Распространение нелинейных электромагнитных волн в неоднородных квантовых сверхрешетках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Попов, Константин Алексеевич

• Попов, Константин Алексеевич
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Попов, Константин Алексеевич

Содержание.

Введение.

ГЛАВА 1. Неоднородные квантовые сверхрешетки и нелинейные волны.

ГЛАВА 2. Квазиклассические процессы в сверхрешетках.

§ 2.1. Поглощение нелинейных волн при ионизации примесных центров.

§ 2.2. Коэффициент поглощения нелинейных волн при ионизации примесей в присутствии ВЧ-поля.

§2.3. Межминизонный пробой в постоянном электрическом поле и поле нелинейной волны.

§ 2.4. Выводы.

ГЛАВА 3. Увлечение носителей тока нелинейными волнами в процессе ионизации примесей.

§3.1. Ток увлечения при ионизации примесей нелинейными периодическими волнами.

§ 3.2. Увлечение свободных носителей бризером.

§ 3.3. Выводы.

ГЛАВА 4. Распространение уединенных электромагнитных волн в неоднородных сверхрешетках.

§4.1. Стабилизация формы электромагнитного солитона постоянным электрическим током.

§ 4.2. Фильтр уединенных волн на основе квантовой сверхрешетки.

§ 4.3. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Распространение нелинейных электромагнитных волн в неоднородных квантовых сверхрешетках»

АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ.

В последние десятилетия бурное развитие получила полупроводниковая техника. Это связано как с более углубленным исследованием свойств полупроводниковых материалов, так и с открытием и внедрением новых перспективных материалов. В частности, одним из таких материалов стала полупроводниковая квантовая сверхрешетка (СР), впервые синтезированная в начале 70-х годов. Практическое применение СР началось уже в 80-х годах, и сейчас мы имеем целый спектр полупроводниковых приборов на основе квантовых СР от диодов и транзисторов с рядом уникальных свойств до различных элементов лазерной техники.

Столь широкий спектр применения СР обусловлен разнообразием их физических свойств. Так, например, наличие в вольтам-перной характеристике СР участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением позволяет использовать квантовую СР в качестве генератора волн субмиллиметрового диапазона. Не менее интересными, а, возможно, и более перспективными, представляются оптические свойства СР. Очень важно, что электромагнитные (ЭМ) волны, распространяющиеся в квантовой СР, становятся существенно нелинейными уже при относительно слабых полях по сравнению с обычными полупроводниковыми материалами. Одним из следствий этого является возможность существования в СР нелинейных периодических и уединенных (солитонов, бризеров) волн, которые могут быть использованы в микроэлектронике в качестве носителей информации. Но экспериментальное изучение распространения нелинейных волн в полупроводниковой СР затруднено их сильным затуханием. В связи с этим возникает проблема изучения различных каналов затухания ЭМ волн. Основным диссипативным фактором является взаимодействие ЭМ волн с неоднородностями СР, всегда присутствующими в полупроводниковых материалах, и поглощение волн при ионизации примесных центров и при межминизонных переходах. Поэтому представляется актуальным изучение процессов распространения нелинейных ЭМ волн в СР, а так же построение теории новых эффектов, которые могли бы лечь в основу работы электронных приборов, основанных на оптических свойствах квантовых СР. Под неоднородными СР в данной работе понимаются полупроводниковые СР, содержащие примеси и (или) области повышенной концентрации носителей тока.

Настоящая диссертация посвящена теоретическому исследованию эффектов, связанных с процессами распространения и эволюции нелинейных ЭМ волн в неоднородных квантовых СР. Представляется, что сформулированные в данной работе положения и рекомендации стимулируют постановку новых экспериментов и создание новых полупроводниковых приборов.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ.

Целью работы является:

- изучение процессов распространения и затухания нелинейных ЭМ волн в полупроводниковых квантовых СР, содержащих примеси и различного рода неоднородности;

- изучение возможности детектирования и идентификации нелинейных волн с использованием эффекта увлечения электронов в процессе ионизации примесных центров;

- выявление возможности стабилизации формы ЭМ волн в

СР;

- теоретическое обоснование принципа действия фильтра нелинейных волн на основе неоднородной квантовой СР.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА.

