Перестраиваемые СВЧ-резонаторы на объемных акустических волнах в пленке сегнетоэлектрика в условиях наведенного пьезоэффекта тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, кандидат физико-математических наук Туральчук, Павел Анатольевич

• Туральчук, Павел Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Туральчук, Павел Анатольевич

СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОДИНОЧНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ НА ОБЪЕМНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ И УСТРОЙСТВА НА ИХ ОСНОВЕ.

1.1. Резонаторы на объемных акустических волнах в пленке пьезоэлектрика.

1.2. Фильтры на объемных акустических волнах.

1.3. СВЧ-генераторы, управляемые напряжением.

1.4. Электромеханические уравнения для пьезоэлектрической среды.

1.5. Описание характеристик ОАР с использованием эквивалентной резонансной электрической схемы.

1.6. Электрически управляемые ОАР.

Выводы по главе.

ГЛАВА 2. ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ НАВЕДЕННОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА.

2.1. Электромеханические уравнения ОАР на пленке сегнетоэлектрика.

2.2. Электромеханические параметры ОАР в условиях наведенного пьезоэффекта.

2.3. Оценка коэффициента электрострикции, нелинейной по отношению к механической деформации.•.

2.4. Моделирование характеристик перестраиваемого ОАР с учетом электродов и акустического зеркала.

2.5. Характеристики ОАР на пленке Bao,2sSroj5Ti03 в условиях наведенного пьезоэлектрического эффекта.

2.6. Наведенный пьезоэлектрический эффект в пленке ВаТЮз.

2.7. Моделирование характеристик перестраиваемого ОАР в широком диапазоне температур.

2.8. Влияние дефектности пленки BSTO на электроакустические характеристики ОАР.

Выводы по главе.

ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ОАР НА ОСНОВЕ ПЛЕНКИ

Bao,25Sro,75Ti03 В ПРИСУТСТВИИ НАВЕДЕННОГО ПЬЕЗОЭФФЕКТА.

3.1. Диэлектрические характеристики пленок BSTO, полученных импульсным лазерным напылением.

3.2. Результаты экспериментального исследования ОАР на основе Bao^SrojsTiOs

3.3. Экспериментальное исследование температурных характеристик ОАР на основе Bao,25Sro,75Ti03.

3.4. Результаты измерений ОАР на основе ВаТЮз.

Выводы по главе.

ГЛАВА 4. ВОЗМОЖНОСТИ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ ОАР НА ПЛЕНКЕ СЕГЕНТОЭЛЕКТРИКА В СОСТАВЕ СВЧ-УСТРОЙСТВ.

4.1. Моделирование характеристик перестраиваемого СВЧ-фильтра на ОАР.

4.2. СВЧ-генератор, управляемый напряжением, на основе высокодобротного пьезоэлектрического ОАР.

4.3. СВЧ-генератор, управляемый напряжением, на основе BSTO ОАР.

Выводы по главе.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Перестраиваемые СВЧ-резонаторы на объемных акустических волнах в пленке сегнетоэлектрика в условиях наведенного пьезоэффекта»

Развитие современных систем беспроводной связи невозможно без постоянного совершенствования характеристик отдельных составляющих системы. Повышенный интерес к устройствам на объемных акустических волнах проявляется благодаря таким их преимуществам как высокая добротность, миниатюрные размеры, низкая себестоимость и высокая степень интеграции, используя существующие интегральные технологии.

Решающим фактором, определяющим возможность применения объемных акустических резонаторов (ОАР) в СВЧ-устройствах, является высокая акустическая добротность порядка 1000-2000. Фильтры и дуплексеры на основе объемных акустических резонаторов успешно разрабатываются для использования в СВЧ-трактах систем сотовой связи, беспроводных сетей и систем спутниковой навигации для разделения чрезвычайно узких частотных каналов связи, обеспечивая низкий уровень вносимых потерь и высокую помехоустойчивость. Применение одиночных ОАР в составе СВЧ-гсператоров, предназначенных для первичной обработки сигналов, позволяет обеспечить предельно низкий уровень мощности фазовых шумов.

Скорость звука в пьезоэлектрической среде на 3-4 порядка меньше скорости света и, соответственно, открываются возможности для разработки устройств, массогабаритпые показатели которых на несколько порядков меньше существующих аналогов. Кроме того, устройства на основе ОАР имеют хорошую совместимость с материалами, используемыми в монолитных интегральных схемах, что позволяет изготавливать СВЧ-устройства в едином технологическом цикле без использования операции монтажа навссных элементов.

