Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Славова, Магдалена Ламбова

• Славова, Магдалена Ламбова
• кандидат физико-математических наук
• 1985

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Славова, Магдалена Ламбова

ВВВДЕБИЕ.

Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. II

1.1. Общие представления физики ВДП-структур . II

1.1.1. Область пространственного заряда на поверхности полупроводника . II

1.1.2. Основные характеристики МИД-структуры . II

1.1.3. МЩ-транзистор.

1.2. Влияние ионной миграции на функционирование полупроводниковых приборов.

1.2.1. Биполярные приборы

1.2.2. Униполярные приборы.

1.2.3. Способы борьбы с поверхностной миграционной нестабильностью ЩП-структур.

1.2.3.а. Способы борьбы с нежелательными последствиями поверхностной миграции ионов.

1.2.3.6. Способы предотвращения поверхностной ионной миграции

1.3. Математические модели поверхностной миграционной нестабильности.

1.3.1. Миграция ионов при произвольном соотношении концентрации индуцированных и начальных ионов.

1.3.2. Диффузионная модель поверхностной миграционной нестабильности

1.3.3. Дрейфовая модель поверхностной миграционной нестабильности.

1.4. Экспериментальное исследование поверхностной миграционной нестабильности ЩЛ-структур

1.4.1. Экспериментальное наблюдение ионной миграции.

1.4.2. Методы определения параметров ионного дрейфа.

1.5. Природа мигрирующего заряда.

1.5.1. Гидратный покров окисла.

1.5.2. Протонные процессы в ЩЩ-системе.

1.5.3. Химически-чувствительные приборы.

1.6. Анализ литературы и постановка задачи

Глава П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА.

2.1. Метод исследования. Тестовые структуры.

2.2. Метод определения значения потенциала поверхности диэлектрика.

2.3. Измерительная установка.

2.4. Стандартизация условий измерения.

Глава Ш. ЭКСЖРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЙ

МИГРАЦИОННОЙ НЕСТАБИЛЬНОСТИ В СРЕДАХ С ПОВЫШЕННОЙ ВЛАЖНОСТЬЮ.

3.1. Кинетика распространения потенциала по поверхности диэлектрического слоя ЩП-структуры.

3.2. Стационарное распределение потенциала по поверхности диэлектрического слоя ВДП-структуры.

3.3. Термические эффекты в поверхностной миграционной нестабильности ВДП-структур.

3.4. О возможности прогнозирования кинетики распространения потенциала по поверхности диэлектрика.

Глава 17. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИГРАЦИОННОЙ НЕСТАБИЛЬНОСТИ В С РЖАХ С НИЗКОЙ ВЛАЖНОСТЬЮ.

4.1. Обоснование методики уширения инверсионного канала.

4.1.1. О кинетике распространения потенциала по поверхности диэлектрика

4.1.2. Ток инверсионного канала ЩП-транзистора

4.1.3. Экспериментальное апробирование методики

Глава У. О СПОСОБАХ СНИЖЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИГРАЦИОННОЙ

НЕСТАБИЛЬНОСТИ.

5.1. Изотопный эффект в поверхностной миграционной нестабильности

5.2. О влиянии адсорбции паров пиридина на поверхностную подвижность протонов.

5.3. Снижение поверхностной подвижности протонов на поверхности 3ь02 в результате облучения низкоэнергетическими электронами

5.3.1. Зависимость темпа миграции ионов от энергии электронов.

5.3.2. Зависимость темпа миграции ионов от дозы облучения.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур»

Дурное развитие полупроводниковой электроники привело к тому, что технология полупроводниковых приборов и ЙС в течение длительного времени носила эмпирический характер и до настоящего времени сохранился полу эмпирический подход к решению задач планарной технологии. Несмотря на большой прогресс в этой области, уровень понимания физических процессов, связанных с технологическими проблемами в ЩП-электронике, и сейчас остается недостаточным.

