Плёнки диоксида ванадия в устройствах индикаторной техники и микроэлектроники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, доктор технических наук Олейник, Анатолий Семёнович

• Олейник, Анатолий Семёнович
• доктор технических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор технических наук Олейник, Анатолий Семёнович

Введение.

1 Исследование кристаллической структуры, морфологии поверхности и электрических, оптических свойств слоев У02, полученных путем окисления на воздухе пленок V.

1.1 Фазовый состав, распределение фаз по толщине оксидного слоя ванадия, отклонение от стехиометрии слоя фазы У в зависимости от технологии изготовления.

1.2 Электрические параметры оксидного слоя ванадия в зависимости от его толщины.

1.3 Оптические свойства среды А£-У

1.4 Размеры и форма кристаллитов оксидного слоя ванадия в зависимости от вариации технологии изготовления.

2. Технология изготовления сред А£-У02-Д (диэлектрик) и их оптические и светотехнические параметры.

2.1 Технология изготовления, цветовые переходы, яркостные и цветовые контрастности сред А£-У02.

2.2 Отработка технологии изготовления сред А£-У02 с заданной петлей термического гистерезиса.

2.3 Технология изготовления сред А£-У02 на гибких диэлектрических подложках.

2.4 Отработка процессов изготовления пленочных структур А€-У02-АК-11ЗФ, А£-У02-8Ю2, А£-У02-А£20э.

3. Исследования эксплуатационных параметров преобразователей изображения на основе термохромных сред А£-У02-Д.

3.1 Потребляемая мощность, время реакции и релаксации преобразователей изображения.

3.2 Пороговая чувствительность, порог разрушения среды

3.3 Дифракционная эффективность трёхслойных термохромных сред

3.4 Долговечность и стойкость к механическим нагрузкам, воздействию оптического и ионизирующего излучений.

4. Конструкции устройств регистрации, записи и хранения оптической информации.

4.1 Преобразователи изображения А£-У02-Д на гибких диэлектрических подложках в аэродинамических экспериментах.

4.2 Модуль на основе термохромных индикаторов для отображения буквенно-цифровой информации.

4.3 Визуализатор оптического излучения.

4.4 Голографический транспарант. 211 4.4.1 Голографические транспаранты на основе среды А^-УОг-Д в устройствах когерентно-оптической обработки информации.

5. Конструкции устройств измерений, записи и ослабления электромагнитного излучения.

5.1 Приемники оптического излучения.

5.2 Автономный измеритель распределения энергии мощности) излучения ОКГ.

5.3 Анализатор пространственно-энергетических характеристик лазерного излучения.

5.4 Модуль ИК - излучения.

5.5 Терморегулируемый ограничитель СВЧ мощности. 284 Выводы. 291 Литература. 295 Приложение. Программа сбора, обработки и визуального отображения измерительной информации

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Плёнки диоксида ванадия в устройствах индикаторной техники и микроэлектроники»

Настоящая работа направлена на решение задач по разработке новой технологии изготовления оптической реверсивной термохромной среды, предназначенной для отображения, записи и хранения оптической информации и созданию на её основе промышленных устройств индикаторной техники и изделий оптоэлектроники.

Исследование термохромных свойств оксидной плёнки ванадия, разработка серийной технологии её изготовления, а также разработка индикаторных устройств отображения информации на основе окисно-ванадиевой плёнки проводилось исследование в период с 1975 по 1988 годы в НИИ знакосинтезирующей электроники «Волга» г. Саратов совместно с ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР. Указанные работы входили в отраслевую программу МЭП СССР «Обеспечение народного хозяйства СССР вакуумными люминесцентными индикаторами, интегральными схемами управления и индикаторными устройствами». Итоги выполнения программы в части разработки нового термохромного материала и создания средств визуального отображения информации на его основе отражены в работе [1] и заключаются в следующем:

1. разработана и внедрена в серийное производство НИИ «Волга» технология изготовления окиснованадиевых плёнок размером 100 х 100 мм с заданными термохромными параметрами. Выход годных плёнок составляет не менее 84%;

2. на основе окиснованадиевых плёнок созданы:

- новый класс термохромных знакосинтезирующих индикаторов ОД0.339.301ТУ с площадью информационного поля от 1 до 100 см и размером знака от 40 до 80 мм;

- конструкция плоского многосекционного табло для отображения буквенно-цифровой и мнемонической информации;

- промышленный образец визуализатора электромагнитного излучения ВИ-1 ОД0.335.407ТУ, для экспрессного анализа распределения энергии (мощности) по сечению луча ОКГ на длинах волн 0,337-40,6 мкм;

- конструкции плёночных структур ФТИРОС-фотопроводник, ФТИРОС-рентгенпроводник для записи, хранения ближнего инфракрасного и рентгеновского излучения.

Недостатком термохромных индикаторов [2-3] является их низкое быстродействие, поэтому они могут применяться в устройствах группового и коллективного пользования, где можно сочетать тенденцию к увеличению размеров индикатора или всего устройства с потребляемой мощностью и требуемым быстродействием. Указанные индикаторы предназначены для эксплуатации в условиях внешней освещенности выше некоторого минимума, например, от комнатного до прямого солнечного освещения. Важным фактором является возможность цветового кодирования отображаемой информации, так как в зависимости от технологии изготовления [4] цветовые переходы таких индикаторов могут охватывать любой из видимого диапазона спектра.

Визуализация излучения в УФ, видимой и ИК-областях спектра с помощью визуализатора электромагнитного излучения ВИ-1 [5] обеспечивает проведение контрольно-юстировочных работ при регулировках и настройках лазерных источников излучения. Недостатком прибора является необходимость привлечения дополнительных средств (набора калиброванных нейтральных светофильтров) при экспрессном исследовании структуры электромагнитных полей по сечению лазерного луча.

Наибольший интерес к новой реверсивной термохромной среде на основе диоксида ванадия проявляется при использовании её для целей оптоэлектроники. Применение в оптоэлектронике пленочных сред на основе диоксида ванадия связано со значительными изменениями их оптических и электрических свойств при фазовом переходе полупроводник-металл (ФППМ), обусловленным нагревом сред в диапазоне 44^-75 °С [6]. Фазовым переходом в средах на основе диоксида ванадия управляют путем их нагрева непосредственной кондукцией, пропусканием электрического тока, а также падающим излучением в ультрафиолетовом, видимом инфракрасном диапазоне длин волн. ФППМ в указанных средах протекает за время 10"11 с, характеризуется наличием температурного гистерезиса оптических и электрических свойств, что обеспечивает реверсивную память [7]. По данным работы [8], среда А£-УС>2 обладает: постоянной чувствительностью 10"4 и

3 2

10" Джхсм" в режиме памяти соответственно в диапазонах длин волн 0,3+3,37мкм и 5ДН10, бмкм; разрешающей способностью в режиме адиабатической засветки соответственно не менее 1000 и 100 мм"1 на длинах волн 1,06 и 10,6 мкм; сохраняет эксплуатационные параметры при цикличности записи-стирания информации не менее 109. К недостаткам среды АЕ-У02, получаемой по способу [9], следует отнести сравнительно низкую величину дифракционной эффективности в видимой 0,5 % и инфракрасной областях спектра 1,4 %, а также необходимость защиты среды от влаги. Следует заметить, что температуру фазового перехода можно варьировать вплоть до комнатной с помощью легирования пленок диоксида ванадия [8].

