Полупроводниковые структуры для мембранных кремниевых фотоэлектрических преобразователей тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Максимов, Юрий Алексеевич

• Максимов, Юрий Алексеевич
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Максимов, Юрий Алексеевич

ВВЕДЕНИЕ

1 СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ТЕХНОЛОГИИ КРЕМНИЕВЫХ

СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ 1.1 Зарубежные и отечественные фотопреобразователи для солнечных

1.3 Методы контроля электрических параметров солнечных элементов

1.4 Технологические решения, направленные на снижение отражения

2 МЕТОДЫ ОЦЕНКИ И ОПТИМИЗАЦИИ ОСНОВНЫХ 33 ПАРАМЕТРОВ СТРУКТУР ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

2.1 Методика определения рекомбинационных параметров кремниевых 33 структур солнечных элементов

2.2 Определение тока короткого замыкания солнечных элементов по 35 измерению спектральной ампер-ваттной чувствительности

2.3 Анализ чувствительности солнечных элементов в ультрафиолетовой 38 области спектра

2.4 Методика и программа для оптимизации параметров многослойных 42 антиотражающих покрытий и структур солнечных элементов

2.5 Выводы по главе

3 РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ И МЕТОДИК КОНТРОЛЯ 50 ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ДЛЯ КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

3.1 Анизотропное травление и изготовление экспериментальных 50 мембранных образцов структур солнечных элементов на пластинах кремния с ориентацией [100]

3.2 Прецизионная регулировка толщины диффузионного слоя батарей

1.2 Технологические решения света

1.5 Выводы по главе элементов солнечных батарей

3.3 Оптимизация топологии металлизации солнечных элементов

3.4 Стенд для измерения спектральной зависимости тока короткого 73 замыкания солнечных элементов

3.5 Контроль механических напряжений в элементах солнечных батарей 76 и полупроводниковых структурах

3.6 Выводы по главе 80 4 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ

АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПЛЕНОК В КАЧЕСТВЕ ПРОСВЕТЛЯЮЩИХ И ЗАЩИТНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ

4.1 Получение АПП и исследование их электрофизических параметров

4.2 Исследование возможности применения АПП в технологии 91 изготовления СЭ

4.3 Влияние облучения на свойства алмазоподобных пленок и 97 солнечных элементов, покрытых алмазоподобными пленками

4.4 Выводы по главе 100 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 101 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 102 ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Текст программы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Полупроводниковые структуры для мембранных кремниевых фотоэлектрических преобразователей»

Первый солнечный элемент (СЭ) был создан Чапеном, Фуллером и Пирсоном в 1954 г. на основе диффузионного кремниевого р-п перехода. Впоследствии Рейнольде и др. разработали СЭ на сульфиде кадмия. Затем СЭ были созданы на многих других полупроводниках с использованием различных конструкций прибора и применением монокристаллических и поликристаллических материалов и аморфных тонкопленочных структур [1].

Широкое практическое использование для энергетических целей солнечных батарей (СБ) началось с запуском в 1958 году искусственных спутников Земли - советского «Спутник-3» и американского «Авангард-1». С этого времени вот уже более 45 лет полупроводниковые СБ являются основным источником энергоснабжения космических аппаратов и больших орбитальных станций.

Электропитание бортовой аппаратуры обеспечивается СБ и буферным источником питания. Мощность СБ зависит от технологии изготовления элементов и того, насколько рационально они размещены. Чем больше размах развертываемой в космосе панели СБ, тем больше мощность системы электропитания. В современных аппаратах размах панели СБ составляет от 15 до 25 м.

Актуальность работы

Совершенствование энерго-массовых характеристик систем энергоснабжения космических аппаратов, основанных на фотопреобразовании солнечной энергии в электрическую, являлось актуальной научно-технической задачей в течение всего времени существования практической космонавтики, так как непосредственно влияло на эффективность применения космических средств. Возникшая в последние годы потребность увеличения сроков активного существования космических аппаратов до 10-15 лет и увеличения их энерговооруженности серьезно выявила проблему повышения начальной эффективности СЭ, снижения веса СБ и уменьшения деградационных потерь в течение срока активного существования летательных аппаратов и спутников [2].

