Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат технических наук Решанов, Сергей Александрович

• Решанов, Сергей Александрович
• кандидат технических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат технических наук Решанов, Сергей Александрович

ОГЛАВЛЕНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

1. ПОЛУЧЕНИЕ ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ СВОЙСТВ.

1.1. Методы получения и легирования монокристаллов карбида кремния.

1.2. Высокотемпературная установка для выращивания объемных монокристаллов 81С.

1.3. Режимы выращивания монокристаллов карбида кремния.

1.4. Исследования электрофизических характеристик монокристаллов 81С

1.4.1. Исследования эффекта Холла и удельного сопротивления.

1.4.2. Омические контакты.

2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ЛЕГИРОВАНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ.

2.1. Литературный обзор.

2.2. Оценка энергии замещения и релаксации решетки вокруг примесного атома в карбиде кремния.

2.3. Влияние примесей замещения на параметр решетки БЮ.

2.4. Оценка предельных растворимостей примесей в

3. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ СИСТЕМЫ ЭЮ - А1, V.

4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО АЛЮМИНИЕМ.

4.1. Влияние пористости графита кристаллизационной ячейки на рост и легирование монокристаллов карбида кремния.

4.2. Влияние условий получения объемных монокристаллов 81С на уровень легирования алюминием.

4.3. Неоднородности легирования алюминием кристаллов БЮ.

5. ПОЛУЧЕНИЕ И СВОЙСТВА ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕГО КАРБИДА КРЕМНИЯ.

5.1. Параметры и свойства примесных центров ванадия.

5.2. Получение карбида кремния обладающего полуизолирующими свойствами.

5.3. Исследование электрических и оптических свойств полуизолирующего 8Ю:У.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния»

Актуальность темы. Карбид кремниевая технология сегодня является одной из наиболее перспективных областей в полупроводниковой электронике и может значительно расширить как сферы ее применения, так и ее функциональные возможности. Так, большая ширина запрещенной зоны, высокая температура Дебая и большая собственная теплопроводность допускают надежную работу ЗЮ-приборов при температурах до 600-700°С, в условиях воздействия радиации. Большая напряженность поля пробоя 81С, высокая насыщенная скорость дрейфа носителей тока и высокая теплопроводность делают карбид кремния уникальным материалом для создания мощных высокочастотных приборов, работающих при высоких температурах и обеспечивающих малые энергетические потери.

Такое сочетание уникальных свойств 81С открывает перспективу создания элементной базы экстремальной электроники, необходимой для систем производства и распределения электроэнергии, для систем контроля и управления ядерных реакторов, для систем контроля окружающей среды и других важных областей. Подобные приборы не могут быть изготовлены на основе уже освоенных промышленностью материалов, таких как ваАБ, ваР. Значительному прогрессу карбид кремниевой полупроводниковой электроники способствует тот факт, что к настоящему времени освоено выращивание монокристаллов ЭЮ диаметром до 100 мм, пригодных для использования в качестве подложек.

Все отмеченное выше обуславливает повышенный интерес к полупроводниковому 81С, который особенно усилился в последнее годы. В США, Японии, Германии и других промышленно развитых странах ведутся интенсивные исследования по БЮ, растет число фирм, занимающихся выращиванием кристаллов и эпитаксиальных слоев 81С, изготовлением приборов на его основе. Ежегодно проводятся несколько международных конференций по карбиду кремния.

Вместе с тем, качество выращиваемых кристаллов пока еще не отвечает высоким требованиям, предъявляемым к полупроводниковым материалам. Вопросы воспроизводимости и управления свойствами материала требует понимания свойств легированных материалов. В частности необходимо знать предельные растворимости примесей, позиции примеси замещения, зависимости постоянных решетки от степени легирования и т.д., а также изменения этих величин в зависимости от химической природы примесного атома. Многочисленные экспериментальные данные для SiC имеют большой разброс и не позволяют получить стройную картину поведения примесей.

Для приборного применения карбида кремния наряду с получаемыми в настоящее время материалами п- и р-типа проводимости существует также необходимость в материале, обладающем изолирующими свойствами. В связи с этим несомненный интерес представляет возможность получения полуизолирующего карбида кремния, как подложечного в виде объемных монокристаллов, так и эпитаксиальных слоев. Его применение позволит значительно улучшить параметры карбид кремниевых полупроводниковых приборов: расширить частотный диапазон (до 30 ГГц), существенно уменьшить энергетические потери. При этом подложечный полуизолирующий карбид кремния необходим также для создания полупроводниковых приборов на основе нитридов (GaN, AIN).

