Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Орлова, Ксения Николаевна

• Орлова, Ксения Николаевна
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Орлова, Ксения Николаевна

СОДЕРЖАНИЕ

Стр.

СОДЕРЖАНИЕ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР АЮа1пР С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

1.1 Основные методы выращивания гетероструктур АЮаТпР, используемых для изготовления светодиодов

1.2 Особенности легирования гетероструктур АЮа1пР

1.3 Основные характеристики гетероструктур АЮа1пР с множественными квантовыми ямами

1.4 Принцип работы светодиодов на основе гетероструктур АЮа1пР с множественными квантовыми ямами

1.5 Основные параметры светодиодов

1.6 Радиационная стойкость гетероструктур АшВу 42 ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 1

ГЛАВА 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1 Объекты исследования. Конструкция светодиодов и используемые технологии

изготовления

2.2.Методы контроля параметров гетероструктур АЮаТпР и светодиодов на их

основе

2.3 Методы исследования радиационной стойкости светодиодов

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 2

ГЛАВА 3. ХАРАКТЕРИСТИКИ ИСХОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР А1Са1пР И СВЕТОДИОДОВ НА ИХ ОСНОВЕ

3.1 .Основные параметры исходных гетероструктур

3.2.Основные параметры исходных светодиодов

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 3

ГЛАВА 4. СТОЙКОСТЬ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGalnP К ДЕЙСТВИЮ

ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

4.1 .Стойкость гетероструктур при облучении быстрыми нейтронами

4.2.Стойкость гетероструктур при облучении гамма-квантами

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 4

ГЛАВА 5. ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР АЮа1пР С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

5.1.Феноменологическая модель радиационной стойкости светодиодов при облучении быстрыми нейтронами

5.2.Феноменологическая модель радиационной стойкости светодиодов при облучении гамма-квантами

5.3.Прогнозирование радиационной стойкости светодиодов и рекомендации по ее повышению 138 ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 5

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ

СД — светоизлучающие диоды

МКЯ — множественные квантовые ямы

ЖФЭ — жидкофазная эпитаксия

МЛЭ — молекулярно-лучевая эпитаксия

ГФЭ — газофазная эпитаксия

В АХ - вольт-амперная характеристика

ВтАХ - ватт-амперная характеристика

ВВХ - ватт-вол ьтная характеристика

ВФХ - вольт-фарадная характеристика

ИИ — ионизирующее излучение

Ширина 33 - ширина запрещенной зоны

РД — радиационные дефекты

РС — радиационная стойкость

ЛюмВХ - люмен-вольтная характеристика

ГсКр - гетероструктуры АЮа1пР красного цвета свечения

ГсЖ - гетероструктуры АЮа1пР желтого цвета свечения

ОПЗ - область пространственного заряда

ГсКрР1 и ГсЖР1 - гетероструктуры красного и желтого цвета свечения соответственно, для которых при облучении гамма-квантами наблюдаются релаксационные процессы первого типа

ГсКрР2 и ГсЖР2 — гетероструктуры красного и желтого цвета свечения соответственно, для которых при облучении гамма-квантами наблюдаются релаксационные процессы второго типа

ФМРС - феноменологическая модель радиационной стойкости светодиодов

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами»

ВВЕДЕНИЕ

Разработанные в конце 80х начале 90х годов гетероструктуры на основе соединений алюминия-галлия-индия-фосфида являются основой для светодиодов, излучающих в видимой области спектра, в частности, в красном, оранжевом и желтом диапазонах. Этот диапазон широко используется:

• в сфере оптической сигнальной обработки [1];

• лазерных принтеров [2,3];

• фотопреобразователях [4] и солнечных батареях [5,6];

• движущихся информационных табло;

• светофоров и дорожных знаков на автострадах[7];

• элементах бортовой аппаратуры железнодорожных поездов [8] и авиатехники;

• лампах автомобилей [9-17];

• морских и речных маяков и т.п...

Также они являются кандидатами для использования в качестве источников для оптических волоконных систем связи [18], где оптические потери в 660 нм режимах самые низкие.

По условиям эксплуатации гетероструктуры могут подвергаться значительному воздействию ионизирующих излучений, например, в условиях космического пространства или на объектах атомной энергетики. К числу таких излучений чаще всего относят гамма-излучение, нейтронное, протонное. В этих условиях важно прогнозирование радиационной стойкости на первой стадии производства, то есть на стадии конструирования приборов.

Ионизирующее излучение приводит к генерации радиационных дефектов, снижению концентрации носителей заряда и уменьшению их подвижности. Это приводит в конечном итоге к изменению электрофизических и светотехнических

характеристик полупроводниковых приборов и других эксплуатационных параметров.

Следует отметить, что практически отсутствуют сведения о радиационном воздействии различных радиационных факторов как на гетероструктуры АЮа1пР, так и на светодиоды на их основе. Поскольку для эксплуатации приборов необходимо знание его выходных характеристик и параметров, то для цели прогнозирования радиационной стойкости будет важным знать изменения электрофизических и светотехнических характеристик в результате облучения. При этом важно знать, что радиационная стойкость светодиодов и других полупроводниковых приборов на основе гетероструктур АЮаТпР определяется стойкостью самих гетероструктур. Технология производства значительного вклада в радиационную стойкость приборов не вносит.

Все вышеизложенное обуславливает выбор объектов исследования, которыми явились светодиоды на основе гетероструктур АЮа1пР с множественными квантовыми ямами, изготовленные по стандартной технологии в условиях серийного производства.

Таким образом, разработка методики прогнозирования радиационной стойкости светодиодов на основе гетероструктур АЮа1пР является актуальным исследованием, позволяющим решать задачи прогнозирования радиационной стойкости на стадии их проектирования и минимизировать затраты производства стойких к ионизирующему излучению светодиодов.

Цель работы

Исследовать радиационную стойкость гетероструктур АЮа1пР с множественными квантовыми ямами и разработать методику прогнозирования радиационной стойкости светодиодов на их основе.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: 1. Исследовать деградацию электрофизических и светотехнических параметров светодиодов на основе гетероструктур АЮа1пР с множественными квантовыми ямами при облучении быстрыми нейтронами.

2. Исследовать деградацию электрофизических и светотехнических параметров светодиодов на основе гетероструктур АЮа1пР с множественными квантовыми ямами при облучении гамма-квантами.

3. Разработать методику прогнозирования радиационной стойкости и рекомендации по повышению радиационной стойкости светодиодов.

Научная новизна

1. Впервые установлено, что процесс снижения мощности излучения активных слоев светодиодов на основе гетероструктур АЮа1пР с множественными квантовыми ямами при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами состоит из трех стадий.