В период с 1989 до 1992 годов в НИИ «Волга», в соответствии с программой важнейших работ по ВПК, проводились разработки новых технологий с целью изготовления термохромной среды А£-У02-Д (алюминиевое зеркало - слой У02 - слой диэлектрика) с улучшенными оптическими параметрами.

В настоящее время разработано большое число материалов, предназначенных для записи, хранения оптической информации с различными принципами действия, допускающими многократную перезапись оптической информации: фототермопластические, фотохромные, электрооптические, магнитооптические и термохромные [10-14]. Общие требования к реверсивным средам сводятся: запоминающая среда должна быть физически и химически стабильной в течение длительного времени, выдерживать не менее 109 циклов запись-стирание без изменения рабочих характеристик, обладать высокой чувствительностью при записи и эффективностью при считывании записанной информации, возможностью эксплуатации как в нормальных условия, так и в условиях воздействия атмосферных факторов и ионизирующих излучений. Кроме того, требования к оптическим характеристикам сред зависят от способа записи, считывания и стирания. Для записи с поразрядной организацией используют двухмерные среды (пленки толщиной порядка 0,2 мкм). При голографической записи используют как двухмерные, так и трехмерные среды. Очень важными параметрами являются высокая плотность записи и возможно большее отношение пороговой энергии разрушения материала среды к пороговой энергии записи. Как видно из вышеперечисленного, сравнительный анализ достоинств и недостатков регистрирующих сред проводят по большому числу параметров, и они зависят от конкретного назначения устройства, его технологичности и экономичности и т.д. В таблице 1 приведены реверсивные регистрирующие среды, выпускаемые промышленностью и пригодные для записи оптической информации в реальном масштабе времени [12-14].

Фототермопластические материалы имеют дифракционную эффективность ~ 34%, а их чувствительность такая же, как у фотоэмульсии. Недостатками фототермопластиков являются малая скорость записи и стирания, а также небольшая цикличность. Скорость записи - стирания ограничивается скоростью отвода тепла от подложки после воздействия каждого проявляющего и стирающего теплового импульса, а увеличение цикличности возможно с уменьшением вредного воздействия коронного разряда на термопластике. Среди магнитооптических материалов наиболее перспективны висмутзамещенные феррогранатовые плёнки, недостатками которых являются сравнительно высокая энергия записи и не очень высокая разрешающая способность, при относительно не высокой дифракционной эффективности К10%.

Таблица В. 1. Характеристики реверсивных сред.

Материал Спектральная чувствительность, мкм Энергия записи, Дж/см2 Разрешающая способность, мм"1 Время 1 Число циклов запись-стирание Время хранения

Записи, с. 1 Стирания, с.

Фототермопластические 0,48 - 0,63 ю"Мо-5 4100 10"2 Ю"4 103 неограниченно

Магнитооптические неселективны ю-2 500 10"6 10"6 неограниченно неограниченно

Термо-хромные неселективны ю-4 2000 ю-9 3-Ю'7 неограниченно неограниченно

Термохромная среда А^-УОг по чувствительности и разрешающей способности находится между фототермопластическими и магнитооптическими материалами. Недостатком среды А£-У02 является низкая дифракционная эффективность -1,4% и постоянная потребления энергии в режиме хранения информации. Технологический процесс изготовления среды А£-У02 по сравнению с выше указанными средами отличается чрезвычайной простотой и базируется на серийно выпускаемом оборудовании.

Существуют реальные возможности по управлению оптическими и электрическими свойствами сред на основе пленок диоксида ванадия путем вариации технологического режима их изготовления. Исследованию путей достижения этих возможностей и посвящена настоящая работа.

Большой интерес и практическое значение вызывает использование 1 реверсивных сред для побитовой и голографической записи оптической информации в запоминающих устройствах, а также в схемах оптических корреляторов и оптических процессоров [13,15-17]. Для указанных целей актуальна разработка голографического транспаранта с термоуправлением на основе пленочной структуры А£-У02-Д и разработка устройства направленного источника ИК-излучения с регулируемой длительностью и частотой следования импульсов, обеспечивающую побитовую запись.

Появление термохромной реверсивной среды на основе плёнок УОг стимулировало возникновение многих направлений её применения, где ожидаются значительные технические результаты и экономический эффект. Такой областью применения является экспериментальная аэродинамика, в которой проводятся измерения тепловых потоков на поверхности различных тел, обтекаемых потоком газа [18]. Использование для этих целей термохромной среды А£-УОг на гибкой диэлектрической подложке, обладающей малой инерционностью, высокой реверсивностью, повышает достоверность, скорость получения информации, а также дает возможность многократного повторения эксперимента без изменения условий обтекания контролируемого тела потоком газа и вытеснит применяющуюся для этих целей плоскую термочувствительную среду на основе жидких кристаллов [18]. Узкий температурный диапазон перехода одного цвета в другой (0,1-^5 °С), большая инерционность ~ 0,1 с жидких кристаллов накладывают трудности в регистрации изменения цвета во времени, а также в определении местоположения цветовой картины.

Другим перспективным направлением является разработка тепловых приёмников, способных регистрировать импульсное излучение с пико-секундной длительностью [19]. Применение в качестве термочувствительного слоя приёмника плёнки У02 позволяет выполнить приёмник с указанными характеристиками и размером приёмной площадки достигающей сотни квадратных сантиметров, при этом сохраняется равномерное распределение чувствительности по приемной площадке. Кроме того, конструкция приемника отличается простотой, высокой долговечностью и стойкостью к различным факторам внешнего воздействия (приемники могут использоваться в космическом пространстве).

С целью микроминиатюризации элементов и устройств СВЧ целесообразна разработка термоуправляемого ограничителя СВЧ-мощности на основе плёнок У02 в щелевых линиях передачи.

