Поляризационные явления в естественно-неупорядоченных полупроводниках с одиночной электронной парой тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Аванесян, Вачаган Тигранович

• Аванесян, Вачаган Тигранович
• доктор физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Аванесян, Вачаган Тигранович

Список условных обозначений.

Список употребляемых сокращений.

Введение.

Глава 1. ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРНЫХ И ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЬР-СОЕДИНЕНИЙ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

1.1. Современная кристаллохимия монооксидов свинца.

1.2. Структурные и физические характеристики оксида висмута.

1.3. Оксидные соединения в системе РЬО-В12Оз.

1.4. ЬР-состояния в полупроводниках с естественной структурной неупорядоченностью.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Поляризационные явления в естественно-неупорядоченных полупроводниках с одиночной электронной парой»

Применение высокоомных немонокристаллических фотопроводников с различной степенью структурной неупорядоченности продолжает непрерывно расширяться. В разработке новых элементов современной радио- и оптоэлектроники важное место занимают компоненты, функционирование которых обусловлено применением отдельных или некоторой совокупности свойств и характеристик, в значительной мере определяемых кристаллохимическими особенностями вещества.

В диссертационной работе обобщены результаты выполненных автором многолетних оригинальных исследований поляризационных свойств системы широкозонных фотопроводников, особенности физических свойств которых коррелируют с присущей им уникальной структурой валентной связи, характеризуемой наличием дефекта типа электронов LP (lone pair- одиночная пара) или неподеленной электронной пары (НЭП), что представляет дополнительный интерес для фундаментальных исследований в области физики полупроводников и диэлектриков.

Актуальность темы работы связана с тем, что изучение поляризационных процессов в системе фотоэлектрически активных материалов различного состава с естественной структурной неупорядоченностью решетки является прогрессивно развивающимся научным направлением решения задач практического характера. Поляризационные и зарядовые процессы лежат в основе функционирования большинства приборов полупроводниковой опто- и радиоэлектроники, определяя их важнейшие эксплуатационные параметры, устанавливают условия создания потенциального рельефа на поверхности фоточувствительных слоев, а также изменения его при световом возбуждении и варьировании условий окружающей среды.

Благодаря ряду нетривиальных электрических, фотоэлектрических и оптических свойств оксиды свинца и висмута нашли широкое применение в качестве базового материала для изготовления мишеней видиконов, электрофотографических слоев, фотовольтаических ячеек, туннельных диодов, высоковольтных варисторов, пьезоэлектрических датчиков поверхностных акустических волн и различных элементов нелинейной оптики [1,2]. После открытия сверхпроводящих фаз, включающих катионы РЬ и В1, с рекордно высокими критическими температурами соединения системы РЬВ10 начали рассматриваться в качестве модельных объектов, понимание свойств которых обусловливает прогресс в выяснении механизмов электропереноса и в других металлооксидных системах.

В работах, выполненных за прошедшие почти четыре десятилетия исследовательскими группами под руководством В.А.Извозчикова и Г.А.Бордовского, была выдвинута и получила развитие концепция естественно-неупорядоченного полупроводникового кристалла, механизм формирования которого обусловлен позиционной и композиционно-стехиометрической неупорядоченностью кристаллической решетки [3,4]. Было показано, что позиционная неупорядоченность кристаллической решетки обусловливает целый ряд особенностей протекания в этих соединениях не только ионных, но и электронных процессов, присущих как кристаллическим, так и аморфным материалам. Наибольший прогресс был достигнут в понимании природы локальных состояний в неупорядоченной структуре, ответственными за формирование которых являются, главным образом, ненасыщенные связи и структурные дефекты.

Актуальность темы настоящей диссертационной работы особенно возросла в последнее время, так как активные исследования широкозонных фотопроводящих оксидных структур в системе РЬ-В1-0 совпали с одной из тенденций в развитии структурного анализа этой группы материалов, связанной с идеей о стереохимическом влиянии НЭП, принадлежащей катионам РЬ2+ и Вгн. В металлооксидных соединениях ЬР-электроны обусловливают формирование естественно-неупорядоченной кристаллической решетки и определяют механизмы, лежащие в основе структурных переходов в полярную фазу.

Наряду с этим, изучение поляризационных свойств в системе оксидов РЬО-В12Оз является актуальным с точки зрения имеющихся экспериментальных данных электрических, фотоэлектрических и структурных исследований, указывающих на пиро- и сегнетоактивность рассматриваемых соединений, а также вероятность формирования в них фотоэлек-третного состояния.

В полупроводниковых ЬР-соединениях с повышенной степенью структурной неупорядоченности, в частности, в ХСП одиночные электронные пары выступают в качестве факторов, обусловливающих ряд принципиальных свойств, таких как образование хвостов плотности состояний в запрещенной зоне, нелинейные явления, эффекты переключения и фотоструктурные превращения.

Научная актуальность работы заключается в том, что исследуемые в работе полупроводники с различной степенью структурной неупорядоченности, обладая сходными дефектами химической связи в виде присутствия ЬР-состояний и в ряде случаев одинаковыми электрофизическими характеристиками, могут быть причислены к модельным объектам, изучение свойств которых будет способствовать дальнейшему пониманию зарядовой структуры широкозонных фотопроводников, а также расширит научное представление о поляризационных и фотополяризационных процессах в более широком круге материалов.

С учетом приведенного выше представлялось целесообразным проведение исследования поляризационных свойств объектов исследования в неразрывном единстве с анализом их структурных изменений для широкой области варьирования условий эксперимента.

Выбор материалов. Для решения поставленных в диссертационной работе задач в качестве основных модельных объектов исследования были выбраны монооксиды свинца тетрагональной (а-РЬО) и орторомбической (/?-РЮ) модификаций, свинцовый сурик РЬзС>4, а также тройное соединение В^РЬгОц. Ряд дополнительных экспериментов проводился на поликристаллических образцах оксида висмута В]'20з и ХСП систем РЬ-Ое-Б и Аб-Бе, которые, являясь ЪР-соединениями, по целому ряду полупроводниковых свойств приближаются к материалам рассматриваемой оксидной группы. Кроме того, можно было ожидать, что в указанных системах ХСП атомы РЬ и В1, как структурные единицы и модифицирующие примеси с содержанием НЭП, будут играть особую роль в качестве элементов, участвующих в образовании локальных состояний и активно контролирующих процессы поляризации и электропереноса.

Материалы исследуемой группы ЬР-полупроводников с различной степенью структурной неупорядоченности допускают формирование керамик, слоев и пленок большой площади с высокой однородностью свойств, что позволяет реализовывать с их помощью элементную базу целой серии опто- и радиоэлектронных приборов нового поколения, а также перспективные среды - носители оптической информации.

Цель и задачи работы. Основная цель работы заключалась в комплексном исследовании поляризационных процессов в высокоомных фотопроводящих ЬР-соедимениях с естественной структурной неупорядоченностью на примере металлооксидных структур и ХСП при варьировании различных экспериментальных факторов, установлении механизмов поляризации, определении параметров релаксационных процессов, а также в исследовании характера влияния и роли НЭП в диэлектрических и фотодиэлектрических явлениях.

Помимо неоднозначности, противоречивости и, в ряде случаев, полного отсутствия экспериментальных данных по изучению поляризационных явлений в рассматриваемой группе материалов к началу наших исследований имелся целый комплекс нерешенных проблем фундаментального характера, среди которых можно отметить следующие:

- информационный пробел в установлении характера стереохимичес-кого влияния НЭП на структурные и физические свойства естественнонеупорядоченных ЬР-соединений на примере металлооксидной системы РЬ-ВьО и ХСП,

- отсутствие комплексных сведений о поляризационных и фотополяризационных свойствах высокоомных ЬР-фотопроводников в широком интервале изменения параметров, определяющих условия эксперимента,

- существенный дефект в понимании роли НЭП в диэлектрических и фотодиэлектрических явлениях,

- отсутствие сведений о влиянии низко- и высокотемпературных фазовых переходов (ФП) и превращений, протекающих с участием НЭП, на поляризационные свойства ЬР-полупроводников.

В целом, основные задачи исследования сводились к следующему:

1. С применением экспериментальных методов диэлектрической спектроскопии изучить механизмы электрической релаксации и установить специфические закономерности поведения диэлектрических характеристик исследуемых ЬР-соединений с различной структурной неупорядоченностью в темновом и световом режимах измерения при значительной степени варьирования условий эксперимента.

2. Методом токовой спектроскопии изучить кинетику изотермической диэлектрической поляризации и установить роль НЭП в протекании процессов формирования пространственного заряда для поликристаллических металлооксидных и стеклообразных ЬР-полупроводников.

3. Исследовать влияние структурных изменений, протекающих в условиях стереохимического влияния НЭП, на поляризационные свойства в металлооксидной системе РЬ-Вг-О в широком интервале температур.

4. Провести оценку возможностей увеличения прикладного значения и оптимизации эксплуатационных характеристик исследуемой группы ЬР-полупроводников .

Научная новизна. Наиболее существенные новые научные результаты диссертационные работы следующие:

1. Впервые выделена группа ЬР-полупроводников с различным характером структурной неупорядоченности - металлооксидной системы и ХСП, для которой установлены специфические закономерности стереохи-мического влияния дефекта валентной связи - НЭП на процессы зарядо-образования и формирования спектра локальных состояний.

2. В металлооксидной ЬР-системе РЬ-В1-0 впервые проведены систематические исследования диэлектрических свойств на образцах идентифицированного фазового состава и выявлен релаксационный характер низкочастотной дисперсии диэлектрических характеристик в широкой области изменения температуры 7>293 К, включающей высокотемпературные структурные изменения; предложены новые типы релаксаторов, а именно, непосредственно НЭП, квазидиполь, характеризующий систему катион-НЭП и релаксирующая система на основе НЭП - дипольный мотив.

3. В рамках квазидебаевского приближения деполяризационного процесса, динамики зарядообразования в поликристаллической барьерной ЪР-структуре и эстафетного механизма электропереноса в ХСП разработаны новые феноменологические модели процессов диэлектрической релаксации пространственного заряда и определены микропараметры, характеризующие поляризационные процессы.

4. Обнаружен и исследован положительный фото диэлектрический эффект (ФДЭ) в оксидной ЬР-структуре (системы РЬ-О, РЬ-В1~0) и ХСП (система Ое-РЬ-Б), а также рассмотрено возможное участие НЭП в фотостимулированных процессах.

5. Установлены закономерности изотермической релаксации заряда в ХСП (система Аз-Бе), с учетом одновременного влияния температурного фактора и уровня концентрации ЬР-модификатора;

6. Выявлены аномалии диэлектрических и фото диэлектрических свойств оксидов а-РЬО и РЬз04, коррелирующие со структурными особенностями низкотемпературного перехода в несоразмерную модулированную сегнетоэластическую фазу, обусловленного стереохимическим влиянием ' V

ЬР-электронов; в РЬз04 впервые установлен фотосегнетоэластический эффект.

Научная и практическая ценность работы состоит в следующем:

1. Комплексные исследования поляризационных свойств являются важным и необходимым этапом изучения свойств высокоомных ЬР-полу-проводников и разработки элементов опто- и радиоэлектроники на их основе.