2. Снижение мощности излучения активных слоев гетероструктур АЮаТпР красного и желтого свечения при облучении быстрыми нейтронами на первой стадии снижения мощности излучения обусловлено созданием центров поглощения излучения в активном слое и/или в соседних слоях.

3. Снижение мощности излучения при облучении быстрыми нейтронами на второй стадии снижения мощности излучения для гетероструктур АЮа1пР красного свечения обусловлено созданием центров безызлучательной рекомбинации, а для гетероструктур АЮа1пР желтого свечения созданием центров поглощения излучения в активном слое и/или в соседних слоях.

4. Снижение мощности излучения активных слоев гетероструктур АЮа1пР красного и желтого свечения при облучении гамма-квантами на первой и второй стадиях обусловлено введением центров поглощения излучения в активном слое и/или в соседних слоях.

5. При облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами гетероструктур АЮа1пР красного и желтого свечения наблюдаются релаксационные процессы на границе между первой и второй стадиями снижения мощности излучения в результате облучения, обусловленные частичным отжигом дефектов с восстановлением мощности излучения, что приводит к снижению вклада второй стадии в общий процесс снижения мощности.

Практическая ценность работы

1. На основании установленных закономерностей разработана методика прогнозирования радиационной стойкости светодиодов на основе гетероструктур АЮаТпР с множественными квантовыми ямами, которая позволяет по результатам измерения граничного тока, ниже которого наблюдается режим низкой инжекции электронов и мощности излучения в режиме низкой инжекции электронов прогнозировать изменение мощности при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами.

2. Применение разработанной методики прогнозирования позволяет повысить эффективность производства светодиодов с требуемой радиационной стойкостью.

3. Разработаны рекомендации по повышению радиационной стойкости светодиодов и гетероструктур АЮа1пР с множественными квантовыми ямами.

4. Представленные в работе результаты использованы при разработке новых светодиодов и частично введены в ТУ на серийные светодиоды (акт внедрения).

Работа выполнена при поддержке ГК 14.513.11.0119 и Минобрнауки, госзадание «Наука» (проект 2.3302.2011).

Реализация и внедрение результатов работы

Результаты работы внедрены в Открытое Акционерное Общество «Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов» и использованы при составлении ТУ, конструкторско-технической документации, справочных и информационных материалов на выпускаемые и вновь разрабатываемые приборы.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Снижение мощности излучения светодиодов при облучении состоит из стадии снижения мощности излучения вследствие радиационно-стимулированной перестройки исходных дефектов, стадии снижения мощности введением радиационных дефектов и стадии перехода в режим низкой инжекции электронов.

2. Вклад первой стадии снижения мощности излучения при облучении определяется граничным током исходных светодиодов и рабочим током. Вклад второй стадии, зависит от вклада первой стадии, и определяется мощностью излучения в режиме низкой инжекции электронов для исходных светодиодов.

3. При переходе от первой стадии ко второй наблюдаются релаксационные процессы в виде частичного отжига введенных дефектов с частичным восстановлением мощности излучения на фоне общего снижения мощности, при этом для гетероструктур AlGalnP красного свечения происходит изменение механизма протекания тока.

4. Методика прогнозирования радиационной стойкости светодиодов на основе установленных закономерностей основана на расчете изменения мощности излучения при облучении по результатам измерения граничного тока и мощности излучения в режиме низкой инжекции электронов для исходных светодиодов.

Достоверность полученных результатов обеспечивается комплексным подходом к решению поставленных задач, использованием апробированных методов и методик исследования, большим объемом экспериментальных данных и применением статистических методов для их обработки, анализом литературных данных и согласованием полученных результатов с данными других авторов.

Апробация работы. Основные положения и результаты работы были представлены на следующих конференциях и симпозиумах: 54-й Международной научной конференции Московского физико-технического института «Проблемы фундаментальных и прикладных естественных и технических наук в современном информационном обществе» (Москва, 2011); Международной Интернет-конференции «Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии» (Казань,

2011); 7th International Forum on Strategic Technology (1FOST - 2012) (Tomsk,

2012); XXII Международной конференции «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 2012); Международной молодежной конференции «Инновации в машиностроении» (Юрга, 2012); 16-ом Международном молодежном форуме «Радиоэлектроника и молодежь в XXI веке» (Харьков, 2012); Всероссийской

ежегодной научно-практической конференции «Радиационная стойкость электронных систем (Стойкость - 2013)» (Москва, 2013).

Публикации. По содержанию работы и результатам исследований опубликовано 12 печатных работ в научных журналах, сборниках трудов российских и зарубежных конференций, в том числе 3 статьи в изданиях, входящих в перечень ВАК.

Личный вклад автора состоит в постановке задач исследования, планировании и проведении экспериментов, в анализе результатов экспериментальных исследований, формулировке выводов. Все результаты получены автором лично или совместно с соавторами при его непосредственном участии.

Структура и объем работы: диссертационная работа состоит из списка используемых сокращений, введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации состоит из 159 страниц, включая 74 рисунка, 1 таблицу и списка литературы из 124 наименований.

ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР АЮаГпР С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

Как было уже отмечено нами во введении, в настоящее время резко растет производство светодиодов (далее СД) видимого диапазона длин волн на основе гетероструктур АЮаТпР с множественными квантовыми ямами (далее МКЯ). Необходимость их эксплуатации в условиях действия различных радиационных полей обуславливает актуальность проведения комплексных исследований радиационной стойкости гетероструктур АЮа1пР [19-21]. Ввиду того, что радиационная стойкость полупроводниковых материалов в основном определяет радиационную стойкость соответствующих полупроводниковых приборов, то объектами исследования выбраны СД видимого диапазона длин волн на основе гетероструктур АЮаТпР с МКЯ, поскольку технология изготовления полупроводниковых приборов в большинстве случаев вносит незначительный вклад в их стойкость к воздействию ионизирующего излучения. Но при этом, следует отметить, что сказанное выше не исключает необходимость оценки вклада технологических и конструкционных факторов в радиационную стойкость СД [19].

В данной главе, которая является анализом известных литературных данных, рассмотрены основные методы изготовления гетероструктур АЮа1пР с МКЯ, их электрофизические и светотехнические свойства, а также известные сведения по их радиационной стойкости. При рассмотрении электрофизических и светотехнических свойств гетероструктур основное внимание уделено анализу связи параметров СД с электрофизическими и геометрическими характеристиками гетероструктур, а также влияние конструктивных и технологических факторов на параметры СД на основе гетероструктур АЮа1пР.

