Получение и исследование наноструктурированных слоев дисульфида молибдена для применения в оптоэлектронике тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Хаттаб Юссеф

• Хаттаб Юссеф
• кандидат наук
• 2023

Оглавление диссертации кандидат наук Хаттаб Юссеф

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Аналитический обзор литературы

1.1 Структура и свойства MoS2

1.2 Методы формирования тонких пленок MoS2

1.3 Области применения тонких пленок MoS2

1.4 Выводы из аналитического обзора литературы и постановка задачи

исследования

ГЛАВА 2. Описание используемых методов и оборудования

2.1 Характеристика используемых материалов

2.2. Описание экспериментальной установки

2.3. Методика проведения процессов осаждения

2.4 Методы исследования состава, строения и свойств полученных пленок

дисульфида молибдена

ГЛАВА 3. Исследование закономерностей процесса химического осаждения дисульфида молибдена из газовой фазы в системе MO(CO)6-Б^

3.1. Исследование характера влияния температуры осаждения на характеристики осаждаемых пленок

3.2. Исследование влияния давления в реакторе и состава газовой фазы на характеристики осаждаемых пленок

3.3. Механизм формирования структур с вертикально расположенными

лепестками дисульфида молибдена

ГЛАВА 4. Исследование закономерностей процесса химического осаждения дисульфида молибдена из газовой фазы в системе Mo(CO)6-

С2Нб§2

4.1 Исследование процесса осаждения вертикальных наноструктуров

дисульфида молибдена при низком давлении 63 Па

4.2 Исследование закономерностей процесса осаждения монослоя и нанопирмид дисульфида молибдена при относительно высоком давлении

930 Па

4.3 Исследование закономерностей процесса осаждения наночастиц дисульфида молибдена при давлении 266 Па

4.4 Исследование влияния давления и температуры в реакторе на морфологию осаждаемых пленок. Сравнение состава пленок, полученных при

использовании в качестве серосодержащих реагентов H2S и ^И^

ГЛАВА 5. Исследование оптических и электрических свойств вертикальных листов и дендритов

5.1 Исследование оптических свойств вертикальных листов и дендритов

5.2 Исследование электрофизических свойств вертикальных листов и

дендритов

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и исследование наноструктурированных слоев дисульфида молибдена для применения в оптоэлектронике»

Актуальность темы исследования

Среди различных халькогенидов переходных металлов MoS2 представляет особый интерес в связи с тем, что может быть сформирован в виде сверхтонких двумерных слоистых кристаллических пленок, обладающих уникальными электрофизическими свойствами. МоБ2 характеризуется структурой, которую можно описать как чередующиеся пакеты, состоящие из двух атомных плоскостей серы, между которыми находится плоскость, образованная атомами молибдена. Атомы серы и молибдена в таких пакетах прочно скреплены ковалентными связями, а взаимодействие между самими пакетами осуществляется посредством слабых сил Ван-дер-Ваальса. Монослои MoS2, состоящие из одного пакета S-Mo-S, или слои, образованные несколькими пакетами S-Mo-S, использованы для создания полевых транзисторов, характеризующихся высокой подвижностью носителей заряда, достигающей

Л _1 _1

200 см В с при комнатной температуре, для изготовления приборов на гибких полимерных подложках. Кроме того, двумерные пленки дисульфида молибдена представляют большой интерес для использования в солнечных элементах, фотоэлектрических преобразователях, термоэлектрических и электрохромных устройствах.

Для использования в приборах тонкие пленки MoS2 должны характеризоваться высокой степенью чистоты, иметь однородную и совершенную кристаллическую структуру, а также характеризоваться равномерным распределением толщины по площади подложки. К настоящему времени с большим либо меньшим успехом для формирования совершенных пленок MoS2 находят применение такие методы, как механическая или электрохимическая эксфолиация пакетов S-Mo-S с поверхности объемного кристалла, пересублимация, импульсное лазерное напыление и некоторые другие.

Однако наиболее высококачественные тонкие пленки дисульфида молибдена, состоящие из двумерных зерен большого размера, могут быть получены только термоактивированным химическим осаждением из газовой фазы. Этим методом можно получать разнообразные по структуре и морфологии пленки, включая даже образованные вертикально располагающимися нанолепестками, которые представляют особый интерес для использования в оптоэлектронике, создания разнообразных твердотельных датчиков, высокоэффективных солнечных элементов и т.д. Однако характер влияния условий формирования пленок MoS2 на их состав, структуру, строение и свойства систематически не исследовался и остается не выясненным. В этой связи актуальной становится задача по установлению экспериментальным путем основных физико-химических закономерностей процесса химического осаждения пленок MoS2 из газовой фазы.

Степень разработанности темы исследования

К моменту начала работы в доступной литературе было опубликовано около 50 статей, посвященных получению наноструктурированных пленок дисульфида химическим осаждением из газовой фазы. Большинство из них было направлено на получение двумерных пленок дисульфида молибдена, состоящих из одного или нескольких пакетов S-Mo-S, и оценки возможности создания на них новых изделий микро - и оптоэлектроники. Что касается применения процессов химического осаждения для выращивания пленок, состоящих из вертикально ориентированных нанолепестков, имелось лишь 3 работы, в которых упоминалась лишь принципиальная возможность их формирования таким методом. Систематического исследования влияния условий осаждения на состав, строение, структуру и свойства осаждаемых пленок не проводилось, а информация об этом носила фрагментарный характер. Физические свойства пленок, состоящих из вертикальных нанолепестков, были практически не исследованы.

Целью настоящей диссертационной работы являлось выявление экспериментальным путем основных физико-химических закономерностей

процессов химического осаждения пленок дисульфида молибдена, состоящих из вертикально ориентированных нанолепестков, из газовой фазы в системах Мо(СО)6-И^ и Мо(СО)6-С2И682, а также изучение их строения, структуры и физических свойств.

Для достижения этой цели необходимо решить следующие задачи:

1. Выполнить аналитический обзор литературы, посвященной современным методам создания слоистых структур на основе дисульфидов молибдена.

2. Подобрать системы реагентов, являющихся наиболее перспективными для реализации процессов химического осаждения из газовой фазы.

3. Модернизировать технологическую аппаратуру для реализации процессов химического осаждения из газовой фазы.

4. Провести экспериментальные исследования по получению данных об основных физико-химических закономерностях процессов осаждения слоев в системах Мо(СО)6-И^ и Мо(СО)6-С2И6Б2, а также изучить влияние основных параметров процесса на строение продуктов синтеза.

5. Проанализировать влияние параметров процесса химического осаждения из газовой фазы на морфологию, состав и строение пленок.

6. Исследовать некоторые оптические и электро-физические свойства полученных слоев.

Научная новизна работы:

1. Впервые продемонстрирована возможность образования наноструктурированных тонких слоев дисульфида молибдена, состоящих из вертикальных нанолепестков, химическим осаждением из газовой фазы при использовании в качестве серосодержащего металлорганического реагента -

С2Н&.

2. Получены новые знания о характере влияния основных технологических параметров процессов химического осаждения наноструктурированных пленок дисульфида молибдена в системах Мо(СО)6-И^ и Мо(СО)6-С2И6Б2, на состав, строение и структуру образующихся продуктов и дано физико-химическое обоснование экспериментально обнаруженным закономерностям.

3. На основе полученных результатов предложен и экспериментально обоснован оригинальный механизм роста пленок, состоящих из вертикальных нанолепестков.

4. Получены новые сведения о некоторых электро-физических и оптических свойствах слоев дисульфида молибдена, состоящих из вертикальных нанолепестков.

Теоретическая и практическая значимость:

Теоретическая значимость работы заключается в том, что в результате ее выполнения получены новые знания о физико-химических закономерностях процессов формирования слоев дисульфида молибдена, состоящих из вертикальных нанолепестков, химическим осаждением из газовой фазы в системах Мо(СО)6-Н^ и Мо(СО)6-С2И682, а также установлен механизм их образования.

Результаты исследования характера влияния основных технологических параметров процессов химического осаждения из газовой фазы в системах Мо(СО)6-И^ и Мо(СО)6-С2И6Б2, а также установлен механизм их образования.

Новые сведения об оптических и электрофизических свойствах полученных слоев в зависимости от их структуры и строения представляют практический интерес для использования полученных слоев MoS2, состоящих из вертикальных нанолепестков, в оптоэлектронных приборах.

Методология и методы исследования

Для осаждения тонких пленок дисульфидов молибдена применяли метод химического осаждения из газовой фазы. Карбонил молибдена использовали в качестве молибденсодержащего реагента, а в качестве серосодержащих реагентов - сероводород и диметилдисульфид как неорганический и органический реагенты, соответственно.

Морфологию и строение осажденных пленок изучали с помощью растровой электронной микроскопии (РЭМ), просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), атомно-силовой микроскопии (АСМ), спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС). Состав продуктов определяли с помощью рентгеновской

фотоэлектронной спектроскопии и инфракрасной спектроскопии. Присутствие кристаллических фаз выявляли с помощью дифракции рентгеновских лучей и спектров комбинационного рассеяния света (КРС). Измерение оптических и электрофизических свойств осуществляли посредством изучения оптического поглощения, отражения и фотолюминесцентного свечения, а также изучая вольт-амперные характеристики и зависимость сопротивления от температуры.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Результаты экспериментального исследования процесса химического осаждения из газовой фазы пленок дисульфида молибдена, состоящих из вертикальных нанолепестков, в реакционной системе Мо(СО)6-Н^ и полученные представления об основных его физико-химических закономерностях, включающих описание влияния основных технологических параметров процесса на морфологию, строение и состав пленок.

