Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Канахин, Алексей Алексеевич

• Канахин, Алексей Алексеевич
• кандидат наук
• 2015

Оглавление диссертации кандидат наук Канахин, Алексей Алексеевич

3.5. Возможность образования фазы CdO в CdS

3.6. Особенности вхождения кислорода в CdS(O) с большим избытком кадмия

Выводы по главе 3

ГЛАВА IV. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОНИОЛЕГИРОВАННЫХ КИСЛОРОДОМ СЛОЕВ CdS(O)

4.1. Условия проведения ионной имплантации кислорода в CdS и определение глубины легирования

4.2. Предпосылки для выбора подложек и режима регистрации микрокатодолюминесценции

4.3. Исследование спектров МКЛ ионнолегированных слоев CdS(O) в РЭМ

4.4. Влияние отжига на оптические свойства слоев CdS(O)

Выводы по разделам 4.1-4.4

4.5. Использование методик с малой глубиной информационного слоя 122 Выводы по разделу 4.5

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ

ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ И ТЕРМИНОВ

ВАС - band anticrossing тосЫ-теория антипересекающихся зон; HMAs - highly mismatched alloys;

SA - самоактивированное свечение, рекомбинация на глубоких А-центрах; SAL - самоактивированное свечение на мелких уровнях СТД (ЕЕ - edge emission);

BGB - band gap bowing effect -резкое уменьшение Eg при введении ИЭП Eg - ширина запрещенной зоны;

Os - атом кислорода в узле решетки замещает атом серы; Рдис - давление диссоциации;

ВЭ - вторичная эмиссия;

ДВ — длинноволновый; KB — коротковолновый;

Д-А - донорно-акцепторные пары;

ИЭП - изоэлектронная примесь;

ИК - инфракрасный;

KJI — катодолюминесценция;

КДП - край дополнительного поглощения;

MKJI - микрокатодолюминесценция, измеренная в РЭМ;

KJI(Ml) - методика съемки KJI с малой глубиной информационного слоя;

РЭМ - растровый электронный микроскоп;

СТД - собственные точечные дефекты;

TP - твердый раствор;

ФЛ - фотолюминесценция;

ХГХ - химический анализ на кислород с использованием газовой хроматографии.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS»

ВВЕДЕНИЕ

Соединения группы А2В6 широко применяются в оптоэлектронной технике в качестве люминесцентных экранов, сцинтилляционных датчиков, фотоприемников, элементов конструкций лазеров. Эти прямозонные полупроводники, обладая высокой эффективностью излучения, охватывают весь диапазон спектра от ультрафиолетовой до ИК области. Сульфид кадмия С<38 из всех соединений выделяется, наряду с сульфидом цинка, по масштабам применения. Он широко используется в комбинации с другими полупроводниками для создания различных устройств на гетеропереходах, в частности квантово-каскадных лазеров, солнечных батарей и фотоприёмников. На основе монокристаллов Сс18 созданы приборы для регистрации элементарных частиц и гамма излучения. Сульфид кадмия получил широкое распространение в наноэлектронике в технологии квантовых точек и других квантово-размерных структур.

Для Сс18, как и для всех соединений группы А2В6 , характерно высокое содержание изоэлектронной примеси кислорода - на уровне 1018-102° см"3. Этот факт известен уже более полувека, однако роль кислорода в оптических свойствах Сс18 оставалась неясной, а еще полтора десятка лет назад держалась на уровне противостояния сторонников и противников разных гипотез.

Мощный толчок к пониманию роли изоэлектронной примеси кислорода дала новая теория антипересекающихся зон. Основные параметры зонной модели Сс18(0) как НМАв твердого раствора определили работы, выполненные на кафедре ППЭ МЭИ в 2005-2012годах.

Эти исследования были проведены на кристаллах, выращенных с изменением фоновой примеси кислорода. Однако мы до настоящего времени не имеем данных о возможности сознательного успешного легирования С<18 кислородом в более широких пределах и понимания растворимости кислорода в Сс18 при отклонениях от стехиометрии соединения. Этому посвящена данная работа.

Несмотря на термодинамическое обоснование и очевидность влияния на свойства кристаллов, присутствие кислорода в соединениях А2В6 долгие годы дискутировалось. Этому способствовало недоступность методик анализов на кислород, выявленное только в последние годы низкое содержание этой примеси

на поверхности сульфидов при устойчивости в объеме, отсутствие теории, описывающей роль изоэлектронных примесей в решетке кристаллов АгВб-Попытки управляемо ввести кислород в СёБ извне в повышенных концентрациях проводились и ранее, однако они не привели к обнаружению эффектов в оптических свойствах, обязанных этой примеси, и не имели объяснения. Ионная имплантация кислорода в предельно больших концентрациях, проведенная в данной работе, и совпадение полученных результатов с предсказанными изменениями свойств, согласно теории ВАС, была необходима для подтверждения предпосылок теории антипересекающихся зон.

Попытки управляемо ввести кислород в СёБ извне в концентрациях, заведомо превышающих содержание его в реальных кристаллах, предпринимались ранее. Так, кислород вводился методом ионной имплантации, однако эффект влияния ИЭП на оптические свойства и уменьшение ширины запрещенной зоны сульфида кадмия, определяемые теорией ВАС, не был обнаружен.

Ионная имплантация кислорода в Сс18 в предельно больших концентрациях, проведенная в данной работе, и целенаправленные исследования на основе теории антипересекающихся зон позволили получить подтверждение возможности использования теории ВАС для контроля ИЭП кислорода в этом материале.

Цель диссертации - выяснить возможную степень легирования кислородом монокристаллов СбБ и ее зависимость от типа собственных точечных дефектов. Для достижения поставленной цели в работе были сформулированы и решены следующие задачи:

1. Разработка методики измерения спектров микрокатодолюминесценции из объема слоев сульфида кадмия, ионнолегированпого кислородом — Сс1$(0), и анализ данных эксперимента с привлечением теории антипересекающихся зон (ВАС), учитывая результаты предшествующих исследований систем 2п8(0)-гп8е(0)-Сс18(0).

2. Изучение уменьшения ширины запрещенной зоны слоев С(18(0), полученных ионным легированием СёБ кислородом в концентрации, превышающей присутствие этой примеси в чистых кристаллах сульфида кадмия на два порядка, с целью подтверждения выводов теории ВАС.

3. Оптимизация методики расчета дефектообразования в CdS для выяснения роли и типа собственных точечных дефектов, взаимодействующих с кислородом и способствующих его растворению в сульфиде кадмия.

4. Выяснение природы эффектов, сопровождающих легирование CdS кислородом и не получивших интерпретации ранее, таких как - свечение, наведенное облучением, и реструктуризация поверхности.

Объекты и методы исследований

Объектами исследования являются слои CdS(O) с предельно большим содержанием кислорода, полученные методом ионного легирования в монокристаллические подложки CdS с разным составом собственных точечных дефектов. Основными методами исследования являются: растровая электронная микроскопия, рентгеновский микроанализ, химический газохроматографический анализ. Оригинальные методики на основе компьютерной обработки данных с использованием индивидуальных программ в случае спектров фотоотражения, катодо- и фотолюминесценции при разных интенсивностях возбуждения. Достоверность результатов основывается на их соответствии расчетным данным согласно теории антипересекающихся зон.

Научная новизна работы

1. Впервые при легировании кислородом обнаружен на CdS band gap bowing эффект-реакое уменьшение ширины запрещенной зоны, что позволяет отнести систему CdS(O) к материалам типа HMAs - highly mismatched alloys.

2. Впервые обоснована зависимость результатов по ионному легированию CdS кислородом от типа и концентрации собственных точечных дефектов в соответствии с анализом диаграмм дефектообразования.

3. Впервые показано, что наблюдавшаяся ранее на кристаллах CdS-Cd серия эквидистантных полос с головной линией 514 нм при 80 К и LO повторами является экситонным свечением оксида кадмия.

4. Впервые обосновано, что краевое свечение отсутствует в условиях съемки при высоких интенсивностях возбуждения и 100К в растровом электронном микроскопе РЭМ на подложках CdS с избытком Cd.

5. Впервые показано, что интенсивное оранжевое свечение, возникающее в спектрах катодолюминесценции после ионной имплантации кислорода, не связано с 8А самоактивированным излучением Сс18(0).

6. Впервые расшифрованы результаты наблюдающегося высокоэнергетического смещения экситонных полос в отражении ионнолегированных слоев, которое зависит от концентрации кислорода в объеме образцов.

Практическая значимость работы заключается в следующем: В совершенствовании и развитии нового метода контроля кислорода в полупроводниках группы Н-У1.

Обосновании оптимальных условий получения кристаллов Сс18 из газовой фазы на основе модели дефектообразования в Сё8 и влияния определенного типа точечных дефектов на растворимость кислорода.

Результаты рекомендуются к использованию в области физики и технологии II-VI, высокочистых веществ с управляемым составом.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Смещение экситонного спектра МКЛ сульфида кадмия с концентрацией кислорода Сё8(0) на сотни мэВ, предопределенное теорией антипересекающихся зон для материалов типа НМАв.

2. Разработанная методика измерения спектров МКЛ из объема слоев Сб8(0) в РЭМ с учетом присутствия в подложках различных типов собственных точечных дефектов.

3. Природа оранжевого свечения, возникающего под пучком РЭМ, после ионного легирования или термообработки.

4. Изменение формы экситонных полос отражения и их коротковолновый сдвиг с увеличением концентрации кислорода в Сё8(0).

5. Соответствие наблюдаемых спектров МКЛ теории ВАС, определяющей излучательные переходы для экситонного и самоактивировашюго свечения Сс18.

6. Обнаружение экситонных спектров оксида кадмия, и уточнение ширины прямой запрещенной зоны СсЮ как 2,45 эВ при 80К, и 2,37 эВ при 300К. Проведенные исследования носят фундаментальный характер и могут быть

обобщены для объяснения аналогичных явлений по всей группе соединений А2Вб-

Обоснованность научных положений основывается на полноте экспериментальных методов и комплексном анализе полученных результатов, показавших хорошее согласование с расчетами на основе теории антипересекающихся зон.