2. Полученные на сравнительно простых по химическому составу модельных ЬР-соединениях результаты исследований могут оказаться полезными при изучении других и более сложных НЭП-содержащих полупроводников, и разработке новых методик изучения материалов с естественной структурной неупорядоченностью.

2. Сочетание таких свойств, как долговременная диэлектрическая релаксация и фоточувствительность в видимой области спектра способствует практическому использованию высокоомного ЬР-фотопроводника в качестве базовых структур для производства элементов оптоэлектроники и формирования сред - носителей оптической информации.

3. В рамках проведения научно-исследовательских работ даны конструкторско-технологические рекомендации по использованию разработанных физических моделей и методик анализа процессов диэлектрической поляризации при:

- контроле, оптимизации рабочих параметров и выявлении факторов, определяющих временную стабильность электрофизических характеристик фоточувствительных широкозонных полупроводников, используемых в качестве МДМ и МДП-структур, а также регистрирующих слоев носителей оптической информации на основе систем: металлооксидной (РЬ-О, РЬ-Вь-О) и ХСП (АБ-Бе, Ое-РЬ-8)-транспортный диэлектрический слой для целей электрофотографии и в материалах бессеребряной фотографии,

- решении проблем, связанных со снижением инерционности мишеней практически используемых телевизионных передающих трубок,

- разработке на уровне реализованного изобретения фотоэлектрически чувствительного слоя с высоким значением фотодиэлектрического отклика.

4. Учет стереохимического влияния НЭП на поляризационные и фотополяризационные свойства широкозонных фотопроводников металло-оксидной системы и ХСП открывает новые перспективы для управления свойствами этих материалов.

Диссертационная работа проводилась по «Плану важнейших работ МП РСФСР на 1981-1985 годы» (раздел «Естественные науки. Физика» п.2) и в соответствии со «Сводным планом Научного Совета АН СССР по проблеме физики сегнетоэлектриков и диэлектриков на 1981 - 1985».

Ряд лет исследования выполнялись непосредственно по хозяйственным договорам, прикладные результаты работы переданы для использования и внедрения в НИИ «Гириконд», научно-производственные объединения «Электрон», «Полимер» и др., что нашло отражение в соответствующих актах внедрения. Часть экспериментальной и теоретической работы была выполнена в рамках программы по научному обмену с университетом Северной Айовы (США), а также при проведении научно-исследовательской работы по заказу-наряду Министерства общего и профессионального образования Российской Федерации (№ гос. регистрации - 1.11.99 Д).

Научное направление. Совокупность результатов исследований, приведенных в диссертационной работе, может быть сформулирована как новое перспективное направление: поляризационные процессы в фото-проводящих высокоомных полупроводниках с естественной структурной неупорядоченностью, обусловленной стереохимическим влиянием неподеленной электронной пары.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. В металлооксидной ЬР-системе РЬ-Ш-О протекают интенсивные низкочастотные процессы диэлектрической релаксации, усиливающиеся с приближением к температурной области структурных изменений; в качестве релаксаторов нового типа выступают непосредственно НЭП, полярная система катион-НЭП и дипольные мотивы с включением ЬР-состояний.

2. Обнаруженный в ЬР-фотопроводниках ФДЭ является интегральным эффектом, включающим влияние НЗ на локальных уровнях, электроны в неоднородно освещенном материале и пространственный заряд, формируемый в поликристаллической структуре; интерпретация эффекта предполагает участие НЭП в фотостимулированных поляризационных явлениях.

3. Накопление заряда на границах поликристаллической системы зерно-прослойка обусловлено процессами захвата и высвобождением НЗ с глубоких ловушечных центров, происходит с участием НЭП и приводит к формированию пространственного заряда.

4. Комплексный аналитический подход к анализу диэлектрического отклика релаксирующей системы в рамках многомерного компьютерного графопостроения является эффективным методом математического моделирования поведения поляризационных характеристик при изучении кинетики зарядообразования в высокоомных полупроводниках.

5. Характер переходных поляризационных процессов в структурах ХСП в значительной степени определяется контактом металл-ХСП и типом ЬР-модификатора, ответственного за условия формирования хвостов плотности состояний, протекающего при участии НЭП.

6. Установленный для исследуемых полупроводников универсальный закон диэлектрической релаксации отражает решающее влияние естественной неупорядоченности структуры с содержанием НЭП, на характер протекания поляризационных процессов в условиях квазинепрерывного спектра локальных энергетических уровней.

7. Низкотемпературные изменения структур монооксида РЬО и свинцового сурика РЬзОд при переходе в орторомбическую сегнетоэласти-ческую фазу, обусловленные электростатическим взаимодействием ЬР

РЬ304 в темновом режиме измерений и при световом возбуждении; на предварительной стадии исследования РЫО4 может быть отнесен к группе фоточувствительных сегнетоэластиков.

Реализация результатов работы. Многие из исследований и nil jtvup.w hki y ПР/зл/ттитятгт имр.тпт ппиппитетний vnrsaK-rfri птп гггмргхрнп

11 v J л j 1WX1 ■>. ^ -Уа/ j * Л.Я-Г v«.x xxnt. V4-V л- JJii i w i xi.ui.xj. i bixv -Х- v ^ ax-v/ w X. i'x v включением их в авторитетные реферативные (РЖ Физика, Science Citation Index 1980-1984), энциклопедические (Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering, 1999) издания и монографии (Извозчиков В.А., Тимофеев О.А. Фотопроводящие окислы свинца в электронике. - Л.: Энергия, 1979; Бордовский Г.А., Извозчиков В.А. Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл. - С.-П.: Образование, 1997), подтверждено многочисленными ссылками в публикациях российских и зарубежных периодических научных изданиях и др.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: международных научных и научно-технических конференциях, симпозиумах и совещаниях - по аморфным полупроводникам (Балатон-фиорд, 1976; Бухарест, 1982), по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердых телах (Варна, 1989), «Электрофо-тография-91» (Москва, 1991), «Электрическая релаксация и кинетические явления в твердых телах» (Сочи, 1991), «Электрическая релаксация в высокоомных материалах «Релаксация-94» (Сочи, 1994), «Твердые стекла и электролиты» (Санкт-Петербург, 1999); по электретам - 1SE-8, 9, 10 (Париж, 1994; Шанхай, 1996; Дельфы, 1999), всесоюзных научных конференциях и совещаниях - по сегнетоэлектричеству (Ростов-на-Дону, 1979, 1989) «Бессеребряные и необычные фотографические процессы» (Суздаль, 1984; Черноголовка, 1988); «Достижения и пути развития электрофотографической техники (Грозный, 1986), «Физика и применение контакта металл-полупроводник» (Киев, 1987), «Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах интегральных схем» (Гурзуф, 1983; Одесса, 1988); «Диэлектрические материалы в экстремальных условиях» (Суздаль, 1990); по физике диэлектриков (Караганда, 1978; Баку, 1982; Томск, 1988; Санкт-Петербург, 1997), научно-технических конференциях - по физике полупроводников-сегнетоэлектриков (Ростов-на-Дону, 1976), по электрической релаксации и электретному эффекту (Москва, 1977 и 1978), по качеству продукции (Нальчик, 1977 и 1978), по физике диэлектриков с международным участием « Д иэлектрики-93» (Санкт-Петербург, 1993); X республиканской научно-методической конференции физиков вузов Грузинской ССР (Сухуми, 1978); межвузовских конференциях: «II Сейфуллинские чтения» (Целиноград, 1991); «Герценовские чтения», а также на научных семинарах лаборатории высокоомных полупроводников РГПУ им. А.И.Герцена (1975-1999) и факультета физики университета Северной Айовы (США -1996, 1997, 1999 гг.).

Публикации. По материалам работы опубликовано 95 работ, включающих статьи, авторское свидетельство на изобретение, тезисы докладов на конференциях и зарегистрированные в ВНТИ центре отчеты по научно-исследовательской работе.

Личный вклад соискателя. Содержание диссертации отражает личный вклад автора, который заключается в постановке задач исследования в непосредственном выполнении экспериментальных и теоретических исследований, в самостоятельной разработке теоретических моделей, анализе и интерпретации результатов (в ряде случаев с участием соавторов совместных публикаций).

Структура и объем диссертации. Работа состоит из введения, пяти глав и заключения, включающего основные практические и теоретические результаты диссертационной работы. Общий объем диссертации составляет 333 страницы, из них 249 страниц машинописного текста, 97 рисунков графического материала, 11 таблиц приложения и библиография, содержало

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Аванесян, Вачаган Тигранович

Основные результаты комплексного исследования диэлектрической релаксации в изученной группе материалов в широком диапазоне частот /=10Л.2-104Гц и интервале температур 7М00.1020 К с учетом различных факторов влияния - постоянного смещения, светового возбуждения, модифицирующей примеси и др., представленные в диссертационной работе можно сформулировать следующим образом:

1. Проведен анализ особенностей структуры группы ЬР-соединений, включающей металлоксидную систему и ХСП, а также выявлена роль НЭП в реализации несоразмерной модулированной фазы в области низких и высоких температур, а также в формировании энергетической структуры локальных состояний полупроводниковых систем с естественной структурной разупорядоченностью.

На основании анализа известных литературных данных и сопоставления последних с полученными при исследовании экспериментальными результатами делается вывод о доминирующей роли дефектных валентных состояний типа НЭП в протекании процессов диэлектрической поляризации и электропереноса.

2. Разработана серия установок и измерительных устройств для исследования поляризационных, фотополяризационных и оптических свойств поликристаллических ЬР-полупроводников, изготовленных по керамической и тонкопленочной технологии: а) Вакуумная установка для определения электрических, диэлектрических и фотодиэлектрических свойств поликристаллических образцов на постоянном и переменном токе в широком интервале температур и частот, в темновом и световом режимах измерения; б) Установки и схемы для изучения кинетики диэлектрической релаксации в ИНЧ диапазоне методами ИТР, темнового спада поверхностного потенциала в электрофотографическом режиме, ВФХ и квазистатических ВАХ.

3. В высокоомных фотопроводящих поликристаллических и аморфных ЬР-полупроводниках оксидной и халькогенидной групп установлена низкочастотная и инфранизкочастотная дисперсия диэлектрических параметров, обусловленная недебаевским характером диэлектрической релаксации. Особенности процессов низкочастотной диэлектрической поляризации и токопереноса в исследуемых материалах коррелируют с процессами формирования в запрещенной зоне исследуемых полупроводников квазинепрерывного распределения по энергии локальных центров захвата, обусловленных присутствием ЬР-состояний.

4. Эффект влияния одновременного воздействия слабого переменного и сильного постоянного электрических полей на температурную и частотную дисперсию диэлектрических коэффициентов и наличие положительного температурного коэффициента сопротивления с участием НЭП в структуре висмутата свинца В^РЬгО} 1 могут быть описаны в рамках модели релаксационной поляризации Максвелла-Вагнера для межкристаллических барьеров. Показано, что диэлектрическая поляризация проявляет специфические черты, характерные для поликристаллических керамик и слоев.

