Получение и исследование тонких пленок нитрида алюминия и фотоприемных структур на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Спивак, Андрей Михайлович

• Спивак, Андрей Михайлович
• кандидат технических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат технических наук Спивак, Андрей Михайлович

Введение

Глава 1. Тонкие пленки нитрида алюминия: технология свойства, применение.

1.1. Основные свойства пленок нитрида алюминия

1.2. Фотоприемные устройства на основе тонких пленок нитрида алюминия и особенности их формирования

1.3. Методы получения тонких пленок нитрида алюминия

Выводы и постановка задачи

Глава 2. Технология получения фоточувствительных структур на основе тонких пленок нитрида алюминия

2.1. Конструктивные особенности фотоприемных структур с объемным зарядом на основе пленок нитрида алюминия

2.2. Технология формирования контактных слоев

2.3. Технология получения пленок нитрида алюминия

Глава 3. Исследование свойств пленок нитрида алюминия и фотоприемных структур на их основе

3.1. Методы исследования тонких пленок нитрида титана, нитрида алюминия и фотоприемных структур на их основе

3.2. Исследование структурных свойств пленок нитрида алюминия

3.3. Исследование электрофизических и фотоэлектрических свойств фотоприемных структур

3.4. Оптимизация технологии нижнего электрода многослойных фотоприемных структур

Глава 4. Модельные представления о механизмах фотоэлектрических явлений фотоприемных структур на основе пленок нитрида алюминия

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и исследование тонких пленок нитрида алюминия и фотоприемных структур на их основе»

Актуальность темы диссертации

В настоящее время ведутся активные разработки фотоприемных устройств для различных областей спектра электромагнитного излучения. Значительное внимание при этом уделяется приемникам, чувствительным в ультрафиолетовой области спектра, согласно [1], существует множество областей применения приборов для регистрации ультрафиолетового излучения (УФИ):

• медицина — физиотерапия, аутотрансфузия крови, облучение людей солнечным светом;

• сельское хозяйство — парниковая и тепличная агротехнология;

• биотехнология — синтез витаминов D2 и Z)3;

• обеззараживание воды, воздуха, одежды, инструментов и продуктов питания при длительном хранении и во время эпидемий;

• астронавигация и ультрафиолетовая локация (в дополнение к инфракрасной локации);

• астрономия — получение информации о физических процессах в космических объектах, способных излучать УФИ;

• материаловедение — определение состава веществ и электронной структуры элементов;

• экология — проблема озоновой дыры, обнаружение загрязнений окружающей среды;

• ядерная физика и энергетика — регистрация ядерных частиц с помощью сцинтилляторов;

• дефектоскопия, криминалистика, искусствоведение — люминесцентный анализ благодаря способности ряда веществ люминесци-ровать под действием УФИ.

В оптоэлектронике основными материалами для реализации подобных структур являются широкозонные нитриды и их твердые растворы, состав которых выбирается в зависимости от требуемого спектрального диапазона.

Ультрафиолетовую область спектра принято делить на три диапазона:

В А-области (320-400 нм) спектра излучение наименьшим образом по-глащается озоновым слоем атмосферы. Оно необходимо человеку для выработки витамина D. Часть 345-400 нм используется к примеру при флюорис-центной подсветке. Излучение же 320-345 нм может вызывать повреждения глаз.

Излучение В-области (280-320 нм) спектра более вредоносно и может привести к раку кожи.

Излучение С-области (200-280 нм) спектра практически полностью поглощается озоновым слоем. Излучение диапазона 200-280 нм активно разрушает клетки и используется, в частности, для стерилизации. Более коротковолновый диапазон поглощается воздухом. Это так называемый «вакуумный ультрафиолет».

Для С-области ультрафиолетового диапазона эффективным предполагается использование тонких пленок нитрида алюминия в качестве рабочих слоев, поскольку ширина запрещенной зоны 6,2 эВ позволяет обеспечить естественную селективность.

Нитрид алюминия (A1N) - прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 6,2 эВ является перспективным материалом для создания солнечнослепых фотоприемных устройств С-области (200-280 нм) ультрафиолетового диапазона. Результатом интенсивных исследований A1N стала разработка фотоприемных устройств планарной конструкции. Попытки создания многослойных фотоприемников (сэндвич-структуры) наталкиваются на ряд проблем, основной из которых является обеспечение сплошности и однородности тонких пленок A1N на неориентирующих подложках. Тем не менее, в последние время акцент исследований смещается в сторону многослойных структур, позволяющих реализовать активные фотоприемники с большим коэффициентом усиления при существенном упрощении их технологии.

