Разработка и исследование элементной базы на гетероструктурах на основе соединений А3В5 для СВЧ-модулей тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат технических наук Ющенко, Алексей Юрьевич

• Ющенко, Алексей Юрьевич
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Ющенко, Алексей Юрьевич

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Современное состояние разработок СВЧ монолитных интегральных схем для радиолокационных устройств

1.1 Функциональный ряд СВЧ МИС

1.2 Уровень серийно-выпускаемых СВЧ МИС за рубежом

1.3 Отечественные разработки в области СВЧ МИС

1.4 Выводы и постановка задачи

ГЛАВА 2. Разработка и исследование гетероструктурных арсенидгаллиевых СВЧ pin-диодов и МИС коммутаторов на их основе

2.1 Разработка и исследование гетероструктурных арсенидгаллиевых СВЧ pin-диодов

2.1.1 Конфигурации эпитаксиальных структур и изготовление СВЧ pin-диодов

2.1.2 Измерение характеристик pin-дподов. Построение СВЧ-моделей

2.1.3 Явления излучательной рекомбинации

в арсенидгаллиевых СВЧ pin-диодах

2.2 Разработка монолитных интегральных схем коммутаторов СВЧ-мощности на основе гетероструктурных арсенидгаллиевых pin-диодов

2.2.1 Технология изготовления монолитных интегральных схем, включающих pin-диоды и диоды Шоттки

2.2.2 Разработка МИС коммутаторов С- и Х-диапазонов частот

2.2.3 Разработка МИС сверхширокополосных коммутаторов

2.3 Выводы

ГЛАВА 3. Разработка и исследование МИС ограничителей СВЧ-мощности

3.1 Проектирование схем ограничителей СВЧ-мощности

3.2 Разработка и исследование МИС ограничителей СВЧ-мощности на основе pin-диодов

3.3 Поиск путей улучшения характеристик ограничителей СВЧ-мощности

3.3.1 Разработка и исследование МИС ограничителя СВЧ-мощности, управляемого напряжением

3.3.2 Разработка и исследование МИС ограничителей СВЧ-мощности содержащих рт-диоды и диоды Шоттки

3.4 Выводы

ГЛАВА 4. Разработка монолитной интегральной схемы малошумящего

усилителя Х-диапазона на основе гетероструктурных полевых транзисторов.. 85 4.1 Разработка и исследование гетероструктурного транзистора АП399А-5 .86 4.1.1 Технологический маршрут изготовления гетероструктурных

транзисторов и монолитных интегральных схем на их основе

4.1.2 Конфигурации и основные параметры рНЕМТ-структур

4.1.3 Построение СВЧ-моделей транзисторов

4.2 Проектирование СВЧ-усилителей

4.2.1 Разработка и исследование МШУ Х-диапазона

4.2.2 Совместное использование разработанных монолитных интегральных схем рНЕМТ МШУ и ЗУ на основе pin-диодов

4.3 Получение Т-образных затворов с длинами порядка 100 нм без использования электронной литографии

4.4 Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование элементной базы на гетероструктурах на основе соединений А3В5 для СВЧ-модулей»

ВВЕДЕНИЕ

Разработка и освоение новейших технологий в системах космической, спутниковой и мобильной связи, а также радиолокационных системах на основе приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток (ППМ АФАР) является важнейшей и сложнейшей научно-технической задачей, без решения которой немыслимо производство перспективных, эффективных и конкурентоспособных образцов новой техники. Прогресс в этой области обусловлен использованием СВЧ монолитных интегральных схем (МИС), базирующихся на последних достижениях в области гетероструктурной электроники.

В настоящее время в США, Японии и ряде стран Европы и Южной Азии разработаны и серийно выпускается ряд СВЧ МИС на основе гетероструктур, предназначенный для построения указанных систем. Функциональный ряд этих МИС включает следующие схемы: малошумящие усилители (МШУ) и усилители мощности (УМ), защитные устройства, коммутаторы, фазовращатели, агтенюаторы, смесители и генераторы.

В России работы по созданию серийных изделий этого ряда ведутся всего на нескольких предприятиях, причем, основные усилия в этой области направлены на сокращение отставания от уровня зарубежных компаний.

Актуальность работ, связанных с разработкой элементной базы для СВЧ-модулей, продиктована острой необходимостью разработки аппаратуры нового поколения и, прежде всего, для специальной техники оборонного комплекса страны.

Требуется отметить, что к началу данной работы (2007 г.) в России СВЧ МИС выполнялись преимущественно по МЕЗРЕТ-тсхнологии, полностью отсутствовало перспективное научно-техническое направление по созданию СВЧ монолитных интегральных схем на основе гетероструктурных арсенидгаллиевых рт-диодов, а работы по созданию рНЕМТ МИС МШУ были на начальном этапе.

Цель работы. Цслыо работы является разработка и исследование монолитных интегральных схем СВЧ диапазона на основе арсенидгаллиевых гетероструктурных рт-диодов, в рамках нового для страны направления, а также разработка и исследование СВЧ МИС на основе транзисторов с высокой подвижностью электронов.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи.

1) Разработать и оптимизировать конструкцию и технологию изготовления дискретного СВЧ гетероструктурного рт-диода на отечественном материале. Провести исследование особенностей поведения прибора при разных режимах работы и на разных материалах. Провести комплекс измерений его параметров, необходимых для построения СВЧ-модели рт-диода и проектирования монолитных интегральных схем на его основе.