Целью настоящей диссертационной работы являлось изучение особенностей легирования монокристаллического карбида кремния в процессе роста, направленное на решение вопросов воспроизводимости и управляемого получения материала с заданными свойствами, а также исследование возможности получения полуизолирующего объемного монокристаллического карбида кремния, пригодного для приборного применения в экстремальной электронике.

Исходя из поставленной цели диссертационной работы были сформулированы следующие задачи:

1. Изучение особенностей легирования карбида кремния при сублимационном росте.

2. Оценка энергии замещения для примесных атомов на основе теоретического рассмотрения химических и структурных искажений решетки карбида кремния. Оценка предельных растворимостей примесей в карбиде кремния в условиях сублимационного роста.

3. Разработка основ технологии получения полуизолирующего объемного монокристаллического карбида кремния.

4. Исследование свойств полуизолирующего карбида кремния как в связи с условиями его получения, так и в связи с его приборным применением.

Проведенные исследования позволили получить новые научные результаты:

1. Проведен теоретический расчет предельных растворимостей примесей Ш-У групп в карбиде кремния как для случая термодинамического равновесия, так и для реальных условий сублимационного роста. Дано теоретическое обоснование экспериментально наблюдаемого эффекта грани, основанное на различии энергетических состояний примесного атома в занимаемых им позициях на различных гранях. Получены зависимости влияния уровня легирования на параметр решетки карбида кремния.

2. Проведен термодинамический анализ состава газовой фазы в системе 8Ю-С-У. Определены давления паров ванадия, превышение которых в заданном температурном диапазоне приводит к возникновению включений твердой фазы УС в растущих кристаллах карбида кремния и тем самым к увеличению дефектности получаемых кристаллов.

3. Исследованы особенности легирования алюминием и ванадием монокристаллов 8Ю при сублимационном росте. Впервые определен предел растворимости ванадия.

4. Показано, что сублимационный метод (метод ЛЭТИ [5]) позволяет выращивать объемный монокристаллический карбид кремния не только п- или /?-типа проводимости, но и обладающий изолирующими и полуизолирующими свойствами за счет соответствующего легирования ванадием и алюминием в процессе роста.

5. Выявлен эффект фотопроводимости полуизолирующего 8Ю:У в видимой области спектра, обладающий долговременной релаксацией.

Практическая ценность работы:

1. Предложены две модели для исследования удельного переходного сопротивления омических контактов. Создан пакет прикладных программ, обеспечивающих измерительный процесс.

2. Получены легированные ванадием монокристаллы карбида кремния политипов 4Н и 6Н, обладающие полуизолирующими свойствами.

3. Разработаны основы технологии получения полуизолирующего карбида кремния, применение которого в качестве подложечного материала или изолирующих слоев позволит обеспечить более высокое быстродействие и меньшие энергетические потери приборов на основе карбида кремния и нитридов. 7

На основе полученных результатов сформулированы следующие основные научные положения:

1. Наблюдаемая анизотропия легирования карбида кремния примесями замещения Ш-У групп обусловлена различием энергетических состояний примесного атома в занимаемых им позициях на различных гранях.

2. Совместное легирование ванадием и алюминием монокристаллов карбида кремния в процессе сублимационного роста в вакууме позволяет обеспечить получение материала с полуизолирующими свойствами.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Решанов, Сергей Александрович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе получены следующие основные результаты:

1. Проведен теоретический расчет предельных растворимостей примесей Ш-У групп в карбиде кремния как для случая термодинамического равновесия, так и для реальных условий сублимационного роста. Дано теоретическое обоснование экспериментально наблюдаемого эффекта грани, основанное на различии энергетических состояний примесного атома в занимаемых им позициях на различных гранях. Получены зависимости параметра решетки от уровня легирования.

2. Проведен термодинамический анализ состава газовой фазы в системах 81С-С-А1 и БЮ-С-У. Определены давления паров ванадия, превышение которых в заданном температурном диапазоне приводит к возникновению включений твердой фазы УС в растущих кристаллах карбида кремния и тем самым к увеличению дефектности получаемых кристаллов.