Как было показано, при обеспечении определенных условий удается формировать высокотекстурированные пленки A1N с наноразмерной столбчатой структурой (диаметр кристаллитов ~ 20-50 нм). В этом случае тонкие пленки нитрида алюминия обладают рядом специфических свойств, таких как спонтанная поляризация, пьезоэлектрический отклик. Используя тексту-рированные, т. е. с определенной ориентацией кристаллитов, пленки как функциональные слои в многослойных фотоприемных структурах, можно ожидать проявление в их характеристиках подобных эффектов. Нитрид алюминия, обладающий структурой вюрцита, кристаллическая решетка которого относится к группе симметрии C6V6, должен проявлять пъезоэффект вдоль полярной оси С, т. е. в направлении <0001>, при величине соответствующей компоненты пьезомодуля ёзз ~ 5 пМ-В"1. В этом смысле особый интерес представляет синтез текстурированных пленок A1N с ориентацией полярной оси С перпендикулярно поверхности подложки.

Таким образом, тема диссертационной работы, посвященная получению и исследованию тонких пленок нитрида алюминия и фотоприемных структур на их основе, является актуальной и представляет интерес как с научной, так и с практической точки зрения.

Целью работы является разработка низкотемпературной технологии формирования многослойных фотоприемных структур на основе тонких текстурированных пленок нитрида алюминия и исследование их электрических и фотоэлектрических свойств.

В соответствии с поставленной целью в диссертационной работе решались следующие задачи:

1. Разработка низкотемпературной технологии формирования тонких пленок нитрида алюминия, пригодных для создания активных фотоприемных сэндвич-структур.

2. Исследование влияния материала и технологии нижнего электрода на формирование пленок нитрида алюминия приборного качества для многослойных фотоприемников.

3. Проведение комплексных исследований структурных, электрофизических и фотоэлектрических свойств сэндвич-структур и разработка модели фотостимулированного электронного транспорта в активных фотоприемных структурах

Научная новизна работы

1. Показано, что тонкие пленки нитрид титана выступают в качестве эффективного нижнего электрода, обеспечивающего рост сплошной, тексту-рированной пленки нитрида алюминия и формирующего к ней омический контакт.

2. Обнаружено наличие встроенного поля пьезоэлектрического заряда в механически напряженных пленках нитрида алюминия, величина которого зависит от их толщины.

3. Показана возможность локальной модуляции пьезоотклика в пленках нитрида алюминия за счет приложения напряжения между кантеливером и нижним электродом. Обнаружено, что при воздействии ультрафиолетового излучения с длиной волны 265 нм эффект исчезает и параметры пьезоотклика в модулированной области пленки нитрида алюминия возвращаются к исходному состоянию.

4. Обнаружен эффект фотопамяти в структуре металл/AlN/TiN, обусловленный фотостимулированной миграционной поляризацией, который позволяет изменять величину и форму импульса фототока короткого замыкания в зависимости от времени экспозиции и величины и знака приложенного напряжения смещения.

Практическая значимость работы

1. Разработана низкотемпературная технология формирования тексту-рированных пленок нитрида алюминия на неориентирующем нижнем электроде.

2. Проведено исследование дефектов в пленках нитрида алюминия, приводящих к возникновению сквозных шунтирующих каналов.

3. Разработан диагностический комплекс прямой оценки поверхностной плотности и распределения дефектов на основе методов оптической микроскопии (Патент на изобретение № RU 2304807 С1).

4. Проведен анализ влияния материала нижнего электрода на плотность шунтирующих каналов в пленках нитрида алюминия. Показано, что при использовании в качестве нижнего электрода пленок нитрида титана, сформированных по низкотемпературной технологии, шунтирующие каналы практически отсутствуют.

5. Созданы активные солнечнослепые фотоприемные сэндвич-структуры на основе тонких текстурированных.пленок нитрида алюминия, на конструкцию и технологию которых подана заявка на изобретение.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Использование в качестве нижнего электрода слоя нитрида титана обеспечивает как рост бездефектной пленки нитрида алюминия, так и формирование невыпрямляющего контакта, позволяя создавать многослойные фотоприемные структуры с пленками нитрида алюминия.

