Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Константинов, Андрей Олегович

• Константинов, Андрей Олегович
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Константинов, Андрей Олегович

ВВЕДЕНИЕ. Общая характеристика работы.

Глава I. Обзор литературы.

§ I-I Особенности кристаллической и зонной Ю структуры карбида кремния.

§ 1-2 Легирующие примеси в карбиде кремния.-.

§ 1-3 Выращивание кристаллов карбида кремния.-. 20 и свойства рп.-переходов, получаемых в процессе роста.

§ 1-4 Сублимационный сэдцвич-метод.

§ 1-5 Получение эпитаксиальных слоев и рп. - 26 структур пиролизом химических соединений кремния и углерода.

§ 1-6 Получение рп-переходов диффузией и ион- оп ной имплантацией.

Глава 2. МЕТОДИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ЭКСПЕРИМЕНТОВ.

§ 2-1 Высокотемпературные технологические OQ установки. «J

§ 2-2 Внутренняя арматура тигля и конструкции сэндвич-ячеек.-.

§ 2-3 Подготовка образцов к эпитаксиальному наращиванию и измерениям. 4fe

Глава 3. ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ВЫРАЩИВАНИЕ СТРУКТУРНО СОВЕРШЕННЫХ |р л-ПЕРЕХОДОВ.

§ 3-1 Массоперенос карбида кремния в субли- „ мациояном сэндвич-методе.эо

§ 3-2 Эксперименты по выращиванию РА- структур.i.

Глава 4. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЖТРИЧЕОШЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУРНО СОВЕРШЕННЫХ ^ О-ПЕРЕХОДОВ'.-.

§ 4-1 Прямая ветвь вольтамперной характерно- до тики.

§ 4-2 Напряжение лавинного пробоя (ра- перехода и его та политипе 6Н да и его температурная зависимость в ^

§ 4-3 Доцробойные обратные токи ^-перехода.

§ 4-4 Шнурование тока лавинного пробоя в 6Н ;.V.

§ 4-5 Фотоэлектрические исследования структурно совершенных ра- переходов.'.

Глава 5 ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАВИННОГО УМНОЖЕНИЯ В (^-ПЕРЕХОДАХ.

§ 5-1 Оцределение коэффициентов ударной ионизации из данных по лавинному умножению.v.

§ 5-2 Сравнение экспериментальных результатов по ударной ионизации с имеющимися теоретическими представлениями.'.

§ 5-3 Исследование лавинного умножения в карбиде кремния с помощью электронного зонда.v.

ЗАКЛЮЧЕН И Е.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н»

Актуальность проблемы. Актуальной задачей физики полупроводников является поиск и исследование полупроводниковых материалов, обладающих уникальными физическими и физико-химическими свойствами. Одним из таких материалов является карбид кремния. Он имеет большую ширину зацрещенной зоны и крайне высокую стойкость к внешним воздействиям - температуре, радиации, химически агрессивным средам. Уже поэтому в ряде цриборов специального назначения карбид кремния не имеет аналогов и заслуживает самого внимательного рассмотрения. Кроме того, к моменту начала настоящей работы появились сообщения о том, что (т -переходы на карбиде кремния имеют очень высокое пробивное поле'.

Предельная электрическая прочность материала является одним из важнейших параметров, определяющих мощностные и частотные характеристики широкого класса цриборов. Оценки, проделанные В .Е.Челноковым jj[] и А.С.Тагером [2] , а также Кейесом , использование карбида кремния может на 2-3 порядка повысить мощность быстродействующих силовых цриборов и существенно расширить частотный диапазон полупроводниковой сверхвысокочастотной (СВЧ) техники. Однако физическая причина аномально высокой электрической прочности ^iC оставалась неясной. Проведение соответствующих исследований не представлялось возможным из-за несовершенств и дефектов, имевшихся рл-переходов. Практические же результаты, полученные американской технологической группой в итоге более чем десятилетних исследований (Кэмпбелл и Чанг, 1976 , ) были весьма далеки от упоминавшихся выше оценок.

