Получение тонких пленок легированных манганитов лантана методом магнетронного распыления. Их структурные и транспортные свойства тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Шматок, Александр Викторович

• Шматок, Александр Викторович
• кандидат физико-математических наук
• 2001

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Шматок, Александр Викторович

ВВЕДЕНИЕ.

1. СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ МАНГАНИТОВ ЛАНТАНА.

1.1 Кристаллическая структура.

1.1.1. ЬаМпОз.П

1.1.2. Твердые растворы замещения.

1.2. Электронная структура.

1.2.1 Ионная модель.

1.2.2. Зонная модель.

1.3 Магнитные свойства.

1.3.1. Магнитная структура.

1.3.1.1. ЬаМпОз.

1.3.1.2 Ьа!.хСахМпОз.

1.3.1.3 Рг!.хСахМп03.

1.3.2. Температура Кюри.

1.3.3. Намагниченность.

1.3.4. Магнитная восприимчивость.!Я:■ Я'. Я.

1.3.5. Влияние давления и эффект магнитострикции.

1.3.6. Фазовые переходы, вызванные наложением магнитного поля.

1.3.7. Модели.

1.3.7.1 Магнитные свойства слаболегированной области:

0<х<0,3.

1.4 Транспорт: проводимость и магнетосопротивление.

1.4.1 Влияние степени легирования.

1.4.2 Переходы, вызванные изменением температуры.

1.4.3. Магнетосопротивление.

1.4.4. Парамагнитная область.

1.4.5. Эффект Яна-Теллера.

1.5 Тонкие плёнки.

1.5.1. Влияние размерного несоответствия параметров решеток пленки и подложки.

1.5.2. Вклад границ в транспорт, рост на бикристаллах.

1.6 Основные методы получения образцов.

1.6.1. Керамика.

1.6.2. Монокристаллы.

1.6.3. Тонкие пленки.

2. МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЁНОК Ьа0,7(Са, 8г)о,3Мп03 НА РАЗЛИЧНЫХ ПОДЛОЖКАХ. МЕТОДИКИ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Метод приготовления мишеней для роста тонких пленок методом ионно-плазменного распыления.

2.2. Метод ионно-плазменного распыления в системе сдвоенных катодов.

2.3. Методы исследования тонкоплёночных образцов.

3. ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ РОСТА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТОНКИХ ПЛЁНОК ЛЕГИРОВАННЫХ МАНГАНИТОВ ЛАНТАНА НА ИХ МАКРО-И МИКРОСТРУКТУРУ.

4. ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТОНКИХ ПЛЁНОК Ьа1х(Са, 8г)хМп03, х=0,3.

5. ПОЛИКРИСТАЛЛЧЕСКИЕ ТОНКИЕ ПЛЁНКИ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение тонких пленок легированных манганитов лантана методом магнетронного распыления. Их структурные и транспортные свойства»

Интерес к манганитам со смешанной валентностью марганца усилился в 1990-х годах - вслед за открытием эффекта большого магнетосопротивления в тонких пленках: после оптимизации процессов роста удалось получить тонкие пленки, в которых вблизи температуры Кюри наблюдался эффект колоссального магнетосопротивления (KMC). В этом же температурном интервале в материале происходит смена типа проводимости - в эксперименте это проявляется в смене знака производной dR/dT при некоторой температуре Тм (dR/dT>0 при Т<ТМ). В совершенных образцах манганитов (монокристаллах) при низких температурах обнаруживается металлическая проводимость.

Исходное соединение ЬаМпОз является антиферромагнитным изолятором. Частичное замещение La, который в данном соединении имеет степень окисления 3+, двухвалентными ионами или вакансиями приводит к росту проводимости, появлению спонтанной намагниченности и эффекту колоссального магнетосопротивления вблизи температуры Кюри.

Механизм эффекта колоссального магнетосопротивления до сих пор остаётся неясным. Традиционно, транспорт в легированных манганитах лантана объясняется в рамках модели двойного обмена, предложенного Зинером /II. Модель была построена в предположении, во-первых, сильного хундовского взаимодействия подвижного носителя с ионным остовом и, во-вторых, сохранения носителем спина при перескоке между ионами, вследствие чего вероятность прыжка максимальна при параллельной ориентации спинов ионов. Обменное взаимодействие между ионами марганца осуществляется через промежуточный анион кислорода. При неколлинеарности спинов Мп или изгибе угла связи Mn-0-Mn, перенос электрона затруднен и подвижность носителей уменьшается, т.е. существует связь между проводимостью и ферромагнетизмом Ш. При этом интеграл переноса t: t=t0 ■ cos(0/2), где 0 - угол между двумя направлениями спина соседних ионов /2/. Наложение внешнего магнитного поля, уменьшает угол 0, увеличивая тем самым интеграл переноса, т.е. вероятность перескока электрона. Одновременно наблюдается отрицательное магнетосопротивление.

Однако количественные оценки /3/ показали, что экспериментальные данные, например - высота пика сопротивления, температура, при которой он наблюдается, низкая проводимость в парамагнитной области и т.д, плохо объясняется указанной выше моделью. Введение же дополнительных эффектов «утяжеления» носителей, а именно образование поляронов, снимает это разногласие. Природа и тип поляронов (магнитные, ян-теллеровские и т.п.) до сих пор остаётся под вопросом.

Существует и иной подход к преодолению указанного несоответствия. Полагается, что источником локализации является беспорядок, как магнитного, так и немагнитного характера. При локализации носителей они могут участвовать в транспорте посредством неупругих прыжков по локализованным состояниям.