2. Фототок в режиме короткого замыкания и сдвиг вольт-амперных характеристик многослойных структур металл/нитрид алюминия/нитрид титана обусловлены встроенным полем пьезоэлектрического заряда в механически напряженной пленке нитрида алюминия.

3. Эффект фотопамяти, в структурах металл/AlN/TiN, обусловленый фотостимулированной миграционной поляризацией, приводит к изменению величины и формы импульса фототока короткого замыкания.

Апробация результатов работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на конференциях и молодежных научных школах:

V Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 2006 г; XI Международная конференция Физика диэлектриков (Диэлектрики-2008), Санкт-Петербург, 2008 г.; Всероссийские конференции «Вакуумная техника и технология-2006», Санкт- Петербург, 2006 г.; «Вакуумная техника и технология-2007», Санкт-Петербург, 2007 г.; 5-ая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2003 г.; Региональная научно-техническая конференция, посвященной Дню Радио, Санкт-Петербург, 2009 г.; Научно-технические конференции профессорско-преподавательского состава Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, 2004 -2009 гг.; Региональные молодежные научные школы по твердотельной электронике «Актуальные аспекты нанотехнологии», Санкт-Петербург, 2005 г; «Физика и технология микро- и наносистем», Санкт-Петербург, 2007 г.; «Технология и дизайн микросхем» 2005 г.

Публикации

Основные результаты диссертации опубликованы в 8 научных работах, среди которых 3 статьи опубликованы в ведущих рецензируемых изданиях, рекомендованных в действующем перечне ВАК, 1 патент на изобретение и 1 положительное решение по заявке на изобретение.

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, включающего 91 наименование. Работа изложена на 122 страницах, содержит 67 рисунков и 12 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Спивак, Андрей Михайлович

9. Результаты исследования временных характеристик фототока и PFM-спектроскопии показали наличие эффекта фотопамяти в структурах Me/AlN/TiN, обусловленного фотостимулированной миграционной поляризацией.

113

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Можно выделить следующие основные результаты работы:

1. На основании анализа литературы обоснован выбор технологии формирования фотоприемных структур; показано, что метод ВЧ магнетронного реактивного распыления алюминиевой мишени в азотосодержащей среде является оптимальными для низкотемпературного получения фотоприемных структур на основе нитрида алюминия.

2. Разработана технология тонких текстурированных пленок нитрида алюминия и изготовлены многослойные фотоприемные сэндвич-структуры на их основе.

3. Показано, что оптимальным решением для приборной реализации многослойных фотоприемных структур является использование в качестве нижнего электрода пленки нитрида титана.

4. Анализ рентгено- и электронограмм показал, что синтезированные методом реактивного ВЧ-распыления пленки A1N характеризуются ярко выраженной текстурой в направлении <0001> вне зависимости от материала подложки.

5. Разработан диагностический комплекс прямой оценки поверхностной плотности и распределения дефектов на основе методов оптической микроскопии (Патент на изобретение № RU 2304807 С1).

6. Показано, что максимальные значения спектральной чувствительности фото-приемной структуры на основе пленок A1N находится в диапазоне 210-270 нм.

7. Показано, что фототок в режиме короткого замыкания и сдвиг вольт-амперных характеристик многослойных структур металл/нитрид алюминия/нитрид титана обусловлены встроенным полем пьезоэлектрического заряда в механически напряженной пленке нитрида алюминия, что подтверждено результатами исследования методом PFM-спектроскопии.

8. Обнаружен эффект локальной модуляции пьезоотклика в пленках нитрида алюминия при приложении напряжения между кантеливером АСМ и нижним электродом. Показано, что при воздействии ультрафиолетового излучения с длиной волны 265 нм эффект исчезает и параметры пьезоотклика в модулиро-ванной области возвращаются к исходному состоянию.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Спивак, Андрей Михайлович, 2009 год

1. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольтберг. Полупроводниковые фотоэлектро-преобразователи для ультрафиолетовой области спектра//Физика и техника полупроводников. - 2003. -Т. 37, №. 9, С. 1025-1055.

2. Fujiki М., Takahashi М., Kikkawa S., Kanamaru F. Microstructure and preferred orientation in rf sputter deposited A1N film // Journal of material science letters. 2000. -V.19, №18, P. 1625-1627.

