Полупроводниковый лазер на основе квантоворазмерных гетероструктур с продольной накачкой электронным пучком тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.21, доктор физико-математических наук Козловский, Владимир Иванович

• Козловский, Владимир Иванович
• доктор физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Козловский, Владимир Иванович

Содержание

Введение

Глава 1 Основы работы лазера с накачкой электронным пучком

1.1 Введение

1.2 Лазер с монокристаллической активной областью

1.3 Порог генерации в лазере с активным элементом на основе многослойной гетероструктуры

1.4 Использование квантоворазмерной гетероструктуры в качестве активной среды лазера

1.5 Температурный режим работы активного элемента

1.6 Мощность излучения и эффективность лазера

1.7 Диаграмма направленности лазера

1.8 Срок службы лазера

1.9 Заключение к главе 1 96 Глава 2 Лазер на основе квантоворазмерной гетероструктуры

Оа1пР/АЮа1пР, излучающей в красной области спектра

2.1 Введение

2.2 Первая реализация полупроводникового лазера на гетероструктуре Оа1пР/АЮа1пР с продольной накачкой электронным пучком

2.3 Температурная зависимость характеристик лазера. Однородность излучения активного элемента на основе гетероструктуры Оа1пР/АЮа1пР

114

2.4 Лазер с монолитным активным элементом

2.5 Лазер с внешним зеркалом обратной связи

2.6 Заключение к главе 2 137 Глава 3 Лазер, излучающий в зеленой области спектра

3.1 Введение

3.2 Лазер на основе квантоворазмерной гетероструктуры гпСдБе/гпБе

3.3 Лазер на основе квантоворазмерной гетероструктуры с гексагональной кристаллической решеткой

3.4 Лазер на основе квантоворазмерной гетероструктуры 2пСс18/2п88е с разрывами зон II - го типа

2 ¿г

3.5 Эпитаксиальные брэгговские зеркала на основе соединений А В для лазера, излучающего в зеленой области спектра

3.6 Заключение к главе 3 226 Глава 4 Лазеры, излучающие в синей и ультрафиолетовой областях

спектра

4.1 Введение

4.2 Гетероструктуры ZnSe/ZnMgSSe, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

4.3 Гетероструктуры 2п8е/2п1\^88е, выращенные методом парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

4.4 Лазеры на основе гетероструктур 2пСс18е/2пМд88е, излучающие в синей области спектра

4.5 Лазер на основе гетероструктуры 2п8е/2п88е, выращенной на подложке гг^е

4.6 Лазеры ультрафиолетового диапазона 360-390 нм на основе пленок и гетероструктур, выращенных на подложках ваР

4.7 Лазер на основе гетероструктуры 1пСа]Ч/ОаК

4.8 Заключение к главе 4 276 Заключение 278 Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Полупроводниковый лазер на основе квантоворазмерных гетероструктур с продольной накачкой электронным пучком»

Введение

Данная работа связана с поиском решения фундаментальной проблемы создания эффективных и дешевых источников монохроматического излучения в видимой области спектра для информационных технологий и дисплейных применений. На сегодняшний день предложен целый ряд перспективных схем отображения информации на большой экран, реализация которых сдерживается отсутствием соответствующих источников излучения. Наиболее востребованы источники направленного излучения с уровнем выходной мощности от 0.1 до 10 Вт и шириной линии излучения менее 10 нм. Большинству перечисленных требований соответствуют полупроводниковые лазеры [1, 2]. Среди них лазеры с инжекционной накачкой имеют широкие применения в различных областях науки и техники. Однако существует проблема с освоением видимого диапазона спектра для этих лазеров.

В последнее время значительные успехи были достигнуты в реализации фиолетового инжекционного лазера на основе Оа1пМ/ОаАПпК структур. В инженерной разработке фирмы МсЫа уже достигнута выходная мощность в 10 Вт в области 400-410 нм с коэффициентом полезного действия (КПД) примерно 10 %. Однако попытки продвижения в видимую область спектра путем увеличения содержания 1п в твердом растворе ваММ натолкнулись на серьезные трудности, связанные с сегрегацией 1п. Лишь совсем недавно удалось получить генерацию в сине-голубой области спектра (455-493 нм), но КПД лазера падает до 4-5 %. Кроме того уровень мощности этих лазеров ограничивается 20 мВт. Наиболее длинноволновое излучение в лазерном диоде на начало 2009 года получено на длине волны чуть меньше 500 нм [3]. Мощность в непрерывном режиме составила 15 мВт с КПД меньше 1%.

Еще раньше, в 1991 году [4], был впервые реализован инжекционный лазер на основе 2пБе, излучающий в зеленой области спектра, но все усилия последних лет по увеличению срока службы этого лазера до уровня, позволяющего перейти к промышленному освоению, пока не увенчались успехом [5]. Одной из причин деградации лазера является ухудшение /?-типа проводимости используемых гетероструктур при высоких уровнях возбуждения. Лишь в красной области спектра хорошие параметры достигнуты на инжекционных лазерах, у которых активной средой являются гетероструктуры ОаАНпР. Однако для ряда применений эти лазеры имеют недостаточно высокое качество светового пучка.

В последнее время существенный прогресс получен в реализации второй гармоники твердотельных лазеров с оптической накачкой лазерными диодами, излучающими в инфракрасной области спектра [6]. Эти лазеры работают на определенных длинах волн,

задаваемых твердотельными активными элементами, и по эффективности и габаритам они уступают полупроводниковым лазерным источникам света. В связи с этим ряд зарубежных фирм (в частности, Coherent [7]) предприняли попытку замены твердотельных лазеров на полупроводниковые лазерные преобразователи. Эти преобразователи по существу являются полупроводниковыми лазерами с оптической накачкой излучением инжекционных ИК лазеров. Конструктивно преобразователь содержит так называемый вертикальный резонатор с внешним зеркалом, в который помещена низкоразмерная гетероструктура, обеспечивающая резонансно-периодическое усиление. Сами инжекционные лазеры имеют недостаточно хорошее качество лазерного пучка, чтобы можно было его эффективно преобразовать во вторую гармонику. Использование внешнего зеркала позволяет получить одномодовую генерацию с дифракционной расходимостью и реализовать эффективное внутрирезонаторное преобразование во вторую гармонику, то есть генерировать излучение в видимой области спектра. Однако преобразование во вторую гармонику и необходимость использования нелинейного кристалла снижает эффективность лазера и усложняет его конструкцию.

Для дисплейных применений перспективными являются полупроводниковые лазеры с накачкой сканирующим электронным пучком. Эти лазеры были впервые предложены и созданы в Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН [8, 9]. Возможны две схемы использования таких лазеров. В первой схеме лазер работает как активный дисплей, и изображение формируется электронным пучком, в частности, путем последовательного двумерного сканирования активного элемента, выполненного в виде плоской пластины или слоя. Излучение выходит перпендикулярно поверхности пластины (слоя). Такой лазер был реализован задолго до появления так называемых поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным резонатором с инжекционной накачкой (известных как VCSEL в англоязычной литературе) и отличается от них в основном способом возбуждения. Для реализации высокого разрешения в изображении требуется изготовление активного элемента большой площади (до 12-15 см2), и в связи с этим возникают проблемы однородности и высокой стоимости активного элемента.

Во второй схеме данный тип лазеров используется как источник монохроматического излучения. В этом случае могут быть использована как продольная, так и поперечная накачка. Лазер с поперечной накачкой имеет много общего с обычным инжекционным лазером с излучением через сколотые поверхности. Преимущества и недостатки двух схем возбуждения: продольной и поперечной, - во многом схожи в инжекционных лазерах и лазерах с накачкой электронным пучком. При продольной накачке легче реализуется хорошая направленность излучения и генерация одной

продольной моды. Кроме того, порог по току электронного пучка обычно значительно ниже, и легче достигается высокая средняя мощность излучения. Однако при поперечной накачке порог по энергии электронов обычно ниже. В обоих случаях КПД может быть выше 10 %, что почти на порядок превышает эффективность используемых в настоящее время ксеноновых ламп в цветных дисплеях высокого качества. Размеры активного элемента и, соответственно, стоимость могут быть снижены более чем на порядок величины по сравнению со случаем использования в активных дисплеях.

Таким образом, оба типа лазеров: как с продольной, так и поперечной накачкой электронным пучком, - являются перспективными источниками монохроматического излучения в видимой области спектра, где до сих пор пока не созданы достаточно эффективные и дешевые источники света. Кроме того, лазерная электронно-лучевая трубка, основанная на лазере с продольной накачкой, остается наиболее перспективным активным дисплеем. Преимущества лазеров с накачкой электронным пучком над инжекционными лазерами или мощными светодиодами по-прежнему связано с отсутствием необходимости создания высокой проводимости р- и «-типа в широкозонных материалах, необходимых для реализации излучения в видимой области спектра. Однако до начала данной работы потенциальные возможности лазеров с накачкой электронным пучком не были в полной мере реализованы. Высокие пороги генерации при комнатной температуре и неприемлемо высокие энергии электронов, используемые в данном типе лазеров, не позволяли перейти к их коммерческому освоению. В этом заключалась актуальность данной работы.

Автор данной работы участвовал в разработке лазеров с катодно-лучевой накачкой, начиная с первой реализации данного типа лазеров [9]. Основные результаты исследований по лазерам с монокристаллической активной областью, выполненные в основном при криогенных температурах, были обобщены в докторских диссертациях A.C. Насибова и В.Н. Уласюка [10, 11]. В настоящей работе обобщаются результаты исследований, направленных на достижение эффективной генерации при комнатной температуре и выполненных на квантоворазмерных гетероструктурах. Диссертация посвящена в основном разработке лазеров с продольной накачкой электронным пучком, излучающих в видимой области спектра, хотя ряд полученных результатов может быть использован и в лазерах с поперечной накачкой, и инжекционных лазерах с аналогичной активной средой.

