Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Новиков, Владимир Александрович

• Новиков, Владимир Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Новиков, Владимир Александрович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ВЛИЯНИЕ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА СВОЙСТВА СЛОЖНЫХ ФОСФИДОВ ГРУПП III-V (InP, GaP) ИII-IV-V2 (CdSnP2, ZnGeP2) (Литературный обзор).

1.1. Фосфид индия (InP).

1.1.1. Электрофизические свойства.

1.1.2. Уровни радиационных дефектов.

1.1.3. Оптические свойства

1.1.4. Термическая стабильность радиационных дефектов.

1.2. Фосфид галлия (GaP)

1.2.1. Электрофизические свойства.

1.2.2. Уровни радиационных дефектов.

1.2.3. Оптические свойства.

1.2.4. Термическая стабильность радиационных дефектов.

1.3. Дифосфиды: кадмий-олова (CdSnP2) и цинка германия (ZnGeP2).

1.4. В ы в о д ы.

ГЛАВА 2. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ФОСФИДЕ ИНДИЯ (InP).

2.1. Электрофизические свойства облученного InP.

2.1.1. Электроны.

2.1.2. Ионы Н+.

2.1.3. Быстрые нейтроны.

2.1.4. Температурные зависимости электрофизических свойств и спектры НЕСГУ.

2.1.5. Анализ дозовых зависимостей постоянной Холла.

2.2. Радиационные дефекты в InP в условиях гидростатического сжатия.

2.3. Аннигиляция позитронов в облученном нейтронами InP.

2.4. Термическая стабильность радиационных дефектов

2.5. Выводы.

ГЛАВА 3. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ФОСФИДЕ ГАЛЛИЯ (GaP)

3.1. Электрофизические свойства GaP, облученного частицами высоких энергий

3.1.1. Электроны.

3.1.2. Ионы Н+.

3.1.3. Дозовые зависимости электрофизических свойств GaP.

3.2. Радиационные дефекты в GaP в условиях гидростатического сжатия.

3.3. Термическая стабильность радиационных дефектов

3.4. Оптические свойства облученного электронами GaP

3.4.1. Спектры оптического поглощения GaP.

3.4.2. Восстановление спектров поглощения при изохронном отжиге.

3.5. Выводы.

ГЛАВА 4. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ДИФОСФИДЕ КАДМИЯ

ОЛОВА (CdSnP2) И ДИФОСФИДЕ ЦИНКА ГЕРМАНИЯ (ZnGeP2).

4.1. Электрические и оптические свойства исходных кристаллов ZnGeP2.

4.1.1. Электрические свойства.

4.1.2. Оптические свойства

4.2. Свойства CdSnP2 и ZnGeP2, облученных электронами и ионами Н+.

4.2.1. Электрофизические свойства.

4.2.2. Температурные и дозовые зависимости электрофизических свойств облученных CdSnP2 и ZnGeP2.

4.2.3. Оптические свойства облученного электронами ZnGeP

4.2.4. Аннигиляция позитронов в облученном электронами ZnGeP2.

4.3. Радиационные дефекты в CdSnP2 и ZnGeP2 в условиях гидростатического сжатия

4.4. Термическая стабильность радиационных дефектов в CdSnP2 и ZnGeP

4.6. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах»

Актуальность работы. Полупроводниковые фосфиды группы III-V (InP,GaP) находят широкое применение в производстве приборов различного назначения: в СВЧ-технике, в производстве приборов оптоэлектроники (фотодиоды, фотокатоды, светодиоды, элементы интегральной оптики) [1]. Их прямые изоэлектронные тройные аналоги группы II-IV-V2 (CdSnP2, ZnGeP2) также относятся к перспективным материалам опто- и микроэлектроники. Так, CdSnP2 может найти применение в производстве приборов СВЧ-техники и ОКГ, a ZnGeP2, в силу характерной для него анизотропии оптических свойств, применяется в нелинейной оптике в качестве материала для изготовления параметрических преобразователей и смесителей оптического излучения ИК-диапазона [2,3]. Использование полупроводников для производства приборов предъявляет особые требования к структурному совершенству материала и отсутствию в полупроводнике собственных дефектов решетки (СДР). Для сложных соединений, вследствие отклонения их состава от стехиометрического при выращивании, характерно наличие высокой концентраций СДР, которые значительно влияют на свойства материалов, а в случае тройных соединений группы II-IV-V2 зачастую и определяют параметры кристаллов. Поэтому исследование влияния СДР на свойства материалов является одним из важнейших направлений материаловедения полупроводников.

Бомбардировка полупроводников высокоэнергетическими частицами наиболее простой и эффективный метод формирования СДР с целью их последующего исследования. Это также открывает возможности управления важнейшими параметрами материалов - концентрацией и подвижностью свободных носителей заряда, удельным электросопротивлением и типом проводимости, оптической прозрачностью и т.д., что широко используется в радиационной технологии, включая ионное и трансмутационное легирование, применение которых невозможно без знания физической природы радиационных дефектов и их влияния на свойства материалов. Широкое использование полупроводниковых материалов и приборов на их основе в условиях высокоэнергетичеких воздействий предъявляет особые требования к их радиационной устойчивости, что также является предметом самостоятельных исследований.

Выбор "родственных" полупроводников и их облучение высокоэнергетическими частицами в идентичных условиях позволяют проанализировать общие закономерности радиационного модифицирования группы "родственных" материалов и прогнозировать характер изменения параметров тройных соединений на основе исследований их более простых бинарных аналогов.

К началу выполнения данной работы (1981 г.) исследования радиационных дефектов (РД) в InP и GaP насчитывали несколько десятков публикаций. Что касается тройных фосфидов CdSnP2 и ZnGeP2, то данные по РД в них были крайне ограничены и получены преимущественно в отделе физики полупроводников СФТИ им. В.Д. Кузнецова (г. Томск). В последние годы достигнут определенный успех в изучении РД в полупроводниках. Это обусловлено, в первую очередь, применением дополнительных к традиционным методам (эффект Холла, исследования электропроводности, оптической прозрачности и фотопроводимости) методик, таких как нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней (НЕСГУ), методов электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и аннигиляции позитронов. Однако, существенное влияние примесного состава и типа исходного материала, а также условий облучения (тип высокоэнергетических частиц, их энергия и температура облучения) на процессы дефектообразования приводят к значительным различиям результатов исследований разных авторов как по спектру уровней РД, так и по параметрам облученных материалов. При этом выполненные работы относились к условиям невысоких доз облучения, когда плотность РД была сравнима с уровнем легирования материала примесями. Отсутствовали экспериментальные данные по "предельным" характеристикам InP, GaP, CdSnP2 и ZnGeP2, облученных высокими интегральными потоками частиц, когда свойства материала полностью определяются РД. Все это затрудняет понимание природы РД и их влияния на свойства полупроводников. Имеющиеся данные не позволяют объяснить наблюдаемые экспериментально изменения электрофизических и оптических свойств этих материалов при облучении, и проблема изучения РД в данных соединениях остается актуальной.

