Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Дюделев, Владислав Викторович

• Дюделев, Владислав Викторович
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Дюделев, Владислав Викторович

Содержание.

Введение.

Глава1. Основные характеристики полупроводниковых лазеров.

Часть 1. Пространственные характеристики выходного излучения лазеров с широким полоском.

§1.1.1. Пространственные характеристики выходного излучения лазеров с широким полоском и торцевым выводом излучения.

§ 1.1.2. Лазеры с неустойчивым резонатором.

§1.1.3. Лазеры с полной цилиндрической симметрией резонатора.

Часть 2. Теоретические основы лазеров с распределенной обратной связью (РОС).

§1.2.1. Теоретические основы лазеров с РОС. Теория связанных волн.

§1.2.2. Теоретические основы лазеров с РБЗ.

§ 1.2.3. Учёт отражения на торцах.

Глава 2. Принципы работы и конструкция лазера с искривлёнными штрихами распределённого брегговского зеркала (и-РБЗ).

§2.1. Уравнения связанных волн для и-РБЗ лазера.

§2.2. Описание исследуемых и-РБЗ лазеров. Конструкция. Технология изготовления.

Глава 3. Исследование спектральной селективности и-РБЗ резонатора.

§3.1. Спектральная селективность и-РБЗ резонатора - интегрально-оптический случай

§3.2. Исследование спектральных характеристик и-РБЗ лазеров с плоскими внешними гранями.

Глава 4. Исследование пространственных характеристик излучения и-РБЗ лазеров.

§4.1. Пространственные характеристики и-РБЗ лазера в интегрально-оптическом случае

§4.2. Пространственные характеристики и-РБЗ лазера с внешними плоскими гранями.

4.2.1. Пространственные характеристики и-РБЗ лазера с плоскими внешними гранями в параксиальном приближении.

4.2.2. Оценка влияния более сильного преломления выходного излучения на краях плоского выходного зеркала на размер фокусного пятна.

§4.3. Экспериментальное исследование пространственных характеристик выходного излучения и-РБЗ лазеров.

§ 4.4. Влияние спектрального состава излучения и-РБЗ лазера на размер фокусного пятна.

4.4.1. Влияние ширины спектра генерации на размер фокусного пятна и-РБЗ лазера -интегрально-оптический случай.

4.4.2. Влияние ширины линии генерации на размер фокусного пятна и-РБЗ лазера с плоскими внешними гранями.

§4.5. Исследование пространственного распределения спектрального состава излучения и-РБЗ лазеров в фокальной плоскости.

Глава 5. Влияние фазовых эффектов, возникающих на плоском сколотом зеркале, на спектральной состав и пороговые характеристики и-РОС и/или и-РБЗ лазеров.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения»

Актуальность темы

В настоящее время полупроводниковые лазеры применяются в различных областях науки и техники, таких как запись и хранение данных, передача информации по волоконным линиям связи, фотомедицина [51, 52], накачка кристаллов [55, 56] и твёрдотельных лазеров [53, 54] и т.д. Основными характеристиками полупроводниковых лазеров, определяющими область их применений, являются: монохроматичность, мощность и направленность излучения, эффективность, быстродействие и компактность. Наиболее распространёнными конструкциями полупроводниковых лазеров, в которых существенно улучшены те или другие характеристики являются следующие: лазеры с резонатором Фабри-Перо (так называемые торцевые лазеры) с узким полоском, излучающие на одной пространственной моде, мощные лазеры с широким полоском, излучающие на нескольких поперечных и продольных модах, с мощностью выходного излучения до 10-15 Вт и более [1,2,7], вертикально излучающие лазеры [46], и лазеры с распределённой обратной связью (РОС) и распределённым брегговским зеркалом (РБЗ) [47] и др.