Диссертация построена таким образом, что обзор литературы не выделен в отдельную главу, а приводится непосредственно перед описанием результатов исследований по конкретной проблеме. В первой главе представлены теоретические

основы данного типа лазеров. Во второй, третьей и четвертой главах представлены экспериментальные результаты по реализации и исследованию лазеров, излучающих соответственно в красной, зеленой и сине-ультрафиолетовой областях спектра. В заключении подводятся итоги работы.

Заключение диссертации по теме «Лазерная физика», Козловский, Владимир Иванович

Основные результаты работы состоят в следующем:

1. Развита теория полупроводниковых лазеров с резонансно-периодическим усилением при объемной накачке сканирующим электронным пучком. Сделан анализ порогового условия лазера на основе периодической гетероструктуры с КЯ с учетом эффекта фотонного кристалла, создаваемого данной структурой. Показано, что учет отражения генерируемого излучения на гетерограницах увеличивает порог генерации из-за вытеснения моды резонатора из максимума спектра оптического усиления. Предложены гетероструктуры с согласующими слоями, существенно уменьшающие порог генерации.

2. Исследован транспорт неравновесных носителей заряда из барьерных слоев в слои КЯ. Рассчитаны основные зависимости порога генерации и других характеристик лазера от параметров гетероструктуры: ее энергетической диаграммы, числа КЯ, толщины слоев КЯ и барьерных слоев. Определено, что минимальный порог генерации достигается в гетероструктуре 1-ого типа, обеспечивающей одинаковую локализацию электрона и дырки в КЯ, причем скачок ширины запрещенной зоны на гетеропереходе должен быть не менее 300 мэВ для работы при комнатной температуре, а толщина барьерных слоев не должна превышать удвоенную длину амбиполярной диффузии носителей заряда в этих слоях.

3. Сделан расчет температурного режима работы лазера в сканирующем и непрерывном режимах. В сканирующем режиме адиабатический нагрев приводит к существенному градиенту температуры поперек оптической оси резонатора, что уширяет спектр оптического усиления. Фоновая температура активной области до прихода в нее электронного пучка зависит не только от среднего нагрева, определяемого системой охлаждения активного элемента в целом, но и нагрева соседними возбужденными участками, определяемого геометрией сканирования. Предложены пути достижения непрерывного режима генерации при комнатной температуре.

4. Исследована диаграмма направленности лазеров в различных режимах возбуждения. Обнаружен эффект теплового клина при медленном сканировании. При быстром сканировании диаграмма направленности определяется неоднородностью показателя преломления, обусловленной поперечной неоднородностью накачки. При больших поперечных размерах области возбуждения по сравнению с длиной резонатора генерация происходит в каналах, когерентно несвязанных друг с другом, что определяется кинетикой генерации.

5. Впервые реализован лазер на основе квантоворазмерной гетероструктуры Оа1пР/АЮа1пР с высокими характеристиками излучения в красной области спектра (620-660 нм). С использованием оптимизированной гетероструктуры достигнута выходная мощность лазера в 9.4 Вт на длине волны 640 нм с КПД выше 10 % при комнатной температуре. Достигнута и исследована генерация в монолитной гетероструктуре с 13 КЯ Оа1пР/АЮа1пР и брэгговским зеркалом А^/АЮаАв. На аналогичной гетероструктуре с 25 КЯ получена генерация в резонаторе с внешним зеркалом обратной связи. Пиковая мощность составила 4 Вт при дифракционном качестве пучка (менее 10 мрад). При продольной оптической накачки этой гетероструктуры реализовано внутрирезонаторное удвоение частоты лазера и получена генерация на длине волны 312.5 нм.

6. Исследованы различные пути реализации лазера с высоким КПД при комнатной температуре для зеленой области спектра на основе квантоворазмерных гетероструктур соединений А2В6. Выявлены основные технологические проблемы создания таких структур и лазеров на их основе. Обнаружена и исследована температурная нестабильность и деградация гетероструктур гпСёБе/гпЗБе, обусловленная повышенной диффузией атомов Сс1 и Ъп через гетерограницы в присутствии структурных дефектов, которые в свою очередь генерируются релаксацией внутренних напряжений. Использование изначально неоднородных, релаксированных КЯ повышает стабильность гетероструктуры в целом. На таких гетероструктурах достигнута мощность генерации 4 Вт с КПД 4 % на длине волны 535 нм. Впервые реализован лазер на двух других альтернативных гетероструктурах: на гетероструктуре СсШ8е/Сс18, выращенной на гексагональной подложке СёБ, и на гетероструктуре гпСсШ/гпЗБе на подложке ОаАэ. Обе гетероструктуры имеют гетеропереходы второго типа. Показана более высокая устойчивость гексагональной гетероструктуры к деградационным процессам. На гетероструктуре 2пСс18/2п88е с малыми внутренними напряжениями достигнута генерация с мощностью до 2 Вт на длине волны 478 нм.

7. Исследованы гетероструктуры 2п8е/2пМ§88е и лазеры на их основе для синей области спектра. Выявлены две технологические проблемы использования этих гетероструктур в лазерах. Показано, что твердый раствор 2пМ£88е требуемого состава склонен к распаду на несколько кристаллических фаз, что ухудшает транспорт носителей в КЯ.

Однородность ZnMgSSe повышается в периодических гетероструктурах, выращенных при оптимальных условиях роста. Установлено также, что атомы Mg диффундируют из барьерных слоев в КЯ, увеличивая неоднородную ширину линии излучения. Показано, что существенное улучшение структуры возможно при введении в КЯ атомов Cd с концентрацией в несколько процентов. На основе таких гетероструктур реализован лазер на длине волны 464 нм с мощностью до 10 Вт и КПД до 10 %. 8. Впервые реализован и исследован лазер, излучающий в ультрафиолетовой области спектра (378 нм), на основе квантоворазмерных гетероструктур ZnSSe/ZnMgSSe, выращенных на подложках GaP. Максимальная мощность составила 2.8 Вт при КПД до 3 %. Получена генерация на длине волны 409 нм при поперечной накачке электронным пучком гетероструктуры GalnN/GaN.

Полученные результаты могут быть использованы как при создании отпаянных приборов различного назначения, в частности источников монохроматического света для дисплейных технологий, так и при дальнейшем развитии технологии квантоворазмерных гетероструктур соединений А2В6 и полупроводниковых приборов на их основе.

В заключение автор считает необходимым отдать должное основоположникам полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком Н.Г. Басову и О.В. Богданкевичу.

Автор искренне благодарен Ю.М. Попову и О.Н. Крохину за постоянную поддержку исследований в данном направлении.

Автор благодарен A.C. Насибову, под чьим руководством автор принимал активное участие в разработке лазеров на основе монокристаллов. Эта разработка послужила отправной точкой для постановки данной работы, посвященной развитию лазеров на основе квантоворазмерных гетероструктур.

Особую благодарность заслуживают технологи, с которыми автору посчастливилось работать: П.И. Кузнецов, А.Б. Крыса, Ю.В. Коростелин, Ю.Г Садофьев, П.А. Трубенко, Д.А. Санников, И.П. Казаков, А.О. Забежайлов. Автор благодарен В.П. Мартовицкому за проведение рентгеноструктурного анализа исследуемых структур и плодотворные дискуссии по поводу их качества.

Автор благодарен Я.К. Скасырскому за многолетнюю и всестороннюю помощь в работе, а также В.Ю. Бондареву, Б.М. Лаврушину, Д.Е. Свиридову, В.К. Якушину и другим сотрудникам лаборатории за помощь в проведении ряда экспериментов и плодотворные дискуссии.

Заключение

Итогом данной диссертационной работы является создание научно-технологических основ полупроводниковых лазеров на основе квантоворазмерных гетероструктур с продольной накачкой электронным пучком, работающих при комнатной температуре. Тем самым решена крупная научная проблема создания эффективных источников света в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, имеющая важное социально-культурное или хозяйственное значение.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Козловский, Владимир Иванович, 2009 год

Литература

1. Н. Г. Басов, О.Н. Крохин, Ю.М. Попов. Создание состояний с отрицательной температурой в р-п-переходах вырожденных полупроводниках. ЖЭТФ, 1960, Т.40, С. 1879-1880.

2. Н.Г. Басов, О Н. Крохин, Ю.М. Попов. Вестник АН СССР, 1961, Т.З, С.61.

3. Kuniyoshi Okamoto, Junich Kashiwagi, Taketoshi Tanaka, and Masashi Kubota. Nonpolar m-plane InGaN multiple quantum well laser diodes with a lasing wavelength of 499.8 nm. Appl. Phys. Lett., 2009, Vol.94, P.071105.

4. M.A. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng, Blue-green laser diodes. Appl. Phys. Letters, 1991, Vol.59, No. 11, P. 1272-1274.

5. M. Adachi, H. Yukitake, M. Watanabe, K. Koizumi, H.C. Lee, T. Abe, H. Kasada, K. Ando. Mechanism of Slow-Mode Degradation in II-VI Wide Bandgap Compound Based Blue-Green Laser Diodes, phys. stat. sol. (b), 2002, Vol.229, No.2, P. 1049-1053.

6. P.F. Moulton, K.J. Snell, D.Lee, K.F. Wall, R. Bergstedt. High-power RGB laser source for displays. The IMAGE 2002 Conference, Scottsdale, Arizona, 8-12 July, 2002.

7. J. Chilla, S. Butterworth, A. Zeitshel, J. Charles, A. Caprara, M. Reed, L. Spinelli. High power optically pumped semiconductor lasers. 2004 Photonics West, Proc. of SPIE, Vol.5332, P. 143-150.

8. Н.Г. Басов, O.B. Богданкевич, A.C. Насибов. Электронно-лучевая трубка. Автор. Свидетельство №270100 (СССР), Бюл. №18, 1970.

9. Н.Г. Басов, О.В. Богданкевич, А.С. Насибов, А.Н. Печенов, В.И. Козловский, П.В. Шапкин, В.М. Каменев, И.М. Почерняев, В.П. Папуша. Электронно-лучевая трубка с полупроводниковым лазерным экраном. ДАН СССР, 1972, Т.205, №1, С.72-73.