Сама возможность создания рп-переходов высокого качества, необходимых для создания высоковольтных выпрямительных и лавиннопролетных диодов цредставлялась далеко не очевидной. До последнего времени такие |pi\- переходы были получены только на германии, кремнии и полуцроводниковых соединениях . Успешное решение технических задач по созданию карбидкремниевых цриборов с улучшенными электрическими параметрами и выяснение физической причины высокой электрической прочности карбида кремния во многом определяется возможностью получения структурно-совершенных |т-переходов с однородным лавинным умножением и пробоем. Другая сторона проблемы создания приборов на карбиде кремния состоит в высокоомных компенсированных прослойках, наличие которых в (зл-переходах на повышенные обратные напряжения отмечалось рядом авторов. Эти прослойки уже на барьерном слое могут давать црямые падения, значительно превышающие контактную разность потенциалов.

Цель работы состояла в

- получении структурно совершенных рп-переходов:, которые характеризуются однородным (без микроплазм) лавинным умножением и пробоем;

- получении jpп-переходов, имеющих малые прямые падения при высоких пробивных напряжениях;

- исследовании электрических и фотоэлектрических свойств таких |р л - структур;

- исследовании ударной ионизации и лавинного цробоя в структурно совершенных ^-переходах.

Поскольку исследование процессов ударной ионизации требует цроведения достаточно широкого круга экспериментов, исследование ударной ионизации и лавинного цробоя было ограничено наиболее распространенным политипом 6Н?«

Новые научные результаты.

Предложена и экспериментально подтверждена моделв квазиравновесного переноса карбида кремния в сублимационном сэндвич-цроцессе, позволяющая правильно учесть влияние состава пара на скорость переноса.

Установлено, что для получения высококачественных jo л-переходов по высокотемпературной сэндвич-методике необходимо непосредственно перед ростом проводить в соответствующих условиях сублимационное травление подложи. Высокая температура процесса не препятствует получению п.-переходов с резким профилем легирования.

Установлено, что получаемые с помощью модифицированного сублимационного сэндвич-метода структурно совершенны, т.е. имеют однородное, без микроплазм, лавинное умножение и пробой. Определены пробивные напряжения резких рл. -переходов на 6Н S>X в ориентации контактного поля параллельно и перпендикулярно гексагональной оси кристалла ( &ЦС и Е.1С ), а также их температурные зависимости.

Исследованы цроцессы туннелирования в рл- переходах - межзонное туннелирование, определяющее протекание обратного тока в сильных полях и при не слишком высоких температурах, и тунне-лирование с поглощением света - эффект Франца-Келдыша . В сильном контактном поле наблюдался экспоненциальный "хвост" фундаментального поглощения, который ранее в полупроводниках с непрямыми межзонными переходами наблюдать не удавалось. Величина эффекта хорошо согласуется с теоретическим расчетом для непрямого края поглощения.

Исследовано лавинное умножение в структурно совершенных переходах на 6Н ^С . Данные по фотоумножению, умножению тока, индуцированного электронным зондом, собственного туннельного тока обратносмещенного ра -перехода находятся в хорошем взаимном согласий. Определены коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок в 6Н S> i С » их полевые и температурные зависимости. Приведено сравнение экспериментальных результатов по дырочной ударной ионизации с результатами теоретического анализа, учитывающего сложную структуру валентной зоны карбида кремния.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Экапериментально установлена возможность получения карбид-кремниевых р а. переходов с однородным - без микроплазм -лавинным умножением и пробоем.

2. Структурно совершенные л-переходы, полученные высокотемпературным эпитаксиальным наращиванием по модифицированному сублимационному сэндвич-методу выдерживают высокие обратные напряжения и способны пропускать большие плотности тока в цря-мом смещении. Прямое падение напряжения на барьерном слое не цревосходит контактной разности потенциалов'.

3. Благодаря большой величине контактного поля в электрических и фотоэлектрических характеристиках структурно совершенных |рл-переходов существенным образом проявляются процессы тун-нелированиЯ'.

4. Экспериментально обнаружен новый тип лавинного пробоя, который характеризуется падением цробивного напряжения с ростом температуры. Он наблюдается в 6Н 4vC в ориентации Е Ц С Б ориентации пробивное поле существенно ниже, чем в и имеет нормальную температурную зависимость - растет с ростом температуры.

