Процессы спекания и электрофизические свойства керамики на основе карбида кремния с активирующими добавками тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Кардашова, Гюльнара Дарвиновна

• Кардашова, Гюльнара Дарвиновна
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кардашова, Гюльнара Дарвиновна

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. Моделирование процессов спекания карбидкремниевой керамики.

1.1. Термодинамический анализ взаимодействия в системах SiC-AIN, SiC-B4C, SiC-AlN-Y203.

1.2. Модели процесса переноса массы при спекании.

1.3. Активированное твердофазное спекание карбида кремния.

1.4. Математическое моделирование процесса спекания керамики SiC-AIN.

1.5. Кинетика роста зерна при спекании керамики SiC-AIN.

Выводы.

Глава 2. Особенности синтеза и структурные свойства поликристаллических твердых растворов на основе карбида кремния.

2.1. Получение керамики на основе карбида кремния.

2.1.1. Гранулометрический анализ порошков для синтеза керамики на основе карбида кремния.

2.1.2. Механохимическая активация зерен карбида кремния.

2.1.3. Приготовление шихты и формование заготовок.

2.1.4. Обжиг керамических заготовок.

2.2. Морфология керамики на основе карбида кремния.

2.3. Рентгеноструктурные исследования карбидкремниевой керамики.

Выводы.

Глава 3. Электрофизические свойства поликристаллических твердых растворов на основе карбида кремния.

3.1. Влияние состава на электропроводность.

3.2. Модели токопереноса в керамических материалах.

3.3. Исследование поведения твердых растворов SiC-AIN в сильных электрических полях.

3.4. Диэлектрическая проницаемость керамики SiC-AIN.

Выводы.

Глава 4. Механические свойства поликристаллических твердых растворов на основе карбида кремния.

4.1. Микротвердость.

4.2. Предел прочности на изгиб и трещиностойкость.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Процессы спекания и электрофизические свойства керамики на основе карбида кремния с активирующими добавками»

Актуальность темы. Среди ряда направлений физики конденсированного состояния важную роль, как с позиции фундаментальной науки, так и с прикладной точки зрения, играют исследования физических свойств неупорядоченных систем при различных внешних воздействиях. Изучение природы физических процессов в неупорядоченных полупроводниковых соединениях, в силу специфики структуры и особенностей их физических свойств, непосредственно связанно с технологией создания высокоэффективных керамических материалов для твердотельной электроники. Керамические материалы - это низковольтные и высоковольтные высокочастотные изоляторы, основания резисторов, микроплаты, подложки для интегральных микросхем, конденсаторы, нагревательные элементы, режущий инструмент, детали двигателей, авиационных турбин, элементов конструкций и защитных экранов аэрокосмических аппаратов и т.д.

Более пристальное внимание исследователей и разработчиков новой техники привлекают поликристаллические твердые растворы на основе г ^ А карбида кремния с соединениями А В и А В , обладающие уникальным сочетанием теплофизических и электрофизических свойств. Несмотря на значительный прогресс в технологии получения и исследования свойств поликристаллических материалов на основе SiC с различными добавками, проблема синтеза высокоплотных карбидокремниевых материалов и комплексного изучения их физических свойств при воздействии высоких электрических и тепловых полей остается до конца не решенной.

Среди керамических материалов карбидокремниевая керамика выделяется рядом преимуществ по следующим показателям: высокая термическая, химическая и радиационная стойкость, теплопроводность, износостойкость, стабильность свойств в широком интервале температур.

Однако для получения образцов карбидкремниевой керамики, обладающей высокой плотностью, необходимы высокие температуры (>2600 К) и давления (>50 МПа). Это связано с тем, что карбид кремния обладает низким коэффициентом самодиффузии, и при температуре <2100 К практически невозможно получить высокоплотные образцы керамики. В связи с отсутствием жидкой фазы у карбида кремния, для синтеза беспористых материалов на его основе применяют золь-гель процесс и горячее прессование с добавкой активаторов спекания, образующих жидкую фазу и являющейся связкой между зернами карбида кремния. В качестве активаторов процесса спекания карбида кремния применяют оксиды и нитриды кремния, оксиды металлов III группы Периодической системы элементов Д.И.Менделеева, нитрид алюминия и другие соединения, кристаллизующиеся в структуре вюрцита, параметры решетки которых близки к карбиду кремния.