В данной работе впервые:

1. Исследованы квазиклассические процессы ионизации примесных центров и эффект Франца-Келдыша в СР при распространении нелинейных периодических ЭМ волн.

2. Рассмотрена возможность детектирования кноидальных ЭМ волн на основе эффекта увлечения носителей тока в процессе ионизации примесных центров.

3. Предсказан эффект стабилизации формы ЭМ солитона в СР под действием постоянного (заданного внешним источником) электрического тока.

4. Предсказан эффект, который может быть положен в основу действия солитонного фильтра на базе квантовой СР, позволяющего пропускать лишь солитоны, скорость которых превышает некоторое критическое значение.

ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ.

1. Вероятность квазиклассических процессов в СР при распространении кноидальных волн (ионизация примесных центров, эффект Франца-Келдыша) превышает значение вероятности квазиклассических процессов, протекающих в СР при распространении линейных волн равных по частоте и амплитуде нелинейным волнам.

2. Плотность тока увлечения при ионизации примесных центров нелинейными периодическими ЭМ волнами, распространяющимися вдоль слоев CP, в определенных условиях превосходит ток увлечения свободных носителей. Их отношение быстро растет с увеличением амплитуды нелинейной волны, либо с уменьшением ширины минизоны проводимости.

3. Солитон, распространяющийся вдоль слоев CP, может быть стабилизирован постоянным током, протекающим вдоль оси СР. При этом стационарная скорость солитона становится постоянной и определяется величиной постоянного тока и параметрами СР.

4. На основе квантовой CP, имеющей неоднородный слой с повышенной концентрацией носителей тока, может быть создан фильтр нелинейных уединенных волн. Такой фильтр пропускает солитоны с энергией, превышающей критическое значение, определяемое параметрами неоднородности и СР.

Достоверность полученных результатов обеспечивается использованием в работе современных, хорошо апробированных методов теоретической физики: метода мнимого времени, квантово-механической теории возмущений, теории возмущений для уравнения sine-Gordon (SG), предложенной МакЛафлином и Скоттом; непротиворечивостью выводов исследования основным физическим закономерностям, а также предельным переходом обобщающих результатов к ранее известным (частным) результатам.

Научная и практическая ценность работы состоит в том, что теоретически исследованные в ней эффекты позволяют глубже понять сущность соответствующих физических процессов и стимулируют постановку новых экспериментов.

ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ РАБОТЫ:

1) неоднородные композиционные полупроводниковые CP, представляют практический интерес для микроэлектроники (создание новых элементов для микросхем), оптики (комплектующие полупроводниковых лазеров, генераторы и усилители сигналов);

2) нелинейные волны, имеющие приложения в нелинейной, квантовой оптике, в теории информации, а также, относительно недавно, ставшие предметом пристального внимания физиков, работающих в области теории поля.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ.

Результаты исследований опубликованы в центральной научной печати (журналы ФТП, "Оптика и спектроскопия", Известия ВУЗов "Радиофизика") и докладывались на:

- II и III Межвузовских научно-практических конференциях студентов и молодых ученых Волгоградской области (Волгоград. 1995, 1996гг.);

- VII и VIII Межнациональных совещаниях "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь. 1997, 1998гг.);

- VII Международной научно-технической конференции "Оптические, радиоволновые, тепловые методы и средства контроля природной Среды, материалов и промышленных изделий" (Череповец. 1997г.);

- научных конференциях профессорско-преподавательского состава Волгоградского государственного педагогического университета (1995-1997гг.);

- научных семинарах кафедры теоретической физики ВГПУ.

Личный вклад автора. Основные положения диссертации опубликованы в соавторстве с научным руководителем Крючковым C.B. Автор диссертации принимал непосредственное участие в вычислениях и обсуждении результатов работы, а также полностью выполнил численный расчет и моделирование процессов на ЭВМ.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Попов, Константин Алексеевич

§4.3. Выводы.