5. Впервые обнаружен и исследован положительный ФДЭ в ЬР-фотопроводниках РЬзС>4, В1бРЬ20ц и ХСП системы Ое-РЬ-Б (состав Ое2з.5РЬ2о85б.5) [319], что открывает новые возможности практического использования металлооксидных ЬР-полупроводников и ХСП. Для ряда электронных устройств требуются фотопроводники с большими площадями фоточувствительной поверхности сложного рельефа. В этой связи разработан способ получения фоточувствительного слоя на основе на основе микрокристаллического фоточувствительного порошка РЬзС>4, диспергированного в связующем диэлектрике и обладающего высокими фотодиэлектрическими параметрами [315]. Установлена корреляция между кинетикой фотодиэлектрического отклика и инерционными параметрами слоев оксидов РЬ, используемых в качестве мишеней передающих телевизионных трубок.

6. Методами токов ИТР, ТСП и спада поверхностного потенциала в электрофотографическом режиме измерений изучены ИНЧ релаксационные свойства, которые, в частности, для высокоомной поликристаллической системы на основе оксидов РЬ и В1 могут быть интерпретированы с использованием предложенной феноменологической модели, отражающей динамику зарядообразования в исследуемых поликристаллических структурах, согласно которой релаксация тока определяется наиболее медленным процессом образования области, обедненной основными носителями на границе зерно-прослойка. На основе предложенной модели определены микропараметры исследуемого материала.

7. Анализ результатов исследования влияния модифицирующих примесей, содержащих ионы В1 и РЬ, на характер ИНЧ поляризационных процессов в ХСП подверждает гипотезу о вероятном дополнительном размытии плотности локальных состояний при участии ЬР-электронов и соответствующем изменении характера дисперсионного переноса в условиях влияния сильного электрического поля на дрейфовую подвижность и время жизни НЗ. Указанное может приводить к делокализации локальных центров и сдвиге уровня, разделяющего локализованные и нелокали-зованные состояния и оказывать влияние на потенциальный рельеф, обусловливающий, в частности, рабочие характеристики слоев, формируемых на ХСП [317, 318] и используемых в фототермопластических носителях информации и телевизионной технике.

8. В рамках дебаевского приближения показана перспективность анализа поляризационных и деполяризационных процессов с использованием компьютерного моделирования, включающего трехмерное представление графического материала, использование метода топологических сечений многомерных поверхностей и символьную математику.

9. Исследовано влияние серии низко- и высокотемпературных ФП с участием ЬР-состояний на процессы диэлектрической релаксации, установлена корреляция изменения пироэлектрических, диэлектрических и фотодиэлектрических свойств и структурных изменений в фотопроводящих оксидах свинца с содержанием НЭП. Обнаружено новое явление: влияние неравновесных НЗ на фазовый переход в сегнетоэластическую фазу ЬР-полупроводника, которое укладывается в рамки современных моделей, интерпретирующих фотосегнетоэлектрические явления. Резонансный характер ФДЭ в области Т<293 К при низкотемпературном ФП РЬз04^>РЬ00 наряду с пироэлектрическими свойствами РЬ304 обусловливает целесообразность создания на основе РЬз04 низкотемпературных приемников ИК излучения.

Увеличение эффективной диэлектрической проницаемости тройного ЬР-соединения В^РЬгОц до гигантских значений порядка 105 в области высокотемпературного ФП объясняется образованием двойного слоя объемного заряда на границе с электродом, обусловленного присутствием подвижных ионов - кислородных вакансий, оценка концентрации которых дала величину порядка 4-1023 м"3, а подвижности //<10"5м2/В-с.

10. На примере ЬР-монооксида а-РЬО проанализирован механизм формирования несоразмерной модулированной структуры ЬР-оксида в низкотемпературную сегнетоэластическую фазу, как научной проблемы, остающейся актуальной до последнего времени [316, 320] и его влияние на пироэлектрические и диэлектрические свойства. Переход ЬР-соединения В^РЬгОп в высокотемпературную фазу с вероятно несоразмерной модулированной структурой рассматривается как результат замещения соответствующих позиций РЬ=>Вь

Прикладные результаты проведенных исследований заключаются в следующем:

1. Разработан способ приготовления фотоэлектрически: чувствительного слоя, который защищен авторским свидетельством № 1089051 [315], позволяет повысить фотоемкость ЬР-полупроводника и может применяться в производстве оптического стекла, в лакокрасочном производстве для создания антикоррозийных покрытий в химической и электротехнической промышленности.

2. В ходе выполнения хоздоговорных НИР проводена оценка перспективности использования исследуемых материалов - металлооксидных систем - РЬ-О, ВьРЬ-О и ХСП системы ве-РЬ-Б) в качестве новых типов носителй оптической информации. Установлено, что исследуемые ЬР-соединения обладают электрофотографическими параметрами, приближающимися к соответствующим характеристикам слоев на основе систем Аз-Бе и Аз-Б-Бе, применяемых в настоящее время и характеризуются меньшими значениями потенциала зарядки и пониженной токсичностью.

3. Изучение дисперсионных и спектральных характеристик, а также кинетики ФДЭ является перспективным методом контроля оптимальных технологических режимов изготовления оксидносвинцовых мишеней види-конов при решении проблем, связанных со снижением инерционности и повышением фоточувствительности (отчет о НИР № гос. регистрации 76057983) [1,95].

4. Предложенные в диссертационной работе методы диэлектрического контроля электрофизических характеристик в режиме измерения дисперсионных характеристик, ТСП, ВФХ, ТСПП, и динамических ВАХ тонкопленочных конденсаторов (ТПК) на основе высокоомных структурно-неупорядоченных металлооксидных полупроводников (отчеты о НИР № гос. регистрации 0187002595, 01870025895, 01900017002) позволили выявить:

- механизмы формирования зарядовых состояний в объеме диэлектрического слоя, обусловливающих временную и температурную стабильность ТПК;

- способы повышения выхода годных ТПК с улучшенными диэлектрическими характеристиками .;

- влияние кристаллохимического строения высокоомного полупроводника на диэлектрические свойства.

Указанные методы могут использоваться при решении вопросов оптимизации контроля тестовых структур и технологических процессов формирования ТПК.

5. Метод диэлектрического контроля параметров фототермопластических носителей фотопроводящего слоя и фоточувствительных слоев на основе ХСП (№ гос. регистрации - 01870054407, 8105493, 0187005407) применим для установления:

- корреляции между диэлектрическими характеристиками и факторами, определяющими эксплуатацию термопластического слоя (ТПС) в режиме регистрации оптической информации;

- определении оптимальных рабочих параметров ТПС и оценки факторов, влияющих на качество оптической записи изображения на термопластическом полимерном материале;

- роль ЬР-модификатора (РЬ, В1), как нового фактора управления технологическими параметрами и рабочими характеристиками слоев ХСП, используемых в качестве носителей оптической информации.

Полученные в настоящей диссертационной работе экспериментальные и теоретические результаты исследования компонентов ряда широкозонных фотопроводящих ЬР - полупроводников оксидной группы и ХСП, представляющих собой звенья одной цепи, расположенной на некоторой общей качественной шкале, позволяют представить себе единую картину их поляризационных свойств и способствовать уточнению механизмом поляризации и электропереноса, протекающих с участием дефекта валентной связи, а именно, НЭП как в темновом режиме измерения, так и при световом возбуждении.

Найденные экспериментальные результаты и их модельное описание может иметь значение при практическом использовании ЬР-полупровод-ников металлоксидной группы и ХСП, а также при интерпретации результатов экспериментальных и теоретических исследований в других веществах.

Автор выражает благодарность за постоянный интерес к работе и помощь своему научному консультанту академику РАО, доктору физико-математических наук, профессору Г.А.Бордовскому, а также сотрудникам лаборатории высокоомных полупроводников РГПУ им. А.И.Герцена.

Заключение

Проведенные в диссертационной работе экспериментальные и теоретические исследования электрофизических характеристик фотопроводящих широкозонных ЬР-соединений, включающих металлооксидную группу и ХСП, в переменных электрических полях низкой частоты, позволяют в значительной степени восполнить существенный пробел в изучении их поляризационных и фотополяризационных свойств.

Исследование соединений данного класса встречает принципиальные трудности ввиду сложности получения образцов стабильного и точного состава из-за их склонности к формированию систем, разупорядочение структуры которых в значительной степени обусловлено присутствием НЭП. Несмотря на то, что указанные обстоятельства вносили серьезные затруднения в интерпретацию полученных экспериментальных результатов, удалось впервые, в рамках единого подхода, установить некоторые общие закономерности развития и протекания в исследуемых материалах низкочастотных релаксационных процессов.

Настоящая работа имеет также и другой аспект, связанный с исследованием свойств, ранее совершенно не изучавшихся в рассматриваемом классе соединений. Интерпретация полученных результатов наталкивалась на определенные трудности, обусловленные необходимостью разделения вклада в измеря-емый интегральный эффект, различных по природе процессов.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Аванесян, Вачаган Тигранович, 1999 год

1. Извозчиков В.А., Тимофеев О.А. Фотопроводящие окислы свинца в электронике. Д.: Энергия, 1979. - 144 с.

2. Бордовский Г.А., Извозчиков В.А. Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл. С.-Пб.: Образование, 1997. - 422 с.

3. Извозчиков В.А. Исследование электронных процессов в энантио-тропных фотопроводящих окислах свинца: Автореф. дис. . докт. физ,-мат. наук/ ЛГПИ. Л., 1983. - 43 с.

4. Бордовский Г.А. Электронные процессы в оксидах, висмутатах и халь-когенидах свинца с позиционной разупорядоченностью решетки: Автореф. дис. . докт. физ.-мат. наук/ ЛИИ. Л., 1983. - 38 с.

5. Norduke J.S. Lead Products // J. Amer. Ceram. Soc. 1993. - V. 72, N 6. -P. 103.

6. Worthing M.A., Sutherland H. H. The composition and origin of massicot, litharge (PbO) and a mixed oxide of lead used as traditional medicine in the Arabian Gulf// Mineralog. magaz. 1996. - V. 60, N 6. - P. 509 - 513.

7. Yuji K. Materials for photoelectrical conversion // Kagky Kogyo. 1985. -Y. 36,N7.-P. 507 - 524.

8. Brown H.E. Lead oxide. Properties and applications-N.-Y: ILZRO, 1985. -410 p.

9. Dickens В., Sôderqusts R. The bonding in red PbO // J. Inorg. Nucl. Chem.-1965. V. 27, N 7. - P. 1503 - 1507.

10. Dickens B. The Bonding in the yellow form of lead monoxide // J. Inorg. Nucl. Chem. 1965. - V. 27, N 7. - P. 1495 - 1502.

11. Boher P., Gamier P., Gavarri etn. Monoxyde quadratique PbOa (I): Description de la transition structurale ferroelastique // J. Sol. St. Chem.- 1985. V. 57, N3. - P. 343 -350.

12. Гиллеспи P., Харгитаи И. Модель отталкивания электронных пар валентной оболочки и строение молекул: Пер. с англ. М.: Мир, 1992,- 296 с.

13. Hill R.J. Refinement of the structure of orthorhombic PbO (massicot) by riet-veld analysis of neutron powder diffraction data // Acta Cryst. 1985.

14. V. 41С, Pt. 9. P. 1281 - 1284.

15. Wang Y.G., Ye H.Q., Kuo K.H., Guo J.G. The defects and intergrowth of lead oxides revealed by HRTEM // J. Appl. Cryst. 1992. - V. 25, Pt. 2.1. P. 199 204.

16. Ma Y.-R. Study of the oxygen-sensitive behavior of yellow lead oxide by defect chemistry // J. Appl. Phys. 1994. - V. 76, N 5. - P. 2860 - 2862.