Дрейф биографических и генерируемых в процессе эксплуатации приборов заряженных частиц по поверхности диэлектрических слоев является паразитным эффектом, приводящим к неконтролируемым изменениям их основных характеристик, таких как обратные токи р-п переходов, коэффициент усиления транзисторов, пороговое напряжение полевых приборов и др. В связи с этим проблема поверхностного ионного дрейфа оставалась актуальной на всех этапах развития полупроводниковой электроники. В настоящее время, благодаря внедрению в практику более совершенных технологических методов, таких как ионная имплантация, электронно-лучевая литография, окисление в хлоросодернащей атмосфере, проблему получения стабильных изолирующих слоев, лишенных посторонних, электрически активных примесей, в принципе можно считать решенной. При низкой объемной проводимости диэлектрических пленок, превалирующее влияние на нестабильности характеристик приобретает миграционный процесс по поверхности диэлектрика или по границам раздела диэлектриков в реальных условиях эксплуатации приборов.

С другой стороны, повышение степени интеграции микросхем, использование многоуровневой металлической разводки, и необходимость потребления низких питающих напряжений требует контроля нестабильностей по потенциалу порядка десятых долей вольта. Как показывает анализ отказов, основным механизмом деградации ИС, приводящим к выходу из строя более 60$ ЩП - приборов, является миграция ионов по поверхности пассивирующих или защитных покрытий.

Кроме этого, проблема поверхностной миграции ионов тесно соприкасается с другим, новым направлением научного поиска, а именно с конструированием ионно-чувствительных датчиков для элементного анализа в микроэлектронном исполнении. В связи с этим, изучение зависимости параметров миграционного процесса (поверхностной подвижности и концентрации ионов) от химической природы адсорбированных на поверхности ВДП-структуры частиц может представлять определенный интерес с точки зрения изыскания новых возможностей определения химического состава адсорбционной фазы.

Интенсивное исследование процессов, связанных с ионным дрейфом, началось в 70-ых годах, параллельно с разработкой БЙС и СБИС, хотя первые экспериментальные работы по формированию поверхностных каналов в различных активных средах относятся к началу 50-ых годов, задолго до появления планарной технологии. За истекший период достигнут убедительный прогресс - развиты математические модели миграционного процесса, разработаны экспериментальные методики определения параметров ионного дрейфа, предложены способы снижения паразитного влияния миграции. Остаются, однако, нерешенные проблемы. В частности, болыпинство экспериментальных работ проводилось в условиях повышенного относительного давления паров воды. Данные о закономерностях протекания миграционного процесса при низких влаяностях, соответствующих реальным условиям работы приборов, в литературе практически отсутствуют.

Имеющиеся экспериментальные данные носят преимущественно качественный характер, из-за чего остаются дискуссионными важные аспекты проблемы, такие как механизм поверхностной проводимости диэлектрика, или вопрос о локализации миграционного процесса в многослойных сэндвич-структурах. Недостаточно изучена зависимость темпа миграционного процесса от температуры.

Используемые в технологии методы предотвращения последствий ионного дрейфа входят в противоречие с другими, принципиальными требованиями микроэлектронной технологии, такими как повышение степени интеграции, или создают потенциальные источники отказов, например облегчают условия для локального пробоя или приводят к ухудшению качества металлизации. В связи с этим представляет интерес отыскание более рациональных способов предотвращения миграционной нестабильности.

Необходимость в дополнительных экспериментальных исследованиях проблемы поверхностных миграционных процессов явилась стимулом настоящей работы, в которой предпринята попытка ответить на некоторые из указанных выше вопросов.

Цель работы. I. Провести экспериментальное исследование характера распределения потенциала по поверхности диэлектрического слоя ЩП-структур, с учетом наличия биографических и индуцированных приложенным полем ионов. Исследовать возможности прогнозирования кинетики распространения и стационарного распределения потенциала согласно диффузионно-дрейфовой модели.

2. Изучить влияние температуры на характер и параметры поверхностной миграции ионов во влажных средах.

3. Предложить методику определения параметров поверхностной миграционной нестабильности в условиях низкой влажности, отвечающих реальным условиям эксплуатации приборов.