Объект и методы исследований. Объектом исследований являются объемные кристаллы InP и GaP n, р, i- типа проводимости, выращенные методом Чохральского, n-CdSnP2 и p-ZnGeP2, выращенные методом Бриджмена, облученные электронами интегральными потоками до 1019 см'2, ионами Н - до 1,7х1016 см"2 и быстрыми нейтронами - до 1019 см"2. В качестве методов исследования использовались: измерение электрофизических свойств и спектров оптического пропускания; метод нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ); измерение удельного сопротивления образцов при всестороннем сжатии; измерение углового распределения аннигиляционных гамма - квантов; изохронный отжиг.

Научная новизна работы.

• Оценены "предельные" электрофизические параметры и "предельное" положение уровня Ферми FUm в облученных InP, GaP, CdSnP2, ZnGeP2.

• Выявлено подобие в изменении электрофизических свойств бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) аналогов при высокоэнергетическом радиационном воздействии и последующем изохронном отжиге.

• Показано, что асимметрия в скоростях удаления свободных носителей заряда в п- и р-InP и "закрепление" уровня Ферми в верхней половине запрещенной зоны при облучении обусловлены образованием состояний радиационных дефектов в области разрешенных энергий зоны проводимости InP.

• Из измерения спектров оптического поглощения выявлена высокая скорость образования "глубоких" радиационных дефектов в запрещенной зоне облученного GaP.

• Предложена модель оптического "просветления" кристаллов p-ZnGeP2 при облучении и последующем отжиге.

• Установлены области высокой и низкой чувствительности электросопротивления к всестороннему сжатию в облученных соединениях InP, GaP, CdSnP2 и ZnGeP2.

• Определены температурные интервалы восстановления параметров сильнооблученных электронами, протонами и нейтронами InP, GaP, CdSnP2, ZnGeP2 и обнаружено образование вакансионных кластеров при отжиге облученных InP и ZnGeP2.

Практическая значимость работы. Результаты, использованные при написании диссертации, получены при выполнении г/б НИР по заказ-нарядам Минобразования РФ, хоздоговоров с предприятиями Минхимпрома (ГНЦ РФ "ФНИФХИ им. Л.Я. Карпова", г. Обнинск), грантов Министерства образования РФ (Фундаментальные исследования в области ядерной техники и физики пучков ионизирующих излучений "Ионные пучки и научно-технологические основы их применения", 1994-1995, 1996-1997 гг.), программы "Университеты России" (19951996 гг.), программы МНТЦ (проект №1630 "Высокостабильные радиационно-стойкие полупроводники", 2003-2005 гг.).

Совокупность экспериментальных данных позволяют прогнозировать и целенаправленно изменять тип проводимости, номинал удельного сопротивления, оптическую прозрачность, чувствительность к давлению InP, GaP, CdSnP2, ZnGeP2 путем высокоэнергетического облучения и последующего отжига, что может найти применение в радиационной технологии и оценках радиационной устойчивости данных соединений.

Исследование электрофизических свойств облученного InP в условиях гидростатического сжатия показало, что кристаллы с "предельными" электрофизическими параметрами (n-тип проводимости, F/imxEc-0,31эВ) обладают высокой чувствительностью к давлению и не изменяют своих свойств при последующем облучении. Это позволило предложить техническое решение на способ изготовления полупроводникового датчика давления на основе облученного InP (А/С N 1127467(СССР).-1984).

Показано, что оптическое "просветление" кристаллов p-ZnGeP2 при облучении в области "примесного" поглощения обусловлено перезарядкой глубокого исходного дефекта решетки. Определен оптимальный интервал потоков частиц и температур отжига, при которых этот эффект имеет максимальное значение, что позволяет целенаправленно изменять оптическую прозрачность кристаллов ZnGeP2 в области "примесного" поглощения. По результатам исследования предложено техническое решение на способ оптического "просветления" кристаллов ZnGeP2 (А/С № 1304665(СССР), (доп. к А/С 1032937).-1986).

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Значения "предельных" электрофизических параметров пцт, рПт и положение уровня Ферми Film в облученных электронами, протонами и быстрыми нейтронами соединениях InP, GaP, CdSnP2, ZnGeP2 не зависят от предыстории материала и условий облучения. Смещение Fnm из верхней половины запрещенной зоны для InP, CdSnP2 в середину запрещенной зоны для GaP, ZnGeP2 обусловлены особенностями электронных спектров данных соединений.

2. Модель оптического "просветления" кристаллов p-ZnGeP2 в "примесной" области спектра при высокоэнергетическом облучении и последующем изохронном отжиге, основанная на перезарядке основного по концентрации ростового дефекта материала(£'у+(0,5-0,6) эВ), за счет движения -уровня Ферми при введении радиационных дефектов и их отжиге.

3. Высокая чувствительность электросопротивления к всестороннему сжатию (0,6-3,2)х10"4 бар'1 облученных фосфидов с уровнем Ферми, расположенным в области (Ec>F>Eg/2), и низкая - (0,1-0,4)х10"4 бар'1 в области (ES/2>F>EV) в данных материалах обусловлены "закреплением" энергетических уровней локализованных состояний радиационных дефектов относительно потолка валентной зоны.

4. Температурные интервалы восстановления электрофизических и оптических свойств сильнооблученных электронами и протонами кристаллов InP, CdSnP2 - до (500-600) °С и GaP, ZnGeP2 - до (600-700) °С при изохронном отжиге и эффект кластеризации радиационных дефектов при температурах (100-450)°С в InP и ZnGeP2.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы доложены на 34 Всесоюзном Совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (Алма-Ата, 1984 г.), IX и XII Республиканских семинарах по "Радиационной физике твердого тела" (Киев, 1983, 1986 гг.), XI, XII, XIII, XIV Всесоюзных семинарах по "Радиационной физике полупроводников" (Новосибирск, 1984, 1985, 1987, 1989, 1991 гг.), Международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (Кемерово, 1998 г.), восьмой Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (Томск, 2002 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 11 статей в центральной и зарубежной печати, 2 тезисов докладов и 1 труды на научных конференциях, 2 отчета по НИР, получено 2 авторских свидетельства на изобретения.

Личный вклад автора. Диссертационная работа является результатом многолетних исследований автора, проводившихся совместно с сотрудниками отдела полупроводников ОСП "СФТИ Томского государственного университета". Участие в работе сотрудников отражено в совместных публикациях, докладах и научно-технических отчетах. Автором совместно с научным руководителем обсуждались цели работы и пути их достижения. Личный вклад автора включает выбор методов решения задач, подготовку образцов, их измерение, проведение численных расчетов, анализ и интерпретацию полученных данных. Автору принадлежит существенная часть результатов, опубликованных в совместных с другими исследователями работах, которые касаются анализа и выводов.