17. Subrt J., Halova J., Skokanek M. Characterization of lead oxides by X-ray photoelectron spectroscopy and thermal analysis methods // J. Mater. Sci. -1995. -V. 30, N2. P. 437-442.

18. Evarestov R.A., Veryazov V.A. The electronic structure of crystalline lead oxides. I. Crystal structure and LUC-CNDO calculations // Phys. Stat. Sol.-1991,- V. 165, N2.-P. 401.

19. Trinquier G., Hoffmann R. Lead monoxide. Electronic structure and bonding// J. Phys. Chem. 1984. - V. 88, N 26. - P. 6696 - 6711.

20. Terpstra H.J., de Groot R.A., Haas C. Electronic structure of the lead monoxide: Band-structure calculations and photoelectron spectra // Phys. Rev.1995. V. 52 B, N 16. - P. 11690 - 11697.

21. Izvozchikov V.A., Bordovskii G.A., Avanesyan V.T. et al. On the problem of ferroelectricity in photoconducting lead oxides // Phys. Stat. Sol. 1978. - V. 49A, N 2. - P. K173-K175.

22. Кофстад P. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов/ Пер. с англ. М.: Мир, 1975. -396 с.

23. Anisimova N.I., Bordovsky V.A., Bordovsky G.A. Thermally stimulated phenomena study in positionally disordered Bi203-Pb0 system // ISE 9: Proc. of 9th International symposium on electrets ISE 9, Shanghai, 25-30 Sept.1996, Shanghai, 1996. P. 591 - 596.

24. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами,- М.: Высш. шк., 1993. 352 с.

25. Dickens В. The bonding in РЬз04 and structural principles in stoichiometric lead oxides // J. Inorg. Nucl. Chem. 1965. - V. 27, N 7. - P. 1509 - 1515.

26. Gavarri J.R., Wegel D. Analyses structurales du minium Pb304 a temperature ambiante et a basse temperature pur diffraction des neutrons // C.R. Acad. Sci. Paris. 1972. - V. 275 C, N 21. - P. 1267 - 1270.

27. Le Bellac, Kiat J.M., Gamier P. Electronic lone pair localization and electrostatic energy calculations: Application to a-PbO, SnO,Pbi.x(TiO)xO, Pb304, Pb3(V,P)208, and a BiSrCaCuO-type superconductor. // J. Sol. St. Chem. -1995.-V. 114, N2.-P. 459

28. Kutty T.R.N., Ezhilvalvan S. The influence of B12O3 non-stoichiometry on the non-linear property of ZnO varistors. // Mater. Chem. and Physics. V. 38, N3.-P. 267-276.

29. Harvig H.A., Gerards A.G. The polymorphism of bismuth sesquioxide // Thermochim. Acta. 1979. - V. 28, N 1. - P. 121 -131.

30. Shuk P., Wiemhofer H.-D., Greenblatt M. Oxide ion conducting solid electrolytes based on Bi203 // Sol. St. Ionics. 1996. - V. 89, N 3/4.1. P. 179.

31. Kanata Т., Nakatani Т., Nakayama H., Nishino T. Erasable analog memory in polycrystalline Bi203 // Thin Films. Mem. Grad. School Sci. and Technol. -1993. V. 11 A, N 3. - P. 1 - 9.

32. Radaev S.F., Simonov V.I., Kargin Yu.F. Structural features of y-phase Bi203 and its place in the sillenite family // Acta Cryst. 1992. - V. 48 B, Pt. 5. - P. 604 - 609.

33. Орлов В.Г., Буш C.A., Иванов C.A., и др. Аномалии физических свойств оксида висмута // ФТТ. 1997. - Т. 39, № 5. - С. 865 - 870.

34. Hardcastle F. D. Wachs I. Е. The molecular structure of bismuth oxide by Raman spectroscopy // J. Sol. St. Chem. 1992.-V. 97, N 2. - P. 319 - 331.

35. Orlov V.G., Bush A.A., Ivanov S.A. et al. Anomalies of physical properties in a-Bi203 a phase transition governed by the electronic mechanism. // J. Low Temp. Phys. - 1996. - V. 105, N 5/6. - P. 1541 - 1546.

36. Е.Н.Наумович, И.И.Хартон, С.А.Скилков и др. Физико-химические свойства ионных проводников (Biix Pbx)iy Yy О1.5 (у=0-0.25, х=0.10 и 0.32) //Неорг. матер. 1995. - Т. 31, № 31. - С. 1465 - 1469.

37. Heqde M.S., Ganquly P. Lack of copper (3+), Lead (4+), and bismuth (5+) ions in metallic and superconducting oxides // Phys. Rev. Condens. Matter. -1988. V. 38 B, N 7. - P. 4557 - 4561.

38. Murray A.D., Catlow C.R.A., Beech F. etc. A neutron diffraction study of the low-and high-temperature structure Bi12PbOi9 // J. Sol. St. Chem. 1986. -V. 62, N3. - P. 290-296.

39. Kharkovskii A.I., Nizhankovskii V.I, Kravchenko E.A. et al. Magnetic properties of the bismuth oxide a-Bi203 // J. Phys. Sei., a. 1996. - V. 51, N3/4. - P. 665-666.

40. Naumovich E.N., Skilkov S.A., Kharton V.V., Vecher A.A. Oxide solid electrolytes in the system Bi203-Pb0-Y203 // Sol. St. Phenom. 1994,1. V. 39/40. P. 243 - 246.

41. Koto K., Suda K., Ishizawa N., et al. Oxide ion motion in bismuth sesquiox-ide (Ô-Bi203) // Sol. St. Ionics. 1994. - V. 72, Pt. 2. - P. 79 - 85.

42. Wheat T.A., Ahmed A., Kuriakose D. (eds.) Progress in solid electrolytes.-Pub.ERP/MSL 83-94 (TR)/. Energy, Mines and Res.- Ottawa, 1983.-P. 347.

43. Jacobs P.W.M., MacDonald D.A. Computational simulation of ¿кВ^Оз. II. Charge migration // Sol. St. Ionics. V. 23, N 4. - 1987. - P. 295 - 305.

44. Steele B.C.H. Oxygen ion conductors and their technological applications // Mat. Sei. Enginer. 1992. - V. 13 B, N 2. - P. 79.

45. Sammes N.M., Gainsford G.J. Phase stability and oxygen ion conduction in Bi203-Pr60n // Sol. St. Ionics. 1993. - V. 62, N 3-4. - P. 179 - 184.

46. Philipp H.R., Levinson L.M. Low-temperature electrical studies on metal-oxide varistors a clue to conduction mechanisms // J. Appl. Phys. - V. 48, N4.-P. 1621 - 1627.

47. Boivin J.C., Tridot G. Les Phases du Systeme Bi203-Pb0: Identification et evolution en fonction de la temperature // С. R. Acad. Sei. Paris. 1974.

48. V. 3 С, N 12. P. 865 - 867.

49. Biefeld R.M., White S.S. Temperature/composition phase diagram of the System Bi203-Pb0 // J. Amer. Ceram. Soc. -1981,- V. 64, N 3. P. 182-184.

50. Парсонидж H., Стейнли JI., Беспорядок в кристаллах/ Пер. с англ.- М.: Мир, 1982. Т. 1. - 434 с.

51. Kilner J.A., Drennan J., Dennis P., et al. A study of anion transport in bismuth based oxide systems by electrical conductivity and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) // Sol. St. Ionics.-1981.-V. 5, N 10. P. 527 - 530.

52. Sillen L.G., Aurullius В. Oxide phases with a defect oxygen lattice // Zts. Kristallogr. 1939. - V. 101, N 6. - P. 483 - 495.

53. Sillen L.G., Aurivillius B. Polymorphy of bismuth trioxide //Nature. 1945. -V. 155,N3932.-P. 305 -306.

54. Радаев С.Ф., Мурадян Л.А., Симонов В.И. и др. Структурные исследования монокристаллов Ge и Ti силленитов // Высокочист, вещества.1990.-№2.-С. 158 164.

55. Demonchy P., Boivin J.-C., Daniel Т. Mesures de conductivite dans le systeme В120з PbO par la methode des impedance complexes // C. R. Acad. Sci. Paris.- 1980. - V. 290 C, N 14. - P. 279 - 282.

56. Honnart F., Boivin J.C., Thomas D., Vries K.J. Bismuth-lead oxide, a new higly conductive oxigen material // Sol. St. Ionics. 1983. - V. 9/10, Pt. 2. -P. 921 - 924.

57. Sammes N.M., Fee M.G. Phillips R.J., Ratnaraj R. Improved mechanical properties Bi of bismuth lead oxide // J. of mater. Sci. Letters. -1994. V. 13, N19.-P. 1395- 1396.

58. Sammes N.M., Phillips R.J., M.G.Fee. Phase stability and ionic conductivity in bismuth lead (antimony) oxide // Sol. St. Ionics. 1994. - V. 69, N 2.1. P. 121 126.

59. Sammes N.M., Tompsett G., Cartner A.M. Characterization of bismuth lead oxide by vibrational spectroscopy// J. Mater. Sci. 1995. - V. 30, N 17.1. P. 4299 4308.

60. Betsch J.R., White W.B. Vibrational spectra of bismuth oxide and the sil-lenite-structure bismuth oxide derivates // Spectrochim. Acta. 1978.1. V. 34 A, N5.-P. 505 -514.

61. Афанасьев Ю.Б., Куликов B.B., Мокрушина E.B. Фотопроводящие свойства силленитов, выращенных в бескислородной атмосфере. // Письма в ЖТФ. 1997. - Т. 23, N 17. - С. 28 - 33.

62. Роуз А. Основы теории фотопроводимости/ Пер. с англ. М.: Мир, 1966. - 132 с.

63. Горохватский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков.-М.: Наука,1991.-245 с.

64. Бордовский Г.А., Анисимова Н.И., Аванесян В.Т. Получение и исследование электрофизических соединений системы РЬО-В12Оз // Неорг. материалы. 1981. - Т. 17, № 2. - С. 291- 295.

65. Анисимова Н.И. Получение и исследование электрофизических свойств некоторых соединений системы Pb0-Bi203: Автореф. дис. . канд. физ,-мат. наук/ ЛГПИ. Л., 1982,16 с.

66. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М.: Наука, 1976,408 с.

67. Milan, Р, Castro, A., Torrance J.B. The fist doping of lead (2+) into the bisVmuth oxide layers of the Aurivillms oxides // Mater. Res. Aull. 1993. -V. 28,N2.-P. 117-122.

68. Mercurio J.P., Souirti A. Manier M., et al. Phase transitions and dielectric properties in some compounds with bismuth oxide layer structure // Mat. Res. Bull. 1992. - V. 27, N 1. - P. 123 - 128.

69. Немов C.A., Гаврикова T.A., Зыков B.A. Особенности электрической компенсации примеси висмута в PbSe // ФТП. 1998. - Т. 32, N7.1. С. 775 777.

70. Зайцев-Зотов C.B., Мартынюк А.Н., Протасов Е.А. Сверхпроводимость пленок BaPbixBix03, полученных методом лазерного напыления // ФТТ, 1983. Т. 25, № 1. - С. 184 - 189.

