Получение монокристаллов легированных манганитов лантана методом бестигельной зонной плавки, исследование их магнитных и транспортных свойств в области промежуточного и сильного легирования стронцием тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Арсёнов, Андрей Александрович

• Арсёнов, Андрей Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2001

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Арсёнов, Андрей Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Краткая характеристика соединения ЬаМпОз.

1.2. Твердые растворы.

1.3. Электронная структура.

1.3.1. Ионная модель.

1.3.2. Зонная модель.

1.4. Магнитные свойства.

1.4.1. Магнитные структуры.

1.4.1.1. ЬаМпОз.

1.4.1.2. Ьа1хСахМп03.

1.4.1.3. Рп.хСахМп03.

1.4.1.4. Другие системы.

1.4.2. Температура Кюри, намагниченность и магнитная восприимчивость.

1.4.2.1. Температура Кюри.

1.4.2.2. Намагниченность.

1.4.2.3. Магнитная восприимчивость.

1.4.3. Влияние давления и эффект магнитострикции.

1.4.4. Фазовые переходы индуцированные магнитным полем.

1.4.5. Модели магнетизма.

1.4.6. Магнитные свойства при 0<х<0,3.

1.5. Фазовое разделение.

1.6. Транспортные свойства.

1.6.1. Сопротивление и магнетосопротивление.

1.6.1.1. Зависимость сопротивления от уровня легирования.

1.6.1.2. Проводимость в ферромагнитном состоянии.

1.6.1.3. Влияние фазовых переходов на сопротивление.

1.6.1.4. Магнетосопротивление.

1.6.1.5. Сопротивление в парамагнитном состоянии.

1.6.1.6. Эффект Яна-Теллера.

1.6.2. Модели проводимости.

2. ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛЕГИРОВАННЫХ МАНГАНИТОВ ЛАНТАНА

И ИССЛЕДОВАНИЕ ФАКТОРОВ, ВЛИЯЮЩИХ НА ИХ КАЧЕСТВО.

2.1.1. Выбор метода выращивания монокристаллов легированных манганитов La.

2.1.2. Методика эксперимента.

2.1.3. Приготовление заготовок для зонной плавки.

2.2. Рост монокристаллов нелегированного ЬаМпОз.

2.3.1. Рост монокристаллов Lai.xSrxMn03.

2.3.2. Рост монокристаллов Lai-xSrxMn03 на поликристаллическую затравку.

2.3.3. Рост монокристаллов Lai.xSrxMn03 на ориентированную затравку.

2.4.1. Рост монокристаллов Ьа1.хСахМпОз.

2.4.2. Рост монокристаллов (Lai.xCax)Mn03 (х = 0.2,0.3) с использованием метода "движущегося растворителя".

2.5. Результаты и выводы.

3. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНЫХ, МАГНИТНЫХ И ТРАНСПОРТНЫХ

СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ Lai.xSrxMn03+z ПРИ х«0,1.

3.1. Методика эксперимента.

3.2. Кристаллическая и магнитная структура.

3.3. Исследование магнитных и транспортных свойств во внешнем магнитном поле и под давлением.

3.4. Исследование магнитных и транспортных свойств в окрестности Тсо".

3.5. Магнитные свойства.

3.5.1. Особенности изотерм М(Н). Влияние условий охлаждения на низкотемпературные магнитные свойства: гетерогенное и гомогенное магнитное состояние в Ьао^годМпОз.

3.5.2. Температурные зависимости намагниченности, измеренные в режимах ZFC и FC.

3.5.3. ас-восприимчивость при разных частотах и амплитудах модулирующего поля.

3.6. Результаты и выводы.

4. ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНСПОРТНЫХ СВОЙСТВ МАНГАНИТА JIAHTAHA:

СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННОГО СТРОНЦИЕМ.

4.2. Методика эксперимента.

4.3. Магнитные свойства.

4.4. Транспортные свойства.

4.4.1. Магниторезистивный эффект.

4.4.2. Эффект Холла.

4.5. Результаты и выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение монокристаллов легированных манганитов лантана методом бестигельной зонной плавки, исследование их магнитных и транспортных свойств в области промежуточного и сильного легирования стронцием»

Благодаря потенциальной возможности практического использования эффекта отрицательного магнетосопротивления (KMC), обнаруженного недавно в легированных манганитах редкоземельных элементов (РЗЭ) /1, 2/, эти соединения в последнее время привлекают к себе внимание широкого круга исследователей. Соединения этого типа имеют химическую формулу Ьа1.хАхМпОз (А - двухвалентные элементы типа Са, Sr, Ва или РЬ), при 0,2<х<0,4, с понижением температуры в них происходит ферромагнитное упорядочение и тесно с ним связанный переход металл-изолятор, в окрестности которого магнетосопротивление достигает максимальной величины. Физические свойства этих соединений во многом связаны с наличием смешанной валентности ионов Mn (Мп3+/Мп4+). При успешном решении ряда технологических проблем соединения этого класса могут быть использованы при создании датчиков магнитного поля, различного рода устройств управляемых магнитным полем, а также устройств считывания магнитной записи. В тонкопленочных образцах этих материалов обнаружен магнитооптический эффект Фарадея, сравнимый по величине с эффектом в ферроиттриевом гранате, благодаря чему появляется возможность создания на их основе быстродействующих цифровых микросхем с магнитооптическими преобразователями. Легированные манганигы РЗЭ рассматриваются также как перспективные материалы для электронной промышленности. В настоящее время они применяются в качестве твердых электролитов и катализаторов.

Практический интерес является не единственной причиной повышенного внимания к этой системе. Для фундаментальной науки она предоставляет широкие возможности для исследования физики сильнокоррелированных систем, к числу которых относится. Немаловажную роль в этой связи играет тот факт, что путем различного рода легирования и замещения можно в широких пределах варьировать такие ключевые для сильнокоррелированных систем параметры, как ширина зоны, степень ее заполнения, а также энергии отдельных микроскопических взаимодействий. Исследование этой системы уже позволило открыть такие новые феномены как колоссальное магнетосопротивление (KMC) /3/ и магнетосопротивление, обусловленное гранулярностью материала /4/, а также помогло сформулировать такие важные физические концепции как двойное обменное взаимодействие /5, 6/ и ян-теллеровский полярон /7,8/.

Несмотря на значительный прогресс в физике манганитов, достигнутый в последнее время, остается целый ряд явлений, требующих более глубокого экспериментального и теоретического изучения. Так до сих пор остаются открытыми вопросы о механизме KMC и природе перехода металл-изолятор, наблюдающемся в области высоких концентраций легирующего элемента. Совсем недавно было показано, что с помощью одного лишь механизма двойного обмена, ранее традиционно применявшегося для объяснения физических свойств манганитов со смешанной валентностью, невозможно количественно описать падение сопротивления ниже температуры Кюри, саму величину KMC, а так же величину сопротивления в парамагнитной области /9/. Теоретически было показано, что для количественного описания транспортных свойств необходимо также учитывать сильное электрон-фононное взаимодействие, проявляющееся в образовании ян-теллеровских поляронов /9/.

На сегодняшний день является очевидным тот факт, что построение теории манганитов в целом и ГМС-эффекта в частности невозможно без глубокого понимания природы фазовых превращений и состояний в так называемой промежуточной области легирования, отделяющей область слабого легирования, в которой основным состоянием является антиферромагнитный изолятор, от области сильного легирования, в которой основным состоянием является ферромагнитный металл. В случае легирования стронцием эта область простирается от х«0,09 до х«0,17. Ранее основой для объяснения физических явлений, имеющих место в этой области, служила предложенная де Женом /10/ модификация теории двойного обмена. Из нее, в частности, следует, что переход от антиферромагнитного основного состояния к ферромагнитному происходит через однородное состояние со скошенной магнитной структурой. Увеличение концентрации подвижных носителей заряда ведет к увеличению проводимости и уменьшению угла между магнитными моментами двух подрешеток. При достижении некоторой критической концентрации соединение становится ферромагнитным металлом. Однако, после того, как было установлено, что в окрестности х=0,125 при понижении температуры имеет место последовательность структурных переходов: "псевдокубическая фаза -> орторомбическая фаза-> псевдокубическая фаза" /11/, причем низкотемпературный переход сопровождается переходом в состояние с меньшей проводимостью и большей намагниченностью, а возможно и зарядным упорядочением, возникла очевидная необходимость в проведении более детальных экспериментальных исследований в этой области легирования, а также в пересмотре прежней теории и учете зарядной, орбитальной и спиновой степеней свободы в формировании основного состояния системы.

