Процессы фотопреобразования солнечной энергии в молекулярных и нанофазных модельных системах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, доктор физико-математических наук Шевалеевский, Олег Игоревич

• Шевалеевский, Олег Игоревич
• доктор физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Шевалеевский, Олег Игоревич

СОДЕРЖАНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГЕТИКА И МОЛЕКУЛЯРНАЯ

ФОТОВОЛЬТАИКА.

1.1. СОЛНЕЧНАЯ РАДИАЦИЯ, КАК ИСТОЧНИК

ЭНЕРГИИ.

1.2. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ И ЭНЕРГЕТИКА БУДУЩЕГО.

1.3. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ РАБОТ ПО СЭ.

1.4. ПОГЛОЩЕНИЕ СВЕТА В КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕДАХ.

1.5. КОНСТРУКЦИЯ И ПАРАМЕТРЫ ИДЕАЛЬНОГО СЭ

1.6. ФОТОПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЭНЕРГИИ В МОЛЕКУЛЯРНЫХ СЭ

1.7. НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СЭ ГРЭТЦЕЛЕВСКОГО ТИПА.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. СИСТЕМЫ ДЛЯ ВАКУУМНОЙ СУБЛИМАЦИИ

ТОНКИХ ПЛЕНОК.

2.2 УСТАНОВКА ДЛЯ ГАЗОВОЙ ЭПИТАКСИИ ФОТО-CVD МЕТОДОМ.

2.3 УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ.

2.4 ИМИТАТОР СПЕКТРА СОЛНЕЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

2.5 ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНОЙ ВОСПРИИМЧИВОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК.

2.6. ДРУГИЕ СТАНДАРТНЫЕ МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ

ГЛАВА 3. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ТОНКИХ

СЛОЯХ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ПОЛУПРВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ.

3.1. ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КОНДЕНСИРОВАННЫХ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК.

3.2. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОЛЕКУЛЯРНЫХ МАТЕРИАЛОВ.

3.3. ОСОБЕННОСТИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОВЕДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК С60.

3.4. КОМПОЗИЦИОННЫЕ МОЛЕКУЛЯРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ С60.

3.5. МОЛЕКУЛЯРНЫЕ ПЛЕНКИ НА ОСНОВЕ ЛЕГИРОВАННОГО ПОЛИАЦЕТИЛЕНА.

ГЛАВА 4. ФОТОПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЭНЕРГИИ В

СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ НА ОСНОВЕ

МОЛЕКУЛЯРНЫХ И НАНОФАЗНЫХ

МАТЕРИАЛОВ.

4.1. ВЫБОР МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ КОНСТРУИРОВАНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ.

4.2. ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУИРОВАНИЯ ДВУХСЛОЙНОГО СЭ.

-44.3. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И СПЕКТРАЛЬНЫЕ

ХАРАКТЕРИСТИКИ СЭ.

4.4. СЭ НА ОСНОВЕ НАНОФАЗНЫХ СЛОЕВ С

4.5. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ СПЕКТРА ДЕЙСТВИЯ ФОТОТОКА.

ГЛАВА 5. ФОТОФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В

СЕНСИБИЛИЗИРОВАННЫХ НАНОКРИСТАЛ-ЛИЧЕСКИХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ.

5.1. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТЮ2 ЭЛЕКТРОДОВ.

5.2. СЕНСИБИЛИЗИРОВАННЫЕ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СЭ.

5.4. ТАНДЕМНЫЕ СТРУКТУРЫ.

ГЛАВА 6. ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРНЫХ И ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ В ДВУХФАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИКРОСИСТЕМАХ

6.1. АНАЛИЗ СТРУКТУРЫ НЕОДНОФАЗНЫХ МИКРОКРИСТАЛЛОВ ТИПА "ЯДРО-ОБОЛОЧКА"

6.2. РОЛЬ ДИСЛОКАЦИЙ В МЕХАНИЗМАХ ФОТОИНДУЦИРОВАННОГО ТРАНСПОРТА ЗАРЯДОВ

В НЕОДНОФАЗНОЙ МИКРОСИСТЕМЕ.

6.3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОВОДИМОСТИ НЕОДНОФАЗНЫХ МК МЕТОДОМ

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ.

ГЛАВА 7. НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ КРЕМНИЕВЫЕ

СТРУКТУРЫ И СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ИХ 207 ОСНОВЕ

7.1. НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ КРЕМНИЕВЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ.

7.2. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ПЛЕНОК «c-SiC:H.

7.3. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК wc-SiC:H.

7.4. ПРОВОДИМОСТЬ ОБРАЗЦОВ И МЕХАНИЗМЫ ПЕРЕНОСА ЗАРЯДОВ.

7.5. РОЛЬ СПИНОВЫХ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ.

7.6. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СЭ НА ОСНОВЕ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ wc-SiC:H

7.7. РОЛЬ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ФАЗЫ В ФОРМИРОВАНИИ ОПТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

В ПЛЕНКАХ ™>SiC:H.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Процессы фотопреобразования солнечной энергии в молекулярных и нанофазных модельных системах»

Необходимость глобального использования солнечной энергетики в будущем еще в 1931 году обосновывалась академиком Н.Н. Семёновым [1]. Впоследствии, в начале 70-х годов XX века, им была развита концепция поиска научных путей эффективного преобразования солнечной энергии. Основные положения этого направления сформулированы в работе Н.Н. Семёнова «Об энергетике будущего», где в частности говорится, что "Использование энергии солнца не вызывает перегрева Земли, изменений климата, не несет никаких опасностей отравления земли и воздуха вредными веществами. Оно является вечным источником энергии". [2].

Использование энергии солнца для широкомасштабного получения энергии - это единственный путь решения мировых энергетических проблем, в результате которого не будет нарушаться тепловой баланс нашей планеты. Дополнительный нагрев Земли происходит при использовании невозобновляемых видов энергии - сжигании угля, нефти, газа, а также при работе атомных станций. В мировой печати уделяется огромное внимание пропаганде различных источников возобновляемой энергии - ветроэнергетике, станциям, работающим на энергии приливов и отливов, геотермальным системам, солнечным коллекторам, и, конечно, фотовольтаике. Научные достижения последних десятилетий в области фотоэлектрического преобразования солнечной энергии позволяют уже сейчас планировать широкомасштабное производство солнечных элементов (СЭ) для крупных электростанций. В этой связи уместно привести мнение одного из наиболее компетентных в мире в области солнечной фотоэнергетики ученого, Нобелевского лауреата академика Ж.И. Алфёрова: "Ставка на солнечную энергетику должна рассматриваться не только как беспроигрышный, но в долговременной перспективе и как безальтернативный выбор для человечества''' [3].

Какова же сейчас ситуация в фундаментальных исследованиях, которые определяют прогресс в создании и использовании эффективных фотовольтаических преобразователей солнечной энергии. Данная область охватывает целый ряд научных направлений, которые включают исследование механизмов фотопреобразования энергии, поиск и изучение свойств альтернативных материалов, конструирование солнечных фотопреобразователей и т.п. С момента начала истории развития солнечных фотовольтаических элементов в 1954 г. все исследования были традиционно ориентированы на твердотельные полупроводниковые материалы и ставшие теперь уже классическими СЭ на основе Si, a-Si, GaAs, CdTe и CuInGaSe.

С начала 90-х годов бурно развивается направление исследований солнечных фотопреобразователей, основанных на нетрадиционных для физики материалах - молекулярных полупроводниках и сенсибилизированных наноструктурах [4]. Большой интерес представляют также попытки использования для фотовольтаики искусственных систем, моделирующих процессы фотосинтеза [5, 6]. В последнее десятилетие был создан новый класс композиционных молекулярно-организованных наноструктур, на основе которых сконструированы высокоэффективные фотопребразователи нового поколения - сенсибилизированные нанокристаллические солнечные элементы [7]. Соответствующее научное направление получило название биомиметики

U, 8].

Резюмируя современную ситуацию в научных и прикладных работах по фотопреобразованию солнечной энергии, а также подход мирового сообщества к данной проблеме, следует отметить:

• Научное сообщество должно осознать, что в обозримом будущем единственным возможным глобальным источником энергии, использование которого позволит избежать нарастающие климатические изменения Земли, является солнечная энергетика, и альтернативы этому не существует.

• Фундаментальные научные исследования в области фотовольтаики переживают сейчас системный кризис, связанный с тем, что большинство мировых научных проектов продолжает традиционно ориентироваться на «физические» подходы и материалы, в то время как существенного прогресса в данной области уже не предвидится.

• В солнечной фотовольтаике сейчас назрела насущная необходимость в перераспределении акцентов как фундаментальных, так и прикладных работ в сторону их ориентации на альтернативные материалы, основанные на органических, молекулярных и нанофазных организованных системах.

Таким образом, главным направлением для получения нового типа эффективных СЭ является поиск и исследование альтернативных материалов, и использование для этого научных подходов на стыке физических и химических наук.

Целью данной работы являлось (i) экспериментальное и теоретическое изучение фундаментальных фотофизических явлений, определяющих процессы фотогенерации и транспорта носителей заряда в молекулярных и нанофазных полупроводниковых материалах; (ii) создание новых композиционных молекулярных и наноструктурных материалов для солнечных фотопреобразователей; (iii) конструирование и исследование параметров перспективных солнечных фотопреобразователей нового типа, полученных на основе молекулярных и нанофазных гетероструктур.