4. Обосновать новые способы снижения поверхностной миграционной нестабильности, лишенные дополнительных конструктивных усложнений.

Научная новизна. I. Впервые доказано экспериментально, что распределение потенциала по поверхности диэлектрического слоя ВДП-структуры в любой момент времени после подачи рабочих напряжений на структуру может быть прогнозировано заранее, если известна рабочая температура и относительная влажность в корпусе прибора. Доказано, что в большинстве практически важных случаев стационарное распределение потенциала является параболической функцией координаты и может быть предварительно рассчитано для любых МДП-структур.

2. Исследован изотопный эффект в поверхностной миграционной нестабильности ЩД-структур. Показано, что поверхностная миграционная нестабильность представляет собой дрейф протонов под действием тангенциальной составляющей поля, приложенного к затвору.

3. Впервые обнаружен эффект задержки в распространении потенциала управляющего электрода. Предложено объяснение этого эффекта, основанное на представлениях о генерации и разделении продуктов диссоциации воды Н* и ОН" в краевом поле затвора.

4. Показано, что зависимость;, поверхностной подвижности мигрирующего зарода от температуры носит активационный характер. Определены величины энергии активации процесса миграционной нестабильности при адсорбции Н20 и й^О на поверхности диэлектрика.

5. Обоснованы новне способы снижения темпа поверхностной миграции ионов - путем создания протоно-акцепторных центров на поверхности диэлектрика и путем электронного облучения структур.

Автор защищает: I. Новый метод определения параметров поверхностной ионной миграции, позволяющий определять подвижность зарядов обеих полярностей по непосредственно измеряемым величинам токов паразитных инверсионных каналов в условиях низкой относительной влажности.

2. Новые данные о характере распространения потенциала управляющего электрода по поверхности диэлектрика в широком диапазоне относительных влажностей.

3. Предложенную методику прогнозирования кинетики распространения потенциала поверхности диэлектрика, включая стационарное распределение потенциала, основанную на диффузионно-дрейфовой модели поверхностной ионной миграции.

4. Новые данные о протонном характере зарядовой нестабильности ВДП-структур, базирующиеся на изотопном эффекте в миграционной нестабильности и эффекте снижения подвижности поверхностного заряда при адсорбции на поверхности диэлектрика соединений, характеризующихся большой величиной энергии сродства к протону.

Практическая ценность работы. Полученные результаты могут быть использованы при разработке БИС и СБИС для предварительного прогнозирования величин поверхностного потенциала диэлектрических покрытий на пассивных участках микросхем. Предложенные методы снижения поверхностной подвижности ионов открывают вовне возможности решения проблемы миграционной нестабильности ЩП-структур, без понижения степени интеграции элементов ИС. Данные по изотопному эффекту и адсорбции органических веществ представляют также практический интерес с точки зрения поиска новых возможностей реализации химически-чувствительных приборов на основе ЭДЩ-структур.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались на совещании-семинаре "Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах ИС" (Еурзуф, 1983 г.), на Всесоюзном научно-техническом семинаре "Бути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем" (Рязань, 1984 г.) и на Московском общегородском семинаре по физико-химии поверхности полупроводников, 1985г.

Публикации» По материалам диссертации опубликовано 4 печатные работы.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав:, выводов и списка цитированной литературы из 92 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Славова, Магдалена Ламбова

ВЫВОДЫ

I, Разработана корректная методика определения потенциала поверхности диэлектрика и кинетики распространения потенциала по поверхности диэлектрика в ВДП-структурах.

2. Исследована кинетика распространения потенциала по поверхности диэлектрика при различных температурах и влажностях. Показано, что экспериментальные данные хорошо описываются в рамках диффузионно-дрейфовой модели поверхностной миграционной нестабильности.

3. Изучены стационарные распределения потенциала по поверхности диэлектрика при различных влажностях и температурах. Показано, что в большинстве практически важных случаев стационарное распределение потенциала является параболическим и заранее может быть рассчитано для любых ВДП-структур.