Достоверность полученных результатов основывается на хорошем совпадении результатов повторных экспериментов на близких по свойствам образцах и непротиворечивостью их с имеющимися в литературе данными.

Реализация результатов. Результаты диссертационной работы использованы в учебном процессе: в лекционных материалах по дисциплинам: "Материаловедение и Физхимия полупроводников", "Оптоэлектроника", "Приемники оптического излучения и фотоприемные устройства", читаемых в НИУ «МЭИ» студентам Института радиотехники и электроники МЭИ, обучающимся в магистратуре по направлению 210100 (Электроника и наноэлектроника). Полученные новые данные относятся к фундаментальным результатам и вносят вклад в развитие оптики, спектроскопии и кристаллофизики реального кристалла.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на Международном научно -методическом семинаре "Флуктационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (Москва. МЭИ. 2010 - 2014 гг.) - 4 доклада; Международной научно - технической конференции студентов и аспирантов "Радиоэлектроника, электротехника и энергетика" (Москва. МЭИ. 2010-2015 гг.) - 6 докладов; Международной конференции "Опто- нано- электроника, нанотехнологии и микросистемы" (Ульяновск, 4-7 сентября 2012 г. и 17-22 июня 2013 г. - 2 доклада; 14л International Conference on II-VI Compounds. (23-28 August 2009, St. Peterburg) - 1 доклад; Международном Конгрессе International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014) (21-26 September 2014, Tomsk) -1 доклад.

Личный вклад автора состоял в модернизации программы и расчете равновесия дефектов для ряда соединений группы АгВ6, участии в подготовке образцов для исследования, компьютерной обработке спектров катодолюминесценция и анализе полученных результатов, написании научных публикаций по результатам работы и выполнении докладов на конференциях.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

Сульфид кадмия - один из основных представителей полупроводников А2В6. В последние два десятилетия среди этих кристаллов выделилась группа HMAs -полупроводниковых твердых растворов, содержащих изоэлектронные примеси (ИЭП), в частности кислород как основную фоновую примесь. Исследование свойств этих кристаллов существенно продвинулось с развитием теоретической базы - теории ВАС (band anticrossing theory). Первоначально получившая развитие на соединениях А3В5, среди которых, присутствует группа кристаллов, легированных азотом как непременной фоновой примесью из атмосферы, теория затем была распространена на А2В6 и дала резкий скачок в понимании свойств этих систем. Сульфид кадмия, легированный кислородом, оказался вне области изученных материалов. Основные данные, позволившие его рассматривать в рамках теории антипересекающихся зон ВАС, даны в работах, выполненных на кафедре ППЭ в 2010-2012 годы. Материал первой главы ставит целью кратко ознакомить с этими результатами исследований и затрагивает некоторые вопросы, оставшиеся за пределами предшествующих работ.

1.1. Зонная структура и экситониый спектр CdS

Кристаллы сульфида кадмия могут быть двух структурных типов: кубической структуры цинковой обманки (сфалерита) и гексагональной структуры (вюрцит), для которых характерно тетраэдрическое расположение атомов. Эти структурные типы отличаются лишь дальним порядком [1]. При температуре плавления, которая по данным [3] составляет 1410°С, сульфид кадмия кристаллизуется в гексагональной решетке. Точка аллотропного перехода кубический-гексагональный CdS при атмосферном давлении соответствует 520-530°С [2]. Существенная разница между точками плавления и аллотропного перехода характерна для соединений с большой степенью ионной связи.

Как и для большинства соединений А2В6, для CdS характерен смешанный тип связи, имеющий как ионную, так и ковалентную составляющую. Степень ионности CdS составляет 0,59-0,80, что превышает степень ионности в ZnS на

5-10%. Гексагональная модификация является основной стабильной модификацией CdS.

Энергетические зоны вюрцитной модификации CdS рассчитаны в [5, 6]. Расчет зон кубического CdS является темой работы [7]. Разница зонных структур этих модификаций относительно мала, что позволяет получить зависимость Е(к) вблизи к=0 для структуры вюрцита через простое возмущение соответствующих зон кубического материала («квазикубическая модель»). Можно сопоставить энергетические зоны двух модификаций CdS для направления, задаваемого точками зоны Бриллюена Г и L, соответствующего кристаллографической оси [111] в ячейке сфалерита и направления Г — Г', соответствующего оси [0001] в ячейке вюрцита.

Сульфид кадмия, как и другие соединения группы АгВб, является прямозонным полупроводником. Структура зон приведена на рис. 1.1.1 [1]

Г6

Б,

S

ISO

Г?

<z

Ех

г7

5g

Ч

Тп

Т7

а) б)

Рис. 1.1.1. Энергетическая диаграмма краев зон в кубическом (а) и гексагональном CdS (б). [1]

Нижняя зона проводимости (НЗП) CdS образована 8- и р-орбиталями кадмия и может быть обусловлена спин-орбитальным расщеплением Д50 модели Хопфилда [8] или расщеплением кристаллическим полем Дсг [1]. НЗП представлена Г^бд) -состояниями и не вырождена. Верхняя валентная зона (ВВЗ) CdS образована в-орбиталями серы. В решетке сфалерита ВВЗ (Г15) расщеплена спин-орбитальным взаимодействием на четырехкратно вырожденное состояние Г8 и двукратно вырожденное Г7 [1] (рис. 1.1.1 а). В случае вюрцита, где существует расщепление полем кристалла, Г8 дополнительно расщепляется на двукратно вырожденные

состояния Г7 и Г9, что сопровождается перекрытием волновых функций этих состояний и нижнего состояния Г7, в результате чего изменяется величина запрещенной зоны и спин-орбитальное расщепление [1] (рис. 1.1.1 б). При этом энергетические зазоры (Ei и Е2) между уровнями Г9 и двумя уровнями Г7 ВВЗ вюрцита в приближении "квазикубической" модели определяются величинами спин-орбитального и кристаллического расщепления [1]:

i

Eli2 =^^+[J(ASo + Acr)2-^soAcrf (1.1.1)

где Aso- спин-орбитальное расщепление, Дсг- расщепление кристаллическим полем.

Величины Ei и Е2 в CdS составляют 16 мэВ и 57-62 мэВ. НЗП в гексагональном CdS практически изотропна и (ше*1"=0,21; ше" = 0,20), в то время как ВВЗ сильно анизотропна (шь"1 = 0,68; mh" = 5,0).

Таким образом, в точке Г при к=(0,0,0) ВВЗ гексагонального CdS согласно [1] справедливы соотношения: Ei ~ Aso и Е2 ~ Асг. Для кубического CdS Ei = 0 а Е2 = 60 мЭв [1].

Зависимость Е(к) для гексагональной модификации CdS была вычислена в работе [6] по методу ортогонализированных плоских волн. Результат приведен на рис. 1.1.2.

Рис. 1.1.2. Зонная структура основной гексагональной модификации CdS. [6]

Результаты расчета хорошо согласуются с экспериментальными данными по определению спин-орбитального расщепления, величины эффективных масс носителей заряда, мнимой составляющей диэлектрической постоянной и ширины запрещенной зоны [6].

В литературе описаны многочисленные исследования экситонной области спектра сульфида кадмия, проведенные с применением различных методик [9 -19], которые позволяют считать экситонный спектр Сс18 наиболее исследованным из соединений группы А2Вб- Среди первых работ, посвященных люминесценции СбБ следует отметить [9 - 12], где было установлено, что экситонное "голубое" свечение СёБ состоит из нескольких групп полос в спектральном диапазоне 485,3509,2 при 4,2 К [10 - 11]. При высоком уровне возбуждения достаточно полный перечень компонент экситонного спектра приведен в [13].

Для вюрцита в результате расщепления валентной зоны кристаллическим полем и спин-орбитальным взаимодействием [1], возможно наблюдать 3 линии (А,В,С) основного состояния (п=1) свободного экситона (рис. 1.1.3). Спектральные положения А, В и С линий в гексагональном СёБ при 15 К соответствуют 2,5537 эВ (485,5 нм); 2,5686 эВ (482,7 нм) и 2,6320 эВ (471,1 нм) [14].

ВО*) .

\ б>

3 - /1

/ В(Ъ2р)

485 483 481 479 «-X, ИИ

Рис. 1.1.3. Спектр отражения гексагональных монокристаллов СёБ при 1,6 К

и Е х с (а), при Е\ |с- (б). [ 15] Тонкая структура спектров отражения монокристаллов Сс18 при 1,6К, связанная с энергетической структурой возбужденных состояний А- и В-экситонов, исследована в [15] (рис. 1.1.3), В спектре отражения при Е ± с (рис. 1.1.3 а)

наблюдаются полосы А (п=1,2,3) с длинами волн 485,62 нм; 481,55 нм и 480,96 нм, а также полосы В-экситона (п=1,2,3) с длинами волн 482,86 нм; 478,76 нм и 478,04 нм соответственно. При Е || с (рис. 1.1.3 б) поляризационно зависимые линии А-экситона не наблюдаются [14]. Спектральное положение линий В-экситона при Е || с несколько более коротковолновое и составляет 482,65нм; 478,70нм и 478,00 нм для п=1, 2 и 3 соответственно. Зная положения в спектре экситонных полос основного и первого возбужденного состояний А-экситона, можно,

согласно [14], оценить энергию связи свободного экситона (7:

С = кеап=Х-Еап=2) (1.1.2)

Положение А, В и С линий свободного экситона СёБ при 77К соответствует 2,5456 эВ (487 нм); 2,5604 эВ (484,2 нм) и 2,6239 эВ (472,0 нм). По этим данным ширина оптической запрещённой зоны Ее сульфида кадмия может быть определена по формуле Варшни [13]:

Е8(Т) = Е0-^ (1.1.3)

где 5 = 600 и у = 9,7-10"4

Исследования при гелиевых и кислородных температурах выявили многочисленные полосы связанных экситонов. Согласно имеющимся в литературе данным [16 - 26], основными линиями в спектре связанных экситонов СбБ являются полосы ./у, Jз■ Впервые природа этих полос была исследована авторами [16, 25], ими же была введена данная система обозначения полос. На основе эффекта Зеемана показано [16], что линии У; и обусловлены распадом экситонов, связанных на нейтральных акцепторах и нейтральных донорах соответственно, а линия З3 определяется распадом экситонов, связанных на ионизированных донорах.