2. Модельные представления, разработанные на основе экспериментальных результатов, о механизме образования вертикальных лепестков дисульфида молибдена, базирующемся на важнейшей роли деформации тонкой пленки MoS2, образующейся горизонтально на поверхности подложки на начальном этапе процесса осаждения.

3. Экспериментальное подтверждение принципиальной возможности получения пленок дисульфида молибдена, состоящих из вертикальных нанолепестков, химическим осаждением из газовой фазы в реакционной системе Мо(СО)6-С2И682, данные об основных физико-химических закономерностях процесса осаждения, включающие описание влияния основных технологических параметров процесса на морфологию, строение и состав пленок.

4. Результаты изучения оптических и электрофизических свойств пленок дисульфида молибдена, состоящих из вертикальных нанолепестков, свидетельствующие волны плотности заряда доминируют над всеми электрофизических свойствами, в то время как высокая настраиваемость оптических свойств в зависимости от морфологии, где вертикальные нанолепестки действуют как метаповерхность с новыми пиками отражения.

Достоверность результатов и обоснованность выводов, полученных в диссертационной работе, определяется комплексным использованием экспериментальных и аналитических методик, подтверждением воспроизводимости результатов, а также детальным сравнением с литературными данными других авторов.

Личный вклад автора

Все экспериментальные результаты, их непосредственная обработка и анализ, изложенные в диссертационной работе, получены автором лично или в соавторстве при его непосредственном участии.

Апробация результатов

Результаты данного исследования представлялись и обсуждались на следующих научных конференциях:

- International School and Conference «Saint Petersburg OPEN 2020» Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 26-30, 2020, Saint Petersburg, Russia.

- International Conference on Advances in Material Science and Chemistry, 10-12 August 2020, India.

- 2nd International Conference on Nanomaterials,15-30 November 2020 by MDPI, online.

- International school on Metamaterials and Nanophotonics, 6-10, July,2020, Russia.

Публикации

Опубликованы 5 статей в изданиях из перечня рецензируемых научных журналов ВАК, и индексируемых в базе данных Scopus.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключение, списка литературы (194 наименований). Полный объем работы составляет 141 страницу машинописного текста, включая 86 рисунков, 2 таблицы.

ГЛАВА 1. Аналитический обзор литературы

1.1 Структура и свойства Мо82

Кристаллическая структура

Кристаллический MoS2 имеет слоистую структуру. Каждый слой состоит из трех ковалентно связанных атомных плоскостей S-Mo-S, а соседние слои связаны слабыми ван-дер-ваальсовыми силами [1]. Для многослойного MoS2 наблюдается полиморфизм, обусловленный разнообразием последовательности укладки этих слоев. Тремя интенсивно исследуемыми фазами являются 1Т, 2Н и 3R, где буквы представляют различные системы симметрии кристаллов: тригональную, гексагональную и ромбоэдрическую, соответственно, а цифры означают количество слоев в каждой элементарной ячейке (рисунок 1.1) [1]. Фазы 2Н и 3R являются наиболее энергетически выгодными по сравнению с метастабильной фазой 1Т и обычно встречаются в природных минералах, а также в синтетических продуктах. Обе фазы имеют одинаковую конфигурацию межслойной координации (тригонально-призматическую), но с разными способами межслойной связи. В политипе 2Н положение атомов Мо одного слоя совпадает с положением атомов S (Мо), расположенных в другом (ниже или вышележащем) слое и два слоя в каждой элементарной ячейке 2H-MoS2 имеют поворот решетки на 60 ° между собой. В фазе 3R три атомных слоя, где атомы S в среднем слое находятся над атомами Мо в нижнем слое и ниже полого гексагонального центра верхнего слоя, и все три слоя в элементарной ячейке 3R-MoS2 принимают в том же направлении кристалла, рисунок 1.1. Фаза 1Т может пройти фазовый переход (благоприятный при низкой температуре или деформации) в сверхструктуру, называемую 1Т, рисунок 1.1, который обладает очень интересными свойствами, включая волны плотности заряда и топологические особенности [2, 3]. Также сообщалось, что спектры комбинационного рассеяния можно использовать для различения различных фаз

MoS2, кроме того, между фазами существуют различия в рентгеновской дифракции и фотоэлектронном спектре (рисунок 1.2). Наличие 1Т требует расширенного метода для проверки.

Рисунок 1.1 - Структурные модели различных полиморфных фаз MoS2. 3D-схематическая иллюстрация многослойного MoS2. Атомные модели, отображающими три разных фазы, 1Т, 2Н и 3R, в многослойном MoS2,

соответственно [4]

Рисунок 1.2 - Спектры комбинационного рассеяния и рентгеновская дифракция показывают отчетливые различия между фазами MoS2 [5]

Фундаментальная зонная структура MoS2

В этом разделе представлена фундаментальная зонная структура MoS2, начиная с ee объемной фазы, а затем показана ее эволюция при уменьшении толщины до однослойного состояния. Существуют два варианта качественной трактовки фундаментальной зонной структуры объемного MoS2. Один основывается на состоянии электронного заполнения молекулярных орбиталей соединения, другой - на различной конфигурации кристаллической решетки. Опираясь на первый подход, было высказано предположение, что разнообразие электронных свойств объемно-слоистых дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ) преимущественно обусловлено постепенным заполнением несвязывающих d-орбиталей переходных металлов. Объемные ДПМ демонстрируют металлические свойства, когда несвязывающие d-орбитали частично заняты, и проявляют полупроводниковые свойства, когда несвязывающие d-орбитали полностью заняты [6]. На рисунке 2.3а показаны электронные состояния орбиталей MoS2, где его несвязывающая d-зона полностью занята [7]. Следовательно, объемный MoS2 является полупроводником с непрямой запрещенной зоной 1,2-1,3 эВ. [8] Понимая фундаментальную зонную структуру, основанную на втором подходе, можно обнаружить, что элементарная ячейка MoS2 имеет два разных атома в элементарной ячейке, один представляет один атом Мо, а другой представляет пару перекрывающихся атомов S. Это отличается от элементарной ячейки графита, где два атома являются атомами углерода. Такое различие в конфигурации элементарной ячейки кристалла устранит вырождение электронной структуры в точке К (К ') в зоне Бриллюэна, тем самым открыв энергетическую щель в объемном MoS2 [9].

Рисунок 1.3 - Зонная структура MoS2. (а) Диаграмма, показывающая уровень энергии молекулярных орбиталей (МО) для MoS6 в 2Н-Мо82. Термины в скобках

л

(например, z . S, xz и т. Д.) обозначают металлические орбитали, которые вносят основной вклад в МО. (б - д) Рассчитанные зонные структуры, соответствующие объемным (б), четырехслойным (в), двухслойным (г) и монослою (д) MoS2 [10]

Основная структура зон объемного 2Н-МоБ2 показана на рисунке 1.3б, где максимум валентной зоны расположен на Г в зоне Бриллюэна, а минимум зоны проводимости расположен примерно на полпути вдоль направления Г-К. При уменьшении числа слоев MoS2 на его зонную структуру сильно влияют квантовое удержание, межслоевое взаимодействие и длительные кулоновские эффекты [1113]. Например, чувствительность зонных состояний в разных точках зоны Бриллюэна к изменению межслойных взаимодействий варьируется, потому что они происходят от орбиталей, которые принимают различные пространственные распределения [14]. Состояния зоны проводимости в точке К, которые в значительной степени обусловлены d-орбиталями Мо и сильно локализованы в S-

Mo-S. Слоистый слой, слабо подвержен межслоевому взаимодействию. Напротив, состояния зоны проводимости, близкие к точке Г, которые возникают в результате гибридизации между d-орбиталями Мо и антисвязывающими pz-орбиталями S, подвержены межслойным взаимодействиям. Поэтому, когда MoS2 становится тоньше, самая низкая зона проводимости вблизи точки Г заметно смещается вверх, в то время как зона проводимости в точке К практически не движется (рисунок 1.3в-д). Когда толщина MoS2 уменьшается до монослоя, промежуток непрямого перехода превышает прямую запрещенную зону, заставляя MoS2 переходить от непрямого к прямому полупроводнику. Значение прямой фундаментальной запрещенной зоны, предложенное различными теоретическими моделями, незначительно варьируется в пределах от 2,8 эВ до 3,0 эВ [15-17].

Оптические свойства

Объемный MoS2 имеет высокий коэффициент оптического поглощения (> 104) (видимого света) [18], а ширина запрещенной зоны составляет 1,3 эВ, что соответствует солнечному спектру [19], а это делает его особенно привлекательным для фотоэлектрических систем. Оптические свойства объемных образцов, состоящих из нескольких слоев и монослоев MoS2, были изучены многими методами [20]. Значения показателя преломления MoS2 находятся в интервале 2,5 - 4,5 для диапазона длин волн 400 - 750 нм [21].