Научная новизна работы состоит в том, что в ней проведен последовательный цикл работ, который начинается с экспериментального и теоретического изучения фундаментальных процессов фотогенерации и транспорта носителей заряда в нанофазных и молекулярных модельных системах, переходит к разработке и исследованию новых видов композиционных материалов, и заканчивается созданием новых типов и конструкций высокоэффективных преобразователей солнечной энергии в электрическую. В представленной работе:

• Сформулирована идея широкомасштабного использования альтернативных материалов и фотовольтаических преобразователей солнечной энергии для возможного глобального применения.

• Разработаны методы синтеза и получены новые виды тонкопленочных и композиционных материалов и гетероструктур на основе молекулярных полупроводников и фуллереновых (Сбо) нанокластеров.

• Исследованы процессы фотогенерации и транспорта зарядов в микро- и нано- фазных полупроводниковых частицах. Предложена теоретическая модель, обосновывающая дислокационный механизм фотостимулированного транспорта зарядов в двухфазной микросистеме.

• В полимерных пленках легированного полиацетилена проведены измерения магнитной восприимчивости. Анализ парамагнитной составляющей восприимчивости Паули позволил получить данные об особенностях механизма переноса носителей заряда в данной структуре.

• Впервые создан и исследован тонкопленочный органический фотопреобразователь на основе гетероперехода фталоцианин-фуллерен: ITO/ZnPc/C60/Au.

• Сконструированы СЭ на основе гетероперехода между монокристаллами широкозонных неорганических полупроводников и конденсированными слоями фталоцианинов: Ti02(Nb)/ZnPc/Au, Ti02(Nb)/ZnPc :С6о/Аи.

• Для двухслойных молекулярных СЭ предложена новая модель и проведено теоретическое описание поведения спектров действия фототока с учетом эффектов объемной фотопроводимости.

• Предложена схема конструкции и впервые показана возможность создания сенсибилизированного нанокристаллического солнечного фотопреобразователя тандемного типа.

• Методом газовой эпитаксии под воздействием УФ излучения (Photo-CVD) созданы и исследованы фотофизические свойства новых тонкопленочных материалов на основе нанокристаллического кремния с добавками углерода nc-SiC:H, обладающие уникальными для использования в СЭ свойствами.

• С использованием пленок wc-SiC:H в качестве буферного слоя изготовлены СЭ на основе аморфного кремния с рекордными показателями эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую.

Научно-практическая значимость работы определяется тем, что в ней осуществлен последовательный цикл экспериментальных и теоретических работ, конечный результат которых выразился в конструировании новых типов реальных образцов молекулярных и нанокристаллических фотопреобразователей солнечной энергии. Ряд данных конструкций был представлен в работах автора впервые (системы ZnPc/Ceo, Ti02(Nb)/ZnPc) и стимулировал дальнейшие исследования в развитие предложенных схем. Одной из последних признанных разработок автора является тандемный сенсибилизированный нанокристаллический солнечный элемент. В области фундаментальных исследований следует отметить практическую значимость представленной в диссертации новой теоретической модели, разработанной для описания поведения спектра действия фототока, генерируемого молекулярным фотопреобразователем. Полученные в модели формулы позволяют на основании спектральных характеристик исходных молекулярных материалов прогнозировать численные фотоэлектрические параметры, ожидаемые от конструируемого молекулярного солнечного элемента. Синтезированные и исследованные образцы нанокристаллического карбида кремния позволили создать СЭ с рекордными для данного типа преобразователей характеристиками. Показана перспективность применения «oSiC:H для конструирования СЭ и других типов оптических устройств.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту.

Автор представляет законченную совокупность последовательного цикла экспериментальных и теоретических работ по описанию особенностей фотофизических процессов преобразования световой энергии в электрическую в новых типах молекулярных и нанофазных материалов и гетероструктур, перспективных для создания эффективных преобразователей солнечной энергии нового поколения.

На защиту выносятся следующие основные результаты и положения:

• Концепция широкомасштабного применения альтернативных фотовольтаических преобразователей солнечной энергии, основанных на молекулярных и нанофазных структурах.

• Методы получения новых видов тонкопленочных и композиционных материалов и гетероструктур на основе молекулярных полупроводников и фуллереновых (С60) нанокластеров, разработанные для использования в альтернативных типах солнечных фотопреобразователей.

Экспериментальные и теоретические исследования процессов фотогенерации и транспорта зарядов в микро- и нано-фазных полупроводниковых частицах; доказательство справедливости теоретической модели, обосновывающей дислокационный механизм фотостимулированного транспорта зарядов в двухфазной микросистеме.

Создание органического солнечного преобразователя на основе гетероперехода фталоцианин-фуллерен, ITO/MePc/Сбо/Аи, и экспериментальное исследование его фотоэлектрических характеристик.

Создание и экспериментальное исследование фотоэлектрических параметров органических-неорганических р-п солнечных преобразователей на основе монокристаллов Ti02: Ti02(Nb)/MePc/Au и TiO2(Nb)/MePc:C60/Au.

Экспериментальное доказательство новой концепции, предложенной автором для теоретического описания поведения спектров действия фототока в молекулярной тонкопленочной гетероструктуре, с учетом эффектов объемной фотопроводимости.

Создание предложенной автором новой конструкции тандемного сенсибилизированного нанокристаллического солнечного элемента и экспериментальное исследование его фотоэлектрических параметров.

Экспериментальное исследование фотофизических свойств тонкопленочных материалов на основе нанокристаллического гидрированного кремния с добавками углерода, «c-SiC:H, полученных методом газовой эпитаксии под воздействием УФ излучения (photo-CVD).

Создание высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии на основе аморфного кремния с использованием пленок ra?-SiC:H в качестве буферного слоя.

Апробация работы:

Результаты работы были доложены на следующих российских, всесоюзных и международных симпозиумах, конференциях и семинарах:

Из них в последние три года, в период 2002 - 2004 гг.): 14th International Photovlotaic Science and Engineering Conference PVSEC-14 (Banghok, Thailand, iL

2004), 19 European Photovoltaic Solar Energy Conference (Paris, France, 2004), 16th Workshop on Quantum Solar Energy Conversion -QUANTSOL-2004 (Austria, Bad-Gashtein, 2004), 2-ой Симпозиум 'Жизнь в атомном и химическом мире" (Москва, 2003), 206th Meeting of the Electrochemical Society (Honolulu, Hawaii, 2004), 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion WCPEC-3 (Osaka, Japan 2003), 15th Workshop on Quantum Solar Energy Conversion - QUANTSOL-2003 (Austria, Bad-Gashtein, 2003), PV in Europe. From PV Technology to Energy Solution (Rome, Italy, 2002), 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (USA, New Orleans, 2002); 14th Workshop on Quantum Solar Energy Conversion -QUANTSOL-2002 (Austria, Rauris, 2002). iL

В период до 2002 г.): 17 European Photovoltaic Solar Energy Conference (Munich, Germany, October 2001), 12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference: (Jeju, Korea, 2001), XLIV научная конференция МФТИ, (Долгопрудный, 2000), Международная конференция "Биохимическая физика на рубеже столетий" (Москва, 2000), International Symposium on Chemical Engineering: (Cheju-Do, Korea, 2001), Int. Conf. on Extended Defects in Semiconductors EDS'98 (Jaszowiec, Poland, 1998), ISES Solar World Congress (Taejon, Korea, 1997), Internationl Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) (Aveiro, Portugal, 1997), 2nd Inernational Colloquim on the Science and Technology of the Fullerenes "Fullerenes"96" (Oxford, UK, 1996), International Conference on Extended Defects in Semiconductors EDS'96 (Giens, France, 1996), 2nd International Workshop "Fullerenes and Atomic Clusters' (St. Petersburg, 1995), NATO ASI on "Quantum Transport in Ultrasmall Devices" (II Ciocco, Italy, 1994), 15th Interenationl Simposium on Photophysics, Photochemstry and Photography

Pardubice, Chekoslovakia, 1989), 2-ая Конференция по Поиску Новых Путей Использования Солнечной Энергии (Ереван, Армения, 1987), International Symposium "Phizik der Magnetschen Werkstoffer" (Germany, Dresden, 1979).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 53 печатных работах в периодических научных журналах, научных сборниках и сборниках тезисов конференций общим объемом 256 страниц. Более 20 публикаций относятся к периоду последних 3 лет.

Личный вклад автора. Содержание диссертации отражает личный вклад автора в опубликованные работы. Основная часть экспериментальных и теоретических работ выполнена либо непосредственно автором, либо совместно с учениками. Часть работ сделана в соавторстве с коллегами. Автор осуществлял выбор направления исследований, постановку задач, конструирование аппаратуры, планирование и проведение эксперимента, интерпретацию результатов.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Шевалеевский, Олег Игоревич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В работе экспериментально и теоретически изучены особенности фундаментальных фотофизических явлений, которые определяют процессы фотогенерации и транспорта носителей зарядов в ряде молекулярных и нанофазных полупроводниковых материалов, перспективных для использования в фотовольтаических преобразователях солнечной энергии. Создан ряд новых молекулярных и композиционных наноструктур, в которых изучены процессы фотоиндуцированного транспорта зарядов. Сконструированы перспективные солнечные фотопреобразователи нового типа и исследованы их основные фотофизические параметры.

