Разработка автоматизированных систем алмазно-абразивной резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.06, кандидат наук Алексахин Артем Владиславович

• Алексахин Артем Владиславович
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Алексахин Артем Владиславович

Введение

Глава 1. Литературный обзор. Постановка задачи

1.1.Анализ возможности создания автоматизированных систем оптимизации технологического процесса резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины

1.2.Методы алмазно-абразивной резки твердых хрупких материалов

на пластины

1.3. Методы изготовления режущих кромок инструмента со

связанным абразивом, используемого для резки ТХМ

1.4.Механизмы разрушения ТХМ при грубой абразивной

обработке

1.5.Строение нарушенного слоя после грубой абразивной обработки ТХМ

и методы его исследования

1.6.Вывод ы

Глава 2. Математическое моделирование технологического процесса формирования композиционного гальванического покрытия

2.1.Обоснование выбора существенных параметров процесса

формирования композитных гальванических покрытий, влияющих

на их физико-механические свойства

2.2.Разработка модели процесса электрохимического соосаждения

никеля и взвешенных в электролите детонационных наноалмазов

2.3.Исследование структуры композиционных связок «никель -детонационные наноалмазы»

2.4.Вывод ы

Глава 3. Исследование влияния технологических факторов процесса абразивной резки на качество отрезаемых пластин

3.1. Исследование зависимости эксплуатационных характеристик инструмента с композиционными связками

от концентрации наноалмазов в электролите

3.2. Исследование влияния способа резки и типа абразива на глубину нарушенного слоя при разделении монокристаллов

кремния на пластины

3.3. Исследование зависимости глубины нарушенных слоев при

резке от условий работы единичного абразивного зерна

3.4.Вывод ы

Глава 4. Разработка автоматизированной системы выбора оптимального технологического процесса разделения слитков на пластины

4.1. Разработка алгоритма выбора оптимального технологического процесса разделения слитков на пластины

4.2. Формирование баз данных для автоматизированной системы выбора оптимального технологического процесса разделения

слитков на пластины

4.3. Разработка программного обеспечения по реализации алгоритма выбора оптимального технологического процесса

разделения слитков на пластины

4.4. Выводы

Глава 5. Разработка автоматизированной системы выбора оптимальных параметров технологического процесса изготовления режущей кромки

кругов АКВР с гальванической связкой

5.1. Выбор критериев оптимальности параметров процесса изготовления режущей кромки кругов АКВР с гальванической связкой

5.2. Разработка алгоритма выбора оптимальных параметров технологического процесса разделения слитков на пластины

5.3. Разработка программного обеспечения по реализации алгоритма выбора оптимальных параметров процесса изготовления режущей кромки кругов АКВР с гальванической связкой

5.4.Вывод ы

Заключение

Список сокращений и условных обозначений

Список литературы

Приложение А. Листинг программного обеспечения по реализации

алгоритма выбора оптимального технологического процесса алмазно - абразивной резки ТХМ

Приложение Б. Разработка мероприятий по инструментальному

обеспечению оптимальных техпроцессов разделения

слитков на пластины

Приложение В. Акты внедрения

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка автоматизированных систем алмазно-абразивной резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов»

Введение

Быстрое развитие твердотельной электроники, появление новых видов и классов приборов, существенное снижение размеров их активных областей, увеличение габаритов выращиваемых слитков и резкий рост объемов производства привели к значительному повышению требований к технологическим процессам, инструменту и оборудованию, применяемым при изготовлении полупроводниковых и диэлектрических подложек. Операция разделения слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины является ключевой заготовительной операцией, в процессе реализации которой образуются погрешности геометрической формы пластин, генерируются структурные дефекты в их приповерхностных областях. Уровень несовершенства формы и структуры отрезанных пластин определяет объем последующих механических и химических операций, т.е. влияет на величину потерь обрабатываемого материала в виде припусков на эти операции и уровень затрат на их проведение.

Актуальность исследований обусловлена тем, что появление новых полупроводниковых и диэлектрических материалов, существенно различающихся по своим физико-механическим характеристикам, непрерывное увеличение диаметра подложек, повышение плотности формирования компонентов на них предъявляют все более жесткие требования к геометрическим параметрам подложек (bow, warp, TIR, TTV)1, а это, в свою очередь, требует постоянного повышения уровня развития техники и технологической оснащенности операций обработки заготовок из полупроводниковых и диэлектрических материалов в электронной промышленности.

Номенклатура алмазно-абразивного инструмента и технологического

оборудования, предназначенных для обработки твердых хрупких материалов (ТХМ), таких известных компаний как «Meyer Burger Technology AG» (Швейцария), «Norton», «Diamond Wire Technology, LLC» (США), «Saint-Gobain Diamantwerkzeuge GmbH & Co. KG» (Германия), «Yamanashi Asahi Diamond Industrial Co. LTD» (Япония) и др. насчитывает сотни позиций и постоянно расширяется. Появление новых полупроводниковых и диэлектрических материалов, используемых для изготовления подложек в твердотельной микроэлектронике, вызывает существенный рост объема

1 Геометрические характеристики подложек, регламентируемые SEMI-стандартами

5

исследований и конструкторских разработок, направленных на совершенствование технологических процессов их механической обработки. В связи с этим выбор технологического процесса резки, типа алмазно-абразивного инструмента и модели оборудования для обработки конкретного материала представляет собой весьма непростую задачу, зачастую решаемую на интуитивном уровне. Поэтому весьма актуальной становится задача оперативного выбора оптимального технологического процесса резки слитков конкретного материала на пластины с использованием наиболее подходящего инструмента. Решение этой задачи целесообразно осуществлять путем разработки автоматизированных систем с использованием современных аппаратных средств вычислительной техники и программного обеспечения. Непременным условием повышения эффективности изготовления подложек из ТХМ является также дальнейшее развитие инструментального обеспечения производств полупроводниковых и диэлектрических подложек на базе углубленного исследования физики процессов разрушения, сопровождающих абразивную обработку ТХМ.

Степень разработанности темы весьма низкая. Нам неизвестны работы, направленные на разработку автоматизированных систем оптимизации процессов алмазно-абразивной резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины.

Целью настоящей работы является разработка автоматизированных систем (АС), позволяющих оптимизировать процессы алмазно-абразивного разделения слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины за счет выбора наиболее эффективной технологической схемы обработки и использования отрезного инструмента с оптимальными эксплуатационными характеристиками.

Для достижения поставленной цель необходимо было решить следующие задачи: -проанализировать возможность создания АС, позволяющих оптимизировать технологический процесс резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины;

-обосновать критерии оптимизации технологического процесса резки слитков на пластины;

-разработать методики и алгоритмы для выбора оптимального технологического процесса резки заготовок ТХМ на пластины;

-создать базы данных и разработать программу выбора технологического процесса резки для ЭВМ;

-обосновать критерии выбора режимов формирования режущих кромок кругов АКВР с композиционной гальванической связкой;

-создать базы данных и программное обеспечение АС выбора оптимальных режимов технологического процесса изготовления режущей кромки кругов АКВР с композиционной гальванической связкой;

-разработать математическую модель технологического процесса электроосаждения композиционного покрытия «никель - детонационные наноалмазы» и исследовать микроструктуру композиционного покрытия в зависимости от концентрации наноалмазов в электролите и режимов электросаждения;

-исследовать зависимости глубины нарушенного слоя на отрезаемых пластинах от способа резки, гранулометрических и механических характеристик абразива и использовать полученные результаты при разработке алгоритма выбора оптимального технологического процесса резки заготовок ТХМ;

-разработать конструкции и техпроцессы изготовления алмазно-абразивного инструмента с композиционными связками, предназначенного для практической реализации оптимальных техпроцессов резки, выбранных с помощью АС.

Обоснованность и достоверность полученных научных результатов подтверждается использованием современных методов исследования, сопоставлением полученных результатов с научными данными, известными из отечественной и зарубежной литературы, положительными результатами практического использования результатов работы, патентами на изобретения и полезные модели, свидетельствами на программы для ЭВМ.

Научная новизна диссертационной работы представляет собой совокупность научно обоснованных технических решений, результатов теоретических и экспериментальных исследований, направленных на создание АС оптимизации технологического процесса резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины.

В процессе исследований и разработок получены следующие новые результаты:

-предложены методика и алгоритм выбора технологического процесса резки слитков на пластины, позволяющие снизить долю этой операции в себестоимости изготовления подложек для твердотельной электроники;

-разработаны методика и алгоритм выбора параметров технологического процесса изготовления режущей кромки кругов АКВР с композиционными гальваническими связками, позволяющие производить инструмент с заданными эксплуатационными характеристиками;

-разработана математическая модель процесса электролитического осаждения никелевых покрытий, модифицированных детонационными наноалмазами, которая позволяет обеспечивать требуемые физико-механические параметры режущих кромок при изготовлении алмазно-абразивного инструмента;

-установлены зависимости протяженности структурно-дефектных слоев отрезаемых пластин полупроводниковых и диэлектрических материалов от гранулометрических и механических характеристик абразива, а также метода резки.

Новизна предложенных технических решений подтверждена патентами РФ №№ 83210, № 115716, №116807, № 116930, № 2545956.