Наличие запрещенной зоны, обусловленной прямыми переходами, в монослое MoS2 обуславливает появление сильного излучения фотолюминесценции (ФЛ) при ~ 1,8-1,9 эВ. [22-24] Следует отметить, что энергетическая щель, измеренная спектроскопией ФЛ, является оптической запрещенной зоной, которая представляет собой разницу между основной запрещенной зоной и энергией связи экситона. В спектре ФЛ наблюдается два ярко выраженных пика, максимумы которых расположены при ~ 677 нм и ~ 627 нм соответственно, и соответствуют прямым экситонным переходам в точке К в зоне Бриллюэна, которые также известны как переходы А и В (рисунок 1.4а) [25].

Установлено, что квантовый выход ФЛ для монослоя MoS2, нанесенного на подложку SiO2/Si, в 104 раз больше, чем для его объемного аналога, и в ~ 103 раз больше, чем для многослойного MoS2 (рисунок 1.4б). Это происходит из-за эволюции запрещенной зоны от непрямой к прямой по мере уменьшения толщины MoS2, что резко повышает скорость излучательной рекомбинации [26]. Если монослой MoS2 отрицательно заряжен либо за счет инжекции электронов путем прикладывания напряжения к затвору, либо путем химического легирования, расщепление пика перехода происходит из-за присутствия отрицательных трионов (А-), которые можно понимать как квазичастицу, состоящую из нейтрального экситона, связанного со свободным электроном (рисунок 1.4в) [27-29]. Пик излучения отрицательных трионов находится при более низкой энергии (большей длине волны), чем пик нейтральных экситонов. Было измерено, что трионы имеют большую энергию связи ~ 20 мэВ при низкой температуре 10 К, что делает их существенными даже при комнатной температуре [30].

Зонная структура MoS2 зависит от перекрытия атомных орбиталей атомов Мо и S, на которое можно влиять разными способами. Поэтому легко понять, почему механическая деформационная нагрузка [21-33] и химическое / физическое легирование [34,35] являются двумя наиболее часто используемыми подходами для создания запрещенной зоны монослоя MoS2. Что касается применения деформации, теоретические расчеты предсказывают, что небольшое двухосное натяжение (~ 2%) может превратить прямую запрещенную зону монослоя MoS2 в непрямой зазор, в то время как относительно большое двухосное натяжение (10%) или деформация сжатия (15%) могут преобразовать монослой MoS2 из полупроводника в металл [36]. Результаты исследования образцов с помощью спектроскопии ФЛ также подтверждают варьирование параметрами запрещенной зоны за счет деформации. Оптическая запрещенная зона показала почти линейное изменение ~ 45 мэВ и ~ 99 мэВ при одноосном растяжении и двухосном растяжении (рисунок 1.4г) [37, 38].

Рисунок 1.4 - Основные характеристики ФЛ и различные подходы для регулирования параметров оптических запрещенных зон. (а) Спектры ФЛ монослоя MoS2. На вставке показаны соответствующие переходы нейтральных экситонов А1 и В1 на диаграмме зонной структуры. (б) Эффективность ФЛ как функция числа слоев в MoS2. (в) Спектры ФЛ монослоя MoS2 при различных напряжениях на затворе при комнатной температуре: А-резонанс возникает и усиливается с увеличением отрицательного уровня легирования в монослое MoS2. (г) Эволюция спектров ФЛ для монослоя MoS2 при одноосной деформации растяжения в диапазоне от 0 до 1,8 [39].

Колебательные свойства

Рамановская спектроскопия путем изучения положений характеристических пиков может предоставить информацию о характере ван-дер-ваальсовых взаимодействиях (например, количество слоев S-Mo-S в пленке, влияние

подложки), уровне легирования и деформации решетки MoS2. Дисульфид

2 1

молибдена MoS2 имеет две наиболее типичные колебательные моды, Е ё1 и А ё. Мода Е12ё представляет собой противоположную в плоскости вибрацию двух атомов S относительно атома Мо, находящегося между ними, а мода А1ё связана с

внеплоскостными колебаниями атомов S в противоположных направлениях, которые, как полагают, в большей степени подвержены влиянию межслойных

кулоновских взаимодействий на больших расстояниях по сравнению с модой

2 1 E ^[40, 41]. Именно поэтому частота, соответствующая моде А ^ заметно

меняется, когда монослой MoS2 находится на разных подложках, что изменяет

межслоевые взаимодействия, в то время как пик Е ^ показывает незначительный

сдвиг (рисунок 1.5а, б) [42]. По мере уменьшения толщины MoS2 (количества

1 2 слоев) мода А g претерпевает явное красное смещение. При этом неожиданно Е ^

показывает синий сдвиг, а не, обычно ожидаемый, красный сдвиг.

Предполагается, что аномальное поведение Е2^ возникает в результате изменения

конфигурации плоскости, вызванной суммированием кулоновских межслоевых

взаимодействий (рисунок 1.5в) [43]. На практике разница в волновых числах,

21

соответствующих модам Е ^ и А ^ широко используется для отражения слоя количество MoS2. Для монослоя MoS2 характерное значение этой разности находится в диапазоне от 17,5 до 21 см-1, и постепенно увеличивается по мере

увеличения количества монослоев до пяти, при котором различие в положении

2 1

мод Е ^ и А g становится характерным для объемного материала [44 - 48] Из спектра комбинационного рассеяния можно также оценить деформацию решетки преимущественно путем отслеживания эволюции моды плоской вибрации Е2^. Пик Е2^ имеет красное (синее) смещение при растяжении (сжатии), в то время как пик А^ практически не перемещается (рисунок 1.5г) [49]. Конли и др. сообщили о расщеплении пика Е2^, когда механически деформация растяжения на монослое MoS2 относительно велика (> 0,8%), и объяснили это явление вызванным деформацией нарушением симметрии кристалла [50].

волновое чиело (см ) Рисунок 1.5 - Колебательные свойства монослоя MoS2, охарактеризованные с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния света. (а) Сдвиг положения пика А^ (красные пунктирные линии), поскольку монослой MoS2 находится на разных подложках. 1Мо указывает, что монослой MoS2 находится на SiO2, в то время как Ш / 1Мо и 2G / 1Мо представляют, что монослой MoS2 находится на монослое и двухслойном графене соответственно. (б) Модель пружины,

л

показывающая две характерные моды колебаний монослоя MoS2 (Б ^ и А^), что также помогает понять чувствительность А^ к межслойному взаимодействию.

л

(в) Эволюция как в режиме Е так и в режиме А^ в зависимости от номера слоя.

л

(г) Изменение моды Е ^ трехслойного MoS2 при различных деформациях

сжатия [51]

Электрические свойства

Объемный MoS2 был описан как полупроводник п - и р - типа с непрямой запрещенной зоной (~ 1,3 эВ) и подвижностью носителей в диапазоне

9 11

50 - 200 см V- с- при комнатной температуре [52]. Даже один слой MoS2 обладает

2 11

высокой подвижностью электронов 200 см V- с- [53], при этом ширина запрещенной зоны становится прямой, и ее значение увеличивается до 1,8 эВ с уменьшением толщины до одиночного слоя S-Mo-S. Ширина запрещенной зоны

о

MoS2 и высокий коэффициент включения/выключения тока (10 ) делают монослои MoS2 очень привлекательными для различных применений в наноэлектронике.

Удельное сопротивление MoS2, параллельное плоскости с, составляет 12 Омсм, что по сути небольшое, а в направлении перпендикулярном с плоскости составляет 2^10 Ом.см [54]. Это значение может варьироваться в зависимости от концентрации легирующих элементов и совершенства структуры. При увеличении степени легирования обычно удельное сопротивление снижается, при росте количества структурных дефектов удельное сопротивление увеличивается [55].

Механические свойства

На основе результатов экспериментов с использованием зонда АСМ показано, что сверхтонкие пленки MoS2 обладают выдающимися механическими свойствами. Бертолаззи и др. [56] измерили жесткость и прочность на разрыв механического расслоенного монослоя MoS2, получив жесткость в плоскости 180 ± 60 Нм-1, что соответствует эффективному модулю Юнга 270 ± 100 ГПа. Такой высокий модуль Юнга сравним с модулем стали (180 ГПа). Перелом происходит, когда эффективная деформация достигает значений от 6 % до 11 % при средней прочности на разрыв 15 ± 3 Нм-1 (23 ГПа). Кастелланос-Гомес и др [57]. измерили упругие свойства взвешенных нанолепестков MoS2, имеющих толщины от 5 до 25 слоев S-Mo-S, и получили их средний модуль Юнга до 330 ± 70 ГПа. Кроме того, транзистор, состоящий из тонких пленок MoS2, обладает удивительно высокой гибкостью и способен сохранять подвижность своих носителей при кривизне 0,75 мм [58]. Расчеты показывают, что можно ожидать по высокую прочность на растяжение при двухосном растяжении и высокий модуль упругости, что находится в хорошем согласии с экспериментальными

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Хаттаб Юссеф, 2023 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Matte, R. MoS2 and WS2 analogues of graphene / R. Matte // Angew. Chem. Int. Ed. Engl. - 2010.- V. 49. - P. 4059-4062.

2. Song, I. Synthesis and properties of molybdenum disulphide: from bulk to atomic layers / I. Song, C. Park, H. C. Choi // RSC Adv. - 2015. - V.5. - P. 7495-7514.

3. Chhowalla, M. The chemistry of two-dimensional layered transition metal dichalcogenide nanosheets /M. Chhowalla // Nat. Chem. - 2013. -V. 5.- P. 263-275.

