Получение и исследование твёрдых растворов на основе полупроводников A2B5 и манганитов перовскитов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Пилюк, Евгений Александрович

• Пилюк, Евгений Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Пилюк, Евгений Александрович

Оглавление

Список основных обозначений

Введение

ГЛАВА 1 Литературный обзор

1.1 Основные свойства разбавленных магнитных

полупроводников

1.1.1 Магнитные свойства

1.1.2 Механизмы электропроводности

1.2 Применение РМП

1.3 Полупроводники группы А2В5

1.3.1 Кристаллическая структура и основные свойства

1.3.2 РМП на основе группы А2В5. Основные свойства, кристаллическая структура и получение

1.4 Основные свойства твердых растворов (Сё1.л.^плМпу)зАз2

1.5 Осцилляции Шубникова-де-Гааза

1.6 Кристаллическая структура манганитов перовскитов и методы их получения

1.7 Основные свойства манганитов перовскитов

1.7.1 Магнитные свойства

1.7.2 Эффект колоссального магнетосопротивления и механизмы электропроводности

1.8 Применение манганитов перовскитов и магнетокалорический

эффект

1.9 Свойства Ьа^г^МпОз и Ьа^г^Мп^Си^Оз

Выводы к Главе 1

ГЛАВА 2 Получение и характеризация образцов разбавленных магнитных полупроводников и манганитов перовскитов

2.1 Получение монокристаллов РМП (Сс! 1 _л.^плМп>,)зАз2

2.2 Получение объёмных образцов Ьа^г^Мп^СиуОз (х = 0.3 и у - 0.1)

2.3 Получение объёмных образцов Ьа^Бг^^^е^Оз

(х = 0,3 и у = 0,05-03)

2.4 Получение пленок манганитов перовскитов Ьао^го.зМпОз, Ьаь^Мп^СиРз (х = 0.3 и у = 0, 0.1) и Ьа^Са^МпОз О = 0.3)

Выводы к главе 2

ГЛАВА 3 Исследование гальваномагнитных свойств разбавленных магнитных полупроводников (Cd 1 .^Zn^Mn^As2 (х + у = 0.4; 0 <у < 0.08)

3.1 Методика исследования гальваномагнитных свойств

3.2 Результаты исследований электропроводности и эффекта Шубникова-

де Гааза

3.3 Обсуждение результатов исследования

Выводы по главе 4

ГЛАВА 4 Исследование электропроводности, магнетосопротивления и магнитных свойств манганитов перовскитов ЬаолЭго.зМпОз, Lai.^Sr^Mn].^Си^Оз (x = 0.3 иу — 0, 0.1) и La!_ÄMn03 (* = 0.3)

4.1 Методика исследования электропроводности и магнетосопротивления

4.1.1 Описание и характеристики измерительной установки ИМП

4.1.2 Подготовка образцов к измерениям

4.1.3 Описание и характеристики СКВИД магнетометра

4.2 Результаты исследования электропроводности и магнетосопротивления объемного образца Lao.7Sro.3Mno.9Cuo.1O3

4.3 Результаты исследования электропроводности и магнетосопротивления тонких пленок Lai.^SrJVIn 1 ^Си^Оз (х = 0.3 и у = 0, 0.1) и La1.JCCa^Mn03

(х = 0.3)

4.4 Магнитные свойства Lao.7Sro.3Mno.9Cuo.1O3

4.5 Исследование образцов манганитов перовскитов методами электронного парамагнитного и ядерного магнитного резонанса

4.6 Обсуждение результатов исследования

Выводы к главе 4

Заключение

Список литературы

Список основных обозначений

РМП - разбавленные магнитные полупроводники, Тс - температура Кюри,

РККИ- модель Рудермана-Киттеля-Касуи-Иосиды,

п - концентрация электронов,

р - концентрация дырок,

Eg - ширина запрещенной зоны,

Еа - энергия активации,

То - характеристическая температура,

ПППДП - прыжковая проводимость с переменной длинной прыжка, Т- температура,

Ае - моттовская оптимальная энергетическая полоса, [л - уровень Ферми,

ПЛС - плотность локализованных состояний,

А - ширина параболической кулоновской щели,

W- ширина примесной зоны,

AMC - анизотропное магнетосопротивление,

RHaii - сопротивление Холла,

М- намагниченность,

Я0 - нормальный коэффициент Холла,

Rs - аномальный коэффициент Холла,

Q - вектор рассеяния нейтронов,

X - магнитная восприимчивость,

в - температура Кюри-Вейса,

А ФМ -антиферромагнетик,

ШдГ- осцилляции Шубникова-де Гааза,

С, - энергия Ферми,

- энергия Ферми в отсутствии магнитного поля,

т' - время релаксации,

Т0 - температура Дингля,

Ршдг~ период осцилляций Шубникова-де Гааза,

- экстремальная площадь сечения поверхности Ферми, g - фактор спинового расщепления, 7ы - температура Нееля, АФМ- антиферромагнетик, ФМ- ферромагнетик,

КМС - колоссального магнетосопротивления, МС - магнетосопротивление, СО - зарядово-упорядоченное состояние, ЕМ- ферромагнитное состояние, ДО - двойной обмен,

ТКС - температурный коэффициент сопротивления,

ВТСП - высокотемпературные сверхпроводники,

МКЭ - магнетокалорический эффект,

пц - холловская концентрация носителей заряда,

а - удельная электропроводность,

р - удельное сопротивление,

п5с1н - ШдГ концентрации носителей заряда,

тс - циклотронная эффективная масса носителей заряда,

УИМП - установка импульсного магнитного поля,

СПС - сверхпроводящий соленоид,

2ЕС - охлаждение в нулевом магнитном поле,

ЕС - охлаждение в магнитном поле,

ТЯМ- термоостаточная намагниченность,

ЭПР - электронный парамагнитный резонанс,

ППБС - механизм прыжковой проводимости по ближайшим соседям.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и исследование твёрдых растворов на основе полупроводников A2B5 и манганитов перовскитов»

Введение

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.

Сформировавшееся в последние годы прикладное направление развития электроники, связанное с переносом ориентированного спина электрона из ферромагнетика в немагнитный полупроводник, во многом определяет развитие спинтроники и обуславливает необходимость поиска материалов обеспечивающих создание приборных структур. При использовании в приборных гетероструктурах в качестве эмиттеров поляризованных спинов ферромагнитных (ФМ) металлов удаётся получить степень спиновой поляризации не более 10% [1,2]. Добиться хорошего электрического контакта и одновременно высокой степени поляризации по спину носителей тока можно, используя ферромагнитный полупроводник с температурой Кюри выше комнатной.

Таким образом, разбавленные магнитные полупроводники (РМП) играют важную роль в приборных гетероструктурах полупроводниковой спинтроники. Согласно теоретическим расчётам всего несколько процентов примеси магнитных ионов позволяют получить ферромагнитный материал при температурах близких к комнатным, благодаря чему РМП смогут в будущем стать основой для создания спиновых инжекторов в спинтронике.

Разбавленные магнитные полупроводники группы А2В5 обладают свойствами, позволяющими использовать их в магнитных датчиках и в качестве инжекторов поляризованных по спину электронов в приборных гетероструктурах [3].

В то же время, манганиты перовскиты как представители сильно коррелированных систем в настоящее время являются предметом интенсивных исследований. Это связано, прежде всего, с наблюдаемым в манганитах коллосальным магнетосопротивлением (KMC), относительное значение

которого (AR/R(H)) достигает 106% [4]. Такие значения KMC позволяют использовать манганиты в области спиновой электроники: магнитных датчиках, магниторезистивных считывающих головках и магниторезистивной оперативной памяти. Большой температурный коэффициент сопротивления делает эти материалы интересными для использования в болометрических детекторах [5-7].

В последнее время манганиты рассматриваются в качестве перспективных материалов для создания работающих при комнатных температурах магнитных холодильников, которые отличаются компактностью, высокой эффективностью и экологической безопасностью [8-10].

Исследование механизмов электропроводности, магнетосопротивления, концентрации и подвижности носителей, твёрдых растворов на основе полупроводников А2В5 и манганитов перовскитов позволят прогнозировать их практическое применение.