В работе получены следующие основные результаты:

1. Разработаны методы синтеза и получены новые виды тонкопленочных композиционных материалов и гетероструктур на основе молекулярных полупроводников и фуллереновых (Сбо) нанокластеров для использования в альтернативных типах солнечных фотопреобразователей.

2. Проведено систематическое исследование фотофизических свойств ряда тонкопленочных молекулярных полупроводниковых материалов и их композитов. На основе полученных данных созданы новые типы двухслойных органических фотопреобразователей солнечной энергии, включая фотоэлектрический преобразователь на основе гетероперехода фталоцианин-фуллерен, ITO/ZnPc/Сбо/Аи.

3. В полимерных полупроводниковых пленках на основе легированного полиацетилена впервые проведены измерения магнитной восприимчивости в низкотемпературной области. На основании анализа парамагнитной составляющей восприимчивости Паули получены данные об особенностях механизма переноса носителей заряда в данной структуре.

4. Для молекулярных солнечных фотопреобразователей впервые предложена новая схема и проведено теоретическое моделирование поведения спектров действия фототока в тонкопленочной гетероструктуре с учетом эффектов объемной фотопроводимости.

5. Сконструированы новые типы сенсибилизированных нанокристаллических СЭ и исследована работа фотопреобразователей на основе гетероперехода между монокристаллами ТЮ2 и конденсированными слоями фталоцианинов: Ti02(Nb)/MePc/Au и Ti02(Nb)/MePc:C6o/Au.

6. Предложена модель и впервые осуществлено конструирование тандемного сенсибилизированного нанокристаллического фотопреобразователя и проведено систематическое исследование его оптоэлектронных характеристик.

7. Исследованы процессы фотогенерации и транспорта зарядов в микро- и нано- фазных гетерогенных полупроводниковых микрокристаллах. Предложена и разработана теория, обосновывающая дислокационный механизм фотостимулированного транспорта зарядов в двухфазной микросистеме.

8. Методом газовой эпитаксии под воздействием УФ излучения (фото-CVD) созданы новые широкозонные тонкопленочные материалы на основе нанокристаллического кремния с добавками углерода, «c-SiC:H, и проведено систематическое исследование их фотофизических свойств. Получены данные о взаимосвязи концентрации структурных спиновых дефектов, степени легирования и механизмов проводимости для образцов с различным содержанием кристаллической фазы.

9. Полученные и исследованные пленки «c-SiC:H впервые использованы в качестве буферного слоя при создании ряда СЭ на основе аморфного кремния с рекордными показателями эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Шевалеевский, Олег Игоревич, 2004 год

1. Семёнов Н.Н. Проблема энергии // Научное слово. 1931 - № 2-3. - С. 312.

2. Семёнов Н.Н. Об энергетике будущего // Наука и жизнь. 1972. — №. 10. -С. 16-23; № И.-С. 25-32.

3. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики // ФТП. 2004. — Т. - С. 937-948.

4. Meissner D. Solarzellen. Physikalishe Grundlagen und Anwendungen in der Photovoltaik. Banschweig/Weisbaden: Vieweg & Sohn Verlag. mbh, 1993. -274 s.

5. Комиссаров Г.Г. Фотосинтез: физико-химический подход. М.: Едиториал УРСС, 2003. - 224 с.

6. Трухан Э.М. Электронный транспорт в субклеточных структурах и на моделях. Разработка радиофизических методов исследования и квантово-электронный анализ элементарных биоэнергетических процессов: Автореф. .дис. д-ра физ.-матем. наук. М., 1980. - 44 с.

7. Gratzel М. The artificial leaf, bio-mimetic photocatalysis // The Magazine of Catalysis Sciences, Technology and Innovation. 1999. — N. 5. - P. 4-17.

8. Shilov A.E. Biomimetic catalysis: transition metal complexes as chemical models of important enzymes // The Magazine of Catalysis Sciences, Technology and Innovation. 1999. - N. 5. - P. 72-83.

9. Мейтин M. Фотовольтаика: материалы, технология, перспективы. Пусть всегда будет Солнце // Электроника-НТБ. -2000. № 6. - С. 40-47.

10. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М., Мир, 1984. - 376 с.

11. Bird R.E., Hulstrom R.L., Lewis L.J. Terrestrial Solar spectral data sets // Solar Energy. 1983. - Vol. 30. - P. 563-569.

12. Neckel H., Labs D. Improved data of Solar spectral irradiance from 0,33 to 1,25 |im // Solar Physics. 1981. -V. 74.-P. 18-24.

13. Bube H.R. Photovoltaic materials. London: Imp. Coll. Press, 1998. - 280 p.

14. Fahrenbruch A.L., Bube R.H. Fundamentals of Solar Cells. London: Academic press, 1983. - 558 p.

15. Алферов Ж.И. Фотоэлектрическая солнечная энергетика / В сб.: Будущее науки. М.: Знание, 1978. С. 92 - 101.

16. Adams W.G., Day R.E. //Phil. Trans. R. Soc. 1877.- V. 167.-P. 313.

17. Ioffe A.F., Ioffe A.V. // Phys. Z. Sov. Un. 1935. - V. 7. - P. 343-352.

18. Chapin D.M., Fueller C.S., Pearson G.L. A new silicon p-n junction photocell for converting solar radiation into electric power // J. Appl. Phys. 1954. - V. 25. - P. 676-683.

19. Васильев A.M., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреоброватели. M.: Сов. Радио, 1971.-248 с.

20. Иоффе А.Ф. Избранные труды, тт. 1-2. JL, 1974-1975. - 537 с.

21. Green М.А. Photovoltaic principals // Physica Е. 2002. - V. 14. - P. 11-17.

22. Green М.А. Photovoltaics: technology overview // Energy policy. 2000. -V. 28.-P. 989-998.

23. Алфёров Ж.И, Андреев B.M., Каган М.Б., Протасов И.И., Трофимов В.Г. //ФТП.- 1970.-Т. 4.-С. 12-17.

24. Andreev V.M., Kazantsev A.V., Khvostikov V.P., Paleeva E.V., Rumyantsev V.D., Shvarts M.Z. // 1st World conf. on photovoltaic energy conversion WCPEC-1: Proceedings. Havaii, USA, 1994. - P. 2096-2101.

25. Andreev V.M., Koshnev A.B., Lantratov V.M., Shvarts M.Z. // 2nd World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion WCPEC-2: Proceedings. Vienna, Austria, 1998. - P. 3757-3761.

26. Андреев B.M., Гетеороструктурные солнечные элементы // ФТП. 1999. -Т. 33. -№9-С. 1035-1038.

27. Simon J., Andre J.J. Molecular semiconductors. Photoelectrical properties and solar cells. Berlin: Springer-Verlag, 1985. - 286 p.

28. Комиссаров Г.Г. Химия и физика фотосинтеза. — М.: Знание, 1980. 64 с.

29. Комиссаров. Г.Г. Фотосинтез: взгляд с новых позиций // Наука в России. 1994.-Т. 5.-С. 52-55.

30. Tributsch Н., Calvin М. Electrochemistry of excited molecules: photoelectrochemical reactions of chlorophylls // Photochem. Photobio. -1971.-V. 14. P:95-l 12.

31. Tributsch H. Dye sensitization solar cells: a critical assessment of the learning curve. Review. // Coordination chem. rev. — 2004. V. xx - P. xx (in press).

32. Gratzel M. Conversion of sunlight to electric power by nanocrystalline dye-sensitized solar cell // J. Photochem. Photobio. A: Chemistry. 2004. - V. 164.-P. 3-14.

33. Gratzel M. Photoelectrochemical cells // Nature. 2001. - V. 414. - Is. 6861. -P. 338-334.

34. Shevaleevski O.I., Meissner D. Two trends in the policy of energy sources application // ISES Solar World Congress: Abstracts. Taejon, Korea, 1997. -P. 695.

35. Chevaleevski O., Larina L. New trends in solar photovoltaics: from physics to chemistry // Korean J. Chem. Eng. 2001. - V. 18. - P. 403-408.

36. Goetzberger A., Hebling C., Schock H.-W. Photovoltaic materials, history, status and outlook // Mater, sc. and engineering. 2003. - V. R40. - P. 1-46.

37. Green M.A. Third generation photovoltaics: solar cells for 2020 and beyond // Physica E. 2002. - V. 14. - P. 65-70.

38. Green M.A. Recent developments in photovoltaics // Solar energy. 2004. -V. 76.-P. 3-8.

39. Zhao J., Wang A., Green M.A. 24.5% efficiency PRDT silicon solar cells on SHE MCZ substrates and cell performance on other SHE CZ and FZ substrates // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2001. - V. 66. - P. 27-63.

40. Mazer, Jeffrey A. Solar Cells: An introduction to crystalline photovoltaic Ttechnology. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1997. - 184 p.

41. Green M.A. Crystalline and thin-film silicon solar cells: state of the art future potential // Solar Energy. 2003. - V. 74. - P. 181-192.