Выходное излучение всех типов полупроводниковых лазеров вследствие малости размеров их выходной апертуры имеет существенную расходимость. В то же время, для большинства современных задач, в которых применяются полупроводниковые лазеры, требуется либо коллимировать выходное излучение, например, для накачки нелинейных кристаллов или твёрдотельных лазеров, либо фокусировать его в очень малое пятно, например, для последующего ввода в оптическое волокно (для накачки эрбиевых усилителей или волоконных лазеров и т.д.). Наиболее просто проблема фокусировки выходного излучения решается в вертикально излучающих лазерах с вертикальным резонатором вследствие симметричности диаграммы направленности и сравнительно низкой расходимости излучения (<10°). Многие конструкции вертикально излучающих лазеров позволяют осуществлять эффективный ввод их выходного излучения (до 95%) в одномодовое оптическое волокно (ООВ) без применения дополнительных оптических элементов. Однако мощность выходного излучения вертикально излучающих лазеров не превышает нескольких десятков милливатт.

Фокусировка выходного излучения торцевых лазеров осложняется несколькими факторами. Во-первых, расходимость излучения в плоскости р-п перехода и в перпендикулярной ему плоскости различается вследствие разницы размеров волновода в этих направлениях. Особенно ярко этот эффект выражен у мощных торцевых лазеров с широким полоском. Эффективный ввод выходного излучения торцевых лазеров в ООВ успешно осуществлён в основном для лазеров с узким полоском, генерирующих излучение на одной поперечной моде. Коэффициент ввода излучения таких лазеров в ООВ достигает на сегодняшний день 95%. К сожалению, мощность таких лазеров ограничена порогом катастрофической деградации зеркал и не превышает 300-500 мВт [3]. Фокусировка излучения мощных лазеров с широким полоском, в дополнение к первому фактору осложняется наличием генерации в каналах (или "шпотованием") [34, 35, 36] и многомодовым составом выходного излучения При фокусировке это ведёт к увеличению размера фокусного пятна, делая эффективный ввод излучения мощных широкополосковых лазеров в ООВ трудноразрешимой задачей. Наилучшие результаты по вводу выходного излучения полупроводниковых лазеров с широким полоском в ООВ достигаются при использовании сложных в изготовлении линз на основе градиентных волокон. Однако и в этом случае эффективность ввода не превышает 30% [61, 62].

В свете выше перечисленных трудностей, весьма привлекательным выглядит применение для решения проблемы фокусировки излучения лазеров с широким полоском различных интегрально-оптических элементов, эффективность которых была продемонстрирована на лазерах с дифракционным выводом излучения [24, 25, 27, 66]. Однако лазеры с дифракционным выводом излучения имеют низкую внешнюю квантовую эффективность вследствие дифракции более 50% излучения в подложку.

Применение в качестве элемента обратной связи брегговской решётки с цилиндрической формой штрихов в торцевом лазере является особенно привлекательным, так как такая конструкция позволяет объединить в себе сразу несколько выгодных качеств: высокую мощность за счёт применения широкого полоска, фокусировку излучения, за счёт цилиндрической симметрии резонатора, и одночастотный режим генерации за счёт применения в качестве элемента обратной связи распределённого брегговского зеркала с искривлёнными штрихами. Однако исследованию лазеров подобной конструкции не уделялось большого внимания ни в отечественной, ни в зарубежной технической литературе.

Таким образом, исследование свойств нового типа полупроводникового лазера с искривлёнными штрихами распределённого брегговского зеркала (и-РБЗ), имеющего узкий спектр генерации и позволяющего фокусировать все моды выходного излучения в общий фокус за счёт цилиндрической симметрии резонатора, является актуальной задачей.

Основная цель диссертационной работы:

1. Практическая реализация нового типа полупроводникового лазера - и-РБЗ лазера с искривлёнными штрихами брегговской решётки обратной связи, обеспечивающей одночастотный режим генерации и фокусировку выходного излучения;

2. Исследование пороговых, спектральных и пространственных характеристик и-РБЗ лазеров.

Научная новизна и практическая ценность работы заключаются в следующем:

1. Проведены теоретические и экспериментальные исследования пространственных свойств и-РБЗ лазеров. Выявлены механизмы, определяющие размер фокусного пятна.