3. Perry P.B, Rutz R.F. The optical absorption edge of single-crystal A1N prepared by a close- spaced vapor process // Appl. Phys. Lett. -1978. -V. 33, №4, P. 319-321.

4. Aita C.R, Kubiak C.J.G., Shih F.Y.H. Optical behavior near the fundamental absorption edge of sputter-deposited microcrystalline aluminum nitride // J. Appl. Phys. -1989. -V.66, №9, P. 4360-4367.

5. Serkan Butun, Turgut Tut, Bayram Butun, Mutlu Gokkavas, HongBo Yu, Ekmel Ozbay. Deep-ultraviolet A10.75Ga0.25N photodiodes with low cutoff wavelength // Appl. Phys. Lett. -2006. -V.88, idl23503.

6. Francis, R.W., Worrell W.L. // J. Electrochem. Soc. -1976. -V. 123, №3, P. 430-433.

7. Taniyasu Y., Kasu M. Kobayashi N. Intentional control of n-type conduction for Si-doped A1N and AlxGal-xN with high A1 content // International Workshop on Nitride Semiconductors, Aachen, ALLEMAGNE. -2002, V. 234, №3, P. 845-849.

8. Справочник по электротехническим материалам. Под ред. Ю.В Корицкий., В.В. Пасынков, Б.М. Тареева // Энергоатомиздат. -1988. -Т.З,С. 481.

9. JI.А. Сейдман. Низкотемпературное нанесение пленок нитридов кремния и алюминия реактивным распылением в вакууме// Обзор по электр. техн. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. -1990, №5 (1519), С. 1-52.

10. Ю.В. Корицкий, В.В. Пасынков, Б.М. Тареева. Справочник по электротехническим материалам// Ленинград, «Энергоатомиздат». —1988

11. В.В. Лучинин, А.В. Корляков, С.В. Костромин, М.В. Четвергов, А.П. Сазанов. Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения// Описание к патенту Российской Федерации, Патент на изобретение № 2155418 от 27.08.2000.

12. Н.С. Заяц В.Г. Бойко П.А. Генцарь О.С. Литвин В.П. Папуша Н.В. Сопинский. Оптические исследования пленок AlN/n-Si(100), полученных методом высокочастотного магнетронного распыления // Физика и техника полупроводников. -2008. -Т.42, №.2 С. 195-198.

13. Ru-Yuan Yang, Chin-Min Hsiung, Hsuan-Hsu Chen, Hung-Wei Wu, Ming-Chang Shih. Effect of AIN film thickness on photo/dark currents of MSM UV photodetector// Microwave and optical technology letters. -2008. -V. 50, №11, P. 2863-2866.

14. J. Li Fan, Z. Y. Fan, R. Dahal, M. L Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang. 200 nm deep ultraviolet photodetectors based on AIN// Appl. Phys. Lett. -2006.-V.89, id.213510.

15. R. Dahal, Т. M. A1 Tahtamouni, J. Y. Lin, H. X. Jiang. AIN avalanche photodetectors // Appl. Phys. Lett. -2007. -V.91, id.243503.

16. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. W. Lim, M. Z. Anwar, M. A. Khan, D.V. Kuksenkov, H. Temkin. Schottky barrier photodetectors based on AlGaN // Appl. Phys. Lett. -1998. -V.72, P.742-744.

17. T. Tut, N. Biyikli, I. Kimukin, T. Kartaloglu, O. Aytur, M. S. Unlu, E.Ozbay. High bandwidth-efficiency solar-blind AlGaN Schottky photodiodes with low dark current // Solid-State Electron. -2005. -V.49, №1, P. 117-122.

18. U. Chowdhury, М. М. Wong, С. J. Collins, В. Yang, J. С. Denyszyn, J. C.Campbell, D. Dupuis. High-performance solar-blind photodetector using an A10.6Ga0.4N n-type window layer // J. Cryst. Growth. -2003 -V.248, P.552-555.

19. J. Collins, U. Chowdhury, M. M. Wong, B. Yang, A. L. Beck, R. D.Dupuis, J. C. Campbell. Improved solar-blind detectivity using an AlxGal-xN heterojunction p-i-n photodiode// Appl. Phys. Lett. -2002. -V.80, P.3754-3756.

20. T. Li, D. J. H. Lambert, A. L. Beck, C. J. Collins, B. Yang, J. M. M. Wong,U. Chowdhury, R. D. Dupuis, J. C. Campbell. Solar-blind AlxGaixN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors // Electron. Lett. -2000. -V.36, P.1581-1583.