Сложности в построении количественной теории манганитов во многом связаны с тем, что большая часть полученных к настоящему времени экспериментальных данных была получена на керамических образцах или тонких пленках, что затрудняет их корректную интерпретацию. К этому следует добавить, что на керамических и тонкопленочных образцах затруднено или вовсе невозможно изучение некоторых важных физических характеристик, а так же использование ряда мощных методов экспериментального исследования. Для дальнейшего углубления знаний в области физики манганитов со 7 смешанной валентностью необходимы эксперименты на монокристаллических образцах с высокой степенью химической однородности и кристаллического совершенства. Тем не менее, наблюдается очевидный дефицит работ посвященных проблемам роста монокристаллов этих соединений, а совершенные кристаллы получены лишь для очень ограниченного количества систем и диапазонов легирования. С точки зрения получения кристаллов рассматриваемых соединений наилучшим образом зарекомендовал себя метод бестигельной зонной плавки с радиационным нагревом. Несмотря на ряд пока не решенных проблем именно этот метод может обеспечить получение высококачественных кристаллов легированных манганитов РЗЭ с различными комбинациями замещения и легирования. Таким образом, в настоящее время является весьма актуальным создание воспроизводимой технологии выращивания совершенных монокристаллов легированных манганитов РЗМ, исследование особенностей их роста и изучение их свойств.

Целями настоящей работы являлись:

1. Разработка воспроизводимой технологии получения монокристаллических образцов легированных манганитов лантана и исследование факторов наиболее сильно влияющих на качество монокристаллов систем Ьа-Бг-Мп-О и Ьа-Са-Мп-0 при их выращивании методом бестигельной зонной плавки с радиационным нагревом.

2. Исследование структурных, магнитных и транспортных свойств системы Ьа-Бг-Мп-О в промежуточной области легирования.

3. Исследование магнитных и транспортных свойств системы Ьа-Бг-Мп-О в области сильного легирования.

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

Впервые физические свойства легированных манганитов лантана стали изучаться в конце 1940-х годов в работах /12, 13, 14/. В них обсуждались способ приготовления, структурные и магнитные свойства серии твердых растворов Ьа1.хСахМпОз с 0<х<1, а также температурное поведение их электросопротивления. Несколько позже подобные работы были выполнены на Ьа1-х8гхМпОз и Ьа1.хВахМпОз при 0<х<0,7 и 0<х<0,5 соответственно. Магнетосопротивление и другие транспортные свойства впервые были описаны в работе /15/, в которой в том числе было показано, что магнетосопротивление Ьао^годМпОз является отрицательным и имеет пик вблизи температуры Кюри. Температурные зависимости сопротивления, магнетосопротивления (в поле 0,3 Тл) и намагниченности приведены на рис. 1.1 /15/.

Широкое изучение свойств монокристаллов Ьа!.хРЬхМпОз с 0,2<х<0,44 было проведено в работах /16, 17/ в конце шестидесятых начале семидесятых годов. В этих работах была обнаружена металлическая проводимость ниже температуры Кюри и эффект магнетосопротивления величиной около 20% в поле 1 Тл в окрестности Тс, сходный с тем что был обнаружен в поликристаллическом Ьа1-х8гхМпОз. Величина намагниченности насыщения указывала на полную спиновую поляризацию <1-зоны.

Интерес к легированным манганитам лантана был возобновлен в начале 1990-х годов после того как в работах /1/ и /2/ были получены тонкие пленки с большим магнетосопротивлением. При этом для приготовления пленок использовались методы, широко применявшиеся при изготовления тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников, которые имеют с манганитами родственную перовскитную структуру. После оптимизации состава и условий приготовления пленки демонстрировали вблизи Тс значительный эффект магнетосопротивления, который в работе /3/ был назван эффектом колоссального магнетосопротивления (КМС-эффект), в отличие от эффекта гигантского магнетосопротивления (ГМС - эффект), наблюдаемого в многослойных структурах, состоящих из ферромагнитных (например Бе, Со) и нормальных металлов (например Си). Для оптимальных составов пленок температура Кюри совпадает с температурой перехода металл-изолятор, в ее окрестности наблюдаются также и другие аномалии физических свойств.

Легированные манганшы могут рассматриваться как непрерывный ряд твердых растворов между крайними членами, такими как ЬаМпОз и СаМпОз. Поскольку формальная валентность крайних членов серии твердых растворов - Ьа3+Мп3+Оз2" и Са2+Мп4+Оз2", легированный манганит лантана имеет смешанную валентность ионов марганца, что можно записать как (Ьа1.хСах)(Мп1.хМпх)Оз. Ионы Мп3+ и Мп4+ имеют номинальные конфигурации

Температурные зависимости (а) удельного сопротивления, (Ь) магнетосопротивления в поле 0,3 Тл, (с) намагниченности поликристаллического образца Ьао^ГодМпОз

Тетрепииге ( К )

Рис. 1.1

3d и 3d3 соответственно. Крайние члены ряда являются антиферромагнитными изоляторами, однако соединения с х~0,3 при низких температурах становятся ферромагнитными металлами. Так, Ьао^Сао.зМпОз имеет температуру Кюри Тс=220 К (которая совпадает с температурой перехода металл-изолятор) и низкотемпературное сопротивление ро~10"5 Ом"м.

Легированные манганиты лантана имеют перовскитную структуру, идеальная кубическая элементарная ячейка этой структуры приведена на рис. 1.2. Позиции А в вершинах куба могут занимать ионы редкоземельных элементов или ионы двухвалентных металлов (Са, Sr, В а, РЬ), позиции В в центре куба занимают ионы марганца, находящиеся в октаэдрическом окружении из ионов кислорода. В реальных манганитах идеальная кубическая структура искажена, как будет обсуждаться далее, вследствие взаимного размерного несоответствия ионов или/и эффекта Яна-Теллера, который приводит к искажению кислородного октаэдра, окружающего ион Мп3+ (октаэдр МпОб). Это искажение, в свою очередь, расщепляя двукратно вырожденный её-уровнь ионов марганца, снимает с него вырождение и понижает энергию системы. Комбинация искажений разного типа ведут к искаженной структуре с орторомбической, ромбоэдрической или даже моноклинной симметрией в зависимости от температуры и состава соединения.

Меняя степень легирования можно изменять количество электронов в 3d-30He, межатомные расстояния, а так же углы связей, в том числе Mn-0-Mn, что, в свою очередь, влияет на электронную структуру, кристаллическую структуру и параметры магнитных взаимодействий.

Легированные манганиты лантана могут претерпевать магнитное, зарядовое и орбитальное упорядочение. Простейшие магнитные моды для В-позиций перовскитной структуры приведены на рис. 1.3. Мода В является ферромагнитной, в то время как все другие - антиферромагнитными, что допускает увеличение магнитной элементарной ячейки по сравнению с кристаллографической. Моды А, С и G представляют из себя расположенные ангиферромагнитным образом ферромагнитные плоскости типа (100), (110) и (111) соответственно. В моде G спины всех шести ближайших соседей каждого магнитного катиона в В-позиции по отношению к его спину ориентированы антипараллельно. В модах С и Е каждый катион окружен четырьмя катионами с параллельными и двумя катионами с антипаралельными спинами (по отношению к его собственному спину), в то время как в моде А имеется по четыре катиона каждого вида. Смешанная мода СЕ состоит из расположенных в шахматном порядке С и Е блоков. Магнитные оси обычно индицируются буквами х, у и z. моды могут комбинироваться, таким образом АХВ2, например, описывает скошенную антиферромагнитную структуру с

Идеальная элементарная ячейка перовскитной структуры

Ш La. Са

Оо

• Мп а = b = с= 0.388 ИМ

Рис. 1.2

Некоторые типы возможных магнитных структур подрешётки катионов В-типа в перовскитоподобной АВОз структуре. Темные и светлые кружки принадлежат двум различным антиферромагнитным подрешёткам type В type A type С и

Р* к с с { , е с 1 >i 1 . о ,г с ./ / е сГч

9v е с Е с 1Ч с е -Ь—к 1 > С K-J >— type Е type G type СЕ

Рис. 1.3 осью антиферромагнетизма вдоль х (=а) и с ферромагнитным моментом направленным вдоль ъ (=с).