1. Постоянный ток, текущий вдоль оси СР, может компенсировать влияние диссипационных факторов, действующих на ЭМ солитон, распространяющийся вдоль слоев СР. При этом стабилизируется форма солитона, а его скорость определяется величиной постоянного тока и параметрами СР.

2. СР с неоднородным слоем, расположенным вдоль оси СР, перпендикулярно направлению распространения солитонов, может быть использована в качестве управляемого фильтра ЭМ солитонов. Такой фильтр будет пропускать солитоны высоких энергий и задерживать волны с малой энергией. Нижний порог пропускания определяется параметрами неоднородности, СР и величиной постоянного тока.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

В заключении приведем основные результаты данной работы.

1. Вероятность ионизации примесных центров СР нелинейной периодической волной выше, чем вероятность ионизации линейной волной при тех же значениях амплитуды и частоты.

2. Присутствие ВЧ-поля приводит к росту вероятности ионизации примесей нелинейными волнами, что в свою очередь может повлиять на возможность использования ВЧ-поля для стабилизации формы ЭМ солитона за счет роста электронной концентрации, а значит и плазменной частоты, определяющей параметры солитона.

3. Наличие даже малого возмущения (слабое электрическое поле, Е ~ 300 В/см), кроме поля нелинейной волны, приводит к экспоненциальному росту вероятности межминизонного пробоя.

4. Ток увлечения электронов при ионизации примесных центров в СР нелинейными периодическими волнами имеет осциллирующую зависимость от коэффициента нелинейности кноидаль-ной волны (к).

5. При концентрации примесных центров на порядок и более превышающей концентрацию свободных носителей в минизоне проводимости ток увлечения при ионизации примесей превосходит ток увлечения свободных носителей нелинейными волнами при тех же параметрах волны и СР.

6. Постоянный ток, текущий вдоль оси СР, может компенсировать влияние диссипационных факторов, действующих на ЭМ солитон, распространяющийся вдоль слоев СР. При этом стабилизируется форма солитона, а его скорость определяется величиной постоянного тока и параметрами СР.

7. СР с неоднородным слоем, расположенным вдоль оси СР, перпендикулярно направлению распространения солитонов, может быть использована в качестве управляемого фильтра ЭМ солитонов. Такой фильтр будет пропускать солитоны высоких энергий и задерживать волны с малой энергией. Нижний порог пропускания определяется параметрами неоднородности, СР и величиной постоянного тока.

БЛАГОДАРНОСТИ.

Автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность научному руководителю Крючкову C.B. за постановку задач, долготерпение и доброе отношение. Хочется также поблагодарить Вязовского М.В. и Сыродоева Г.А. за обсуждение работы и ряд полезных рекомендаций по оформлению диссертации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Попов, Константин Алексеевич, 1998 год

1. Chang L.L., Esaki L., Howard W.E., Ludeke R. The growth of a GaAs-GaAlAs superlattice//J. Vac. Sci. Technol. - 1973. - V.10. - N1. -P.ll-16.

2. Келдыш Л.В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла//ФТТ. 1962. - Т.4. - N8. - С.2265-2267.

3. Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors/ЛВМ J. Res. Dev. 1970. - V.14. - N1. -P.61-67.

4. Шик А.Я. Сверхрешетки периодические полупроводниковые структуры//ФТП. - 1974. - Т.8. - N10. - С.1841-1864.

5. Ploog К., Dohler G.H. Compositional and doping superlattices in III-V semiconductors//Adv. in Phys. 1983. - V.32. - N3. - P.285-359.

6. Dohler G.H. Solid-state superlattices//Sci. Amer. 1983. - V.249. -N3.-P.118-126.

7. Vook F.L. Strained layer superlattices//Phys. Bull. 1984. - V.35. -P.474-477.

8. Nuyen T.L. Applications of superlattices//Helvetica Physica Acta. 1983. - V.56. - N1-3. - P.361-370.

9. Басс Ф.Г., Булгаков А.А., Тетервов А.П. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками. М.: Наука, 1989. 288с.

10. Физика полупроводниковых лазеров/ Под ред. Такумы X. М.:Мир, 1989.-310с.

11. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989.-207с.

12. Силин А.П. Полупроводниковые сверхрешетки//УФН. -1985. Т.147. - N3. - С.485-521.

