Получение термоэлектрических ветвей на основе твердых растворов Sb2Te3-Bi2Te3 для термостойких охлаждающих модулей со стабильными характеристиками тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Рябинин, Денис Геннадьевич

• Рябинин, Денис Геннадьевич
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Рябинин, Денис Геннадьевич

Введение.

1. Аналитический обзор литературы.

1.1. Физико-химические свойства В1гТез и вЬгТез.

1.1.1. Структура ЬНгТез.

1.1.2. Термодинамические свойства Х^Тез, БЬ^Тез.

1.1.3. Химическая связь в В1гТез.

1.2. Диаграммы состояния В1 — Те и БЬ — Те.

1.2.1. Диаграмма состояния В! — Те.

1.2.2. Диаграмма состояния вЬ — Те.

1.3. Отступление от стехиометрии в В1гТез.

1.4. Диффузия в термоэлектрических материалах.

1.4.1. Диффузия примесей в твердых растворах В12Тез—В128ез и В12Те3—8ЬгТез.

1.5. Взаимная диффузия на границе металл - полупроводник.

1.5.1. Возможные механизмы диффузии на границе металл - полупроводник.

1.5.2. Влияние взаимной диффузии в системе металл - полупроводник на контактное сопротивление.

1.6. Легирование В1гТез и его твердых растворов.

1.7. Методы выращивания кристаллов теллурида висмута.

1.7.1. Метод Бриджмена.

1.7.2. Зонная плавка.

1.7.3. Метод Чохральского.

1.8. Описание технологических процессов и технологического оборудования получения металлических покрытий на кристаллах твердых растворов теллурида висмута.

1.8.1. Роль металлических покрытии на ветвях твёрдых растворов теллурида висмута.

1.8.2. Напыление металлов в вакууме.

1.8.3. Испарительные системы, основанные на электронно-лучевом методе нагрева

1.8.4. Магнетронные распылительные системы.

1.8.5. Резистивные испарители.

1.9. Оценка степени диссоциации конгруэнтно плавящихся соединений в зависимости от кривизны линии ликвидус в области соединения.

1.10. Расчёт фазовых равновесий в многокомпонентных системах.

1.11. Термодинамический расчет 3х компонентных диаграмм состояния с использованием данных, полученных из бинарных систем.

1.12. Выводы по главе 1.

2. Методы исследования.

2.1. Объекты исследования.

2.2. Метод ускоренных испытаний термоэлектрических материалов.

2.3. Модифицированный метод Бриджмена.

2.3.1. Синтез исходных материалов для кристаллизации поликристаллов.

2.3.2. Технические характеристики процесса синтеза.

2.3.3. Оборудование для синтеза исходных материалов.

2.4. Выращивание кристаллов теллурида висмута.

2.4.1. Описание процесса выращивания.

2.5. Технологический процесс высокотемпературного отжига пластин.

2.6. Контроль качества поликристаллических пластин.

2.6.1. Контроль геометрии.

2.6.2. Измерение удельной электропроводности пластин.

2.7. Описание технологического оборудования электроэрозионной резки твердых растворов теллурида висмута.

2.8. Описание технологического оборудования вакуумного напыления.

2.8.1. Компоновка вакуумной системы установки.

2.8.2. Рабочая камера.

2.8.3. Вакуумные насосы.

2.8.4. Определение толщины покрытий.

2.9. Методики контроля качества ветвей термоэлектрического материала.

2.9.1. Контроль смачиваемости покрытия с использованием припойных паст.

2.9.2. Определение прочности сцепления покрытия с кристаллом.

2.9.3. Измерение проводимости ветвей термоэлементов.

2.9.4. Определение термоэлектрической эффективности Z.

2.9.5. Расчет термоэлектрической эффективности по данным измерения параметров материала.

2.9.6. Измерение термоэлектрической эффективности с использованием метода Хармана.

2.10. Методы и оборудование для исследования фазового равновесия в трехкомпонентной системе ВьТе-вЬ.

2.10.1. Устройство Дериватографа.

2.10.2. Исходные материалы и компоненты для нахождения точек ликвидуса.

2.10.3. Условия проведения экспериментов.

3. Исследование фазового равновесия в трехкомпонентной системе ВКГе-8Ь.

3.1. Построение диаграммы состояния В12Тез-8Ь2Тез.

3.2. Расчет ошибок измерений.

3.3. Расчет энтальпии исследуемых материалов.

