Разработка диэлектрических покрытий для повышения функциональных и эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Козырев, Антон Андреевич

• Козырев, Антон Андреевич
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Козырев, Антон Андреевич

Список сокращений и обозначений

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Методы пассивации и защиты поверхности зеркального скола полупроводниковых светоизлучающих приборов на основе соединений 13 АШВУ

1.1.2. Пассивация поверхности полупроводников АШВУ с помощью

1.1. Применение полимерных материалов в качестве пассивирующих и изолирующих покрытий 1.1.1. Сульфидная пассивация поверхности полупроводников АШВУ полиимидов

1.1.3. Отражающие покрытия на основе полимеров

1.2. Защита поверхности полупроводников А1ИВУ с помощью осаждения барьерного слоя

1.3. Просветляющие и отражающие неорганические защитные покрытия

1.4. Предварительная очистка поверхности полупроводника

1.5. Трёхступенчатая технология пассивации

1.6. Выводы к главе

ГЛАВА 2. Материалы и методы исследования

2.1. Материалы

2.2. Исследование рельефа плёнок, методом атомно-силовой микроскопии

2.3. Исследование плёнок методом ИК Фурье спектроскопии.

2.4. Измерение порога катастрофы лазерных диодов

2.5. Измерение напряжения пробоя толстых плёнок

2.6. Вакуумная установка

2.7. Измерение спектров пропускания

2.8. Измерение динамических вольт-амперных характеристик

2.9. Измерение спектров фотолюминесценции

2.10. Измерение ОЖЕ спектров поверхности

2.11. Методика расчета спектральных характеристик матричным методом

2.12. Выводы к главе

ГЛАВА 3. Наноразмерные слои на основе полиамидокислот и полиамидоимидов в качестве защитного и пассивирующего покрытия в 69 полупроводниковых АЮаАБЛЗаАБ гетероструктрах

3.1. Исследование полимерных плёнок ПАК и ПАИ

3.1.1. Исследование плёнок методом ИК Фурье спектроскопии

3.1.2. Исследование рельефа плёнок, полученных адсорбцией из раствора методом атомно-силовой микроскопии

3.1.3. Измерение порога катастрофы лазерных диодов

3.1.4. Измерение спектров пропускания и отражения полимерных покрытий

3.1.5. Влияние коэффициента отражения выходного зеркала на коэффициент потерь плоского резонатора и его добротность

3.1.6. Влияние коэффициента сажеобразования полимерного покрытия на предельную мощность полупроводниковых светоизлучающих 88 приборов

3.2. Исследование изоляционных свойств полимерных плёнок, полученных методом центрифугирования

3.2.1. Измерение вольт-амперных характеристик плёнок ПАИ

3.3. Выводы к главе

ГЛАВА 4. Исследование неорганических материалов для защиты поверхности полупроводниковых приборов на основе АЮаАз/ваАз- 96 гетероструктур

4.1. Исследование оптических и структурных характеристик плёнок нитрида кремния, селенида цинка и оксида алюминия

4.1.1. Исследование плёнок, полученных испарением в вакууме, методом атомно-силовой микроскопии

4.1.2. Измерение спектров пропускания

4.1.3. Измерение порога оптической катастрофы лазерных диодов

4.1.4. Двухслойные защитные покрытия

4.2. Исследование влияния азотной ионной бомбардировки на поверхность полупроводника

4.3. Выводы к главе 4. 109 Заключение 109 Список литературы

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ ЭЛИ - электронно-лучевое испарение АСМ — атомно-силовая микроскопия ИА - ионное ассистирование ИР - ионное распыление ЭЦР - электронно-циклотронный резонанс ХОП - химическое осаждение из паровой фазы ИЯК - испарение из ячейки Кнудсена СВВ - сверхвысокий вакуум СВЖ — среднее время жизни CW - continuous wave

КОДЗ - катастрофическая оптическая деградация зеркал КПД - коэффициент полезного действия ИК - инфракрасный