Автор благодарит научного руководителя и соавторов за помощь в исследованиях, а также коллективы: ФТИ РАН им. А.Ф.Иоффе (г. С-Петербург) за предоставление образцов ZnGeP2 и CdSnP2 для исследований, ИФ НАН Украины (г. Киев) за предоставление возможности облучения образцов большими интегральными потоками электронов, Филиал ФГУП "ФНИФХИ им. Л.Я. Карпова" (г. Обнинск) за облучение образцов электронами и нейтронами и других.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы. Объем работы составляет 135 страниц машинописного текста, включая 45 рисунков и список литературы из 175 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Новиков, Владимир Александрович

6. Результаты исследования электрофизических свойств облученных бинарных

InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) фосфидов при всестороннем сжатии в зависимости от положения уровня Ферми в запрещенной зоне кристаллов выявили области высокой чувствительности электросопротивления (3,2x10'4 бар'1 в InP, -6,0х10'5 бар'1 в GaP, 2,8х10'4 бар"1 в CdSnP2) в кристаллах n-типа проводимости {E^>F>E^2) и низкой чувствительности электросопротивления (менее ЗхЮ"5 бар"1 в InP, около -1x10"5 бар'1 в GaP, (4-5)хЮ'5 бар'1 в ZnGeP2) для образцов р-типа проводимости (Eg/2>F>EV) к давлению. Показано, что в условиях всестороннего сжатия уровни РД в исследованных материалах "следят" за положением Flim (=<Ес>/2) и "закреплены" относительно потолка валентной зоны. Результаты исследований послужили основой для разработки способа изготовления датчика давления на основе облученного InP (А/С N 1127467).

7. Для полного восстановления электрических и оптических свойств облученных большими интегральными потоками электронов и протонов кристаллов необходимы roOT.^>(500-600) °С для InP-CdSnP2 и Гоше>(600-700) °С для GaP-ZnGeP2. Из исследования угловых кривых аннигиляционных ^-квантов показано, что при нагреве облученных InP и ZnGeP2 в интервале температур (100-450) °С происходит формирование кластеров радиационных дефектов вакансионного типа-эффективных центров захвата позитронов, стабильных до Тотж>(300-600) °С.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе проведены исследования радиационных эффектов (электрофизические свойства, оптические свойства, тензоэлектрические свойства, аннигиляция позитронов, восстановление исходных свойств при отжиге) в кристаллах бинарных (InP, GaP) фосфидов и их тройных аналогов (CdSnP2, ZnGeP2) при идентичных условиях облучения электронами, протонами, нейтронами и последующем отжиге. Особое внимание уделено определению "предельных" электрофизических параметров облученных материалов, выявлению соответствия между изменением свойств бинарных и тройных аналогов при облучении, изучению ростовых дефектов в тройных полупроводниках, исследованию термической стабильности РД в сильнооблученных материалах, выявлению возможности применения методов радиационных технологий для улучшения параметров материалов и структур на их основе. Совокупность полученных данных позволяет сформулировать основные выводы работы следующим образом.

1. Из исследования электрофизических свойств бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидов при облучении большими интегральными потоками электронов, протонов и нейтронов определены значения "предельных" электрофизических параметров облученных материалов при Г=300К (InP - n-тип проводимости, п/;т=(2.5-4)х1012 см'3; F//m^£'v+l,04 эВ; CdSnP2 - п-тип проводимости, я//ет^2,5х1012 см"3; Fnm^Ev+0,87эВ; GaP - полуизолятор,

13 12 ртах= 1,5x10 Ом см, Fiin^Eg/2; ZnGeP2 - полуизолятор, ртах= Ю Ом см; Ftm=Egl2). Выявлена независимость этих параметров от предыстории материала и условий облучения. Это указывает на то, что значение Fum является фундаментальным параметром самого материала, а не спектра вводимых при облучении дефектов. Отмечено, что с ростом Eg в ряду бинарных и тройных CdSnP2-InP-ZnGeP2-GaP фосфидов наблюдается смещение положения Flim из верхней половины запрещенной зоны в сторону середины запрещенной зоны.

2. При больших потоках электронов, ионов Н+ и нейтронов в InP, GaP, ZnGeP2 обнаружено "аномальное" уменьшение р с ростом интегрального потока частиц по сравнению со значениями ртах обусловленное возникновением "прыжковой" проводимости носителей заряда по локализованным состояниям "глубоких" РД, высокая плотность которых выявлена также из измерений спектров оптического поглощения облученных материалов.

3. Численный анализ дозовых зависимостей электрофизических параметров, значительная асимметрия скоростей удаления электронов и дырок при облучении кристаллов п- и р-InP и закрепление уровня Ферми в верхней половине запрещенной зоны указывают на формирование состояний РД донорного типа в области разрешенных энергий зоны проводимости InP.

4. Спектры оптического поглощения в "примесной" области в облученном электронами (Е=2,2 МэВ) GaP и изменения их формы при облучении и отжиге, а также выявленные полосы оптического поглощения в области (1-1,2) эВ, (1,31,5) эВ, (2,1-2,3) эВ обусловлены формированием в запрещенной зоне GaP "глубоких" РД с суммарной скоростью введения (5-9) см'1 и процессами перезарядки обнаруженных РД при движении уровня Ферми в результате облучения и последующего отжига. Идентичность спектров поглощения в образцах n-GaP(Te), p-GaP(Zn), i-GaP(Cr), облученных большими потоками электронов (D>

1 О Л

3x10 см"), подтверждает достижение уровнем Ферми своего "предельного" положения Fiim в GaP.

5. Установлено, что основным по концентрации ростовым дефектом, определяющим исходные электрофизические и оптические свойства p-ZnGeP2 в "примесной" области спектра является состояние с энергетическим уровнем вблизи (£„+(0,5-0,6)эВ). Предложена модель оптического "просветления" p-ZnGeP2 в области hv<Eg при облучении, основанная на перезарядке данного ростового дефекта за счет движения уровня Ферми в направлении E^J2 при облучении. Обнаружена обратимость данного эффекта: (1) исходный оптический спектр-» оптическое "просветление"-> рост а в области hv<Eg при облучении; (2)оптическое "просветление"—^восстановление исходного спектра a(hv) при последующем отжиге облученного материала. Проведенные исследования послужили основой для разработки способа изготовления параметрического преобразователя оптического излучения (А/С N 1304665).

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Новиков, Владимир Александрович, 2007 год

1. Bachmann К .J. Properties, preparation, and device applications of indium phosphide// Annu.Rev.Mater.Sci.Vol.il. Palo Alto, Calif., 1981. - P. 441-484.

2. Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. Перспективы практического применения полупроводников А2В4С52// Физика и техника полупроводников. 1978. -Т. 12,1. B.2. С. 209-233.

3. Андреева Н.П., Андреев С.А., Матвеев И.Н., Пшеничников С.М., Устинов Н.Д. Параметрическое преобразование излучения ПК-диапазона в цинк-германиевом дифосфиде// Квантовая электроника. 1979. - Т.6, N2. - С. 357-359.

4. Donnelly J.P. and Hurwitz. Proton bombardment in InP// Solid State Electronics. -1977.- V.20.N8.-P. 727-730.

5. Брайловский Е.Ю., Долголенко А.П., Карапетян Ф.К. Радиационные дефекты в кристаллах n-InP, облученных высокоэнергетическими протонами. Киев, 1982.