ОАР выполняются с применением пьезоэлектрических материалов, характеризующихся высокой акустической добротностью и высоким значением пьезоэлектрического модуля. В то же время использование среды с электрически управляемыми акустическими параметрами даст возможность значительно расширить функциональные возможности устройств на основе ОАР. С этой целью может быть использован наведенный пьезоэлектрический эффект, проявляющейся в сегнетоэлектрических материалах с выраженным электрострикционным эффектом в присутствии постоянного поля смещения.

Исследование электромеханических явлений в пленке сегнетоэлектрика и возможностей применимости ОАР для перестраиваемых СВЧ-устройств определяет актуальность диссертационной работы. В работе исследуется электромеханическая модель наведенного пьезоэффекта в пленке твердого раствора титаната-бария стронция и титаната бария и анализируются характеристики перестраиваемого ОАР.

Цель диссертационной работы — исследование электроакустических характеристик резонатора на объемных акустических волнах в пленке сегнетоэлектрика в условиях наведенного пьезоэффекта и возможностей практического применения объемных акустических резонаторов для перестраиваемых СВЧ-устройств связи.

Цель диссертационной работы была достигнута решением следующих задач:

1) Разработка электромеханической модели наведенного пьезоэлектрического эффекта в тонкой пленке сегнетоэлектрика с учетом вклада четных и нечетных электромеханических эффектов, включая электрострикцию, нелинейную по механической деформации.

2) Исследование характеристик резонатора на объемных акустических волнах в пленках Bao^Sro/zsTiCb и ВаТЮз с использованием акустического зеркала и их экспериментальная верификация.

3) Моделирование характеристик СВЧ перестраиваемого полосно-пропускающего фильтра и СВЧ-генератора, управляемого напряжением, на основе объемного акустического резонатора и определение электрических и акустических характеристик резонатора, необходимых для его практического использования.

Научная новизна работы:

1) Установлен вклад коэффициента электрострикции, нелинейного по механической деформации, в изменение частот резонанса и антирезонанса объемного акустического резонатора на основе пленки сегнетоэлектрика.

2) Произведена оценка среднего значения коэффициента электрострикции нелинейной по механической деформации для пленок Bao^SrojsTiCb и ВаТЮз.

3) Предложена модель зависимости электромеханического коэффициента связи от приложенного напряжения, учитывающая пьезоэффект, электрострикцию и электрострикцию, нелинейную по механической деформации.

4) С использованием модели наведенного пьезоэффекта рассчитаны и экспериментально подтверждены характеристики входного эквивалентного импеданса объемного акустического резонатора на основе пленок Bao^SrojsTiCb и ВаТЮз с учетом брэгговского зеркала.

5) Выполнена оценка характеристик СВЧ перестраиваемого полосно-пропускающего фильтра и СВЧ-генератора, управляемого напряжением, на основе объемного акустического резонатора на пленке Bao^SrojsTiCb с использованием разработанной модели.

Основные методы исследования: а) Теоретические: теория цепей, теория электромеханических процессов, уравнения электродинамики; б) Экспериментальные: измерения входного электрического импеданса ОАР.

Научные положения, выносимые на защиту;

1) Электромеханический коэффициент в материалах с наведенным пьезоэффектом имеет максимум в зависимости от приложенного напряжения, положение которого определяется качеством пленки.

2) Изменение частоты резонанса и антирезонанса в структуре с объемными акустическими волнами определяется вкладом коэффициента электрострикции М, нелинейного по отношению к механической деформации.

3) Нелинейный коэффициент электрострикции М может быть отрицательным и положительным в зависимости от температуры и типа сегнетоэлектрического материала.

4) Применимость перестраиваемых акустических резонаторов на сегнетоэлектрической пленке ограничена снизу диэлектрической проницаемостью пленки и ее акустической добротностью.

Практическая значимость результатов работы:

1) Разработанная теоретическая модель наведенного пьезооффекта в сегнетоэлектрике на основе электромеханических уравнений может быть применена для разработки перестраиваемых устройств с использованием ОАР на сегнетоэлектрической пленке.

2) Определены электрические и акустические характеристики пленки Bao.25Sro.75Ti03, необходимые для практического использования перестраиваемых ОАР в составе СВЧ-устройств.

Апробация работы: Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

На международных конференциях: международный студенческий семинар «Microwave and Optical applications of novel physical phenomena» Queen's University Belfast, UK 2008г; международный студенческий семинар «Microwave and Optical applications of novel physical phenomena» ETU, St. Petersburg, 2009г; международная европейская научная конференция European Microwave Conference, 8-12 Октября, 2007, Мюнхен; European Microwave Conference, 27-31 Октября, 2008, Нидерланды; международная конференция Eurocon 2009 (May 2009, Saint-Petersburg, Russia).

На конференциях: XVIII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков ВКС - XVIII 2008г; семинары профессорско-преподавательского состава СПб ГЭТУ «ЛЭТИ» 2007, 2008, 2009, 20Юг, научно-технические семинары «Современные проблемы техники и электроники СВЧ» 2007, 2008, 2009, 2010г.