OLED - органический светоизлучающий диод

ПАИ - полиамидоимид

ПАК - полиамидокислота

ODT - октадецилтиол

MHDA - mercapto-hexadecanoic acid

MUDA - mercapto-undecanoic acid

MUD — mercapto-undecanol

ПИ - полиимид

HEMT — транзистор с высокой подвижностью электронов

PECVD - плазмохимическое осаждение

ДМАА - диметилацетамид

ПОС - припой оловянно-свинцовый

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка диэлектрических покрытий для повышения функциональных и эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs»

Актуальность темы

В настоящее время широко востребованы высокомощные надёжные светоизлучающие приборы для накачки твердотельных [1] и волоконных [2] лазеров. Хорошо известно, что основной причиной, ограничивающей срок службы и предельную мощность полупроводниковых структур на основе АЮаАэ/ОаАз, является разрушение выходного зеркала под воздействием мощного оптического излучения [3]. Существует множество технологий, позволяющих повысить надёжность светоизлучающих приборов и их предельную мощность [4].

После скалывания полупроводниковой структуры на кристаллы, образуется резонатор, имеющий два зеркальных скола с равными значениями коэффициента отражения. На выходной зеркальной грани резонатора обычно формируется покрытие, увеличивающее пропускание, а на противоположной грани формируется многослойное покрытие, обеспечивающие высокое отражение. В таком резонаторе вся излучаемая мощность выходит через скол-с просветляющим покрытием [4]. В последнее время оптическая плотность мощности на выходной грани полупроводниковых структур на основе АЮаАзЛЗаАз достигает 40 МВт/см" [3]. Хорошо известно, что под воздействием столь мощного оптического излучения, больших протекающих токов и тепловых эффектов, вызванных разогревом структуры, полупроводниковые приборы деградируют в ходе работы [5, 6]. Одной из главных причин выхода из строя полупроводниковой структуры, является диффузия кислорода из кислородсодержащего диэлектрика покрывающего зеркальный скол резонатора, которая приводит к окислению поверхности полупроводника и последующей катастрофической оптической деградации зеркал (КОДЗ), что значительно снижает выходную мощность [7]. Для увеличения рабочей мощности и надёжности полупроводниковых приборов необходима предварительная подготовка поверхности зеркальной грани перед нанесением защитного покрытия, называемая пассивацией [8]. При пассивации зеркального скола полупроводникового кристалла происходят следующие процессы, увеличивающие порог КОДЗ: удаление поверхностных состояний, возникающих в результате наличия оборванных связей, появляющихся при скалывании [9, 10]; удаление оксидов, присутствующих на поверхности [11]; занятие вакантных мест, способных к окислению [8, 12]; стабилизация кристаллической структуры на выходном зеркале, уменьшающая рассеивание [11, 13]; создание диффузионного барьера, препятствующего диффузии атмосферного кислорода к поверхности скола [12, 14]; минимизация поглощения во избежание разогрева выходного зеркала во время работы структуры [5, 8, 12]. Термин «пассивация» означает, что снижается химическая активность поверхности полупроводника, а также снижается количество центров рекомбинации. Одним из высокоэффективных способов защиты поверхности от окисления является технология скалывания пластины на кристаллы в сверхвысоком вакууме (СВВ) [15] или в инертной среде [14] с последующей пассивацией, однако, это очень дорогие и сложные в реализации процессы. Большое число исследований проведено в области халькогенидной пассивации [10, 11], однако данных о внедрении этих методов в производство не поступало.

Сегодняшний уровень развития нанотехнологии позволяет рассмотреть перспективу использования наноструктурированных материалов в качестве оптических покрытий вместо используемых в настоящее время диэлектрических неорганических материалов. В последние годы интерес к полимерным материалам постоянно растёт, благодаря их уникальным механическим свойствам, устойчивости к мощному когерентному излучению [16], а также повышенной тепловой и электрической проводимости [17]. Полимерные материалы могут найти применение как в производстве органических светоизлучающих диодов (ОЬЕОб) так и в производстве лазерных диодов с длиной волны, лежащей в видимом диапазоне. Это может не только улучшить параметры этих приборов, но и уменьшить их стоимость и упростить технологию производства. Основным достоинством полимеров является простота изготовления и возможность работы с гибкими подложками. Полимерные покрытия могут быть сформированы с использованием различных методов осаждения из раствора, например метода полиионной сборки [18] и центрифугирования [19]. Устойчивость к воздействию излучения высокой мощности в большинстве практически важных случаев сводится к обеспечению высокой термической устойчивости полимера. К полимерам, обладающими максимальной термостабильностью (до 560°С) и высокой механической прочностью, относится класс полиимидов. Эти свойства позволяют использовать их в качестве герметизирующих и пассивирующих покрытий.