71. Andersson S., Astrom A., Galy J. et al. Simple calculations of bond lengths and bond angles in certain oxides, fluorides or oxide fluorides of Sb3+, Te4+ and Pb2+ // J. Sol. St. Chem. 1973. - V. 6, N 2. - P. 187 - 190.

72. Darriet В., Bovin J-O., Galy J. J. Un nouveau compose de l'antimoine III: V0Sb204. Influence stereochimique de la paire non liee E, relations structurales, mécanismes de la reaction chimique // J. Sol. St. Chem. 1976. - V. 19,N3.-P. 205-212.

73. Gavarri J.R., Weigel D., Hewat A.W. Oxydes de plomb. IV. Evolution structurale de l'oxyde Pb304 entre 240 et 5°K et mecanisme de la transition // J. Sol. St. Chem. 1978. - V. 23, N 3/4. - P. 327 - 339.

74. Boher P. New low temperature phase for lead monooxide PbOa // C.R. Acad. Sci. Ser. 2. - 1984. - V. 298, N 6. - P. 203 - 206.

75. Toledano J.C., Schneck J., Pierrel, Incommensurate modulations in bismuth-based high- Tc superconductors: Geometry and thermodynamics: Common problems of quasi Crystals, and incommensurate systems. - N -Y: Plenum Press, 1990. - P. 335 - 345.

76. Verbaere À., Marchand R., Tournoux M. Localisation du doublet solitaire dans les composes oxygénés cristallises du thallium I // J. Sol. St. Chem.-1978. V. 23, N 3/4. - P. 383 - 390.

77. Вайнштейн Б.К., Фридкин B.M., Инденбом B.JI. Современная кристаллография. Структура кристаллов. М.: Наука, 1979. - Т. 2. - 359 с.

78. Shimony-Livny, L., Clusker J.P., Bock C.W. Lone pair functionality in divalent lead compounds // Inorg. Chem. 1998. - V. 37, N 8. - P. 1853.

79. J.Robertson, W.L.Warren, B.A.Tuttle. Shallow Pb3+ hole traps in lead zirco-nate titanate ferroelectrics // Appl. Phys. Lett. 1993. - V. 63, N 11.1. P. 1519-1521.

80. Prisedsky V.V., Shishkovsky V.T., Klimov V.V. High-temperature electrical conductivity and point defects in lead zirconate-titanate // Ferroelectrics. -1978. V. 17, N 3/4. - P. 465 - 468.

81. Tiedje T., Rose A. A physical interpretation of dispersive transport in disordered semiconductors // Sol. St. Com. 1980. -V. 37, N 1. - P. 55 - 7.

82. Robertson J. Electronic structure of lead glasses and resonant covalence in glasses // J. Non-Cryst. Solids. 1980. - V. 42, N 1/3. - P. 381 - 392.

83. Mattheiss L.F. Electronic structure of the Ban+iPbn03n+i homologous series. // Phys. Rev. 1990. - V. 42 B, N 1. - P. 359 - 365.

84. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах/Пер. с англ. М.: Мир, 1982. - 662 с.

85. Соболев В.В., Широков A.M. Электронная структура халькогенидов. -Наука: М„ 1988.-224 с.

86. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников/ Пер. с англ. М.: Мир, 1991. - 670 с.

87. Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Сморгонская Э.А. и др. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. С-П: Наука, 1996. - 486 с.

88. Cohen М.Н., Fritzsche Н., Ovshinsky S.R. Simple band model for amorphous semicoducting alloys // Phys. Rev. Lett. 1969. - V. 22, N 20.1. P.1065 1068.

89. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных проводников.-М.-Л.: Изд. АН СССР, 1966. 250 с.

90. Schneck J., Pierre L., Toledano J.C. et al. Space symmetry of the basic structure and incommensurate modulations in (Pb, Bi)2Sr2CaCu20x Superconductor single crystals //Phys. Rev. 1989. - V. 39 B, N 13.1. P. 9624-9627.

91. Le Bellac D. Kiat J.-M., Hedoux A., Gamier P., Grebille D., Guinet Y., Noiret I. Diffraction and Raman scattering studies of the incommensurate phase of PbO and of the isomorphic SnO structure // Ferroelectrics. 1992. -V. 125, N1/4. - P. 215-220.

92. Husson E., Vigouroux J.P., Calvarin G. Comparative vibrational study of the oxidation mechanism of the quadratic-orthorombic РЬз04 // Proc. of the 8-International conference on Raman spectroscopy. Bordeaux, 1982. - P. 451 -452.

93. Мурин A.H. Химия несовершенных ионных кристаллов. Л.: ЛГУ, 1975.-270 с.

94. Анисимова Н.И., Бордовский В.А., Бордовский Г.А., Жаркой А.Б. Оптические и электрофизические свойства ряда висмутатов свинца // Взаимодействие электронов и фотонов с твердым телом: Сб. ст. Л.: ЛГПИ, 1984,- С. 70 - 88, 16 с.

95. Izvozchikov V.A., Avanesyan V.T., Bordovskii G.A. Temperature dependent anomalies of dielectric properties of naturally disordered photoconductive lead oxydes // Ferroelectrics. 1978. - V. 18, N 1/3. - P. 105 - 108.

96. Аванесян В.Т. Диэлектрические свойства фотопроводягцих окислов свинца: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук/ ЛГПИ. Л., 1979, 16 с.

97. Pike G.E., Seager C.H. The dc voltage dependence of semiconductor grain-boundary resistance // J. Appl. Phys. 1979. - V. 50, N 5. - P. 3414 - 3422.

98. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников,- М.: Наука, 1979. 416 с.

99. Хейванг В. (Ред.) Аморфные и поликристаллические полупроводники/ Пер. с англ.- М.: Мир, 1987. 160 с.

100. Бордовский Г.А., Анисимова Н.И. Высокотемпературный фазовый переход в Pb2Bi6On // Неорг. материалы. 1982. - V. 18, N 7. - С. 1206 -1208.

101. Косман М.С., Извозчиков В.А. О связи внутреннего эффекта в РЬО с приэлектродными явлениями // Ученые записки ЛГПИ им. А.И.Герцена.: Сб. ст. Л.: ЛГПИ, 1961. - Т. 207. - С. 81 - 91.

102. Broek J. Optical lattice vibration and dielectric constant of tetragonal lead monooxide // Philip. Res. Repts. -1969. N 2. - P. 119 -130.

103. Adams D.M., Steven D.C. Single-crystal vibrational spectra of tetragonal and orthorhombic lead monoxide // J. Chem. Soc. Dalton Trans. 1977. -N11.-P. 1096 - 1103.

104. Lyddane R.H., Sachs R.G., Teller E. On the polar vibrations of alkali plates // Phys .Rev. Ser. 2. -1941. - V. 59, N 8. - P. 673 - 676.

105. Unoki H., Oka K., Nakamura A. Measurements of dielectric constants in lead monoxide single crystals // J.Ciyst.Growth. 1981. - V. 49. - P. 2329 -2335.

106. Богородицкий Н.П., Волокобинский Ю.М., Воробьев А.А. и др. Теория диэлектриков,- М.-Л.: Энергия, 1965. 344 с.

107. Браун В. Диэлектрики/Пер. с англ. М.-Л.: ИЛ, 1965. - 326 с.

108. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков,- М.: Наука, 1968. 463 с.

109. Полинг Л., Полинг П. М. Химия/ Пер. с англ. М.: Мир, 1978. - 683 с.

110. Matar S.F., Catlow C.R.A., Reau J.M. A quasi harmonic potential for Pb ion inPbF2? // Sol. St. Ionics. 1983.-N 9/10. -Pt. 1,P. 511 - 520.

111. Axe J.D., Gaglianello J.W., Scardefield J.E. Infrared dielectric properties of cadmium fluoride and lead fluoride // Phys. Rev. 1965. - V. 139 A, N 4. -P. 1211 -1215.

112. Ломасов B.H. Исследование фотоэлектрических процессов в окисно-свинцовых мишенях видиконов: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук/ ЛГПИ. Л., 1975. - 18 с.

113. Извозчиков В.А. Электронные процессы в ионно-ковалентных соединениях с естественной кристаллохимической разупорядоченностью (на примере окислов свинца) //Известия вузов. Физика. 1976. - N 2. -Р. 146 - 158.

114. Окадзаки К. Технология керамических материалов/ Пер. с японск. -М.: Энергия, 1976,- 336 с.

115. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы/ Пер. с англ. М.: Сов. радио., 1979. - 232 с.

116. Шамба Э.М. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств окислов состава РЬхОу: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук/ ЛГПИ. -Л., 1977,- 19 с.

117. Паландузян Ю.Х. Получение и электрофизические свойства фотопро-водящих слоев свинцового сурика: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук/ ЛГПИ. Л., 1984. - 16 с.

118. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках/ Пер. с англ. М.: Мир, 1977. - 562 с.

119. Берман Л.С., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках, Л.: Наука, 1981. - 176 с.

120. Avanesyan V.T., Bordovskii VA., Palanduzyan U.H. The capacitance properties of heterogeneous junction in lead oxide systems // Electrets: Collections of materials. S.-Petersb.: RSPU, 1998. - P. 31 - 36.

121. Швейкин Г.П., Губанов B.A., Фотиев и др. Электронная структура и физико-химические свойства высокотемпературных сверхпроводни-ков.-М.: Наука, 1990. 239 с.

122. Аванесян В.Т., Анисимова Н.И., Бордовский В.А. и др. О влиянии пи-рополяризации на квазиэлектретное состояние в керамиках BÍ2O3 //

123. Электрическая релаксация и электретный эффект в твердых диэлектриках: Сб. ст. Л.: ЛГПИ, 1980. - С. 30 - 36.

124. Levin Е. Polymorphism of bismuth sequioxide. I. Pure В120з // J. Of Research of the National Bureau of Standards Phys. and Chem. - 1964. - V. 68 A, N2. - P. 189.

125. Прокопало О.И., Раевский И.П. Электрофизические свойства оксидов семейства перовскита.-Ростов на - Дону: Изд-во Ростов. Ун-та, 1985.-Р. 104 с.

126. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы/ Пер. с англ. М.: Мир, 1981. - 736 с.

127. Narang S.N., Patel N.D., Kartha V.B. Infrared and Raman spectral studies and normal modes of a-Bi203 // J. Mol. Struct. 1994. - V. 327, N 2/3.1. P. 221 -235.

128. Bordovskii G.A., Izvozchikov V.A., Avanesyan V.T. et al. Pyroelectric and thermally stimulated currents in system PbO-GeO // Ferroelectrics. 1978. -V. 18, N 1/3. - P. 109-111.

129. Rapos M., Calderwood J.H. Dielectric properties of M0O3 under the simultaneous action of ac and dc voltages // J. Phys. 1974. - V. 7D, N13.-P. 1838- 1842.

130. Jonova A. Interfacial polarization in NaCl examined in superimposed a.c. and d.c. voltage // Acta Phys. Slov. 1979. - V. 29, N 4. - P. 264 - 275.

131. Jonova A., Calderwood J.H. Superposition of a.c. and d.c. voltages on dipole polarization in NaCl // Acta Phys. Slov. 1979. - V. 29, N 4.1. P. 276 280.

132. Балыгин И.Е. Электрические свойства твердых диэлектриков.-Л.: Энергия, 1974. 190 с.

133. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков.-М.: Высш. школа, 1977.-488 с.