Публикации: Основные теоретические и практические результаты диссертации опубликованы в 12 статьях и докладах, среди которых 2 публикации в ведущих рецензируемых изданиях, рекомендованных в действующем перечне ВАК. Доклады доложены и получили одобрение на 10 международных, всероссийских и межвузовских научно-практических конференциях, перечисленных в конце автореферата

Структура и объем диссертации: Диссертация состоит из введения, 4 глав с выводами, заключения. Работа изложена на 119 страницах машинописного текста, включает 81 рисунок, 7 таблиц и список литературы из 87 наименований.

Заключение диссертации по теме «Радиофизика», Туральчук, Павел Анатольевич

Выводы по главе

Результаты анализа характеристик перестраиваемого полосно-пропускающего фильтра и генератора, управляемого напряжением, с использованием ОАР на пленке BSTO позволяют сделать следующие выводы:

1) Применимость перестраиваемых акустических резонаторов на сегнетоэлектрической пленке BSTO ограничена снизу диэлектрической проницаемостью пленки и ее акустической добротностью:

- Диэлектрическая проницаемость sr |ydc =0 = 600 ^ 800

- Акустическая добротность Qac>200

2) Произведена оценка характеристик перестраиваемого трехзвенного ППФ и ГУН на ОАР в пленке Bao.2sSro.75Ti03 с учетом требований к акустическим и диэлектрическим характеристикам пленки. В соответствии с результатами моделирования перестраиваемого ППФ сдвиг центральной частоты полосы пропускания составил 9% при изменении управляющего напряжения в пределах = 10 - 35 В. Кроме того, использование ОАР на пленке BSTO в составе ГУН может существенно расширить перестройку частоты генерации по сравнению с существующими аналогами на ОАР. Необходимым условием сохранения низкого уровня фазовых флуктуаций и высокой степени подавления гармонических составляющих спектра выходного сигнала ГУН является акустическая добротность ОАР не менее 200.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании результатов, полученных в диссертационной работе, можно сделать следующие выводы:

1) Установлен вклад коэффициента электрострикции, нелинейного по механической деформации, М в изменение частот резонанса и антирезонанса объемного акустического резонатора на основе пленки сегнетоэлектрика. При этом изменение частоты антирезонанса в присутствии поля смещения обусловлено только вкладом нелинейной по отношению к механической деформации электрострикцией, тогда как сдвиг частоты резонанса определяется вкладом коэффициента М и электромеханическим коэффициентом связи.

2) Произведена оценка среднего значения коэффициента электрострикции нелинейной по механической деформации для пленок Bao.25Sro.7sTi03 и ВаТЮ3.

3) Нелинейный коэффициент электрострикции М может быть отрицательным и положительным в зависимости от температуры и типа сегнетоэлектрического материала. В условиях наведенного пьезоэффекта для М< 0 происходит сдвиг частот резонанса и антирезонанса в область низких частот; для М> 0 частоты резонанса и антирезонанса увеличиваются.

4) Предложена модель зависимости электромеханического коэффициента связи от приложенного напряжения, учитывающая пьезоэффект, электрострикцию и электрострикцию, нелинейную по механической деформации. Установлено, что электромеханический коэффициент в материалах с наведенным пьезоэффектом имеет максимум в зависимости от приложенного напряжения, положение которого определяется качеством пленки.

5) С использованием модели наведенного пьезоэффекта рассчитаны характеристики входного эквивалентного импеданса объемного акустического резонатора на основе пленок BaojsSrojsTiCb и ВаТЮз с учетом брэгговского зеркала.

6) Многослойная структура ОАР на основе пленок Bao.25Sro.75Ti03 и ВаТЮз была изготовлена и экспериментально исследована. Результаты экспериментального исследования входного эквивалентного импеданса ОАР хорошо подтверждают результаты моделирования, что говорит о адекватности предложенной модели наведенного пьезоэффекта.

На основании температурных зависимостей диэлектрической проницаемости пленок Bao.25Sro.75Ti03 и ВаТЮз можно сделать вывод о значительной степени дефектности исследуемых пленок.

Применимость перестраиваемых акустических резонаторов на сегнетоэлектрической пленке ограничена снизу диэлектрической проницаемостью пленки и ее акустической добротностью. Была выполнена оценка характеристик СВЧ перестраиваемого полосно-пропускающего фильтра и СВЧ-генератора, управляемого напряжением, на основе объемного акустического резонатора на пленке BSTO с использованием разработанной модели.

