Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат физико-математических наук Сергеев, Сергей Алексеевич

• Сергеев, Сергей Алексеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Сергеев, Сергей Алексеевич

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1.

ВОЛНЫ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ.

1.1. Волновые процессы в твердых телах и их использование в электронике СВЧ и КВЧ.

1.2. Волны пространственного заряда в полупроводниках и полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью.

1.3. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в полупроводниках и полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью.

1.4. Выводы.

Глава 2.

ОСОБЕННОСТИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ВОЛН ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ваАБ, п-1пР И п-ваИ.

2.1. Перспективы арсенида галлия, фосфида индия и нитрида галлия для применения их в устройствах на волнах пространственного заряда в полупроводниках.

2.2. Влияние диффузии и дисперсии дифференциальной подвижности электронов на постоянную распространения волн пространственного заряда в п-ваАз, п-1пР и п-ваМ.42.

2.3. Фазовая скорость волн пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью.

2.4. Влияние концентрации электронов в пленке п-СаАБ, п-1пР и п-ОаЫ на граничную частоту усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах.

2.5. Выводы.

Глава 3.

ПАРАМЕТРИЧЕСКОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ВОЛН ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ.

3.1. Теоретическое исследование параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью в одномерном случае.

3.1.1 Линейное приближение.

3.1.2 Нелинейный анализ распространения и параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в структурах п-СаАБ.

3.2. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе СаАя, п-1пР и п-СаИ.

3.2.1 Тонкопленочные полупроводниковые структуры симметричного типа

3.2.2 Тонкопленочные полупроводниковые структуры асимметричного типа.

3.2.2.1 Уравнения для амплитуд параметрически связанных волн пространственного заряда.

3.2.2.2 Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда для тонкопленочной полупроводниковой структуры с сильной асимметрией.

3.3. Выводы.

Глава 4.

ВОПРОСЫ РАЗРАБОТКИ УСТРОЙСТВ НА ЭФФЕКТЕ ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ВОЛН ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ.

4.1. Разработка и конструирование функциональных устройств 8-мм диапазона на волнах пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах n-GaAs.

4.1.1 Конструирование тонкопленочной полупроводниковой структуры

4.1.2 Конструирование НЧ и СВЧ схемы.

4.1.3 Экспериментальное исследование преобразования частоты при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах n-GaAs в 8-мм диапазоне.

4.2. Эффективность возбуждения волн пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре одиночным полосковым барьером Шотт-ки.

4.3. Фильтрация сигналов в устройствах на волнах пространственного заряда в полупроводниках.

4.4. Интегральный преобразователь частоты миллиметрового диапазона длин волн на волнах пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью.

4.4.1 Конструкция преобразователя частоты.

4.5. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN»

Актуальность темы

Одним из важных направлений в современной физике является исследование колебательных и волновых процессов в твердых телах. Особенно большое внимание уделяется изучению волновых процессов в активных средах. Данное направление имеет как фундаментальное, так и прикладное значение, поскольку понимание особенностей волновых процессов в этих средах дает возможность построения адекватных математических моделей для их изучения, а также открывает перспективы для создания новых и совершенствования известных устройств СВЧ и КВЧ диапазонов.

К основным устойчивым тенденциям современной твердотельной электроники относятся повышение рабочих частот приборов и устройств, а также стремление ко все большей миниатюризации и интеграции функций элементов в пределах одной монолитной схемы. Поэтому, в настоящее время большой интерес вызывает разработка твердотельных СВЧ устройств, содержащих активные элементы с распределенными параметрами. Это определяется современными тенденциями развития СВЧ электроники и связано с потребностью в твердотельных устройствах, способных осуществлять формирование и обработку сложных информационных сигналов. Одно из современных направлений микроэлектроники - функциональная микроэлектроника, использующая для обработки сигналов не статические, а динамические неоднородности, возбуждаемые внешними воздействиями.

Среди разделов функциональной микроэлектроники наиболее развитым в научном и техническом аспектах является акустоэлектроника. В частности, устройства на поверхностных акустических волнах (ПАВ) применяются в различных радиоэлектронных системах обработки сигналов для решения многих радиотехнических задач. Однако, рабочие частоты устройств на ПАВ не превышают единиц гигагерц.

Устройства на волнах пространственного заряда (ВПЗ) в полупроводниках обладают широкими функциональными возможностями, которые аналогичны возможностям акустоэлектронных устройств, но превосходят их по рабочим частотам более чем на порядок.

Базовым элементом функциональных устройств на ВПЗ в полупроводниках можно считать тонкопленочный усилитель бегущей волны (ТУБВ), который конструктивно представляет собой тонкопленочную полупроводниковую структуру (ТПС) с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП), обусловленной междолинными электронными переходами. ТУБВ может выполнять в СВЧ диапазоне такие радиотехнические функции, как усиление, генерация, задержка и изменение фазы сигналов и др. Однако, созданные к настоящему времени устройства на ВПЗ имеют все же сравнительно низкий частотный предел работы 15 ГГц).

Исследованиями установлено, что верхний частотный предел усиления бегущих ВПЗ в полупроводнике с ОДП (а, следовательно, и верхний частотный предел ТУБВ) может быть увеличен, по крайней мере, двумя путями. Во-первых, применением новых материалов вместо традиционного п-ОаАя. И, во-вторых, использованием механизма параметрического взаимодействия ВПЗ при низкочастотной накачке, что наряду с увеличением верхнего частотного предела позволяет пополнить перечень возможных функций ТУБВ следующими: преобразование частоты, смешение со сдвигом частоты, фильтрация, управляемая перестройкой частоты накачки.

В настоящее время большая часть теоретических и все экспериментальные работы по распространению и взаимодействию волн пространственного заряда в ТПС с ОДП выполнены для структур на основе п-СаАя, относительно небольшое количество теоретических работ посвящено п-1пР. Данные по оценке перспектив использования п-ОаИ для создания устройств на параметрическом взаимодействии ВПЗ в литературе отсутствуют.

При разработке и конструировании функциональных устройств на ВПЗ в ТПС с ОДП для миллиметрового диапазона особое значение приобретают работы по оптимизации конструктивно-топологических и электрофизических параметров ТПС и элементов возбуждения ВПЗ, поскольку именно в этом диапазоне находится верхняя граничная частота усиления ВПЗ. Поэтому актуальной является задача построения адекватных теоретических моделей для изучения влияния различных факторов на характеристики возбуждения, распространения и взаимодействия ВПЗ в тонкопленочных структурах с ОДП.