3.4. Расчет параметра взаимодействия компонентов бинарных растворов в жидкой фазе.!.

3.5. Расчет коэффициента активности в жидком растворе В1гТез - 8ЬгТез, с использованием приближения квазирегулярных растворов.

3.6. Расчет степени диссоциации систем 8Ь-Те и ВьТе.

3.7. Определение вида зависимости параметров смешения от температуры и состава.

3.8. Расчет коэффициентов активности компонентов системы ВЬ-Те-8Ь.

3.8.1. Сводные таблицы результатов расчёта.

3.9. Выводы по главе 3.

4. Исследование термостойкости термоэлектрического материала.

4.1. Работа с термоэлектрическими пластинами.

4.2. Исследование нового состава материала.

4.3. Исследование термостойкости ветвей термоэлементов.

4.4. Обсуждение результатов отжига микромодулей при температуре 150 °С.

4.5. Выбор оптимального металлического покрытия для термостойкого модуля

4.6. Молибденовое покрытие.

4.6.1. Определение толщины нанесенного покрытия.

4.6.2. Измерение адгезии полученного покрытия к материалу.

4.7. Гальваническое покрытие.

4.8. Отжиг микромодулей с различными металлическими покрытиями.

4.9. Результаты аттестации ветвей.

4.10. Выводы по главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение термоэлектрических ветвей на основе твердых растворов Sb2Te3-Bi2Te3 для термостойких охлаждающих модулей со стабильными характеристиками»

Полупроводниковые термоэлектрические материалы широко применяются в генераторах для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах. Среди этих материалов твердые растворы на основе теллурида висмута (В12Тс3) обладают лучшими термоэлектрическими свойствами в интервале температур 200—600 °К.

Основные энергетические характеристики термоэлектрических устройств (перепад температуры в термобатареях, холодильный коэффициент термостатов, кондиционеров и холодильников, к.п.д. термоэлектрогенераторов) определяются термоэлектрической эффективностью Ъ [1 -2]. где а - коэффициент термо-э.д.с., а - электропроводность, % - теплопроводность, Т-абсолютная температура, индексы пар относятся к п- и р- ветвям термоэлемента.

В настоящее время в качестве основных материалов для термоэлектрических охлаждающих устройств и термогенераторов, работающих при температурах ниже 300— 350 °С, используются твердые растворы ЕПгТез — ЕНгЭез и Б^Тез — Б^Тез

Среди халькогенидов, являющихся компонентами этих твердых растворов, наиболее подробно изучен теллурид висмута. Это объясняется рядом причин. Во-первых, теллурид висмута сам по себе имеет достаточно высокие термоэлектрические параметры и в ранних моделях термоэлектрических приборов широко применялся в качестве рабочего материала. Во-вторых, путем легирования его можно получить как п- так и /?-типа. И, наконец, теллурид висмута проще всего изготовить в виде достаточно совершенных кристаллов. Одним из наиболее перспективных методов получения этих материалов является модифицированный метод Бриджмена, основанный на программируемом охлаждении расплава в зазорах между теплопроводящими пластинами. По сравнению с другими, данным методом удается достичь наибольшей производительности выращивания поликристаллических материалов Р- и Ы-типа, имеющих высокую термоэлектрическую эффективность (2Р«3,2х10"3 1/К, 2ы~3,0х10~3 1/К)

В последнее время наблюдается неуклонный рост спроса на термоэлектрические устройства как электрогенерирующего, так охлаждающего и термостатирующего назначения. Рост производства охлаждающих, термостатирующих и особенно электрогенерирующих устройств, сдерживается стоимостью термоэлектрических модулей, которая в значительной степени определяется стоимостью термоэлектрических материалов.

Все более широкое использование термоэлектрических материалов в современной технике задает все более высокие требования по надежности, стабильности и эффективности этих материалов. Например, международным стандартом Telcordia GR-468-CORE, разработанным применительно к телекоммуникационной аппаратуре, предписано, чтобы термоэлектрические модули выдерживали хранение при 85 °С в течение не менее 2000 часов без существенного (более 5%) изменения характеристик. Удовлетворение этих требований для материалов Р-типа в рамках метода Бриджмена без существенного снижения термоэлектрической эффективности само по себе является сложной задачей. Дополнительные трудности возникают вследствие директивы ЕС, запретившей с 01.06.2006 г. для сборки электронных изделий использование свинцовосодержащих припоев. Заменившие их припои, как правило, содержат в своем составе медь и серебро, которые являются электрически активными быстродиффундирующими примесями в материалах Р- и N-типа. Поэтому разработка стабильных при повышенных температурах термоэлектрических ветвей с надежными барьерными покрытиями, защищающими их от диффузии примесей, является актуальной задачей.

