Получение, структура и свойства особо чистых поликристаллических CVD-ZnSxSe1-x тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Савин, Дмитрий Вячеславович

• Савин, Дмитрий Вячеславович
• кандидат химических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат химических наук Савин, Дмитрий Вячеславович

Введение.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1. Методы получения сульфоселенидов цинка.

1.1.1. Выращивание сульфоселенидов цинка из расплава.

1.1.2. Получение сульфоселенидов цинка методом горячего прессования порошка.

1.1.3. Выращивание сульфоселенидов цинка методом физического осаждения из пара.

1.1.4. Выращивание сульфоселенидов цинка методом химических транспортных реакций.

1.1.5. MOCVD-метод получения сульфоселенидов цинка.

1.1.6. Получение сульфоселенидов цинка химическим осаждением из газовой фазы по реакции паров цинка со смесью селеноводорода и сероводорода.

Глава 2. Получение и исследование свойств поликристаллических ZnSxSe,.x.

2.1. Описание установки для получения массивных образцов поликристаллических ZnSxSeix по реакции паров цинка с селеноводородом и сероводородом.

2.2.Методика проведения эксперимента.

2.3. Определение примесного состава CVD-ZnSxSe^x.

2.4. Влияние условий проведения CVD-процесса на состав сульфоселенидов цинка.

2.5. Исследование структуры поликристаллических ZnSxSe^.

2.5.1. Влияние условий проведения CVD-процесса на средний размер зерна сульфоселенидов цинка.

2.5.2. Исследование кристаллической структуры CVD-ZnSxSeix.

2.6. Исследование влияния состава на спектры пропускания образцов ZnSxSeix.

2.7. Исследование микротвердости сульфоселенидов цинка.

Глава 3. Высокотемпературная газостатическая обработка поликристаллических ZnSxSe^.

3.1. Методика проведения высокотемпературной обработки сульфоселенидов цинка.

3.2. Влияние высокотемпературной обработки на оптические свойства ZnSxSei.x.

3.3. Исследование влияния высокотемпературной обработки на структуру сульфоселенидов цинка.

3.4. Изучение процессов рекристаллизации ZnSxSei.x при высокотемпературной обработке.

3.4.1. Исследование кинетики роста зерен ZnSxSej.x.

3.4.2. Влияние температуры на величину среднего размера зерна ZnSxSe!xnpH отжиге и HIP-обработке.

Глава 4. Обсуждение результатов.

4.1 .Получение сульфоселенидов цинка постоянного состава. Влияние условий CVD-процесса на структуру ZnSxSeix.

4.2.Влияние состава на структуру и оптические свойства ZnSxSei.x.

4.3.Высокотемпературная газостатическая обработка ZnSxSe!x.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение, структура и свойства особо чистых поликристаллических CVD-ZnSxSe1-x»

Актуальность темы. Материалы для современных оптических систем видимого и ИК-диапазона длин волн, в том числе для систем специального назначения, должны иметь высокие значения прочности, твердости, коэффициента пропускания, широкую область прозрачности, оптическую однородность, эрозионную и термическую стойкость [1-6].

Перспективными материалами, нашедшими широкое применение для изготовления оптических элементов, работающих в видимом и ИК-диапазоне длин волн и удовлетворяющих большинству из вышеперечисленных требований, являются поликристаллические ZnS и ZnSe. Существенно менее изучены их твёрдые растворы ZnSxSei.x (0<х<1) [7]. Интерес к получению и исследованию свойств сульфоселенидов цинка обусловлен возможностью варьирования их свойств при изменении состава. Весьма перспективным является получение на основе ZnSxSeix материала, сочетающего в себе высокие оптические характеристики ZnSe и механическую прочность ZnS. Представляет интерес использование сульфоселенидов цинка в качестве материалов для градиентной оптики. Отсутствие в литературе данных о влиянии условий получения и состава на структуру и свойства твердых растворов ZnSxSeix существенно ограничивает их применение в качестве оптических материалов.

