Разработка и исследование чувствительных элементов датчиков давления на основе структур "кремний на сапфире" с использованием лазерных технологий тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Буй Тхань Хай

• Буй Тхань Хай
• кандидат наук
• 2016

Оглавление диссертации кандидат наук Буй Тхань Хай

ОГЛАВЛЕНИЕ

ГЛАВА 1. АНАЛИЗ СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР «КРЕМНИЙ

НА САПФИРЕ»

1.1. Обзор конструкции чувствительных элементов датчиков давления на основе КНС

1.2. Технология формирования структур КНС

1.3. Лазерные технологии в производстве чувствительных элементов датчиков давления

1.3.1. Лазерный отжиг

1.3.2. Лазерная резка

1.4. Экспериментальные методы, используемые для исследования свойств структуры КНС

1.5. Анализ моделей технологических процессов лазерной обработки структур КНС

1.6. Выводы по главе 1

ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ СТРУКТУР КНС ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ

2.1. Моделирование лазерного отжига структуры КНС для изготовления чувствительных элементов датчиков давления

2.2. Моделирование лазерного управляемого термораскалывания пластин сапфира для изготовления чувствительных элементов датчиков давления

2.3. Выводы по главе 2

ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ СТРУКТУР КНС

3.1. Влияние оптических и теплофизических свойств сапфира на выбор параметров технологического процесса лазерной обработке

3.2. Исследование температурных полей пластин диэлектрика при лазерной обработки

3.2.1. Исследование процесса лазерной обработки структуры КНС

3.2.2. Исследование температурных полей и внутренних напряжений в пластине сапфира при лазерной обработке

3.3. Влияние лазерной обработки на свойства пленок аморфного кремния

3.4. Морфология поверхности и электропроводность пленки кремния после лазерной обработки

3.5. Исследование лазерного термораскалывания пластин сапфира

3.6. Выводы по главе 3

ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР КНС

4.1. Разработка конструкции мембраны датчика давления

4.2. Разработка конструкции датчика давления на основе КНС

4.3. Разработка технологического маршрута изготовления чувствительных элементов датчиков давления на основе КНС

4.4. Расчет чувствительности датчика давления на основе КНС

4.5. Сравнительный анализ полученного датчика давления с его аналогами

4.6. Выводы по главе 4

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

ПРИЛОЖЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование чувствительных элементов датчиков давления на основе структур "кремний на сапфире" с использованием лазерных технологий»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность диссертационной работы

Стремительное развитие современной электроники, атомной промышленности, военной и космической техники предъявляет высокие требования к свойствам электронных приборов и устройств, предназначенных для эксплуатации в экстремальных условиях (повышенные температуры, высокий уровень радиации и химически агрессивные среды). Датчики давления на основе кремния не способны удовлетворить комплексу всех этих требований. Для решения данных задач исследователи и технологи все больше применяют широкозонный материал — кремнии на сапфире (КНС).

Датчики давления на основе структуры «кремний на сапфире» обладают рядом преимуществ перед традиционными кремниевыми благодаря уникальным свойствам КНС.

В полупроводниковых чувствительных элементах (ПЧЭ) на основе КНС p-n перехода нет, что позволяет в разы увеличить пробивное электрическое напряжение датчиков и также в разы повысить рабочую температуру полупроводниковых чувствительных элементов. Однородное легирование кремниевого слоя позволит более эффективно управлять параметрами ПЧЭ приборов и систем на их основе. Присутствие прочной изолирующей подложки в большей степени расширяет возможности улучшения тензочувствительной схемы и параметров тензорезисторных преобразователей (ТП). Также, структуры кремния на сапфире обладают высокой радиационной стойкостью.

Наиболее важными технологическими операциями при изготовлении чувствительных элементов датчиков давления являются процессы формирования структуры КНС и разделения пластины на кристаллы. Лазерные технологии применяют для отжига и резки структуры КНС, потому что имеют много преимуществ по сравнению с традиционными методами, такими как: высокая скорость обработки, высокая плотность мощности при фокусировке луча на обрабатываемую поверхность, возможность автоматизации процесса на высоких уровнях.

Поэтому разработка и исследование чувствительных элементов датчиков давления на основе структур КНС с использованием лазерных технологий, является актуальной и перспективной.

Цель и задачи диссертационной работы

Целью диссертационной работы являются разработка и исследование чувствительных элементов датчиков давления на основе структур КНС с использованием лазерных технологий. Для достижения цели диссертационной работы необходимо решить ряд задач:

1. Обобщение и проведение анализа современных конструкций чувствительных элементов датчиков давления на основе структур КНС и определение направления совершенствования конструкции;

2. Создание численной модели процессов лазерной обработки структур КНС для изготовления чувствительных элементов датчиков давления;

3. Экспериментальные исследования процессов лазерной обработки структур КНС;

4. Разработка технологического маршрута изготовления чувствительных элементов датчиков давления на основе КНС с использованием лазерных технологий;

5. Разработка и исследование макетов конструкций датчиков давления с ПЧЭ на основе структуры КНС.

Научная новизна работы:

1. Разработана численная модель лазерного отжига структуры КНС для изготовления чувствительных элементов датчиков давления.

2. Разработана численная модель распределения напряжений и деформаций структуры КНС при лазерной обработке.

3. Экспериментально установлены закономерности влияния режимов лазерного излучения на получение кремниевой пленки на сапфире при лазерном отжиге.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в следующем:

1. Определена зависимость градиента температуры в структуре КНС от времени и скорости сканирования лазерного луча. Показано, что температура на поверхности структуры КНС составляет порядка 500-600°C при средней мощности лазерного излучения 70-90 Вт и скорости лазерного сканирования 5-10 мм/с.

2. Разработан технологический маршрут изготовления чувствительных элементов датчиков давления на основе структур КНС с использованием лазерных технологий, включающий использование лазерного отжига структуры КНС с длиной волны лазерного луча 532 нм и лазерного термораскалывания пластин сапфира лазерным излучением c длиной волны 1064 нм.

3. Экспериментально установлено, что мощность лазерного излучения в диапазоне от 60 до 73 Вт (Nd:YAG лазер с длиной волны 532 нм (LIMO 100532/1064), длительностью импульса 55 нс и частотой следования импульсов 10 кГц) является оптимальной для получения наилучшего качества кремниевой пленки на сапфире.

