Разработка гадолиний- и боросиликатных наноразмерных пленок, формируемых методом золь-гель технологии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.17.11, кандидат химических наук Смирнова, Ирина Витальевна

• Смирнова, Ирина Витальевна
• кандидат химических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат химических наук Смирнова, Ирина Витальевна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ СИНТЕЗА И ИСПОЛЬЗОВАНИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ И ОРГАНО-НЕОРГАНИЧЕСКИХ ПЛЕНОК В ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ.

1.1. Использование золь-гель технологии в современной промышленности.

1.1.1. Использование тонких силикатных пленок, получаемых методом золь-гель технологии в качестве источников диффузантов.

1.1.2. Требования к свойствам пленок, применяемым в планарной технологии микроэлектроники.

1.2. Технологические аспекты получения золей и формирование стекловидных и гибридных пленок на их основе.

1.2.1. Золь-гель технология.

1.2.2. Основные компоненты золь-гель систем.

1.2.3. Физико-химические основы золь-гель процесса.

1.2.4. Методы нанесения покрытий.

1.2.5. Особенности синтеза пленкообразующих золей.

1.2.6. Термическая обработка пленок.

1.2.7. Гибридные органо-неорганические золь-гель системы.

1.3. Основные методы легирования кремния в современной планарной технологии микроэлектроники.

1.3.1. Общие сведения о методах легирования.

1.3.2. Ионная имплантация.

1.3.3. Эпитаксиальное наращивание.

1.3.4. Диффузия.

1.3.5. Образование дислокаций под действием внутренних напряжений.38 1.4. Выводы и обоснование направления экспериментальных исследований.

ГЛАВА 2. СИНТЕЗ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ СИСТЕМ, ФОРМИРОВАНИЕ ГИБРИДНЫХ ОРГАНО-НЕОРГАНИЧЕСКИХ ПЛЕНОК-ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ БОРА И ГАДОЛИНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КРЕМНИЙ, ПРОЦЕССЫ ДИФФУЗИИ, МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Описание основных технологических стадий формирования пленок.

2.1.1. Синтез золей на основе тетраэтоксисилана.

2.1.2. Выбор органических низко- и высокомолекулярных соединений для модификации свойств золь-гель систем.

2.1.3. Выбор неорганических соединений для легирования кремния.

2.1.4. Получение ксерогелей.

2.1.5. Влияние подложки на свойства пленок.

2.1.6. Формирование пленок и их термообработка.

2.1.7. Условия прохождения диффузии.

2.2. Выбор современных методов и подходов при исследовании физико-химических свойств золь-гель систем и формируемых из них наноразмерных стекловидных пленок и гибридных органо-неорганических покрытий.

2.2.1. Методики определения вязкости золь-гель систем.

2.2.1.1. Определение вязкости с помощью рео-вискозиметра по Хопплеру.

2.2.1.2. Определение вязкости с помощью ротационного вискозиметра с коаксиальными цилиндрами.

2.2.2. Термический анализ.

2.2.3. Рентгенофазовый анализ.

2.2.4. Исследование толщины и оптических характеристик пленок методом эллипсометрии и Alfa-step.

2.2.5. Оптическая система анализа изображений.

2.2.6. Атомно-силовая микроскопия.

2.2.7. Метод динамической механической спектроскопии (внутреннее трение).

2.2.8. Определение поверхностного сопротивления.

2.2.9. Определение глубины залегания диффузионных слоев.

2.2.10. Вторичная ионная масс-спектрометрия.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка гадолиний- и боросиликатных наноразмерных пленок, формируемых методом золь-гель технологии»

Наноразмерные пленки являлись одними из первых объектов, получаемых золь-гель методом. Их применение остается актуальным в начале XXI века. Они по-прежнему востребованы в микроэлектронике в качестве источников диффузантов в кремний и другие материалы электронной техники при формировании р-п-переходов и стоп-слоев. Использование диффузии из пленок наиболее эффективно, когда ставится задача формирования глубоких (~ 3^10 мкм) разделительных р- и р+- слоев в кремнии, в том числе для формирования стоп-слоев в цикле анизотропного травления тонкостенных мембран для сенсоров, датчиков влажности, давления газа, расхода топлива, при создании кремниевых солнечных элементов и др.

В 60-70-х годах прошлого века пионерские работы по созданию тонких неорганических пленок для микроэлектроники были выполнены сотрудниками Института химии силикатов им. И.В. Гребенщикова РАН под руководством А. И. Борисенко. Традиции золь-гель синтеза в ИХС РАН имеют глубокие корни и воплощены в научных школах академиков И. В. Гребенщикова, М. Г. Воронкова, В. Я. Шевченко. В настоящее время работы по этому направлению активно развиваются.

Данная работа продолжает и развивает принятые в ИХС РАН методы и подходы, в первую очередь в части разработки гибридных органо-неорганических материалов для микроэлектроники. Вопросы создания гибридных органо-неорганических материалов из многокомпонентных золей на основе тетраэтоксисилана с высоким содержанием неорганических соединений и модифицированных органическими компонентами в настоящее время остаются недостаточно изученными. В то же время разработка таких золь-гель систем позволит существенно улучшить ряд физико-химических и электрофизических параметров получаемых пленок и диффузионных слоев, сформированных в кремнии с их помощью (состав, структура, состояние поверхности, толщина, диффузионные характеристики).