3. Исследованы особенности легирования алюминием и ванадием монокристаллов 81С при сублимационном росте. Впервые определен предел

1 О -5 растворимости ванадия, составляющий 1-10 см" при 2500 К. На основе проведенного анализа разработаны приемы управления процессом легирования.

4. Получены легированные ванадием монокристаллы карбида кремния политипов 4Н и 6Н, обладающие полуизолирующими свойствами.

5. Показано, что сублимационный метод (метод ЛЭТИ) позволяет выращивать объемный монокристаллический карбид кремния не только п- или /?-типа проводимости, но и обладающий изолирующими и полуизолирующими свойствами за счет соответствующего легирования ванадием и алюминием в процессе роста.

6. Разработаны основы технологии получения полуизолирующего карбида кремния, применение которого в качестве подложечного материала или изолирующих слоев позволит обеспечить более высокое быстродействие и меньшие энергетические потери приборов на основе карбида кремния и нитридов.

7. Выявлен эффект фотопроводимости полуизолирующего Б1С:У в видимой области спектра, обладающий долговременной релаксацией.

101

8. Предложены две модели для исследования удельного сопротивления омических контактов. Создан пакет прикладных программ, обеспечивающих измерительный процесс.

9. На основе двумерного моделирования оптимизирована конструкция П-образного резистивного нагревательного элемента высокотемпературной установки.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Решанов, Сергей Александрович, 2000 год

1.J.A. Lely. Darstellung von Einkristallen von Siliziumkarbid und Beherrschung von Art und Menge der eingebauten Verunreinigungen 1. Ber. Deutch Keram. Ges. 1955, Vol. 32. P. 229-236.

2. R.B. Campbell, H.C. Chang. II Semiconductors and Semimetals В. 1970. Vol. 7. P. 625.

3. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Epitaxial growth of SiC layers by sublimation sandwich method. Part 1. Growth kinetic // Krist. und Technik. 1979. Vol. 14, №6. P. 729-740.

4. E.H. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина. Проблемы управляемого получения легированных структур на базе карбида кремния // В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. (Л., ЛИЯФ, 1979). С. 136-149.

5. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals // J. Cryst. Growth. 1978. Vol. 43. P.209-219.

6. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. General principles of growing large-size single crystals of various Silicon Carbide Polytypes // J. Crystal Growth. 1981. Vol. 52. P. 146-150.

7. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. 11 J. Cryst. Growth. 1979. Vol. 46. P. 403.

8. Ф. Райхель, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер. 1983. Т. 19. С. 67.

9. В.И. Левин, Ю.М. Таиров, М.Г. Траваджян, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Исследование процесса выращивания монокристаллических слитков a-SiC из газовой фазы II Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер. 1978. Т. 14, №6. С. 10621066.

10. D.L. Barrett, J.P. McHugh, Н.М. Hobgood, R.H. Hopkins, P.G. McMullin, R.C. Clarke. II J. Cryst. Growth. 1993. Vol. 128. P. 358.

11. R.C. Glass, C.I. Harris, V.F. Tsvetkov, P.F. Fewster, J.E. Sundgreen, E. Jansen. II Inst. Phys. Conf. Ser. 1993. № 137. P. 165.

12. R.F. Davis, C.H. Carter, C.E. Hunter. USA Patent № 4.866.005 (Sept. 12, 1989).

13. И.Г. Пичугин, Ю.М. Таиров, Д. А. Яськов. Вакуумная высокотемпературная установка для получения кристаллов SiC // Приборы и техника эксперимента. 1963. № 4. С. 176-180.

14. В.П. Растегаев. Карбид кремния, легированный алюминием, и его использование в высокотемпературных полупроводниковых приборах и керамических нагревательных элементах: Дис. . канд. техн. наук / СПбГЭТУ. СПб, 1994.

15. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov, С.К. Lilov, G.K. Safaraliev. Studies of growth kinetics and polytypism of silicon carbide epitaxial layers grown from vapor phase II J. Cryst. Growth. 1976. Vol. 36, №1. P. 147-151.