Цель работы

1. Исследование магнетосопротивления и электропроводности в твёрдых растворах разбавленных магнитных полупроводников (Cdi.*.jZn*Mrg3As2 (х +у = 0.4; 0 <у < 0.08);

2. Исследование электропроводности и магнетосопротивления в объемных образцах и тонких пленках Ьзо^Го эМп^Си^Оз (х = 0; 0.1); Lao.7Sro.3Mn,.xFe^03 (х = 0.05; 0.1), Ьа^Са^МпОз.

Научная новизна работы

* Впервые наблюдались осцилляции Шубникова-де Газа (ШдГ) в твёрдых растворах РМП (Cdi^.^п^Мп^зAs2 (х + у = 0.4; 0 <у < 0.08);

• В твёрдых растворах РМП (Cd! ..^п^МпД-, As2 (jc + = 0.4; 0 <у<0Ш) рассчитаны значения циклотронной массы, и впервые определено наличие аномальной зависимости эффективной массы от магнитного поля;

• В твёрдых растворах РМП (С^ ^.^п^Мп^з Аз2 (х+у = 0.4; 0 <7 <0.08) определены холловские и шубниковские концентрации и подвижности носителей заряда;

• Определен тип механизма прыжковой проводимости в объемном керамическом образце Ьаь^ГсМп^СиуОз (х = 0.3; у = 0.1) при температурах ниже точки Кюри;

• Проведено сравнение электропроводности и магнетосопротивления объёмных образцов, полученных методом классической твердофазной реакции и плёнок манганитов перовскитов, полученных методом нереактивного магнетронного напыления.

Достоверность результатов проведенных исследований обоснована применением современных и апробированных методов исследований, включающих методики растровой электронной и атомно-силовой микроскопии, порошковой рентгеновской дифрактометрии, методов исследования электропроводности и магнетосопротивления. Достоверность полученных результатов подтверждается использованием взаимодополняющих, комплексных методов исследований, статистической обработкой результатов экспериментов и сравнением экспериментальных результатов с имеющимися данными, известными на сегодняшний день в научной литературе.

Практическая значимость работы

Результаты работы могут быть использованы при выборе оптимальных по электропроводности и магнетосопротивлению твёрдых растворов манганитов перовскитов и разбавленных магнитных полупроводников группы

О ^

А В для создания приборных структур спинтроники. Результаты исследований дают возможность совершенствовать методы получения объёмных образцов и плёнок манганитов перовскитов, обладающих заданными свойствами.

Положения, выносимые на защиту:

1. Результаты первого экспериментального наблюдения в твёрдых растворах РМП (Cdi.^.^п^Мп^зAs2 состава (х+у = 0.4; 0 < 0.08) осцилляций Шубникова-де Гааза;

2. Результаты расчета значений циклотронной массы и впервые наблюдаемая аномальная зависимость эффективной массы носителей заряда от магнитного поля в твёрдых растворах РМП (Сdi.д^п^Мп^зAs2 состава (х +у = 0.4; 0 <у < 0.08);

3. Зависимости холловских концентраций и подвижностей носителей заряда от состава твёрдых растворов РМП (Cd i ^.^п^Мп^зAs2 {х +у — 0.4; 0 <>> < 0.08);

4. Механизм прыжковой электропроводности по закону Мотта в объёмном керамическом образце Lao.7Sro.3Mrio.9Cuo.1O3 и отсутствие эффекта колоссального магнетосопротивления в плёнках перовскитов манганитов, полученных методом магнетронного распыления.

Апробация результатов.

Основные результаты диссертационных исследований обсуждались на международных, всероссийских и региональных конференциях: Moscow International Symposium on Magnetism (MISM) (Moscow, 2011); Nuclear Magnetic Resonance in Condensed Matter, 9th Meeting «NMR in Heterogeneous System» (Saint Petersburg, 2012), Первый международный междисциплинарный симпозиум, Бессвинцовая сегнетопьезокерамика и родственные материалы: получение, свойства, применения (ретроспектива - современность - прогнозы) (г. Ростов-на-Дону - п. JIoo, 2012), X Всероссийская конференция,

Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем (г. Ростов-на-Дону, 2012)

Публикации.

Основные результаты исследований по теме диссертации опубликованы в 7 печатных работах, в том числе 3 статьи в журналах из перечня ВАК.

Личный вклад соискателя состоит в получении и подготовке образцов, проведении экспериментов, обработке результатов исследований и обсуждении

полученных результатов, подготовке материалов для статей и докладов. Основные результаты, приведенные в диссертации, получены либо самим автором, либо при его непосредственном участии.

Объём и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, содержащего 201 наименование. Общий объем работы составляет 136 страниц, включающих 52 рисунка и 8 таблиц.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность темы диссертационной работы, формулируется цель, научная новизна, практическая значимость исследования и основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе приведен обзор литературы, в котором рассмотрены кристаллическая структура и методы получения, основные свойства и применение РМП А2В5 и манганитов перовскитов, механизмы электропроводности и осцилляции Шубникова-де Гааза.

Вторая глава посвящена описанию технологий получения монокристаллов разбавленных магнитных полупроводников А*3)В-2), объёмных

керамических образцов и тонких пленок манганитов перовскитов, а так же методам характеризации образцов.

Третья глава посвящена исследованию электропроводности и магнетосопротивления разбавленных магнитных полупроводников (Са,.^пхМПз,)3А82(х+у = 0.4; 0<у<0.08).

Четвертая глава посвящена исследованию электропроводности, магнетосопротивления и магнитных свойств манганитов перовскитов.

В заключении приводятся выводы и основные результаты, полученные в диссертационной работе.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Пилюк, Евгений Александрович

Выводы к главе 4

В главе 4 настоящей работы приведены результаты исследования электропроводности, магнетосопротивления и магнитных свойств керамических образцов и тонких плёнок манганитов перовскитов Lao.7Sro.зMn1.JtCц[Oз (х = 0; 0.1); La0.7Sro.зMn1.^eлOз (х = 0.05; 0.1),

Lao.5Cao.5MnOз.

Установлено, что для объемного керамического образца Lao.7Sro.3Mno.9Cuo.1O3 во всём температурном диапазоне наблюдалось отрицательное магнетосопротивление, характерное для данного класса материалов. В тонких плёнках магнетосопротивление увеличивалось с ростом магнитного поля. Это, видимо, связано с их аморфной структурой и, следовательно, другим механизмом проводимости.

Отличие свойств объемных образцов манганитов перовскитов и тонких плёнок, полученных нами, является результатом применения метода магнетронного напыления на холодную подложку, который приводит к аморфной структуре плёнок и, как следствие, резкому отличию свойств.

Кроме того, в тонких плёнках был измерен коэффициент Холла, и рассчитаны концентрация и подвижность носителей заряда, в данном случае - дырок. Отжиг плёнки состава Lao.7Sro.3Mno.9Cuo.1O3 приводил к увеличению концентрации и подвижности дырок в 8 и 2.5 раза, соответственно, для температуры 77 К, однако магнетосопротивление всё равно оставалось положительным.

Измерения намагниченности керамического образца Lao.7Sro.3Mno.9Cuo.1O3 свидетельствуют о существовании фазы кластерного спинового стекла.

Анализ зависимости удельного сопротивления от температуры показал, что основным механизмом проводимости керамического образца Lao.7Sro.3Mno.9Cuo.1O3 при температурах ниже точки Кюри является прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка моттовского типа.

Заключение

1.На основании проведенных исследований определено, что механизмом проводимости в объемном керамическом образце Ьа^ГсМп^СиуОз (х = 0.3, у = 0.1) при температурах ниже точки Кюри является прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка моттовского типа.

2. Впервые для твёрдых растворов РМП (Сс! 1 ^.^п^Мп^з Аб2 (х+у = 0.4; 0 <у < 0.08) наблюдался эффект Шубникова-де Газа.

3. Рассчитаны значения циклотронной массы в твёрдых растворах РМП (Сёь^п^Мп^зАБг (х+у = 0.4; 0 <у < 0.08).

4. Установлено наличие аномальной зависимости эффективной массы от магнитного поля в РМП (Сс^у^Мп^зАзг (х+у = 0.4; у = 0.04).