Согласно [16, 25] энергии связи экситона в СёБ на нейтральных акцепторе и доноре, а также ионизированном доноре (линии Jз) равны соответственно

17,7 мэВ; 8,6 мэВ и 3,8 мэВ при 4,2К и энергии Ап=1-экситона 2,5537 мэВ. Таким образом, спектральное положение У/, и полос [16, 25] при 4,2К соответствует 2,53595 эВ (483,9 нм); 2,5471 эВ (486,8 нм) и 2,5499 эВ (486,2 нм).

Довольно частое наличие в спектре нелегированного Сс18 линий У/, ^з Дает право предполагать что донор и акцептор, которые их обуславливают, являются собственными дефектами решетки [24 - 26].

Линия J2 в настоящее время считается связанной с межузельным кадмием. Акцептором, обуславливающим может быть центр краевого свечения. Неконтролируемые мелкие доноры обуславливают многочисленные линии связанного экситона З3, которые из-за малой энергии связи чаще не разрешаются [73].

При больших уровнях возбуждения экситонный спектр Сс18 значительно изменяется в результате проявления кооперативных свойств экситонов. В настоящее время экситонные переходы рассматриваются в сульфиде кадмия как наиболее вероятный канал лазерной генерации [27]. Зависимость возникновения различных полос экситонной катодолюминесценции от температуры и пороговой концентрации избыточных носителей в Сс18 при импульсе возбуждающего тока

_о

10 с показана на рис. 1.1.4.

55 О

5 1 10

100 150 200 250

%К

Рис. 1.1.4.Температурная зависимость пороговой концентрации избыточных носителей в CdS для различных процессов экситонного рассеяния - (а) и температурная зависимость энергетического зазора А, между максимумом экситонной полосы катодолюминесценции и линией свободного Аех CdS при различных механизмах рассеяния - (б). [28]

Как видно, основными возможными процессами стимулированного излучения могут быть рекомбинационные переходы при экситон-экситонном и экситон-электронном рассеяниях, а также процессы с участием LO - фононов. Энергия продольного оптического LO фонона CdS составляет 38 мэВ [1].

При ЗОК в спектрах излучения кристаллов CdS с увеличением возбуждения

26 3

до 10 см" могут наблюдаться: полоса излучения (ех-ех) и при дальнейшем

увеличении уровня возбуждения полоса (ex-LO) (рис. 1.1.4 а). Спектрально полосы сдвинуты в длинноволновую сторону на величину А относительно свободного А-зкситона (рис 1.1.4 6). Так, при 100К величина А составляет 20 мэВ, 28 мэВ и 38 мэВ для полос спонтанного излучения (ех-сх), (ех-е) и {ex-LO) соответственно. При 77-100К все три полосы значительно уширены и могут сливаться [28].

1.2. Представления теории антипересекающихся зон и особенности сульфида кадмия, легированного кислородом

Кислород в соединениях А2В6 является нзоэлектронной примесью (ИЭП), замещающей атом исходной матрицы. Такая примесь относится к одной и той же группе элементов периодической системы. При этом изоэлектронная примесь проявляет свойства изоэлектроппого акцептора (ИЭА), если она расположена выше в периодической системе, чем атом матрицы. В этом случае она, как более электроотрицательная, может захватывать из решетки электрон.

Исследования влияния изоэлектронной примеси замещения на свойства полупроводниковых соединений ведутся достаточно давно. В 60 годы отмечалось резкое с низкоэнергетическое смещение края фундаментального поглощения, связанное с образованием твердых растворов ZnS(O) с концентрацией кислорода < 1 мол%. [29 - 30]. Значительное изменение ширины запрещенной зоны не могло быть понято при столь малыхконцентрациях кислорода.

К 70-80годам относятся десятки работ, в которых особенности оптических свойств, возникающие при введении ИЭП в соединения А2В6, пытались объяснить образованием связанных экситонов [31, 32, 33, 34], локализованных на изолированных, парных центрах или кластерах ИЭП [35, 36].

Принципиально новые подходы к интерпретации влияния кислорода на оптические свойства соединений А2В6 стало возможным в последнее десятилетие с появлением теории, которая впервые учитывала присутствие и объяснила роль ИЭП в оптике этих кристаллов. Это теория антипересекающихся зон (band anticrossing - ВАС). Теория рассматривает воздействие сильнолокализованных состояний на зонную структуру кристалла с sp связями. Впервые теория ВАС введена в 1999 году группой исследователей из лаборатории Беркли [46].

Возникновение ее восходит к первому сообщению [50], где было обнаружено, что в кристаллах с sp3 связями в присутствии изоэлектронной примеси, сильно искажающей решетку, возникают новые локализованные уровни в результате взаимодействия сильно локализованных состояний ИЭП и протяженных зонных состояний полупроводниковой матрицы. Уровни ИЭА резонансно взаимодействуют с зоной проводимости, снимая вырождение, и образуются новые гибридные состояния, которые формируют две подзоны с минимумами при к = 0 [46, 49]. В результате зона проводимости разделяется на верхнюю узкую подзону Е+, образованную сильно локализованными состояниями, и нижнюю более широкую Е_ подзону, образованную делокализованными (протяженными) состояниями.

Изменение зонной структуры наблюдается только в случае значительного искажения решетки основы примесью замещения с образованием твердых растворов, для которых в настоящее время закрепилось название HMAs {highly mismatched alloys).

В случае HMAs имеется существенная разница в размерах атомов г (например, в случае CdS-0 rs = 1,04 А, а г0 = 0,66 А). Разница энергетических уровней валентных электронов имеет прямое отношение к разнице электроотрицательностей между атомом исходной матрицы и замещающим атомом. Авторы работ [40-43, 45, 49, 52] отмечали исключительный вклад большой величины А% в образования твердых растворов типа HMAs (например, в случае CdSO разница элетроотрицательностей между S и О составялет А% = 0,86).

Теория ВАС первоначально была развита и получила экспериментальное подтверждение для HMAs систем на соединениях А3В5, в которых анионы групп V замещены изовалентной примесью N [37-40,46,52]. На твердых растворах GaAs-N при введении ~ 1 мол% азота был обнаружено резкое уменьшение ширины запрещенной зоны при мало изменяющейся величине постоянной решетки [37]-band gap bowing (BGB) - эффект.

Изменения в электронной структуре сильно влияют на многие свойства кристалла кроме резкого и нетривиального уменьшения запрещенной зоны, в частности — на появление новых электронных переходов как в поглощении, так и в излучении. Рассмотрим это на примере спектров отражения GaAs-N, приведенном на рис. 1.2.1 по данным работы [44].

500

0 100

Рй

£ <

х 0

чо о

20 0 -20 -40

1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

Е, эВ

Рис. 1.2.1. Спектры отражения Оа]МхА81_х при 295К и значениях х, равном 0 (1); 0,008 (2) и 0,022 (3) [44]. Положение полосы БЕ соответствует 1,42 эВ.

С увеличением концентрации азота (кривые 1—>3) в спектрах отражения появляются полосы, обязанные переходам между минимумами возникающих подзон Е_ и Е+ зоны проводимости и валентной зоной. Это длинноволновая Е_, соответствующая переходам из валентной зоны в нижнюю подзону, и коротковолновая Е+ - определяется переходами в верхнюю подзону зоны проводимости (кривые 2 и 3 рис. 1.2.1).

Между положением полосы свободного экситона БЕ в кристалле без азота (х = 0) и полосой Е_ энергетический зазор меньше, чем энергетический зазор |Е+ — БЕ|. Такое соотношение, когда |РЕ - Е_| < |Е+ - РЕ|, наблюдается, если локализованный

уровень изоэлектронной примеси лежит выше дна зоны проводимости Ее, в данном случае уровень азота EN лежит между Ес и Е+.

Величина спектрального сдвига полос в спектрах отражения существенна: например, с увеличением концентрации азота до 0,8мол% полоса Е_ смещается на 110 мэВ в длинноволновую сторону (кривая 2) или на 230 мэВ с увеличением концентрации азота от 0 до 2,2мол% (кривая 3).

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Канахин, Алексей Алексеевич, 2015 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Авен, М. Физика и химия соединений А2В6: пер. с англ. [Текст] / М. Авен Д.С.Пренер. Под ред. С.А. Медведева. Москва: Мир, 1970.

2. Шалимова, К.В. Оптические свойства порошков сульфида кадмия кубической модификации и изменение их при фазовом переходе [Текст]/ К.В. Шалимова, А.Ф. Андрушко, В.Н. Хнрин, Н.К. Морозова // Изв. ВУЗов Физика. - 1964. - № 5. -С. 119-124.

3. Теплицкий, В.А. Разработка и исследование технологий выращивания монокристаллов сульфида кадмия с заданными и управляемыми в процессе роста свойствами [Текст]: автореф. дне. на соиск. учен. степ. канд. химич. наук.: 02.00.21 / Теплицкий Владимир Александрович - Москва, 1989.

4. Кабалкина, С.С. Исследование структуры сернистого кадмия при высоком давлении до 90 кБар [Текст] / С.С. Кабалкина, З.В. Троицкая // Докл. АН СССР.

- 1963.-Т. 251. -№ 5. - С. 1068-1070.

5. Thomas, J.J. Fine structure and magneto-optic effects in the spectrum of cadmium sulfide [Text] / J.J. Thomas, D.G. Hopfield // Phys. Rev. B. - 1961. - Vol. 122. - № 1. -P. 35-52.

6. Euwema, R.N. Convergence study of a self-consistent orthogonilized-plane-wave band calculation for hexagonal CdS [Text] / R.N. Euwema, T.C. Collins, D.G. Shankland, J.S. DeWitt// Phys. Rev. 1967. Vol. 162. № 3. P. 710-715.

7. Zunger, A. Local-density self-consistent energy-band structure of cubic CdS [Text] / A. Zunger, A.J. Freeman // Phys. Rev. B. - 1978. - Vol. 17. - P. 4850-4863.