Целью данной работы является разработка золь-гель технологии получения новых гадолиний- и боросиликатных наноразмерных пленок — источников реакционной диффузии в кремний для воспроизводимого получения диффузионных слоев с

20 3 концентрацией примеси бора ~ 5-7-10 см" .

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Исследовать особенности структурирования, гелеобразования и пленкообразования в многокомпонентных силикатных и гибридных золь-гель системах на основе тетраэтоксисилана (ТЭОС), содержащих большие количества неорганических соединений (борная кислота и нитрат гадолиния), а также органических модификаторов (низко- и высокомолекулярные полиолы различной топологии и молекулярного веса).

2. Научно обосновать выбор органического модификатора, совместимого с высоколегированным борсодержащим золем на основе гидролизованного ТЭОС. Разработать составы гибридных органо-неорганических золей на основе ТЭОС с высоким содержанием борной кислоты и содержащих одновременно две легирующие примеси бор и гадолиний для получения пленок - источников диффузантов, отвечающих требованиям полупроводниковой технологии микроэлектроники.

3. Выявить закономерности протекания физико-химических процессов, происходящих во время формирования гадолиний- и борсодержащих силикатных и гибридных пленок (нанесение в процессе центрифугирования и термическая обработка).

4. Разработать технологию получения высоколегированных боросиликатных гибридных пленок большей толщины, отвечающих требованиям к источникам диффузии, используемым в полупроводниковой микроэлектронике.

5. Создать источники реакционной диффузии бора и гадолиния с целью формирования диффузионных слоев с требуемыми параметрами (глубина диффузионного слоя 3,5±0,5 мкм,

20 3 максимально возможная поверхностная концентрация легирующей примеси бора >5-10 см").

6. Использовать разработанные источники диффузии бора и гадолиния в цикле анизотропного травления кремния при получении тонкостенных мембран (толщиной 3,0±0,5 мкм) с повышенной механической прочностью.

Научная новизна результатов. С привлечением комплекса физико-химических методов исследования (вискозиметрия, оптическая и атомно-силовая микроскопия, термический и рентгенофазовый анализы, механическая динамическая спектроскопия, вторичная ионная масс-спектрометрия и др.) были впервые выявлены следующие закономерности поведения золь-гель систем на основе ТЭОС при введении в них органических и неорганических соединений, придающих полученным продуктам золь-гель синтеза технически ценные свойства:

1. Используя методы вискозиметрии, впервые выявлены особенности протекания реакции гидролитической поликонденсации тетраэтоксисилана в присутствии в золе ряда неорганических и органических соединений (борная кислота, нитрат гадолиния, низко- и высокомолекулярные полиолы различной топологии и молекулярного веса).

2. Исходя из данных оптической микроскопии и АСМ, выявлено существенное изменение морфологии и рельефа поверхности сформированных пленок под воздействием вводимых неорганических (борная кислота и нитрат гадолиния) и малых количеств органических (полиолы различной топологии и молекулярного веса) соединений.

3. Показано, что увеличение толщины формируемых пленок в 1,5-2 раза можно осуществлять за счет введения в боросиликатные золи полиолов разветвленного и гиперразветвленного строения. При этом качество поверхности сформированных пленок соответствует требованиям планарной технологии микроэлектроники.

4. С использованием метода динамической механической спектроскопии (внутреннее трение) впервые выявлены особенности структуры стекловидных боросиликатных и гадолинийсиликатных пленок, изучены закономерности химического взаимодействия между нанофазами в нанокомпозитах в процессе последовательных термообработок, позволяющие дать рекомендации по составу пленок и температурно-временному режиму их обработки для максимального снижения дефектности кристаллической структуры легируемого кремния.

5. Исходя из данных ВИМС, получены и проанализированы профили распределения легирующих примесей бора и гадолиния при их раздельной и совместной диффузии из силикатных и гибридных пленок. На основании полученных данных впервые рассчитаны коэффициенты диффузии обеих примесей, при их совместной диффузии в кремний.

Практическая значимость работы. Разработана технология формирования боросиликатных гибридных и гадолинийсиликатных пленок - источников реакционной диффузии бора и гадолиния в полупроводниковый кремний. С помощью этих пленок методом высокотемпературной диффузии созданы диффузионные слои глубиной ~ 4,0±0,5 мкм с высоким содержанием бора на уровне предела его растворимости в кремнии (5-7-1020 см"3). Сформированные области легирования использованы в качестве стоп-слоев в цикле анизотропного травления тонкостенных мембран для газовых сенсоров толщиной 3,0±0,5 мкм.

Технология формирования тонкостенной кремниевой мембраны внедрена в технологический процесс производства газовых сенсоров на СО и датчиков расхода топлива на ЗАО «Авангард-Микросенсор», г. Санкт-Петербург.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

1. Разработка технологии золь-гель синтеза силикатных и гибридных органо-неорганических пленок, содержащих бор, а также одновременно два неорганических легирующих компонента - бор и гадолиний.

2. Обоснование выбора органических модифицирующих добавок низко- и высокомолекулярных полиолов, обеспечивающих увеличение толщины пленок -источников реакционной диффузии.

3. Установление особенностей структурирования и гелеобразования силикатных и органо-неорганических золей в присутствии борной кислоты, нитрата гадолиния и полиолов различной топологии, молекулярного веса и количества активных функциональных групп.

4. Влияние чрезвычайно малых количеств (~ 1 мае. %) олигомерных полиолов на структуру и состояние поверхности формируемых пленок.