4. Разработан метод определения параметров ионного дрейфа в условиях низкой влажности, наиболее приближенных к реальным условиям эксплуатации приборов. Получена зависимость поверхностной подвижности от относительной влажности в широком диапазоне относительных влажностей = 0,05-1,0.

5. Обнаружен "инкубационный" период в распространении по тенциала от "горячего" электрода. Предложено объяснение этого эффекта, основанное на представлении о генерации и разделении продуктов диссоциации воды и 0У1 в краевом поле затвора.

6. Предложен метод оценки подвижности обоих продуктов диссоциации молекул воды на поверхности диэлектрика по кинетике возрастания тока в инверсионном канале ВДП-транзистора.

7. Изучен изотопный эффект в поверхностной миграционной нестабильности ВДП-структур. Показано, что основной причиной поверхностной миграционной нестабильности ЩД-структур является миграция продуктов диссоциации воды, а не перемещение примесных ионов.

8. Показано, что существенную роль в явлениях поверхностной миграционной нестабильности ЩЩ-структур в условиях высокой влажности и/или значительных электрических полей могут играть термические эффекты, обусловлены вццелением джоулева тепла при протекании ионного тока.

9. Предложен адсорбционный способ снижения поверхностной миграционной нестабильности №Ш-структур, путем создания прото-но-акцепторных центров на поверхности диэлектрического слоя при адсорбции молекул пиридина.

10. Апробирован новый метод предотвращения миграции ионов по поверхности пленки в структурах 51- в102 9 состоящий в облучении ЩП-структур низко энергетическими электронами. Достигнут эффект снижения подвижности мигрирующего заряда на 2-4 порядка.

Считаю своим приятным долгом выразить признательность заведующему кафедрой общей физики для химического факультета доктору физико-математических наук, профессору Киселеву В.Ф. за постоянное внимание к моей работе.

Я глубоко благодарна моему научному руководителю доктору физико-математических наук Козлову С.Н. за болыцую помощь в работе, ценные дискуссии и советы.

Выражаю благодарность кандидату физико-математических наук Демидовичу Г.Б. за помощь в работе и обсуждение экспериментальных результатов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Славова, Магдалена Ламбова, 1985 год

1. Вканов А.В. Еиектронные процессы на поверхности полупровод-ников. М., Наука, 1971.

2. Many A., Goldstain A., Grover N. Semiconductor Surfaces.- П.Y::1. Wiley,Inc., 1965.

3. Зи С.M. Физика полупроводниковых приборов. М., Мир, 1984,t.i; с,£56.

4. Scott С.G., Reed С.H. .Surface Physics of Phosphorus and Semiconductors.- London, Academic Press, 1975.

5. Интегральные схемы на МЩ-приборах. M., Мир, 1975, с.

6. Литвинов P.O. Влияние поверхности на характеристики полупроводниковых приборов. Киев, Наукова думка, 1972, с Л.

7. Гаррет К., Брэттен В. Некоторые эксперименты и теория поверхностного пробоя. В кн. : Физика поверхности полупроводников. - М., ИЛ, 1969, с.289.

8. McDonald В .A. Ionic Contamination Induced Degradation of Low Current hf Solid- State Electron.,1971, v.14,FI ,p.1?.

9. Atalla M.M., Bray A.R.,Lindner R. Stability of Oxidized Si June-tions in wett atmosphere.- Proc. IEEE,1959, pt.B,v.106,p.1130.

10. McWhorter A.L., Kingston R.H. Channels and Excess Current in Grown Ge p-n Junction.Diodes.-Proc. Inst. Rad.Engs.,1954,v.42,1. N9,p.1376.

11. Rosenberg J.,Crook D.L.,Euzent B.L. H-MOS Reliability.- IEEE

12. Trans.El.Dev., 1979, v.ED-26, N1,p.48.

13. Schroder D.C. Bulk and Optical Generation Parameters Measuredby the Pulsed MOS-Capacitor.- IEEE Trans.Ei.Dev., 1972,v.ED-19,N9,p.953.

