Поляризационные оптические эффекты в системах нанопроволок тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Когновицкий, Сергей Олегович

• Когновицкий, Сергей Олегович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Когновицкий, Сергей Олегович

Содержание

Введение

Глава 1. Оптические свойства нанопроволок

Введение

1.1. Люминесценция и комбинационное рассеяние света в квантовых проволоках

1.1.1. Заращенные квантовые проволоки [пОаАзЛЗаАэ.

1.1.1.1. Создание структур с заращенными квантовыми проволоками ¡пОаАэ/ОаАз

1.1.1.2. Исследование фотолюминесценции структур с заращенными квантовыми проволоками (пСаАэАЗаАз

1.1.2. Поляризационные спектры экситонной люминесценции и комбинационного рассеяния открытых квантовых проволок 2пСс18е/2пЗе

Введение

1.1.2.1. Структуры с открытыми квантовыми проволоками ZnCdSe/ZnSe

1.1.2.2. Поляризационная анизотропия спектров люминесценции

1.1.2.3. Анализ поляризационной анизотропии люминесценции

2.1.2.4. Поляризационная анизотропия комбинационного рассеяния

света в открытых квантовых проволоках 7пСс18е/гп5е

2.1.2.5. Заращенные квантовые проволоки ZnCdSe/Zr\Se

1.2. Отражение от решеток из открытых нанопроволок

1.2.1. Поляризационная анизотропия оптических спектров отражения

структур с открытыми полупроводниковыми нанопроволоками Введение

1.2.1.1. Эксперимент

1.2.1.2. Расчет спектров отражения

1.2.2. Поляризационная анизотропия спектров отражения

металлизированных нанопроволок Введение

1.2.2.1. Образцы и измерения

1.2.2.2. "Решеточные поверхностные" электромагнитные волны

1.2.2.3. Анализ поляризационной анизотропии спектров отражения

Глава 2. Фотоиндуцированное формирование поверхностных

наноструктур

2.1. Фотоиндуцированная самоорганизация галлиевых нанопроволок на поверхности ваМ

2.2. Создание одномерных углеродо-основных наноструктур под воздействием ультрафиолетового излучения

Введение

2.2.1. Воздействие ультрафиолетового излучения на

фуплереновые пленки

Глава 3, Рассеяние света электронами в области экситонного поглощения ОаАв

Введение

3.1. Экспериментальные результаты

3.2. Анализ результатов

Заключение

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Поляризационные оптические эффекты в системах нанопроволок»

Введение

Актуальность диссертационной работы. Полупроводниковые структуры с пониженной размерностью являются в настоящее время одним из основных объектов исследований в физике полупроводников. Понижение размерности приводит к существенным изменениям физических свойств структур, и ожидается, что такие структуры будут перспективны для приборных применений. Значительное внимание, в частности, уделяется созданию и исследованию полупроводниковых квантовых проволок (КП) [1].

Создание оптически качественных структур с квантовыми проволоками при помощи традиционных методов, тем не менее, сталкивается со значительными трудностями. Это определяет необходимость отработки оптимальных технологических режимов, одним из наиболее важных элементов которой является оптический экспресс-анализ характеристик создаваемых структур.

Дальнейшее уменьшение размеров поперечного сечения проволок и достижение более сильного проявления одномерных свойств делает актуальным поиск новых материалов и разработку альтернативных методов создания квантовых одномерных объектов.

Особый интерес представляет исследование полупроводниковых структур с поверхностными решетками, образованными системой открытых (незарощенных) проволок, для которых свойственна ярко выраженная поляризационная анизотропия оптических свойств [2]. Однако, существует очень мало экспериментальных работ, посвященных изучению спектров отражения от таких структур [3], а публикации с сообщениями об анализе спектров отражения от структур с открытыми проволоками 7пСс!5е^п8е и о модификации этих спектров при дополнительной фотогенерации носителей в проволоках не известны.

Основная цель настоящей работы состояла в экспериментальном и теоретическом исследовании оптических свойств разнообразных структур с нанопроволоками (как с заращенными, так и с открытыми), различающимися

размерами поперечного сечения проволок (от квантовых до квазиобъемных) и материалами проволок (из различных полупроводниковых твердых растворов или металлические), а также в разработке новых способов фотоиндуцированного формирования нанопроволок.