К моменту начала работы над диссертацией данных об экспериментальных исследованиях параметрического взаимодействия ВПЗ в полупроводниковых структурах с ОДП в миллиметровом диапазоне в литературе не обнаружено.

Целью работы является выяснение особенностей спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе п-ОаАя, п-1пР или п-анализ влияния параметров накачки, а также диффузии и дисперсии дифференциальной подвижности электронов и размеров полупроводниковой структуры на характеристики распространения и взаимодействия волн пространственного заряда, определение конкретных подходов и рекомендаций по конструированию функциональных устройств миллиметрового диапазона на волнах пространственного заряда в полупроводниках.

Для достижения сформулированной цели решались следующие задачи:

1. Анализ перспектив применения п-ОаАз, п-1пР и я-бчяУУ" в устройствах на волнах пространственного заряда.

2. Рассмотрение особенностей влияния диффузии и частотной дисперсии дифференциальной подвижности электронов, а также концентрации электронов в пленке п-ОаАз, п-1пР и п-ОаИ на характеристики распространения волн пространственного заряда.

3. Всесторонний анализ влияния параметров накачки, а также размеров полупроводниковой структуры на эффективность спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в тонкопленочных структурах на основе п-ОаАз, п-1пР и п-СаИ.

4. Экспериментальное исследование преобразования частоты при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре на основе п-СаАэ в 8-мм диапазоне. 5. Теоретическое и экспериментальное изучение эффективности преобразования электромагнитного сигнала в волну пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре и обратно.

Научная новизна. При проведении теоретических и экспериментальных исследований установлены физические закономерности, дающие новые сведения о механизме параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с ОДП.

Установлена степень влияния частоты и мощности накачки, а также частоты сигнала и конечных размеров исследуемой структуры на «изрезанность» (количество максимумов и минимумов) зависимостей коэффициентов параметрического усиления и преобразования волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с ОДП от продольной координаты, параметров накачки и частоты сигнала.

Впервые проведен анализ перспектив использования п-СаИ для создания устройств на параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда. Показано, что применение п-СаИ позволит создавать более мощные и эффективные устройства данного типа вплоть до 4-мм диапазона, перестраиваемые частотой и амплитудой накачки.

Определены границы применимости линейного приближения для анализа распространения и параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в структурах п-СаАБ при низкочастотной накачке.

Впервые проведено экспериментальное исследование преобразования частоты при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с ОДП в 8-мм диапазоне.

Показана возможность эффективного управления спектральным преобразованием при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в асимметричных тонкопленочных полупроводниковых структурах с ОДП изменением параметров накачки.

Проанализирована предложенная конструкция преобразователя частоты миллиметрового диапазона на параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с ОДП с выходным элементом связи в виде частотно-избирательной встречно-штыревой системы полосковых контактов с барьером Шоттки.

Практическая значимость работы. Выработаны конкретные подходы и рекомендации по разработке и конструированию функциональных устройств миллиметрового диапазона на волнах пространственного заряда в полупроводниках с ОДП. Построены модели, позволяющие рассчитывать геометрические размеры элементов связи, служащие для преобразования электромагнитных сигналов в ВПЗ и обратно, а также рассчитывать оптимальные параметры и характеристики полупроводниковых структур для устройств на ВПЗ для каждой из трех областей: области возбуждения ВПЗ, пролетной области и области преобразования ВПЗ в электромагнитный сигнал таким образом, чтобы на выходе устройств амплитуды всех паразитных спектральных составляющих были пренебрежимо малыми по сравнению с амплитудой полезного сигнала.

Результаты теоретических и экспериментальных исследований параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с ОДП, полученные в ходе работы над диссертацией, использованы при разработке приборов и устройств в рамках НИР, выполнявшихся в НИИ механики и физики при СГУ.

По результатам исследований получено 2 патента РФ и свидетельство на полезную модель.

Ряд результатов диссертации используется в учебном процессе (лекционный курс «Полупроводниковая волновая электроника» и семинарские занятия по курсу «Твердотельная электроника» для студентов ФНБМТ СГУ).

Основные положения, выносимые на защиту

1. Фазовая скорость волн пространственного заряда в полупроводниках «-типа с отрицательной дифференциальной проводимостью может заметно отличаться (до 40 % для п-ОаАя, до 10 % для п-1пР) от дрейфовой скорости электронов. Это особенно важно для полупроводниковых материалов с большим коэффициентом диффузии (более 100 см"/с) и при концентрациях электронов в полупроводниковой структуре более 5-Ю20 м"3.

2. Геометрические размеры (толщина и длина «-слоя) структур на основе «-СаАя, п-1пР или п-СаИ, а также их асимметрия являются причиной возникновения «изрезанности» (некоторого количества выраженных экстремумов) на зависимостях коэффициентов параметрического усиления и преобразования от продольной координаты, параметров накачки и частоты сигнала. Уменьшение частоты накачки и/или сигнала и увеличение амплитуды накачки приводят к увеличению числа таких экстремумов.

3. Для эффективного преобразования электромагнитных сигналов в. волны пространственного заряда в полупроводниковых структурах «-типа возможно применение одиночных металлических полосковых контактов с барьером ТТТотт-ки с малым значением контактной разности потенциалов (не более 0,2-Ю,3 В), а концентрация носителей заряда в «-слое полупроводника под входным элементом связи и ширина полоскового контакта должны быть оптимизированы для частоты слабого входного сигнала. Использование встречно-штыревого преобразователя на выходе полупроводниковой структуры на волнах пространственного заряда позволяет получить качественную фильтрацию полезного преобразованного сигнала и подавление паразитных частотных составляющих.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы были представлены на: Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (г. Таганрог, 1994 г.); Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-96» (г.

Саратов, 1996 г.); Всероссийской межвузововской конференции «Современные проблемы электроники и радиофизики СВЧ» (г. Саратов, 1997 г.); Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-98» (г. Саратов, 1998 г.); VI Международной научно-технической конференции «Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ» (г. Самара, 1999 г.); Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов» (г. Самара, 2001 г.); Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (г. Саратов, 2003 г.); II Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов» (г. Самара, 2003 г.); VI Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов» (г. Казань, 2007 r.);VII Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов» (Самара, 2008 г.); XI международной конференции «Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Дагестан, 2009 г.); VIII Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов» (г. Санкт-Петербург, 2009 г.); Всероссийской научной конференции «Актуальные проблемы современной науки и образования» (г. Сибай, 2010 г.); II Всероссийской научной конференции «Научное творчество XXI века» (г. Красноярск, 2010 г.), Научных семинарах кафедры физики полупроводников СГУ.

Результаты, вошедшие в диссертацию, были отмечены дипломом, как лучшая работа секции «Математические методы в технических и инженерных приложениях» II Всероссийской научной конференции «Научное творчество XXI века».