Впервые полное исследование магнитной и кристаллографической структуры Ьаь хСахМпОз во всем интервале легирования было проведено в работе /18/ методами нейтронной и рентгеновской дифракции. В частности, было обнаружено, что соединение имеет очень богатую фазовую диаграмму. В зависимости от степени легирования могут реализовываться разные антиферромагнитные структуры (А, С, Е, СЕ и О типы), а также ферромагнитная структура (тип В). Магнитные структуры представлены на рис. 1.4 /18/. Хорошо различимы три основных концентрационных области: при малых концентрациях ионов Мп4+ соединение является антиферромагнетиком, в широкой окрестности х=0,3 соединение становится ферромагнитным, но при х>0,5 оно вновь возвращается в антиферромагнитное состояние и остается в нем до конца концентрационной области. Исследования электрического сопротивления обнаружили сильную корреляцию между магнитными и транспортными свойствами. Сопротивление минимально при х~0,3, чему в то же время соответствует наиболее сильный ферромагнетизм, тогда как в антиферромагнитных соединениях наблюдается высокое сопротивление.

В 1951 г. Зинер в работе /5/ предложил объяснение такого рода поведения, сформулировав свою теорию косвенного ферромагнитного обменного взаимодействия между 3(1 ионами. Он принял, что внутриатомное хундовское взаимодействие значительно сильней всех остальных магнитных взаимодействий в системе и что носители заряда не меняют своей спиновой ориентации в процессе прыжка от одного иона к другому и могут совершить прыжок только в случае параллельности спинов соседних ионов. Минимизируя полную энергию системы, Зинер показал, что ферромагнитное взаимодействие будет преобладающим при достаточном количестве электронов проводимости. Теория была приложена к исследованию свойств легированных манганитов /6/ с целью объяснить сильную корреляцию между проводимостью и ферромагнетизмом, а также величину намагниченности насыщения при нулевой температуре, которая соответствует сумме спинов всех неспареных электронов ионов марганца. Взяв за исходную точку состояние антиферромагнитного изолятора ЬаМп03, в котором электроны локализованы на атомных орбиталях, Зинер показал, каким образом при увеличении концентрации дырок (увеличении концентрации ионов Мп4+) в системе усиливается ферромагнитное взаимодействие. Он рассмотрел проблему косвенного обменного взаимодействия между ионами Мп3+ и Мп4+ через промежуточный ион кислорода и развил концепцию одновременного переноса электрона от иона Мп3+ к иону О2' и от него к находящемуся с другой стороны иону Мп4+. Такой перенос был назван двойным обменом. В рассматриваемой системе конфигурации Мп3+ -02"-Мп4+ и Мп4+- О2"- Мп3+ являются вырожденными, если локализованные

Рис. 1.4 магнитные моменты образованные спинами трех электронов) ионов марганца параллельны, а минимальная энергия системы достигается при параллельном расположении спинов двух соседних катионов. Двойной обмен всегда является ферромагнитным в отличие от сверхобмена, который включает виртуальный перенос электрона и может быть как ферромагнитным, так и антиферромагнитным. Если спины ионов марганца не параллельны или связь Мп-О-Мп изогнута, электронный перенос затрудняется и подвижность падает. Из этого следует прямая связь между проводимостью и ферромагнетизмом, которая выражается соотношением: где х - уровень легирования, а - расстояние между ионами марганца, Ь - постоянная Планка. Это соотношение удовлетворительно описывает экспериментальные данные для случая легирования кальцием и стронцием в области 0,2<х<0,4.

Андерсон и Хасегава обобщили механизм двойного обмена, рассмотрев взаимодействие между двумя магнитными ионами с произвольными ориентациями спинов /19/. Они показали, что интеграл переноса X. равен: где - нормированный интеграл переноса зависящий от пространственных волновых функций, множитель соз(9/2) связан со спиновыми волновыми функциями, 9 - угол между спинами.

В работе /10/ де Жен в общем случае показал, что при низком уровне легирования ЬаМпОз подвижные электроны в антиферромагнитной решетке вызывают некоторый наклон спинов. Взяв в качестве исходной точки антиферромагнетизм А-типа и интеграл переноса зависящий от угла между спинами взаимодействующих ионов как соз(9/2), де Жен обнаружил, что стабильной магнитной конфигурацией при низком уровне легирования должна являться скошенная конфигурация АВ. Проведенный расчет показал, что угол между магнитными моментами соседних плоскостей пропорционален концентрации носителей зарядов. Хотя это заключение было подвергнуто сомнению, теория, развитая де Женом, успешно объясняет величину намагниченности насыщения и ненулевую магнитную восприимчивость в сильных полях, а скошенная структура была обнаружена в экспериментах по нейтронной дифракции. Де Жен также рассмотрел случай, когда подвижность носителей ограничена и они локализованы в некоторой окрестности двухвалентного катиона находящегося в позиции А перовскитной структуры. Прыгающие о = (хе2/а11)(Тс/Т)

1.1) г = 1оСОэ(9/2)

1.2) дырки, взаимодействуя со спинами восьми соседних ионов марганца, находящихся в позициях В, вызывают локальное ферромагнитное искажение спиновой системы. Описанная выше картина приводит к концепции магнитных поляронов.

Кулоновское взаимодействие между её-электронами ионов марганца может вызывать в легированных манганитах зарядовое упорядочение также известное как кристаллизация Вигнера. Подвижные d-электроны могут быть локализованы на определенных ионах марганца, если при этом межэлекгронное кулоновское взаимодействие сравнимо по величине с шириной зоны W, то может возникнуть регулярная решетка из атомов марганца разной валентности /20/. Усилению эффекта способствует некоторое смещение ионов кислорода, помогающее аккомодировать упорядочение катионной решетки. Такое зарядовое упорядочение более вероятно при низких температурах и в случаях, когда величину х можно представить в виде рациональной дроби (особенно х=1/8, 1/2 и 3/4). Зарядовое упорядочение ионов Мп3+и Мп4+ в случае х=1/2 схематично показано на рис. 1.5 (а).

В работе /21/ Канамори указал на то, что в манганитах со смешанной валентностью носители заряда могут быть сильно связаны с локальными искажениями решетки. При определенных концентрациях, когда d-электроны занимают асимметричные орбитали, может происходить орбитальное упорядочение, как это схематично изображено на рис. 1.5(b). Движущей силой орбитального упорядочения является электростатическое отталкивание электронных облаков, при этом взаимодействие ян-теллеровски искаженных октаэдров МпОб стабилизирует эффект. Возможная схема совместного орбитального и зарядового упорядочения при х=1/2 приведена на рис. 1.5 (с).

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Арсёнов, Андрей Александрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. При росте монокристаллов легированных манганитов лантана методом бестигельной зонной плавки (БЗП) с радиационным нагревом провести устойчивый процесс и получить однофазные высококачественные образцы удается при кристаллизации из области фазовой диаграммы с избыточным (относительно стехиометрического состава) содержанием марганца, что, при учете его значительного испарения в ходе роста, требует соответствующей коррекции состава заготовок.

2. При росте монокристаллов Ьа1.х8гхМп03 с х = 0,1 - 0,3 установлено, что эффективный коэффициент распределения Бг близок к единице, следствием чего является его однородное распределение по длине выращенных монокристаллов. В случае легирования стронцием перехода к поликристаллической кристаллизации не наблюдается до скоростей роста 30 мм/ч, преимущественная ось роста отсутствует, при затравлении происходит трансляция решетки затравки в решетку растущего кристалла, что позволяет получать монокристаллы заданной ориентации.

3. Методом БЗП монокристаллы Ьа1.хСахМп03 с х = 0,1 - 0,3, удается получить при скоростях роста не превышающих 6 мм/ч. Значительная макроскопическая неоднородность распределения Са по длине выращиваемых кристаллов, обнаруженная при росте из керамических заготовок с пористостью ~25 %, обусловлена двумя факторами: значительным отличием коэффициента распределения Са от единицы и связанным с этим оттеснением Са от фронта кристаллизации в жидкую зону и впитыванием обогащенного Са расплава в заготовку в ходе роста. Проблему неоднородности удается решить, применяя метод движущегося растворителя и используя заготовки наиболее высокой плотности.