Для достижения этой цели в ходе диссертационной работы решались следующие задачи.

=> Экспериментальное определение оптимальных технологических режимов создания оптически качественных структур с нанопроволоками с использованием традиционных методов.

=> Разработка и апробирование новых способов фотоиндуцированного создания поверхностных наноструктур. Для этого изучалась модификация полупроводниковых слоев и фуллереновых пленок под воздействием мощного ультрафиолетового излучения.

Измерения на одних и тех же образцах с нанопроволоками поляризационных спектров комбинационного рассеяния, отражения, фотолюминесценции и ее временной динамики.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1) Полуширина и форма линии экситонной люминесценции узких (30-40нм х 5-Юнм) заращенных квантовых проволок (пваАз/СаАв и 2пСс18е/2п8е определяется специфической одномерной плотностью состояний и практически не зависит от интенсивности оптической накачки.

2) При нормальном падении света коэффициент зеркального отражения от структур с открытыми квазиодномерными проволоками 7пСс18е/7п8е для поляризации, перпендикулярной направлению проволок, значительно превосходит коэффициент отражения для параллельной поляризации в широком спектральном диапазоне. Экситонные резонансы, соответствующие квазиодномерным проволокам 2пСс18е и окружающим их нанопроволокам барьера 7п8е, проявляются в спектрах отражения, в основном, только для поляризации света, параллельной направлению проволок. Поляризационная анизотропия спектров отражения от решеток из открытых нанопроволок гпСс18е/7п8е обусловлена существенно

анизотропным распределением диэлектрической проницаемости в плоскости решетки.

3) Вдоль глубокой металлизированной поверхностной решетки могут распространяться гибридные электромагнитные волны поверхностного типа, характеризуемые длинами волн, превышающими период решетки -так называемые "решеточные поверхностные" электромагнитные волны.

Взаимодействие этих волн с падающим светом является причиной гигантского (более 100) поляризационного контраста спектров зеркального отражения от глубоких короткопериодных решеток из открытых позолоченных полупроводниковых нанопроволок.

4) Под воздействием мощного ультрафиолетового излучения на поверхности образцов ОаЫ с микротеррасами происходит самоорганизация упорядоченного массива галлиевых нанопроволок, а на поверхности фуллереновой пленки - нанотрубок.

5) Коэффициент поглощения света в области основного экситонного состояния (п=1) сверхчистых (Мо+ЫА<1013ст~3) объемных кристаллов СаАэ при подсветке фотонами, создающими носители, увеличивается в следствие увеличения затухания экситонов при их рассеянии на свободных электронах. Это рассеяние является причиной появления коротковолнового и длинноволнового крыльев линии люминесценции свободных экситонов при увеличении интенсивности фотовозбуждения.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Когновицкий, Сергей Олегович

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1) "Проявление одномерной плотности состояний в спектрах люминесценции квантовых проволок InGaAs/GaAs", Гуревич С.А., Гладышева Л.Г., Когновицкий С.О.,Кохановский С.И., Кочнев И.В., Нестеров С.И., Скопина В.И.,Смирницкий В.В., Травников В.В., Трошков С.И., Усиков A.C., ФТТ, 1994, т.36, в.6, с.1774-1777.

2) "Создание и исследование оптических свойств квантовых проволок

InGaAs/GaAs", Берт Н.А., Гуревич С.А., Гладышева Л.Г., Когновицкий С.О., Кохановский С.И., Кочнев И.В., Нестеров С.И., Скопина В.И., Смирницкий В.Б., Травников В.В., Трошков С.И., Усиков А.С., ФТП, 1994, т.28, в.9, с.1605-1612.

3) "Luminescence properties of GaAs/lnGaAs quantum wire structures fabricated by

RIE", Gurevich S.A., Kochanovskii S.I., Kognovitskii S.O., Kochnev I.V., Nesterov S.I., Skopina V.I., Travnikov V.V., Proc. 2 Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology", St.Petersburg, Russia, June 1994, pp. 123-126.