К настоящему времени разработано несколько методов, позволяющих получать массивные образцы сульфоселенидов цинка: выращивание из расплава под давлением инертного газа [8-11], метод горячего прессования порошкообразных ZnS и ZnSe [12, 13], метод сублимации [14-17], метод химических транспортных реакций [18-24], MOCVD-метод [25-29]. В зависимости от используемого метода свойства ZnSxSeix могут существенно отличаться, что связано с влиянием условий получения материала на его структуру, примесный состав, наличие дефектов и их содержание. Образцы сульфоселенидов цинка, выращенные вышеперечисленными методами содержат значительное количество структурных и примесных дефектов и не обладают требуемым сочетанием высоких оптических и механических свойств.

Материал с низким содержанием примесей и собственных дефектов структуры удаётся получать методом химического осаждения из газовой фазы (CVD-методом) с использованием в качестве исходных реагентов цинка и смеси газообразных селеноводорода и сероводорода [30]. Это делает CVD-метод наиболее перспективным для получения образцов ZnSxSeix с высокими эксплуатационными характеристиками. Однако в используемых авторами [30-33] проточных CVD-реакторах образовывались осадки сульфоселенидов цинка с непрерывно изменяющимся составом по координате подложек. Согласно [32] изменение макросостава ZnSxSeix составляло Дл~0.3 на длине 100 мм и связано с различием в значениях эффективных констант скоростей осаждения ZnSe и ZnS. Образцы CVD-ZnSxSeix (0<х<1) с максимально возможным оптическим пропусканием в видимом и ИК-диапазоне длин волн получить не удается [30, 31] и для повышения прозрачности материала необходимо проводить его последующую высокотемпературную газостатическую обработку (ШР-обработку) [31]. Условия газостатического прессования, применительно к CVD-ZnSxSeix, позволяющие получать высокопрозрачный материал с минимально возможной величиной среднего размера зерна, в литературе не приводятся. Отсутствуют сведения о влиянии условий получения CVD-ZnSxSej.x и последующей HIP-обработки на структуру, оптические и механические свойства материала.

Цель данного исследования состояла в разработке способа получения однородных по составу массивных образцов поликристаллических сульфоселенидов цинка CVD-методом и установлении зависимостей состава ZnSxSej.x, их структуры, оптических и механических характеристик от условий CVD-процесса и последующей Н1Р-обработки.

Для достижения поставленной цели было необходимо решить следующие конкретные задачи:

- разработать способ получения массивных однородных по составу высокочистых образцов поликристаллических сульфоселенидов цинка в проточном реакторе по реакции паров цинка со смесью газообразных селеноводорода и сероводорода;

- исследовать влияние условий процесса химического осаждения поликристаллических ZnSxSeix на их состав и структуру (средний размер зерна);

- изучить влияние состава твердых растворов сульфоселенидов цинка на их кристаллическую структуру, оптические и механические свойства;

- исследовать влияние условий (температуры, давления и времени) высокотемпературного газостатического прессования ZnSxSeix (0<ос<1) на изменение их структуры и оптических характеристик.

Научная новизна. В диссертации впервые проведено комплексное исследование процесса химического осаждения поликристаллических сульфоселенидов цинка. Изучена зависимость состава и структуры ZnSxSeix от условий проведения процесса. Выявлена структурная неоднородность слоев ZnSxSej.x в направлении движения реакционной смеси и в направлении роста. Показано, что основное влияние на средний размер зерна поликристаллических ZnSxSej.x оказывает величина пересыщения, которая зависит от параметров проведения процесса и изменяется по длине реактора.

Выявлена немонотонная зависимость структуры, оптических и механических свойств твердых растворов ZnSxSei.x от их состава, связанная с образованием собственных структурных дефектов. На основании результатов исследования интегральной ширины дифракционных линий, столбчатого характера микроструктуры, пропускания в видимой области показано, что содержание структурных дефектов имеет максимум в области средних составов.

Впервые исследовано влияние температуры, давления и продолжительности высокотемпературного газостатического прессования поликристаллических сульфоселенидов цинка всего ряда составов на их структуру и оптические свойства. На основании исследования кинетических закономерностей роста зерен при высокотемпературном отжиге проведена оценка содержания дефектов в ZnSxSei.x различного состава. Определены значения энергии активации рекристаллизации ZnSxSeix (0<х<1) при отжиге и ШР-обработке.