Таким образом, возникает ряд задач, в том числе и конструкторско-технологического характера. Увеличение чувствительности СЭ в ультрафиолетовой области спектра и повышение радиационной стойкости возможно, во-первых, за счет уменьшения глубины залегания р-п-перехода, во-вторых, за счет уменьшения толщины самого СЭ. Это же позволит одновременно значительно снизить массу СБ.

Реализация этих задач требует создания методики комплексного контроля параметров как уже готовых СЭ, так и на различных этапах технологического процесса их изготовления, а главное - требуется усовершенствование технологии изготовления структур для таких СЭ.

Цель работы

Разработка технологии изготовления мембранных полупроводниковых структур для использования в СЭ космического назначения.

Для достижения указанной цели в процессе работы решались следующие задачи:

- разработка новых методик определения свойств СЭ;

- анализ влияния «мертвого слоя», т.е. слоя, не вносящего вклад в фототок, вблизи лицевой поверхности на параметры СЭ;

- разработка новых методик и программ для расчета многослойных просветляющих покрытий;

- создание методики определения и разработка программ для расчета тока короткого замыкания СЭ по спектральной чувствительности с подсветкой;

- разработка методик и аппаратуры для исследования спектральной чувствительности СЭ, параметров диэлектрических и металлических слоев СЭ, определения механических напряжений, толщины и показателя преломления диэлектрических и просветляющих слоев СЭ;

- разработка технологии «мембранных» структур для СЭ космического назначения с уменьшенной массой;

- разработка технологии прецизионного утонения диффузионных слоев с целью получения СЭ с повышенной фоточувствительностью в УФ-области спектра;

- определение возможности использования алмазоподобных пленок (АПП) в технологии изготовления СЭ в качестве просветляющих и защитных покрытий.

Научная новизна

1. Разработана методика расчета параметров многослойных просветляющих покрытий СЭ, особенностью которой является учет влияния защитного стекла на лицевой поверхности СЭ и подбор толщин и показателей преломления слоев по критерию «достижение максимальной плотности тока короткого замыкания»;

2. Разработана технология изготовления кремниевых мембранных структур толщиной 80-120 мкм, предназначенных для СЭ, использующихся для создания ультралегких панелей солнечных батарей;

3. Предложена новая конструкция мембранных структур СЭ с повышенной механической прочностью, особенностью которой является ориентация границы, разделяющей области различной толщины мембранной структуры, под углами от 5 до 85° по отношению к линии периферии солнечного элемента;

4. Разработана новая технология прецизионного утонения диффузионного п+-слоя, основанная на организации циклов «окисление в кипящей HNO3 - стравливание оксида в HF», позволяющая выполнять «дискретное» утонение с точностью до 5 нм;

5. Разработана методика определения основных параметров СЭ по измерению спектральной фоточувствительности СЭ на переменном сигнале с одновременной подсветкой; при этом реализована возможность обеспечения условий измерений в режиме тока короткого замыкания;

6. Показано, что алмазоподобные пленки (АПП) могут быть использованы в качестве многослойных просветляющих и защитных покрытий СЭ; исследованы параметры АПП, полученных нанесением из ионного источника и СВЧ-методом с использованием электронного циклотронного резонанса (ЭЦР); показано, что АПП, полученные из ионного источника обладают хорошей адгезией к кремнию

Практическая ценность

1. Разработана методика и аппаратура, позволяющая определять основные параметры СЭ (ток короткого замыкания 1кз, напряжение холостого хода Uxx, напряжение и ток, соответствующие максимальной отдаваемой мощности 1макс, имаКс) на основе измерения спектральной фоточувствительности СЭ с подсветкой с последующим измерением нагрузочной характеристики;

2. Создана установка, позволяющая определять значения механических напряжений в полупроводниковых структурах («кремний -диэлектрик», «кремний - диффузионный слой», «кремний - металлизационный слой», «кремниевая основа СЭ - металлизационная система» и др.).

3. Получены, исследованы и внедрены для использования в ФГУП НПО «КВАНТ» при разработке СБ космического назначения с улучшенными масс-энергетическими характеристиками «мембранные» структуры СЭ на основе монокристаллического кремния.

На защиту выносятся следующие положения и выводы

1. Методика расчета параметров многослойных просветляющих покрытий СЭ, особенностью которой является учет влияния защитного стекла на лицевой поверхности СЭ и подбор толщин и показателей преломления слоев по критерию «достижение максимальной плотности тока короткого замыкания»;

2. Конструкция и технология «мембранных» структур СЭ на основе монокристаллического кремния.