1.1. Основные методы выращивания гетероструктур АЮа1пР, используемых для изготовления светодиодов

Исторически сложилось, что методы эпитаксиального выращивания монокристаллических полупроводниковых многослойных структур, которые являются основой для изготовления различных полупроводниковых приборов и интегральных схем, получили широкое распространение после того, как научились получать рабочие слои заданного состава и обладающие требуемыми электрофизическими и геометрическими характеристиками [22].

К настоящему времени известно достаточно много методов получения гетероструктур АЮа1пР. Наибольшее практическое применение среди них получили:

• метод жидкофазной эпитаксии (далее ЖФЭ), который являлся основным для выращивания гетероструктур АЮа1пР с достаточно толстыми активными слоями (от единиц до нескольких десятков микрон) [23];

• метод газофазной эпитаксии (далее ГФЭ), в том числе метод газофазной эпитаксии из металлорганических соединений [24-26], а также метод газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при низком или атмосферном давлении и др. [27,28];

• метод молекулярно-лучевой эпитаксии (далее МЛЭ);

• метод плазмохимического осаждения из газовой фазы [29];

Эпитаксиальное наращивание многослойных полупроводниковых структур осуществляется при меньших температурах, чем температуры получения объемных монокристаллов, что сопровождается снижением диффузии примесей (в том числе и загрязняющих). В итоге улучшаются основные электрофизические характеристики получаемых полупроводниковых структур, а также обеспечивается достаточно высокая воспроизводимость их свойств.

Исторически сложилось так, что технология ЖФЭ явилась основной для изготовления разнообразных гетероструктур при организации серийного производства светодиодов различного назначения [30]. Это обусловлено прежде всего тем, что данный метод обладает высокой производительностью и низкой себестоимостью.

В настоящее время технология МЛЭ находит основное применение в научных исследованиях и опытном производстве. Она позволяет быстро реализовать новые концепции устройств и опробовать много новых материалов или структур. Следует отметить, что МЛЭ позволяет гарантированно получить самые разнообразные полупроводниковые многослойные структуры для научных исследований. МЛЭ позволяет реализовать как методы самоорганизующегося роста, так и рост на предструктурных подложках. При этом, точность температурного контроля составляет 5 °С, а однородность квантовых точек несколько нанометров [31].

Применение метода МЛЭ в массовом производстве носит ограниченный характер ввиду высокой себестоимости, низкой производительности. Недостатком МЛЭ соединений группы АшВу также является низкая экологическая безопасность и достаточно высокая сложность выращивания материалов из-за необходимости использования высокого давления. Согласно технологии производства МЛЭ имеется высокая вероятность попадания в воздух вредного вещества арсина, появление которого обусловлено взаимодействием мышьяка с парами воды при каталитической роли алюминия.

Таким образом, из перечисленных выше методов выращивания гетероструктур, наибольшее практическое применение получил метод эпитаксии из газообразной фазы с помощью осаждения металлорганических соединений [24,32,33].

Данный метод ГФЭ позволяет получать гетерограницы с резкостью на уровне одного моноатомного слоя в сочетании с высокой однородностью по площади выращиваемых структур. Это является основой для использования

данной технологии при изготовлении квантоворазмерных светодиодов на основе широкого класса соединений АшВу и АпВу1 [34].

В основе метода ГФЭ из металлорганических соединений лежит метод химических реакций. Он отличается от других тем, что в нем источником материала для роста эпитаксиальной структуры служат металлорганические алкильные соединения, а рост слоя осуществляется при термическом разложении (пиролизе) этих газов и последующей химической реакции между возникающими компонентами на нагретой пластине-подложке [35]. При этом поверхность подложки играет роль катализатора. Для достижения стационарного процесса роста необходимо, непрерывно удалять образующиеся в результате химических реакций газы.

Важным фактором для поддержания качества изготовленных гетероструктур, является контролируемость условий роста в реакторе и стабильность подачи реагентов в реактор. Основной причиной сбоев в контроле являются переходные процессы в трубопроводах газоподготовительной системы, реакторе и вакуумной системе, которые обусловлены переключениями газовых потоков.

Было показано [36], что разложение газовой смеси металлорганических соединений и гидрида мышьяка (арсина) АбНз, проводимое при температуре (600-700) °С в атмосфере водорода, можно использовать для выращивания тонких эпитаксиальных пленок СаАэ в открытом (проточном) реакторе. Подобный подход используется и в настоящее времени для выращивания гетероструктур АЮа1пР [24,37]. На рис. 1.1 представлена типичная схема установки для выращивания гетероструктур АЮа1пР методом ГФЭ с использованием металлорганических соединений.

Тщательно контролировать необходимо только температуру подложки, причем небольшие ее изменения не играют роли, поскольку большинство свойств пленок, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, малочувствительны к таким изменениям температуры.

Нг

№

АбНз РН3 гп(снз)2в1н4

-в

Реактор

"ЕЕ}

гИ [В гй

вентиляции

Откачка

Са(СН3)3 1п(СНз)3 А1(СН3}2

ж Контроллер массового расхода г- 3

"П—

Контроллер давления Пропускной клапан барботера

Вентиляционный клапан Переключающий клапан

Рисунок 1.1 - Схема реактора для получения гетероструктур АЮа1пР методом ГФЭ из металлорганических соединений

Метиловая и этиловая металлорганика достаточно часто используется при выращивании полупроводниковых эпитаксиальных пленок [24]. Эти соединения относительно просты в получении и легко пиролизуются в атмосфере водорода, выделяя атомы соответствующего металла и в качестве побочных продуктов газообразные метан или этан, которые могут быть легко удалены из ростовой камеры. Кроме того, поскольку в процессе роста не участвуют травящие

вещества, то возможно получение резких границ между различными слоями [38,39]. Однородность слоев обеспечивается как по толщине, так и по составу, поскольку процесс роста не является результатом конкуренции между осаждением и травлением, как в некоторых других методах ГФЭ. Достигаемая при этом точность температурного контроля (2-3) °С, а однородность квантовых точек - несколько нанометров. Типичные условия роста слоев АЮа1пР приведены в таблице 1.1.

Таблица 1.1- Условия роста гетероструктур AlGalnP

Используемые Температура Полное V/III Скорость

химические соединения подложки, °С давление, Соотношение роста,

Topp мкм/ч

Группа III:

Триметилгаллий

Ga(CH3)3

Триметилиндий 1п(СН3)3

Триметилалюминий

А1(СНз)з

Группа V: 730 25 450 3

Фосфин РН3

Арсин AsH3

Легирующие

соединения:

Диметилцинк Zn(CH3)2

Силан SiH}

Основными проблемами при производстве гетероструктур с МКЯ для СД методом ГФЭ являются создание однородных границ слоев в многослойных структурах, водородная пассивация акцепторных атомов и спонтанное включение кислорода [32,40]. Следует отметить, что в качестве акцепторной примеси в

гетероструктурах АЮа1пР чаще всего используют магний. Таким образом, можно сделать предположение о том, что в активных слоях получаемых гетероструктур может быть достаточно высокое содержание комплексов М§-Н.