6. C. 4-8. (Препринт/ Институт ядерн. исслед. АН УССР; N14).

7. Thompson Р.Е., Binari S.C. and Dietrich H.B. Damaged-induced isolation in n-type InP by light-ion implantation// Solid State Electronics. 1983. - V.26, N8,- P. 805-810.

8. Loualiche S., Rojo P., Guillot G., Nouailhat A. Etude des centres a electrons crees par irradiation de proton dans InP:n// Rev.Phys.Appl. 1984. - V. 19, N3. - P. 241-244.

9. Aukerman L.W. Radiation effects// Semiconductor and semimetals/ Ed.by R.K.Willardson and A.C.Bear.-N-Y:Academic Press, 1968. V.4. - P. 343-409.

10. Aukerman L.W. Radiation-produced energy levels in compouns semiconductors// J. Appl.Phys. 1959. - V.30, N8. - P. 1239-1243.

11. Goltzene A., Meyer В., Schwab C. Fast neutron-induced defects in undoped and iron-doped indium phosphide// J.Appl.Phys. 1987. - V.62, N11. - P. 4406-4412.

12. Kekelidze N.P. and Kekelidze G.P. Radiation effects in indium phosphide, indium arsenide compounds and their solid solutions// Rad. effects in semicond., Dubrovnik, 1976. Bristol-London: Inst. phys. conf. ser. N31, 1977. - P. 387-394.

13. Leloup J., Djerassi H., Albany H.J. Electrical properties and energy levels in electron-irradiated n-type InP// Lattice defects semicond., Freiburg, 1974. Bristol-London: Inst.phys.conf.ser.N23, 1975. - P. 367-372.

14. Leloup J., Derdouri M. and Djerassi H. Room-temperature electron irradiation of n-type InP// Rad.effects in semicond.,Dubrovnic, 1976. Bristol-London: Inst.phys.conf.ser. N31,1977. - P. 372-378.

15. Brudnyi V.N., Vorobiev S.A. and Tsoi A.A. Positron annihilation and Hall effect in electron irradiated n-InP crystals // Appl.Phys.A. 1982. - V.29, N4. - P. 219-223.

16. Brailovskii E.Yu., Karapetyan F.K., Megela I.G., Tartachnik V.P. Radiation defects in electron-irradiated InP crystals// Phys.stat.sol.(a). 1982. - V.71, N2. - P. 563-568.

17. Кирсон Я.Э., Клотыньш Э.Э., Улманис У.А. Энергетический спектр и предельное значение электропроводности при облучении InP электронами// Изв.АН ЛатвССР, Сер. физ. и техн. н. 1990. -N1. - С. 14-18.

18. Levinson М., Benton J.L., Temkin Н., Kimerling L.C. Defect states in electron bombarded n-InP// Appl.Phys.Lett. 1982. - V.40, N11. - P. 990-992.

19. Tapster P.R., Dean P.J., Skolnick M.S. Deep levels introduced by electron irradiation of InP//J.Phys.C .-Solid State Phys. 1982. - V.15, N28. - P. L1007-L1012.

20. Suski J., Bourgoin J.C., Lim H. Defects induced by electron irradiation in InP//J.Appl.Phys. 1983. - V.54, N5. - P. 2852-2854.

21. Tapster P.R. A DLTS study of electron irradiated InP// J.Ciyst.Growth. 1983. -V.64, Nl.-P. 200-205.

22. Sibille A., Bourgoin J.C. Electron irradiation induced deep levels in n-InP //Appl.Phys.Lett. 1982. - V.41, N10. - P. 956-958.

23. Sibille A., Rao E.V.K. Electron irradiation defects in InP// J.Cryst.Growth. 1983. -V.64, N1. - P. 194-199.

24. Suski J., Sibille A., Bourgoin J. Defects in low temperature electron irradiated InP// Solis State Commun. 1984. - V.49, N9. - P. 875-878.

25. Sibille A., Suski J., LeRoux G. Energy and orientation dependence of electron-irradiation-induced defects in InP //Phys. Rev. B. :Condens. Matter. 1984. -V.30, N2.-P. 1119-1121.

26. Massarani В., Bourgoin J.C. Threshold energy for atomic displacement in InP//Phys.Rev.B.: Condens.Matter. 1986. - V.34, N4. - P. 2470-2474.

27. Sibille A., Suski J. Defect reactions on the phosphorus subluttice in low-temperature electron-irradiated InP// Phys.Rev.B.: Condens.Matter. 1985. - V.31, N8. - P. 55515553.

28. Sibille A. Origin of the maain deep electron trap in electron irradiated InP// Appl.Phys.Lett. 1986. - V.48, N9. - P. 593-595.

29. Sibille A., Suski J., Gilleron M. A model of deep centers formation and reactions in electron irradiated InP// J.Appl.Phys. 1986. - V.60, N2. - P. 595-601.

30. Sibille A. Electric field dependence of local-defect reactions in semiconductors// Phys.Rev.Lett. 1996.-V.56, N5. - P. 476-479.

31. Bretagnon Т., Bastide G., Rouzeyre M. Hole-capture properties of the electron-irradiation-induced deep level H5 in p-type InP: a charge-controlled bistable model// Phys.Rev.B.: Condens.Matter. 1989. - V.40, N6. - P. 3749-3755.

32. Benton J.L., Levinson M., Macrander A.T., Temkin H.,Kimerling L.C. Recombination enchanced defect annealimg in n-Inp// Appl.Phys.Lett. 1984. - V.45, N5.-P. 566-568.

33. Ando K., Yamaguchi M., Uemura C. Impurity (Si) concentration effects on radiation-induced deep traps in n-InP// J.Appl.Phys. 1984. - V.55, N12. - P. 4444-4446.

34. Bretagnon Th., Bastide G., Rouzeyre M. Thermal transformation of the electron-irradiation-induced defect H4 in p-type InP // Mater.Sci.Forum. 1986. - V.10-12, N3.-P. 1033-1038.

35. Bretagnon Th., Bastide G., Rouzeyre M. Annealing study of the electron-irradiation-induced defects H4 and Ell in InP:defect transformation (H4-E11)-->H47/ Phys.Rev.B.:Condens.Matter. 1990 - V.41, N2. - P. 1028-1037.

36. Kennedy T.A., Wilsey N.D. EPR of defects in electron-irradiated InP:Fe // Defects and radiat. eff. semicond.,Oiso, 1980. Bristol-London, 1981. - P. 257-262.

37. Brailovskii E.Yu., Megela I.G., Pambuchchyan N.M. EPR study of electron-irradiated InP:Fe // Phys.stat.sol. (a). 1982. - V.72,N1. - P. K109-K111.

38. Kennedy T.A., Wilsey N.D. Electron paramagnetic resonance identification of the phosphorus antisite in electron-irradiated InP // Appl.Phys.Lett. 1984. - V.44, N11. -P. 1089-1091.

39. Kana-ah A., Deiri M., Cavenett B.C., Wilsey N.D., Kennedy T.A. Anti-site centres in e-irradiated InP:Zn//J.Phys.C.: Sol.St.Phys. 1985. - V.18, N20. - P. L619-L623.