Публикации. Материалы диссертации изложены в 38 печатных работах, в их числе 11 статей в реферируемых журналах (7 статей списка ВАК), 2 патента РФ, 1 свидетельство на полезную модель РФ, 14 статей в сборниках, 1 учебное пособие.

Личный вклад соискателя состоит в разработке математических моделей и программ для исследования возбуждения, распространения и параметрического взаимодействия ВПЗ в структурах на основе п-ОаАз, п-1пР и я-СУяТУ, проведении экспериментальных исследований, анализе и обработке результатов. Постановка задач, выбор методов решения и обсуждение полученных результатов были проведены автором совместно с научным руководителем.

Структура и объем диссертации. Работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, содержит 177 страниц машинописного текста, включая 54 рисунка, 3 таблицы, в списке литературы 226 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Сергеев, Сергей Алексеевич

4.5 Выводы

1. Теоретически и экспериментально показано, что для эффективного возбуждения ВПЗ в ТПС с ОДП целесообразно применять одиночные барьеры Шоттки со значением контактной разности потенциалов ср0 = 0,2-0,3 В. Ширина входного элемента связи и концентрация электронов под ним должны быть подобраны таким образом, чтобы оптимизировать возбуждение ВПЗ сигнальной частоты.

2. Для сочленения с измерительными приборами в тракте сигнала (8-мм диапазон) были разработаны новые волноводно-копланарные переходы, обладающие малыми потерями.

3. Разработана и изготовлена ТПС на основе п-ОаАя. Экспериментально показано, что механизм параметрического взаимодействия ВПЗ в ТПС на основе п-СаАв при низкочастотной накачке может использоваться для эффективного преобразования частоты в 8-мм диапазоне.

4. Для эффективного преобразования ВПЗ полезного сигнала в СВЧ сигнал и подавления паразитных составляющих необходимо применять в качестве выходного элемента связи встречно-штыревую систему контактов с барьером Шоттки. Для лучшей связи ВПЗ с СВЧ сигналом необходимо применять полос-ковые контакты с барьером Шоттки со значением контактной разности потенциалов ф0 = 0,8-0,9 В и шириной, равной четверти длины ВПЗ полезного сигнала, а концентрация носителей заряда под выходным элементом связи должна

Т 1 быть порядка (4 6)-10 м* . При расчете собственной частоты ВШП необходимо учитывать, что фазовая скорость ВПЗ может заметно отличаться от дрейфовой скорости электронов.

5. Проанализирована конструкция преобразователя частоты 8-мм диапазона, использующего эффект параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе п-СаАБ. Показано, что подбором числа штырей и шага встречно-штыревого преобразователя, ширины полосковых контактов с БШ и концентрации электронов под выходным элементом связи можно эффективно менять АЧХ всего устройства в целом.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной работе получены следующие основные результаты:

1. Показано, что при расчете характеристик распространения волн пространственного заряда принципиален учет диффузии и дисперсии действительной части дифференциальной подвижности электронов.

2. Оптимальное значение концентрации легирующей примеси щ при разработке наиболее высокочастотных устройств на волнах пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе п-1пР составляет величину порядка (1+2)-1016 см"3, для n-GaAs п0 ~ (1+2)-1015 см"3, а для n-GaNn0 ~ (5+6)-1016 см"3.

3. Теоретически и экспериментально показано, что для эффективного возбуждения волн пространственного заряда с частотами накачки и сигнала необходимо использовать одиночные полосковые БШ с малым значением контактной разности потенциала (0,2+0,3 В), а концентрация носителей заряда под входным элементом связи и ширина полоскового контакта должны быть оптимизированы для частоты слабого входного сигнала.

4. Фазовая скорость волн пространственного заряда vpft может заметно отличаться от дрейфовой скорости электронов v0. Различие vph и v0 возрастает с ростом концентрации электронов п0 и при увеличении коэффициента диффузии D. Для n-GaAs для частот, меньших граничной частоты усиливаемых волн пространственного заряда, это различие может достигать 30+40 %, для п-1пР -6+10%.

5. Численный эксперимент, проведенный с использованием локально-полевой модели, позволил установить пределы применимости линейного приближения для анализа характеристик распространения волн пространственного заряда в п-GaAs: линейным приближением можно пользоваться, если мгновенные значения напряженности электрического поля находятся в интервале от 3,3 кВ/см и до 8 кВ/см. При выходе за границы этого интервала амплитуды гармонических составляющих превышают 10 % от амплитуды основной гармоники.

6. Максимальное увеличение верхнего частотного предела усиливаемых волн пространственного заряда в структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью при параметрическом взаимодействии в условиях низкочастотной накачки наблюдается при равенстве частоты накачки и граничной частоты усиливаемых волн пространственного заряда (поскольку в этом случае можно использовать максимальную мощность накачки) и составляет для n-GaAs примерно 27 % (до 40 ГГц), для п~1пР — примерно 32 % (до 106 ГГц) и для n-GaN — примерно 13 % (до 56 ГГц).

7. Амплитуда волн пространственного заряда холостой частоты на конце участка параметрического взаимодействия может достигать величин того же порядка, что и амплитуда сигнальной волны пространственного заряда, при этом может быть получено автодинное преобразование при частоте входного сигнала для n-GaAs примерно до 48 ГГц, п-1пР - до 108 ГГц, n-GaN - до 61 ГГц. Таким образом, параметрический механизм взаимодействия волн пространственного заряда в структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью может быть основой создания активных смесителей- коротковолновой части СВЧ диапазона (в частности — смесителей сдвига).

8. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью в условиях низкочастотной накачки обеспечивает эффективное спектральное преобразование в миллиметровом диапазоне, которое может управляться изменением параметров накачки. Меняя частоту или амплитуду накачки на входе можно значительно (до 40-^-50 дБ) изменять коэффициенты параметрического усиления и преобразования.

9. Учет конечных размеров тонкопленочной полупроводниковой структуры -толщины и длины пленки и, что наиболее существенно, асимметрии структуры приводят к тому, что зависимости коэффициентов усиления и преобразования от продольной координаты, амплитуды и частоты накачки имеют изрезанный характер.

10. Разработаны топология схемы питания и схемы подвода СВЧ сигналов к тонкопленочной полупроводниковой структуре на базе копланарных линий. В тракте накачки применялись переходы от копланарной линии к коаксиальной, а в тракте сигнала - разработанные в процессе выполнения данной работы волноводно-копланарные переходы.

11. Создан действующий макет преобразователя частоты 8-мм диапазона на эффекте параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре на n-GaAs в условиях низкочастотной накачки.