2. Проведено комплексное теоретическое и экспериментальное исследование спектральных свойств и-РБЗ лазеров.

3. Теоретически и экспериментально показано влияние ширины спектральной линии и-РБЗ лазера на размер фокусного пятна.

4. Проанализировано влияние фазы отражения на торцах резонатора на пороговые и спектральные характеристики лазеров с искривлёнными штрихами решётки обратной связи.

5. Разработана и успешно реализована технология создания дифракционных решёток (ДР) с искривлёнными штрихами.

Совокупность представленных в диссертации экспериментальных данных и теоретический анализ позволяет сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту: Положение 1

Использование распределённого брегговского зеркала с искривлёнными штрихами и клиновидного полоска, обеспечивающих цилиндрическую симметрию резонатора, позволяет сфокусировать все моды выходного излучения полупроводникового лазера в общий фокус в плоскости р-п перехода. Положение 2

Использование распределённого брегговского зеркала с искривлёнными штрихами и клиновидного полоска, образующих резонатор полупроводникового лазера с цилиндрической симметрией, при &Ь=1.7 (к - коэффициент связи, Ь - длина брегговского зеркала) позволяет получить одночастотную генерацию с подавлением боковых мод до 30 дБ.

Положение 3

Размер фокусного пятна лазера с распределённым брегговским зеркалом с искривлёнными штрихами и клиновидным полоском, обеспечивающими цилиндрическую симметрию резонатора, определяется тремя факторами: числовой апертурой и-РБЗ лазера, преломлением излучения на плоском выходном зеркале и спектральным совершенством выходного излучения.

Положение 4

Преломление излучения на внешней плоской выходной грани и-РБЗ лазера при значении его числовой апертуры NA< 0,2 не увеличивает размер фокусного пятна по сравнению с интегрально-оптическим случаем, когда внешние границы повторяют кривизну штрихов дифракционной решётки.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались на Четвёртой Всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, С-Петербург, Россия, 3-6 декабря 2002 г.; Международном семинаре по оптоэлектронике, С-Петербург, Россия 27-28 ноября 2003г.; Итоговом семинаре по физике и астрономии по результатам конкурса грантов для молодых учёных С-Петербурга, С-Петербург, Россия, 26 апреля 2004 г.; 6-й Всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, С-Петербург, Россия, 6-10 декабря 2004 г.; на 20-й международной конференции Advanced Solid-State Photonics, Вена, Австрия, 6-9 февраля, 2005 г.; на международной конференции LAT'2005, С-Петербург, Россия, 11-15 мая 2005 г.; 5-ом международном Белорусско-Российском семинаре Semiconductor lasers and systems, Минск, Республика Беларусь, 1-5 июня 2005 г.; Международной конференции

Nanostructures: Physics and Technology, С-Петербург, Россия, 20-25 июня 2005 г.; а также на научных семинарах лаборатории интегральной оптики на гетероструктурах ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН.

Публикации

По результатам исследований, выполненных в диссертационной работе, было опубликовано 10 научных работ, список которых приведён в заключении.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Диссертация включает 47 рисунков и список литературы из семидесяти трех наименований. Общий объём диссертации 127 страниц.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Дюделев, Владислав Викторович

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Проведён теоретический анализ пространственных свойств и-РБЗ лазеров. Теоретически и экспериментально показано наличие фокусировки выходного излучения и-РБЗ лазеров в плоскости р-п перехода. Выявлены механизмы, определяющие размер фокусного пятна.

2. Проведено комплексное теоретическое и экспериментальное исследование спектральных свойств и-РБЗ лазеров. Показано, что и-РБЗ лазеры работают в одночастном режиме с подавлением боковых продольных мод до 30 дБ и более.

3. Теоретически и экспериментально изучено влияние ширины спектральной линии и-РБЗ лазера на размер фокусного пятна. Показано, что "спектральная" фокусировка во многих случаях является ключевым фактором определяющим размера фокусного пятна.

