Радиационная деградация функционирования кольцевых структур в кремниевых детекторах ядерных излучений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Фадеева, Надежда Николаевна

• Фадеева, Надежда Николаевна
• кандидат физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Фадеева, Надежда Николаевна

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ ПРИНЦИПЫ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ И СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИЗЛУЧЕНИЙ

1.1. Основные принципы функционирования детекторов

1.1.1. Генерация электронно-дырочных пар в объеме детектора

1.1.2. Перенос и собирание носителей заряда в детекторе

1.2. Характеристики р-п перехода, как основного элемента детектора

1.2.1. Формирование ОПЗ в обратно смещенном р-п переходе

1.2.2. Обратный ток р-п перехода

1.3. Изготовление полупроводниковых детекторов

1.3.1. Требования к материалу детекторов

1.3.2. Технологический процесс изготовления кремниевых детекторов

1.4. Особенности конструкций и работы детекторов при высоких напряжениях

1.4.1. Пробой кремниевого детектора и способы борьбы с ним

1.4.2. Расширенный электрод

1.4.3. Кольцевая структура, состоящая из одного плавающего кольца

1.4.4. Кольцевая структура детектора, содержащая несколько плавающих колец

1.5. Деградация кремниевых детекторов под действием облучения

1.5.1. Образование и типы радиационных дефектов

1.5.2. Влияние радиационных дефектов на работу детектора

1.6. Постановка задачи

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Экспериментальные установки исследования детекторов

2.1.1. Установка для измерения распределения потенциала по кольцевой структуре

2.1.2. Установка для измерения вольт-амперных характеристик межкольцевых промежутков

2.2. Программное обеспечение БНуасо ТСАЕ) как среда для моделирования

процесса изготовления и электрофизических характеристик детекторов

ГЛАВА 3. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА И ВОЗМОЖНОСТИ ЕГО МОДЕЛИРОВАНИЯ В КРЕМНИЕВЫХ Р+-К-Ы+ ДЕТЕКТОРАХ ИЗЛУЧЕНИЙ

С КОЛЬЦЕВЫМИ СТРУКТУРАМИ

3.1. Образцы для исследования

3.2. Вольт-амперные и вольт-емкостные характеристики исследованных р+-п-п+ детекторов

3.3. Распределение потенциала по кольцевой структуре и В АХ межкольцевых промежутков р+-п-п+ детектора с удельным сопротивлением 5 кОм см

3.4. Инжекционная модель функционирования кольцевой структуры кремниевого детектора

3.5. Расчет распределения потенциала по кольцевой структуре

р+-п-п+ детектора

3.6. Моделирование структуры р+-п-п+ детектора с удельным сопротивлением

5 кОмсм и распределения потенциала по кольцевой структуре

3.7. Влияние физических и геометрических параметров детектора на распределение потенциала по кольцевой структуре

3.7.1. Зависимость распределения потенциала по кольцевой структуре от удельного сопротивления кремния

3.7.2. Зависимость распределения потенциала по кольцевой структуре от ширины межкольцевого промежутка

3.7.3. Зависимость распределения потенциала по кольцевой структуре от ширины плавающих колец

3.7.4. Зависимость распределения потенциала по кольцевой структуре от

ширины расширенного электрода и толщины детектора

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НЕЙТРОНАМИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ДЕЛИТЕЛЕЙ ПОТЕНЦИАЛА КРЕМНИЕВЫХ P+-N-N+ ДЕТЕКТОРОВ ИЗЛУЧЕНИЙ

4.1. Образцы для исследования

4.2. Распределение электрического поля в объеме облученных кремниевых р+-п-п+ детекторов

4.3. Распределение потенциала по кольцевой структуре облученных нейтронами кремниевых р+-п-п+ детекторов

4.4. Физическая модель функционирования кольцевой структуры кремниевых р+-п-п+ детекторов в интенсивных нейтронных полях

4.5. Моделирование распределения потенциала по кольцевой структуре

облученных кремниевых р+-п-п+ детекторов

ГЛАВА 5. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА ПО КОЛЬЦЕВЫМ СТРУКТУРАМ КРЕМНИЕВЫХ N+-P-P+ ДЕТЕКТОРОВ

5.1. Образцы для исследования

5.2. Вольт-амперные характеристики необлученного детектора

5.3. Распределение потенциала по кольцевой структуре необлученных и облученных нейтронами п+-р-р+ детекторов

