Пайка кристаллов силовых полупроводниковых приборов с применением бессвинцовых сплавов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Хишко, Ольга Владимировна

• Хишко, Ольга Владимировна
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Хишко, Ольга Владимировна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. БЕССВИНЦОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ ПЛИ.

1.1. Конструктивно-технологические критерии выбора бессвинцовых припоев.

1.2. Покрытия паяемых поверхностей под пайку бессвинцовыми припоями.

1.3. Анализ способов и технологий напайки кристаллов бессвинцовыми сплавами.

1.4. Способы оценки качества паяных соединений ППИ.

1.5. Тепловое сопротивление кристалл-корпус как параметр оценки качества напайки кристаллов и надежности ППИ.

1.6. Отбраковочные испытания ППИ.

1.7. Методы, приборы и оборудование, используемые для проведения экспериментов.

Выводы и постановка задач для исследования и разработок.

ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ НОВЫХ БЕССВИНЦОВЫХ ПРИПОЕВ.

2.1. Анализ существующих бессвинцовых припоев.

2.2. Разработка новых составов бессвинцовых припоев.

2.3. Оценка смачивания и растекания новых бессвинцовых припоев по паяемым поверхностям кристалла и корпуса.

2.4. Исследование технологических свойств сплава 88,6Sn/10,4Bi/l,0Sb (вес.%).

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ МАРКИ ПРИПОЯ, СПОСОБОВ И РЕЖИМОВ НАПАЙКИ КРИСТАЛЛОВ НА ПАРАМЕТРЫ СПП

3.1. Методы, приборы и оборудование, используемые для проведения экспериментов.

3.2. Влияние марки припоя, способов и режимов напайки кристаллов на основания корпусов Т0-220 и КТ-43В на электрические параметры транзисторов 2П767В.

3.3. Влияние марки припоя, способов и режимов напайки кристаллов на основания корпусов Т0-220 и*КТ-43В на RT кр-к транзисторов 2П767В.

Выводы.

ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА НОВЫХ СПОСОБОВ НАПАЙКИ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ СПП С ПРИМЕНЕНИЕМ БЕССВИНЦОВЫХ СПЛАВОВ.

4.1. Способ пайки кристаллов с использованием локального нагрева.

4.2. Способ присоединения кристаллов к корпусам с образованием эвтектики Si-Au.

4.3. Способ присоединения кристаллов к корпусам с образованием эвтектик Sn-Zn и Al-Zn.

4.4. Способ пайки полупроводникового кристалла к основанию корпуса бессвинцовым припоем.

4.5. Разработка способа пайки кристаллов с образованием эвтектики Al-Zn.

4.5.1. Исследование свойств алюминиевой металлизации корпусов СПП, полученной гальваническим осаждением.

4.5.2. Исследование качества паяных соединений кристаллов с образованием эвтектики Al-Zn.

4.6. Пайка полупроводниковых кристаллов со столбиковыми выводами методом «flip-chip» с использованием бессвинцовых припоев.

4.7. Разработка способа контроля предельно допустимой температуры нагрева 1111И.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Пайка кристаллов силовых полупроводниковых приборов с применением бессвинцовых сплавов»

Актуальность темы. Директива Европейского Союза по экологической безопасности RoHS (Restriction of use of Certain Hazardous Substances) ограничивает использование свинца в новом электрическом и электронном оборудовании с 1 июля 2006 года. Уже к концу 2001 года было выдано более ста патентов на сплавы различных составов для замены свинцовых припоев. Каждый припой обладает своим сочетанием свойств, что затрудняет окончательный выбор.

В нашей стране и за рубежом в последние годы опубликовано много материалов, посвященных способам и технологиям пайки с использованием бессвинцовых припоев, в том числе в производстве изделий микроэлектроники, среди которых особое место занимают работы JI. Ануфриева, А. Вотинцева, В. Григорьева, В. Емельянова, А. Колпакова, А. Медведева, С. Флоренцева, К. Seeling, D. Suraski и др. [1—6].

Следует отметить, что из множества бессвинцовых припоев, рекомендованных для сборки полупроводниковых изделий (ПЛИ), отсутствуют сведения о технологических свойствах припоев (смачиваемости и растекании по паяемым поверхностям кристалла и основания корпуса), имеется недостаточно данных об использовании их в реальных технологиях сборки ПЛИ.

Существующая реальность на рынке импортных электронных компонентов и активная деятельность изготовителей компонентов по переходу на бессвинцовые технологии- заставляют предприятия-производители ПЛИ принимать срочные меры по внедрению в производство данных технологий. При разработке новых способов и бессвинцовых технологий пайки необходимо учитывать традиционно сложившиеся подходы и методики конструирования и технологии производства ПЛИ. Поэтому вопросы пайки кристаллов силовых полупроводниковых приборов (СПП) с применением бессвинцовых сплавов являются актуальными как в научном, так и в прикладном плане.