8. Thomas, D.G. Excitons and the absorption edge of cadmium sulfide [Text] / D.G. Thomas, J.J. Hopfield // Phys. Rev. - 1960. - Vol. 119. - № 2. - P. 570-574.

9. Kroger, F.A. Luminescence and absorption of zincsulfide, cadmiumsulfide and their solidi solutions [Text] / F.A. Kroger // Physica. - 1940. - Vol. 7. - № 1. - P. 1.

10. Грийо, Э. Флуоресценция чистого сернистого кадмия при низких температурах [Текст] / Э. Грийо, М. Банси-Грийо // Изв. АН СССР. - 1958. - Т. 22. - № 11. -С. 1356-1364.

11. Pedrotti, L.S. Change in Structure of Blue and Green Fluorescence in cadmium sulfide at low temperatures [Text] / L.S. Pedrotti, D.C. Reynolds // Phys. Rev. - 1960. - Vol. 119.

- № 6. - P. 1897-1898.

12. Банси-Грийо, М. Влияние температуры на две серии полос спектра зеленой флуоресценции чистого сернистого кадмия при низкой температуре [Текст] / М. Банси-Грийо, Е.Ф. Гросс, Э. Грийо, B.C. Разбирин // Оптика и спектроскопия. -1960. - Т. 9. - № 4. - С. 542-544.

13. Мащенко, В.Е. Спектроскопия экситонов Ванье-Мотта в чистых и активированных

полярных кристаллах [Текст]: дис.....докт. физ.-мат. наук. 01.04.10 / Мащенко

Владислав Евдокимович. - Харьков, 1990.

14. Физика соединений AnBVI [Текст] // Под. ред. А.Н. Георгобиани. - Москва: Наука, 1986.

15. Белый, Н.М. Люминесценция и энергетическая структура возбужденных состояний экситонов в кристаллах CdS [Текст] / Н.М. Белый, В.А. Губанов, И.Н. Дмитрук и др. // Оптика и спектроскопия. - 1991. - Т. 71. - № 4. - С. 624-628.

16. Thomas, D.G. Bound exiton complexes / D.G. Thomas, J.J. Hopfield [Text] // Phys. Rev. Lett. - 1961. - Vol. 7. - № 8. - P. 316-319.

17. Thomas, D.G. An account of bound exitons in semiconductors [Text] / D.G. Thomas // "Localized excitations in solids". Ed. by R.F. Wallis. New York: Plenum Press, - New York, 1968.-P. 239-266.

18. Iida, S. Acceptors and the edge emissions in CdS and ZnSe [Text] / S. Iida, M. Toyama // J. Phys. Soc. Japan. - 1971. - Vol. 31. - № 1. - P. 190-194.

19. Бродин, M.C. Действие лазерного излучения на оптические спектры монокристаллов CdS / M.C. Бродин, Н.А. Давыдова, И.Ю. Шаблий [Текст] // ФТП. - 1976. - Т. 10. - № 4. - С. 625-630.

20. Baumert, R. Forbidden luminescence and resonance Raman Scattering of bound exiton states in CdS [Text] / R. Baumert, I. Broser, J. Gutowski, A. Hoffman // Phys. stat. solidi (b).- 1983. -Vol. 116. -№ l.-P. 261-267.

21. Shiraki, V. Edge emissions of ion-implanted CdS [Text] / V. Shiraki, T. Shimada, K.F. Komatsubara // J. Phys. Chem. Solids. - 1977. - Vol. 38. - № 9. - P. 937-941.

22. Tell, B. Ion implantation of sodium, lithium, and neon in cadmium sulfide [Text] / B. Tell, W.M. Gibson, J.W. Rogers // Appl. Phvs. Lett. - 1970. - Vol. 17. - № 8. -P. 315-318.

23. Henry, C.H. Double - donor - acceptor pair lines and the chemical identification of the II lines in CdS [Text] / C.H. Henry, K. Nassou, J.W. Shiever // Phys. Rev. Lett. - 1970.

- Vol. 24. - № 15. - P. 820-822.

24. Fan, X.W. Green electroluminescence and photoluminescence in CdS [Text] / X. W. Fan, J. Woods // Phys. Stat. Solidi (b). - 1982. - Vol. 70. - № 1. - P. 325-334.

25. Handelman, E.T. The effect of low temperature heat treatments on the conductivity and photoluminescence of CdS [Text] / E.T. Handelman, D.G. Thomas // J. Phys. Chem. Solids. - 1965.-Vol. 26.-№8.-P. 126.

26. Тимофеев, B.B. Аномальная интенсивность экситонно- примесного поглощения в кристаллах CdS [Текст] / В.В. Тимофеев, Т.Н. Яловец // ФТТ. - 1972. - Т. 14. - № 2. -С. 481-486.

27. Богданкевич, О.В. Влияние собственной дефектной структуры сульфида кадмия на эффективность и оптическую прочность неохлаждаемых лазеров [Текст] / О.В. Богданкевич, Н.Н. Костин, Е.М. Красавина и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. - 1987. - Т. 23. -№ 10. - С. 1618-1622.

28. Koch, S.W. Stimulated intrinsic recombination processes in II-VI compounds [Text] / S.W. Koch, H. Haug, G. Schmieder, et al. // Phys. Stat. Solidi (b). - 1978. - Vol. 89. -№2.-P. 431-440.

29. Морозова, H.K. Природа оптического поглощения сульфида цинка [Текст]:

дис.....канд. физ.-мат. наук.: 01.04.10 / Морозова Наталия Константиновна.

-Москва: МЭИ, 1964.

30. Шалимова, К.В. К вопросу о природе поглощения сульфида цинка [Текст] / К.В. Шалимова, Н.К. Морозова // Изв. ВУЗов, сер. Физика. - 1964. -№ 2. - С. 98.

31. Алукер, Э.Д. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов [Текст] / Э.Д. Алукер, Д.Ю. Лусис, С.А. Чернов. - Рига: Зинатне, 1979.

32. Kanzaki, Н. Excitons in AgBri_xClx - transition of relaxed state between free and selftrapped exciton [Text] / H. Kanzaki, S. Sakuragi, K. Sakamoto // Sol. St. Commun.

- 1971. - Vol. 9. - № 13. - P. 999-1002.

33. Cuthbert, J.D. Optical properties of tellurium as an isoelectronic trap in cadmium sulphide [Text] / J.D. Cuthbert, D.G. Thomas // J. Appl. Phys. - 1968. - Vol. 39. - № 3. -P. 1573-1580.

34. Pergomorov, S. Localized excitons in CdSi_xSex solid solutions [Text] / S. Pergomorov, A. Reznitsky, S. Verbin et al. // Phys. Stat. Sol. (b). - 1982. - Vol. 113. - № 2.

- P. 589-594.

35. Hanke, M. A tight-binding description of isovalent impurity clusters [Text] / M. Hanke, D. Henning, A. Kaschte // Phys. Stat. Sol. (b). - 1987. - Vol. 143. - P. 665-661.

36. Наумов, C.A. Экситонные спектры твердого раствора ZnSei_xTex [Текст] /

C.А. Наумов, А.Ю. Пермогоров, А.Н. Резницкий // ФТТ. - 1987. - Т. 29. - № 2. - С. 337-384.

37. Kondow, М. GalnNAs: A Novel Material for Long-Wavelength-Range Laser Diodes with Excellent High-Temperature Performance [Text] / M. Kondow, K. Uomi, A.Niwa, T. Kitatani, et al. // Jpn. J. Appl. Phys. - 1996. - Vol. 35. - P. 1273-1275.

38. Shan, W. Reduction of the band-gap energy in GaNAs and AlGaNAs synthesized by N+ implantation [Text] / W. Shan, K.M. Yu, W. Walukiewicz, E.E. Haller, M.C. Ridgway et al. // Appl. Phys. Lett. - 1999. - Vol. 75. -№ 10. - P. 1410-1411.

39. Shan, W. Nature of the fundamental band gap in GaNxPi.x alloys [Text] / W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, E.E. Haller, H.P. Xin, et al // Appl. Phys. Lett. - 2000.

- Vol. 76. - № 22. - P. 3251-3253.

40. Walukiewicz, W. Narrow band gap group Ill-nitride alloys [Text] / W. Walukiewicz // Physica E. - 2004. - Vol. 20. - P. 300-307.

41. Yu, K.M. Diluted II-VI Oxide Semiconductors with Multiple Band Gaps [Text] / K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, W. Shan, J.W. Beeman, M.A. Scarpulla, O.D. Dubon, P. Becla // Phys. Rev. Lett. - 2003. - Vol. 91. - № 24. - P. 246403.

42. Shan, W. Effects of pressure on the band structure of highly mismatched Zni,yMnyOxTei.x alloys [Text] / W. Shan, K.M. Yu, W. Walukiewicz, J.W. Beeman, et al. // Appl. Phys. Lett. - 2004. - Vol. 84. - № 6. - P. 924-926.

43. Jingo, Li Alignment of isovalent impurity levels: Oxygen impurity in II-VI semiconductors [Text] / Li Jingo, Wei Su-Huai // Phys. Rev. B. - 2006. - Vol. 73. -P. 041201.

44. Perkins, J.D. Nitrogen- Activated transitions, level repulsion, and band gap reduction in GaAsi_xNx with x < 0,03 [Text] / J.D. Perkins, A. Mascarenhas, J.F. Geisz,

D.J. Friedman, et al. // Phys. Rev. Lett. - 1999. - Vol. 82. - № 16. - P. 3312-3315.

45. Hannu-Pekka, Komsa First-Principles Study of Nitrogen in GaAsN - Defects and Interfaces [Text] // Komsa Hannu-Pekka. - Tampere: Tampere University of Technology, 2008.

46. Shan, W. Band Anticrossing in GalnNAs Alloys [Text] / W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, et al. // Phys. Rev. Lett. - 1999. - Vol. 82. - № 6. -P. 1221-1224.