5. Разогрев дырок сильным электрическим полем в карбиде кремния происходит по механизму, общему с полупроводниковыми материалами - путем разгона по подзоне легких дырок.

6. Разогрев электронов и электронная ударная ионизация в 6Н С происходит по специфическому механизму, связанному с естественной политипной сверхструктурой карбила кремния. Этим явлением и обусловлены аномалии лавинного пробоя в 6Н

7. На защиту выносится также методика получения структурно совершенных ра-переходов - модифицированный сублимационный сэндвич-метод.

Практическая ценность работы состоит в разработке методики получения высококачественных [)«\-переходов на карбиде кремния, требуемых для создания приборов'.

Получены данные о лавинном пробое и ударной ионизации наиболее расцространенного политипа 6Н, требуемые для разработки конкретных.приборных структур.

Впервые исследованный в работе процесс разогрева носителей в полупроводнике со сверхрешеткой существенен для понимания физических свойств слоистых сред и искусственных сверхструктур А^5.

Апробация работы. Результаты работы докладывались на Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Баку, IS82), Всесоюзном симпозиуме "Плазма и неустойчивости в полупроводниках" (Вильнюс, 1983). Отраслевом научно-техническом семинаре "Технология и конструирование быстродействующих полупроводниковых приборов (Таллин, IS83), межведомственном семинаре "Технология и применение карбида кремния в электронике СМ" (Куйбышев, 1983), а также на научных семинарах ФТЙ им.А.Ф.Иоффе АН СССР?.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 8 работ!;

Объем диссертации. Диссертация содержит 160 страниц текста, в том числе 57 рисунка и НО ссылок на литературные источники-.

- 10

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Константинов, Андрей Олегович

Выводы

1. Экспериментально установлена возможность создания на карбиде кремния политипа 6Н структурно совершенных (>л- переходов с однородным, без микроплазм, лавинным умножением и пробоем.

2. иолучены карбидкремниевые jm-переходы с высокими пробивными напряжениями и прямыми падениями на барьерном слое, не превосходящими контактном разности потенциалов;

3. Получено и экспериментально подтверждено соотношение для скорости переноса карбида кремния в сублимационном еэндвич-цроцессе и ее зависимости от давления избыточного кремния в сэндвич-ячейке.

4. Предложена методика получения структурно-совершенных т -переходов эпитаксиальным наращиванием ^-слоя на п.-подложу. Для получения качественного (т -перехода необходимо непосредственно перед ростом проводить сублимационное травление кристалла-подложки.

5. Исследовано туннелирование в (iа-переходах на карбиде кремния политипа 6Н: межзонное туннелирование и туннелирование с поглощением света (эффект Франца-Келдыша)1.

А. Обратный ток pv\ -переходов в сильных полях 6.Ю^В/см и цри не слишком высоких температурах Т 300-600 К оцределяется межзонным туннелированием.

Б. В сильном контактном поле -переходов на карбиде кремния наблюдается индуцированный полем экспоненциальный "хвост" фундаментального поглощения, протягивающийся на сотни милли-электроновольт, ниже края. Величина эффекта согласуется с теоретическим расчетом для непрямого края. Учет или избежание влияния электропоглощения существенно при фотоэлектрическом определении диффузионных длин в |т -структурах и барьерах Шоттки.

6!. Экспериментально обнаружен новый тип лавинного пробоя,который характеризуется падением цробивного нацряжения с ростом температуры. Он наблюдается в БН- <>iC в ориентации Е Не В дадрв ориентации EJL^ пробивное поле существенно ниже чем в Е|(С и имеет нормальную температурную зависимость - растет с ростом температуры*.