5.4. Моделирование распределения электрического поля в объеме

п+-р-р+ детектора

5.5. Высоковольтный п+-р-р+ детектор со стабильной ВАХ

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Радиационная деградация функционирования кольцевых структур в кремниевых детекторах ядерных излучений»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы исследования

Одним из стимулов интенсивного развития кремниевых детекторов ядерных излучений являются новые задачи экспериментальной физики высоких энергий. Так, исследование фундаментальных процессов, происходивших на ранней стадии развития Вселенной, моделирование предельно конденсированного состояния материи в нейтронных звездах, поиски бозона Хиггса и ряд других глобальных проектов возможны при использовании специальных кремниевых детекторов. Уже созданные крупнейшие экспериментальные установки, такие как Большой Адронный Коллайдер (БАК) в ЦЕРНе (Швейцария), ТЭВАТРОН в лаборатории Ферми (США) используют сотни квадратных метров кремниевых стриповых и пиксельных детекторов. Кремниевые детекторы должны

15 2

обеспечивать радиационную стойкость до доз -10 см" в эквиваленте нейтронов

1А 9

с энергией 1 МэВ в существующих экспериментах и до 10 см" при последующей модернизации экспериментов БАК. Данные эксперименты требуют от детекторов длительной стабильной работы на протяжении всего периода эксплуатации, который может занимать до нескольких лет. Интенсивные исследования последних 15 лет фокусировались на деградации транспортных свойств чувствительной области, а вопрос деградации элементов детекторов, таких как кольцевых структур, в его связи с изменением свойств объема детектора под действием облучения фактически выпал.

В настоящей работе исследуется влияние облучения нейтронами вплоть до

| с л

доз 5-10 экв.нейтр./см на свойства кольцевых структур, окружающих чувствительную область детектора и предназначенных для плавного снижения

потенциала от центральной чувствительной области к периферии детектора. Это позволяет избежать образования областей с высоким электрическим полем у чувствительного к излучению контакта, протекания поверхностных и периферийных токов и тем самым стабилизировать работу прибора. Исследования входят в программу работ по созданию детекторов для модернизации экспериментов на БАК, а также являются актуальными для создания установок, включающих кремниевые детекторы, в рамках программы FAIR в исследовательском центре GSI (Германия).

Цель работы заключалась в исследовании радиационных эффектов в кольцевых структурах детекторов, изготовленных на основе высокоомного кремния.

Для достижения данной цели решались следующие задачи:

1. исследование механизма распределения потенциала по кольцевой структуре необлученных детекторов, изготовленных на основе высокоомного кремния;

2. экспериментальное исследование влияния радиационного облучения на распределение потенциала по кольцевой структуре;

3. создание модели влияния профиля электрического поля на распределение потенциала по кольцевой структуре;

4. сопоставление и анализ экспериментальной модели распределения электрического поля по кольцевой структуре с результатами, полученными путем компьютерного моделирования;

5. проецирование закономерностей функционирования кольцевых структур в р+-п-п+ детекторах на п+-р-р+ детекторы.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Развита модель распределения потенциала по кольцевой структуре кремниевых детекторов, учитывающая протекание генерационного тока в объеме детектора.

2. Показано, что инверсия знака пространственного заряда под действием облучения в детекторах на основе «-81 не влияет на распределение потенциала по кольцевой структуре.

3. Установлено, что критическим фактором, обеспечивающим функционирование кольцевых структур в кремниевых детекторах с высокой концентрацией глубоких уровней, является двухпиковое распределение электрического поля в объеме детектора.

1С л

4. При дозе облучения больше 1-10 экв.нейтр./см начинает доминировать токовый механизм распределения электрического поля в объеме детектора, что приводит в эквипотенциальное™ колец, при этом вольт-амперная характеристика стабилизируется за счет эффекта тока, ограниченного пространственным зарядом.

Научная и практическая значимость работы сводится к следующему:

1. Развиты механизмы, определяющие функционирование кольцевой

1 г л

структуры кремниевых детекторов до дозы облучения 5-10 экв.нейтр./см .