14. Hofstain S.R., Zaininger K.,Warfield D. Freqency Response of ii

15. Surface Inversion Layer.-Proc.IEEE,1964,v.52, N8,p.971.j4.Nicollian Goetzberger A.Lateral AG Current Flow Modelfor MOS Capacitors.- IEEE Trans. El. Dev.,19^5,v.ED-12,N3, p.108.

16. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем ВДП. Киев, Наукова Думка, 1978, с.313.

17. Венкстерн С.А., Козлов С.Н., Золотарев В.А. Влияние термополевых воздействий на плотность поверхностных состояний и подвижность электронов в инверсионном канале ЩП-тран-зистора. Электронная техника, сер.2 (пп), 1979, вып.1 (127), с.33.

18. Венкстерн С.А., Козлов С.Н. Влияние полевых воздействий вактивных средах на подвижность дырок в инверсионном канале. Микроэлектроника, 1977, т.6, № I, с.354.

19. ReliaDility and Degradation /Semiconductor Devices and Circuits /.- Wiley Inc., N.Y., 1981» p.445.

20. Федорович• Ю.Ф., Думиш Л.К. Возможность активации подвижныхчастиц на внешней границе диэлектрика в системе ДП. -ФШ, 1972, т.6, & 12, с. 2321.

21. Schnable G.L.,Comizoli R.B., Kern W., White L. A Survey of Corrosion Mechanisms in Microelectronic Devices.- RCA Rev., 1979, v.40, p.416.

22. Vasofski R.W. Water vapor Sorption by Package Sealants.-17"th Ann.Proс. Reliab.Phys.Symp.,1979, Las Vegas,Nevada,p.91

23. Wakashima I. A Study of Parasitic MOS Formation Mechanism-thin Plastic Encapsulated MOS Devices.- Proc. 14 Ann. Reliab. Phys. Symp., 1976, Las Vegas, Nevada, p.223.

24. Comizoli R.B., White L.K., Kern W.,Schnable G.L., Peters D.A.,

25. Nis hi K., Inayoski H., Okikava S., Wakashima Y. Moisture -Induced Al Corrosion and Stress on the Chip in Plastic Encapsulated LSlS.- ibid.,p. 113.

26. Paulson W.M., Kirk R.W. The Effect of Phosphorus Doped Passi-thvation Glass on the Corrosion of Aluminium.- Proc. 17 Ann. Reliab. Phys. Symp., 1979, Las Vegas, Nevada, p. 172.

27. A.K^Sinha, Sheng T,T., Sharkoff T.A., Lindenberger W.S., Fuls E.N., Chang C.C.-Certain Failure Mechanisms in two- Level Poly-Si Gate Structures.- A Transmisión Electron Microscope Study.-Proc. 17 Ann. Reliab. Phys. Symp., 1979, Las Vegas, p.35.

28. Comizoli R.B.^Al Corrosion in The Presence of Phosphorus -Silicate Glass and Moisture.-RCA Review, 1976, v.37,p.473.

29. Белова Г.А., Захаров В.Г., Лепилин В.А., Федорович Ю.В. Отказы МШ-траязисторов, вызванные миграцией ионов по поверхности диэлектрика. Электронная техника,сер.2 (пп), 1975, вып.3(95), с.41.

30. Гергель В.А., Старикова Т.И., Тишин Ю.И. Релаксационныепроцессы в ЭДЦП-структурах при больших напряжениях. Микроэлектроника, 1979, т.8, вып.4, стр.351.

31. Козлов С.Н., Щеблыкин Ю.В. Создание отрицательного встроенного заряда в пленках двуокиси кремния на кремний. Электронная техника, 1982, сер.2, вып.7(158), с.26.

32. Теверовокий А.А., Зонов А.И., Сергеев В.П. Продольная миграция зарядов в ЩП-структурах, пассивированных окисными пленками в условиях повышенной влажности. Электронная техника, 1980, сер.2(пп), вып.4(139), с.38.