3. Методика прецизионной регулировки толщины и поверхностного сопротивления диффузионных слоев, основанная на сочетании циклов «окисление кремния в кипящей НЖ)з — стравливание оксида в НР», обеспечивающая точность регулировки 5 нм;

4. Методика и аппаратура, позволяющая определять основные параметры СЭ (ток короткого замыкания 1кз, напряжение холостого хода ихх, напряжение и ток, соответствующие максимальной отдаваемой мощности 1макС) имакс) на основе измерения спектральной фоточувствительности СЭ с подсветкой с последующим измерением нагрузочной характеристики при любом источнике освещения, обеспечивающем требуемую, предварительно рассчитанную величину тока короткого замыкания;

5. Результаты исследований параметров алмазоподобных пленок и выводы о возможности их использования в качестве антиотражающих и защитных покрытий СЭ.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Максимов, Юрий Алексеевич

5. Результаты работы используются в ФГУП НПО «КВАНТ» при разработках солнечных элементов для ультралегких панелей солнечных батарей нового поколения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Разработана технология кремниевых полупроводниковых структур мембранного типа с толщиной активной области 80 - 120 мкм, предназначенных для изготовления солнечных элементов космического назначения. Разработана технология прецизионного утонения п+-слоя с точностью 5 нм.

2. Создана программа, позволяющая оптимизировать параметры антиотражающих покрытий солнечных элементов с защитными стеклами по критерию «максимальная плотность тока короткого замыкания». В частности показано, что при толщине защитного стекла 150 мкм для двухслойного антиотражающего покрытия максимальный ток короткого замыкания реализуется при следующих параметрах: для слоя, прилегающего к кремнию, п=2,3-2,5, с!=0,054-0,048 мкм; для слоя, прилегающего к стеклу, п= 1,75-1,78, с1=0,060.

3. Созданы методика, аппаратура и программа, позволяющие измерять спектральную ампер - ваттную чувствительность солнечных элементов на переменном токе с подсветкой, имитирующей реальные условия эксплуатации, осуществлять контроль технологического процесса изготовления солнечных элементов и определять их рекомбинационные параметры — диффузионную длину и скорость поверхностной рекомбинации на тыльной стороне солнечного элемента.

4. Показано, что алмазоподобные пленки могут быть перспективными в качестве антиотражающих и защитных покрытий солнечных элементов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Максимов, Юрий Алексеевич, 2004 год

1. С. Зи Физика полупроводниковых приборов,- М.: Мир, 1984.- 455 с.

2. А.Я. Нашельский, Э.О. Пулькер Современное состояние технологии кремния для солнечной энергетики // Высокочистые вещества. 1996. N 1 - С. 102-112

3. А.Я. Нашельский, Э.О. Пулькер Получение слитков и пластин кремния для солнечных батарей // Высокочистые вещества. 1996. N 5 - С. 4755

4. D. Heilmreich Silicon Processing for Photovoltaics. Part II. Eds. Khattak C.P., Ravi K.V. Burghausen: Eisvier Sei. Publ. B.V. 1987. P. 71

5. Андреев B.M., Егоров Б.В., Лантратов B.M. и др. Солнечные гетерофотоэлементы с увеличенной глубиной залегания р-п-перехода // ЖТФ. -1983. Т.53. N 8. С. 1658- 1660.

6. С. Algora and V. Diaz, Proc. Of the 14th EC Photovoltaic Solar Energy Conference, H. S. Stephens Ed, 1997. P. 1724

7. A. Parthasazathi, D. Madhavan, V.K. Kaul IETE Techn. Rev., 1995. -Vol. 12, N1.-P. 51-63

8. Патент US 5661041 приоритет 21.11.1995

9. Патент US 5698451 приоритет 23.05.1995

10. Патент JP 3187178 B2 приоритет 07.02.1996

11. Патент RU 0002210142 приоритет 17.04.2002

12. Степанов A.B. Журнал техн. физики, 1959. т. 29, N 3 С. 381

13. Green М.А., Jianhua Z., Blakers A.W. et al. 25 percent efficient low-resistivity silicon concentrator solar cells // IEEE Electron . Dev. Lett. - 1986. Vol. EDL-7, N 10. - P. 583-585.