4) "ZnCdSe/ZnSe quantum wires fabricated by reactive ion etching and wet chemical treatment", Gurevich S.A., Lavrova O.A., Lomasov N.V., Kognovitskii S.O., Nesterov S.I., Skopina V.I., Tanklevskaya E.M., Travnikov V.V., Tret'yakov V.V., Osinsky A., Qiu Y., Temkin H., Proc. 4 Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology", St.Petersburg, Russia, June, 1996; pp. 144-147;.

5) "Polariton-electron interaction in GaAs", Aaviksoo J., Reimand I., Travnikov V.V.,

Kognovitskii S.O. Proc. 23rd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Berlin, July 1996, pp.357-360. (M. Scheffer and R. Zimmerman eds.), World Scientific Singapore.

6) "Рассеяние света электронами в области экситонного поглощения GaAs",

Когновицкий С.О., Травников В.В., Аавиксоо Я., Рейманд И., ФТТ, т.39, в.6, 1997, с.51-56.

7) "Люминесценция и резонансное комбинационное рассеяние в открытых квантовых проволоках ZnCdSe/ZnSe", В.В. Травников, Н.В. Ломасов, С.О. Когновицкий, С.А. Гуревич, С.И. Нестеров, В.И. Скопина, М. Рабе, Ф. Хеннебергер., Ill Всероссийская Конференция по Физике Полупроводников, 1-5 декабря 1997, Москва, тезисы докладов, с. 342, Изд. ФИАН.

8) "Поляризационные спектры экситонной люминесценции открытых квантовых проволок ZnCdSe/ZnSe", Н.В.Ломасов, В.В.Травников, С.О. Когновицкий, С. А. Гуревич, С.И. Нестеров, В.И.Скопина, М.Рабе,

Ф.Хеннебергер, ФТТ, т. 40, в.8, 1998, стр. 1559-1562.

9) "Optical reflection spectra of open ZnCdSe/ZnSe nanowires", S.O. Kognovitsky,

V.V. Travnikov, S.A. Gurevich, S.I. Nesterov, V.I. Skopina, M. Rabe, F.Henneberger, Proc. 6th Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology", St.Petersburg, Russia, June 1998, pp. 196-199.

10) "Поляризационная анизотропия оптических спектров отражения структур с открытыми нанопроволоками", Н.С. Аверкиев, С.О. Когновицкий, В.В. Травников, ФТП, т.ЗЗ, в.9, 1999, принято к публикации.

11) "Фотоиндуцированная самоорганизация галлиевых нанопроволок на поверхности GaN", Бедарев Д.А., Когновицкий С.О., Лундин В.В., Письма в Журнал Технической Физики, т. 13, 1999, принято к публикации.

12) "A new type of surface waves on the open metallized nanowires", N.S. Averkiev, S.O. Kognovitsky, R.P. Seisyan, V.V. Travnikov, Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology", St.Petersburg, Russia, June 1999.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Когновицкий, Сергей Олегович, 1999 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

[1] J L. Merz, P.M. Petroff. Mater. Sei. and Engineer. В, 9, 275 (1991).

[2] U. Bockelmann, Europhys. Lett., 16 (6), 601 (1991).

[3] M. Kohl, D. Heitmann, P. Grambow, K. Ploog, Phys. Rev. В, 42 (5), 2941 (1990).

[4] К. Kash, J. Luminescence, 46, 69 (1990).

[5] U. Bockelmann and G. Bastard, Europhys. Lett., 15 (2), 215 (1991).

[6] А.И. Ансельм, "Введение в физику полупроводников", Москва, "Наука", 1978.

[7] A. D'Andrea, R. Del Sole, Superlett. and Microstr., 8 (4), 425 (1990).

[8] D.S. Citrin, Phys. Rev. Lett., 69, 3393 (1992).

[9] D.Y. Oberli, F. Vouilloz, E. Kapon, Proc. of the Fifth Int. Meeting "Optics of Excitonsin Confined Systems", Gottingen, Germany, 1997, pp.353-357.

[10] E.A. Muljarov and S.G. Tikhodeev, Phys. Stat Sol. (a), 164, 393 (1997).

[11] J. Rubio, H.P. van der Meulen and J.M. Calleja, Proc. 23rd Int. Conf. "The Physics of Semiconductors", Berlin, Germany, 1996, v.2, pp. 1201-1204.