4. Rou, J.T. 3R phase of MoS2 and WS2 outperforms the corresponding 2H phase for hydrogen evolution / J.T. Rou, S. Zdenek, L. Jan, S. David, P. Martin // Chem. Commun.-2017. - V. 53. -P. 3054-3057.

5. Mohamed, R. A comparative study on the photocatalytic degradation of organic dyes using hybridized 1T/ 2H, 1T/3R and 2H MoS2 nano-sheets / R. Mohamed, G. Khabiri, A. Maarouf, S. G. Khalil // RSC Adv.- 2018. - V. 8.- P. 26364.

6. Han, S. A. Synthesis, properties and potential applications of two-dimensional transition metal dichalcogenides / S. A. Han, R. Bhatia, S.W. Kim // Nano Converg. -2015. -V. 2. -P. 17.

7. Fleischauer, P. D. Electronic structure and lubrication properties of molybdenum disulfide: a qualitative molecular orbital approach / P. D. Fleischauer, J. R. Lince, P. A. Bertrand, R. Bauer // J. Langmuir.-1989. -V. 5. - P. 1009-1015.

8. Lu, C. Bandgap, mid-gap states, and gating effects in MoS2 / C. Lu, G. Li, J. Mao, L.M. Wang, E. Y. Andrei // Nano Lett. - 2014. - V. 14. P. 4628-4633.

9. Butler, S.Z. Progress, challenges, and opportunities in two-dimensional materials beyond graphene / S. Z. Butler // ACS Nano. -2013. - V. 7. - P. 2898-2926.

10. Fleischauer, P.D. Electronic structure and lubrication properties of molybdenum disulfide: a qualitative molecular orbital approach / P. D. Fleischauer, J. R. Lince, P. A. Bertrand, R. Bauer // J. Langmuir. - 1989. - V. 5. - P. 1009-1015.

11. Splendiani, A. Emerging photoluminescence in monolayer MoS2 / A. Splendiani

// Nano Lett. -2010. - V. 10. - P.1271.

12. Ellis, J. K. The indirect to direct band gap transition in multilayered MoS2 as predicted by screened hybrid density functional theory / J. K. Ellis, M. J. Lucero, G. E. Scuseria// Appl. Phys. Lett. - 2011. - V. 99. - P. 261908.

13. Mak, F. Atomically thin MoS2 : A new directgap semiconductor / F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T. F. Heinz // Phys. Rev. Lett. - 2010. - V. 105. - P. 136805.

14. Splendiani A. Emerging photoluminescence in monolayer MoS2 / A. Splendiani // Nano Lett. - 2010. - V. 10. - P. 1271.

15. Ramasubramaniam, A. Large excitonic effects in monolayers of molybdenum and tungsten dichalcogenides / A. Ramasubramaniam // Phys. Rev. B. - 2012. -V. 86. -115409.

16. Cheiwchanchamnangij, T. Quasiparticle band structure calculation of monolayer, bilayer, and bulk MoS2 / T. Cheiwchanchamnangij, W. R. L. Lambrecht // Phys. Rev. B.- 2010. -V. 85. - 205302.

17. Komsa, H. Effects of confinement and environment on the electronic structure and exciton binding energy of MoS2 from first principles / H. Komsa, A. V Krasheninnikov // Phys. Rev. B. - 2012.- V. 86. - 241201.

18. Frindt, R.F. Physical properties of layer structures: optical properties and photoconductivity of thin crystals of molybdenum disulphide / R. F. Frindt, A. D. Yoffe // Proceedings of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences. -. 1963. - V. 273. - P. 1352.

19. Wang, Q. H. Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman, M. S. Strano // Nature Nanotechnology. - 2012. -V. 7. - P. 699-712.

20. A. R. Beal, A. R. Transmission spectra of some transition metal dichalcogenides. II. Group VIA: trigonal prismatic coordination / A. R. Beal, J. C. Knights and W. Y. Liang // Journal of Physics C: Solid State Physics. - 1972. -V. 5. - P. 3540-3551.

21. H. Zhang, Y. Ma, Y. Wan, X. Rong, Z. Xie, W. Wang and L. Dai, Measuring the refractive index of highly crystalline monolayer MoS2 with high confidence / H. Zhang, Y. Ma, Y. Wan, X. Rong, Z. Xie, W. Wang and L. Dai // Scientific Reports. - 2015. -

V.5. - P. 8440.

22. Splendiani, A. Emerging photoluminescence in monolayer MoS2 / A. Splendiani // Nano Lett. - 2010.- V.10. - P. 1271.

23. Ye, M. Recent advancement on the optical properties of two-dimensional molybdenum disulfide (MoS2) thin films / M. Ye, D. Winslow, D. Zhang, R. Pandey, Y. Yap // Photonics. - 2015. - V. 2. - P. 288-307.

24. Tonndorf, P. Photoluminescence emission and Raman response of monolayer MoS2 , MoSe2, and WSe2 / P. Tonndorf // Opt. Express, - 2013. -V. 21. -P. 4908-4916.

25. Splendiani, A. Emerging photoluminescence in monolayer MoS2 / A. Splendiani // Nano Lett. - 2010. - V. 10- P.1271.

26. Cheiwchanchamnangij, T. Quasiparticle band structure calculation of monolayer, bilayer, and bulk MoS2 / T. Cheiwchanchamnangij, W. R. L. Lambrecht // Phys. Rev. B. -2012. - V. 85. - 205302.

27. Alidoust, N. Observation of monolayer valence band spin-orbit effect and induced quantum well states in MoX2 / N. Alidoust, G. Bian, S. Xu // Nat. Commun.-2014. - V. 5. - P. 4673.

28. Splendiani, A. Emerging photoluminescence in monolayer MoS2 / A. Splendiani // Nano Lett. - 2010. - V. 10- P.1271.

29. Lin, J.D. Electron-doping-enhanced trion formation in monolayer molybdenum disulfide functionalized with cesium carbonate / J. D. Lin // ACS Nano. - 2014. -v. 8. -P. 5323-5329.

30. Mouri, S. Tunable photoluminescence of monolayer MoS2 via chemical doping / S. Mouri, Y. Miyauchi, K. Matsuda // Nano Lett.- 2013. - V. 13. - P. 5944-5948.

31. Mak, K.F. Tightly bound trions in monolayer MoS2 / K. F. Mak // Nat. Mater.-2013. -V. 12. - P. 207-211.

32. Mak, K.F. Tightly bound trions in monolayer MoS2 / K. F. Mak // Nat. Mater.-2013. -V. 12. - P. 207-211.

33. Yun, W. S. Thickness and strain effects on electronic structures of transition metal dichalcogenides: 2H-MX2 semiconductors (M = Mo, W; X = S, Se, Te) / W. S. Yun, S. W. Han, S. C. Hong, I. G. Kim, J. D. Lee // Phys. Rev. B. - 2012. - V. 85. -

033305.

34. Scalise, E. Strain-induced semiconductor to metal transition in the two-dimensional honeycomb structure of MoS2 / E. Scalise, M. Houssa, G. Pourtois, V. Afanas, A. Stesmans // Nano Res. - 2012. -V. 5. - P. 43-48.

35. Feng, J. Strain-engineered artificial atom as a broadspectrum solar energy funne. Nat / J. Feng, X. Qian, C. Huang, J. Li // Photonic. - 2012. -V. 6.- P. 866-872.

36. Conley, H.J. Bandgap engineering of strained monolayer and bilayer MoS2 / H. J. Conley // Nano Lett.- 2013. -V. 13. - P. 3626-3630.

37. S. Manzeli, S. Piezoresistivity and strain-induced band gap tuning in atomically thin MoS2 / S. Manzeli, A. Allain, A. Ghadimi, A. Kis // Nano Lett. - 2015. V. 15. - P. 5330-5335.

38. Wang, H. Physical and chemical tuning of twodimensional transition metal dichalcogenides / H. Wang, H. Yuan, S. Hong, Y. Cui // Chem. Soc. Rev. - 2015. -V.44.- P. 2664-2680.

39. Splendiani, A. Emerging photoluminescence in monolayer MoS2 / A. Splendiani // Nano Lett. - 2010. - V. 10- P.1271.

40. Ganatra, R. Few layer MoS2: A promising layered semiconductor / R. Ganatra, Q. Zhang // ACS Nano. - 2014. -V. 8. - P. 4074-4099.

41. Li, H. From bulk to monolayer MoS2: evolution of Raman scattering / H. Li // Adv. Funct. Mater. - 2012. - V. 22. -P. 1385-1390.

42. Zhou, K.G. Raman modes of MoS2 used as fingerprint of van der Waals interactions / K.G. Zhou // ACS Nano. - 2014. - V. 8. - P. 9914-9924.

43. Lee, C. Anomalous lattice vibrations of single- and few-layer MoS2 / C. Lee // ACS Nano. - 2010. V. 4.- P. 2695-2700.

44. Najmaei, S. Vapour phase growth and grain boundary structure of molybdenum disulphide atomic layers / S. Najmaei // Nat. Mater. - 2013. - V. 12. - P. 754-759.

45. Tonndorf, P. Photoluminescence emission and Raman response of monolayer MoS2 , MoSe2, and WSe2 / P. Tonndorf // Opt. Express, - 2013. -V. 21. -P. 4908-4916.