10. А.С. Насибов. Полупроводниковые лазеры с продольной накачкой электронным пучком и их применения в устройствах записи, считывания и отображения информации. М., ФИАН, 1982 г.

П. В.Н. Уласюк. Сканирующий полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком. Фрязино, НПО «Платан», 1982 г.

12. О.В. Богданкевич, С.А. Дарзнек, П.Г. Елисеев. Полупроводниковые лазеры. М., Наука, 1976.

13. В.Н. Уласюк. Квантоскопы. М., Радио и связь, 1988.

14. В.П. Грибковский. Полупроводниковые лазеры. Минск, Университ., 1988.

15. Т. Honda, Т. Sakaguchi, F. Koyama, К. Iga, К. Inoue, Н. Munekata, Н. Kukimoto. Design and fabrication of ZnSe-based blue/green surface emitting lasers. J. Crystal Growth, 1996, Vol.159, P.595-599.

16. W.C. Tait, J.R. Packard, G.H. Dierssen, D.A. Campbell. End-Pumped Laser Emission from Cadmium Sulfide Selenide Bombarded by an Electron Beam. J. Appl. Phys. 1967, Vol.38, P.3035.

17. Benoit C, a la Guillaume, J.M. Debever, F. Salvan. Radiative Recombination in Highly Excited CdS. Phys. Rev., 1969, Vol.177, No.2, P.567-580.

18. В.Г. Лысенко, В.И. Ревенко, Т.Г. Тратас, В.Б. Тимофеев. Излучательная рекомбинация неравновесной электронно-дырочной плазмы в кристаллах CdS. ЖЭТФ, 1975, Т.68, С.335.

19. J. Ding, Н. Jeon, Т. Ishihara, М. Hagerott, A.V. Nurmikko, Н. Luo, N. Samarth, J. Furdyna Excitonic gain and laser emission in ZnSe-based quantum wells. Phys. Rev. Lett., 1992, Vol.69, P. 1707-1710.

20. В.И. Козловский, A.C. Насибов, A.H. Печенов, Ю.М. Попов. О механизме генерации в ЛЭ, выполненных из полупроводниковых соединений А2В6. Квантовая электроника. Квантовая электроника, 1979, Т.6, С. 189-196.

21. N.F. Mott. The transition to the metallic state. Phil.Mag. 1961, Vol.6, P.287-309.

22. В.И. Козловский, П.В. Резников. Диаграмма направленности излучения лазерных ЭЛТ. Труды ФИАН, 1991, Т.202, С.34-49.

23. P. Makowiak, W. Nakwaski. Threshold currents of nitride vertical-cavity surface-emitting lasers with various active regions MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1998, Vol.3, Article 35.

Л £■

24. Физика соединений А В , под ред. Георгобиани А.Н., Шейкмана М.К., М., Наука, 1986.

25. В.И. Козловский, А.С. Насибов, П.В. Резников. Определение времени жизни неравновесных носителей в сильно возбужденном полупроводнике. ФТП, 1979, Т. 13, С.1348-1451.

26. В.И. Козловский, Р.Ф. Набиев, А.С. Насибов, И.А. Полуэктов, Ю.М. Попов. Влияние электрон-фононного взаимодействия на процессы поглощения и индуцированного излучения в CdS. Квантовая электроника, 1982, Т.9, N.4, С.806.

27. Р.Ф. Набиев, Ю.М. Попов. Коэффициент оптического усиления в прямозонных полупроводниках. Труды ФИАН, 1991, Т.202, С.7-25.

28. С. Klingshirn. Properties of the electron-hole plasma in II-VI semiconductors J. Crystal Growth, 1992, Vol.117, P.753-757.

29. H. Haug, S.W. Koch. Semiconductor laser theory with many-body effects. Phys. Rev. A 1989, Vol.39, P. 1887-1898.

30. В.И. Козловский, A.C. Насибов, П.В. Резников. Характеристики излучения лазерного

экрана из CdS при 300 К. Квантовая электроника, 1981, Т.8, С.2493.

31. V.I. Kozlovsky, A.S. Nasibov, Yu.M. Popov, P.V. Reznikov, Ya.K. Skasyrsky. Full-color laser cathode ray tube (L-CRT) projector. Proc. SPIE, 1995, Vol.2407, P.313-320.

32. В.И. Козловский. Исследование полупроводниковых лазеров, возбуждаемых электронным пучком. Канд. диссерт., М., ФИАН, 1979.

33. S. Colak, J. Khurgin, W. Seemungal, A. Hebling. Threshold in electron-beam end-pumped II-VI lasers. J. Appl. Phys., 1987, Vol.62, P.2633.

34. В.Б. Халфин, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк. Многопроходные гетероструктуры: I Спектральные и угловые характеристики излучения. ФТП, 1976, Т.10, С.1490-1496.

35. П.Г. Елисеев. Введение в физику инжекционных лазеров. М., Наука, 1983.

36. О.В. Богданкевич, Б.А. Брюнеткин, С.А. Дарзнек, М.М. Зверев, В.А. Ушахин. Двумерные варизонные структуры в полупроводниковых лазерах с продольной накачкой. Квантовая электроника, 1978, Т.5, С.2035.

37. V.I. Kozlovsky, Yu.G. Sadofyev. Investigation of e - h pair in MBE grown ZnCdSe/ZnSe multiquantum wells at volume excitation by electron beam, J. Vac. Sci. Technol. B, 2000, Vol.18, No.3, P. 1538.

38. P.J. Parbrook, B. Henderson, K.P. O'Donnell, P.J. Wright, B. Cockayne. Critical thickness of common-anion II-VI strained layer superlattices (SLSs). J. Crystal Growth, 1992, Vol.117, P.492-496.

39. В.И. Козловский, П.А. Трубенко, E.M. Дианов, Ю.В. Коростелин, Я.К. Скасырский, П.В. Шапкин. Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией. Квантовая электроника, 1998, Т.25, С.305.

40. V.I. Kozlovsky, А.В. Krysa, Yu.V. Korostelin, Yu.G Sadofyev. MBE growth and characterization of ZnTe epilayers and ZnCdTe/ZnTe structures on GaAs(100) and ZnTe(100) substrates. J. Crystal Growth, 2000, Vol.214/215, P.35-39.

41. V.I. Kozlovsky, V.P. Martovitsky, Ya.K. Skasyrsky, Yu.G. Sadofyev, A.G. Turyansky. MBE growth of II-VI epilayers and QW structures on hexagonal ZnCdS and CdSSe. phys. stat. sol. (b), 2002, Vol.229, P.63-67.

42. V.I. Kozlovsky, V.P. Martovitsky, D.A. Sannikov, P.I. Kuznetsov, G.G. Yakushcheva, V.A. Jitov. MOVPE growth and characterization of hexagonal CdS epilayers and CdS-based QW structures on CdS and ZnCdS substrates. J. Crystal Growth, 2003, Vol.248, P.62-66.

43. В.И. Козловский, Б.М. Лаврушин. Лазерная электронно-лучевая трубка. Патент РФ

№2056665, опубл. 1996, бюл. №8; ЕР 0696094 Bl, publ. 1999, bul. 1999/41; US Patent 5687185.

44. H. Saito, К. Nishi, I. Ogura, S. Sugou, Y. Sugimoto. Room-temperature lasing operation of a quantum-dot vertical-cavity surface-emitting laser. Appl. Phys. Lett., 1996, Vol.69, P.3140.

45. L. V. Asryan, R. A. Suris. Inhomogeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot laser. Semicond. Sci. Technol., 1996, Vol. 11, P.554-567.

46. S. V. Ivanov, A. A. Toropov, S. V. Sorokin, Т. V. Shubina, I. V. Sedova, A. A. Sitnikova, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, F. Fischer, A. Waag, G. Landwehr. CdSe fractional-monolayer active region of molecular beam epitaxy grown green ZnSe-based lasers. Appl. Phys. Letters, 1999, Vol.74, No.4, P.498-490.

47. A.M. Ахекян, В.И. Козловский. Кластеризация изоэлектронной примеси теллура в твердом растворе ZnSi.xTex. КСФ ФИАН, 1988, №8, С. 19-21.

48. Ю.В. Коростелии, В.Г. Тихонов, П.В. Шапкин. Выращивание объемных монокристаллов сульфида кадмия и твердых растворов сульфоселенида кадмия длч лазерных ЭЛТ. Труды ФИАН, 1991, Т.202, С.201.

49. A. Jia, Т. Furushima, М. Kobayashi, Y. Kato, М. Shimotomai, A. Yoshikawa, К. Takahashi. Design of new UV/Blue/Green light emitters made of hexagonal-phase ZnMgCdOSSe mixed-crystal system fabricated on GaAs- and InP-(lll) substrates. J. Crystal Growth, 2000, Vol.214/215, P. 1085-1090.

50. P.L. Gourley, S.K. Lyo, T.M. Brennan, B.E. Hammons, C.F. Schaus, S. Sun. Lasing threshold in quantum well surface-emitting lasers: Many-body effects and temperature dependence, Appl. Phys. Lett., 1980, Vol.55, P.2698.

51. M. Nido, K. Naniwae, J. Shimizu, S. Murata, A. Suzuki. Analysis of defferential gain in InGaAs-InGaAsP compressive and tensile strained quantum-well lasers and its application for estimation of high-speed modulation limit, IEEE J. Quantum Electronics, 1993, Vol.29, P.885.

52. L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P-K.Lau and T. Makino. Threshold characteristics of InGaAsP/InP multiple quantum well Lasers Semicond. Sci. Technol., 2000, Vol.15, P. 1131-1140.

53. R.H. Yan, S.W. Corzine, L.A. Coldren and I. Suemune. Corrections to the expression for gain in GaAs IEEE J.Quantum Electron., 1990, Vol.26, P.213-216.

54. M. Rosenzweig, M. Mohrle, H. Duser and H. Venghaus. Threshold-current analysis of InGaAs-InGaAsP multiquantum well separate-confinement tasres IEEE J. Quantum Electron., 1991, Vol.27, P.1804-1810.