4. В ферромагнитно упорядоченном ниже ~150 К Ьао^БгодМпОз в интервале 100-110 К происходит переход от ян-теллеровски искаженной структуры О' к псевдокубической структуре О". Переход сопровождается ростом сопротивления и намагниченности измеренной в полях выше 0,1 Тл и, по-видимому, связан с изменением типа обитального упорядочения. Низкотемпературное, ферромагнитное, изолирующее и, возможно, являющееся зарядноупорядоченным, состояние стабилизируется в магнитном поле и под давлением.

5. Магнитное состояние монокристаллического образца Ьао^годМпОз в области существования фазы О" не является гомогенным, а представляет из себя смесь ферромагнитной и антиферромангнитной фаз, причем при 4,2 К последняя занимает не менее 13% объема образца, и распределена в ферромагнитной фазе в виде включений, размер которых, предположительно, порядка 10-20 нм. С ростом внешнего магнитного поля антиферромагнитные включения переходят в ферромагнитное состояние, и при охлаждении образца в магнитном поле 5 Тл при 4,2 К их доля составляет не более 5 %. В интервале между температурой Кюри Тс~150К и температурой структурного перехода То'О"~Ю0К соединение демонстрирует особенности характерные для спиновых стекол кластерного типа, причем магнитный отклик кластеров является явно анизотропным. Полученные результаты согласуются с моделью электронного фазового разделения, хотя не исключают возможность того, что фазовое разделение обусловлено микроскопической неоднородностью и несовершенством реальных образцов.

184

6. В совершенных монокристаллах манганитов лантана сильно легированных стронцием температура перехода металл-изолятор может значительно превышать температуру Кюри, что согласуется с теорией двойного обмена при учете значительного увеличения радиуса корреляции спиновых флуктуаций и соответствующего времени релаксации при приближении к температуре Кюри. Для исследованного монокристалла Ьао^годгМпОз разница между этими температурами составляет 46 К (Тмг=324 К, Тс=370 К).

7. В исследованном монокристалле Ьяо^Бго^МпОз при температурах ниже -200 К сопротивление имеет квадратичную зависимость от температуры, и, вероятно, определяется одномагнонными процессами рассеяния с переворотом спина, хотя вклад этого механизма практически не зависит от поля. При Т< 35 К сопротивление отклоняется от квадратичной зависимости и с дальнейшим понижением температуры становится практически постоянным, что в рамках полуметаллической модели связано с исчезновением спин-флип возбуждений.

8. Обнаруженная, в этом же монокристалле, завышенная величина холовской концентрации (около 2 дырок на ячейку) указывает на возможность существования в сильно легированных мантанитах лантана носителей разного знака. Константа аномального эффекта Холла прямо пропорциональна сопротивлению, и, таким образом, определяется процессами ассимметричного рассеяния носителей заряда, по-видимому, на спиновых флуктуациях.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Арсёнов, Андрей Александрович, 2001 год

1. von HImholt R., Wecker J., Holzapfel В. et al. / Giant negative magnetoresistance in perovskitelike La2/3Bai/3MnOx ferromagnetic films //Phys. Rev. Lett.-1993.-V.71.-P.2331-2333

2. Chahara, К., Ohno, Т., Kasai, M., and Kozono, Y., // Appl. Phys. Lett.- 1993,-V.63.- P.1990-1993

3. Jin, S., Tiefei, Т. H., McCormack, M., Fastnacht, R. A., Ramesh, R., and Chen,L. H. // Science.-1994, V.264.-P. 413-416

4. Spin-polarised intergrain tunneling in La2/3Sri/3Mn03 Hwang H.Y., Cheong S.W., Ong N.P. and Batlogg B. // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.77.-P.2041-2044

5. Zener, C.II Phys. Rev.- 1951 ,V. 81.- P. 440-445

6. Zener C. / Interaction between the ¿/-shells in the transition metals. II. Ferromagnetic compounds of manganese with perovskite structure. //Phys. Rev.-1951.-V.82.-P.403-405

7. Poliert E., Krupicka S. and Kuzwicova E. // J. Phys. Chem. Solids-1982.-V.43.-P. 1137-1142

8. Zhao G., Conder К., Keller H. and Muller K.A. //Nature-1996.-V.381.-P.676-680

9. Millis A.J., Littlewood P.B. and Shraiman B.I. / Double Exchange Alone Does Not Explain the Resistivity of Lai-xSrxMnOi II Phys. Rev. Lett.-1995.-V.74.-P.5144-5147

10. DeGennes P.G./ Effects of Double Exchange in Magnetic Crystals // Phys. Rev.-1960.-V.118,-P.141-154

11. J.-S.Zhou, J.B.Goodenough, A.Asamitsu, Y.Tokura//Phys. Rev. Lett.-1997.-V.79.-P.3234-3234

12. Jonker G.H.,Van Santen J.H. // Physica. -1950.-V. 16,- P.337-349

13. Xiong G.C., Bhagat S., Li Q. et al. // Solid St Commun.-1996.-V.97.-P.599-603

14. Jonker G.H. // Physica.-1956.-V.22.-P.707- 709

15. Volger, J.,//Physica.-1954.-V.20.-P. 49-52

16. Searle C. W., Wang, S. Т., Can. J. // Phys.-1969.-V.47.-P.2703-2705

17. Searle, C. W., Wang, S. Т., Can. J. //Phys.-1970.-V.48.-P.2023-2025.

18. Wollan E.O., Koehler W.C. / Neutron Diffraction Study of the Magnetic Properties of the Series of Perovskite-Type Compounds (l-x)La, xCa.Mn03 // Phys. Rev.-1955.-V.100.-P.545-563

19. Anderson P.W. and Hasegawa H. / Considerations on Double Exchange // Phys. Rev.-1955.-V. 100.-P.675-681

20. Cullen, J. R., and Callan, E. //Phys. Rev.-1973.-V.7.- P.397-400

21. Kanamori, J. //Phys. Chem. Solids.-1959.-V.10.-P.87-91

22. Goodenough J.B. // Phys.Rev.-1955.-V. 100.-N.2.-P.564-573

23. Yakel H.L. // Acta Crystallogr.-1955.-V.8.-N.7.-P.394-398

24. Matsumoto G. // J. Phys. Jap.-1970.-V.29.-N.3-P.615-622

25. Gilleo M.A. // Acta Cryst.-1957.-V.10.-161-166

26. Bogush A.K., Pavlov V.l., Balyko L.V. / Structural phase transitions in the LaMn03+s system // Crystal Res. and Technol.-1983.-V.18-N.5.-P.589-598

27. Van Roosmalen J.A.M., Cordfonke E.H.P., Helmodt R.B. / The defect chemistry of LaMn03±s. //J. of Solid State Chem.-1994.-V.110.-P. 100-105

28. Voorhoeve R.J.H., Remeika J.P., Trimble L. et al. // J.solid-st. Chem.-1975.-V.14.-P.395-398

29. Islam M.S., Cherry M.and Winch L. // J.Chem.Soc., Faraday Trans.-1996.-V.92.-P.479-482

30. Yamada Y., Hino O., Nondo S. et al. / Polaron Ordering in Low-Doping Lai-xSrxMn03 // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.77.-P.904-907

31. Asamitsu A., Moritomo Y., Kumai R. et al. / Magnetostructural phase transitions in Lai. xSr*Mn03 with controlled carrier density // Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P. 1716-1723

32. Hwang H.Y., Cheong S.W., Radaelli P.G. et al./ Lattice Effects on the Magnetoresistance in Doped LaMn03 //Phys. Rev. Lett.-1995.-V.75.-P.914-917

33. Huang Q. A., Santoro A., Lynn J. W., Erwin R. W., Borchers J. A., Peng J. L., Greene R. L. // Phys. Rev. B.-1997.-V.55.-P. 14987-14990

34. Garcia-Munoz J. L., Fontcuberta J., Martinez B., Seffar A., Pinol S., Obradors X. // Phys. Rev. B.-1997.-V.55.-R668-R673

35. Martin M., Shirane G., Ednoh Y. et al. / Magnetism and structural distortion in the Lao.7Sro.3Mn03 metallic ferromagnet//Phys. Rev. B.-1996.-V.53.-P. 14285-14290

36. Radaelli P.G., Marezio M., Hwang H.Y. et al./ Charge localization by static and dynamic distortions of the Mn06 octahedra in perovskite manganites // Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P.8992-8995