46. Lee, C. Anomalous lattice vibrations of single- and few-layer MoS2 / C. Lee // ACS Nano. - 2010. V. 4.- P. 2695-2700.

47. Wang, X. Controlled synthesis of highly crystalline MoS2 flakes by Chemical Vapor Deposition / X. Wang, H. Feng, Y. Wu, L. Jiao // J. Am. Chem. Soc. - 2013. - V. 135. -P. 5304-5307.

48. Hui, Y. Y. Exceptional tunability of band energy in a compressively strained trilayer MoS2 sheet / Y. Y. Hui // ACS Nano. - 2013. - V. 7. - P. 7126-7131.

49. Zhang, W. High-gain phototransistors based on a CVD MoS2 monolayer / W. Zhang // Adv. Mater.- 2013.- V. 25. -P. 3456-3461.

50. Liu, K. Elastic properties of chemical-vapor-deposited monolayer MoS2, WS2, and their bilayer heterostructures / K. Liu // Nano Lett.- 2014.- V. 14. - P.5097-5103.

51. Zhou, K.G. Raman modes of MoS2 used as fingerprint of van der Waals interactions / K.G. Zhou // ACS Nano. - 2014. - V. 8. - P. 9914-9924.

52. Kim, S. High-mobility and low-power thin-film transistors based on multilayer MoS2 crystals / S. Kim, A. Konar, W. S. Hwang, J. H. Lee, J. Lee, J. Yang, C. Jung, H. Kim, J. B. Yoo, J. Y. Choi, Y. W. Jin, S. Y. Lee, D. Jena, W. Choi and K. Kim // Nature Communications. - 2012. - V. 3. - P. 1011.

53. Radisavljevic, B. Single-layer MoS2 transistors / B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis // Nature Nanotechnology. - 2011. -V. 6. - P. 147-150.

54. Wilson, J. A. The transition metal dichalcogenides discussion and interpretation of the observed optical, electrical and structural properties / J. A. Wilson, A. D. Yoffe, // Advances in Physics. - 1969. - V. 18. - P. 193-335.

55. Kim, S. High-mobility and low-power thin-film transistors based on multilayer MoS2 crystals / S. Kim, A. Konar, W. S. Hwang, J. H. Lee, J. Lee, J. Yang, C. Jung, H. Kim, J. B. Yoo, J. Y. Choi, Y. W. Jin, S. Y. Lee, D. Jena, W. Choi and K. Kim // Nature Communications. - 2012. - V. 3. - P. 1011.

56. Bertolazzi, S. Stretching and breaking of ultrathin MoS2 / S. Bertolazzi, J. Brivio, A. Kis // ACS Nano. - 20111.- V. 5. - P. 9703-9709.

57. Castellanos-Gomez, A. Elastic properties of freely suspended MoS2 nanosheets / A. Castellanos-Gomez // Adv. Mater. - 2012.- V. 24. -P. 772-775.

58. Pu, J. Highly flexible MoS2 thin-film transistors with ion gel dielectrics / J. Pu // Nano Lett. - 2012. - V. 12. -p. 4013-4017.

59. Li, T. Ideal strength and phonon instability in single-layer MoS2 / T. Li // Phys. Rev. B.- 2012. - V. 85. - 235407.

60. Li, H. Fabrication of single- and multilayer MoS2 film-based field-effect transistors for sensing NO at room temperature / H. Li // Small. - 2012. - V. 8. - P. 6367.

61. Zhou, K.-G. A mixed-solvent strategy for efficient exfoliation of inorganic graphene analogues / K.-G. Zhou, N.-N. Mao, H.-X. Wang, Y. Peng, H.-L. Zhang // Angew. Chem. Int. Ed. Engl. - 2011. - V. 50. - P. 10839-10842.

62. Zeng, Z. Single-layer semiconducting nanosheets: high-yield preparation and device fabrication / Z. Zeng // Angew. Chem. Int. Ed. Engl. - 2011.- V. 50.- P. 1109311097.

63. Rao, C. N. R. Inorganic analogues of graphene / C. N. R. Rao, A. Nag // Eur. J. Inorg. Chem. -2010.- P. 4244-4250.

64. Gong, C. Metal contacts on physical vapor deposited monolayer MoS2 / C. Gong // ACS Nano. - 2013. - V. 7. - P. 11350-11357.

65. Wu, S. Vapor-solid growth of high optical quality MoS2 monolayers with nearunity valley polarization / S. Wu // ACS Nano. - 2013. - V. 7. - P. 2768-2772.

66. Zhan, Y. Large-area vapor-phase growth and characterization of MoS2 atomic layers on a SiO2 substrate / Y. Zhan, Z. Liu, S. Najmaei, P. M. Ajayan, J. Lou // Small. - 2012. -V. 8.- P. 966-971.

67. Castellanos A. Elastic properties of freely suspended MoS2 nanosheets / A. Castellanos, J. Gomez// Adv. Mater. - 2012. - V. 24. - P. 772-775.

68. Laskar, M. R. Large area single crystal (0001) oriented MoS2 / M. R. Laskar // Appl. Phys. Lett. - 2013. - V. 102. - 252108.

69. Lin, Y.C. Wafer-scale MoS2 thin layers prepared by MoO3 sulfurization / Y.C. Lin // Nanoscale. - 2012. -V. 4.- P. 6637-6641.

70. Wang, X. Controlled synthesis of highly crystalline MoS2 flakes by Chemical Vapor Deposition / X. Wang, H. Feng, Y. Wu, L. Jiao // J. Am. Chem. Soc.- 2103.- V. 135. -P. 5304-5307.

71. Liu, K. K. Growth of large-area and highly crystalline MoS2 thin layers on

insulating substrates / K. K. Liu // Nano Lett.- 2102. -V. 12. - P. 1538-1544.

72. Lee, Y.H. Synthesis of large-area MoS2 atomic layers with chemical vapor deposition / Y.H. Lee // Adv. Mater.- 2012. - V. 24. - P. 2320-2325.

73. Lee, Y.H. Synthesis and transfer of single-layer transition metal disulfides on diverse surfaces /Y.H. Lee // Nano Lett. - 2013. - V. 13. - P. 1852-1857.

74. Ling, X. Role of the seeding promoter in MoS2 growth by chemical vapor deposition / X. Ling // Nano Lett.- 2014. - V. 14. - P. 464-472.

75. Lee, Y.H. Synthesis of large-area MoS2 atomic layers with chemical vapor deposition / Y.H. Lee // Adv. Mater.- 2012. - V. 24. - P. 2320-2325.

76. Zande, A.M. Grains and grain boundaries in highly crystalline monolayer molybdenum disulphide / A. M. van der Zande // Nat. Mater.- 2013.- V. 12. - P. 554561.

77. Zhang, J. Scalable growth of high-quality polycrystalline MoS2 monolayers on SiO2 with tunable grain sizes / J. Zhang // ACS Nano. - 2014. -V. 8.- P. 6024-6030.

78. Chowdhury, S. Two-Step Growth of Uniform Monolayer MoS2 Nanosheets by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition / S. Chowdhury, A. Roy, C. Liu, , K. Sanjay // ACS Omega.- 2021. - V. 6.- P.10343-10351.

79. Kim, T. W. Wafer-scale production of highly uniform two-dimensional MoS2 by metal-organic chemical vapor deposition / T. W. Kim, J. Mun, H. Park, D. Joung, M. Diware, C. Won, J. Park, S.H. Jeong, S.o Kang // Nanotechnology.-2017.- V. 28. -18LT01.

80. Das, S. Beyond Graphene: Progress in Novel Two-Dimensional Materials and van Der Waals Solids / Das, S.; Robinson, J. A.; Dubey, M.; Terrones, H.; Terrones, M. // Annu. Rev. Mater. Res. -2015.- V. 45. P. 1- 27.

81. Kang, K. High-Mobility Three-Atom-Thick Semiconducting Films with Wafer-Scale Homogeneity / K. Kang, S. Xie, L. Huang, Han, Y. // Nature.- 2015.-V. 520. - P. 656-660.

82. Yu, Y.Controlled scalable synthesis of uniform, high-quality monolayer and few-layer MoS2 films / Y. Yu // Sci. Rep.- 2013.-V. 3.- P. 1866.

83. King, D. A. Growth and Properties of Ultrathin Epitaxial Layers / D. A. King, D. P. Woodruff, Elsevier, 1997.

84. Chowdhury, S. Two-Step Growth of Uniform Monolayer MoS2 Nanosheets by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition / S. Chowdhury, A. Roy, C. Liu, , K. Sanjay // ACS Omega.- 2021. - V. 6.- P.10343-10351.

85. Choi, S. H. Synthesis of Transition Metal Disulfides with Liquid Ammonium Sulfide as a Reliable Sulfur Precursor / S. H. Choi, C. S. Oh, S. Boandoh, W. Yang // Applied Science and Convergence Technology.- 2019.-V. 28.-P. 60-65.

86. Zhang, X. Influence of Carbon in Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Few-Layer WSe2 Thin Films / X. Zhang, Z. Y. Al Balushi, F. Zhang, T. H. Choudhury // Journal of Electronic Materials. - 2016.- V. 12.- P. 2101.

87. Marx, M., Metalorganic vapor-phase epitaxy growth parameters for two-dimensional MoS2 / M. Marx, A. Grundmann, Y.R. Lin // J. Elec. Mater. -2018.- V. 47. - P. 910-916.