Эксперименты по легированию карбидокремниевой керамики показали, что улучшается не только технологичность материала, но и его свойства, например, вязкость разрушения, прочность, коррозийная стойкость, а также тепло- и электрофизические характеристики. Спекание, как завершающая стадия получения керамического материала, при котором происходит его уплотнение и увеличение прочности, рекристаллизация и изменение распределения зерен по размерам, слияние пор по размерам и уменьшение их количества формирует структуру, определяющую его свойства. Кроме того, спекание запускает механизм термически активируемых процессов химических и фазовых превращений, гомогенизации, релаксации напряжений различного происхождения.

В связи с этим весьма важным является разработка методов непрерывного контроля за развитием структуры и управления процессами спекания, формирующими структуру керамического материала. Поэтому решение проблем синтеза карбидкремниевой керамики и установление взаимосвязи между составом и формированием микроструктуры, влйяние степени дисперсности, термодинамической устойчивости, дефектности составляющих его соединений на конечные свойства является весьма актуальной задачей, решение которой будет иметь большое значение как в развитии физико-химических и технологических основ получения неоксидной керамики, так и теоретических достижений в углублении понимания взаимосвязи «состав - структура материала - свойства» в твердотельных многофазных системах.

Цель работы и задачи исследования. Целью диссертационной работы является:

• разработка теоретических моделей описывающих кинетику процесса формирования карбидкремниевой керамики с активирующими добавками (A1N, В4С, NbC, Y203);

• установление зависимости фазового состава в системах SiC-AIN, SiC-AlN-Y203, SiC-NbC от их весового соотношения и температуры спекания;

• установление закономерности формирования микроструктуры и его взаимосвязи с механическими и электрофизическими свойствами.

Для достижения цели решались следующие задачи:

1. Термодинамический анализ процессов взаимодействия в системах SiC-AIN, SiC-B4C, SiC-AlN-Y203.

2. Расчет математических моделей по спеканию и росту зерна керамики на основе карбида кремния.

3. Исследование зависимости морфологии, фазового состава и структуры керамического материала от технологических параметров.

4. Исследование зависимости электропроводности поликристаллических твердых растворов на основе карбида кремния от состава и температуры.

5. Исследование трещиностойкости, микротвердости и предела прочности керамики на основе карбида кремния.

Научная новизна работы состоит в том, что в ней впервые:

1. В рамках математической модели, учитывающей влияние технологических параметров на структуру и морфологию получаемой карбидкремниевой керамики, установлено, что процесс спекания проходит в два этапа: непосредственно спекание, при этом центры зерен сближаются, и рост зерен с большим радиусом.

2. Установлено, что в керамике SiC-NbC (от 10 до 70 % вес. NbC) удельная электропроводность увеличивается на один порядок, а в керамике SiC-AIN (от 10 до 90 % вес. A1N) - уменьшается на 2 порядка.

3. Получена зависимость микротвердости керамики SiC-NbC от состава, носящая аддитивный характер с отрицательным знаком при содержании NbC < 50 % вес. и положительным - при > 50 %вес. NbC.

4. Установлен нелинейный рост проводимости в керамике SiC-AIN (до 30 % вес. A1N) при сильных электрических полях (2-10 кВ/см), связанный с барьерным механизмом токопереноса.

На защиту выносится:

1. Математическая модель процесса спекания керамики на основе карбида кремния, включающая в себя 2 этапа: сближение центров зерен, при незначительном возрастании их радиусов, и рост зерен с большим радиусом.

2. Управляемая технология получения высокоплотных керамических материалов на основе карбида кремния при активированном твердофазном спекании с широким диапазоном электрофизических параметров.

3. Барьерный механизм токопереноса в керамике на основе карбида кремния при высоких электрических полях.

4. Аддитивный характер зависимости микротвердости керамики SiC-NbC с изменением знака аддитивности от «-» к «+» при 50 %вес. NbC.

Практическая ценность полученных результатов определяется следующим:

1. Предложена модель формирования микроструктуры керамики в системе SiC-AIN, позволяющая рассчитать технологические режимы процесса низкотемпературного синтеза керамики с воспроизводимыми свойствами.