55. Т. Makino. Analytical formulas for the optical gain of quantum wells IEEE J. Quantum Electron., 1996, Vol.32, P.493-501.

56. G.P. Agrawal and N.K. Dutta. Long-Wavelength Semiconductor Lasers (New York: Van Nostrand Reinhold Company), 1986.

57. M. Asada, A. Kameyama and Y. Suematsu. Gain and intervalence band absorption in quantum-well lasers IEEE J. Quantum Electron., 1984, Vol.20, P.745-753.

58. В.И. Козловский, И.П. Казаков, В.Г. Литвинов, Я.К. Скасырский, А.О. Забежайлов, Е.М. Дианов. Электрофизические свойства и катодолюминесценция структур ZnSe/ZnMgSSe, Вестник Рязанской государственной радиотехнической академии, 2005, №16, С.79-84.

59. М.Р. Halsall, J.J. Davies, J.E. Nicholls, В. Cockayne and P.J. Wright. Photoluminescence of CdS/CdSe wurtzite superlattices and evidence for type II behaviour modified by piezoelectric fields. Journal of Luminescence, 1991, Vol.48-49, Part 2, P.735-739.

60. M. Борн, Э. Вольф. Основы оптики, М. Наука, 1978 г.

61. V.Yu. Bondarev, V.I. Kozlovsky, I.V. Malyshev, P.I. Kuznetsov, V.A. Jitov, G.G. Yakushcheva, L. Yu. Zakharov. Electron-beam pumped blue (462 nm) VCSEL on MOVPE grown ZnSSe/ZnMgSSe MQW structure, phys. stat. sol. (c), 2005, Vol.2, No.2, P.935-938.

62. U. Lunz, D. Jobsk, S. Einfeldt, C. R. Becker, D. Hommel, and G. Landwehr. Optical properties of ZnMgSSe epitaxial layers for blue-green laser. J.Appl. Phys., 1995, Vol.77, No. 10, P.5377-5380.

63. A.M. Ахекян, В.И. Козловский, Ю.В. Коростелин, П.В. Резников, В.Г. Тихонов, П.В. Шапкин. Твердые растворы в качестве активной среды ЛЭЛТ. Труды ФИАН, 1991, Т.202, СЛ28-143.

64. Н.-Е. Shin, Y.-G. Ju, H.-W. Song, D.-S. Song, II-Y. Han, J.-H. Ser, H.-Y. Ryu, Y.-H. Lee. High-finesse AlxOy/AlGaAs nonabsorbing optical cavity. Appl. Phys. Lett., 1998, Vol.72, No. 18, P.2205-2207.

65. В.И. Козловский, П.А. Трубенко, Ю.В. Коростелин, В.В. Роддатис. Распределенные брэгговские зеркала на основе ZnMgSe/ZnCdSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках ZnSe, ФТП, 2000, Т.34, №10, С. 1237-1243.

66. В.И. Козловский, А.С. Насибов, АН. Печенов, П.В. Резников, Я.К. Скасырский. Исследование лазерной электронно-лучевой трубки в режиме сканирования. Квантовая электроника, 1978, Т.5, N.3, С.487-494.

67. В.И. Козловский, А.С. Насибов, А.Н. Печенов. Тепловой режим работы экрана лазерной электронно-лучевой трубки (ЛЭЛТ). Препринт ФИАН. 1978, N.24, С. 1-35.

68. П.Г. Елисеев, Ю.М. Попов. Полупроводниковые лазеры. Квантовая электроника,

69.

70.

71

72.

73.

74.

75.

76

77.

78.

79.

80

81

82.

83

1997, Т.24, №12, С. 1067-1079.

O.B. Богданкевич. Полупроводниковые лазеры е накачкой электронным пучком. Квант, электроника, 1994, Т.21, №12, С. 1113-1136.

H. Hartmann, R. Mach, В. Selle. Wide gap II-VI compounds as electronic materials, in Current Topics in Materials Science edited by E. Kaldis, North-Holland Publishing Company, 1982, Vol.9, P. 1-414.

Физические величины. Справочник под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова, М., «Энергоатомиздат», 1991.

В.И. Козловский, A.C. Насибов, Ю.М. Попов, П.В. Резников. Непрерывный GaAs-лазер с электронной накачкой, Письма в ЖТФ, 1980, Т.6, №8, С. 463-467. В.И. Козловский, A.C. Насибов, П.В. Резников. Исследование непрерывного режима генерации в лазере на основе GaAs с накачкой электронным пучком, Квантовая электроника, 1982, Т.9, №11, С. 2211-2216.

А.Г. Брагинская, В.И. Козловский, Г.П. Колчина, Б.М. Лаврушин, П.В. Резников,

A.C. Насибов. Сканируемые и непрерывные лазеры на основе GaSb с продольной накачкой электронным пучком, Квантовая электроника, 1985, Т. 12, №4, С.845-848.

B.И. Козловский, A.C. Насибов, П.В. Резников. Сканируемые и непрерывные лазеры с продольной накачкой электронным пучком на основе InP, Труды ФИАН, 1991, Т.202, С.187-191.

П.Н. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника: Справочник, Киев: Наук. Думка, 1975, 704 с.

B.И. Козловский, П.В. Резников, Я.К. Скасырский. Расчет характеристик непрерывных лазеров с накачкой электронным пучком, Труды ФИАН, 1991, Т.202,

C. 192-200.

Ю.М. Попов. Методы получения состояний с отрицательной температурой в

полупроводниках. Труды ФИАН, М., «Наука», 1965, Т.37, С.3-73.

С.А. Klein. Power efficiency and quantum efficiencies of electron-beam pumped lasers.

IEEE J. Quantum Electronics, 1968, Vol. QE-4, №4, P. 186-194.

X. Кейси, M. Паниш. Лазеры на гетероструктурах. М., Мир, 1981.

Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках. М., Мир, 1973.

Ю.П. Гнатенко, М.В. Курик. Экситон-фононное взаимодействие в CdS. ФТТ, 1970,

Т. 12, С. 1143-1147.

В.И. Козловский, Х.Х. Кумыков, И.В. Малышев, Ю.М. Попов. Температурный режим работы лазерного экрана электронно-лучевой трубки (ЛЭЛТ). Квантовая электроника, 2002, Т.32, С.297-302.

84. C.E. Hurwitz. High power and efficiency in CdS electron beam pumped lases. Appl. Phys. Lett, 1966, Vol.9, P.420-423.

85. V. Daneu, D.P. DeGloria, A. Sanchez, F. Tong, R.M.Jr. Osgood. Electron-pumped high-efficiency semiconductor laser, Appl. Phys. Lett., 1986, Vol.49, № 10, P.546-548.

86. M.A. Манько, Г.Т. Микаэлян. Моды и их преобразование в активных полупроводниковых волноводах. Тр. ФИАН, 1986, Т. 166, С. 126-154.

87. О.В. Богданкевич, В.А. Гончаров, В.М. Лаврушин, B.C. Летохов, А.Ф. Сучков. Эффекты неоднородности возбуждения полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. ФТП, 1967, Т.1,№ 1,С.7-14.

88. С.А. Дарзнек, Л.А. Туманова. Неаксиальные типы колебаний в полупроводниковых лазерах с неоднородным возбуждением. Квантовая электроника. 1986, Т. 13, № 8, С. 1698-1700.

89. П.Г. Елисеев, А.П. Богатов. Явления в полупроводниковых лазерах, связанные с нелинейной рефракцией и влиянием носителей тока на показатель преломления. Тр. ФИАН, 1986,Т.166, С.15-51.

90. О.В. Богданкевич, М.М. Зверев, А.Н. Печенов, И.О. Сибиряк. О направленности излучения лазеров тина излучающее зеркало с электронной накачкой. Квантовая электроника, 1972, № 6, С. 110-111.

91. И.Л. Богданкевич, О.В. Богданкевич, С.А. Дарзнек, М.М. Зверев, Л.А. Туманова, В.А. Ушахин. Порог генерации и расходимость излучения полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком. Квантовая электроника. 1985. Т. 12, № 4. С.848-851.

92. О.В. Богданкевич, B.C. Летохов, А.Ф. Сучков. Теория эффектов неоднородности возбуждения полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. ФТП, 1969, Т.З, № 5, С.665-670.

93. С.Л. Баженов, О.В. Богданкевич, С.А. Дарзнек и др. О влиянии процессов миграции носителей на пороговые характеристики полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком. Квантовая электроника. 1980, Т.7, № 7, С. 1447-1450.

94. D.W. Langer. Temperature and pressure dependence of the index of refraction of CdS //J. Appl. Phys., 1966, Vol.37, № 9, P.3530-3532.

95. Н.Г. Басов, H E. Быковский, B.B. Иванов, В.И. Козловский, A.C. Насибов, Ю.В. Сенатский, Г.В. Склизков. Об импульсной селективной накачке активных элементов мощного неодимового лазера. Крат, сообщ. по физике ФИАН, 1982, № 8, С. 54-59.

96. Н.В. Карлов. Лекции по квантовой электронике. М.: Наука, 1983, 319 с.

97. В.И. Козловский, А С. Насибов, А Н. Печенов, Ю.М. Попов, О.Н. Таленский, П.В. Шапкин. Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS, CdSxSei-x и ZnSe. Квантовая электроника, 1977, Т.4, №.2, С.351-354.

98. Е. Kato, Н. Noguchi, М. Nagai, Н. Okuyama, S. Kijima, A. Ishibashi. Significant progress in II-VI blue-green laser diode lifetime. Electron. Lett., 1998, Vol.34, P.282-284.

99. U. Levy, R. A. Logan, Y. Niv. Laser cathode ray tube operation at room temperature, Allp. Phys. Lett., 1984, Vol.45, No.5, P.497-499.

100. E.I. Gordon, U. Levy. Semiconductor laser CRT. US Patent 4539687 (1985).

101. А.А. Губарев, Б.М. Лаврушин, Р.Ф. Набиев, А.С. Насибов, М.Н. Сыпченко, Ю.М. Попов. Инфракрасные лазерные элементы. Труды ФИАН, 1991, Т.202, С. 158.