При эпитаксиальном выращивании многослойных структур существует несколько специфичных проблем. В частности — это вопрос о характере соответствия кристаллических решеток выращиваемого слоя и подложки вблизи границы раздела. Согласно принципу Руайэ принято предельно допустимое значение несоответствия решеток при любых методах выращивания многослойных структур равное 15%. Однако, на практике установлено, что возможно наращивание структур и при большем различии периодов решеток [41].

Считается, что определяющее влияние на процесс эпитаксиального роста оказывают активные центры роста на подложке, природа которых к настоящему времени неизвестна. Предполагается, что активные центры связаны с дефектами в приповерхностном слое, которые создают локальные искажения потенциального рельефа. Кроме того, между контактирующими фазами образуется переходный слой, состав (а, следовательно, и структура) которого определяются равновесной фазовой диаграммой срастающихся фаз.

Таким образом, основной технологией производства гетероструктур АЮа1пР с МКЯ является метод эпитаксии из газообразной фазы с помощью осаждения металлорганических соединений.

Молекулярно-лучевая эпитаксия находит основное применение в научных исследованиях и опытном производстве, но обладает низкой экологической безопасностью и сложностью поддержания условий роста.

В технологической и научной доработке нуждаются следующие аспекты производства гетероструктур АЮа1пР методом ГФЭ: водородная пассивация, своевременное удаление кислорода из камеры роста и качественный по всем параметрам сплав слоев.

Исходя из описанного выше, можно сделать предположение о том, что в активных слоях получаемых гетероструктур может быть достаточно высокое содержание комплексов М^-Н.

1.2. Особенности легирования гетероструктур АЮаГпР

Описанные в п. 1.1. методы роста многослойных гетероэпитаксиальных структур позволяют достаточно просто осуществлять легирование монокристаллических слоев в процессе их выращивания и обеспечивать требуемое однородное распределение легирующей примеси по толщине слоя и площади пластины.

Легирование различными примесями может по-разному влиять на электрофизические и люминесцентные свойства гетероструктур. Именно эти характеристики структур определяют выходные параметры СД на их основе. Свойства многослойных структур при легировании активной области и барьерных слоев существенно отличаются.

Активную область во всех двойных гетероструктурах либо не легируют совсем, либо легируют небольшими концентрациями примесей, которые не превышают концентрацию примесей в близлежащих барьерных слоях. Это обусловлено формированием р-п перехода в приграничном слое, способствующем перетеканию носителей в близлежащие слои [42], что, безусловно, приводит к снижению квантовой эффективности. Поскольку диффузионная длина и подвижность электронов, когда они являются неосновными носителями заряда, значительно выше, чем у неосновных носителей - дырок, то легирование активной области гетероструктур АЮа1пР производится преимущественно примесями р - типа. Это позволяет выращивать более равномерные по концентрации носителей заряда многослойные структуры.

При исследовании зависимости квантового выхода излучения от концентрации легирующей примеси в активной области гетероструктур АЮаТпР было выявлено, что наиболее высокий квантовый выход достигается

при концентрации примесей менее 5-1016 см"3 для активной области п-типа и

1 *7 7

концентрации менее 2-10 см" для активной области р - типа [42].

Обычно в качестве легирующей примеси активного слоя р - типа

17 3

используют: цинк (позволяет получать концентрацию дырок до 2-10 см") [24,37,43,44], углерод [45], магний и бериллий [46]. Для акцептора цинка энергия связи линейно возрастает с ростом концентрации алюминия, что приводит к низкой проводимости пленок с высоким содержанием алюминия. Трудности легирования примесями р - типа возникают, когда количество содержания алюминия превышает х = 0,8. Наиболее сильно эти трудности проявляются при использовании в качестве легирующей примеси цинка и магния. Это приводит к снижению возможности контроля процессов роста вследствие усложнения механизмов легирования [47]. Дополнительными проблемными факторами при выращивании многослойных структур методом ГФЭ являются диффузия и водородная пассивация цинка и магния.

Таким образом, можно сделать предположение о том, что в активных слоях получаемых гетероструктур АЮа1пР с МКЯ может быть достаточно высокое содержание комплексов

В качестве легирующей примеси активного слоя п - типа используют

17 3

кремний, что позволяет достичь концентрации электронов до 5-10 см" [45,48,37], а также теллур [45] и селен [46]. Необходимо отметить, что энергия связи селена является функцией содержания алюминия, которая резко возрастает при изменении содержания алюминия в диапазоне 0,3 < х < 0,4. Легирование магнием и теллуром вне установленных диапазонов приводит к формированию кислород-содержащих комплексов на основе указанных примесей и деградации СД, изготовленных на основе таких структур [48]. В данной работе [49] установлено, что появление указанных выше кислородсодержащих комплексов приводит к снижению надежности СД, изготовленных на основе таких структур.

Таким образом, представленные выше результаты позволяют предположить, что:

• формирование М§-0 комплексов при воздействии радиационных факторов может быть одной из причин снижения мощности излучения СД на основе гетероструктур АЮа1пР с МКЯ;

• формирование Те-0 комплексов при воздействии радиационных факторов может быть одной из причин снижения мощности излучения СД на основе гетероструктур АЮаТпР с МКЯ.

Указанные выше комплексы могут быть как центрами безызлучательной рекомбинации, тогда их появление в активной области будет приводить к снижению квантового выхода, так и центрами поглощения генерируемого излучения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Орлова, Ксения Николаевна, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Laser and optical fiber metrology in Romania [Text] / Dan Sporea // Proceedings of the Symposium on Photonics Technologies for 7th Framework Program Wroclaw, 12-14 October 2006. -2006. - P. 281 -185.

2. The InGaAlP Quantum Well Microcavities of Circular or Deformed Disks and Disks with Microstructures [Text] / Bei Zhang [et al.] // Part of the SPIE Conference on Photonics Technology into the 21st Century: Semiconductors, Microstructures, and Nanostructures, Singapore, December. -1999. - SPIE Vol. 3899.-P. 232-238.

3. 1.5 tm InGaAs/InAIGaP quantum well microdisk lasers [Text] / D. Y Chu [et al.] // IEEE Photonics Technology Lett. - 1993. -N 5.- P. 1353-1355.

4. Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GalnP [Текст] /А.С. Гудовских [и др.] // Физика и техника полупроводников. -2009. - Т 43, №5.-С. 1403-1408.

5. Мейтин, М. Электроника: Пусть всегда будет солнце [Текст] / М. Мейтин // Наука, Технология, Бизнес. - 2000. - №6. -С. 40-46.