Цель диссертационной работы

Создание защитных покрытий на основе полимеров и неорганических материалов, позволяющих увеличить предельную мощность и надёжность светоизлучающих полупроводниковых приборов на основе АЮаАэ/СаАз-гетероструктур.

Задачи исследования

1. Разработать технологические основы получения полимерного защитного покрытия методом адсорбции из раствора на поверхности полупроводниковой гетероструктуры.

2. Создать эффективную диэлектрическую защиту р-п-перехода с помощью осаждения толстых (~1 мкм) полиамидоимидных плёнок, полученных методом центрифугирования, и определить процент выхода годных приборов.

3. Исследовать оптические и структурные характеристики плёнок нитрида кремния, селенида цинка и оксида алюминия и проанализировать возможность их использования в полупроводниковых приборах с мощным когерентным излучением.

Научная новизна работы

1. Показана возможность использования полимерных материалов для пассивации выходной светоизлучающей грани полупроводниковых кристаллов на основе АЮаАзЛлаАБ-гетероструктур и на примере полупроводниковых лазерных диодов показано, что наноразмерная плёнка полиамидокислоты (ПАК) позволяет увеличить их предельную мощность в 1.5 раза.

2. Показана возможность диэлектрической изоляции р-п-перехода полиамидоимидами, что позволяет увеличить выход годных приборов по короткому замыканию до 90 - 95%.

3. Разработаны технологии получения тонких защитных неорганических плёнок с высокой лучевой прочностью методом электронно-лучевого испарения в вакууме с ионным ассистированием.

Научно-практическая значимость работы

1. Создана технология защиты тонкими полимерными покрытиями на основе полиамидокислот светоизлучающих поверхностей полупроводниковых гетероструктур на основе АЮаАзЛлаАБ.

2. Показано, что полиамидоимидная герметизация может использоваться при создании полупроводниковых устройств с р-п-переходом, таких как полупроводниковые диоды, транзисторы, лазерные диоды.

3. Результаты диссертационной работы использованы в ОАО «HI ill «Инжект»», г. Саратов, что подтверждается актом внедрения № 5 от 26.04.11.

Достоверность полученных результатов

Достоверность полученных результатов обусловлена использованием в экспериментах стандартной сертифицированной измерительной аппаратуры и подтверждается воспроизводимостью экспериментальных данных, полученных с использованием современных физико-химических методов: атомно-силовой микроскопии (АСМ), спектрофотометрии, инфракрасной (ИК) Фурье спектроскопии и др.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту

1. Исследуемые полиамидокислоты, осаждённые методом адсорбции из раствора на поверхность гетер о структуры AlGaAs/GaAs, обеспечивают надёжную герметизацию, предохраняя её от воздействия атмосферного кислорода, что обеспечивает повышение рабочей мощности излучения в 1.5 раза. Выходная оптическая плотность мощности при этом увеличивается до 7 МВт/см2.

2. Полиамидоимидная диэлектрическая плёнка, осаждённая методом центрифугирования, исключает возможность короткого замыкания р-п-перехода в линейках полупроводниковых кристаллов, разделённых канавками и может использоваться для их изоляции наравне с традиционными неорганическими покрытиями, такими как оксид алюминия.

3. Защитные покрытия на основе нитрида кремния и оксида алюминия, полученные методом электронно-лучевого испарения с ионным ассистированием образуют надёжное диэлектрическое герметизирующее покрытие с высокой лучевой прочностью, которое может подвергаться воздействию мощного когерентного излучения. Полученные покрытия SÎ3N4 и А120з осаждённые на выходную грань полупроводникового квантового генератора, повышают значение его предельной мощности в 2.6 и 3.4 раза соответственно.