33. В^пЬаг В.М., Hauser J.R. Ionic Instabilities in Pyrolitically-Deposited S3i02 Films J. Electrochem. Soc., 1970, v.117, N5, p.674.

34. Козлов C.H. Автореферат дис. . д-ра физ.-мат. наук.1. М., МГУ, 1982, 35 с.

35. Венкстерн С.А., Козлов С.Н. Миграция ионов по поверхностиструктур диэлектрик-полупроводник. Микроэлектроника, 1979, т.8, вып.З, с.239.

36. Венкстерн С.А. влияние дрейфа ионов на электрофизическиепроцессы в ЩП-структурах на основе кремния: Дис. . канд.физ.-мат.наук. М., МГУ, 1978, 199 с.

37. Shockley W., Kooper W., Qwisser Н., Schroen V/. Mobile Electric Charges on Insulating Oxides with Application to Oxide Covered Si p-n Junctions.- Surf .Sci. ,1964, v.2,1\T1,p.277.

38. Grossvalet J.,Jund C,Motch C.,Poirier R.Experimental Study of Semiconductor Surface Conductivity.-Surf.Sci.,1966,v.5,p.49. Ho P.,Lehovec K.,Fedotovski L. Charge Motion on Si Oxide

39. Surface.- Surf. Sci., 1967, v.6,p.440.

40. Brown G.A. A Study of Si Surface Junctions'Characteristics

41. Using Sufface Controlled Diodes.- Meet. Electrochem.Soc., 1965, Abstr., p.108.

42. Schroen W. Failure Analysis of Surface Inversion .- Proc. 11"th

43. Ann.Reliab. Phys. Syrap., 1973, Las Vegas, Nevada,p.117.

44. Schlegel E.S., Schna ble G.L., Schwartz P.F., Spratt J.B.

45. Behavior of Surfa ce Ions on Semiconductor Devices.-iEEE Trans. El.Dev., 1968, v.ED-15, N12,p.973.

46. G&orgiev V.K.,Dimov V.I. Properties of Surface Ions on SiOg.-Comptes Rendus de lAcademie Bulgare de Science,1972,t25,N6, 743.

47. Temofonte R.,Szedon A. Effects of Humidity and Organic Coatingon Surface Propagation Potential in Passivated Devices.- + h

48. EE Reliab. Phys.Symp., 9 Ann. Proc.,1971,p.107.

49. Корзо В.Ф., Черняев B.H. Диэлектрические пленки в микроэлектронике. М., Энергия, 1977, с.271.

50. Киселев В.Ф., Козлов G.H., Зарифъянц Ю.А. О медленных электронных и ионных процессах в системе диэлектрик полупроводник. - Сб.: Проблемы физической химии поверхности полупроводников / Под ред. Вканова. - Новосибирск, 1978, с.200.

51. Brown W.L.n-type Surface Conductivity on p- Type GexmgMum.

52. Phys. Hev,, 1953,v.91,E3,p.518.

53. Statz H.,deMars G.A. Electrical Conduction via Slow Surface

54. States on Semiconductors.- Fbys. Hev., 1958, v. Ill, HI,p. 169.

55. Goetzberger A. A Ring- Dot Impedance Measurement A Simple

56. Tecum qas For Measuring Inversion Layer Conductance.-IEEE Trans.El.Dev.,1965, v,ED-12, N3, p.118.

57. Теверовский A.A., Измайлова E. Метод оценки качества защитных покрытий для полупроводниковых приборов. Электронная техника, 1979, сер.2(пп), вып.1(127), с. 34.

58. Гаршенина И.А., Любаева И.И., Никонов А.С. Исследование причин нестабильности токов биполярных и униполярных транзисторов при испытаниях на надежность. Электронная техника, 1978, сер.2 (пп), вып.2(104), с.80.

59. НаЪеЪег J.R. Photoresponse Mapping of Semiconductors.- Physicsof Failure in Electronics,1967, v.5,p.51.

60. Горюнов A.A., Григорян А.Б. Анализ отказов ОДШ-структур наоснове фотоответных изображений. Электронная техника, 1974, сер.8, вып.2 (29).