4. Разработан макет конструкции датчиков давления на основе структур КНС с диапазоном измерения 0...200 МПа, уровнем выходного сигнала 10-15 мВ/В и диапазоном температур от -60 до 350 °С.

Используемые методики.

При выполнении диссертационной работы использовались: теория упругости; теория пластичности; анализ теорий прочности, численный метод на основе метода конечных элементов (МКЭ), математическая статистика, системный анализ и моделирование с использованием информационных технологий, теория автоматизированного проектирования.

Положения, выносимые на защиту:

1. Разработана модель процесса лазерного отжига структуры КНС для изготовления чувствительных элементов датчика давления.

2. Выявлено влияние температурных полей в структуре КНС при лазерной обработке с учетом плотности мощности лазерного луча и скорости сканирования. Технологические параметры отжига структур КНС с использованием лазерного отжига длинной волны 532 нм.

3. Технологический маршрут изготовления макета конструкции чувствительных элементов датчиков давления на основе КНС с использованием лазерных технологий с диапазоном измерения 0...200 МПа, уровнем выходного сигнала 10-15 мВ/В и диапазоном температур от -60 до 350 °С.

Реализация результатов диссертационной работы.

Диссертационная работа выполнялась в соответствии с планом научно-исследовательских работ кафедры КЭС ИНЭП ЮФУ. Работа выполнена в рамках ФЦП Россия № 14.587.21.0025 по теме «Разработка математических моделей, алгоритмов и программного обеспечения для оптимизации производства изделий из сапфира с микро- и наноэлектронике». Уникальный идентификатор проекта КЕМЕЕ158716Х0025.

Результаты диссертационной работы внедрены на промышленных предприятиях ООО «Центр нанотехнологий» (г. Таганрог), ООО «Завод Кристалл» (г. Таганрог), АО «ТНИИС» (г.Таганрог) и учебный процесс кафедры КЭС ИНЭП ЮФУ.

Апробация работы.

Основные научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на различных международных и всероссийских научных конференциях, и семинарах, в частности:

III всероссийская научная конференция молодых ученых, аспирантов и студентов - «Проблемы автоматизации, региональное управление, связь и автоматика (ПАРУСА-2014)», Издательство ЮФУ, Геленджик - 2014;

12-я курчатовская молодёжная научная школа - НИЦ «Курчатовский институт», Москва - 2014;

XXII научная конференция «Современные информационные технологии: тенденции и перспективы развития (СИТО 2015)», ЮФУ, Ростов на Дону - 2015;

International Conference on "Physics and Mechanics of New Materials and Their Applications" (PHENMA 2015) devoted to 100-year Anniversary of the Southern Federal University, Azov - 2015;

Международная научно-методическая конференция «Инновационные технологии в науке и образовании (ИТН0-2015)», Зерноград - 2015.

Международная научно-практическая конференция молодых ученых стран БРИКС, Ростов-на-Дону - 2015 г.

XI школу-семинар «Математическое моделирование и биомеханика в современном университете», пос. Дивноморское - 2016.

XXIII научная конференция «Современные информационные технологии: тенденции и перспективы развития (СИТО 2016)», Ростов на Дону - 2016.

Публикации

По материалам диссертационной работы опубликовано 14 печатных работ, из них 1 статья в журнале, индексируемом Scopus, 3 статей в журналах, входящих в перечень ВАК, 1 свидетельство о регистрации электронного ресурса.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованных источников и 1 приложения.

Содержание диссертации изложено на 123 страницах и включает 5 таблиц, 63 рисунков и список использованных источников, включающий 127

наименований. В приложении содержатся акты внедрения результатов диссертационной работы.

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, приведены цель работы, основные задачи выполненных исследований, научная новизна и практическая значимость работы, приведены сведения об апробации работы и структуре диссертации.

В первой главе произведен обзор литературных источников, проанализированы современные конструкции чувствительных элементов датчиков давления на основе структур КНС, проведен анализ существующих технологий формирования структур КНС, проведен анализ лазерных технологий в производстве чувствительных элементов датчика давления, рассмотрены существующие модели технологических процессов лазерной обработки структур КНС. На основании сделанных выводов выбрано направление исследования и осуществлена постановка цели и задач диссертационного исследования.

Во второй главе

Разработана численная модель процесса лазерного отжига структуры КНС, описывающая уравнение теплопроводности при воздействии лазерного излучения на структуру кремний на сапфире, учитывающая начально-граничные условия. Модель процесса лазерного отжига структуры КНС позволяет рассчитать распределение температуры, термическое напряжение и деформацию структуры в процессе обработки.

Разработана модель процесса лазерной обработки пластин сапфира, позволяющая анализировать распределение температуры и термические напряжения по объему нагреваемого образца. Моделирование процесса лазерной обработки пластин сапфира реализуется на базе универсального программного пакета конечно-элементного анализа ANSYS.

В третьей главе представлены результаты экспериментальных исследований процессов лазерной обработки структуры КНС. Выявлено зависимость температуры на поверхности пластины сапфира от времени и скорости сканирования лазерного луча. Приведено распределение термических

напряжений и деформаций, возникающих при неравномерном нагреве пластины сапфира. На основе экспериментальных исследований лазерного отжига определены зависимости размера нанокристаллов и удельной электропроводности пленок кремния от мощности излучения лазерного отжига.

В четвертой главе отражены результаты разработки конструкции чувствительных элементов датчиков давления на основе КНС, а также исследования макета датчика давления при использовании до 1 МПа. Разработан технологический маршрут изготовления чувствительных элементов датчиков давления на основе КНС с использованием лазерных технологий. Расчетная численная модель упругого элемента датчика давления с использованием программы ANSYS дает результаты, совпадающие с полученными аналитически по распределению деформаций-напряжения на поверхности упругого элемента. Приведен расчет чувствительности датчика давления. Дано сравнение оптимизированного датчика давления на основе КНС с лучшими зарубежными аналогами показано, что датчик давления на основе структуры КНС обладает высокой чувствительностью, стабильностью, практически не имеет механического гистерезиса, может работать в широком диапазоне температур от -60 до +350 °С и при воздействии радиации.

В заключении приведены основные результаты работы.

В приложении приведены акты внедрения и использования результатов диссертации в учебном процессе и на предприятиях.