Апробация работы

Диссертационная работа выполнена на кафедре «химии» Саратовского государственного технического университета. Основные результаты работы были представлены на следующих конференциях:

1. V Всероссийская конференция молодых учёных «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика» - Саратов, 2010 - «Наноразмерные покрытия на основе полиамидокислот и полиамидоимидов для диэлектрической изоляции р-п-перехода полупроводниковых лазеров на основе А1 Ga A s/G aAs- гетеро структур » ;

2. V Международная конференция «Стеклопрогресс-XXI» - Саратов, 2010

- «Наноразмерные пассивирующие покрытия на основе полиамидокислот для граней полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур»;

3. V Международная конференция «Композит-2010» - Саратов, 2010 -«Пассивирующие покрытия на основе полиамидокислот для граней полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур»;

4. X Юбилейная международная научная конференция «Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии» - Ставрополь, 2010 - «Наноразмерные покрытия на основе полиамидокислот и полиамидоимидов для пассивации зеркал полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур»;

5. XXI Международная конференция "Лазеры в науке, технике, медицине»

- Сочи, 2010, - «Перспективные материалы для пассивации выходных зеркал полупроводниковых лазеров на основе»;

6. Семинар в рамках совместного российско-германского проекта по повышению квалификации молодых руководящих кадров из малых и средних предприятий по избранным вопросам немецко-русских технологических и иннновационных трансферов в области оптических технологий, Дрезден, 2010.

7. Шестой саратовский салон изобретений, инноваций и инвестиций, Саратов, 2011.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 10 научных работ, в том числе 3 статьи в реферируемых научных журналах списка ВАК, выдано положительное решение о выдаче патента на полезную модель.

Личный вклад диссертанта

Все основные экспериментальные результаты диссертации, связанные с получением тонких плёнок и исследованием их физических свойств, выполнены лично автором. Постановка задач исследования и обсуждение результатов проведены под руководством д.х.н., профессора Кособудского И.Д., д.х.н., доцента Горина Д.А, д.ф.-м.н. Микаеляна Г.Т. При использовании результатов, полученных в соавторстве, даются соответствующие ссылки на источник.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Объем диссертации составляет 120 страниц, включая 52 рисунка и 13 таблиц. В списке использованных источников содержится 104 наименования.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Козырев, Антон Андреевич

4.3. Выводы к главе 4.

1. Плёнки оксида алюминия и нитрида кремния повышают предельную мощность полупроводниковых лазеров в 3.4 и 2.6 раза соответственно.

2. Плёнки селенида цинка оказывают незначительный защитный эффект из-за высокой шероховатости получаемой плёнки и её низкой оптической однородности.

3. Плёнки оксида алюминия, напылённые с помощью ионного ассистирования обеспечивают в два раза большую предельную мощность, чем аналогичные плёнки, напылённые без ассистирования. Ионное ассистирование с энергиями 30 — 150 эВ позволяет получать плёнки с низкой шероховатостью (0.6 нм), отсутствием поглощения и высокой оптической однородностью.

4. Бомбардировка поверхности ионами азота с энергией ионов выше 50 эВ частично удаляет естественный окисел, однако при этом снижается интенсивность фотолюминесценции.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе выполнения работы были получены следующие основные результаты:

1. Выполнен анализ перспективных направлений в области защиты поверхности полупроводниковых гетероструктур на основе AlGaAs/GaAs, таких как сульфидная пассивация, защита поверхности полиимидом, осаждение барьерного слоя, трёхступенчатая технология пассивации.

2. Показано, что полимерное защитное покрытие на основе ПАК №2 может использоваться для герметизации поверхности полупроводниковых гетероструктур на основе AlGaAs/GaAs. На примере лазерных диодов было продемонстрировано, что наноразмерная защитная плёнка толщиной 10 нм повышает предельную мощность в 1.5 раза. При этом исследуемый полимер имеет низкий коэффициент еажеобразования (0.3), высокую оптическую однородность и прозрачность в ближней инфракрасной области спектра.

3. Показано, что толстое (~ 1 мкм) полимерное покрытие на основе ПАИ №3, полученное методом центрифугирования, не шунтирует р-п-переход и может быть использовано для его герметизации в полупроводниковых приборах, таких как диоды, транзисторы и др.