Продолжение развитие работ по данным направлениям проводятся в Саратовском государственном техническом университете, где и выполнен основной объём диссертационной работы.

Целью диссертационной работы являлась разработка термохромных реверсионных сред на основе пленок диоксида ванадия с улучшенными оптическими параметрами, а также конструкций устройств для отображения, регистрации, визуализации, записи и хранения оптической информации. Это достигнуто:

1. Проведением всесторонних физических исследований методами термографии, рентгено- и электронографии, вторично-ионной масс-спектрометрии, растровой электронной микроскопии процесса формирования оксидных пленок ванадия путем окисления на воздухе, напыленных плёнок ванадия на жестких и гибких диэлектрических подложках.

2. Проведением комплексных исследований зависимости оптических и электрических свойств слоя ванадия от технологии его изготовления.

3. Разработкой новых способов изготовления преобразователей изображения на основе плёночной структуры А£-У02-Д (диэлектрик) на жестких и гибких диэлектрических подложках.

4. Разработкой серийной технологии изготовления среды А£-У02-Д на жестких и гибких диэлектрических подложках, базирующейся на серийно выпускаемом оборудовании, обеспечивающим получение среды с заданными параметрами при массовом изготовлении.

5. Проведением комплексных испытаний преобразователей изображения на основе структуры А£-У02-Д на долговечность в условиях воздействия механических нагрузок, климатических факторов, стойкости к воздействию оптического и ионизирующего излучений.

6. Разработкой методов расчета и схем измерения светотехнических, оптических, голографических характеристик среды А£-У02-Д.

7. Применением методов расчета нестационарной теплопроводности для полупространства с ограниченным источником энергии, расчета конечных элементов одномерного нестационарного температурного поля для оценки плотности энергии в зависимости от длительности импульса излучения, вызывающей нагрев среды А£-У02-Д до заданной температуры и разрешающей способности среды, метода решения нестационарного нагрева неограниченной пластины источником постоянной мощности и её охлаждения для расчета потребляемой мощности, времени реакции и релаксации преобразователей изображения на основе среды А£-У02-Д.

8. Разработкой устройства для исследования распределения тепловых потоков на поверхности тел сложной формы с использованием среды А£-У02-Д, выполненной на полиимидной подложке.

9. Разработкой устройств индикаторной техники и опто- и микроэлектроники:

- модулей из 5x7 термохромных индикаторов для отображения буквенно-цифровой информации в устройствах группового и коллективного пользования для эксплуатации в условиях освещенности от интенсивной внешней до комнатной; визуализатора оптического излучения на основе среды А£-У02-Д с управляемым терморегулятором обеспечивающим экспрессный контроль пространственно-энергетических характеристик импульсного и непрерывного лазерного излучения; голографического транспаранта на основе среды А£-У02-Д с

•у термоуправлением и размером рабочего поля от 12x12 до 48><60мм , обладающего оптической эффективностью не менее 2% на длинах волн: 0,9; 1,06; 1,15 мкм предназначенного для корреляторов, обеспечивающих обработку двумерных изображений; многоэлементных тепловых приемников на основе пленок VO2 и схем их управления с диаметром приемной площадки 2,3+2,8 мм регистрирующих излучение с длительностью импульса 10"9-Мс, с диапазоном измерения на длинах г л волн 0,3^3,39 мкм и 5,0-^-10,6 мкм соответственно от 3-10" до 1,3 Дж/см и от 1,3-10"5 до 5,8 Дж/см2; автономного измерителя распределения энергии (мощности) импульсного и непрерывного лазерного излучения ИРЭ - 24 на длинах волн 0,3-Н0,6мкм, содержащего многоэлементный приемник из пленки V02, видеоконтрольный блок, осуществляющий визуализацию в четырех цветах и оцифровку измерительной информации; анализатора, пространственно - энергетических характеристик импульсного и непрерывного лазерного излучения на длинах волн 0,3-^-10,бмкм, содержащего многоэлементный приёмник на основе VO2 персональный компьютер IBM PC/XT и устройство сопряжения; модуля ИК-излучения со схемой управления на основе импульсного полупроводникового лазера на длине волны 0,89 мкм для записи побитовой оптической информации; термоуправляемого ограничителя СВЧ-мощности на основе пленок VO2 в щелевых линиях передачи, обеспечивающего на частотах 7-40 ГГц затухание СВЧ - колебаний до 10 дБ, при неравномерности АЧХ 0,5 дБ и начальных потерях 1,8 дБ.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Олейник, Анатолий Семёнович

291 Выводы

1. Выявлено, что рост оксидной пленки при окислении слоя ванадия толщиной с1 на воздухе при 480 ±10° С происходит по параболическому закону с преобладанием диффузии ионов металла над ионами кислорода, что приводит к формированию оксидной пленки толщиной 2с1 в виде многослойной структуры состоящей из поверхностного слоя фазы У205 - 5 % всей толщины, основного слоя фазы У02 - 75 % всей толщины с показателем нестехиометрии, уменьшающимся по его толщине по параболическому закону, нижележащих слоев из фаз Уз05, У203, УО, V - 20 % всей толщины для оксидного слоя толщиной 70-120 нм соответственно. Нестехиометричность основного слоя расширяет фазовый переход в пределах 44ч-86°С, при этом коэффициент поглощения уменьшается на порядок величины на длинах волн 0,54-1,2 мкм по сравнению с стехиометрическими пленками У02 той же толщины. Многослойный характер оксидного слоя и нестехиометричность слоя фазы У02 обусловливают увеличение отражения слоя в полупроводниковом состоянии ,тем самым значительно повышая контраст изображения.

2. Высота кристаллитов столбчатой формы в оксидных поликристаллических пленках на основе У02, толщиной 704-140 нм равна толщине пленки, а их размеры в плоскости пленки составляют 504-140 нм соответственно, при этом ширина петли гистерезиса фазового перехода изменяется от 18 до 10°С, а скачок удельного поверхностного сопротивления составляет от 1 до 2-х порядков величины. На петле имеет место участок шириной 7-13°С соответственно квазилинейного изменения удельного поверхностного сопротивления со скачком при фазовом переходе в один порядок величины. По мере увеличения толщины оксидного слоя растёт его поглощение, размер кристаллитов в плоскости пленки превышает их размер по высоте, происходит повышение степени перекрытия между кристаллитами и образование сростков, что обуславливает уменьшение пространственного разрешения и контраста изображения.