102. В Н. Кацап, В.И. Козловский, В.Ю. Кручнов, А.В. Намм, АС. Насибов, В.Б. Новиков, П.В. Резников, В.Н. Уласюк. Использование гетероструктур в лазерах с продольной накачкой электронным пучком. Квантовая электроника, 1987, Т. 14, С. 1994-1997.

103. Н.Г. Басов, Е.М. Дианов, В.И. Козловский, А.Б. Крыса, А.С. Насибов, Ю.М. Попов, А.М. Прохоров, П. А. Трубенко, Е. А. Щербаков. Лазерная электронно-лучевая трубка на основе сверхрешетки ZnCdSe/ZnSe, работающая при Т = 300 К. Квантовая электроника, 1995, Т.22, №22, С.756-758.

104. N.G. Basov, Е.М. Dianov, V.I. Kozlovsky, А.В. Krysa, A.S.Nasibov, Yu.M. Popov, A.M. Prokhorov, P.A. Trubenko, E.A. Shcherbakov, Laser cathode-ray tubes using multilayer heterostructures, Laser Physics, 1996, Vol.6, P.608-611.

105. V.I. Kozlovsky, E.A. Shcherbakov, E.M. Dianov, A.B. Krysa, A.S. Nasibov, P.A. Trubenko. Electron beam pumped laser structures based on MBE grown ZnCdSe/ZnSe super lattices, J. Crystal Growth, 1996, Vol.159, P.609.

106. Козловский В.И., Трубенко П. А., Дианов E.M., Коростелин Ю.В., Скасырский Я.К., Шапкин П.В. Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией. Квантовая электроника, 1998, Т.25, С.305-307.

107. V.I. Kozlovsky, P.A. Trubenko, Y.K. Skasyrsky. E-beam pumped blue-green VCSEL based on ZnCdSe/ZnSe MQW structure grown by MBE on ZnSe substrate. Laser Physics, 1998, Vol.8, No.6, P. 1068.

108. V.Yu. Bondarev, V.I. Kozlovsky, A.B. Krysa, J.S. Roberts, Ya.K. Skasyrsky. Scanning e-beam pumped resonant periodic gain VCSEL based on an MOVPE-grown GalnP/AlGalnP

MQW structure, J. Crystal Growth, 2004, Vol.272, No. 1-4, P.559-563.

109. V.Yu, Bondarev, V.I. Kozlovsky, A.B. Krysa, J,S. Roberts, Ya.K. Skasyrsky. Scanning e-beam longitudinally pumped RT operable laser based on MOVPE-grown GalnP/AlGalnP MQW structure. Proceeding of 11th Intern. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, 23-28 June 2003. Int. J. Nanoscience, 2004, Vol.3, No. 1-2, P. 193-201.

110. В.И. Козловский, А.Б. Крыса, В.Г. Литвинов. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней, катодолюминесценция и вольт-емкостное профилирование квантово-размерных структур GalnP/AlGalnP. Вестник РГРТА "Электроника", 2003, №12, 81-86.

111. М. Yamada, S. Ogita, М. Yamagishi, and К. Tabata, "Anisotropy and broadening of optical gain in a GaAs/AlGaAs multiquantum-well laser", IEEE. J. Quantum Electron., 1985, Vol.21, P.640-645.

112. E. Yablonovitch, T. Gmitter, J.P. Harbison, R. Bhat. Extreme selectivity in the lift-off of epitaxial GaAs films. Appl. Phys. Lett., 1987, Vol.51, P.2222-2224.

113. S. Gehrsitz, F.K. Reinhart, C. Gourgon, N. Herres, A. Vonlanthen, H. Sigg. The refractive index of AlxGai_xAs below the band gap: Accurate determination and empirical modeling. J. Appl. Phys., 2000, Vol.87, P.7825-7837.

114. Y. Kaneko, K. Kishino. Refractive indices measurement of (GaInP)w/(AlInP)„ quasi-quaternaries and GalnP/AlInP multiple quantum wells. J. Appl. Phys., 1994, Vol.76, P.1809-1818.

115. T. Ohtoshi, T. Kuroda, A. Niwa, S. Tsuji. Dependence of optical gain on crystal orientation in surface-emitting lasers with strained quantum wells. Appl. Phys. Lett., 1994, Vol.65, P. 1886-1888.

116. M. Kuznetsov, F. Hakimi, R. Sprague and A. Mooradian, "High-power (>0.5-W cw) diode-pumped vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor lasers with circular ТЕМ00 beams", IEEE Photonics Technol. Lett., 1997, Vol.9, P. 1063-1065.

117. A.V. Shchegrov, J.P. Watson, D. Lee, A. Umbrasas, S. Hallstein, G.P. Carey, W.R. Hitchens, K. Scholz, B.D. Cantos, G. Niven, M. Jansen, J.M. Pelaprat, A. Mooradian. Development of compact blue-green lasers for projection display based on Novalux extended-cavity surface emitting laser technology. Proc. SPIE, 2005. Vol.5737, P. 113-119.

118. В В. Безотосный, Н.Ф. Глущенко, И.Д. Залевский, Ю.М. Попов, В.П. Семенков, Е.А. Чешев. Высокоэффективный компактный Nd3+:YAG-лазер на длине волны 1.064 мкм, работающий в непрерывном и импульсном режимах, с диодной накачкой и модуляцией добротности акустооптическим затвором. Квантовая электроника, 2005,

Т.35, С.507-510.

119. Н.Г. Басов, О.В. Богданкевич, А.Г. Девятков. Возбуждение полупроводникового квантового генератора пучком быстрых электронов. ДАН СССР, 1964, Т. 155, №4, С.783.

120. M.D. Tiberi, G. Sherman, V.I. Kozlovsky. The Laser cathode ray tube - A paradigm shift in illumination. SMPTE JOURNAL, 2002, Vol. 111, No.5, P.210-213.

121. A. Ishibashi, Y. Mori. Advances in blue laser diodes, J. Crystal Growth, 1994, Vol.138, P.677-685.

122. D. Albert, J. Nurberger, V. Hock, M. Ehinger, W. Faschinger, G. Landwehr. Influence of p-type doping on the degradation of ZnSe laser diodes, Appl. Phys. Lett., 1999, Vol.74, No. 14, P. 1957.

123. D. Hervé, R. Accomo, E. Molva, L. Vanzetti, J J. Paggel, L. Sorba, and A. Franciosi, Microgun-pumped blue lasers, Appl. Phys. Lett., 1995, Vol.67, P.2144-2146.

124. D. Hervé, J.M. Bonard, L. Vanzetti, J.J. Paggel, L. Sorba,,J.D. Ganiere, E. Molva, and A. Franciosi, Degradation of microgun-pumped blue lasers, J. Crystal Growth, 1996, Vol.159, P.600-604.

125. M.M. Зверев, H.А. Гамов, E.B. Жданова, Д.В. Перегудов, В.Б. Студенов, C.B. Иванов, C.B. Гронин, И.В. Седова, C.B. Сорокин, П.С. Копьев, Лазеры зеленого спектрального диапазона на основе CdSe/ZnSe наноструктур с накачкой электронным пучком с энергией менее 10 кэВ. Письма в ЖТФ, 2007, Т.ЗЗ, №24, С. 1-7.

126. М.М. Зверев, НА. Гамов, Е В. Жданова, Д.В. Перегудов, В.Б. Студенов, И.В. Седова, C.B. Сорокин, C.B. Гронин, C.B. Иванов, П.С. Копьев, Эффективный полупроводниковый лазер зеленого диапазона с электронно-лучевой накачкой на основе многослойных наноструктур AV. ФТП, 2008, Т.42, №12, С. 1478.

127. N.G. Basov, Е.М. Dianov, V.I. Kozlovsky, А.В. Krysa, A.S. Nasibov, Yu.M. Popov, A.M. Prokhorov, P. A. Trubenko, E.A. Shcherbakov. Blue-green electron beam pumped vertical-cavity surface-emitting laser using MBE grown modulated ZnCdSe/ZnSe superlattice,. Semiconductor Lasers: Advanced Devices and Applications, Vol.20, 1995 OSA Technical Digest Series, P. 100-102. (Optics Society of America, Washington, D.C., 1995).

128. A. Waag, Th. Litz, F. Fischer, H.-J. Lungauer, T. Baron, К Schull, U. Zehnder, T. Gerhard, U. Lunz, M. Keim, G. Reuscher, G. Landwehr, Novel beryllium containing II-VI compounds basic properties and potential applications, J. Crystal Growth, 1998, Vol. 184/185, P.l-10.

129. B.J. Fitzpatrick, Twelve reasons why II-VI compounds should be resistant to degradation, Proc. SPIE, 1994, Vol.2346, P. 192-198.

130. М.С. Tamargo, L. Zeng, W. Lin, S. Guo, Y.Y. Luo, Y.Guo, Y.C. Chen, B.J. Fitzpatrick. New materials for wide bandgap II-VI visible emitters: Proc. 2nd Int. Symp. Blue Laser & Light Emitting Diodes, Chiba, 1998 (Ohmsha, Tokyo, 1998) p.703.

131. V.I. Kozlovsky, V.Yu. Bondarev, D.A. Sannikov, P.I. Kuznetsov, G.G. Yakushcheva, K.P. O'Donnell, C. Trager-Cowan. E-beam pumped VCSEL on MOVPE-grown hexagonal CdSSe/CdS MQW structure. Int. J. Nanoscience, 2004, Vol. 3 No. 1-2, P.213-221

132. K.P. O'Donnell, C. Trager-Cowan, F. Sweeney, P.I. Kutzenov, V.A. Jitov, L.Yu. Zakharov, G.G. Yakushcheva, V.I. Kozlovsky, V.Yu. Bondarev, D.A. Sannikov, Development of CdSSe/CdS VCSELs for Application to Laser Cathode Ray Tubes, physica status solidi (a), 2004, Vol.201, No.4, P.673-677.