Практическая значимость работы заключается в том, что основные положения, выводы и рекомендации диссертации ориентированы на широкое применение разработанных моделей, алгоритмов, конструкций и технологий для реализации АС оптимизации технологического процесса резки заготовок ТХМ. Самостоятельное практическое значение имеют:

-методика и алгоритм выбора оптимального технологического процесса абразивной резки заготовок ТХМ; программная реализация разработанного алгоритма в рамках АС выбора оптимального технологического процесса резки заготовок ТХМ;

-методика и алгоритм выбора оптимальных параметров технологического процесса изготовления режущей кромки кругов АКВР с гальванической связкой; программная реализация разработанного алгоритма в рамках АС выбора оптимальных параметров технологического процесса изготовления режущей кромки кругов АКВР с гальванической связкой;

-модель формирования композиционных гальванических осадков «никель -детонационные наноалмазы», позволяющая создавать покрытия с заданными физико-механическими свойствами, и используемая в АС выбора оптимальных параметров

технологического процесса изготовления режущей кромки кругов АКВР с гальванической связкой;

-разработанные конструкции и техпроцессы изготовления алмазно-абразивного инструмента, предназначенного для практической реализации техпроцессов резки, выбранных с помощью АС.

Научные положения, выносимые на защиту:

-использование разработанной АС для выбора оптимального метода разделения слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины;

-разработанная АС, обеспечивающая формирование композиционных гальванических связок режущих кромок алмазно-абразивного инструмента с необходимыми эксплуатационными свойствами

-результаты математического моделирования процесса электроосаждения композиционного покрытия «никель - детонационные наноалмазы», позволяющая воспроизводимо формировать связки инструмента с заданными характеристиками;

-полученные зависимости глубины нарушенного слоя на отрезаемых пластинах от метода резки, а также гранулометрических и механических характеристик абразива;

-результаты исследования влияния концентрации наноалмазов и режимов электросаждения на микроструктуру гальванического композиционного покрытия;

-конструкции и техпроцессы изготовления алмазно-абразивного инструмента с композиционными связками, предназначенного для практической реализации оптимальных техпроцессов резки, выбранных с помощью АС;

Внедрение результатов работы

Полученные результаты теоретических и экспериментальных исследований использованы:

- в производственной деятельности ООО «НПЦ «Контур», применяющего автоматизированную систему выбора оптимальных параметров технологического процесса изготовления режущей кромки кругов АКВР с гальванической связкой при разработке конструкции и техпроцессов изготовления алмазно-абразивного инструмента, а также поставляющего программное обеспечение автоматизированной системы выбора оптимального технологического процесса резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины потребителям

алмазно-абразивного инструмента с рекомендациями по наиболее эффективной его эксплуатации, что подтверждено актом внедрения;

- в производственной деятельности ООО «Механика» при разработке конструкции и техпроцессов изготовления алмазно-абразивного инструмента с композиционной гальванической связкой, а также поставляющего программное обеспечение автоматизированной системы выбора оптимального технологического процесса резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины потребителям алмазно-абразивного инструмента с рекомендациями по наиболее эффективной его эксплуатации, что подтверждено актом внедрения;

-в производственной деятельности ООО «Объединенные Беспроводные Технологии» при выполнении НИОКР "Разработка модели процесса электрохимического соосаждения никеля, рабочих алмазов и взвешенных в электролите детонационных наноалмазов" по контракту № 9244р/14948 от 06.05.2011г. с Федеральным государственным бюджетным учреждением "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере", что подтверждено актом внедрения.

Апробация результатов работы.

Основные положения диссертационного исследования были представлены на научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ (Москва - 2008г.), международной научно-практической конференции «Инновационные информационные технологии» (Прага - 2013 г.), международной научно-практической конференции «Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий» (Сочи - 2013г.), неоднократно обсуждались на семинарах, проводимых научно-техническим советом ООО «Механика», с привлечение компетентных специалистов из сторонних организаций.

Личный вклад автора заключается в выработке основной идеологии работы, разработке автоматизированных систем, получении большинства экспериментальных данных, анализа и их расчетов, участия в обсуждении результатов и написании статей.

Глава 1. Литературный обзор. Постановка задачи.

1.1. Анализ возможности создания автоматизированных систем оптимизации технологического процесса резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины

Модели и методы принятия оптимальных решений по мере усложнения задач прошли пять основных этапов развития: переборные методы; аналитические методы; математическое программирование; многокритериальная оптимизация; образная (эталонная) оптимизация. На этапе постановки проблемы ведущую роль играют методы сбора, хранения, обработки и анализа информации, методы фиксации важнейших событий, их описания и оценки, факторного анализа, аналогии, моделирования. На этапе решения проблемы информация направляется уже по конструктивному руслу, ориентированному на поиск оптимальных вариантов решений. Важная роль в этих процессах отводится активному применению современных информационных технологий, выступающих в качестве компьютеризованных способов анализа процессов принятия решений. Из методов, позволяющих формализовать конкретные содержательные знания об объектах оптимизации и протекающих в них процессах и ввести эти модели в ЭВМ, в настоящее время наиболее интенсивно развиваются экспертные системы. Их назначение - аккумулировать профессиональные знания и использовать их для экспертных оценок и рекомендаций в различных ситуациях, в которых необходимо принятие компетентных решений.

Отличительная черта экспертных систем заключается в том, что, опираясь на фактические данные, введенные в память компьютера (причем база данных может пополняться), и, используя базу знаний или правил оперирования данными, экспертные системы способны не только оценить ситуацию и предложить варианты диагнозов или решений, но и дать по требованию пользователя (лица, принимающего решение) объяснение и обоснование предлагаемых вариантов решений.

При выборе решения применяются иные методы. Здесь решающую роль приобретает определение критериев выбора. Чаще всего в качестве критерия выбора используется целевая функция, которую обычно надо максимизировать или, напротив, минимизировать. Такой выбор называют оптимизационным. Основная тенденция

развития таких систем идет в направлении создания автоматических систем, которые способны выполнять заданные функции или процедуры без участия человека. Роль человека заключается в подготовке исходных данных, выборе алгоритма (метода решения) и анализе полученных результатов. Однако присутствие в решаемых задачах эвристических или сложно программируемых процедур объясняет широкое распространение автоматизированных систем (АС) [1-5]. Здесь человек участвует в процессе решения, например, управляя им, вводя промежуточные данные.

Применение автоматизированных и автоматических процедур порождает и новую проблему — достоверность получаемых результатов: ошибки могут быть следствием как неверных действий при вводе данных и управлении работой компьютера, так и сбоя в его работе. Исключительно важную роль играет создание полных и достоверных баз данных (БД) [6-10]. Для повышения чувства уверенности разработчик должен представлять порядок получаемого результата или возможный вид решения. Ранее критериальный подход больше базировался на опыте (экспертных оценках), на обосновывающих верность рассуждениях и умозаключениях (логических построениях). В последнее время к выводам стали предъявлять требования четкости и точности. Появились новые науки, теория исследования операций и теория принятия решений, изучающие проблемы, связанные с принятием решений и поиском наилучших решений. А задачи, решаемые на основе их принципов, стали называть задачами оптимизации. Основой для поиска оптимального варианта служат критерии оптимизации (критерии эффективности). Назначение количества и типов критериев осуществляется человеком,

и /-Ч и

что придает им эвристический характер. С другой стороны, критерии определяют конечный вид решения, и, следовательно, случайный их выбор ведет к случайным и неэффективным результатам (хотя эти результаты могут быть получены на основе многократно проверенных и общепринятых методик).

Принимая во внимание тот факт, что выбор оптимального технологического процесса резки слитков ТХМ на пластины может быть связан с участием человека в принятии решения и вводе промежуточных параметров, целью разработки является создание автоматизированных систем. При анализе принципиальной возможности создания автоматизированных систем оптимизации технологического процесса алмазно-абразивной резки слитков ТХМ на пластины, нами был сделан вывод о необходимости

систематизации достаточного объема информации по следующим важным направлениям:

-методы алмазно-абразивного разделения ТХМ на пластины; ограничения, присущие этим методам;

-методы изготовления режущих кромок инструмента со связанным абразивом, используемого для резки ТХМ;

-механизмы разрушения ТХМ при грубой абразивной обработке; -строение нарушенного слоя после грубой абразивной обработки ТХМ и методы его исследования;

-влияние гранулометрического состава и твердости абразива, а также метода резки на протяженность нарушенного слоя;

-рекомендации по выбору кристаллографических плоскостей резания и кристаллографических направлений рабочей подачи инструмента при резке полупроводниковых и диэлектрических монокристаллов с различными типами кристаллической решетки.

Алгоритм решения задачи выбора оптимального технологического процесса резки слитков ТХМ на пластины должен основываться на систематизации информации по выбранным критериям, причем в ряде случаев имеющейся достоверной информации недостаточно для формулирования исходных требований к выбранному критерию и формирования исходных баз данных. Это относится, в частности: к исследованию влияния физико-механических характеристик гальванической связки режущего покрытия инструмента на производительность процесса резки ТХМ с различными прочностными параметрами; к исследованию влияния гранулометрического состава и твердости абразива, а также метода резки на протяженность нарушенного слоя.