6. Беляев, В. Н. Современные светодиоды. На сколько светлое у них будущее? [Текст] / В. Н. Беляев // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. - 2009. -№2.-С. 18-24.

7. От нанометров к миллиардам или как 10~9 становится 109. «Круглый стол» руководителей предприятий Зеленограда [Текст] // Энергополис, - 2009. -№3 (18).-С. 48-53.

8. Spagnolo, Giuseppe Schirripa. / LED Applications in Railway Signals: Wavelength and Intensity vs Temperature Variation [Text] / Giuseppe Schirripa Spagnolo, Donato Papalillo, Andrea Martocchia // Journal of Transportation Technologies. - 2012. -N 2,- P. 78-83.

9. LumiLeds. Preminary Application Note P01 [Text] // Lumileds custom Luxeon. -2002. -N 1-2.-P. 1-20.

Ю.Алферов, Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур [Текст] / Ж.И. Алферов // Физика и техника полупроводников.- 1998. - Т. 32, № 1. - С.3-18.

11 .P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam: irradiation (LEEBI) [Text]/ H. Amano [et al.] //Jap. Appl. Phys. - 1989. - V. 28. -P.2112-2114.

12.Мощные полупроводниковые источники излучения [Текст] / В.Н. Волков [и др.] // Электроника: наука, технология, бизнес. - 1999. -№3. - С. 16-21.

13.Superbright Green InGaN Single Quantum Structure Light-Emitting Diodes [Text] / S. Nakamura [et al.] // Japan Journal of Appl. Phys. - 1995. - N 34. -P.1832-1838.

14.Инжекционный гетеролазер на основе массива вертикально совмещенных квантовых точек TnGaAs в матрице AlGaAs [Текст] / Ж.И. Алферов [и др.]// Письма в журнал технической физики. - 1997. - № 3. - С.657-659.

15.Hodapp, M.W. High brightness light emitting diodes [Text] / M.W. Hodapp. -New York: NY, Academic press. - 1997. - P.87-92.

16.Craford, George M. Visible light emitting diodes: past, present and very bright future [Text] / George M. Craford. - MRS bulletin. - 2000. - № 1. - P.l 13-118.

17.Полупроводниковая лампа - источник освещения, альтернативный лампам накаливания и электролюминесцентным лампам [Текст] / В.Н. Гридин [и др.] // Компьютерная оптика. - 2009. - Т 32, №4. - С. 375-383.

18.Experimental determination of the internal quantum efficiency of AlGalnP microcavity light-emitting diodes [Text] / P. Royo [et al.] // Journal Of Applied Physics.-2002.-V. 91,N5 (l).-P. 2563-2568.

19.Градобоев, A.B. Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия [Текст] /: дис. ... д. техн. наук: 01.04.10: защищена 07.10.03: утв. 12.03.2004 / Градобоев Александр Васильевич. - Томск, 2003. - 284 с. -Библиогр.: с.236 - 284.

20.Действие проникающей радиации на изделия полупроводниковой техники под ред Ладыгина

21.Zeller, H.R. Cosmic Ray Induced Failures in High Power Semiconductor Devices [Text] // H. R. Zeller. - Lenzburg: ABB Semiconductors AG. - 2004. -8 p.

22.Случинская, И.А. Основы материаловедения и технологии полупроводников [Текст] / И.А. Случинская. - М.: Мир, 2002.-376 с.

23.Берг, А. Светодиоды [Текст] / А. Берг, П. Дин. -М.: Мир, 1979. -677 с.

24.(Al)GaInP Multiquantum Well LEDs on GaAs and Ge [Text] / P. Modak [et al.] // Journal of electronic materials. - 2000. - V. 29, №1. - P. 80-85.

25.Nondestructive assessment of In0.48(Gai2xAlx)o.52P films grown on GaAs (001) by low pressure metalorganic chemical vapor deposition [Text] / Z. C. Feng [et al.] // / Journal Of Applied Physics. - 1999. - V. 85, N 7. - P. 3824-3831.

26.High-brightness InGaAlP green light-emitting diodes [Text] / H. Sugawara [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 1992. -V. 61, N 15. - P. 1775-1777.

27.High-performance AIGalnP light-emitting diodes. Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications [Text] / S. A.Maranowski, [et al.] // Proc. SPIE. - V. 3002/110. - P. 110-118.

28.The Growth and Properties of High Performance AIGalnP Emitters Using a Lattice Mismatched GaP Window Layer [Text] / R. M. Fletcher [et al.] // Journal of Electronic Materials. - 1991.-V. 20, N. 12. - P. 1125 - 1130.

29.Wang, Jian. Light-Emitting Diode Materials and Devices II [Text]/ Jian Wang, Changhee Lee, Hezhou Wang // Proc. of SPIE. - 2007. - V. 682. - 248 p.

30.Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs [Текст] / Ж.И. Алферов [и др.] // ФТП. - 1968. - Т. 2, № 10.-С. 1545- 1548.

31 .Использование нанотехнологий в производстве светодиодов [Текст] / B.C. Пашков [и др.]. -М.: ГК «Роснанотех», 2010. - 205с.

32.Red and Green Resonant Cavity LEDs for datacom applications [Text] / B.Corbett [et al.] // Proceedings of SPIE. - 2003. - V. 4876. - P. 176-183.

33.AlGaInP-LEDs-break-performance-barriers [Electronic resource] / Mari Holcomb [et al.]. - Access regime:

http://coinpoundsemiconductor.net/csc/features-details/l 1517/AlGaInP-LEDs-break-performance-barriers-(Cover-Story.htmn.

34.Чельный, A.A. Исследование влияния легирования эмиттерных слоев на параметры диодных лазеров на основе твердых растворов AlGaAs и AlGalnP [Текст] /: дис. ... канд. техн. наук : 05.27.03 : защищена 26.05.05: утв. 29.03.2006 / Чельный Александр Александрович. - М., 2005. — 131 с. — Библиогр.: с.98 - 131.

35.Manasevit, Н.М. Single - crystal gallium arsenide on insulated substrates [Text] / H.M. Manasevit//Appl.Phys. Lett.- 1968.-V. 12.-P. 156 - 160.

36.Balk, P. Deposition of III-V compounds by MO-CVD and in halogen transport systems — A critical comparison [Text] / P. Balk, E. Veuhoff // J. Cryst. Growth. -1981.-V. 55. - P. 35 - 41.

37.Photoluminescence Studies on InGaAIP Layers Grown by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition [Text] / S. Naritsuka [et al.] // Journal of Electronic Materials. - 1991. -V. 20, N. 9. - P. 687-690.