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Пилюк, Евгений Александрович, 2013 год

Список литературы

1. Zutic, I. Spintronics: Fundamentals and applications / I. Zutic, J. Fabian, and S. Das Sarma // Rev. Mod. Phys. - 2004. - V. 76. - P. 323^10

2. Prinze, G.A. Magnetoelectronics // Science. - 1998. - V. 282. - P. 1660-1663

3. Bergqvist, L. Dilute Magnetic Semiconductors / L. Bergqvist, P.H. Dederichs // John von Neumann Institute for Computing, Julich, NIC Series. -2008.-V. 39.-P. 153-160

4. Xiong, G.C. Giant magnetoresistance in epitaxial Ndo.7Sr0.3MnC>3.5 thin films / G.C. Xiong, Q. Li, H.L. Ju, S.N. Mao, L. Senapati, X.X. Xi, R.L. Greene and T. Venkatesan // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 66 - P. 1427-1429

5. Choudhary, R.J. Evaluation of manganite films on silicon for uncooled bolometric applications / R.J. Choudhary, S. Ogale Anjali, S.R. Shinde, S. Hullavarad, S.B. Ogale, T. Venkatesan, R.N. Bathe, S.I. Patil and Ravi Kumar // Appl. Phys. Lett. - 2004. - V. 84. - P. 3846-3848

6. Rajeswari, M. Low frequency optical response in epitaxial thin films of Lao.67Cao.33Mn03 exhibiting colossal magnetoresistance / M. Rajeswari, C.H. Chen, A. Goyal, C. Kwon, M.C. Robson, R. Ramesh, T. Venkatesan and S. Lakeou // Appl. Phys. Lett. - 1996. - V. 68. - P. 3555-3557

7. Lisauskas, A. Tailoring the colossal magnetoresistivity: Lao.7(Pbo.63Sr0.37)o.3Mn03 thin-film uncooled bolometer / Alvydas Lisauskas, S.I. Khartsev and Alex Grishin // Appl. Phys. Lett. - 2000. - V. 77. - P. 756-758

8. Tishin, A.M. The Magnetocaloric Effect and its Applications / A.M. Tishin and Y.I. Spichkin // Bristol and Philadelphia: Institute of Physics Publishing. - 2003

9. Pecharsky, V.K. Magnetocaloric effect and magnetic refrigeration / V.K. Pecharsky, K. A. Gschneidner Jr. // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 1999. -V. 200.-P. 44-56

10. Захвалинский, B.C. Статический магнитный рефрижератор / B.C. Захвалинский и A.B. Маширов // Патент на полезную модель №99126. - 2010

11. Furdyna, J.K. Diluted magnetic semiconductors // J. Appl. Phys. -1988. - V. 64. - № 4. - P. R29-R64

12. Diluted Magnetic Semiconductors, Ser. Semiconductors and semimetals, Ed. By J.K. Furduna and J. Kossut, Academic Press. Inc. (London) LTD.-1988.-V. 25.-P. 410

13. Semimagnetic Semicoductors and Diluted Magnetic Semiconductors, Ed. By Averous M. and Balkanski M., Plenum Press, New York and London. -1991.-P. 274

14. Bottka, N. J. Stankiewicz and W. Giriat Electroreflectance studies in Cd,_^MnxTe solid solutions // J. Appl. Phys. - 1981. - V. 52. - P. 4189-4193

15. Lee, Y.R., A piezomodulation study of the absorption edge and Mn^ internal transition in Cdi^Mn^Te, a prototype of diluted magnetic semiconductors / Y.R. Lee, A.K. Ramdas // Solid State Communications. - 1984. - V.51. - P.861-863

16. Slobodskyy, A. Voltage-Controlled Spin Selection in a Magnetic Resonant Tunneling Diode / A. Slobodskyy, C. Gould, T. Slobodskyy, C.R. Becker, G. Schmidt and L.W. Molenkamp // Phys. Rev. Lett. - 2003. - V. 90. - P. 246601-246604

17. Jonker, B.T. Robust electrical spin injection into a semiconductor heterostructure / B.T. Jonker, Y.D. Park, B.R. Bennett, H.D. Cheong, G. Kioseoglou and A. Petrou // Phys. Rev. B. - 2000. - V. 62. - P. 8180-8183

18. Krstajic, P. M. On the nature of ferromagnetism in diluted magnetic semiconductors: GaAs:Mn / P.M. Krstajic, V.A. Ivanov, F.M. Peeters,V. Fleurov and K. Kikoin // Europhysics Letters. - 2003. - V. 61(2). - P. 235-241

19. Jungwirth, T. Prospects for high temperature ferromagnetism in (Ga,Mn)As semiconductors / T. Jungwirth, K.Y. Wang, J. Masek, K.W. Edmonds, J. König, J. Sinova, M. Polini, N.A. Goncharuk, A.H. MacDonald, M. Sawicki,

R.P. Campion, L.X. Zhao, C.T. Foxon and B.L. Gallagher // Phys. Rev. B. - 2005. -V. 72. - P. 165204-16516

20. Yu, K.M. Effect of the location of Mn sites in ferromagnetic Gai. jtMn^As on its Curie temperature / K.M. Yu, W. Walukiewicz, T. Wojtowicz, I. Kuryliszyn, X. Liu, Y. Sasaki and J.K. Furdyna // Phys. Rev. B. - 2002. - V. 65. -P. 201303-201306

21. Dietl, T. Zener Model Description of Ferromagnetism in Zinc-Blende Magnetic Semiconductors / T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert and D. Ferrand // Science. - 2000. - V. 287. - P. 1019-1022

22. Liu, C. Ferromagnetism of ZnO and GaN: A Review / C. Liu, F. Yun, and. H. Morko? // J. Mat. Sci:Materials in Elect. - 2005. - V. 16. - P. 555-597

23. Luo, X. Jahn-Teller distortion and ferromagnetism in the dilute magnetic semiconductors GaAs:Mn and cubic GaN:Mn / X. Luo and R.M. Martin // Phys. Rev. B. - 2005. - V. 72. - P. 035212-035217

24. Sasaki, T. Magnetic and transport characteristics on high Curie temperature ferromagnet of Mn-doped GaN / T. Sasaki, S. Sonoda, Y. Yamamoto, Ken-ichi Suga, S. Shimizu, K. Kindo and H. Hori // J. Appl. Phys. - 2002. - V. 91. -P. 7911-7913

25. Spaldin, N.A. Magnetic Materials: Fundamentals and Applications // Cambridge University Press, Cambridge, UK. - 2010

26. Ruderman, M.A. Indirect Exchange Coupling of Nuclear Magnetic Moments by Conduction Electrons / M.A. Ruderman and C. Kittel // Physical Review. - 1954. - V. 96. - P. 99-102

27. Zhao, Y.J. Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida-like Ferromagnetism in Mn^Gei.j / Y.J. Zhao, T. Shishidou and A.J. Freeman // Phys. Rev. Lett. - 2003. -V. 90. - P. 047204-1-047204-4

28. Шкловский, Б.И. Электронные свойства легированных полупроводников / Б.И. Шкловский и A.JI. Эфрос // Монография. - М.: Наука. - 1979

29. Gudden, B. Probleme der Ionen und Elektronenleitung in nichtmetallischen festen Körpern / B. Gudden and W. Schottky // Z. Techn. Phys. 1935.-V. 16.-P. 323

30. Buch, G. Über den Mechanismus der elektrischen Leitfähigkeit des Siliciumcarbids / G. Buch and H. Labhart // Helv. Phys. Acta. 1946. - V. 14. - P. 463-492

31. Hung, C.S. Resistivity and Hall Effect of Germanium at Low Temperatures / C.S. Hung and J. R. Gliessman // Phys. Rev. - 1954. - V. 96. - P. 1226-1236

32. Laiho, R. Variable-range hopping conductivity in Laj.^CaxMnj.^e^Os: evidence of a complex gap in density of states near the Fermi level / R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lähderanta, P.A. Petrenko, J. Salminen, M.A. Shakhov, M.O. Safontchik, V.S. Stamov, M.V. Shubnikov and V.S. Zakhvalinskii // J. Phys.: Condens. Matter. - 2002. - V. 14. - P. 8043-8055

33. Mott, N.F. and E.A.Davis, Electron Processes in Non-Crystalline Materials 1979 Oxford University Press, New York

34. Laiho, R. Hopping conductivity of Ni-doped p-CdSb / R. Laiho, A.V. Lashkul, K.G. Lisunov, E. Lähderanta, M.A. Shakhov and V.S. Zakhvalinskii // J. Phys.: Condens. Matter. - 2008. - V. 20. - P. 295204-295211