СПИСОК АВТОРСКИХ ПУБЛИКАЦИЙ

1) Туральчук П. А., Моделирование перестраиваемого резонатора на объемных акустических волнах в пленке BSTO в присутствии наведенного пьезоэффекта / П. А. Туральчук, И. Б. Вендик, О. Г. Вендик // Известия высших учебных заведений, серия "Радиоэлектроника", -2007. №5, -С.60-65

2) Vendik I. Modeling Tunable Bulk Acoustic Resonators Based on Induced Piezoelectric Effect in ВаТЮз and Bao.25Sro.75Ti03 Films / I. Vendik, O. Vendik, P. Turalchuk, J. Berge // Journal of Applied Physics, - 2008. V.103, Is.l. - P.014107

3) Turalchuk P. Modelling of Tuneable Acoustic Resonators based on BSTO Films with Induced Piezoelectric Effect / P. Turalchuk, I. Vendik, O. Vendik, and J. Berge // Proc. of 37th European Microwave Conference, - 2007. - P.282-285

4) Turalchuk P.A. Modelling of Tuneable Acoustic Resonators based on Barium Titanate Films with Induced Piezoelectric Effect // Proc. of 14th Int. Student Seminar on Microwave Application of Novel Physical Phenomena, -2007, -P.60-62

5) Turalchuk P. Modelling of Tunable Bulk Acoustic Resonators and Filters with Induced Piezoelectric Effect in BSTO Film in a Wide Temperature Range / P. A. Turalchuk, I. B. Vendik // Proc. of Eurocon, - 2009. - P.64-69

6) Turalchuk P. Electrically Tunable Bulk Acoustic Filters with Induced Piezoelectric Effect in BSTO Film / P. Turalchuk, Irina Vendik, Orest Vendik, John Berge // Proc. of 38th European Microwave Conference, Amsterdam, The Nederland, - 2008, - P. 1695-1698

7) Turalchuk P.A. Electrically Tunable Bulk Acoustic Filters with Induced Piezoelectric Effect in BSTO Film // Proc. of 15th Int. Student Seminar on Microwave Application of Novel Physical Phenomena, -2008, -P.60-62

8) Туральчук П.А. Перестраиваемые СВЧ-фильтры на объемных акустических волнах в пленке сегнетоэлекгрика при использовании наведенного пьезоэлектрического эффекта / П.А. Туральчук, И.Б. Вендик, О.Г.Вендик // материалы XVIII всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, - 2008- С.229-230.

9) Туральчук П.А. Перестраиваемый резонатор на объемных акустических волнах в пленке BSTO с наведенным пьезоэффектом / П.А. Туральчук, И.Б.Вендик, О.Г.Вендик // материалы научно-технического семинара «Инновационные разработки в технике и электронике СВЧ», СПБГЭТУ «ЛЭТИ». - 2007. - С.27.

10) Туральчук П.А. Перестраиваемые СВЧ фильтры на объемных акустических волнах в пленке BSTO / П.А. Туральчук, И.Б.Вендик // материалы научно-технического семинара «Инновационные разработки в технике и электронике СВЧ», СПБГЭТУ «ЛЭТИ». - 2008. - С.26.

11)Туральчук П.А. Моделирование перестраиваемых резонаторов на объемных акустических волнах в пленке BSTO в широком диапазоне температур / материалы научно-технического семинара «Инновационные разработки в технике и электронике СВЧ», СПБГЭТУ «ЛЭТИ». - 2009. - С. 14.

12)Туральчук П.А. СВЧ-Генератор с низким уровнем фазовых шумов на основе высокодобротного объемного акустического резонатора / материалы научно-технического семинара «Инновационные разработки в технике и электронике СВЧ», СПБГЭТУ «ЛЭТИ». - 2010. - С.22

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Туральчук, Павел Анатольевич, 2010 год

1. Bauernschmitt U. Concepts for RF Front-Ends for Multi-Mode, Multi-Band Cellular Phones / C.Block, P.Hagn, G.Kovacs, A.Przadka and C.C.W.Ruppel // Proc. of European Conference on Wireless Technologies, 2007. - P.130-133

2. Holma H. High-Speed Packet Access EVolution in 3GPP Release 7 / H. Holma, A. Toskala, K. Ranta-aho, J. Pirskanen // IEEE Communications Magazine, 2007. - V.45, Is. 12. -P.29-35

3. Weigel R. On the Role of SAW Devices in Current and Future Radio Systems / R.Weigel, M.Schmidt, D.Pimingsdorfer and L.Maurer // Proc. of 2nd Int. Symp. on Acoustic Wave Devices for Future Mobile Communication System, Chiba University, 2004. - P.45-51

4. Simine A. Enhancement of inductance Q-factor for LTCC filter design / A. Simine,

5. D. Kholodnyak, P. Turalchuk, V. Piatnitsa, H. Jantunen, and I. Vendik // Proc. of 35th European Microwave Conference, 2005. - P. 1319-1322