133. П.А. Трубенко, Молекулярно-пучковая эпитаксия квантово-размерных структур на основе ZnSe-содержащих соединений, Канд. диссертация, Москва, НЦ Волоконной оптики РАН, 1999 г.

134. Y. Kawakami, I. Hauksson, Н. Stewart, J. Simpson, I. Galbraith, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Exciton-related lasing mechanism in ZnSe-(Zn,Cd)Se multiple quantum wells. Phys. Rev. B, 1993, Vol.48, P. 11994-12000.

135. В.И. Козловский, A.C. Насибов, В.И. Решетов. О возможности снижения ускоряющего напряжения в лазерных ЭЛТ. Квантовая электроника. 1978, Т. 5, N.12, С.2624-2627.

136. Li-Hsin Kuo, Lourdes Salamanca-Riba, Bor-Jen Wu, and G. E. Hofler, Formation of screw-type misfit dislocations on the ZnSxSe!.x/GaAs interface Proc. SPIE, 1994, Vol.2346, P. 147-158.

137. D.B. Eason, Z. Yu, W.C. Hughes, C. Boney, J.W. Cook Jr., J.F. Schetzina, D R. Black, G. Cantwell, W,C. Harsch, High-brightness light-emitting diodes grown by molecular beam epitaxy onZnSe substrates, J. Vac. Sci. Technol. B, 1995, Vol.13, No.4, P. 1566-1570.

138. M.H. Jeon, L.C. Calhoun and R.M. Park, Molecular beam epitaxial growth of green light emitting diodes on ZnSe wafers, J. Electron. Mater., 1995, Vol. 24, P. 177-181.

139. Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky, A.S. Nasibov, P.V. Shapkin, Vapour growth and characterization of bulk ZnSe single crystals, J. Cryst. Growth, 1996, Vol.161, P. 51-56.

140. AC. Артемов, В.П. Алехин, H.A. Антохин, В.И. Кравченко, В.И. Лаптев. Тез. Докл. II Всес. конф. «Материалы халькогенидных и кислородносодержащих полупроводников», 1986, Т.1, С.84.

Л /Г

141. Т.К. Струкова, Изучение дислокаций в полупроводниках А В методами химического травления и просвечивающей электронной микроскопии, Дис. к.ф.-м.н., Черноголовка, 1982 г.

142. F.H. Pollak, M. Cardona. Piezo-Electroreflectance in Ge, GaAs, and Si. Phys. Rev., 1968, Vol.172, P.816-837.

143. G. Kudlek, J. Gutowski, Analysis of strain and impurity distribution in II-VI epilayers with optical methods, J. Luminescence, 1992, Vol.52, No. 1-4, P.55-69.

144. A. Toda, T. Kawasumi, D. Imanishi, A. Ishibashi, Blue-green ZnCdSe light-emitting diodes grown by MOCVD, Electron. Letters, 1995, Vol.31, No.3, P.235-237.

145. K. Ogata, D. Kawaguchi, N. Nishiyama, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita. Fabrication ofZnSe-based laser diode structures by photoassisted MOVPE, J. Crystal Growth, 1998, Vol. 184/185, P.554-557.

146. V.I. Kozlovsky, A.B. Krysa, W. Taudt, M. Heuken. Electron beam activation of acceptors in MOVPE ZnSe.N, J. Crystal Growth, 1998, Vol. 184/185, P.435-439.

147. H. Amano, M Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki. P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI). Jpn. J. Appl. Phys., 1989, Vol.28, P.L2112-L2114.

148. I. Akasaki, Progress and prospects of group Ш-nitride semiconductors, 2nd Int. Symp. on Blue laser and light emitting diodes, Chiba, Japan, Sept.29- Oct.2, 1998, p.9-14.

149. В.И. Козловский, А.Б. Крыса, П.И. Кузнецов, А.С. Насибов, АН. Печенов, Ю.М. Попов, В.Г. Тихонов, Г.Г. Якушева, Эпитаксиальные слои ZnSe и гетероструктуры ZnCdSe/ZnSe, выращенные из элементоорганических соединений, для лазеров с накачкой электронным пучком, Краткие сообщения по физике ФИАН, 1996, №3-4, С. 15-22.

150. Д.А. Санников. Эпитаксия низкоразмерных гетероструктур соединений А2Вб и создание лазеров с катодно-лучевой накачкой на их основе, Диссерт. к.ф.-м.н., Москва, ФИАН, 2006 г.

151. В.И. Козловский, Д.А. Санников. Моделирование парофазной эпитаксии из металлорганических соединений пленок CdS, CdSe, ZnSe и ZnS. «ЭЛЛФИ», 2006 №15: Препринт ФИАН 2006, № 19, С.1-19.

152. В.И. Кунцевич. Выращивание методом ПФЭМОС и термодинамический анализ состава полупроводниковых твёрдых растворов соединений АгВ6. Дипломная работа, М., МИФИ, 2008 г.

153. М. Strapburg, М. Kuttler, U.W. Pohl, D. Bimberg. Diffusion of Cd, Mg and S in ZnSe-based quantum well structures, Thin Solid Films, 1998, Vol.336, P.208-212.

154. M.K. Chai, M.K. Chai, S.F. Wee, K.P. Homewood, W.P. Gillin, T. Cloitre, R.L. Aulombard, An optical study of interdiffusion in ZnSe/ZnCdSe, Appl. Phys. Lett., 1996, Vol.69, P. 1579-1561.

155. A. Rosenauer, Т. Reisinger, Е. Steinkirchner, J. Zweck and W. Gebhardt, High resolution transmission electron microscopy determination of Cd diffusion in CdSe/ZnSe single quantum well structures, J. Ciystal Growth, 1995, T.152, C.42-50.

156. J.S. Song, S.H. Seo, M.H. Oh, J.H. Chang, M.W. Cho, T. Yao. Suppression of impurity interdiffusion in heteroepitaxy by inserting a low-temperature buffer layer in between the epilayer and the substrate. J. Crystal Growth, 2004, Vol.261, P. 159-163.

157. F.S. Gard, J.D. Riley, M.G. Dowsett, K. Prince. The effect of Se and Zn pre-deposition on thermal diffusion of elements across the ZnSe/GaAs interface studied by SIMS. Appl. Surface Science, 2003, Vol.203-204, P.490-494.

158. M. Lopez-Lopez, A. Guillen-Cervantes, Z. Rivera-Alvarez, I. Hernendez-Calderon. Hillocks formation during the molecular beam epitaxial growth of ZnSe on GaAs substrates. J. Crystal Growth, 1998, Vol.193, P.528-534.

159. Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky. Vapour growth of ZnSxSei-x single crystals, phys. stat. solidi (b), 2002, Vol.229, No.l, P.5-9.

160. M.M. Henneberg, D.A. Stevenson. Zn and Se selfdiffusion in ZnSe. phys. stat. sol. (b), 1971, Vol.48, P.255-269.

161. В.И. Козловский, Ю.Г. Садофьев, В.Г. Литвинов. Разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе Zn(Cd)Te, Zn(Cd)Se: расчет и эксперимент. Известия АН. Серия физическая, 2001, Т.65, №2, С.298-301.

162. С В. O'Donnell, G. Lacey, G. Horsburgh, A.G. Cullis, C.R. Whitehouse, P.J. Parbrook, W. Meredith, I. Galbraith, P. Mock, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Measurements by X-ray topography of the critical thickness of ZnSe grown on GaAs. J. Crystal Growth, 1998, Vol. 184/185, P.95-99.

163. Ж.И. Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур ФТП, 1998, Т.32, С.3-18.

164. К. Leonardi, Н. Heinke, К. Ohkawa, D. Hommel, Н. Selke, F. Gindele, U. Woggon. CdSe/ZnSe quantum structures grown by migration enhanced epitaxy: Structural and optical investigations. Appl. Phys. Lett., 1997, T.71, C.1510-1512.

165. H. Kirmse, R. Schneider, M. Rabe, W. Neumann, F. Henneberger. Transmission electron microscopy investigation of structural properties of self-assembled CdSe/ZnSe quantum dots. Appl. Phys. Lett., 1998, Vol.72, P.1329-1331.

166. C.S. Kim, M. Kim, S. Lee, J.K. Furdyna, M. Dobrowolska, H. Rho, L.M. Smith, H.E. Jackson, J.L. Merz. Optical observation of quantum-dot formation in sub-critical CdSe layers grown on ZnSe. J. Cryst. Growth, 2000, Vol.214/215, P.761-764.

167. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, I.V. Sedova, P.S.

Kop'ev, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. Growth and excitonic properties of single fractional monolayer CdSe/ZnSe structures. J. Appl. Phys., 1998, Vol.83, P.3168-3170.

168. P A. Trubenko, V.I. Kozlovsky, V.V. Roddatis. Cathodoluminescence and ТЕМ studies of MBE-grown CdSe submonolayers in ZnSe matrix, cladded by ZnSSe, ZnSe and ZnMgSe. J. Cryst. Growth, 2000, Vol.214/215, P.671-675.

169. K. Arai, T. Hanada, T. Yao. Self-organized formation processes of CdSe quantum dots studied by reflection high-energy electron diffraction. J. Cryst. Growth, 2000, Vol.214/215, C.703-706.

170. V.I. Kozlovsky, Yu.G. Sadofyev, Ya.K. Skasyrsky. E-beam irradiation effect on CdSe/ZnSe QDs formation by MBE, 9-th International Symposium Nanostructures:Physics and Technology, June 18-22, 2001, St.Petersburg, Russia; Proceedings, Ioffe Inst., St.Petersburg, 2001, P.59-62.

171. J.J. Dudowski, C.Ni. Allen, S. Fafard. Laser-induced InAs/GaAs quantum dot intermixing. Appl. Phys. Lett., 2000, Vol.77, P.3583-3585.

172. Z.R. Wasilewski, S. Fafard, J.P. McCaffrey. Size and shape engineering of vertically stacked self-assembled quantum dots. J. Cryst. Growth, 1999, Vol.201/202, P. 1131.

