Пассивные и активные мембраны для устройств микросистемной техники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Кривошеева, Александра Николаевна
- Специальность ВАК РФ05.27.01
- Количество страниц 150
Оглавление диссертации кандидат технических наук Кривошеева, Александра Николаевна
Глава 1. Мембранные элементы микромеханических систем: конструкции и материалы.
1.1. Мембранные элементы в устройствах микромеханики.
1.1.1. Формы мембран (однослойные, многослойные, гофрированные, перфорированные).
1.1.2. Пассивные и активные мембраны.
1.2. Материалы, применяемые в конструкциях сенсоров и актюаторов мембранного типа.
1.2.1. Кремний.
1.2.2. Оксид и нитрид кремния.
1.2.3. Нитрид алюминия и карбид кремния.
1.3. Конструкции микромеханических датчиков и актюаторов мембранного типа.
1.3.1. Микродатчики повышенного и пониженного давления.
1.3.2. Акустические микродатчики.
1.3.3. Актюаторы на основе активных мембран.
Глава 2. Особенности технологии базовых материалов для микромеханических мембран.
2.1. Осаждение слоев нитрида кремния.
2.2. Осаждение слоев нитрида алюминия и карбида кремния.
2.3. Анализ механических напряжений в слоях для микромеханических преобразователей.
Глава 3. Управление механическими напряжениями в мембранных слоевых структурах.
3.1. Методы измерения и расчета встроенных механических напряжений в слоях и слоевых композициях.
3.1.1. Расчет напряженно-деформированного состояния пластин и мембран.
3.1.2. Анализ работы акустического преобразователя.
3.1.3. Экспериментальная установка для исследования прогиба мембран в зависимости от внешних воздействий.
3.1.4. Экспериментальные исследования влияния параметров процесса осаждения слоев Si3N4 на их механические свойства.
3.1.5. Исследование внутренних механических напряжений в слоях нитрида алюминия в составе структур SisN^AlN.
3.2. Способы управления механическими напряжениями в мембранных слоевых структурах.
3.2.1. Компенсация механических напряжений в двухслойных структурах.
3.2.2. Релаксация механических напряжений в конструкциях с гофрированной мембраной.
3.2.3. Технология изготовления чувствительного. элемента акустического датчика на основе гофрированных мембран.
3.2.4. Технология изготовления микроэлектромеханического пьезоэлектрического преобразователя на основе нитрида алюминия.
3.2.5. Активное управление механическими напряжениями в микромеханических структурах с пьезоэлектрическим слоем.
Глава 4. Микромеханические преобразователи на основе пассивных и активных мембран.
4.1. Акустический микрооптомеханический датчик на основе гофрированной мембраны.
4.2. Пьезоэлектрический микроактюатор мембранного типа на основе композиции слоев нитрида кремния и нитрида алюминия.
4.2.1. Конструкция микроэлектромеханического пьезоэлектри-ческого актюатора на основе нитрида алюминия.
4.2.2. Статические и динамические характеристики пьезоэлектрического микроэлектромеханического актюатора.
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», 05.27.01 шифр ВАК
Технология структур "карбид кремния - кремний" для приборов микроэлектроники и микросистемной техники2008 год, кандидат технических наук Матузов, Антон Викторович
Разработка методологических основ создания первичных измерительных преобразователей механических величин при слабых возмущениях на основе прямого пьезоэффекта2001 год, доктор технических наук Яровиков, Валерий Иванович
Туннельные и эмиссионные акселерометры на основе микроэлектромеханических систем2012 год, кандидат физико-математических наук Вопилкин, Евгений Александрович
Структурно-морфологические особенности нитрида алюминия в зависимости от условий получения2000 год, кандидат технических наук Четвергов, Михаил Владимирович
Теплофизические свойства микросистем на основе структур "карбид кремния на изоляторе"2002 год, кандидат наук Никитин, Илья Владимирович
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Пассивные и активные мембраны для устройств микросистемной техники»
Развитие микромеханики, ориентированной на создание миниатюрных сенсорных и исполнительных устройств, стимулировало поиск материалов и разработку конструкций, позволяющих эффективно управлять характеристиками микроэлектромеханических преобразователей. Значительное место среди них занимают сенсоры и актюаторы мембранного типа. В конструкции таких устройств используются композиции материалов, отличающиеся по структуре, составу, механическим, электрическим и теплофизическим свойствам. В связи с этим остро встает вопрос о физико-химическом и термомеханическом согласовании материалов и установлении влияния их характеристик на такие параметры прибора как чувствительность к механическим воздействиям или коэффициент преобразования электрического сигнала в механические деформации или напряжения. Базовая технология изготовления мембранных устройств микромеханики включает в себя получение композиций слоев конструкционных, сенсорных и активных материалов, формирование тонкой мембраны методами объемной или поверхностной микромеханики. Одновременно на кристалле-подложке формируются электрические и/или оптические регистрирующие, а также управляющие модули.