Диссертация выполнена на кафедре «Полупроводниковая электроника» ГОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет» в рамках госбюджетной программы ГБ-04.34 «Исследование полупроводниковых материалов (Si, А3В? и др.), приборов и технологии их изготовления», номер гос. регистрации 0120.0412888.

Цель и задачи работы. Целью работы является решение научно-технической задачи по оценке влияния марки припоя, способов и режимов пайки кристаллов с применением бессвинцовых сплавов на? качество паяных соединений кристалл-корпус и на параметры СПП (на примере транзистора 2П767В).

Для достижения; поставленной цели в диссертации решались следующие задачи:

- анализ существующих способов и технологий пайки кристаллов ПГ1И . бессвинцовыми сплавами;

- разработка и изготовление новых бессвинцовых припоев;

-оценка смачивания и растекания новых бессвинцовых припоев по паяемымшоверхностям кристалла и корпуса;

- исследование влияния марки припоя, способов и режимов напайки кристаллов к основаниям корпусов Т0-220 и КТ-43В на электрические параметры. и тепловое сопротивление кристалл-корпус (Кткр-к) транзисторов 2П767В-после сборки, термоциклирования и 10000 энергоциклов;

- разработка способа пайки полупроводникового кристалла с использованием локального нагрева;

- разработка новых способов пайки кремниевых кристаллов к основаниям корпусов СПП;

- разработка нового способа контроля предельно допустимой:температуры нагрева.Ш1И.

Методы исследований. Пайка полупроводниковых кристаллов к основаниям корпусов проводилась в конвейерной водородной печи 105А-72М и в формир-газе (смесь газов Нг и N2 в соотношении 15:85) на установке ЭМ-4085-14М.

Контроль качества напайки кристаллов с основаниями корпусов осуществлялся методами рентгеновской дефектоскопии на установке типа РУП-150/300 с использованием пленки Р5. Для оценки теплового сопротивления транзисторов в различных корпусах использовался измерительный стенд ОМ.006.307.

При выполнении экспериментов использовались электронный микроанализ и металлография.

Научная новизна работы. Получены следующие новые научные и технические результаты:

1. Для пайки кристаллов разработан состав бессвинцового припоя 87,0-89,0Sn/9,0-ll,0Bi/0,8-l,2Sb (вес. %), обеспечивающий при пайке кристаллов к основаниям корпусов СПП в формир-газе площадь паяного шва более 95 % от площади кристалла.

2. Разработан способ пайки полупроводникового кристалла с использованием локального нагрева, отличающийся тем, что нагрев проводят импульсом тока через расщепленный электрод, а давление на кристалл осуществляют потоком защитного газа.

3. Разработан способ контактно-реактивной пайки кристаллов к основаниям корпусов с образованием эвтектики Al-Zn, заключающийся в том, что на паяемые поверхности кристалла и основания корпуса наносят алюминиевую металлизацию, а между кристаллом и корпусом размещают фольгу припоя 20Zn/80Sn (вес. %).

Реализация результатов работы, практическая значимость.

1. Разработан и апробирован на операции сборки СПП бессвинцовый припой состава 87,0-89,0Sn/9,0-ll,0Bi/0,8-l,2Sb (вес. %) с температурой плавления 230 - 240 °С.

На припой подана заявка на изобретение.

2. Исследовано влияние марки припоя, способов и режимов напайки кристаллов на основания корпусов ТО-220 и КТ-43В на электрические параметры и тепловое сопротивление кристалл-корпус (Rtkp-k) транзисторов 2П767В после сборки, термоциклирования и 10000 энергоциклов.

3. Разработан новый способ пайки полупроводниковых кристаллов, который можно использовать при изготовлении не только СПП, но и при сборке печатных плат и силовых модулей.

На способ подготовлена заявка на изобретение.

4. Разработан способ пайки кристаллов к основаниям корпусов через золотую прокладку с образованием эвтектики Si-Au, позволяющий повысить, качество соединения кристалла с корпусом.

На способ получен патент РФ на изобретение № 2298252. Опубл. 27.04.2007. Бюл. № 12.

5. Предложен новый способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки кристаллов к основаниям корпусов с образованием эвтектик Al-Zn и Zn-Sn.

На способ получен патент РФ на изобретение № 2313156. Опубл. 20.12.2007. Бюл. №35.

6. Разработан способ пайки кристаллов к основаниям корпусов с образованием эвтектики Sn-Zn, позволяющий повысить смачиваемость цинкового покрытия оловом и увеличить время хранения кристаллов перед пайкой.

На способ получен патент РФ на изобретение № 2278444. Опубл. 20.06.2006. Бюл. № 17.