38.Kangude,Yamini. Red Emitting Photonic Devices Using InGaP/InGaAlP Material System [Text] / Yamini Kangude. Submitted to the Department of Materials Science and Engineering and the Department of Electrical Engineering and Computer Science in partial fulfillment of the requirements for the degrees of Master of Science in Materials Science and Engineering and Master of Science in Electrical Engineering and Computer Science: Massachusetts Institute Of Technology, 2005.-58 p.

39. Wafer Bonding of 50-mm-Diameter Mirror Substrates to AlGalnP Light-Emitting Diode Wafers [Text] / R.H. Horng [et al.] // Journal of Electronic Materials. -2001.-V. 30, N. 8.-P. 907-910.

40.Reduction of residual oxygen incorporation and deep levels by substrate misorientation in InGaAIP alloys [Text] / M. Suzuki [et al.] //J. Crystal Growth. -1993.-V. 133.-P. 303-316.

41.Manasevit, H.M. Recollections and reflections of MO-CVD [Text] / H.M. Manasevit // J. Cryst. Growth. - 1981. - V. 55. - P. 1-9.

42.Шуберт, Ф.Е. Светодиоды [Текст] / Ф.Е. Шуберт; перевод с англ. под ред.

А.Э. Юновича. - 2-е изд. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. -496 с. 43.Suzuki, Mariko. Study on the doping technologies of wide bandgap semiconductors or the development of light emitting devices [Text] / Mariko Suzuki. - Tokio: Toshiba Corporate Research, 2007. - 23Op.

44.Investigation of Zn diffusion by SIMS and its effects on the performance of

«

AlGalnP-based red lasers [Text] / Young Chul Shin [et al.] //Semicond. Sci. Technol. - 2006. - V. 21. - P. 35-39.

45.Tunnel Junctions for Multifunction Solar Cells AIGaAs/InGaAIP [Text] / P.R. Sharps [et al.] - Albuquerque. - 2000. - 5 p.

46.Growth of InGaAIP HB-LEDs in a Large Scale Production Reactor [Text] / S. Li [et al.] // Part of the SPIE Conference on Light.Emitting Diodes: Research, Manufacturing and Applications 111, San Jose. - 1999. - V. 3621.-P. 116-123.

47.A study of p-type doping for AlGalnP grown by low-pressure MOCVD [Text] / Y. Ohba [et al.] // J. Crystal Growth. - 1988. - V. 93. - P. 613 - 617.

48.GaInAsP/GaInP/AlGaInP^a3epbi, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / А. В. Алуев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 556560.

49.Influence of doping on the reliability of AlGalnP LEDs [Text] / Paola Altieri-

Weimar [et al.]// J Mater Sci: Mater Electron. - 2008. V. 19. - P. 338-341. 50.Prins, A.D. High pressure determination of AlGalnP band structure [Text] / A.D.

Prins [et al.] // J Phys. Chem. Solids. -1995. - V. 56. -P. 349-352. 51.0MYPE growth of AlGalnP for high-efficiency light-emitting diodes. High -brightness Light-Emitting Diodes[Text] / C.H. Chen [et al.]; edited by G.B. Stringfellow and M.G. Craford. - San Diego: Academic Press, Semiconductors and Semimetals. - 1997. - V 48. - 469p. 52.Kish, F.A. AlGalnP light-emitting diodes. High - brightness Light-Emitting Diodes [Text] / F.A. Kish, R.M. Fletcher; edited by G.B. Stringfellow and M.G.

Craford. - San Diego: Academic Press, Semiconductors and Semimetals. - 1997. _ y 48. - 469p.

53.Light Emitting Diodes (LEDs). An Oida Technology Roadmap Optoelectronics Industry; Development Association OIDA. - 2001. - 68 p.

54.Gessmann, Th. High-efficiency AlGalnP light-emitting diodes for solid-state lighting applications [Text] / Th. Gessmann, E. F. Schubert // Journal of Applied Physics. - 2004. - V. 95, N 5(1 ). - P. 2203-2216.

55.Takahashi, Kiyoshi. Wide Bandgap Semiconductors Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic devices [Text] / Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu. - Berlin: Heidelberg, Springer - Verlag. - 2007. -483p.

56.Highly reliable operation of indium tin oxide AlGalnP orange light-emitting diodes [Text] / J. F. Lin [et al.] // Electronics Letters. - 1994. - V. 30(21). - P. 1793-1794.

57.Determination of the band structure of disordered AlGalnP and its influence on visible-laser characteristics [Text] / A.T. Meney [et al.] // I.E.E.E. Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. - 1995. -N 1. - P. 697-706.

58.Direct measurement of band offsets in GalnP/AlGalnP using high pressure [Text] / A.D. Prins [et al.] //Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1995. - V.56. -P. 423-427.

59.Kovac, J. Advanced light emitting diodes structures for optoelectronic applications [Text] / J. Kovac, L. Peternai, O. Lengyel / Thin Solid Films. - 2003. -V. 433. — P.22-26.

60.Watanabe, M.O. Interface properties for GaAs/InGaAlP heterojunction by the capacitance-voltage profiling technique [Text] / M.O. Watanabe, Y. Ohba // Appl.Phys.Lett. - 1987. - V. 50. - P.906-909.

61.Optical properties of Al Jni-vP grown by organometallic vapor phase epitaxy [Text] / D. P. Bour [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 1987. - V. 50. - P. 615 - 619.

62.AIGaAs/InGaAIP Tunnel Junctions for Multifunction Solar Cells [Text] / P.R. Sharps [et al.]; EMCORE Photovoltaic, 2000. - P. 1 - 5.

63.Traps in AlGalnP materials and devices lattice matched to GaAs for multi-junction solar cells [Text] / A.R. Arehart [et al.] // Proc. 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Honolulu. -2010. - P. 001999-002001.

64.1mpact of Annealing and V:III Ratio on Properties of MBE Grown Wide Bandgap AlGalnP Materials and Solar Cells [Text] / M. Lueck [et al.] // Proc. Of the 30th IEEE Photovoltaic Spec. Conf. -2005. - P. 711 - 714.

65.AlGalnP Microcavity Light-Emitting Diodes at 650 nm on Ge Substrates [Text] / P. Modak [et al.] // IEEE Photonics Technology Letters. - 2000. - V. 12, N. 8. -P. 957-959.

66.High Efficiency InAlGaP Microcavity LEDs on Ge-substrates [Text] / P. Modak [et al.] // Proceedings Simposium IEEE/LEOX Beneux Chapter, Deft, Netherlands. - 2000. - P. 59-62.

67.InAlGaP microcavity LEDs on Ge-substrates [Text] / P. Modak [et al.] // Journal of Crystal Growth. - 2000. - V. 221. - P. 668-673.