Более того, и ниже температуры перехода перехода "метал-изолятор", т.е. в области "металлической" проводимости, её механизм недостаточно ясен. В основном, при низких температурах экспериментально наблюдается квадратичная зависимость электросопротивления от температуры, что является признаком "обычного металлического" электрон-электронного рассеяния, однако аналогичная температурная зависимость справедлива и для электрон-магнонного механизма рассеяния /4/.

Экспериментально обнаружено, что многие физические свойства, в основном - температура магнитного упорядочения, величина магнитного момента, наблюдаемая в низкотемпературной магнитной фазе, а так же величина и температурная зависимость электропроводности, очень чувствительны к:

-внешним воздействиям (магнитному полю, приложенным напряжениям, как внешним, так и внутренним);

-наличию границ зерен;

-форме образца (объемные поли- и монокристаллы, тонкие пленки).

Предполагается, например, что сильная зависимость свойств материала от приложенных механических напряжений есть следствие сильного влияния решеточных искажений на орбитальные и зарядовые степени свободы системы /5/, но однозначный механизм еще не предложен.

Как бы то ни было, практическое применение эффекта колоссального маг-нетосопротивления пока затруднено, так как действительно «колоссальный» эффект наблюдается лишь в узком температурном интервале, при низких температурах и в сильных (несколько Тесла) магнитных полях /6/.

Однако, в рассматриваемых материалах значительное магнетосопротивле-ние обнаружено, недавно, и в слабых магнитных полях. Этот эффект наблюдается в мелкокристаллических объёмных или тонкоплёночных поликристаллах и связан с рассеянием носителей на границах зерен. Надо отметить, что этот эффект в большей степени подходит для практического применения ещё и потому, что температурный интервал, в котором он наблюдается - широкий.

Для возможного использования манганитов в качестве материала для датчиков магнитного поля, различных сенсоров (в том числе болометрических /7/), при использовании их в спин-электронных устройствах на базе пленочных ге-тероструктур /8, 9/, необходимо создавать тонкие пленки определенного структурного качества, однородные по составу.

При росте тонких пленок одной из основных проблем является точность переноса химического состава материала к растущей пленке. Особенно это касается сложных оксидов, к которым относятся легированные манганиты РЗЭ. Существующие современные методики роста, такие как молекулярно-лучевая эпитаксия (МВЕ) или осаждение из паров металлоорганики (МОС\Т)), позволяют успешно решать эту проблему, но это довольно трудоемкие и дорогостоящие процессы. Методы импульсного лазерного испарения проще в применении, но основной их недостаток - слишком большие мгновенные скорости роста и, вследствие этого, недостаточное структурное качество получаемых пленок. Применение ионно-плазменных методов роста оказывается, в связи с вышесказанным, наиболее приемлемым решением. Современные методы йон-но-плазменного распыления материалов позволяют в достаточной степени осуществлять стехиометрический перенос, в том числе сложных оксидов, от 7 мишени к растущей пленке, обеспечивая при этом оптимальные скорости роста.

Свойства тонких пленок легированных манганитов лантана, благодаря высокой чувствительности физических свойств материала к структурным искажениям (искажениям решетки), сильно зависят от напряжений и структурных несовершенств, вносимых как методикой роста, так и подложкой, в том числе и из-за возможного несоответствия параметров решетки подложки и пленки при эпитаксиальном росте. Благодаря этому структурные и физические свойства тонких пленок в значительной мере могут отличаться от свойств объемных моно- и поликристаллических объектов. Однако, при обеспечении структурного совершенства, появляется возможность определить роль однородных решеточных искажений материала, вносимых подложкой, в механизмах, ответственных, в том числе, и за эффект колоссального магнетосопротивления.

Таким образом, получение высококачественных тонких плёнок методом ионно-плазменного распыления и изучение их транспортных свойств представляется актуальной задачей.

Целью настоящей работы было получение тонких плёнок легированных манганитов лантана заданного состава методом ионно-плазменного распыления, определение влияния параметров роста на структуру плёнок, установление роли параметров роста в физических (транспортных) свойствах плёнок.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Шматок, Александр Викторович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработана и опробована технология роста монокристаллических и поликристаллических тонких плёнок легированных манганитов лантана методом магнетронного распыления. Определены параметры роста монокристаллических пленок составов Ьа1хАхМп032 (А = Са, 8г, х = 0,30). Определено, что используемая методика обеспечивает стехиометрический по катионам перенос состава мишени к растущей плёнке.

2. Обнаружено, что в случае эпитаксиального роста размерное несоответствие параметров решетки пленки и подложки создаёт в пленках напряжения, влияющие на их транспортные и магнитные свойства, которые уменьшаются с ростом температуры подложки и (или) с последующим отжигом. Их влияние растёт с уменьшением толщины.

3. Подробно исследован эпитаксиальный рост плёнок Ьао;7(Са,8г)о,зМпОз на сапфире с буферным слоем оксида церия Се02. Показано, что в ходе роста пленки при общем дефиците кислорода возможен его уход из Се02 и последующая частичная переориентация буферного слоя по всей толщине.

4. Исследованы транспортные свойства эпитаксиальных тонких пленок Ьао,7(Са8г)о,зМпОз, показана их связь с искажениями решетки плёнок. Определены энергии активации проводимости в парамагнитной области. Показано, что для плёнок рассматриваемых составов величина энергии активации зависит от ионного радиуса легирующего элемента и уменьшается от 0,11 эв до 0,09 эв при переходе от легирования Са к 8г при общем уровне легирования х=0,3.