5. Эволюция состава, структуры и состояния поверхности силикатных и органо-неорганических пленок в процессе последовательных термообработок (от -100 до +300 °С).

6. Определение коэффициентов диффузии бора и гадолиния при реакционной диффузии из разработанных силикатных и органо-неорганических пленок с использованием модели диффузии из постоянного источника.

Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов, списка литературы из 169 наименований и дополнена четырьмя приложениями, в т.ч. техническим актом внедрения с протоколом испытаний диффузионных структур, полученных золь-гель методом с использованием силикатных и гибридных органо-неорганических покрытий, допированных бором и гадолинием в цикле создания тонкостенных мембран. Основной материал диссертации изложен на 194 страницах машинописного текста, содержит 39 рисунков и 16 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов», Смирнова, Ирина Витальевна

ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. Разработана технология получения силикатных и гибридных пленок - источников диффузии бора и гадолиния в кремний, содержащих большое количество бора (40 мае. % В2О3) и оптимальное количество редкоземельного элемента гадолиния (5+10 мае. % GCI2O3), отвечающих требованиям планарной технологии микроэлектроники и обеспечивающих формирование полупроводниковых структур с заданными параметрами

20 3 поверхностная концентрация примеси бора, NS>5T0 см" ; поверхностное сопротивление, ps=3,0±0,5 Ом/п; глубина диффузионного слоя, Xj=3,5±0,5 мкм).

2. Осуществлен научно-обоснованный выбор органических модификаторов: низко- и высокомолекулярных полиолов линейного (полиэтиленгликоль (ПЭГ)) и разветвленного строения (полигидроксилолигоуретанмочевина (ПОУМ) и гиперразветвленный полимер (ГРП)), совместимых с высоколегированным боросиликатным золем состава 40B203-60Si02 мае. %. Введение в золи ~ 1 мае. % ГРП дало возможность увеличить максимально возможную толщину формируемых высоколегированных боросиликатных пленок в 1,5-2 раза, без ухудшения состояния их поверхности. Это, в свою очередь, позволило увеличить степень легирования полупроводника и уменьшить дефектность диффузионных слоев, сформированных с использованием полученных пленок

3. Используя методы вискозиметрии, термического анализа и механической динамической спектроскопии, оптической и атомной силовой микроскопии были выявлены особенности протекания реакции гидролитической поликонденсации тетраэтоксисилана (ТЭОС) в присутствии высоких концентраций борной кислоты (40 мае. %), нитрата гадолиния (5-10 мае. %) и небольших добавок (-0,5+2,0 мае. %) низко- и высокомолекулярных полиолов линейного и разветвленного строения. Изучена эволюция состава и структуры продуктов золь-гель синтеза в процессе высокотемпературной обработки. При этом установлено, что:

3.1. Небольшие количества (-0.5-2 мае. %) низко- и высокомолекулярных полиолов замедляют процессы структурирования и гелеобразования в боросиликатных золях, способствуя упрочнению сетки неорганического полимера. Однако по мере старения золей (свыше 30 суток) в золях, модифицированных ГРП при его концентрации ~ 2 мае. % происходит значительное ухудшение восстанавливаемости структуры и снижение прочностных характеристик золь-гель систем, а в случае модификации золей ~ 1 мае. % ПОУМ структурная сетка золя необратимо разрушается под воздействием незначительных нагрузок (20-30 г).

3.2. Небольшие добавки (~ 0,5-1 мае. %) олигомерных полиолов, особенно разветвленного и гиперразветвленного строения существенно увеличивают развитость поверхности гибридных боросиликатных пленок, приводят к образованию специфической структуры, характерной для каждого отдельного полиола.

3.3. По мере увеличения концентрации соединений гадолиния в золе (от 5 до 10 мае. % GchCb) возрастает склонность к выпадению кристаллов соединений гадолиния в тонком слое золя в процессе формирования пленки. Совместное введение борной кислоты и нитрата гадолиния препятствует протеканию нежелательных процессов фазового расслоения и кристаллизации.

3.4. Во время термической обработки при температуре 250-500 °С происходят процессы удаления легколетучих компонентов золь-гель системы, внутренней перестройки с образованием боросиликатного стекла, что приводит к сглаживанию рельефа поверхности силикатных и гибридных пленок и к увеличению их пористости. Легирование силикатных пленок гадолинием способствует разрыхлению структуры силикатных пленок.

3.5. Отличительной особенностью обладают спектрограммы внутреннего трения пленки, содержащей одновременно бор (40 мае. % В2О3) и гадолиний (10 мае. % GCI2O3), предварительно термообработанной при 500 °С. При проведении четвертого цикла термообработки кривая внутреннего трения становится гладкой - пиков ВТ практически не наблюдается. Это свидетельствует о том, что при формировании пленок из золей данного состава, после отжига при 500 °С можно максимально снизить дефектность структуры, что благоприятно скажется на качестве изготовляемой кремниевой мембраны.

4. Традиционными методами для определения электрофизических параметров диффузионных слоев, а также, используя вторичную ионную масспектрометрию, были изучены особенности протекания процесса реакционной диффузии бора и гадолиния из силикатных и гибридных пленок, получаемых методом золь-гель технологии. Рассчитаны значения коэффициентов диффузии для бора и впервые - для гадолиния. Установлен факт замедления процесса диффузии бора при его совместном введении с гадолинием.