Стабильность свойств во времени, являющаяся одной из важнейших характеристик термоэлектрического материала, зависит от того, являются ли примеси и дефекты в неравновесном или близком к равновесному состоянию при рабочих температурах термоэлемента.

Основная цель работы заключалась в получении с помощью модифицированного метода Бриджмена термоэлектрических ветвей с антидиффузионными металлическими покрытиями, нанесенными на поверхность этих материалов, и сборки из них ТОМ с характеристиками, стабильными при повышенных температурах (до 150°С).

Объектом исследования являлись термоэлектрические пластины п- и р- типа проводимости, получаемые модифицированным методом Бриджмена на предприятии ООО НПО «Кристалл».

Конкретные задачи заключались в следующем:

- определение исходного состава расплава для выращивания кристаллов Р-типа модифицированным методом Бриджмена с помощью исследований диаграммы состояния системы В1гТез—БЬгТез;

- определение условий диффузионного и стабилизирующего отжигов выращенных кристаллов Р-типа;

- выбор состава, толщины и способа нанесения барьерного слоя на поверхность материалов Р- и Ы-типа;

- получение образцов ТОМ и проведение испытаний на устойчивость к температуре 150°С в течение не менее 1000 часов.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Рябинин, Денис Геннадьевич

5. Основные результаты и выводы

1. Разработан технологический процесс изготовления ветвей термоэлектрических материалов для ТОМ, который характеризуется устойчивостью ветвей и ТОМ к повышенным температурам (до 150°С) за счет оптимизации состава и введения дополнительного стабилизирующего отжига материала р-типа проводимости.

2. На основании экспериментальных исследований фазового равновесия в системе Вь Те-БЬ методом ДТА уточнен квазибинарный политермический разрез В1гТез - 8Ь2Те3.

3. Разработан алгоритм расчета параметров смешения бинарных систем и коэффициентов активности в тройной системе ВьТе-БЬ с использованием приближения Колера. Предложен новый метод расчёта параметра смешения, основанный на комбинировании элементов моделей простого и регулярного растворов, позволяющий учесть диссоциацию соединений, растворяющихся друг в друге.

4. На основании результатов исследований фазового равновесия в системе ВьТе-БЬ и экспериментальных данных по устойчивости кристаллов к повышенным температурам найден оптимальный состав р-типа - (В1о258Ьо75)2Тв2 948еооб- Показано, что использование этого состава позволяет увеличить температурную стабильность материала р-типа при незначительном снижении его эффективности (2р«3,1 х10 К" ).

5. Показано, что дополнительный стабилизирующий отжиг термоэлектрического материала р-типа состава (В^ 25§Ьо 75)2Те2 эпЭео ог> при 350°С в среде инертного газа в течение не менее 12 часов не приводит к снижению термоэлектрической эффективности материала.

6. Для создания надежного барьера для диффузии примесей в основной материал предложено использовать слой молибдена толщиной ~ 1 мкм, нанесенный на поверхность материалов методом магнетронного распыления. Показано, что сочетание коммутационного слоя никеля толщиной 4-6 мкм и защитного слоя олово - висмут (1%) толщиной 4-6 мкм, нанесенных в едином технологическом процессе, позволяет устранить влияние состава припоев на температурную устойчивость ТОМ.

7. Разработанный процесс получения ветвей термоэлектрических материалов был использован для изготовления ТОМ типа 8-127-14-15. Испытания на устойчивость ТОМ к хранению при 150°С в течение 1000 часов показали, что итоговое изменение электрического сопротивления составило не более 4,7 %, а термоэлектрической эффективности - не более 5%.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Рябинин, Денис Геннадьевич, 2011 год

1. Гольцман Б.М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. -М.: Наука, 1972. -С. 320.

2. Анатычук Л.И. «Термоэлементы и термоэлектрические устройства» Киев, изд. Наукова думка, 1979,768 с.

3. P. W. Lange, Naturwiss. 207, 133 (1939)

4. Francombe М.Н. // Brit. J. Appl. Phys. -1958. -V. 9. -P. 415.

5. Кузнецов В.Г. // Химическая связь в полупроводниках и твердых телах: Сборник докл. Минск: Наука и техника, 1965. -С. 311.