ГЛАВА 1. АНАЛИЗ СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР «КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ»

1.1. Обзор конструкции чувствительных элементов датчиков давления на основе КНС

Анализ современного состояния разработок датчиков давления на основе КНС.

Из всего многообразия конструкций датчиков давления можно выделить следующие [1]:

• Тензорезистивные датчики;

• Пьезоэлектрические датчики;

• Пьезорезонансные датчики;

• Емкостные датчики;

• Оптические датчики.

Тензорезистивный принцип преобразования широко используется в датчиках разнообразных механических величин благодаря высокой точности и относительной простоте конструкции приборов, реализующих этот принцип.

В настоящее время основная масса датчиков давления в России выпускаются на основе чувствительных элементов, принципом которых является измерение деформации тензорезисторов, сформированных в эпитаксиальной кремневой пленке на сапфировой подложке [2]. Монокристаллы сапфира имеют целый ряд особенных физических свойств (большая температура плавления, химическая и радиационная стойкость, большая твердость и прозрачность), благодаря чему кристаллы имеют большое использование в микроэлектронике, квантовой электронике, оптике высокого разрешения и нанотехнологиях [3-8].

Гетероэпитаксиальные слои кремния на сапфире [9] впервые были получены в 60-е годы XX в. и мгновенно привлекли к себе внимание как профессионалов в полупроводниковом материаловедении, так и проектировщиков твердотельных микросхем.

В сравнении с широко применяемыми твердотельными тензочувствительными элементами на основе кремния с диффузионными или имплантированными тензорезисторами ПЧЭ на основе структуры кремний на сапфире обладают целым рядом достоинств [10-12].

В первую очередь, в чувствительных элементах на полупроводниках (ПЧЭ) на основе структуры КНС p-n-перехода нет, изолирующий тензорезистор от материала подложки в твердотельных полупроводниковых чувствительных элементах, что в свою очередь существенно увеличивает пробивное электрическое напряжение, а также существенно повышает рабочую температуру датчиков. Также, однородное легирование слоя кремния дает возможность более эффективно управлять параметрами систем на их основе.

Опять-таки, присутствие прочной изолирующей подложки существенно увеличивает возможности улучшения тензочувствительной схемы и параметров тензорезисторных преобразователей (ТП).

И наконец, структуры на основе кремния на сапфире имеют высокую радиационную стойкость. Важным обстоятельством является то, что технология производства на основе структуры КНС преобразователей механических величин с полупроводниковым чувствительным элементом на основе структуры кремний на сапфире в основном не нуждается в чистых условиях твердотельного изготовления.

Следует отметить что использование структур кремний на сапфире в тензопреобразователях оказывается во многом удачным, что к примеру, в большинстве случаев реализации конструкций датчиков давления, выпускаемых сегодня в Российской федерации, применяются тензочувствительные элементы на основе структур КНС [13-16].

В настоящий момент системы с использованием кремния на сапфире широко применяются в датчиках давления и импортными фирмами SENSONETICS [17], SUCO Technologies (типы 07xx) [18], Nanjing Gaohua Technology Co., Ltd. (MB350) [19] .

Развитие полупроводниковых датчиков давления в основном сопровождается решением задачи увеличения точности и надежности. Это можно наблюдать в большинстве работ, различных авторов.

В основе датчика давления серии НР фирмы Микротензор полупроводниковая ЧЭ на основе КНС соединяется с титановой мембраной методом вакуумной высокотемпературной пайки (850 °С) (рисунок 1.1).

Тензочувствительная мембрана

1 -тензометрический мостУитстона из монокристаллического кремния

2 - контактные площадки из алюминия

3 - монокристаллическая сапфировая мембрана

4 - титановая мембрана

Рисунок 1.1. Тензопреобразователи избыточного давления, изготавливаемые ООО «Микротензор» (Россия)

Чувствительным элементом тензопреобразователей является двухслойная сапфиро-титановая мембрана с монокристаллическими кремниевыми тензорезисторами.

Монокристаллическая сапфировая мембрана является идеальным упругим элементом и в соединении с титановой мембраной приобретает лидирующее качество по уровню деформаций, сохраняет упругие свойства до 400°С.

Монокристаллические кремниевые тензорезисторы соединены с сапфиром на атомарном уровне и работают практически без гистерезиса и усталостных явлений во времени.

Уникальные изолирующие свойства и радиационная стойкость сапфира позволяют эксплуатировать чувствительный элемент в температурном диапазоне от -200 до +350°С, при высоких электромагнитных помехах и воздействии радиации.

Тензочувствительные элементы изготавливаются групповыми методами твердотельной технологии микроэлектроники и имеют высокое качество и хорошую воспроизводимость выходных параметров.

Тензорезисторные преобразователи (ТП) МИДА изготовлены в качестве одномембранных или двухмембранных систем [12], в которых на металлическую (титановый сплав) мембрану круглого сечения, изготовленную также с корпусом, с использованием твердого припоя ПЧЭ в виде пластины из сапфира с нанесенной на нее гетероэпитаксиальной тензочувствительной мостовой схемой. Исследуемое давление подается на измерительную мембрану с ПЧЭ элементом (рисунок 1.2) [20], или на мембрану, воспринимающую давление и включенную с измерительной мембраной, с помощью жесткого штока (рисунок 1.3) [21]. В датчике абсолютного давления МИДА-ДА-04П [22] пластина из сапфира, соединенная с керамической подложкой припоем из стекла, выполняет роль упругого элемента, который преобразует давление в деформацию тензорезисторов. Подобная конструкция с измерительной мембраной в два слоя сильно отличается от датчиков, в которых ПЧЭ на основе сапфира также является и мембраной, воспринимающей давление.

Рисунок 1.2. Одномембранный ТП давления:

1 - сапфировый ПЧЭ с кремниевой тензочувствительной схемой;

2 - упругая титановая мембрана;

3 - коллектор.

Таким образом, в датчиках с различными диапазонами изменения давления применяется один типоразмер ПЧЭ, что в большей степени упрощает процесс изготовления.

Также, металлическая мембрана выдерживает большие (примерно десять раз) перегрузки без разрушения датчика, что очень важно для проведения измерений при опасности взрыва.

Рисунок 1.3. Двухмембранный ТП давления:

1 - сапфировый ПЧЭ с кремниевой тензочувствительной схемой;

2 - упругая титановая мембрана;

3 - коллектор;

4 - приемная мембрана;

5 - соединительный шток.