14. Ландсман А.П., Стребков Д.С. Об эффективности преобразования солнечной энергии в высоковольтном фотоэлектрическом генераторе // Гелиотехника. 1970. N 2. - С. 21-27.

15. Васильев A.M., Евдокимов В.М., Макаров Н.Н., Милованов А.Ф. Оптимизация фотоэлемента при больших уровнях освещения // Гелиотехника. 1974. N 1.-С. 3-9.

16. Журавлева Л.Л., Задде Е.В., Стребков Д.С. и др. Исследование высоковольтных фотопреобразователей на основе кремния различного удельного сопротивления // Солнечная фотоэлектрическая энергетика. Ашхабад: Ылым 1983. - С. 78-81.

17. Епифанов М.С., Унишков В.А. Оптимизация формы высоковольтных фотопреобразователей для работы с концентраторами солнечного излучения // «Гелиотехника». 1983. N 6. - С. 14-18.

18. Goodrich J., Chapple-Sokol J., Allendore G., Frank R. The etched multiple vertical junction silicon photovoltaic cell // Solar Cells. 1982. Vol. 6, N 1. -P. 87-101.

19. Valco G.J., Kapoor V.J. Planar multijunction high voltage solar cell chip //Appl. Phys. Lett. 1982. Vol. 53, N 11. - P. 7566-7571.

20. Frank R.I., Kaplow R. Performance of a new high-intensiti silicon solar cell // Appl. Phys. Lett. 1979. Vol. 34, N 1. - P. 65-67.

21. Chappel T.I. The V-groove multijunction solar cell // IEEE Trans. Electron. Dev. 1979. Vol. ED-26, N 7. - P. 1091.

22. Lamert M.D., Schwarts R.J. The interdigitated back contact solar cell: a silicon solar cell for use in concentrated sunlight // IEEE Trans. Electron. Dev. -1977. Vol. ED-24, N 4. P. 337-342.

23. Blakers A.W., Green M.A. 20% efficiency silicon solar cells. // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 48, N 3. - P. 215-217.

24. Ландсман А.П., Стребков Д.С., Унишков В.А. Теоретическое и экспериментальное исследование матричных высоковольтных фотопреобразователей//ФТП. 1971 Т.5, N 11. - С. 2136-2141.

25. Патент США 5650363 приоритет 22.07. 1997

26. Патент ЕР 1 143 530 А2 приоритет 06.04.2000

27. Патент JP 3169497 В2 приоритет 24.12.1993

28. Патент JP 3026903 В2 приоритет 20.09.93

29. Патент RU 2139601 С1 приоритет 04.12.1998

30. Патент JP 3083987 В2 приоритет 26.03.1996

31. Патент JP 3206350 В2 приоритет 26.01.1995

32. М.А. Green et al. 25% Efficient Low-Resistivity Si Concentrator Solar Cells. IEEE Electron Device Letters. 1986, PP. 583-585

33. Aberle A.G., Altermatt P.P.,Heizer G., Robinson S.J. Limiting loss mechanisms in 23% efficient silicon solar cells // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77, N 7 - p.3491

34. J.Zhao, A.Wang, A.Aberle, S.R.Wenham, and M.A.Green. 717-mV open-circuit voltage silicon solar cells using hole-constrained surface passivation // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64, N 2 - P. 199

35. Патент DE 10127382 A1 приоритет 06.06.2001

36. A. Hubner, Aberle A.G., Altermatt P.P., Hezel R. Novel cost-effective bifacial silicon solar cells with 19,4 % front and 18,1 % rear efficiency // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 70, N 8 - P. 10081.

37. Патент US 6172297 B1 приоритет 31.03.1999

38. Бордина H.M., Головнер T.M. Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда в базе кремнеевых фотопреобразователей // Гелиотехника. 1977. № 1 - С. 11-16.

39. Васильев A.M., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи. М.: "Советское радио", 1971. - 245 с.

40. Виноградова Е.Б., Головнер Т.М., Городецкий С.М. и др. Установка для измерения рекомбинационных параметров фотоэлемента при различных уровнях инжекции. // "ПТЭ" 1976. № 6 - С. 153-154.