5. На основании проведенных экспериментов и исследований выявлено, что наилучшими физикохимическими и электрофизическими свойствами (гомогенность структуры, воспроизводимость получаемых диффузионных параметров и др.) обладают боросиликатные гибридные органо-неорганические пленки, сформированные из золей, модифицированных полиолами разветвленного и гиперразветвленного строения ПОУМ и ГРП в количестве ~ 1 мае. %, а также боросиликатные пленки, содержащие в качестве второго легирующего элемента гадолиний в количестве ~ 5 мае. %.

6. Гибридные боросиликатные пленки и содержащие гадолиний в качестве второго легирующего компонента, сформированные по разработанной технологии, внедрены в технологический процесс изготовления тонкостенных кремниевых мембран (толщиной 3,5±0,5 мкм) в цикле изготовления металлооксидных газовых сенсоров в ЗАО «Авангард-Микросенсор» (Технический акт внедрения и Протокол испытаний прилагаются).

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Смирнова, Ирина Витальевна, 2007 год

1. B.A. Васильев, K.A. Воротилов, A.C. Сигов и др. Изолирующие слои многоуровневой разводки интегральных схем с низкой диэлектрической проницаемостью. //Электронная промышленность. 2004. № 4. С. 145-154.

2. Шилова О.А. Наноразмерные пленки, полученные из золей на основе тетраэтоксисилана и их применение в планарной технологии изготовления полупроводниковых газовых сенсоров.// Физ. и хим. стекла. 2005. Т. 31, № 2. С. 270-294.

3. Борило JI. П. Синтез и физико-химические закономерности формирования золь-гель методом тонкопленочных и дисперсных наноматериалов оксидных систем элементов III—V групп, докт. дис. Автореф. докт. дис. Томск: ТГУ, 2003. 220 с.

4. Смирнова И.В., Шилова О.А., Мошников В.А. . Применение наноразмерных гибридных органо-неорганических пленок в качестве источников высокотемпературной диффузии бора в монокристаллический кремний. // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». 2004. вып. 2. С. 3-9.

5. В. А. Свидерский, М. Г. Воронков, С. В. Клименко и др. Термические превращения полиметаллосилоксанов, полученных золь-гель методом. // ЖПХ. 2001. Т. 74. №7. С. 1137-1141.

6. Шилова О.А., Хашковский С.В. Золь-гель метод получения композиционных стекловидных и стекло керамических пленок на основе неорганических полимеров. // Материалы. Технологии. Инструменты. (МТИ, НАН Беларуси). 2001. - Т. 6, №2. - С.64-70.

7. Шилова О.А., Шилов В.В. Нанокомпозиционные оксидные и гибридные органо-неорганические материалы, получаемые золь-гель методом. Синтез. Свойства.

8. Применение. // Наносистемы. Наноматериалы. Нанотехнологии. Сб. науч. трудов под ред. акад. А.П. Шпака. Т. 1, № 1, Киев: Академпериодика, 2003, с. 9-83.

9. S. Sakka. Sol-gel science and technology: processing, characterization and applications. 2005. V. 1. 680 p.

10. Yoldas В. Е., Okeefe Т. W. Antireflective coatings applied from metal-organic derived liquid precursors. // Appl. Opt. 1979; № 18. P. 3133-3138.

11. Sanchez C., Livage J., Henry M., Babonneau F. Chemical modification of alkoxide precursors. // J. Non-Cryst. Solids. 1998; № 100. P. 65-76.

12. Kato K., Suzuki K., Nishizawa K., Miki T. Ferroelectric properties of alkoxy-derived CaBi2Ta209 thin films. // J. Appl. Phys. 2000. № 88. P. 3779-3780.

13. Bianco A., Viticoli M., Gusmano G., Paci M., Padeletti G., Scardi P. Zirconium tin titanate thin films via aqueous polymeric precursor route. // Mater. Sci. Eng. С 2001. № 15. P. 211-213.

14. Kozhukharov V., Machkova M., Brashkova N. Sol-gel route and characterization of supported perovskites for membrane application. // J. Sol-Gel Sci. Technol. 2003. № 26. P. 753757.

15. Ronconi C.M., Pereira E.C. Electrocatalustic propertie of Ti/Ti02 electrodes prepared by the Pechini method. // J. Appl. Electrochem. 2001. № 31. P. 319-323.

16. Pechini M.P. Method of preparing lead and alkaline earth titanates and niobates and coating method using the same to form a capacitor. US Patent 3, 330, 697 (1967).

17. Thomas I. M. Porous fluoride antireflective coatings. // Appl. Opt. 1988. № 27. P. 3356-3358.

18. Wang B.L. Lithography: birefringence in fused silica and CaF2 for lithography. // Solid State Tech. 2000. № 43. P. 77-78.

19. Mizuguchi M., Hosono H., Kawazoe H., Ogawa T. Generation of optical absorption bands in CaF2 single crystals by ArF excimer laser irradiation: effect of yttrium impurity. // J. Vac. Sci. Tech. A. 1998. № 16. P. 3052-3057.

20. Uhlmann D. R., Suratwala Т., Davidson K., Boulton J. M., Teowee G. Sol-gel Derived coatings on glass. // J. Non-Cryst. Solids. 1997. № 218. P. 113-122.

21. M. Langlet, A. Kim, M. Audier, J.M. Herrmann. Sol-gel preparation of photocatalytic Ti02 films on polymer substrates. // J. Sol-Gel Sci. Tech. № 25 (2002). P. 223-226.