37. JirakZ., Krupicka S., SimsaZ. et al. //J. Magn. magn. Mater.-1985.-V.53.-P. 153-158

38. Tomioka Y., Asamitsu A., Kuwahara H., Moritomo Y., Tokura Y. // Phys. Rev. B.- 1996,-V.53.-R1689-R1692

39. Chen C.H. and Cheong S.W. / Commensurate to Incommensurate Charge Ordering and Its Real-Space Images in Lao.5Cao.5Mn03// Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76.-P.4042-4045

40. Mori S., Chen C.H. and Cheong S.W. / Paired and Unpaired Charge Stripes in the Ferromagnetic Phase of Lao.5Cao.5Mn03 // Phys. Rev. Lett.-1998.-V.81.-P.3972-3975

41. Mori S., Chen C. H., Cheong S. W. // Nature.- 1998.-V.392.-P.473-479

42. Tomioka Y., Asamitsu A., Moritomo Y. et al. / Collapse of a Charge-Ordered State under a Magnetic Field in Pri/2Sri/2Mn03//Phys. Rev. Lett.-1995.-V.74.-P.5108.-5111

43. Caignaert, V., Milange, F., Hervieu, M. et al.// Solid St. Commun. 1996, V.99.- P. 173-176

44. Sarma D., Shanthi N., Barman S. et al. / Band Theory for Ground-State Properties and Excitation Spectra of Perovskite LaMOj (M=Mn, Fe, Co, Ni) // Phys. Rev. Lett.-1995.-V.75,-P.l126-1128

45. Goodenough J. B., and Longho J. // Berlin: Springer. 1970,-Landholdt-Bornstein.- group HI, V.4a46 . Burns, R. G., 1992, Mineralogical Applications of Crystal Field Theory, second edition (London: Cambridge University Press).

46. Sun J.Z., Abraham D.W., Rao RA. and Eom C.B. //Appl. Phys. Lett.-1999.-V,74.-P.3017-3020

47. Okimoto Y., Katsufiiji T., Ishikawa T. et al. / Anomalous Variation of Optical Spectra with Spin Polarization in Double-Exchange Ferromagnet: Lai-xSrJVlnOs // Phys. Rev. Lett.-1995.-V.75.-P.109-112

48. Chainani A., Mathew M. and Sarma D.D. / Electron spectroscopic investigation of the semiconductor-metal transition in Lai.rSrrMn03// Phys. Rev. B.-1993.-V.47.-P.15397-15403

49. Park J.-H., Chen C.T., Cheong S.-W. et al./ Electronic Aspects of the Ferromagnetic Transition in Manganese Perovskites // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76.-P.4215-4218

50. Saitoh T., Bocquet A. E., Mizokawa T. et al. // Phys. Rev. B, 1995, V.51, P. 13942-13945

51. Pickett W.E. and Singh D.J./ Electronic structure and half-metallic transport in the Lai. xCaxMnOs system // Phys. Rev. B.-1996.-V.53.-P.1146-1160

52. Pickett, W. E., and Singh, D. J. //Europhys. Lett. 1995,- V. 32,- P. 759-762

53. Mizokawa T. and Fujimori A. // Phys. Rev. Lett. 1995,V. 51.-P. 12880-12885

54. Miz okawa, T., and Fujimori, A. // Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P.5368-5371

55. Tobola J., Kaprzyk S. and Pierre J. // Acta Phys. Polonica A.-1997.-V.92.-P.461-465

56. Pickett W.E. and Singh D.J./ Electronic structure and half-metallic transport in the Lai. xCaxMn03 system//Phys. Rev. B.-1996.-V.53.-P. 1146-1160

57. Satpatny S., Popovic Z.S. and Vokajlovic F.R. / Electronic Structure of the Perovskite Oxides: Lai.xCaxMnOill Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76.-P.960-963

58. Moussa F., Hennion M., Rodriguez-Carvajal J. et al./ Spin waves in the antiferromagnet perovskite LaMn03: A neutron-scattering study//Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P.15149-15155

59. Mazzaferro J., Balseiro C.A. and Alascio B.J. // Phys. Chem. Solids-1985-V.46.-P. 1339-1342

60. Allub R. and Alascio B. // Solid St. Commun.-1996.-V.99.-P.613-617

61. Allub R. and Alascio B. // Phys. Rev. B.-1997.-V.55.-P. 14113-14115

62. Urushibara A., Moritomo Y., Arima T., Asamitsu A., Kido G., TokuraY. // Phys. Rev. B.-1995.-V.51.-P. 14103-1406

63. Mahendiran R., Mahesh R., Rangavittal N. / Structure electron-transport properties and giant magnetoresistance of hole-doped LaMnCh systems et al. // Phys. Rev. B.-1996.-Y.53.-P.3348-3357

64. Jonker G.H.,Van Santen J.H.//Physica.-1950.-V.16.- P.337-349

65. Arulraj A., Mahesh R., SubbannaG. N. et al // J. solid-st. Chem.-1996.-V.127.-P.87-91

66. Hennion M., Moussa F., Biotteau G et. al / Phys. Rev. L ett. 1998, V. 81-P. 1957-1960

67. Radaelli P.G., Cox D.E., Marezio M. et al./ Simultaneous structural, magnetic, and electronic transitions in Lai.ÄMnOs with x=0.25 and 0.50 // Phys. Rev Lett.-1995.- V.75.-P.4488-4491

68. Jirak Z., Krupicka S., Nekvasil V., Poliert E., Villeneuve, G.Zounova, F. // J. Magn. Magn. Mater.- 1980.-V. 15-18.-P.519-522

69. Jirak Z. //J. Appl. Phys.-1997.-V.81.-P.4675-4679

70. Tomioka Y., Asamitsu A., Kuwahara H. et al. / Magnetic-field-induced metal-insulator phenomena in PrixCaxMn03 with controlled charge-ordering instability // Phys. Rev. B.-1996.-V.53.-R1689-1692

71. Kawano H., Kajimoto R., Yoshizawa et al. // Phys. Rev. Lett.-1997.-V.78.-P.4253-4255

72. Geissinger E., Braunstein R., Ladizinsky E., Haupt, L., Schunemann, J. Baerner, K., Sondermann, U., and Andresen, A. // Solid St. Commun.- 1991,- V.78.-503-507

73. Kamata K., Nakajima T., Hayashi, T., Nakajima, T., // Mater. Res. Bull.-1988.-V.13.-P.49-53

74. Havinga, E. E. //Philips Res. Rep.-1966.-V.21-P.432-435

75. Bokov V.A., Grigoryan, N.A., Bryzhina, M.V. and Tikhonov V.V. // Phys. Stat. sol.-1968.-V.28-P.835-840

76. Sharma N, Nigam A. K., Pinto R., Venkataramani N., Prasad S., Chandra G, Pai S. P. // J. Magn. magn. Mater.-1997.-V. 166.-65-68

77. Sun J. R., Rao G. H., Liang J. K., Zhou W. Y., // Appl. Phys. A.- 1996.-V.69.-P.3926-3930

78. Thomas R.M., Ranno L., Coey J.M.D. // J. Appl. Phys.-1997.-V.81.-P.5763-5765

79. Mahendiran R., Mahesh R., Raychaudhuri A. K., Rao C. N. R. // Phys. Rev. B.-1996.-V.53.-P.12160-12163

80. Singh S. K., Palmer S., Paul D. M., Lees M. R. // Appl. Phys. Lett.- 1996.-V.69.-263-267

81. Blasco J., Garcia J., de Teresa J. M., Ibarra M. R., Perez J., Algarabel P.A., Marquina C., Ritter C. // Phys. Rev. B.-1997.-V.55.-P.8905-8909

82. MaignanA., Martin C., RaveauB. //Z. Phys. B.- 1997.-V. 102.-19-22

83. Ju H.L. and SohnH. //J. Magn. magn. Mater.-1992.-V.167.-P.200-205

84. Hirota K., Kaneko N., Nishizawa A. and Endoh Y.J. // Phys. Soc. Japan-1996-V.65.-P.3736-3739

85. Ghosh K., Lobb C.J., Greene R.L. et al//Phys. Rev. Lett.-1998-V.81-P.4740-4745

86. Heffner R.H., Le L.P., Hundley M.F. et al./ Ferromagnetic Ordering and Unusual Magnetic Ion Dynamics in Lao.eTCao.ssMnOs // Phys. Rev. Lett-1996.-V.77.-P. 1869-1872