Следовательно, задача разработки автоматизированной системы выбора оптимального технологического процесса резки слитков ТХМ на пластины, а также задача разработки автоматизированной системы выбора оптимальных параметров технологического процесса изготовления режущей кромки кругов АКВР с гальванической связкой требуют аргументированного выбора критериев оптимальности, предварительного проведения значительного объема исследований, использование результатов которых призвано способствовать существенному повышению обоснованности и компетентности принятия решений.

1.2. Методы алмазно-абразивной резки твердых хрупких материалов на пластины.

Разрезка твердых хрупких материалов (ТХМ) традиционно ведется абразивным инструментом, причем абразив может быть как в связанном, так и в свободном состоянии. Появление и развитие твердотельной электроники, основанное на использовании таких материалов как германий, кремний, лейкосапфир, кварц, интерметаллические соединения типов А2Вб и А3В5 и т.п., потребовало создания

инструмента, обеспечивающего минимальные потери дорогостоящих разрезаемых материалов на пропил, высокое качество поверхности с незначительной глубиной структурно-дефектных слоев и обладающего большим рабочим ресурсом.

Г> и о

За довольно короткий период развития твердотельной электроники операция резки монокристаллов претерпела ряд существенных изменений [11]. На первых порах разделение слитков германия и кремния на пластины производилось традиционным для других отраслей промышленности способом с использованием алмазного круга с наружной режущей кромкой. Затем появились технологии резки набором полотен или проволокой с добавлением абразивсодержащей суспензии. Позднее был разработан такой уникальный инструмент как алмазный круг с внутренней режущей кромкой (АКВР), долгие годы занимавший в электронной промышленности лидирующие позиции на операции резки. Параллельно развивалась технология резки слитков на пластины бесконечной ленточной пилой, оснащенной алмазной режущей кромкой на гальванической связке. С увеличением поперечных размеров разделяемых заготовок ТХМ до 600 - 800 мм широкое распространение вновь получила технология разделения заготовок ТХМ проволокой.

В настоящее время наибольшее распространение получили пять методов разделения полупроводниковых и диэлектрических слитков на пластины: -алмазными кругами с наружной режущей кромкой; -алмазными кругами с внутренней режущей кромкой; -бесконечной ленточной пилой;

-проволокой, оснащенной алмазным режущим покрытием; -проволокой с добавлением в зону резания абразивной суспензии.

14

Рассмотрим перечисленные методы с точки зрения их преимуществ и недостатков.

Метод резки алмазными кругами с наружной режущей кромкой.

направлении, после чего цикл резки повторяется. Резка алмазными кругами с наружной режущей кромкой имеет следующие преимущества: -простая кинематика процесса обработки; -быстрая установка и смена инструмента. К недостаткам метода можно отнести следующее:

-значительная ширина пропила и, следовательно, большие потери разрезаемого материала;

-неудовлетворительная устойчивость круга в осевом направлении, что требует их эксплуатации при высоких угловых скоростях. При низких скоростях сравнительно тонкий корпус круга подвержен повышенному риску колебаний, что чревато увеличением глубины нарушенных слоев на поверхностях отрезаемых пластин. С другой стороны, несмотря на то, что повышение угловых скоростей приводит к улучшению устойчивости круга за счет возрастания центробежных сил, рост линейной скорости режущей кромки приводит к повышению динамических нагрузок на единичные алмазные зерна и, как следствие, к увеличению длины генерируемых в процессе резки трещин, проникающих вглубь обработанных поверхностей.

В настоящее время данный способ резки применяется только для резки слитков на мерные заготовки, а также для отрезания от слитков толстых тестовых шайб, предназначенных для проведения контрольных операций.

Тем не менее, несмотря на указанные недостатки, некоторые исследователи считают, что при определенных условиях, в частности, при резком снижении стоимости

Рис.1.1

Схематично этот метод показан на рис.1.1. Круг изготавливается из круглой металлической пластины, внешний контур которой покрыт алмазным порошком, закрепленным слоем гальванически осажденного металла. Круг вращается с большой скоростью вокруг своей оси, а разрезаемый слиток, закрепленный на столе, перемещается в направлении круга. В зону резания из сопла подается смазочно-охлаждающая жидкость (СОЖ). После отрезания пластины слиток отводится от круга и совершает шаговое перемещение в осевом

предназначенного для фотоэлектроники кремния, способ разделения слитков на пластины кругами с наружной режущей кромкой вполне конкурентоспособен и может вытеснить доминирующие ныне методы резки проволокой и кругами АКВР [ 12]

Метод резки алмазными кругами с внутренней режущей кромкой.

Схема резки по этому методу показана на

при помощи специального приспособления и обеспечивая за счет этого требуемую жесткость. Слиток, закрепленный на оправке, разрезают алмазосодержащей кромкой вращающегося круга при относительном перемещении слитка или диска в направлении, перпендикулярном оси барабана. Линейная скорость режущей кромки обычно устанавливается в пределах 20 - 22 м/с. В зону резания из сопла подается СОЖ. Отрезанная пластина попадает в сборник или остается на оправке (в случае приклейки слитка к оправке цилиндрической поверхностью). После отрезания пластины слиток отводится от круга и совершает шаговое перемещение в осевом направлении, после чего цикл резки повторяется.

Резка кругами АКВР обладает следующими преимуществами: -высокая производительность;

-возможность быстрой переналадки на заданную толщину отрезаемой пластины с минимальным шагом порядка 0,001 мм;

Указанный способ имеет следующие недостатки:

-невозможность отрезания тонких пластин (например, для кремния толщиной менее 0,2 мм) из-за значительных термодинамических напряжений в зоне резания, вызывающих их разрушение;

-генерация по той же причине довольно протяженного нарушенного слоя, удаление которого требует проведения большого объема последующих технологических операций (шлифования, полирования и травления);

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Алексахин Артем Владиславович, 2018 год

Список литературы

1.Вальков В.М. Aвтоматизированные системы управленения технологическими процессами / В.М. Вальков, В.Е. Вершин - Л.: Политехника., 1991. - 268 с.

2.Щагин A3. Основы автоматизации техпроцессов: учеб. пособие / A^ffl^ra^ В.И.Демкин, В.Ю. Кононов, A^. Кабанова. - М.:Высшее образование, 2009. -163с.

3.Климец Ю. Разработка автоматизированной системы управления предприятием / Ю.Климец, Л.Липинский - Изд-во «LAP LAMBERT Academic Publishing»., 2014 - 96 с.

4.Реутов A.^ Aвтоматизированные информационные системы. Методы построения и исследования / A.^ Реутов, М.В. Черняков, С.Н. Замуруев - М.: Радиотехника., 2010 - 328 с.

5.Мезенцев К.Н. Aвтоматизированные информационные системы / К.Н. Мезенцев

- М.: Изд-во «Academia»., 2013 - 176 с.

6.Иванова СА. Базы данных / СА. Нестеров - СПб.: Изд-во СПбГПУ., 2013 -150 с.

7.Тиори Т. Проектирование структур баз данных / Т. Тиори, Дж. Фрай - М.:Мир., 1985 - 287 с.

8 Агальцов В.П. Базы данных / В.П. Aгальцов - М.:Мир., 2002 - 376 с. 9.Харрингтон Д. Проектирование объектно-ориентированных баз данных / Д. Харрингтон - М.:ДМК., 2001 - 272 с.

10.Зрюмов E.A. Базы данных для инженеров / E.A. Зрюмов, A.r. Зрюмова - Изд-во AлтГTУ., 2010 - 131 с.

11.Запорожский, В.П. Обработка полупроводниковых материалов / В.П. Запорожский, БА. Лапшинов. - М.: Высш. шк.,1988.- 184 с.

12.Iken, J. Slurry still in use / J. Iken // Sun & Wind Energy. - 2011 - № 1.-Р. 88-91.

13. Ерошин, С.С. Расширение технологических возможностей машин и приборов с кольцевыми рабочими органами / С. С. Ерошин // Сверхтвердые материалы - 2008 - № 5

- С. 23 - 25.

14.Пат. 8,286,623 OTA, МПК В28D 1/08. Band saw cutting apparatus and ingot cutting method / Yoshihiro Hirano., Assignee Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. - № 13/056,780, appl. 25.02.10, publ. 16.10.12.

15.Yamagishi, H. Large diameter silicon technology and epitaxy / H. Yamagishi, M. Kuramoto, Y. Shiraishi, N. Machida N. // Microelectronic Engineering. - 1999. - Vol. 45. -P. 101-111.

16.Meng, J. Cutting hard-brittle materials with endless electroplated diamond wire saw / J. Meng, Y. Han, P. Ge // Diamond & Abrasive Engeneering. - 2007. - № 3. - Р. 86-93.

17.Egemen, T. Mechanics of Wire Saw Machining Process: Experimental Analyses and Modeling / T. Egemen - Ames, Iova. - 2008. - 137 p.

18.Ge, P.Q. Study on Electroplated Diamond Wire Saw Development and Wire Saw Wear Analysis / P.Q. Ge, Y.F. Gao, S.J. Li, Z.J. Hou // Key Engeneering Materials - 2009. -Vol. 416. - P. 311-315.