2) Разработать технологию создания СВЧ монолитных интегральных схем с использованием гетероструктурных рт-диодов. Найти наиболее эффективные конструкторские и технологические решения для создания МИС коммутаторов и ограничителей СВЧ-мощности с параметрами, превышающими параметры известных аналогов.

3) Разработать и оптимизировать конструкцию и технологию изготовления малошумящего транзистора, выполненного по рНЕМТ-технологии на отечественном материале. Провести исследование его характеристик, построить СВЧ-модель. Провести комплекс работ для создания оптимальных технологических маршрутов изготовления МИС на основе гетероструктурных транзисторов, включающих создание активных и пассивных компонентов.

4) Разработать и исследовать МИС малошумящего усилителя Х-диапазона на основе разработанной рНЕМТ-техпологии. Провести исследование созданных МИС МШУ и МИС защитного устройства на основе рт-диодов при их совместной работе (МШУ с защитой по входу).

5) Провести поиск конструктивных и технологических путей создания МИС па основе гетероструктурных транзисторов; имеющих более высокие предельные частоты, для работы в миллиметровом диапазоне волн. ,

Научная новизна работы.

1) Впервые в стране созданы СВЧ гетероетруктурные арсенидгаллиевые pin-диоды и монолитные интегральные схемы па их основе. • :

2); Экспериментально изучены особенности поведен им СВЧ гетероструктурных; . pin-диодов в монолитных интегральных схемах. Впервые показано,- что

арсенидгаллиевые pin-диодьц входящие в состав СВЧ МИС, являются источниками инфракрасного; излучения, обусловленного излучательной рекомбинацией электронов и дырок в диодах, что; позволяет измерять температуру приборов' и^ осуи;ествлять , дистанционный контроль схем при граничных испытаниях.

3) Впервые созданы СВЧ монолитные; интегральные ' схемы ограничителей; мощности, одновременно содержащие вертикальные структуры pin-диодов и диодов Шоттки. Flo совокупности параметров разработанные схемы;

. превосходят известные аналоги. Конструкции^ схем защищены'патентами (пат. РФ№94765от27.05.20Шишат. РФ №1Ю2846 от ЮЮ3.20И);

4) Впервые предложена и реализована МИС ограничителя СВЧ-мощностп на основе pin-диодов; с. управляемым уровнем просачивающейся; мощности:

' (заявка на изобретение №2011102631 от 24i01^.20 Мтф: Схема также может быть/ использована в качестве управляемого аттенюатора и СВЧ-«отюночателя». • .

5) Экспериментально исследованы температурные зависимости: скорости дрейфа электронов от поля в квантовой яме гетероперехода AlGaAs/InGaAs разработанного транзистора, что позволяет более корректно оценивать изменение параметров прибора в диапазоне температур 230-400 К. -

6) Предложена и реализована технологичная- методика получения затворов, с длинами, порядка 100 нм, не опирающаяся на использование электронных

литографов (Заявка на изобретение № 2011102638 от 24.01.2011 г., положительное решение от 08.06.2011).

Практическая значимость полученных результатов заключается в

следующем.

1) Результаты, полученные автором, положили начало реализации в стране нового научно-технического направления по созданию СВЧ монолитных интегральных схем на основе гетероструктурных арсенидгаллиевых рт-диодов.

2) В результате выполнения НИР и ОКР, проводимых в ОАО «НИИПП», были разработаны технологии создания гетероструктурных рт-диодов и транзисюров, а также СВЧ МИС на их основе. Были получены образцы СВЧ МИС, по своим параметрам не уступающие известным аналогам.

3) Разработан СВЧ гетеросгруктурный арсенидгаллиевый малошумящий транзистор серии АП399А-5.

4) Созданные СВЧ гетероструктурные транзисторы на арсениде галлия были внедрены в ОКР «Исследование и создание широкополосных приемопреобразовательных устройств на основе ОаАэ интегральных СВЧ-схем усилителей, преобразователей вверх и вниз», шифр «Доводка-02» (Модули СВЧ М55147-1...6 АПТТ.434850.036 ТУ) и «Разработка конверторов диапазонов частот 2... 16 ГГц в литерном исполнении», шифр «Кварк-02» (Модуль СВЧ М55326 АППТ.434850.038 ТУ).

5) Разработанные в рамках данной работы МИС на основе гетероструктурных приборов показали свою эффективность и перспективность для создания широкого спектра СВЧ модулей и устройств, разрабатываемых в ОАО «НИИПП»

6) Полученные результаты использованы в проектах (№П499 от 13.05.2010г., №П669 от 19.05.2010г., №14.740.11.0135 от 06.09.2010г., №16.740.11.0092 от 01.09.2010 г.) по Федеральной целевой программе «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы».

Научные положения, выносимые на защиту.

1) Смещенные в прямом направлении арсенидгаллиевые СВЧ рт-диоды, входящие в состав монолитных интегральных схем, являются источниками инфракрасного излучения, обусловленного межзонной излучательной рекомбинацией, что позволяет определять максимальную температуру кристалла и его тепловое сопротивление.

2) При изменении смещения на каждом рт-диоде, входящем в состав интегральной схемы защитного устройства на основе арсенида галлия, от О до + 0,7 В можно уменьшать мощность просачивания устройства с 17,8 дБм (-60 мВт) до 9 дБм (~8 мВт) практически без изменения его малосигнальных параметров.