2. Результаты исследования морфологии, микроструктуры, пористости керамических материалов на основе твердых растворов карбида кремния и их влияния на электрофизические и механические свойства могут служить в качестве рекомендаций для промышленного производства керамики на основе карбида кремния.

3. Результаты исследования структурных, электрических и механических свойств поликристаллических твердых растворов на основе карбида кремния могут быть использованы для создания элементов твердотельных электронных приборов и конструкционной керамики при формировании изделий специального назначения.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на: Международной конференции «Физпром 2001». Москва. 2001г.; 2~oPlt 3"ей и 4" ой Международных научных конференциях «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск, 2002 г., 2003 г.; 2004г.; 15 Symposium on Thermophysical Properties, June 22-27, 2003. Boulder, Colorado, USA; II Всероссийской научно-технической дистанционной конференции «Электроника». Москва, ноябрь-декабрь 2003 г.; V Всероссийской конференции «Керамика и композиционные материалы». Сыктывкар, 20-27 июня 2004 г.; XVII научно-технической конференции «Конструкции и технологии получения изделий из неметаллических материалов». Обнинск, 12-14 октября 2004г. Они докладывались также на итоговых научных конференциях и специализированных семинарах Даггосуниверситета (1999-2004 гг.).

Научные исследования частично выполнены в рамках научной программы Минобразования РФ «Федерально-региональная политика в науке и образовании» - проект: «Проблемы кристаллизации твердых растворов на основе карбида кремния и перспектива их применения для создания приборов опто- и силовой электроники», Федеральной целевой программы «Интеграция науки высшего образования России на 2002-2006 годы» -проект «Организация совместных фундаментальных и прикладных исследований в области технологии получения карбида кремния, твердых растворов на его основе и комплексное исследование их структурных, механических, теплофизических, электрофизических и оптических свойств», Гранта Минобразования России, подраздел: 6.2 Машиностроительные материалы: термическая упрочняющая обработка - НИР «Разработка технологии получения и исследование свойств высокотеплопроводной керамики на основе карбида кремния», при поддержке Российского Фонда фундаментальных исследований 2002-2004 гг. - проект «Закономерности формирования и фундаментальные физические свойства * твердых растворов на основе карбида кремния».

Достоверность результатов, полученных в диссертации, подтверждается хорошим согласием с экспериментальными данными других авторов и результатами расчетов по предложенной модели, а также обеспечена использованием современных методов исследования с применением оборудования высокого класса точности измерений и математических пакетов прикладных программ типа Mathcad 2001, Turbo Pascal-7, CaRIne Crystallography 3.0.

Публикации. Всего по теме диссертационной работы опубликовано 14 печатных работ.

В конце автореферата приводится перечень основных публикаций, в которых представлены результаты исследований, выполненных автором самостоятельно и совместно с коллегами.

Обсуждения и интерпретации полученных результатов осуществлялись лично автором под научным руководством д.ф.-м.н., профессора Сафаралиева Г.К и при участии д.ф.-м.н. Билалова Б.А., д.ф.-м.н. Садыкова С.А. и сотрудников лаборатории карбида кремния Даггосуниверситета к.т.н. Шабанова Ш.Ш., к.ф.-м.н. Нурмагомедова Ш.А.

Автор выражает благодарность за плодотворное научное сотрудничество всем своим соавторам.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав с выводами, заключения, изложенных на 137 страницах машинописного текста, списка литературы и приложения.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Кардашова, Гюльнара Дарвиновна

Выводы к главе 4.

1. Получена концентрационная зависимость микротвердости керамики SiC-AIN. Установлено, что микротвердость с увеличением содержания A1N от 10 до 90 % вес. в керамике SiC-AIN отклоняется от аддитивности в г отрицательную сторону, уменьшаясь при увеличении содержания A1N, с выраженным максимумом при составах 40-60 % вес. A1N.

2. По результатам исследований микротвердости керамики SiC-NbC выявлено, что зависимость от состава носит сложный характер с отрицательным знаком аддитивности при содержании NbC< 50 %вес. и положительным - при NbC > 50 %вес. При составе 70 % вес. NbC получено максимальное значение микротвердости ~40 ГПа.