7. Разработан способ контактно-реактивной пайки кристаллов к основаниям корпусов с образованием эвтектики Al-Zn при температуре 382 °С.

На способ подготовлена заявка на изобретение.

8. На этапе разработки новых СПП предложен способ контроля предельно допустимой температуры нагрева приборов.

Основные результаты, выносимые на защиту.

1. Бессвинцовый припой состава 87,0-89,0Sn/9,0-ll,0Bi/0,8-l,2Sb (вес. %) с температурой плавления 230 - 240 °С.

2. Способ пайки полупроводникового кристалла с использованием локального нагрева.

3. Способ контактно-реактивной пайки кристаллов к основаниям корпусов с образованием эвтектики Al-Zn при температуре 382 °С.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях и научно-технических семинарах: Международном научно-методическом семинаре «Шумовые и деграда-ционные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2003 - 2005); II Всероссийской конференции «ФАГРАН-2004» «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (Воронеж, 2004); XIII Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика» (Зеленоград, 2006); Всероссийской научно-технической конференции молодых ученых и студентов «Современные проблемы радиоэлектроники» (Красноярск, 2007); конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов (Воронеж, 2004 — 2007).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 13 научных работ, в том числе 3 — в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, 3 патента РФ на изобретения. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [2, 13] — анализ существующих способов контроля температуры нагрева ППИ, [3] - анализ существующих способов пайки кристаллов методом «flip-chip», [4 — 6, 8 — 10, 12] — поиск и разработка новых способов пайки кристаллов с применением бессвинцовых сплавов, [7, 11] — литературный обзор по покрытиям, анализ экспериментальных данных, [2 — 13] — обсуждение полученных результатов и подготовка работ к печати.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка литературы из 127 наименований и 2 приложений. Работа изложена на 147 страницах, содержит 57 рисунков и 7 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Хишко, Ольга Владимировна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В диссертации получены следующие научные и технические результаты:

1. Проведена оценка бессвинцовых припоев, используемых при пайке кристаллов ППИ. Установлено, что из множества бессвинцовых припоев, рекомендованных для сборки ППИ, отсутствуют сведения о технологических свойствах припоев (смачиваемости и растекании по паяемым поверхностям кристалла и основания корпуса).

2. На основе анализа свойств металлов, из которых могут быть изготовлены бессвинцовые припои, и диаграмм состояний двойных систем Al-Zn,' Sn-Zn, Sn-Bi, Sn-Sb, Bi-Sb были разработаны и изготовлены три типа бессвинцовых припоев (вес. %): 93,3Sn/l,4Ag/5,3Bi; 87,0-89,0Sn/9,0-ll,0Bi/0,8-l,2Sb; 89,0Sn/5,3Bi/0,2Sb/5,5Zn. Проведены исследования смачивания.и растекания припоев по серебряным покрытиям кристаллов и никелевым покрытиям корпусов при температурах пайки кристаллов в различных средах: водороде, формир-газе и вакууме.

Экспериментально установлено, что припой 87,0-89,0Sn/9,0-1 l,0Bi/0,8-l,2Sb (вес. %) является перспективным для пайки кристаллов СПП в формир-газе, так как данный припой обеспечивает площадь паяного шва более 95 % от площади кристалла.

3. Проанализировано влияние способов и режимов напайки кристаллов на электрические параметры и тепловое сопротивление кристалл-корпус (Rj кр-к) транзисторов 2П767В, собранных в корпусах Т0-220 и КТ-43В. Установлено, что способы- и режимы напайки кристаллов • к основаниям корпусов ТО-220 и КТ-43В практически не влияют на электрические параметры транзисторов 2П767В. Все исследуемые приборы (после сборки, термоцик-лирования и 10000 энергоциклов) имеют электрические параметры и тепловое сопротивление кристалл-корпус (RT крк) в пределах допустимых значений (согласно ТУ).

4. Разработан способ контактно-реактивной пайки кристаллов к основаниям корпусов с образованием эвтектики Al-Zn при температуре 382 °С, заключающийся в том, что на паяемые поверхности кристалла и основания корпуса наносят алюминиевую металлизацию, а между кристаллом и корпусом размещают фольгу припоя 20Zn/80Sn (вес. %).

5. Разработан способ пайки кристаллов к основаниям корпусов с использованием локального нагрева. С целью расширения функциональных возможностей известных способов пайки нагрев осуществляют импульсом тока через расщепленный электрод, при этом давление на кристалл в процессе пайки осуществляют потоком защитного газа.