6. Lakin K.M. High performance stacked crystal filters for GPS and wide bandwidth applications / K.M. Lakin, J. Belsick, J.F. McDonald, and K.T. McCarron // IEEE Ultrasonics Symposium, 2001. - V.l. - P.833-838

7. Lakin K.M. High-Q Microwave Acoustic Resonators and Filters / K.M. Lakin, G.R. Kline, K.T. McCarron// IEEE Trans, on MTT, 1993. - V.41, №12. - P.2139-2146

8. Park Jae Y. Silicon Bulk Micromachined FBAR Filters for W-CDMA Applications / Jae Y. Park, Нее С. Lee, Kyeong H. Lee, Young J. Ко, and Jong U. Bu // Proc. 33rd European Microwave Conference, 2003. - P.907-910

9. Bradley P. A film acoustic bulk resonator (FBAR) duplexer for USPCS handset applications //IEEE MTT Soc, 2001. -V.l. - P.367-370

10. Fattinger G. G. Coupled Bulk Acoustic Wave Resonator Filters: Key technology for single-to-balanced FW Filters / G. G. Fattinger, R. Aigner, and W. Nessler // IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2004. - P.927-929.

11. Bailey D.S. Frequency stability of high overtone bulk acoustic resonators / D.S.Bailey, M.M.Driscoll, R.A.Jelen, B.R.Mcavoy // IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and frequency control, 1992. - V.39, №6. - P.780-784

12. Shirakawa A. A. Design of FBAR Filters at High Frequency Bands International / A. A. Shirakawa, J.-M. Pham, P. Jarry, E. Kerherve // Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering, Wiley Periodicals Inc., 2007. - P.l 15-122

13. Khanna A. A film bulk acoustic resonator (FBAR) L band low noise oscillator for digital communications / A. Khanna, E. Gane, T. Chong, II. Ко, P. D. Bradley, R. Ruby, and J. D. Larson III // Proc. of European Microwave Conference, 2000. - P. 1025-1028

14. Chee Y. A sub-100 tW 1.9 GHz CMOS oscillator using FBAR resonator / Y. Chee, A. Niknejad, and J. Rabaey // Proc. IEEE RFIC Symp. Dig. Papers, 2005. - P. 123-126

15. Ostman К. B. Novel VCO Architecture Using Series Above-IC FBAR and Parallel LC Resonance / К. B. Ostman, S. T. Sipila, I. S. Uzunov, and N. T. Tchamov // IEEE J. of Solid-State Circuits, 2006. -V.41, №10. - P.2248-2256

16. Ruby R.C. Performance degradation effects in FBAR filters and resonators due to lamb wave modes / R.C. Ruby, J.D. Larson, R.S. Fazzio, C. Feng // IEEE Ultrasonics Symposium, -2005. V.3.-P.1832 -1835

17. Carpentier J.F. A SiGe:C BICMOS WCDMA zero-IF RF front-end using an above-IC BAW filter // IEEE International Solid-State Circuits Conference, Digest of Technical Papers, -2005. P.394-395

18. Dubois M.A.Above-IC Integration of BAW Resonators and Filters for Communication Applications / M.A.Dubois, Ch.Billard, G.Parat, M.Aissi, H.Ziad, J-F.Carpentier and

19. K.B.Ostman // Proc. of 3rd Int. Symp. on Acoustic Wave Devices for Future Mobile Communication System, Chiba University, 2007.- P.l 11-115

20. Elbrecht L. Integration of Bulk Acoustic Wave Filters: Concepts and Trends / L. Elbrecht, R. Aigner, C.-I. Lin, and H.-J. Timme // IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2004. - V.l. - P.395-398.

21. Aigner R. Volume Manufacturing of BAW-Filters in a CMOS Fab // Proc. of 2nd Int. Symp. on Acoustic Wave Devices for Future Mobile Communication System, Chiba University, -2004.-P. 129-135

22. Loebl H.P. Narrow Band Bulk Acoustic Wave Filters / H.P.Loebl, C.Metzmacher, R.F.Milsom, R.Mauczok, W.Brand, P.Lok, A.Tuinhout, F. Vanhelmont // IEEE Ultrasonics Symposium, 2004. - V.l. - P.411-415

23. Lakin K.M. Temperature compensated bulk acoustic wave thin film resonators / K.M.Lakin, K.T. McCarron, J.F. McDonald // IEEE Ultrasonics Symposium, 2000. - V.l. -P.855-858

24. Weigel R. Microwave Acoustic Materials, Devices, and Applications / R. Weigel, D. P. Morgan, J. M. Owens, A. Ballato, К. M. Lakin, K. Hashimoto, С. C. W. Ruppel // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2002. - V.50, № 3. - P.738-749

25. Берлинкур Д. Физическая акустика, под ред. У. Мэзона / Д. Берлинкур, Д. Керран, Г. Жаффе // Методы и приборы ультразвуковых исследований, Мир, Москва, 1966. - Т.1, Часть А. - С.204—326.