87. Leung L. K., Morrish A. H., Searle C. W. // Can. J. Phys.- 1969.-V.47.-P.2697-2701

88. Archibald W., Zhou J.-S. and Goodenough, J. B.// Phys. Rev. B, 1996, V.53.-P. 14445-14449

89. Lu Q., Chen C. C. and de Lozanne A. // Science.-1997.-V.276.-P.2006-2010

90. Lotgering, F. // Philips Res. Rep.- 1970.-V.25.-P8-14

91. Sun J.Z., Kruzin-Elbaum L., Gupta A. et al. // Appl. Phys. Lett.-1996.-V.69.-P. 1002-1006

92. Heffner R. H., Le L. P., Hundley M. F., Neumeier J. J., Luke G. M., Kojima

93. K., Nachumi B., Uemura Y. J., MacLaughlin D. E., Cheong S. W. // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.77,-P.1869-1875

94. Borges R. P., Ott F., Skumriev V., Coey J. M. D., Arnaudas J. I., Ranno L. // Phys. Rev. Lett.-1998-V. 81 -P.4640-4647

95. Oseroff, S. B., Torikachvili, M. et al. //Phys. Rev. B.-1996.-V.53.-P.6521-6525

96. Fontcuberta J., Martinez B., SefVfar A., Pinol S., Garcia-Munoz J. L., Obradors, X. // J. Appl. Phys.-1996.-V.79.-P.5182.-5186

97. Ibarra M., Algarabel P., Marquina C. et al./ Large Magnetovolume Effect in Yttrium Doped La-Ca-Mn-0 Perovskite // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.75.-P.3541-3544

98. DeTeresa J.M., Ibarra M.R, Blasco J. et al. / Spontaneous behavior and magnetic field and pressure effects on La2/3Cai/3Mn03 perovskite //Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P. 1187-1193

99. Arnold Z., Kamenev K., Ibarra M., Algarabel P., Marquina C., Blasco J., Garcia, J. // Appl. Phys. Lett.- 1995.-V.67.-P.2875-2880

100. Hwang H., Palstra T.T.M., Cheong S.-W. and Batlogg / Pressure effects on the magnetoresistance in doped manganese perovskites // Phys. Rev. B.-1995.-V.52.-P. 15046- 15049

101. Tamura S. // J. Magn. Magn. Mater.-1983.-V.31-34.-P.805-809

102. Neumeier J. J., Hundley M F., Thompson J. D., Heffner R. H. // Phys. Rev. B.- 1995.-V.52,-R7006-R7009

103. Morytomo Y., Asamitsu A. and Tokura Y./ Pressure effect on the double-exchange ferromagnet Lai.xSrxMn03 (0.15 <= x <= 0.5) // Phys. Rev. B.-1995.-V.5l.-P. 16491-16494

104. Khazeni K., Jia Y. X., Crespi V. H., Lu L., Zettl A., Cohen M. L. // J. Phys. : condens. Matter.-1996.-V.8.-P.7723-7727

105. Moritomo Y., Kuwahara H., Tomioka Y. and Tokura YJ Pressure effects on charge-ordering transitions in Perovskite manganites // Phys. Rev. B.-1997.-V.55.-P.7549.-7556

106. Tokura Y., Kuwahara H., Moritomo Y. et al./ Competing Instabilities and Metastable States in (Nd,Sm)inSrv^Mn03 //Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76.-P.3184-3187

107. KuwaharaH., Tomioka Y., Asamitsu A., Moritomo Y., Tokura Y. // Science.- 1995.-V.270.-P.961-966

108. KuwaharaH., Tomioka Y., Asamitsu A. etal. // Science.-1995.-V.270.-P.961-965109. de Teresa J. M., Ibarra M. R, Marquina C. and Algarabel P. A.// Phys.Rev. B.-1996.-Y.54.-R12689-12692

109. Yoshizawa H., Kawano H., Tomioka Y. and Tokura Y.// Phys. Rev. B.-1995.-Y.52.-R13145-13149

110. Lawler J.F., Coey J.M.D., Lunney J.G. and Skumryev Y. // J. Phys.: condens. Matter.-1996.-V.8.-P. 10737-10738

111. Damay F., Maignan A., Martin C., and Raveau B// J. Appl. Physics.-1997.-V.81.-P.1372-1377

112. Goodenough J.B. / Theory of the Role of Covalence in the Perovskite-Type Manganites La, M(II).Mn03 // Phys. Rev.-l955.-Y.100.-P.564-573

113. Inoue J. and Maekawa S. // Mater. Sci. Eng.-1995-V.31-P.193-197

114. Zang J., Ronder H., Bishop A. R. and Trugman S. A. // J. Phys.: condensed.Matter.-1997 -V.9.-L157-160.

115. Millis A. J., Mueller R., and Shraiman, B. // Phys. Rev. B, 1996, V.54. P.5389-5392

116. S.Yunoki, J.Hu, A.L.Malvezzi, A.Moreo, N.Furukawa, E.Dagotto/ Phase Separation in Electronic Models for Manganites //Phys. Rev. Lett.-1998.-V.80.-P.845-852

117. E.Dagotto, S.Yunoki, A.L.Malvezzi, A.Moreo, J.Hu, S.Capponi, D.Poilblanc, N. Furukawa // Ferromagnetic Kondo model for manganites: Phase diagram, charge segregation, and influence of quantum localized spins // Phys. Rev.B.-1998.-V.58.-P.6414-6419

118. S.Yunoki, A. Moreo. //Phys. Rev. B.-1998.-V.58.-P.6403-6410

119. D.Arovas., F. Guinea. //Phys. Rev. B.-1998.-V.58.-P.9150-9163

120. E.L. Nagaev. //Phys. Rev. B.-1998.-V.58.-P.9150-9163

121. S.Yunoki., A. Moreo., E. Dagotto // Phys. Rev. B.-1998.-V.81.-P.5612-5618

122. Louca, D., Egami, T., Brosha, E. L., Roider, H., and Bishop, A. R., // Phys. Rev. B.-1997.-Y.56.-R8475-8482

123. Kim, K. H., Jung, J. H., andNoh, T. W., //Phys. Rev. Lett.-1998.-V.81.-P.1517-1522

124. De Teresa, J. M., Ibarra, M. R, Algarabel, P. A., Ritter, C., Marqina, C., Blasco, J., Garcia, C., Moral, A. D., Arnold, Z., 1992.-Nature.-V.386.-P.256-263

125. M.Jaime., P. Lin., M.B. Salamon., P. Dorsey., M. Rubinstein., II Phys. Rev. B.-1998.-V.54-P.11914-11919

126. S.Yoon., //Phys. Rev. B.-1997.-Y.56.-P.2717-2720

127. Lynn, J., Erwin, R, Borchers, J., Huang, Q., and Santoro, A.,.-//Phys. Rev. Lett.-1996-V.76.-P.4046-4050

128. W.Bao. //Phys. Rev. Lett.-1998.-V.78.-Rl 1837-11840

129. D.E. Cox. //Phys. Rev. B.-1998.-V.57.-P.3305-3308 131 Jonker G. H. //Physica.-1954.-V.20.-P.1118-1123

130. Khazeni K., Jia Y. X., Crespi V. H. //Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76.-P.295-300

131. Arima T. and Tokura, Y. J. //Phys. Soc. Japan.-1995.-V.64.-P.2488-2493134. von Helmholt R, Wecker J., Samwer K. and Banrner K. // J. Magn.magn. Mater.-1995.-V.151.-P.411-415

132. Snyder G.J., Hiskes R, DiCarolis S. et al. / Intrinsic electrical transport and magnetic properties of Lao,67Cao,33Mn03 and Lao,67Sro,33Mn03 MOCVD thin films and bulk material // Phys. Rev. B.-1996.-V.53.-P. 14434-14444

133. Urushibara A., Moritomo Y., Arima T., Asamitsu A., Kido G., Tokura Y.// Phys. Rev. B-1995.-V.51.-14103-14106

134. DeTeresa J.M., Ibarra M.R., Blasco J. et al / Spontaneous behavior and magnetic field and pressure effects onLa2/3Cai/3Mn03 perovskite. //Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P. 1187-1193

135. SoulenD. J., Byers J. M., Osofsky M. S. et al. // Science.-1998.-V.282.-P.85-89

136. Wei J.Y.T., Yeh N.C. and Vasquez RP. / Tunneling Evidence of Half-Metallic Ferromagnetism in LaojCao.iMnOilI Phys. Rev. Lett.-1997.-V.79.-P.5150-5153

137. Coey J.M.D., Viret M., Ranno L. and Ounandjela K./ Electron localization in mixed-valence manganites // Phys. Rev. Lett. -1995. -V. 75. -P. 3 910-3 913