7. Исследовано лавинное умножение в |>п -переходах на 6Н shC Данные по фотоумножению, умножению тока, индуцированного электронным зондом, туннельного тока находятся в хорошем взаимном согласии. Определены коэффициенты ударной ионизации в 6Н ^iC в ориентации е!|С

8. Механизм дырочного разогрева и ударной ионизации в карбиде кремния не имеет существенных отличий от наблюдаемого в ряде алмазоподобных полупроводников и их твердых растворов1. Процесс ударной ионизации оцределяется разогревом по подзоне "легких" дырок в роли которой в 6Н ^С выступает отщепленная кристаллическим полем валентная подзона Г^. Большая величина характеристического поля определяется сильным рассеянием "горячих" дырок в

9. Электронная ударная ионизация в СНЗХ, существенно анизотропна . В ориентации Е \\ С она сильно подавлена и имеет ано

- 148 мальную температурную зависимость - усиливается с ростом температуры. Аномалия электронной ударной ионизации в 6Н и обуславливает аномалии лавинного цробоя.

10. Причиной аномалии электронной ударной ионизации является минизонный энергетический спектр электрона, обусловленный естественной политипной сверхструктурой карбида кремния.

В заключение хочу выразить искреннюю благодарность и признательность

- моему научному руководителю Ю.А.Водакову, который инициировал проведение этих исследований и оказывал на всем их протяжении постоянное внимание и поддержку;

- моим соавторам Р.Г.Веренчиковой, Е.Н.Мохову, Д.П.Литвину и В.И.Санкину;

- сотрудникам лаб. Алферова С.Г.Конникову и В.И.Литманови-чу за оказанную помощь и энтузиазм в совместных исследованиях;

- всему коллективу сектора широкозонных полупроводников за помощь и поддержку.

В заключение, приведем основные выводы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Константинов, Андрей Олегович, 1984 год

1. Челноков В.Е. Отблеск А.Е. Широкозонные полупроводники-перспективные материалы для силовой полупроводниковой электроники - в сб "Широкозонные полупроводники", Л., 1979 с 197-21Г.

2. Тагер А.С, Перспективы применения широкозонных материалов в полупроводниковой электронике СВЧ- в сб 1. с 2II-2251.3;. Кс?^ е s ^iC -^T-oiM-lUe ре i S ^ ediv/e c-fрЦъ^слР Cimiis S e miconcliac4el cUv/icg£ —

3. Picc.Tu J^ein. Conf on «SiC-l9}3a

4. UW £ou4h CWi'uft 1^7 3 / pp53VS424!. Cam^e^ CKcxhcjHC. ^(^COIA

5. UKclion c( ev/cces ^Qrmcciflo(uc^o?S <xnc(5'. Ъерма А'*. Кришна П. Политипизм и полиморфизм в кристаллах,-М. "Мир", 1969, 273с.

6. Дубровский Г.Б. Сверхструктура, энергетический спектр и политипизм в кристаллах карбида кремния -ФТТ, 1971 т.13, с 2505

7. Дубровский Г.Б., А.А Дешева. Энергетическая зонная структура и оптические свойства кристаллов карбвда кремния^. ФТТ, 1977 т.19 с 1252

8. Дубровский Г.Б. Естественные сверхрешетки в кристаллах -- в сб. 1. с 150-1641Г.Херман Ф., ван Дайк Дж.П., КортумРД. Электронная структура и оптический спектр карбвда кремния в сб "Карбид кремния", под ред.Хениша Г. и Роя Р., М., "Мир", 1972 с 153-165

9. Санкин В.И. Исследование экситонного электропоглощения в кристаллах карбида кремния Автореф.канд.дисс. Л.,1977,19с13Дойк У-.Дж. Оптические свойства политипов карбвда кремния -в сб.п. с.166-179

10. Ломакина Г.А. и др. Сравнительное исследование электрических свойств трех политипов карбвда кремния ФТТ, 1970, т. 12,с.29X8-2922

11. Мохов Е.Н. и др. Исследование особенностей легирования монокристаллического карбвда кремния цри росте сублимационным сэндвич-методом Тезисы докладов У Всеслсонф.по легированию полупроводниковых материалов. М., ИМЕТ, 1982, с 40

12. VocUkov УчД. hokUv E.N. 1) i^-f9 оСи.й iCc£tj t^^iaces 14 SCCCCOKссхг (Ucfe ^ pp> 502-519

13. К n.i ppem^eacj W f GiOuHk p ^t Ц, si-CicoK caiCicle PKC^cps Rqs. Repis^19G3 v h<o Ъ pp 161 -114