26. Ruby R. Ultra-Miniature High-Q Filters and Duplexers using FBAR Technology / R. Ruby, P. Bradley, J. Larson, Y. Oshmyansky, D. Figueredo // IEEE International Digest of Technical Papers Solid-State Circuits Conference, 2001. - P.120-121

27. Aigner, R. Bringing BAW technology into volume production: The ten commandments and the seven deadly sins // 3rd International Symposium on Acoustic Wave Devices for Future Mobile Communication Systems, 2007. - P.85-93

28. Гуляев Ю.В. Резонаторы и фильтры сверхвысоких частот на объемных акустических волнах современное состояние и тенденции развития / Гуляев Ю.В., Мансфельд Г.Д. // Радиотехника, - 2003. -№ 8. - С.42 -54.

29. Lakin К.М. Thin film resonators and filters // IEEE Ultrasonics Symposium, 1999. -P.895-906.

30. Lakin K.M. A Review Thin-film resonator technology // IEEE Microwave Magazine, 2003. - P.61-67.

31. Lakin K.M. Bulk acoustic wave coupled resonator filters // IEEE International Frequency Control Symposium and PDA Exhibition, 2002. - P.8-14

32. Shirakawa A.A. Bulk acoustic wave coupled resonator filters synthesis methodology / A. A. Shirakawa, J.-M. Pham, P. Jarry, E. Kerherve // Proc. of European Microwave Conference, 2005. - P.4

33. Leeson D. B. A simple model of feedback oscillator noises spectrum // Proc. of the IEEE, 1966. - V.54. - P.329-330.

34. Norling M. A 2 GHz oscillator using a monolithically integrated A1N TFBAR / M. Norling, J. Enlund, I. Katardjiev, S. Gevorgian // IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2008, - P.843-846

35. Rohde U. L. The Design Of Modern Microwave Oscillators For Wireless Applications / U. L. Rohde, A. K. Poddar, G. Bock // John Wiley & Sons, 2005. - P.543

36. Zhang H. 5 GHz low-phase noise oscillator based on FBAR with low TCF / H. Zhang, J. Kim, W. Pang, H. Yu, and E. S. Kim // Int. Conf. Solid-State Sensors, Actuators, and Microsystems Dig. Tech. Papers, 2005. - V.l. - P. 1100-1101

37. Aissi M. A 5 GHz above-IC FBAR low phase noise balanced oscillator / M. Aissi, E.Tournier, M.A. Dubois, C. Billard, H. Ziad, R.Plana // IEEE Symposium Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC), 2006. - P.24-28

38. Khanna A.A 2 GHz Voltage tunable FBAR oscillator / A. Khanna, E. Gane, T. Chong // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 2003. - P.717-720.

39. Сиротин Ю. И. Основы кристаллофизики / Ю. И. Сиротин, М. П. Шаскольская // Изд. Наука, Москва, 1975, - С.398-478

40. Ландау Л.Д. Статистическая физика / Ландау Л.Д. Лифшиц Е. М. // Изд. Наука, Москва, 1976, Т.5. - С.50-94

41. Кубо Р. Е. Термодинамика. / Р. Е. Кубо, М. С. Шурм // Изд-во Наука, 1971. -С.476.: Мир, - 1970,- С.304

42. Larson III J. D. Modified Butterworth-Van Dyke Circuit for FBAR Resonators and Automated Measurement System / J. D. Larson III, P. D. Bradley, S. Wartenberg, R. С . Ruby // IEEE Ultrasonics Symposium, 2000. - P.863-868

43. Kim H.-T. A thermally driven tunable TFBAR bandpass filter / H.-T. Kim, H.-M. Lee, H.-K. Choi, J.-U. Bu, K. Lee // Proc. of European Microwave Conference, 2004. - V.l. -P.491-494

44. Lobl H.P. Materials for Bulk Acoustic Wave (BAW) Resonators and Filters / H.P. Lobl, M. Klee, R. Milson, R. Dekker, C. Metzmacher, W. Brand, and P. Lok // Journal European Ceramic Society, 2001. - V.21. - P.2633-2640

45. Su Q.-X. Thin-Film Bulk Acoustic Resonators and Filters Using ZnO and Lead-Zirconium-Titanate Thin Films / Q.-X. Su, P. Kirby, E. Komuro, M. Imura, Q. Zhang, R.