35. De Boeck, J. Technology and materials issues in semiconductor-based magnetoelectronics / J. De Boeck, W. Van Roy, J. Das, V. Motsnyi, Z. Liu, L. Lagae, H. Boeve, K. Dessein and G. Borghs // Semicond. Sei. Technol. - 2002. -V. 17.-P. 342-354

36. Wolf, S. A. Spintronics: A Spin-Based Electronics Vision for the Future / S.A. Wolf, D.D. Awschalom, R.A. Buhrman, J.M. Daughton, S. von Molnär, M.L. Roukes, A.Y. Chtchelkanova and D.M. Treger // Science. - 2001. -V. 294.-P. 1488-1495

37. Jungwirth, T. Theory of ferromagnetic (III,Mn)V semiconductors / T. Jungwirth, J. Sinova, J. Masek, J. Kucera, A.H. MacDonald // Rev. Mod. Phys. -2006. - V. 78. - P. 809-864

38. Jaoul, О. Spontaneous resistivity anisotropy in Ni alloys / O. Jaoul, I.A. Campbell, A. Fert // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 1977. - V. 5. -P. 23-34

39. Malozemoff, A.P. Anisotropic magnetoresistance of amorphous and concentrated polycrystalline iron alloys // Phys. Rev. B. - 1985. - V. 32. - P. 6080-6083

40. Sinova, J. Magneto-transport and magneto-optical properties of ferromagnetic (HI,Mn)V semiconductors: a review / J. Sinova, T. Jungwirth and J. Cerne // International Journal of Modern Physics B. - 2004. - V. 18. - P. 10831118

41. Chien, L. The Hall Effect and Its Applications / L. Chien and C.R. Westgate // Plenum, New York. -1980

42. Ohno, H. Making Nonmagnetic Semiconductors Ferromagnetic // Science. - 1998. - V. 281. - P. 951-956

43. Ohno, H. Magnetotransport properties of p-type (In,Mn)As diluted magnetic III-V semiconductors / H. Ohno, H. Munekata, T. Penney, S. von Molnar and L.L. Chang // Phys. Rev. Lett. - 1992. - V. 68. - P. 2664-2667

44. Никитин, П.И. Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках / П.И. Никитин и А.И. Савчук // Успехи физических наук. -1990. - Т. 160. - Вып. 11. - С. 167-196

45. Gaj, J. A. Giant exciton Faraday rotation in Cdi.jMnJe mixed crystals / J.A. Gaj, R.R. Gafc*zka, M. Nawrocki // Sol. State Commun. - 1978. - V. 25. - P. 193-195

46. Turner, A.E. New class of materials for optical isolators / A.E. Turner, R.L. Gunshor, S. Datta //Appl. Opt. - 1983. - V. 22. - P. 3152-3154

47. Tanaka, M. Epitaxial growth and properties of III-V magnetic semiconductor (GaMn)As and its heterostructures // J. Vac. Sci. Technol. B. -1998. - V. 16. - P. 2267-2274

48. Маренкин, С.Ф. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия / С.Ф. Маренкин и В.М. Трухан // Монография. Минск. - 2010

49. Cisowski, J. Semimagnetic Semiconductors Based on П-V Compounds // Phys. Stat. Sol. (b). - 1997. - V. 200. - P. 311-350

50. Bodnar, J. Proc. Internat. Conf. Narrow-Gap Semiconductors, Warsaw.

- 1977, Eds. J. Rauhiszkiewicz, M. Gorska, and E. Kaczmarek, Polish Scientific Publishers, Warsaw. - 1978. - P. 311

51. Cisowski, J., Arushanov E.K., Bodnar J., Kloc K. and Zdanowicz W., Proc. 14th Internat. Conf. Phys. Semicond., Edinburgh. - 1978, Ed. B. L. H. Wilson, Inst. Phys. Conf. Ser. - 1979. - No. 43. - V. 253

52. Arushanov E. K. Crystal Growth, Characterization and application of II-V compounds // Progress in crystal growth and characterization. - 1986. - V.13.

- P.l-38

53. Goodyear, J. The crystal structure of a-CdP2 / J. Goodyear, G.A. Steigmann // Acta Cryst. - 1969. - V. B25. - P. 2371-2374

54. Olofsson, O. A note on the crystal structure of a-CdP2 / O. Olofsson, J. Gullmann // Acta cryst. - 1970. - V. B26. - P. 1883-1884

55. Zdanowicz, W. Preparation and semiconducting properties of cadmium phosphide (Cd3P2) / W. Zdanowicz, A. Wojakowski // Phys. Stat. Sol. (b). - 1965. -V. 8.-P. 569-575

56. Bishop, S.G. Photoluminescence and Stimulated Emission in Cd3P2 / S.G. Bishop, WJ. Moore and E.M.Swiggard // Appl. Phys. Lett. - 1969. - V. 15. -P. 12-14

57. Radoff, R.L. Optical properties of copper-doped Cd3P2 / R.L. Radoff and S.G. Bishop // Mater. Res. Bull. - 1973. - V. 8. - P. 219-227

58. Pietraszko, A. Thermal expansion and phase transition of Cd3As2 and Zn3As2 / A. Pietraszko, K. Lukaszewicz // Phys. Stat. Sol. (a). - 1973. - V. 18. - P. 723-730

59. Физико-химия твёрдого тела. Под ред. Б. Сталинского // М.: Химия. - 1972. - С. 252

60. Справочник LANDOLT-BORNSTEIN, V41, Subvol. С. - Р. 364-403.

61. Turner, W.J. Physical Properties of Several II-V Semiconductors / W.J. Turner, A.S. Fischler, W.E. Reese // Phys. Rev. - 1961. - V. 121. - P. 759-767

62. Fischler, A.S., Galvanomagnetic Properties of «-Type CdAs2 // Phys. Rev. - 1961. - V. 122. - P. 425-429

63. Silvey, G.A. The Preparation and Properties of Some II-V Semiconducting Compounds / G.A. Silvey, V.J. Lyons, V.J. Silvestri // J. Electrochem. Soc. - 1961. - V. 108. - P. 653

64. Лазарев, Б. Полупроводниковые соединения группы AmBv / Б. Лазарев, В .Я. Шевченко, Я.Х. Гринберг, В.В. Соболев // Москва, Наука. -1978.-С. 256

65. Masumoto, К. Physical and electronic properties of semiconducting solid solutions of the Cd3P2-Zn3P2 system / K. Masumoto, S. Isomura, K. Sasaki // Physica Status Solidi (a). - 1971. - V. 6. - P. 515-523

66. Masumoto, K. Physical and electronic properties of semiconducting solid solutions of the Cd3As2-Cd3P2 system / K. Masumoto and S. Isomura // Energy Conversion. - 1970. - V. 10. - P. 129-133

67. Arushanov E. K. II3V2 compounds and alloys // Progress in crystal growth and characterization. - 1992. - V.25. - P. 131-201

68. Zdanowicz, W. in: Landolt-Bornstein, Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Ed. O. Madelung, Springer-Verlag, Berlin.-1983.-V. 17.-P. 178

69. Cisowski J. Level Ordering in Il3-V2 Semiconducting Compounds // Phys. Stat. Sol. (b). - 1982. - V. 111. - P. 289-293

70. Neve, J.J. Shubnikov-de Haas effect in (Cdi.xMnx)3As2 alloys / J.J. Neve, C.J.R. Bouwens, F.A.P. Blom // Solid State Communications. - 1981. - V. 38. - P. 27-30

71. Zdanowicz, W. Preparation and structure of (Cdi^MnJt)3As2 / W. Zdanowicz, K. Kloc, A. Burian, B. Rzepa, E. Zdanowicz // Crystal Research and Technology. - 1983. - V. 18. - P. K25-K27

72. Celinski, Z. Preparation, structure and magnetic properties of (Cdi.xMn^)3As2 crystals / Z. Celinski, A. Burian, B. Rzepa, W. Zdanowicz // Materials Research Bulletin. - 1987. - V. 22. - P. 419-426

73. Denissen, C.J.M. Magnetic behavior of the semimagnetic semiconductor (Cdi.xMn^)3As2 / C.J.M. Denissen, H. Nishihara, J.C. van Gool and W.J.M. de Jonge // Phys. Rev. B. - 1986. - V. 33. - P. 7637-7646

74. Denissen, C.J.M. Magnetic behavior of the diluted magnetic semiconductor (Zn^Mn^Asi / C.J.M. Denissen, Sun Dakun, K. Kopinga, W.J.M. de Jonge, H. Nishihara, T. Sakakibara and T. Goto // Phys. Rev. B. - 1987. - V. 36. -P. 5316-5325