21. Biyikli, I. Kimukin, T. Kartaloglu, O. Aytur, E. Ozbay. High-speed solar-blind AlGaN-based metal-semiconductor-metal photodetectors // Phys. Status Solidi. -2003. -V.0 №7, P.2314-2317.

22. J. Y. Duboz, J. L. Reverchon, D. Adam, B. Damilano, N. Grandjean, F.Semond, J. Massies. Submicron metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors based on AlGaN grown on silicon : results and simulation// J. Appl. Phys. -2002. -V.92, №9 P.5602-5604.

23. Y . Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto. An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres // Nature. -2006. -V.441, P.325-328.

24. Белянин А. Ф. Получение пленок A1N (обзор) // Мат. 7 Междунар. симпоз. 'Тонкие пленки в электронике".— Иош- кар-Ола.— 1996. — С. 167-212.

25. T.L. Chu, D.W. Ing, A.J. Noreika. Epitaxial growth of aluminum nitride // Solid-State Electronics. -1967. -V.10, P.1023-1027.

26. W.M. Yim, E.J. Stotko, P.J. Zanzucchi, J.I. Pankove, M. Ettenberg, S.L. Gilbert. Epitaxially grown ALN and its optical band gap // J.Appl. Phys., -1973. -V.44, №1, P.292-295.

27. H.Itoh, M. Kato, K. Sugiyama. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of ALN coatings on graphite substrates // Thin Solid Films. -1987. -V.146, №3, P.255-264.

28. Y. Somenj, M. Sasaki, T.Mirai. Preparation of ALN-AIO composite films by Microwave Plasma Chemical Deposition // Japan. J. Appl. Phys. -1991. -V.30, №8, P. 1792-1797.

29. F. Hasegawa, T. Tanahachi, I. Onodera, Y, Nawnichi, Plasma CVD of amorphous ALN films from metal organic A1 source // Extendet Absts 18th Cont. Solid State Devices and Mater, Tokyo. -1986. -P.663-666.

30. M. Morite, N. Uesugi, S.Isogai, K.Tsubouchi, N. Mikoshiba. Epitaxial Growth of aluminium nitride on sapphire using Metalorganic chemical vapour deposition // Jpn. J.Appl. Phys. -1981. -V.20 №1, P. 17-23.

31. M. Morita, S. Isogai, K. Tsubouchi, N. Micoshiba. Characteristics of the metal insulator semiconductor structure: ALN/S // App. Phys. Lett. -1981. -V.38, №1, P.50-52.

32. K. Tsubouchi, K. Sugai, N. Mikoshiba. High-frequensy and low dispersion SAW devices on ALN/ AlO and A1N/S for signal processing // Proc. IEEE 1980 Ultrasonic Symposium. -P.446-450.

33. К. Tsubouchi, N. Mikoshiba. Zero-tempereture-cocffient SAW devices oil ALN epitaxial films // IEEE Transactions of Sonic and Ultrasonic. -1985. V. SU-32, №5, P.634-643.

34. M. Manasevit, F.M. Erdmann, W.I. Simpson. The use of metalorganics in the preparation of semiconductors materials IV. The nitrides of aluminium and gallium // J. Electro Chern. Soc. Solid State Science. -1971. -V.118 №11, P.1867-1868.

35. Н.И.Сушенцов, А.В.Ермолаев, A.B. Марков, Н.С.Мокосеев, Д.В.Мосунов, Р.Н. Примечаев. Тонкие пленки в датчиках на ПАВ // Мат. Харьковская научная ассамблея ISTFE-14. -С. 256-258.

36. T.L. Tansley, R.J. Egan, Е.С. Horrigan. Properties of sputtered nitride semiconductors // Thin solid films. -1988. -V.47, P.327-333.

37. N. Kumar, K.Pourrezaei, B.Ssingh, RJ.DeMaria. RF reactively sputtered aluminium nitride thin films // ISAF'86: Proc. 6th IEEE Int. Symp. Appl. Ferroelec., New York. -1986. -P.86-88.

38. E.V.Egorova, N.A.Ivanov, K.I.Kirov. Deposition on thin films by magnetron reactive sputtering // Thin Solid filmc. -1981. -V.81, №3, P.201-206.