3) Использование эпитаксиальной гетероструктуры п-СаАз/п+-СаА8/р+-ОаАБ/р^АЮаАз/ьОаАз/п+ОаАз/ЗХ-ОаАБ для создания монолитной интегральной схемы многокаскадного ограничителя мощности с вертикальными структурами рт-диодов дает возможность дополнительно формировать выходную группу диодов Шоттки вертикальной конструкции, что приводит к уменьшению мощности просачивания устройства в 4 раза (с 18 дБм (63 мВт) до 12дБм (16 мВт)), не ухудшая при этом остальных параметров.

4) Для диапазона температур 230 - 400 К скорость насыщения электронов двумерного электронного газа в квантовой яме перехода АЮаАзЯпОаАз гетероструктурного транзистора с длиной активной области около 1 мкм изменяется от 1,5x107 до 1,3x107 см/с.

5) Использование непрямых литографических методов создания затвора, основанное, с одной стороны, на теневых эффектах при напылении тонких пленок, а с другой стороны, на селективном травлении слоев гетероструктуры, позволяет создавать дискретные приборы и МИС с транзисторами, имеющими длину затвора порядка 100 нм при разрешающей способности литографии 800 нм.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы доложены на 4-й Международной иаучио-практической конференции «Электронные средства и системы управления. Опыт инновационного развития» (Томск 2007 г.), Всероссийской научно-технической, конференции студентов; аспирантов и молодых ученых «Научная сессия* ТУСУР-2008» (Томск 2008 г.), Международных конференциях «Актуальные проблемы радиофизики» (Томск 2008, 2010 гг.), IEEE International Siberian Conférence on Control and Communications SIBCON-2009 (Tomsk 2009), Всероссийской научной» конференции молодых ученых «НАУКА. ТЕХНОЛОГИИ: ИННОВАЦИИ.» (Новосибирск 2009 г.), на 20-й Международной Крымской конференции! «СВЧ-гехника и телекоммуникационные технологии» (Севастополь, Украина 2010 г.), VI Международной' научно-практической конференции «Элекфонные средства и системы, управления» (Томск 2010 г.), IEEE 2nd Russian School and Seminar on Fundamental Problems of Micro/Nanosystem Technologies Proceedings MNST'2010 (Novosibirsk 2010), Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» (Москва 2011г.).

Публикации, Основные результаты диссертации опубликованы в 22 работах, в том числе — 9 статей опубликованы.в журналах, входящих в перечень ВАК; 2 патента РФ.

Структура и объем диссертации. В соответствии с поставленными задачами, вся диссертационная работа разделена на четыре главы. Первая глава посвящена обзору литературы, в ней представлены основные достижения, сделанные отечественными и зарубежными фирмами, по рассматриваемому вопросу, как до начала работы над диссертацией, так и в момент ее оформления. В конце первой главы приводятся выводы по обзору литературы и формулируются задачи исследований.

Вторая глава диссертации посвящена разработке первого отечественного бсскорпусного гетероструктурного арсенидгаллиевого СВЧ pin-диода для

диапазона частот 0,5-40 ГГц, его исследованию, построению СВЧ-модсли диода и разработке монолитных интегральных схем коммутаторов на основе данных по исследованию диода.

В третьей главе приведены результаты разработки и исследования первых

I

отечественных МИС ограничителей СВЧ-мощпости на основе гетероструктурных арсенидгаллиевых рт-диодов, а также МИС ограничителей мощности содержащих одновременно вертикальные структуры рт-диодов и диодов Шоттки.

Четвёртая глава диссертации посвящена разработке ещё одной схеме функционального ряда - МИС малошумящего усилителя Х-диапазона. Реализация данной монолитной схемы по рНЕМТ-технологии потребовала проведения большого комплекса исследований. Результатом этих исследований стало создание, наряду с монолитной интегральной схемой МШУ, ещё и

I '

дискретного бескорпусного малошумящего транзистора АП399А-5, внедренного в производство на предприятии ОАО «НИИПП» в 2011г. В главе также представлены результаты по разработке технологии изготовления транзисторов с длинами затворов порядка 100 нм без использования электронной литографии.

Личный вклад автора. Диссертация является итогом исследований автора, проводившихся, совместно с сотрудниками ОАО «НИИПГТ», ТУ СУР и других организаций. Основные исследования, результаты которых представлены в диссертации, были выполнены по инициативе автора. Автором совместно с научным руководителем обсуждались цели работы, пути их достижения и результаты работы. Личный вклад автора включает выбор методик исследований, проведение численных расчетов, подготовку образцов и их измерение, обработку экспериментальных результатов. Большая часть статей по теме диссертации написана автором после обсуждения с соавторами. Автором выполнено обобщение представленного в диссертации материала.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Ющенко, Алексей Юрьевич

Основные результаты, полученные в данной работе, можно сформулировать следующим образом.

1) Впервые в стране созданы гетероструктурные арсенидгаллиевые pin-диоды и СВЧ монолитные интегральные схемы на их основе.

2) Экспериментально изучены особенности поведения СВЧ гетероструктурных pin-диодов в монолитных интегральных схемах. Впервые показано, что арсенидгаллиевые pin-диоды, входящие в состав СВЧ МИС, являются источниками инфракрасного излучения, обусловленного излучательной рекомбинацией электронов и дырок в диодах, что позволяет измерять температуру приборов и осуществлять дистанционный контроль схем при граничных испытаниях.

3) Впервые созданы СВЧ монолитные интегральные схемы широкополосных ограничителей мощности, одновременно содержащие вертикальные структуры pin-диодов и диодов Шоттки. По совокупности параметров схемы превосходят известные аналоги.