14. Лосев O.B. У истоков полупроводниковой техники избранные труды, под ред.Остроумова Г.А. "Наука",Л, 1972, 203с- 151

15. Курчатов И.В. Избранные труды. М.Наука, 1982 т.1, 392с20. iedij A. \< е г ес m „19S fed 3 2 3 22 9 ~ 238

16. Глаговский А.А. и др. Некоторые вопросы получения карбида кремния и эпитаксиальных структур на его основе в сб. 1. с.226-240

17. V <чО /\Го ь pp 2320 23 2Z

18. Vodakov ¥ц A , nHokkov/ t Ы Изобретения за рубежом, вып.36 № 21 (1975); Патент Англии 1458445 от 21.02.74; Патент США В 4147575 от 03.04.79

19. Nlck£ jf. Гасе. to deposi-tvo^ р^ 175 a tsfo 3493 44^cla-Ucl 3.01,13=10.

20. Ъгоиraii J., d e «Ч^гС* Thumocl^cC

21. S-ikclij <s| SjsHerva CclI^oki

22. StCicoh. ci mcxss s pec-(iome-iei —1. U С?. pf, 16 3328', Voclako* Уц A e-t лб. С^Нссх^б OJ20U.4K

23. SCecco^ c^gidd Ceuj^s b^ieincctLo^11<ЬСсЛо( WtcU11 vwe4.koci — klLyV<\(? Ц|лс(

24. T kli/v ScCCc( Fc'CmS t Iе)"1? 6 v/11 pp 3 932. vo, (YUewck W, P^lenefe I .-?Ce(!ol cuv i/с^оиг cjiOccTin p^ junctions,

25. P4sj°)77 4,48 pje 4831- 483333'. CkcLktj К Cf LeHfty LF1. Uc,e. Iwv Uic^k -tei^iac.^s.sio'is ^ s^ jap, 4 96 -S07

26. Водаков Ю.А., Мохов E.H. Рейфман М.Б. Диффузия бора и алюминия БбИ- -ФТТ, 1966, т.8 с 1298-1299

27. Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ламкина Г.А. Проблемы управляемого получения легированных структур на базе карбида кремния-в сб £\ с.136-14936* v/л^ 0|ре(огр.С. A cl ifus i о и.а. Си min. t uvi/n Lk St ^Соц Ccci Ые

28. S-tcUe ££ec-Uor\. IS1 1 \j l

29. Водаков Ю.А. и др. Карбид кремния, легированный бором. ФТП, 1977 т.II с 373-378

30. Павличенко В.И., Рыжиков И.В. Исследование электрических и люминесцентных свойств диффузионных и эпитаксиальных карбидкремниевых переходов с алюминием в сб."Физика рл-переходов и полупроводниковых приборов, Л, Наука, 1969 стр.326-336

31. Павличенко В.И., Рыжиков И.В., Кмита Т.Г. Высокотемпературные карбидкремниевые выпрямители на большие обратные напряжения в сб зо\ с.101-105

32. Аладинский В.К., Кузнецов Е.Н., Павличенко И.В-. Туннельный пробой в карбиде кремния ФТП, 1970 т. в 4 с 708-714

33. Водаков Ю.А. Карбид кремниа материал для выпрямителей и светодиодов. Автореферат докт.дисс. 1., 196842. rv\c^isk Хои. p ok LK SCC^COH1. CcxrCUe 14 ^eij ^

34. Гусев B.M., Демаков К.Д., Рейфман М.Б. Исследование электролюминесценции кристаллов GH-SiC. , ионно-легированных &

35. Де, Goi ФТП 1975 т.9 в.7 с.1238

36. Калинина Е.В., Прокофьева Н.К., Суворов А.В., Холуянов Г.Ф, Челноков В.Е. ФТП 1978, т.12 № 12 с

37. Мармер. Углеграфитовые материалы, М, 19^3.