61. Теверовский A.A., Зонов А.И. Оптический метод исследованияинверсионных слоев в ЩЩ-структурах. Электронная техника, 1980, сер.8, вып.4 (82), о.82.

62. Теверовский A.A., Зонов А.И. Эффект перекрытия периферийного канала инверсионной проводимости в ЩЩ-структурах. -Электронная техника, 1982, сер.2 (пп), вып.6 (157), с.23.

63. Ширмов Ю.М., Омельчук В.В., Шкребтий A.B. Диффузия ионов впленках конденсированных на поверхности структур Sí-5 УФЖ, 1981, т.26, 6, стр.967.

64. Раппопорт Б.М., Самыгин В.А., Синкевич В.Ф., Страдымов А.Ф.,

65. Сопов О.В. Исследование процессов миграции подвижных зарядов вдоль границы раздела между диэлектриками в структуре МОП БИС с двухуровневой металлизацией. Электронная техника, 1982, сер.2 (пп), вып.З (154), стр.48.

66. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М., Наука, 1978, 256 с.

67. Hof st ein S. Projron and Sodium Transport in SiOg Films.- IEEE

68. Trans. El.Dev., 1967, v.ED-14,N11,p.743.

69. Hofstein S. Stabilization of MOS Devices.- Solid-State Electron. 1967,v.40, p.657.

70. Holmberg G., Kuper A., Miraldi P. Water Contamination in

71. Thermal Oxide on Sil icon.- J. Electrochem. Soc., 1970, v.117, N5,p.677.

72. TsonS Monkovski M.D.,Monkovski J.R. Investigation of H2 and Cl2 at the Si-Si02 Interface.- The Physics of MOS Insulators.- N.Y.,Pergajnon Press, 1080,p. 321 .

73. Федорович Ю.Ф. Электронно-ионные процессы в системе полупроводник диэлектрик. - В сб.: Элементарные физикохимиче-ские процессы на поверхности монокристаллических полупроводников / Под ред. Вкаяова. - Новосибирск, 1975,с.187.

74. Коноров П.П., Тарантов Ю.А., Касьяненко Е.В. Электронные иионные процессы в системе кремний диэлектрик - электролит. - В сб.: Проблемы физической химии поверхности полупроводников / Под ред. Ежанова. - Новосибирск, Наука, 1978, с.247.

75. К^рзаев A.B., Козлов G.H., Киселев В.Ф. Об электроцроводности и молекулярной подвижности адсорбированной на поверхности воды. ДАН СССР, 1976, т.228, & 4, с.877.

76. Киселев В.§., Крылов О.В. Электронные явления в адсорбции икатализе на полупроводниках и диэлектриках. М., Наука, 1970, 234 с.

77. Голованова Г.Ф., Каливидзе В.И., Киселев В.Ф. О природе протоносодержащих центров на поверхности окислов кремния и алшиния. В кн.: Связанная вода в дисперсных системах. -ЩУ, 1977, вып.4, с. 178.

78. Bergveld P. Development, Operation and Application of the Ion

79. Sensitive PET as a Tool for Electrophysiology.- IEEE Trans. Biomed.Eng.,1972, v.BME-19,p.342.69."Bergveld. P. Sev-slopuent of Ion Sensitive Solid - State

80. Device for Neurophysiolog£cal Measurements.- IEEE Tr§ns. Biomed. '^S* > ^970, V.BMHM7, N1, p.70

81. Киселев В.Ф. О возможных адсорбционных аналоговых системах,моделирующих процессы в живом организме. ДАН СССР, 1973, т.213, & I, с.224.71ь Zemel J.N. Ion-Sensitive Field Effect Transistor and Related Devices.- Anal.Chem.,1975,v.47,N2,p.255A.

82. Lundström I. New Applications of MOS Structures.- Physica

83. Scripta, 1978, v.18,N6, p.424.

84. Ширшов Ю.М., Омельчук B.B., Тягай В*.А. Импульсная адсорбциямолекул на поверхности полупроводников и газовые датчики на ее основе. В кн.: Проблемы физики поверхности полупроводников. - К., Наукова думка, 1981, с.126.