2. Показано, что инверсия знака пространственного заряда не нарушает работы детекторов, однако изменяет характер распределения потенциала по кольцевой структуре.

3. Определена максимальная доза облучения эффективного

15 2

функционирования кольцевой структуры равная 1-10 экв.нейтр./см и показано, что при больших дозах облучения основным механизмом стабильной работы детекторов является эффект тока, ограниченного пространственным зарядом.

Положения, выносимые на защиту:

1. Функционирование кольцевой структуры в необлученных кремниевых детекторах определяется инжекционной моделью распределения потенциала по кольцевой структуре, ключевым фактором которой является распределение электрического поля в межкольцевых промежутках детектора и протекание тока в объеме детектора.

2. В облученных р+-п-п+ детекторах после инверсии знака пространственного заряда кольцевая структура сохраняет способность делить потенциал, что является результатом характерного распределения электрического поля в объеме детектора с двумя максимумами у контактов детектора.

3. Максимальная доза облучения эффективного функционирования кольцевых структур в кремниевых детекторах, равна 1-Ю15 экв.нейтр./см2, при больших дозах стабильная работа детектора обеспечивается эффектом тока, ограниченного пространственным зарядом.

Достоверность полученных результатов подтверждается сравнительным анализом экспериментальных данных и данных, полученных в результате моделирования, а также имеющимися литературными данными.

Результаты работы были использованы при выполнении проектов: Грант Президента РФ Научная школа НШ-2951.2008.2, НШ-3306.2010.2 и № НШ-3008.2012.2 «Физика неравновесных процессов в полупроводниковых структурах, микро- и нанотехнологии преобразования энергии», 2008-2013гг.; Программа Президиума РАН «Экспериментальные и теоретические исследования фундаментальных взаимодействий, связанные с работами на ускорительном комплексе ЦЕРН», проект «Разработка принципов повышения радиационной стойкости кремниевых трековых детекторов для развития экспериментов на БАК и создание макетных образцов», 2009-2014гг; гос. контракта № У-2013-1/10 «Радиационные эффекты» проект №17231 от 01.04.2013 на выполнение НИОКР «Разработка структур стабилизации ВАХ высоковольтных детекторов релятивистских частиц для коллайдеров с высокой светимостью пучка» по программе «У.М.Н.И.К.» Фонда содействию развития малых форм предприятий в научно-технической сфере; Фадеева Н.Н. является членом коллаборации ЦЕРН-RD50 (Radiation hard semiconductor devices for very high luminosity colliders).

Апробация результатов работы

Основные результаты диссертации докладывались на следующих конференциях: International conference on nuclear physics «Nucleus 2010» - Saint-Petersburg, 2010; The 9th International Conference on Position Sensitive Detectors, Aberystwyth, 2011; RD50 collaboration workshops, 2009-2012; 65 научно-техническая конференция профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ, СПб, 2012; Российская молодежная конференция по физике и астрономии «ФизикА.СПб», СПб, 2012; Международная зимняя школа по физике полупроводников, СПб, Зеленогорск, 2013.

Публикации

Основные результаты работы опубликованы в 10 печатных работах, из них 7 публикаций в ведущих рецензируемых изданиях, рекомендованных в перечне ВАК; 3 публикаций в трудах научно-технических конференций.

Структура диссертации

Диссертация состоит из введения, 5 глав и заключения, изложенных на 143 страницах машинописного текста. Диссертация включает 58 рисунков, 4 таблицы и список литературы из 72 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Фадеева, Надежда Николаевна

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведено исследование функционирования кольцевых структур детекторов, изготовленных на основе высокоомного кремния. Кольцевые структуры служат для плавного снижения потенциала от активной части детектора в сторону периферии, уменьшая напряженность электрического поля на краю основного перехода и стабилизируя ВАХ детектора.

Предложена инжекционная модель распределения потенциала по кольцевой структуре р+-п-п+ кремниевых детекторов, определяющую роль в которой играют распределение электрического поля в межкольцевых промежутках и протекание тока в объеме детектора.