42. Grandqwist A.G., Wittwer V. Materials for solar energy conversion // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 1998. - V. 54. - P. 39-48.

43. Boer K.W. Photovoltaic effect in CdS-Cu2S heterojunctions// Phys.Rev. B. -1976.-V. 13.-P. 5373-5385.

44. Goetzberger A., Luther J., Willeke G. Solar cells: past, present, future // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2002. - V. 74. - P. 1-11.

45. Goetzberger A., Hebling C. Photovoltaic materials: past, present, future // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2000. - V. 62. - P. 1-19.

46. Chevaleevski O. New trends in solar photovoltaics: from physics to chemistry // Int. Symposium on Chemical Engineering: Proceedings. Cheju-Do, Korea, 2001.-P. 37-46.

47. Green M.A. Recent developments in photovoltaics // Solar Energy. 2004. — V. 76.-P. 3-8.

48. Шевалеевский О.И. Солнечные фотопреобразователи на пути от физики к химической физике // Жизнь в атомном и химическом мире: Тезисы доклада 2-го Симпозиума. Москва, 2003. - С. 3.

49. Bube R.H. Electronic properties of crystalline solids. New-York.: Academic Press, 1974.-376 p.

50. Ландсберг Г.С. Оптика (Изд. 5). M.: Высшая школа, 1976. - 427 с.

51. Gartner W.W., Depletion-layer photoeffects in semiconductors // Phys. Rev. -1959.-V. 116. -N. l.-P. 84-87.

52. Ruani G., Fontanini C., Murgia M., Taliani C. Weak intrinsic charge transfer complexes: A new route for developing wide spectrum organic photovoltaic cells // J. Chem. Phys. 2001. - V. 116. - N. 7. - P. 1713-1719.

53. Maennig В., Drescshel J.,Gebeyehu D., Simon P., Kozlovski F., Li F. Organicp-i-n solar cells // Appl. Phys. A. 2004. - V. 79. - P. 1-14.

54. Лопырев. В., Мячина Г., Шевалеевский О., Хидекель М. Полиацетилен // Высокомолекулярные соединения. — 1988. Т. 30. - N. 10. - С. 20192038.

55. Salem L. The molecular orbital theory of conjugated systems. New-York: ed. Benjiamin, 1966. - 328 p.

56. Nunzi J.-M. Organic photovoltaic materials and devices // C.R. Physique. -2002.-V. 3.-P. 523-542.

57. Киттель H. Введение в физику твердого тела. М.: Мир, 1984. - 376 с.

58. Cojan С., Agranval G.P., Flytzanis С. Optical properties of one-dimensional semiconductors and conjugated polymers// Phys. Rev. B. 1977. - V. 15. P. 909-914.

59. Su P.W., Schrieffer J.R., Heeger A.L. Solitons in polyacetylene// Phys. Rev. Lett. 1979.-V. 42.-P. 1698-1701.

60. Матаре Г. Элелтроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. -463 с.

61. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников, М.: Наука, 1979. 274 с.

62. Blom P.W.M., De Jong M.J.M., Vleggaar J.J.M. /Electron and hole transport in poly(p-phenylene vinylene) devices/ Appl. Phys. Lett. 1996. - V. 68. - P. 3308-3310.

63. Martens H.C.F., Huiberts J.N., Blom P.W.M. Simultaneous measurement of electron and hole mobilities in polymer light-emitting diodes// Appl. Phys. Lett. 2000. - V. 77. - P. 1852-1854.

64. Schon J.H., Kloc C., Batlogg B. Perylene: A promising organic field-effect transistor material// Appl. Phys. Lett. 2000. - V. 77. - P. 3776-3778.

65. Schon J.H., Kloc C., Dodabalapur A., Batlogg B. Efficient photovoltaic energy conversion in pentacene-based heterojunctions // Science. 2000. - V. 288.-P. 656-658.

66. Pope M., Swenberg C.E. Electronic processes in organic crystals. NY.: Oxford Sc. Publications, 1987.-821 p.

67. Turro J. Modern molecular photochemistry. Mill Valey: University science books CA, 1991.-376 p.

68. Gutmann F., Keyzer H., Lyons L.E. Organic semiconductors. Part B. -Florida: Robert E. Krieger Publishing Co., Inc, 1983. 718 p.

69. Larina L.L. Melnik N.N., Poponin V.P., Shevaleevskii O.I., Kalachev A.A.

70. Resonance Raman spectroscopy of Langmuir-Blodgett films from metallo-phthalocyanines // Mater. Sc. Forum. 1995. - V. 173-174. - P. 231-236.

71. Wagner J., Fritz Т., Bottcher H. Computer modeling of organic thin films solar cells // Phys. stat. sol. (a). 1993. - V. 136. - P. 423 - 432.

72. Chen W., Xu Z., Li W. Photoconductivity of Сбо doped phthalocyanine components // J. Photochem. Photobio. A: Chemistry. 1995. - V. 88. - P. 179- 182.

73. Chamberlain G.A. Organic solar cells // Sol. Cells. 1983. - V. 8. - P. 47-54.

74. Комиссаров Г.Г. // Гипотезы и прогнозы. Международный ежегодник. -М.: Знание, 1991.-С. 189-214.

75. Fromherz Т., Padinger F., Gebeyehu D., Brabec С., Sariciftci N.S. Comparison of photovoltaic devices containing various blends of polymer and fullerene derivatives // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2000. - V. 63. - P. 61.

76. Schmidt-Mende L., Fechtenkotter A., Mullen K., Moons F., Friend R.H. MacKenzie J.D. Self-organized discotic liquid crystals for high efficiency organic photovoltaic // Science. 2001. - V. 293. - p. 1119 -1121.

77. Maitrot M., Gullaud G., Boudjema В., Andre J.J. Simon J. Molecular materials based junctions: formation of a Shottky contact with metallophthalocyanine thin films doped by the cosublimation method // J. Appl. Phys. 1986. -V. 60. - P. 2396-2400.

78. Meissner D. Plastic solar cell // Photon. 1999. - V. 2. - P. 12-19.

79. Rostalski J., Meissner D. Photocurrent spectroscopy for the investigation of charge carrier generation and transport mechanisms in organic р/я-junction solar cells // Solar Energy Mater. Solar Cells. 2000. - V. 63. - P. 37-43.

80. Schon J.H., Kloc Ch., Bucher E., Batlogg B. Efficient organic photovoltaic diodes based on doped pentacene // Nature. 2000. - V. 403. - P. 408-410.

81. Sicot L., Geffroy В., Lorin A., Raimond P., Sentein C., Nunzi J.-M. Photovoltaic properties of Schottky and p-n type solar cells based on polythiophene // J. Appl. Phys. 2001. - V. 90. - P. 1047-1049.

82. Schmidt-Mende L., Fechtenkotter A., Miillen K., Moons E., Friend R.H., MacKenzie J.D. Self-organized discotic liquid crystals for high-efficiency organic photovoltaics // Science. 2001. - V. 293 - p. 1119-1121.

83. Seguy I., Mamy R., Destruel P., Jolinat P., Bock H. Photoemission study of the ITO/triphenylene/perylene/Al interfaces // Appl. Surf. Sci. 2001. -V. 174. - P. 310-315.

84. O'Regan В., Gratzel M. A low-cost, high efficiency solar cell based on dye-sensitized Ti02 films // Nature. 1991. - V. 353. - P. 737 - 740.

85. Rigolot H.//C.R. Acad. Sc. Paris, 1893.-V. 116.-P. 878.

86. Gorischer H. Electrolytic decomposition and photodecomposition of compound semiconductors in contacts with electrolyte // J. Vac. Sci. Technol. 1978. - V. 15. - P. 1422-1438.

87. Tributsch H. New materials and techniques in photoelectrocatalysis // Electrochimica Acta. 1989.-V. 34.-Is. 12-p. 1901-1902.

88. Gratzel M. Dye-sensitized solar cells // J. Photochem. Photobio. C: Photochemistry Reviews. 2003. - V. 4. - P. 145-153.

89. Kay A., Humphrybaker R., Gratzel M. Artificial photosynthesis. 2. Investigations in the mechanism of photocensitization of nanocrystalline Ti02 solar cells by chlorophyll derivatives // J. Phys. Chem. — 1994. V. 98. - P. 952 - 959.

90. Gratzel M. Mesoporous oxide junctions and nanostructured solar cells // Current Opinion in Colloid & Interface Sci. 1999. - V. 4. - P. 314 - 321.

91. Rousar I., Rudolf M., Lukasek P., Kavan L., Papageorgiou N., Gratzel M. Optimization of parameters of an electrochemical photovoltaic regenerative solar cell // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 1996. - V. 43. - P. 249-262.

92. Graetzel M. Nanocrystalline electronic junctions // Fine Particles Sci. & Tech. from Micro to Nanoparticles. - 1996. - V. 12. - P. 719-732.

93. Mcenvoy A.J., Gratzel M. Sensitization in photochemistry and photovoltaics // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 1994. - V. 33,- P. 255 - 255.

94. Gratzel M., Kalyanasundaram K. Artificial photosynthesis efficient dye-sensitized photoelectrochemical cells for direct conversion of visible light electricity // Current Sc. -1994. - V. 66. - P. 706 - 714.