85. Тягай В.А., Ширшов Ю.М., Омельчук В.В. Импульсная адсорбцияна поверхности полупроводников и газовые датчики на ее основе". В сб.: Проблемы физики поверхности полупроводников / Под ред. Снитко. - Киев, 1981, с.126.

86. Covac М., Chleck D., Goodman P. A New Moisture Sensor forth

87. Situ" Monitoring of Sealed Packages.- Proc. 15 Ann. Reliab. Phys,Symp., 1977,Las Vegas,Nevada, p.85.

88. Lowry R.K., Miller L.A., Jonas A.W., Bird J.M. Characterization of a Surface Conductivity Moisture Monitor for Hermetic 1С Packages, ibid.,p.97.

89. Lundström I.,Shivaraman S., Svenson C., Lundkvist L. A New

90. Hydrogen Sensitive MOS Field Effect Transistor.- Appl. Phys. Lett., 1975, v.26,N2, p.55.

91. Steele M., Hile J.,Maclaver B. Hydrogen Sensitive Pd- Gate

92. Mos Capacitors.-J.Appl.Phys., 1976, v.47, N6, p.2537.79. deRooij N.F., Bergveld P. The Influence of pH on the Surface

93. Stat e Density at the Si—SiOg Interface.— The Propertiesof Si02 and Its Interfa ces, N.Y.,Pergamon Press,1978,p.433 gO Kpramati B. Zemel J.N. Confirmation of Hydrogen Surface Statesat the Si-Si02 Interface.- ibid., p.459.

94. Revesz-A. On the Mechanism-Of-.-the-Ion-Sensitive PET.- Thin

95. Solid Films, 1977, v.41,p. L43.

96. Киселев В.Ф., Козлов C.H., Левшин H.I. Изотопный эффект вкинетике перезарядки медленных поверхностных состояний. -Письма в ЖТФ, 1980, т.6, в.9, с.513.

97. Kiselev V.F., Koslov S. N., Levshin N.L. On the Mechanism ofof Dissipation of Energy Released in Capture of Carriers tm Ad-■sorptive Slow States of a Semiconductor.- Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v.66,p.93.

98. Теверовский A.A., Котин А.А. Межслоевая поляризация в краевом поле ЩП-структур. Электронная техника, 1982, сер.2 (пп), вып.З (154).

99. Brown G.A., Lovelace K.,Hutchins A Process Control Test for-th1.teral Charge Spreading Succeptibility .- Proc. 11 Ann. Reliab. Phys.Symp.,") 973> Las Vegas, Nevada, p. 203.

100. Теверовский А.А., Зонов A.M., Покладок В.А., Сергеев В.П.,

101. Куксо В.В. Токи утечки ВДП-полевых транзисторов в условиях повышенной влажности. Электронная техника, 1979, сер.2 (пп), вып.2 (128). с. 99.

102. Даниельс Ф., Ольберти Р. Физическая химия. М., Мир, 1978,с.352.

103. Fripiat J., Jelli A., Poncele t G., Andre'J. thermodynamic Properties of Adsorbed V/ater.- J.Phys; Ohem. ,1955,v.59. ,N7,p.2185.

104. Anderson J.H., Parks G.A. The Electrical Conductivity of Silica Gel in the Presence of Adsorbed Water.- J. Phys. Chem., 1963, v.72, N10, p.3662.

105. Soffer A., Folman M. Surface Conductivity and Conduction Mechanism on Adsorption of Water vapours on Silica.- Trans. Farad. Soc., 1966, v.62, N12, p.3559.

106. Мордовинцев В.М., Вешняков Б.А. О механизме образования заряда при облучении структур si- Si02 электронами низких энергий. Микроэлектроника, 1979, т.8, вып.З, с.253

107. Koyama Н. J. CathocLoluminescence Staidy of SiC^V- J. ApplV Ploys.' 19SO,v.31.N4,p.2228.