Исследовано влияние радиационного облучения на функционирование кольцевых структур р+-п-п+ кремниевых детекторов до доз 5-1015 экв.нейтр./см2. Деградация распределения потенциала по кольцевой структуре с облучением связана с изменением профиля электрического поля в объеме детектора. При малых дозах облучения распределение потенциала по кольцевой структуре отвечает инжекционной модели, как и до облучения. После инверсии знака пространственного заряда кольцевая структура сохраняет способность делить потенциал, что является результатом двухпикового распределения электрического поля в объеме детектора. Максимальная доза, при которой осуществляется

15 2 деление потенциала по кольцевой структуре равна 1-10 экв.нейтр./см . При больших дозах, когда концентрация дефектов с глубокими уровнями значительна, за стабильную работу детекторов отвечает эффект тока, ограниченного пространственным зарядом.

Распределение потенциала по кольцевой структуре п+-р-р+ кремниевых детекторов также определяется инжекционной моделью. В п+-р-р+ детекторах ширина /?-з1:ор кольца играет значительную роль в распределении потенциала по кольцевой структуре.

Кроме экспериментального исследования было проведено компьютерное моделирование распределения потенциала по кольцевым структурам кремниевых детекторов. Экспериментальные данные и результаты моделирования показали хорошее соответствие для необлученных детекторов. На основе проведенного моделирования были созданы тестовые п+-р-р+ детекторы с оптимальной топологией кольцевой структуры. Максимальное рабочее напряжение этих образцов составляет 950 В.

При анализе экспериментальных данных и результатов моделирования для облученных детекторов было подтверждено определяющее влияние глубоких уровней на распределение потенциала по кольцевым структурам при высоких дозах облучения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Фадеева, Надежда Николаевна, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. The ATLAS Technical Proposal [Electronic resource] / ATLAS Collaboration -Geneva, CERN/LHCC/94-43, LHCC/P2. - 1994.

2. The Compact Muon Solenoid Technical Proposal [Electronic resource] / CMS Collaboration - Geneva, CERN/LHCC/94-38. - 1994.

3. Aarnio, P. A. Hadron fluxes in inner parts of LHC detectors [Text] / P. A. Aarnio, M. Huhtinen // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 1993. - V. A336. - P. 98-105.

4. Silicon detectors for the sLHC [Text] / A. Affolder, A. Aleev, P.P. Allport [et al.] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 2011. - V. A658. -P.ll-16.

5. Koa, Y.C. High voltage planar p-n junctions [Text] / Y.C. Koa, E.D. Wolley // Proceeding of the IEEE. - 1967. - V. 55. - P. 1409-1414.

6. Baliga, B.J. Fundamentals of Power Semiconductor Devices [Text] / B.J. Baliga. - N. Y.: Springer Science, 2008. - 1069 p.

7. Van Lint, V. A. J. Correlation of radiation types with radiation effects [Text] / V. A. J. van Lint, E. G. Wikner // IEEE Transactions on Nuclear Science. - 1963. -V. NS-10-P. 80-87.

8. Lutz, G. Semiconductor Radiation Detectors. Device Physics [Text] / G. Lutz. -Berlin Heidelberg: Springer-Verlag, 1999. - 353 p.

9. Клайнкнехт, К. Детекторы корпускулярных изучений [Текст] / К. Клайнкнехт. - М.: Мир, 1990.-224 с.

10. Экспериментальная ядерная физика [Текст] : пер. с англ. / ред. Э. Сегре. -М. : Издательство иностранной литературы, 1955 - 1961. Т. 1. - 1955. - 662 с.

П.Вологдин, Э. Н. Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов [Текст] : Учеб. пособ. / Э. Н. Вологдин, А. П. Лысенко. - М.: МГИЭиМ, 2001. - 70 с.

12. Seitz, F. Solid State Physics [Text] / F. Seitz, J. S. Koehler; edited by F. Seitz and D. Turnbull. - N. Y.: Academic Press, 1956. - 307-442 p.

13.Бор, H. Прохождение атомных частиц сквозь вещество [Текст] / Н. Бор; Пер. с англ. А. Д. Галанина; Под. ред. Я. А. Смородинского. - М.: Изд-во иностр. лит., 1950. - 151 с.