39. J.S.Wang, K.M.Lakin. Sputtered AIN films of bulc acoustic wave devices // Proc. IEEE 1981 Ultrasonic Symposium. -P. 502-505.

40. Т.Т. Leung, C.W. Ong. Control of crystallographic structure of aluminium nitride films prepared by magnetron sputtering // Integrated Ferroelectrics. -2003.-V.57, P.1201-1211.

41. M. Fujiki, M. Takahashi, S. Kikkawa, F. Kanamaru. Microstructure and Preferred Orientation in RF Sputter Deposited A1N Thin Film. // J. of Mater. Scien. Lett. -2000. -V. 19. P. 1625-1627.

42. P.G.Kotula, C.B.Carter,M.G.Norton. Surface morphology of pulsed laser deposited aluminium nitride thin films // J. of Mater. Sci. Let. -1994. -V.13, P.1275-1277.

43. R.D.Vispute, J.Narayan, H.Wu, K. Jagannadham. Epitaxial growth of A1N thin films on silicon(lll) substrates by pulsed laser deposition // J. Appl. Phys. -1995. -V.77, №9, P.4724-4728.

44. А.Ф.Белянин, А.П. Семенов, B.M. Халатанова. Выращивание тонких пленок A1N реактивным распылением ионным пучком. // Физика и химия обработки материалов. —1993. —Т.4, С. 99-104.

45. Т.Т. Leung, C.W. Ong. Control of Crystallographic Structure of Aluminium Nitride Films Prepared by Magnetron Sputtering // Integrated Ferroelectrics. -2003. -V. 57, №1, P. 1201 1211.

46. A. Madan, I.W. Kim, S.C. Cheng, P. Yashar, V.P. Dravid, S.A. Barnett. Stabilization of Cubic A1N in Epitaxial AIN/TiN Superlattices // Physical Review Letters. -1997. V.78, №9, P. 1743.

47. Е.В. Берлин, С.А. Двинин, JI.A. Сейдман. Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок. Техносфера. Москва. -2007.

48. Lewis М.А., Gloker D.A. Measurements of secondary electron emission reactive sputtering of aluminum and titanium nitride // J. Vac. Sci.Technol. A. -1989. -V.7, №3, P.l 19-1042

49. Chang C.Y., Sze S.M., USLI Technology McGraw-Hill, USA, -1996. -P.384

50. A.M. Чапланов, E.H. Щербакова. Структурные и фазовые переходы в тонких пленках титана при облучении азот водородной плазмой // ЖТФ. 1999. -Т. 69, №10, С. 102-108.

51. B.C. Сорокин, Б.Л. Антипов, Н.П. Лазарева. Материалы и элементы • электронной техники. Москва, «Академия». -2006. -T.I, С.431.

52. R.Chowdhury, R.D. Vispute, К. Jagannadham, J. Narayan, Characteristics of titanium nitride films grown by pulsed laser deposition // J. Mater. Res. -1997. —V.ll, №6, P. 1458.

53. A.M. Спивак, В.П. Афанасьев, А.П. Сазанов. Получение и профилирование фотоприемных структур на основе нитрида алюминия вакуумно-плазменными методами/УВакуумная техника и технология. — 2006. -Т.16, №4. С.267-270.

54. А.А. Abdallah, D. Kozodaev, Р.С.Р. Bouten, J.MJ. den Toonder, U.S. Schubert b, G. de With. Buckle morphology of compressed inorganic thin layers on a polymer substrate// Thin Solid Films. -2006 -V. 503, P. 167 176.

55. H.M. Коровкина, В.А.Ильин, Анализ интегральных микросхем методами атомно-силовой микроскопии//Петербургский журнал электроники. -2006. -№3(38) С.85-97.

56. Ю.М. Канагеева, В.А. Мошников, Исследование свойств матриц на основе In/РЬТе методами атомно — силовой микроскопии с помощью специальной системы наноконтактов //Вакуумная техника и технология. — 2008.-Т. 18, №2. С.87-94.

57. Т. Jungk, A. Hoffmann, Е. Soergel. Influence of the inhomogeneous field at the tip on quantative piezoresponse force microscopy// Appl. Phys. A. -2007. — V.86, P.353-355.

58. T. Jungk, A. Hoffmann, E. Soergel. Consequences of the background in piezoresponse force microscopyon the imaging of ferroelectric domain structures// Journal of Microscopy. -2007. -V. 227, Pt 1, P. 72-78.