4. Показано, что покрытия на основе AI2O3 и Si3N4, полученные методом электронно-лучевого испарения с ионным ассистированием имеют высокую лучевую прочность и могут использоваться для герметизации поверхности полупроводниковых гетероструктур на основе AlGaAs/GaAs. При этом на примере полупроводниковых лазерных диодов было показано, что защитное покрытие из AI2O3 толщиной 150 - 200 нм повышает предельную мощность приборов в 3.4 раза.

5. Продемонстрировано преимущество ионного ассистирования над традиционным электронно-лучевым испарением. Так, плёнка А12Оз, напылённая с помощью ионного ассистирования, обеспечивает в 2 раза большую предельную мощность, чем аналогичные покрытия, полученные методом электронно-лучевого испарения. Ионное ассистирование с энергиями 30 - 150 эВ позволяет получать плёнки с низкой шероховатостью (0.6 нм), отсутствием поглощения и высокой оптической однородностью.

6. Разработаны технологии получения защитных герметизирующих покрытий на основе полиамидоимидов и полиамидокислот а также на основе неорганических соединений, таких как А1203, позволяющих увеличить функциональные и эксплуатационные характеристики приборов на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур.

11. Bessolov V. N., Lebedev M. V., Shernyakov Y. M., et al. Sulfur passivation on InGaAs/AlGaAs SQW laser (977 nm) facets in alcohol-based solutions // Mater. Sci. Eng. B. 1997. v. 44. № 1-3. p. 380-382-,

12. Deng Z.W., Kwolc R.W.M., Lau W.M. et al. Band gap state formation in InP .110. induced by 10 and 100 eV argon ion bombardment // Journal of appl. phys. 1999. v. 86. № 7. p. 3676 - 3681.

13. Елисеев П.Г., Микаелян Г.Т. Оптическая прочность зеркальных граней в полупроводниковом лазере на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs в импульсном режиме // Квант, электрон. 1995. вып. 22. №9. с. 895 - 896.

14. Tang W.C, Altendorf Е.Н., Rosen H.J. et al Lifetime extension of uncoated AlGaAs single quantum well lasers by high power burn-in in inert atmospheres // Electron. Lett. 1994. v. 30 №. 2. p. 143- 145.

15. Broom R. F., Gasser M., Harder C. S., et al., Method for batch cleaving semiconductor wafers and coating cleaved facets // US Patent № 5.171.717. 1992.

16. Маненков А.А., Прохоров A.M. Лазерное разрушение прозрачных твердых тел//УФН 1986, т. 148, вып. I.e. 179—211.

17. Безродный В.И., Деревянко Н.А., Ищенко А.А., и др. Лазер на красителях на основе полиуретановой матрицы // ЖТФ, 2001, т. 71, № 7, 72-78.

18. Gorin D. A.,. Portnov S. A, Yashchenok А. М., et al. An Automated Setup for Production of Nanodimensional Coatings by the Polyelectrolyte Self-Assembly Method, // Instruments and experimental techniques, 2006, v. 49. № 6. p. 849-854.

19. Komikado Т., Inoue A., Masuda K., et al. Multi-layered mirrors fabricated by spin-coating organic polymers // Thin S. F. 2007. v. 515. p. 3887-3892.

20. Сухов С.В., Нанокомпозитный материал с единичным показателем преломления // Квантовая электроника, 2005, т. 35, №8 , 741-745.

21. Безродный В.И., Вовк Л.В., Деревянко Н.А., и др. Новый наносекундный полимерный пассивный затвор для неодимовых лазеров // Квантовая электроника, 1995, т. 22, № 3, 245-248.

32. Nakagawa O. S., Ashok S., Sheen C. W. et al. GaAs Interfaces with Octadecyl Thiol Self-Assembled Monolayer - Structural and Electrical-Properties // Japan. J. Appl. Phys., 1991 Vol. 30, No. 12B, 3759-3762.

33. Sheen W.C., Shi J.X., Maartensson J. et al., A new class of organized self-assembled monolayers: alkane thiols on gallium arsenide(lOO) // J. Am. Chem. Soc., 1992 Vol. 114, 1514-1515.