6. Drabble J.R., Goodman С.Н. // J. Phys. Chem. Sol. -1958. -V. 5. -P. 142.

7. Haneman D. // Phys. Rev. -1960. -V. 119. -P. 567.

8. Satterwaite C., Ure R. // Phys. Rev. -1957. -V. 108. -P. 1164.

9. Л. В. Порецкая, H. X. Абрикосов. B.M. Глазов. ЖНХ 8, 1196 (1963)

10. H. Rodot, H. Benel, Sol. St. Phys. Electronics Telekomm. 2, 692 (1960)

11. Offergeld G., Cakenberghe J. //Nature. -1959. -V. 184. -P. 185.

12. Offergeld G„ Cakenberghe J. // Phys. Chem. 11.-1959 P310

13. F.A. Kroger, J. Phys. Chem. Sol. 7, 276 (1958)

14. F.A. Kroger, sol. St. Phys. 3, 315, 366 (1968)

15. H. J. Goldsmid, W. Dougls, Brit. J. Appl. Phys. 5, 386 (1954)

16. H. J. Goldsmid, Thermoelectric Refrigeration, N. Y., 1964

17. O. P. Manley, J. Phys. Rad. 18, 39A (1957)

18. Teramoto, S. Takayanagi, J. Phys. Chem. Sol. 19, 124 (1961)

19. T.C. Harman, S.E. Miller, H.L. Goeing, Bull. Amer. Phys. Sol. Ser. II, 30, 35 (1955)

20. T.C. Harman et al., J. Phys. Chem. Sol. 2, 181 (1957)

21. G.R. Miller, Che-Yu-Li, J. Phys. Chem. Sol. 26, 173 (1965)

22. V.A. Kutasov, I.A. Smirnov, Phys. Stat. Sol. 18, 479 (1966)

23. B.A. Кутасов, И.А. Смирнов, Изв. АН ССР, Неорг. Материалы 3, 380 (1967)

24. T.C. Harman, J.H. Cahn, M.J. Logan, J. Appl. Phys. 30, 1351 (1959)

25. A. Smakula, V. Sils, Phys. Rev. 99, 1744 (1955)

26. M.H. Francobe, Brit. J. Appl. Phys. 9,415 (1958)

27. В. А. Кутасов, И.А. Смирнов, Изв. АН ССР, Неорг. Материалы 3, 380 (1967)

28. А. С. Glatz, J. Electrochem. Soc. 112, 1204 (1965)

29. A. Broun, B. Lewis, J. Phys. Chem. Sol. 23, 1597 (1962)

30. C.A. Семилетов, Труды института кристаллографии АН СССР, вып. 10,180,1954

31. Н. Н. Soonpaa, J. Phys. Chem. Sol. 25, 1107 (1956)

32. Б. И. Болтакс, Н. А. Федорович, «Диффузия в термоэлектрических материалах» в книге «Термоэлектрические свойства полупроводников» М., 1963, 3-15

33. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: - МИСИС 2003, 330-333

34. Иоффе A.B., Иоффе А.Ф. // Доклады АН СССР т. 98, -с 757

35. Дик М.Г., Абдинов Д.Ш. Сопротивление переходного контакта и адгезионные свойства границы раздела твердых растворов системы Bi2Te3 Bi2Se3 с эвтектикой Bi-Sn. - 1988. Т. 24. N 9. С. 1558-1559.

36. В. Haneman, Phyz. Rev. 119, 567 (1960).

37. U. Birkholz, Z. Natuforsch. 13a, 780 (1958).

38. H. Tamura, Jap. J. Appl. Phyz. 5, 593 (1966).

39. L. Ainsworth,, Proc. Phyz. Soc. 62B , 606 (1956).

40. Млодзеевский А.Б. «Геометрическая термодинамика» M.: Изд-во МГУ -1956.92с

41. Есин O.A. «Термодинамическое исследование диаграмм плавкости диссоциирующих химических соединений» Изв. сектора физ.-хим. анализа. 1949 - Т. 17 -С. 38-63

42. Есин O.A. «Кривизна максимума кривых плавкости как функция диссоциации химического соединения» Изв. сектора физ.-хим. анализа. 1949 - Т. 19. - С. 151-154.