Минимизация одного из размеров (толщины) часто приводит и к новым качествам изделий [1]. Поскольку мембрана представляет собой сверхтонкий объект, в ней возможно возникновение механических напряжений. Умение управлять остаточными напряжениями в мембране позволяет создавать устройства с широким диапазоном чувствительности на базе единой конструкции. Как правило, управление остаточными напряжениями в мембранах осуществляется за счет изменения технологии осаждения материала и толщины слоя или композиции слоев. Технологические способы управления остаточными напряжениями в слоях мембраны зачастую являются неэффективными из-за большого количества параметров процесса их осаждения, оказывающих влияние на остаточные механические напряжения, и сложности управления всей совокупностью этих параметров с достаточной точностью. В настоящей работе рассматриваются три способа управления механическими напряжениями мембран — включение в состав мембраны двух слоев с напряжениями противоположных знаков, обеспечивающими взаимную компенсацию; изменение формы мембраны за счет создания специальных топологических элементов — гофров; введение в конструкцию мембраны пьезоэлектрического слоя, что позволяет управлять механическими характеристиками мембраны, изменяя электрическое напряжение. Первые два типа мембран можно отнести к так называемым пассивным мембранам, третий тип представляет собой активную управляемую конструкцию. Использование материалов с пьезоэлектрическими свойствами делает возможным создание на базе мембраны не только сенсорных, но и актюаторных устройств.
В миниатюрных пьезоэлектрических преобразователях активный элемент традиционно изготавливается из пьезокерамики ЦТС. Применение пленок ЦТС в конструкции микромеханических сенсоров и актюаторов является целесообразным, когда требуется получить большие значения тока в выходной цепи, а также значительные усилия и мощность. В преобразователях, для которых выходным параметром является напряжение, требуется получить высокое соотношение сигнал-шум или выход по энергии, более эффективно использовать несегнетоэлектрический A1N [2].
В настоящей работе основное внимание уделяется тонкопленочным композициям с использованием слоев нитрида алюминия (A1N), входящих в состав мембранных конструкций, как в качестве чувствительного элемента сенсоров, так и активного материала исполнительного устройства актюаторов. Известно, что применение в качестве активного слоя пьезоэлектрических пленок широкозонного материала нитрида алюминия позволяет повысить рабочую температуру и радиационную стойкость устройств и создает предпосылки к использованию интегральных групповых процессов производства изделий.
Поскольку уменьшение остаточных механических напряжений в мембранных конструкциях приводит к значительному повышению чувствительности устройств, и эта задача не решается полностью технологическими методами, нами была сформулирована цель работы: разработать физико-технологическе основы проектирования и изготовления пассивных и активных микроэлектромеханических элементов мембранного типа с пониженным уровнем остаточных напряжений в мембране и возможностью управления механическими характеристиками мембраны и динамикой ее деформации с помощью электрического поля.
Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:
- исследование влияния параметров процесса газофазного осаждения нитрида кремния (S13N4) на механические напряжения пленок;
- исследование влияния параметров процесса реактивного ионно-плазменного осаждения слоев A1N на состав, структуру, механические и пьезоэлектрические характеристики слоев;
- изучение механических напряжений в биморфных мембранах SÎ3N4/A1N; определение размерного фактора, позволяющего управлять механическими напряжениями в биморфной мембране с целью их минимизации; определение размерного фактора, позволяющего управлять чувствительностью гофрированной мембраны для миниатюрного акустического датчика;
- разработка способа управления механическими напряжениями мембранного элемента с пьезоэлектрическим слоем A1N изменением электрического потенциала поверхности мембраны; разработка технологии изготовления гофрированных мембран микрооптомеханического акустического датчика на основе SÎ3N4 с металлическим зеркалом в центре для отражения оптического излучения; разработка конструкции и технологии изготовления высокочувствительных гофрированных мембран с металлическим зеркалом в центре на основе композиции SÎ3N4/SiC;
- разработка технологии изготовления биморфного мембранного пьезоэлектрического актюатора на основе пленки A1N и определение его рабочих характеристик;
- создание измерительного комплекса для определения зависимости прогиба мембран от приложенного давления (пассивные мембраны) или электрического напряжения (активные мембраны), а также определения зависимости уровня электрического сигнала от приложенного давления для пьезоэлектрических мембран.