4. Проанализировано влияние фазы отражения на торцах резонатора на пороговые и спектральные свойства и-РОС лазеров. Показано, что фаза отражения на торцах лазера с искривлённой решёткой обратной связи не постоянна, а плавно изменяется по ширине выходного зеркала. Показано, что влияние фазы отражения может приводить к срыву одночастотной генерации и требует учёта при проектировании реальных устройств.

Основное содержание диссертации основано на следующих работах:

1. В.В.Дюделев, В.И.Кучинский, Г.С.Соколовский, "Лазер с искривленными штрихами распределенного брегговского зеркала, обеспечивающий фокусировку выходного излучения", Четвертая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, С-Петербург, Россия, 3-6 декабря 2002.

2. Д.А.Янсон, Э.У.Рафаилов, В.В.Дюделев, Г.С.Соколовский, А.Г.Дерягин, В.И.Кучинский, А.К.Брюс, Дж.Г.Марш, В.Сиббет "Полупроводниковый лазер с искривлёнными штрихами распределённого брегговского зеркала", Международный семинар по оптоэлектронике, С-Петербург, Россия, 27-28 ноября 2003 г.

3. В.В.Дюделев, А.Г.Дерягин, В.И.Кучинский, Г.С.Соколовский, "Полупроводниковый лазер с искривленными штрихами распределенного брегговского зеркала", Итоговый семинар по физике и астрономии по результатам конкурса грантов для молодых ученых С-Петербурга, С-Петербург, Россия, 26 апреля 2004.

4. В.В.Дюделев, В.И.Кучинский, Г.С.Соколовский, "Фокусировка излучения в лазере с искривленными штрихами распределенного брегговского зеркала", Шестая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, С-Петербург, Россия, 6-10 декабря 2004.

5. G.S.Sokolovskii, I.M.Gadjiev, A.G.Deryagin, V.V.Dudelev, S.N.Losev, V.I.Kuchinskii, E.U.Rafailov, W.Sibbett, "Broad area self-focused distributed Bragg reflector laser diodes", 20th Anniversary Meeting Advanced Solid-State Photonics, Vienna, Austria, February 6-9, 2005.

6. G.S.Sokolovskii, I.M.Gadjiev, A.G.Deryagin, V.V.Dudelev, S.N.Losev, V.I.Kuchinskii, E.U.Rafailov, W.Sibbett, Y.G.Boucher, "Beam-focused Broad Area DBR Laser Diodes", Laser Application and Technologies LAT'2005, St.Petersburg, Russia, 11-15 May, 2005.

7. G.S.Sokolovskii, V.V.Dudelev, I.M.Gadjiev, S.N.Losev, A.G.Deryagin, V.I.Kuchinskii, E.U.Rafailov, W.Sibbett, "Beam-focused broad area distributed Bragg reflector laser diodes", 5th Belarussian-Russian Workshop Semiconductor lasers and systems, Minsk, Belarus, 1-5 June 2005.

8. G.S.Sokolovskii, V.V.Dudelev, I.M.Gadjiev, S.N.Losev, A.G.Deryagin, V.I.Kuchinskii E.U.Rafailov, W.Sibbett, "Focused output from 100 um aperture QW laser diode with curved grating", LOED.20p, Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (NANO-2005), St.Petersburg, Russia, 20-25 June 2005.

9. G.S.Sokolovskii, I.M.Gadjiev, A.G.Deryagin, V.V.Dudelev, S.N.Losev, V.I.Kuchinskii, E.U.Rafailov, W.Sibbett, "Beam-focused broad area distributed Bragg reflector laser diodes", Advanced Solid-State Photonics 2005 (ASSP2005), TOPS Vol. 98, I.Sorokina and C.Denman eds.

10. Г.С.Соколовский, В.В.Дюделев, И.М.Гаджиев, С.Н.Лосев, А.Г.Дерягин, В.И.Кучинский, Э.У.Рафаилов, В.Сиббет "Особенности фокусировки выходного излучения в лазере с распределённым брэгговским зеркалом с искривлёнными штрихами", Письма в ЖТФ, 2005, т.31(19), с.28-34. (G.S.Sokolovskii, V.V.Dudelev, I.M.Gadjiev, S.N.Losev, A.G.Deryagin, V.I.Kuchinskii, E.U.Rafailov, W.Sibbett, "Output radiation focusing in curved-grating distributed Bragg reflector laser", Tech. Phys. Lett., 2005, v.31(10), pp. 824-826,.)