6. Разработаны новые способы бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу, заключающиеся в следующем: 1 — нанесение слоя олова на основание корпуса и пленки алюминия на паяемую поверхность кристалла, а между кристаллом и корпусом размещают фольгу из цинка; 2 — нанесение цинка на паяемую поверхность кристалла и пайку к основанию корпуса, покрытому оловом. С целью повышения коррозионной стойкости пленки Zn на ней формируют оловянно-висмутовое покрытие необходимой толщины с содержанием Bi 0,4 - 0,9 %.

7. Разработан новый способ контроля предельно допустимой температуры нагрева ППИ. Данный способ рекомендуется использовать на этапе разработки новых СПП.

8. Результаты диссертации апробированы на предприятиях ЗАО «ВЗПП -Микрон» и ОАО «ВЗПП — С». Получены положительные результаты. В настоящее время проводится работа по внедрению разработанных способов пайки кристаллов в серийное производство различных типов СПП.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Хишко, Ольга Владимировна, 2008 год

1. Лоренц Л. Состояние и направления дальнейшего развития в сфере разработки, производства и применения силовых полупроводниковых приборов // Электротехника, 2001. № 12. С. 9 - 11.

2. Медведев A.M. Электронные компоненты и монтажные площадки // Компоненты и технологии, 2006. № 12. С. 124 134.

3. Никишин В.И. Проектирование и технология производства мощных СВЧ транзисторов / В.И. Никишин, Б.К. Петров, В.Ф. Сыноров и др. М.: Радио и связь, 1989. - 144 с.

4. Горлов М.И., Емельянов В.А., Ануфриев Д.Л. Технологические отбраковочные и диагностические испытания полупроводниковых изделий. — Мн.: Бел. наука, 2006. 367 с.

5. Онегин Е.Е., Зенькович В.А., Битно Л.Г. Автоматическая сборка ИС. Технологический процесс. Оборудование. Управление. Техническое зрение. Привод: Справ, пособие. — Мн.: Высш. шк., 1990. 383 с.

6. Зенин В.В. Бессвинцовые припои в технологии производства изделий микроэлектроники / В.В. Зенин, В.Н. Беляев, Ю.Е. Сегал, А.А. Колбен-ков // Микроэлектроника, 2003. Том 32. № 4. С. 310 320.

7. Соколов В.И., Лавренко С.П. Физические аспекты надежности интегральных схем // Сб. тез. докл. межд. науч.-техн. конф. «Физические аспекты надежности интегральных схем». Воронеж, 1993. С. 42 - 44.

8. Горлов М.И., Золотухина О.М. Контроль качества монтажа кристаллов по тепловому сопротивлению // Тез. докл. IV . науч.-техн. отрасл. конф. «Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов». — Саратов, 1990. С. 25-26.

9. Горлов М.И., Ануфриев Л.П., Бордюжа О.Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства. — Мн.: Изд-во «Интеграл», 1997. 390 с.

10. Петрунин И.Е., Лоцманов С.Н., Николаев Г.А. Пайка металлов. — М.: Металлургия, 1973. 280 с.

11. Справочник по пайке / Под ред. С.Н. Лоцманова, И.Е. Петрунина,

12. B.П. Фролова. -М.: Машиностроение, 1975. 407 с.

13. Кошкин Н.И., Ширкевич М.Г. Справочник по элементарной физике. -М.: Наука, 1976. 256 с.

14. Григорьев В. Бессвинцовые технологии — требование времени или прихоть законодателей от экологии? // Электронные компоненты, 2001. № 6.1. C. 72-78.

15. Медведев A.M. Бессвинцовые технологии монтажной пайки. Что нас ожидает? // Электронные компоненты, 2004. № 11. С. 5 — 8.

16. Пайка оплавлением: краткий справочник по бессвинцовой пайке: Http ://www. sovtest.ru.

17. Пайка без свинца. Bleifrei loten: Silber und Kupfer statt Blei. Krempel-sauer. Elektor (BRD), 2000. № 5. C. 14 15.

18. Шапиро Л. Внедрение европейской директивы RoSH // Электронные компоненты, 2006. № 1. С. 9 12.

19. Щеголева И. Компания AIM решает проблемы перехода на бессвинцовую пайку // Производство электроники: Технологии, оборудование, материалы, 2006. № 2. С. 1-3.

20. Тюхйн А.А., Чернышев А.А., Лындаева Л.И. Требования к покрытиям корпусов ИС и 1111 в зарубежной технике // Сб. матер, науч.-техн: семинара «Перспективные покрытия электрических соединений и корпусов для ИСиПП», 1991. С. 18-25.

21. Спиридонов Б.А., Березина Н.Н. Электроосаждение и структура олово-никелевых покрытий // Защита металлов, 2004. Т. 40. № 1. С. 93.

22. Спиридонов Б.А., Березина Н.Н. Влияние добавки ОС-20 на электроосаждение и структуру покрытий- сплавом олово-никель // Гальванотехника и обработка поверхности, 2000. Т. 8. № 1. С. 23 27.