3. Установлено, что добавление оксида иттрия в небольшом количестве (-20%) в систему SiC-AIN незначительно увеличивает прочностные характеристики системы SiC-AlN-Y203.

4. Исследования зависимости прочности керамики SiC-B4C от температуры показали, что в широком интервале температур от 293 до 1673 К, прочность при поперечном изгибе изменяется незначительно с 270 до 260 МПа. Однако при температуре 1773 К она падает до 200 МПа.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Проведен термодинамический анализ систем SiC-AlN-Y203, SiC-В4С, SiC-AIN. Установлены области термодинамической устойчивости и определены оптимальные условия синтеза керамики в этих системах.

2. Разработана теоретическая модель, адекватно описывающая кинетику формирования микроструктуры керамики в системе SiC-AIN. В рамках математической модели установлено, что процесс спекания проходит в два этапа: непосредственно спекание, при этом радиусы зерен не изменяются, и рост зерен.

3. В результате рентгеновских исследований керамики SiC-AIN установлено, что с увеличением содержания A1N параметр элементарной ячейки «с» уменьшается, а параметр «а» - увеличивается по линейному закону, что свидетельствует об образовании твердого раствора SiC-AIN.

4. Рентгеноструктурными исследованиями установлено, что керамика SiC-NbC, полученная при температуре спекания 2173 К, представляет собой механическую смесь; а в керамике, полученной при Т=2473 К, меняется межплоскостное расстояние, а, следовательно, параметр решетки «с», что свидетельствует об образовании соединения Sii.xNbxC.

5. Установлено, что карбид ниобия и карбид бора увеличивают электропроводность карбидкремниевой керамики по сравнению с чистым SiC, а нитрид алюминия уменьшает её.

6. Показано, что наиболее вероятными механизмами роста концентрации неравновесных носителей в твердых растворах SiC-AIN при напряженности электрического поля 104 В/см может быть электростатическая или ударная ионизация примесных атомов, а также инжекция. Получена нелинейная зависимость проводимости поликристаллических твердых растворов SiC-AIN в сильных импульсных электрических полях.

7. Установлено, что зависимость микротвердости от состава керамики SiC-AIN отклоняется от аддитивности в отрицательную сторону, уменьшаясь при увеличении содержания A1N, с выраженным максимумом при составах 40-60 % вес. A1N.

8. По результатам исследований микротвердости керамики SiC-NbC выявлено, что зависимость от состава носит сложный характер с отрицательным знаком аддитивности при содержании NbC< 50 %вес. и положительным - при NbC > 50 %вес.

9. Установлено, что добавление оксида иттрия в небольшом количестве 20 %) в систему SiC-AIN незначительно увеличивает прочностные характеристики системы SiC-AlN-Y203.

138

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кардашова, Гюльнара Дарвиновна, 2004 год

1. Цветков В.Ф. Термодинамический анализ фазовых равновесий при диссотиативном испарении политипов карбида кремния. // Изв.ЛЭТИ. Научн. тр. Ленингр. электротехн. ин-та им.В.И.Ульянова(Ленина). - 1983. - Вып.322. - С.39-46.

2. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. — Справочник под ред.Глушко В.П. М. Изд-во АН СССР. - 1978.

3. Киреев В.А. Методы практических расчетов в термодинамике химических реакций. — М. «Химия» 1975 — 528 с.

4. Карапетьянц М.Х., Карапетьянц М.Л. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ. — М. «Химия». — 1968.

5. В.А.Рябин, М.А.Остроумов, Т.Ф.Свит. Термодинамические свойства веществ. Справочник. Л. «Химия». - 1977. - 386 с.

6. Scace R.I., Slack С.А. Solubility of carbon in molten silicon. // J.Chem. Phys. -1959-v30.-P.1551.

7. Павлова Л.М., Глазов B.M. Уравнение кривой ликвидуса и термодинамический анализ систем с инконгруэнтно плавящимся соединениям. //Докл. АН СССР- 1978 -т.241. -С.1371-1374.

8. Мохов Е.И., Махмудов Б.С.,Усманова М.М., Юлдашев Г.Ф. Растворимость и микросегерегация примесей в SiC.// Изв. АН. Письма в ЖТФ. 1982. - т.8 - С.377-380.