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Дюделев, Владислав Викторович, 2006 год

1. D.Z.Garbuzov, N.Y.Antonishkis, S.N.Zhigulin, N.D. 1.'inskaya, A.V.Kochergin, D.A. Livshits, E.U.Rafailov, M.V.Fuksman, "High power buried InGaAsP/GaAs (A=0.8 |im) laser diodes", Appl.Phys.Lett., 1993, 62, pp. 1062-1064,

2. D.Z.Garbuzov, N.Y.Antonishkis, A.D.Bondarev, A.B.Gulakov, S.N.Zhigulin, N.I.Katsavets, A.V.Kochergin, E.U. Rafailov, "High power Я=0.81 ¡im InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers", IEEE J. Quant. Electron., 1991, 27(6), pp. 1531-1536.

3. D.Botez, L.J.Mawst, "Phase-locked laser arrays revisited", IEEE Circuits and Devices Magazine, 1996,12, pp. 25-32,

4. D.A.Francis; C.J.Changhashain; K.Eason, "Effect of facet roughness on etched-facet semiconductor laser diodes", Appl.Phys.Lett., 1996, 68(12), pp. 1598-1600,

5. J.N.Walpole, E.S.Kintzer, S.R.Chinn, C.A.Wang, L.J.Missaggia, "High-power strained-layer InGaAs/AlGaAs tapered traveling-wave amplifier", Appl.Phys.Lett., 1992, 61(7), pp. 740742.

6. Agraval G.P. "Semicoductor lasers" Van Nostrand Reinhold, N-Y., 1993, p. 334

7. G.S.Sokolovskii, E.U.Rafailov, D.J.L.Birkin, W.Sibbett, "High-power laser structures incorporating novel curved-gratings", Journal of Optical and Quant. El., 1999, v.31(3), pp.215-221.

8. G.S.Sokolovskii, E.U.Rafailov, D.J.L.Birkin, W.Sibbett, "Novel high-power laser structures incorporating curved-gratings", IEEE Journal of Quant. El., 2000, v.36(12), pp. 1412-1420.

9. P.P.Gmols, P.I. Kuindersma, V.Es-Spikeman, I.A.F.Baele, "Yield and device characteristics of DFB lasers: statistics and novel coating design in theory and experiment", IEEE Journal of Quantum Electronics, 1989, v. 25(8), pp.1303-1313.

10. W.Streifer, D.R.Scifres, R.D.Burham, "Longitudional modes in distributed feedback lasers with external reflectors", ", Journal of Appl. Phys, 1975, v.46(l), pp.247-249.

11. Y.Glinski, T.Makino, "Yield analysis of second order DSm DFB lasers and implications for design", IEEE Journal of Quant. El., 1987, v.23(6), pp.849-859.

12. T.Matsuoka, Y.Yoshikuni, G.Motosugi, "Dependence of single-longitudional mode probability on DFB laser facet structure", Electronics letters, 1985, v.21(24), pp.1151-1152.

13. G.Motosugi, Y.Yoshikuni, T.flcegami, Single-longitudional mode condition for DFB lasers", Electronics letters, 1985, v.21(8), pp.352-353.

14. H.Kogelnik, C.V.Shank, "Coupled-wave theory of distributed feedback lasers", Journal of Appl. Phys, 1972, v.43(5), pp.2327-2335.

15. F.Koyama, Y. Suenatsu, S.Arai, Tanbun-Ek Tawee, "1.5-1.6 ¡im GalnAsPInP Dinamic-Single-Mode (DSM) Lasers with Distributed Dragg Reflector", IEEE, Journal of Quant. El., 1983, v. 19(6), p. 1042-1051.