Практическая ценность. Разработан способ получения однородных особо чистых образцов поликристаллических сульфоселенидов цинка ZnSxSei.x (0<х<1) размером от 40x40x8 до 70x70x4 мм с содержанием контролируемых примесей менее 10"4 мае. % и изменением состава в аксиальном и радиальном направлении, не превышающим Дх=±0.02. Определены условия высокотемпературной газостатической обработки, при которых достигаются высокие значения оптических и механических характеристик: пропускание в ИК-диапазоне до 72 % и микротвердость не менее 1.5 ГПа.

Совокупность результатов исследований обеспечивает необходимую научно-техническую базу для создания метода получения материалов на основе ZnSxSeix с заданным профилем показателя преломления с оптическими и механическими характеристиками, отвечающими требованиям инфракрасной и градиентной оптики.

На защиту выносятся: результаты экспериментального исследования влияния условий CVD-процесса на состав и структуру ZnSxSei.x; методика получения однородных по составу поликристаллических сульфоселенидов цинка ZnSxSeNx (0<х<1) в особо чистом состоянии; экспериментальные данные о зависимости структуры, оптических и механических свойств ZnSxSejx от их состава;

- результаты исследования влияния условий высокотемпературного газостатического прессования на структуру и оптические свойства сульфоселенидов цинка.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на XII и XIII конференциях "Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение" (Нижний Новгород, 2004 г. и 2007 г.); Шестнадцатой и семнадцатой Европейской конференции по химическому осаждению из газовой фазы EUROCVD-16 и EUROCVD-17 (Гаага, 2007 г. и Вена, 2009 г.); XIX и XX Международных научно-технических конференциях по фотоэлектронике и приборам ночного видения. (Москва, 2006 г. и 2008 г.); городском семинаре по химии высокочистых веществ (Нижний Новгород, 2006 г., 2008 г. и 2010 г.); Всероссийской научно-технической конференции "Фундаментальные проблемы машиноведения: Новые технологии и материалы". (Нижний Новгород, 2006 г.); симпозиуме "Новые высокочистые материалы". (Нижний Новгород, 2008 г.); XXVII научных чтениях имени академика Н.В. Белова (Нижний Новгород, 2008 г.).

Личный вклад заключается в постановке задач исследования, определении способов их решения, в проведении основного объёма описанных в работе экспериментальных и теоретических исследований, а также в обсуждении и обобщении полученных результатов.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 6 статей в научных журналах и 15 тезисов докладов на научных конференциях.

Структура и объём диссертации. Диссертационная работа изложена на 116 стр. машинописного текста, состоит из введения, четырех глав, выводов, списка цитируемой литературы (106 наименований) и содержит 50 рисунков и 13 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Савин, Дмитрий Вячеславович

выводы

1. Разработан способ получения массивных, однородных по составу особо чистых образцов поликристаллических ZnSxSeix (0<х<1) химическим осаждением из газовой фазы по реакции паров цинка со смесью газообразных селеноводорода и сероводорода. Способ позволяет воспроизводимо получать образцы ZnSxSeix (0<х<1) с изменением состава по толщине не более Дх=±0.02, с содержанием контролируемых примесей (А1, Си, Cr, Fe, Mg, Мл, Ni, Si, Pb, Ti) менее 10"4 мае. % и высоким (до 72 %) пропусканием в ИК-диапазоне. Решена важная материаловедческая задача — получение материала, пригодного для оптических систем видимого и ИК-диапазона длин волн.

2. Исследовано влияние условий (температуры, давления и концентраций реагентов) получения сульфоселенидов цинка на величину среднего размера зерна в осаждаемом материале. Определены значения величины пересыщения, создаваемого при осаждении CVD-ZnSxSeix (0<х<1) с учетом изменения реального и равновесного состава газовой фазы по координате реактора. Показано, что при увеличении пересыщения с 106 до 1011 средний размер зерна сульфоселенидов цинка уменьшается с 25 до 2 мкм.

3. Показано, что CVD-ZnSxSeix имеют дефектную структуру с широкими неравновесными межзеренными границами, характеризующуюся уширенными дифракционными линиями и ростом зерен, ориентированным в направлении нормали к подложке. Это приводит к уменьшению оптического пропускания материала, по сравнению с теоретическим, в видимой и ИК-области спектра. Оптические потери существенно возрастают в области составов 0.4<х<0.8, в которых содержание структурных дефектов, максимально.