19.Wang, X.Y. Experimental Study of Reciprocation Electroplated Diamond Wire Saws Catting SiC Wafer / X.Y. Wang, Y. Li, S.Y. Li // Key Engeneering Materials. - 2011. - Vol. 450. - P. 296-299.

20.Kray, D. Solar Wafer Slicing with Loose and Fixed grains / D. Kray, M. Schumann // IEEE - 2006. - P. 948-951.

21. Clark, W.I. Fixed abrasive diamond wire machining - part I: process

monitoring and wire tension force / W.I. Clark a, A.J. Shih, C.W. Hardin, R.L. Lemaster, S.B. McSpadden // International Journal of Machine Tools & Manufacture - 2003. - Vol. 43. - Р. 523-532.

22.At the cutting edge of precision silicon technology. Manual (Wire Saw DS 265) / «MayerBurger Swiss Slicing Systems» (CH-3613). - Steffisburg, Switzerland) - 2006. - Р. 87 - 122.

23.Пат. 2431564 РФ. МПК B28D 5/04. Способ резки кремниевого слитка на пластины / В.С. Белоусов, В.Ю. Харламов, И.О. Шагаева, заявитель и патентообладатель ЗАО «Телеком-СТВ» - № 2010106288/03, заявл. 25.02.10, опубл. 20.10.11. Бюл. № 29, 10 с.: ил.

24.Бакуль, В.Н. Основы проектирования и технология изготовления абразивного и алмазного инструмента / В.Н. Бакуль, Ю.И. Никитин, Е.Б. Верник - М.: Машиностроение - 1975. - 296 с.

25.Enomoto, Т. Development of a Resinoid Diamond Wire Containing Metal Powder for Slicing a Silicon Ingot / T. Enomoto, Y. Shimazakil, Y. Tani ,M. Suzukis, Y. Kanda // Annals of the CIRP - 1999 - Vol.48, № 1 - Р. 273-276.

26.Production line of electroplating wires. Tool bank East Co. Ltd.Tohttp://www.ritsumei.ac.jp/se/~tani/tool_bank/dwma-e.htmlp:

27.Беленький, М.А. Электроосаждение металлических покрытий / М.А. Беленький, А.Ф. Иванов. - М.: Металлургия, 1985 - 285 с.

28.Celis, T.P. A matherionsschichten fur verscleibfeste formen / T.P. Celis, T.R. Roos, C. Buelens // Galvanotechnik - 1987 - Vol. 78, № 4. - S. 960 - 963.

29.Сайфуллин, Р.С. Композиционные покрытия и материалы / Р.С. Сайфуллин. -М.: Химия. - 1977. - 273 с.

30.Андреев, Ю.М. Разработка отрезных кругов на основе сложных композитных материалов для обработки полупроводников и диэлектриков: дисс.. ..канд. техн. наук (05.27.07 - оборудование производства электронной техники) / Ю.М. Андреев ; рук. работы А.Н. Тихонов. - М.: МИЭМ, 1989. - 137 с.

31.Халдеев, Г.В. Структура и коррозионно-механические свойства композиционных покрытий / Г.В. Халдеев, В.Д. Косков, Л.М. Ягодкина // Защита металлов - 1982. - вып. 5. - С. 719 - 722.

32.Bratolva, M. Mehrschtsysteme aus funktionellen degierungsnicderschlagen / M. Bratolva, L. Nahova, B. Panischev // Galvanotechnik - 1986. - Vol. 77, № 9. - S. 2096 -2101.

33.Буркат, Г.К. Ультрадисперсные алмазы в гальванотехнике / Г.К. Буркат, В.Ю. Долматов // Физика твердого тела. - 2004. - Т.46, вып.4. - С. 685-692.

34.Бычин, Н.В. Особенности структуры гальванических покрытий, сформированных из электролитов, содержащих ультрадисперсные алмазы / Н.В.Бычин, Г.С. Игонин, А.М. Громов // Физико-химия ультрадисперсных (нано-) систем. Сб. трудов VI Всероссийской (Международной) конференции. - М., МИФИ. - 2003. - С. 329-332.

35.Пат. 91924 РФ, МКП B28D 1/547. Абразивная проволока / Толкачев Н.И, Толкачев В.Н., заявитель и патентообладатель ООО «Градиент-плюс» - № 2009126889/22. заявл. 13.07.09, опубл. 10.03.10, Бюл. №7. - 4 с. : ил.

36.Пат. 83210 РФ, МКП B24D 17/00. Алмазный инструмент / Запорожский В.П., Андреев Ю.М., Алексахин А.В., заявитель и патентообладатель Запорожский В.П. - № 2008150809/22. заявл. 23.12.08, опубл. 27.05.09, Бюл. №15. - 10 с. : ил.

37.Hertz, H. Über die Berührung fester elastischer Körper / H. Hertz // J. reine und angewandte Math. - 1882. Bd. 92. - S. 156-171.

38.Морозов, Е.М. Контактные задачи механики разрушения / Е.М. Морозов, М.В. Зернин. - М.: Либроком - 2010. - 544 с.

39.Griffith, A.A. The theory of rupture / A.A. Grriffith // Proc. First Int. Cong. Appl. Mech. - 1924. - Р. 55- 63.

40.Irwin, G. Analysys of Stress and Strains near the End of a Crack Traversing a Plate / G. Irwin //J. Appl. Mech. - 1957.- № 3.- P. 361- 364

41.Frank, F.C. On the theory of Hertzian fracture / F.C. Frank, B.R. Lawn // Proceedings of Royal Society - 1967. - Vol. 299. - P. 291 - 306

42.Lawn, B.R. Partial cone crack formation in a brittle material loaded with a sliding spherical indenter / B.R. Lawn // Proceedings of Royal Society - 1967 - Vol. 299 - P. 307 -316.

43.Пестриков, В.М. Механика разрушения твердых тел / В.М. Пестриков, Е.М. Морозов. - СПб.: Профессия. - 2002. - 320 с.

44.Балыков, А.В. Эффективная обработка хрупких неметаллических материалов / А.В. Балыков, А.Б. Липатова // Вестник МГТУ «Станкин» - 2008 - № 2 - С. 14-19.

45.Горелик, С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. - М.:МИСИС. - 2003. - 480 с.

46.Никитенко, В.И. О пластической деформации кремния в области хрупкого разрушения / В.И.Никитенко, М.М. Мышляев, В.Г. Еременко // Физики твердого тела -1967 - Т.9, № 9 - С. 2604-2620.

47.Twyman, F. The stress conditions surrounding a diamond cut in glass / F. Twyman, A.J. Dalladay // Trans. Opt. Soc. 1921-1922 - Vol. 23. P. 165.

48.Алехин, В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов / В.П. Алехин. - М.: Наука, 1983. - 280 с.

49. Investigation of Specificity of Mechanical Properties of Hard Materials on Nanoscale with Use of SPM- Nanohardness Tester / N.A. Lvova [and other] // Journal of Physics: Conference Series 61 - 2007 - Р. 724-729.

50. Определение трещиностойкости хрупких сверхтвердых материалов на наноуровне / А.И. Сошников [и др.] // Диагностика материалов - 2007 - Том 73 - С.28

51.Бутяев, В.С. Дефекты от наклейки на пластинах кремния в производстве ИС и БИС / В.С. Бутяев // Электронная техника, Сер.3 Микроэлектроника - 1975 - вып. 6(60) -С. 60-64.

52.Meng, J.F. Removal Mechanism in Wire-Sawing of Hard-Brittle Material /

J.F. Meng, J.F Li, P.Q. _Ge // Advances in Materials Manufacturing Science and Technology -2004 - Vol. 471 - 472 - P. 192-195.

53.Arif, M. A state-of-the-art review of ductile cutting of silicon wafers for semiconductor and microelectronics industries / M. Arif, M. Rahman, W.Y. San // The International Journal of Advanced Manufacturing Technology - 2012 - Vol. 63 -P. 481-504

54.Теплова, Т.Б. Разработка научных основ создания технологии

прецизионной обработки твердых хрупких материалов : автореф. дисс.....д-ра техн.

наук: 05.03.01 / Т.Б. Теплова : М., 2009 - 36 с.

55.Zhang, C., Rentsch R., Brinksmeier E. Advances in micro ultrasonic assisted lapping of microstructures in hard-brittle materials: a brief review and outlook / С. Zhang, R. Rentsch, Е. Brinksmeier // International journal of machine tools and manufacture - 2005- Vol. 45 -P. 881- 890.

56.Запорожский, В.П. Интенсификация процесса резки полупроводниковых материалов алмазными кругами / В.П. Запорожский, П.А. Павлов, В.Л. Приходько // Электронная техника. Серия 6. - 1985 - вып. 10 (209) - С. 64-66.

57.А. с. 1761521 СССР, МПК5 B28D 5/00. Способ резки монокристаллов. /Ю.М. Андреев, С.С. Ерошин, М.Т. Таращанский, Г.И. Галигузов, В.П. Запорожский, Д.Н. Гулидов, В.Ю. Харламов. - № 4427050; заявлено 11.04.88; опубл. 15.09.92.

58.Дормушев А. Е. Повышение эффективности операции разрезания заготовок из хрупких неметаллических материалов путем активации элементов технологической системы : автореф. дисс. ... канд. техн. наук : 05.03.01 / А.Е. Дормушев : Ульяновск, 2004 - 32 c.