13. Voos М. Some properties of semiconductor superlattices//Ann. telecommun. 1988. - V.43. - N7-8. - P.357-364.

14. Ванем Р.А., Кикоин К.А., Мессерер М.А., Первова Л.Я. Оптические переходы в GaAs, легированном кислородом и хромом// ФТП. 1990. - Т.24. - N10. - С.1827-1830.

15. Ку N.H., Araujo D., Pavesi L., Ganiere J.-D., Reinhart F.K. Luminescence study of Zn diffused GaAs//Helv. Phys. Acta. 1990. - V.63. - N6. - P.831-832.

16. Быковский В.А., Кольченко Т.И., Ломако B.M. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs : In, полученных хлоридным методом//ФТП. 1990. -Т.24. -N2. -С.2117-2120.

17. Schwabe R., Seifert W., Bugge F., Bindemann R., Agekyan V.F., Pogarev S.V. Photoluminescence of nitrogen-doped VPE GaAs//Solid state commun. 1985. - V.55. - N2. - C.167-173.

18. Paget D., Klein P.B., Shallow donors in semi-insulating GaAs and their role in the exitation of the 0.64-eV photoluminescence//Phys. Rev.

19. B. 1986. - V.34. - N2. - C.971-978.

20. Морозова В.А., Такля Ф., Остробородова В.В. Особенности примесного электропоглощения (ЭП) GaAs с Сг//ФТП. 1980. - Т. 14. -N9.-С. 1785-1787.

21. Chantre A., Bois D. Deep level optical spectroscopy in GaAs//J. Phys. Soc. Jap. 1980. - V.49. - Suppl.A. - C.247-250.

22. Бобылев Б.А., Калухов B.A., Торчинов Х.-М.З., Чикичев

23. C.И. Спектры фотоионизации глубоких уровней в GaAs, полученном жидкофазной эпитаксией//ФТП. 1985. - Т. 19. - N2. - С.244-247.

24. Lambert В., Deveaud В., Regreny A., Talalaeff G. Impurity photoluminescence in GaAs/Gai-xAlxAs multiple quantum wells//Physica. -1983. ВС. - P.117-118.

25. Martin P.A., Hess K., Emanuel M., Coleman J.J. Deep-level transient spectroscopy studies of defects in GaAs-AlGaAs superlattices//J. Appl. Phys. 1986. - V.60. - N8. - P.2882-2885.

26. Legros R., Mooney P.M., Wright S.L. Photoionization cross section of the DX center in Si-doped AlxGai-xAs//Phys. Rev. B. 1987. -V.35. - N14. - P.7505-7520.

27. Белявский В.И., Примесное оптическое поглощение в полупроводнике со сверхрешеткой//ФТТ. 1978. - Т.20. - N9. - С.2821-2322.

28. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. М.: Наукд, 1989. 768с.

29. Базь А.И., Зельдович Я.Б., Переломов A.M. Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской квантовой механике. М.: Наука, 1989.-288с.

30. Келдыш Л.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические хактеристики непроводящих кристаллов//ЖЭТФ. 1958. -Т.34. - N5. - С.1138-1141.

31. Frantz W. Einflusseines electrischen Felden auf eine optische Absorptionskante//Z. Naturforscung. 1958. - V.13. - N6. - P.484-489.

32. Бычков Ю.А., Дыхне A.M. Пробой полупроводников в переменном электрическом поле//ЖЭТФ. 1970. - Т.58. - N5. - С. 17341743.

33. Dohler G.H., Ruden P.P. Theory of absorption in doping superlattices//Phys. Rev. B. 1984. - V.30. - N10. - P.5932-5944.

34. Кумашян M.K., Киракосян A.A. Эффект Франца-Келдыша в полупроводниковой сверхрешетке//Физика (Ереван). 1987. - N7. -С.139-143.

35. Крючков С.В., Сыродоев Г.А. Эффект Франца-Келдыша в узкозонных полупроводниках в сильном переменном поле//Изв. ВУЗов СССР. Радиофизика. 1990. - Т.ЗЗ. - N6. - С.762-764.