4. Показано, что условия газостатического прессования, при которых в ZnSxSeix формируется близкая к равновесной структура, зависят от состава сульфоселенидов цинка и определяются природой и содержанием дефектов в исходном материале. Установлено, что после высокотемпературной газостатической обработки в сульфоселенидах цинка содержание структурных дефектов уменьшается, а оптическое пропускание материала в видимой и ИК-области спектра увеличивается и приближается к теоретическому пределу.

5. Установлено, что зависимость величины среднего размера зерна от времени отжига описывается степенной функцией D~tn с показателем степени, изменяющимся в диапазоне 0.1-0.4 и зависящим от состава сульфоселенидов цинка. Немонотонная зависимость величины среднего размера зерна ZnSxSeix от л: связана с увеличением содержания в области составов 0.4<х<0.8 собственных дефектов структуры, затрудняющих миграцию границ зерен в процессе высокотемпературной обработки.

6. Показано, что при отжиге и ШР-обработке в интервале значений температуры 900°С<Г<1200°С процесс собирательной рекристаллизации сульфоселенидов цинка происходит по диффузионному механизму. В низкотемпературной области (Т< 1020°С-1060°С) преобладает граничная само диффузия с энергией активации £й~(100±30 кДж/моль); при более высоких температурах (7>1020°С-1060°С) возрастает вклад объёмной самодиффузии, характеризующейся высоким значением £а~(350±100 кДж/моль).

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Савин, Дмитрий Вячеславович, 2010 год

1. Marsh K.J., Savage LA. Infrared Optical Materials for 8-13 jam Current Development and Future Prospects // Infrared Phys. 1974. V. 14. № 2. P. 85-97.

2. Hodges Dean T. Industrial Optics Manufacturers Challenged on Performance and Cost // Laser Focus World. 1995. № 9. P. 62-63.

3. Hilton A.R. Infrared Transmitting Materials // J. Electron. Mater. 1973. V. 2. №2. P. 211-225.

4. Deutsch T.F. Laser Window Materials an Overview // J. Electron. Mater. 1975. V. 4. №4. P. 663-719.

5. Воронкоеа E.M., Гречушников Б.Н., Дистнер Г.И. u dp. Оптические материалы для ИК-техники М.: Наука, 1965. 336 с.

6. Криксуное JI.3. Справочник по основам ИК-техники // М.: Сов. Радио, 1978. 400 с.

7. Берченко Н.Н. и др. Полупроводниковые твёрдые растворы и их применение: Справочные таблицы. М.: Воениздат. 1982. 208 с.

8. Kozielski M.J. Polytype single crystals of ZnixCdxS and ZnSixSex solid solutions grown from the melt under high argon pressure by bridgman's method // J. Cryst. Growth, V. 30. 1975. P. 86-92.

9. Андреев A.A., Буланый М.Ф., Голиков C.A. и др. Получение и некоторые свойства монокристаллов твёрдых растворов ZnxCdixS и ZnSySeiy // Журнал неорган, химии .1995. Т. 40. №7. С. 1079-1082.

10. Бакрадзе Р.В., Сысоев JI.A., Райскин Э.К. и др. I В сб. Рост кристаллов. М., Наука, 1965. С. 261.

11. Атрощенко JI.B., Бринцев Ф.И., Колодяжный А.И. Анизотропия механических свойств и особенности структуры монокристаллов ZnS ZnSe, выращенных из расплава // Неорган, материалы. 1975. Т. 11. № 12. С. 21332137.

12. Грошееа Л.А., Сахаров В.В., Смоля А.В. и др. Поликристаллический селеиид цинка, легированный сульфидами цинка и кадмия // Неорган, материалы. 1980. Т. 16. № 5. С. 790-795.

13. Комолова Л.Ф., Грошееа Л.А., Мухина Л.Л. и др. Структурные особенности поликристаллического ZnSe и твердых растворов ZnSxSeix // Неорган, материалы. Т. 19. № 11. С. 1802-1806.

14. Cutter J.R., Russell G.J., Woods J. The growth and defect structure of single crystals of zinc selenide and zinc sulpho-selenide // J. Cryst. Growth, V. 32. 1976. P. 179-188.

15. Ананьева Г.В., Горохова Е.И., Демиденко А.А. Изучение взаимосвязи состава, структуры и свойств поликристаллических сульфоселенидов цинка // Высокочистые вещества. 1991. № 4. С. 70-74.