23. Зенин В.В. Исследование процесса электроосаждения и структуры покрытий сплавом олово-никель / В.В. Зенин, Б.А. Спиридонов, Н.Н. Березина, А.В. Кочергин // Технологии в электронной'промышленности, 2007. № 7. С. 30-32.

24. А.с. № 1618788 SU, А1 С 25 D 3/60. Электролит для осаждения покрытий сплавом олово никель / Д.К. Кушнер, А'.П. Достанко, В.Н. Власенко, А.А. Хмыль и др. Опубл. 07.01.1991. Бюл. № 1.

25. Бокарев Д.И. Модификация процесса формирования внутренних соединений силовых полупроводниковых приборов: дис. на соискание уч. степ. канд. техн. наук: 05.27.01 / Бокарев Дмитрий' Игоревич. Воронеж: ВГТУ, 2002. - 162 с.

26. Патент № 2194597 RU, С1 В 23 К 1/20. Способ подготовки к пайке изделий с серебряным покрытием / В.В. Зенин, Ю.Е. Сегал, В.Н. Беляев. Опубл. 20.12.2002. Бюл. № 35.

27. Патент № 2274531 RU, С2 В123 К 20/24. Способ подготовки к сварке изделий с серебряным покрытием / В.В. Зенин, Ю.Е. Сегал, Ю:Л. Фоменко, В .Я. Пьяных, Б.А. Спиридонов, В.А. Шарапов. Опубл. 20.04.2006. Бюл. №11.

28. Лашко С.В. Проектирование технологии пайки металлических изделий: справочник /С.В. Лашко, Н.Ф. Лашко, И.Г. Нагапетян и др. — М.: Металлургия, 1983. 280 с.

29. Лашко С.В., Лашко Н.Ф. Пайка металлов. 4-е изд. перераб. и доп. — М.: Машиностроение, 1988. 376 с.

30. Патент № 0316026 ЕР (ЕПВ), А1 Н 01 L 21/60. Опубл. 17.05.1989 г.

31. Маслова К.В. Монтаж кристаллов БИС с использованием припоя на основе цинка / К.В. Маслова, С.О. Мохте, О.В. Панкратов и др. // Электронная промышленность, 1989. № 6. С. 24 — 26.

32. Патент № 2212730 RU, Н 01 L 21/52. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов больших размеров в корпуса / В.В. Зенин, В.Н. Беляев, Ю.Е. Сегал. Опубл. 20.09.2003. Бюл. № 26.

33. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: справоч-I ник. М.: Радио и связь, 1991. - 528 с.

34. Патент № 1738039 RU, Н 01 L 21/60. Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю / А.Б. Брицис, И.О. Стасюк, Н.А. Фоминых, Г.М. Казачонок. Опубл. 15.09.94. Бюл. № 17.

35. Патент № 2278444 RU, Н 01 L 21/52. Способ бессвинцовой пайки полупроводникового кристалла к корпусу / В.В. Зенин, А.В. Рягузов, В.П. Гальцев, Ю.Л. Фоменко, В.И. Бойко, О.В. Хишко. Опубл. 20.06.2006. Бюл. № 17.

36. Колычев А.И. Применение сплава цинк-алюминий-германий при монтаже ИС в стеклокерамические корпуса / А.И. Колычев, В:В. Зенин, В.И. Фролов, М.М. Бабушкин // Электронная промышленность, 1994. №4-5, С. 60-61.

37. Ваш'кевич Л.И., Якубович О.В., Майракова М.К. Пайка кристаллов кремния эвтектическим припоем ПЗлОе12 // Электронная техника. Сер. 7.v Технология, организация производства и оборудование, 1986. № 2. С. 70 72.

38. Беляков А.И., Шуньков С.И., Афанасьев В.В. Повышение эффективности процесса контактно-реактивной пайки полупроводниковых кристаллов // Сварочное производство, 1981. № 7. С. 32 — 33.

39. Валеев С. Вакуумная пайка в производстве силовой электроники // Силовая электроника, 2006. № 3. С. 104 108.

40. Мазур А.И., Алёхин В.П., Шоршоров М.Х. Процессы сварки и пайки в производстве полупроводниковых приборов. — М.: Радио и связь, 1981. -224 с.

41. Ануфриев Л.П., Керенцев А.Ф., Ланин В.Л. Автоматизированный монтаж кристаллов транзисторов вибрационной пайкой // Технология электронной промышленности, 2006. № 3. С. 47 50.

42. Технология СБИС / Под ред. С. Зи. М.: 1986 - 1987. Кн. 1 - 404 е.; Кн. 2 - 453 с.