5. Исследована возможность роста поликристаллических тонких пленок легированных манганитов лантана на аморфизированных подложках 8Ю2/81(100). Обнаружено, что наличие границ обеспечивает значительный рост (до 20% в поле 0,11Т) отрицательного магнетосопротивления в широком температурном интервале при пониженных температурах.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Шматок, Александр Викторович, 2001 год

1. Zener С / Interaction between the ¿/-shells in the transition metals. II. Ferromagnetic compounds of manganese with perovskite structure. //Phys. Rev.-195 l.-V. 82.-P.403-405

2. Anderson P.W. and Hasegawa H. / Considerations on Double Exchange // Phys. Rev.-1955.-V. 100.-P.675-681

3. Millis A.J., Sraiman B.I. and Mueller R. / Dynamic Jahn-Teller Effect and Colossal Magnetoresistance in Lai.xSrxMnO^I Phys. Rev. Lett.-1996.-V.77.-P.175

4. Н.Ф.Мотт, Переходы металл-изолятор // Москва Наука -1979

5. Millis A.J., Darling Т.and Migliori. A.// J. Appl. Phys. 1998 - Y.83 -P. 1588

6. S.S.Manoharan, D.Kumar, M.S.Hedge et al./ Giant Magnetoresistance in Self-doped LaixMn03-5 thin films // J.Solid State Chem.-1995.-V.l 17,-P.420-423

7. A.Goyal, M.Rajeswari, R.Shreekala et al./ Material characteristics of perovskite manganese oxide thin films for bolometric applications // Appl. Phys. Lett.-1997.-V.71.-P.2535-2537

8. Z.W.Dong, S.P.Pai, R.Ramesh et al./ Novel high-Tc transistors with manganite oxides // J. Appl. Phys.-1998.-V.83.-P.6780-6782

9. F.J.Cadieu, Li Chen., Biao Li and T.Theodoropoulos / Room temperature La0,7Sr0,3MnO3 magnetoresistive prototype memory element //Appl. Phys. Lett.-1999.-P.3369-3 371

10. V.Goldschmidt, Geochemistry // Oxford University Press.-1958

11. Urushibara A., Moritomo Y., Tomioka Y. et al. / Insulator-metal transition and giant magnetoresistance in Lai. *SrxMn03 // Phys. Rev. B.-1995.-V.51.-P.14103-14109

12. Norby P., Krogh Andersen I.G., Krogh Andersen E. fnd Andersen N.H. / The crystal structure of lanthanum manganate(III), LaMn03 at roomtemperature and 1273K under N2 // J. Sol. State. Chem.-1995.-V.l 19,-P.191-196

13. Pollert E., Krupicka S. and Kuzwicova E. // J. Phys. Chem. Solids-1982.-V.43.-P.1137

14. Voorhoeve R.J.H., Remeika J.P., Trimble L. et al. // J.solid-st. Chem.-1975.-V.14.-P.395

15. Islam M.S., Cherry M.and Winch L. // J.Chem.Soc., Faraday Trans. -1996.-V.92.-P.479

16. Mitchell J., Argyriou D., Potter C. et al. / Structural phase diagram of LaixSr^Mn03+ delta '• Relationship to magnetic and transport properties // Phys. Rev. B.-1966.- V.54.-P.6172-6183

17. Itoh M., Nishi K., Yu J.D. and Inaguma Y. / Annealing and pressure effects on structural and ferromagnetic transitions of Lao.85Sro.i5Mn03 single crystals // Phys.Rev.B.-1997.-V.55.-P.14408-14412

18. Hwang H.Y., Cheong S.W., Radaelli P.G. et al. / Lattice Effects on the Magnetoresistance in Doped LaMn03 // Phys. Rev. Lett.-1995.-V.75,-P.914-917

19. Garcia-Munoz J.L., Fontcuberta J., Martinez B. et al. / Magnetic frustration in mixed valence manganites // Phys. Rev. B.-1997.-V.55,-R.668-671

20. Huang Q.A., Santoro A., Lynn J.W. et al. / Structure and magnetic order in undoped lanthanum manganite // Phys.Rev.B.-1997.-V.55.-P.14987-14999

21. Martin M., Shirane G., Ednoh Y. et al. / Magnetism and structural distortion in the Lao.7Sro.3Mn03 metallic ferromagnet // Phys. Rev. B.-1996.-V. 53.-P. 14285-14290

22. Radaelli P.G., Marezio M., Hwang H.Y. et al./ Charge localization by static and dynamic distortions of the Mn06 octahedra in perovskite manganites // Phys. Rev. B.-l 996.-V.54.-P.8992-8995

23. Jirak Z., Krupicka S., Simsa Z. et al. // J. Magn. magn. Mater.-1985,-V.53.-P.153

24. Tomioka Y., Asamitsu A., Kuwahara H. et al. / Magnetic-field-induced metal-insulator phenomena in Рг^^Са^МпОз with controlled charge-ordering instability//Phys. Rev. B.-1996.-V.53.-R1689-1692

25. Chen C.H. and Cheong S.W. / Commensurate to Incommensurate Charge Ordering and Its Real-Space Images in Lao.sCao.sMnOs// Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76.-P.4042-4045

26. Mori S., Chen C.H. and Cheong S.W. / Paired and Unpaired Charge Stripes in the Ferromagnetic Phase of La0.5Ca0.5MnO3 // Phys. Rev. Lett1998.-V.81.-P.3972-3975

27. Zaanen J., Sawatzky G.A. and Allen J.W. / Band gaps and electronic structure of transition-metal compounds // Phys Rev. Lett.-1985.-V.55,-P.418-421

28. Zaanen J. and Sawatzky G.A. // J. solid-st. Chem.-1990.- V.88.-P.8

29. Н.Ашкрофт, Н.Мермин, Физика твердого тела // Москва-Мир-1979-Т2

30. Burns R.G. Mineralogical Applications of Crystal Field Theory, second edition // London: Cambridge University Press 1992