16. Mochizuki К. Vapor growth and stoichiometry control of zinc sulfo-selenide //J. Cryst. Growth, V. 58. 1982. P. 87-94.

17. Russell G.J., Woods J. Vapour growth and defect characterization of large single crystals of ZnS and Zn(S,Se)//J. Cryst. Growth, V. 47. 1979. P. 647-653.

18. Catano А., Кип Z.K. Growth and characterization of ZnSe and homogeneous ZnS^S енс crystals//J. Cryst. Growth, V. 33. 1976. P. 324-330.

19. Fujita S., Mimoto H., Takebe H. et al. Growth of cubic ZnS, ZnSe and ZnSxSeix single crystals by iodine transport // J. Cryst. Growth. 1979. V. 47. P. 326-334.

20. Parker S.G., Pinell J.E. II Trans. Met. Soc. AIME. 1969. V. 245. P. 451.

21. Kumar S.O., Soundeswaran S., Kabiraj D. et al. Effect of heat treatment and Si ion irradiation on ZnS^Sei-* single crystals grown by CVT method // J. Cryst. Growth, V. 275. 2005. P. 567-570.

22. Ozsan M.E., Woods J. Green electroluminescence in crystals of ZnS0.6Se0.4 // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 25. P.489-491.

23. Kaufman R.G., Dowbor F. Mechanism of formation of Ohmic contacts to ZnSe, ZnS, and mixed crystals ZnSxSeNx// Appl. Phys. 1974. V. 45. P. 4487.

24. Matsumoto К., Shimaoka G. Crystal growth of ZnS and ZnSe by chemical transport using NH4C1 as a transport agent // J. Cryst. Growth, V. 79. 1986. P. 723728.

25. Stutius W. Organometallic vapor deposition of epitaxial ZnSe films on GaAs substrates // Appl. Phys. Lett. 1978. V. 33. № 7. P. 656-658

26. Cockayne В., Wright P.J. Metalorganic chemical vapour deposition of wide band gap II VI compounds // J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. P. 223-230.

27. Wright P.J., Cockayne B. The organometallic chemical vapor deposition of ZnS and ZnSe at atmospheric pressure // J. Ciyst. Growth. 1980. V. 59. P. 148-154.

28. Mitsuhashi H., Mitsuhashi I., Kukimoto H. MOCVD growth of ZnSxSe!x epitaxial layers lattice-matched to GaAs using alkyls of Zn, S and Se // J. Cryst. Growth. 1985. V. 78. P. 864-867.

29. Williams J.O., Wright A.C., Cockayne B. Hight resolution transmission and analytical electron microscopy of interfaces epitaxial ZnSxSeix grown by MOCVD // J. Cryst. Growth. 1985. V. 72. P. 155-161.

30. Lewis K.L., Cook D.J., Roscoe P.D. The structure and optical properties of polycrystalline ZnSxSeix prepared by chemical vapour deposition // J. Cryst. Growth. 1982. V. 56. P.614-620.

31. Pickering M.A., Taylor R.L., Moore D.T. Gradient infrared optical material prepared by a chemical vapor deposition process // J. Cryst. Growth. 1986. V. 25. P. 3364-3371.

32. Девятых Г.Г., Гаерищук E.M., Даданов А.Ю. и др. Исследование кинетики гетерогенного осаждения сульфоселенида цинка из газовой фазы в горизонтальном проточном реакторе // Высокочистые вещества. 1987. №3. С.171-173.

33. Leigh W.B., Wessels В. W. Vapor growth and properties of thin film ZnSxSe!x // Thin Solid Films, 1982. Vol. 97. P. 221-229.

34. Максаков Б.И., Дубенский K.K. II Опт.-мех. пром-сть. 1962. №5. С.29.

35. Кулаков М.П., Кулаковский В.Д., Фадеев А.В. Двойникование в кристаллах ZnSe, полученных из расплава под давлением // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1976. Т. 12. № 10. С. 1867-1869.

36. Ursu /., Nistor L.S., Teodorescu V.S. et al. Damage studies in cubic ZnSe single crystals grown from melt // Appl. Phys. A. 1989. V. 48. N 5. P. 451-456.