138. Khazeni K., Jia Y.X., Crespi V.H. et al. // J. Phys.: condens. Matter.-1996.-V.8.-P.7723- 7735

139. Yen N.-C., Vasquez R, Beam D. et al. / Effects of lattice distorstion and Jahn-Teller coupling on the magnetoresistance of LaojCa^MnCh and La^sCa^CoCh epitaxial films // J. Phys.: condens. Matter.-1997.-V.9.-P.3713-3721

140. Gupta A., Gong G.Q., Xiao G. et al. / Grain-boundary effects on the magnetoresistance properties of perovskite manganite films // Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-R15629-15629

141. Garcia-Munoz J.L., Fontcuberta J., Martinez B. et al. / Magnetic frustration in mixed valence manganites // Phys. Rev. B.-1997.-V.55.-R 668-671

142. Liu J. Z., Chang I. C., Irons S. et al. // Appl. Phys. Lett.-1995.-V.66.-P.3218-3222

143. Küsters R.M., Singleton J., Keen D.A. et al. // Physica B.-1985.-V.155.-P.362-365147. von Helmholt R, Wecker J., Samwer K., Haupt L. // J. Appl. Phys.-1994.-V.76.-P.6925-6928

144. Jin S., Tiefel T. H., McCormack et al. // Appl. Phys. Lett.-1995.-V.67.-P.557-560

145. Xiong G., Li Q., Ju H., Bhagat, S., et al. // Appl. Phys. Lett.-1995.-V.67.-P.3031-3035

146. YehN.-C, Fu C.C, Wei J.Y.T. etal. //J. appl. Phys.-1997.-V.8.-P.97-101

147. Ju H.L., Gopalakrishnan J., Peng J.L. et al. / Dependence of giant magnetoresistance on oxygen stoichiometry and magnetization in polycrystalline Lao.67Bao.33MnOz // Phys. Rev. B-1995.-V.51.-P.6143-6146

148. Sharma N., Nigam A.K., Pinto R. et al. // J.Magn. magn. Mater.-1996.-V. 154.-P.296-300

149. Foncuberta J., Martinez B., Seffar A. et al. / Colossal Magnetoresistance of Ferromagnetic Manganites: Structural Tuning and Mechanisms // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.76.-P. 1122-1125

150. Li K, Liu L., Sun J. et al. // J. Phys. D.-1996.-V.29.-P. 14-20

151. Martinez B., Fontcuberta J., Seffar A., Garcia-Munoz J. L. Pinol S., Obradors X. // Phys. Rev. B.- 1996.-V. 54.-P.10 001-10004

152. Mahesh R., Mahendiran R., Raychaudhuri A.K. and Rao C.N.R. / Effect of particle size on the giant magnetoresistance of Lao,7Cao,3Mn03 // Appl. Phys. Lett.-1996.-V.68.-P.2291-2293

153. Gu J.Y., Kwon C., Robson M.C. et al. / Growth and properties of c-axis textured Lao,7Sro,3Mn03-8 films on Si02/Si substrates with a Bi4Ti30i2 template layer // Appl. Phys. Lett.-1997.-V.70.-P. 1763-1765

154. Mathur N., Burnell G., Isaac S. P. et al. // Nature.-1997.-V.387.-P.266-270

155. Maignan A., Simon C., Caignaert V., and Raveau B.// Sol. St. Com.-1995.-V.96.-P.623-625

156. BabushkinaN. A., Belova L. M., Gorbenko O. Yu. et al. //Nature.-1998.-V.391.-P.159-162

157. Hervieu M., Tendeloo G. V., Caignaert V. et al. //Phys. Rev. B.-1996.-V.53.-P. 14274-14278

158. Gong G. C., Canedy C. L., Xiao G.et al. // J. Appl. Phys.-1996.-V.79.-P.4538-4540

159. Kasai M., Kuwahara, H., Tomioka, Y., and Tokura, Y. // J. Appl. Phys.-1996.-V.80.-P.6894-6898

160. Wagner P. H., Metlushko V., Trappeniers L. // Phys. Rev. B.-1992.-V.55.-P.3699-3702

161. Lees M. R, Barratt J., Balakrishnan G., Paul, D. M.// J. Phys. :condens. Mater.-1996.-V.8-P.2967-2970

162. Caugnaert V., Suard E., Maignan A. // J.Magn. magn. Mater.-1996.-V. 153 .-L260-265

163. Park J. H., Vescovo E., Kim H. J. // Nature.-1998.-V.392.-P.794-800

164. Hundley M.F., Hawley M., Heffner R.H. et al. // Appl. Phys. Lett.-1995.-V.67.-P.860-865

165. Billinge S.J.L., DiFrancesco R.G., Kwei G.H. / Direct Observation of Lattice Polaron Formation in the Local Structure of La\.xCaxMnO-s II Phys. Rev. Lett.-1996.-V.77.-P.715-718

166. Snyder G. J., Beasley M. R. and Geballe T. H.// Mater. Res. Symp. Proc.-1995.-V.401.-P. 541-545

167. Mott N. F. and Davies E / Electronic Processes in Noncrystalline Materials (Oxford University Press), 1971

168. Washburn, S., Webb, R. A., von Мо1пан r, S., Holtzberg, F., Flouquet, J., Remenyi, G., // Phys. Rev. B.-1984- V.30.-P.6224-6227

169. Ranno L., Viret ML, Mari A. / Stoichiometry and electronic properties of ЬаМпОз // J.Phys.: condens. Matter.-1996.-V.8.-L33-L36

170. Gupta, A., McGuire, Т., Duncombe, P., Rupp, M. // Appl. Phys. Lett.-1995.-V.67.-P. 34943498

171. Viret M., Glattli H., Fermon / Reemergent Order of Chaotic Circular Couette Flow // Europhys. Lett. -1998. -V. 42. -P. 3 01 -3 04

172. Kapuzta, Cz., Reidel, Washburn, S., Holtzberg, F., Flouquet, J., Remenyi, G., Viret, M., Coey, J. M. D. //Phys. Rev. B.-1984.-V.36.-P.6020-6027

173. Walter Т., Dorr K., Muller K.-H / Magnetic and electrical properties of coherently grown low-strain Ьао.уСао.зМпОз films//J. Magn. magn. Mater.-2000.-V.222.-P.175-181

174. Sharma, R. P., Xiong, G. C., Kwon, C., Ramesh, R., Greene, R. L., and Vankatesan, Т., // Phys. Rev. B, 1996.-V.54.-P. 10 014-10018

175. Mahendiran, R, and Raychaudhuri, A. K., //Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P.16044-16048

176. DeGennes, P. G., Friedel, J., //J. Phys. Chem. Solids.-1958.-V.4.-P.71-76

177. Kasuya, T, //Prog. Theor. Phys. 1959.-V.22.-P. 227-230

178. Fisher, M., and Langer, J., // Phys. Rev. L ett.-1968.-V.20.-P.665-668

179. Penney, Т., Shater, M. W., and Torrance, J. В., // Phys. Rev. B.-1972.-V.5.-P.3669-6723

180. Kubo, K., and Ohata, N., // J. phys. Soc. Japan.-1972.-V.33. -P. 21-25

181. Zhang, S., //J. appl. Phys.-1996.-V.79.-P. 4542-4545

182. M.Julliere // Phys.Lett.- 1975.-V.54A.-P.225-230

183. Dionne, G. F., // J. appl. Phys.-1996.-V.79.-P. 5172-5175

184. Nunez-Regueiro, J., and Kadin, A., //Appl. Phys. L ett.-1996.-V.68.-P. 2747-2750

185. Millis, A. J., Mueller, R., and Shraiman, В., //Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P. 5389-5393

186. Zang, J., Bishop, A. R., Ronder, H., // Phys. Rev. B.-1996.-V.53.- R8840-8844

187. Varma С.М./ Electronic and magnetic states in the giant magnetoresistive compounds // Phys. Rev. B.-1996.-V.54.-P.7328-7333

188. Viret M., Ranno L. And Coey J.M.D. // Phys. Rev. B.-1997.-V.55.-P.8067- 8070

189. Nagaev, E. L., //Phys. Rev. В.- 1996.-V.54.-P.16608-16612.

190. Я.С.Рубинчик, С.А.Проскурина, М.М.Павлюченко // Неорганические материалы.-1973.-т.1Х.-№11.-стр. 1952-1957