43. Стронкин A.B. «Термодинамика гетерогенных систем» Ч. 1-2. - Л.: Изд-во ЛГУ. -1967.-448с.

44. Глазов В.М., Павлова Л.М. «Оценка степени диссоциации сложных соединений в приближении регулярных растворов» Докл. АН СССР. 1975. - Т. 225. - №6. С. 1347-1350

45. Глазов В.М., Павлова Л.М. «Степень диссоциации теллуридов галлия и индия в точке плавления по данным кривизны ликвидуса» Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1977. -Т. 13. - №2. - С. 217 - 221.1

46. Глазов В.М., Павлова Л.М. «Расчет степени диссоциации полупроводниковыхсоединений по кривизне ликвидуса» М.: РИО МИЭТ. - 1980. - 77 с.

47. Казаков А.И., Мокрицкий В.А., Романенко В.Н., Хитова Л. «Расчёт фазовых равновесий в многокомпонентных системах» М.: Металлургия, 1987. 136 с.

48. Романенко В.Н., Иванов-Омский В.В. ДАН СССР, 1979, т. 129, №3, с 553-555

49. Никитина Г.В., Романенко В.Н. ДАН ССР, 1966, т. 170, №1, с 107-109

50. Пригожин И., Дефей Р. Химическая термодинамика: Пер. с англ. Новосибирск: Наука, 1966, -357 с.

51. Глазов В.М., Павлова JÏ.M. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М.: Металлургия, 1988,- 560 с.

52. Зломанов В.П. Р-Т-х диаграммы двухкомпонентных систем. М.: Изд. МГУ,1980,-152 с.

53. Кауфман Л., Бернстейн Ч. Расчёт диаграмм состояния с помощью ЭВМ: пер. с англ. М.: Мир, 1972. -326 с

54. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Ч. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. М.: Металлургия 1983. - 222 с.

55. Андреев В.М., Долгинов Л.М. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: 1975-328 с.

56. Ansara I. Int. Metals Rev., 1979 v. 24, N 1, p. 20 - 53.

57. Воронин Г.Ф. Математические проблемы фазовых равновесий. — Новосибирск. Наука, 1983, с. 5-40

58. Уфимцев В.Б., Лобанов A.A. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1981.-216с.

59. Герасимов Я. И., Гейдерих В. А. Термодинамика растворов. М.: Изд. МГУ, 1980.

60. Гиббс Д.В. Термодинамика. Статистическая механика: Пер. с англ. - М.:Наука, 1982.-582 с.

61. Veieland L.I. Acta Metall, 1963, v. 11 N 2, p. 137-145.

62. Wagner С. Acta Metall, 1958, v. 6, N 5, p. 309 - 317.

63. Barin I., Kncke O. Thermochemical properties of inorganic substances Berlin: Springer-Verlag, 1973. - 512 p.

64. Глазов B.M. Ж.Физ. Химии, 1977, т. 51, №10, с 2549-2552

65. Глазов В.М., Павлова Л.М., Москвинова H.A. «Доклады академии наук СССР» Том 225, №5, 1975. с. 1096-1099.I

66. Stringfellow G. В. J. Phys. Chem. Solids, 1972 v. 33, N 3, p. 665 - 678.

67. Jordan A.S. J.Electrochem. Soc., 1972, v. 119,N 1, p. 123-126

68. Берг Л.Г. Введение в термографию M.: Наука, 1969.

69. Морачевский А.Г., Сладков И.Б. Термодинамические расчеты в металлургии

70. У. Уэндландт «Термодинамические методы анализа» изд. Мир, М. 1979, с. 527.

71. Аносов В.Я., Озерова М.И., Филаков Ю.Я «Основы изико-химического анализа» -М.: Наука, 1976. - с. - 504.

72. Аносов В.Я., Погодина С.А. «Основные начала физико-химического анализа» М.-Л.: Изд-во АН СССР. - 1947. - 877 с.

73. Курнаков Н.С. Введение в физико-химический анализ: 3-е изд. — JL: ОНТИ. 1936. -194 с.

74. Stringfellow G.B., Green Р.Е. J. Electrochem. Soc.,1970, v.l 17, №8

75. А.Г. Морачевский, И.Б. Сладков «Термодинамические расчеты в металлургии» Справочник. Изд. Металлургия, 1993. с. 304

76. Л.П. Рузинов, Б.С. Гуляницкий «Равновесные превращения. Справочникметаллургических реакций» М. Металлургия, 1975, 416 стр.