37. Полторацкий Ю.Б., Ковтун Е.Д., Деркач Ю.Ф. Селеноуглерод в кристаллах селенида цинка // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1989. Т. 25. №3. С. 367-370.

38. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства. М., Наука, 1987. 199 С.

39. Куколь В.В., Лакин Е.Е., Сысоев Л.А. Монокристаллы и техника. // ВНИИ монокристаллов. Харьков, 1973. Вып. 2(9). С. 84.

40. Физика и химия соединений AnBVI / Под ред. Медведева С.А. М.: Мир, 1970. 624 с.

41. Michalski Е., Demianiuk М., Kaczmarek S. et al. Some new aspects of polytypic structures in ZnSixSex mixed crystals // Acta Physica Polonica. 1980. V. A58. P. 711-719.

42. Fenter J.R., Kuhl G.E., Atkins G.R. et al. Materials for high power infrared laser windows //Proc. Symp. Electromagn. Windows, 12 th. 1974. P. 88-92.

43. Соколов В.А. Получение кристаллов селенида цинка и его аналогов кристаллизацией из расплава под давлением // Тр. ГОИ. 1983. Т.55. С.63-73.

44. Tsujimoto J. Hot-Pressing Optical Ceramics // Jap. J. Appl. Phys. 1966. V.5. № 7. P.636-646.

45. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М., Высшая школа, 1971. 336 с.

46. Волынец Ф.К., Рыжиков Э.Н. Рекристаллизация ZnSe при горячем прессовании // Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1976. Т.12. № 11. С. 19511954.

47. Волынец Ф.К. Способы изготовления, структура и физико-химические свойства оптической керамики // Опт.-мех. пром-сть. 1973. № 9. С.48-61.

48. Давыдов А.А., Глебкин А.А. Усовершенствованный процесс выращивания кристаллов из газовой фазы // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1972. Т.8. № 10. С. 1731-1733.

49. Максимова И.А., Миронов И.А., Павлова В.Н. Способ получения поликристаллических блоков халькогенидов цинка и кадмия для оптической керамики А.с. 844609 СССР // Б.И. 1981. № 25. С. 134.

50. Гавригцук Е.М. Поликристаллический селенид цинка для инфракрасной оптики// Неорган, материалы. 2003. Т. 39. № 9. С. 1031-1049.

51. Кулаков М.П., Фадеев А.В., Лемперт С.А. Инфракрасное поглощение в селениде цинка с примесью железа // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1981. Т. 17. № 12. С. 2274-2275.

52. Демиденко А.А., Дунаев А.А., Колесникова С.Н. и др. Роль пассивной подложки при вакуумной сублимации пол и кристаллического селенида цинка // Высокочистые вещества. 1991. №1. С. 103-109.

53. Атрощенко Л.Б., Бритве Ф.И., Саркисов Л.А. и др. Монокристаллы и техника. //ВНИИ монокристаллов. Харьков. 1971. С. 10.

54. Девятых Г.Г., Сидоров В.А., Гаврищук Е.М., Моисеев А.Н. Свойства селенида цинка, полученного из Zn(C2H5)2 и H2Se // Высокочистые вещества. 1992. №4. С. 54-59.

55. Девятых Г.Г., Яшина Э.В., Гавршцук Е.М. Получение поликристаллического сульфида цинка по реакции диэтилцинка с сероводородом//Высокочистые вещества. 1990. №3. С. 164-166.

56. Lipson Н. G. Impurity absorption in CVD-ZnSe // Appl. Opt. 1977. V. 16. № 11. P. 2902-2908.

57. Lewis K.L., Banyard A.A., Banyard S.A. Hydrogen-related defects in vapour — deposited zinc sulphide //J. Cryst. Growth. 1984. V. 66. P. 125-136.

58. Жук Б.В., Хамылов B.K., Каверин Б.С. и др. Кристаллизация селенида цинка при реакции цинкорганического соединения и селеноводорода // Поверхность. Физика, химия, механика. 1982. № 7. С.112-120.

59. Хамыпов В.К. Осаждение поликристаллических слоев селенида цинка МОС-гидридным процессом// Применение металлорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов. М.: "Наука". 1986. С. 167-179.

60. Гаврищук Е.М., Яшина Э.В. О механизме роста сульфида цинка из газовой фазы//Высокочистые вещества. 1994. №5. С.36-39.