31. Okimoto Y., Katsufuji Т., Ishikawa T. et al. / Anomalous Variation of Optical Spectra with Spin Polarization in Double-Exchange Ferromagnet: Lai.jSr^MnOs //Phys. Rev. Lett.-1995.-V.75.-P.109-112

32. JI.B.Номерованная, А.А.Махнёв, А.Ю.Румянцев / Эволюция оптических свойств монокристаллов LaixSrxMn03, // Физ. Тв. Т.1999. -Т.41.-С.1445 1449

33. Lawler J.F., Lunney J.G., and Coey J.M.D. / Magneto-optic Faraday effect in (Lai -*Са*)Мп03 films // Appl. Phys. Lett.-1994.-V.65.-P.3018

34. Ju H.L., Sohn H.-C. and Krishnan K.M. / Evidence for O^p Hole-Driven Conductivity in La\.xSrxMnO-i (0 <= x <= 0.7) and LaojSro,sMnOz Thin Films // Phys. Rev. Lett.-1992-Y.79.-P.3230-3233

35. Jung J.H., Kim K.H., Eom D.J. et al./ Determination of electronic band structures of СаМпОз and ХаМпОз using optical-conductivity analyses // Phys. Rev. B.-1997-V.55.-P. 15489-15493

36. L.Garcia-Munoz, J.Foncuberta, M.Suaaidi and X.Obradors // J. Phys.: condens. Matter.-1996.-V.8.- L787

37. Sarma D., Shanthi N., Barman S. et al. / Band Theory for Ground-State Properties and Excitation Spectra of Perovskite LaMO3 ( M = Mn, Fe, Co, Ni) // Phys. Rev. Lett.-1995.-V.75.-P.l 126-1128.

38. Solovyev I., Hamada N. and Terakura K. /Crucial Role of the Lattice Distortion in the Magnetism of LaMnO^II Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76,-P.4825-4828

39. Jonker G.H. // Physica.-1956.-V.22.-P.707

40. Pickett W.E. and Singh D.J./ Electronic structure and half-metallic transport in the Lai^CaxMn03 system // Phys. Rev. B.-1996.-V.53.-P.1146-1160

41. Satpatny S., Popovic Z.S. and Vokajlovic F.R. Electronic / Structure of the Perovskite Oxides: Lax.xCaxMnO^H Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76.-P.960-963

42. Moussa F., Hennion M., Rodriguez-Carvajal J. et al./ Spin waves in the antiferromagnet perovskite LaMnOs: A neutron-scattering study // Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P. 15149-15155

43. Mizokawa T. and Fujimori A./ Electronic structure and orbital ordering in perovskite-type 3d transition-metal oxides studied by Hartree-Fock band-structure calculations // Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P.5368-5380

44. Varma C.M. / Electronic and magnetic states in the giant magnetoresistive compounds // Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P.7328-7333

45. Viret M., Ranno L. cjmd Coey J.M.D. / Magnetic localization in mixed-valence manganites // Phys. Rev. B.-1997.-V.55.-P.8067-8070

46. Temperature dependence of tunneling magnetoresistance in manganite tunnel junctions, Pin lyu, D.Y.Xing and Jinming Dong // Phys.Rev.B.-1999-V.60-P.423 5-4239

47. Wollan E.O. and Koehler W.C./ Neutron Diffraction Study of the Magnetic Properties of the Series of Perovskite-Type Compounds (l-x)LaxCa.Mn03 //Phys. Rev.-1955.-V.100.-P.545-563

48. Jonker G.H.,Van Santen J.H.//Physica. -1950.-V.16,- P.337-349.

49. LaMn03 Ranno L., Viret M., Mari A. et al. / Stoichiometry and electronic properties of // J.Phys.: condens. Matter 1996.-V.8.-L33-L36

50. Mahendiran R., Mahesh R., Rangavittal N. et al. / Structure, electron-transport properties and giaent magnetoresistance of hole-doped LaMn03 systems // Phys. Rev. B.-1996.-Y.53.-P.3348-3357

51. Radaelli P.G., Cox D.E., Marezio M. et al./ Simultaneous structural, magnetic, and electronic transitions in Lai.xCaxMn03 with x=0.25 and 0.50 // Phys. Rev Lett.-1995,- V.75.-P.4488-4491

52. DeGennes P.G./ Effects of Double Exchange in Magnetic Crystals // Phys. Rev.-1960.-V. 118.-P. 141-154

53. Goodenough J.B./ Theory of the Role of Covalence in the Perovskite-Type Manganites La, M(II).Mn03 // Phys. Rev.-1955.-V.100.-P.564-573

54. Yoshizawa H., Kajimoto R., Kawano H. et al./ Bandwidth-control-induced insulator-metal transition in Pr0.65(Cai.ySry)o.35Mn03 and Pro.7Cao.3Mn03 //Phys. Rev. B.-1997.-V.55.-P.2729-2732

55. Foncuberta J., Martinez B., Seffar A. et al./ Colossal Magnetoresistance of Ferromagnetic Manganites: Structural Tuning and Mechanisms // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76.-P. 1122-1125

56. Sharma N., Nigam A.K., Pinto R. et al. / Giant magnetoresistance studies on La(0.8-x)RxSr0.2MnO3 thin films (R = Pr, Nd, Gd, Ho) // J. Magn. magn. Mater.-1997.-V.166.-P.65-70

57. Thomas R.M., Ranno L. and Coey J.M.D. // J. Appl. Phys.-1997.-V.81.-P.5763

58. Garcia-Munoz J.L., Foncuberta J., Suaaidi M. and Obradors X. / Bandwidth narrowing in bulk magnetoresistive oxides // J. Phys.: Condens. Matter 1996.-V.8.-L787-L794