40. Cavenett B.C., Kana-ah A., Deiri M., Kennedy T.A., Wilsey N.D., On the prospect of as-grown semi-insulating InP: ODMR of the Pin antisite // J.Phys.C. :Sol.State Phys. -1985.-V.18, N16.-P. 473-476.

41. Jeon D.Y., Gislason H.P., Donegan J.F., Watkins G.D. Determination of the PIn antisite structure in InP by optically detected electron-nuclear double resonance // Phys.Rev.B.: Condens.Matter. 1987. - V.36, N2. - P. 1324-1327.

42. Gislason H.P., Rong F., Watkins G.D. Different configurations of the Pin antisite in n-and p-type InP// Acta phys.pol.A. 1990. - V.77, N1. - P. 59-62.

43. Von Bardeleben H.J. Identification of the phosphor vacancy defect in electron irradiated p-type InP// Sol.State Commun. 1986. - V.57, N2. - P. 137-139.

44. Кольченко Т.И., Ломако B.M., Мороз C.E. Образование электронных ловушек в n-InP при облучении у-квантами // Физика и техника полупроводников. 1987. -Т.21, В.6. - С. 1075-1078.

45. Yamaguchi М., Uemura С., Yamamoto A. Radiation damage in InP single crystals and solar cells //J.Appl.Phys. 1984.- V.55, N6, Pt.l.-P. 1429-1436.

46. Koyama J., Shirafuji J., Inuishi Y. Annealing behaviour of gamma-ray induced electron traps in LEC n-InP//Electron. Lett. 1983. - V. 19, N16. - P. 609-611.

47. Ando K., Yamaguchi M., Uemura C. Nonradiative recombination-enchanced defect-structure transformation in low-temperature y-ray-irradiated InP //

48. Phys.Rev.B.'.Condens.Matter. 1986. - V.34, N4. - P. 3041-3044.

49. Кольченко Т.И., Ломако B.M., Мороз С.Е. Влияние легирования серой на образование глубоких центров в n-InP при облучении // Физика и техника полупроводников, 1988.-Т.22,N7.-С. 1311-1313.

50. Кекелидзе Н.П., Кекелидзе Г.П., Ерицян Г.Н., Овчаренко К.О., Гогашвили Т.М., Мелконян Р.А., Григорян Н.Е. Оптическое поглощение в кристаллах фосфида индия, облученных быстрыми электронами// Изв. АН АрмССР, Физика. 1975. -Т.10, N4. - С. 300-304.

51. Брайловский Е.Ю., Григорян Н.Е., Ерицян Г.Н. Околокраевое поглощение в кристаллах InP, облученных электронами //Физика и техника полупроводников. 1981. - Т.15, N3. - С. 591-593.

52. Brailovski E.Yu., Eritsyan G.N., Grigoryan N.E. Optical absorption in InP crystals with point radiation defects// Phys.stat.sol.(a). 1983. - V.78, N2. - P. К113-K115.

53. Григорян Н.Е. Исследование оптических свойств широкозонных соединений А3В5, облученных быстрыми электронами. Аштарак, 1982.16С.(Автореф.канд.Дисс.).

54. Bayaa D., Bastide G., Rouzeyre М., Sibille A. Optical properties of electron irradiation induced defects in InP// Solid State Commun. 1984. - V.51, N6. - P. 359363.

55. Bastide G., Bayaa D., Rouzeyre M. Lattice coupling strength of electron-induced-irradiated defects in InP// Solid State Commun. 1986. - V.51, N6. - P. 431-435.

56. Leonberger F.J., Walpole J.N., and Donnelly J.P. Optical properties of proton bombarded InP and GalnAsP// IEEE Journ. of Quantum Electron. 1981. - V.QE-17, N6. - P. 830-832.

57. Morrison S.R., Newman R.C., Thompson F. A radiation damage centre in gallium phosphide containing boron// J.Phys.C.:Sol.State Phys. 1972. - V.5, N6. - P. L46-L49.

58. Woodhead J., Newman R.C. Radiation induced interstitial boron defects in gallium phosphide and gallium arsenide // J.Phys.C.: Sol.State Phys. 1981. - V.14, N11. - P. L345-L348.

59. Lang D.V. Rewiew of radiation-induced defects in III-V compounds.//Rad.Eff.

60. Semicond., Dubrovnik, 1976. Bristol-London, 1977. - P. 70-94.

61. Lang D.V., Kimerling L.C. Observation of athermal defects annealing in GaP// Appl.Phys.Lett. 1976. - V.28, N5. - P. 248-250.

62. Tokuda Yutaka, Oda Masatoshi, Usami Akira. Electrical properties of electron-damaged and annealed n-type GaP// Proc. 12th Int. Symp. Space Technol.and Sci., Tokio, 1977. Tokio, 1977. - P. 203-210.

63. Tokuda Yutaka, Oda Masatoshi. Electrical properties of 1.7 MeV electron-irradiated sulfur-doped GaP// IEEE Trans, on Nucl.Sci. 1978. - V.NS-25, N4. - P. 1055-1060.

64. Пивоваров В.Я. Дефекты структуры в монокристаллах фосфида галлия. -Минск, 1975. -12С. (Автореф.канд.дисс.).

65. Тартачник В.П. Влияние проникающего излучения на монокристаллы фосфида галлия и р-п-структуры на его основе. Одесса, 1976. 16С. (Автореф.канд.дисс.).

66. Брайловский Е.Ю., Конозенко И.Д., Тартачник В.П. Дефекты в GaP, облученном электронами// Физика и техника полупроводников.- 1975. Т.9, В.4. -С. 769-771.

67. Брайловский Е.Ю., Ерицян Т.Н., Тартачник В.П. Радиационные дефекты в GaP при облучении электронами с энергией 50 МэВ// Физика и техника полупроводников. 1975. - Т.9, В.9. - С. 1805-1807.

68. Брайловский Е.Ю., Григорян Н.Е., Марчук Н.Д., Памбухчан Н.Х., Тартачник В.П. Влияние радиационных дефектов на свойства GaP и твердых растворов•5 с

69. GaAsi.xPx// Физика соединений А В , Материалы всесоюзн. конф. JI:, 1979. - С. 74-78.

70. Марчук Н.Д. Исследование радиационных дефектов в фосфиде галлия и твердых растворах GaAsi.xPx. Одесса, 1979. - 17С. (Автореф. канд. дисс.).

71. Айрапетян С.А., Никогосян С.К., Саакян В.А. Изучение состояний неконтролируемых примесей путем облучения монокристаллов n-GaP // Тр.4-й

72. Конф. молод.учен., Ереван. Физ. ин-та, Норамберд, 1979. Ереван, 1980. - С. 186-190.

73. Волков В.В., Опилат В.Я., Тартачник В.П., Тычина И.И. Глубокие уровни в исходном и облученном электронами фосфиде галлия // Высокочистые вещества. 1989. - N2. - С. 60-63.