12. Экспериментальные исследования параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочной структуре на n-GaAs в условиях низкочастотной накачки показали, что данный механизм может использоваться для эффективного преобразования частоты в 8-мм диапазоне.

13. Использование на выходе устройств на волнах пространственного заряда встречно-штыревого преобразователя позволяет получить эффективную фильтрацию полезного преобразованного сигнала и подавление паразитных составляющих. Концентрация носителей заряда под выходным элементом связи долж

21 3 на быть порядка (4-г6)-10 м" . При выборе периода встречно-штыревого преобразователя необходимо учитывать, что фазовая скорость волн пространственного заряда сигнальной и холостой частот может заметно отличаться от дрейфовой скорости электронов.

14. Ряд результатов диссертации используется в учебном процессе (лекционный курс «Полупроводниковая волновая электроника» и семинарские занятия по курсу «Твердотельная электроника» для студентов ФНБМТ СГУ) [226]. Разработанные модели и программы применяются в процессе обучения студентов при рассмотрении волновых процессов в полупроводниках, а также при изучении основ математического моделирования в твердотельной электронике.

15. Результаты теоретических и экспериментальных исследований параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в ТПС с ОДП, полученные в ходе работы над диссертацией, использованы при разработке приборов и устройств в рамках нескольких НИР, выполнявшихся в НИИ механики и физики при Саратовском государственном университете [180,181].

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Сергеев, Сергей Алексеевич, 2010 год

1. Вендик О.Г. Поиск новых физических явлений в твердом теле для использования в электронике СВЧ // Радиоэлектроника. 1980. - Т. 23, № 10. - С. 4-11.

2. Гуревич А.Г. Спиновые волны // СОЖ. 1997. -№ 9. - С. 100-108.

3. Crowth of high quality Garnet thin films from supercooled melts / H.I. Levinstein, S. Licht, R. W. Londorf etc. II Appl. Phys. Lett. 1971. - Vol. 19, № 11. - P. 486-492.

4. Перспективы интегральной электроники СВЧ / A.A. Барыбин, И.Б. Вендик, О.Г. Вендик и др. II Микроэлектроника. 1979. - Т. 8, Вып. 1. - С. 3-19.

5. Гуляев Ю.В., Зиберман U.E. Взаимодействие спиновых волн с горячими носителями тока//ФТТ.- 1978.-Т. 20, №4.-С. 1129-1134.

6. Гуляев Ю.В., Знльберман U.E. Спиноволновая электроника. М.: Знание, 1988. -64 с.

7. Ферт А. Происхождение, развитие и перспективы спинтроники // УФН. 2008. -Т. 178, № 12.-С. 1336-1348.

8. Гуревич А.Г., Мелков Г.А. Магнитные колебания и волны. М.: Наука, 1994. -407 с.

9. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ / Под ред. О.Г. Вендика. М.: Сов. радио, 1979.-272 с.

10. Сигов A.C. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике // СОЖ. -1996.-№ 10.-С. 83-91.

11. Балоднс Ю.Н., Лутовинов С.И. Устройства функциональной электроники. Ч. 1. Акустоэлектронные устройства. JL: ЛИЭС, 1988. - 63 с.

12. Поверхностные акустические волны в неоднородных средах / C.B. Бирюков, Ю.В. Гуляев, В.В. Крылов, В.П. Плесский-М.: Наука, 1991.-416 с.

13. О возможности создания акустоэлектронного усилителя на основе эпитаксиаль-ной структуры п-п+ из GaAs / Ю.В. Гуляев, С.И. Иванов, ИМ. Котелянский, Г.Д. Мансфельд II Радиотехника и электроника. 1977. - Т. 22, № 4. - С. 810-814.

14. Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты: элементы и устройства на поверхностных акустических волнах. М.: Сов. радио, 1980. -264 с.

15. Хорунжий В.А., Долбня Е.В., Богатое П.Н. Акустоэлектроника. Киев.: Техника, 1984.- 152 с.

16. Семенов Э.А., Посадский В.Н. Развитие СВЧ-техники объемных и поверхностных акустических волн // Радиотехника. 1999. - № 4. - С. 81-85.

17. Возбуждение и усиление поверхностных звуковых волн в структуре пьезоэлектрическая пленка полупроводники / Ю.В. Гуляев, A.M. Клшта, И.М. Котелянский и др. //ФТП,- 1971.-Т. 5, № 1. — С. 80-84.

18. Гуляев Ю.В. Акустоэлектроника (исторический обзор) // УФН. 2005. - Т. 175, №8.-С. 887-895.

19. Некоторые тенденции развития акустоэлектроники сверхвысоких частот / С.Г. Алексеев, Ю.В. Гуляев, И.М. Котелянский, Г.Д. Мансфельд II УФН. 2005. - Т. 175, № 8.-С. 895-900.

20. Барыбин A.A. Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами. М.: Наука, 1986. - 288 с.

21. Левингшпейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна. М.: Сов. радио, 1975.-288 с.

22. Шур М.С. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ. М.: Мир, 1991.-632 с.

23. Прохоров Э.Д., Белег{кгш Н.И. Полупроводниковые материалы для приборов с междолинным переносом электронов. Харьков: Вища школа, 1982. - 144 с.

24. Кэррол Дж. СВЧ-генераторы на горячих электронах / Пер. с англ. М.Е. Левин-штейна, М.С. Шура; Под ред. Б.Л. Гельмонта. М.: Мир, 1972. - 382 с.

25. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука, 1977.-368 с.

26. Travelling-wave amplifier using epitaxial GaAs layer / R.H. Dean, A.B. Dreeben, J.F. Kaminski, A. Triano И Electron. Lett. 1970. - Vol. 6, № 24. - P. 775-776.

27. Дин P., Матарезе P. Новый тип СВЧ-транзистора усилитель бегущей волны на n-GaAs // ТИИЭР. - 1972. - Т. 60, № 12. - С. 23-43.

28. Барыбин A.A., Пригоровский В.М. Волны в тонких слоях полупроводников с отрицательной дифференциальной проводимостью // Изв. ВУЗов. Физика. 1981. - Т. 24, вып. 8.-С. 28-41.

29. Rees H.D. Hot electron effects at microwave frequencies in GaAs // Solid State Com. 1969. - Vol. 7, № 2. - P. 267-269.

30. Белоусов Н.П., Мартыненко Е.И., Чайка B.E. О верхнем частотном пределе эффекта Ганна в n-GaAs в режиме малого сигнала // Радиотехника и электроника. 1982. -Т. 27, вып. 1.-С. 186-187.