4) Впервые предложена и реализована МИС ограничителя СВЧ-мощности на основе pin-диодов с управляемым уровнем просачивающейся мощности.

5) Экспериментально исследованы температурные зависимости скорости дрейфа электронов от поля в квантовой яме гетероперехода AlGaAs/InGaAs разработанного транзистора, что позволяет более корректно оценивать изменение параметров прибора в диапазоне температур 230-400 К.

6) Разработан серийный отечественный малошумящий бескорпусной СВЧ гетероструктурный транзистор серии АП399А-5.

7) Разработан малошумящий усилитель Х-диапазона, по совокупности параметров соответствующий известным аналогам.

8) Показана совместимость разработанных монолитных интегральных схем МШУ, созданного по рНЕМТ-технологии, и ограничителя СВЧ-мощности, созданного на основе гетероструктурных арсенидгаллиевых pin-диодов.

9) Проведен поиск путей существенного снижения длины затворов в гетероструктурных полевых транзисторах. В результате разработана новая технология формирования затворов с длинами порядка 100 нм без использования электронной литографии.

10) Новизна предложенных схем и методов их создания подтверждена двумя патентами России. Кроме того, поданы 3 заявки на изобретения, на одну из которых уже имеется положительное решение. Практическая значимость разработанных схем и методов доказана их использованием в ОКР. В ОАО «НИИПП» планируется серийное освоение всех разработанных схем.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Результаты данной работы положили начало реализации в стране нового научно-технического направления по созданию СВЧ монолитных интегральных схем на основе гетероструктурных арсенидгаллиевых pin-диодов. Разработаны новые технологические маршруты создания СВЧ приборов и монолитных интегральных схем. Созданы СВЧ МИС по параметрам не уступающие известным аналоги.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Ющенко, Алексей Юрьевич, 2011 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Pergande A.N. 1 Watt W-Band Transmitter // IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. - 1994. - pp. 305-308.

2. Pettenpaul E., et al. GaAs Millimeter-Wave ICs for Automotive Radars // IEEE MTT-S Workshop on Microwave/Millimeter-wave Technology for Intelligent Vehicles Digest. - 1996.

3. Barnes A. R., et al. A compact 6 to 18GHz Power Amplifier Module with 10W Output Power // IEEE MTT-S Digest. - 1999. - pp. 959-962.

4. Delaney M. J., et al. GaAs PHEMT and InP HEMT MMIC Requirements for Satellite Based Communications Systems // GaAs Mantech. — 2001.

5. Викулов И. Технология GaAs-монолитных схем СВЧ в зарубежной военной технике / И.Викулов, Н.Кичаева // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. - 2007. — №2. - С. 56-61.

6. Сайт фирмы Selex Sistemi Intergrati [Электронный ресурс]. - Режим доступа: www.selex-si.com/SclexSI/IT/index.sdo, свободный (дата обращения 15.06.2011).

7. Thomas F. Brukiewa Active Array > Radar Systems Applied to Air Traffic Control // IEEE MTT-S Digest. - 1994. - pp. 1427-1432.

8. Low Loss, Low Cost, Discrete PIN diode based, Microwavc SPDT and SP4T Switches / Liam Devlin, Andy Dearn, Graham Pearson, Plextek Ltd // RF and Microwave Society (ARMMS) Conference. - 2005.

9. Входное устройство для РЛС с защитой от мощного сигнала / И.В. Яковлев, Ю.А. Демьяненко, В.А. Санкин, Н.М. Чижма // Технология и конструирование в электронной аппаратуре (Киев). - 2007. - №1. - С. 2324.

10. Двухкаскадный AlGaN/GaN усилитель Х-диапазона / В. Глазунов, В. Гуляев, Г. Зыкова, Ю. Мякишев, В. Чалый // Сб. трудов 20-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» — Севастополь: Вебер, 2010. - Т. 1 - С. 115-116.

11. Передающий модуль СВЧ для аппаратуры ДИСД-ФГ программы «ФОБОС - ГРУНТ» / В.Ю. Мякиньков, Ю.Б. Рудый, B.I-L Лебедев, В.Ф. Губарев, В.А. Мальцев // Сб. трудов 20-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» — Севастополь: Вебср, 2010.-Т. 1-С. 163-164.

12. Kayali S., Ponchak G., Shaw R. GaAs MMIC Reliability Assurance Guideline for Space Applications: JPL Publication, 1996. - 207 p.

13. Application of Mimix Asia's X-Band, 10-Watt Power Amplifier MMIC Mimix Asia (a subsidiary of Mimix Broadband, Inc.). — 13 p.

14. Bahl I. J., et al. C-Band 10 W MMIC Class-A Amplifier Manufactured Using the Refractory SAG Process // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. . - 1989. — vol. -37. -pp. 2154-2158.

15. Bahl I. J., et al. Multifunction SAG process for high-yield, low-cost GaAs microwave integrated circuits // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — 1990. — vol.-38.-pp. 1175-1182.

16. Monte Drinkwine Low-Cost, 1 Iigh-Performance Multifunction X-band Control MMICs Using Ion-Implanted FET Technology / Monte Drinkwine, Hausila Singh and Mike Ashman // CS MANTECH Conference. - 2007. - pp. 199-202.