74. Brudnyi V.N., Vorobiev S.A., Tsoi A.D., Shachovtsov V.I. Positron annihilation in electron irradiated n-type GaP crystals// Rad.Effects. 1983,- V.79, N3-4,- P.123-130.

75. Коваль B.C., Кудин А.П., Мегела И.Г., Тартачник В.П., Тычина И.И. Аннигиляция позитронов в облученном фосфиде галлия // Физика и техника полупроводников. 1983. - Т.17, В. 11. - С. 2102-2103.

76. Шлихтов С.Н. Исследование глубоких центров в фосфиде галлия методами емкостной спектроскопии -JL, 1984. 16С. (Афтореф. канд. дис.).

77. Гринсон А.А., Гуткин А.А., Мргильницкая Ю.М., Сидоров В.Г., Шлихтов С.Н. Радиационные дефекты в красных светодиодах n-GaP<Te>-p-GaP<Zn,0>// Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1984. - Т.192, В.7. - С. 40-43.

78. Endo Т., Hirosaki Y., Uchida Е., Miyake Н., Sugiyama К. Deep levels in electron-irradiated GaP at 10 MeV//JapJ.Appl.Phys.Pt. 1. 1989. - V.28, N10. - P. 1864-1870.

79. Papaioannou G.J., Euthymiou P.C., Carabatos C., Lepley В., Bath A. On the electron-irradiation induced defects in GaP:Zn// Phys.stat.sol.(a). 1986. - V.98, N2. - P. K125-K127.

80. Shubing Yu, Huang Qisheng. Глубокие уровни, введенные в GaP, при электронном облучении//.!. Xiamen. Univ. Nat.Sci. 1983. - V.22, N1. - P. 10-19.

81. Mooney P.M., Kennedy T.A., Small M.B. Correlated DLTS and EPR measurements of defects in as-grown and electron irradiated p-type GaP// Physica. 1983. -V.BC116,Nl-3.-P. 431-435.

82. Mooney P.M., Kennedy T.A. Correlation between DLTS and EPR measurements of the Ga vacancy in GaP // J.Phys.C.:Solid State Phys. 1984. - V.17, N34. - P. 62776285.

83. Kennedy T.A., Wilsey N.D. Identification of the isolated Ga vacancy in electron-irradiated GaP through EPR//Phys.Rev.Lett.-1978.-V.41,N14.-P.977-980. \

84. Kennedy T.A., Wilsey N.D. EPR of antisite-impurity defects in electron-irradiated

85. GaP// Defects and Radiat. Eff.Semicond., Invit. and Contrib. Pap. Int. Conf., Nice, 1978. Bristol-London, 1979. - P. 375-378.

86. Kennedy T.A., Wilsey N.D. Electron paramagnetic resonance of electron-irradiated GaP //Phys. Rev. В.: Condens. Matter. 1981. - V.23, N12. - P. 6585-6591.

87. Killoran N., Cavenett B.C., Godlevski M., Kennedy T.A., Wilsey N.D. ODMR investigation of the PGa antisite defect in GaP // J.Phys.C.: Solid State Phys. 1982. -V.15, N22. - P. L723-L728.

88. Killoran N., Cavenett B.C., Godlevski M., Kennedy T.A., Wilsey N.D. Spin dependent formation and decay of the triplet antisitee centre in GaP // Physica. 1983. - V.BC116,Nl-3.-P. 425-430.

89. Kaufmann U., Shneider J. Point defects in GaP, GaAs, and InP // Adv.Electron. and Electron Phys., V.58. New York, 1982. - P. 81-141.

90. Крайчинский A.H., Макаренко В.Г., Осташко Н.И. ЭПР облученного электронами GaP(Fe) // Физика и техника полупроводников. 1982. - Т. 16, В.5. -С.914-916.

91. Kennedy Т.A., Wilsey N.D. Antisite production by electron irradiation of InP and GaP // 13th Int.Conf.Defects Semicond.,Coronado, 1984. Warrendale, Pa, 1985. -P.929-935.

92. Beall R.B., Newman R.C., Whitehouse J.E., Woodhead J. The production and structure of the P-P3 anti-site defect in electron-irradiated n-type GaP // J.Phys.C.:Solid State Phys. 1984. - V.17, N36. - P. L963-L968.

93. Huang Qisheng, Grimmeis H.G., Samuelson L. Configuration coordinate diagram for the E4 defect in electron-irradiated GaP // J.Appl.Phys. 1985. - V.58, N8. - P. 30683071.

94. Spitzer S.M., North J.C. Electrical and optical properties of proton-bombarded gallium phosphide//J.Appl.Phys. 1973. - V.44, N1. - P. 214-219.

95. Titley D.J. and Brown G. TSC measurements on proton implantated GaP // Sol.State Electron. 1979. - V.22, N11. - P. 915-919.

96. Voronina T.I., Goldberg Yu.A., Lvova T.V. Electrical properties of GaP crystals bombarded with high energy protons // Phys.stat.sol.(a). 1982. - V.70, N2. - P.K121-K124.

97. Desnica U.V., Etlinger В., Urli N.B. TSCAP and admittance spectroscopy of defects induced by gamma rays in GaP // Rad.Eff.Semicond., Int. Conf., Dubrovnik, 1976. -Bristol-London, 1977. P. 402-408.

98. Fujino Takahiro, Kitagawa Michiharu. Dose dependence of deep electron trap densities in gamma-ray irradiated GaP // Annu.Rept. radiat. Cent. Osaka Prefect. -1983.-V.24.-P. 35-37.

99. Endo Т., Nakanishi Y., Wada T. Optical absorption and modification of band edges in irradiated GaP //Jap.J.Appl.Phys. 1982. - Pt.l, V.l, N11. - P. 1619-1627.

100. Pankey T.Jr. and Davey J.E. Effects of neutron irradiation on the optical properties of thin films and bulk GaAs and GaP // Journ. Appl.Phys. 1970. - V.41, N2. -P.697-702.

101. Endo Т., Nakanishi Y., Wada T. Effects of radiation defects on the conduction band minimum of n-GaP // Defects and Radiat. Eff.Semicond., 11 Int.Conf., Oiso, 1980. -Bristol-London, 1981. P. 299-304.

102. Брайловский Е.Ю., Григорян H.E., Ерицян Г.Н., Манжара B.C., Тартачник В.П. Оптическое поглощение в облученных кристаллах фосфида галлия.-Киев, 1976. С. 22-23. - (Препринт/КИЯИ,№2).

103. Брайловский Е.Ю., Осташко Н.И., Тартачник В.П., Шаховцов В.И. Влияние точечных радиационных дефектов на околокраевое оптическое поглощение кристаллов GaP // Укр. физ. журн. 1981. - Т.26, N6. - С. 973-977.

104. Брайловский Е.Ю., Демиденко З.А., Григорян Н.Е., Ерцян Г.Н.Поглощение света свободными носителями в облученных кристаллах n-GaP // Изв. АН АрмССР. Физ. 1983. - Т.18, N1. - С. 19-25.

105. Kolb А.А., Megela I.G., Buturlakin А.Р., Goyer D.B. Low-temperature annealing of radiation defects in electron-irradiated gallium phoaphide // Phys.stat.sol.(a). -1990. V.l 18, N1. - P. K9-K11.