Двухмембранная конструкция (рисунок 1.3) увеличивает возможность преобразователей давления. В данной конструкции очень просто реализовать датчики с открытой мембраной, что позволяет измерять давление без подмембранной полости. Подобные датчики нужны для исследования давления сред, которые засоряют импульсные трубки и подмембранные полости, также и для измерения давления в пищевой промышленности. Конструкция из двух мембран позволяет тоже реализовать ТП давления сред с высокой температурой (до 600 °С) к примеру, при измерении газового давления в цилиндрах двигателей (МИДА-ДИ-68ПМ). Такая же конструкция создает датчики абсолютного давления с высокой надежностью.

На рисунке 1.4. показано конструкции полупроводникового тензопреобразователя на основе КНС [23].

Рисунок 1.4 Конструкция полупроводникового тензопреобразователя: 1, 2, 3, 4 - электрические контакты тензосхемы;

5 - тензорезисторы;

6 - подстроечные резисторы с перемычками для настройки начального сигнала тензосхемы;

7 - шунтирующий резистор;

8 - перемычки дня подстройки сопротивления шунтирующего резистора;

9 - тензосхема;

10 - сапфировая подложка;

11 - металлический корпус.

В работе [24] разработана конструкция датчика давления в основе которой лежит структура КНС с повышенными эксплуатационными параметрами (рисунок 1.5).

б)

Рисунок 1.5. - Датчик давления:

а) разрез конструкции;

б) вид сверху со снятой крышкой.

1 - ПЧЭ на основе структуры кремний на сапфире, 2 - керамическая чашка с отверствием D, 3 - полость, 4 - корпус, 5 - крышка, 6 - мембрана, 7 -металлизированные токоведущие дорожки, 8 - контактные площадки, 9 -паяное соединение, 10 - выходные контакты, 11 - отверстие диаметром D, 12, 13 - надмембранная и подмебранная полости, 14 - эластичный компаунд [1,2].

Все датчики фирмы Sensonetics (США) основаны на применении структур КНС. На рисунке 1.6 представлен датчики фирмы Sensonetics, измеряющий одновременно давление и температуру. Датчики этой фирмы работают при температуре измеряемой среды до 1000 F (538 °С).

4

10

8

Рисунок 1.6 Виды сенсор на основе технологии КНС

В работе [25] приведен сечение датчики давление на основе КНС (рисунок 1.7).

Рис 1.7 Сечение датчики давление на основе КНС: где первый слой сапфира-10; второе слой сапфира-30; тонкий слой кремния-20; слой оксида кремния-50;

металлизированные контактные площадки-110;

стеклянная пластина-120;

отверстия-130.

1.2. Технология формирования структур КНС

Технология структур КНС была предложена в 1960 году компанией Rockwell исключительно с целью создания материала, обеспечивающего высокое быстродействие и малую мощность потребления ИС на основе комплиментарных структур металл / окисел / полупроводник. Первоначальная технология характеризовалась достаточно высокой дефектностью структур, что и неудивительно, так как в данном случае мы имеем дело с проблемой гетероэпитаксии структур с рассогласованием постоянных решетки синтезируемых слоев и подложки сапфира. В последнее время фирмой Peregrine Semiconductor разработана технология структур ультратонкого КНС.

Метод газофазной эпитаксии

При изготовлении таких структур как структура кремний на сапфире, основным методом считается метод газофазной эпитаксии (ГФЭ). После химической реакции наблюдается выделение твёрдого кремния и летучих паров [26, 27].

В качестве кремнийсодержащего соединения наиболее часто выбирают силан, газом-носителем служит водород. При нагревании происходит пиролиз силана:

SÍH4 ^ Si + 2Н2

Основные параметры КНС следующие:

• температура роста от 1000 до 1050 °С,

• скорость роста до 0.5 мкм/мин,

• толщина слоя не превышает 1 мкм,

• уровень легирования находится в диапазоне 1014 -1016 см-3 .

В результате в приповерхностной области сапфира возникают многочисленные дефекты кристаллической структуры и на ней может расти только поликристаллическая плёнка кремния.

Рисунок1.8 - Упрощённая схема установки для ГФЭ

Преимущество ГФЭ заключается в том, что она обеспечивает равномерный по толщине рост слоя на подложках больших размеров. Этим методом можно получать монокристаллические пленки самых разнообразных материалов и легировать их большим количеством примесей.

Метод молекулярно-лучевой эпитаксии

Один из методов получения структуры КНС - молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ). Эпитаксия из пучков молекул в вакуум считается процессом прямого переноса веществ [28, 29]. Вещество - это источник (монокристаллический кремний) в высоком вакууме быстро испаряется и образует поток молекул и частиц, которые достигают подложки сапфира без вступление во взаимодействие. Попавшие на поверхность подложки частицы Si под влиянием сил молекулярного взаимодействия формируют структуру, которая определяется структурой кристалла Si Рост эпитаксиального слоя проистекает вдоль поверхности, и слой кремния растет повторяя структуру подложки сапфира [30, 31].

Рисунок 1.9 - Схематическое описание ростовой камеры для молекулярно-

лучевой эпитаксии

В результате проведенной работы [32] рассогласования кристаллических решеток Si и сапфира, а также из-за различий их коэффициентов теплового расширения около гетерограницы Si и сапфира наблюдается огромное количество дефектов: микродвойников, дефектов упаковки и дислокаций.

По результатам данной работы [33] показано в гетероэпитаксиальных слоях Si на сапфире, осажденных при пониженной температуре (600 °С), более чем 50% объема материала в толщине слоя порядка 100 150 нм вблизи гетерограницы оказывается занято гексагональной модификацией.

Метод лучевой эпитаксии обладает многими достоинствами: относительная легкость изготовления слоёв из многих компонентов, возможность эпитаксиального роста при малых температурах (500 - 800 °С), возможность получения однородного профиля легирования, высокая чистота конечных материалов. Главным недостатком метода лучевой эпитаксии в сравнении с методом газо-фазной эпитаксии является большая стоимость оборудования и значительная длительность откачки вакуума непосредственно перед процессом

роста. Также, однородные по толщине слои получаются только на областях с маленькой площадью.