59.Goetze, D. Effert of vibration amplitude , frequency and composition of abrasive slurry on the rate of ultrasonic machining in Ketos tool steel / D. Goetze // IASA -1956 - Vol. 28, №. 6 - Р.1033

60.А. с. 1333558 СССР, МПК4 B24D 5/12. Алмазный отрезной круг/ Ю.М. Андреев, В.Г. Головин, В.П. Запорожский, В.Л. Приходько, Н.И. Толкачев, А.Д Шумилов, А.А Гасанов. - № 3942440; заявлено 24.06.85; опубл. 30.08.87.

61.А. с. 1367329 CCCP, МПК4 B28D 5/00. Способ резки твердых хрупких материалов / Э.Ф. Бенуа, В.П. Запорожский, А.Н. Бурмистров, А.Г. Пижонков, В.Л. Приходько, В.С. Разоренов - № 3650938; заявлено 10.10.83

62.Петрушин, С.И., Проскоков А.В. Стружкообразование с развитой зоной пластических деформаций при резании материалов / С.И. Петрушин, А.В.Проскоков // Известия томского политехнического университета - 2009 - Т. 14, вып. 2 - С. 56-62

63.Капустина, Т.П. Строение поверхностного слоя шлифованных пластин кремния и германия / Т.П. Капустина, Т.Г. Прохорова, Л.Г. Тарнавская // Известия ВУЗов, сер. Приборостроение - 1964 - вып. 7 - С. 5 - 9.

64.Григорьева, Л.Ф. Исследование процесса шлифования монокристаллов германия и кремния / Л.Ф. Григорьева // Вопросы радиоэлектроники, сер. 2 - 1960 - вып. 2 - С. 27- 29.

65.Голиков, В.И. Исследование поверхности монокристаллических подложек для эпитаксии после механической обработки / В.И. Голиков, Карбань В.И., Онишко А.Ф. // Полупроводниковая технология и микроэлектроника - 1973 - вып. 13 - С. 3 - 16.

66. Семилетов, С.А. Электронографическое исследование поверхности германия / С.А. Семилетов, З.Г. Пинскер // Кристаллография - 1956 - № 1,2 - С. 209 - 213.

67.Немцов, В.Д. Электронографическое исследование кремния / В.Д. Немцов // Кристаллография - 1964 - № 9 - С. 3 - 6.

68.Ода, Д. Обработка поверхности полупроводников. Влияние резки и полировки / Д. Ода // Нихон суцури - 1963 - № 17 - С. 809 - 818.

69.Русак, Т.Ф. Проблемы контроля нарушенного слоя в кремнии после механической обработки / Т.Ф. Русак, К.Л. Енишерлова // Электронная техника. Сер. 2 Полупроводниковые приборы. - 1983. - вып. 3(162) - С. 3 - 9.

70.Алехин, В.П. Исследование влияния абразивной обработки на характер структурных повреждений и глубину нарушенного слоя монокристаллического кремния / В.П. Алехин, А.С. Артемов, А.И. Мазур // Физ.и хим. обработки матер. 1974 - № 4 - С. 42 - 45.

71.Качалов, Н.Н. Зависимость процесса шлифовки кристаллов от их физико-химических свойств / Н.Н. Качалов, Л.Ф. Григорьева // Доклады АН СССР - 1959 - Т. 129, № 6 - С. 1012 - 1015.

72.Запорожский, В.П. Прогиб кремниевых пластин после грубой абразивной обработки / В.П. Запорожский, Д.Н. Гулидов, В.Л. Приходько // Электронная техника. Серия 7 ТОПО. - 1988 - вып. 2(147) - С. 67-69.

73.Гулидов, Д.Н. Использование анизотропии свойств полуфабрикатов для

оптимизации технологии кремниевых ИС.: автореф. дисс.....д-ра техн. наук: 05.27.01 -

Твердотельная электроника, микроэлектроника / Д.Н. Гулидов : М., 1992 - 50 с.

74.Рогов, В.В. Разработка процессов механической и химико-механической обработки пластин арсенида галлия, кремния, сапфира, керамики для

полупроводниковых приборов и интегральных схем.: автореф. дисс.....канд. техн. наук:

05.27.01 - Твердотельная электроника, микроэлектроника / В.В. Рогов : М., 1992 - 71 с.

75.Запорожский, В.П. Оптимизация процесса резки полупроводниковых материалов алмазными кругами: дисс... канд. техн. наук (05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника) / В.П. Запорожский ; рук. работы Д.Б. Зворыкин, Ю.Д Чистяков. - М. : МИЭТ, 1986. - 176 с.

76.Татаренков, А.И. Использование травления для определения глубины трещиноватого слоя / А.И. Татаренков // Электронная техника, сер. 2 Полупроводниковые приборы - 1970 - вып. 2 - С. 64.

77.Угай, Л.А. Проблемы газового травления поверхности полупроводниковых материалов / Л.А. Угай // Электронная техника, сер. 12 - 1970 - вып. 4 - С. 50.

78.Ефимов, Е.А. Электрохимический метод измерения нарушенного слоя на германии и кремнии после механической обработки / Е.А. Ефимов, Е.Г. Ерусалимчик, Т.С. Захарова // Электронная техника, сер. 2 Полупроводниковые приборы - 1966 - вып. 1 - С. 34 - 38.

79.Свердлин, И.А. Исследование влияния нарушений кристаллической решетки на кинетику саморастворения кремния / И.А. Свердлин, С.И. Чистякова, А.С. Ломакин // Электрохимия - 1976 - Т. 12, № 7 - С. 1093 - 1097.

80.Buck, T.M. The surface chemistry of Metals and Semiconductors. - New-York - 1966 - 423 p.

81.Литвинов, Ю.М. Контроль глубины нарушенного слоя в полированных пластинах методом микротвердости / Ю.М. Литвинов, С.Л. Одинцов, Ф.Р. Хашимов // Электронная техника, сер. 6 Материалы - 1975 - вып. 11 С. 66 - 72.

82.Витман, Ф.Ф. О методе определения прочности листовых стекол / Ф.Ф. Витман, Пух В.П. // Заводская лаборатория - 1963 - Т. 29, вып. 7 - С. 863 - 867.

83. Wasmer, K. Effekt of edge defects induced by multi-wire sawing on the wafer strength / K. Wasmer, A. Bidivile, F. Jeanneret // 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference - Valencia, Spain - 2008 - P. 1305 -1310.

84.Biaxial fracture Test of Silicon Wafers / C. Funke, E. Kullig, M. Kuna // Adv. Eng. Mat. - 2004. - Vol. 6 - P. 594 - 598.

85.Kulkarni, M.S. Acid-Based Etching of Silicon Wafers: Mass-Transfer and Kinetic Effects / M. S. Kulkarni, H. F. Erk // J. Electrocheml Soc. - 2000. - Vol. 147 - P. 176-188.

86.Файнштейн, С.М. Обработка и защита поверхности полупроводниковых материалов / С.М. Файнштейн - М.: Энергия - 1970 - 296 с.

87.Samuels, L.E. Measerment of surface damage of Si and Ge / L.E. Samuels // Metallurgia - 1955 - V. 52 - P. 161 - 165.

88.Ефимов, Е.А. Электролитический метод измерения глубины нарушенного слоя / Е.А. Ефимов, И.Г. Ерусалимчик, Т.С. Захарова // Электронная техника, сер. 2 Полупроводниковые приборы - 1966 - вып. 1 - С. 18 - 21.

89.Woo, Tae-Ki. Three-Dimensional Dual-Porous Structure Developed by Preferential/Stain Etching on Grind-Damaged (001) Si: Formation and Optical Properties / Tae-Ki Woo, Seoung-Il Kim, Sarah Eunkyung Kim, Hyo-Sok Ahn // J. Electrochem. Soc. -2012 Vol. 159(1) - P. 1-7.

90.Schmidt, P. Electrolitic rectification and mechanism of conductivity in anodic oxide films / P. Schmidt, A.N. Schwarz // J.Electrochem. Soc. - 1968 - V.115, N. 2 - P. 140 - 146.

91.Strickler, R. Lie Bestimmung der Eindringtiefe gestorte Oberflochenbereiche infolge mechanische Bearbeitung von Si- und Ge- Einkristalle / R. Strickler // Prakt. Metallogr. - 1966 - N. 2 - S. 118 - 122.

92.Коломина, И.В. Глубина нарушений, возникающих при механических обработках подложек фосфида индия / И.В. Кулемина, Г.А. Дмитриева, Г.Н. Королева // Электронная техника, сер. 6 Материалы - 1983 - вып. 5 С. 68 - 70.

93.Бублик, В.Т. Методы исследования структуры полупроводников и металлов / В.Т. Бублик, Дубровина А.Н. - М.: Металлургия - 1978. - 272 с.

94.Schimnel, D.G. A Comparison of Chemical Etch for Revealing (100) Silicon Crystal Defects / D.G. Schimnel // J.Electrochem. Soc. - 1976 - V.123, №. 5 - P. 734 - 736.

95.Jennins, M.W. Preferental Ench for Defects in Silicon / M.W. Jennins // J.Electrochem. Soc. - 1972 - V.119, N. 7 - P. 948 - 952.