106. Dlubek G., Brummer O., Polity A. Vacanct defects in as-grown and n°-irradiated GaP and GaAsi.xPx srudied by positrons // Wiss. Beitr. M.-Luther-Univ. Halle-Wittenberg. 1987. - N23/2, Pt.2. - P. 113/1-113/8.

107. Dlubek G., Ascheron C., Krause R., Erhard H., Kijmm D. Positron srudy of vacancy defects in proton and neutron irradiated GaP, InP, and Si // Phys.stat.sol.(a). 1988. - V.106,N1.-P. 81-88.

108. Sen Gupta A., Moser P., Corbel C., Hautojarvi P., Sen P. Annealing of electron irradiated GaP studied by positron lifetime technique // Wiss. Beitr. M.-Luther-Univ. Halle-Wittenberg. 1987. - Reihe 0, N23/2, Pt.2. - P. 18/1-18/6.

109. Горюнова H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. M.: Сов. Радио, 1968.-267с.

110. Прочухан В.Д. Полупроводниковые материалы типа А2В4С52 //Материалы шестой зимней школы по физике полупроводников.- Л.:ЛИЯФ, 1974. С. 280334.

111. Брудный В.Н., Кривов М.А., Потапов А.И., Масагутова Р.В., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. Компенсация проводимости фосфидов А2В4С52 электронным облучением // Письма в ЖТФ. 1978. - Т4, N1. - С. 41-46.

112. Brudnyi V.N., Budnitskii D.L., Krivov М.А., Masagutova R.V., Prochukhan V.D., Rud Yu.V. The electrical and optical properties of 2,0 MeV electron-irradiaated ZnGeP2 // Phys.stat.sol.(a). 1978. - V.50, N2. - P. 379-384.

113. Манжара B.C., Мегела И.Г., Откаленко H.O., Петрусенко C.K., Тартачник В.П. Радиационные дефекты в ZnGeP2 // 4 Всесоюзн. конф. "Тройные полупроводники и их применение". Кишинев:Штиинца, 1983. - С.73.

114. Брудный В.Н., Новиков В.А. О "предельных" электрических параметрах облученного InP // Физика и техника полупроводников. 1982. - Т. 16, N10. -С.1880-1882.

115. Исследование свойств полупроводников сложного состава (А3В5, А2В4С52) и приборных структур на их основе: Отчет / СФТИ; Рук.НИР Вяткин А.П., Гаман В.И. №ГР 01860127969. - Томск, 1990. - 114с.

116. Stavola М., Levinson М.,Benton J.L., Kimerling L.C. Extrinsic self-trapping and negative U in semiconductors. A metestable center in InP // Phys.Rex.B.: Condens.Matter. 1984. - V.30, N2. - P. 832-839.

117. Мороз C.E. Образование дефектов с глубокими уровнями в фосфиде индия и их свойства. Минск, БГУ, 1991. - 18С. (Автореф.канд.дис.).

118. Wager J.F., Van Vechten J.A. Atomic model for the M center in InP // Phys.Rev.B.: Condens.Matter. 1985. - V.32, N8. - P. 5251-5258.

119. Брудный B.H., Дробот П.Н., Новиков B.A. Исследование радиационных дефектов в облученных ионами Н+ фосфидах: InP, CdSnP2 // Изв.вузов.Физика. Томск, 1987. - Деп. в ВИНИТИ N6854-B87. - 24С.

120. Brudnyi V.N., Kolin N.G., Novikov V.A., Transmutation doping and fermi-level stabilization in neutron-irradiated InP // Phys.stat.sol.(a). 1992. - V.132, N1. -P.35-42.

121. Брудный B.H., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Новиков В.А. Электрофизические и оптические свойства InP, облученного большими интегральными потоками нейтронов // Физика и техника полупроводников. -2005. Т.39, В.5. - С. 528-534.

122. Coates R. and Mitchell E.W.J. The optical and electrical effects of defects in irradiated crystalline gallium arsenide // Adv.Physics. 1975. - V.24, N5. - P. 593644.

123. Кольчеико Т.И., Мороз C.E. О возможной природе остаточных глубоких центров в фосфиде индия // Физика и техника полупроводников. 1989. - Т.23, N3. - С. 546-548.

124. Брудный В.Н. Радиационные дефекты в полупроводниковых соединениях II-IV-V2 // Изв.вузов.Физика. 1986. - Т.29, N8. - С. 84-97.

125. Брудный В.Н., Диамант В.М. Электрические и тензоэлектрические исследования радиационных дефектов в GaAs // Изв.вузов.Физика. 1986. -T.29,N10.-C. 81-87.

126. Sugamo Т. InP MISFETS technology //Symp.Defects and Qual.Semicond.,Tokyo,1984/ Ed.by Cnikawa J., Sumino K., and Wada K.-KTK Sci.Publishers,Tokio, 1987. ISBN 90-277-2352-4 JP. - P. 99-110.

127. Lancefield D., Adams A.R., Gunney B.J. Investigation of ionized impurity scattering in GaAs and InP using hydrostatic pressure // Appl. Phys. Lett. 1984. -V.45, N10. - P. 1121-1123.

128. Muller H., Trommer R., and Cardona M. Pressure dependence of the direct absorption edges in InP // Phys.Rev.B. 1980. - V.21, N10. - P. 4879-4883.

129. Брудный B.H. Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава. Томск, 1993. - 40С. (Автореферат докт. дисс.).

130. Брудный В.Н. Исследование радиационных дефектов в полупроводниках в условиях всестороннего сжатия // Физика и техника полупроводников. 1999. -Т.ЗЗ,В.11.-С. 1290-1294.

131. А/С 1127467(СССР). Способ изготовления полупроводниковых датчиков давления / Брудный В.Н., Гаман В.И., Новиков В.А. 1984.

132. Brudnyi V.N., Charchenko V.A., Kolin N.G., Novikov V.A., Pogrebnyak A.D., and Ruzimov Sh.M. Electrucal properties and positron annihilation in neutron-irradiated n-InP // Phys.stat.sol.(a). 1986. - V.93, N1. - P. 195-200.

133. Попов E.B., Гришкова Ж.В. Изучение дефектности кристаллов методом аннигиляции позитронов // Изв.вузов.Физика. Томск, 1986. - Деп.в ВИНИТИ N6325-B86. - 32С.

134. Puska M.J., Jepsen О., Gunnarson О., Nieminen R.M. Electronic structure and positron states at vacancies in Si and GaAs // Phys.Rev.B.: Condens.Matter. 1986.- V.34, N4. P. 2695-2705.

135. Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е. Отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в n-InP // Физика и техника полупроводников. 1990. -Т.24, В.11.-С. 1963-1968.

136. Брудный В.Н., Новиков В.А. "Предельные" электрические параметры GaP, облученного электронами // Физика и техника полупроводников. 1985. - Т. 19, №4. - С. 747-749.