16. R.Shubert "Theory of optical-waveguide distributed laser with nonuniform gain and coupling", Journal of Appl. Phys.,1974, v.45(l), pp. 209-215.

17. C.A. Гуревич, С.Ю. Карпов, E.JI. Портной "Фазовые особенности отражения света брэгговским зеркалом, обусловленным скачком диэлектрической проницаемости на его границе", Письма в ЖТФ, 1986, т. 11(16), с. 989-993.

18. С.А. Гуревич, С.Ю. Карпов, E.JL Портной "О спектральной зависимости коэффициента отражения брэгговского зеркала", Письма в ЖТФ, 1984, т. 10(15), с.945-949.

19. S.Wang "Principles of Distributed Feedback and Distributed Brag-Reflrctor Lasers", IEEE, Journal of Quantum Electronics, 1974, v. 10(4), pp.413-427.

20. B.B. Николаев, Г.С. Соколовский, M.A. Калитеевский, "Брэгговские отражатели для цилиндрических волн", Физика и техника полупроводников, 1999, т. 33 (2), с. 174-179.

21. N. Eriksson, A. Larsson, М. Uemukai, Т. Suhara, "Parabolic-Confocal Unstable-Resonator Lasers Modeling and Experiments", IEEE Journal of Quant. EL, 1998, v. 34(5), pp. 858867.

22. N. Eriksson, P. Modth, A. Larsson, "Design Optimization of Hyperbolic Unstable-Resonator Semiconductor Lasers" IEEE Journal of Quant. El., 2001, v. 37(8), pp. 1095-1102.

23. S. Kristjansson, N. Eriksson, M. Li, A. Larsson "Optical Field Analysis of Circular Grating-Coupled Surface-Emitting Lasers with Integrated Focusing Outcoupler", IEEE Journal of Quant. El., 1998, v. 34(5), pp. 834-840.

24. P. Modth, N. Eriksson, M. Q. Teixeiro A. Larsson, T. Suhara "Deep-Etched Distributed Braggg Reflector Lasers with Curved Mirrors Experiments and Modeling" IEEE Journal of Quant. El., 2001, v. 37(6), pp. 752-761.

25. S. Kristjansson, N. Eriksson, P. Modth, A. Larsson, "Grating-Based Surface-Emiting Tapered Unstable Resonator Lasers Simulations and Experiments", IEEE Journal of Quant. El„ 2001, v. 37(11), pp. 1441-1448.

26. A.P. Bogatov, P.G. Eliseev, M.A. Man'ko, G.T. Mikaelyan, У.М. Popov, "Ingection lasers with an unstable resonator", Sov. Journal Quant. El., 1980, v. 10(5), pp. 620-622.

27. S.A. Bielalc, C.G. Fanning, Y. Sun, S.S. Wong, A.E. Siegman, "Reactive-Ion-Etched Diffraction-Limited Unstable Resonator Semiconductor Lasers", IEEE Journal of Quant. EL, 1997, v. 33(2), pp. 219-230.

28. M.L. Tilton, G.C. Dente, A.X. Paxton, J. Cser, R.K. DeFreez, C. Moeller, D. Depatie, "High power, nearly diffraction-limited output from a semiconductor laser with an unstable resonator", IEEE Journal of Quant. EL, 1991, v. 27(9), pp. 2098-2108.

29. S.T. Srinivasan, C.F. Schaus, S.-Z. Sun, E.A.Armour,S.D. Hersee, J.G.McInerney, "High power spatially coherent operation of unstable resonator semiconductor lasers with regrown-lens trains," Applied Phys. Lett., 1992, v. 61(11), pp. 1272-1274.

30. A.Yariv, M. Nakamura, "Periodic structure for integrated optics," IEEE Journal of Quant. EL, 1977, v. 13(4), pp. 233-253.

31. R.J. Lang, D. Mehuys, D.F. Welch, L. Goldberg, "Spontaneous filamentation in broad-area semiconductor lasers," IEEE Journal of Quant. EL, 1994, v. 30(3), pp. 685-694.