[12] M. Nakayama, Solid State Comm., 55 (12), 1053 (1985).

[13] J. Hammersberg, M. Notomi et al., J. Appl. Phys., 79 (11), 8456 (1996).

[14] N.A. Gippius and S.G. Tikhodeev, Proc. 23rd Int. Conf. "The Physics of Semiconductors", Berlin, Germany, 1996, v.2, pp.1153-1156.

[15] I. Vurgaftman, J.M. Hinckley and J. Singh, IEEE, J. Quant Electr., 30 (1), 75 (1994).

[16] I. Vurgaftman, J. Singh, J. Appl. Phys., 77 (10), 4931 (1995).

[17] H.A. Гиппиус, В.Д. Кулаковский, С.Г. Тиходеев, А. Форхель, Письма в ЖЭТФ, 59 (8), 527 (1994).

[18] P. lis, Ch. Greus, A.Forchel, V.D. Kulakovskii, N.A. Gippius, S.G. Tikhodeev, Phys.Rev. B, 51 (7), 4272 (1995).

[19] N.A. Gippius, S.G. Tikhodeev, A. Forchel, V.D. Kulakovskii, Superlattices and Microstructures, 16 (2), 165 (1994).

[20] N.A. Gippius, S.G. Tikhodeev, L.V. Keldysh, Superlattices and Microstructures, 15 (4), 479 (1994).

[21] C.A. Масалов, Ю.Т. Репа, В.П. Шестопалов, Радиотехника (Харьк. унив.), 10, 15 (1969).

[22] С .А. Масалов, Ю.Т. Репа, Радиотехника (Харьк. унив.), 20, 116 (1972).

[23] Л.Н. Дерюгин, Доклады Академии Наук СССР, LXXXVII (6), 913 (1952).

[24] Л.Н. Дерюгин, Доклады Академии Наук СССР, XCIII (6), 1003 (1953).

[25] В.П. Шестопалов, Л.Н. Литвиненко, С.А. Масалов, В.Г. Сологуб, "Дифракция волн на решетках", Изд. Харьковского унив., Харьков, 1973.

[26] A. D'Andrea, R. Del Sole, Phys. Rev. В, 46 (4), 2363 (1992).

[27] D. Heitmann, H. Lage et al., Proc. int. Meet. Optics of Excitons in Confined System, Giardini Naxos, Italy, 1991, pp. 109-118.

[28] M. Kohl, D. Heitmann, P. Grambow, K. Ploog, Phys. Rev. В, 37 (18), 10927 (1988).

[29] E. Ulrichs, G. Biese, et al., Phys. Stat. Sol. (a), 164, 277 (1997).

[30] W. Que, Phys. Rev. В, 43, 7127 (1991).

[31] F.N. Timofeev. Proc. of Joint Sov.-Amer. Workfhop on the Phys. of Semicond. Lasers. (AIP Conf. Proc.), 240, 130 (1991).

[32] C.A. Гуревич, Л.Г. Гладышева, С.О. Когновицкий, С.И. Кохановский, И.В. Кочнев, С.И. Нестеров, В.И. Скопина, В.Б. Смирницкий, В.В. Травников, С.И. Трошков, A.C. Усиков, ФТТ, 36 (6), 1774 (1994).

[33] М.А. Herman, D. Bimberg, J. Enristen, J. Appl. Phys., 70, R1 (1991).

[34] Ю.В. Жиляев, Г.Р. Маркарян, В.В. России, Т.В. Россина, В.В. Травников, Ф7Т, 28, 2688(1986).

[35] J. Aaviksoo. I. Reimand, V.V. Rossin, V.V. Travnikov, Phys. Rev. B, 43, 1473

(1992).

[36] B.M. Ashkinadze, E. Cohen, A. Ron, L. Pfeiffer, Phys. Rev. B, 47, 10613

(1993).

[37] S.A. Gurevich, S.I. Kochanovskii, S.O. Kognovitskii, I.V. Kochnev, S.I. Nesterov, V.l. Skopina, V.V. Travnikov, Proc. of 2 Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology", St.Petersburg, Russia, June, 1994, pp.123-126.