61. Девятых Г.Г., Гаврищук Е.М., Даданов А.Ю. Исследование кинетики химического осаждения селенида цинка из газовой фазы в горизонтальном проточном реакторе // Высокочистые вещества. 1990. №2. С.174-179.

62. Гаврищук Е.М. Получение высокочистого селенида цинка для ИК-оптики / Автореф. дис. на соиск. уч. ст. д.х.н. Н. Новгород. 2000. 47 с.

63. Караксина Э.В. Получение и свойства поликристаллического сульфида цинка для ИК-оптики / Автореф. дис. на соиск. уч. ст. д.х.н. Н. Новгород. 2004. 33 с.

64. Bryant W.A. Review: The fundamentals of chemical vapor deposition // J. Mater. Sci. 1977. № 12. P. 1285-1306

65. Петрянов КВ., Кощеев B.C., Басманов П.И. и др. Лепесток. (Легкие респираторы) М.: Наука, 1984. 216 с.

66. Девятых Г.Г., Крылов В.А., Лазукина О.П. и др. Определение частиц в транспортных газах на диффузионном спектрометре аэрозолей // Высокочистые вещества. 1992. № 3. С. 118-124.

67. Шитов В.Н., Моисеев А.Н., Гаврищук Е.М. и др. Атомно-эмиссионный анализ высокочистого селенида цинка // Тез. докл. VII Всес. Конф. .по методам получения и анализа высокочистых веществ. Горький. 1985. Ч. 2. С. 57-58.

68. Яшина Э.В. Получение и свойства поликристаллического ZnS для ИК-оптики // Неорган, материалы. 2003. Т.39. № 7 С. 786-792.

69. Девятых Г.Г., Гаврищук Е.М., Даданов А.Ю. и др. Распределение примесей в селениде цинка, полученном химическим осаждением из газовой фазы в горизонтальном проточном реакторе // Высокочистые вещества. 1990. №4. С. 184-186.

70. Lewis K.L., Arthur G.S., Edwards D. Incorporation of iron impurities in cubic ZnS I I J. Cryst. Growth. 1982. V.59. P. 201-209.

71. Миркин ЛИ. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов // М.: Изд. ФМЛ. 1961. 862 с.

72. Картотека порошковых данных ASTM.

73. База данных «WWW.MHHKPHCT» 2003 г.

74. Владьгко М.Н., Колчин А.А., Татарченко В.А., Савченко КБ. Исследование структуры и механических свойств высокочистого поликристаллического селенида цинка // Высокочистые вещества. 1988. №2. С. 217-221.

75. Девятых Г.Г., Гаврищук Э.В., Яшина Э.В. Влияние условий химического осаждения из газовой фазы поликристаллического сульфида цинка на его микроструктуру//Неорган, материалы. 1996. Т. 32. №6. С. 667-669.

76. Гаврищук Е.М., Салганский Ю.М., Сидоров В.А. Влияние концентрации реагентов на средний размер зерен ZnSe, полученного химическим осаждением из газовой фазы // Неорган, материалы. 2001. Т. 37. №3. С. 278-282.

77. Роенков Н.Д. О пересыщении при физическом и химическом газофазном осаждении // Журнал прикладной химии. 1995. Т. 68. №11. С. 1775-1781.

78. Салтыков С.А. Стереометрическая металлография. М.: Металлургия, 1970. 374 с.

79. Избранные методы в металлографии. / Под ред. Хунгера. М: Металлургия, 1985. С. 73-103.

80. Пауэлл К. Основы химического осаждения из газовой фазы. М.: Высшая школа, 1976. 417 с.

81. Щуров А.Ф., Перевощиков В.А., Грачева Т.А. и др. Структура и механические свойства поликристаллического сульфида цинка // Неорган, материалы. 2004. Т.40. № 2. С. 13 8-143.

82. Горелик С.С., Скаков Ю.А., Расторгуев Л.Н. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. М.: МИСИС, 2002. 360 с.

83. Вишняков ЯД. Дефекты упаковки в кристаллической структуре. М.: Металлургия, 1970. 216 с.

84. Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов Н.А., Расторгуев H.JI. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 632 с.