134. Харитонов Е.И. Диэлектрические материалы с неоднородной структурой.-М.: Радио и связь, 1983. 128 с.

135. Аванесян В.Т., Степанов В.В. Влияние постоянного электрического смещения на составляющие адмиттанса поликристаллической структуры Pb2Bi6On // Широкозонные полупроводники и диэлектрики: Сб. ст. Л.: ЛГПИ, 1985. - С. 93 - 98.

136. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл: Титанат бария. М.: Наука, 1974,296 с.

137. Косман М.С., Извозчиков В.А., Об окрашивании окиси свинца в электрическом поле при освещении // Ученые записки ЛГПИ: Сб. ст. Л.: ЛГПИ, 1961. - С. 93 - 103.

138. Harvig Н.А., Gerards A.G. Electrical properties of the а, Д and 8 phases of bismuth sesquioxide // J. Sol. St. Chem.-V. 26, N 3. 1978,- P. 263 - 274.

139. Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука, 1981. - 176 с.

140. Аванесян В.Т., Бордовский Г.А., Степанов В.В. Низкочастотные релаксационные процессы в поликристаллических структурах 2РЬО-3Bi203//Вопросы радиоэлектроники. Сер. ТПО. 1982. - Вып. 3.1. С. 51-56.

141. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.-Новосибирск: Наука, 1979. 336 с.

142. Grossweiner L.I. A note on the analysis of first-order glow curves // J. Appl. Phys. 1953. - V. 24, N 10. - P. 1306 - 1307.

143. Авдеенко Б.К., Тонкошкур Ф.С., Черненко И.М. О природе диэлектрических потерь в нелинейной оксидно-цинковой керамике на радиочастотах // Диэлектрики и полупроводники: Сб. тр. Киев: Вища школа., 1981. - Вып. 20. - С. 3-6.

144. Gudden В., Pohl P. Lichtelectrishe beobachtungen an isolierenden metallsulfiden // Zts. Phys. 1920. - Bd. 1, N 1. - S. 361 - 372.

145. Бьюб P. Фотопроводимость твердых тел/ Пер. с англ. М.: ИЛ., 1962. -558 с.

146. Ковальский П.Н., Шнейдер А.Д. Фотоэлектретный эффект в полупроводниках. Львов: Львовск. гос. унив., 1977.-150с.

147. ФридкинВ.М. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука, 1979. - 264 с.

148. Борщевский А.С., Кунаев A.M., Кусаинов С.Г. и др. Изучение зонной структуры сложных полупроводников с помощью фотодиэлектрического эффекта (ФДЭ) // Извест. Вуз. Физика. 1975. - N4 (155). -С. 140 - 142.

149. Gordon F., Newman J.P., Handen J. H Jacobs, Cadmium sulfide photo-capacitor// Inst, of Radio Engineers Nation. Convent. Record.-1963. Pt. 3. -P. 40-48.

150. Sihvonen Y.T., Boyd D.R. Analysis and performance of a light-sensitive capacitor // Proc. of the IEEE. 1965. - V. 53. - P. 378 - 385.

151. Garlick G.F.J., Gibson A.F. Electron traps and dielectric changes in phos-phirescent solids //Proc. R. Soc. 1947. - V. 188 A, N 1015. - P. 485 -509.

152. Roux J. L'effect photodielectrique dans sulphure et dans l'oxyde de zinc. Dissertation. Paris, 1956.

153. Kallman H.P., Kramer В., Mark P. Impedance Measurements on CdS // Cryst. Phys. Rev. 1953. - V. 99, N 4. - 1328 - 1370.

154. Kronenberg S., Accardo C.A. Dielectric changes in inorganic phosphors // Phys. Rev. 1956. - V. 101, N 3. - P. 989 - 992.

155. Вергунас Ф.И., Малкин Г.М. Основные признаки фотодиэлектрического эффекта, обусловленного проводимостью в зернистом образце // ДАН СССР. -1961. Т. 137, N 3. - С. 560 - 563.

156. Broser I., Reuber С., Photokapazitive messungen an zinksulfid // J. Phys. Chem.Sol. 1966. - V. 27, N 3. - P. 527 - 534.

157. Krispin P., Ludwig W., Photodielectric investigation on ZnS phosphors // Phys. Stat. Sol. 1964. - V.5, N 3. - P.573 - 582.

158. Оксман Я.А. Фотодиэлектрический эффект в полупроводниках: Авто-реф. дис. . доктора физ,- мат. наук/ ФТИ. Л., 1971.- 42 с.

159. Kneppo, J.Cervenak, Photodielectric effect in thin-film metall-CdTe-metal structures // Sol. St. Electronics. 1972. - V. 15, N 5. - P. 587 - 593.

160. Pillai P.K.C., Nath R. Photodielectric effect in photoconductors // Phys. Stat. Sol. 1976. - V. 37 A, N 2. - P. 491 - 498.

161. Mark P., Kallmann H.P., AC impedance measurements of photoconductors containing blocking layers analysed by the Maxwell-Wagner theory // J. Phys. Chem. Sol. 1962. - V. 23, N 8. - P. 1067 - 1078.

162. Dropkin J.J., Ewald P., Rep.N NB-ONR-26373, New-York, Polytechnic Institute, 1953.

163. Pilai P.K.C., Mendiratta R.G., Pilai C.K. et al. Photo-induced ac impedance measurements in single crystals photoconductors // Phys.Stat.Sol. 1978. -V. 46 A,N2.-P. K127-K130.

164. Pope M., Swenberg C.E. Electronic processes in organic crystals. Oxford: Claredon Press, 1982. - 821 c.

165. Кирьяшкина З.И., Роках А.Г., Кац Н.Б. Фотопроводящие пленки (типа CdS). Саратов: Саратов, унив., 1979. - 192 с.

166. Ивкин Е.Б., Коломиец Б.Т. Проводимость стеклообразного сульфида мышьяка на низких частотах // Proc. Jagunsber. conf.: Amorphous Semiconductors '74. Reinhardsbrunn, 1974. - Jeil2 » ZIE. S.l.s.a.1. P. 370 -373.

167. Avanesyan V.T., Bordovskii G.A., Potachov S.A. Electrical properties of РЬз04 photoelectret layers // ISE 9: Proc. of 9th International symposium on electrets ISE 9, Shanghai, 25-30 Sept. 1996, Shanghai, 1996. P. 390 - 393.

168. Бонч-Бруевич B.JI., Звягин И.П., Кайпер P. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников., М.: Наука, 1981.-384 с.

169. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках/ Пер. с англ. -М.: Мир, 1973.-456 с.

170. Kumar S., Sharon М., Jawalekar S.R. Preparation о f a thin film of РЬз04 by thermal treatment of Pb02 film // Thin Sol. Films. 1991. - V. 195, N 1/2. -P. 273 - 278.

171. Бордовский Г.А., Шамба Э.М. Температурная зависимость кинетики фототока в РЬ304 // XXX Герценовские чтения: Сб. ст. Л.: ЛГПИ,1977. С. 43-46.

172. Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев: Наукова думка, 1981. - 264 с.

173. Badakhshan A., Thompson P., Cheung P. et al. Study of deposition dependent characteristics of gold on n-GaAs by photoreflectance spectroscopy // J. Appl. Phys. 1997. - V. 81, N 2. - P. 910 - 916.

174. Бордовский В.А. Исследование фотоэлектретного состояния и пироэлектрических токов в окислах свинца: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук/ ЛГПИ. Л., 1974, 16 с.

175. Аванесян В.Т., Бордовский В.А. Диэлектрические свойства сурика РЬз04 в области низкотемпературного фазового перехода // Электрическая релаксация и электретный эффект в твердых диэлектриках: Сб. ст. Л.: ЛГПИ, 1980. - С. 30 - 36.

176. Аванесян В.Т. Анализ дисперсионных характеристик фоточувствительных окисно-свинцовых сэндвич-структур // Фотопроводники: Сб. тр. Л.: ЛГПИ, 1983. - С. 67 - 73.

177. Goodman A.M. An Approximate model of the beam blocking contact in PbO vidicon // RCA Rev. - 1975. - V. 36, N 3. - P. 406 - 424.

178. Kolobov A., Oyangi H., Roy A. et al. Role of lone-pair electrons in reversible photostructural changes in amorphous chalcogenides // J. Non-Crystal. Sol. 1998. - V. 277/230, Pt. B. - P. 710 - 714.

179. Jonscher A.K. Universal relaxation law.- London: Chelsea Dielectrics Press, 1996.-415 c.

180. Pillai P.K.C., Pabinder N., Nair P.K., Determination of recombination and trapping kinetics in ZnO photo-electrets // Indian J. Pure and Appl. Phys.1978.-V. 16.,N7.-P. 698 -701.

181. Baird M.E. Determination of dielectric behavour at low frequencies from measurements of anomalous charging and dicharging currents // Rev. Mod. Phys. 1968. - V. 40, N 1. - P. 219 - 227.

182. Williams G. Molecular relaxation processes.-N.-Y.: Academic Press Inc., 1966.-P. 21.

183. Lindmayer J. Slow discharge in insulators // IEEE Trans. On Component Parts. 1964. - V. 11, N. 3. - P. 212 - 213.

184. Ngai K.L., Jonsher A.K., White C.T. On the origin of the universal dielectric response in condesed matter // Nature. 1979. - V. 2777, N 5693. - P. 185 -189.

185. Guo,T.C., and Guo,W.W. A transient-state theory of dielectric relaxation and the Curie-von Schweidler law // J.Phys. C. 1983. - V. 16, N 10.1. P. 1955 1960.

186. Hamon B.V. An approximate method for deducing dielectric loss factor from direct current measurements // Proc. ГЕЕ (London). 1952. - V. 99, Pt. IV.-P. 151-155.

187. Фрёлих Г. Теория диэлектриков: диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери/ Пер. с англ. М.: ИЛ, 1960. - 251 с.

188. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. Л.: Наука, 1975. -592 с.

189. Мансимов С.А., Коварский А.Л., Керимов М.К. Кинетические кривые деполяризации в полимерных дипольных электретах // Высокомолек. соедин. Кратк. сообщения. 1990. - Вып.32, №5. - Р. 388 - 391.

190. Simmons J.G., Tam М.С. Theory of isothermal currents and the direct determination of trap parameters in semicoductors and insulators containing arbitrary trap distributions // Phys. Rev. 1973. - V. 7 B, N 8. - P. 3706 -3710.

191. Pilla A.A. A transient impedance technique for the study of electrode kinetics // J. Electrochem.Soc.-1970. V. 117, N 4. - P. 467 - 477.

192. Chu F., Sun H.-T., Zhang L.-Y. Temperature dependence of ultra-low-frequency dielectric relaxation of barium titanate ceramic // J. Am. Ceram. Soc. 1992. - V. 75, N 11. - P. 2439 - 2944.

193. Zhang L.Y., Liu S.W., Yao X. Ultralow relaxation in SLBT ceramics // Jpn. J. Appl. Phys. 1985. - V. 24., N 5. - P. 1013 - 1015.

194. Havrilliak S., Havrilliak S J. Dielectric and mechanical relaxation in material: analysis, interpretation, and application to polymers. N.-Y.: Hanser Publishers, 1997.-710 c.

195. Илюкевич A.M. Техника электрометрии. M.: Энергия, 1976. - 400 с.