46. Whatmore // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2001. - V.49. № 4. -P.769-778

47. Larson III J. D. PZT Material Properties at UHF and Microwave Frequencies Derived from FBAR Measurements / J. D. Larson III, S. R. Gilbert, B. Xu // IEEE Ultrasonics Symposium, 2004. - P. 173 - 177

48. Schreiter M. Electro-acoustic hysteresis behaviour of PZT thin film bulk acoustic resonators / M. Schreiter, R. Gabl, D. Pitzer, R. Primig, W. Wersing // Journal Of The European Ceramic Society, 2004. - V.24. - P.1589-1592

49. Zinck C. Design, Integration and Characterization of PZT tunable FBAR / C. Zinck, E. Defay, A. Volatier, G. Caruyer, D. P. Tanon, L. Figuirc // IEEE International Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control Conference, 2004. P.29-32

50. Chen Q. Frequency-Temperature Compensation of Piezoelectric Resonators by Electric DC Bias Field / Q. Chen, T. Zhang, Q.-M. Wang // IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, 2005. - V.52. № 10. - P.1627-1631

51. Mason W. P. Electrostrictive Effect in Barium Titanate Ceramics // Physical Review, 1948. V.74. № 9. - P.l 134-1147

52. Rupprecht G. Electromechanical Behavior of Single-Crystal Strontium Titanate / G. Rupprecht, W. H.Winner//Physical Review, 1967. -V. 155. № 3. - P.1019-1028

53. Tappe S. Electrostrictive resonances in ВаолЗго.зТЮз thin films at microwave frequencies / S. Tappe, U. Bottger, R. Waser // Applied Physics Letters, 2004. - V.85. - P.624-626

54. Morito K. Electric field induced piezoelectric resonance in the micrometer to millimeter waveband in a thin film SrTi03 capacitor / K. Morito, Y. Iwazaki, T. Suzuki, M. Fujimoto // Journal of Applied Physics, 2003. - V.94. №8. - P.5199-5205

55. Gevorgian S. DC field and temperature dependent acoustic resonances in parallel-plate capacitors based on SrTi03 and Ba0.25Sr0.7sTiO3 films. Experiment and modeling / S. Gevorgian, A. Vorobiev, T. Lewin // J. Appl. Phys., 2006. - V.99. - P. 124112

56. Saddik G. N. DC electric field tunable bulk acoustic wave solidly mounted resonator using SrTi03 / G. N. Saddik, D. S. Boesch, S. Stemmer, R. A. York // Appl. Phys. Lett., 2007.- V.91. — P.043501

57. Volatier A. Switchable and tunable strontium titanate electrostrictive bulk acoustic wave resonator integrated with a Bragg mirror / A. Volatier, E. Defay, M. Aid, A. N'hari, P. Ancey, B. Dubus // Appl. Phys. Lett., 2008. - V.92. - P.032906

58. Berge J. Tunable solidly mounted thin film bulk acoustic resonators based on BaxSri.xTi03 films / J. Berge, A. Vorobiev, W. Steichen, S. Gevorgian // IEEE Microwave and Wireless Сотр. Lett., 2007. - V.17. № 9. - P.655-657

59. Noeth A. Tuning of direct current bias-induced resonances in micromachined Ba0.3Sr07TiO3 thin-film capacitors / A. Noeth, T. Yamada, V. O. Sherman, P. Muralt, A. K. Tagantsev, and N. Setter // J. Appl. Phys., 2007. - V. 102. - P.l 14110

60. Zhu X. A DC Voltage Dependant Switchable Thin Film Bulk Wave Acoustic Resonator Using Ferroelectric Thin Film / X. Zhu, J. D. Phillips, and A. Mortazawi // IEEE/MTT-S Int. Microwave Symp., 2007. - P.671-674

61. Жёлудев И.С. Физика кристаллических сегнетоэлектриков // Изд-во Наука, 1968.- С.464

62. Смоленский Г. А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики, / Смоленский Г.А., Боков В. А., Исупов В. А., Крайник Н. Н., Пасынков Р. Е., Шурм М. С. // Изд-во Наука, -1971.-С.476

63. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ / Под ред. О. Г. Вендика // М.: Изд-во Сов. Радио, 1979.-С.272

64. Вендик О. Г. Электрострикционный механизм СВЧ потерь в планарном конденсаторе на основе пленки титаната стронция / О. Г. Вендик, JI. Т. Тер-Мартиросян // ЖТФ. 1999. -Т.69, Вып. 8. - С.93-99

65. Vendik О. G. Electromechanical coupling coefficient of isotropic sample with a marked electrostriction / O. G. Vendik, I. B. Vendik // Journal of the European Ceramic Society,- 2007. V.27. - P.2949-2952

66. Turalchuk P., Modelling of Tuneable Acoustic Resonators based on BSTO Films with Induced Piezoelectric Effect / P. Turalchuk, I. Vendik, O. Vendik, and J. Berge // Proc. of 37th European Microwave Conference, 2007. - P.282-285