88. Kwak, T. Growth behavior of wafer-scale two-dimensional MoS2 layer growth using metal-organic chemical vapor deposition / Kwak T., Lee J., So B., Choi U., Nam O. // J. Cryst. Growth. -2019. - V. 510. - P. 50-55.

89. Close, M. R., Synthesis and characterization of nanoscale molybdenum sulfide catalysts by controlled gas phase decomposition of Mo(CO)6 and H2S / M. R. Close , J. L. Petersen , E. L. Kugler // Inorg. Chem. -1999. - V. 38.- P. 1535-1542.

90. Ishihara, S. MOCVD of Monolayer MoS2 using novel molybdenum precursor i-Pr2DADMo(CO)3 / S. Ishihara, Y. Hibino, N. Sawamoto, H. Machida, H. Wakabayashi, A. Ogura // MRS Advances. -2018. - V. 3.- P. 379-384.

91. T. N. Enhanced photoelectrochemical activity in the heterostructure of vertically aligned few-layer MoS2 flakes on ZnO / T. N. Trung, D.B. Seo, N. D. Quang, D. Kim, E. Kim // Electrochimica Acta. - 2018.- V. 260. - P. 150-156.

92. Kumara, P. Horizontally and Vertically Aligned Growth of Strained MoS2 Layers with Dissimilar Wetting and Catalytic Behavior / P. Kumara , B. Viswanath // CrystEngComm. - 2017.- V. 19.- P. 5068.

93. Kumar, V. A predictive approach to CVD of crystalline layers of TMDs: the case

of MoS2 / V. Kumar, S. Dhar, T. H. Choudhury, S. A. Shivashankara, S. Raghavan, // Nanoscale.- 2015.- V. 7, P. 7802.

94. Kim, T. W. Wafer-scale production of highly uniform two-dimensional MoS2 by metal-organic chemical vapor deposition / T. W. Kim, J. Mun, H. Park, D. Joung, M. Diware , C. Won , J. Park , S.H. Jeong , S.o Kang // Nanotechnology.-2017.- V. 28. -18LT01.

95. Dhar, S. vapor deposition of MoS2 layers from Mo-S-C-O-H system: thermodynamic modeling and validation / S. Dhar, V. K. Kumar, T. H. Choudhury, S. A. Shivashankara and S. RaghavanChemic // Phys. Chem. Chem. Phys.- 2016.-V. 18. -P. 14918-14926.

96. Kim, T. W. Wafer-scale production of highly uniform two-dimensional MoS2 by metal-organic chemical vapor deposition / T. W. Kim, J. Mun, H. Park, D. Joung, M. Diware , C. Won , J. Park , S.H. Jeong , S.o Kang // Nanotechnology.-2017.- V. 28. -18LT01.

97. Zhang, S. Morphological Evolution of Vertically Standing Molybdenum Disulfide Nanosheets by Chemical Vapor Deposition / S. Zhang, J. Liu, K. H. Ruiz // Materials (Basel). - 2018. -V. 11. - P. 631.

98. JaeParkSang, S. Structural and optical characterization of MoS2 quantum dots defined by thermal annealing / S. JaeParkSang, W. Pak, E, KyuKim // Journal of Luminescence. - 2017.- V.183.- P. 62-67

99. Zhiming M. Wang, MoS2 Materials, Physics, and Devices / M. Zhiming, springer 2014.

100. Shang, S.L. Lateral Versus Vertical Growth of Two-Dimensional Layered Transition-Metal Dichalcogenides: Thermodynamic Insight into MoS2 / S.L. Shang, G. Lindwall, Y. Wang, J.M. Redwing, T. Anderson // Nano Lett. -2016. - V. 16. -P. 57425750.

101. Zhang, J. Enhanced Second and Third Harmonic Generations of Vertical and Planar Spiral MoS2 Nanosheets / J. Zhang, M. Ye, S. Bhandari, A. K. M. Muqri, F. Long, S. Bigham, Y. K. Yap // Nanotechnology.- 2017.-V. 28. - 295301.

102. Zhang, S. Morphological Evolution of Vertically Standing Molybdenum

Disulfide Nanosheets by Chemical Vapor Deposition / S. Zhang, J. Liu, K. H. Ruiz // Materials (Basel). - 2018. -V. 11. - P. 631.

103. Kumar, P. Horizontally and Vertically Aligned Growth of Strained MoS2 Layers with Dissimilar Wetting and Catalytic Behavior / P. Kumar, B. Viswanath // CrystEngComm. - 2017.- V.19. - P. 5068-5078.

104. Agrawal, A.V. Controlled growth of MoS2 flakes from in-plane to edge-enriched 3-D network and their surface energy studies / A. V. Agrawal, N. Kumar, S. Venkatesan, A. Zakhidov, C. Manspeaker, Z. Zhu // ACS Appl. Nano Mater. - 2018. -V. 1. - P. 2356-2367.

105. J. Park, J. Mun, J.S. Shin, S.W. Kang, Highly sensitive two-dimensional MoS2 gas sensor decorated with Pt nanoparticles / J. Park, J. Mun, J.S. Shin, S.W. Kang //R Soc Open Sci. - 2018. - V. 5. - 181462.

106. SikKim, H. Vertical growth of MoS2 layers by sputtering method for efficient photoelectric application / H. SikKim, M.D. Kumar, J.g Kim, D. Lim // Sensors and Actuators A: Physical. - 2018.- V. 269. -P. 355-362.

107. Li, H. Synthesis and characterization of vertically standing MoS2nanosheets / H. Li, H. Wu, S. Yuan, H. Qian // Scientific Reports.- 2016. - V. 6.- P. 21171.

108. Agrawal, A.V. Controlled growth of MoS2 flakes from in-plane to edge-enriched 3-D network and their surface energy studies / A. V. Agrawal, N. Kumar, S. Venkatesan, A. Zakhidov, C. Manspeaker, Z. Zhu // ACS Appl. Nano Mater. - 2018. -V. 1. - P. 2356-2367.

109. Inguva, S. Effect of substrate angle on the growth of MoS2 vertical nanosheets using a one-step chemical vapor deposition / S. Inguva, J.H. Cai // Mater. Res. Express.-2018.- V.5. - 075026.

110. Vil, R. A. Bottom-up synthesis of vertically oriented two-dimensional materials / R. A. Vil, K. Momeni, Q. Wang, B. M. Bersch, N. Lu, M. J. Kim, L. Q. Chen, J. A. Robinson // 2D Mater.- 2016.- V. 3 .- P. 41003.

111. Radisavljevic, B. Single-layer MoS2 transistors / B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis // Nature Nanotechnology. - 2011. -V. 6. - P. 147-150.

112. Liu, H. Highly ordered mesoporous MoS2 with expanded spacing of the (002)

crystal plane for ultrafast lithium ion storage / H. Liu, D. W. Su, R. F. Zhou, B. Sun, G. X. Wang, and S. Z. Qiao // Advanced Energy Materials. -2012.- V.2.-P. 970-975.

113. Du, G. Superior stability and high capacity of restacked molybdenum disulfide as anode material for lithium ion batteries / G. Du, Z. Guo, S. Wang, R. Zeng, Z. Chen, and H. Liu // Chemical Communications. - 2010. -V. 46.- P.1106-1108.

114. Hwang, H. MoS2 nanoplates consisting of disordered graphene-like layers for high rate lithium battery anode materials / H. Hwang, H. Kim, and J. Cho // Nano Letters. - V. 11. - P. 4826-4830.

115. Kim, S. High-mobility and low-power thin-film transistors based on multilayer MoS2 crystals / S. Kim, A. Konar, W. S. Hwang, J. H. Lee, J. Lee, J. Yang // Nature Communications.- 2012. - V. 3. - P. 1011.

116. Bao, W. Fuhrer High mobility ambipolar MoS2 field-effect transistors: Substrate and dielectric effects / W. Bao, X. Cai, D. Kim, K. Sridhara, M. S. Fuhrer // Applied Physics Letters. -2013.-V.102. - P. 042104.

117. S. Kim, A. Konar, W. S. Hwang, J. H. Lee, J. Lee, J. Yang, et al., High-mobility and low-power thin-film transistors based on multilayer MoS2 crystals // Nature Communications, vol. 3, p. 1011, 2012.

118. Das, S. High performance multilayer MoS2 transistors with scandium contacts / S. Das, H.Y. Chen, A. V. Penumatcha, and J. Appenzeller // Nano Letters. -2012.- V.13.

- P. 100- 105.

119. Mak, K. F. Control of valley polarization in monolayer MoS2 by optical helicity / K. F. Mak, K. L. He, J. Shan, and T. F. Heinz // Nature Nanotechnology. - 2012. - V. 7.

- p. 494-498.

120. Zeng, H. L. Valley polarization in MoS2 monolayers by optical pumping / H. L. Zeng, J. F. Dai, W. Yao, D. Xiao, and X. D. Cui // Nature Nanotechnology. - 21012. -V. 7. - P. 490-493.

121. Splendiani, A. Emerging Photoluminescence in Monolayer MoS2 / A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang // Nano Lett. - 2010.- V. 10. - P. 1271- 1275.