96.Rei-Choudhury, P.. Substrate Surface Preparation and Its Effect on Epitaxial Silicon / P. Rei-Choudhury //J.Electrochem. Soc. - 1976 - V.123, N. 5 - P. 734 - 736.

97.Вишнева, Т.И. Применение анизотропного травления для исследования нарушенных слоев механически обработанных кремниевых пластин / Т.И. Вишнева, Д.И. Гулидов, В.Ю. Харламов // Тезисы докладов всесоюзной конф. АПМ - 81 - М.: МИЭТ - 1981 - С.97.

98. Вишнева, Т.И. Оценка приповерхностной деформации при резке кремния. Часть 1У. Металлографическое исследование приповерхностных нарушений методом кристаллографического косого шлифа / Т.И. Вишнева, Д.И. Гулидов, Харламов В.Ю. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника - 1984 - вып. 6(112) - С. 100 - 105.

99.Мальвинова, О.В. Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений AIIIBV современной точности обработки / дисс.. ..канд. техн. наук (05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники ) / О.В. Мальвинова ; рук. работы С.Н. Неустроев. - М.: МИЭТ, 2004. - 161 с.

100.Волокобинская, Н.И. Исследование технологических процессов изготовления мощных высоковольтных биполярных транзисторов с решеткой включения в коллекторной области / Н.И. Волокобинская, И.Н. Комаров, Т.В. Матюхина // Физика и техника полупроводников - 2001. - Т. 35, вып. 8 - С. 1013 - 1017.

101.Русак, Т.Ф. Металлографическое исследование нарушенного слоя на пластинах кремния после разрезания и шлифования / Т.Ф. Русак, К.Л. Енишерлова // Электронная техника, сер. 2 Полупроводниковые приборы - 1978. - вып. 3 - С. 95 - 103.

102.Макарова, В.А. Структура и глубина нарушенных слоев при алмазной обработке пластин кремния / В.А. Макарова // Сверхтвердые материалы - 1981. - № 4 -С. 57-59.

103.Ниппе, Б. Способы контроля процесса обработки и обработанной поверхности / Б. Ниппе, Г. Шульц. П. Кой // в кн.: Обработка полупроводниковых материалов - Киев : Наукова думка - 1982. - С. 203 - 234.

104.Алехин, В.П. Структурные и кинетические особенности формоизменения при микровдавливании / В.П. Алехин, В.П. Тарнавский // В кн. : Новое в области испытаний на микротвердость - М.: Наука - 1974. - с. 29 - 52.

105.Ковьев, Э.К. Рентгеновский двухкристальный спектрометр / Э.К. Ковьев, М.В. Ковальчук, З.Г. Пинскер // Кристаллография - 1974 - Т. 19, № 5 С. 1052 - 1055.

106.Фокин, А.С. Рентгеновский трехкристальный спектрометр на базе гониометра ГУР-5 для исследования полупроводниковых структур / А.С. Фокин, Э.К. Ковьев // Электронная техника, сер. 2 Полупроводниковые приборы - 1976 - вып. 8 - С. 13 - 15.

107.Ковальчук, М.В. Рентгеновский трехкристальный спектрометр и прецизионное определение параметра кристаллической решетки / М.В. Ковальчук, Э.К. Ковьев, З.Г. Пинскер // Кристаллография - 1975 - Т. 20, № 1 - С. 142 - 145.

108.Павилайнен, В.С. Кристаллоструктурные характеристики деформированных слоев кремния при различной ориентации и типах легирующих примесей / В.С. Павилайнен, В.Н. Тимофеев, М.Х. Шоршоров //Физ. и хим. обработки поверхности -1973. - № 2 - С. 77 - 80.

109.Павилайнен, В.С. Определение глубины нарушенного слоя полупроводниковых пластин методом аномального прохождения рентгеновских лучей / В.С. Павилайнен, Козлов Б.И., Бочкин О.И. // Обмен опытом в электронной промышленности - 1969. - № 8 - С. 84 - 86.

110.Taupin, D. Theorie dinamikue die la diffraction des rayons X-naries cristaux de formec / D. Taupin // Belletin de la Sosiete Franc de Mineralogik et Crystall - 1984. - Vol. 87. - P. 469 - 473.

111.Суходрева, И.М. Рентгенодифракционное изучение нарушений германия, вызванных механической обработкой / И.М. Суходрева, З.Б. Аверьянова // Электронная техника. Сер. 14 Материалы -1968 - вып.4. - С. 37 - 39.

112.Борхардт, А. Формирование и модель поверхностного слоя материала / А. Борхардт, В.И. Карбань // В кн.: Обработка полупроводниковых материалов - Киев.; Наукова думка - 1982. - С. 900 -100.

113.Stickler, R. Transmission Electron Microscope of Mechanical Polishing Damage on Silicon / R. Stickler, G.R. Booker // J. Electrochem. Soc. - 1964. - Vol. 111, № 4. - P. 485 -488.

114.Morgenstern, G. Electronenmikroskopishe Untersuchungen von Trenn-und Lappstroungen on Nicht Vollstanding Auspolierter Si. - Scheiben Verrofente Zur 9 / G. Morgenstern, M. Kittler, G. Weidner. - Tagung Elektronenmikroskopie. Dresden. - 1978 - S. 153 - 164.

115.Kuan, T.S. Effect of Lubricant Environments on Saw Damage in Si Wafers / T.S. Kuan, K.K. Shin, J.A. Van Vechten // J. Electrochem. Soc. - 1964. - Vol. 111, № 4. - P. 485 -488.

116.Амелинкс, С. Методы прямого наблюдения дислокаций / С. Амелинкс - М.: Иностранная литература. - 1968. - 440 с.

117.Вайнштейн, Б.К. Структурная электронография / Б.К. Вайнштейн - М.: Изд-во АН СССР. - 1956. - 323 с.

118.Lander, J.J. Low-Energy Electron Diffraction Study of Silicon Surface Structures / J. J. Lander, J. Morrison // J. Chem. Phys. - 1961 - Vol. 37 - P. 729 - 747

119.Poppendieck, T.D. An electron diffraction study of the structure of silicon (100) / T.D. Poppendieck, T.C. Ngoc, M.B. Webb // Surface Science. - 1978 - Vol. 75. - 1978. - P. 287-315.

120. Садаков, Г. А. Технология гальванопластики : справочное пособие / Г. А. Садаков, О. В. Семенчук, Ю. А. Филимонов. - М. : Машиностроение, 1979. - 160 с.

121.Прудников, Е.А. Инструмент с алмазно-гальваническим покрытием / Е. А. Прудников - М.: Машиностроение - 1985. - 95 с.

122.Ямпольский, А.М. Краткий справочник гальванотехника / А. М. Ямпольский, В. А. Ильин - Л.: Машиностроение - 1981. - 269 с.

123. Адлер, Ю.П. Планирование эксперимента при поиске оптимальных условий / Ю.П. Адлер, Е.В. Маркова, Ю.В. - М.: Наука - 1976. - 278 с.

124.Беляев, В.Н. Композиционные никель-алмазные покрытия / В.Н. Беляев, А.В. Фролов, К.Ф. Ильиных // Обработка металлов. - 2008. - №1. - С. 16-19.

125.Редькин, В.Е. Композиционные электрохимические покрытия повышенной твердости и износостойкости / В.Е. Редькин, В.С. Биронт //Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы: Труды II Межрегиональной конференции с международным участием (5-7 октября 1999 г.). - Красноярск: КГТУ, 1999. - 288 с.

126.Фролов, А.В., Беляев В.Н., Ларионова И.С. Модифицирующая роль ультрадисперсных алмазов в формировании структуры гальванических покрытий / А.В.

Фролов, В.Н. Беляев, И.С. Ларионова // Высокоэнергетические материалы: демилитаризация, антитерроризм и гражданское применение: тезисы IV Международной конференции «HEMs -2008» - Бийск: ФГУП «ФНПЦ «Алтай». - 2008. - С. 123-124.

127.Алексахин А.В. Исследование физико-механических характеристик гальванического композитного покрытия «никель - детонационные наноалмазы»/

A.В.Алексахин // Композиты и наноструктуры, 2013, № 2. с. 22 - 29.

128.Лейкин, А.Е. Материаловедение / А.Е. Лейкин, Б.И. Родин - М.: Высшая школа - 1971 - 416 с.

129.Звягинцева, А.В. Физико-механические свойства никелевых покрытий, легированных бором / А.В. Звягинцева, А.И. Фаличева // Гальванотехника и обработка поверхности. 1997. Т.5. №2. С. 24 - 31.

130.Поветкин, В.В. Структура электролитических покрытий / В.В. Поветкин, И.М. Ковенский - М.:Металлургия - 1988. -136с.

131.З.Джонсон О. Хрупкое разрушение германия / О. Джонсон., П. Гиббс // В кн.: Разрушение твердых тел. - М. Металлургия, 1967, с. 122.

132.Mcclintock F. Argon A. Mechanical behavior of materials / F. Mcclintock. А. Argon // Massachusetts. Realing, MA: Addison Wesley Publishing Co., USA, 1966, 222 p.

133.Алехин В.П. Микропластичность приповерхностных слоев алмазоподобных полупроводников / В.П.Алехин, А.В.Надточий // XIV Петербургские чтения по проблемам прочности. Санкт-Петербург, 12-14 марта 2003 г.: сборник тезисов. СПб., 2003, с. 42-43.