95. McConnel Asessment of the dye-sensitized solar cell // Renewable and Sustainable Energy Review. 2002. - V. 6. - P, 273-295.

96. Moser J.E., Bonnote P., Gratzel M. Molecular photovoltaics // Coordination Chem. Rev. 1998. - V. 171. - P. 245 - 250.

97. Moser J.E., Bonhote P., Walder L., Gratzel M. Molecular photovoltaic devices mimic photosynthesis // Chimia. 1997. - V. 5. - P. 28 - 30.

98. Matthews D., Kay A., Gratzel M. Electrochemically deposited titanium films for photovoltaic cells // Australian J. Chem. 1994. - V. 47. - P. 1869 - 1877.-272110. Gratzel M. Nanocrystalline solar cells // Renewable Energy. 1994. - V. 5. -P. 118 - 133.

99. Gerfin Т., Gratzel M., Walder L. Molecular and supramolecular surface modification of nanocrystalline Ti02 films: Charge-separating and charge-injecting devices // Mol. Level Artificial Photosynth. Mater. 1996. - V. 44. -P. 345-393.

100. Barbe C.J., Graetzel M. Mesoporous Ti02 electrodes for photovoltaic applications // Microporous and Macroporous Mater. 1996. - V. 431. - P. 129-134.

101. Hagfeldt A., Lindquist S.E., Gratzel M. Charge carrier separation and charge transport in nanocrystalline junctions // Sol. Energy Mater. Sol Cells. 1994. -V. 32.-P. 245 -257.

102. Keis K., Magnusson E., Lindstrom H., Lindquist S.-E., Hagfeldt A. A 5% efficient photoelectrochemical cell based on nanostructured ZnO electodes // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2002. - V. 73. - P. 51-58.

103. Moser J.E., Bonnote P., Gratzel M. Molecular photovoltaics // Coordination Chem. Rev. 1998. - V. 171. - P. 245 - 250.

104. Gratzel M. Nanocrystalline electronic junctions // Semicond. Nanoclusters-Phys., Chem., and Catal. Asp. 1997 - V. 103. - P. 353 - 375.

105. Rousar I., Rudolf M., Lukasek P., Kavan L., Papageorgiou N., Gratzel M. Optimization of parameters of an electrochemical photovoltaic regenerative solar cell // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 1996. - V. 43. - P. 249 - 262.

106. Hagfeldt A., Gratzel M. Light induced redox reactions in nanocrystalline systems // Chem. Rev. 1995. - V. 95. - P. 49 - 68.

107. Huang S.Y., Schlichthorl G., Nozik A.J., Gratzel M., Frank A.J. Charge recombination in dye-sensitized nanocrystalline ТЮ2 solar cells // J. Phys. Chem. В. 1997.-V. 101.-P. 2576 -2582.

108. Gratzel M. Mesoporous oxide junctions and nanostructured solar cells // Current Opinion in Colloid & Interface Sci. 1999. - V. 4. - P. 314 - 321.

109. Tachibana Y., Moser J.E., Gratzel M., Klug D.R., Durrant J.R. Subpicosecond interfacial charge separation in dye-sensitized nanocrystalline titanium dioxide films // J. Phys. Chem. 1996. - V. 100. - P. 20056 - 20062.

110. Durrant J.R., Tachibana Y., Moser J.E., Gratzel M., Klug D.R. Interfacial electron transfer in dye sensitised nanocrystalline ТЮ2 films // Proc. of the Indian Academy of Sciences-Chemical Sciences. 1997. - V. 109. - P. 411 -414.

111. Smestad G.P., Gratzel, M. Demonstrating electron transfer and nanotechnology: A natural dye-sensitised nanocrystalline energy converter // J. of Chem. Education. 1998. - V. 75. - P. 752 - 756.

112. Barbe C.J., Arendse F., Comte P., Jirousek M., Lenzmann F., Shklover V., Gratzel, M. Nanocrystalline titanium oxide electrodes for photovoltaic applications//J. Amer. Cer. Soc. 1997.-V. 80.-P. 3157 - 3171.

113. Gratzel M. Photoelectrochemical cells // Nature.- 2001. V. 414. - Is. 6861. -P. 338-334.

114. Gratzel M. Low-cost and efficient photovoltaic conversion by nanocrystalline solar cells // Chemie Ingenieur Technik. 1995. - V. 67. - P. 1300 - 1305.

115. Nazeeruddin M.K., Humphry-Baker R., Gratzel M., Murrer B.A. Efficient near IR sensitization of nanocrystalline Ti02 films by ruthenium phthalocyanines // Chem. Comm. 1998. - V. 47. - P. 719 - 720.

116. Bach U., Lupo D., Comte P., Moser J.E., Weissortel F., Salbeck J., Spreitzer H., Gratzel M. Solid-state dye-sensitized mesoporous Ti02 solar cells with high photon-to-electron conversion efficiencies // Nature. 1998. - V. 395. -P. 583 - 585.

117. Hodes G., Howell I.G.J., Peter L.M. Nanocrystalline photoelectrochemical cell//J. Electrochem. Soc. 1992. - V. 139.-P. 3136-3140.

118. Tesfamichael Т., Will G., Bell J., Prince K., Dytlewsky N. Charactarization of a commercial dye-sensitized titania solar cell electrode // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2003. - V. 76. - P. 25-35.

119. Chevaleevski O., Larina L., Lim K.S. Nanocrystalline tandem photovoltaic cell with twin dye-sensitized anodes // 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion WCPEC-3: Proceedings CD. Osaka, Japan, 2003. - lO-B7-04.-P. 1-4.

120. He J., Lindstrom H., Hagfeldt A., Lindquist S.-E. Dye-sensitized nanostructured tandem cell first demonstrated cell with a dye-sensitized photocathode // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2000. - V. 62. - P. 265-273.

121. Шевалеевский О.И., Цветков А.А., Лим K.C. Фотосенсибилизация нанокристаллических слоев двуокиси титана фталоцианинами всолнечных элементах Гретцелевского типа // Хим. Физика. 2002. - Т. 21.-N. 2-С. 99-104.

122. Цветков А.А., Шевалеевский О.И. Солнечные элементы Гретцелевского типа с новым типом органического сенсибилизатора // XLIV научная конференция МФТИ: Сборник материалов. Москва, 2000. - С. 7.

123. Myong S.Y., Chevaleevski О., Lim K.S. New Сбо based composites for T1O2 solar cells sensitization // Korea-Japan Joint Publications on Photovoltaics. -Pusan, 2000. V. 3. - P. 285-290.

124. Shevaleevski O., Kharlamov A., Larina L. Maxwell-Wagner effect studies and Surface conductivity in sub-50 nm Ti02 particles // NATO ASI on "Quantum Transport in Ultrasmall Devices": Transactions. II Ciocco, Italy, 1994. - P. 135.

125. Shevaleevskii О., Kojuschner М. Kharlamov A., Larina L. Misfit dislocation in multistructure silver halide particles // Int. Conference on Extended Defects in Semiconductors EDS-96: Giens, France, 1996. — P. 5.3.

126. Карягина O.K., Харламов А.А., Шевалеевский О.И. Лазерное испарение тонких пленок А2В6 для солнечных элементов // Доклады академии наук СССР. 1986.-Т. 291.-С. 134-138.

127. Shevaleevskii O.I., Poponin V.P., Larina L.L. Laser deposited fullerene and phthalocyanine-based solar cells // Mater. Sc. Forum. 1995. - V. 173-174. -P. 117-122.

128. Голикова О.А., Казанин M.M. Особенности электронных свойств и структуры пленок a-Si:H с повышенной фоточувствительностью // ФТП. 1999.-Т. 33.-С. 336-339.

129. Chevaleevski О., Myong S.Y., Lim K.S. Spin defects and transport in hydrogenated nanocrystalline silicon carbide films produced by photo-CVD technique // Solid State Comm. 2003. - V. 128. - P. 355-358.

130. Myong S.J., Kim S.S., Kim K.S. Sptctroscopic ellipsometry analysis for investigation of the modification of SiC:H film after ultraviolet treatment // Thin Solid Films. 2004. - V. 455-456. - P. 482-485.

131. Ананьев A.C., Коньков О.И., Лебедев B.M., Новохацкий A.M., Теруков Е.И., Трапезников И.Н. Получение и свойства пленок аморфного гидрогенизированного карбида бора // ФТП. 2002. - Т. 36. - С. 10061009.

132. Vossen J.L., Kern W. Thin Solid Films. San Diego: Academic Press, 1991. -376 p.

133. Eden J.G. Photochemical Vapor Deposition. New York: John Wiley & Sons 1992.-263 p.

134. Saitoh Т., Muramatsu S., Shimada S., Migitaka M. Optical and electrical properties of amorphous silicon films prepared by photochemical vapor deposition // Appl. Phys. Letters. 1983. - V. 42. - P. 678-679.

135. Okuyama M., Toyoda J., HamakawaY. // Jpn. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. -P, L97-99.

136. Соколов В.И., Шевалеевский О.И. Магнитный резонанс в кубических кристаллах CrGeG и FeGeG // ЖЭТФ. 1977. - Т. 72. - С. 2367-2375.