41. C.R. Baraone et al., V-Grooved Si Solar Cells. Conf. Record : 11th IEEE Photospecialist Conf. -1975.

42. J.F. Allison et al., «А Comparison of the Conset Violet and Non-Reflective Cells» : 10th Intersociety Energy Conversion Conf. 1975.

43. Патент US 4131488 приоритет 25.04.1977

44. Патент JP 3157865 B2 приоритет 08.10.1991

45. Yerokhov V., Hezel R., Nagel H., Semochko L.: Development of profitable methodic of texturing for silicon solar ceels : 16-th European Photovoltaic Solar Energy Conference. 2000.

46. Патент US 5792280 приоритет 27.12.1996

47. Mireea Faur, S.G. Bailey, D.G. Flood, H.M. Fair: Wet chemical growth of low cost antireflective coatings for solar cells : 16-th European Photovoltaic Solar Energy Conference. 2000.

48. Dirk KSnig, Gunter Ebest Antipolar Counterpart to the Positively Charged SiO,Ny Layer for Improvement of Field Effect Solar Cells: 16-th European Photovoltaic Solar Energy Conference. 2000.

49. Патент JP 3238003 B2 приоритет 30.05.1994

50. Патент JP 3103737 B2 приоритет 26.12.1994

51. Патент US 6156967 А приоритет 04.06.1998

52. Aisenberg S., Chabot R. J. // Appl. Phys. 1971. V. 42 - P. 2953 - 2958

53. C.M. Ротнер, B.A. Мокрицкий Алмазоподобные пленки в микроэлектронике : Труды XII Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Харьков, 2001. - С. 114-115

54. R U. A. Khan, R А. С. М. van Swaaij, A. Vonsovici Amorphous carbon antireflection coatings for solar cells : 16-th European Photovoltaic Solar Energy Conference. 2000.

55. Концевой Ю.А. Алмазоподобные пленки технология, свойства, применение. В сб. «Фундаментальные проблемы российской металлургии на пороге XXI века», 1988, Изд. РАЕН, отд. металлургии, М.: 1988, Т.4, с. 193-226

56. Kaufman H.R., Cuomo J.J., Harper J.M.E., J. Vac. Sci. Technol. // A -1982. V.21.-P. 725

57. Белянин А.Ф., Пащенко П.В., Семенов А.П. и др. Техника средствсвязи. // Серия Технология производства и оборудование. 1991. Вып. 4. - С. 55-68

58. Енишерлова K.JL, Концевой Ю.А., Митрофанов Е.А., Маишев Ю.П. Физика и технология алмазных материалов : Материалы IV конференции 28-30 мая 1996г. М.: АО «Полярон», 1996. - С. 142-153

59. Angus J.C., Hayman С.С. // Science. 1988. V. 241 - Р.913-921

60. Концевой Ю.А., Енишерлова K.JL, Клемин С.Н. и др. Физика и технология алмазных материалов : Материалы VI конференции 28-30 мая 1996 М.: АО «Полярон», 1996 - С. 84-91

61. Свитов В.И., Гладышев И.В., Сигов A.C. и др. Физика и технология алмазных материалов: Материалы IV конференции 28-30 мая 1996 М.: АО «Полярон» - С. 92-98

62. Mycielski W., Staryga Е., Lipinski A. et al., Diamond and Relat. // Mater. 1994. V. 3 - P. 858-860

63. Spousta J., Bounouh Y., Benlansen M. et al., Diamond Films'95. Abstract Book. // The 6th European Conf. on Diamond, Diamond-like and Relat. Mater. Barselona, 1995. - 11.035p.

64. Morosann С., Tomozeiu, Cordos C. Stoica T., Wide Band Gap Electronic Materials. M.A. Prelas et al. Amsterdam.: Kluger Academic Publishers, 1995. - P.243-248

65. Stanishevsky A.V. Diamond Films'95. Abstract Book. The 6th Europeen Conf. on Diamond, Diamond-like and Relat. Mater. Barselona, 1995 - 11.034 p.