14.Bethe, Н. Zur Theorie des Durchgangs schneller Korpuskularstrahlen durch Materie [Text] / H.Bethe // Annalen der Physik. - 1930. - V. 397. - P. 325-400.

15.Галкин, Г. И. Объемная рекомбинация носителей тока в кремнии я-типа, содержащем радиационные дефекты структуры [Текст] / Г. И. Галкин, И. С. Рытова, В. С. Вавилов // ФТТ. - 1960. - 2 - С. 2025-2027.

16. Вавилов, В. С. Действие излучений на полупроводники [Текст] : учебник / В. С. Вавилов. - М. : Физматгиз, 1963. - 264 с.

17. Stein, Н. J. Defects in Silicon: Concepts and Correlations, Radiation Effects in Semiconductors [Text] / H. J. Stein. - New York: Gordon & Breach, 1970. - p. 125-140.

18. Van Lint, V. A. J. Energy dependence of displacement effects in semiconductors [Text] / V. A. J. van Lint, R. E. Leadon, J. F. Colwell // IEEE Transactions on Nuclear Science.- 1972.-V. 19-P. 181-185.

19.Caturla, M. J. Disordering and defect production in Silicon by keV ion irradiation studied by molecular dynamics [Text] / M. J. Caturla, T. Diaz de la Rubia, G. H. Gilmer // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 1995. - V. 106.-P. 1-8.

20. Averback, R. S. Displacement damage in irradiated metals and semiconductors [Text] / R. S. Averback, Т. Diaz de la Rubia // Solid State Physics. - 1998. - V. 51.-P. 281-401.

21. Зейтц, Ф. О нарушении порядка в твердых телах под действием быстрых тяжелых частиц. В кн.: Действие излучения на полупроводники и

изоляторы [Текст] / Ф. Зейтц; Под ред. С.М. Рывкина. - М.: Изд-во иностр. лит., 1954.-с. 3-24.

22. Дине, Д. Радиационные эффекты в твердых телах [Текст] : монография / Д.Динс, Дж.Винйард; Пер. с англ. А.Х.Брегера; Под ред. Г.С.Жданова. - М. : Изд-во иностр. лит., 1960. - 243 с.

23. Moser, H.-G. Silicon detector systems in high energy physics [Text] / H.-G. Moser // Progress in Particle and Nuclear Physics. - 2009. - V. 63. - P. 186-237.

24.Alig, R.C. Scattering by ionization and phonon emission in semiconductors [Text] / R.C.Alig, S. Bloom, C.W. Struck // Phys. Rev. B. - 1980. - V. 22 - P. 5565-5582.

25. Review of Particle Physics [Text] / C. Caso [et al.] // The European Phusical Journal. - 1998.-C3:l - P. 1-2.

26.Ramo, S. Currents induced by electron motion [Text] / S. Ramo // Proceedings of the IRE. - 1939. - V. 27 - P. 584-585.

27. Dimaria, D.J. Impact ionization, trap creation, degradation, and breakdown in silicon dioxide films on silicon [Text] / D.J. Dimaria, D. Arnold, E. Cartier // Journal of Applied Physics. - 1993. - V. 73 - P. 3367-3384.

28.Breakdown protection and long-term stabilisation for Si-detectors [Text] / A. Bischoff, N. Findeis, D. Hauff [et al.] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 1993. - V. A326 (1-2) - P. 27-37.

29. Moll, M. Radiation Damage in Silicon Particle Detectors - microscopic defects and macroscopic properties [Text] : Ph.D. Thesis / M. Moll - Hamburg, 1999. -251p.

30. Radiation hard silicon detectors - developments by the RD48 (ROSE) collaboration [Text] / G. Lindström, M. Ahmed, S. Albergo [et al.] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 2001. - V. A 466 - P. 308326.

31. Зи, С. M. Физика полупроводниковых приборов [Текст] : в 2 кн.: Пер.с англ. / С. М. Зи ; ред. Р. А. Сурис. - М. : Мир, 1984. Кн.1. - 455 с.

32. Пасынков, В.В. Полупроводниковые приборы [Текст] : учеб. для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Полупроводниковые и микроэлектрон, приборы"/ В.В. Пасынков, JI.K. Чиркин. - 4-е изд., перераб. и доп. - М. : Высшая школа, 1987. - 478 с.

33. Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике [Текст] / Ю.К. Акимов [и др.]; ред. Ю. К. Акимов. - М.: Энергоатомиздат, 1989. - 344с.

34. Hall, G. Semiconductor particle tracking detectors [Text] / G. Hall // Reports on Progress in Physics. - 1994.-V. 57.-P. 481-531.

35. Sellin, P.J. New materials for radiation hard semiconductor detectors [Text] / P.J. Sellin, J. Vaitkus // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. -2006. - V. A557. - P. 479—489.

36. Kemmer, J. Fabrication of low noise silicon radiation detectors by the planar process [Text] / J. Kemmer // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 1980. - V. A169. - P. 499-502.

37. Grove, A.S. Effect of surface fields on the breakdown voltage of planar silicon p-n junctions [Text] / A.S. Grove, O. Leistiko, W.W. Hooper // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1967. - V. ED-14. - P. 157-162.

38. Adler, M.S. Theory and breakdown voltage of planar devices with a single field limiting ring [Text] / M.S. Adler, V.A.K. Temple, A.P. Ferro, R.C. Rustay // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1977. - V. ED-24. - P. 107-113.

39. Yasuda, S. High-voltage planar junction with a field-limiting ring [Text] / S. Yasuda, T. Yonezawa // Solid-State Electronics. - 1982. - V. 25. - P. 423^127.

40. Stefanov, E. Design methodology and simulation tool for floating ring termination technique [Text] / E. Stefanov, G. Charitat, L. Bailon // Solid-State Electronics. - 1998. -V. 42. - P. 2251-2257.

41. Liu, B.D. One-dimensional approach for floating field limiting ring enhanced high-voltage power transistor design [Text] / B.D. Liu, C.T. Sune // International Journal of Electronics. - 1989. - V. 66. - P. 891-899.

42. Brieger, K.P. Blocking capability of planar devices with field limiting rings [Text] / K.P. Brieger, W. Gerlach, J. Pelka // Solid-State Electronics. - 1983. - V. 26.-P. 739-745.

43. Boisson, V. Analytical expression for the potential of guard rings of diodes operating in the punchthrough mode [Text] / V. Boisson, M. Le Helley, J.P. Chante // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1985. - V. ED-32. - P. 838840.

44. An analisis for the potential of floating guard rings [Text] / K.D. Suh, S.W. Hong, K. Lee, C.K. Kim // Solid-State Electronics. - 1990. - V. 33. - P. 11251129.

45. Baliga, B.J. Closed-form analytical solutions for the breakdown voltage of planar junctions terminated with a single floating field ring [Text] / B.J. Baliga // SolidState Electronics. - 1990. - V. 33. - P. 485-488.

46. Bae, D.G. An analytic model of planar junctions with multiple floating field limiting rings [Text] / D.G. Bae, S.K. Chung // Solid-State Electronics. - 1998. -V. 42.-P. 349-354.

47. Bae, D.G. An analytical model for punch-through limited breakdown voltage of planar junction with multiple floating field limiting rings [Text] / D.G. Bae, S.K. Chung // Solid-State Electronics. - 2000. - V. 44. - P. 2109-2116.

48. Analytical model of three-dimensional effect on voltage and edge peak field distributions and optimal space for planar junction with a single field limiting ring [Text] / J. He, R. Huang, X. Zhang [et al.] // Solid-State Electronics. - 2001. -V. 45.-P. 79-85.

49. A new analytic method to design multiple floating field limiting rings of power devices [Text] / J. He, M. Chan, X. Zhang, Y. Wang // Solid-State Electronics. -2006.-V. 50.-P. 1375-1381.

50. Lindstrom, G. Radiation damage in silicon detectors [Text] / G. Lindstrom // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 2003. - V. A512. - P. 30-43.

51. Zontar, D. Study of radiation damage in silicon detectors for high luminosity experiments at LHC [Text] : Ph.D. Thesis / D. Zontar - Ljubljana, 1998. - 148p.

52. Schulz, T. Investigation on the long term behaveour of damage effects and corresponding defects in detector grade silicon after neutron irradiation [Text] : Ph.D. Thesis / T. Schulz - Hamburg, 1995. - 204p.