43. Моряков О.С. , Вихров С.А. Методы и средства измерения температуры в полупроводниковом производстве: Обзор. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, №. 4. М.: ЦНИИ «Электроника», 1987. - 54 с.

44. Зигель Б. Измерение теплового сопротивления ключ к обеспечению нормального охлаждения полупроводниковых компонентов // Электроника, 1978. № 14. С. 43-51.

45. Зигель Б. Электрический метод быстрой проверки качества напайки кристалла//Электроника, 1979. № 8. С. 60- 65.

46. Неразрушающий контроль элементов и узлов радиоэлектронной аппаратуры / Под ред. Б.Е. Бердичевского. -М.: Сов. Радио, 1976. 420 с.

47. Горлов М.И., Зенин В.В., Строганов А.В. Геронтология интегральных схем: долговечность внутренних соединений // Петербургский журнал электроники, 1998. № 2. С. 38 45.

48. Гарцбейн В.М. Экспресс-метод определения теплового сопротивления силовых модулей / В.М. Гарцбейн, С.В. Иванов, JI.B. Романовская, С.Н. Флоренцев // Электроника, 2000. № 12. С. 14 20.

49. А.с. 1681283 СССР, МКИ5 G 01 R 31/26. Способ определения теплового сопротивления транзистора Дарлингтона / Г.М. Семенов, А.В. Мата-нов, Ю.П. Сидоренко. Опубл. 30.09.91. Бюл. № 36.

50. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление. Пер. с англ. -М.: Мир, 1985. 501 с.

51. Скопенко А.И. Упругопластические деформации в многослойных паяных соединениях полупроводниковых приборов при циклических тепло-сменах // Автоматическая сварка, 1974. № 3. С. 33 — 36.

52. Ловцов Д.П. Влияние качества контактов на циклостойкость и тепловое сопротивление силовых полупроводниковых приборов // Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника, 1975. № 5 С. 8-9.

53. Дульнев Г.Н., Парфенов В.Г., Сигалов А.В. Методы расчета теплового режима приборов. М.: Радио и связь, 1990. - 312 с.

54. Дульнев Г.Н. Тепло- и массобмен в РЭА. М.: Высш. шк, 1984.274 с.

55. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / Под ред. В.А. Лабунцева. — М.: Энергоатомиздат, 1990. 576 с.

56. Колпаков А.О термоциклах и термоциклировании // Силовая электроника, 2006. № 2. С. 6 11.

57. Горлов М.И., Королев С.Ю. Физические основы надежности интегральных микросхем: Учеб. пособие. — Воронеж: Изд-во ВГУ, 1995. 200 с.

58. Золотухина О.М., Жучкова В.В. Дефекты в зоне пайки — причина разрушения кристаллов БИС // Электронная промышленность, 1994. № 4 5. С. 114-117.

59. Золотухина О.М., Жучкова В.В., Колбенков А.А. Прогнозирование надежности сборки БИС // Электронная промышленность, 1994. № 4 — 5, С. 117-119.

60. Горлов М.И., Коваленко П.Ю. Отбраковочные технологические испытания как средство повышения надежности выпускаемых партий интегральных схем // Петербургский журнал электроники, 1999. № 3. С. 59.

61. Козлов Ю.И. Влияние толщины сплавного шва в соединении кремниевого диска с термокомпенсатором на стойкость вентиля в режиме перегрузки импульсов прямого тока // Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника, 1971. № 20. С. 9 13.

62. Горлов М.И. Тренировка изделий электронной техники блоков с их применением. Воронеж: Препринт НИИБВ, 1991. - 78 с.

63. Горлов М.И., Коваленко П.Ю. Тренировка ИЭТ и электронных блоков с их применением // Петербургский журнал электроники, 2001. № 2. С. 49 59.

64. Баюков А.В. Полупроводниковые приборы в пластмассовых корпусах / А.В. Баюков, В.И. Минц, В.М. Петухов, А.К. Хрулев // Зарубежная электронная техника, 1979. № 7. С. 65 68.

65. Колпаков А. Новые технологии расширяют горизонты силовой электроники // Компоненты и технологии, 2007. № 4.

66. Колпаков А. Новые технологии силовой электроники // Компоненты и технологии, 2007. № 5. С. 97 — 102.

67. Хишко О.В. Бессвинцовые технологии пайки кремниевых кристаллов полупроводниковых изделий // Вестник Воронежского государственного технического университета, 2007. Т. 3. № 1. С. 87 92.

68. Seelid К., Suraski D. The status of head Free Solder Alloys / Перевод А. Ермоловича // Электронные компоненты и системы, 2000. № 11, С. 34-38.

69. Пинчук Р., Еркин А. Планы компании Molex по производству соединений с применением бессвинцовой технологии // Chip-News, 2005. № 3. С. 56-59.