68.InGaAlP and InGaN light-emitting diodes: high-power performance and reliability in Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications IV [Text] / Ivan Eliashevich [et al.] // Proceedings of SPIE. - 2000. - V. 3938 -3941.

69. Селезнев, Д.В. Исследование радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов на основе гомо- и гетероструктур первого и второго поколения на базе трех-четырех компонентных твердых растворов AIIIBV / [Текст] /: дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 : защищена 22.03.06: утв. 29.03.2007 / Селезнев Дмитрий Владимирович. - М., 2006. -126 с. - Библиогр.: с.121 - 126.

70. Surface recombination measurements on III-V candidate materials for nanostructure light-emitting diodes [Text] / M. Boroditsky [et al.] // Journal of Applied Physics. - 2000. - V. 87, N 7(1). - P. 3497-3504.

71.Casey, H. Jr. Heterostructure Lasers [Text] / H. Jr. Casey, M. B. Panish. - New York: Academic, 1978. -272 p.

72.Novel high-brightness tunneling-regenerated multi-active- region AlGalnP light-emitting diode [Text] / GUO Xia [et al.] // Science in China (Series E). - 2003. -V. 46, N. 2.-P. 204-208.

73.Modeling temperature effects and spatial hole burning to optimize vertical- cavity surface-emitting laser performance [Text] / J. W.Scott [et al.] // IEEE Journal of Quantum Electronics. - 1993.-V. 29(5).-P. 1295-1308.

74.Демиховский, В.Я. Квантовые нити, ямы, точки. Что это такое? [Текст] /

B.Я. Демиховский // Соросовский образовательный журнал. - 1997. - №5. -

C. 80-86.

75.Chang, L.L. Resonant tunneling in semiconductor double barriers [Text] / L.L. Chang, L. Esaki, R. Tsu // Appl. Phys. Lett. - 1974. - V. 24. - P. 593 - 605.

76.Lutskii, V.N. Quantum size effect—present state and perspectives of experimental investigations [Text] /V. N. Lutskii // Phys. St. Sol. (a). - 1970. -N 1. - P. 199 -220.

77.Fractal quantum well heterostructures for broadband light emitters [Text] / M .H. Crawford [et al.] // Proceedings SPIE Conference on Optics, Electro-optics, and Laser Application in Science, Engineering and Medicine, San Jose. -1995. P. 5-10.

78.Magneto-Oscillatory Conductance in Silicon Surfaces [Text] / A.B. Fowler [et al.] // Phys. Rev.Lett. - 1966. - V. 16. - P. 901 - 903.

79.Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs [Текст] / Ж.И. Алферов [и др.] // ФТП. - 1968. - Т. 2, № 10.-С. 1545-1548.

80.Rose, В. Н. Proton damage effects on light emitting diodes [Text] / В. H. Rose, С. E. Barnes // J. Appl. Phys. - 1982. - N. 53(3). - P. 1772 - 1780.

81. Лысенко, А.П. Интегральное радиационное изменение параметров полупроводниковых материалов [Текст]: учеб. пособие для вузов / А.П.

Лысенко, Э.Н.Вологдин. - М.: НОЦ - Московский государственный институт электроники и математики. - 2008. - 94 с.

82.Вологдин, Э.Н. Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов [Текст]: учеб. пособие для вузов / Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко. - М.: НОЦ - Московский государственный институт электроники и математики. -2010.-70 с.

83.Милевский, Л.С. Использование локального облучения для изучения радиационных свойств полупроводников [Текст] / Л.С. Милевский, B.C. Гарнык // ФТП. - 1979. - № 13(7). - С. 1369 - 1374.

84.Брудный, В.Н. Радиационное дефектообразование в электрических полях: Арсенид галлия, фосфид индия [Текст] / В.Н. Брудный, В.В. Пешев, А.П. Суржиков-Новосибирск: Наука, 2001.- 136с.

85.В. С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов, Влияние излучения на вещество, М. 1988.

86.Вавилов, В. С. Действие излучений на полупроводники [Текст]: учеб. руководство / В. С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. - М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1988. - 191 с.

87.Claeus, С. Radiation effects in advanced semiconductor materials and devices [Text] / C. Claeus, E. Simoen. - Berlin: Springer, 2002. - 426c.

88.Вавилов, B.C. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах [Текст] / B.C. Вавилов, Н.А Ухин. - М.: Атом-издат., 1969. - 312 с.

89.Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures [Text] / P. Litovchenko [et al.] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2009. - V. 12, N 3. - P. 276-279.

90.Брудный, В.Н. Радиационные эффекты в полупроводниках [Текст]/ В.Н. Брудный // Вестник Томского государственного университета. Серия: Физика. -2005. -№.285. -С. 95-102.

91.Герасименко, H.H. Радиационная стойкость наноструктур [Текст] / H.H. Герасименко // Нано и Микросистемная техника. - 2008. - №9. - С.3-11.

92.Khanna, Rohit. High dose Co-60 gamma irradiation of InGaN quantum well light-emitting diodes [Text] / Rohit Khanna, Sang Youn Han, and S. J. Pearton // Applied Physics Letters. - 2005. - V. 87. - P. 212107 - 212115.

93.Hava, S. Effects of у irradiation on double-heterostructure AIGaAs light-emitting diodes [Text] / S. Hava, R. Lam // J. Appl. Phys. - 1986. - V. 59 (6). - P. 22292235.

94.Barnes, С. E. Radiation Effects in Pigtailed GaAs AND GaAIAs LEDs [Text] / C.E. Barnes. - New Mexico: Albuquerque, Sandia National Laboratories, 87185E3 Report, 1981.-64 p.

95.Роках, А.Г. Гетерофазные полупроводники под действием излучений [Текст] / А.Г. Роках, С.В.Стецюра, А.А. Сердобинцев // Изв. Саратовского Университета.-2005.-Вып. 1.- Т.5.-С. 90-102.

96.Демарина, Н.В. Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии [Текст] / Н.В. Демарина, С.В.Оболенский // ЖТФ. - 2002. - № 1. - С. 66-71.

97.Рубанов, П.В. Радиационная стойкость гетероструктур AIGaAs для светодиодов ИК-диапазона / [Текст] /: дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 : защищена '28.03.12: утв. 29.03.2013 / Рубанов Павел Владимирович. -Томск, 2012. - 125 с. - Библиогр.: с.121 - 125.

98.Lischka H. Radiation Sensitivity of Light-emitting diodes, laser diodes and photodiodes [Text] / H. Lischka. - Euskirchen: Fraungofer - INT, D - 5350, 1992.-P. 423-427.