47. Mayer, M.A. Band structure engineering of ZnO!_xSex alloys [Text] / M.A. Mayer, D.T. Speaks, K.M. Yu, S.S. Mao, E.E. Haller, W. Walukiewicz // Appl. Phys. Lett. - 2010. -Vol. 97.-P. 022104

48. Мидерос, Д.А. Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью

кислорода с позиций теории антипересекающихся зон [Текст]: дне.....канд. физ.-

мат. наук.: 01.04.10 / Мидерос Даниэль Алехандро - М.: МЭИ, 2008.

49. Shan, W. Band anticrossing in dilute nitrides [Text] / W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson. // J. Phys: Condens. Matter. - 2004. - Vol. 16. - P. S3355-S3372.

50. Hjalmarson, H.P. Theory of substitutional deep traps in covalent semiconductors [Text] / H.P. Hjalmarson, P. Vogl, D.J. Wolford, J.D. Dow // Phys. Rev. Lett. - 1980. - Vol. 44. -№ 12.-P. 810-813.

51. Vogl, P. Predictions of Deep-Impurity-Level Energies in Semiconductors [Text] / P. Vogl //Advances in electronics and electron physics. - 1984. - Vol. 62. - P. 101-159.

52. Wu, J. Band structure of highly mismatched Semiconductor alloys [Text] / J. Wu, W. Walukiewicz, E.E. Haller // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 65. - P. 210-233.

53. Krstajiva, P.M. Landau levels and magnetopolaron effect in dilute GaAs:N [Text] / P.M. Krstajiva, F.M. Peetersa, M. Helm // Solid State Comm. - 2010. - Vol. 150. -№33-34. -P. 1575-1579.

54. Uesugi, K. Reexamination of N composition dependence of coherently grown GaNAs band gap energy with high-resolution x-ray diffraction mapping measurements [Text] / K. Uesugi, N. Marooka, I. Suemune // Appl. Phys. Lett. - 1999. - Vol. 74. - № 9. -P. 1254-1257.

55. Keyes, B.M. Optical Investigation of GaNAs [Text] / B.M. Keyes, J.F. Geisz, P.C. Dippo, R. Reedy, C. Kramer, et al. // AIP Conference Proceedings 462. Woodbury, NY: American Institute of Physics. 1999. P. 511-516.

56. Malikova, L. Composition and temperature dependence of the direct band gap of GaAs^xNx (x < 0,0232) using contactless electroreflectance [Text] / L. Malikova, F.H. Pollak, R. Bhat // J. Electron. Mater. - 1998. - Vol. 27. - № 5. - P. 484-487.

57. Bhat, R. Growth of GaAsN/GaAs, GalnAsN/GaAs and GalnAsN/GaAs quantum wells by low-pressure organometallic chemical vapor deposition [Text] / R. Bhat, C. Caneau, L. Salamanca-Riba, W. Bi, C. Tu // J. Crystal Growth. - 1998. - Vol. 195. - № 1-4. - P. 427-437.

58. Fluegel, B. E+ transition in GaAs^N* and GaAsi-jBi* due to isoelectronic-impurity-induced perturbation of the conduction band [Text] / B. Fluegel, A. Mascarenhas, A.J. Ptak // Phys. rev. B. - 2007. - Vol. 76. - № 15. - P. 155209.

59. Ciatto, Gianluca Hydrogenated Dilute Nitride Semiconductors: Theory, Properties, and Applications [Text] // Gianluca Ciatto. -USA, Boca Raton: CRC Press, 2015.

60. Levander, A.X. GaNi_TBi^: Extremely mismatched semiconductor alloys [Text] / A.X. Levander, K.M. Yu, S.V. Novikov, A. Tseng, C.T. Foxon, O.D. Dubon, J. Wu, W. Walukiewicz // Appl. Phys. Lett. - 2010. - Vol. 97. - P. 141919.

61. Yu, K.M. Highly Mismatched Crystalline and Amorphous GaNi_xAsx Alloys in the Whole Composition Range [Text] / K.M. Yu, S.V. Novikov, R. Broesler, I.N. Demchenko, J.D. Denlinger, F. Lückert, Z. Liliental-Weber, R.W. Martin, W. Walukiewicz, C.T. Foxon // J. of App. Phys. - 2009. - Vol. 106. - № 10. - P. 102709.

62. Sandu, T. Band gaps and band bowing in semiconductor alloys [Text] / T. Sandu, I. Iftimie Radu//Solid State Comm. - 2010. - Vol. 150.-№ 17-18.-P. 888-892.

63. Dannecker, T. Nitrogen composition dependence of electron effective mass in GaAs^N* [Text]/ T. Dannecker, Y. Jin, H. Cheng, C.F. Gorman, J. Buckeridge, C. Uher, S. Fahy, C. Kurdak, R.S. Goldman // Phys. Rev. B. - 2010. - Vol. 82. - № 12. - P. 125203.

64. Lindsay, A. Unification of the Band Anticrossing and Cluster-State Models of Dilute Nitride Semiconductor Alloys [Text] / A. Lindsay, E.P. O'Reilly // Phys. Rev. Lett. -2004.-Vol. 93. -№ 19. - P. 196402-1.

65. Yi, W. Room-temperature photoresponse of Schottky photodiodes based on GaN^As^ synthesized by ion implantation and pulsed-laser melting [Text] / W. Yi, T. Kim, I. Shalish, M. Loncar, M.J. Aziz, V. Narayanamurti // App. Phys. Lett. - 2010. - Vol. 97. -№ 15.-P. 151103.

66. Chamings, J. Band anti-crossing and carrier recombination in dilute nitride phosphide based lasers and light emitting diodes [Text] / J. Chamings, S. Ahmed, A.R. Adaml, S.J. Sweeney, V.A. Odnoblyudov, C.W. Tu, В. Kunert, W. Stolz // Phys. Status Solidi B.

- 2009. - Vol. 246. - № 3. - P. 527-531.

67. Lee, J.H. Enhancing the Thermoelectric Power Factor with Highly Mismatched Isoelectronic Doping [Text] / J.H. Lee, J. Wu, J.C. Grossman // Phys. Rev. Lett. - 2010. -Vol. 104.-№ 1.-P. 016602.

68. Ramdas, A.K. The anomalous variation of band gap with alloy composition: cation vs anion substitution in ZnTe [Text] / A.K. Ramdas, S. Miotkowska // Sol. Stat. Comm.

- 1999. - Vol. 112. - № 6. - P. 329-334.

69. Iseler, G.W. Photoluminescence due to isoelectronic oxygen and tellurium traps in II-IV alloys [Text] / G.W. Iseler, A.J. Strauss // J. Lum. - 1970. - Vol. 3. - P. 1-17.

70. Walukiewicz, W. Interaction of localized electronic states with the conduction band: band anticrossing in II-VI semiconductor ternaries [Text] / W. Walukiewicz, W. Shan, K.M. Yu, M.J. Seong, H. Alawadhi, A.K. Ramdas // Phys. Rev. Lett. - 2000. - Vol. 85.

- № 7. - P. 1552-1555.

71. Morozova, N.K. Some Specific Features of Edge Luminescence of CdS(O) in the Context of the Band Anticrossing theory [Text] / N.K. Morozova, N.D. Danilevich, V.M. Semenov, V.G. Galstyan, V.l. Oleshko // Semiconductors. - 2009. - Vol. 43. -№ 13.-P. 1628-1634.

72. Morozova, N.K. Bond exiton on SA and SAL centres ZnS(O) - ZnSe(O) [Text] / N.K. Morozova, D.A. Mideros // Semiconductors. - 2008. - № 13. - P. 1499-1502.

73. Данилевич, Н.Д. Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры н состава кристаллов CdS-0 (с привлечением теории

антипересекающихся зон - ВАС) [Текст]: дис.....канд. физ.-мат. наук.: 01.04.10 /

Данилевич Надежда Дмитриевна, МЭИ - Москва, 2011.

74. Morozova, N.K. Features of the Exiton Spectra CdS(O) single crystals [Text] / N.K. Morozova, N.D. Danilevich, V.l. Oleshko, S.S. Vil'chinskaya // Semiconductors.

- 2012.-Vol. 46.-№ 13.-P. 1562-1567.

75. Морозова, H.K. Кислород в оптике соединений II-VI в свете теории антипересекающихся зон [Текст] // Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Н.Д. Данилевич.

- Saarbrücken Germany: LAP. 2013. - 205 p.

76. Вильчинская, С.С. Низкотемпературная люминесценция CdS при низких и высоких уровнях возбуждения [Текст] / С.С. Вильчинская, В.И. Олешко, В.И. Корепанов, В.М. Лисицын // Изв. Вузов Физика. - 2008. - Т. 51. - № 11/3. - С. 101-106.

77. Зимогорский, B.C. Определение содержания кислорода в соединениях А2В6 кинетическим методом с использованием газовой хроматографии [Текст] / B.C. Зимогорский, H.A. Яштулов, В.В. Блинов, Н.К.Морозова // Матер, докл. 30 межд. научн.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: МЭИ. -2000. - С. 211-215.

78. Федорченко, О.В. Термодинамика поведения кислорода в соединениях А2В6 в процессе химического анализа с использованием газовой хроматографии [Текст]: дис.....маг. / Федорченко Ольга Владимировна- Москва: МЭИ. 1999.

79. Морозова, Н.К. Особенности спектров самоактивированной люминесценции CdS(O) с позиций теории ВАС [Текст] / Н.К. Морозова, Н.Д. Данилевич // ФТП.

- 2010. - Т. 44. - № 4. - С. 458-462.

80. Morozova, N.K. S-A luminescence spectra of in the context of the ВАС theory [Text] / N.K. Morozova, N.D. Danilevich, A.A. Kanakhin // Phys. Stat. Sol. (c). - 2010. - Vol. 7.

- № 6. - P. 1501-1503.

81. Олешко, В.И. Пороговые процессы в твердых телах при взаимодействии с

сильноточными электронными пучками [Текст]: дис.....докт. физ.-мат. наук.:

01.04.07 / Олешко Владимир Иванович. - Томск: ТПУ, 2009. - 357 с.

82. Голубева, Н.П. Связанная с кислородом люминесценция "беспримесного" ZnS [Текст] / Н.П. Голубева, М.В. Фок // ЖПС. - 1972. - Т. 17. - № 2. - С. 261-268.