17. High Voltage, Low Cost FETs for HPA MMIC Applications // Microwave Journal. - 2004. - pp. 126.

18. Bahl I.J. 10W CW broadband balanced limiter/LNA fabricated using MSAG MESFET process // Int. J. RF and Microw. Computer-Aided Eng. - 2003. - vol. 13.-pp. 118-127.

19. Inder J. Bahl 0.7-2.7-GHz 12-W Power-Amplifier MMIC Developed Using MLP Technology // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. - 2007. - vol. — 55. — pp. 222-229.

20. Caruth D. C., et al. Low-Cost 38 and 77 GHz CPW MMICs Using Ion-Implanted GaAs MESFETs // IEEE MTT-S International. - 2000. - pp. 995998.

21. Сайт фирмы М/А-СОМ [Электронный ресурс]. — Режим доступа: http://www.rnacomtech.com/, свободный (дата обращения 15.06.2011).

22. Otto Berger GaAs MESFET, HEMT and ЫВТ Competition with Advanced Si RF Technologies // GaAs Mantech. - 1999.

23. Dimitris Pavlidis HBT vs. PHEMT vs. MESFET: What's best and why // GaAs Mantech. - 1999.

24. Heterojunction PIN diode switch / D. Hoag, J. Brogle, T. Boles, D. Curcio, and D. Russell // IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. — 2003. -vol. 1.-pp. 255-258.

25. Wolfgang Bosch GaAs Industry in Europe - Technologies, Trends and New Developments // CS Mantech Conference. - 2007.

26. John Putnam, et al. A 94 GHz Monolithic Switch with a Vertical PIN Diode Structure with a Vertical PIN // GaAs 1С Symposium. - 1994. pp. 333-336.

27. Дорожная карта для полупроводниковой промышленности [Электронный ресурс]. — Режим доступа: http://www.itrs.net/home.html, свободный (дата обращения 15.06.2011).

28. Hwang C.-J., et al. DC-35 GHz low-loss MMIC switch using 50 nm gate-length MHEMT technology for ultra-low-power applications // Electronics Letters. — 2009. - Vol. 45. - pp. 632-634.

29. Byeong Ok Lim, et al. 50-nm T-Gate InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMTs With Low Noise and High fT Characteristics // IEEE EDL. - 2007. - Vol. 28. -pp. 546-548.

30. Axel Hiilsmann, et al. Advanced mHEMT technologies for space applications // 20th International Symposium on Space Terahertz Technology. -2009. - pp. 178-182.

31. Archer J., et al. An indium phosphide MMIC amplifier for 180-205 GHz // IEEE Microwave Wireless Components Lett. -2001.- Vol. 11. - pp. 4-6.

32. Shinohara K., et al. Importance of gate-recess structure to the cutoff frequency of ultra-high-speed InGaAs/InAlAs HEMTs // 14th Int. Conf. Indium Phosphide Related Materials. - 2002. - pp. 451-454.

33. Сайт фирмы TriQuint [Электронный ресурс]. — Режим доступа: www.lriquint.com, свободный (дата обращения 15.06.2011).

34. Сайт фирмы Mimix Broadband [Электронный ресурс]. — Режим доступа: www.iniiriixbi-oadband.com, свободный (дата обращения 15.06.2011).

35. Сайт фирмы Hittite [Электронный ресурс]. — Режим доступа: www.hittite.com, свободный (дата обращения 15.06.2011).

36. Сайт фирмы RFMD [Электронный ресурс]. — Режим доступа: www.rfmd.com, свободный (дата обращения 15.06.2011).

37. Сайт фирмы TRANSCOM [Электронный ресурс]. — Режим доступа: www.transcominc.com.tw, свободный (дата обращения 15.06.2011).

38. Сайт фирмы OMMIC [Электронный ресурс]. - Режим доступа: www.ommic.com, свободный (дата обращения 15.06.2011).

39. Рекламный файл фирмы Win Semiconductors [Электронный ресурс]. — Режим доступа: http.7/www.melcom-msk.ru/UserFiles/Fi1e/WIN%20Semiconductors%20Corp.pdf, свободный (дата обращения 15.06.2011).

40. Joseph F. White High Frequency Techniques. - John Wiley & Sons. - 2004. -526 p.

4 1. Hoag D.R., Boles Т.Е., Brogle J.J.// Int. Patent WO 03/094245 "Heterojunction p-i-n diode and method of making the same. - 2003.

42. Bahl I.J., et al. Multifunction SAG Process for High-Yield, Low-Cost GaAs Microwave Circuits // IEEE MTT. - 1990. Vol. 38. - pp. 1175-1182.

43. M.W. van der Graafl L-Band MMICs for Space-based SAR system // 11th GAAS Symposium. - 2003. - pp. 173-178.

44. A. de Boer, et al. A GaAs multi-function X-band MMIC for spacebased SAR application with 7 bit phase and amplitude control // GAAS. - 1998. - pp. 215220.

45. Singh H. et al. Integrated Digitally Controlled 6-Bit Phase Shifter, 4-Bit Attenuator, and T/R Switch Using Multifunction Self Aligned Gate Process //

Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium Digest. — 1991.-pp. 39-42.

46. Seong-Sik Yang, et al. A Novel Analysis of a Ku-Band Planar p-i-n Diode Limiter // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. - 2009. - Vol. 57. - pp. 14471460.

47. Алферов Ж.И. Полупроводниковая электроника в России. Состояние и перспективы развития // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. — 2004. - №6. - С. 88-92.

48. Фомин А. МИГ-35. Будующее семейство легких фронтовых «мигов» «Взлёт. Национальный аэрокосмический журнал». — 2007. — С. 22—35.