16. В.И. Левин, Ю.М. Таиров, М.Г. Траваджян, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Рост монокристаллических слитков карбида кремния из газовой фазы // Тезисы докладов V симпозиума по процессам роста и синтеза полупроводниковых материалов. Новосибирск. 1978. С. 54.

17. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov, М.А. Chernov, V.A. Taranets. Investigation of phase transformation and polytype stability of SiC //phys. stat. sol. (a). 1977. Vol. 43. P. 363-369.

18. A. Schoner, S. Karlsson, T. Schmitt, N. Nordell, M. Linnarsson, K. Rottner. Hall effect investigations of 4H-SiC epitaxial layers grown on semi-insulating and conducting substrates II Mater. Sci. Eng. B. 1999. Vol. 61-62. P. 389-394.

19. T. Kinoshita, K.M. Itoh, J. Muto, M. Schadt, G. Pensl, K. Takeda. Calculation of the anisotropy of the Hall mobility in n-type 4H- and 6H-SiC // Mater. Sci. Forum. 1998. Vol. 264-268. P.295-298.

20. E. В. Кучис. Методы исследования эффекта Холла. М.: Сов. радио, 1974. 328 с.

21. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов и др. Современные представления о полупроводниковых свойствах карбида кремния // В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Л. 1979. С. 164-184.

22. W. J. Choyke, G. Pensl. Physical properties of SiC // MRS Bulletin. 1997. Vol. 22, №3. P. 25-29.

23. В.П. Растегаев, C.A. Решанов. Исследование электрофизических характеристик полупроводниковых материалов карбидкремниевых подложек II Изв. СПбГЭТУ (ЛЭТИ). Сер. Радиоэлектроника. 1998. Вып. 2. С. 42-44.

24. А.Н. Андреев, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов и др. Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели // ФТП. 1995. Т. 29, № 10. С. 1828-1832.

25. V.P. Rastegaev, S. Reshanov, A. Andreev, М. Rastegaeva. Models for high temperature SiC-metal contact resistance investigation // Transactions of 3d Int. High Temperature Electronics Conf. Albuquerque, New Mexico, USA. 1996. Vol. 2. P. 149-154.

26. А.Н. Андреев, М.Г. Растегаева, В.П. Растегаев, С.А. Решанов. К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов // ФТП. 1998. Т. 32, № 7. С.832-838.

27. Н.Н. Berger. Models for contacts to planar devices // Sol. St. Electron. 1980. Vol. 15. P. 145.

28. G.K. Reeves Specific contact resistance using a circular transmission line model II Sol. St. Electron. 1980. Vol. 23. P. 487.

29. Zhu De Guang. Multi-ring structures for contact resistance measurements on metal-thin-layer semiconductors // Sol. St. Electron. 1991. Vol. 34. P. 1165.

30. V.P. Rastegaev, S. Reshanov, A. Andreev, M. Rastegaeva. The topology optimization for the SiC-metal ohmic contact resistance investigation // Book of Abstracts. E-MRS Spring Meeting. Strasbourg, France. 1996. A-18.

31. В.П. Растегаев, C.A. Решанов. Исследование сопротивления невыпрямляющих контактов металл карбид кремния // Материалы и приборы нового поколения оптоэлектроники и сенсорики. СПб, 1997. С. 8-18 {Изв. ГЭТУ. Вып. 504).

32. М.Г. Растегаева. Омические контакты металл карбид кремния: Дис. . канд. техн. наук / СПбГЭТУ. СПб, 1999.

33. D. Schulz, G. Wagner, J. Dolle, К. Irmscher, Т. Muller, H.-J. Rost, D. Siche, J. Wollweber. Impurity incorporation during sublimation growth of 6H bulk SiC // J. Cryst. Growth. 1999. Vol. 198-199. P. 1024-1027.

34. A. Fukumoto. First-principles calculations of impurity states in 3C-SiC // phys. stat. sol. (b). 1997. Vol. 202, № 1. p. 125-135.

35. P. Deak, A. Gali, J. Miro, R. Guiterrez, A. Sieck, Th. Frauenheim. Theoretical studies on defects in SiC // Mater. Sci. Forum. 1998. Vols. 264-268. P. 279-282.