134.Алексахин А.В. Исследование качества обработки твердых хрупких материалов абразивным инструментом с наноструктурными композиционными гальваническими связками / Алексахин А.В, Вышлов В.А., Гулидов Д.Н., Запорожский

B.П.; ООО «Объединенные Беспроводные Технологии». - М., 2014. - Деп. в ВИНИТИ 28.05.14, № 147-В2014.

135.Андреев Ю.М. Оптимизация резки полупроводниковых и диэлектрических монокристаллов на пластины алмазным инструментом с композитными гальваническими связками/ Ю.М. Андреев, А.В. Алексахин, В.П. Запорожский // Электронная промышленность, 2013, № 1, с. 45 - 51.

136.Frank, F.C. On the theory of Hertzian fracture / F.C. Frank, B.R Lawn // Proceedings of Royal Society - 1967 - Vol. 299 - P. 291 - 306.

137.Концевой, Ю.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур / Ю.А. Концевой, Ю.М. Литвинов, Э.А. Фаттахов - М.: Радио и связь - 1982. -238 с.

138.Gerberich, W. W. A crack extension force correlation for hard materials / W. W. Gerberich, W. M. Mook, C. B. Carter, R. Ballarini // Int. J. Fract. - 2008. - DOI 10.1007/s10704-008-9177-7 (ORIGINAL PAPER) - 6 р.

139.Химическая энциклопедия в 5 т. / Гл. ред. Кнунянц И. Л. - М.: Советская энциклопедия, 1990. - Т. 2. - 671 с.

140.Смит, Р. Полупроводники / Р. Смит; пер. с англ.- М.: Мир. - 1982. - 560 с.

141.Костикова К.П. Закономерности микропластической деформации монокристаллов SiC:6H при индентировании / К.П. Костикова, А.С. Артемов, В.П. Алехин // Физика и химия материалов. - 2009 - № 4. - С. 64-68.

142.Evans A.G., Wilshaw T.R. Quasi-static solid particle damage in brittle solids. 1. Observations, analysis and implications / A.G. Evans, T.R. Wilshaw// Acta met. - 1976 - v.24 - No.10 - Р. 939-956.

143.Henchall J.L., Rowcliffe D.J., Edington S.W. Fracture tonghness of single crystals silicon carbide / J.L. Henchall, D.J. Rowcliffe, S.W. Edington //J.Amer. Ceram.Soc. - 1977 -v.60 - No.7-8 - Р.373-375.

144.Бритвин А.А. Моделирование процессов механической обработки пластин полупроводниковых и диэлектрических материалов свободным абразивом: дисс... канд. техн. наук (05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники) / А.А. Бритвин ; рук. работы Литвинов.Ю.М. - М. : МИЭТ, 2007. - 129 с.

145.Lawn, B.R., Wilshaw T.R. Indentation Fracture: Principles and Applications / B.R. Lawn, T.R. Wilshaw // Journal of Material Science. - 1975. - V.10, № 6. - P. 1049-1081.

146.Беркович, И.И. Трибология. Физические основы, механика и технические приложения / И.И. Беркович, Д.Г. Громаковский. Под ред. Д.Г. Громаковского. Самара.: Самар. гос. техн. ун-т. - 2000. 268 с.

147.Демкин, Н.Б. Контактирование шероховатых поверхностей / Н.Б. Демкин - М.: Наука -1970. - 227 с.

148.Крагельский, И.В. О природе контактного предварительного смещения твердых тел / И.В. Крагельский, Н.М. Михин Н // ДАН СССР - 1963 - Т. 153, № 1 - С. 78 - 81.

149.Михин, Н.М. О связи площади касания и сближения при неподвижном и скользящем контакте / Н.М. Михин - В кн.: Трение твердых тел - М.: Изд-во АН СССР

- 1974 - с. 62 - 65.

150.Узунян, М.Д. Расчет числа зерен, участвующих в резании и расстояние между ними на поверхности алмазного круга / М.Д. Узунян // Станки и инструменты - 1966 -№ 3 - с. 54.

151. Бакуль, В.И. Определение числа частиц в одном карате порошка / В.И. Бакуль

- Киев: Укр НИИНТИ - 1966 - с. 10.

152.Ерошин, С.С. Исследование силовых и динамических зависимостей процесса алмазной разрезки монокристаллов кремния / С.С. Ерошин, В.Л. Приходько, М.И. Торба // Электронная техника. - Сер.7 ТОПО - 1985. - вып. 1(128). - С. 6-8.

153.Струченков В.И. Методы оптимизации. Основы теории, задачи, обучающие компьютерные программы: учеб. Пособие / В.И. Струченков - М.: Изд-во «Экзамен», -2005. 256 с.

154.Алексахин А.В. Автоматизированная система выбора оптимального техпроцесса резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины / А.В. Алексахин, Д.Н. Гулидов // Изв. вузов. Электроника. 2018. - Т. 23. - № 1. - С. 103-106.

155.Алексахин А.В. Разработка автоматизированной системы выбора оптимального технологического процесса резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов / А.В. Алексахин, Д.Н. Гулидов // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2016. - № 1. - С. 112-117.

156.Алексахин А.В. Разработка алгоритма выбора оптимального технологического процесса резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов /А.В. Алексахин, Б.А. Лапшинов - Материалы международной научно-практической конференции «Инновационные информационные технологии»,- Прага, 2013, МИЭМ НИУ ВШЭ, Т.3, с.12 - 17.

157.Алексахин А.В. Формирование информационных баз данных при выборе оптимального технологического процесса резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов / А.В. Алексахин - Материалы международной научно-

практической конференции «Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий» - Сочи, 2013, МИЭМ НИУ ВШЭ, с.363 - 365.

158.Алексахин А.В. Исследование физико-механических характеристик гальванического композитного покрытия «никель - детонационные наноалмазы» // Композиты и наноструктуры - 2013, № 2 - С. 22-29.

159. ГОСТ 19.701-90 (ИСО 5807-85). Схемы алгоритмов, программ, данных и систем. Условные обозначения и правила выполнения. Введ. 01.01.92. М.: изд-во стандартов, 1992. 6с. (Единая система программной документации).

160.Эйдельман, Б.Л. Использование анизотропии дефектообразования при механической обработке кремния в кристаллографической плоскости (111).: автореф.

дисс.....канд. техн. наук: 05.27.01 - Твердотельная электроника, микроэлектроника / Б.Л.

Эйдельман. : М., 1984 - 24 с.

161.А. с. 1767582 СССР, МПК5 HO1L 21/66. Способ определения толщины эпитаксиального слоя кремниевых структур / Е.Г. Миттенберг, С.Е. Пашкова, В.И. Прохоров, В.Ф. Шаталов. - № 4751926; заявлено 19.10.89.

162.Pat. 4555767 US, МПК5 GO1B 11/06. Method and apparatus for measuring thickness of epitaxial layer by infrared reflectance / W.R. Case, W.E. Johnson - No. US 06/442, 193 -27.05.82.

163.Бахрушин В.Е. Получение и физические свойства слаболегированных слоев многослойных композиций / В.Е. Бахрушин - Запорожье: ЗИГМУ - 2001 - 248 с.

164.Харламов, В.Ю. Совершенствование технологии резки монокристаллов кремния

путем использования анизотропии его механических свойств.: автореф. дисс.....канд.

техн. наук: 05.27.01 - Твердотельная электроника, микроэлектроника / В.Ю. Харламов : М., 1985 - 24 с.

165. А. с. 1400379 СССР, МПК4 HO1L 21/302. Способ разделения слитков полупроводниковых соединений на пластины/ В.П. Запорожский. - № 4127921; заявлено 03.10.86.

166. А. с. 1736301 СССР, МПК5 HO1L 21/302. Способ разделения монокристаллов лейкосапфира на пластины / С.С. Ерошин, В.С. Сацукевич, В.П. Запорожский, В.Л. Приходько, А.А Гасанов, С.П. Попов. - № 4717685; заявлено 11.07.89.

167.Пат. 2137251 РФ, МКП5 HO1L 21/304. Способ резки полупроводниковых монокристаллов на пластины / Рогов В.В., заявитель и патентообладатель Рогов В.В. -№ 98118586/25, заявл. 13.10.98, опубл. 10.09.99, - 3 с. : ил.

168. Пат. 2337429 РФ, МКП5 HO1L 21/302. Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов / М.В. Ковальчук, В.М. Каневский, Е.О. Тихонов, заявитель и патентообладатель Институт кристаллографии РАН - № 2005139644/28, заявл. 20.12.05, опубл. 27.10.08, бюлл. № 30 - 4 с. : ил.

169. Аникин, А.В. Исследование нарушений в пластинах кремния при их механической обработке / А.В. Аникин // Микроэлектроника и информатика - 2005:

гр л /"ч и u и u и "i

Труды 12-ой всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов - Москва, 2005. - С. 53.

170. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2016616240 «Программа выбора оптимального технологического процесса алмазно-абразивной резки твердых хрупких материалов» / А.В. Алексахин; заявитель и правообладатель Алексахин А.В. - № 2016613895; заявл. 12.04.2016; опубл. 08.06.16, Реестр программ для ЭВМ - 1 с.