83. Морозова, Н.К. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства [Текст] / Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов. Под. ред. М.В. Фока. - Москва: Наука, 1987.

84. Морозова, Н.К. Экситонный спектр CdS с контролируемым изменением стехиометрии и концентрации кислорода [Текст] / Н.К. Морозова, А.Б. Крыса, Н.Д. Данилевич, Л.Д. Назарова, И.А. Каретников // ЖПС. - 1994. - Т. 60. - № 3. -С. 341-348.

85. Морозов, A.B. Кислород в сульфиде кадмия и его влияние на оптические свойства

[Текст]: дис.....канд. физ.-мат. наук.: 01.04.10 / Морозов Александр Владимирович.

-Москва: МЭИ, 1993.

86. Ермолович, И.Б. Механизм зеленой краевой люминесценции в CdS монокристаллах и параметры центров свечения [Текст] / И.Б. Ермолович,

A.B. Любченко, М.К. Шейнкман // ФТП. - 1968. - № 2(11). - С. 1639-1643.

87. Морозова, Н.К. Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS [Текст] / Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Н.Д. Данилевич, В.М. Лисицын и др. // ФТП.

- 2005. - Т. 39. - № 5. - С. 513-520.

88. Морозова, Н.К. О роли кислорода в формировании центров люминесценции ZnSe / Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук [Текст] // Неорг. матер. - 1999. -Т. 35.-№ 8.-С. 917-922.

89. Akimoto, К. Isoelectronic oxygen in II-VI semiconductors [Text] / K. Akimoto, H. Okuyama, M. Ikeda // Appl. Lett. - 1992. - Vol. 60. - № 1. - C. 91-94.

90. Назарова, Л.Д. Влияние сложного легирования изоэлектронными примесями кислорода и теллура на оптические свойства сульфида кадмия и селенида цинка

[Текст]: дис.....канд. физ.-мат. наук.: 01.04.10 / Назарова Лариса Дмитриевна. -

Москва: МЭИ, 1995.

91. Блинов, В.В. Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в

соединениях А2В6 (на примере ZnSe) [Текст]: дис.....канд. физ.-мат. наук.: 01.04.10 /

Блинов Владимир Викторович. - Москва: МЭИ, 2003.

92. Морозова, Н.К. Исследование центров люминесценции, обязанных присутствию меди и кислорода в ZnSe [Текст] / Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук // ФТП. - 2001. - Т. 35. - № 1. - С. 25-33.

93. Гурвич, М.А. Введение в физическую химию кристаллофосфоров [Текст] / М.А. Гурвич. - Москва: Высшая школа, 1971.

94. Морозова, Н.К. Спектр поглощения ZnO в ZnSe [Текст] / Н.К. Морозова,

B.Г. Плотниченко, Е.М. Гаврищук, В.В. Блинов // Неорг. Матер. - 2003. - Т. 39.

- № 8. - С. 920-925.

95. Morozova, N.K. Role of Background О and Cu Impurities in Optics of ZnSe Crystais in the Context of the Band Anticrossing Model [Text] / N.K. Morozova, D.A. Mideros, E.M. Gavrishuk, V.G. Galstyan // Semiconductors. - 2008. - Vol. 42. - № 9. -P. 1023-1029.

96. Морозова, Н.К. Три типа центров самоактивированного свечения CdS(O) [Текст] / Н.К. Морозова, В.И. Олешко, Н.Д. Данилевич, С.С. Вильчинская // Известия вузов. Электроника. - 2012. - № 3 (95). - С. 3-10.

97. Морозова, Н.К. Некоторые особенности прикраевой люминесценции CdS(0) с позиций теории антипересекающихся зон [Текст] / Н.К. Морозова, Н.Д. Данилевич, В.М. Семенов, В.Г. Галстян, и др. // Изв. ВУЗов. Электроника. - 2009. - № 1. -С. 3-11.

98. Морозова, Н.К. Особенности экситонных спектров монокристаллов CdS(O) [Текст] / Н.К. Морозова, Н.Д. Данилевич, В.И. Олешко, С.С. Вильчинская // Изв. Вузов. Электроника. -2012. -№ 1(93). - С. 14-21.

99. Гурский, A.JI. Примесная люминесценция монокристаллов ZnS'O при высоких уровнях электро- и фотовозбуждения [Текст] / A.JI. Гурский, Е.В. Луценко, Г.П. Яблонский // ФТТ. - 1992. - Т. 34. - № 9. - С. 3530-3536.

100. Островский, И.В. Акустолюминесценция-новое явление акустооптики [Текст] / И.В. Островский // Соросовский образовательный журнал «Акустоэлектроника». - 1998. -№ 1.-С. 95-102.

101. Rothschild, S. The Coactivator Emission of ZnS and (Zn,Cd)S Phosphors [Text] / S. Rothschild // J. Electrochem. Soc. - 1963. - № 110 (1). - P. 28-35.

102. Yu, P.Y. Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties [Текст] // P.Y. Yu, M. Cardona. - Berlin Heidelberg New York: Springer-Verlag, 2003.

103. Мидерос, Д.А. Комплексы точечных дефектов, ответственных за самоактивированное свечение и растворимость кислорода в ZnS и ZnSe [Текст] / Д.А. Мидерос, Чан Ха Нгуен // Доклады 38 межд. науч-тех. семинара "Шумовые и деградац. процессы в п/п приборах" 27-28 ноября 2007. М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова МЭИ. - 2008. - С. 138-142.

104. Soo, Y.L. Local environment surrounding S and Cd in CdO thin film [Text] / Y.L. Soo, W.H. Sun, S.C. Weng, et al // Appl. Phys. Lett. - 2006. - Vol. 89. - P. 131908.

105. Brus, L.E. Electron-electron and electron-hole interactions in small semiconductor crystallites: The size dependence of the lowest excited electronic state [Text] / L.E. Brus // J. Chem. Phys. - 1984. - Vol. 80. -№ 9. P. 4403-4409.

106. Wang, Y. Quantum size effects on the exciton energy of CdS clusters [Text] / Y. Wang, N. Herron // Phys. Rev. B. - 1990. - Vol. 42. - № 11. - P. 7253-7255.

107. Sapra, S. Evolution of the electronic structure with size in II-VI semiconductor nanocrystals [Text] / S. Sapra, D.D. Sarma // Phys. Rev. B. - 2004. - Vol. 69. -P. 125304-1.

108. Wang, Y. PbS in polymers. From molecules to bulk solids [Text] / Y. Wang, A. Suna, W. Mahler, R. Kasowski // J. Chem. Phys. - 1987. - Vol. 87. - № 12. - P. 7315.

109. Shinojima, H. Microcrystallite size dependence of absorption and photoluminescence spectra in CdSxSe!_x-doped glass [Text] / H. Shinojima, J. Yumoto, N. Uesugi, S. Omi, Y. Asahara // Appl. Phys. Lett. - 1989. - Vol. 55. - № 15. - P. 1519.

110. Yanga, Y. Synthesis and optical properties of CdS semiconductor nanocrystallites encapsulated in a polymatrix [Text] / Yang Yanga, Huilan Chena, Ximao Bao // J. Crystal Growth. 2003.V. 252. P. 251-256.

111. Chestnoy, N. Luminescence CdS semiconductor clusters: the nature of emitting electronic state [Text] / N. Chestnoy, T.D. Harris, R. Hull, L.E. Brus // J. Phys. Chem. - 1986. - Vol. 90. - № 15. - P. 3393-3399.

112. Dakhel, A. Optical characterization of thermally evaporated thin CdO films [Text] / A. Dakhel, F.Z. Henari // Cryst. Res. Technol. - 2003. - Vol. 38. - № 11. - P. 979-985.

113. Соболев, B.B. Зоны и экситоны соединений группы АгВ6 [Текст] / В.В. Соболев. -Кишенев: Штиинца, 1980.-256 с.

114. Rusu, R.S. On the electrical and optical characteristics of CdO thin films [Text] / R.S. Rusu, G.I. Rusu//J. of opt. and adv. Mater. - 2005. - Vol. 7. -№ 3. -P. 1511-1516.

115. Лазарев, В.Б. Химические и физические свойства простых оксидов металлов [Текст] / В.Б. Лазарев, В.В. Соболев, И.С. Шаплыгин. - Москва: Наука, 1983. -С. 239.

116. Физико-химические свойства окислов. Справочник [Текст] / ред. Г.В. Самсонов. -Москва: Металлургия, 1978.

117. Moon, C.Y. Band-gap bowing coefficients in large size-mismatched II-VI alloys: first-principles calculations [Text] / C.Y. Moon, S.H. Wei, Y. Z. Zhu, G. D. Chen // Phys. Rev. В - 2006. - Vol. 74. - P. 233202-01.

118. Breeze, A. An LCAO calculation of the band structure of cadmium oxide [Text] / A. Breeze, P.G. Perkins // Solid State Comm. - 1973. - Vol. 13. -№ 7. - P. 1031-1033.

119. Lanje, A.S. Luminescence and electrical resistivity properties of cadmium oxide nanoparticles [Text] / Amrut S. Lanje, Raghumani S. Ningthoujam, Satish J. Sharma, Ramchandra B. Pode // Ind. J. of Pure & App. Phys. - 2001. - Vol. 49. - P. 234-238.

120. Menendez-Proupin, E. Electronic structure of crystalline binary and ternary Cd-Te-0 compounds / E. Menendez-Proupin, G. Gutierrez, E. Palmero, J. L. Pena [Text] // Phys.Rev B. - 2004. - Vol. 70. - P. 035112.

121. Ghosh, M. Solvothermal synthesis of CdO and CuO nanocrystals Chemical [Text] // Chem. Phys. Lett. - 2004. - Vol. 393. - P. 493-497.

122. Wu, X. Optical properties of nanometer-sized CdO organosol [Text] /X. Wu, R. Wang, B. Zou, L. Wang, S. Liu, J. Xu // Mater. Res. - 1998. - Vol. 13. - P. 604.

123. Милославский, B.K. Использование эффекта Бурштейна-Мосса для определения параметров энергетического спектра CdO [Текст] / В.К. Милославский, О.И. Шкляревский // Физика и техника полупроводников. - 1971. - Т. 5. - № 5. -С. 926-930.