70. Диаграммы состояния двойных металлических систем: справочник. В 3 т. Т. 3. Кн. 2. / Под общ. ред. Н.П.Лякишева. — М.: Машиностроение, 2001.-448 с.

71. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов: справочник. В 2 т. Т. 1. / Под ред. И.И.Новикова, И.Л.Рогельберга. М.: Металлургиздат, 1962.-609 с. '

72. Зенин В.В., Сегал Ю.Е., Колбенков А.А. Оценка смачиваемости и растекания припоя по паяемой поверхности // Петербургский журнал электроники, 2000. № 2. С. 32 36.

73. Рягузов А.В. Модификация процесса бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов: дис. на соискание уч.-степ. канд. техн. наук: 05.27.01 / Рягузов Александр Владимирович. Воронеж: ВГТУ, 2006. - 146 с.

74. Манко Г. Пайка и припои: перевод с нем. / Г. Манко. — М.: Машиностроение, 1968. 304 с.

75. Петрунин И.Е. Краткий справочник паяльщика / И.Е. Петрунин, И.Ю. Маркова, JI.JI. Гржимальский и др. // Под общ. ред. И.Е. Петрунина. — М.: Машиностроение, 1991. 64 с.

76. Захаров A.JL, Асвадурова Е.И. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов: метод эквивалентов. — М.: Радио и связь, 1983. -184 с.

77. Коваленко П.Ю. Конструктивно-технологические особенности разработки гибридных силовых модулей: дис. на соискание уч. степ. канд. техн. наук: 05.27.01 / Коваленко Павел Юрьевич. Воронеж: ВГТУ, 2001. - 147 с.

78. Минскер Ф.Е. Справочник сборщика микросхем. — М.: Высш. шк. 1992.- 144 с.

79. Патент №2171520 RU, С2 Н 01 L 21/52 Способ сборки полупроводниковых приборов / Ю.Е.Сегал, В.В. Зенин, Ю.Л. Фоменко, А.А. Колбен-ков. Опубл. 27.07.2001. Бюл. № 21.

80. Патент № 5089439 США, Н 01 L 23/6. Монтаж кремниевых кристаллов с большими размерами на покрытую золотом поверхность. Опубл. 18.02.92.

81. Патент № 2033659 RU, Н 01 L 21/52. Способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу / В.В. Полехов, С.Л. Лебедев, В.И. Сарычев. Опубл. 20.04.95. Бюл. № 11.

82. Патент № 2167469 RU, Н 01 L 21/58. Способ пайки полупроводникового кристалла к корпусу / Ю.Е.Сегал, В.В. Зенин, Ю.Л. Фоменко, Б.А. Спиридонов, А.А. Колбенков. Опубл. 2001. Бюл. № 14.

83. Патент № 2313156 RU, Н 01 L 21/52. Способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу /

84. B.В. Зенин, Д.И. Бокарев, А.В. Рягузов, А.Н. Кастрюлев, О.В. Хишко. Опубл. 14.12.2007. Бюл. № 35.

85. Варцов В.В., Перенов Д.А., Щульпин Г.П. Электроосаждение алюминием на выводных рамках интегральных микросхем // Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование, 1992. № 6.1. C. 63 65.

86. Казаков В.А., Накамура Н., Иошко М. Электроосаждение алюминия в низкотемпературных расплавленных гидридных электролитах // Электрохимия, 1985. Т. 21. С. 1331 1334.

87. Couch D.E., Brenner A.J. A Hydride Both for the Electrodeposition of aluminium // J. Electrochem. Soc, 1952. V. 99. № 6. P. 234 244.

88. Dotzer R. Galvano-Aluminium and siene anodich oxidation // Chem. Jng. Techn., 1973. V. 45. C. 653 658.

89. Симанавичюс Л.Э., Станкенас A.P. Исследование катодных процессов при электроосаждении алюминия из комплексов А1(С2Н5)3 с NaF // Исследования в области электроосаждения металлов. — Вильнюс, 1971. С. 190 — 192.

90. Blue R.D., Mathers Р.С. Electrodeposition of Aluminium from Non-Aqucons solition // Trans. Elektrochem Soc. 1934. V. 65. P. 339 355.

91. Ширкис А.А., Симанавичюс Л.Э. Электролиты алюминирования с четвертичными аммониевыми соединениями, содержащими ароматическую группу // Труды АН СССР ЛитССР. Сер. Б, 1986. Т. 4 (155). С. 16 24.

92. Симанавичюс Л.Э.; Левинскене A.M. Некоторые свойства растворов бромистого алюминия в ксилоле // Электрохимия, 1966. Т. 2. № 3. С. 353 -355.