36. Fork R.L., Shank C.V., Greene B.I., Reinhart F.K., Logan R.A. Picosecond spectroscopy of semiconductor microstructures//"Picosecond Phenomena 2. Proc. 2nd Int. Conf., Cape Cod, Mass., 1980". Berlin e.a. -1980.-P.280-284.

37. Olszakier M., Brener I., Ehrenfreund E., Cohen E. Intervalence-band photoinduced absorption in undoped GaAs/AlxGai-xAs multiple -quantum wells//Superlattices and microstructures. - 1990. - V.7. - N4. -P.291-293.

38. Катана П.К., Продан В.Д. Двухфотонное краевое оптическое поглощение в полупроводниках//ФТП. 1981. - Т15. - N3. - С.557-564.

39. Stewart A.F., Bass M. Intensity-depend absorption in semiconductors//Appl. Phys. Lett. 1980. -V.37. -Nil. -P.1040-1043.

40. Cao W.-L., Vaucher A.M., Lee Ch.H. Gneration of picosecond pulses of amplified spontaneous emission by twophoton exitation in GaAs// Appl. Phys. Lett. -1981. V.38. - N5. - P.306-308.

41. Монозон B.C., Игнатьева JI.А. Многофотонный эффект Франца-Келдыша в полупроводниках в сильном бихроматическом по-ле//ФТТ. 1986. - Т.28. - N5. - С.1489-1493.

42. Catalano I.B., Cingolani A., Lepore M., Cingolani R., Ploog K. Two-photon absorption processes in GaAs / AlxGai-xAs quantum wells // Nuovo cim. D. 1990. - V.12. - N10. - P.1465-1474.

43. Yee J.H. Quantum theory of photon-drag transport phenomena in solids and its application to tellurium cristal //Phys. Rev. B. 1974. - V.9. -N12.-P.5209-5216.

44. Yamazaki M., Miyakawa T. A theory of photon drag current in InAs-GaSb type semiconductor superlattices//Mem. Nat. Def. Acad. 1986. - V.26. - N3-4. - P.95-113.

45. Расулов Р.Я. Эффект увлечения при трехфотонном поглощении света в кристаллах типа германия//ФТП. 1988. - Т.22. - N11. -С.2077-2080.

46. Гринберг А.А., Маковский Л.Л. Теория фотоэлектрического и фотомагнитного эффектов, обусловленных импульсом фотонов при фотоионизации примесных центров в полупроводниках//ЖЭТФ. -1970. -Т.58. N6. -С.1162-1164.

47. Игнатов А.А. Об увлечении электронов интенсивной электромагнитной волной в полупроводниках со сверхрешеткой//ФТТ. -1980. Т.22. -N11.- С.3319-3321.

48. Kastalsky A., Duffield Т., Allen S.J., Harbison J. Photovoltaic detection of infrared light in a GaAs/AlGaAs superlattice//Appl. Phys. Lett. 1988. -V.52. -N16. - P. 1320-1322.

49. Альперович В.Jl., Белиничер В.И., Новиков В.Н., Терехов А.С. Эффект увлечения на межзонных переходах в арсениде галлия// ФТТ. 1982. - Т.24. - N3. - С.866-874.

50. Yamanaka К., Fukunaga Т., Tsucada N., Kobayashi K.L.I., Ishii M. Photocurrent spectroscopic observation of interband transition in GaAs/AlGaAs quantum wells under an applied high electric field//Surfase Sci. 1986. - V.174. - N1-3. - P.250-254.

51. Ullrich В., Zhang C., Fronius H., von Klitzing K. Photocurrent spectroscory in a sawtooth doping superlattice//Appl. Phys. Lett. 1988. -V.52. - N23. - P. 1967-1969.

52. Вязовский M.B., Крючков С.В., Сыродоев Г.А. Увлечение электронов светом, распространяющимся вдоль оси сверхрешетки// ФТТ. 1993. - Т.35. -N11.- С.3155-5158.

53. Игнатов А.А., Романов Ю.А. Самоиндуцированная прозрачность в полупроводниках со сверхрешеткой//ФТТ. 1975. - Т. 17. -N11. - С.3388-3389.