36. Yuan Li, P.J. Lin-Chung. Band Structure and electronic properties of native defects in cubic SiC // Phys. Rev. B. 1987. Vol. 36, № 2. P. 1130-1135.

37. D.N. Talwar, Z.C. Fang. Tight-binding description for the bound electronic states of isolated single and paired native defects in (3-SiC // Phys. Rev. B. 1991. Vol. 44, №7. P. 3191-3198.

38. C. Wang, J. Bernholc, R.F. Davis. Formation energies, abundances, and the electronic structure of native defects in cubic SiC // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 38, № 17. P. 12752-12755.

39. Р.Ф. Сабирянов, A.JI. Ивановский, Г.П. Швейкин. Влияние примесей замещения на электронный энергетический спектр кубического карбида кремния II Журнал неорганической химии. 1993. Т. 38, № 9. С. 1572-1575.

40. V.A. Gubanov, C.Y. Fong. Doping in cubic silicon-carbide // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75, № l.P. 88-90.

41. A.L. Ivanovskii, N.I. Medvedeva, G.P. Shveikin. Electronic structure of silicon carbide containing superstoichiometric carbon // Russ. Chem. Bull. 1999. Vol. 48, № 3. P. 612-615. {Изв. АН. Сер. Химическая. 1999. Т. 48, № 3, С. 618-621).

42. Ж.В. Гертнер, Н.И. Медведева, В.М. Жуковский, А.Л. Ивановский, Г.П. Швейкин. Влияние структурных вакансий на электронные и энергетические характеристики карбида кремния // Металлофизика и новейшие технологии. 1994. Т. 16, №7. С. 78-80.

43. A. Zywietz, J. Furthmuller, F. Bechstedt. Neutral vacancies in group-IV semiconductors //phys. stat. sol. (b). 1998. Vol. 210, № 1. P. 13-29.

44. L. Torpo, R.M. Nieminen. Electronic structure of the anti-structure pair in 3C-SiC 11 Mater. Sci. Eng. B. 1999. Vol. 61-62. P. 593-596.

45. Qiang Wang, C.G. Pantano, J.F. Annett. Ab initio calculation on atomic structure and charge transfer of silicon oxycarbide (SiOxCy) at the SiC/Si02 interface //phys. stat. sol. (b). 1999. Vol. 216, №2. P. 909-915.

46. И.Б. Берсукер. Электронное строение и свойства координационных соединений: Введение в теорию. JL: Химия, 1986. 288 с.

47. J.M. Baranowski. Bond lengths and force constants in diamond and zinc blende type crystals 11 Acta Physica Polonica A. 1985. Vol. 67, № 1. P. 5-19.

48. A.-B. Chen, A. Sher. Semiconductor pseudobinary alloys: Bond-lengh relaxation and mixing enthalpies // Phys. Rev. B. 1985. Vol. 32, № 6. P. 36953711.

49. E.A. Kraut, W.A. Harrison. Lattice distortions and energies of atomic substitution II J. Vac. Sci. Technol. B. 1985. Vol. 3, № 4. P.1267-1273.

50. F. Bechstedt, W.A. Harrison. Lattice relaxation around substitutional defects in semiconductors II Phys. Rev. B. 1989. Vol. 39, № 8. P 5041-5050.

51. W.A. Harrison, E.A. Kraut. Energies of substitution and solution in semiconductors II Phys. Rev. B. 1988. Vol. 37, № 14. P. 8244-8256.

52. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. М.: Мир, 1983.

53. W.A. Harrison. Theory of the two-center bond // Phys. Rev. B. 1983. Vol. 27, № 6. P. 3592-3604.

54. Справочник по электротехническим материалам / Под ред. Ю.В. Корицкого и др. JL: Энергоатомиздат, 1988, т. 3.

55. М. Schilfgaarde, A. Sher. Tight-binding theory and elastic constants // Phys. Rev. B. 1987. Vol. 36, № 8. P. 4375-4382.

56. C.A. Решанов, И.И. Парфенова, В.П. Растегаев. Релаксация кристаллической решетки карбида кремния при неизовалентном легировании алюминием // Тезисы докладов международной конференции Релаксационные явления в твердых телах. Воронеж. 1999. С. 305-306.

57. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Doping peculiarities of SiC epitaxial layers grown by sublimation sandwich- method // Springer Proceed, in Phys. 1992. Vol. 56. P. 329-334.