137. Белов К.П., Миль Б.В., Соколов В.И., Шевалеевский О.И. Магнитный резонанс в CaFeGe // Письма ЖЭТФ. 1974. - Т. 20. - С. 98-101.

138. Golosovsky I.V., Plakhty V.P., Mill B.V., Sokolov V.I., Shevaleevsky O.I. Magnetic Ordering in NaCa2Mn2V30i2 // Solid State Comm. 1974. - V. 14. N. 4.-P. 309-311.

139. Novak P., Havlichek V., Sokolov V.I., Shevaleevsky O.I. EPR of Fe3+ ion in several germanate garnets and magnetocrystalline anysotropy of Ca3Fe2Ge3Oi2 // Solid State Comm. 1976. -V. 19. -N. 7. - P. 631-633.

140. Шевалеевский О.И. Антиферромагнитный резонанс в гранатах с 3d-инонми. Дисс. . к-та физ.-мат. наук. Черноголовка., 1978. - 114 с.

141. Chevaleevski О., Lee С.Н., Lim K.S. EPR studies of localized states behavior in <a-DLC:H thin layers for solar cells // Korea-Japan Joint Publications on Photovoltaics. Pusan, 2000. - V. 3. - P. 253-258.

142. Lampert M.A., Mark. P. Current injections in solids. New York: Academic Press, 1970.-259 p,

143. Meier H. Organic semiconductors. Weinheim: Verlag Chemie, 1974. -363 p.

144. Larina L., Shevaleevskii O., Chernozatonskii L. Structure Organization of Fullerene Layers for Photovoltaic Devices // Solid St. Phenomena. 1996. — V. 51-52.-P. 553-559.

145. Hiromitsu I., Kitano M., Shinto R., Ito T. Photocurrent characteristics of phthalocyanine/C6o p-n heterojunctions controlled by the work functions of metal electrodes // Solid St. Comm. 2000 - V. 113. - P. 165 - 169.

146. Kessler B. Phthalocyanine-Сбо composites as improved photoreceptor materials? // Appl. Phys. A. 1998. - V. 67. - P. 125 - 133.

147. Konenkamp R., Priebe G., Pietzak B. Carrier mobilities and influence of oxygen in C60 films // Phys. Rev. B. 1999. - V. 60. - P. 11804-11808.

148. Шевалеевский О.И., Павлов O.B., Цветков А.А. Процессы фотопроводимости в композитах на основе Сбо и фталоцианина // Хим. Физика. 2000. - Т. 19. - N. 12. - С. 49-52.

149. Shevaleevslii O.I., Kharlamov A.A., Larina L.L. Organzed nanoporous layers of fullerene super clusters // 2nd Inernational Colloquim on the Science and Technology of the Fullerenes "Fullerenes"96": Abstracts book. Oxford, UK, 1996.-P. 140.

150. Sariciftci N.S., Smilowitz L., Heeger A.J., Wudl F. Photoinduced electron transfer from a conducting polymer to buckminsterfullerene // Science. — 1992. V. 258. - P. 1474-1477.

151. Lee C.H., Yu G., Kraabel В., Moses D. Effect of oxygen on the photocarrier dynamics in а Сбо film: studies of transient and steady-state photoconductivity // Phys. Rev. B. 1994. - V. 49. - P. 10572 - 10576.

152. Schlebusch C., Morenzin J., Kessler B. Organic photoconductors and C6o // Carbon. 1999. - V. 37. - P. 717-721.

153. Toccoli Т., Boschetti A., Ianotta S. Molecular materials for optoelectronics by supersonic molecular beam growth: co-deposition of Сбо and ZnPc // Synth. Metals. -2001. V. 122.-P. 229-231.

154. Shevaleevskiy O., Lim K.S. Fullerene composites in organic and dye-sensitized solar cells // Innovation Science and Technology in Korea. New Frontiers in Photovoltaics: Gyeongju, 2004. P. 458-459.

155. Shevaleevski O.I. Electrical and structural properties of modified fullerene layers for photovoltaic application // ISES Solar World Congress: Abstracts. -Taejon, Korea, 1997. P. 239.

156. Schlebusch C., Kessler В., Cramm S. Organic photoconductors and Сбо // Synth. Met. 1996. - V. 77. - P. 151-154.

157. Uchida S., Xue J., Rand B.P., Forrest S.R. Organic small molecular solar cells with a homogeneously mixed copper phthalocyanine:C6o active layer // Appl. Phys. Lett. -2004. -V. 84. P. 4218-4220.

158. Wan-Xi Chen, Zhu-De Xu, Wen-Zhu Li. Photoconductivity of Сбо-doped phthalocyanine composites // J. Photochem. Photobio. 1995. - V. 88. - P. 179-182.

159. Giro G., Kalinowski J., Di Marco P. Absorption tail of photoconductivity in solid films of C60 // Chem. Phys. Lett. 1993. - V. 211. - P. 580-586.

160. Chiang С., Fincher C.R., Park J.W., Heeger A.J., Shirakawa S.C., MacDiarmid A.G. Electrical conductivity in doped polyacetylene // Phys. Rev. Lett. 1977. - V. 39. - P. 1098-1101.

161. Javadi H.H.S., Chakraborty A., Li C., Theopholo N., Swanson D., MacDiarmid A.G., Epstein A.J. Highly conductive polyacetylene: three dimentional derealization // Phys. Rev. B. 1991. - V. 43. -N. 3. - P. 21832186.

162. Shirakawa H., Ikeda S. New catalysis for synthesis of condensed polyacetylene films // Polym. J. 1971. - V. 2. - P.321-329.

163. Fincher C.R., Moses D., Heeger A.J., MacDiarmid A.G. Structure, morphology and electronic properties of trans-(CH)x // Synth. Met. 1983. — V. 6.-P. 243-263.

164. Weinberger B.R., Akhtar M., Gau S.C. Polyacetylene photovoltaic devices // Synth. Metals. 1982. - V. 4 - P. 187-197.

165. Weinberger B.R. Solitons and solar cells: the nonequilibrium thermodynamics of the photovoltaic effect in polyacetylene //Solid St. Comm. 1984. — V. 51. -P. 167-170.

166. Шевалеевский О.И., Ларина JI.JI. Фотоэлектрохимический солнечный элемент с электродом из полиацетилена // 2-ая Международная Конференция по Поиску Новых Путей Преобразования Солнечной Энергии: Тез. докладов. Ереван, Армения, 1987. - С. 38.

167. Keiss Н., Keller R., Baeriswyl D., Harbeke G. Phtotoconductivity in trans(CH)x: a proof for the existence of solitons // Solid St. Comm. 1982. — V. 44.-N. 10.-P. 1443-1447.

168. Philipp A., Mayr W., Seeger K. Non-ohmic behavior of iodine-doped polyacetylene // Solid St. Comm. 1982. - V. 43. - P. 857-861.

169. Davidov D., Roth S., Neumann W., Sixl H. ESR study of local magnetic moment formation , annihilation and relaxation in iodine-doped polyacetylene // Solid St. Comm. 1984. - V. 52. - P. 375-378.

170. Plochrski J., Pukacki W., Roth S. Conductivity of doped polyacetylenes and their morphology // Synth. Met. 1990. - V. 37. - P. 7-12.

171. Schfer-Siebert D., Roth S. Limitation of the conductivity of polyacetylene by conjugational defects // Synth. Met. 1989. - V. 28. - P. D369-D374.

172. Bleier H., Donovan K., Friend R.H., Roth S., Rothberg L., Tubino R., Vardeny Z., Wilson G. Non-soliton nature of picosecond photoconductivity in trans-polyacetylene // Synth. Met. 1989. - V. 28. - P. D189-D195.

173. Budrowski C., Przyluski J.,Ehinger K., Roth S. Electrical conductivity of iodine-doped polyacetylene // Synth. Met. 1986. - V. 16. - P. 117-122.

174. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Прыжковая проводимость слабо легированных полупроводников // УФН. 1975. - Т. 117. - С. 401-424.

175. Шкловский Б.И. Эфрос A.JI. Электронные свойства сильно легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 312 с.

176. Вонсовский С.В. Магнетизм. М.: Наука, 1971. - 1032 с.

177. Шевалеевский О.И., Ларина Л.Л., Трусевич Н.К. Магнитная свойства пленок транс-(СН)х в низкотемпературной области // Доклады академии наук СССР. 1987. - Т. 292. - С. 375-379.

178. Tomkiewisz Y., Shultz T.D., Broom Н.В. Evidence against solitons in polyacetylene // Phys. Rev. Lett. 1979. - V. 43. - P. 1532- 1536.

179. Chien J.C.W., Warakomski J.M., Karasz F.E. Cirie and Pauli susceptibility in AsF5 doped polyacetylene and kinetics of doping // J. Chem. Phys. 1985. -V. 82.-P. 2118-2121.

180. Loutfy R.O., Hsiao C.K., Ho. R. Photovoltaic action spectra of metal-phthalocyanine Schottky barrier cells // Can. J. Phys. 1983. - V. 61. - P. 1416- 1422.

181. Юрре Т.А., Рудая Л.И., Климова M.B., Шаманин В.В. Органические материалы для фотовольтаических и светоизлучающих устройств // ФТП -2003.-Т. 37.-С. 835 843.