67. Vendik I. Modeling Tunable Bulk Acoustic Resonators Based on Induced Piezoelectric Effect in ВаТЮз and Bao.2sSro. 75ТЮ3 Films /1. Vendik, O. Vendik, P. Turalchuk, J. Berge // Journal of Applied Physics, 2008. V.103, Is.l. - P.014107

68. Туральчук П. А., Моделирование перестраиваемого резонатора на объемных акустических волнах в пленке BSTO в присутствии наведенного пьезоэффекта /

69. П. А. Туральчук, И. Б. Вендик, О. Г. Вендик // Известия ВУЗов России, серия "Радиоэлектроника", -2007. №5, -С.60-65

70. Введение в физическую акустику / Красильников В.А., Крылов В.В. // М.: Наука,- 1984.-С.403

71. Тер-Мартиросян Л. Т. Флуктуациионные процессы в сегнетоэлектрических параметрических усилителях СВЧ // Докторская диссертация, 1976. — С.347

72. П. А. Фрицберг, "Фазовые переходы в сегнетоэлектриках", Зинатне, Рига, стр.171, 1971.

73. G. A. Samara, A. A. Giardini, "Pressure dependence of the dielectric constant of strontium titanate", Phys. Rev., Vol. 140, № ЗА, pp. 954-957, 1965

74. G. A. Samara, "Pressure and temperature dependences of the dielectric properties of the perovoskites ВаТЮЗ and SrTi03", Phys. Rev., Vol. 151, № 2, pp. 378-386, 1966

75. R. P. Lowndes, A. Rastogi, "Stabilization of the paraelectric phase of КТаОЗ and SrTi03 by strong quartic anharmonicity", J. Phys. С Vol. 6, № 5, pp. 932-944, 1973.

76. Zhu J. Phase transition and dielectric properties of nanograin ВаТЮЗ ceramic under high pressure / Jinlong Zhu, Changqing Jin, Wenwu Cao, Xiaohui Wang // J. Appl. Phys., 2008.- V.92.-P.242901

77. Vendik O. G. Ferroelectic phase transition and maximum dielectric permittivity of displacement type ferroelectrics (BaxSrixTi03) / O. G. Vendik, S.P. Zubko // Journal of Applied Physics, 2000. - V.88, №9. - P.5343-5350

78. Turalchuk P. A. Modelling of Tuneable Acoustic Resonators based on Barium Titanate Films with Induced Piezoelectric Effect // Proc. of 14th Int. Student Seminar on Microwave Application of Novel Physical Phenomena, -2007, -P.60-62

79. Turalchuk P. Modelling of Tunable Bulk Acoustic Resonators and Filters with Induced Piezoelectric Effect in BSTO Film in a Wide Temperature Range / P. A. Turalchuk, I. B. Vendik // Proc. of Eurocon, 2009. - P.64-69

80. Douglas В. С. Pulsed Laser Deposition of Thin Films/ В. C. Douglas, G. K. Hubler // John Willey and Sons, 1994.

81. Tagantsev A.K. Ferroelectric Materials for Microwave Tunable Applications / A.K. Tagantsev, V.O. Sherman, K.F. Astafiev, J. Venkatesh, N. Setter // Journal of Electroceramics, 2003. - V.l 1. - P.5-66

82. Berge J. The effect of growth temperature on the nanostructure and dielectric response of ВаТЮз ferroelectric films / J. Berge, A. Vorobiev, S. Gevorgian // Thin Solid Films, 2007. -V.515. №16. - P.6302-6308

83. Berge J. Field and temperature dependent parameters of the dc field induced resonances in BaxSri.xTi03 films / J. Berge, M. Norling, A. Vorobiev, S. Gevorgian // Journal of Applied Physics, 2008. - V.103, №6. - P.0645081-8

84. Смоленский Г. А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики текст] / Смоленский Г.А., Боков В. А., Исупов В. А., Крайник Н. Н., Пасынков Р. Е., Шурм М. С. // Изд-во Наука, 1971. - С.476

85. Vendik O.G. Ferroelectric phase transition and maximum dielectric permittivity of displacement type ferroelectrics (BaxSrl-xTi03) / O.G. Vendik, S.P. Zubko // Journal of Applied Physics, 2000. - V.88, №9. - P.5343.

86. Маттей Д.Л., Янг Л., Джонс Е.М.Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. М.: Связь, 1971 (т. 1), 1972 (т. 2).

87. A. Simine, V. Piatnitsa, A. Lapshin et al., "Design of quasi-lumped-element LTCC filters and duplexers for wireless communications" Proc. of 33rd European Microwave Conf., -2003. V.3,-P.911-914.