124. Семенов, В.М. Изоэлектронная примесь кислорода в CdS [Текст]: дис.....маг. /

Семенов Владимир Михайлович. - Москва: МЭИ, 2011. - 120 с.

125. Соболев, В.В. Электронная структура твёрдых тел: Т. 2. Кристаллы группы II-VI [Текст] / В.В. Соболев. - Москва-Ижевск, 2012. - 607 с.

126. Краснопевцев, B.JI. "Желтая" люминесценция CdS, легированного кислородом методом ионного внедрения [Текст] / B.JI. Краснопевцев, Ю.В. Милютин, П.В. Шапкин // Крат, сообщ. по физике. 1974. № 8. С .12-17.

127. Бушуева, Г.В. Влияние легирования кислородом на дефектную структуру и спектры люминесценции кристаллов CdS [Текст] / Г.В. Бушуева, В.И. Решаров,

A.Л. Хромов // ФТП. - 1988. - Т. 22. - № 2. - С. 201-201.

128. Краснопевцев, В.В. Имплантация ионов Р и Аг в высокоомный CdS [Текст] /

B.В. Краснопевцев, П.В. Шапкин // Краткие сообщения по физике, ФИАН. - 1972. -№ 10.-С. 54.

129. Морозова, Н.К. Влияние ионного легирования кислородом на оптические свойства сульфида кадмия [Текст] / Н.К. Морозова, А.В. Морозов, В.Г. Галстян, И.А. Каретников, Л.Д. Назарова // Неорг. Матер. - 1994. - Т. 30. - № 6. - С. 731-736.

130. Морозов, А.В. Оптические свойства системы ZnOSe [Текст] / А.В. Морозов, О.Б. Морозова, В.Г. Галстян, В.И. Муратова // Доклады науч.-тех. конф. МЭИ. Секц. №9, Физические основы и применения электронной техники. М.: МЭИ. - 1988. -С. 49-54.

131. Ваксман, Ю.Ф. Излучательная рекомбинация в ZnSe, активированном кислородом [Текст] / Ю.Ф. Ваксман // ФТП. - 1995. - № 2. - С. 346-348.

132. Морозова, Н.К. Экситонные полосы CdO в спектрах кристаллов CdS(O) [Текст] / Н.К. Морозова, В.И. Олешко, Н.Д. Данилевич, С.С. Вильчинская // Известия Вузов. Электроника. -2012. -№ 6 (98). - С. 3-10.

133. Morozova, N.K. Role of background О and Cu impurities in the optics of ZnSe crystals in the context of the band anticrossing model [Text] / N.K. Morozova, D.A. Mideros, E.M. Gavrishchuk, V.G. Galstyan // Semiconductors. - 2008. - Vol. 42. - № 2. -P. 131-136.

134. Morozova, N.K. Special features in luminescence spectra ZnS(O) and ZnSCu(O) in the context of the band anticrossing model [Text] / N.K. Morozova, D.A. Mideros, E.M. Gavrishchuk, V.G. Galstyan // Semiconductors. - 2008. - Vol. 42. - № 9. -P. 1023-1029.

135. Галстян, В.Г. Комплексное исследование в РЭМ особенностей ионной имплантации сульфида цинка [Текст] / В.Г. Галстян, Т.П. Долуханян // Электронная микроскопия и вопросы диагностики. Кишинев. Тезисы докладов. III Республиканская конференция. - 1986. - С. 152-155.

136. Каретников, И.А. Влияние структурных дефектов на электрофизические свойства

ZnS [Текст]: дис.....канд. физ.-мат. наук.: 01.04.10 / Каретников Игорь

Александрович. - Москва: МЭИ, 1973. - 156 с.

137. Гуань-инь, Ч. Дисперсионное смещение дискретных полос поглощения в одноосных кристаллах [Текст] / Чжан Гуань-инь // Оптика и спектроскопия. - 1962. -Т. 12.-№5.-С. 622-626.

138. Гуань-инь, Ч. Возможные формы полосы отражения и их изменение в зависимости от угла падения и поляризации света, дисперсионный эффект полос отражения / Чжан Гуань-инь [Текст] // Оптика и спектроскопия. - 1962. - Т. 13. - № 4. -С. 536-541.

139. Гуань-инь, Ч. Наблюдение дисперсионного эффекта полос отражения в кристаллах CdS [Текст] / Чжан Гуань-инь // Оптика и спектроскопия. - 1962. - Т. 13. - № 5. -С. 701-707.

140. Зубарев, И.В. Исследование оптических свойств CdS(Te) [Текст]: дипломная работа / Зубарев Игорь Владимирович - Москва: МЭИ, 1992. - 169 с.

141. Галстян, В.Г. Исследование ростовых неоднородностей монокристаллов гидротермального сфалерита с помощью растрового электронного микроскопа [Текст] / В.Г. Галстян, Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов, A.A. Штернберг, В.И. Муратова // Кристаллография. - 1979. - Т. 25, - № 4. - С. 829-835.

142. Морозова, Н.К. Специфика экситонных спектров монокристаллов CdS, содержащих растворенный кислород [Текст] / Н.К. Морозова, В.И. Олешко, Н.Д. Данилевич, С.С. Вильчинская // Известия Вузов. Электроника. - 2012. - № 1 (93). -С. 14-21.

143. Капауа, К. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets [Text] / K. Kanaya, S. Okayama // J. Phys. D: Appl. Phys. - 1972. - V. 5. - P. 43-58.

144. Богданкевич, O.B. О распределении плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах с накачкой электронным пучком [Текст] / О.В. Богданкевич, E.H. Донской,

B.А. Коваленко, Ю.Г. Паниткин, М.Д. Тарасов // Квантовая электроника. - 1983. -Т. 10.-С. 2236-2246.

145. Воронов, Ю.В. Ультрафиолетовая люминесценция ZnS при электронном и оптическом возбуждении [Текст] / Ю.В. Воронов // Труды ФИАН. Краткие сообщения по физике. - 1973. - Т. 68. - С. 3-5.

146. Богданкевич, О.В. Полупроводниковые лазеры [Текст] / О.В. Богданкевич,

C.А. Дарзнек, П.Г. Елисеев. - Москва: Наука, 1976. - 415 с.

147; Крегер, Ф. Химия несовершенных кристаллов. [Текст] / Ф. Крегер. - Москва: Мир, 1969.-654 с.

148. Морозова, Н.К. Фазовая диаграмма равновесия точечных дефектов и отклонение от стехиометрии сульфида цинка [Текст] / Н.К. Морозова, О.Н. Морозова // Нсорг. матер.-1981.-Т. 17.-№8.-С. 1335-1340.

149. Морозова, H.K. Связь кристаллической структуры монокристаллов CdS(O) с отклонениями от стехиометрии [Текст] / Н.К. Морозова, В.Г. Галстян, В.М. Семенов, Н.Д. Данилевич // Доклады 41 межд. науч-тех. семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниках». М.: МЭИ. - 2011. - С. 139-146.

150. Нгуен, Ч.Х. Связь некоторых свойств с дефектообразованием в ZnS и ZnSe [Текст]: дис.....маг. / Нгуен Чан Ха. - Москва: МЭИ, 2007. - 125 с.

151. Крылов, П.Н. Влияние термоотжига на оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида цинка [Текст] / П.Н. Крылов, Ф.З. Гильмутдинов, Э.А. Романов и др. // ФТП. - 2011. - Т. 45. -№ 11. - С. 1571-1575.

152. Канахин, A.A. Исследование дефектообразования в сульфиде кадмия [Текст] / A.A. Канахин, С.М. Сальников. // Тез. докл. XVI Междунар. науч -техн. конф. студентов и аспирантов "Радиоэлектроника, электротехника и энергетика" Т.1. -М.: Изд. МЭИ. 2010. - С. 278-279.

153. Морозова, Н.К. Влияние давления и температуры на равновесие точечных дефектов и ширину запрещенной зоны ZnS [Текст] / Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М Гаврищук, Э.В Яшина, В.Г Плотниченко, В.Г Галстян. // Неорг. Матер. - 2004. - Т. 40. - № 11. - С. 1299-1306.

154. Asano, S. Lattice defects in zincblende [Text] / S. Asano, J. Tomishima // J. Phys. Soc. Japan. - 1958.-V.3.-№ 10.-P. 1119-1138.

155. Бокий, Г.Б. Кристаллохимия [Текст] / Г.Б. Бокий. - Москва: Наука, 1971.

156. Морозова, Н.К. Экситонный спектр монокристаллов CdS с контролируемым изменением стехиометрии и [О] [Текст] / Н.К. Морозова, Н.Д. Данилевич, Л.Д. Назарова, А.Б. Крыса, И.А. Каретников // Журнал Прикладной Спектроскопии. - 1994. - Т. 60. - № 3-4. - С. 341-348.

157. Канахин, A.A. Связь дефектообразования сульфида кадмия с электрофизическими

свойствами [Текст]: дис.....маг. / Канахин Алексей Алексеевич. - Москва: МЭИ,

2012.-92 с.

158. Сальников, С.М Зависимость дефектообразования в CdS от условий получения [Текст]: дис.....маг. / Сальников Сергей Михайлович. - Москва: МЭИ, 2010. - 110 с.

159. Морозова, Н.К. Собственно-дефектные структуры ZnB^ [Текст] / Н.К. Морозова // Неорганические матер. - 1991. - Т. 27. -№ 7. - С. 1375-1380.

160. Фок, М.В. Ширина запрещенной полосы и эффективный заряд ионов в кристаллической решетке ZnS [Текст] / М.В. Фок // ФТТ. - 1963. - Т. 5. - № 6. -С. 1489-1496.

161. Хариф, Я.Л. Диаграмма парционалыюе давление - температура - состав сульфида кадмия [Текст] / Я.Л. Хариф, Н.И. Кудряшов, П.В. Ковтуненко // Изв. АН СССР. Неорган, матер. - 1986. - Т. 22. - № 12. - С. 1962-1966.