4 9. Self-Aligned Multilayer Dielectric "Dummy Gate" Technology for L-, S- and

X-Band GaAs MMICs Fabrication / E.V. Anishchenko, V.S. Arykov, A.M. Gavrilova, O.A. Dedkova, V.A. Kagadei, O.V. Kamchatnaya, Y.V. Lilenko, A.Y. Yushenko // IEEE 2nd Russia School and Seminar MNST'2010. PAPERS.-2011.-pp. 37-40. 50. Сайт фирмы Микран [Электронный ресурс]. — Режим доступа: www.micran.ru, свободный (дата обращения 15.06.2011).

5 1. Комплект широкополосных СВЧ-микросхем на гетероструктурах AH1BV

для ППМ АФАР Х-диапазона / A.M. Темнов, К.В. Дудинов, В.А, Красник, Ю.М. Богданов, А.В. Крутов, В Т. Лапин, С.В. Щербаков // Электронная техника. Сер. 1, СВЧ-техника (Фрязино). - 2010. - №2(505). - С. 30 - 49. 5 2. Мокеров В. Г. и др. Монолитный малошумящий усилитель Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs рНЕМТ технологии // Сб. трудов 17-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» — Севастополь: Вебер, 2007. -С. 77-78. 5 3. Монолитные интегральные схемы малошумящих усилителей КВЧ-диапазона на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах / Д.Л. Гнатюк, Ю.В. Федоров, Г.Б. Галиев, P.P. Галлиев, М.Ю. Щербаков // Доклады ТУСУРа (Томск). - 2010. - Часть 1, №2(22) - С. 49-55.

5 4. Монолитная интегральная схема защитного устройства L- и S- диапазонов на. основе диодов Шоттки / B.C. Арыков; АЛ 1: Гусев, О.А. Дедкова, А.Ю: Ющенко // Сб. трудов 20-ой Межд'унар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» — Севастополь:; Вебер, 2010.-Т. 1 -С. 147-148... ' V '."V

5 5 . Бирюлева Е. I'. и др. Широкополосное защитное устройство в монолитном интегральном исполнении // Сб. трудов 20-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» — Севастополь: Вебер, 2010.- Т. 1 - С. 151-152. '. ; ;

5 6. Усик Д. А. и др. Защитное;устройство L-, S- ,C-, Х- диапазонов на основе диодов Шоттки // C6¿ трудов! 20-ой Междунар: Крымской конф. «СВЧ-техника и: телекоммуникационные технологии» — Севастополь: Вебер; 2010.-Т. 1-С. 149-150.

57. Ли А. И. и др. Монолитные интегральные: схемы СВЧ-огранпчителей мощности на арсениде, галлия// Сб. трудов 20-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» — Севастополь: Вебер, 2010. - Т. 1-С. 145- 146.

5 8. Buber Т., et al. Low-loss high-isolation 60-80 GI-Iz GaAs SPST PIN switch// IEEE MTT-S International Microwave Symposium; Digest. - 2003. - Vol.2. -pp. 1307 1310. - A : ;

59. Putnam J., et al. A monolithic GaAs PIN switch network for a 77 GHz automotive collision warning radar // IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. 1996. — pp. 753—756.

60. Гаман В.И.Физика полупроводниковых приборов.. — Томск: Изд-во НТЛ.- 2000. - 426 с. ,

61. СВЧ p-i-n - диоды на основе гетероструктур . AlGaAs/GaAs / Г.И. Айзенштат, B.F. Божков, А.Ю. Ющенко, Е.А. Монастырев, И.М. Добуш / Изв. вузов. Физика.- 2010.- № 9/2.,-С. 310-314. ;

62. Гетоероструктурпые pin-диоды / Г.И. Айзенштат, B.F. Божков, А.Ю. Ющенко, Е.А. Монастырев // Сб. трудов 20-ой Междунар. Крымской

конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» — Севастополь: Вебер, 2010. - Т. 1 - С. 169-170.

63. Kuznetsov S.S. High-Speed Driver for PIN Diode Microwave Switch / S.S. Kuznetsov, A.Y. Yushenko, V.G. Bozhkov // IEEE 2nd Russia School and Seminar MNST'2010. PAPERS. - 2011. - pp. 41-42.

64. ГОСТ 18986.7-73 Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда.

65. Derdouri М, et al. Recombination of Charge Carriers in the GaAs Based p-i-n Diode // IEEE Trans. Electron Devices. - 1980. - Vol. 27. - pp. 2097-2101.

66. Айзенштат Г.И., и др. Детекторы рентгеновского излучения на эпитаксиальном арсениде галлия // ЖТФ. - 2006. - т. 76, вып.8. — С. 46-49.

6 7. Отчет по НИР «Исследование и разработка ограничителя СВЧ-

мощности», шифр «Тальянка». ОАО «НИШ 111». - 1992. — г.Томск.

>

Божков В.Г. и др. Монолитные и квазимонолитные модули и устройства миллиметрового диапазона длин волн. — Электронная промышленность. — 2001.-№5.-С. 77-97.

68. Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов. -М.: Физматлит, 2008.-488 с.

69. Шуберт Ф. Светодиоды. -М.: Физматлит, 2008. -497 с.

70. Рекомбинация носителей заряда в арсенидгаллиевом р—i~n-диоде / Г.И. Айзенштат, А.Ю. Ющенко, С.М. Гущин, Д.В. Дмитриев, К.С. Журавлев, А.И. Торопов // ФТП. - 2010. - том 44, вып. 10. - С. 14071410.