3. Оксидные пленки на основе V02 толщиной 70+120 нм на алюминиевом зеркале обладают термохромными параметрами, обеспечивающими цветовое кодирование отображаемой информации. Защитный диэлектрический слой на основе материалов с показателем преломления 1,38+1,6 толщиной 200+400 нм на 13+19% увеличивает яркостный контраст без существенного изменения цветовой окраски и обеспечивает эксплуатацию среды А£-У02-Д на открытом воздухе. Индикатриса яркостного контраста среды имеет диффузный характер и симметрична относительно оси падающего светового потока (±65°).

4. Скорость нагрева среды А£-У02-Д до температуры фазового перехода определяется толщиной и теплофизическими параметрами слоев среды и подложки а также величиной энергетической экспозиции источника излучения. При перегреве оксидной плёнки относительно температуры фазового перехода происходит процесс постадийной перестройки кристаллической решётки фазы V02 из моноклинной в тетрагональную со скоростью звуковых волн.

5. Предложены методы: решение задачи нестационарного нагрева пластины источником постоянной мощности и её охлаждения для расчёта потребляемой мощности, времени реакции и релаксации различных конструкций преобразователей изображения на основе среды А£-У02 -Д; решение задачи нестационарной теплопроводности для полупространства с ограниченным источником энергии, конечных элементов расчёта IBM PC/XT для расчёта чувствительности, лучевой прочности среды A£-V02 -Д в зависимости от её конструкции и длительности импульса излучения.

6. Получены экспериментальные данные чувствительности, лучевой прочности среды А£-У02-Д на различных подложках в диапазоне импульса излучения 10"9 +1с, и величины разрешения среды на длинах волн 1,06 и 10,6мкм.

7. Разработаны методы, схемы, и приведены результаты измерений эксплуатационных параметров сред: яркостной и цветовой контрастности; термического гистерезиса коэффициента отражения на длинах волн 0,5-И,2мкм и удельного поверхностного сопротивления; дифракционной эффективности среды на длинах волн 0,63; 1,06; 1,15 мкм; долговечности среды в условиях постоянного и импульсного воздействия оптического излучения, климатических факторов, воздействия солнечной радиации и ионизирующих излучений.

8. Промышленная технология изготовления преобразователей изображения на основе среды А£-УС>2-Д на жёстких и гибких диэлектрических подложках размером до 100x100 мм с равномерной чувствительностью по всей поверхности.

9. Показано применение преобразователя изображения на основе среды А£-У02-Д, изготовленного на полиимидной или алюминий содержащей полиимидной подложках для визуализации тепловых потоков на телах сложной формы при обтекании их потоком газа в гиперзвуковой 1 трубе Т-326.

10. Разработаны конструкции модулей из 5x7 термохромных индикаторов для отображения буквенно-цифровой и мнемонической информации в устройствах группового и коллективного пользования для эксплуатации при освещенности от интенсивной внешней до комнатной, а также воздействия посторонних электромагнитных полей.

11 Разработаны конструкции визуализаторов оптического излучения с экраном на основе среды А£-УС>2-Д с регулируемой чувствительностью и тремя градациями яркости изображения в режиме памяти для экспрессного исследования пространственно-энергетических характеристик импульсного излучения в диапазоне длительности импульса 10~9-И с и непрерывного лазерного излучения на длинах волн 0,3 -г-10,6 мкм.

12 Разработана конструкция голографического транспаранта с термоуправлением на основе среды А£-У02-Д, для корреляторов с одновременным преобразованием, предназначенных для обработки двумерных изображений в реальном масштабе времени на длинах волн 0,63-5-1,2 мкм.

13 Разработаны конструкции многоэлементных тепловых приемников на основе пленок У02 и схемы их управления на длинах волн 0,3+3,39 мкм и 5,0+10,6 мкм, при длительности импульса излучения 10"9+1с, с плотностью

Л с Л энергии соответственно от 3-10" до 1,3 Дж/см и от 1,3-10" до 5,8 Дж/см .

14 Разработаны конструкции измерителя распределения энергии (мощности) ИРЭ-24 и анализатора пространственно-энергетических характеристик импульсного и непрерывного лазерного излучения на длинах волн 0,3+10,6 мкм, обеспечивающие соответственно на мнемоническом экране видеоконтрольного блока визуализацию в четырёх цветах и оцифровку измерительной информации и отображение на экране дисплея персонального компьютера цветовой и цифровой картины пучка лазерного излучения в реальном масштабе времени.

15. Разработан модуль ИК-излучения со схемой управления на основе импульсного полупроводникового лазера на длине волны 0,89 мкм для записи побитовой оптической информации.

16. Разработан ослабитель СВЧ-мощности с внутренней памятью на основе плёнки диоксида ванадия, конструктивно сопряженной с щелевой линией передачи, обеспечивающий на частотах 7-10 ГГц затухание СВЧ -колебаний до 10 дБ, при неравномерности АЧХ 0,5 дБ и начальных потерях 1,8 ДБ.

295

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Олейник, Анатолий Семёнович, 2004 год

1. Олейник A.C. Исследование термохромных свойств окиснованадиевыхпленок и создание на их основе устройств отображения информации: Автореф. дис. канд. техн. наук. JL: ФТИ, 1988. 18с.

2. Григорьева М.И., Олейник A.C., Смоляков В.Ф. Термохромныеиндикаторы на основе материала ФТИРОС // Электронная промышленность, 1982. Вып. 5-6. С. 108-111.

3. Олейник A.C. Устройства отображения информации на основепленочных структур оксида ванадия // Электронная промышленность, 1984. Вып. 5. С. 19-20.

4. Олейник A.C. Светотехнические параметры индикаторов на основетермохромного материала ФТИРОС // Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы, 1981. Вып. 3. С. 25-27.

5. Визуализатор на основе материала ФТИРОС / A.C. Олейник, В.Ф.

6. Смоляков, В.М. Степанов, Н.М. Руденко // Электронная промышленность, 1982. Вып. 5-6. С. 111-113.

7. Фазово-трансформационный интерференционный реверсивныйотражатель света (ФТИРОС) / Б.П. Захарченя, И.К. Мешковский, Е.И. Теруков, Ф.А. Чудновский // Письма в ЖТФ. 1975. Т.1. Вып. 1. С.8-11.

8. Dayton D., Eden. Vanadium dioxide storage material. // Optical Enginering,1981. Vol. 20. N3. P. 377-378.

9. Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник в окислахванадия: Автореф. дис. д-ра физ.-мат. наук. JL: ФТИ, 1979. 47с.

10. А. с. 530595 СССР, МКИ H-01L 21/363 Способ изготовленияпреобразователя изображения / Б.П. Захарченя, Е.И. Теруков, Ф.А. Чудновский. Приоритет 08.06.76.