77. Герасимов Я.И., ГейдерихВ.А. «Термодинамика растворов» М.: мГУ, 1980, с. 181

78. Kohler F. Monatshefte fur Chemie, 1960, v. 91, N 3, p. 738-740

79. C. Champness, P. Chiang, P. Parekh, Canad. J. Phys. 43, 653 (1965).

80. L. Liebe, Ann. Phyz. 15, 179 (1965).

81. J. Parrott, A. Penn, Sol, 81. Phyz. Electronics Telecomm. 2, 836 (1960).

82. L. Ainsworth,, Proc. Phyz. Soc. 62B , 606 (1956).

83. F.D. Rosi, B. Adeles, R.V. Jensen, J. Phyz. Chem. Sol.10,191 (1959).

84. А.Ф. Скубенко, Укр. Физ. Журн. 5, 779 (1960).

85. О. Falzer, Н. Nieke, Ann. Phyz. 15,192 (1965).

86. Алексеева Г.Т., Ведерников М.В. и др. «Физика и техника полупроводников», том 34, вып. 8, 2000.

87. Simard J-M., Vasilevsky D., Belanger F., Ecuyer J.L., Turenne S. Production of Thermoelectric Materials by Mechanical Alloying Extrusion Process. Proceedings ICT'01 20 International Conference on Thermoelectrics, 2001

88. Shikada Zenichi, Kamei Katsumoto,. Thermoelectric module and method for ! manufacturing it. Patent abstract of Japan, publication number 09293909, 11.11.97.

89. Sokolov O.B., Skipidarov S.Ya., Duvankov N.I. The Variation of the Equilibrium of Chemical Reactions in the Process of (Bi2Te3)(Sb2Te3)(Sb2Se3) Zone-melting Material Production. Proceedings ICT'01 20 International Conference on Thermoelectrics, 2001.

90. Stuart B. Horn, Elizabeth H. Nelson. Thermal Conductivity Enhancement Technique. Pat/ US 5525162, 11.06.1996.

91. R. Porter, C. Spencer, J.Chem. Phyz. 32, 943 (1960).i

92. H. Schreiner, F. Wendler, Z. Metallkunde 57, 708 (1966).

93. Л.Н. Лукьянова. ФТТ 32, 488 (1990). 67

94. Белов Ю.М. . Свидетельство на полезную модель №26161 «Полупроводниковое изделие и изготовленная из него деталь для термоэлектрических устройств»

95. Дик М.Г., Рыбина Л.Н. и др., Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1988. Т. 24. №4. с. 688-690.

96. Ufimtsev V.B. end al., Advanced Performance Materials., 1997,4, p. 189.

97. Алиева Т.Д. и др. Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1997, Т. 33, №1, с.27.

98. Harman Т.С. Measurement of Pertinent thermoelectric Properties. // Thermoelectric Materials and Devices. Cadoff I.B., Miller E., Reinhold, 1967, chap.6.

99. Белов Ю.М. Патент на изобретение №2172540 «Полупроводниковое изделие» (Профилированный кристалл с армирующим поясом).

100. Белов Ю.М., Maekawa Nobuteru, Заявка PCT/JP98/00036. «Литая пластина, изготовленная из термоэлектрического материала, прямоугольный брусок, вырезанный из литой пластины и способ изготовления литой пластины».

101. Манякин С.М., Волков М.П., Сидоров А.А. «Температурная устойчивость параметров термоэлементов с многослойными вакуумными покрытиями на основе теллуридов висмута и сурьмы» сборник статей конференции ICT 2005.

102. Зимон А.Д. Адгезия пленок и покрытий. М., Химия, 1977, 352 с.

103. Тополянский П.А. «Исследование ионно-плазменных износостойких покрытий на инструментальных сталях». Металлообработка. 2004, №1 (19), 24с.

104. Тушинский Л.И., Плохов А.В. «Исследование структуры и физико-механических свойств покрытий». Наука 1986, 216 с.

105. Труды А.Н. «Температуроустойчивые защитные покрытия», Наука 1968, 356с.

106. Морачевский А.Г. «термодинамика расплавленных металлических и солевых систем» М: Металлургия, 1987, 240 с

107. Патент «Электроискровой способ резки кристаллических пластин» (решение о выдаче патента от 25.05.2009 г. на заявку №2008131326/02). Авторы Рябинин Д.Г., Санеев С.В.