Recombination of Charge Carriers in the GaAs-Based p-i-n Diode / G.I. Ayzenshtat, A.Y. Yushenko, S.M. Gushchin, D.V. Dmitriev, K.S. Zhuravlev, A.I. Toropov // Semiconductors. - 2010. - Vol. 44, No. 10. - pp. 1362-1364.

7 1. Rogalla M., et al. Carrier lifetime under low and high electric field conditions in

semi-insulating GaAs // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. - 1998.-A 410.-pp. 74-78.

72. Carr W.N. Characteristics of a GaAs spontaneous infrared source with 40 percent efficiency // IEEE Trans: Electron Devices. — 1965. — pp. 531—535.

73. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. — В 2-х книгах. Ки. 1. Пер. а англ. - 2-е перераб. и доп. изд. — М.: Мир, 1984. — 456 с., ил.

74. Разработка монолитных интегральных схем коммутаторов на p-i-n -диодах, для С- и Хт диапазонов частот / А.Ю. Ющенко., Г.И. Айзенштат, В.Г. Божков, Е.А. Монастырев, А.И. Иващенко, С.С. Кузнецов // Изв. вузов. Физика. - 2010. - № 9/2. - С. 320-323.

75. Seymour D.J., et al. Monolithic MBE GaAs Pin Diode Limiter // IEEE Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium. — 1987. — pp. 35-37.

7 6. Carroll J.M. Performance comparison of single and dual stage MMIC limiters //

IEEE MTT-S International. - 2001. - Vol. 2. - pp. 1341-1344. 77. DevlhrL.M., et al. Dual Channel, 0.5 to 20GHz Limiter // Proceedings of the

30th European Microwave Conference (EuMC). - 2000. - pp. 172-175. 7 8. Разработка и исследование СВЧ ограничителей мощности на основе p-i-n — диодов / А-Ю. Ющенко, Г.И. Айзенштат, В.Г. Божков, Е.А. Монастырев, А.И. Иващенко, А.В. Акимов // Изв. вузов. Физика. — 2010. - № 9/2. - С. 315-319:

7 9. Монолитная интегральная схема защитного устройства на основе pin-

диодов / А.Ю. Ющенко, Е.А. Монастырев, Г.И. Айзенштат, В.Г. Божков, А.В. Акимов // Сб. трудов 20,-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» — Севастополь: Вебер, 2010. - Т. 1-С. 153-154. 80. Yushenko A.Y. Integral Circuits of Voltage Control Limiters / A.Y. Yushenko, G.I. Ayzenshtat, E.A. Monastyryov // IEEE 2nd Russia School and Seminar MNST'2010. PAPERS. - 2011. - pp. 43-44.

8 1. Монолитная интегральная схема защитного устройства L- и S- диапазонов

на основе диодов Шоттки / B.C. Арыков, А.Н. Гусев, О.А. Дедкова, А.Ю. Ющенко // Сб. трудов 20-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-

техника и телекоммуникационные технологии» — Севастополь: Вебер, 2010. - Т. 1-С. 147-148. 1

82. Уотсон Г. СВЧ-полупроводпиковые приборы и их применение. Пер. с англ. под ред. B.C. Эткина, М., «Мир», 1972. - 664 с.

83. Пат. 94765 РФ, МПК H01L31/00: Ограничитель СВЧ мощности / Г.И. Айзенштат(РФ), Е.А. Монастырев(РФ), А.Ю. ЮщенкоГРФУ -№2010104470/22; заявл. 09.02.2010; опубл. 27.05.2010.

84. Пат. 102846 РФ, МПК H01L31/00. Ограничитель СВЧ ' мощности / Г.И. Айзенштат(РФ), Е.А., Монастырев(РФ), А.Ю. ЮщенкоГРФ). -№2010143654/28; заявл. 25.10.2010; опубл. 10.03.2011.

85. Разработка полевых транзисторов с субмикронными затворами / Г.И. Айзенштат, Л.П. Громова, C.B. Литвин, А.И. Иващенко, А.Ю. Ющенко // Изв. вузов. Физика. - 2008. - №9/3. - С. 46-47.

8 6. Research of the Creation Opportunity of Matrix X-ray Gallium Arsenide Detector / D.G. Prokopyev, M.A. Lelekov, A.N. Duchko, A.Y. Yushenko // IEEE International Siberian Conference on Control and Communications SIBCON-2009 (Tomsk). - 2009. - pp. 185-188.

8 7. Ющенко А.Ю. Разработка PHEMT транзисторов на основе гетероструктур AlGaAs-InGaAs // НАУКА. ТЕХНОЛОГИИ. ИННОВАЦИИ. Материалы всероссийской научной конференции молодых ученых. — Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2009. - Часть2. - 2009.-С. 117-119.

8 8. Ющенко А.Ю. Определение геометрических размеров затвора ПТТ1Т с помощью электронного микроскопа / Материалы докладов Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР-2008» (Томск). - 2008. - Часть 1. - С. 267-269.

89. Мокеров В. Г. и др. Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в сильных электрических полях // ФТП. — 2009. - т. 43. - вып.4 - С. 478-481.

90. Айзенштат Г.И. Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs / Г.И. Айзенштат, В.Г. Божков, А.Ю. Ющенко // Изв. вузов. Физика. - 2010. - № 9. - С. 34-39.