54. Орлов Л.К., Романов Ю.А. Нелинейное взаимодействие двух волн в полупроводниках со сверхрешеткой//ФТТ. 1977. - Т. 19. -N3. - С.726-731.

55. Романов Ю.А., Бовин В.П., Орлов Л.К. Нелинейное усиление электромагнитных колебаний в полупроводниках со сверхрешеткой//ФТП. 1978. - Т.12. - N9. - С.1665-1669.

56. Орлов Л.К., Романов Ю.А. Распадная неустойчивость электромагнитных волн в сверхрешетках//Изв. ВУЗов. Радиофизика. -1980. Т.23. - N12. - С. 1421-1427.

57. Cheng W. Nonlinear optics of semiconductor MOWsZ/Ули. Physics. 1986. - T.15. - N6. - C.345-349.

58. Эпштейн Э.М. Солитоны в сверхрешетке//ФТТ. 1977. -Т.19. - N11. - С.3456-3458.

59. Ablowitz M.J., Каир D.J., Newell А.С., Segur Н. Method for solving the sine-Gordon equation//Phys. Rev. Lett. 1973. - V.30. - N25. -P. 1262-1264.

60. Басс Ф.Г., Лыках B.A., Тетервов А.П. Нелинейные волны в полупроводнике со сверхрешеткой в постоянном электрическом поле// ФТП. 1982. - Т.16. - N5. - С.865-871.

61. Захаров В.Е., Манаков С.В., Новиков С.П., Питаевский Л.П. Теория солитонов. М.: Наука, 1980. 470с.

62. Абловиц М., Сигур X. Солитоны и метод обратной задачи. -М.:Мир, 1987.-479с.

63. Додд Р., Эйлбек Дж., Гиббон Дж., Моррис X. Солитоны и нелинейные волновые уравнения. М.: Мир, 1988. - 294с.

64. Солитоны/под ред. Р. Буллафа, Ф. Кодри. М.: Мир, 1983.408с.

65. Калоджеро Ф., Дегасперис А. Спектральные преобразования и солитоны. М.: Мир, 1985. - 343с.

66. Солитоны в действии/под ред. К. Лонгрена, Э. Скотта. М.: Мир, 1981.-312с.

67. Тахтаджян Л.А. Точная теория распространения ультракоротких оптических импульсов в двухуровневых средах// ЖЭТФ. 1974. - Т.66. - N2. - С.476-488.

68. Cristiansen P.L., Aspects of modern nonlinear dinamics: soliton and chaos phenomena//Radio Sci. 1984. - V.15. - N5. - P.l 124-1130.

69. Карпман В.И., Рябова Н.А., Соловьев В.В. Взаимодействие флаксонов в длинных джозефсоновских контактах//ЖЭТФ. 1981. -Т.81. - N4(10). - С.1327-1336.

70. Olsen О.H., Samuelsen M.R. Solitary wave interaction/AVave motion. 1982. - V.4. - N1. - P.29-35.

71. Карпман В.И., Маслов Е.М. Теория возмущений для соли-тонов//ЖЭТФ. 1977. - Т.73. - N2(8). - С.537-559.

72. Salerno M., Soerensen M.P., Scovgaard O., Christiansen P.L. Perturbation theories for sine-Gordon soliton dynamics/AVave motion. -1983. V.5. - NI. - P.49-58.

73. Эпштейн Э.М. Затухание солитона в сверхрешетке//Изв. ВУЗов СССР. Радиофизика. -1981. Т.24. - N10. - С. 1293-1294.

74. Эпштейн Э.М. Ионизация примесей солитоном в сверхре-шетке//Изв. ВУЗов СССР. Радиофизика. 1982. - Т.25. - N1. - С.3-5.

75. Крючков C.B. Эволюция параметров солитона в сверхрешетке в процессе ионизации примесей//ФТП. 1991. - Т.25. - N3. -С.568-571.

76. Эпштейн Э.М. Увлечение электронов солитонами в полупроводниковой сверхрешетке//ФТП. 1980. - Т. 14. - N12. - С.2422-2424.