32. Marciante J.R., Agraval G.P., "Nonlinear mechanisms of filamentation in broad-area semiconductor lasers," IEEE Journal of Quant. EL, 1996, v. 32(4), pp. 590-596.

33. A.H. Paxton, G.C. Dante "Filament formation in semiconductor laser gain region," IEEE Journal Selected Topics Quant. EL, 1991, v. 70, pp 2921-2925.

34. W.Streifer, , R.D.Burham, D.R.Scifres "Effect of External Reflectors on Longitudal Modes of Distributed Feedback Lasers", ", IEEE Journal of Quant. EL, 1975, v. 11(4), p.154-161.

35. Y.Itaya, T.Matsuoka, K.Kuroiwa, T.Ikegami, "Longitudinal mode behaviors of 1.5 /xm range GalnAsP/InP distributed feedback lasers", IEEE Journal of Quant. EL, 1984 v. 20(3), pp. 230-235.

36. Itaya, Y., Wakita, K., Motosugi, G., Ikegami, Т., "Phase control by coating in 1.56 /xm distributed feedback lasers", IEEE Journal of Quant. EL, 1985 ,v. 21(6), pp. 527- 533.

37. Kitamura, M., Yamaguchi, M., Murata, S., Mito, I., Kobayashi, K., "High-performance single-longitudinal-mode operation of InGaAsP/InP DFB-DC-PBH LD's", IEEE Journal of Light Wave Tech., 1984, v.2(4), pp. 363- 369.

38. Haus, H„ Shank, C., "Antisymmetric taper of distributed feedback lasers", IEEE Journal of Quant El., 1976, v. 12(9), pp. 532- 539.

39. Erdogan Т., King 0., Wicks G.W., Hall D.G., Anderson E.H., Rooks A.J., "Cyrcularly symmetric operation of a concentretic-cyrcle-grating, surface emitting, AlGaAs/GaAs quantum well semiconductor laser", Appl. Phys. Lett., 1992, v. 60(16), pp. 1921-1923.

40. Кейси X., Паниш M., "Лазеры на гетерострутурах", Москва, "Мир",1981, 323 с.

41. O'Brien S., Welch D.F., Parke R., Mehuys D„ Dzurko K„ Lang R„ Waarts R„ "Operating characteristics of a high-power monolithically integrated flared amplifier master oscillator power amplifier", IEEE Journal of Quant. El. 1993, v.29 (6), pp. 2052- 2057

42. Р.Ф.Казаринов, Р.А.Сурис, "Инжекционный гетеролазер с дифракционной решёткой на контакной поверхности", ФТП, 1972, т.6(7), с. 1359-1365.

43. Yariv, A "Coupled-mode theory for guided-wave optics" IEEE Journal of Quant. El., 1973,v. 9(9), pp. 919- 933.

44. Kazarinov, R., Henry, C., "Second-order distributed feedback lasers with mode selection provided by first-order radiation losses", ШЕЕ Journal of Quant. EL, 1985, v. 21(2), pp. 144150.

45. А. Джерард, Дж.М. Бёрч "Введение в матричную оптику", М., "Мир", 1978, 343 стр.

46. Parrish, J., Deutsch, Т., "Laser photomedicine", IEEE Journal of Quant. El., 1984, v. 20(12), pp. 1386 1396

47. Pratesi, R„ "Diode lasers in photomedicine", IEEE Journal of Quant. El., 1984, v. 20(12), pp.1433 1439.

48. Su, Y.J., Tsai, S.W., Chen, Y.F., "Design criteria in high power diode-pumped, mode-locked laser with nonlinear mirror", Lasers and Electro-Optics CLEO/Pacific Rim 15-19 Dec. 2003, v. 2, pp. 764.

49. Chen, Y.S., Tsai, S.W., Wang, S.S., Chen, Y.F., "Diode-pumped Q-switched yellow laser with single-pass sum-frequency mixing: comparison between PPLN and PPKTP", Lasers and Electro-Optics, CLEO/Pacific Rim 2003 Dec. 15-19, v. 2, , p.491.