38. Бланк Дж М. Изготовление карбидокремниевых светодиодов -в сб. \ll\ с 245-251

39. Дубровский Г.Б., Радованова Е.И. Оптическое поглощение в области 0,6 мкм и структура зоны проводимости 6Н-SX ФТТ, 1969, т.II с 680

40. Холуянов Г.Ф. Политипизм-рекомбинационное излучение ^переходов, полученных диффузией бора в oi. ФТТ, 1964,т.6 в.II с 3336-3340

41. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Роль в массопереносецри выращивании кристаллов из газовой фазы неорг.матер.1. В 9, 1977

42. TaUov Ум И , Tsvetfeov V/ F Zrwes^gc^o v\ о{

43. KtvxeiCc otna( -ik&'UMO^ CCvte(i4lCflS S^CtCOn Cci?£ic4eepL-tc^x ic<t CJ 20art к -the vapo^Z f^Ucife1. Gio^k 1№3 , v 4 G p 3

44. Водаков Ю.А. и др. Электрофизические свойства 'кС- рп-переходов с эпитаксиальным ^-слоем ФТП, 1982 т.16 в.2 с.2029-2032

45. Дженнигс В.Дж. Травление карбида кремния. в сб II с 279-289.

46. Водаков Ю.А., Литвин Д.П., Санкин В.И., Мехов Е.Н:. Роенков А.Д. Особенности лавинного цробоя в oL-карбиде кремния материале с естественной сверхрешеткой. Письма в ЖТФ т 10 J6 5 с 303-306

47. Зи. С.М. Физика полуцроводниковых цриборов. М:. "Мир",16б&62*. Евстропов В.В., Калинин Б.Н., Царенков Б.В. Неклассическийтермоннхвкционный ток в Gc*P рп-структурах. ФТП, 1983, т.17, в.4, с.599-606.

48. Мохов E.H., Гончаров E.E., Рябова Г.Г. Диффузия бора в дырочном карбиде кремния ФТП, 1984, т.18 в I с 49-53

49. Gie С К Q A vcuGc* кске бтлаЬjclouT/\ c-v Ge; S; ; GccAs

50. Gap P^ jiAKC-itOws APPe Pfvys Lc4"t . t С N/ g {> 111 lis

51. Константинов A.O. Исследование биполярного лавинного умножения в карбиде кремния ФТП 1983 т.17 в.12 с 2124-2128

52. Кейн Е.О. Основные представления о туннелировании в сб. "Туннельные явления в твердых телах", М. "Мир", 1973,с 9-19.сл.to. /ч/ i G (кСlk с dail^ cuviae so{ G«ACA£$6 cvim^nc/яе jAatod iodes—

53. Ap^ Plwjs L IV/oS pp ЧЬГ-^П73. «.G, Foiiest SB. e* ^

54. GqanPA^ pkatocliocUj! Apj^

55. P^s Laii-.^go , v ^ S go .- 157

56. ОкестИ.С. Т и. и v\ е С diodes, —сил.с( SGv^ I и* ^ Л/У ( A ccvc-^vwi. t ^ I Э 7 С1. V/ Ь f>p Н? Ъ ~ 6

57. Алферов Ж.И. и др. Светодиоды на основе двойных гетерострук-тур в системе G*А$- с внешним квантовым выходом20$ Письма в ЖТФ, 1976 т.2, в.18 с 821-825. 76". В А ( и. OQueiAck Кл/. PeAien^ciu^P

58. Т h аг tv Сом of ucii o'ii^ со* Л е с {i С с a d t г ъ v ъ Кv/i4g of 6К З.С-jj Арр? P(vij5,)9 7 3y vS"0M>9 р S70.77. cfaya muC-t L ppjc^tio^-- twa S(?frV| I с С nclct с (с 7 2> CUis\c{ $ Cm с' ivjlidsjhi Y, Ргг^^ои , IS £S / V pp Z63 ъге

59. Веренчикова P.Г. Константинов А.О. Эффект Франца-Келдыша в ) w- переходах на карбиде кремния ФТП, 1984 т 18 в.2 с79, S-U^^etn G Е ei ct£ Ztectiociisoipl^o* c^fW/f (lUbc/to^es Ap/o<? Pkys LdH) V Zs Л/о ^ G 7 i - в 4 3so. G E^ С. cLe pLoiodiodes

60. ScW^f<x<?s , Л/у, Academic (S?^ 2^1-39381*. Кардона M. Модуляционная спектроскопия- M., Мир, 1972 82;. Ре^ск^ч СМ PUc^vк ass I s-i <?с(1 О С <-л.-ikz-ePeciitc f Cefcl p^js rav15 ( v 19

61. Мосс Т., Баррвл Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлекгрон* ка. М., Мир, 1976, с.430.