77. Эпштейн Э.М. Усиление и обращение солитоноэлектриче-ского тока в сверхрешетке внешним магнитым полем//ФТП. 1982. -Т.16. - N12. - С.2231-2233.

78. Крючков C.B. Увлечение электронов солитонами в сверхрешетке при ионизации примесных центров//ФТП. 1991. - Т.25. - N4. -С.740-742.

79. Басс Ф.Г., Крючков C.B., Шаповалов А.И. Влияние однородного высокочастотного поля на форму электромагнитной волны в квантовой сверхрешетке//ФТП. 1995. - Т.29. - N1. - С.19-23.

80. Карпман В.И., Маслов Е.М., Соловьев В.В. Динамика био-нов в длинных джозефсоновских контактах//ЖЭТФ. 1983. - Т.84. -N1. - С.289-299.

81. Dueholm В., Levring O.A., Mygind J., Pedersen N.F., Soerensen О.H., Cirillo M. Nonlinear waves in the long Josephson junctions //Phys. Rev. Lett. -1981. V.46. - P. 1299.

82. Крючков C.B., Сыродоев Г.А. Ионизация примесей бризе-рами в сверхрешетке//ФТП. 1990. - Т.24. - N5. - С.913-915.

83. Крючков C.B., Сыродоев Г.А. Затухание бризера в сверхре-шетке//ФТП. 1990. - Т.24. - N6. - С.1120-1123.

84. Справочник по специальным функциям/ под ред. М.Абрамовича, И.Стигана. М.: Наука, 1979. 832с.

85. Ахиезер Н.И. Элементы теории эллиптических функций. -М.: Наука, 1970.

86. Крючков C.B., Шаповалов А.И. К теории светоэлектриче-ского эффекта в режиме нелинейных волн в сверхрешетке/Юптика и спектроскопия. 1996. - Т.84. - N2. - С.336-340.

87. Fischer R., Masselink W.T., Sun Y.L. и др. Improvement of the inverted GaAs/AlGaAs heterointerface // J. Vacuum Sei. Technol. B. 1984. -T.2.-C. 170-174.

88. Быковский В.А., Утенко В.И. Люминесценция арсенида галлия с участием пар атомов переходных металлов и мелких примесей // ФТП. 1989. - Т.23. - N10. - С.1767-1770.

89. Богданова В.А., Семиколенова H.A. Фотолюминесценция арсенида галлия с участием атомов хрома// ФТП. 1992. - Т.26. - N5. -С.818-821.

90. Крючков C.B. Об ионизации примесных центров солитона-ми // ФТП. 1989. - Т.23. - N7. - С.1314-1316.

91. Ивлев Б.И., Мельников В.И. Квазиклассические процессы в высокочастотном поле // ЖЭТФ. 1986. - Т.90. - N6. - С.2208-2225.

92. Крючков C.B., Сыродоев Г.А. Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей // ФТП. 1989. - Т.23. - N5. - С. 857864.

93. Солимар Л., Уолш Д. Лекции по электрическим свойствам материалов. М.: Мир, 1991. 504с.

94. Woodward T.K., Sizer Teodor (II), Sivco D.L., Cho A.Y. Optical modulator based on the GaAs/AlGaAs heterojunction // Appl. Phys. Lett.- 1990. T.57. - N6. - C.548-550.

95. Silberberg Y., Smith P.W., Eilenberger D.J., Miller D.A.B, et al. Passive mode locking of a semiconductor diode laser // Opt. Lett. 1984. - T.9.- C.507.

96. Miller D.A.B., ChemlaD.S., Damen T.C., Gossard A.C. et al. Novel hybrid optically bistable switch. The quantum well self-electro-optic effect device // Appl. Phys. Lett. 1984. - T.45. - N1. - C.13-15.

97. Miller D.A.B., Chemla D.S., Damen T.C., Wood T.H. et al. The quantum well self-electrooptic effect device: optoelectronic bistability and oscillation, and self-linearized modulation //IEEE J. Quantum Electron. -1985. -QE-21. -C.1462.