22. Shur V.Ya., Negashev S.A., Subbotin A.L., Borisova E.A. Crystallization Kinetics of Amorphous Ferroelectric Films. //Ferroelectrics, 1997. V.196. P.183-186.

23. Vorotilov К.А., Orlova E.V., Petrovsky V.I. Sol-gel Ti02 films on silicon substrates // Thin Solid Films. 1992. V. 207. P. 180-184.

24. Vorotilov K.A., Yanovskaya M.I., Turevskaya E.P., Sigov A.S. Sol-gel derived ferroelectric thin films: avenues for control of microstructural and electric properties // J. Sol-Gel Science and Technology. 1999. V. 16. P. 109-118.

25. Квартальный отчет ЗАО «Авангард» MOTOPOJIJ1A окт. 1994 г. - янв. 1995 г.

26. Бубнов Ю.З., Чепик Л.Ф., Шилова О.А., Вишевник Л. Н. Использование золь-гель технологии в производстве тонкопленочных газовых сенсоров.// Температуроустойчивые функциональные покрытия. Ч. 1. СПб.: ООП НИИХ СПбГУ, 1997, с. 99-104.

27. Жабрев В. А., Мошников В. А., Таиров Ю. М., Федотов А. А., Шилова О. А. Золь-гель технология. Учеб. пособие. СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005. 156 с.

28. Шилова О. А., Чепик Л. Ф., Бубнов Ю. 3. Свойства пленок, получаемых из растворов на основе тетраэтоксисилана, в зависимости от технологических аспектов их формирования // ЖПХ, 1995, Т. 68, вып. 10, с. 1608-1612.

29. С. П. Авдеев, JI. П. Милешко, П. Г. Музыков, Д. И. Чередниченко. Перспективы применения электронно-лучевой обработки для модификации золь-гельных пленок легированного диоксида кремния. // Физ. и хим. обраб. матер. 1998. № 2. с. 77-83.

30. Гребенщиков И.В., Власов А.Г., Непорент Б.С., Суйковская Н.В. Просветление оптики. М.: Госхимиздат, 1946. 211 с.

31. Гребенщиков И.В. Поверхностные свойства стекла. Строение стекла. Под ред. А. Б. Безбородова. М.: Госхимиздат. 1933. С. 101-116.

32. Борисенко А.И., Новиков В.В., Прихидько Н.Е., Митникова И.М., Чепик Л.Ф. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике. Л.: Наука, 1972, 114с.

33. Brinker C.F., Scherer G.W. Sol-Gel Science. The Physics and Chemistry of Sol-Gel Processing. San Diego: Academic Press, Inc., 1990. 908 p.

34. Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Пластичные деформации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: наук, думка, 1983. -304 с.

35. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. 248 с.

36. Козлов И.П., Логвиненко Т.А., Лугаков П.Ф., Ткачев В.Д. Изменение концентрации носителей тока в кремнии при облучении быстрыми электронами. // ФТП. 1974. №8. С. 1431-1435.

37. Вавилов B.C., Кив А. Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с.

38. Атомная диффузия в полупроводниках. / Под ред. Д. Шоу. Пер. с англ. М.: Мир, 1975. 684 с.

39. Арутюнян В. М., Погосян А. С., Абовян Г. В. Датчики на основе технологии микроэлектроники. М.: Знание, 1989, с.31.

40. Арутюнян В. М. Микроэлектронные технологии магистральный путь для создания химических твердотельных сенсоров. // Микроэлектроника. 1991. Т. 20, вып. 4. С. 17-21.

41. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Под ред. Р. Бургера и Р. Донована. Перевод с англ. М.: Мир, 1969, с. 451.

42. Зиновьев К.В., Вихлянцев О.Ф., Грибов Б.Г. Получение окисных пленок из растворов и их использование в электронной технике. М. ЦНИИ Электроника. 1974. 61 с. // МЭП СССР. Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы. Вып. 13 (250).

43. Возняковская (Шилова) О.А., Меньшикова Е.М., Митникова И.М., Пьянова Л.И., Чепик Л.Ф. Исследование влияния структуры борсодержащих пленок на процесс диффузии бора в кремний // Вопросы радиоэлектроники (научно-технический сборник

44. Министерства Радиопромышленности СССР). Сер. «Технология производства и оборудование» (ТПО). 1984, № 3. С. 114-117.

45. А. И. Курносов, В. В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. Учеб. пособие, М.: Высшая школа, 1974. 368 с.

46. Пичугин И.Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1984. 288 с.

47. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники. Учеб. пособие. М.: Сов. радио, 1980. 424 с.

48. Шилова О.А., Смирнова И.В., Василенко Т.И., Бубнов Ю.З., Мошников В.А., Максимов А.И. Формирование наноразмерных гибридных органо-неорганических пленок, содержащих бор и гадолиний для применения в микроэлектронике. // Пленки 2004.

49. Материалы международной научной школы-конференции). М.: МИРЭА, 2004, часть 2,-с.24-29.

50. Смирнова И. В., Шилова О. А. Фазовое разделение и кристаллизация в наноразмерных пленках, полученных золь-гель методом. // Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация. Тезисы докладов. Иваново, Россия. 2006, с. 202.