75. De Vries, G.C. The crystal structure of the diluted magnetic semiconductor (Zni^Mn^)3As2 / G.C. De Vries, E. Frikkee, R.B. Helmholdt, K. Kopinga, W.J.M. De Jonge // Physica B: Condensed Matter. - 1989. - V. 156-157. -P. 321-323

76. Laiho, R. Magnetoresistance of (Zn1_JCMn;t)3As2 in region of hopping conductivity / R. Laiho, K. Lisunov, V. Stamov, V. Zahvalinsky // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 1995. - V. 140-144. - P. 2021-2022

77. Misiewicz, J. Some Properties of (Zni^Mnx)3P2 :A New Semimagnetic Semiconductors / J. Misiewicz, L. Bryja and A. Twardowski // Jpn. J. Appl. Phys. - 1993. - V. 32. - P. 382-383

78. Lubczynski, W. Temperature dependence of the Shubnikov-de-Haas effect in Cd3.Jt.rZnJVIn>As2 / W. Lubczynski, J. Cisowski, J.C. Portal, W. Zdanowicz // Acta Physica Polonica, A. - 1988. - V. 73. - P. 509-511

79. Lubczynski, W. Anisotropy of the Shubnikov-de Haas effect in Cd3.^.>ZnJtMn>As2 / W. Lubczynski, J. Cisowski, J. Kossut, J.C. Portal // Solid State Communications. - 1991. - V. 77. - P. 541-545

80. Lubczynski, W. Spin-dependent scattering of conduction electrons in Cd3.^.>ZnxMnyAs2 alloys / W. Lubczynski, J. Cisowski, J. Kossut, J.C. Portal // Semicond. Sci. Technol. - 1991. - V. 6. - P. 619-625

81. Laiho, R. Magnetic freezing phenomena in (Zni_JCFe.r)3As2 / R. Laiho, A.V. Lashkul, E. Lahderanta, V.A. Stamov, V.S. Zachvalinskiy // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 1995. - V. 140-144. - P. 1769-1770

82. Crystallographyc and magnetic properties of (C6DiiND3)CuBr3 and

i

(Zni.x|Mnx)3As2. A neutron scattering study, by G.O. De :Vries (dissertation), ed. by Netherlands Energy Research Foundation. - 1989. - p. 140

83. Castellion, G.A. The preparation and semiconducting properties of hexagonal Zn3.^MnxAs2 / G.A. Castellion, L.A. Siegel and H. Burkhard // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1969. - V. 30. - P. 585-588

84. Laiho, R. Magnetic properties of the new diluted magnetic semiconductor Zn1_JCMnJCAs2: evidence of MnAs clusters / R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta and V.S. Zakhvalinskii // J. Phys.: Condens. Matter. - 1999. - V. 11. -P. 555-568

85. Sahana, M. Colossal magnetoresistance in epitaxial La<,.^jNa^MnOj thin film / M. Sahana, R.N. Singh, C. Shivakumara, N.Y. Vasanthacharya, M.S. Hegde, S. Subramanian, V. Prasad, S.V. Subramanyam // Appl. Phys. Lett. - 1997. -V. 70.-P. 2909-2911

86. Chahara, K. Magnetoresistance effect of Lao.72Cao.25MnOz A^Ba2Cu3Oy/Lao.72Cao.25MnOz trilayered films / K. Chahara, T. Ohno, M. Kasai, Y. Kanke and Y. Kozono // Appl. Phys. Lett. - 1993. - V. 62. - P. 780-782

87. Kishino, S. Shapiro-like steps from a weakly coupled junction prepared with high-Tc superconducting materials / S. Kishino, H. Kuroda, T. Shibutani and H. Niu //Appl. Phys. Lett. - 1994. - V. 65. - P. 781-783

88. Pocztowski, G. Preparation, structure and some properties of Mn-doped Cd3AS2 - films / G. Pocztowski, G. Zielinski, E. Szibel, B. Rzepa, B. Jarzabek, J. Jurusik and W. Zdanowicz // Acta Phys. Pol. - 1985. - V. A67. - P. 207-213

89. Steigman, G.A. The Crystal structure of Cd3As2 / G.A. Steigman and J. Goodyear // Acta. Cryst. - 1968. - V. B24. - P. 1062-1067

90. Brandt, N.B. Semimagnetic semiconductors / N.B. Brandt, V.V. Moshchalkov // Advances in Physics. - 1984. - V. 33. - P. 193-256

91. De Jonge, W.J.M. Spin-glass behavior of (Cdi.JVInx)3As2 / WJ.M. De Jonge, M. Otto, OJ.M. Denissen, F.A.P. Blom, C. Van der Steen, K.Kopinga // J. Magn. and Magn. Mat. - 1983. - V.31-34. - P. 1373-1374

92. Celinski, Z. Magnetic properties of (Cdi.J(MnJC)3As2 / Z. Celinski and W. Zdanowicz // Acta Phys. Pol. - 1986. - V. A69. - P. 1067-1070

93. Zdanowicz, W. Shubnikov-de Haas effect in Cdi.JtMnc)3As2 solid solutions / W. Zdanowicz, Lubczynski W., et al. // Acta Phys. Pol. - 1985. - V. A67. - P. 203-206

94. Lubczynski, W. Effect of exchange interaction on the quantum transport in (Cdo.9i7Mno.o83)3A32 / W. Lubczynski, W. Zdanowicz, J. Cisowski and J.C. Portal // Acta Phys. Pol. - 1987. - V. A71. - P. 235-237

95. Neve, J.J. Landay levels in anisotropic (Cdi.JtMnt)3As2 alloys / J.J. Neve, J. Kossut, CM. van Es and F.A.P. Blom // J. Phys. C: Solid State Phys. -1982.-V. 15.-P. 4795-4806

96. Lubczynski, W. Modulation of the Shubnikov-de Haas oscillations by the exchange interaction in Cd3.x.JZnxMnJAs2 / W. Lubczynski, J. Cisowski, J.C. Portal // Acta Physica Polonica, A. - 1991. - V. 79. - P. 377-380

97. de Jonge, W.J.M. Magnetic properties of diluted magnetic semiconductors / W.J.M. de Jonge, H.J.M. Swagten // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 1991. - V. 100. - P. 322-345

98. Vaziri, M. Spin-dependent scattering of conduction electrons in diluted magnetic semiconductors: Hgj.^Fe^Se / M. Vaziri and R. Reifenberger // Phys. Rev. B. - 1985. - V. 32. - P. 3921-3929

99. Bednarski, H. Generalization of the pair approximation and its application to (ZniJVlnjr)3As2 / H. Bednarski and J. Cisowski // Phys. Rev. B. -1993. - V. 48.-P. 5113-5119

100. Bednarski, H. Magnetic properties of (Cdi.*.yZn>MnJ()3As2 / H. Bednarski, J. Cisowski, J. Voiron, D. Schmitt, J.C. Portal, W. Lubczynski, A. Burian // Journal of Magnetism and Magnetic Material. - 1995. - V. 139. - P. 95101

101. Lashkul, A.V. Freezing of magnetic moments in (Zni_-cMn;c)3As2 near 200 K / A.V. Lashkul, E. Lahderanta, R. Laiho, V.S. Zachvalinskiy // Physical Review B. - 1992. - V. 46. - P. 6251-6255

102. Lahderanta, E. Spin-glass like behaviour of (Zni^Mn^Asi / E. Lahderanta, R. Laiho, A. Lashkul, V. Zahvalinski, S.B. Roy, A.D. Caplin // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 1992. - V. 104-107. - P. 1605-1606

103. Chudinov, S.M. Magnetic properties of diluted (Zn1.;cMn;t:)3As2 solutions / S.M. Chudinov, V.A. Kulbachinskii, I.V. Svistunov, G. Mancini, I. Davoli // Solid State Communications. - 1992. - V. 84. - P. 531-535

104. Lahderanta, E. High-temperature magnetic freezing in (Cdi^Mnx)3As2 / E. Lahderanta, R. Laiho, A.V. Lashkul, A. Makinen and V.S. Zakhvalinski // Semicond. Sci. Technol. - 1993. - V. 8. - P. S37-S39

105. Laiho, R. Low-field magnetic properties of (Zni.xMnx)3As2 / R. Laiho, K.G. Lisunov // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 1995. - V. 140-144.-P. 1771-1772