98. Fujiwara K., Shneider H., Cingolani R., Ploog K. Successive Wanier-Stark localization and exitonic enhancment of intersubband absorption in a short-period GaAs/AlAs superlattice // Solid State Commun. 1989. -T.72. - N9. - C.935-939.

99. Niki S., Kellner A.L., Lin S.C. et al. Electroabsorption effects in InxGaixAs/GaAs strained-layer superlattices //Appl. Phys. Lett. -1990. T. 56.- N5. C.475-477.

100. Shi Jun-jie, Dai Xian-qi, Pan Shao-hua Nonlinear intersubband optical absorption in AlxGai.xAs/GaAs superlattices // Acta phys. sin. Overseas Ed. 1994. - T.3. - N6. - C.413-425.

101. Dupont E., Corcum P., Liu H.C., Wilson P.H. et al. Multiphoton absorption in AlGaAs/GaAs quantum wells // Appl. Phys. Lett. 1994. -T.65. - N12. - C. 1560-1562.

102. Collins R.T., v.Klitzing K., Ploog K. Photoexited transport in GaAs/AlAs quantum wells // Appl. Phys. Lett. 1986. - T.49. - N7. - C.406-408.

103. Гринберг A.A. О фотоэлектрическом эффекте в полупроводниках // ЖЭТФ. 1970. - Т.58. - С.989.

104. Дмитриев А.П., Емельянов С.А., Иванов C.B. et al Фото-ток увлечения в двумерном электронном газе в области циклотронного резонанса и его первой субгармоники // Письма в ЖЭТФ. 1991. -Т.54. - N8. - С.460-463.

105. Эпштейн Э.М. Затухание солитона в сверхрешетке // Изв. ВУЗов СССР. Радиофизика. -1981. -Т.24. N4. - С.514-516.

106. Крючков C.B. Увлечение электронов бризерами в сверхрешетке при ионизации примесных центров // Изв. ВУЗов СССР. Радиофизика. -1991. -Т.35. -N9. С. 1064-1068.

107. Коротеев Н.И., Шумай И.П. Физика мощного лазерного излучения. М.: Наука, 1991. 312с.

108. Ахманов С.А., Выслоух В.А.,Чиркин A.C. Оптика фемтосе-кундных лазерных импульсов. М.: Наука, 1988. с.

109. Беленов Э.М., Гречко JI.A., Канавин А.П. Электродинамика распространения ультракоротких импульсов света в металлах // Письма в ЖЭТФ. 1993. - Т.58. - N5. - С.331-334.

110. Крючков C.B., Попов К.А. Ионизация примесных центров в полупроводниковой квантовой сверхрешетке нелинейными электромагнитными волнами//ФТП. 1998. - Т.32. - N3. - С.334-337.

111. Крючков C.B., Попов К.А. Эффект Франца-Келдыша в сверхрешетке в поле нелинейной электромагнитной волны//Изв. ВУЗов. Радиофизика. 1998. - Т.41. - N6. - С.758-766.

112. Крючков C.B., Попов К.A. Увлечение носителей тока в сверхрешетке при ионизации примесных центров нелинейными электромагнитными волнами//"Оптика и спектроскопия". (Принято к печати.)

113. Крючков C.B., Попов К.А. Увлечение свободных носителей бризером в сверхрешетке с учетом столкновений// Труды VIII Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела". Севастополь. - 1998. - С.95-98.

114. Крючков C.B., Попов К.А., Шаповалов А.И. Нелинейные электромагнитные волны в сверхрешетке// Депонировано в ВИНИТИ N1399-B96. 1996. - 28с.

115. Попов К.А. Фильтр нелинейных волн на основе квантовой сверхрешетки// Тезисы II Межвузовской научно-практической конференции студентов и молодых ученых Волгоградской области. Волгоград. - 1996. -С. 108-112.

116. Крючков C.B., Попов К.А. О возможности солитонного фильтра на основе квантовой сверхрешетки//ФТП. 1996. - Т.30. - N12. - С.2168-2172.

117. Крючков C.B., Попов К.А. О распространении электромагнитного солитона в неоднородной квантовой сверхрешетке// Материалы VII Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела". Севастополь. - 1997. - С. 188-189.