51. Смирнова И. В. Золь-гель синтез и исследование наноразмерных силикатных и гибридных пленок для микроэлектроники. // VIII Молодежная научная конференция. Тезисы докладов. С.-Пб.: ИХС РАН, 2006, с. 94-97.

52. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы. / Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. - 552 с.

53. Суйковская Н. В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. // Л., Химия, 1971,200 с.

54. Семченко Г.Д. Золь гель процесс в керамической технологии. Харьков, 1997,с. 144.

55. Суйковская Н. В. Применение кремнеорганических соединений для получения тонких прозрачных пленок на стекле. // Химия и практическое применение кремнеорганических соединений, вып. 4. ЦБТИ, Л., 1958, с. 76.

56. В. А. Свидерский, М. Г. Воронков, С. В. Клименко, Д. Н. Быстров. Гидролитическая полисоконденсация этилсиликата с солями меди минеральных и органических кислот в золь-гель процессе. //ЖПХ. 2001. Т. 74. № 12. С. 2027-2030.

57. Борисенко А. И., Николаева Л. В. Тонкослойные стеклоэмалевые и стеклокерамические покрытия. //Л.: Наука, 1980, 88 с.

58. Андрианов К. А. Кремнийорганические полимерные соединения, ч. 1, ГЭИ, М. -Л., 1946, 120 с.

59. Андрианов К. А. Методы элементоорганической химии. Кремний. М.: Наука, 1968.700 с.

60. Андрианов К. А. Полимеры с неорганическими главными цепями молекул. // М.: АН СССР, 1962, 520 с.

61. В. А. Свидерский, М. Г. Воронков, В. С. Клименко, С. В. Клименко. Гидролитическая поликонденсация тетраэтоксисилана с солями и оксидами металлов в золь-гель процессе. // ЖПХ. 1997. Т. 70. № 10. С. 1698-1703.

62. О. A. Shilova, S. V. Hashkovsky and Е. V. Tarasyuk. Organic Inorganic Insulating Coatings Based on Sol-Gel Technology. // Journal of Sol-gel Science and Technology. 2003. № 26. P. 1131-1135.

63. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высш. школа. 1982.

64. Воронков М. Г., Пащенко А. А., Тищенко В. Т. и др. «Изв. АН Латв. ССР», серия «Химия». 1970. №3. С. 611.

65. Измайлов Н.В., Ильин. Ю.Л., Мошников В.А., Томаев В.В., Ярославцев Н.П., Яськов. Д.А. ЖФХ, 1988, №12, с.1370-1373.

66. Андреев Ю.Н., Даринский Б.М., Мошников В.А., Сайко Д.С., Ярославцев Н.П. ФТП, 2000, т.34, вып.6, с.644-646.

67. Патрушева, Т. Н. Растворные пленочные технологии: Учеб. пособие. / Красноярск: ИПЦ КГТУ, 2002. 140 с.

68. Ulrich S. Silica Based and Transition Metal- Based Inorganic-Organic Hybrid Materials-a Comparison. //J. Sol-Gel Sci. andTechnol. 2003. 26, № 1. p. 47-55.

69. Noble K., Seddon A.B., Turner M.L. and all. Porous siloxane silica hybrid materials by sol-gel processing. // J. Sol-Gel Sci. and Technol. 2003. 26, № 1. p. 419-423.

70. Takahashi Y., Matsuoka Y. Dip-coating of ТЮ2 films using a sol derived from the Ti(0-i-Pt)4-diethan0lamine-H20-i-Pr0H system. // J. Mater. Sci. 1988. № 23. P. 2259-2266.

71. Chujo Y., Matsuki H., Kure S., Saugusa Т., Yazawa T. Control of pore size of porous silica by means of pyrolysis of an organic-inorganic polymer hybrid. // J. Chem. Soc., Chem. Commun. 1994. P. 635-636.

72. Борисенко В. E., Самуйлов В. Д. Твердофазные процессы в поликристаллическом кремнии при импульсной термообработке некогерентным светом. // Зарубежная электронная техника, № 1 (308). М.: ЦНИИ «Электроника», 1987, с. 46-69.

73. Петросянц К. О., Мазинг О. В. Моделирование диффузии примесей в кремний. // Зарубежная электронная техника, № 5-6 (360-361). М.: ЦНИИ «Электроника», 1991, с.3-86.

74. Парфёнов О. Д. Технология микросхем: Учебник. М.: Высшая школа, 1986. 320 с.

75. Богдановский Ю. Н., Гасько Л. 3., Коледов Л.А., Пих В. С. Твердые планарные источники для диффузии в технологии полупроводниковых приборов и ИС. // Зарубежная электронная техника. 1982. № 8 (254).с.60-90.

76. Новиков В.В. Теоретические основы микроэлектроники. Учебн. пособие для радиотехнич. спец. вузов. М.: Высшая школа, 1972. 352 с.

77. Александров О. В. Технологические процессы изготовления СБИС. Учеб. пособие. СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005. 56 с.

78. Мазель Е. 3. Мощные транзисторы., М.: Энергия, 1969. 186 с.

79. Агеев В. В., Коковина В. Н., Прихидько Н. Е., Трошина Е. П. Характеристики кремния, легированного редкоземельными элементами. // Известия ЛЭТИ, 1976, вып. 186, с 51-55.

80. A. Manoogian and A. Leclerc, Rhus. Stat. Sol. (b), 92 (1978) K23.

81. Т. Г. Керимова, Ш. С. Мамедов, И. А. Мамедова, Неорг. материалы, 1993. № 29. С. 902-906.