Для решения поставленных задач реализован комплекс технологических операций, включающий газофазное осаждение слоев SÎ3N4, реактивное ионно-плазменное осаждение слоев A1N и SiC, изотропное и ориентационно чувствительное жидкостное, а также реактивное ионно-плазменное травление кремния, осуществлялось математическое моделирование с применением метода конечных элементов в программном комплексе ANS YS. Для определения свойств и параметров слоев применялись методы: Оже-спетроскопия, дифракция быстрых электронов, атомно-силовая и растровая микроскопия, эллипсометрия. Подготовка образцов для растровой микроскопии осуществлялась с использованием остросфокусированного наноразмерного ионного пучка.
Научная новизна работы выражается в следующем:
1. Определен размерный фактор, позволяющий управлять напряжениями в активных и пассивных биморфных мембранах микроэлектромеханических преобразователей.
2. Определена зависимость чувствительности гофрированной мембраны от радиуса, ширины и глубины гофра, количества гофров, а также толщины мембраны и величины остаточных механических напряжений в материале, из которого она изготовлена.
3. Установлен вид зависимости чувствительности гофрированной мембраны от глубины гофра при постоянном отношении радиуса гофрированной мембраны к ее толщине, то есть с учетом конструктивных и технологических ограничений.
4. Определено влияние механических напряжений в специально создаваемом для отражения оптического излучения металлическом слое в центре мембраны на чувствительность гофрированных мембран для микромеханических акустических преобразователей с волоконнооптическим съемом информации.
5. Предложен способ управления механическими напряжениями в биморфных мембранах, содержащих пьезоэлектрический слой, с помощью задания толщины слоя и подачи электрического напряжения на электроды.
Практическая значимость работы состоит в том, что:
1. Разработана конструкция и технология изготовления микромеханического пьезоэлектрического преобразователя мембранного типа, созданы экспериментальные образцы и исследованы их характеристики. Имеется заявка на патент РФ на изобретение чувствительного элемента мембранного типа и способ его изготовления.
2. Разработана технология изготовления гофрированных мембран на основе 81зК4 с металлическим зеркалом для отражения оптического излучения в центре мембраны.
3. Изготовлены экспериментальные образцы микрооптомеханических акустических преобразователей и определены их характеристики. Установлено, что для типового мембранного элемента размером 1,5x1,5 мм при толщине слоя нитрида кремния 0,2 мкм чувствительность преобразователя имеет величину до 140 нм/Па.
4. Разработана технология изготовления высокочувствительных гофрированных мембран на основе композиции слоев Si3N4/SiC для микрооптомеханических акустических преобразователей. Для мембран размером 3x3 мм , сформированных на основе композиции слоев Si3N4/SiC суммарной толщиной 0,4 мкм, достигнуты значения чувствительности в интервале от 350 до 750 нм/Па в полосе частот 100 Гц - 20 кГц.
4. На базе измерительного стенда подготовлена лабораторная работа по курсу «Компоненты микросистем» для студентов, обучающихся по программе подготовки специалистов по специальности «Микросистемная техника». Результаты моделирования конструкции и технологии изготовления используются при проведении лекционных и практических занятий.
5. Результаты диссертационной работы использованы при выполнении: научно-исследовательских работ ЦМИД-117 «Барк-Ф», ЦМИД-129 «Луч-05», ЦМИД-142 «Лагранжиан-АО»; опытно-конструкторских работ ЦМИД-124 «Микродатчик», ЦМИД-139 «Луч».
