», 1977,392с.

110. А.Г. Морачевский, И.Б. Сладков //Термодинамические расчёты в металлургии. Справочник. М., Металлургия, 1985, 136с.

111. Максимов А.И. //Теория неравновесных процессов технологии электронных приборов.- Иваново: ИХТИ, 1984.-306с.

112. Кравченко Ю.С., Осадчук B.C., Словецкий Д.И., Коровянко В.Н.; «Химия высоких энергий»,Т.23, №5,1989, с. 444 449.

113. Mudoch H.D., Hamblin S.M. Patent France № 1582154,3.7.1967.

114. Шейхет Э.Г., Червонный Н.Ф., Фалькевич Э.С.//Высокочистые вещества, 1989, №2, С.50.

115. Н.Х. Аглиулов, В.В. Лучинкин; //Труды по химии химической технологии. Выпуск 1, 11969, с14.

116. Н.И. Лапидус, Л.А. Никельсон, А.А. Каратаева //ЖНХ, том X, Вып. 10,1965, с.2372.

117. Г.Г. Девятых, Ю.Е. Елиев. Глубокая очистка веществ. Учебное пособие для вузов. М., «Высшая школа», 1974, 160с.

118. Г.Г. Девятых, Б.Е. Улеватый, А.О. Любавин //Высокочистые вещества №5, 1990, с.109.

119. Использование плазмы в химических процессах / Под ред. Р.Ф. Баддура, Р.С. Тимминса. -М.:,1970.-256 с.

120. А.В. Гусев, Р.А. Корнев, А.Ю. Суханов. НМ, 2006, т.42, №9, сЛ 123 -1126.

121. Пат. 1667444 ФРГ, МКИ COIB 33/08,1970

122. Заявка 2523113 Франция, МКИ COIB 33/107, В01Д5/00

123. JI.B. Спивак, Н.Е. Скрябина, М.Я.Кац //Водород и механическое последействик в металлах и сплавах. Пермь: изд - во перм. ун - та, 1993.-344с.

124. Sakomoto Y., Kawachi М., Hirata S.// J.Jap. Inst. Metals 1982. 46, №5. p.530-537.

125. B.M. Грязнов // Катализ благородными металлами.

126. Дж.Д.Фаст // Взаимодействие металлов с газами. М: Металлургия. Т.2.1975

127. А.Ф.Жигач, Д.С.Стасиневич // Химия гидридов. Издательство «Химия» ленинградское отделение. 1969.,676 С.

128. Прохоров A.M., Лякишев Н.П., Бурханов Г.С., Дементьев В.А., Кореновский H.JL, Калинушкин В.П., Петров Г.Н., Чертков М.П., Жуковский А.Я. //Мембранный узел для разделения газов. Патент RU 2126290 С16 В01 D63/00, 1999.

129. Водород в металлах. Под ред. Альфельда Г., Фелькля И. Пер. с англ. М.:Мир.1981, Т.2,432 С.