171.Рихтер, Д. Программирование на платформе Microsoft. NET Framework 4.5 на языке C#. 4-е изд. / Д. Рихтер - СПб. - Изд-во «Питер» - 2013. - 896 с.

172.Нагел, К. C# 4.0 и платформа. NET 4 для профессионалов / К. Нагел, Ивьен Б., Глинн Д., Уотсон К., Скиннер М. - М.: Изд-во «Вильямс» - 2011 - 1440 с.

173.Бекаревич, Ю. Microsoft Access 2013 / Ю. Бекаревич, Н. Пушкина - СПб. - Изд-во БХВ - 2014. - 454 с.

174. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2016616196 «Программа выбора оптимального технологического процесса изготовления гальванической связки режущей кромки алмазно-абразивных кругов» / А.В. Алексахин; заявитель и правообладатель Алексахин А.В. - № 2016613876; заявл. 12.04.2016; опубл. 07.06.16, Реестр программ для ЭВМ - 1 с.

175. Пат. 115716 РФ, МКП B28D 1/04. Алмазно-абразивный инструмент / Алексахин А.В., заявитель и патентообладатель ООО «Объединенные Беспроводные Технологии» - № 2012100680/03. заявл. 13.01.12, опубл. 10.06.12, Бюл. №13. - 6 с. : ил.

176. Патент РФ № 2545956, МКП B28D 1/08. Способ изготовления алмазно-абразивной проволоки / Алексахин А.В., Запорожский В.П., Лапшинов Б.А., заявитель и

128

патентообладатель ООО «Объединенные Беспроводные Технологии» - №

2012105707/11 заявл. 20.02.12, опубл. 15.04.15, Бюлл. № 20 - 7 с.: ил.

Приложение А.

Листинг программного обеспечения по реализации алгоритма выбора оптимального технологического процесса алмазно-абразивной резки ТХМ. 1. Основная функция выбора оптимального технологического процесса

//Резка кругом если true иначе резка проволокой(изначально true) bool akvr = true;

//резка с использованием алмазного порошка(true) иначе с карбидом кремния

bool alPor = true;

int mat=0;

// Направление реза

string Napravl = "";

//Длина слитка

double R = Convert.ToDouble(proverit(textBox13.Text)); // Диаметр загатовки

double D = Convert.ToDouble(proverit(textBox2.Text)); //Ширина пропила

double T = Convert.ToDouble(proverit(textBox1.Text)); //Количество пластин //double P = 0; //Толщина пластин

double S = Convert.ToDouble(proverit(textBox6.Text)); //Объем партии

double O = Convert.ToDouble(proverit(textBox4.Text));

if(comboBox1.SelectedIndex == comboBox1.Items.Count-1) {

MessageBox.Show("Материал не выбран"); }

else

if (R != 0 && D != 0 && T != 0 && S != 0 && O != 0) {

mat = comboBox1.SelectedIndex;

if( Materials[mat].PlReza.ContainsKey(textBox3.Text)) {

Napravl = Materials[mat].PlReza[textBox3.Text]; label21.Text = textBox3.Text; label22.Text = Napravl;

}

if (PopRazmer(D) == true)

//Выбор инструмента исходя из диаметра слитков {

if(ShirRazmer(T) == true)

//Выбор инструмента исходя из ширины пропила {

if (Tolshina(S,D) == true)

//Выбор инструмента исходя из требований к толщине {

if (Partiya(O) == false)

//Выбор инструмента исходя из размера партии

{

if (checkBox2.Checked == false) {

if (checkBox1.Checked == false) {

if (Operativ(D, R, S, T) == true) 130

label18.Text = "Связанный"; akvr = true; this.Text = "Результат"; panel1.Visible = false; panel2.Visible = true; panel3.Visible = false; label8.Text = "АКВР";

}

else {

akvr = false;

provoloka();

}

}

else {

akvr = false; provoloka();

}

}

else {

akvr = true;

label18.Text = "Связанный"; this.Text = "Результат"; panel1.Visible = false; panel2.Visible = true; panel3.Visible = false; label8.Text = "АКВР";

}

}

else {

akvr = true;

label18.Text = "Связанный"; this.Text = "Результат"; panel1.Visible = false; panel2.Visible = true; panel3.Visible = false; label8.Text = "АКВР";

}

}

else {

akvr = false; provoloka();

}

}

else {

akvr = false; provoloka();

}

else {

akvr =false;

provoloka(); }

}

else { MessageBox.Sl^ow("Введены не корректные значения"); }

}

Заполнение базы материалов из файла:

public void Zapoln() {

try {

using (StreamReader sr = new StreamReader("mater.set", Encoding.Default)) {

String line;

char[] delimiterChar = { '|' }; int count = 0;

while ((line = sr.ReadLine()) != null) {

int id = 0;

string name = null;//Название материала double pl=0; //Микротвердость

//Рекомендуемые кристаллографические направления резки относительно ^исталлографических плоскостей

Dictionary<string, string> plreza=new Dictionary<string, string>(); //Соотношение диаметра и минимальной толщины пластины, отрезаемой

кругами АКВР

List<int> diam = new List<int>(); List<double> mint = new List<double>(); //Продолжительность отрезания пластины List<int> timeak = new List<int>(); //Круг List<int> timepr = new List<int>(); //Проволока int k = 0; string text = line;

string[] words = text.Split(delimiterChar);

foreach (string s in words) {

if (k == 0) { name = s; }

if (k == 1) {

int k2 = 1; string text2 = s; string str1 = ""; string str2 = "";

string[] words2 = text2.Split(';');

foreach (string s2 in words2) {

if (k2 == 1) { str1 = s2; } if (k2 == 2)

str2 = s2;

if (strl != "" && str2 != "") {

plreza.Add(str1, str2);

}

k2 = 0;

}

k2++;

}

} if (k == 2) {

int k2 = 1; string text2 = s; string strl = ""; string str2 = "";

string[] words2 = text2.Split(';');

foreach (string s2 in words2) {

if (k2 == 1) { strl = s2; }

if (k2 == 2) {

str2 = s2;

if (strl != "" && str2 != "") {

diam.Add(Convert.ToInt32(str1)); mint.Add(Convert.ToDouble(str2));

}

k2 = 0;

}

k2++;

}

}

if (k == 3) { pl = Convert.ToDouble(s); }

if (k == 4) {

int k2 = 1; string str1 = ""; string str2 = ""; string text2 = s;

string[] words2 = text2.Split(';');

foreach (string s2 in words2) {

if (k2 == 1) { str1 = s2; } if (k2 == 2) { str2 = s2; }

if (k2 == 3) {

if (str1 != "" && str2 != "" && s2!="")

{

timeak.Add(Convert.ToInt32(str2)); timepr.Add(Convert.ToInt32(s2));

}

k2 = 0;

}

k2++;

}

}

}

item mater = new item(id, name, pl, plreza, diam, mint, timeak,

timepr); //Материал

Materials.Add(mater);

comboBox1.Items.Add(mater.Name);

count++;

}

}

comboBox1.Items.Add("Добавить новое"); //MessageBox.Show("База загружена");

}

catch (Exception E1) {

MessageBox.Show("База материалов не подключена!");

}

}

Вспомогательные функции:

bool PopRazmer(double D) {

double dmax = Convert.ToDouble(proverit(textBox7.Text));

if (D > dmax) {

return (false);

}

else {

return (true);

}

}

bool ShirRazmer(double T) {

double tmin = Convert.ToDouble(proverit(textBox8.Text));

if (T < tmin) {

return (false);

}

else {

return (true);

}

}

bool Partiya(double T) {

double tmax = 1000;

if (T >= tmax) {

return (false);

}

else {

return (true);

}

}

bool Tolshina(double S,double D) {

double vD =0;//Выбранный диаметр int i=0;

for(i=0; i<=Materials[comboBox1.SelectedIndex].Diam.Count; i++)

{

if(Convert.ToDouble(Materials[comboBox1.SelectedIndex].Diam[i])>=D) {

vD = Convert.ToDouble(Materials[comboBox1.SelectedIndex].Diam[i]);

break; }

}

double tmin = Convert.ToDouble(Materials[comboBox1.SelectedIndex].minT[i]);

if (S < tmin) {

return (false);

}

else {

return (true);

}

}

bool Operativ(double D,double R,double S,double T) {

double vD = 0;//Выбранный диаметр int i = 0;

for (i = 0; i <= Materials[comboBox1.SelectedIndex].Diam.Count; i++) {

if (Convert.ToDouble(Materials[comboBox1.SelectedIndex].Diam[i]) >= D) {

vD = Convert.ToDouble(Materials[comboBox1.SelectedIndex].Diam[i]); break;

}

}

int kolPl = Convert.ToInt32(R / (S + ^);//Количество пластин

if(Materials[comboBox1.SelectedIndex].TimeRezaPR[i]/kolPl > Materials[comboBox1.SelectedIndex].TimeRezaAK[i]) {return true;} else{return false;}

}

Приложение Б.

Разработка мероприятий по инструментальному обеспечению оптимальных техпроцессов разделения слитков на пластины

Разработка конструкции круга АКВР с несимметричной режущей кромкой.