82. Иевлев В. М., Косилов А. Т., Ковнеристый Ю. К., Лебедев А. И. и др. Методы исследования атомной структуры и субструктуры материалов. / Учеб. пособие, 2-е изд. перераб. и доп. Под общ. ред. В. М. Иевлева. Воронеж: Воронеж, гос. техн. ун-т, 2003. 484 с.

83. Terai R. Ionic Diffusion in Glass. // J. Non-Cryst. Solids. 1975. V.18, № 2. P. 217-264.

84. В.А.Сокол, М.М.Пинаева, Е.А.Гурская. Легированные редкоземельными металлами диэлектрические пленки в МДМ-структурах. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28, № 6. с. 463-468.

85. Готра 3. Ю., Осадчук В. В., Кучмий Г. Л. Диффузионное легирование в современной технологии кремниевых ИС. // Зарубежная электронная техника. 1990. № 5 (348). С. 5-63.

86. В. А. Жабрев. Диффузионные процессы в стеклах и стеклообразующих расплавах. С.-Пб.: ИХС РАН, 1998. 188 с.

87. Шорыгин А. П., Толкачев Ю. В. // Измерения, контроль, автоматизация, 1984, №3 (51), с.З.

88. Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 246 с.

89. А. М. Hashimov, S. М. Hasanli. Influence the heat treatment on the mechanical characteristics of silicon plates. // Fizika. 2004.№ 4. P. 71-72.

90. Д. В. Штанский, С. А. Кулинич, E. А. Левашов. Особенности структуры и физико-механических свойств наноструктурных тонких пенок. // ФТТ 2003. Т. 45, вып. 6. С. 1122-1129.

91. Е. Д. Щукин, А. В. Перцов, Е. А. Амелина. Коллоидная химия.-3-е изд., перераб. и доп.- М.: Высшая школа, 2004- 445 е.: ил.

92. Жуков И. И. Коллоидная химия. Л.: ЛГУ им. А.А. Жданова, 1949. 324 с.

93. Н. Б. Урьев. Высококонцентрированные дисперсные системы. М.: Химия, 1980.

94. Н. Б. Урьев, Я. П. Иванов. Структурообразование и реология неорганических дисперсных систем и материалов. Изд-во болгарской АН, София, 1991. 286 с.

95. Берг JI. Г. Введение в термографию. Изд. 2-е доп. М.: Наука, 1969. 396 с.

96. А. А. Аппен. Химия стекла. Д.: «Химия», 1970. 352 с.

97. Карякин Ю. В., Ангелов И. И. Чистые химические вещества. Изд. 4-е, пер. и доп. М.: Химия, 1974. 408 с.

98. Павлов JI. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. Учеб. для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1987, с.239.

99. Зон Б. А. Взаимодействие лазерного излучения с атомами. // СОЖ. 1998. № 1. 84 с.

100. П.А. Арутюнов, А.Л. Толстихина. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть I. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28, № 6. с. 403-404.

101. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. Пер. с англ. М.: Мир, 1985.496 с.

102. Золотухин И. В., Калинин Ю. Е., Железный В. С., Гущин В. С. Экспериментальные методы исследований. Учеб. пособие, Воронеж, ВГТУ, 2004, 493 с.

103. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надёжность. Учеб. пособие. 2-е изд. М.: Высшая школа, 1986. 464 с.

104. Черняев В. Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. Учебник. М.: Высшая школа, 1987. 376 с.

105. Мак-Хью И. А. Вторично-ионная масс-спектрометрия. // Методы анализа поверхности. Пер с англ. М.: Мир, 1979. с. 276-342.

106. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 342 с.

107. Шабанова Н. А., Саркисов П. Д. Основы золь-гель технологии нанодисперсного кремнезёма. М.: ИКЦ «Академкнига», 2004. 208 с.

108. Шредер X. Осаждение окисных слоев из органических растворов. В кн.: Физика тонких пленок, Т. 5. М.: Мир,1972, с.84-139.

109. Syms R.R.A., Holmes A.S. Deposition of silica-titania sol-gel films on Sisubstrates // J.Non-Cryst. Solids. 1994. V.170. P.223-233.

110. И. Т. Гороновский, Ю. П. Назаренко, E. Ф. Некряч. Краткий справочник по химии. Киев: Наукова думка, 1987. 830 с.

111. Р. С. Сайфуллин, А. Р. Сайфуллин. Универсальный лексикон: химия, физика и технология (на рус. и англ. яз.): Справ. М.: Логос, 2001. - 448с.

112. Бажант В., Хваловски В., Ратоуски Л. Силиконы. М.: Госхимиздат, 1960. 710 с.

113. Жуков И. И. Коллоидная химия. Л.: ЛГУ им. А.А. Жданова, 1949. 324 с.

114. Bechtold М. F., Vest R. D., Plambeck L. J. Silicic Acid from Tetraethyl Silicate Hydrolysis Polymerization and Properties. J. Amer. Chem. Soc., v. 90, No. 17, 1968, p. 4590.

115. В. M. Смирнов. Структурирование на наноуровне путь к конструированию новых твердых веществ и материалов. // ЖНХ. 2002. Т. 72. Вып. 4. С. 633-650.

116. Мовчан Т. Г., Урьев Н. Б., Хамова Т. В. и др. Кинетика структурирования золь-гель систем на основе тетраэтоксисилана в присутствии органических добавок.// Физика и химия стекла. 2005. Т. 31, № 2. с. 294-308.