31. Белоусов Н.П., Чайка В.Е. Частотная зависимость отрицательной проводимости InP в режиме малого сигнала // Укр. физ. журн. 1984. - Т. 29, вып. 4. - С. 627-628.

32. Стариков Е., Шикторов П. Исследование спектра дифференциальной подвижности методом Монте-Карло // Лит. физ. сб. 1992 - Т. 32, № 4. - С. 471-519.

33. Monte Carlo Calculation of High Frequency Mobility and Diffusion Noise in Nitride-Based Semiconductors / E. Starikov, P. Shiktorov, V. Gruzinskis etc. II Acta Physica Polonica A. 2005. - Vol. 107, № 2. - P. 408-411.

34. Красильник З.Ф., Реутов В.П. К нелинейной теории усиления волн пространственного заряда в тонких пленках n-GaAs. // Изв. ВУЗов. Радиофизика. 1976. - Т. 19, №7.-С. 1067-1073.

35. Kino G.S. Carrier waves in semiconductors I: Zero temperature theory// IEEE Trans., Electron. Dev. 1970. - Vol. 17, Issue 3. - P. 178-192.

36. Heinle W. Inclusion of diffusion in the space-charge theory of Kino and Robson // Electron. Lett. 1971. - Vol. 7, Issue 10. - P. 245-246.

37. Исследование возбуждения волн пространственного заряда в тонких пленках полупроводников многоэлементными системами электродов / Г.Л. Гуревич, М.А. Катаев, A.JJ. Коган, Е.И. Рыжова И Радиотехника и электроника. 1988. - № 6. - С. 1272-1278.

38. Амплитудно-частотные характеристики приборов на волнах пространственного заряда с переменным сечением проводящего канала / М.А. Китаев, А.Л. Коган, M.JJ. Пиковская, Е.И. Рыжова II Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1990. -Вып. 2.-С. 14-18.

39. Китаев М.А., Коган А.Л., Рыжова Е.И. Статические электрические поля в приборах обработки СВЧ сигнала на основе волн пространственного заряда // Радиотехника и электроника. 1986. - Т. 31, вып. 8. - С. 1635-1644.

40. Китаев М.А., Коган А.Л., Рыжова Е.И. Влияние неоднородностей на распределение статического поля в пленках арсенида галлия с горячими электронами // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1987. - вып. 6 (400). - С. 34-39.

41. Козейкин Б.В., Рылов A.M., Высоцкий С.А. Влияние поверхностного потенциалана характеристики полупроводниковых приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1991. - Вып. 2 (436). -С. 16-18.

42. Гуревич Г.Л., Коган A.JJ. Шумовые характеристики устройств обработки СВЧ-сигнала, использующих волны пространственного заряда в тонких полупроводниковых пленках // Радиотехника и электроника. 1983. - Т. 28, № 6. - С. 1169-1175.

43. Загщев В.В., Тяпухин П.В. Влияние рассогласования нагрузки на коэффициент усиления нелинейного усилителя бегущей волны // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1986. - Вып. 3 (387). - С. 43-46.

44. Гуревич Г.Л., Коган А.Л. Об использовании двумерных эффектов при распространении волн пространственного заряда в тонких полупроводниковых пленках для обработки СВЧ-сигналов // Радиотехника и электроника. 1981. - Т. 29, № 8. - С. 1765-1772.

45. Non-linear interaction of space charge waves in GaAs semiconductor / V. V. Grimal-sky, J. Escobedo-A., M. Tecpoyotl-T., S.V. Koshevaya II Microelectronics, 2002. MIEL 2002. 23rd International Conference on. Vol. 1. - P. 327-330.

46. Nonlinear effects of space charge waves in GaAs semiconductors under a 2d modeling / J. Escobedo-A., V. V. Grimalsky, M. Tecpoyotl-T., S. V. Koshevaya II Procc. Of 8th International Workshop IBERCHIP, Guadalajara, México, 3-5 April 2002. P. 31-33.

47. Amplification of Acoustic-electromagnetic Waves in GaN Films / A. Garca-B., V. Grimalsky, A. Silva etc. II PIERS Proceedings, August 27-30, Prague, Czech Republic. -2007.-P. 310-313.

48. Amplification of space charge waves of short wave part of millimeter wave range in n-GaN films / V. Grimalsky, S. Koshevaya, F. Diaz-A., J. Escobedo-A. II Microwaves, Radar and Remote Sensing Symposium, MRRS 2008. 22-24 Sept. 2008. P. 98-101.

49. Excitation of Hypersound Due to Coupling with Space Charge Waves in GaN films / V. V. Grimalsky, S. V. Koshevaya, L.M. Gaggero-S., F. Diaz-A. II Progress In Electromagnetics Research Symposium 2007, Beijing, China, March 26-30. P. 244-247.

50. Resonant excitation of microwave acoustic modes in n-GaAs / V. Grimalsky, E. Gntierrez-D., A. Garcia-B., S. Koshevaya II Microel. J. 2006. - Vol. 37, №. 3. - P. 395403.

51. Amplification of Space Charge Waves of Millimeter Wave Range in Transversely Nonuniform n-GaN Films / V. Grimalsky, S. Koshevaya, M. Tecpoyotl-T., J. Escobedo-A. II PIERS Proceeding, Moscow, Russia, August 18-21, 2009. -P. 1190-1194.

52. Кайно В., Робсон П. Ганновские приборы уменьшенных поперечных размеров // ТИИЭР. 1968. - Т. 56, № 11. - С. 231-232.

53. Кумабе К, Кояма Д. Двумерный анализ волн пространственного заряда в усилителе бегущей волны на кристалле арсенида галлия // Дэнси цусин гаккай ромбунси. -1974.-Т. 57, №6.-С. 179-186.

54. Тралле И.Е. Усиление плазменных колебаний в многослойных структурах с периодическими управляющими электродами // Доклады Академии наук БССР. 1991. -Т. 35, №2.-С. 132-136.

55. Tralle I.E., Filonov А.В. Space charge wave amplification in a multi-electrode mis microstructure and in a two-dimensional electron gas // J. Phus. D: Appl. Phys. 1994. - Vol. 27.-P. 1707-1712.

56. Tralle I.E., Filonov A.B. Amplification of a Space-Charge Wave in a Two

57. Dimensional Electron Gas in a Strong Electric Field // Phus. Stat. Sol. (b) 1994. - Vol. 182. -P. 165-170.

58. Tralle I.E., Filonov A.B. Beam Instability and Space-Charge Wave Amplification in a Semiconductor Plasma // Phus. Stat. Sol. (b)- 1994,-Vol. 182. P. 171-176.