162. Корсунская, Е.Н. Дрейф междоузельных атомов в электрическом поле в чистых и легированных Li кристаллах CdS [Текст] / Е.Н. Корсунская, И.В. Маркевич // ФТП. -1981.-Т. 15.-№2.-С. 52-55.

163. Kukk, P. Hight-temperature conductivity relaxation in undoped CdS and CdSe single crystals [Text] / P. Kukk, T. Varema // J. Sol. State Chem. - 1982. - V. 43. - P. 320-325.

164. Bube, R.B. Infrared Queinching and unified descripton of photoconductivity phenomena in CdS and CdSe [Text] / R.B. Bube // Phys Rev. - 1955. - V. 99. - № 4. - P. 1105.

165. Braynt, F.G. Heat treatment effects in CdS [Text] / F.G. Braynt, A.F.G. Cox // Brit. J. Appl. Phys.- 1965.-V. 16.-№5.-P. 1065-1070.

166. Ермолович, И.Б. Собственные дефекты в CdS, облученном тепловыми нейтронами [Текст] / И.Б. Ермолович, В.В. Горбунов, И.Д. Конозенко // ФТП. - 1977. - Т. 11.

- № 9. - С. 1812.

167. Гавриленко, В.И. Оптические свойства полупроводников [Текст] / В.И. Гавриленко. - Киев: Наукова думка, 1987.

168. Гайсинский, В.Б. Динамика эффектов при ионной имплантации монокристаллов CdS [Текст] / В.Б. Гайсинский // ФТП. - 1985. - Т. 19. - № 11. - С. 16-28.

169. Ермолович, И.Б. Влияние имплантации протонов на люминесцентные свойства халькогенидов кадмия [Текст] / И.Б. Ермолович, С.Е. Ерматов // ФТП. - 1986.

- Т. 20. -№3.~ С. 440-446.

170. Sitter, Н. Investigation of deep levels in epitaxially grown CdS and CdTe layers [Text] / H. Sitter, J. Humenberger, D. As // J. of Crystal Growth. - 1982. -V. 59. - P. 229-233.

171. Полупроводниковая электроника. Справочник. [Текст] / ред. П.И. Бранский. -Киев, 1975.

172. Данилевич, Н.Д. Исследование экситонной области спектров монокристаллов CdS выращенных при контролируемом отклонении от стехиометрии [Текст]: дипломная работа / Данилевич Надежда Дмитриевна. - Москва: МЭИ, 1993.

173. Морозова, H.K. Некоторые особенности прикраевой люминесценции CdS(O) с позиций теории ВАС [Текст] / Н.К. Морозова, В.Г. Галстян, Н.Д. Данилевич, В.М.Семенов, В.И. Олешко, С.С. Вильчинская, и др.// Изв. Вузов Электроника. - 2009. - № 1 (75).-С. 3-11.

174. Zeenath, N.A. Electrical studies on trap levels present in n- and p-type spray pyrolysed CdS thin films [Text] / N.A. Zeenath, K.P. Varkey, K.P. Vijayakumar // J. Phys. Condens. Mater. - 1998. - V. 10. - P. 2053-2063.

175. Kroger, F.A. Controlled conductivity in CdS single Crystals [Text] / F.A. Kroger, H.J. Vink, Van den Boomgaard // Z. Physik. Chem. - 1954. - V. 203. -№ 1. - P. 1-2.

176. Канахин A.A. / Собственные точечные дефекты и проводимость CdS и CdTe [Текст] / A.A. Канахин, A.B. Коновалов // Материалы докладов 44 межд. научн.-техн. семинара «Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» Москва: МЭИ. - 2014. - С. 103-111.

177. Van Gool, W. Self-activated fluorescence CdS, ZnS. [Text] / W. Van Gool // Philips Res.Repts. - 1960. - V. 15. - P. 238-253.

178. Morozova, N.K. Self-activated luminescence spectra of CdS(O) in the Context of the Band Anticrossing Model [Text] / N.K. Morozova, N.D. Danilevich, A.A. Kanakhin // Phys. Stat. Sol. C. - 2010. - V. 7. - № 6. - P. 1501 -1503.

179. Морозова, H.K. О некоторых аналогиях свойств локализованных экситонов на центрах анионного замещения в ZnS-О, GaP-N и ЩГК кристаллах [Текст] / Н.К. Морозова, В.А. Малышев // Известия вузов, Физика. - 1985. - № 3. - С. 83-88.

180. Дефекты решётки в соединениях А2В6 [Текст] / ред. Б.И. Болтакс. - Москва: Мир, 1970. №9. С. 221-242.

181. Lee, K.M. ODMR Study of the Zinc Vacancy in Zinc Selenide [Text] / K.M. Lee, L.S. Dang, C.D. Watkins // Inst. Phys. Conf. Sei. Defects and Irradiation Effects in Semiconductors.London. - 1981. -№ 59. - P. 353.

182. Морозова, Н.К. Особенности спектров люминесценции ZnS(O) и ZnSCu(O) с позиций теории антипересекающихся зон [Текст] / Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, В.Г. Галстян, Е.М. Гаврищук // ФТП. - 2008. - Т. 42. - № 9. - С. 1039-1044.

183. Морозова, Н.К. Влияние контролируемого изменения СТД и кислорода на оптические свойства CdS [Текст] / Н.К. Морозова, A.B. Морозов, И.А. Каретников, Л.Д. Назарова, Н.Д. Данилевич // ФТП. - 1994. - Т. 28. - № 10. - С. 1699-1713.

184. Морозова, Н.К. Роль кислорода в формировании глубоких центров люминесценции ZnSe [Текст] / Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук // Неорган, матер. - 1999. - Т 35. - № 8. - С. 917-922.

185. Олешко, В.И. Спектрально-кинетические характеристики донорно-акцепторных пар в кристаллах CdS и ZnSe [Text] / В.И. Олешко, С.С. Вильчинская, В.М. Лисицын и др. //10 Int. Conf on Modification Materials with Particle Beams and Plasma Flows, Sept. 19-24. 2010. Tomsk. P. 145.

186. Vilchinskaya, S.S. Emission characteristics of donor-acceptor pairs in ZnSe and CdS crystals [Text] / S.S. Vilchinskaya, V.M. Lisitsyn, V.I. Korepanov // Functional materials. - 2011. -№ 18 (4). - P. 457-461.

187. Канахин, А.А. Оптические свойства ионно-легированных кислородом слоев CdS(O) в сравнении с ZnSe(O) [Текст] / А.А. Канахин, Н.К. Морозова // Материалы докладов 43 межд. Научн.-техн. семинар «Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». Москва: МЭИ. - 2013. - С. 199.

188. Голубева, Н.П. О природе центров зеленой люминесценции ZnS-O, Си [Текст] / Н.П. Голубева, М.В. Фок //ЖПС. - 1981. - Т. 35. - № 3. - С. 551-553.

189. Kroeger, F.A. The Function of Oxygen in Zinc Sulfide Phosphors [Text] / F.A. Kroeger, J.A.M. Dikhoff // Journal of the electrochemical society. - 1952. - V. 99. - № 4. -P. 144-154.

190. Рыжиков, В.Д. Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений А2В6 [Текст] / В.Д. Рыжиков. - Москва: НИИТЭХИМ, 1989.

191. Морозова, Н.К. Аномальная серия полос в спектрах краевого свечения CdS(O) при высокой интенсивности возбуждения [Текст] // Н.К. Морозова, А.А. Канахин, В.Г. Галстян, А.С. Шнитников // Известия вузов, Физика. - 2014. - 10 -С. 122-126.

192. Технология СБИС [Текст] / под ред. С. Зи. - Москва: Мир, 1986.

193. Риссел, X. Ионная имплантация [Текст] / X. Риссел, И. Руге. - Москва: Наука, 1983. -360 с.

194. Марков, Е.В. Выращивание ориентированных кристаллов CdS из паровой фазы [Текст] / Е.В. Марков, А.А. Давыдов // Неорган, матер. - 1975. - Т. 11. - № 10. -С. 1755-1757.

195. Морозова, Н.К. Оптические свойства слоев ZnO, ионнолегированных Se [Текст] / Н.К. Морозова, А.В. Морозов, В.Г. Галстян, В.И. Муратова // Труды МЭИ. - 1988. -№ 171.-С. 49-54.

196. Галстян, В.Г. Определение профиля легированного слоя при имплантации ионов Se в монокристаллах ZnO [Текст] / В.Г. Галстян, В.И. Муратова, С.М. Щербина // Доклад на 13 Всес. конф. по Электронной Микроскопии, г. Сумы. - 1987. - Т. 2. -С. 502-503.

197. Георгобиани, А.Н. Люминесценция ионнолегированных кристаллофосфоров группы А2В6 [Текст] / А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский // Изв. АНСССР, сер. Физика. - 1982.- Т.43.-№ 6. С.1179-1187.

198. Дмитриенко, А.К. Температурная зависимость экситонных переходов в AnBVI [Текст] / А.К. Дмитриенко // ФТП. - 1985. - Т. 19. - № 5. - С. 20-27.

199. Васильева, И.А. Ионное легирование CdS кислородом [Текст]: дипломная работа / Васильева Ирина Андреевна. - Москва: МЭИ, 1994.

200. Морозова, Н.К. Спектроскопия различных структурных форм сульфида цинка с изоэлектронными ловушками кислорода [Текст]: дис. докт. физ.-мат. наук.: 01.04.10 / Морозова Наталия Константиновна. - Москва: МЭИ, 1981.

201. Soo, Y.L. Local Structures Around S in CdS:0 Thin Films Photovoltaic Materials Probed by S K-edge X-ray Absorption Fine Structures [Text] / Y.L. Soo, W.H. Sun // Bulletin of the American Physical Society. APS March Meeting. - 2007. - Vol. 52.

202. Blinov, V.V. Effect of Oxygen Doping on the IR Transmission and Cathodoluminescence of ZnSe [Text] / V.V.Blinov, E.V. Gavrishchuk, V.G. Galstyan,V.A. Zimogorskii, I.A.Karetnikov, N.K. Morozova, V.G.Plotnichenko // Inorganic Materials. - 2001. - Vol. 37. - №. 12. - P. 1228-1234.