173. V.G. Litvinov, V.I. Kozlovsky, Yu.G. Sadofyev. Deep-level transient spectroscopy and cathodoluminescence of the CdSe/ZnSe QD structures grown on GaAs(100) by MBE, phys. stat. solidi (b) 2002, V.229, No.l, P.513-517.

174. В.И. Козловский, Ю.М. Попов. Порог и кпд лазерной электронно-лучевой трубки при Т = 300 К. Квантовая электроника, 2003, Т.ЗЗ, №1, С.48-56.

175. Y. Endoh, Y. Kawakami, Т. Taguchi, A. Hiraki. Structural and Photoluminescence Characterization of CdS/GaAs Films and CdS-ZnS Strained-Layer Superlattices Grown by Low-Pressure MOCVD Method. Jpn. J. Appl. Phys., 1988, Vol.27, P.L2199-L2202.

176. M.P. Halsall, J.E. Nicholls, J.J. Davies, P.J. Wright, B. Cockayne. Photoluminescence studies of CdS/CdSe wurtzite superlattices; Evidence for large piezoelectric effects. Surface Science, 1990, Vol.228, P.41-44.

177. D.R.T. Zahn, G. Kudlek, U. Rossow, A. Hoffmann, I. Broser, W. Richter. Phase transition from the cubic to the hexagonal modification in thin CdS films on InP(llO). Adv. Mater. Opt. Electron., 1994, Vol.3, P. 11-14.

178. M. Hetterich, S. Petillon, W. Petri, A. Dinger, M. Grun, C. Klingshirn. Wurtzite ZnxCdbxS layers grown by combining MBE and hot-wall beam epitaxy. J. Crystal Growth, 1996, Vol.159, P.81-84.

179. I.V. Bradley, J.P. Creasey, K.P. O'Donnell. Space-charge effects in type-II strained layer

supelattices, J. Crystal Growth, 1998, Vol. 184/185, P.728-731.

180. H. Umeya, K. Kitamura, A. Jia, M. Shimotomai, Y. Kato, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, K. Takahashi. Growth of hexagonal ZnCdS on GaAs(l 1 1)B and (0 0 1) substrates by MBE, J. Crystal Growth, 2000, Vol.214/215, C.192.

181. N. Matsumura, J. Ueda, J. Saraie. Molecular Beam Epitaxial Growth of Hexagonal CdSe and ZnCdSe on Cubic GaAs(lll)B Substrates. Jpn. J. Appl. Phys., 2000, Vol.39, P.L1026-1028.

182. S.-A. Park, H.-J. Song, W.-T. Kim, H.-G. Kim, M.-S. Jin, C.-D. Kim, C.-S. Yoon. Photoluminescence properties ofMg*Zni -xSe single crystals. J. Appl. Phys., 1998, Vol.83, P.3429-3431.

183. W. Lin, M.C. Tamargo, J. Steiner, H.-Yi. Wei, W.Sarney, L. Salamanca-Riba, B.J. Fitzpatrick. Growth and characterization of hexagonal (Zn,Mg)(S,Se) bulk substrates. J. Crystal Growth, 2000, Vol.212, P.83-91.

184. W. Lin, M.C. Tamargo, H.Y. Wei, W.Sarney, L. Salamanca-Riba, B.J. Fitzpatrick. Molecular-beam epitaxy growth and nitrogen doping of hexagonal ZnSe and ZnCdSe/ZnSe quantum well structures on hexagonal ZnMgSSe bulk substrates. J. Vac. Sci. Technol. B, 2000, Vol.18, P.1711-1715.

185. A.A. Давыдов, B.H. Ермолов, C.B. Неустроев, Л.П. Павлова. Рост из паровой фазы ориентированных монокристаллов CdS и CdSe диаметром до 100 мм. Неорг. Матер., 1992, Т.28, С.32-37.

186. A. Zur, Т.С. McGill, Lattice match: An application to heteroepitaxy, J. Appl. Phys., 1984, Vol.55, P.378-386.

187. В.П. Мартовицкий, В.И. Козловский, П.И. Кузнецов, ЯК. Скасырский, Г.Г. Якушева. Слоистое строение пленок Zni.xCdxSe, выращенных парофазной эпитаксией из металлоорганических соединений на подложках Cdo.92Zno.o8S(0001), ФТП, 2003, Т.37, №3, С.310-317.

188. В.Н. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев, Наука, 1987.

189. Y. Kanemitsu, Т. Nagai, Т. Kushida, S. Nakamura, Y. Yamada, Т. Taguchi. Free excitons in cubic CdS films. Appl. Phys. Lett., 2002, Vol.80, P.267.

190. H.P. Григорьева, P.B. Григорьев, Е.П. Денисов, Б.А. Казеннов, Б.В. Новиков, Д.Л. Федоров. Исследование рентгеновскими и оптическими методами твердых растворов CdSi.xSex с дефектами упаковки. ФТТ, 2000, Т.42, С. 1570-1578.

191. R. Scarmozzino. Photovoltaic properties of ZnS crystals and a comparative study with luminescence. J. Appl. Phys., 1972, Vol.43, P.4652-4657.

192. S. Permogorov, A. Reznitsky. Effect of disorder on the optical spectra of wide-gap II-VI semiconductor solid solutions. J. Luminescence, 1992, Vol.52, P.201-223.

193. H. Priller, M. Schmidt, M. Dremel, M. Grün, A. Toropov, E.L. Ivchenko, H. Kalt, С. Klingshirn. Density dependent luminescence properties of CdS/ZnSe single quantum wells, phys. stat. sol. (c), 2004, Vol.1, P.747-750.

194. M. Dremel, H. Priller, M. Grün, С. Klingshirn, V. Kazukauskas. Electrical and optical properties of the CdS quantum wells of CdS/ZnSe heterostructures J. Appl. Phys., 2003, Vol.93, P.6142-6149.

195. R. Akimoto, K. Akita, F. Sasaki, T. Hasama. Sub-picosecond electron relaxation of near-infrared intersubband transitions in и-doped (CdS/ZnSe)/BeTe quantum wells. Appl. Phys. Lett., 2002, Vol.81, P.2998-3000.

196. D.E. Sviridov, V.l. Kozlovsky. Illumination effect on multiple quantum well heterostructure visualization with scanning spreading resistance microscopy, Proc. of 17th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology", Minsk, Belarus, June 22-27, 2009, p.46-47.

197. V.l. Kozlovsky, D.A. Sannikov, V.G. Litvinov, N.B. Rybin. Cathodoluminescence and current DLTS of MOVPE-grown CdS/ZnSSe QW structures. Journal of the Korean Physical Society, 2008, Vol.53, No.5, P.2864-2866.

198. В.И. Козловский, Д.А. Санников, Д.Е. Свиридов. Наноразмерные гетероструктуры ZnCdS/ZnSSe для полупроводниковых лазеров. Краткие сообщения по физике, 2008, № 2, С.3-10.

199. Т. Tawara, М. Arita, К. Uesugi, I. Suemune, MOVPE growth of ZnSe/ZnS distributed Bragg reflectors on GaAs(100) and (311)B substrates, J. Crystal Growth, 1998, Vol.184/185, P.777-782.

200. T. Tawara, I. Suemune, S. Tanaka. MOVPE growth of ZnSe/ZnMgS distributed Bragg reflectors with high refractive-index contrast. J. Crystal Growth, 2000, Vol.214/215, P.1019-1023.

201. T. Tawara, H. Yoshida, T. Yogo, S. Tanaka, I. Suemune. Microcavities with distributed Bragg reflectors based on ZnSe/MgS superlattice grown by MOVPE. J. Crystal Growth, 2000, Vol.221, P.699-703.

202. P. Uusimaa, P. SipilaK, M. Saarinen, L. Toikkanen, A. Rinta-MoKykky, M. Pessa. Molecular beam epitaxy growth of MgZnSSe/ZnSSe/CdZnSe microcavity light-emitting diodes using in situ reflectance monitoring. J. Crystal Growth, 1999, Vol.201/202, P. 10321035.

203. P.A. Troubenko, V.l. Kozlovsky, T. Yao, Y.V. Korostelin, V.V. Roddatis. Homoepitaxial

distributed Bragg structures grown by MBE on ZnSe substrates. J. Crystal Growth, 2001, Vol.227-228, P.699-704.

204. A.B. Krysa, V.Yu. Bondarev, Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky,P.V. Shapkin, H. Kalisch, J. Kluth, M. Heuken, K. Heime. ZnSSe/ZnMgSSe distributed Bragg mirrors. Annual Report of Inst. Halbleitertechnik, RWTH Aachen, 1999, p.74.

205. А.Б. Крыса, В.И. Козловский, Ю.В. Коростелин, П.В. Шапкин, П.И. Кузнецов, Г.Г. Якушева. Катодолюминесцентное исследование гомоэпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных методом парофазной эпитаксии из элементноорганических соединений. Краткие сообщения по физики ФИАН, 1999, №4, 16-22.

206. F.C. Peiris, S. Lee, U. Bindley, J.K. Furdyna. Wavelength dependence of the indices of refraction of molecular beam epitaxy-grown ZnMgSe and ZnCdSe thin films measured by two complementary techniques. J. Appl. Phys., 1999, Vol.86, P.918.

207. U. Lutz, J. Kuhn, F. Goschenhofer, U. Schiissler, S. Einfeldt, C.R. Becker, G. Landwehr. Temperature dependence of the energy gap of zinc-blende CdSe and Cd(l-x)Zn(x)e epitaxial layers. J. Appl. Phys., 1996, Vol.80, P.6861-6863.

208. B. Jobst, D. Hommel, U. Lutz, T. Gerhard, G. Landwehr. Eq band-gap energy and lattice constant of ternary Zni _ rMgxSe as functions of composition. Appl. Phys. Lett., 1996, Vol.69, P.97-99.

209. H.H. Берченко, B.E. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение, AnBVI. Справочник. Военное издательство МО СССР, М. 1982.