Технология структур ультратонкого кремния на сапфире (UltraCMOS)

В 2002 г. компания Peregrine Semiconductor из США совместно с японской фирмой AKM (Asahi Kasei Microsystems Corp.) разработала новую технологию UltraCMOS, позволяющая существенно повысить качество слоев кремния на сапфировой основе и уменьшить их толщину до 100 нм и менее [34].

Суть этой технологии, которая включает три основных этапа, поясняется на рисунке 1.10.

а. Сначала проводится традиционная эпитаксия кремния на сапфире, при которой на гетерогранице неизбежно возникает переходной слой с очень высокой плотностью микродвойников и прочих дефектов.

При дальнейшем росте, как отмечалось выше, число этих дефектов уменьшается и для пленок достаточной толщины (около 600 нм) на поверхности формируется монокристаллическая пленка кремния, практически не содержащая дефектов.

б. Полученная структура облучается ионами кремния так, чтобы они попали в каналы между параллельными рядами атомов верхнего слоя и прошли сквозь него, почти не теряя энергию и не создавая радиационных дефектов. В переходном слое эти каналы разрушены и движущиеся в нем ионы испытывают многочисленные столкновения с атомами кристалла, выбивая их из узлов. Выбитые атомы, как правило, имеют энергию, достаточную для того, чтобы и самим участвовать в подобном процессе. В результате вдоль траектории каждого иона возникают каскады столкновений, приводящие к появлению большого числа подвижных точечных дефектов (вакансий и междоузельных атомов). Взаимодействие этих дефектов между собой (и с уже имеющимися дефектами) приводит к образованию устойчивых нарушений кристаллической структуры вплоть до полной ее аморфизации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Буй Тхань Хай, 2016 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Eaton W. P., Smith J. H. Micromachined pressure sensors: review and recent developments // Smart Materials and Structures. 1997. - Vol. 6, № 5. - P. 530.

2. Нелина С. Н. Разработка и исследование технологии изготовления подложек из монокристаллического сапфира для элементов электронной техники: дисс. ..канд. тех. наук: 05.27.01; Южный федеральный университет. -Таганрог, 2010. - 155 c.

3. Малюков С. П., Саенко А. В., Клунникова Ю. В. Моделирование процесса лазерной обработки сапфира // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2014. -№ 9(158). - C. 39-45.

4. Беляев Л. М. Рубин и сапфир. - М: Наука, 1974. - 236 с.

5. Dobrovinskaya E. R., Lytvynov L. A., Pishchik V. Sapphire: material, manufacturing, applications. Springer Science & Business Media, 2009. - 480 p.

6. Саенко А. В. Разработка и исследование сенсибилизированных красителем солнечных элементов на основе диоксида титана: дисс. ..канд. тех. наук: 05.27.01; Южный федеральный университет. - Таганрог, 2013. - 178 c.

7. Стефанович В. А. Разработка и исследование технологии получения лейкосапфира для электронной техники: дисс. ..канд. тех. наук: 05.27.01; Южный федеральный университет. - Таганрог, 2008. - 168 c.

8. Малюков С. П., Клунникова Ю. В., Саенко А. В. Исследование процессов лазерной обработки материалов для микроэлектроники // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». - 2014. - № 8. - C. 15-19.

9. Папков В. С. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. - М.: Энергия, 1979. - 88 с.

10. Белоглазов А., Евдокимов В., Стучебников В. Полупроводниковые тензопреобразователи силы и давления на основе гетероэпитаксиальных структур «кремний на сапфире» // Приборы и системы управления. - 1982. -№ 5. - C. 21-27.

11. Stuchebnikov V. M. SOS strain gauge sensors for force and pressure transducers // Sensors and Actuators A: Physical. 1991. - Vol. 28, № 3. - P. 207-213.

12. Стучебников B. М. Структуры" кремний на сапфире" как материал для тензопреобразователей механических величин // Радиотехника и электроника. - 2005. - T. 50, № 6. - C. 678-696.

13. Бушев Е. Е., Николайчук О. Л., Стучебников В. М. Серия общепромышленных датчиков давления МИДА-13П // Датчики и системы. -2004. - № 6. - C. 48-51.

14. Бушев Е., Николайчук О., Стучебников В. Серия микроэлектронных датчиков давления МИДА // Датчики и системы. - 2000. - T. 200. - C. 21-27.

15. Козлов Ю. Ф., Зотов В. В. Структуры кремния на сапфире: технология, свойства, методы контроля, применение. - M: МИЭТ, 2004. - 140 с.

16. http://microtensor.ru/4str.html.

17. http://www.sensonetics.com.

18. http://www.suco-tech.com.

19. http://njgaohua.en.china.cn.

20. Козлов А. И., Пирогов А. В., Стучебников В. М. Моделирование тензопреобразователей давления на основе структур КНС. Одномембранные преобразователи // Датчики и системы. - 2008. - № 1. - C. 6-11.

21. Козлов А. И., Пирогов А. В., Стучебников В. М. Моделирование тензопреобразователей давления на основе структур КНС. Двухмембранные преобразователи // Датчики и системы. - 2009. - № 8. - C. 50-53.

22. Бушев Е. Е., Стучебников B. М. ПГ мида - 20 лет на рынке малогабаритных датчиков давления // Датчики и системы. - 2011. - № 5. - C. 2-7.

23. Иванович С. В. Полупроводниковый тензопреобразователь// Патент России № 2284074. 2006. Бюл. № 26.

24. Стефанович В. А., Лебедев А. Г., Нелина С. Н. Датчик давления// Патент России № 2392592. 2009. Бюл. № 17.

25. U.S. Patent No. 6424017. 23.7.2002.

26. Кривулин Н. О. Ультратонкие слои кремния на сапфире. - Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2011. - 40 с.

27. Шемухин А. А., Балакшин Ю. В., Черныш В. С., Патракеев А. С., Голубков С. А., Егоров Н. Н., Сидоров А. И., Малюков Б. А., Стаценко В. Н., Чумак В. Д. Формирование ультратонких слоев кремния на сапфире // Письма в ЖТФ. -2012. - T. 38, № 19. - C. 83-89.

28. Twigg M. E., Richmond E. D., Pellegrino J. G. Elimination of microtwins in silicon grown on sapphire by molecular beam epitaxy // Applied Physics Letters. 1989. - Vol. 54, № 18. - P. 1766-1768.

29. Ченг Л., Плог К. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. - М.: Мир, 1989. - 582 с.