99.Evans, B.D. 5.5-MeV proton irradiation of a strained quamtum-well laser diode and a multiple quantum-well broad-band LED [Text] / B.D. Evans, H.E. Hager, B.W Hughlock // IEEE Trans Nucl Sci 40:1645-1654

100. Никифоров, С.Г. Разработка методик контроля деградации характеристик светодиодов на основе твердых растворов AlGalnP и AlGalnN / [Текст] /: дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 : защищена 22.03.07: утв. 29.09.2007 / Никифоров Сергей Григорьевич. - М., 2006. - 158 с. -Библиогр.: с.146- 158

101. Gamma radiation effect on GaN-based blue light-emitting diodes with multi-quantum well [Text] / Jin Yu-Zhe [et al.] // Acta Physica Sinica, Chin.Phys.Soc.-2010.-V. 59, №2.-P. 1258-1262.

102. Числов, А. А. Исследование и прогнозирование радиационной стойкости светодиодов из фосфида галлия [Текст] /: дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 : защищена 12.10.05: утв. 21.03.2006 / Числов Александр Алексеевич. - М., 2005. - 100 с. - Библиогр.: с.94 - 98.

103. Rose, В. Н. Proton damage effects on light emitting diodes [Text] / В. H. Rose, С. E. Barnes // J. Appl. Phys. - 1982. -N. 53(3). - P. 1772 - 1780.

104. Proton Degradation of Light-Emitting Diodes [Text] / A. H. Johnston [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. - 1999. - N 46(6). - P. 1781 -1790.

105. Рыжиков, В.И. Контроль радиационной стойкости светодиодов на основе широкозонных полупроводников [Текст] /: дис. ... канд. техн. наук : 05.11.13 : защищена 12.06.05: утв. 17.02.2006 / Рыжиков Валентин Игоревич. - М., 2005. - 105 с. - Библиогр.: с.89 - 93.

106. Рыжиков, И.В. Исследование влияния нейтронного и гамма облучения на электрические характеристики и силу света (AlXGal-X)0,5In0,5P гетероструктур с красным и желтым цветом свечения [Текст] / И.В. Рыжиков, Д.В. Селезнев // Журнал «Технологии приборостроения», М. -2005.- №4 (16). -С. 11-22.

107. Breuze, Gerard. Gamma-ray vulnerability of light-emitting diodes injection4aser diodes and pin-photodiodes for 13 Lm-wavelength fiber optics [Text] / Gerard Breuz, Jean Serre // Proceedings of SPIE. Optical Materials Reliability and Testing. - 1992. -V. 1791. P. 255-264.

108. Сравнение радиационной стойкости гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs и точками InAs при ионной имплантации [Текст] / Н.В.Байдусь [и др.] // Труды 3-го совещания по проекту НАТО SfP-973799 Semiconductors. - 2003. -С. 59-63.

109. Руководство по эксплуатации ЯЮКЛ.411721.002 РЭ. Установка измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых приборов. -2008.-23с.

110. Руководство пользователя. Индикатор Спектра «Spectra». - ИТМ. -2005.-8с.

111. Руководство пользователя ЯЮКЛ.411734.002 РЭ. Установка измерения статпараметров светодиодов POLI_500. - 2009. - 28с.

112. Гусаков, В.В. Электростимулированные процессы восстановления проводимости при облучении п+ - п - п+ - структур GaAs [Текст] / В.В, Гусаков, A.B. Латышев, В.Ф. Стельмах //Изв.вузов. Физика. -1990. - С. 15 -30.

113. Электрорадиационные изменения в барьерных структурах платина -арсенид галлия [Текст] / С.А Груша [и др.] // Электронная техника. Сер.2 Полупроводниковые приборы. - 1990, вып.5. - С.68-72.

114. Гридин В.Н. Исследование воздействия быстрых нейтронов и электронов с белым и синим цветом свечения [Текст]./ В.Н. Гридин, И.В. Рыжиков, B.C. Виноградов // Известия Вузов. Электроника. - 1990, -№1(75). - С.27-32.

115. Градобоев, A.B. Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия [Текст] / A.B. Градобоев, А.П. Суржиков. - Томск: Издательство Томского политехнического университета, 2005. - 277 с.

116. Gradoboev, A.V. Resistance of LEDs Based on AlGalnP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons [Text] / A.V. Gradoboev, K.N. Orlova, I.A. Asanov // J. Chem. Chem. Eng. - 2013. - №7. - P. 409-413.

117. Градобоев, A.B. Деградация параметров гетероструктур AlGalnP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами [Текст] / A.B. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2013; вып. 2. - С. 64 - 66.

118. Градобоев, А. В. Деградация светодиодов на основе AlGalnP при облучении быстрыми нейтронами [Текст] / A.B. Градобоев, К. Н. Орлова // Труды 54-й научной конференции МФТИ «Проблемы фундаментальных и прикладных естественных и технических наук в современном информационном обществе». Общая и прикладная физика, Москва, 10-30 Ноября 2011.-М.: МФТИ, 2011.-С. 146-147. -Библиогр.: с. 147.

119. Мамонтов, А.П. Эффект малых доз ионизирующего излучения [Текст] / А.П. Мамонтов, И.П. Чернов. - Томск: Дельтаплан, 2009. - 288 с.

120. Градобоев, A.B. Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGalnP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами [Электронный ресурс] / A.B. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов // Журнал радиоэлектроники. - 2013. - № 4. - Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/aprl З/7/text.pdf.

121. Градобоев, A.B. Облучение гамма-квантами б0Со светодиодов на основе гетероструктур AlGalnP с множественными квантовыми ямами [Текст] / A.B. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов // Перспективные материалы. - 2013; № 7. - С. 49 - 55.

122. Gradoboev, A.V. Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGalnP [Text] / K. N. Orlova, A. V. Gradoboev, I. A. Asanov // 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST - 2012): Proceedings: in 2 vol., Tomsk, September 18-21, 2012. - Tomsk: TPU Press, 2012. -V. 1. - P. 192-195.

123. Градобоев, A.B.Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGalnP. 1. Облучении гамма-квантами бОСо [Текст] / А. В. Градобоев, К. Н. Орлова, И. А. Асанов // «Радиационная физика твердого тела»: труды XXII Международной конференции, Севастополь, 9-14 Июля 2012. - Москва: НИИ ПМТ, 2012. - С. 510-516. - Библиогр.: с. 516.

124. Градобоев, A.B.Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGalnP [Текст] / К. Н. Орлова, A.B. Градобоев // Студент и научно-технический

прогресс: сборник научных работ победителей Международного молодежного конкурса, Ростов-на-Дону, 1 Июня-1 Июля 2012. - Ростов-на-Дону: ЮФУ, 2012. - Т. 2. - С. 71-74.