62. Дмитриев А.П.,Константинов А.О., Литвин Д.П., Санкин В.И. Ударная ионизация и сверхрешетка в 6'Н SiC- ФТП, 1983,т.17 в.6 C.I093-IB98.

63. Водаков Ю.А., К0нстантинов А.О., Литвин Д.П., Санкин В.И. Лавинная ионизация в карбидокремниевых рл- структурах!. -Письма в ЖТФ, 1981 т.7 в.12 с 705-708

64. Константинов А.О., Литвин Д.П. Санкин В.И. Аномалия электронной ударной ионизации в карбиде кремния и естественная сверхрешетка. -Труды Всес.конф.по физике полупроводников, Баку, ЭЛМ, 1982 т.1 с.205

65. Келдыш I .В . к теории ударной ионизации в полупроводниках. ШЭТФ, 1965, т.48, в.б, с.1692.

66. CiOuJeCf С. S^eCM с(ероцс(еисе ofcmfcndie mu&ipCi-Caiion. сиS^^itcokciuciois , Ap ^ рЦьЫ^ 1966, v/9

67. Грибников З.С. Высокоэнергетическая асимптотика функции распределения "легких" и "тяжелых" носителей тока в сильных электрических полях ЮТФ 1978 т.74 с 2112

68. Дмитриев А.П., Михайлова М.П. Яссиевич И.Н. Ударная ионизация электронами в полупроводниках ФТП, 1983 т 17 с 45-51

69. Дмитриев А.П., Михайлова М.П., Яссиевич И.Н. Анизотропия коэффициентов ионизации электронов и дырок в полупроводниках А%5 Письма в ЖТФ 1981 в.24 с 1505-1507

70. Дмитриев А.П., Михайлова М.П., Яссиевич И.Н. Ударная ионизация дырками в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны. ФТП, 1983, т 17 с 875-880'.

71. Pot ъ \J} V/ocjg. TUeox^ ojvUc^C р 1юки

72. C£)^o(uc{ozs ; PHS 1921 , pZO^S"

73. Ckq^cj LL / £$й.(г.С L et . р г0 рег-( iе s о/ И <3 G ^гс^ S4p<?'?&vtiv'ce£ - \fc\c ^tl, TecUu ов , i с) 1 Ъ v 10 р G .

74. Дубровский Г.В., Вольфсон А.А. Резонансное туннел1фование электронов в сверхрешетке на кристаллах ^С Письма ШЭТФ, 1973, т.13, с.Р.2.

75. Ai/v<Uise* .) L ! Aas Е | . №с<г(е C<KI£O tcj

76. CuUcx-koiA о| -СНе eCecHioiA dii-f-t velocity си a Sn^iMKce. ^ ApfoC PKijs, pWl - ЪП<ь

77. Ргесе P | Ttcvas^OH piope'Hves ^|ле> e^Gc-tiou SK^i^U i с e . -T&H J, Res.1Я 3 v П pp

78. LKck R f Ho^W^k e-t c^C . ^пк^исе^е^ eieciioh. с6 cut's A.'fi'tn ^ s м^е? (c ^s

79. ССесЬ . ^eUeis , I 3 2 0( v\& P46?.

80. Ca^c^sso F.et ai A <n£uT avaie^cUe pkc4cciCocJe

81. PciCjd icni^cdio^ ъьАс icdio — G<hAtst u^cl ulaiecl CtOiA-ijicu109. ^eavwuMj Ckcioj-e совве^с** еЫ'юцmccaoscop^ j ap|>c phs,pp R. Si G

82. Do^Ccc-ioC, AveJo^cU nuHipti са/соц1.. St'^couv p^ j^cKo^s J P^sT)(is^q v is ^ £t n & £