[38] H. Weman, M.S Miller, C.E. Pryor, Y.J. Li, P. Bergman, P.M. Petroff and J.L. Merz, Phys. Rev. B, 48 (11), 8047 (1993).

[39] H. Schweizer, G. Lehr, F. Prins, G. Mayer, E. Lach, R. Kruger, E. Fröhlich, M.N. Pilkuhn, and G.W. Smith, Superlattices and Microstructures, 12 (4), 419 (1992).

[40] E. Kapon, M. Walther, J. Christen, M. Grundmann, С. Caneau, D.M. Hwang, E. Colas, R. Bhat, G.H. Song, and D. Bimberg, Superlattices and Microstructures, 12(4), 491 (1992).

[41] H.A. Берт, C.A. Гуревич, Л.Г. Гладышева, С.О. Когновицкий, С.И. Кохановский, И.В. Кочнев, С.И. Нестеров, В.И. Скопина, В.Б. Смирницкий, В.В. Травников, С.И. Трошков, A.C. Усиков, ФТП, 28 (9), 1605 (1994).

[42] S. Adachi, J. Appl. Phys., 53, 8775 (1982).

[43] M.B. Thomas, J.С. Wolley, Can. J. Phys., 49, 2052 (1971).

[44] M. Tsuchiya, J.M. Gaines, R.H. Yan, R.J. Simes, P.O. Holts, L.A. Coldren, P.M. Petroff, Phys. Rev. Lett, 62, 466 (1989).

[45] H. Weman, M.S. Miller, J.L. Merz, Phys. Rev. Lett., 68, 3656 (1992).

[46] J. Rubio, Z.H. van Der Meulen, N. Mestres, J.M. Calleja, K.H. Wang, P. lis, A. Forchel, N.A. Gippius, S.G. Tikhodeev, Sol. St. Electronics, 40, 707 (1996).

[47] С.А. Гуревич, А.В. Колобов, В.М. Любин, С.И. Нестеров, М.М. Кулагина, Ф.Н. Тимофеев, С.И. Трошков, Письма в ЖТФ, 18 (17), 85 (1992).

[48] Е.Л. Ивченко, Г.Е. Пикус, Л.В. Такунов, ФТТ, 20 (9), 1235 (1978).

[49] С.А.Пермогоров, В.В. Травников, ФТТ, 22 (9), 2651 (1980).

[50] Landolt - Bornstein, New Series, III / 22a, "Semiconductors: Intrinsic Properties of Group IV Elements and lll-V, ll-VI, and l-VII Compounds".

[51] N.V. Lomasov V.V. Travnikov, S.O. Kognovitsky, S.A. Gurevich, S.I. Nesterov, V.I. Skopina, M. Rabe, F.Henneberger, Fiz. Tverd. Tela, 40 (8), 174 (1998).

[52] S.O. Kognovitsky, V.V. Travnikov, S.A. Gurevich, S.I. Nesterov, V.I. Skopina, M. Rabe, F.Henneberger, Proc. of 6th Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology", St.Petersburg, Russia, June, 1998, p. 196-199.

[53] H.C. Аверкиев, C.O. Когновицкий, В.В. Травников, ФТП, 33 (9), (1999), (в печати).

[54] P. Yeh, Optics Communications, 26 (3), 289 (1978).

[55] Landolt - Bornstein, New Series, III / 17b, "Physics of ll-VI and l-VII compounds, semimagnetic semiconductors".

[56] G.N. Aliev, A.D. Andreev, O. Coschug-Toates, R.M. Datsiev, S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, R.P. Seisyan, Journal of Crystal Growth, 184/185, 857 (1998).

[57] A. Wirgin, and R. Deleuil, J. Opt. Soc. Am., 59, 1348 (1969).

[58] J.-L. Roumiguieres, Opt. Comm., 19, 76 (1976).

[59] A. Wirgin, A.A. Maradudin, Phys. Rev. B, 31, 5573 (1985).

[60] H. Lochbihler, Opt. Comm., 111, 417 (1994).

[61] H. Lochbihler, Phys. Rev. B, 50, 4795 (1994).

[62] M. Weber and D.L. Mills, Phys. Rev. B, 27, 2698 (1983).