34. Sidorov V., Shai A., Ritter D., Polyimide Coating on Non-Planar Microelectronic Devices: Characterization of Vacuum Drying Effects by a New "Flip-Paste" Back-Etching Method // Surface and Coating Technology, 1999, Vol. 122, 214-218.

35. Adlkofer K. and Tanaka M., Stable Surface Coating of Gallium Arsenide with Octadecylthiol Monolayers // Langmuir 2001, Vol. 17, 4267-4273.

36. Lau W.S., Gunawana S., Joy B.H et al. The application of polyimide/silicon nitride dual passivation to AlxGalxN/GaN high electron mobility transistors // Microelectronics Reliability, 2008, Vol. 48, 187-192.

37. Yang G. H., Zhang Y., Kang E. T., et al. Surface Passivation of (100)-Oriented GaAs via Plasma Deposition of an Ultrathin S-Containing Polymer Film and Its Effect on Photoluminescence // J. Phys. Chem. B, 2003, Vol. 107, No. 33, 8592-8598.

38. Saito Y, Tosaka Y, Nakajima S. Silicon nitride final passivation for GaAs metal semiconductor field effect transistors (MESFETs) packaged in plastic mold // Jpn J Appl Phys Part 2, 2003, Vol. 42, No. 1 IB, 1391-1393.

39. Hampson M. D., Shen S.C., Schwindt R.S., et al. Polyimide passivated AlGaN-GaN HFETs with 7.65 W/mm at 18 GHz // IEEE Electron Dev Lett 2004, Vol. 25, No. 5,238-240.

40. Alford T.L., Zou Y.L., Gadre K.S., et al. Integration and electrical characterization of photosensitive polyimide // J Vac Sei Technol B, 2001, Vol. 19, No. 3, 774-779.

41. Yu R., Tai Т., Hsieh A., et al. Considerations for Using Low Dielectric Constant Material as Re-passivation Layer on 300mm Wafer Bump Process and Manufacturing Benefits of Flip Chip Package, 2004 IEEE/SEMI Int'l Electronics Manufacturing Technology Symposium.

42. Lee K., Lu G., Facchetti A., et al. Comparative passivation effects of self-assembled mono- and multilayers on GaAs junction field effect transistors // Applied Physics Letters, 2008, Vol. 92, No. 123509.

43. Hoffman D., Nguyen В., Wei Y., et al. Near bulk-limited R0A of long-wavelength infrared type-II InAs/GaSb superlattice photodiodes with polyimide surface passivation // Applied physics letters, 2007, Vol. 90, No. 233513.

44. Druffel Т., Mandzy N., Sunkara M., et al. Polymer Nanocomposite Thin Film Mirror for the Infrared Region // Small 2008, Vol. 4, No. 4, 459-461.

45. Convertino A., Valentini A., Cingolani R. Organic multilayers as distributed Bragg reflectors // Appl. Phys. Lett., 1999, Vol. 75, 322-324.

46. Komikado Т., Inoue A., Masuda K., et al. Multi-layered mirrors fabricated by spin-coating organic polymers // Thin Solid Films, 2007, Vol 515, 3887-3892.

47. Горин Д.А., Ященок A.M., Кокшаров Ю.А. и др., Морфология поверхности, оптические и магнитные свойства мультислойных наноразмерных пленок полиэлектролит/наночастицы магнетита // ЖТФ, 2009, т. 79, № 11, 113119.

48. Grigoriev D., Gorin D., Sukhorukov G. В. et al., Polyelectrolyte/magnetite Nanoparticle Multilayers: Preparation and Structure Characterization // Langmuir, 2007, Vol. 23, 12388-12396.

49. Wang Т. C., Cohen R. E., Rubner M. F. Metallodielectric Photonic Structures Based on Polyelectrolyte Multilayers // Adv. Mater. 2002, Vol. 14, No. 21, 1534-1537.

50. Ifor D. W., Samuel and Graham A. Turnbull. Polymer lasers recent advances // Materials Today, 2004, Vol. 7, No. 9, 28-35.