Ayzenshtat G.I. Measurement of the Electron Saturation Velocity in an AlGaAs/InGaAs Quantum Well/ G.I. Ayzenshtat, V.G. Bozhkov, A.Y. Yushenko // Russian Physics Journal. - 2010.-Vol. 53,No. 9.-pp. 914-919.

91. Айзенштат Г.И. Дрейфовая скорость электронов в псевдоморфном транзисторе / Г.И. Айзенштат, В.Г. Божков, А.Ю. Ющенко // Сб. трудов 20-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» - Севастополь: Вебер, 2010. — Т. 1 — С. 125-126.

92. Reeves G.K., et al. Obtaining the Specific Contact Resistance from Transmission Line Model Measurement II IEEE Electron Device Letters. — 1982. - Vol. 3. - № 5. - pp. 111-113.

93. Reeves G. K., et al. An Analytical Model for Alloyed Ohmic Contacts Using a Trilayer Transmission Line Model // IEEE Transactions on Electron Devices. -1995. - Vol. 42. - № 8. - pp. 1536-1547.

94. Бланк T.B. и др. Механизмы протекания тока в омических контактах металл-полупроводник // ФТП. - 2007. - т. 41. - вып. 11. - С. 1281-1308.

9 5. СВЧ псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов / А.Ю. Ющенко, Г.И. Айзенштат, В.Г. Божков, Л.И. Бабак, И.М. Добуш, А.С. Сальников // Доклады ТУСУРа. - 2010. - №2 (22), часть 1. - С. 59-61.

96. Dambrine G., et al. A New Method for Determining the FET Small-Signal Equivalent Circuit // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. - 1988. - Vol. 36. - pp. 1151-1159.

97. Berroth M. Broadband Determination of the FET Small-Signal Equivalent Circuit / M. Berroth, Ft. Bosch II IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. - 1990. - Vol. 38. - P. 891-895.

98. Wurtz L. Т. GaAs FET and IIEMT Small-Signal Parameter Extraction from Measured S-Parameters // IEEE Transactions on instrumentation and measureement. - 1994. - Vol. 43, №. 4. - pp. 234-236.

99. Каталог транзисторов фирмы TRANSCOM [Электронный ресурс]. — Режим доступа: http://w\vw.transcominc.com.tw/English/fet-chips.htm. свободный (дата обращения 15.06.2011).

100. Abrie P.L.D. Design of RF and microwave amplifiers and oscillators. - LondonBoston: Artech House, - 2000. - 480 p.

101. Gonzales G. Microwave transistor amplifiers. Analysis and design / Prentice-Hall Inc., Englewood Cliffs, NJ, - 1984. - p. 217.

102. Vendelin G.D., et al. Microwave circuit design using linear and nonlinear techniques. -New-York: Wiley Interscience Pub., — 2003. — p. 757.

103. Besser L., Gilmore R. Practical RF circuit design for modern wireless systems: Passive circuits and systems. Volume 1. - London-Boston: Artech House, — 2003.-p. 539.

104. Mellor D.J., Linvill J.C. Synthesis of interstate networks of prescribed gain versus frequency slopes // IEEE Trans. — 1975. — Vol. MTT-23. — № 12. — pp. 1013-1020.

105. Толстихин М.Б., Сидоров Н.Б. Анализ чувствительности основных характеристик СВЧ усилителя с обратной связью к разбросу параметров транзистора //Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. — 1985. — Вып. 6. - с. 28-30.

106. Terzian P.A., et al. Broad-band GaAs monolithic amplifier using negative feedback // IEEE Trans. - 1982. - Vol. 30. - № 11. - pp. 2017-2020.

107. Niclas K.B., et al. The matched feedback amplifier: ultrawide-band microwave amplification with GaAs MESFET's // IEEE Trans. - 1980. - Vol. 28. - № 4. -pp. 285-294.

108. Niclas K.B. Noise in Broad-Band GaAs MESFET Amplifiers with Parallel Feedback //IEEE Trans. - 1982. - Vol. -30. - № 1. - pp. 63-70.

109. Гетероструктурные монолитные интегральные схемы малошумящего усилителя Х- диапазона и pin-диодного ограничителя мощности / А.Ю. Ющенко, Г.И. Айзенштат, В.Г. Божков, Е.А. Монастырев, И.М. Добуш // Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники (Москва). -2011.-С. 26-27.

110. Разработка элементной базы для создания СВЧ-модулей / А.Ю. Ющенко, Г.И. Айзенштат, В.Г. Божков, Е.А. Монастырёв // Доклады ТУСУРа. — 2010. - №2 (22), часть 1. - С. 62-66.

111. Anderson Е. Н., et al. Influence of sub-100 nm scattering on high-energy electron beam lithography // J. Vac. Sci. Tehcnol. - 2001. - Vol. 19. - № 6. -pp. 2504-2507.

112. Kang-Sung Lee, et al. Sub-50 nm T-gate pseudomorphic HEMTs using low temperature development method // 5th IEEE Conference on Nanotechnology. — 2005.

113. Kang-Sung Lee, et al. 35-nm Zigzag T-Gate In0.52A10.48As/In0.53GaO.47As Metamorphic GaAs HEMTs With an Ultrahigh/max of 520 GHz // IEEE Electron Devices Letters. - 2007. - Vol. 28. - № 8. - pp. 672-675.

114. Bentley S., et al. Fabrication of 22 nm T-gates for HEMT applications // Microelectronic Engineering. - 2008. — Vol. 85. — pp. 1375—1378.