59. Foncuberta J., Martinez B., Seffar A. et al. // Europhys. Lett.-1996.-V.34.-P.379

60. Ju H.L. and Sohn H. // J. Magn. magn. Mater.-1992.-V.167.-P.200

61. Ju H.L., Gopalakrishnan J., Peng J.L. et al./ Dependence of giant magnetoresistance on oxygen stoichiometry and magnetization in polycrystalline Lao.67Bao.33MnOz // Phys. Rev. B.-1995.-V.51.-P.6143-6146

62. Sun J.Z., Kruzin-Elbaum L., Gupta A. et al. / Does magnetization in thin-film manganates suggest the existence of magnetic clusters? // Appl. Phys. Lett.-1996.-V.69.-P.1002-1004

63. Heffner R.H., Le L.P., Hundley M.F. et al./ Ferromagnetic Ordering and Unusual Magnetic Ion Dynamics in Lao.67Cao.33Mn03 // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.77.-P.1869-1872

64. Ibarra M., Algarabel P., Marquina C. et al./ Large Magnetovolume Effect in Yttrium Doped La-Ca-Mn-0 Perovskite // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.75.-P.3541-3544

65. Spontaneous behavior and magnetic field and pressure effects on La2/3Cai/3Mn03 perovskite DeTeresa J.M., Ibarra M.R., Blasco J. et al. // Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P. 1187-1193

66. Hwang H., Palstra T.T.M., Cheong S.-W. And Batlogg/ Pressure effects on the magnetoresistance in doped manganese perovskites // Phys. Rev. B1995.-V.52.-P. 15046- 15049

67. Moritomo Y., Kuwahara H., Tomioka Y. And Tokura Y./ Pressure effects on charge-ordering transitions in Perovskite manganites // Phys. Rev. B.-1997.-V.55.-P.7549.-7556

68. Tokura Y., Tomioka Y., Kuwahara H. et al. // Physica C.-1996.-V.263.-P.544

69. Kawano H., Kajimoto R., Kubota M. and Yoshizawa H. / Ferromagnetism-induced reentrant structural transition and phase diagram of the lightly doped insulator Lai^SrxMn03 (x <~ 0.17)// Phys. Rev. B.1996.-V. 53.-P. 14709-14712

70. Argyriou D.N., Mitchell J.F., Potter C.D. et al. / Lattice Effects and Magnetic Order in the Canted Ferromagnetic Insulator La0.%15Sr0.U5MnO3+delta// Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76.-P.3826-3829

71. Asamitsu A., Moritomo Y., Kumai R. et al. / Magneto structural phase transitions in Lai^Sr^MnCb with controlled carrier density // Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P. 1716-1723

72. Tomioka Y., Asamitsu A., Moritomo Y. et al. / Collapse of a Charge-Ordered State under a Magnetic Field in PrmSrmMnO-ill Phys. Rev. Lett.-1995.-V.74.-P.5108.-5111

73. Colossal magnetoresistive manganites Tokura Y. and Tomioka Y. // J. Magn. magn. Mater.-1999.-V.200.-P.l-23

74. Lawler J.F., Coey J.M.D., Lunney J.G. and Skumryev V. // J. Phys.: condens. Matter.-1996.-V.8.-P. 10737

75. Mahendiran R., Mahesh R., Gundakaram R. et al. // J. Phys.: condens. Matter.-1996.-V. 8.-L455

76. Rao G.H., Sun R.J., Liang J.K. et al. // Appl. Phys. Lett.-1996.-V.69,-P.424

77. Lynn J., Erwin R., Borchers J. et al. / Unconventional Ferromagnetic Transition in LaixCaxMn03 // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76.-P.4046-4049

78. Mishra S., Satpatny S., Aryasetiawan F. And Gunnarson O. / Possible suppression of canted spin order in the double-exchange lanthanum manganites //Phys. Rev. B. -1997-V.55-P.2725-2728

79. Yunoki S., Hu J., Malvezzi A.L. et. al./ Phase Separation in Electronic Models for Manganites // Phys. Rev. Lett.-1998.-V.80-P.845-848

80. Rodrigeuez-Martinez L.M. and Attvield J.P. / Cation desorder and the metal-insulator transition temperature in manganese oxide perovskites // Phys. Rev. B.-1998.-V.58.-P.2426-2429

81. Ferris V., Goglio G. Brohan L. et al. / Transport properties and magnetic behavior in the polycrystalline lanthanum-deficient manganate perovskites («LaixMn03) // Materials Research Bulletin-1997.-V.32,-P.763-777

82. Chainani A., Mathew M. and Sarma D.D./ Electron spectroscopic investigation of the semiconductor-metal transition in Lai^Sr^MnCV/ Phys. Rev. В.-1993.-V.47.-P. 15397-15403

83. Yamada Y., Hino O., Nondo S. et al. / Polaron Ordering in Low-Doping Lai.xSrxMn03 // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.77.-P.904-907

84. Anane A., Dupas C., LeDang K. et al. // J.Magn. magn. Mater.-1997.-V.165.-P.377

85. Snyder G.J., Hiskes R., DiCarolis S. et al. / Intrinsic electrical transport and magnetic properties of Lao,67Cao;33Mn03 and Lao,67Sro,33Mn03 MOCVD thin films and bulk material, //Phs. Rev. B.-1996.-V.53.-P.14434-14444

86. Jaime M., Lin P., Salamon M.B. et al./ Low-temperature electrical transport and double exchange in La0.67(Pb,Ca)o.33Mn03 // Phys. Rev. B.-1998.-V.58.-R.5901-5904

87. Okuda Т., Asamitsu A., Tomioka Y. et al./ Critical Behavior of the Metal-Insulator Transition in Lai * Srx Mn03 // Phys. Rev. Lett. - 1998,-V.81.-P.3203-3206