191. M.L.Borlera, F.Abbatista // J. Less-Common Metals.-1983.-V.92.-55-60

192. J.A.M. van Roosmalen, E.H.P.Cord&nke //J.Solid State Chem.-1996.-V.l 10.-P. 106-109

193. J.A.M. van Roosmalen, P. Van Vlaaderen, E.H.P.Cordfunke, W.L.Ijdo, D.L.W.Ijdo / Phases in the perovskite-type ЬаМпОз+s solid solution and the ЬагОз-МпгОз phase diagram // J. Solid State Chem.-1995.-V.114.-P.516-523

194. П.Чалмерс, Теория кристаллизации // M.: Наука.-1976

195. S.Yunoki, J.Hu, AL.Malvezzi, AMoreo, N.Furukawa, E.Dagotto / Phase Separation in Electronic Models for Manganites // Phys. Rev. Lett.-1998.-V.80.-P.845-848

196. J.H.Jung, K.H.Kim, H.J.Lee, J.S.Ahn, N.J.Hur, T.W.Noh, M. S. Kim and J.-G. Park / Optical investigations of La7/8Sri/8Mn03 // Phys. Rev. B.-1999.V.-59.-P.3793-3797

197. Y.Yamada, O.Hino, S.Nohdo, RKanao, T.Inami, S. Katano / Polaron Ordering in Low-Doping Lai-xSrxMn03 // Phys. Rev. Lett.-1996.-V.77.-904-907

198. Kawano H., Kajimoto R., Kubota M., Yoshizawa/ Ferromagnetism indused reentrant structural transition and phase diagram of the lightly doped insulator Lai.xSrxMn03 (x=0,17) // Phys. Rev. B.-1996.-V.53.-R14709-R14712

199. R. Senis, V. Laukhin, B. Martinez, J. Fontcuberta, X. Obradors , A. A. Arsenov, Y. M. Mukovskii / Pressure and magnetic-field effects on charge ordering in Lao.9SrojMn03 // Phys. Rev. B.-1998.-V.57.-P. 14680-14683

200. Y.Endoh, K.Hirota,S.Ishihara, S.Okamoto, Y.Murakami, A.Nishizawa, T. Fukuda, H.Kimura, H.Nojiri, K.Kaneko, S-Maekawa / Transition between Two Ferromagnetic States Driven by Orbital Ordering in Lao.88Sro.i2Mn03 // Phys. Rev. B.-1999.-V82.-P.4328-4331

201. T.Mizokawa, A.Fujimori / Unrestricted Hartree-Fock study of transition-metal oxides: Spin and orbital ordering in perovskite-type lattice // Phys. Rev. B.-1995.-V.51 .-P. 12880-12883

202. L.Pinsard, J.Rodriguez-Carvajal, A.H.Moudden, AAnane, ARevcolevschi, C.Dupas / JahnTeller effect and ferromagnetic ordering in Lao.875Sro.i25Mn03 : a reentrant behaviour // Physica B.-1997.-V.234-236.-P.856-858

203. Y.Murakami, J.P.Hill, D.Gibbs, M.Blume, I.Koyama, M.Tanaka, H.Kawata, T.Arima, Y.Tokura, K.Hirota, Y. Endoh / Resonant X-Ray Scattering from Orbital Ordering in LaMn03 // Phys. Rev. Lett.-1998.-V.81.-P.582-585

204. J.B.Goodenough, A.Wold, RJ. Arnott, N.Menyuk / Relationship Between Crystal Symmetry and Magnetic Properties of Ionic Compounds Containing Mn3+ // Phys. Rev.-1961.-124.-P.373-384

205. J.-S. Zhou and J.B.Goodenough / Zener versus de Genns ferromagnetism in Lai.xSrxMn03. // Phys. Rev. B.-2000.-V.62.-P.3834-3838.

206. Kawano H., Kajimoto R., Kubota M., Yoshizawa H. / Canted antiferromagnetism in insulating lightly doped Lai.xSrxMn03 withx=0,17 // Phys. Rev. B.-1996.-53, p.2202-2205

207. J.-S. Zhou, J.B.Goodenough, A.Asamitsu, Y.Tokura / Pressure-Induced Polaronic to Itinerant Electronic Transition in Lai.xSrxMn03 Crystals//Phys. Rev. Lett.-1997.-V.79.-P.3234-3237

208. Y.Tomioka, A.Asamitsu, H.Kuwahara, Y.Moritomo, Y.Tokura / Magnetic-field-induced metal-insulator phenomena in Pri.xCaxMn03 with controlled charge-ordering instability // Phys. Rev. B.-1996.-V.53.-R1689-R1692

209. M. Sato. //J. Appl. Phys.l989.-V.66.-P.983-990

210. S.E. Lofland, V. Ray, P.H. Kim, S.M. Bhagat, K. Ghosh, R.L. Greene, S.G. Karabashev, D.A. Shulyatev, A.A. Arsenov,Ya.M. Mukovskii // J. Phys.: Condens. Matter. 1997,- V.9.- L633-640

211. S. Mori, C.H. Chen, S.-W. Cheong // Phys. Rev. Lett. 1998.-V.81-P.3972-3977

212. J.A.Mydosh, Spin Glasses // Taylor and Francis. London. 1993

213. B.Dabrovski, X.Xiong, Z.Kukovski, R.Dibzinski, P.W.Klamut, J.E.Siewenie, O.Chmaissem, J.Shaffer, C.W.Kimbal, J.D.Jorgensen, S.Short. //Phys. Rev. B.- 1999.-V.60.-P.7006-7010

214. V.E. Arkhipov, V.S. Gaviko, A.V. Korolyov, V.E. Naish, V.V. Marchenkov, Y.M. Mukovskii, S.G. Karabashev, D.A. Shulyatev, and A.A. Arsenov // J. Magn. Magn. Mater.-1999,-V. 539,-P. 196-197

215. S.E.Lofland, S.M.Bhagat, K.Ghosh, R.L.Greene, et al./ Magneic transition and transport in colossal magnetoresistance perovskites // Phys. Rev. B.-1997.-V.56.-P. 13705-13707

216. M.Dominguez, S.E.Lofland, S.M.Bhagat, A.K.Raychaudhuri, T.Venkatesan, R.L.Greene// Solid State Commun.-1996.-V.97.-P. 193-195

217. Andrew Schwartz, Mark Schefler / M. Anlage Determination of the magnetization scaling exponent for single-crystal Lao,8Sro,2Mn03 by broadband microwawe surface impedance mesurments // Phys. Rev. B.-2000.-V.61.-R870-R873

218. L. Vasiliu-Doloc and J. W. Lynn , Y. M. Mukovskii, A. A. Arsenov, and D. A. Shulyatev /Spin dynamics of strongly doped Lai xSrxMn03 // J. Appl. Phys.-1998.-V.83.P7342-7344196

219. Ch.V. Mohan, M. Seeger, H. Kronmiiller, P. Murugaraj, J. Maier / J. Magn. Magn. Mater.-1998.-V.83.-P.348-351

220. Y.Tokura// J. Phys. Soc. Jpn.-1994.-V.63.-P.3931-393.4

221. S.E.Lofland, P.Kim, P.Dihiroc, S.D.Tyagi, S.G.Karabashev, D.AShulyatev, A.A,Arsenov, Y.Mukovskii / Electron spin resonance measurments in Lai.xSrxMn03 // -Phys. Rev. Lett.-1997.-V.233.- P.476-480

222. Urushibara A., Morimoto Y., Arima Т., et al. Insulator-metall transition and giant magnetoresistance in Lai.xSrxMn03. Phys. Rev. B.-1995.-V.51, p. 14103-14109

223. Старцев B.E., Устинов В В., Дякина В.П. / Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов // ФНТ,-1996.-т.22.-с.943-948

224. Volkenshtein N.V., Dyakina V.P., Startsev V.E. / Scattering mechanisms of conduction electrons in transition metals at low temperatures at low temperatures.// Phys. Stat. Sol.-1973,-V. 57.-P.9-42

225. Вонсовский C.B. / Магнетизм, M.: Наука, 1971

226. P.Wagner, I.Gordon, AVantomme et al. / Europhys. Lett.-1998.-V.41.-P.49-58

227. Ю.Каган, JI.А.Максимов / К теории аномального эффекта Холла в ферромагнтиках // ФТТ.-1965.-т.7.-стр. 530-53 8