182. Wohrle D., Meissner D. Organic Solar Cells // Adv. Mater. 1991 - V. 3. - P. 129-137.

183. Wagner J., Fritz Т., Bottcher H. Computer modeling of organic thin films solar cells // Phys. stat. sol. (a). 1993. - V. 136. - P. 423 - 432.

184. Forrest S.R., So F.F. Organic-on-inorganic semiconductor heterojunctions: Energy-band discontinuities, quasi-Fermi levels, and carrier velocities // J. Appl. Phys. 1988. - V. 64. - P. 399 - 409.

185. Kelly M.J. Low-dimensional semiconductors. Materials, physics, technology, devices. Oxford, New-York: Oxford University Press, 1995. - 546 p.

186. Siebentritt S., Giinster S., Meissner D. Junction effects in phthalocyanine thin film solar cells // Synthetic Metals. 1991. - V. 41-43. - P. 1173-1176.

187. Giinster S., Siebentritt S., Elbe J., Meissner D. Investigations of porphyrins and aromatictetracarboxylic acid diimides for use in photovoltaics // Mol. Cryst. & Liquid Cryst. 1992. - V. 218. - P.l 17-122.

188. Meissner D. Grundlagen der Photovoltaik 5: Farbstoffzellen Solarenergieumwandlung mit organischen Farbstoffen // Photon. 1997. - V. 2. - P. 24-27.

189. Lifshitz E., Kaplan A., Ehrenfreund E., D. Meissner Magnetooptical studies of perylene tetracarboxylic acid diimide thin films // Optical Materials. 1998. -V. 9. - P. 295-298.

190. Petterson L.A.A., Roman L.S., Inganas O. Modeling photocurrent action spectra of photovoltaic devices based on organic thin films // J. Appl. Phys. -1999. -V. 86.-P. 487-496.

191. Meinhardt G., Gruber D., Jakopis G., Geerts Y., Papousek W., Leising G. Photocurrent action spectroscopy of organic photovoltaic cells // Synth. Metals. -2001. V. 121.-P. 1593-1594.

192. Шевалеевский О.И. Моделирование спектра действия фототока в молекулярном солнечном элементе: эффект объемной фотопроводимости // Доклады академии наук. Физ. химия. 2004. - Т. 398.-N. 4.-С. 1-4.

193. Shevaleevskiy O., Lim K.S., Larina L. The role of photoinduced conductivity in organic and organic/inorganic p/n solar cells // 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference: Proceedings. Paris, France, 2004 - P. 73-75.

194. Rostalski H., Meissner D. Photocurrent Spectroscopy: A new method for the investigation of charge carrier generation and transport mechanisms in organic p/n junction solar cells // Solar Energy Mater. Solar Cells. 2000. -V. 63.-P. 37-47.

195. Pfeifer M., A. Beyer, D Plonnigs, A. Nollau, T. Fritz, K. Leo, D. Schlettwein, S. Hiller, D. Wohrle Controlled ^-doping of pigment layers by cosublimation:

196. Basic mechanisms and implications for their use in organic photovoltaic cells 11 Solar Energy Mater. Sol. Cells. 2000. - V. 63. - P. 83-99.

197. Kajihahara К., Tanaka K., Hirao K., Soga N. Photovoltaic effect in titanium dioxide/zinc phthalocyanine cells // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. - V. 35. - P. 6110-6116.

198. Forrest S.R., So F.F. Organic-on-inorganic semiconductor heterojunctions: Energy-band discontinuities, quasi-Fermi levels, and carrier velocities // J. Appl. Phys. 1988. - V. 64. - P. 399 - 409.

199. Shevaleevskii O., Larina L., Trukhan E. Interface charge separation processes in Ti02 based solar cells // Solid St. Phenomena. 1996. - V. 51-52. - P. 547552.

200. Tanaka Т., Matazuma M., Hirohashi R. Modulated photocurrent of evaporated cooper phthalocyanine thin films // Thin Solid Films. 1998. - V. 322. - P. 290 - 297.

201. Burnsid S.D., Shklover V., Barbe C., Comte P., Arenas F., Brooks K., Gratzel M. Self-organization of Ti02 nanoparticles in thin films // Chem. Mater. -1998.-V. 10.-P. 2419-2425.

202. Hagfeldt A., Lindquist S.-E., Gratzel M. Charge carrier separation and charge transport in nanocrystalline junction // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 1994. -V. 32.-P. 245-257.

203. Hagfeldt A., Bjorksten U., Lindquist S.-E., Photoelectrochemical studies of colloidal Ti02 films: the charge separation process studied by means of action spectra in the UV region // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 1992. - V. 27.-P. 293-304.

204. Chevaleevski O., Larina L., Lim K.S. Alternative materials for nanocrystalline solar cells fabrication // Photovoltaic in Europe. From PV Technology to Energy Solution. Florance, 2003. - P. 131-135.

205. Chevaleevski O., Lim K.S., Larina L. Nanocrystalline tandem photovoltaic cell with twin anodes // 15th Workshop on Quantum Solar Energy Conversion QUANTSOL 2003: Abstracts. - Bad-Gashtein, Austria, 2003. - P. 17.

206. Алфимов М.В. Шевалеевский О.И., Кулешов И.В. Структура и свойства многофазных фотографических микросистем. Ренгеновская дифракция микрочастиц со структурой ядро-оболочка // Журнал науч. и прикл. фотографии. 1990. - Т. 35. - С. 200-206.

207. Bando S., Shibahara Y., Ishimura S. // J. Image Science. 1985. - V. 29. - N. 3.-P. 123-127.

208. Kharlamov A.A., Shevaleevskii O.I., Alfimov M.V. Dielectric loss study in silver halide core-shell emulsion grains // 15th Int. Simp. On Photophysics,

209. Photochemstry and Photodraphy: Abstracts. Pardubice, Chekoslovakia, 1989. -P. 26.

210. Shevaleevskii O.I., Kuleshov I.V., Alfimov M.V. X-ray diffraction study of AgHal core-shell emulsion grains // 15th Int. Simp. On Photophysics, Photochemstry and Photodraphy: Abstracts. Pardubice, Chekoslovakia, 1989.-P. 38.

211. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1982. - 274 с.

212. Zhi-gao Н., Zi-yong Z., X-n-min R. // Proc. Int. East-west simposiumon the fraction influence on sensitivity Coha Havaii 1988. P. 90.

213. Granzer F. // Proc Intern. East-West Sympos. 2 on the factors influencing photographic sensitivity, Coha (Hawaii), 1988, P, С. 1.

214. Шаскольская М.П. Кристаллография. M.: Высшая школа, 1976. - 391 с.

215. Matthews J.W. Epitaxial growth. N.Y.: Acad. Press, 1975. - 372 p.

216. Ван Бюрен Х.Г. Дефекты в кристаллах. / перевод с англ. М.: ИЛ, 1962. -584 с.

217. Джеймс Т.Х. Теория фотографического процесса. Л.: Химия, 1988. -672 с.

218. Gurney R.W., Mott W.F. Ionic conductivity // Proc. Roy. Soc. A. 1938. -V. 164.-P. 151-167.

219. Аппель Д. Поляроны. М.: Наука, 1975. - 374 с.

220. Мотт Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: ИЛ, 1950. - 117 с.

221. Peng В., Wang R., Li Z., Zhang H., Zhou X. A comparative study of the Maxwell-Wagner effect in tabular octahedral and truncated cubic emulsion microcrystals with double structure // J. Photographic. Sci. 1993. - V. 41. -P. 2-5.

222. Haque N.U., Hashimi R.A., Anis M.K., Bano N., Hill R.M. Generalized Maxwell-Wagner response in dispersive silver borophosphate glasses // J. Mater. Sci. 1994. - V. 29. - P. 5302-5308.

223. Peng В., Peng Y., Li Z., Wu X., Wang R., Fan S., Chen L., Jia Y. Ionic conduction of silver halide emulsion microcrystals // J. Soc. Photogr. Sci. Technol. Japan. 1984. - V. 47. - P. 26-35.

224. Pauly H., Shwan H.B. // Zcitsch, f. Vafur Forschhung 1959. - V. 14b. - P. 125-134.

225. Hamakawa Y. Physics and application of amorphous silicon carbide // Springer Proceedings in Physics. 1989. - V. 43. - P. 164-170.

226. Hamakawa, Y. Matsumoto, G. Hirata, H. Okamoto F. Optoelectronics and photovoltaic applications of microcrystalline SiC // Mater. Res. Soc. Symp. Proc.- 1990.-V. 164. P. 291-301.

227. Казанский А.Г., Мелл X., Теруков Е.И., Форш П.А. Влияние уровня легирования на фотопроводимость пленок микрокристаллического гидрированного кремния // ФТП. 2002 - Т. 36. - С. 41-43.

228. Lim K.S.,.Konagai M, Takahashi K. A novel structure, high conversion efficiency /7-SiC/graded jp-SiC/j'-Si/n-Si/metal substrate-type amorphous silicon solar cell // J. Appl. Phys. 1984. - V. 56. - P. 538-543.

229. Arya R.R., Catalano A., Oswald R.S. Amorphous silicon p-i-n solar cells with graded interface // Appl. Phys. Lett. 1986. - V. 49. -P. 1089-1093.