11. Червоненкис А.Я. Магнитооптические устройства хранения и обработкиинформации // Новое в жизни, науке, технике. Сер. Радиоэлектроника и связь. М.: Знание, 1978. 64 с.

12. Бугаев A.A., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металлполупроводник и его применение / Л.: Наука, 1979. 183с.

13. Априль Ж., Арсено А., Баласубраманьян Н. Оптическая голография: Пер.с англ. / Под ред. Г. Колфилда. М.: Мир, 1982. Т. 1. 376 с.

14. Гренишин С.Г., Черкасов Ю.А. Фотографические процессы регистрацииинформации// ОМП, 1991. №11. С. 51-56.

15. Априль Ж., Арсено А., Баласубраманьян Н. Оптическая голография: Пер.с англ. / Под ред. Г. Колфилда. М.: Мир, 1982. Т. 2. 736 с.

16. Стюарт И.Г. Введение в Фурье-оптику: Пер с англ. М.: Мир, 1985. 182с.

17. Применение методов фурье-оптики / Под ред. Г. Старка; Пер. с англ. Подред. И.Н. Компанца. М.: Радио и связь, 1988. 536с.

18. Применение плавящихся термоиндикаторов для измерения тепловыхпотоков к моделям в аэродинамических трубах / М.М. Ардашева, С.А. Ильина, H.A. Ладыгин, Г.И. Майкапар и др. // Ученые записки ЦАГИ. М, 1972. Т. 3.N1.C. 20-36.

19. Измерение энергетических параметров и характеристик лазерногоизлучения / Б.Я. Бурдаев, P.A. Валитов, М.А. Винокур и др.; Под ред. А.Ф. Котюка, М.: Радио и связь, 1981. 286 с.

20. Ryabova L.A., Servinov I.A., Darevsky A.S. Preparation and properties ofpyrolysis of vanadium oxide films // J. Elektrochem.Sos. 1972. Уо1. 119. №4. P. 427-429.

21. MacChesney J.B., Potter J.P., Guggenheim H.I. Reparation and properties ofvanadium dioxide films // J. Elektrochem.Sos. 1968. Vol 115. №1. P.52-55.

22. Duchene J., Terraillon M., Pailly M. R. F. and D.C. reactive sputtering forcrystalline and amorphous VO2 thin film deposition // Thin Solid Films. 1972. Vol. 12. №2. P. 231 -234.

23. Шаповалов B.B., Фрайман Б.С. Получение и характеристикипереключения пленочных элементов на основе двуокиси ванадия // Электронная техника. Сер. Материалы. 1975, Вып. 12 . С.118-120.

24. Пат. 3.834.793 США, МКИ G 02f 1/28, 1973. Dichromic mirror havingmultilayer thin films including vanadium dioxide / T. Lloyd, Mc. Connel. Приоритет. 10.09.74.

25. Balberg S., Trokman I. High-contract optical Storage in V02 films // Appl.

26. Phys, 1975. Vol. 46. N5. P. 2111-2119.

27. Buhling D., Michalowsky L. Influence of the Manufacturing Parameters on

28. Film Structure and Properties of Reactively Sputtered Vanadium Dioxide Films. //Vide. 1976. Vol. 31. N185. P. 185-188.

29. Олейник A.C. Влияние технологических факторов на фазовый состав иморфологию оксинованадиевых структур ФТИРОС // Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1983. Вып. 1.С. 42-46.

30. Мокеров В.Г., Бегишев А.Г., Игнатьев А.С. Влияние отклонения отстехиометрического состава на электронную структуру и фазовый переход металл-изолятор в двуокиси ванадия // ФТТ. 1979. Т. 21. Вып. 5. С. 1482-1488.

31. Физико-химические свойства окислов: Справочник / Под ред. Г.В.

32. СамсоноваМ.: Металлургия, 1978. 472 с.

33. Anderson G.//Acta Chem. Scand., 1954. Vol. 8. P. 1599.

34. Зайт В. Диффузия в металлах. Процессы обмена мест. Пер. с нем./Подред. Б.И. Болтакса. М.: Изд. иностр. лит., 1958. 381 с.

35. Bruckner W., Voldennauer W., With H. The range of homogeneity of VO2 andthe influence of the composition on the physical properties//Phys. St. Sol (a), 1975. N29. P. 63.

36. Эванс Ю.Р. Коррозия и окисление металлов. Пер. с англ./Под ред. И.Л.

37. Розенфельда. М.: Машгиз, 1962. 856 с.

38. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. Под ред. Л.

39. Фирменса, Дж. Вэнника, В. Декейсера. Лондон, 1978г. Пер. с англ. Под ред. В.И. Раховского. М.: Мир, 1981. 467 с.

40. Benninghoven A. Developments in secondary ion mass spectroscopy andapplications to surface studies // Surface Science 1975. N53. P. 556-625.

41. Олейник A.C. Реверсивная среда ФТИРОС для записи и храненияоптической информации // Неорганические материалы, 1991. Т.27. N3. С. 534-538.

42. Холлэнд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме. Пер. с англ. Н.В.

43. Васильченко. М.: Госэнергоиздат, 1963. 608 с.

44. A.c. 1480598 СССР, МКИ G ОЗН 1/18, H01L 21/361 Способ изготовленияголографического транспаранта на основе пленок двуокиси ванадия/ A.C. Олейник, Ф.А. Чудновский, Е.Б. Шадрин. Приоритет 15.01.89.

45. Лыков A.B. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967. 600 с.

46. Пехович А.И., Жидких В.М. Расчеты теплового режима твердых тел. Л.:1. Энергия, 1976. 352 с.

47. Ландсберг Г.С. Оптика / М.: Наука, 1976. 928 с.

48. Згурский B.C., Лисицын Б.Л. Элементы индикации: Справочник. 2-еизд., перераб. и доп. М.: Энергия, 1980. 304 с.

49. ОСТ 11.339.810-82. Индикаторы жидкокристаллические. Методизмерения контрастности.

50. ГОСТ 7721-89 Источники света для измерений цвета. Типы.

51. Технические требования. Маркировка.

52. ГОСТ 8.332-78 Световые измерения. Значения относительнойспектральной световой эффективности монохроматического излучения для дневного зрения.

53. Джадд Д., Вышецки Г. Цвет в науке и технике. Пер. с англ. / Под ред.

54. Л.Ф. АртюшинаМ.: Мир, 1978. 598с.

55. ГОСТ 13088-67. Колометрия. Термины, буквенные обозначения.

56. Kelly К., Iudd D. The ISCC-NBS method of designating colors and adictionary of names //Natl, bur. std. circ. 1955. P. 553.