210. Y.H. Wang, К. Tai, Y.F. Hsieh, S.N.G. Chu, J.D. Wynn, A Y. Cho. Observation of reduced current thresholds in GaAs/AlGaAs vertical-cavity surface-emitting lasers grown on 4° off-orientation (001) GaAs substrates Appl. Phys. Lett., 1990, Vol.57, P. 1613-1615.

211. J. Faist, J.-D. Ganiere, Ph. Buffat, S. Sampson, F.-K. Reinhart. Characterization of GaAs/(GaAs)n(AlAs)m surface-emitting laser structures through reflectivity and highresolution electron microscopy measurement. J. Appl. Phys., 1989, Vol.66, P. 1023-1032.

212. H.L. Wang, F.H. Yang, S.L. Feng, H.J. Zhu, D. Ning, H. Wang, X. D. Wang. Experimental determination of local Strain effect on InAs/GaAs self-organized quantum dots. Phys. Rev. B, 2000, Vol.61, P.5530-5534.

213. G. Lerondel, R. Romestain. Fresnel coefficients of a rough interface. Appl. Phys. Lett., 1999, Vol.74, C.2740-2742.

214. VP. Gribkovskii, L.G. Zimin, S.V. Gaponenko, I.E. Malinovskii, P.I. Kuznetsov, G.G. Yakushcheva. Optical Absorption near Excitonic Resonance of MOCVD-Grown ZnSe Single Crystals, phys. stat. sol. (b), 1990, Vol.158, P.359-366.

215. L. Samuel, Y. Brada, A. Burger, M. Roth. Urbach rule in mixed single crystals of ZnxCdi.

xSe. Phys. Rev. B, 1987, Vol.36, P. 1168-1173.

216. Yu.V. Gulyaev, L.Yu. Zaharov, P.I. Kuznetsov, A.P. Chernushich, G.G. Yakushcheva, V.A. Luzanov, Yu.L. Kopylov, V.B. Kravchenko, T.S. Stepanova, V.V. Shemet. Superlattice ZnS^SeiVZnS^Sei-y on (100) GaAs obtained by a photoassistant metal-organic chemical vapour deposition method. Thin Solid Films, 1988, Vol.163, P.475-478.

217. K. Shahzad, J. Petruzzello, D. J. Olego, D. A. Cammack, and J. M. Gaines. Correlation between radiative transitions and structural defects in zinc selenide epitaxial layers. Appl. Phys. Lett, 1990, Vol.57, P.2452-2454.

218. Itoch S., Nakano K., Ishibashi A. Current status and future prospects of ZnSe-based light-emitting devices. J. Cryst. Growth., 2000, Vol.214/215, P. 1029-1034.

219. D C. Grillo, J. Han, M. Ringle, G. Hua, R.L. Gunshor, P. Kelkar, V. Kozlov, H. Jeon, A.V. Nurmikko. Blue ZnSe quantum-well diode laser. Electron. Lett., 1994, Vol.30, P.2131-2133.

220. A.C. Tropper, H.D. Foreman, A. Garnache, K G. Wilcox, S.H. Hoogland. Vertical-external-cavity semiconductor lasers. J. Phys. D: Appl. Phys., 2004, Vol.37, P.R75-R85.

221. S.V. Sorokin, I.V. Sedova, A.A Toropov, G.P. Yablonskii, E.V. Lutsenko, A.G. Voinilovich, A.V. Danilchyk, Y. Dimke, H. Kalisch, B. Schineller, M. Heuken, S.V. Ivanov. High efficiency integral III-N/II-VI blue-green laser converter. Electron Lett., 2007, Vol.43, No.3, P.162-163.

222. V.S. Sorokin, S.V. Sorokin, V.A. Kaygorodov, S.V. Ivanov. Instability and immiscibility regions in MgxZni-xSySei.y alloys. J. Cryst. Growth, 2000, Vol.214/215, P. 130-134.

223. B.J. Wu, J.M. DePuydt, G.M. Haugen, GE. Hofler, M.A. Haase, H. Cheng, S. Guha, J. Qiu, L.H. Kuo, L. Salamanca-Riba. Wide band gap MgZnSSe grown on (001) GaAs by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 1995, Vol.66, P.3462.

224. H. Kalisch, M. Lünenbürger, H. Hamadeh, J. Xu, M. Heuken. Optimized metalorganic vapour phase epitaxy of ZnMgSSe heterostruetures. J. Cryst. Growth, 1998, Vol. 184/185, P.129-133.

225. G.C. Hua, N. Otsuka, D.C. Grillo, J. Han, L. He, R.L. Gunshor. Phase separation in ZnSei_xSx and Zni-yMgySei-xSx layers grown by molecular beam epitaxy. J. Cryst. Growth, 1994, Vol.138, P.367-372.

226. S. Tomiya, H. Okuyama, A. Ishibashi. Relation between interface morphology and recombination-enhanced defect reaction phenomena in II-VI light emitting devices. Appl. Surface Science, 2000, Vol. 159-160, P.243-249.

227. В.Ю. Бондарев, В.И. Козловский, А.Б. Крыса, Ю.М. Попов, Я.К. Скасырский. Однородность излучения лазерной ЭЛТ на основе низкоразмерной структуры

GalnP/AlGalnP с резонансно-периодическим усилением. Квантовая электроника, 2004, Т.34, С.919-923.

228. D.C. Grillo, M.D. Ringle, G.C. Hua, J. Han, R.L. Gunshor, M. Hovinen, A.V. Nurmikko. Issues of II-VI molecular-beam epitaxy growth toward a long lifetime blue/green laser diode. J. Vac. Sei. Technol. B, 1995, Vol.13, P.720-723.

229. D.W. Parenta, A. Rodriguez, J.E. Ayers, F.C. Jain. The photoassisted MOVPE growth of ZnMgSSe. J. Cryst. Growth, 2001, Vol.224, P.212-217.

230. J. Petruzzello, B.L. Greenberg, D.A. Cammack, R. Dally. Structural properties of the ZnSe/GaAs system grown by molecular-beam epitaxy J. Appl. Phys., 1988, Vol.63, P.2299-2303.

231. G. Freymann, D. Lüerßen, Rabenstein, Mikolaiczyk, H. Richter, H. Kalt, Th. Schimmel, M. Wegener, K. Okhawa, D. Hommel. Near-field photoluminescence imaging of single defects in a ZnSe quantum-well structure at low temperature. Appl. Phys. Letters, 2000, Vol.76, P.203-206.

232. C. Bradford, C.B. O'Donnell, B. Urbaszek, A. Balocchi, C. Morhain, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Growth of zinc blende MgS and MgS/ZnSe quantum wells by MBE using ZnS as a sulphur source. J. Cryst. Growth, 2001, Vol.227-228, P.634-638.

233. T. Walther, Measurement of diffusion lengths in quaternary semiconducting thin layers by spectrum imaging, Physica B, 2001, Vol.308-310, P. 1161-1164.

234. A.M. Афанасьев, П.А. Александров, P.M. Имамов. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев, М.: Наука, 1989,152 с.

235. O.K. Колеров, В.Г. Скрябин, М.Ф. Калышенко и др., Заводская лаборатория, 1985, Т.51, С.46.

236. A. Krost, G. Baur, J. Woitok. High resolution X-ray diffraction. In "Optical characterization of epitaxial semiconductor layers" edited by G. Bauer, W. Richter, Springer-Verlag Telos, 1996,P.287.

237. Christian Teichert. Self-organization of nanostructures in semiconductor heteroepitaxy Physics Reports, 2002, Vol.365, P.335-432.

238. S.V. Alyshev, AO. Zabezaylov, R. A. Mironov, V.l. Kozlovsky and E.M. Dianov. 3 watt scanning blue VCSEL with electron-beam pumping based on MBE grown ZnCdSe/ZnMgSSe structure, Proc. of 16th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" Vladivostok, Russia, July 14-18, 2008, p. 19-20.

239. A.B. Krysa, Yu.V. Korostelin, V.l. Kozlovsky, P.V. Shapkin, H. Kaiisch, R. Rußland, M. Heuken , K. Heime, ZnSe/ZnMgSSe QW structures grown by MOVPE on transparent ZnSSe substrates, Microelectronic Engineering, 2000, Vol.51-52, P. 19-26.

240. Harumasa Yoshida, Yoji Yamashita, Masakazu Kuwabara, Hirofiimi Kan. Demonstration of an ultraviolet 336 nm AlGaN multiple-quantum-well laser diode. Appl. Phys. Lett, 2008, Vol.93, P.241106.

241. http://www.nichia.co.jp/specification/ld/NDUl 113E-E.pdf

242. V. Sallet, A. Lusson, M. Rommeluere, 0. Gorochov. MOCVD growth and characterization of ZnS and Zni-xMgcS alloys. J. Crystal Growth, 2000, Vol.220, P.209-215.

243. K. Prior, S. Telfer, X. Tang, C. Morhain, B. Urbaszek, C. O'Donnell, P. Tomasini, A. Balocchi, B. Cavenett Growth of (Zn,Cd)S and (Zn,Mg)S containing structures on GaP. J. Cryst. Growth, 2001, Vol.227-228, P.655-659.

244. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai. Superbright Green InGaN Single-Quantum-Well-Structure Light-Emitting Diodes. Jpn. J. Appl. Phys., 1995, Vol.34, P.L1332-L1335.

245. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes. Jpn. J. Appl. Phys., 1996, Vol.35, P.L74-L76.

246. S. Nakamura. Characteristics Of Room Temperature-CW Operated InGaN Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes. MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, 1997, Vol.2, Article 5.

247. A.S. Nasibov, V.I. Kozlovsky, P.V. Reznikov, Ya.K. Skasyrsky, Yu.M. Popov. Full color TV projector based on АгВ6 electron-beam pumped semiconductor lasers. J. Cryst, Growth, 1992, Vol.117, P. 1040-1045.

248. M.A. Каменский, В.И. Козловский, E.B. Марков, A.C. Насибов, Я.К. Скасырский. Лазерная ЭЛТ с экраном из ZnO в качестве УФ источника в устройстве проекционного экспонирования. Письма в ЖТФ, 1990, Т. 16, N.3, С.39-43.