85. Surkova Т.Р., Godlewski М., Swiatek К. et al. Intra-shell transitions of 3D metal ions (Fe, Co, Ni) in Il-Vi wide-gap semiconductor alloys // Phys. B. 1999. V. 273-274. P. 848-851.

86. Demirbas U., Sennaroglu A., Somer M. Synthesis and characterization of diffusion doped Cr2+:ZnSe and Fe2+:ZnSe I I Opt. Materials. 2006. V. 28. P. 231-240.

87. Андреев А.А., Борисенко Н.Д., Коджеспаров Ф.Ф. Спектр поглощения монокристаллов ZnSxSej.x//ЖПС. 1975. Т.23. вып. 5. С. 155-157.

88. Брызгалов А.Н., Мусатов В.В., Бузъко В.В. Оптические свойства поликристаллического селенидацинка// ФТП. 2004. Т.38. Вып. 3. С. 322-324.

89. Яшина Э.В. Получение сульфида цинка для ИК-оптики // XII конф. "Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение" Н. Новгород, 31 мая-3 июня, 2004 г. Тез. докл. С. 283-284.

90. Lewis K.L., Banyard А.А., Banyard S.A. Hydrogen-related defects in vapour-deposited zinc-sulfide//J. Cryst. Growth. 1984. V.66. P. 125-136.

91. Най Дж. Физические свойства кристаллов. М.: Изд-во Иностр. лит. 1960. 385 с.

92. Маненков А.А., Прохоров A.M. Лазерное разрушение прозрачных твердых тел // Успехи физ. наук. 1986. Т. 148. №.1. С. 179-211.

93. Девятых Г.Г., Гаврищук Е.М., Коршунов И.А. и др. Исследование свойств высокочистого поликристаллического селенида цинка, подвергнутого газостатической обработке // Высокочистые вещества. 1993. №2. С. 34-37.

94. Handbook of Chemistry and Physics. The 84th Ed. CRC Press, 2003-2004.

95. Яшина Э.В., Гаврищук E.M., Иконников В.Б. Механизмы уплотнения поликристаллического ZnS, полученного CVD-методом, привысокотемпературном газостатическом прессовании // Неорган, материалы. 2004. Т.40. №9. С. 1035-1038.

96. Горелик С. С. Рекристаллизация металлов и сплавов. М.: Металлургия. 1978. 568 с.

97. Бурке Дж.Е. Рекристаллизация и спекание керамики // В кн. Процессы керамического производства. Под ред. У. Дж. Кингера. М.: ИЛ. 1960. С. 150162.

98. Караксина Э.В., Иконников В.Б., Гаврищук Е.М. Рекристаллизация ZnS при высокотемпературной газостатической обработке // Неорган, материалы. 2007. Т.43. № 5. С. 522-525.

99. А.А. Назаров. Зернограничная диффузия в нанокристалах при зависящем от времени коэффициенте диффузии // ФТТ. 2003. Т.45. В.6. С. 1112-1114.

100. Стивенсон Д. Диффузия в халькогенидах Zn, Cd, Pb. В кн.: Атомная диффузия в полупроводниках / Под ред. Шоу Д.; перев. с англ. Под ред. Воронина Г.Ф. М.: Мир. 1975. С. 684.

101. Blount G.H., Marlor G.A., Bube R.H. Self-Diffuzion of Sulfur in ZnS // J. Appl. Phys. 1967. V.38. №9. P. 3795.

102. Бредихин В.И., Гаврищук E.M., Иконников В.Б. и др. Оптические потери в поликристаллическом ZnS, полученном CVD-методом // Неорган, материалы. 2009. Т.45. №3. С. 276-282.

103. Щуров А.Ф., Гаврищук Е.М., Иконников В.Б. и др. Влияние газостатической обработки на упругие и оптические свойства поликристаллического CVD-ZnS // Неорган, материалы. 2004. Т.40. № 4. С. 400-403.

104. Волынец Ф.К., Горохова Е.И., Кашкай АД. Кинетика собирательной рекристаллизации легированного ZnS // Неорган, материалы. 1982. Т. 18. №5. С.733-736.

105. Campbell А., Наутап С. Manufacturing Aspects of Zinc Sulfide // SPIE Recent Develop. IR Сотр. 1988. V. 915. P. 79-84.

106. Гегузин Я.Е. Физика спекания. M.: Наука. 1984. 312 с.