106. Chang, O.J.Y. Properties of (Zn1.xMn^)3As2.x epitaxially grown on InP / O.J.Y. Chang, J.L. Zysking, A.H. Dayem, J.P. Ferguson, J.W. Sulhoff and E.H. Westerwick // J. of Cryst. Growth. - 1990. - V. 104. - P. 463-466

107. Furdyna, J.K. Semiconductors and Semimetals / J.K. Furdyna, J. Kossut // Academic Press, London. - 1988

108. Urushibara, A. Insulator-metal transition and giant magnetoresistance in Lai.xSr^Mn03 / A. Urushibara, Y. Moritomo, T. Arima, A. Asamitsu, G. Kido and Y. Tokura // Phys. Rev. B. - 1995. - V. 51. - P. 14103-14109

109. Hennion, M. Coherent waves of magnetic polarons propagating in La^ xCa5rMn03: An inelastic-neutron-scattering study / M. Hennion, F. Mousa, J. Rodriguez - Carvajal, L. Pinsard and A. Revcolevschi // Phys. Rev. B. - 1997. - V. 56. - P. R497-R500

110. Lubczynski, W. Pressure studies of magnetotransport and magnetization in Cd3.^.yZn>MnxAs2 / W. Lubczynski, J. Voiron, J.C. Picoche, J.C.

Portal, J. Cisowski, J.C. Thuillier and V. Zdanowicz // Semicond. Sci. Technol. -1989. - V. 4 - P. 223-224

111. Laiho, R. Shubnikov-de Haas Effect in (Cdi.j.^ZnJVln^ As2 Far from the Zero-Gap State / R. Laiho, K.G. Lisunov, V.N. Stamovs and V.S. Zahvalinskii // J. Phys. Chem. Solids. - 1996. -V. 57. - P. 1-5

112. Laiho, R. Shubnikov-de Haas Effect in Thermally Annealed (Cdi^.rZn^Mny)3As2 / R. Laiho, E. Lahderanta, K.G. Lisunov, V.N. Stamov and V.S. Zakhvalinskii // J. Phys. Chem Solids. - 1997. - V. 58. - P. 717-724

113. Laiho, R. Vacancy-type disorder in (Zni^Mnx)3As2 / R. Laiho, A.V. Lashkul, K.G. Lisunov, V.N. Stamov, E. Lahderanta, V.S. Zahvalinski // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 1995. - V. 140-144. - P. 2019-2020

114. Lisunov, K. Low temperature conductivity of (Zni.xMn^)3As2 solid solution / K. Lisunov, A. Lashkul, R. Laiho, V. Zachvalinski, A. Mâkinen and E. Lahderanta // J. Phys.: Condens. Matter. - 1993. - V. 5. - P. 5113-5120

115. Laiho, R. Anomalous Magnetoresistance of (Zn1.^Mn^)3As2 in the Region of Hopping Conductivity / R. Laiho, K.G. Lisunov, V.N. Stamov and V.S. Zahvalinskii // Solid State Communications. - 1995. - V. 93. - P. 151-154

116. Laiho, R. Resonant acceptor states in diluted magnetic semiconductor (Cdi.*.rZnJtMnj,)3As2 / R. Laiho, K.G. Lisunov, M.L. Shubnikov, V.N. Stamov, V.S. Zakhvalinskii // Solid State Communications. - 1999. - V. 110. - P. 599-603

117. Neifeld, E.A. Shubnikov-de Haas Oscillations in Fe- and Co-Doped HgSe under Pressure / E.A. Neifeld, K.M. Demchuk, G.I. Harus, A.E. Boubnova, L.I. Domanskaya, G.L. Shtrapenin, S.Yu. Paranchich // Physica Status Solidi (b). -1996. - V. 198. - P. 143-148

118. Цидильковский, И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. Энергетический спектр и динамика // Издательство "Наука", Главная редакция физико-математической литературы, М. - 1972. - С. 640

119. Шубников, JI.B. Увеличение сопротивления монокристаллов висмута под действием магнитного поля при низких температурах / JI.B. Шубников, В. Дж. де Гааз // УФН. - 1967. - В. 93. - С. 340-342

120. Adams, E.N. Quantum Theory of Transverse Galvano-Magnetic Phenomena / E.N. Adams and T.D. Holstein // J. Phys. Chem. Solids. - 1959. - V. 10.-P. 254-276

121. Брандт, H. Б. Эффект Шубникова-де Гааза и его применение для исследования энергетического спектра металлов, полуметаллов и полупроводников / Н.Б. Брандт, С.М. Чудинов // УФН. - 1982. - В. 137. - С. 479-499

122. Крэкнелл, А., Уонг К. Поверхность Ферми. Пер. с англ./ Под ред. В. Я. Кравченко. - М.: Атомиздат, 1978. - С. 352

123. Haghiri-Gosnet, А-М. CMR manganites: physics, thin films and devices / A-M. Haghiri-Gosnet and J-P. Renard // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2003. -V. 36.-P. R127-R150

124. Dagotto, E. Nanoscale Phase Separation and Colossal Magnetoresistance - The Physics of Manganites and Related Compounds // Springer-Verlag. - 2002

125. Siwach, P.K. Low field magnetotransport in manganites / P.K. Siwach, H.K. Singh and O.N. Srivastava // J. Phys.: Condens. Matter. - V. 20. - 2008. - P. 273201-273242

126. Кугель, К.И. Эффект Яна-Теллера и магнетизм: соединения переходных металлов / К.И. Кугель, Д.И. Хомский // Успехи физических наук. - 1982. - Т. 136. - В. 4. - С.621-664

127. Нагаев, Э.Л. Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением // Успехи физических наук. - 1996. - Т. 166.-С. 833-858

128. Goodenough, J.B., Kafalas J.A. and Longo J.M. Preparative Methods in Solid State Chemistry, edited by P Hagenmuller // New York: Academic - 1972

129. Goodenough, J.B. Colossal Magnetoresistance in Ln^AJVInOa Perovskites // Aust. J. Phys. - 1999. - V. 52. - P. 155-186

130. Дунаевский, С.М. Магнитные фазовые диаграммы манганитов в облети их электронного легирования // Физика твердого тела. - 2004. - Т. 46. - В. 2

131. Курбаков, А.И. Кристаллическая структура и магнитный порядок манганитов Ьао.уСао.зМп^е^Оз / А.И. Курбаков, B.C. Захвалинский, R. Laiho // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49. - В. 4

132. Арбузова, Т.И. Неоднородное парамагнитное состояние нанокерамики LaMn03+^, полученной методом ударно-волнового нагружения / Т.И. Арбузова, В.И. Воронин, Б.А. Гижевский, С.В. Наумов, B.JI. Арбузов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. - В. 6. - С. 1143-1151

133. Tokura, Y. Critical features of colossal magnetoresistive manganites // Rep. Prog. Phys. - 2006. - V. 69. - P. 797-851

134. Zakhvalinskii, V.S. Phase separation, ferromagnetism and magnetic irreversibility in Lai JSr^Mni/ V.S. Zakhvalinskii, R. Laiho, A.V. Lashkul, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, Yu.S. Nekrasova, P.A. Petrenko // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 2011. - V. 323. - P. 2186-2191

135. Laiho, R. Variable-range hopping conductivity and structure of density of localized states in LaMn03+^ under pressure / R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, M.L. Shubnikov, Yu.P. Stepanov, P.A. Petrenko, A. Khokhulin and V.S. Zakhvalinskii // J. Phys.: Condens. Matter. - 2006. - V. 18. - P. 10291-10302

136. Kozhevnikov, V.L. High-temperature thermopower and conductivity of Lai.xBaxMn03 (0.02<x<0.35) / V.L. Kozhevnikov, I.A. Leonidov, E.B. Mitberg, M.V. Patrakeev, Y.M. Baikov, V.S. Zakhvalinskii, and E. Lahderanta // Journal of Solid State Chemistry. - 2003. - V. 172. - P. 1-5

137. Троянчук, И.О. Магнитное упорядочение и магниторезистивный эффект в перовскитах La^Sr^Mni^e^Os (Me = Nb, Mg) / И.О. Троянчук, Д.А. Ефимов, Д.Д. Халявин, Н.В. Пушкарев, Р. Шимчак // Физика твердого тела. - 2000. - Т. 42. - В. 1. - С. 81-85