122. Mak, K. F. Atomically Thin MoS2: A New Direct-Gap Semiconductor / K. F. Mak, C. Lee, J. Hone // Phys. Rev. Lett. - 2010.- V. 105. - 136805.

123. Mak, K. F.; He, K. L.; Lee, C.; Lee, G. H.; Hone, J.; Heinz, T. F.; Shan, J. Tightly bound trions in monolayer MoS2 / K. F. Mak, K. L. He, C. Lee // Nat. Mater.- 2013. - V. 12. - P. 207-211.

124. Yin, Z. Single-Layer MoS2 Phototransistors / Yin, Z. Y.; Li, H.; Li, H.; Jiang, L.; Shi, Y. M.; Sun, Y. H.; Lu, G.; Zhang, Q.; Chen, X. D.; Zhang, H. // ACS Nano.- 2012.-V. 6. -P.74-80.

125. Choi, W. High-Detectivity Multilayer MoS2 Phototransistors with Spectral Response from Ultraviolet to Infrared / W. Choi, M. Cho // Advanced Materials.- 2012.-V. 24. -P. 5832- 5836.

126. Tsai, D. S. Trilayered MoS2 Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors: Photogain and Radiation Resistance / D. S. Tsai, D. H. Lien, M. L. Tsai, S. H. Su // Ieee J Sel Top Quant. - 2014.- P. 20.

127. Yu, W. J. Highly efficient gate-tunable photocurrent generation in vertical heterostructures of layered materials / W. J. Yu, Y. Liu, H. L. Zhou, A. X. Yin // Nature Nanotechnology. - 2013.- V. 8. - P. 952-958.

128. Esmaeili-Rad, M. R. High Performance Molybdenum Disulfide Amorphous Silicon Heterojunction Photodetector / M. R. Esmaeili-Rad, S. Salahuddin // Sci Rep-Uk.- 2013. - V.3 - P. 1433.

129. Ye, Y. Zhang, X. Exciton-related electroluminescence from monolayer MoS2 / Y. Ye, Z. L. Ye, M. Gharghi // Conf Laser Electr. 2014, P. 1236.

130. Fontana, M. Electron-hole transport and photovoltaic effect in gated MoS2 Schottky junctions / M. Fontana, T. Deppe, A. Boyd, // Sci Rep-Uk. - 2013. -V. 3. -P. 1634.

131. Britnell, L. Strong Light-Matter Interactions in Heterostructures of Atomically Thin Films / R. Ribeiro, M. Eckmann, A. Jalil, R. Belle, B. D.Mishchenko, A. Kim, Y. J.Gorbachev, R. V. Georgiou, T. Morozov, S. V. Grigorenko, A. N. Geim, . Casiraghi, C. Castro Neto, A. H. Novoselov, K. S. // Science. - 2013. -V. 340. -P. 1311-1314.

132. Eda, G. Two-Dimensional Crystals: Managing Light for Optoelectronics / G. Eda, S. A. Maier // ACS Nano. - 2013.- V. 7. -P. 5660-5665.

133. Lin, J. D. Plasmonic enhancement of photocurrent in MoS2 field-effect-transistor

/ J. D. Lin, H. Li, ; H. Zhang, W. Chen // Appl. Phys. Lett. -2013.- V. 102- P. 102.

134. Feng, J. Strain-engineered artificial atom as a broad-spectrum solar energy funnel / Feng, J.; Qian, X. F.; Huang, C. W.; Li, J. // Nat Photonics. - 2012. -V. 6. - P. 865-871.

135. Bellani ,S. Solution-processed two-dimensional materials for next-generation photovoltaics / S. Bellani, A. Bartolotta, A. Agresti, G. Calogero // Chem. Soc. Rev. -2021. -V. 50. -P. 11870-11965.

136. Wu, M. X. Economical and effective sulfide catalysts for dye-sensitized solar cells as counter electrodes / M. X. Wu, Y. D. Wang, X. Lin, N. S. Yu, L. Wang, L. L. Wang // Physical Chemistry Chemical Physics. - 2011 - V. 13. - P. 19298-19301.

137. Yuerui, L. 2D Materials for Nanophotonic Devices Developments, Devices, and Applications,/ L. Yuerui , lavoisier. 2019.

138. Wang, C.A. Self-Aligned, Extremely High Frequency III-V Metal-OxideSemiconductor Field-Effect Transistors on Rigid and Flexible Substrates /C. Wang, A.Chien, J. C. Fang, H. Takei, K. Nah, J. Plis, E. Krishna, S. Niknejad, A. M. Javey, A. // Nano Lett. - 2012 .- V. 12. - P. 4140-4145.

139. Yoon, C. Electrical Characteristics of GaAs Nanowire-Based MESFETs on Flexible Plastics / C. Yoon, Cho G. , S. Kim // IEEE Trans. Electron Devices. - 2011.-V. 58.- P.1096-1101.

140. Zhou, H. Fast flexible electronics with strained silicon nanomembranes / H. Zhou, J. Seo, H. Paskiewicz, D. M. Zhu, Y. Celler, G. K. Voyles, P. M. Zhou, W. D. Lagally, M. G. Ma, Z. Q // Sci Rep-Uk. -2013.- 3.

141. Nathan, A. Flexible electronics: The next ubiquitous platform / A. Nathan, ; A. Ahnood, M. T. Lee, S. Suzuki, Y. Hiralal, P. Bonaccorso, F. Hasan // Proceedings of the IEEE . - 2012. -V. 100.

142. Phan, H. D. Ultraclean and Direct Transfer of a Wafer-Scale MoS2 Thin Film onto a Plastic Substrate / H. D. Phan, Y. Lee, J. Liu, R. Choi, Y. Cho, J. H. Lee // Advanced Materials. - 2016.- 1603928.

143. Tsai, M.-Y. Flexible MoS2 field-effect transistors for gate-tunable piezoresistive strain sensors / M.-Y. Tsai, A. Tarasov, // ACS Applied Materials & Interfaces. - 2015.-V. 7. - P. 12850-12855.

144. Choi, W. Y. Tunneling field-effect transistors (TFETs) with subthreshold swing (SS) less than 60 mV/dec / W. Y. Choi, B. G. Park, J. D. Lee, T. J. K. Liu, // IEEE Electron Device Lett.- 2007.- V. 28. - P. 743-745.

145. Jeon, K. Si Tunnel Transistors with a Novel Silicided Source and 46mV/dec Swing / K. Jeon, W. Y. Patel, P. Majhi, P. Tseng // S Vlsi Tech. - 2010. - P. 121- 122.

146. Kim, S. H. Germanium-Source Tunnel Field Effect Transistors with Record High ION/IOFF 2009 Symposium on VLSI Technology / S. H. Kim, // Digest of Technical Papers. - 2009 .- P.178-179.

147. Krishnamohan, T. Double-Gate Strained-Ge Heterostructure Tunneling FET (TFET) With Record High Drive Currents and < 60mV/dec Subthreshold slope / T. Krishnamohan, D. Kim, S. Raghunathan, Saraswat // Int El Devices Meet. - 2009.-P.947-949.

148. Leonelli, D. Performance Enhancement in Multi Gate Tunneling Field Effect Transistors by Scaling the Fin-Width / Leonelli, D.; Vandooren, A.; Rooyackers, R. // Jpn J Appl Phys.- 2010.- V. 49.- 04DC10.

149. Chai, Y. Strain Gated Bilayer Molybdenum Disulfide Field Effect Transistor with Edge Contacts / Y. Chai, S. Su // Sci Rep-Uk. - 2017.- V. 7. -P. 41593.

150. Conley, H. J. Bandgap Engineering of Strained Monolayer and Bilayer MoS2 / H. J. Conley, B. Wang, J. I. Ziegler // Nano Lett.- 2013. - V. 13. - P. 3626-3630.

151. Johari, P.; Shenoy, V. B. Tuning the Electronic Properties of Semiconducting Transition Metal Dichalcogenides by Applying Mechanical Strains / P. Johari, , V. B. Shenoy // ACS Nano.- 2012.- V. 6. - P. 5449-5456.

152. Lloyd, D. Band Gap Engineering with Ultralarge Biaxial Strains in Suspended Monolayer MoS2 / D. Lloyd, X. Liu, J. W. Christopher, L. Cantley // Nano Lett. - 2016. -V. 16. - P. 5836-5841.

153. Liu, Z. Y. Thickness-Gradient Films for High Gauge Factor Stretchable Strain Sensors / Z. Y. Liu, D. P. Qi, P. Z. Guo, // Advanced Materials.- 2015.- V. 27. -P. 62306237.

154. Lemme, M.C. Two-Dimensional Materials for Optoelectronics Applications / M.C. Lemme, L.J. Li, T. Palacios, F. Schwierz // MRS Bulletin. - 2014. -V. 39. - P.

711-718 .

155. Ruiz, K. H. Effect of microstructure on HER catalytic properties of MoS2 vertically standing nanosheets / K. H. Ruiz, J. Liu, R.Tu, M. Li, S. Zhang // Journal of Alloys and Compounds. - V. 747. - P. 100-108.

156. Gnanasekar, P. Vertically aligned MoS2 nanosheets on graphene for highly stable electrocatalytic hydrogen evolution reactions / P. Gnanasekar, D. Periyanagounder, J Kulandaive // Nanoscale. - 2019.- V.11. - P. 2439-2446.