59. Rui Shao, M.P. NIkiforov, D.A. Bonnell. Photoinduced charge dynamics on ВаТЮЗ (001) surface characterized by scanning probe microscopy // Appl. Phys. Lett. -2006. -V.89, id.l 12904.

60. S.V. Kalinin, D.A. Bonnelli. Screening Phenomena on Oxide Surfaces and Its Implications for Local Electrostatic and Transport Measurements// Nano Letters. -2004 -V.4, № 4 P. 555-560.

61. С.Ю.Давыдов, A.B. Трошин. Оценки величины спонтанной поляризации в карбиде кремния // ФТТ. -2007. -Т. 49. №. 4. С. 723-724.

62. B.J. Rodriguez, W.-C. Yang, R.J. Nemanich, A.Gruverman. Scanning probe investigation on surface charge and surface potential of GaN-based heterostructures// App. Phys. Lett. -2005. -V.86 id.l 12115.

63. E.B Красник., В.В. Трушлякова, A.M. Спивак. Автоматизированная методика получения изображения топологии кристалла интегральной микросхемы по оптическим фрагментам // Петербургский журнал электроники. -2006. -№3(38), С.51-58.

64. A.M. Спивак, А.П. Сазанов, В.В. Лучинин. Описание изобретения к патенту РФ 2304807.

65. М.А. Кузнецова, В.В. Лучинин, А.Ю. Савенко. Сверхлокальное избирательное ионно-лучевое препарирование интегральных схем // Петербургский журнал электроники. -2006. -№3(38), С.25-38

66. A.M. Спивак. Формирование многослойных фотоприемных структур ультрафиолетового диапазона на основе тонких пленок нитрида алюминия // Вакуумная техника и технология. —2008. —Т.18, №1. С.13-15.

67. А.А.Петров, М.С. Писаревский. Методика и аппаратно-программные средства растровой электронной Оже спектроскопии//Петербургский журнал электроники. -2006. -№3(38), С.75-84.

68. Г.Н. Рохлин. Разрядные источники света. Москва, Энергоатомиздат. — 1991.

69. A. S. Gudovskikh , J. Alvarez , J. P. Kleider , V. P. Afanasjev , V. V. Luchinin, A. P. Sazanov , E. I. Terukov . Polycrystalline A1N films deposited at low temperature for selective UV detectors // Sensors and actuators, 2004. V. 113. -P.355-359.

70. Н.С. Заяц В.Г. Бойко П.А. Генцарь О.С. Литвин В.П. Папуша Н.В. Оптические исследования пленок AlN/n-Si(100), полученных методом высокочастотного магнетронного распыления // Сопинский Физика и техника полупроводников. -2008. -Т.42, №.2, С.195-198.

71. Спивак A.M. Фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе пленок нитрида алюминия //Труды 64-й научно-технической конференции СПбНТОРЭС им. А.С. Попова, апрель 2009 г., Санкт-Петербург, 2008, с. 268-270.

72. A.M. Спивак. Встроенное электрическое поле в фотоприемных структурах на основе нитрида алюминия // Материалы XI Международной конференции Физика диэлектриков (Диэлектрики-2008) -2008.-С. 268-270.

73. A. Gruverman, В. J. Rodriguez, A. I. Kingon, R. J. Nemanich. Mechanical stress effect on imprint behavior of integrated ferroelectric capacitors// App. Phys. Lett. -2003. -V. 83, №. 4, P.728-730.

74. Y. A. Xi and К. X. Chen, F. Mont and J. K. Kim, C. Wetzel, E. F. Schubert, W. Liu, X. Li, J. A. Smart. Very high quality AIN grown on (0001) sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy // App. Phys. Lett. -2006. -V.89, id. 103106.

75. B. J. Rodriguez, A. Gruverman, A. I. Kingon, R. J. Nemanicha. Piezoresponse force microscopy for polarity imaging of GaN // Appl. Phys. Lett. -2002. -V. 80, №. 22, P. 4166-4168.

76. S. H. Park and S. L. Chuang. Spontaneous polarization effects in wurtzite GaN/AlGaN and comparison with experiment // Appl. Phys. Lett. -2000. -V.76, 1981-1983.

77. T.L. Tansley, R.J. Egan, Point-defect energies in the nitrides of aluminum, gallium, and indium // Phys. Rev. В -1992. -V.45, №19, P. 10942-10950.