9. Ломакина Г.А., Водаков Ю.М., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Холуянов Г.Ф. Сравнительное исследование электрических свойств трех политипов карбида кремния. // Изв. АН. ФТТ 1970. - т.12, с.2918-2922.

10. Водаков Ю.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г. Междоузельная диффузия В и Be в SiC. // Изв. АН СССР. Неорг.матер. 1983. - Т. 19. - С. 1086-1088.

11. Пинес Б.Я. О спекании в твердой фазе. // Изв. АН ЖТФ 1946. - Т.16. -С.137.

12. Kuczynski G.C. J.Appl.Phys. - 1949. - V.20. - P.l 160.

13. Kuczynski G.C.-J.Metalls. 1949. - V.l.-P.196.

14. Kuczynski G.C. J.Appl.Phys. - 1950. — V.21. — P.632.

15. Гегузин Я.Е. Физика спекания. — Москва «Наука» — 1984. — С.41.

16. Я.И.Френкель. О вязком течении твердых тел. //J.Phys. USSR — 1945— V.9.- Р.385. ЖТФ - 1946. - Т.16. -С.29.

17. Prochazka S. Sintering of silicon Carbide. // Techn. Juf. Ger. № 73 CRD 325- November 1973. №73 CRD 325 - Jeu. El.Co.NY.

18. Грабчук Б.Л., Кислый П.С. Спекание технического карбида бора. // Порошковая металлургия. 1974. - №8. - С. 11-15.

19. Ghostagore R.N., Coble R.Z. Self-Diffusion in Silicon Carbide. //Phys. Rey. -1966.- 143.-P.623.

20. Hon M.N., Davis R.F. Self-Diffusion of 14C polycrystalline p-SiC.//J. Mater. Sci. 1979. - 14, № 10. - P.2411-2421.

21. Thumler F. Sinterung and high temperature properties of Si3N4 and SiC -sintering and related processes. // Notre-Dame. 1979. - Plenum Press. 1980. -Edited by Kuszynski J. - 1980. - P.247-275.

22. Jibbon G.F. Diffusion in silicon, N.B.C. // Special Pybl. 337 P.Marsden, ed. -1970.

23. Гнесин Г.Г. Спекание материалов на основе карбида и нитрида кремния. //Порошковая металлургия. 1984. - №9. - С. 19-26.

24. Гнесин Г.Г. Карбидокремниевые материалы. М.:Металлургиздат. -1977. -С.215.

25. Prochazka S. Effect of Boron and Carbon on Sintering of SiC.// J.Am.Ceram. Soc. 1975.-№ 1-2.-P.72.

26. Suzuki H., Hase T. Some EXPERIMENTAL consideration on the mechanism of pressurelles sintering of silicon carbide.// Proc. Int. Symp. of Fact. Dencif and sint Oxide and Nov-Oxide ceram. Hakone. Oct.3-5 -1978. —Tokijo. -1979. — P.345-365.

27. Калинина A.A., Сохор M.H., Шамрай Ф.И. Исследование сплавов системы SiC-B4C-C.//H3B. Ан.СССР. Неорганические материалы. -1971. №5. -С.778-785.

28. ЗО.Ормонт Б.Ф., Энельбаум В.И., Шафран Н.Г. //Госхимиздат. 1958. -С. 190.

29. Hase Т., Suzuki Н. Solubility and Diffusion of Si in B4C.//J.Am.Cer.Soc. -1981. 64. -№ 3. -P.58.

30. Ruhle M., Petrow I. Microstructure and chemical composition of interfaces ceram in ceramics. Surfaces and interfaces ceram and ceram metal system. // 17 Univ. conf. ceram. Berkeley, Calif. - July 28 aug.l. - 1980. - New-York-London. — 1981. — P167-175.

31. Воскег W. et al. Спекание a-SiC с добавлениями Al. // J.Bid. 1979. -11. №2. -P.83-85.

32. Tajima Yo., Kingery W.D. Solid Solubility of aluminum and boron in silicon carbide. // J.Am.Cer.Soc. 1982. - 65. №2. - P.27-29.

33. Tanaka H., Inomata Y., Kawabata H. Strength of hot-pressend SiC from Al-doped a-SiC powder. // J. Ceram.Soc.Jap. 1980. 88.№1015. - P.158-160.

34. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N. Silicon Carbide. 1973. Edited by R.C.Marshall, J.W.Faust. // Jr. and C.Ekyan University of saefh Car. Col. -1974. P.508-519.

35. Tajima Yo., Kingery W.D. Grain-Boundary Segregation in Aluminium. Doped Silicon Carbide. // UJ. Mater. Sc. 1982. - 17. № 8. - P.2289-2297.

36. Inomata Y., Tanaka H., Inoue Z., Kanabata H. Phase Relationin SiC-AI4C3-B4C system at 1800 °C. // J. Ceram.Soc Jap. 1980. - 88.№ 6. - P.57-59.

37. Inoue Z., Inomata Y., Tanaka H., Kawabata H. X-ray crystallographic data on aluminium silicon carbide, a-Al4SiC4 and Al4Si2C5. // J.Matter.Sci. -1980. 15. № 3. -P.575-580.

38. Schwetz K., Lipp A. The effect of Boron and aluminium sintering additives on the properties of deuse sintered alpha silicon carbide. // Sci.Ceram.Proc. 10 th Int.Conf. Berchtesgaden 1-4 Sept Weiden. 1979. 1980. - 10. -P.249-258.

39. Hammer M., Hoffman M.J. Sintering model for mixed-oxide-derived lead zirconate titanate ceramics // J.Amer.Ceram.Soc. 1998. - V.81 - N2 -P.1013-1018.

40. С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М. «Металлургия» - 1988. - 575 с.

41. Каур И., Густ В. Диффузия по границам зерен и фаз.//М., Машиностроение — 1991.- 446 с.

42. Палатник JI.C., Сорокин В.К. Материаловедение в микроэлектронике. // М. Энергия. 1978. - 280 с.

43. Tanaka Н. Simulation of initial-stage sintering with two-sphere model // J.Ceram.Soc Jpn. 1997. - V.105- N4- P.294-298.

44. Tanaka H. Normal and abnormal grain growth rates in a spherical grain matrix // J.Ceram.Soc.Jpn. 1996. - V.104-N4-P.253-258.

45. E.H.MoxoB, Ю.А.Водаков и Г.А.Ломакин. Диффузия алюминия в карбиде кремния. // Изв. АН, Физика твердого тела. -Т.11. -1969. -С.519-522.

46. Таиров Ю.М. Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. -М. Высш.шк. 1983. - 271с с ил.

47. Левин В.И. Таиров Ю.М., Траваджан М.Г., Цветков В.Ф., Исследование кинетики кристаллизации карбида кремния. // Изв. АН СССР Неорганические материалы. 1980. — Т.16-С.1011.

48. Лилов С.К., Цветков В.Ф., Юдин В.Ф., Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев карбида кремния из газовой фазы I Термодинамика равновесия в газовой фазе. // Изв. ЛЭТИ. - 1975. — вып. 167- С.63.

49. Behrens R.G., Rinehart G.H. Vaporization thermodynamics and kinetics of hexagonal silicon carbide. // Bur. Standards special publication. 1979. - 561. —P. 125.

50. Аввакутов Е.Г. Механические методы активации химических процессов. // Новосибирск, Наука. 1975 - С. 108.

51. Rafanielo W., Cho К., Virkar A.// J. Mater.Sci. 1981. - 16 (12) - Р.3479-3488.

52. Zangvil A., Ruh R.// Science and Engineering. 1986. - T.71. P.159-164.

53. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М. Ф-М. Л. - 1961. - 863с.

54. Франк-Каменецкий В.А. Руководство по рентгеновскому исследованию минералов. -Ленинград, из-во "Недра". 1975.

55. Сафаралиев Г.К. Закономерности формирования и физические свойства полупроводниковых твердых растворов на основе карбида кремния. — Диссертация на соискание ученой степени д.ф.-м.н. Махачкала. — 1988.

56. Сафаралиев Г.К., Нурмагомедов Ш.А., Пихтин А.Н., Разбегаев В.Н. и др. Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов (SiC)j. X(A1N)X. Физ и техн. полупроводников. Т.23. - В.1. - 1989. - С.162-164.

57. Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. // М. Радио и связь. 1990. — 264с.