138. Янчевский, О.З. Синтез и свойства манганитов ЬаолЗго.зМпьЛ^Оз / О.З. Янчевский, О.И. Вьюнов, А.Г. Белоус, А.И. Товстолыткин, В.П. Кравчик // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48. - В. 4. - С. 667-673

139. Kim, M.S. The effect of Cu-doping on the magnetic and transport properties of La0.7Sr0.3MnO3 / M.S. Kim, J.B. Yang and P.E. Parris // Journal of Applied Physics. - 2005. - V. 97. - P. 10H714-10H716

140. Зубов, Э.Е. Магнетокалорический эффект в (Ьао.бСао.4)о.9Мп1лОз / Э.Е. Зубов, Р. Пужняк, В.П. Пащенко, В.И. Михайлов, А. Есенчук, С.Ф. Миронова, С. Пехота, В. П. Дьяконов, В.Н. Варюхин, Г. Шимчак // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51. - В. 10. - С. 1970-1974

141. Королева, Л.И. Влияние дефицита кислорода на магнитные, электрические, магнитоэлектрические и магнитоупругие свойства манганитов Lai^SrxMn03-^ / Л.И. Королева, Д.М. Защиринский, Т.М. Хапаева, Л.И. Гурский, Н.А. Каланда, В.М. Трухан, Р. Шимчак, Б. Крзуманска // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50. - В. 12. - С. 2201-2205

142. Ning, L. Research of Colossal Magnetoresistance in Lao.67Cao.33Mni_ лСи/)з (0 < x < 0.15 ) / L. Ning and S. Yong // Journal of Rare Earths. - 2004. - V. 22.-P. 501-504

143. Арбузова, Т.И. Магнитная восприимчивость наноструктурного манганита LaMn03+<5, полученного методом механохимии / Т.И. Арбузова, Б.А. Гижевский, Р.Г. Захаров, С.А. Петрова, Н.М. Чеботаев // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50. - В. 8. - С. 1430-1437

144. Valenzuela, R. Magnetic ceramics // Cambridge University Pressio. -

1994

145. Coey, J.M.D. Mixed-valence manganites / J.M.D. Coey, M. Viret and S. von Molnar // Advances in Physics. - 1999. - V. 48. - P. 167-293

146. Schiffer, P. Low Temperature Magnetoresistance and the Magnetic Phase Diagram of La^CaJMnCb / P. Schiffer, A.P. Ramirez, W. Bao, and S-W. Cheong // Physical Review Letters. - 1995. - V. 75. - P. 3336-3339

147. Орлова, Т.С. Влияние легирования медью на зарядовое упорядочение в Ьа^Саг/эМп^Си^Оз (0 < у < 0.07 ) / Т.С. Орлова, J.Y. Laval, Ph. Monod, B.C. Захвалинский, B.M. Егоров, Ю.П. Степанов // Физика твердого тела.-2009.-Т. 51.-В. 1

148. Камилов, И.К. Теплоемкость и магнитокалорические свойства манганитов Ьа^К^МпОз / И.К. Камилов, А.Г. Гамзатов, А.Б. Батдалов, А.С. Манкевич, И.Е. Корсаков // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. - В. 4. - С. 735-739

149. Чупахина, Т.И. Синтез и магнитные свойства нового слоистого сложного оксида La1.5Sr1.5Mn1.25Nio.75O6.67 / Т.И. Чупахина, Г.В. Базуев, Е.В. Заболоцкая // Журнал неорганической химии. - 2010. - Т. 55. - С. 281-288

150. Chunhua, Y. Structural, magnetic and transport properties of Sc-doped Lao.7Sro.3Mn03 / Y. Chunhua, H. Yunhui, W. Zheming, Z. Lei, G. Song, L. Chunsheng and X. Guangxian // Chinese Science Bulletin. - 2000. - V. 45. - P. 810-814

151. Седых, В.Д. Особенности структурных превращений в Lai,хСалМпо.985717ео.о203+г (* = 0.05-0.50) / В.Д. Седых, B.C. Русаков, И.И. Зверькова, А.В. Дубовицкий, В.И. Кулаков // Физика твердого тела. - 2011. -Т. 53.-В. 7.-С. 1367-1373

152. Гамзатов, А.Г. Влияние границ зерен на электросопротивление манганитов Еа^К^МпОз / А.Г. Гамзатов, А.Б. Батдалов, JI.H. Ханов, А.С. Манкевич, И.Е. Корсаков, А.Р. Кауль // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54. - В. 3. - С. 576-580

153. Wollan, Е. О. Neutron Diffraction Study of the Magnetic Properties of the Series of Perovskite-Type Compounds [(1 -jc)Lap^a]Mn03 / E. O. Wollan and W.C. Koehler // Physical Review. - 1955. - V. 100. - P. 545-563

154. Moussa, F. Spin waves in the antiferromagnet perovskite LaMn03: A neutron-scattering study / F. Moussa, M. Hennion, J. Rodriguez -Carvajal, H. Moudden and A. Revcolevschi // Phys. Rev. B. - 1996. - V. 54. - P. 15 149

155. Dzyaloshinsky, I. A thermodynamic theory of "weak" ferromagnetism of antiferromagnetics // J. Phys. Chem. Solids. - 1958. - V. 4. - P. 241-255

156. Skumryev, V. Weak ferromagnetism in LaMn03 / V. Skumryev, F. Ott, J.M.D. Coey, A. Anane, J.-P. Renard, L. Pinsard-Gaudart and A. Revcolevschi // Eur. Phys. J. B. - 1999. -V. 11. -P. 401-406

157. Jonker, G. H. Ferromagnetic compounds of manganese with perovskite structure / G. H. Jonker, J. H. van Santen // Physica. - 1950. - V. 16. - P. 337-349

158. de Gennes, P.-G. Effects of Double Exchange in Magnetic Crystals // Physical Review. - 1960. - V. 118. - P. 141-154

159. Endoh, Y. Transition between two ferromagnetic states driven by orbital ordering in Ьао^ГолгМпОз / Y. Endoh, К. Hirota, S. Ishihara, S. Okamoto, Y. Murakami, A. Nishizawa, T. Fukuda, H. Kimura, H. Nojiri, K. Kaneko and S. Maekawa // Phys. Rev. Lett. - 1999. - V. 82. - P. 4328-4331

160. Moussa, F. Spin waves and phonons in Lai^Sr^MnCb (x = 0.09, 0.125): Dynamical signatures of low-temperature phase transitions for x = 0.125 / F. Moussa, M. Hennion, F. Wang, P. Kober, J. Rodríguez-Carvajal, P. Reutler, L. Pinsard and A. Revcolevschi // Phys. Rev. B. - 2003. - V. 67. - P. 214430-214440

161. Локтев, B.M. Особенности физических свойств и колоссальное магнитосопротивление манганитов / В.М. Локтев и Ю.Г. Погорелов // Физика низких температур. - 2000. - Т. 26. - С. 231-261

162. Jin, S. Thousandfold Change in Resistivity in Magnetoresistive La-Ca-Mn-O Films / S. Jin, Т.Н. Tiefel, M. McCormack, R.A. Fastnacht, R. Ramesh and L. H. Chen// Science. - 1994. - V. 264. - P. 413-415

163. Ziese, M. Extrinsic magnetotransport phenomena in ferromagnetic oxides // Rep. Prog. Phys. - 2002. - V. 65. - P. 143-249

164. Tokura, Y. Origins of colossal magnetoresistance in perovskitetype manganese oxides (invited) / Y. Tokura, Y. Tomioka, H. Kuwahara, A. Asamitsu, Y. Moritomo, M. Kasai // Journal of Applied Physics. - 1996. - V. 79. - P. 52885291

165. Zener, C. Interaction between the d-Shells in the Transition Metals. II. Ferromagnetic Compounds of Manganese with Perovskite Structure // Physical Review. -1951. - V. 82. - P.403-405

166. Anderson, P.W. Considerations on Double Exchange / P.W. Anderson and H. Hasegawa // Physical Review. - 1955. - V. 100. - P. 675-681

167. Gregg, J.F. Spin electronics - a review / J.F. Gregg, I. Petej, E. Jouguelet and C. Dennis // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2002. - V. 35. - P. R121-R155

168. Rao, C.N.R. Charge ordering in the rare earth manganates: the experimental situation / C.N.R. Rao, A. Arulraj, A.K. Cheetham and B. Raveau // J. Phys.: Condens. Matter. - 2000. - V. 12. - P. R83-R106