50. Pavel, N., Taira, Т., "High-power continuous-wave intracavity frequency-doubled Nd:GdVO/sub 4/-LBO laser under diode pumping into the emitting level", IEEE Journal of Selected Topics in Quant. El., 2005, v 11(3), pp.631 637.

51. Shimpe R., "Cylindrical diffraction grating couplers and distributed feedback resonators for guided wave devices", U.S. Patent 4 743 083, May 10,1988.

52. Toda M., "Single-Mode Behavior of a Circular Grating for Potential Disk-Shaped DFB Lasers", IEEE Journal of Quant. El., 1999,v. 26(3), pp. 473 481

53. Wu С., Makino Т., Maciejko R., Najafi S.I., Slivans M., "Simplified coupled-wave equations for cylindrical waves in circular grating planar waveguides", Journal of Lightwave Tech., 1992, v.lO(ll), pp. 1575-1589

54. Wu C., Makino Т., Najafi S.I., Maciejko R„ Slivans M., Glinski j., Fallahi M„ "Treshold gain and treshold current analysys of circular grating DFB and DBR lasers", IEEE Journal of Quant. EL, 1993,v. 29(10), pp. 2596 2606

55. Shah V.S., Curtis 1., Vodhanel R.S., Bour d.P., Yong W.C., "Efficient Power coupling from 980-nm, broad-area laser to a single-mode fiber using a wedge-shaped fiber endface", Journal of Lightwave Tech., 1990, v.8(10),pp. 1313-1318

56. Yoda H., Shiraishi K., "A new Scheme of a lensed fiber employing a wedge shaped graded-index fiber tip for the coupling between high-power laser diodes and single-mode fibers", Journal of Lightwave Tech., 2001, v,19(12), pp. 1910-1917

57. Pepper D.M., Craig R.R., "Laser with grating feedback unstable resonator", U.S. Patent 4 803 696, Feb. 7, 1989.

58. Lang R.J., "Design of aberration-corrected curved-mirror and curved-grating unstable resonator diode laser", IEEE Journal of Quant. EL, 1993,v. 30(1), pp. 31 36.

59. Kristjansson S., Eriksson N., Shread S.J., Larsson A. "Circular grating-coupled surface-emitter with high-quality focused beam", IEEE Photonics Tech. Lett., 1999, v.l 1(5), pp. 497499.

60. Eriksson N., Bengston J., Li M. Modth P., Larsson A., "Surface-emitting unstable-resonator laser with integrated diffractive beam forming elements", IEEE Photonics Tech. Lett., 1997, v.9(12), pp. 1570-1572.

61. O'Brien S., Lang R., Parke R., Majjor J., Welch D.F., Mehuys D., "2.2-W continuous-wave diffraction-limited monolithically integrated master oscillator power amplifier at 854 nm", IEEE Photonics Tech. Lett., 1997, v.9(4), pp. 440-442.

62. Butler J.K., Acley D.E., Botez D., "Coupled-mode analysis of phase-locked injection laser arrays", Applied Phys. Lett, 1984, v.44(3), pp. 293-295.

63. Kapon d., Lindsey C.P., Smith J.S., Margalit S., Yariv A., "Inverted-v chirped phased arrays of gain-guided GaAs/GaAlAs diode lasers", Applied Phys. Lett, 1984, v.45(12), pp. 12571259.

64. Ackley D.E., "Single longitudinal mode operation of high power multiple-stripe injection lasers", Applied Phys. Lett, 1982, v.42(2), pp. 152-154.

65. Botez D., Jansen M., Mawst L.J., Peterson G., Roth T.J., "Watt-range, coherent, uniphase powers from phaselocked arrays of antiguided diode lasers", Applied Phys. Lett, 1991, v.58(19), pp. 2070-2072.

66. Дюделев В.В., "Полупроводниковые лазеры с искривлённой брэгговской решёткой, обеспечивающей фокусировку выходного излучения", Магистерская диссертация, СПбГЭТУ (ЛЭТИ), 2002 г., 62. с.