58. Wong C.Y., Grovenor C.R., Batson Р.Е., Smith P.A. Effect of Arsenic Segregation on the Electrical Properties of Grain Boundaries in Polycrystalline silicon // J. Appl. Phys. 1985. - V.57. -№2. -P.438-442.

59. Шейнкман M.K., Шик А.Я. // Физика и техника полупроводников. —1976. — Т. 10. №2. - С.209.

60. Сафаралиев Г.К. Полупроводниковые твердые растворы. — Учебное пособие. Махачкала. — 1991. 74с.

61. Шкловский Б.И. //Физика твердого тела. 1987. - Т.13. №1. С.93.

62. Проблемы физики и технологииширокозонных полупроводников. II Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам. Сборник. -Ленинград. - 1979. — 366 с.

63. Мясников И.А., Сухарев В.Я., Куприянов Л.Ю., Завьялов С.А. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях. // М. Наука. 1991.-327 с.

64. Нурмагомедов Ш.А., Сафаралиев. Г.К., Сорокин Н.Д., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. // Неорганические материалы. 1986. -Т.22- №10. -С. 16721677.

65. Нурмагомедов Ш.А., Пихтин А.Н., Разбегаев В.Н., Сафаралиев Г.К. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. // Письма в ЖТФ. 1986. - Т.12- В.17. -С.1043-1045.

66. Roy Rice. Microstructure dependence of mechanical. Behavior of ceramics. Treatise on materials science and technology. V.l 1. 1977. - P. 199-381.

67. Мурлиева Ж.Х. Связь между тепловыми и механическими свойствами карбидокремниевых материалов с добавками ВеО, В(В4С), А120з, и A1N. -Дисс.к.ф.-м.н. Ростов. — 1991.

68. Rafaniello W., Cho К., Virkar A. Fabrication and Characterisation of SIC AIN alloys.// J. of materiels sciense. - 1981. - 16. - P. 3479 - 3488.

69. Казаков B.K., Мельникова B.A., Дуб C.M., Мальнев В.И. Структура и свойства материалов на основе карбида кремния и нитрида алюминия» // X Всесоюз. конф. "Конструкция и технология получения изделий из неметаллических материалов. Обнинск. - 1966. - С.34.

70. Park Y., McNallan М J., Butt D.P. Endothermic reactions between mullite and silicon carbide in an argon plasma environment // J. Amer.Ceram. Soc. 1998. - V.l. -P.233-237.

71. Диаграммы состояния тугоплавких оксидов. Двойные системы: Справочник. Под ред. Ф.Я. Галахова. Вып. 5. - Ч. 1. -JI. Наука. - 1985. -284 с.

72. Пушкарев О.И. Исследование поверхностной прочности и трещиностойкости высокотвердых керамических материалов методом микровдавливания. // Огнеупоры и техническая керамика. -№10. 2002. -С. 18-21.

73. Бердиков В.Ф., Пушкарев О.И. Испытания хрупких материалов методом микроиндентирования. // Проблемы прочности. 1985. - № 9. С. 136-140.

74. Гаршин А.П., Гропянов В.Н., Зайцев Г.П., Семенов С.С. Машиностроительная керамика. Сб.:С.-Петербургский государственный технический университет. - 1997. - 726с.

75. Физико-химические свойства окислов: Справочник. — Под. Ред. Самсонова Г.В. М. Металлургия. — 1978. - 472 с.

76. Беляков А.В. Прочность и структура керамики. // Огнеупоры и техническая керамика. №3. - 1998. — С.10-15.

77. Баринов С.М. Трещиностойкость конструкционной машиностроительной керамики. // Итоги науки и техники. Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов. 1988- Т.1. - С.72 - 132.

78. Гнесин Г.Г., Осипов И.И., Ронталь Г.Д. и др. Керамические инструментальные материалы. // Киев. Техника. 1991. - 388 с.

79. Гогоци Г.А., Башт А.В. Твердость и трещиностойкость конструкционной керамики. // Физико-химическая механика материалов. — 1991. — Т.27. №3. -С.12-18.

80. Семченко Г.Д., Шмыгарев Ю.М., Старолат Е.Е., Катин В.В., Дьяконенко H.JI. Изучение • трещиностойкости нитридкремниевой керамики, изготовленной методом вибролитья самотвердеющих масс. // Огнеупоры и техническая керамика. №9.2003. С.9-15.