[63] T. Lopez-Rios, D. Mendoza, F.J. Garcia-Vidal, J. Sanchez-Dehesa and B.

Pannetier, Phys. Rev. Lett, 81, 665 (1998).

[64] R.A. Watts, T.W. Preist, and J.R. Sambles, Phys. Rev. Lett., 79, 3978 (1997).

[65] N.S. Averkiev, S.O. Kognovitsky, R.P. Seisyan, V.V. Travnikov, Proc. of Ith Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, June, 1999.

[66] P. Yeh, A. Yariv, and C.-S. Hong, J. Opt. Soc. Am., 67, 423 (1977).

[67] E.L, Ivchenko, G.E. Pikus, "Superlattices and Other Heterostructures.

Symmetry and Optical Phenomena", Springer Series in Solid-State Sciences 110, Germany, 1997.

[68] B.M. Агранович, Успехи Физических Наук, 115 (2), 199 (1975).

[69] Р.В. Johnson and R.W. Christy, Phys. Rev. B, 6, 4370 (1972).

[70] "Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения типа АШВ^", "Мир", Москва, 1970.

[71] N.N.Ledentsov, V.A.Schukin, М.Grundmann, N.Kirstaedter, J.Bohrer, O.Schmidt, D.Bimberg, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.E.Zhukov, P.S.Kop'ev, S.V.Zaitsev, Zh.l.Alferov, A.I.Borovkov, A.O.Kosogov, S.S.Ruvimov, P.Werner, U.Gosele, and J.Heydenreich, Phys.Rev. B, 54, 8743 (1996).

[72] S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev, G.R. Pozina, J.P. Bergman, and B. Monemar, J. Appl. Phys., 83, 3168 (1998).

[73] I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., 36, 5393 (1997).

[74] Д.А. Бедарев, С.О. Когновицкий, B.B. Лундин, Письма в Журнал Технической Физики, 13, (1999), (в печати).

[75] W.V. Lundin, A.S. Usikov et.oth.; Proc. of EWMOVPE VII, Berlin, June 1997, Workshop Booklet, F10.

[76] M.Y. Lai and Y.L. Wang, Phys. Rev. Lett., 81 (1), 164 (1998).

[77] T.D.Lowes and M.Zinke-Allmang, J. Appl. Phys., 73 (10), 4937 (1993).

[78] H.R. Stuart and D.G. Hall, Appl. Phys. Lett., 73 (26), 3815 (1998).

[79] J.H. Brüning, Solid State Technology, 41 (11), 59 (1998).

[80] J. Robertson, Semiconductor Business News, 07/14/1998, http://pubs.cmpnet.com/sbn/stories/8g14ngl.htm .

[81] T. Shibata, T. Ishii, H. Nozawa and T. Tamamura, Jpn. J. Appl. Phys., 36 (12 B), Pt.1, 7642 (1997).

[82] P.M. Dentinger and J.W. Taylor, J. Vac. Sei. Techno!. B, 15 (6), 2575 (1997).

[83] T. Ishii, H. Nozawa, T. Tamamura and A. Ozawa, J. Vac. Sei. TechnoI. B, 15 (6), 2570(1997).

[84] В.П. Белоусов, И.М. Белоусова, В.П. Будтов, B.B. Данилов, О.Б. Данилов, А.Г. Калинцев, A.A. Мак, Оптический журнал, 64 (12), 3 (1997).

[85] J.-M. Bonard, J.-P. Salvetat, Т. Stockli, W.A. de Heer, L. Forro and A. Chatelain, Appl. Phys. Lett., 73 (7), 918 (1998).

[86] Z.W. Pan, S.S. Xie, B.H. Chang, C.Y. Wang, L. Lu, W. Liu, W.Y. Zhou, W.Z. Li and L.X. Qian, Nature, 394 (6694), 631 (1998).

[87] S.J. Tans, A.R.M. Verschueren and C. Dekker, Nature, 393 (6680), 49 (1998).

[88] Q.H. Wang, A.A. Setlur, J.M. Lauerhaas, J.Y. Dai, E.W. Seelig and R.P.H. Chang, Appl. Phys. Lett., 72 (22), 2912 (1998).