117. Ефремов И. Ф., Лукашенко Г. М., Терентьева Э. А. Дилатантность коллоидных структур.// Коллоид, журн. 1980. Т. 42. № 5. С. 859-865.

118. Полифункциональные элементоорганические покрытия. Под ред. А. А. Пащенко. К.: Вища школа, 1987. 198 с.

119. Возняковская (Шилова) О. А. Разработка растворов на основе тетраэтоксисилана для получения легированных кремнеземных пленок с целью модификации свойств кремния и ниобата лития. Дис. канд. техн. наук. Л. 1984. 309 с.

120. Шилова О. А. Силикатные и гибридные нанокомпозиционные материалы, формируемые методом золь-гель технологии. Дис. докт. хим. наук. СПб. 2005. 342 с.

121. Цветкова И. Н., Шилова О. А., Шилов В. В., Шаулов А. Ю., Гомза Ю. П., Хашковский С. В. Золь-гель синтез и исследование гибридных органо-неорганических боросиликатных нанокомпозитов. // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32. № 2. С. 301-315.

122. О. A. Shilova, S. V. Hashkovsky, Е. V. Tarasuk. Organic-Inorganic Insulating Coatings Based on Sol-Gel Technology. // J. Sol-Gel Sci. and Tech. 2003. V.26. P. 1131-1135.

123. Виноградова H. H., Дмитрук Л. H., Петрова О. Б. Стеклование и кристаллизация стекол на основе боратов редкоземельных элементов. // Физика и химия стекла. 2004. Т. 30. № 1.С. 3-8.

124. Бронштейн И. Н. Справочник по математике для инженеров и учащихся втузов. М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1981. 704 с.

125. Теория роста и методы выращивания кристаллов. Под ред. К. Гудмана (пер. с англ.).-М.: Мир, 1981.220 с.

126. Ликвационные явления в стеклах. Тр. всесоюзн. симпозиума. Л.: Наука, 1969. 170 с.

127. Михайлов О. В. Что такое темплатный синтез. // СОЖ, 1999, № 10, с. 42-50.

128. Южелевский Ю. А. Синтез и свойства кремнийорганических полимеров. // Труды V совещания по химии и практическому применению кремнийорганических соединений. 1984. Л.: Наука, Ленинград, отд. С. 92-97.

129. Wemple S.H., Pinnow D.A., Rich Т.С., Jaeger R.E. and Van Uitert L.G. // J. Appl. Phys., 1973, vol. 44, No. 12, p. 5432.

130. Бартенев Г. M. Строение и механические свойства неорганических стекол. М.: Изд-во литературы по строительству. 1966. 216 с.

131. К. И. Портной, Н. И. Тимофеева. Кислородные соединения редкоземельных элементов. Справ, изд. М.: Металлургия, 1986. 480 с.

132. Шевченко В. Я., Шудегов В. Е. Развитие работ в Российской Федерации в области нанотехнологий. Доктрина. / Наука Москвы и регионов. 2006. № 3. С. 54-65.

133. Шевченко В. Я., Кингери У. Д. Взгляд в будущее. Стекло и керамика XXI. Перспективы развития (концепция). СПб.: Янус, 2001. 303 с.

134. Помогайло А. Д., Розенберг А. С., Уфлянд И. Е. Наночастицы металлов в полимерах. М.: Химия, 2000. 142 с.

135. Колобов Н. А., Самохвалов М. М. Диффузия и окисление полупроводников. М.: Металлургия, 1975, с.456.

136. Зайнабидинов С., Назыров Д. Э. Исследование диффузии лантана в кремнии. // Известия вузов. Электроника. 2007. № 1. С. 87-89.

137. Козлов А. Г. Исследование процесса диффузии редкоземельных элементов в кремний из пленок, полученных из растворов. // Известия ЛЭТИ. 1986. № 322. С. 105-122.

138. Богдановский Ю. Н., Гасько Л. 3., Коледов Л. А., Пих В. С. Твердые планарные источники для диффузии в технологии полупроводниковых приборов и ИС // Зарубежная электронная техника. 1982. № 8 (254),-с.60 90.

139. П. И. Воскресенский. Техника лабораторных работ. М.: Химия, 1973. 717 с.

140. Злотников Э. Г. Краткий справочник по химии. СПб: Питер, 2005. 192 с.

141. Л. Полинг, П. Полинг. Химия. Под ред. М. Л. Карапетьянца. М.: Мир, 1978. 683 с.154

142. Никольский А. Б., Суворов А. В. Химия: Учебник для вузов. СПб: Химиздат. 2001. 512 с.

143. Фишер X. Практикум по общей химии (пер с нем.). Новосибирск: Наука, 2002.326 с.

144. Олейников Н. Н., Муравьева Г. П. Химия. Основные алгоритмы решения задач Под ред. Ю. Д. Третьякова. М.: УНЦДО, ФИЗМАТЛИТ, 2003. 272 с.

145. Филиппов А.Ф. Введение в теорию дифференциальных уравнений. СПб.: КомКнига, 2007. 240 с.

146. Р. Айлер. Химия кремнезема. Пер. с англ. М.: Мир, 1982, Ч. 2. 712 с.

147. Демидович Б.П. Краткий курс высшей математики. М.: ACT. 2005. 324 с.155