На защиту выносятся следующие научные положения:
1. При создании гофрированной мембраны с конструктивно заданным отношением радиуса к толщине наиболее эффективным способом управления ее чувствительностью к внешнему механическому воздействию является изменение глубины гофра, причем установлено, что существует определенное значение остаточных напряжений в центральной части мембраны 104 Па), при достижении которого дальнейшее увеличение глубины гофра не приводит к повышению чувствительности независимо от количества гофров.
2. Остаточными напряжениями мембраны можно управлять не только традиционным конструктивным способом за счет создания мембраны, состоящей из композиции слоев определенной толщины и состава, обладающих механическими напряжениями противоположных знаков, но и активным электрическим способом путем включения в состав мембранной композиции пьезоэлектрического слоя и подачи на него электрического потенциала, обеспечивающего программируемое изменение механических напряжений в конструкции.
Похожие диссертационные работы по специальности «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», 05.27.01 шифр ВАК
Повышение чувствительности элементов датчиков вибрации и быстропеременного давления на основе совершенствования конструкций и пьезотехнологий2009 год, кандидат технических наук Вусевкер, Виктор Юрьевич
Исследование и разработка матричных пьезоэлектрических микроэлектромеханических ультразвуковых сенсоров2023 год, кандидат наук Малохатко Софья Владимировна
Конструктивно-технологический базис термомикросистем с малой потребляемой мощностью2005 год, кандидат технических наук Поломошнов, Сергей Александрович
Разработка и оптимизация конструктивных и технологических решений туннельных нанопреобразователей2011 год, кандидат технических наук Балан, Никита Николаевич
Основы теории и проектирования мехатронных систем микроперемещений с пьезоэлектрическими приводами2004 год, доктор технических наук Смирнов, Аркадий Борисович
Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Кривошеева, Александра Николаевна
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ:
1. Определены внутренние механические напряжения в пленках нитрида кремния, полученных методом газофазного осаждения, и их связь с параметрами технологического процесса осаждения пленки. Установлено, что увеличение потока моносилана в процессе газофазного осаждения пленки Si3N4 приводит к уменьшению внутренних механических напряжений. Однако это значительно ухудшает химическую стойкость пленки в КОН и ограничивает ее использование в процессах создания мембранных элементов микромеханических систем.
2. Определены внутренние механические напряжения пленок A1N, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления алюминиевой мишени в аргоно-азотной смеси.
3. Разработана методика минимизации внутренних механических напряжений двухслойных мембранных элементов SÎ3N4/A1N и Si3N4/SiC для повышения их чувствительности при сохранении размеров мембраны.
4. При создании гофрированного мембранного элемента акустического преобразователя с отражающим оптическое излучение металлическим элементом в центре эффективное управление его чувствительностью можно осуществлять изменением глубины гофра, при этом существует определенное значение остаточных напряжений в центральной части мембраны, при достижении которого дальнейшее увеличение глубины гофра не приводит к повышению чувствительности независимо от количества гофров.
5. Предложена методика управления механическими напряжениями активной биморфной мембраны с пьезоэлектрическим слоем изменением электрического потенциала поверхности мембраны.
6. Разработана методика определения механических напряжений слоев мембранного элемента, создан измерительный комплекс и программное обеспечение для изучения свойств пассивных и активных мембран.
7. Разработана технология изготовления высокочувствительных гофрированных мембран для микрооптомеханических акустических датчиков, изготовлены экспериментальные образцы и определены их рабочие характеристики. Для мембран с размерами 1,5x1,5 мм2, толщиной пленки Si3N4 0,2 мкм получена чувствительность до 140 нм/Па, для мембраны на основе Л композиции Si3N4/SiC с размерами 3,0x3,0 мм и суммарной толщиной 0,4 мкм значения чувствительности составили от 350 до 750 нм/Па в полосе частот 100 Гц-20 кГц.
8. Разработаны физико-технологические основы изготовления биморфного мембранного элемента пьезоэлектрического преобразователя на основе пленки A1N, изготовлены экспериментальные образцы и определены их рабочие характеристики. Коэффициент преобразования составил 7 нм/В, чувствительность к внешнему давлению - 4,5 мкВ/Па при размерах мембраны 1,5x1,5 мм и толщинах Ь5вш =0,4 мкм, hAiN =0,9мкм.
9. На основе гофрированного мембранного элемента изготовлен высокочувствительный акустический датчик с оптическим каналом съема информации.