62. Shu X., Xu С., Tian Z., et al. ZnSe by electron-beam evaporation used for facet passivation of high power laser diodes // Solid-State Electronics. 2005. V. 49. P. 2016-2017.

63. Syrbu A.V., Yakovlev V.P., Suruceanu G.I., et al. ZnSe-facet-passivated InGaAs/InGaAsP/InGaP diode lasers of high cw power and "wallplug" efficiency // Electron. Lett. 1996. V. 32 P. 352-354.

64. Ressel P., Erbert G., Zeimer U., et al. Novel Passivation Process for the Mirror Facets of Al-Free Active-Region High-Power Semiconductor Diode Lasers // IEEE Photonic Technol. Lett. 2005. V.7 №5. P. 962-964.

65. Chand N., Hobson W.S., de Jong J.F., et al. ZnSe for mirror passivation of high power GaAs based lasers //Electron. Lett. 1996. V. 32. № 17. P. 1595-1596.

66. Kheraj V.A., Panchal C.J., Patel P.K., et al. Optimization of facet coating for highly strained InGaAs quantum well lasers operating at 1200nm // Optics & Laser Technology. 2007. V. 39. P. 1395-1399.

67. Nash F.R., Hartman R.L., Denkin N.M., et al. GaAs laser reliability and protective facet coatings // J. Appl. Phys. 1979. V.50. № 5. P. 3122-3132.

68. Ladany I., Ettenberg M., Lockwood H. F.,et al. A1203 half-wave films for long-life cw lasers // App. Phys. Lett. 1977. V. 30 №2. P. 87-88.

69. Fukushima Т., Furuya A., Kito Y., et al. Facet degradation of AlGalnP Visible Semiconductor Lasers with Facer Passivation // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. № 7B. P. 1007-1009.

70. Бабаянц Г.И., Гаранин С.Г., Жупанов В.Г., и др. Разработка и исследование диэлектрических покрытий с высокой лучевой прочностью // Квант, электроника. 2005. т. 35 № 7. с. 663-666.

71. Fournet С., Pinot В., Geenen В., et al. High damage threshold mirrors and polarizers in the Zr02/Si02 and Hf02/Si02 dielectric systems // Proc. SPIE. 1992. V. 1624. №282. P. 282-293.

72. Mero M., Liu J., Rudolph W., et al. Scaling laws of femtosecond laser pulse induced breakdown in oxide films // Phys. Rev. B. 2005. v. 71, № 115109.

73. Zhang J., Chen X., Wang Z. High-damage-threshold broadband chirped mirror//Chin. Opt. Lett. 2010. V. 8s. P. 156-158.

74. Lambert R. W., Ayling Т., Hendry A. F., et al. Facet-Passivation Processes for the Improvement of Al-Containing Semiconductor Laser Diodes // J. of lightwave technol. 2006. v. 24, № 2. p. 956-961.

75. Hashimoto J., Ikoma N., Murata M., et al. Surface Treatment by Ar Plasma Irradiation in Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V.39. № 5A. P.2761-2766.

76. Петрунов A.H., Подоскин A.A., Шашкин И.С., и др. Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора // ФТП, 2010, Т. 44. № 6. С. 817-821.

77. Horie Н., Ohta Н., Fujimori Т. Reliability Improvement of 980-nm Laser Diodes with a New Facet Passivation Process // IEEE J SeJ. Top. Quantum Electron. 1999. V. 5. № 3. P. 832-838

78. Passlack M., Bethea C.G., Hobson W.S., et al. Infrared microscopy studies on high-power InGaAs-GaAs-InGaP lasers with Ga203 facet coatings // IEEE J Sel. Top. Quantum Electron. 1995. V. 1. № 2. P. 110-116.

79. Shu X., Xu C., Tian Z., et al. Ion Cleaning of Facets for Improving the Reliability of High Power 980 nm Semiconductor Lasers // Chin. Phys. Lett. 2006. V. 23. №1. P. 124-125.

80. Ichikawa H., Ito M., Hamada K., et al. Electrostatic-Discharge-Induced Degradation Caused by Argon Ion Bombardment in Facet-Coating Process of GalnAsP/InP Laser Diode // Jap. J. of Appl. Phys. 2008. v. 47. № 10. p. 7886-7889.