88. Н.Ашкрофт, Н.Мермин, Физика твердого тела // Москва-Мир -1979.-Т.1

89. Stewart G.R., Fisk Z. and Williams J.O.I Characterization of single crystals of CeCu2Si2. A source of new perspectives // Phys. Rev. В.-1984,-V.28.-P.172-177

90. Wei J.Y.T., Yeh N.C. and Vasquez R.P. / Tunneling Evidence of Half-Metallic Ferromagnetism in LaojCao.iMnO?,// Phys. Rev. Lett.-1997.-V.79.-P.5150-5153

91. Coey J.M.D., Viret M., Ranno L. and Ounandjela К./ Electron localization in mixed-valence manganites // Phys. Rev. Lett.-1995.-V.75,-P.3910-3913

92. Khazeni K., Jia Y.X., Crespi V.H. et al. // J. Phys.: condens. Matter.-1996.-V.8.-P.7723

93. Mahendiran R., Mahesh R., Raychaudhuri A.K. and Rao C.N.R. // Solid St. Commun.-1996.-V.99.-P.149

94. Influence of the grain-size and oxygen stoichiometry on magnetic and transport properties of polycrystalline Lao^Cao^sMnOs+s perovskites Hueso L.E., Rivadulla F., Sanchez R.D. et al. // J. Magn. magn. Mater.-1998.-V.189.-P.321-328

95. Crystallinity and magnetoresistance in LaixCaxMn03 thin films Gillman E.S., Li M. and Dahmen K.-H. // J. Appl. Phys.-1998.-V.84.-P.6217-6220.

96. Morytomo Y., Asamitsu A. and Tokura Y./ Pressure effect on the double-exchange ferromagnet Lai.xSr^Mn03 (0.15 <= x <= 0.5) // Phys. Rev. B.-1995.-V.51.-P. 16491-16494

97. Neumeier J.J., Hundley M.F., Thompson J.D. and HeffnerR.H./ Substantial pressure effects on the electrical resistivity and ferromagnetic transition temperature of Lai.^CaxMn03 // Phys. Rev. B.-1995.-V.52.-R7006-7009

98. Tokura Y., Kuwahara H., Moritomo Y. et al./ Competing Instabilities and Metastable States in (Nd,Sm)mSrmMn03 II Phys. Rev. Lett.-1996,-V.76.-P.3184-3187

99. Jia Y.X., Lu L., Khazeni K. et al. / Magnetotransport properties of Lao.6Pbo.4Mn03. dena and Ndo.6(Sr0.7Pbo.3)o.4Mn03- delta single crystals // Phys. Rev. B.-1996.-V.52.-P.9147-9150

100. Sharma N., Nigam A.K., Pinto R. et al. // J.Magn. magn. Mater.-1996,-V.154.-P.296

101. Xiong G.C., Bhagat S., Li Q. et al. // Solid St Commun.-1996.-V.97,-P.599

102. Martinez B., Foncuberta J., Seffar A. et al./ Spin-disorder scattering and localization in magnetoresistive (Lai.xYx)2/3Cai/3Mn03 perovskites // Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P.10001-10007

103. O'Donnell J., Onellion M., Rzchowski M.S. et al./ Magnetoresistance scaling in MBE-grown Lao.7Cao.3Mn03 thin films // Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-R6841-6844

104. Mahesh R., Mahendiran R., Raychaudhuri A.K. and Rao C.N.R. / Effect of particle size on the giant magnetoresistance of La0,7Ca0>3MnO3 // Appl. Phys. Lett.-1996.-V.68.-P.2291-2293

105. L.Xiangdong, J.Zhengkuan, K.Nakamura et al. / The grain size dependence of the resistance behaviors in doped lanthanum mahganite polycrystalline films // J. Appl. Phys.-2000.-V.87.-P.2431-2436

106. Gupta A., Gong G.Q., Xiao G. et al. / Grain-boundary effects on the magnetoresistance properties of perovskite manganite films // Phys. Rev. B.-1996.-V. 54.-R15629-15629

107. Snyder G.J., Beasley M.R., Geballe T.H. et al. // Appl. Phys. Lett.-1996.-V.69.-P.4254

108. Shreekala R., Rajeshwari M., Ghosh K. et al. // Appl. Phys. Lett.-1997.-V.71.-P.282

109. Steenbeck K., Eich T., Kirsch K. et al. // Appl. Phys. Lett.-1997.-V.7L-P.968

110. Gonzalez O.J., Bistue G., Castano E. And Gracia F.J. / Room temperature colossal magnetoresistance in nanocrystalline Lao,67Sro,33Mn03 sputtered thin films // J. Magn magn. Mater.-2000.-V.222.- P.199-206.

111. R.Mathieu, P.Svedlindh, R.A.Chakalov and Z.G.Ivanov / Grain-boundary effects on magnetotransport in La0.7Sr0.3MnO3 biepitaxial films // Phy. Rev. B 2000 - V.62 - P.3333-3339

112. Küsters R.M., SingletonJ., Keen D.A. et al. // Physica B.-1982.-V.155,-P.362

113. Jakob G., Westerburg W., Martin F. and Adrian H. / Small-polaron transport in Lao;67Cao;33Mn03 thin films // Phys. Rev. B.-1998,-V.58,-P.14966-14970

114. Park J.-H., Chen C.T., Cheong S.-W. et al./ Electronic Aspects of the Ferromagnetic Transition in Manganese Perovskites // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76.-P.4215-4218