30. Шиляев П. А., Павлов Д. А., Коротков Е. В., Треушников М. В. Молекулярно-лучевое осаждение сверхтонких слоёв кремния на сапфире // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. - 2008. - № 2. - C. 62-66.

31. Павлов Д., Коротков Е., Шиляев П., Кривулин Н. Формирование нанокристаллического кремния на сапфире методом молекулярнолучевой эпитаксии // Письма в ЖТФ. - 2010. - T. 36, № 12. - C. 16-22.

32. Кривулин Н. О., Павлов Д. А., Шиляев П. А., Коротков Е. В., Гладышева В. А., Бобров А. И. Влияние дефектов на механические свойства эпитаксиальных слоев кремния на сапфире // Вестник Нижегородского университета им. НИ Лобачевского. - 2012. - № 3-1. - C. 30-33.

33. Павлов Д. А., Пирогов А. В., Кривулин Н. О., Бобров А. И. Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. - 2015. - T. 49, № 1. - C. 98-101.

34. Nakamura T., Matsuhashi H., Nagatomo Y. Silicon on sapphire (SOS) device technology // Oki technical review. 2004. - Vol. 71, № 4. - P. 67-69.

35. Bruel M., Aspar B., Auberton-Herve A.-J. Smart-Cut: a new silicon on insulator material technology based on hydrogen implantation and wafer bonding // Japanese journal of applied physics. 1997. - Vol. 36, № 3B. - P. 1636-1641.

36. Meyer R., Kononchuck O., Moriceau H., Lemiti M., Bruel M. Study of high-temperature Smart Cut™: Application to silicon-on-sapphire films and to thin foils of single crystal silicon // Solid-State Electronics. 2016. - Vol. 115. - P. 225-231.

37. Григорьянц А. Г., Шиганов И. Н., Мисюров А. И. Технологические процессы лазерной обработки. - М: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2006. - 663 с.

38. Парфенов В. Лазерная микрообработка материалов. - СПб: Изд-во СПбГЭТУ ЛЭТИ, 2011. - 58 с.

39. Джибути З. В., Долидзе Н. Д., Эристави Г. Л. Фотостимулированная релаксация внутренних механических напряжений в эпитаксиальных КНС-структурах // Журнал технической физики. - 2008. - T. 78, № 6. - C. 135-137.

40. Саенко А. В., Ковалев А. В., Бесполудин В. В., Прилипко А. А. Исследование морфологии поверхности и электропроводности пленок кремния после лазерного отжига // Инженерный вестник Дона. - 2016. - T. 40, № 1.

41. Шуваев Г. В., Сорокин В. К., Зимицкий Ю. Н. Резка неметаллических материалов алмазными кругами. - М.: Машиностроение, 1989. - 80 с.

42. Бочкин О. И., Брук В. А., Никифорова-Денисова С. Н. Механическая обработка полупроводниковых материалов. - М: Высшая школа, 1977. - 184 с.

43. Lumley R. Controlled separation of brittle materials using a laser // American Ceramic Society Bulletin. 1969. - Vol. 48, № 9. - P. 850-854.

44. Nisar S., Li L., Sheikh M. Laser glass cutting techniques—A review // Journal of Laser Applications. 2013. - Vol. 25, № 4. - P. 042010.

45. Jong-Moo L., Ki-Young U., Ki-Gwan H., Jun-Ho J., Tae-Kyung Y. Scribing and cutting of sapphire wafer with Q-switched Nd:YAG laser // Lasers and Electro-Optics. T. 2 -, 1999. C. 366-367

46. U.S. Patent No. 3626141. 07.12.1971.

47. U.S. Patent No. 6580054. 17.6.2003.

48. Ruttimann C. Sapphire cutting with pulsed fiber lasers // Laser Technik Journal. 2014. - Vol. 11, № 3. - P. 48-50.

49. Хаит О., Алексеев А., Крыжановский В., Артамонова Е., Руссов Д. Лазерное внутриобъемное скрайбирование-ключ к технологиям светодиодной микроэлектроники // Фотоника. - 2012. - T. 36, № 6. - C. 16-19.

50. Kivistö S., Amberla T., Konnunaho T., Kangastupa J., Sillanpää J. X-Lase CoreScriber, picosecond fiber laser tool for high-precision scribing and cutting of transparent materials // Physics Procedia. 2013. - Vol. 41. - P. 589-591.

51. Кондратенко В. С., Борисовский В. Е., Голубятников И. В., Наумов А. С. Способ резки хрупких неметаллических материалов// Патент России 2012. Бюл. № 27.

52. Иванов В. И. Методы резки кремниевых приборных пластин на чипы в производстве органических микродисплеев // Интернет-журнал Науковедение. - 2014. - T. 23, № 4 -C. 1-21.

53. Кондратенко В. С., Минаев В. В., Наумов А. С. Лазерное управляемое термораскалывание. Отечественная технология международного масштаба // Наука и технологии в промышленности. - 2011. - № 4. - C. 111-115.

54. Хлызов В. А. Разработка системы управления и автоматизация технологического процесса лазерного управляемого термораскалывания на промышленных установках : автореферат дис. кандидата технических наук : 05.11.14. - Москва, 2012. - 19 с.

55. Кондратенко В., Гиндин П., Борисовский В., Колесник В., Сорокин А. Российские высокие технологии в производстве приборов микро-и оптоэлектроники // Интеграл. - 2008. - № 6. - C. 8-10.

56. Сысоев В. К., Булкин Ю. Н., Чадин В. С., Вятлев П. А., Захарченко А. В., Лезвинский К. Л. Управляемое гибридное светолазерное термораскалывание стекол // Письма в журнал технической физики. - 2007. - № 33. - C. 54-59.

57. U.S. Patent No. 6562698. 13.5.2003.

58. Кондратенко В. С., Зобов А. К., Наумов А. С. Лазерный раскрой неметаллических материалов // Ремонт. Инновации. Технологии. Модернизация. - 2014. - № 6. - C. 38-41.

59. Кондратенко В., Зобов А., Наумов А., Лу Х.-Т. Технология прецизионной лазерной резки сапфировых пластин // Фотоника. - 2015. - T. 50, № 2. -C. 42-52.

60. Кондратенко В. С. Лазерное управляемое термораскалывание хрупких материалов. М.: МГАПИ, 2004. - 88 с.