53. Kinchin, G.H. The displacement of atoms in solids by radiation [Text] / G.H. Kinchin, R.S. Pease // Reports on Progress in Physics. - 1955. - V. 18. - P. 1-51.

54. Watkins, G. D. Lattice Defects in Semiconductors [Text] / G. D. Watkins; ed. F. A. Huntley. - London: The Institute of Physics, 1975. - p. 1.

55. Bruzzi, M. Radiation damage in silicon detectors for high-energy physics experiments [Text] / M. Bruzzi // IEEE Transactions on Nuclear Science. - 2001. -V. 48.-P. 960-971.

56. Radiation hard detectors from silicon enriched with both oxygen and thermal donors: improvements in donor removal and long-term stability with regard to neutron irradiation [Text] / Z. Li, E. Verbitskaya, V. Eremin [et al.] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 2002. - V. A476 - P. 628638.

57. The ROSE Collaboration (R&d On Silicon for future Experiments) [Text] : 3rd RD 48 Status Report : F. Lemeilleur, G. Lindström, S. Watts [et al.] - CERN, 1999.-42 p.

58. Nicollian, E.H. MOS (Metal Oxide Semiconductors) Physics and Technology [Text] / E.H. Nicollian, J.R. Brews. - N. Y.: Wiley, 2002. - 928p.

59. Moll, M. Leakage current of hadronirradiated silicon detectors-material dependence [Text] / M. Moll, E. Fretwurst, G. Lindström // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 1999. - V. A426 - P. 87-93.

60.Borchi, E. Radiation damage in silicon detectors [Text] / E. Borchi, M. Bruzzi // La Rivista del Nuovo Cimento. - 1994. - V. 17 - P. 1-63.

61. Eremin, V. The origin of double peak electric field distribution in heavily irradiated silicon detectors [Text] / V. Eremin, E. Verbitskaya, Z. Li // Nuclear

Instruments and Methods in Physics Research A. - 2002. - V. A476 - P. 556564.

62. Moll, M. Investigation on the improved radiation hardness of silicon detectors with high oxygen concentration [Text] / M.Moll, E.Fretwurst, G.Lindstrom // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 2000. - V. A439 - P. 282-292.

63. Harkonen, J. Recent progress of CERN 39-cryogenic tracking detectors collaboration [Text] / J. Harkonen // Transactions of Nonferrous Metals Society of China. - 2006. - V. 16 - P. 137-140.

64.Silvaco Data Systems, Inc., ATHENA User's Manual

65. Silvaco Data Systems, Inc., ATLAS User's Manual

66. Межсегментное сопротивление в кремниевых позиционно-чувствительных приемниках излучений на основе р-п-переходов [Текст] / В.К. Еремин, Е.М. Вербицкая, И.Н. Ильяшенко [и др.] // Физика и техника полупроводников. -2009. - Т. 43 - С. 825-829.

67.Guard ring design for high voltage operation of silicon detectors [Text] / L. Evensen, A. Hanneborg, B. S. Avset, M. Nese // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 1993. - V. A337 - P. 44-52.

68.Longoni, A. Instability of the behavior of high resistivity silicon detectors due to the presence of oxide charges [Text] / A. Longoni, M. Sampietro, L. Struder // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 1990. - V. A288 - P. 35-43.

69. Распределение потенциала в охранных структурах с плавающими кольцевыми р-п-переходами кремниевых детекторов излучений [Текст] / Е.М.Вербицкая, В.К.Еремин, Н.Н.Сафонова (Фадеева) [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, Вып. 4. - С. 547-553.

70.Lampert, М. Current injection in solids [Text] / M. Lampert, P. Mark. - N. Y.: Academic Press, 1970. - 351 p.

71.Kraner, H.W. The use of the signal current pulse shape to study the internal electric field profile and trapping effects in neutron damaged silicon detectors

[Text] / H.W. Kraner, Z. Li, E. Fretwurst // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 1993. - V. A326 - P. 350-356.

72. Development of transient current and charge techniques for the measurement of effective net concentration of ionized charges (Neff) in the space charge region of p-n junction detectors [Text] / V. Eremin, N. Strokan, E. Verbitskaya, Z. Li // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 1996. - V. A372 - P. 388-398.