115. Park J.-H., Chen C.T., Cheong S.-W. et al. // J. Appl. Phys.-1996.-V.79,-P.4558

116. Biswas A. And Raychaudhuri A.K. // J. Phys.: condens. Matter.-1996.-V.8.-L739

117. Hundley M.F., Hawley M., Heffner R.H. et al. // Appl. Phys. Lett.1995.-V.67.-P.860

118. Billinge S.J.L., DiFrancesco R.G., Kwei G.H. et al./ Direct Observation of Lattice Polaron Formation in the Local Structure of Ьа\.хСахМпОъ11 Phys. Rev. Lett.-1996.-V.77.-P.715-718

119. Yen N.-C., Vasquez R., Beam D. et al. / Effects of lattice distorstion and Jahn-Teller coupling on the magnetoresistance of La0,7Ca0,3MnO3 and La0,5Ca0>5CoO3 epitaxial films // J. Phys.: condens. Matter.-1997.-V.9.-P.3713-3721

120. Viret M., Glattli H., Fermon C. et al./ Reemergent Order of Chaotic Circular Couette Flow // Europhys. Lett.-1998.-V.42.-P.301-304

121. Caugnaert V., Suard E., Maignan A. et al. // J.Magn. magn. Mater.1996.-V.153.-L260

122. Kaplan S.G., Quijada M., Drew H.D. et al. / Optical Evidence for the Dynamic Jahn-Teller Effect in Ndo.7Sr0.3Mn03 // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.77.-P.2081- 2084

123. Kim. K.H., Jung J.H., Noh T.W. et al./ Midgap states of Laj xCaxMn03: Doping-dependent optical-conductivity studies // Phys. Rev В.-1998,-V.57.-R11043-11046

124. Zhao G., Conder К., Keller H. and Muller К.A. // Nature-1996.-V.381.-P.676

125. Hwang H.Y., Cheong S.W., Radaelli P.G. et al./ Lattice Effects on the Magnetoresistance in Doped LaMn03 // Phys. Rev. Lett.-1995.-V.75,-P.914-917

126. Millis A.J., Littlewood P.B. and Shraiman В.1./ Double Exchange Alone Does Not Explain the Resistivity of La\.xSrxMnO3 // Phys. Rev. Lett.-1995,-V.74.-P.5144-5147

127. Kwon C., Robson M.C., Kim K.-C. et al. / Stress-induced effects in epitaxial (La0;7Sr0,3)MnO3 thin films // J. Magn. magn. Mater.-1997.-V.172.-P.229-236

128. Kim K.H., Gu J.Y., Choi H.S. et al./ Discrepancies between infrared and dc resistivities of Lao.7Cao.3Mn03 samples // Phys. Rev. B.-1997.-V.55,-P.4023-4026

129. Moon-Ho Jo, Neil D.Mathur, Jan.E.Evetts and Mark G. Blamire // Appl. Phys. Lett.-1999-V.75-P.3689-3691

130. J.-H.Park, T.Veskovo, H.-J.Kim, et al./Magnetic Properties at Surface Boundary of a Half-Metallic Ferromagnet La0.7Sr0.3MnO3 // Phys. Rev. Lett.-1998 -V.81-P. 1953-1956

131. Jin S., Tiefel Т. H., McCormack M. et al. // Science.-1994.-V.264.-P.413

132. Yeh N.-C., Fu С. C., Wei J. Y. T. et al. II J. appl. Phys.-1997.-V.8.-P.97

133. Палатник JI.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные тонкие плёнки // М.: Наука.-1971.-с.61

134. Walter Т., Dorr К., Muller К.-Н. et al. / Magnetic and electrical properties of coherently grown low-strain La0,7Ca0>3MnO3 films // J. Magn. magn. Mater.-2000.-V.222.-P. 175-181.

135. Calderon M.J., Brey J., Guinea F. / Surface electronic structure and magnetic properties of doped manganites // Phys. Rev. B.-1999.-V.60.-P.6698-6704

136. Sun J.Z., Abraham D.W., Rao R.A., Eom C.B. //Appl. Phys. Lett.-1999.-V.74.-P.3017

137. M.Julliere // Phys.Lett. 1975 - V.54A - P.225

138. Large magnetotunelling effect at low magnetic fields in micrometer-scale epitaxial La0,67Sr0;33MnO3 tunnel junctions Yu Lu, Li X.W., Gong G.Q et al. // Phys.Rev.B 1996 - V.54 - R8357-8360

139. Lee S., Hwang H.Y., Shraiman B.I.et al/ Intergrain Magnetoresistance via Second-Order Tunneling in Perovskite Manganites.//Phys.Rev.Lett -1999 V.82 - P.4508-4511

140. B.-S.Teo, N.D.Mathur, S.P.Isaac, J.E.Evetts et al. // J.Appl.Phys.-1998.-V.83.-P.7157

141. Miller D.J., Lin Y.K., Vlasko-Vlasov V.and Welp U.// J.Appl.Phys.-2000.-V.87,-P.6758-6760

142. De Teresa J.M., Ibarra M.R., Garcia J. et al./ Spin-Glass Insulator State in (Tb-La)2/3Ca1/3Mn03 Perovskite // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76.-P.3392-3395

143. Arnold Z., Kamenev K., Ibarra M.et.al. // Appl.Phys.Lett.-1995.-V.67-P.2875

144. Shulyatev D., Karabashev S., Arsenov A. and Ya. Mukovskii / Growth and investigation of doped rare earth manganite single crystals // J. Cryst. Growth.-1999.-V. 198/199.-P. 511-515

145. Hennion M., Moussa F., Fodriguez-Carvajal J. et al./ Coherent waves of magnetic polarons propagating in Lai.xCaxMn03: An inelastic-neutron-scattering study // Phys. Rev.B.-V.56.-R497-500

146. Бебенин Н.Г., Зайнуллина P.И., Машкауцан В.В. и др. / Кинетические эффекты в монокристалле Еао.вВао.гМпОз // ЖЭТФ,-2000.-Т.117.-В.6.-С.1181-1189