196. Halpern V. Dielectric relaxation, the superposition principle and age dependent transitions rates // J. Phys. 1993. -V. 25 D, N 3. - P. 1533 - 1537.

197. Gross В. Dielectric relaxation and the Davidson-Cole distribution function // J. Appl. Phys. 1985. - V. 57, N 6. - P. 2331 - 2333.

198. Гурский Л.И., Румак H.B., Куксо В.В. Зарядовые свойства МОП-структур. Минск: Наука и техника, 1980. - 200 с.

199. Миллер Д. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов/ Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1989. - 280 с.

200. Macdonald J.R., Schooman J., Lehnen A.P. Three dimensional perspective plotting and eitting of immitance data // Sol. St. Ionics. 1981. - V. 5, N 3. -P. 137 - 140.

201. Avanesyan V., Bordovskii, Potachov S. The dielectric behaviour of PbO-Bi203 electret system at infralow frequencies // ISE 9: Proc. of 9th International symposium on electrets ISE 9, Shanghai, 25-30 Sept. 1996, Shanghai, 1996.-P. 394-396.

202. Jonsher A.K. Dielectric relaxation in solids. London: Chelsea Dielectrics Press, 1983. -380 p.

203. Platzman P.M., Wolff P.A. Waves and interactions in solid state plasmas. -N-Y.: Academic Press, 1973. 304 p.

204. Лущейкин Г.А. Полимерные электреты. M.: Химия, 1976. - 224 с.

205. Guo Т.С., Guo W.W. A transient-state model of dielectric relaxation accounting for lag of many-body effect // J. Electrostat. 1982. - V. 12.1. P. 229 234.

206. Кривоносов И.И., Рахматуллаев B.C. Расчет прямой ветви вольт-амперной характеристики р-п переходного датчика температуры // Тр. ЦИАМ: Новые приборы. Метрологическое обеспечение испытаний ГТД. М., 1978. - № 14. - С. 67 - 68.

207. Blythe A.R. Electrical properties of polymer electret. N-Y: Elsevier, 1979,191 p.

208. Van Turnout J. Thermally stimulated dicharge of polymer electrets. N - Y: Elsevier, 1975. - 335 p.

209. Кутыркин В.А., Мардалейшвили И.Р., Карпухин O.H. Описание кинетики мономолекулярных химических реакций в условиях неэквивалентности реагирующих частиц по их реакционной способности // Кинетика и катализ. 1984. - Т. 25, Вып. 6. - Р. 1310 - 1314.

210. Kallman Н., Rosenberg В. Persistent internal polarization // Phys. Rev. -1955.-V. 97,N6.-P. 1595 1610.

211. Четкаров M.JI. О кинетике э д с высоковольтной поляризации у диэлектриков // ФТТ. 1961. - Т. 3, № 8. - С. 2193 - 2196.

212. Борисова М.Э., Дийкова Е.У., Койков С.Н. и др. Анализ процессов накопления и релаксации зарядов в полимерных пленках на основе модели многослойного диэлектрика // Неравновесные процессы в диэлектрических материалах: Сб. ст. М. - 1983. - С. 66 - 71.

213. Аванесян В.Т., Бордовский Г.А., Степанов В.В. Диэлектрические процессы в сэндвич-структурах на основе поликристаллических слоев РЬгВ^бОц / Электронные процессы в твердых телах: Сб. ст. Л.: ЛГПИ, 1986. - С. 5-9.

214. Камке Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям. М.: Наука, 1976. - 576 с.

215. Эпштейн С.Л. Измерение характеристик конденсаторов. Л.: Энергия, 1971.-220 с.

216. Mott N.F., Davis Е.А., Street R.A. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors // Phil. Mag.-1975.-V. 32B, N 5. P. 961 - 996.

217. Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductor // Phys. Rev. Lett. 1975. - V. 34, N 15. - P. 953 - 955.

218. Соболев В.В. Проблема взаимосвязи электронной структуры некристаллических веществ и кристаллов // Физика и химия стекла. 1995. -Т. 21, №1,-С. 3-16.

219. Борисова З.У. Взаимодействие металлов с халькогенидными стеклами. -Л.: ЛГУ, 1991.-252 с.

220. Handler Р.Н. Energy level diagrams for germanium and slicon surfaces // J. Phys. Chem. Sol. 1960. - V. 14. - P. 1 - 8.

221. Шутов С.Д., Иову М.А., Иову М.С. Дрейфовая подвижность дырок в тонких пленках стеклообразного As2Se3// ФТП. 1979. - Т. 13, N 5.1. С. 955- 960.

222. Kastner М. Bonding bands, lone-pair bands, and impurity states in semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1972. - V. 28, N 6. - P. 355 - 357.

223. Pollak M. On the frequency dependence of conductivity in amorphous solids// Phil. Mag. 1971. - V. 23, N 183,- P. 519 - 542.

224. Bottger H., Bryksin V. V., Yashin G.Yu. Cluster approximation in the theory of AC hopping conductivity in disordered systems: I. One dimensional systems // J. Phys. 1979. - V. 12 C, N 14. - P. 2797 - 2808.

225. Бродски M. Аморфные полупроводники/ Пер. с англ. М.: Мир, 1982,419 с.

226. Agarwal S.C., Fritzsche Н. Attempts to measure thermally stimulated currents in chalcogenide glasses //Phys. Rev.-V.10 B, N 10.-P.4351 4357.

227. Lucovsky G., Galeener E.L. (Eds.) Structure and Exitations in Amorphous Solids. N.-Y.: AIP, 1976. 403 p.

228. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Л.: ЛГУ, 1983.-344 с.

229. Приходько О.Ю. Исследование электрических и оптических свойств ХСП, модифицированных различными металлами: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. Л., 1982. - 19 с.

230. Kastner M., Fritzshe H. Defect chemistry of lone-pair semiconductors 11 Phil. Mag. 1978. - V. 37 B, N 2. - P. 199 - 215.

231. Fritzsche H. Summary remarks // Amorphous and liquid semiconductors: Proc. of 4th International conference. Leningrad, 1975. - P. 65 - 68.

232. Urbach F. The long-wavelength edge of photographic sensitivity and the electronic absorption of solids // Phys. Rev. 1953. - 1992. - V. 92, N 5. -P. 1234 -1240.

233. Street R.A., Mott N.F. States in the gap in glassy semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1975. - V. 35, N 19. - P. 1293 - 1297.

234. Marshall J.M., Owen A.E. Drift mobility studies in vitreous arsenic trise-lenide // Phys. Rev. Lett. 1975. - Y. 35, N 19. - P. 1293 - 1297.

235. Андриеш A.M., Черный M.P. Релаксационные темновые токи в стеклообразном сульфиде мышьяка // Кристаллические и стеклообразные полупроводники: Сб. ст. Кишинев: Штиинца, 1977. - С. 127 - 133.

236. Shimakawa К., Yano Y., Katsuma Y. Origin of the non-exponential photo-current decay in amorphous semiconductors // Phyl. Mag. 1986.1. V. 54B, N 4. P. 285 -299.

237. Satoh K., Yamanashi Y., Kitao M., Long-term photocuirent decay in amorphous As2Se3 doped with Ag and Cu // Jap. J. Appl. Phys. 1992.

238. V. 31,N2A. -Pt. l.-P. 181 185.

239. Андриеш A.M., Иову M.C., Коломейко Э.П. и др. Длинновременная кинетика фотопроводимости стеклообразного сульфида мышьяка // Кристаллические и стеклообразные полупроводники: Сб. ст,-Кишинев: Штиинца, 1977. С. 118 - 126.

240. Тиман Б.Л. Эстафетный механизм переноса заряда в системе металл-диэлектрик-металл при инжекции носителей // ФТП. 1973.-Т. 7, № 2,-Р. 225 - 229.

241. Тиман Б.Л., Карпова А.П. Экспериментальное изучение эстафетного механизма протекания тока в системе металл-диэлектрик-металл // ФТП. 1973. - Т. 7, № 2. - Р. 230 - 231.

242. Симашкевич А.А., Шутов С.Д. Изучение плотности глубоких состояний в пленках a-AsSe методом вольт-фарадных характеристик // ФТП.-1994. Т. 28, N 4. - С. 611 - 618.

243. Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Рогачев Н.А. Исследование проводимости халькотенидных стекол в сильных электрических полях // Электронные явления в некристаллических полупроводниках: Сб. ст. Л.: Наука, 1976. - С. 240 -243.

244. Аванесян В.Т., Бордовский В.А., Кастро Р.А. Релаксационные свойства контакта металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник // ФТП. 1997. - Т. 31, № П. - С. 1340 - 1341.

245. Симашкевич А.А., Шутов С.Д. Квазистационарная емкость контакта металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник (Al-As2Se3) // ФТП. 1994. - Т. 28, № 1. - С. 133 - 137.

246. AnisimovaN.A., Avanesyan V.T., Bordovskii G.A. et. al. Polarisation properties of layers in As-Se modified system // ISE-8: Proc. of 8th International symposium on electrets ISE-8, Paris, 7-9 Sept. 1994. Paris. - P. 136 - 141.

247. Андриеш A.M., Черный M.P. Релаксационные темновые токи в стеклообразном сульфиде мышьяка // Сб.: Кристаллические и стеклообразные полупроводники. Кишинев, 1977. - С. 127 -133.

248. Минаев B.C. Стеклообразные полупроводниковые сплавы. М.: Металлургия, 1991. - 405 с.

249. Lucovsky G., Martin R.M. A molecular model for the vibrational modes in chalcogenides glasses // J. Non-Cryst. Sol.-1972.-V. 8/10, N 3.-P. 185 -190.

250. Pollak M. Hopping conduction in vitreous or amorphous semiconductors // Proc. VI Int. Conf. Amorphous and liquid semiconductors. Leningrad, 1975. - P. 79- 88.

251. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Рогачев Н.А. Влияние примесей на электрические и оптические свойства стеклообразного селенида мышьяка// ФТП. 1974. - Т. 8, № з. - С. 545 - 549.

252. Udy I., Yamada Е. Doping effect in chalcogenide glasses // J. Phys. Soc. Jap. 1979. - V. 46, N 2. - P. 515 - 522.

253. Губанов А.И. К теории примесных уровней в аморфных полупроводниках // ФТТ. -1961. Т. 3, N 10. - С. 2336 - 2341.

254. Аверьянов В.Л., Любин В.М., Насрединов Ф.С. и др. Механизм примесной проводимости стеклообразного селенида мышьяка, модифицированного железом // ФТП. 1983. - Т. 17, № 2. - С. 353 - 355.

255. Аверьянов B.JI. Коломиец В.Т., Любин В.М. и др. Модифицирование стеклообразного селенида мышьяка // Письма в ЖТФ. 1980. - Т. 6,10. С. 577 - 580.

256. Averyanov V.L., Kolomiets В.Т., Lyubin et. al. V.M. Modification of vitreous As2Se3 // Solar energy mater. 1982. - V. 8, N 1. - P. 1 - 8.

257. Аванесян В.Т., Бордовский В.А., Кастро Р.А. Влияние примеси висмута на процессы релаксации темнового тока в слоях // ФХС. 19971. Т. 23, № 6. С. 643 - 645.