59. Tralle I.E., Filonov A.B. Beam Instability and Space-Charge Wave Amplification Caused by Electron Injection out of QW into 2DEG 11 Phus. Stat. Sol. (b) 1996. - Vol. 85. - P. 85-94.

60. Елепьски А., Тралле И.Е., Сизюк B.A. Моделирование методом Монте-Карло усилителя бегущей волны на арсениде галлия с барьером Шоттки // Инженерно-физический журнал. 1998. - Т. 71, № 5. - С. 891-898.

61. Numerical simulations of propagation of SCWs in strained Si/SiGe heterostructures at 4.2 and 11 К I A. Garcia-B., V. Grimalsky, A.E. Gutierrez-D. //-J. Comput. Electron. 2007. -Vol. 6.-P. 137-140.

62. Space-charge waves in silicon carbide / M.P. Petrov, V. V. Biyksin, A.A. Lebedev etc. II J. Appl. Phys. 2005. - Vol. 98, Issue 8. - P. 083706.1-083706.5.

63. Михайлов А.И. Влияние частотной дисперсии отрицательной дифференциальной подвижности электронов на усиление волн пространственного заряда в тонкопленочных структурах арсенида галлия и фосфида индия // Письма в ЖТФ. 1995. - Т. 21, вып. 21.-С. 89-95.

64. Gulayev Yu. V., Zilberman Р.Е. On the theory of parametric amplification of ultrasonic waves in semiconductor // Phys. Lett. 1969. - Vol. 30A, № 7. - P. 378-379.

65. Левин B.M., Пустовойт В.И. О-нелинейном взаимодействии квазиколлинеарных акустических волн в пьезополупроводниках // ФТТ. 1976. - Т. 18, вып. 10. - С. 30233027.

66. Konno Н. Nonlinear Theory of Surface Acoustic Wave Parametric Oscillation // J. Phys. Soc. Jpn. 1990. - Vol. 59. - P. 3989-4003.

67. Кейс B.H. Параметрическое усиление электромагнитных волн в среде с кубичной нелинейностью // Изв. ЛЭТИ. 1975. - Вып. 161. - С. 12-15.

68. Параметрическое и нелинейное взаимодействие электромагнитных волн в пара-электриках / Л.Г. Гассанов, С.В. Кошевая, Т.Н. Нарытник, М.Ю. Омельяненко // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1978. - Т. 21, № 10. - С. 56-63.

69. Попков А. Ф., Фетисов Ю.К., Островский Н.В. Параметрическое взаимодействие объемных магнитостатических волн в пленке феррита с пространственно-временной модуляцией магнитного поля // ЖТФ. 1998. - Т. 68, вып. 5. - С. 105-112.

70. Parametric Interaction of Dipolar Spin Wave Solitons with Localized Electromagnetic Pumping I A. V. Bagada, G.A. Melkov, A.A. Serga, A.N. Slavin И Phys. Rev. Lett. 1997. -Vol. 79.-P. 2137-2140.

71. Parametric interaction of magnetostatic waves with a nonstationary local pump / G.A. Melkov, A.A. Serga, A.N. Slavin etc. II J. of Experim. and Theoret. Phys. 1999. - Vol. 89, №6.-P. 1189-1199.

72. Лобанов В.E., Сухорукое А.П. Изменение скорости и частоты оптического согнала при каскадном параметрическом взаимодействии с мощным опорным импульсом // Известия РАН. Серия физическая. 2009. - Т. 73, № 12. - С. 1680-1682.

73. Сухорукое А.П. Нелинейные волновые взаимодействия в оптике и радиофизике. -М.: Наука, 1988.-232 с.

74. Скотт Э. Волны в активных и нелинейных средах в приложении к электронике: Пер. с англ. / Под ред. JI.A. Островского, М.И. Рабиновича. М.: Сов. радио, 1977. -368 с.

75. Филлипс О.М. Взаимодействие волн // Нелинейные волны / Под ред. С. Лейбо-вича и А. Сибасса; Пер. с англ. под ред. A.B. Гапонова и Л.А. Островского. М.: Мир, 1977.-Гл. 7.-С. 197-220.

76. Рабинович М.И., Трубецков Д.И. Введение в теорию колебаний и волн: Уч. пособие. -М.: Наука, 1984.-432 с.

77. Нелинейные волны. Динамика и эволюция: Сб. научн. тр. / Под ред. A.B. Гапо-нова-Грехова и М.И. Рабиновича. -М.: Наука, 1989. 400 с.

78. Габов СЛ. Введение в теорию нелинейных волн. М.: Изд-во МГУ, 1988. - 176 с.

79. Ланда П.С. Нелинейные колебания и волны. М.: Физматлит, 1997. - 495 с.

80. Kaif Л.И., Сафонов A.A. Взаимодействие электромагнитных колебаний сверхвысоких частот с плазмой носителей заряда в полупроводнике: В 2-х частях. — Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1979. Ч. 1. - 140 е.; Ч. 2. - 134 с.

81. Нелинейные электромагнитные волны: Пер. с англ. / Под ред. П. Усленги. М.: Мир, 1983.-312 с.

82. Комиссарова М.В, Сухорукое А.П., Терешков В.А. О параметрическом усилении бегущих волн с кратными частотами // Изв. РАН. Сер. физ. 1997. - Т. 61, № 12. - С. 2298-2302.

83. Сухорукое A.A. К теории параметрически связанных солитонов с учетом дисперсии высших порядков // Изв. РАН. Сер. физ. 1997. - Т. 61, № 12. - С. 2348-2352.

84. Поляков С.В., Сухорукое А.П. Медленные и неподвижные параметрические со-литоны в периодически неоднородных средах // Изв. РАН. Сер. физ. 1997. - Т. 61, № 12.-С. 2353-2358.

85. Иванченко В.А., Клгшов Б.Н., Михайлов А.И. Усиление высокочастотных волн в полупроводниках с ОДП // ФТП. 1978. - Т. 12, вып. 3. - С. 601-603.

86. Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. Параметрическое взаимодействие высокочастотных волн в n-GaAs. // ФТП. 1979. - Т. 13, вып. 6. - С. 1172-1174.

87. Игнатьев Ю.М., Михайлов А.И. Параметрическое усиление волн пространственного заряда в полупроводнике с отрицательной дифференциальной проводимостью // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1990. - Т. 33, № 10. - С. 76-78.

88. Гуревич Г.Л., Коган А.Л. Нелинейные эффекты в усилительных диодах Ганна // ФТП, 1978.-Т. 12, вып. 8.-С. 1518-1523.