93. Симанавичюс Л.Э., Карпавичус А.П. Процессы, происходящие при ь электроосаждении алюминия из о-, м-, р-ксилольных растворов А1Вг3. // Труды АН СССР'ЛитССР. Сер. Б, 1970. Т. 4 (63). С. 139 146.

94. Бобряшов А.И., Спиридонов Б.А., Фаличева А.И. Коррозионная стойкость алюминиевых гальванопокрытий // Защита металлов, 1984. Т. 20. № 2. С. 290 292.

95. Поветкин В.В., Кавенский И.М. Структура электролитических покрытий. М.: Металлургия, 1989.

96. Гранкин Э.А., Спиридонов Б.А., Фаличева А.И. Влияние температуры отжига на анодное растворение электролитического алюминия // Защита металлов, 1990. Т. 26. № 3. С. 421 425.

97. Зенин В.В. Исследование алюминиевых гальванических покрытий корпусов полупроводниковых изделий / В.В. Зенин, А.И. Колычев, Б.А. Спиридонов, О.В. Хишко // Технологии в электронной промышленности, 2006. № 1.С. 66-69.

98. Савинцев П.А., Малкандуев И.К., Гаврилов Н.И. Контактно-реактивная пайка систем алюминий-цинк и висмут-олово // Адгезия расплавов и пайка материалов, 1978. № 5. С. 108 —111.

99. Коржавый П.А. Природа изоструктурного спиноидального распада в системе Al-Zn / П.А. Коржавый, Е.А. Смирнова, И.А. Эйдельман, И.А. Абрикосов, А.В. Рубан, Ю.Х. Векилов // Физика твердого тела, 1997. Т. 39. № 4. С. 593 569.

100. Ефремов А. Вопросы внедрения бессвинцовой технологии // Поверхностный монтаж, 2006. № 7 — 8.

101. Зенин В.В., Новокрещенова Е.П., Хишко О.В. Пайка полупроводниковых кристаллов со столбиковыми выводами методом «flip-chip» // Вестник Воронежского государственного технического университета, 2007. Т. 3. №4. С. 190- 195.

102. Патент № 5385869 США, Н 01 L 21/60. Способ монтажа кристалла на подложку. Semiconductor chip bonded to a substrate and method of making / Lin Jay J., Berg Howard M., Hawkins George W. Опубл. 31.01.95.

103. Патент № 5111279 США, H 01 L 23/02. Способ изоляции при монтаже перевернутых кристаллов. Apparatus for isolation of flux materials in «flip chip» manufacturing / Pasch Nicholas F., Sahakian Vahak К. Опубл. 05.05.92.

104. Патент № 1251749 RU, H 01 L 21/02. Способ изготовления полупроводниковых приборов с объемными выводами: В.М. Панин, А.С. Бодуно-ва, JI.M. Маркман, Н.Н. Алексахин. Опубл. 15.08.94. Бюл. № 15.

105. Патент № 5234149 США, В 23 К 31/02. Способ соединения металлических элементов. Debondable metallic bonding method / Katz Avishay, Lee Chien-Hsun, Tal King L. Опубл. 10.08.93.

106. Сверхминиатюрный процесс перевернутого монтажа. French deve-lor ultraminiature flip chip process // Semicond. Int., 1994. № 6. C.22.

107. Заявка 281449 Япония, H 01 L 21/60. Способ определения положения шариковых выводов / Ивата Хисафуми, Номото Минэо, Накагава Ясуо, Мацуока Масато. Опубл. 22.03.90.

108. Frear D.R. Механические свойства материалов межсоединений для электронного корпусирования. The mechanical behavior of Interconnect materials for electronic packaging // JOM: J. Miner., Metals and Mater. Soc (J. Metals), 1996. № 5. C. 49-53.

109. Патент № 55523260 США, H 01 L 21/60. Способ отвода тепла от кристалла с шариковыми выводами контролируемой формы. Method of heatsinking а с ontrolled с ollapse ch ip с onnection d evice / Missele С . Опубл. 04.06.96.

110. Беляев В. Н., Сегал Ю. Е., Зенин В. В. Соединения полупроводниковых кристаллов с основаниями корпусов силовых полупроводниковых приборов методом пайки // Техника машиностроения, 2002. № 14. С. 43 — 51.

111. Закс Д.И., Наговицына Л.Ф. Контроль теплового режима ИС по температуре корпуса // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1987. № 2. С. 37 32.

112. Мадера А.Г., Резников Г.В. Прогнозирование температуры кристалла по температуре на крышке корпуса ИС // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1987. № 1. С. 85 88.

113. Горлов М.И., Зенин В.В., Хишко О.В. Оценка температуры нагрева полупроводникового изделия // Вестник Воронежского государственного технического университета, 2007. Т. 3. № 4. С. 181 — 184.