143
Заключение
Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Кривошеева, Александра Николаевна, 2007 год
1. Вернер, В.Д. Технологии минитюризации "сверху-вниз" или "снизу-вверх" / В.Д.Вернер, ПЛ.Мальцев, А.Н.Сауров, Ю.А.Чаплыгин // МНСТ. -2005, №1.-С. 5-9.
2. Muralt, P. Ferroelectric thin films for micro-sensors and actuators: a review / P. Muralt // J. Micromech. Microeng. 2000, №10,- P. 136-146.
3. Гридчин, В.А. Физика микросистем: Учеб.пособие. В 2 ч. 4.1. / В.А. Гридчин, В.П. Драгунов // Новосибирск: НГТУ. 2004. - 416 с.
4. Никитин, И.В. Теплофизические свойства микросистем на основе структур «карбид кремния на изоляторе» : дис. . канд. техн. наук : 05.27.01: / Никитин Илья Владимирович. С-Пб., 2002. - 162 с. - Библиогр.: с. 153-162.
5. Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication / ed. P. Rai-Choudhury. v. 2. - SPIE Optical Engineering Press, The Institution of Electrical Engineers. - 1997. - 692 p.
6. Chemical Non-uniformity of Thin Dielectric Films Prodused by Ammonolysis of Monosilane / V.I. Belyi, F.A. Kuznetsov, T.P. Smirnova et al. // Thin Solid Films. 1976, v. 37. - P. 439-442.
7. Hentzell, H.T.G. Structure of AI-N films deposited by a quantitative dual ion beam process / H.T.G. Hentzell, J.M.B. Harper, J.J. Cuomo // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1984, v. 27. - P. 519
8. Windischmann, H. Intrinsic stress in AIR prepared by dual ion-beam sputtering / H. Windischmann // Thin Solid Films. 1973, v.l54, N 1/2. - p. 159-170.
9. Low-temperature growth of piezoelectric AIN film by the reactive planar magnetron sputtering / T. Shiosaki, T. Yamamoto et al. // Appl.Phys.Lett.-1980.- Vol.36, N 8. P.643-645.
10. Rigo, S. Investigation of reactively sputtered silicon nitride films by complementary use of backscattering and nuclear-reaction microanalysis / S. Rigo,
11. G. Amsel, M. Croset//J.Appi. Phys. 1976. - v. 47, N 7. - P. 2800-2810.
12. Сейдман, JI.А. Низкотемпературное нанесение пленок нитридов кремния и алюминия реактивным распылением в вакууме / JI.A. Сейдман //Обзор по электр. техн. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование, 1990, вып. 5 (1519). С. 1- 52.
13. Синтез текстурированных пленок нитрида алюминия / A.M. Ефременко, А.Н. Кривошеева, А.В. Корляков // Тезисы доклада IV Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск. - 19-24 сентября 2004 г.
14. Получение текстурированных слоев нитрида алюминия / A.M. Ефременко, С.А. Исаев, А.Н. Кривошеева, А.В. Корляков // Тезисы доклада. XI Национальная конференция по росту кристаллов. Москва. -2004 г.
15. Изучение текстурированных слоев нитрида алюминия методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) / А.Н. Кривошеева, A.M. Ефременко,
16. H.М. Коровкина, В.А. Ильин, В.В. Лучинин // Тезисы доклада. Седьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. СПб. - 5 - 9 декабря 2005 г. -С. 32.
17. Kazuya Kusaka, Effect of nitrogen gas pressure on residual stress in A1N films deposited by the planar magnetron sputtering system / Kazuya Kusaka et all. //Thin Solid Films. 1996. - v. 281-282. - P. 340-343.
18. Ohuehi, F.S., Russel P.E. AIN thin films with controlled, crystallographic orientations ana their microstructure / F.S. Ohuehi, P.E. Russel // J. Vac. Sci Technol. A. 1987.-Vol.5, К 4. - P. 1650-1654.
19. Задачник по кристаллофизике: Учеб. пособие / H.B. Переломова, М.М. Тагиева; под ред. М.П. Шаскольской // 2-е изд., перераб. М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы. - 1982. - 288 с.
20. Growth of AIN Film on Mo/Si02/Si (111) for 5 GHz-Band FBAR Using MOCVD / C.-M. Yang, et al // IEEE Ultrasonics Symposium. 2004
21. AIN-based film bulk acoustic resonator devices with W/Si02 multilayers reflector for bandpass filter application / Sang-Hee Kim and Jong-Heon Kim // J. Vac. Sci. Technol. B: Microelectronics and Nanometer Structures. 2001, v. 19, Issue 4.-P. 1164-1168.