89. Гуревич Г.Л., Коган А.Л., Коробков Г.М. Характеристики распределенного смесителя СВЧ диапазона, использующего волны пространственного заряда в тонких полупроводниковых пленках // Радиотехника и электроника. - 1984. - Т. 29, № 2. - С. 333-340.

90. Гуревич Г.Л., Коробков Г.М. Трёхчастотное взаимодействие пучков волн пространственного заряда в полупроводниковой плёнке с дрейфом электронов // Радиотехника и электроника. 1986. - Т. 31, № 2. - С. 337-342.

91. Superheterodyne amplification of sub-millimeter electromagnetic waves in an n-GaAs film / S. Koshevaya, V. Grimalsky, J. Escobedo~A., M. Tecpoyotl-T. II Microelectron. J. -2003. Vol. 34, Issue 4. - P. 231-235.

92. Барыбгт A.A., Михайлов А.И. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // ЖТФ. 2000. -Т. 70, вып. 2. - С. 48-52.

93. Барыбгт A.A., Михайлов А.И., Клецов A.A. Коэффициенты связи волн пространственного заряда при их параметрическом взаимодействии в тонкопленочных структурах арсенида галлия // Электродинам, и техн. СВЧ и КВЧ. 1999. - Т. 7, № 2. - С. 88.

94. Барыбин A.A., Михайлов А.И. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе арсенида галлия п-типа // ЖТФ. 2003. - Т. 73, вып. 6. - С. 103-109.

95. Михайлов А.И. Экспериментальное исследование параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия // Письма в ЖТФ. 2000. - Т. 26, вып. 5. - С. 80-85.

96. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Фазовая скорость волн пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1998. - Вып. 4. -С. 75-76.

97. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Влияние концентрации электронов в пленке арсенида галлия на граничную частоту усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // Письма в ЖТФ. 1999. - Т. 25, вып. 4. -С.85-90.

98. Сергеев С.А., Михайлов А.И, Сергеева Б.В. Перспективы нитрида галлия дляустройств на волнах пространственного заряда // Опто-, наноэлектроника, нанотехно-логии и микросистемы: Труды XI международной конференции. Ульяновск: УлГУ, 2009.-С. 26.

99. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Граничная частота усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP и n-GaN // Физика волновых процессов и радиотехнические системы.- 2010. Т. 13, № 1. - С. 33-37.

100. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Фазовая скорость волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP и n-GaN // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2009. - Вып. 16. - С. 3839.

101. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов / Пер. с англ. -М.: Мир, 1967.-478 с.

102. Monte Carlo calculation of electron initiated impact ionization in bulk zinc-blende and wurtzite GaN / J. Kolnik, I.H. Ogusman, KF. Brennan etc. II J. Appl. Phys. 1997. - Vol. 81, №2.-P. 726-733.

103. Adachi S. Properties of Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. New York: John Wiley &Sons. - 2009. - 400 p.

104. Физические величины: Справочник / А.П. Бабичев, НА. Бабушкина, A.M. Брат-ковский и др. / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991.- 1232 с.

105. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В2-х кн. Кн. 2: Пер. с англ. 2-е пе-рераб. и доп. изд. -М.: Мир, 1984.-456 с.

106. Vurgaftman /., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys//J. Appl. Phys. 2001. - Vol. 89, № 11.-P. 5815-5875.

107. Indium Phosphide millimeter-wave devices and components / B. Fank, J. Crowley, P.

108. Wolfert etc. II International Journal of Infrared and Millimeter Waves. 1984. - Vol. 5, № 6. -P. 859-867.

109. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999. - 376 с.

110. Monte Carlo simulation of InP and GaAs MESFETS / G.M. Dunn, A.B. Walker, J.H. Jefferson etc. II Semicond. Sci. Technol. 1994. - Vol. 9. - P. 2123-2129.

111. Takahashi K., Yoshikawa A., Sandhu A. Wide Bandgap Semiconductors. Fundamental Properties and Modern. Photonic and Electronic Devices. Berlin: Springer, 2007. - 460 p.

112. Ren F., Zolper J.C. Wide energy bandgap electronic devises. Singapore: World Scientific Publishing, 2003. - 514 p.

113. Левинштейн M.E. Новые результаты в исследовании междолинного перехода горячих электронов // ФТП. 1979. - Т. 13, вып. 7. - С. 1249-1267.

114. Вгеппап К., Hess К. High field transport in GaAs, InP and InAs // Sol. St. Electron. -1984. Vol. 27, № 4. - P. 347-357.

115. Pozela J., Reklaitis A. Electron transport properties in GaAs at higt electric fields // Sol. St. Electron. 1980. - Vol. 23. - P. 927-933.

116. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: Наука, 1972. - 268 с.

117. Moloney T.J., Frey J. Transient and steady-state electron transport properties of GaAs and InP // J. Appl. Phys. 1977. - Vol. 48, № 2. - P. 781-787.

118. Kundrotas J., Dargys A., Cesna A. Shallow donor impact ionization in n-InP and n-GaAs: influence of doping and compensation // Semicond. Sci. Technol. 1996. - Vol. 11.-P. 692-696.

119. Butcher P.N., Fawcett W. The intervalley transfer mechanism of negative resistivity in bulk semiconductors//Proc. Phys. Soc. 1965.-Vol. 86, № 12.-P. 1205-1219.

120. Adachi S. Physical properties of III-V semiconductor compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP. New York: John Wiley &Sons. - 1992. - 318 p.

121. Alekseev E., Pavlidis D. Large-signal microwave performance of GaN-based NDR diode oscillators // Sol. St. Electron. 2000. - № 44. - P. 941-947.

122. Диффузия горячих электронов / В. Барейкис, А. Матуленис, Ю. Пожела и др. / Под ред. Ю. Пожелы. Вильнюс: Моклас, 1981. -212 с.

123. Wandinger L. Mm-wave InP Gunn Devices: status and trends // Microwave J. 1981. -Vol. 24, №3.-P. 71, 75-78.

124. Aishima A., Yokoo K., Ono S. Monte Carlo Calculation of Diffusion Coefficient in n-Type GaAs // Jap. J. Appl. Phys. 1978. - Vol. 17. - P. 959-960.

125. Транзисторы на GaN пока самый «крепкий орешек» / В. Данилин, Т. Жукова, Ю. Кузнецов и dp. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2005. - № 4. - С. 20-29.

126. Бородовский П.А., Осадчгш В.М. Междолинный перенос электронов в полупроводниках А3В5. Новосибирск: СО АН СССР, 1987. - 171 с.