169. Kuwahara, H. A First-Order Phase Transition Induced by a Magnetic Field / H. Kuwahara, Y. Tomioka, A. Asamitsu, Y. Moritomo, Y. Tokura // Science. - 1995. - V. 270. - P. 961-963

170. Zhuang, M. Spin-disorder-scattering-induced spectral-weight transfer and pseudogap in doped perovskite LaMn03 / M. Zhuang, W. Zhang and N. Ming // Physical Review B. - 1997. - V. 56. - P. 14547-14550

171.Viret, M. Magnetic localization in mixed-valence manganites / M. Viret, L. Ranno and J.M.D. Coey // Physical Review B. - 1997. - V. 55. - P. 80678070

172. Dörr K. Ferromagnetic manganites: spin-polarized conduction versus competing interactions // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2006. - V. 39. - P. R125-R150

173. Suzuki, Y. Anisotropy of magnetoresistance in (110) La0.7Sr0.3MnO3 thin films / Y. Suzuki and H.Y. Hwang // J. Appl. Phys. - 1999. - V. 85. - P. 47974799

174. Wu, Y. Magnetotransport and magnetic domain structure in compressively strained colossal magnetoresistance films / Y. Wu, Y. Suzuki, U. Rüdiger, J. Yu, A.D. Kent, T.K. Nath and C.B. Eom // Appl. Phys. Lett. - 1999. -V. 75.-P. 2295-2297

175. Shenoy, V.B. Coulomb Interactions and Nanoscale Electronic Inhomogeneities in Manganites / V.B. Shenoy, T. Gupta, H.R. Krishnamurthy and T.V. Ramakrishnan // Physical Review Letters. - 2007. - V. 98. - P. 097201097204

176. Sun, J.Z. Observation of large low-field magnetoresistance in trilayer perpendicular transport devices made using doped manganate perovskites / J.Z. Sun, W.J. Gallagher, P.R. Duncombe, L. Krusin-Elbaum, R.A. Altman, A. Gupta, Yu Lu, G.Q. Gong, and Gang Xiao // Appl. Phys. Lett. - 1996. - V. 69. - P. 32663268

177. Ogale, S.B. Unusual Electric Field Effects in Ndo.7Sro.3Mn03 / S.B. Ogale, V. Talyansky, C.H. Chen, R. Ramesh, R.L. Greene and T. Venkatesan // Physical Review Letters. - 1996. - V. 77. - P. 1159-1162

178. Mathews, S. Ferroelectric Field Effect Transistor Based on Epitaxial Perovskite Heterostructures / S. Mathews, R. Ramesh, T. Venkatesan and J. Benedetto // Science. - 1997. - V. 276. - P. 238-240

179. Es-Souni, M. Lao.gSro^MnOs-heterostructure effects on the dielectric properties of PbTi03-based thin films / M. Es-Souni, E. Girdauskaite, S. Iakovlev, C.-H. Solterbeck and V. Zaporojtchenko // J. Appl. Phys. - 2004. - V. 96. - P. 5691-5696

180. Berkowitz, A.E. Anomalous properties of magnetic nanoparticles / A.E. Berkowitz, R.H. Kodama, S.A. Makhloul, F.T. Parker, F.E. Spada, E.J. McNiff Jr., S. Foner // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 1999. - V. 196. - P. 591-594

181. Fu, C.-C. Spin-polarized quasiparticle transport in cuprate superconductors / C.-C. Fu, Z. Huang and N.-C. Yeh // Physical Review B. - 2002. - V. 65. P. 224516-224529

182. Chen, Z.Y. Spin-polarized transport across a Lao.7Sro.3Mn03/YBa2Cu307.x interface: Role of Andreev bound states / Z.Y. Chen, A. Biswas, I. Zutic, T. Wu, S. B. Ogale, R.L. Greene and T. Venkatesan // Physical Review B. - 2001. - V. 63. - P. 212508-212511

183. McEVOY, A.J. Materials for high-temperature oxygen reduction in solid oxide fuel cells // Journal of Materials Science. - 2001. - V. 36. - P. 1087 -1091

184. Mori, M. Application of Ьао.бАЕо^МпОз (AE=Ca and Sr) to electric current collectors in high-temperature solid oxide fuel cells / M. Mori, N.M.Sammes, E. Suda, Y. Takeda // Solid State Ionics. - 2003. - V. 164. - P. 1-15

185. Pecharsky, V.K. Magnetocaloric effect and magnetic refrigeration / V.K. Pecharsky, K.A. Gschneidner Jr. // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 1999. - V. 200. - P. 44-56

186. Алиев, A.M. Магнитокалорические свойства манганитов в переменных магнитных полях / A.M. Алиев, А.Б. Батдалов, B.C. Калитка // Письма в ЖЭТФ. - 2009. - Т. 90. - В. 10. - С. 736-739

187. Bohigas, X. Magnetic and calorimetric measurements on the

__r

magnetocaloric effect in Ьао.бСао.4МпОз / X. Bohigas, J. Tejada, M.L. Mannez-Sarrion, S. Tripp and R. Black // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. -2000. - V. 208. - P. 85-92

188. Sun, Y. Magnetocaloric effect and temperature coefficient of resistance of Ьа2/з(Са,РЬ)1/зМпОз / Y. Sun, M.B. Salamon and S.H. Chun // J. Appl. Phys. -2002. - V. 92. - P. 3235-3238

189. Абрамович, А.И. Гигантский магнитоколорический эффект вблизи температуры Кюри в Sm0.6Sr0.4MnO3 манганите / А.И. Абрамович, А.В. Мичурин, О.Ю. Горбатенко, А.Р. Кауль // ФТТ. - 2001. - Т. 43. - С. 687-689

190. Гамзатов, А.Г. Магнитокалорический эффект в Ag-допированных манганитах лантана / А.Г. Гамзатов, A.M. Алиев, А.Б. Батдалов, Ш.Б. Абдулвагидов, О.В. Мельников, О.Ю. Горбенко // Письма в ЖТФ. - 2006. -Т. 32. - В. 11.-С. 16-21

191. Dagotto, Е. Colossal Magnetoresist Materials: The Key Role of Phase separation / E. Dagotto, T. Hotta, A. Moreo // Physics Reports. - 2001. - V. 344. -P. 1-153

192. Moreo, A. Phase Separation Scenario for Manganese Oxides and Related Materials / A. Moreo, S. Yunoki and E. Dagotto // Science. - 1999. - V. 283. - P. 2034-2040

193. Tokura, Y. Giant Magnetotransport Phenomena in Filling-Controlled Kondo Lattice System: La^SrjVlnOa / Y. Tokura, A. Urushibara, Y. Moritomo, T. Arima, A. Asamitsu, G. Kido and N. Furukawa // Journal of the Physical Society of Japan. - 1994. - V. 63. - P. 3931-3935

194. Emsley, J. The Elements // Clarendon Press, Oxford. - 1991

195. Kim, M.S. Electronic structure of La0.7Sr0.3Mni^CuxO3 (0.0 <x<0.30) / M.S. Kim, J.B. Yang, J. Medvedeva, W.B. Yelon, P.E. Parris and W.J. James // J. Phys.: Condens. Matter. - 2008. - V. 20. - P. 255228-255234

196. ICSD Database, Version 2009-1, Ref. code 23245

197. Segre, C., IIT Physics Dept.,3301 S. Dearborn St.,Chicago, IL 60161,USA

198. Volodina, G. F. Crystal Structure of a'"- (Zn^Cd^Ass / G.F. Volodina, V.S. Zakhvalinskii, V.Ch. Kravtsov // 6th Interntional Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics. - 2012

199. Arushanov, E. K. Cyclotron masses and g+ factors of electrons in cadmium arsenide-zinc arsenide solid solutions / E.K. Arushanov, A.A. Gubanova, A.F. Knyazev, A.V. Lashkul, K.G. Lisunov and V. V. Sologub // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. - 1988. - V. 22. - P. 338-340

200. Кучис, E.B. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. - М.: Радио и связь. - 1990. - С. 264

201. Takeyama, S. The Band Structure Parameters Determination of the Quaternary Semimagnetic Semiconductor Alloy Hgi.^Cd^Mn^Te / S. Takeyama and S. Narita // J. Phys. Soc. Jpn. - 1986. - V. 55. - P. 274-283