81. Losurdo M., Capezzuto P., Bruno G., et al. N2-H2 remote plasma nitridation for GaAs surface passivation//Appl. Phys. Lett. 2002. v. 81.№ l.p. 16-18.

82. Chaplart J., Fay В., et al. Reactive ion etching of GaAs using CC12F2 and the effect of Ar addition//J. ofVac. Sci. & Tech. B.1983.v. l.№4. p. 1050-1052.

83. Kawabe M., Kanzaki N., Masuda K., et al. Effects of ion etching on the properties of GaAs// Appl. Opt. 1978. v. 17. № 16. p. 2556-2561.

93. Seo К. В., Jeong J. К., Choi S. J., et al. Synthesis and characterization of novel aromatic-aliphaticpoly(amide-imide-imide)s (PAII) // Die Angewandte Makromolekulare Chemie 1999. v. 264. p. 30-38.

94. А. Кросс. Введение в практическую инфракрасную спектроскопию. Москва. 1961. 114 с.

95. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики. Москва. 1973. 720 с.

96. В.П. Грибковский, Полупроводниковые лазеры. Минск. 1988. 304 с.

97. Guenther К. Н., Pulker Н. К. Electron microscopic investigations of cross sections of optical thin films // Applied Optics. 1976. Vol. 15. P. 2992-2997.

98. Martin P. J., Netterfield R. P., Sainty W. G. Modification of the optical and structural properties of dielectric Zr02 films by ion-assisted deposition // J. Appl. Phys. 1984. v. 55. p. 235-242.

99. D.E. Morton, Preparation and Properties of Optical Thin Film-Materials // A short course prepared for the Society of Vac. Coaters Education Program. 2001.

100. D.E. Morton Characterizing Optical Thin Films (I) // Vacuum Technology & Coating, 2001, p. 24 - 31.

101. D.E. Morton Characterizing Optical Thin Films (II) // Vacuum Technology & Coating, 2001, p. 42 - 48.

102. Conde J.P., Chu V., et al «Properties of amorphous silicon/amorphous silicon-germanium multilayers» //J. Appl. Phys. 1994. v. 75, № 3. p.1638 - 1955.

103. Машин A.M., Ершов A.B., Хохлов Д.А. Влияние условий получения и отжига на оптические свойства аморфного кремния // ФТП. 1998. т. 32. №11. с. 1390-1392.

104. Singh S. P., Srivastava P., Prakash G. V., et al. Optical and structural characterization of rapid thermal annealed nonstoichiometric silicon nitride film // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. v. 20. p. 1-5.

Открытое Акционерное Общество «1 Іаучно-Производственное Предприятие «Инжект»» утвнрждаю»

Г'сие радь п ьчіЯ директор л0АСтШ1ї:іч<Инжект>> чі X/ Кл

А К Т № 5

Об использовании результатов кандидатской дисссріациопнои рабогы Козырева Ан іона Андреевича.

Комиссия в составе: председатель -- заместитель главного технолога Шестак Л.И., члены комиссии: ведущий инженер Глиссев В.А., технолог Гордеева М.В. составили настоящий акт о том. что результаты диссертационной работы "'Разработка диэлектрических покрытий для повышения функциональных и эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов на основе гетеростріктур АІСаАз/СаАз" использованы в технологическом цикле изготовления линеек лазерных диодов для изделий СЛД и «СЛМ -3-211» в следующем виде:

1. Методики осаждения защитных полимерных покрытий на основе полиамидокислот для зашиты выходной грани кристаллов супсрлюминесцентых диодов с мощностью более 10 мВт.

2. Технологии осаждения защитных неорганических покрытий на основе нитрида кремния и оксида алюминия для защиты выходной грани высокомощных лазерных линеек, работающих в непрерывном режиме, с линейной плотностью мощности более 10 Вт/см.

Использование указанных результатов позволяет: повысить предельную мощность полупроводниковых лазеров; сократить затраты на изготовление защитного покрытия: увеличить срок службы полупроводниковых лазеров.

Председатель комиссии

Члены комиссии:

Гордеева М.В. Клисеев В.А.