230. Yamasaki S., Umeda Т., Isoya J., Tanaka K. Existence of surface region with high dangling bond density during a-Si:H film growth // J. Non-Cryst. Solids. 1998. - V. 227-230. - P. 83-87.

231. Lee C.H., Jeon J.M., Lim K.S. Ultrathin boron-doped microcrystalline silicon as a novel constant band gap buffer inserted at the p-a-SiC:H/i-a-Si:H interface of amorphous silicon solar cells // J. Appl. Phys. 2000. - V. 87. - P. 8778-8782.

232. Jun K.H., Ouwens J.D., Schropp R.E.I.,.Choi J.H, Lee H.S., Lim K.S. Low degradation and fast annealing effects of amorphous silicon multilayer processed through alternate hydrogen dilution // J. Appl. Phys 2000. - V. 88.-P. 4881-4885.

233. Myong S.Y., Shevaleevskiy O., Lim K.S., Miyajima S., Konagai M. Strong influence of boron doping on nanocrystalline silicon-carbide formation by using photo-CVD technique // J. Non-Cryst. Solids. (In press). 2004.

234. Chevaleevski O., Myong S.Y., Lim K.S. Spin defects and transport in hydrogenated nanocrystalline silicon carbide films produced by photo-CVD technique // Solid State Comm. 2003. - V. 128. - P. 355-358.

235. Kuhman D., Grammatica S., Jansen F., Properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1989. - V. 177. - P. 253-262.

236. Ehara Т., Nagasawa T. Preparation and structure of unhydrogenated microcrystalline silicon thin films by sputtering // Mater. Letters. 2000. - V. 44. - P. 223-228.

237. Kumbhar A.A., Dusane R.O., Bauer S., Schroder B. Micro-crystalline phase formation in hot wire deposited SiC:H alloy films from pure methane and silane mixtures // J Non-Cryst. Solids. 1998. - V. 227-230. P. 452-455.

238. Han D., Yue G., Lorentzen J. D., Lin J. Optical and electronic properties of microcrystalline silicon as a function of microcrystallinity // J. Appl. Phys. -2000. V. 87. - P. 1882-1886.

239. Veprek S., Sarott F.A., Iqbal Z. Effect of grain boundaries on the Raman w spectra, optical absorption, and elastic light scattering in nanometer-sizedcrystalline silicon//Phys. Rev. B. 1987. V. 36. - P. 3344-3351.

240. Ghost S., Dasgupta A., Ray S. Influence of boron doping and hydrogen dilution on p-type microcrystalline silicon carbide thin films prepared by photochemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 1995. - V. 78. - P. 32003207.

241. Dasgupta A., Gsosh S., Ray. J. Influence of boron doping and hydrogen dilution on p-type microcrystalline silicon carbide thin films prepared by photochem vapor deposition // J. Appl. Phys. 1995. - V. 78. - P. 3200-3209.

242. Казанский А.Г., Форш П.А., Хабарова К.Ю., Чукичев М.В. ВлияниеL

243. Г^ электронного облучения на оптические и фотоэлектрические свойствамикрокристаллического гидрированного кремния // ФТП. 2003. -Т. 37. -С. 1100-1003.

244. Yamaguchi М., Morigaki К. Effect of hydrogen dilution on the optical properties of hydrogenated a-silicon prepared by plasma deposition // Phil. Magazine B. 1999. - V. 79. P. 387-405.

245. Itoh Т., Fukunaga K., Katoh Y., Fujiwara Т., Nonomura S. Doing of a-SiC^H films including Pc-Si :H by hot-wire CVD and their application as a wide gap window for heterojunction solar cells // Sol. Energy Mater. & Solar Cells. -2002.-V. 74.-P. 379-385.

246. Demichelis F., Pirri C.F., Tresso E. Influence of doping on the structural and optoelectronic properties of amorphous and microcrystalline silicon carbide // J. Appl. Phys. 1992,-V. 72.-P. 1327-1334.

247. Giorgis F., Giuliani F.,. Pirri C.F., Tresso E., Conde J.P., Chu V. Wide band gap a-SiC:H films for optoelectronic applications // J. Non-Cryst. Solids. -1998, V. 227-230. P. 465-469.

248. S.Y. Myong, S.S.Kim, O. Chevaleevski, K.H. Jun, M. Konagai, K.S. Lim,tK ——————

249. Proc. 29 IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, 2002, p. 1226-1229.

250. Tauc. J., Grigorovici R., Vancu A., // Phys. Stat. Sol. 1966. - V. 15. - P. 627-636.

251. Cody G.D., Brooks В., Abeles В., Optical band gap determination // Solar Energy Materials. 1982. - V. 8. - P. 231-237.

252. Казанский А.Г., Мелл X., Теруков Е.И., Форш П.А. Поглощение и фотопроводимость в компенсированном бором mc-Si:H // ФТП. — 2000. -Т. 34.-С. 373-375.

253. Rath К., Schropp R.E.I. Incorporation ofp-type microcrystalline silicon films in amorphous silicon based solar cells in a superstrate structure // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 1998. -V. 53. - P. 189-203.

254. Dimitriadis C.A., Hastas N.A., Vouroutzis N., Logothetidis S., Panayototos Y. Microstructure and its effect on the conductivity of magnetron sputtered carbon thin films // J. Appl. Phys. 2001. - V. 89. - P. 7954-7962.

255. Rath J.K. Low temperature polycrystalline silicon: a review on deposition, physical properties and solar cell applications // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. -2003. V. 76,-P. 431-487.

256. Schropp R. Advances in solar cells made with hot wire chemical vapor deposition (HWCVD): superior films and devices at low equipment cost // Thin Solid Films. 2002. - V. 403-404. - P. 17-25.

257. Baia Neto A.L., Lambertz A., Carius R., Finger F. Spin density and conductivity in thin silicon films upon transition from microcrystalline to amorphous growth // Phys. Stat. Sol. 2001. - V. 186. - P. R4-7.

258. Боровик E.C., Мильнер A.C., Еременко B.B. Лекции по магнетизму. -Харьков: Изд. Харьковского университета, 1972. 248 с.

259. Novak P., Havlichek V., Sokolov V.I., Shevaleevsky O.I. EPR of Fe3+ ion in several germanate garnets and magnetocrystalline anysotropy of Ca3Fe2Ge3012 // Solid State Comm. 1976. - V. 19. -N. 7. - P. 631-633.

260. Brehme S., Kanschut P., Lips K., Sieber I., Fuhs W. Electronic properties of highly P and В doped thin Su Layers grown by ECR-CVD // Mater. Sc. and Engineering. 2000. - V. B-69-70. - P. 232-237.

261. Chevaleevski O., Lee C.H., Lim K.S. EPR studies of localized states behavior in a-DLC:H thin layers for solar cells // Korea-Japan Joint Publications on Photovoltaics. Pusan, 2000. - V. 3. - P. 253-258.

262. Houben L., Luysberg М., Hapke P., Carius R., Finger F. Structural properties of microcrystalline silicon in the transition from highly crystalline to amorphous growth // Phil. Mag. A. 1998. - V. 77. - P. 1447-1460.

263. Finger F., Muller J., Malten C., Wagner H. Electronic states in hydrogenated microcrystalline silicon // Phil. Mag. B. 1998. - V. 77. - P. 805-830.

264. Shimizu Т., Masaki Shimada M., Sugiyama H., Kumeda M. Relation between ESR and constant-photocurrent-method defect densities in hydrogenated amorphous silicon // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. - V. 40. P. 54-58.

265. Liu X., Xu G., Sui Y., He Y., Bao X. Electron spin resonance in dopednanocrystalline silicon films // Solid St. Comm. 2001. - V. 119. - P. 397401.

266. Helmbold A., Hammer P., Thiele J.U., Rohwer K., Meissner D. Electricalconductivity in amorphous hydrogenated carbon // Phylosoph. Magazine. -1995.-V. 72.-P. 335-350.

267. Kondo M., Yamasaki S., Matsuda A. Microscopic structure of defects inmicrocrystalline silicon // J. Non-Cryst. Solids. 2000. - V. 226-229. - P. 544-547.

268. Ehara Т., Ikoma Т., Akiyama K., Tero-Kubota S. Electron paramagneticresonance studies on microcrystalline silicon prepared by sputtering method // J. Appl. Phys. 1999. -V. 88. - P. 1698-1700.

269. Klein S., Wolf J., Finger F.,Carius R. Microcrystalline silicon prepare by hotwire chemical vapor deposition for thin films solar cell applications // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. - V. 41. - P. LI0-L12.

270. Birkholz M., Selle В., Conrad E., Lips K., Fuhs W. Evolution of structure inthin microcrystalline silicon films grown by electron-cyclotron resonance chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 2000. - V. 88. - P. 4376-4379.

271. Han D., Yue G., Lorenzen J.D., Lin J., Habuchi H., Wang Q. Optical andelectronic properties of microcrystalline silicon as a function of microcrystallinity // J. Appl. Phys. 2000. - V. 87. - P. 1882-1888.

272. Baia Neto A.L., Lambertz A., Carius R, Finger F. Relationships betweenstructure, spin density and electronic transport in "solar-grade" microcrystalline silicon films // J. Non-Cryst. Solids. 2002. - V. 299-302. -P. 274-279.