[89] David W.I.F., Ibberson R.M. et al., Europhys. Letters, 18, 219 (1992).

[90] Heiney P.A. et al., Phys. Rev. Lett., 66, 2911 (1991).

[91] Gorun S.M., Creegan K.M., Cherwood R.D. et al., J. Chem. Soc. Chem. Commns., 12, 1556(1991).

[92] Bensch W., Werner H., Bartl H. et al., J. Chem. Soc. Faraday Trans., 90, 2791 (1994).

[93] I.P.Soshnikov, A.V.Lunev, M. E.Gaevski,V.T.Barchenko,T.L.Makarova,

L.G.Rotkina, I.Saharov, A.Moskalenko and N .A.Bert, Proc. XXVIII Inter. Conf. on Phys, of Interaction of charge projectiles at crystals, Moscow, MSU, 1 (1998), p.83.

[94] K.M. Cregan, J.L. Robbins et al., J. Amer. Chem. Soc., 114, 1103 (1992).

[95] J.M. Wood, В. Kahr et al., J. Amer. Chem. Soc., 113, 5907 (1991).

[96] H.S. Chen, A.R. Kortan et al., J. Phys. Chem., 96, 1016 (1992).

[97] H. Hiraoka et al., Proc. SPIE, 3093, 204 (1996).

[98] A. Chambers, С. Park, R. Terry, К. Baker and N.M. Rodriguez, J. Phys. Chem. B, 102 (22), 4253(1998).

[99] D.P. Yu, Q.L. Hang, Y. Ding, H.Z. Zhang, Z.G. Bai, J.J. Wang, Y.H. Zou, W. Qian, G.C. Xiong and S.Q. Feng, Appl. Phys. Lett., 73 (21), 3076 (1998).

[100] J Shah, R.F. Leheny, W. Wiegmann, Phys. Rev. B, 16 (4),1577 (1977).

[101] C.V. Shank, R.L. Fork, R.F. Leheny, J. Shah, Phys. Rev. Lett., 42 (2), 112 (1979).

[102] G.W. Fehrenbach, W. Schafer, J. Treusch, R.G. Ulbrich, Phys. Rev. Lett. 49 (17), 1281 (1982).

[103] K. Aoki, T. Kinugasa, K. Yamamoto, Phys. Lett., 12 A (1), 63 (1979).

[104] E. Gobel, K.L. Shaklee, R. Epworth, Sol. St. Commun., 17 (9), 1185 (1975).

[105] Я. Аавиксоо, И. Рейманд, В.В. России, В.В. Травников, Ф7Т, 36 (5), 1470 (1994).

[106] W.L. Bloss, E.S. Koteles, Е.М. Brody, B.J. Sowell, J.P. Salerno, J.V. Gormley, Sol. St. Comm., 54 (1), 103 (1985).

[107] Э.И. Рашба, ФТП, 8 (7), 1241 (1974).

[108] A.B. Варфоломеев, Р.П. Сейсян, Ю.Л. Шелехин, ФТП, 10 (6), 1063 (1976).

[109] W.C. Tait, Phys. Rev. В, 5 (2), 648 (1972).

[110] M. Matsushita, I. Wicksted, H.Z. Cummins, Phys. Rev. B, 29 (6), 3362 (1984).

[111] W.C. Tait, R.L. Weiher, Phys. Rev., 178 (3), 1404 (1969).

[112] B.B. Травников, B.B. Криволапчук, ЖЭТФ, 85 (12), 2087 (1983)

[113] J. Shah, Sol. St. Electron., 21 (1), 43 (1978).

[114] B.B. Травников, B.B. Криволапчук, ФТТ, 28 (4), 1210 (1986).

[115] R.C.C. Leite, J. Shah and J.P. Gordon, Phys. Rev. Lett., 23 (23), 1332 (1969).

[116] C.O. Когновицкий, B.B. Травников, Я. Аавиксоо, И. Рейманд, ФТТ, 39 (6), 1011 (1997).

[117] J. Aaviksoo, I. Reimand, V.V. Travnikov, S.O. Kognovitskii, Proc. 23rd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Berlin, 1996, pp.357-360. (M. Scheffer and R. Zimmerman eds.), World Scientific Singapore.