61. Степанович К. В., Сергеевич Н. А. Новая технология лазерной резки сапфировых пластин на кристаллы // Приборы. - 2011. - № 10. - C. 37-40.

62. Kondratenko V., Tchernykh S., Gindin P. Laser controlled thermocracking die separation technique for sapphire substrate based devices // physica status solidi (c). - 2003. - № 7. - C. 2232-2235.

63. Кондратенко В., Наумов А. Развитие и внедрение технологий лазерного управляемого термораскалывания на международном рынке // Вестник МГТУ. - 2015. - T. 2, № 3. - C. 1-11.

64. Сысоев В., Папченко Б., Захарченко А., Вятлев П. Увеличение эффективности управляемого лазерного термораскалывания диэлектрических материалов // Оптический журнал. - 2004. - T. 71, № 2. - C. 41-45.

65. Шемелин В. К., Чирков А. В., Сысоев В. К. Повышение эффективности методов высокоточного разделения хрупких неметаллических материалов на основе применения лазерного управляемого термораскалывания // Вестник МГТУ Станкин. - 2010. - № 3. - C. 130-135.

66. Вятлев П. А., Захарченко А. В., Масычев В. И., Лезвинский К. Л., Папченко Б. П., Сысоев В. К. Технология эффективного управляемого лазерного термораскалывания диэлектрических материалов // Электронный журнал «Исследовано в России». - 2003. - № 117. - C. 1407-1421.

67. Добровинская Е. Р., Литвинов Л. А., Пищик В. В. Энциклопедия сапфира. -Харьков: Институт монокристаллов, 2004. - 503 с.

68. Брантон Д., Каплан У. Микроструктура материалов. Методы ииследование и контроля. - М: Техносфера, 2004. - 384 с.

69. Дроздов Ю. Н., Востоков Н. В., Гапонов Д. М., др. и. Влияние параметров сапфировых подложек на кристаллическое качество слоев GaN // Физика и техника полупроводников. - 2005. - T. 39, № 1. - C. 5-9.

70. Kozhevnikov I. V., Pyatakhin M. V. Use of DWBA and perturbation theory in X-ray control of the surface roughness // Journal of X-ray science and technology. 1998. - Vol. 8, № 4. - P. 253-275.

71. Ji Z., Wu S. FEM simulation of the temperature field during the laser forming of sheet metal // Journal of Materials Processing Technology. 1998. - Vol. 74, № 3. -P. 89-95.

72. Павеле Л. А. Моделирование физико-химических процессов лазерной резки. - Тула: ТулГУ, 2003. - 124 с.

73. Малюков С. П., Клунникова Ю. В., Саенко А. В. Лазерное управляемое термораскалывание сапфира // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». - 2015. - № 9. -C. 6-10.

74. Shen Z. H., Zhang S. Y., Lu J., Ni X. W. Mathematical modeling of laser induced heating and melting in solids // Optics and Laser Technology. 2001. - Vol. 33, № 8. - P. 533-537.

75. Сердюков А. Н., Шалупаев С. В., Никитюк Ю. В., Середа А. А. Моделирование процесса двулучевого асимметричного термораскалывания хрупких неметаллических материалов // Известия Гомельского Государственного Университета им. Ф. Скорины -2011. - T. 69, № 6. - C. 124-127.

76. Kim M. J., Chen Z. H., Majumdar P. Finite element modelling of the laser cutting process // Computers & structures. 1993. - Vol. 49, № 2. - P. 231-241.

77. Parandoush P., Hossain A. A review of modeling and simulation of laser beam machining // International Journal of Machine Tools and Manufacture. 2014. -Vol. 85. - P. 135-145.

78. Yu L. M. Three-dimensional finite element modelling of laser cutting // Journal of Materials processing Technology. 1997. - Vol. 63, № 1. - P. 637-639.

79. Галёв Р. В. Применение численных решений уравнений Максвелла к моделированию процессов лазерной обработки материалов // Вестник НГУ. Сер. Физика. - 2014. - T. 9, № 2. - C. 55-64.

80. Румянцев А. В. Метод конечных элементов в задачах теплопроводности. -Калининград: КГУ, 1995. - 169 с.

81. Орлов И. А., Орлов А. С. Компьютерное моделирование процесса лазерной резки термораскалыванием тонкостенных цилиндрических изделий из хрупких неметаллических материалов. // Сварка и Диагностика. - 2010. - № 2. - C. 40-45.

82. Шершнев Е. Б., Никитюк Ю. В., Соколов С. И. Особенности лазерного термораскалывания кварцевого стекла // Проблемы физики, математики и техники. - 2013. - № 3. - C. 39-44.

83. Шалупаев С. В., Никитюк Ю. В., Середа А. А. Лазерное термораскалывание хрупких неметаллических материалов по замкнутым криволинейным контурам // Оптический журнал. - 2008. - T. 75, № 2. - C. 11-15.

84. Шалупаев С., Шершнев Е., Никитюк Ю., Середа А. Двухлучевое лазерное термораскалывание хрупких неметаллических материалов // Оптический журнал. - 2006. - T. 73, № 5. - C. 62-66.

85. Tsai C. H., Liou C. S. Fracture mechanism of laser cutting with controlled fracture // Journal of Manufacturing Science and Engineering-Transactions of the Asme. 2003. - Vol. 125, № 3. - P. 519-528.

86. Tsai C. H., Lin B. C. Laser cutting with controlled fracture and pre-bending applied to LCD glass separation // International Journal of Advanced Manufacturing Technology. 2007. - Vol. 32, № 11-12. - P. 1155-1162.

87. Tsai C. H., Chen C. J. Application of iterative path revision technique for laser cutting with controlled fracture // Optics and Lasers in Engineering. 2004. - Vol. 41, № 1. - P. 189-204.

88. Каплун А. Б., Морозов Е. М., Олферьева М. А. ANSYS в руках инженера: Практическое руководство. .- М: Едиториал УРСС, 2003.- 272 с.

89. http://www.3ds.com/products-services/simulia/.

90. http://www.ansys.com/.

91. http://www.mscsoftware.ru/products/msc-nastran.

92. Бруяка В. А. Инженерный анализ в ANSYS Workbench учебное пособие. -Самара: Самарский гос. технический ун-т, 2010. - 100 с.