137. Новиков В.А. Электрические, оптические свойства и стабилизация уровня Ферми в кристаллах GaP, облученных электронами и ионами Н // Изв. вузов. Физика. 1994. - Т.37, N12. - С. 37-42.

138. Pons D., Bourgoin J.C. Irradiation-induced defects in GaAs// J.Phys.C.: Sol.state phys. 1985. - V.18, N20. - P. 3839-3874.

139. Немец О.Ф., Волков B.B., Литовченко П.Г., Макаренко В.Г., Опилат В .Я., Тартачник В.П., Тычина И.И. Радиационные дефекты в фосфиде галлия // Докл. АН УССР. 1988. - А, N5. - С. 45-48.

140. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер П., Миронов А.Г., Андерлейн П., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников.- М.: Наука, 1981.- 383 с.

141. Numerical data and functional relationships in science and technology / Ed.by O.Madelung.-Springer-Verlag: Berlin, Heidelberg, N-Y, London, Paris, Tokyo, 1987. V.22, Semiconductors. - 451P.

142. Eremets M.I., Krasnovskii O.A., Struzhkim V.V., Shirokov A.M. Bound excitons in GaP under pressure of up to 10 GPa // Semicond.Sci. and Technol. 1989. - V.4, N4. - P. 267-268.

143. Брудный B.H., Новиков В.А. Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP // Изв. вузов.Физика. -1998. Т.41, №6. - С. 124-126.

144. Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е. Глубокие центры в соединениях АЗВ5 //Физика и техника полупроводников. 1978. - Т.12, N4. - С. 625-652.

145. Lucovsky G. On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors // Solid State Commun. 1965. - V.3, N2. - P. 299-302.

146. Копылов А.А., Пихтин A.H. Форма спектров поглощения и люминесценции на глубоких центрах в полупроводниках (кислород в фосфиде галлия) // Физика и техника полупроводников. 1974. - Т.8, N12. - С. 2398-2404.

147. Masumoto К., Isomura S., Goto W. The preparation and properties of ZnSiAs2, ZnGeP2 and CdGeP2 semiconducting compounds // J.Phys.Chem.Solids. 1966. -V.27, N11-12. - P. 1939-1947.

148. Springthorpe A.J. and Monk R.W. Some electrical properties of solution-grown crystals of n-ZnSiP2 and p-ZnGeP2 // Phys.stat.sol.(a). 1970. - V.l, N3. - P. K9-K12.

149. Grigorieva V.S., Prochukhan V.D., Rud Yu.V., Yakovenko A.A.,Some electrical properties of high-resistance ZnGeP2 single crystals // Phys.stat.sol.(a). 1973. -V.17, N1. - P. K69-K74.

150. Somogui K. Electrical properties of ZnGeP2 at low temperatures // Phys.stat.sol.(a). 1973.-V.18,N2.-P. K95-K97.

151. Miller A., Clark W. Electrical properties of ZnGeP2 and CdGeP2 // J.Phys. 1975. -V.36, N9. - P. 73-75.

152. Bertoti J and Somogui K. Preparation and some properties of ZnGeP2 crystals // Phys.stat.sol.(a). -1971. V6, N2. - P. 439-443.

153. Somogui K., Bertoti J. Some electrical properties of single ZnGeP2 // Jap.J.Appl.Phys. 1972. - V11,N1. - P. 103-106.

154. Брудный B.H., Новиков B.A., Попова E.A. Электрические и оптические свойства ZnGeP2, облученного электронами // Изв. вузов. Физика. 1986. -Т.29, N8. - С. 122-130.

155. Isomura S., Masumoto К. Some optical properties of ZnGeP2 and CdSiP2 // Phys.stat.sol.(a). 1971. - V.6, N2. - P. K139-K141.

156. Bucchler E., Wernick J.H.,Willey J.D. The ZnGeP2-Ge-system and growth of singlecrystals of ZnGeP2 // J.Elect. Mater. 1973. - V.2, N3. - P. 445-454.

157. Рудь Ю.В., Масагутова P.B. Экспериментальное обнаружение эффекта просветления ZnGeP2 //Письма в ЖТФ. -1981. Т7, N3. - С. 167-171.

158. Boyd G.D., Buechler С., Stolz G.F., Wernic J.H. Linear and nonlinear optical properties of ternary А"В1УСУИ chalcopyrite semiconductors // J.Quantum Electron. 1972. - V.QE-8, N4. - P. 419-426.

159. Borshevskii A.S., Goryunova N.A., Kesamanly F.P., Nasledov D.N. Semiconducting AnBIVCVn compounds // Phys.stat.sol.(a). 1967. - V.21, N1. - P. 955.

160. Воеводин В.Г., Грибенюков А.И., Морозов A.H., Минич Г .Я. Оптимизация технологии получения и свойства монокристаллов дифосфида цинка-германия // Всесоюзн.конф. "Тройные полупроводники и их применение". Кишинев: Штиинца, 1983.-С. 18.

161. Brown W.J., Blakemore J.S. Transport and photoelectrical properties of gallium arsenide containing deep acceptors // J.Appl.Phys. 1972. - V.43, N5. - P. 22422246.

162. Sodeika A., Silevicius Z., Januskevicius Z., Sakalas A. The influence of intrinsic defects on electrical properties of single crystals of CdSiP2 and ZnGeP2 // Phys.stat.sol.(a). 1982. - V.69, N2. - P. 491-495.

163. Брудный B.H., Новиков B.A. Электрические свойства облученного ионами Н p-ZnGeP2 //Изв.вузов.Физика. 1991. - Т.34, N10. - С. 91-93.

164. Брудный В.Н., Воеводин В.Г., Гриняев С.Н. Глубокие уровни собственных дефектов и природа "аномального" оптического поглощения ZnGeP2// Физика твердого тела. 2006. - Т.48, B.l 1. - С. 1949-1961.

165. Kaufmann U., Schneider J., and Rauber A. ESR detection of antisite lattice defects in GaP, CdSiP2, and ZnGeP2 //Appl.Phys.Lett. 1976. - V.29, N5. - P. 312-313.

166. Brudnyi V.N., Novikov V.A., Pogrebnyak A.D., Surov Yu.V. Positron annihilationin electron-irradiated p-ZnGeP2 compound // Phys.stat.sol.(a). 1984. - V.83, N1. -P. K35-K38.

167. Брудный B.H., Новиков B.A., Погребняк А.Д. и др. Аннигиляция позитронов в ZnGeP2, облученном электронами // Тез. докл. XXXIV Совещ. по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра, 17-20 апреля 1984 г. Алма-Ата: АН СССР, 1984.-С.574.

168. Брудный В.Н., Цой А.А. Центры аннигиляции позитронов в облученных электронами полупроводниках AiriBv // Физика и техника полупроводников. -1986. Т.20, №3. - С. 511-514.

169. Шилейка А. Многодолинные полупроводники/ Под. ред. Ю. Пожелы. -Вильнюс: Мокслас, 1978. С. 143-197.

170. А/С 1304665(СССР). Способ изготовления параметрического преобразователя оптического излучения (доп. к А/С 1032937) /Брудный В.Н., Новиков В.А. -1986.