22. Highly c-axis oriented thin AIN films deposited on gold seed layer for FBAR devices / Kok-Wan Tay, Cheng-Liang Huang, Long Wu // J. Vac. Sci. Technol. B. 2005, v. 23, Issue 4. - P. 1474-1479.
23. Prof. Dr.-Ing. Manfred Kasper. Microsystem Engineering. Lecture notes. http://www.tu-harburg.de/mst/deutsch/lehre/mikrosystemtechnik/mst eng.shtml
24. Лучинин B.B., Таиров Ю.М. Карбид кремния перспективный материал электронной техники // Известия высших учебных заведений". Электроника. Вып.1,1997, с. 10-38.
25. Корляков А.В., Лучинин В.В., Мальцев П.П. Микроэлектромеханические структуры на основе композиции «карбид кремния нитрид алюминия» //Микроэлектроника. 1999, № 3, С.201-212.
26. Фрайден, Дж. Современные датчики. Справочник / Дж. Фрайден // Москва. Техносфера, 2005. 592 с.
27. Джексон, Р.Г. Новейшие датчики / Р.Г. Джексон // Москва: Техносфера. 2007. - 384 с.
28. Варфоломеев, A.B. Теория и расчет электромеханических преобразователей на основе пленочных пьезоматериалов: Учеб. пособие / A.B. Варфоломеев, H.A. Ганенков, Г.Ф. Глинский, В.И. Закржевский, Н.С. Пщелко // ТЭТУ, СПб. 1997. - 52 с.
29. Микроэлектромеханические структуры на основе композиции «карбид кремния нитрид алюминия» / A.B. Корляков, В.В. Лучинин, П.П. Мальцев //Микроэлектроника. - 1999. - № 3. - С. 201-212
30. Silicon Carbid Aluminium Nitride: a New High Stability Composition for MEMS / V.V. Luchinin, A.V. Korlyakov, A.A. Vasilev // Proceedings of SPIE. Design, Test and Microfabrication of MEMS and MOEMS. - 1999. - V. 3680. -P. 783-791.
31. Madow, M. Fundamentals of Microfabrication. CRC Press, Boca Raton. - London, New York, Washington D.C. - 1997. - 589 p.
32. Белый, В.И. Нитрид кремния в электронике / В.И. Белый, JI.JI. Васильева, В.А. Гриценко и др. Новосибирск: Наука. - 1982. - 197 с.
33. Вомпе, Г.А. Кинетика термического распада аммиака при высоких температурах / Г.А. Вомпе // Ж. физ. химии. 1973. - т. 47. - № 5. - С. 1269-1270.
34. Optimization of Charge Storage in MNOS Memory Device / A.M. Goodman, E.S. Ross, M.T. Duffy // RCA Review. 1970. - v. 31. - p. 342-346.
35. Hydrogen Content and Annealing of Memory Quality Silicon-Oxynitride Films / H.J. Stein // J. Electron. Mat. 1976. - v. 5. - № 2, - P. 161-177.
36. Distribution and Role of N-H and Si-H Bonds in MNOS Structures /
37. G. Stubnya, I.C. Szep, G. Hoffman et al. // Rev. de Physique Applique. 1978. -v. 13. P. 679-682.
38. Chemicaly Bond Hydrogen in CVD Si3N4 Dependence on NH3/SiH4 Ratio and Annealing / H.J. Stein, H.A.R. Wegener // J. Electrochem. Soc. 1977. -v. 124.-№6.-P. 908-912.
39. The Hydrogen Content of Plasma-deposited Silicon Nitride / W.A. Lonford, M.J. Rand // J. App. Phys. 1978. - v. 49. - № 4. - P. 2473-2477.