157. Lawrowski, R. Field emission from nanotubes and flakes of transition metal dichalcogenides / R. Lawrowski, L. Pirker, K. Kaneko // Journal of Vacuum Science & Technology B. - 2020. -V. 38. - 032801.

158. Deokar, G. Large area growth of vertically aligned luminescent MoS2 nanosheets / G. Deokar, N. S. Rajput, P. Vancso, F. Ravaux, M. Jouiad, D. Vignaud // Nanoscale. -2017. -V. 9. -P. 277-287.

159. Trung, T.N. Enhanced photoelectrochemical activity in the heterostructure ofvertically aligned few-layer MoS2 flakes on ZnO / T.N. Trung, D.B. Seo, N. Duc, Q.D. Kim, E. TaeKim // Electrochimica Acta. - 2018. - V. 260. - P. 150-156.

160. Majee, B.P. Surface-Enhanced Raman Scattering Detection Based on InterconnectedNetwork of Vertically Oriented Semiconducting Few-Layer MoS2 Nanosheets / B. P. Majee, V. Srivastava, A. K. Mishra // ACS Appl. Nano Mater. -2020. - V. 3. - P. 4851-4858.

161. Tinoco, M. Metallic edge states in zig-zag vertically-oriented MoS2 nanowalls / M. Tinoco, L. Maduro, S. Conesa-Boj // Sci Rep. - 2019. - V. 9. - P. 15602.

162. Liu, H. Highly ordered mesoporous MoS2 with expanded spacing of the (002) crystal plane for ultrafast lithium ion storage / H. Liu, D. W. Su, R. F. Zhou, B. Sun, G. X. Wang, and S. Z. Qiao // Advanced Energy Materials. - 2012. - V. 2. - P. 970-975.

163. Du, G. Superior stability and high capacity of restacked molybdenum disulfide as anode material for lithium ion batteries / G. Du, Z. Guo, S. Wang, R. Zeng, Z. Chen, and H. Liu // Chemical Communications. - 2010. -V. 46. -P. 1106-1108.

164. Hwang, H. MoS2 nanoplates consisting of disordered graphene-like layers for high rate lithium battery anode materials / H. Hwang, H. Kim, and J. Cho // Nano

Letters. - 2011. - V. 11, P. 4826-4830.

165. Raybaud, P. Ab initio study of the H2-H2S/MoS2 gas-solid interface: The nature of the catalytically active sites / P. Raybaud, J. Hafner, G. Kresse, S. Kasztelan, and H. Toulhoat // Journal of Catalysis. - 2000. - V. 189. - P. 129-146.

166. Chen, J. Synthesis of open-ended MoS2 nanotubes and the application as the catalyst of methanation / J. Chen, S. L. Li, Q. Xu, and K. Tanaka // Chemical Communications. - 2002. -P. 1722-1723.

167. Daage M. Structure-function relations in molybdenum sulfide catalysts - the rim-edge model / M. Daage and R. R. Chianelli // Journal of Catalysis. - 1994. -V. 149. - P. 414-427.

168. Hu, K. H. Morphological effect of MoS2 nanoparticles on catalytic oxidation and vacuum lubrication / K. H. Hu, X. G. Hu, and X. J. Sun // Applied Surface Science. -2010. -V. 256. - P. 2517-2523.

169. Li, Y.G. MoS2 nanoparticles grown on graphene: An advanced catalyst for the hydrogen evolution reaction / Y. G. Li, H. L. Wang, L. M. Xie, Y. Y. Liang, G. S. Hong, and H. J. Dai // Journal of the American Chemical Society. - 2011. - V. 133. - P. 7296-7299.

170. Kao,K. C. Dielectric Phenomena in Solids With Emphasis on Physical Concepts of Electronic Processes: text book / K.C. Kao Elsevier,2004.

171. Sreedhara, M.B. Atomic layer deposition of crystalline epitaxial MoS2 nanowall networks exhibiting superior performance in thin-film rechargeable Na-ion batteriesEffect of microstructure on HER catalytic properties of MoS2 vertically standingnanosheets / M. B. Sreedhara // J. Mater. Chem. A. - 2018.- V. 6. - P. 23022310.

172. Djerdj, I. Rietveld Refinement in the Characterization of Crystalline Materials //Igor Djerdj MDPI 2019.

173. Tan, P.H. Raman Spectroscopy of Two-Dimensional Materials / Ping-Heng Tan , springer 2019.

174. Z. Wu, Z. Ni, Spectroscopic investigation of defects in two dimensionalmaterials / Z. Wu, Z. Ni // Nanophotonics.- 2017. - V. 6.- P. 1219-1237.

175. Yang, L. Lattice strain effects on the optical properties of MoS2 nanosheets. / L. Yang, X. Cui, J. Zhang, K. Wang // Sci Rep. - 2014.- V.4. - P.5649.

176. Huang, F. Influence of Interfacial Tensile Strain on Charge Transport Characteristics of MoS2-based VerticalHeterojunction Devices / F. Huang, B. Cho, H. Chung, S. B. Son, J. H. Kim, T. Bae, H. J. Yun, J. I. Sohn, K. H. Oh, M. G. Hahm, J. H. Park, W. Hong // Nanoscale. - 2016. - V.8.- P. 17598.

177. Syariati, A. Photoemission spectroscopy study of structural defects in molybdenum disulfide (MoS2) grown by chemical vapor deposition (CVD) / A. Syariati, S. Kumar, A. Zahid, A. A. Yumin, J. Ye, P. Rudolf // Chem. Commun.- 2019. - V. 55. - P.10384.

178. M. Chatti, T. Gengenbach, R.l King, L. Spiccia, A. N. Simonov, Few-layered MoS2 Vertically Aligned on 3D Interconnected Porous Carbonnanosheets for Hydrogen Evolution / M. Chatti, T. Gengenbach, R.l King, L. Spiccia, A. N. Simonov // Chemistry of Materials. - 2017. -V. 29. -P. 3092-3099.

179. Liua, Y. FeCo-based hybrid MOF derived active species for effective oxygenevolution / Y. Liua, C. Wang // Progress in Natural Science: Materials International. - 2020. - V. 30. - P. 185-191.

180. Wei, W.C. J. Processing and Properties of (Mo,Cr) Oxycarbides from MOCVD / W.C. J. Wei, M.H. Lo // Appl. Organometal. Chem.- 1983. -V. 12. - P. 201-220.

181. Li, H. From bulk to monolayer MoS2: evolution of Raman scattering / H. Li // Adv. Funct. Mater. - 2012. - V. 22. -P. 1385-1390.

182. Islam M. A. Noble metal-coated MoS2 nanofilms with vertically-aligned 2D layers for visible light-driven photocatalytic degradation of emerging water contaminants / M. A. Islam, J. Church, C. Han, H.S. Chung // Sci Rep. - 2017. - V. 7. -P. 14944.

183. Li, H. Synthesis and characterization of vertically standing MoS2 nanosheets / H. Li, H. Wu // Sci Rep. - 2016. - V. 6. - P. 21171.

184. Liu, K.K. Growth of Large-Area and Highly Crystalline MoS2 Thin Layers on Insulating Substrates / K.K. Liu, W. Zhang, Y.H. Lee // Nano Letters.- 2012.- V. 12. -P. 1538-1544.

185. https://thiscondensedlife.wordpress.com/2015/07/23/transport-signatures-of-charge-density-waves/

186. Yu, Y. High phase-purity 1T'-MoS2- and 1T'-MoSe2-layered crystals / Y. Yu, G.H. Nam, Q. He, X.J. Wu // Nat Chem. - 2018. - V.10. - P. 638-643.

187. Tanner, D. Optical Effects in Solids: text book/ D. Tanner, Cambridge University Press, 2009.

188. Diebold, A. Optical and Electrical Properties of Nanoscale Materials: text book / A. Diebold, T. Hofmann Springer Series in Materials Science. 2021.

189. Piatti, E. Possible charge-density-wave signatures in the anomalous resistivity of Li-intercalated multilayer MoS2 / E. Piatti, Q. Chen, M. Tortello, J. Ye, R. S. Gonnelli // Applied Surface Science. - 2018. -V. 461. - P. 269-275.

190. Khattab, Y. Luminescent vertically oriented nanosheets MoS2 by low temperature MOCVD / Y.Khattab, S.E.Alexandrov and I.Mukhin // Phys.: Conf. Ser. -2020-V. 1695. -P. 012029 .

191. Khattab, Y. Influence of the Deposition Temperature on the Structure of Thin Molybdenum Disulfide Films Formed by Chemical Vapor Deposition / Y. Khattab, S. E. Aleksandrov, V. V. Fedorov, O. Yu. Koval // Russ. J. Appl. Chem. - 2021.-V. 94. -P. 1044-1051.

192. Х. Юссеф Оптические и электрические свойства вертикальных MoS2 наноструктур / Х. Юссеф // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. - 2022. - Т. 24. - № 6. - С. 18-25.

193. Х. Юссеф Исследование закономерностей процесса химического осаждения дисульфида молибдена из газовой фазы в системе MO(CO)6-C2H6S2/ Х. Юссеф // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. - 2022. - Т. 24. - № 6. - С. 25-31.

194. Y. Khattab Edge effect on optical and electrical properties of MoS2 nano-size vertical nanosheets / Y. Khattab, S. E. Alexandrov// St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. - 2023. -No S3.1. - P. 10-16.