93. Довбня А. Н., Ефимов В. П., Абызов А. С., Шаповал И. И., Рыбка А. В., Березняк Е. П., Закутин В. В., Решетняк Н. Г., Ромасько В. П. Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях // PROBLEMS OF ATOMIC SCIENCE AND TECHNOLOGY. Series: Nuclear Physics Investigations (53). - 2010. - № 2. - C. 164-167.

94. Гладков Г. В., Крисов Г. А., Синьков Ю. П. Влияние импульсного нестационарного отжига на структурные параметры кремниевых пластин // Электронная промышленность. - 1988. - № 5. - C. 18-19.

95. Конова В. Н., Матыскин В. Н., Мурашкин С. В. Дефектообразование в кремнии при импульсном воздействии некогерентного излучения // Электронная промышленность. - 1988. - № 5. - C. 22-25.

96. Gibbons J. F., Sigmon T., Hess L. D. Laser and Electron-beam Solid Interactions and Materials Processing // Proceedings of the Materials Research Society Annual Meeting, November 1980, Copley Plaza Hotel, Boston, Massachusetts, USA. North Holland, 1981.

97. Feng J., Yan J., Zhou S. Dynamic behaviors of PbS irradiated by laser pulse // Piers online. 2007. - Vol. 3, № 6. - P. 847-850.

98. Вейко В. П., Конов В. И. Взаимодействие лазерного излучения с веществом. Силовая оптика. - М: Физматлит, 2008. - 308 с.

99. Боли Б. А., Уэйнер Д. Теория температурных напряжений. - М: Мир, 1964. -517 с.

100. Малюков С. П., Клуникова Ю. В., Саенко А. В., Бондарчук Д. А., Буй Т. Х. Исследование термоупругих напряжений при лазерной обработке пластин сапфира с помощью ANSYS // Материалы XXIII научной конференции «Современные информационные технологии: тенденции и перспективы развития (СИТО 2016)» - Ростов-на-Дону, 2016. - C. 152 - 153.

101. Малюков С. П., Клуникова Ю. В., Саенко А. В., Буй Т. Х. Моделирование температурных полей и внутренних напряжений в пластине сапфира при лазерной обработке // Физика и химия обработки материалов -2016. - № 5. -C. 11-16.

102. Малюков С. П., Клунникова Ю. В., Буй Т. Х. Моделирование процессов лазерной обработки неорганического стекловидного диэлектрика // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». - 2015. - T. 4. - C. 3-6.

103. Малюков С. П., Клунникова Ю. В., Буй Т. Х. Расчет механических напряжений методом конечных элементов при лазерной обработки сапфира // Материалы международной научно-практической конференции молодых ученых стран БРИКС - Ростов-на-Дону, 2015. - C. 175-177.

104. Malyukov S. P., Klunnikova Y. V., Bui T. H. Numerical Analysis of Inorganic Glassy Dielectric Laser Processing.-: Nova Science Publishers 2016. - 81-88 p.

105. Сегерлинд Л. Применение метода конечных элементов. - М.: Мир, 1979. -392 с.

106. Зенкевич О. Метод конечных элементов в технике. - М.: Мир, 1975. - 543 с.

107. Moaveni S. Finite element analysis: theory and application with ANSYS.-: Pearson Education India, 2003. - 822 p.

108. Рыкалин Н. Н. Лазерная и электроннолучевая обработка материалов [Справочник]. - М.: Машиностроение, 1985. - 495 с.

109. Yang L. J., Wang Y., Tian Z. G., Cai N. YAG laser cutting soda-lime glass with controlled fracture and volumetric heat absorption // International Journal of Machine Tools & Manufacture. 2010. - Vol. 50, № 10. - P. 849-859.

110. Клунникова Ю. В., Саенко А. В., Буй Т. Х.Численное моделирование распределение температуры в структуре пленка-сапфир при лазерном воздействии // Сборник аннотаций 12-ой курчатовской молодёжной научной школы - НИЦ «Курчатовский институт», Москва -, 2014. - C. 188.

111. Малюков С. П., Клунникова Ю. В., Буй Т. Х. Моделирование процесса лазерной обработки структуры пленка-сапфир // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». - 2015. - T. 7. - C. 3-6.

112. Малюков С. П., Клунникова Ю. В., Буй Т. Х. Использование системы ANSYS для моделирования процесса лазерной обработки структуры пленка-сапфир // Материалы XXII научной конференции «Современные информационные технологии: тенденции и перспективы развития (СИТО 2015)», - Ростов-на-Дону, 2015. - C. 354-355.

113. Малюков С. П., Кириллова Е. В., Клунникова Ю. В., Буй Т. Х. Моделирование распределения напряжений и деформаций при лазерной обработки сапфира методом конечных элементов // Сборник научных трудов научно-методической конференции - Инновационные технологии в науке и образовании «ИТН0-2015» - Геленджик, 2015 - C. 558-560.

114. Кириллова Е. В., Малюков С. П., Клуникова Ю. В., Буй Т. Х., Саенко А. В. Исследование влияния термоупругих напряжений в сапфире // Тезисы докладов XI Всероссийской школы-семинара «Математическое моделирование и биомеханика в современном университете» -Дивноморское, 2016. - C. 66.

115. Клуникова Ю. В., Малюков С. П., Саенко А. В., Буй Т. Х.Численное моделирование термоупругих напряжений при лазерной резке сапфира // Тезисы докладов XI Всероссийской школы-семинара «Математическое моделирование и биомеханика в современном университете» - Дивноморкое, 2016. - C. 69.

116. Тимошенко С. П., Войновский-Кригер С. Пластинки и оболочки. - М.: Наука, 1966. - 635 с.

117. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теория упругости. - М.: Наука, 1965. - 204 с.

118. Феодосьев В. И. Сопротивление материалов. - М.: Изд-во МГТУ им. НЭ Баумана 2005. - 590 с.

119. Распопов В. Я. Микромеханические приборы .- М.: Машиностроение, 2007. - 400 с.

120. http://honeywell.com/Pages/Home.aspx.

121. https://www.kistier.com/?type=669&fid=54267.

122. http: //www. kulite.com/docs/products/XTL-3-375.pdf.

123. http://packo.ru/node/1569.

124. http: //www. intor.ru/catalog/show/163.

125. http://www.minebea-mcd.com/en/product/press/.

126. Руководство по эксплуатации ADZ-SML(SMX) РЭ. - М:, 2006. - 18 с.

127. http://www.metronic.ru/da.html.