147. Hundley M.F., Neumeier J.J., Heffner R.H. et.al. // J.Appl.Phys.-1996.-V.79.-P.4535

148. Pang-Jen Kung Fenner D.B. / Growth and characterization of magnetoresistive La-Ca-Mn-0 films on Si(100) and Si(lll) // Appl. Phys. Lett.-1996.-V. 69.-P.427-429

149. Gu J.Y., Kwon С., Robson M.C. et al. / Growth and properties of c-axis textured Ьао,78го,зМпОз5 films on Si02/Si substrates with a Bi4Ti30i2 template layer // Appl. Phys. Lett.-1997.-V.70.-P. 1763-1765

150. Zhang W., Boyd I.W., Elliot M. and Herrenden-Harkerand W. // Appl.Phys.Lett.-1996.-V.69.-P. 1154

151. Zhang W., Boyd I.W., Elliot M. and Herrenden-Harkerand W. // Appl.Phys.Lett.-1996.-V.69.-P.3599

152. Kishino S., Kuroda H., Shibutani T.and Nui H. // Appl.Phys.Lett.-l994,-V.65-P.781

153. Chahara K., Onho Т., Kasai M.et.al. // Appl.Phys.Let.-1993.-V.62P,-P.780

154. Hoshi Y., Naoe M., Yamanaka S / High-rate, low-temperature sputtering method of facing-targets.//Electr. Commun.Jpn. 1982.-V.65,-N.5.

155. Чичков В.И. Влияние условий роста на электрофизические свойства ориентированных плёнок УВа2Сиз07х, полученных методом ионно-плазменного распыления // Дис. канд. физ.-мат. наук. М.,1992. - 162С.

156. К.Эндрюс, Д.Дайсон, С Киоун Электронограммы и их интерпретация // Москва: Мир.-1971

157. I.M.Kotelyanskii, V.A.Luzanov, Yu.M.Dikaev et al / Deposition of Ce02 films including areas with different orientation and sharp border between them //Thin Solid Films.-1996.-V.280.-P.163-166

158. С.Н.Поляков, Э.В.Ковьев, Ю.Ю.Ерохин и др. / Рентгено-дифрактометрические исследования эпитаксиальных плёнок Се02, выращенных на кристаллах лейкосапфира // Сверпроводимость: физика, химия, техника.-1994.-Т.7.-К6.-С.998-1004

159. Ю.А.Бойков, Д.Эртс иТ.Клаесон // Физика тв. Тела 2000 -Т.42 -В.11 - С.2042-2047

160. Э.Л.Нагаев, Физика магнитных полупроводников // Москва, Наука.-1979.

161. Н.Н.Лошкарёва, Ю.П.Сухоруков, Я.М.Муковский, А.В.Шматок идр / Носители заряда в спектрах оптической проводимости манганитов лантана.// Физика твёрдого тела.-1999.-Т.41.-В.3.-С.475-482.

162. N.G.Bebenin, and V.V.Ustinov / Conduction and disorder in ЬаМпОз-based marerials // J.Phys.: Condens. Matter.-1998.-V. 10.-P.6301-6309.

163. Б.И.Шкловский, А.Л.Эфрос, Электронные свойства легированных полупроводников // Москва, Наука.-1979

164. N.G.Bebenin, N.N.Loshkareva, Yu.P.Sukhorukov // Sol. State Commun.-1998.-V.106.-P.357

165. J.P.Falck, A.Levy, M.A.Kastner and R.J.Birgeneau / Optical excitation of polaronic impurities in La2Cu04+7 // Phys. Rev. B.-1993.-V.48.-P.4043-4046

166. А.А.Самохвалов, Н.А.Виглин, Б.А.Гижевский и др. // ЖЭТФ.-1993,-T.103.-B.3.-C.951.

167. Mark Rubinstein / Two-component model of polaronuic transport // J.Appl.Phys.-2000.-V.87.-P.5019- 5021

168. Zhang N., Ding W., Zong W ct al./ Tunnel-type giant magnetoresistancc in the granular perovskite La0.85Sr0.i5MnO3 // Phys.Rev. В 1997 - V.56 -8138-8142

169. Hwang H.Y., Cheong S.W., Ong N.P. and Batlogg B. / Spin-polarised intergrain tunneling in Ьа2/з8г1/3МпОз // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.77,-P.2041-2044

170. B.Martinez, Li.Balcells, J.Foncuberta et al. // J.Appl.Phys. 1998 -V.83 -P.7058

171. Balsells L., Foncuberta J., Martinez B. and Obradors X. / High-field magnetoresistance at interfaces in manganese perovskites // Phys. Rev. B.-1998.-V.58.-R14697-R14700.

172. Pignard S., Vincent H., J.P.Senateur et al. / Effect of crystallinity on the magnetoresistive properties of Lao^MnOs.s thin films grown by chemical vapor deposition // Appl. Phys. Rev.-1998.-V.73.-P.999-1001146

173. Zhang N., Zhang S., Ding W.P. et al. / Interfacial tunneling and magnetoresistance in granular perovskite Lao,82Sro;i8Mn03 // Sol. State. Comm.-1998.-V. 107.-P.417-422

174. Emin D. and Holstein T. / Adiabatic theory of an Electron in a deformable continuum // Phys. Rev. Lett.-1976.-V.36.-P.323-326

175. Emin D. / Optical properties of large and small polarons and bipolarons // Phys. Rev. B.-1993.-V.48.-P. 13691-13702

176. T.Walter, K.Dorr, K.-H.Muller et al. / Low-field magnetoresistance of LaojSro,3Mn03 thin films with gradually changed texture. // Appl. Phys. Lett.-1999.-V. 74.-P.2218-2220