58. C.A. Решанов. Акцепторы III группы в карбиде кремния: релаксация решетки и энергия замещения // Тезисы докладов Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Санкт-Петербург. 1999. С. 112.

59. Yo Tajima, W.D. Kingery. Solid solubility of aluminum and boron in silicon carbide // Communications of the American Ceramic Society. 1982. Vol. 65, № 2. C. 27-29.

60. P.H. Кютт, E.H. Мохов, A.C. Трегубова. Деформация решетки и совершенство слоев карбида кремния, легированных алюминием и бором // ФТТ. 1981. Т. 23, № 11. С. 3496-3498.

61. А.А. Копылов, И.И. Парфенова. Модель структурного беспорядка в кристаллах твердых растворов полупроводников А3В5 // ФТТ. 1988. Т. 30, № 2. С. 441-446.

62. N.F. Gadzira, G.G. Gnesin, А.А. Mikhailik. High-pressure sintering of a solid solution of carbon in SiC // Inorg. Mater. 1999. Vol. 35, № 10. P. 1237-1242.

63. П.В. Ковтуненко. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. М.: Высш. шк., 1993.

64. Современная кристаллография. Том 3. Образование кристаллов / А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров и др. М.: Наука, 1980, 408 с.

65. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Diffusion and solubility of impurities in silicon carbide // Silicon Carbide 1973 (South Carolina Univ. Press, 1974). P. 508-520.

66. S.Yu. Davidov, S.K. Tikhonov. Surface donor states induced by metal atoms adsrbed on wide-gap semiconductors // Phys. Solid State. 1995. Vol. 37, № 9. P. 1514-1516.

67. C.A. Решанов. Растворимость алюминия в карбиде кремния при росте на полярных гранях // Тезисы докладов 2ой Научной молодежной школы Поверхность и границы раздела структур микро- и наноэлектроники. Санкт-Петербург. 1999. С. 43.

68. Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Исследование эпитаксиальных слоев SiC, легированных алюминием II Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер. 1978. Т. 14, №10. С. 1785-1789.

69. Е.Н. Мохов, М.М. Усманова, Г.Ф. Юлдашев, Б.С. Махмудов. Легирование карбида кремния примесями 111-а подгруппы // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1984. Т. 20, №8. С. 1383-1386.

70. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. Зависимость растворимости примесей в SiC от кристаллографической ориентации и структуры политипов // В сб.: Легирование полупроводников (М., Наука, 1982), С. 230-232.

71. Е.Н. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина. Диффузия алюминия в карбиде кремния // ФТТ. 1969. Т. 11, Вып. 2. С. 519-522.

72. Yu.A. Vodakov, G.A. Lomakina, E.N. Mokhov, E.I. Radovanova, V.I. Sokolov, M.M. Usmanova, G.F. Yuldashev, B.S. Machmudov. Silicon carbide doped with gallium П Phys. stat. sol. (a). 1976. Vol. 35. P. 37-43.

73. Термодинамические свойства индивидуальных веществ / Под ред. В.П. Глушко и др. М.: Наука, 1978.

74. А.Г. Турчанин, М.А. Турчанин. Термодинамика тугоплавких карбидов и карбонитридов. М.: Металлургия, 1991. 352 с.

75. Г.В. Самсонов, J1.A. Дворина, Б.М. Рудь. Силициды. М.: Металлургия, 1979. 272 с.

76. С.В. Вихман. Механохимические аспекты активации и получения керамических материалов на основе карбида кремния: Дис. . канд. техн. наук / СПбГТИ(ТУ). СПб, 1999.

77. H.McD. Hobgood, R.C. Glass, G. Augustine, R.H. Hopkins, J. Jenny, M. Skowronski, W.C. Mitchel, M. Roth. Semi-insulating 6H-SiC grown by physical vapor transport // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 66, № 11. P.1364-1366.

78. Лебедев A.A. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния. Обзор// ФТП. 1999. Т. 33, №2. С. 129-155.

79. П.Г. Баранов. Радиоспектроскопия широкозонных полупроводников: SiC и GaN // ФТТ. 1999. Т. 41, № 5. С. 789-793.