66. Федосеев Д.В., Толмачев Ю.Н., Варшавская И.Г. Перспективы применения алмазов в технике и электронике: Тезисы докладов 5-й межреспубликанской конференции. М.: АО «Полярон», 1995. - С. 23-38

67. Ю.П. Маишев, С.Л.Шевчук, Ю.А. Концевой. Исследование оптических свойств алмазоподобных пленок, полученных осаждением из пучков ионов : Труды VI Международной конференции «Пленки и покрытия». СПб, 2001. - С. 181-184

68. Патент US 3 961 103 приоритет 01.06.1976

69. Ю.П. Маишев, С.Л.Шевчук. Ионно-лучевая технология для осаждения и травления алмазоподобных пленок // Труды X Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике» Ярославль, 1999. С. 84-92

70. Ю.П. Маишев, С.Л.Шевчук. Осаждение алмазоподобных пленок из пучков ионов углеродосодержащих веществ // Труды VI Международной конференции «Пленки и покрытия» СПб, 2001. С. 176-180

71. Ю.П. Маишев, С.Л.Шевчук. Исследование многопучкового источника ионов «Радикал-250», предназначенного для осаждения и обработки тонких пленок // Труды VI Международной конференции «Пленки и покрытия» СПб, 2001. С.255-260

72. Ю.П. Маишев, С.Л.Шевчук, В.А. Кальнов, П.А. Аверичкин. Синтез тонких пленок из пучков ионов кремнийорганических соединений // Тезисы Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и наноэлектроника-2001» Звенигород, 2001. Р. 1-43

73. А.А. Дорошенко, В.А. Семенович, М.Т. Мунков, С.Н. Дуб Некоторые особенности формирования структур алмазоподобных пленок и перспективы их применения // Сверхтвердые материалы 1993, №5 - С. 15-19

74. V.G. Litovchenko, N.I. Klyui Solar Cells baset on DLC film Si structures for space application // Solar Energy Materials & Solar Cells - 2001, Vol. 68 - P. 55-70

75. Ковальский В.Я., Шкловер Д.А. Имитатор внеатмосферного Солнца // «Гелиотехника» 1967, № 1 - С. 35-42.

76. Ю.А. Концевой, П.Б. Константинов, Ю.И. Завадский, Ю.А. Максимов Регулировка коэффициента отражения многослойных покрытий солнечных элементов: Тезисы докладов 52 научно-технической конференции МИРЭА.- М.: МИРЭА 2003.- С. 36

77. Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет.- М.:1. Мир, 1981.

78. Физика тонких пленок. Пер. с англ. А.Г. Ждана,- М.: Мир, 1972,том 6

79. W. Lang Silicon microstructuring technology // Materials science & engineering 1996 Vol. R17 № 1

80. Ю.А. Концевой, Ю.М. Литвинов, Э.А. Фаттахов Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур.- М.: Радио и связь, 1982

81. А. Милне Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках Пер. с англ. Под ред. М.К. Шейнкмана.- М.: Мир, 1977

82. Ю.А. Концевой, Ю.А. Максимов Контроль механических напряжений в элементах солнечных батарей и полупроводниковых структурах: Сборник трудов 51 научно-технической конференции МИРЭА.- М.: МИРЭА 2002, 4.2. С. 56-60

83. Концевой Ю.А., Кудин В.Д. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов.- М.: Энергия, 1973. 144 е., ил.

84. Свитов В.И., Гладышев И.В., Сигов A.C., Ткачев В.И., Шишкин В.И. Алмазоподобные углеродные пленки из высокоразреженной плазмы ЭЦР

85. СВЧ-разряда в парах углеводородов. В Сб. «Физика и технология алмазных материалов».- М.: АО ПОЛЯРОН 1996.- С.92-98

86. В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович «Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур».- М.: Радио и связь, 1984

87. Резвый P.P. Эллипсометрия в микроэлектронике. М.: Радио и связь, 1984

88. Питер Ю.М. Кардона Основы физики полупроводников. Пер. с англ. Под ред. Б.П. Захарчени.- М.: Физматлит, 2002. 560 е., ил.

89. Ю.А. Концевой, П.Б. Константинов, Ю.А. Максимов, Ю.П. Маишев, C.JI. Шевчук Исследование свойств алмазоподобных пленок, полученных из ионных пучков: Тезисы докладов 50 научно-технической конференции МИРЭА.- М.: МИРЭА 2001.- С. 63

90. Ю.А. Концевой, В.И. Ткачев, Ю.А. Максимов Адгезия алмазоподобных пленок к кремниевым пластинам: Тезисы докладов 52 научно-технической конференции МИРЭА.- М.: МИРЭА 2003.- С. 36