57. Stiles W.A. Modified helmholte line element in brightness-colour spase //

58. Pros. phys. sos. 1946. Vol. 58. P. 41.

59. Вайнштейн M. Современная кристаллография. T.l. Симметриякристаллов. Методы структурной кристаллографии. М.: Мир, 1969. 392 с.

60. Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов. Пер. с англ. / Подред. О.П. Колчина. М.: Мир, 1969. 392 с.

61. Шиммель Г. Методика электронной микроскопии / Под ред. В.И.

62. Рожанского. М.: Мир, 1972. 300 с.

63. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования исубструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. 320 с.

64. Технология тонких пленок: (Справочник) / Под. ред. Л. Майссела, Р.

65. Глэнга, Нью-Йорк, 1970. Пер. с англ. Под ред. М. И. Елинсона, Г.Г. Смолко. T.l. М.: Сов.радио, 1977. 664 с.

66. ГОСТ 2789-73 Шероховатость поверхности. Параметры ихарактеристики.

67. Гиммельсон В.Д., Родионов Ю.А. Тонкопленочные микросхемы дляприборостроения и вычислительной техники. М.: Машиностроение, 1976. 328 с.

68. Горшков М.М. Эллипсометрия. М.: Сов. радио, 1974.200с.

69. Измерение оптических постоянных и толщин электропроводящих пленокна прозрачой подложке, используемых в качестве электродов индикаторных устройств. / Г.И. Видро, Е.Г. Мухина, И.А. Морозова и др./ Заводская лаборатория. 1976. С. 554-555.

70. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. Пер. с англ./ Под ред. Г.П.

71. Мотулевича. М.: Наука, 1970. 855 с.

72. Технология тонких пленок: (Справочник) / Под. ред. JI. Майссела, Р.

73. Глэнга, Нью-Йорк, 1970. Пер. с англ. Под ред. М. И. Елинсона, Г.Г. Смолко. Т.2. М.: Сов.радио, 1977. 768с.

74. Varga I.E., Bailev W.A. Evaporation, Sputtgring and lonplating; Pros and

75. Cons // Solid-State Technology, 1975. Vol. 16. N12. P. 79-86.

76. Гуревич M.M. Бертонас В. Измерение цветовых контрастов // ОМП.1978. N8. С. 3-5.

77. ГОСТ 21829-76. Система «человек-машина». Кодирование зрительнойинформации. Общие эргономические требования.

78. Blihling D. Eigenschaften eines V02-Anzeigebauebementes // Radio fernsehenelectronic. 1978. N1. P.25-26.

79. Оптические константы двухфазных пленок на основе двуокиси ванадия /

80. B.Н. Беляков, В.А. Дмитриев, В.Н. Корнетов и др. // Автометрия. 1981. N5. С. 114-116.

81. Олейник A.C., Хахаев И.А. Схемы измерения оптических параметровголографических транспарантов на основе пленок ФТИРОС // Письма в ЖТФ. 1990. Т.16, Вып. 22. С. 5-10.

82. Михайлин Ю.А. Применение полиимидных материалов в зарубежнойавиационной и космической технике // Пластические массы. 1981. №10.1. C. 23-30.

83. А. с. 738480 СССР, МКИ H01L 31/18. Способ изготовленияпреобразователей изображения на основе окислов ванадия / В.Н.

84. Андреев, Б.П. Захарченя, Т.Г. Ланская, A.C. Олейник, Ф.А. Чудновский. Приоритет 07.02.80.

85. А. с. 1085457 СССР, МКИ H01L 31/18. Способ изготовленияпреобразователей изображения на основе окислов ванадия / Н.К. Блинова, Н.И. Малинин, A.C. Олейник, А.Б. Березина, Т.И. Селиванова, Ю.Б. Зимин. Приоритет 08.12.83.

86. Физическая энциклопедия. Т. 3. М.: Большая российская энциклопедия,1992. С. 459.

87. Кухлинг X. Справочник по физике: Пер с нем. М.: Мир, 1982. 520 с.

88. Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологииполупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Энергия, 1978. 96 с.

89. ГОСТ 9.032 74. Покрытия лакокрасочные. Классификация иобозначение.

90. ГОСТ 9.104 79. Покрытия лакокрасочные. Группы условийэксплуатации.

91. Олейник А. С Применение сред А^-УОг-д для визуализации оптическогоизлучения // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-2002 : Материалы международной конференции.-Саратов: СГТУ, 2002. с.ЗЗ 1-334.

92. ГОСТ 20.57.406 81. Комплексная система контроля качества. Изделияэлектронной техники, квантовой электроники и электротехнические. Методы испытаний.

93. Чиркин B.C. Теплофизические свойства материалов (справочноеруководство). М.: Машгиз, 1959. 356 с.

94. Батыгин В.Н., Метелкин И.И., Решетников A.M. Вакуумно-плотнаякерамика и ее спаи с металлами. Под ред. Н.Д. Девяткова. М.: Энергия, 1973.408 с.

95. Богородицкий Н.П., Пасынков B.B. Материалы в радиоэлектронике. М,

96. JL: Госэнергоиздат, 1961. 352 с.

97. Таблицы физических величин: Справочник / Под ред. И.К. Кикоина. М.:1. Атомиздат, 1976. 1008 с.

98. Дульнев Г.Н. Теплообмен в радиоэлектронных устройствах. M.-JL:

99. Госэнергоиздат, 1963. 288 с.

100. Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов: Справочник / H.H.

101. Рыкалин, A.A. Углов, И.В. Зуев, А.И. Кокора. М.: Машиностроение, 1985. 496 с.

102. Лазерная техника и технология. В 7 кн. Кн. 4 лазерная обработканеметаллических материалов: Учеб. пособие для ВУЗов / А.Г. Григорьянц, A.A. Соколов; Под ред. А.Г. Григорьянца. * М.: Высш. шк. 1988, 191с.

103. Теруков Е.И., Уферт К.Д., Чудновский Ф.А. Исследование электрическихсвойств пленок двуокиси ванадия // ФТТ, 1976. Т. 18. С. 2419-2481.

104. Мокеров В.Г., Сарайкин В.В. Изменение оптических свойств двуокисиванадия при фазовом переходе полупроводник-металл // ФТТ, 1976. Т. 18. Вып. 7. С. 1801-1805.

105. Кристиан Дж. Теория превращений в металлах и сплавах. Часть 1

106. Термодинамика и общая кинетическая теория. Пер. с англ. / Под ред. А.Л. Ройтбурда. М.: Мир, 1978. 806 с.

107. Физический энциклопедический словарь. Т.5. М: Советскаяэнциклопедия, 1966. 576 с.

108. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. Часть 1. Пер. с англ./ подред . М.И. Каганова. М: Мир, 1976. 399 с.

109. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. Часть 2. Пер. с англ./ подред . М.И. Каганова. М: Мир, 1976. 422 с.

110. Метрологическое обеспечение энергетической фотометрии: Справочник

111. Под ред. Б.М. Степанова. М.: Атомиздат, 1979. 138 с.

112. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. Пер с англ. изд. / Подред. А.А. Померанцева. М.: Наука, 1964. 487 с.

113. Дульнев Г.Н., Испирян Р.А., Ярышев Н.А. Теплопроводность припостоянном и импульсном местном нагреве // Тепло-массообмен при взаимодействии потоков энергии с твердым телом: Труды Ленинградского ин-та точной механики и оптики. Л., 1967. Вып. 31. С. 5-19.

114. ГОСТ 16962 71. Изделия электронной техники и электротехники.

115. Механические и климатические воздействия. Требования и методы испытаний.

116. Duchene J. V02 film devices / Microelectronics, 1972. Vol. 4. P. 37-40.

117. ГОСТ B.20.57.405-81. Комплексная система контроля качества изделияэлектронной техники, квантовой электроники. Методы оценки соответствия требованиям по стойкости к воздействию ионизирующих и электромагнитных излучений.

118. ГОСТ В.20.39.404-81 Классификация по условиям применения итребования по стойкости к внешним воздействующим факторам.

119. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований итехнического применения. / Под ред. Г. Хасса, И. Франкомба, Р.

120. Гофмана, Лондон, 1975. Пер с англ. под ред. А.Г. Ждана, В.Б. Сандомирского. Т.8. -М.: Мир, 1978. 359 с.

121. Абрамович Б.Г. Термоиндикаторы и их применение. М., 1972. 224с.

122. Жаркова Г.М. Применение жидких кристаллов в аэрофизическом эксперименте: Автореф. канд. дис. Новосибирск: ИТПМ, 1973. 19 с.

123. Олейник A.C. Среда A£-V02 на алюминийсодержащей полиимидной подложке в аэродинамических экспериментах // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-98: Материалы междунар. конф. Саратов: СГТУ, 1998. С. 66-69.

124. Лыков A.B. Тепломассобмен (Справочник). 2-е издание перераб. и доп. М.: Энергия, 1978. 480 с.

125. Олейник A.C. Модуль на основе термохромных индикаторов для отображения буквенно-цифровой и мнемонической информации // Датчики и системы. 2002 N.4 С. 25-29.

126. Литвак И.И., Ломов Б.Ф., Соловейчик И.Е. Основы построения аппаратуры отображения в автоматизированных системах. Под ред. А .Я. Брейтбарта. М.: Сов. радио. 1975. 352 с.

127. Деркач В.П., Стринжа М.В. Современные устройства отображения видеоинформации в автоматизированных системах управления // Техника индикации: Институт кибернетики АН УССР. К., 1976. С.З-24.

128. Дисплей: Пер. с англ/ Под ред. Ж Панкова.-М.:Мир, 1982. З20.с.

129. Сорокин С.И. Теория теплопроводности. Учеб.-метод. пособие. Саратов: изд-во Сарат. Ун-та, 1984, 163с.

130. Пахомов И.И., Рожков О.В., Рождествин В.Н. Оптико-квантовые приборы: Учеб. пособ. для вузов / под ред. И.И. Пахомова. М.: Радио и связь. 1982. 456с.

131. Байбородин Ю.В. Основы лазерной техники. 2-е изд., перераб и доп. -К.: Выща шк. Головное изд-во. 1988. 383с.

132. Особенности оптических свойств пленок двуокиси ванадия вблизи фазового перехода полупроводник-металл / Ю.М. Гербштейн, Т.В. Смирнова, Е.И. Теруков, Ф.А. Чудновский //ФТТ, 1976. Т. 18. Вып.2. С. 503-505.

133. Хирд Г. Измерение лазерных параметров: Пер. с англ. / Под ред. Ф.С. Файзулова. М.: Мир, 1970. 539 с.

134. Технологические лазеры: Справочник: в 2Т. Т.2/ Г.А. Абильсиитов, В.Г. Гонтарь, A.A. Колпаков, JI.A. Новицкий и др. Под общ. ред. Г.А, Абильсиитова. М.: Машиностроение. 1994. - 544 с.

135. Олейник А.С Экспресный метод контроля пространственно-энергетических характеристик лазерного излучения с помощью термохромных материалов А£-У02-Д // ПТЭ, 2002, N4.C.1-2.

136. Олейник A.C. Оптические параметры пленочных реверсивных сред А£-У02-АК-113Ф и А£-У02-А£20з //ЖТФ. 1993. Т.63. Вып.1. С. 97-103.

137. СГШиаД, Коллен Р. , Роде У. Лазерная техника : Пер. с англ.-М.: Атомиздат, 1980. 256с.

138. Олейник A.C., Столяров С.И. Схема регулятора температуры экрана визуализатора электромагнитного излучения // Измерительная техника, 1989. N12. С. 37-38.

139. A.c. № 1487624 СССР, МКИ G 01, R29/08. Визуализатор электромагнитного излучения. /A.C. Олейник, М.И. Григорьева, В.Ф. Смоляков, Н.М. Руденко, В.М. Степанов Приоритет. 17.03.82.

140. Канаев И.Ф., Малиновский В.К., Рябова Л.А., Сербинов И.А. Оптическая запись информации на пленках V02 // Микроэлектроника, 1975. Т.4. Вып.4. С 336-339.

141. Земсков К.И., Казарян М.А., Мокеров В.Г. и др. Когерентные свойства лазера на парах меди и динамические голограммы на пленках двуокиси ванадия // Квантовая электроника, 1978. Т.5. №2. С. 425-427.

142. Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник в окислах ванадия и его техническое применение. ЖТФ, 1975. Т.45. Вып.8. С. 1561-1583.

143. Рассеяние света при фазовом переходе полупроводник-металл в двуокиси ванадия / К.А. Валиев, В.Г. Мокеров, В.В. Сарайкин, А.Г. Петрова //ФТТ, 1977. Т.19. Вып.9. С. 1537-1544.

144. ЯМР51У и фазовый переход полупроводник-металл в диоксиде ванадия / А.Г. Петров, Р.Н. Плетнев, Л.В. Золотухина, В.А. Губанов // Неорганические материалы, 1980. Т.16. №4. С. 678-681.

145. Олейник А.С Применение оптических реверсивных сред в когерентно-оптических устройствах обработки изображения // Актуальныепроблемы электронного приборостроения АПЭП-2002: Материалы международной конференции Саратов СГТУ, 2002.С.321-325.