258. Street R.A. Electron and hole transport in amorphous As2Se3 // Phil. Mag. -1978. V. 38 B, N 2. - P. 191 - 195.

259. Аверьянов В.Л., Берил С.И., Бордовский Г.А. и др. Электрические и оптические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников, легированных разными методами // ФТП. 1985. - Т. 19, № 3. -С. 557 - 559.

260. Kuhn М. A quasi-static technique for MOS C-V and surface state measurements // Sol. St. Electron. 1970. - V. 13, N 6. - P. 873 - 889.

261. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник/ Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1982. - 208 с.

262. Бордовский Г.А., Каничев М.З., Любин В.М. Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП // ФТП.-1989. -Т. 23, №4.-С. 616-620.

263. Shimakawa К. Persistent in amorphous chalcogenides // Phys. Rev.-V. 34 B, N12.-P. 8703 8708.

264. Moreau J., Kiat J.M., Gamier P. Incommensurate phase in lead monoxide a-PbO below 208 К // Phys. Rev. 1989. - V. 39 B, N 14. - C. 10296 - 10299.

265. Hedoux A., Grebille D., Gamier P. Structural resolution of the incommensurate phase of alpha-РЬО from x-ray- and neutron- powder- diffraction data // Phys. Rev. 1989. - V. 40 B, N 15. - P. 10653 - 10656.

266. Grebille D., Gamier P., J.M.Kiat et al. Incommensurate phase transition of a-PbO at 208 К // Phase Trans. 1991. - V. 31, N 1/4. - P. 55 - 57.

267. Withers R.L., Schmid S. А ТЕМ and Group Theoretical study of a-PbO and its low-temperature improrer ferroelastic phase transition // J. Solid St. Chem. 1994. - V. 113., N 1/2. - P. 272 - 280,.

268. Avanesyan V.T., Bordovskii G.A., Potachov S.A. Polarization properties in incommensurate modulation phase of the lead oxide at the low temperature //Electrets: Collections of materials. S.-Petersb.: RSPU, 1998. - P. 16 - 20.

269. Hedoux A Le Bellac D Gamier P. Raman spectroscopy and x-ray diffraction studies on PbO and (РЬО)1-х(ТЮ2)х. // J. Phys. V. 7 D, N 45. - P. 8547 - 8561.

270. Боков A.A., Раевский И.П., Малицкая M.A., Емельянов С.М., Диэлектрические и фотоэлектрические свойства кристаллов РЬ(М£1/зТа2/з)Оз// ФТТ. 1998. - Т. 40, № 1. - С. 109 - 110.

271. Tessman J.R., Kan А.Н., Shockley W., Electronic polarizabilities of ions in crystals // Phys. Rev. 1953. - V. 92, N 4. - P. 890 - 895.

272. Gamier P., Calvarin G. Weigel D. Oxides de Plomb: III. Etude par difrac-tion des rayons X sur poudre des transitions ferroelectrique et ferroelastique de l'oxyde Pb304// J. Sol. St. Chem. 1976. - V. 16, N 1/2. - P. 55 - 62.

273. Gamier P., Calvarin G., Weigel D. Oxydes de plomb: V. Etude de la texture des phases qudratiquie et orthorhombique de Pb304: Influence des défauts sur la transition de phase // J. Sol. St. Chem.-1978.-V. 26, N 4.-P. 357 366.

274. Gavarri J.R., Vigouroux J.P., Calvarin G. Structure de SnPb204 a quatre temperatures: Relation entre dilatation et agitation thermiques // J. Sol. St. Chem. 1981. - V. 36, N 1. - P. 81 - 90.

275. Gavarri P.J.R., Weigel D. Modeles Analytiques d'Evolution Structurale: Calcul des paramétrés de la maille orthorhombique de РЬз04 en fonction de la Temperature // Acta Cryst. 1982. - V. 38 A, Pt. 2. - P. 195 - 200.

276. Aizu K. Possible species of «Ferroelastic» crystals and of simultaneously ferroeelectric and ferroelastic crystals // J. Phys. Soc. Jap. 1968. - V. 27, N2.-P. 387 - 396.

277. Glazebrook R.W., Thomas A. Solar energy conversion via a photodielectric effect // J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1982. - Pt. 2. - V. 78, N 12.1. P.2053 2065.

278. Gavarri J.R., Calvarin G., Weigel D. Oxydes de Plomb.II. Etude Structural a 5 de la Phase Orthorhombique de 1'Oxide Pb304// J. Sol. St. Chem. 1975,-V. 14,N1.-P. 91 -98.

279. Дудник Е.Ф., Синяков Е.В. Сегнетоэластики и их физические свойства // Известия АН ССССР, Сер. физич. 1977. - Т. 41, № 4. - С. 663 - 671.

280. Morales J., Hernan L., Macias M. et al. Critical examination of the DTA techniques used to study the kinetics of solid-state transformations // J. Mater. Sci. 1983. -V. 18. - P. 2117 - 2125.

281. Morales J., Sanchez A. Some observations on the thermal behaviour of lead monoxide, PbO // Thermochim. Acta. 1979. - V. 33, N 10. - P. 395 - 400.

282. White W., Dachille F., Roy R. High-pressure-high-temperature polymorphism of the oxydes of lead // J. Amer. Ceramic Soc. 1961.-V. 44, N4. - P. 170 - 174.

283. Russel V.A., Spink C.H. The differential thermal analysis behavior of lead zirconate titanate materials. // Thermochim. Acta. 1977. - V. 19, N 1.1. P. 45- 54.

284. Mackenzie R.C. Differential Thermal Analysis. London- N-Y: Academic Press, 1970. - 245 p.

285. Chen S.-Y., Cheng S.-Y., Wang C.-M. Polymorphic Phase transformation of lead monoxide and its influence on lead zirconate titanate formation // J. Amer. Ceram. Soc. V. 73, N 2. - P. 232 - 236.

286. Clark G.L., Kern S.F. Studies of lead oxides. VI. The effect of grinding on the X-Ray diffraction patterns of mixtures containing lead oxides. // J. Amer. Chem. Soc. 1942. - V. 64, N 7. - P. 1637 - 1641.

287. Lewis D., Northwood D.O., Reeve R.C. Strain induced phase transformations in lead monoxide // J. Appl. Ciyst. 1969. - V. 2, Pt. 4. - P. 156 - 164.

288. Sorell C.A. PbO transformation induced by water // J. Amer. Ceram. Soc. -1972.-V. 55, N 1 P. 47.

289. Zhang R., Qiu Z., Shuai D. et al. From massicot (/?-PbO) to litharge (a-PbO) a natural transformation under atmospheric conditions // Kexue Tongbao. -1981. - V. 27, N 1. - P. 238.

290. Mizoguchi H., Kawazoe H, Hosono H. Enhacement of electrical conductivity of poly crystalline /?-РЬО by exposure to ozone gas at room temperature // Chem. Mater. 1996. - V. 8, N 12. - P. 2769 - 2773.

291. Hehner N.E., Ritchie E.J. Lead oxides. Chemistry-technology-battery manufacturing uses-history, Independent battery manufacturers Association, inc.Largo., 1974. - P. 13-21.

292. Real C., Alcala M.D., Criado J.M. Correlation between the structural defects induced by ball-milling of РЬз04 and the structure of PbO yielded from its thermal decompositions // Sol. St. Ionics. 1993. - V. 63, N 5.1. P. 702 706.

293. Greninger D., Kollonitsch V., Sine С.П., 1975. Lead chemicals. N-Y.: Intern. Lead Zinc Res. Org. Inc., 1975, 357 p.

294. White B.W. Phase relations in the system lead-oxygen. Thesis in geochemistry. - Pensylv. St. Univ., 1962 - 149 n.

295. Gmelins Handbuch der anorganishe Chemie. Blei. T.C. Lgf.l.- Weinheim / Bergstr., Verlag Chem.GmbH. 1969. XXII.

296. WolskaE. The structure ofhydrohematite // Zts. Kristallogr. 1981.-V. 154, N1/2.-P. 69 - 75.

297. Mandal P., Poddar A., Chondhury P. et al. Transport, optical property and superconductivity in Bi- and Tl- systems // Ind. J. Pure and Appl. Phys. -1992. V. 30, N 10/11. - P. 531 - 561.

298. Zandbergen H.W., Groen W.A., Mijlhoff F.C. et al. Models for modulation in A2B2CanCui+n06+2n, A, B=Bi, Sr or Tl, Ba and n=0,l,2 // Physica C. -1988. V. 156, N 3. - P. 325 - 354.

299. Kendziora C., Qadri S.B., Skelton E. Pb substitution in the Bi2Sr2CaCu208+5 high-Tc superconductor: Cation overdoping // Phys. Rev. 1997. - V. 56 B, N22.-P. 14717- 14722.

300. Wells . Structural Inorganic Chemistry.-Oxford: Clarendon Press, 1962. -P. 23.

301. Milankovic M.A., Furic K., Ray C.S. Raman studies of Pb0-Bi203-Ga203 glasses and crystallised compositions // Physics and chemistry of glasses. -1997. V. 38, N3. -C. 148 - 155.

302. Аванесян В.Т., Бордовский Г.А., Степанов В.В. Диэлектрические свойства керамик высокоомного полупроводника Pb^BieOi i // Вопросы радиоэлектроники. Сер. ТПО. 1984. - Вып. 1. - С. 125 - 129.

303. Maitrot М., Michel R., Madru R. Oxide phases with a defect oxygen lattice //Rev. Phys. Appl. 1971. - V. 6, N 3. - P. 369 - 376.

304. Hejne L. Photoconductive properties of lead-oxide layers // Phil. Res. Rep. (Suppl.). -1961. N 4. - P. 1-160.

305. Boivin J.C., Thomas D.J. Crystal chemistry and electrical properties of bismuth-based mixed oxides // Sol. St. Tonics.-1981.- V.5. P. 523 - 526.

306. Извозчиков В.А., Аванесян В.Т., Паландузян В.Т. Способ получения фотоэлектрически чувствительного материала. Авторское свидетельство № 1089051, заявка № 3470374, 3.01.1984.

307. Watson G.W., Parker S.C. Origin of the lone pair of alpha-PbO from density functional theory. J. Phys. Chem. 1999.-V. 3B, N 8,- P. 1258 - 1262.

308. Avanesyan V.T., Bordovskii G.A., Castro P. Long-time relaxations currents in As-Se glasses // Стекла и твердые электролиты: Тез. докл. между нар. конф. Стекла и твердые электролиты, С.-Пб., 17-19 мая, 1999,- С.-116-С. 66.

309. Avanesyan V.T., Bordovskii V.A., Castro P. Polarization properties of As2Se3 modified films // Стекла и твердые электролиты: Тез. докл. между нар. конф. Стекла и твердые электролиты, С.- Пб., 1999,- С. 70.

310. Avanesyan V.T., Badakhshan A. Photocapacitance and photoreflectance characterization of РЬз04 photoelectrets //ISE 10: Proc. of 10th International symposium on electrets ISE 10, Delphi, 22 24 Sept. 1996, Delphi, 1996. -P.205 - 208.

311. Avanesyan V.T., Bordovskii V.A., Potachov S.A. The polarization phenomena in a-PbO photoelectret ceramic // ISE 10: Proc. of 10th International symposium on electrets ISE 10, Delphi, 22 24 Sept. 1996, Delphi, 1996. -P. 193 - 196.