40. SiKa X-ray Emission Spectra of Si, SiC, Si02 and Si3N4 / G. Graeffe,
41. H. Iulslen, M. Karras // J. Phys., B: Atom. Molec. Phys. 1977. - v. 10. - № 16. -P. 3219-3227.
42. Preparation of Definition du Nitride Silicon / M. Billy // An. Chime. -1959. v. 4. -№ 7-8. P. 795-851.
43. Влияние примесей на рост кристаллов при рекристаллизации /
44. B. Книппенберг, Г. Верспьюи // В кн. Карбид кремния, ред. Г. Хениш и Р. Рой. -М.:Мир.- 1972.-С. 119-140.
45. Гетероэпитаксия карбида кремния на диэлектрической подложке /
46. C.Н. Думченко, А.В. Корляков, В.В. Лучинин и др. // Тез. докл. VII конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск. 1986. - Т. 1.- С. 221-222.
47. Reactive ion beam deposition of aluminum nitride thin films/ S. Bhat, S. Ashok // J. Electron Mater. 1988. - Vol. 14, № 4. - P. 407-418.
48. Молекулярно-лучевая эпитаксия сильно рассогласованной по постоянной решетке гетеросистемы A1N/Si(l 11) для применения в приборах поверхностных акустических волн / Д.Г. Кипшидзе и др. // ФТП. 1999. -том 33. - выпуск 11.
49. К. Dovidenko, S. Oktyabrsky, J. Narayan, M. Razeghi // J. Appl. Phys. -1996.-v. 79.-P. 2439.
50. M.O. Aboelfotoh, R.F. Davis, S. Tanaka, R.S. Kern and C.I. Harris // Appl. Phis. Lett. 1996. - v. 69. - P. 2873.
51. C. Deger, E. Born, H. Angerer, et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. - v. 72. P. 2400.
52. W.J. Meng, J.A. Sell, T.A. Perry, et all. // J. Appl. Phys. 1994. - v. 75. -P. 3446.
53. Синтез твердотельных структур / В.Ф. Дорфман. М.: Металлургия.1986.
54. Voltage controlled, reactive planar magnetron reactive sputtering / R. McMahon, J. Affinito, R.R. Parsons // Thin Solid Films. 1981. - Vol. 81, № 2. - P. 375-381.
55. Костромин, C.B. Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AIN": дис. .канд. техн. наук : 05.27.06: / Костромин Сергей Викторович. СПб. - 1997.-210 с. -Библиогр.: с. 190-201.
56. Пятышев, Е.Н. Специфика технологии микроэлектромеханических устройств / Е.Н. Пятышев, М.С.Лурье, И.В.Попова, А.Н.Казакин // Микросистемная техника. 2001, № 6. - с. 32 - 35.
57. Tamulevicvius, S. Stress and strain in the vacuum deposited thin films / S. Tamulevic" ius // Vacuum. 1998. - v.5, n. 2. - p. 127-139.
58. P. Riehemann, V. Fleischer and V. Martens // Journal of Alloys and Compounds. 1994. -v.3 211/212. - P. 596-599.
59. C.A. Davis // Thin Solid Films. 1993. - v. 226. - P. 30.
60. N.A. Marks, D.R. McKenzie and B.A. Pailthorpe // Physical Review, В. 1996. - v. 53(7).-P. 4117.
61. D.A. Brighton and G.K. Hubler // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1987. - v. B28. - P. 527.
62. Тимошенко, С.П. Пластинки и оболочки / С.П. Тимошенко, С. Войновский-Кригер. -М.: Наука. 1966.
63. S. Karmann, H.P.D. Schenk, U. Kaiser, A. Fissel, Wo. Richter // Mater. Sei. Eng. B. 1997. - v. 50. - P. - 228.
64. Андреева, JI.E. Упругие элементы приборов / JI.E. Андреева // M.: Машиностроение. -1981.
65. Феодосьев, В.И. Упругие элементы точного приборостроения / В.И. Феодосьев // Оборонгиз. 1949.
66. Совместимость технологий микросистемной техники с технологией микроэлектроники / В.В. Амеличев, В.Д. Вернер, A.B. Ильков, А.Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника. 2006, № 11. - С. 10-14.
67. Каплун, А.Б. ANSYS в руках инженера: Практическое руководство. Изд. 2-е, испр. М.: Едиториал УРСС. - 2004. - 272 с.
68. ANS YS Release 9.0 Documentation.
69. ANSYS Inc., Theory Reference.
70. High Sensitive Touch Sensor With Piezoelectric Thin Film for Pipetting Works under Microscope / K. Motoo et all. // Sens. Actuators A. 2006. -v. 126.-P. 1-6.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.