80. V.A. II'in, V.A. Ballandovich. EPR and DLTS of point defects in silicon carbide crystalls // Defect and Diffusion Forum. 1992. Vol. 103-105. P. 633-644.

81. N. Achtziger, J. Grillenberger, W. Witthuhn. Band gap states of V and Cr in 6H-silicon carbide II Appl. Phys. A. 1997. Vol.65. P. 329-331.

82. V. Lauer, G. Bremond, A. Souifi, G. Guillot, K. Chourou, M. Anikin, R. Madar, B. Clerjaud, C. Naud. Electrical and optical characterisation of vanadium in 4H and 6H-SiC // Mater. Sci. Eng. B. 1999. Vol. 61-62. P. 248-252.

83. M. Kunzer, U. Kaufman, K. Maier, J. Schneider. Magnetic circular dichroism and electron spin resonance of A" acceptor state of vanadium, V3+, in 6H-SiC // Mater. Sci. Eng. B. 1995. Vol. 29. P. 118-121.

84. T.S. Sudarshan, G. Gradinaru, G. Korony, S.A. Gradinaru, W. Mitchel. High field/high temperature performance of semi-insulating silicon carbide // Diamond Relat. Mater. 1997. Vol. 6, № 10. P. 1392-1395.

85. St.G. Muller, D. Hofmann, A. Winnacker, E.N. Mokhov, Yu.A. Vodakov. Vanadium as a recombination center in 6H SiC // Inst. Phys. Conf. Ser. 1996. №142. P. 361-364.

86. Полуизолирующие соединения AinBv / Под. ред. Дж.У. Риса. М.: Металлургия, 1984. 256 с.

87. S.A. Reshanov. Growth and high temperature performance of semi-insulating silicon carbide II Diamond Relat. Mater. 2000. Vol. 9, №3-6. P.480-482.

88. S.A. Reshanov. Growth and high temperature performance of semi-insulating silicon carbide // Book of abstracts. 10th European Conf. on Diamond. Prague, Czech Republic. 1999. #15.118.

89. W. Hartung, M. Rasp, D. Hofmann, A. Winnacker. Analysis of electronic levels in SiC: V, N, A1 powders and crystals using thermally stimulated luminescence // Mater. Sci. Eng. B. 1999. Vol. 61-62. P. 102-106.

90. V.P. Rastegaev, D.D. Avrov, S.A. Reshanov, A.O. Lebedev. Features of SiC singlecrystals grown in vacuum by the LETI method // Mater. Sci. Eng. B. 1999. Vol. 61-62. P. 77-81.

91. V.P. Rastegaev, D.D. Avrov, A.O. Lebedev, S.A. Reshanov. Features of SiC singlecrystals growth in vacuum by the LETI method // Abstr. of 2nd European Conf on Silicon Carbide and Related Materials. Montpellier, France, 1998. P. 9394.

92. S.I. Dorozhkin, D.D. Avrov, V.P. Rastegaev, Yu.M. Tairov. Growth of SiC ingots with high rate // Mater. Sci. Eng. B. 1997. Vol. 46. P. 296-299.

93. C.A. Решанов. Получение и электрические свойства полуизолирующего карбида кремния // Тезисы докладов Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов Микроэлектроника и информатика-99. Москва. 1999. С. 45.110

94. D. Schulz, G. Wagner, J. Dolle, K. Irmscher, T. Muller, H.-J. Rost, D. Siehe, J. Wollweber. Impurity incorporation during sublimation growth of 6H bulk SiC II J. Crystal Growth. 1999. Vol. 198-199. P. 1024-1027.

95. Дж. Блейкмор. Физика твердого тела. M.: Мир. 1988. 608 с.

96. F. Bechstedt. Electronic properties of SiC polytypes and heterostructures // Mater. Sci. Forum. 1998. Vol. 264-268. P. 265-270.

97. C.A. Решанов. Термоэлектрические свойства полуизолирующего карбида кремния // Тезисы докладов Научной молодежной школы по твердотельным датчикам. Санкт-Петербург. 1998. С. 32.

98. О. Noblanc, С. Arnodo, С. Dua, Е. Chartier, С. Brylinski. Progress in the use of 4H-SiC semi-insulating wafers for microwave power MESFETs SiC // Mater. Sei. Eng. B. 1999. Vol. 61-62. P. 339-344.