146. Балакин JI.B., Зборовский A.A., Иванов Б.Б.,. Цукерман Е.В Акустооптический голографический оперативный коррелятор // Письма в ЖТФ, 1991. Т. 17. Вып. 6. С. 39-42.

147. Михальчик М.И., Соколова И.В., Чудновский Ф.А.,. Шубников Е.И Регистрирующая среда на основе диоксида ванадия в корреляторе с совместным преобразованием // // Письма в ЖТФ, 1991. Т. 17. Вып. 23. С. 84-88.

148. Орлов В.А., Профатилова Н.И., Щербина Д.М. Состояние и перспективы развития теплометрии потоков излучения: Обзорная информация. Сер. Образцовые и высокоточные методы измерений. М.: Госстандарт СССР, 1977. 24 с.

149. Приемники инфракрасного излучения / Ж. Шоль, М. Марфан, М.Мюнш, П.Торель и др. Пер. с франц. Под ред. JI.H. Курбатова, М.:Мир, 1969.283с.

150. Справочник по лазерам. Пер. с англ. Под ред. A.M. Прохорова в 2-х томах. Т.2 М.: Сов. Радио, 1978. 400с.

151. Олейник A.C. Тепловой приемник оптического излучения на основе диоксида ванадия // Электронная промышленность, 1991. Вып.2. С. 9697.

152. Олейник A.C. Тепловые приемники оптического излучения на основе пленок V02. // Актуальные проблемы электронного приборостроения

153. АПЭП-98: Материалы междунар. конф. Саратов: СГТУ, 1998. С. 6972.

154. Олейник A.C. Приемники излучения на основе поликристаллических пленок V02 // Датчики и системы, 2002. N9. с.41-45.

155. Криксунов JI.3. Справочник по основам инфракрасной техники. М.: Сов. радио, 1978. 400 с.

156. Ройцина О.В. Расчет быстродействующих болометров // ЖПС, 1965. Т.З. Вып.5 С. 403-409.

157. A.c. 1487624 СССР, МКИ G 01, J 25/20. Приемник инфракрасного излучения /A.C. Олейник. Приоритет. 15.02.89.

158. Олейник A.C., Орехов М.В. Многоэлементный тепловой приемник на основе пленок V02 // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП -2000: Материалы международной конференции Саратов: СГТУ, 2000. С.325-327.

159. Ланская Т.Г., Меркулов И.А., Чудновский Ф.А. Гистерезисные явления при фазовом переходе металл-полупроводник в окислах ванадия. //ФТТ, 1978. Т.20. Вып.2. С. 336-342.

160. Захарченя Б.П., Теруков Е.И., Чудновский Ф.А., Штейнгольц З.И. Характеристики материала ФТИРОС как среды для визуализации импульсного лазерного излучения.// ЖТФ, 1981. Т.51. Вып.1. С. 117122.

161. Тепловой приемник излучения (Решение о выдаче патента на изобретение № 2003101007/28 МПК-7 G 01 J 5/20. Приоритет от 14.01.2003 г.) / Олейник A.C., Орехов М.В.

162. Олейник A.C., Скатин Д.Л. Схема управления многоэлементным тепловым приемником на основе пленок V02 // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП -2000: Материалы международной конференции Саратов: СГТУ, 2000. С. 435-439.

163. Олейник A.C. Схема управления многоэлементным тепловым приемником на основе пленок VO2 // Измерительная техника, 2002 N9. С.45-48.

164. Применение прецизионных аналоговых микросхем / А.Г. Алексеенко, Е.А. Коломбет, Г.И.Стародуб. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Радио и связь. 1985. 304с.

165. Аппаратура для определения пространственно энергетических характеристик лазерного импульсного ИК-излучения / И.М. Белоусова, Е.А. Гавронская, M.JI. Грабалин и др. / ОМП. 1991. №8. С. 60-63.

166. Олейник A.C., Дауров С.К. Измеритель распределения энергии (мощности) лазерного излучения // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП -2000: Материалы международной конференции Саратов: СГТУ, 2000. С. 382-386.

167. Олейник A.C., Дауров С.К. Измеритель распределения энергии (мощности) лазерного излучения ИРЭ-24 // Метрология 2002. N.6 с. 1421.

168. Патент на полезную модель № 31646 РФ, МПК G 01 J5/00. Интерфейс измерительной системы анализатора пространственно-энергетических характеристик лазерного излучения / Олейник A.C., Дауров С.К, Орехов М.В., A.B. Мещеряков. Приоритет 24.03.2003

169. Алиев Т.М., Тер-Хачатуров A.A. Измерительная техника: Учеб пособие для тех. Вузов. М.: Выш. Шк. 1991.384с.

170. Олейник A.C., Дауров С.К, Орехов М.В. Система управления измерителя распределения энергии лазерного излучения // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП -2002.С.328-331.

171. Олейник A.C., Дауров С.К, Орехов М.В. Система контроля пространственно-энергетического распределения лазерного излучения на базе компьютера класса IBM PC // Измерительная техника. 2003 N3 С.13-16.

172. Языки программирования Ада, Си, Паскаль. Сравнение и оценка/ Под ред. А.Р. Фьюэра, Н. Джехани: Пер с англ. под ред. В.В. Леонаса. М.: Радио и связь, 1989. 368с.

173. Олейник A.C., Пискарев C.B., Рыжов Е.А. Модуль оптического излучения // Измерительная техника, 1992. №12. С. 28-29.

174. Букреев И.Н., Милючихин В.Н., Першин А.Н. Термооптические среды для оптических запоминающих устройств // Электронная техника. Сер. Лазерная техника и оптоэлектроника. 1986. Вып.1. С. 1—44.

175. Влияние фазового перехода металл-полупроводник в двуокиси ванадия на прохождение и отражение электромагнитного излучения / Д.И. Биленко, Э.А. Жаркова, Л.А. Рябова и др. //Письма в ЖТФ. 1976. Т. 6. Вып. 14. С. 638-641.

176. Регистрируемый ослабитель субмиллиметрового излучения на основе пленок V02 / Д.И. Биленко, Э.А. Жаркова, Л.А. Рябова и др. // Радиотехника и электроника. 1979. Т. 24. N8. С. 1670-1672.

177. Орлов В.Е., Олейник A.C. Распространение СВЧ-волны в щелевой линии передачи, содержащей терморегулируемую пленку окислов ванадия // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. Вып. 9. С. 519-522.

178. Малорадский Л.Г Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ. М.: Сов. Радио, 1976. 216с.