127. Eisele Н. InP Gunn devices for 400-425 Ghz // Electron. Lett. 2006. - Vol. 42, № 6. -P. 358-359.

128. Eisele H. 355-Ghz oscillator with GaAs TUNNETT diode // Electron. Lett. 2005. -Vol. 41, №6.-P. 329-331.

129. Scavennec A. Trends in indium phosphide microelektronics // J. de Phys. Colloque С 4.- 1988.-Т. 49.-P. 115-123.

130. Fawcett W., Herbert D.C. High-field transport in gallium arsenide and indium phosphide//J. Phys. С: Sol. St. Phys. 1974.-Vol. 7.-P. 1641-1654.

131. Electron transport in InP under high I electric field conditions / T. Gonzaiez Sanchez, J. E. Velazquez Perez, P. M. Gutierrez Conde II Semicond. Sci. Technol. 1992. - Vol. 7.1. P. 31-36.

132. Hilsum С., Rees H. Three-level oscillator. A new of transferred electron device // Electron. Lett. 1970. - Vol. 6, № 9. - P. 277-278.

133. Fawcett W., Hill G. Temperature dependence of the velocity/field characteristic of electrons in InP // Electron. Lett. 1975. - Vol. 11, № 4. - P. 80-81.

134. Tebbenham R.L., Walsh D. Velocity/field characteristic of n-type indium phosphide at 110 and 330 К // Electron. Lett. 1975. - Vol. 11, № 5. - P. 96-97.

135. Herbert D.C., Fawcett W., Hilsum C. High-field transport in indium phosphide // J. Phys. Chem. 1976. - № 11. - P. 3969-3975.

136. Ruterana P., Albrecht M., Neugebauer J. Nitride Semiconductors. Handbook on Materials and Devices. Weinheim: WILEY-VCH, 2003. - 664 p.

137. Акчурин P.X., Мармалюк A.A. Нитрид галлия — перспективный материал электронной техники. Ч. 1. Фундаментальные свойства нитрида галлия // Материаловедение. 1999. - № 9. - С. 41-47.

138. Levinshtein М.Е., Rumyantsev S.L., Shur M.S. Properties of advanced semiconductors materials: GaN, A1N, InN, BN, and SiGe. New York: John Wiley and Sons, -2001.- 194 P

139. Berrah S., Abid H., Boukortt A. The first principle calculation of electronic and optical properties of A1N, GaN and.InN compounds under hydrostatic pressure // Semicond. Phys., Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006. - Vol. 9, № 2. - P. 12-16.

140. Takafitmi Y., Soon-Ku H. Oxide and Nitride Semiconductors. Processing, Properties, and Applications. Berlin: Springer, 2009. - 517 p.

141. Cao J.C., Lei X.L. Nonparabolic multivalley balance-equation approach to impact ionisacion: Application to wurtzite GaN // Eur. Phys. J. B. 1999: - Vol. 7. - P. 79-83.

142. Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and A1N / B.E. Foutz, S.K. О 'Leaiy, M.S. Shur, L.F. Eastman II J. Appl. Phys. 1999. - Vol. 85, № 11. - P. 7727-7734.

143. Bhapcar U.V., Shur M.S. Monte Carlo calculation of velocity-field characteristics of wurtzite GaN // J. Appl. Phys. 1997. - Vol. 82, № 4. - P. 1649-1655.

144. Suzuki M., Uenoyama Т., Yanase A. First-principles calculations of effective-mass parameters of A1N and GaN // Phys. Rev. B. 1995. - Vol. 52, № 11. - P. 8132-8139.

145. Brazis R., Raguotis R. Monte Carlo modeling of phonon-assisted carrier transport in cubic and hexagonal gallium nitride // Optical and Quantum Electronics. 2006. - Vol. 38. -P. 339-347.

146. Electron transport characteristics of GaN for high temperature device modeling / J.D. Albrecht, R.P. Wang, P.P. Rudena etc. / J. Appl. Phys. 1998. - Vol. 83, № 9. - P. 47774781.

147. Bhapkar U.V., Shur M.S. Monte Carlo calculation of velocity-field characteristics of wurtzite GaN//J. Appl. Phys. 1997.-Vol. 82, №4.-P. 1649-1655.

148. Monte Carlo Simulation of Electron Transport in the Ill-Nitride Wurtzite Phase Materials System: Binaries and Ternaries / M. Farahmand, C. Garetto, E. Bellotti etc. II IEEE Trans., El. Dev. -2001. Vol. 48, № 3. - P. 535-542.

149. Monte Carlo calculations of hot-electron transport and diffusion noise in GaN and InN / E. Starikov, P. Shiktorov, V. Gruzinskis etc. // Semicond. Sci. Technol. 2005. - Vol. 20. -P. 279-285.

150. Михайлов А.И., Мишин А.В. Система уравнений локально-полевой модели динамики зарядов и тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2006. - Вып. 13. - С. 74-78.

151. Барыбин А.А., Куз В.Г. Усиление волн носителей в тонких пленках n-GaAs с учетом слоистости внешней среды // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. 1977. - Т. 20, № 10.-С. 80-83.

152. Арсенид галлия в микроэлектронике: Пер. с англ. / Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988. - 555 с.

153. Vilms J., Garrett J.P. The growth and properties of LPE GaAs // Sol. St. Electron. -1972. Vol. 15, № 4. - P. 443-452.

154. Копии Н.Г., Меркурисов Д.И., Соповьев С.П. Электрофизические свойства ядерно-легированного InP // ФТП. 2000. - Т. 34, вып. 2.-С. 157-161.

155. Копии Н.Г., Меркурисов Д.И., Соловьев С.П. Электрофизические свойства InP, облученного быстрыми нейтронами реактора // ФТП. 2000. - Т. 34, вып. 2. - С. 153156.

156. Бойко В.М., Бублик В.Т., Воронова М.И. Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP // ФТП. 2006. - Т. 40, вып. 6.-С. 641-649.

157. Masselink W.T., Kuech T.F. Velocity-Field Characteristics of Electrons in Doped GaAs //J. El. Materials. 1989. - Vol. 18, № 5. - P. 579-584.

158. Kliefoth K., Petzel B. Velocity-Field Characteristics of GaAs Gunn Diodes with Different Impurity Concentration // Phys. Stat. Solidi. (a). 1977. - Vol. 42, № 2. - P. K133-K135.

159. Masselink W.T. Electron velocity in GaAs: bulk and selectively doped heterostructures // Semicond. Sci. Technol. 1989. - Vol. 4. - P. 503-512.

160. Nielsen L.D. Microwave measurement of electron drift velocity in indium phosphide for electric fields up to 50 kV/cm // Phys. Lett. 1972. - Vol. 38A, № 4. - P. 221-222.

161. Lam H., Acket G.A. Comparison of the microwave velocity-field characteristics of n-type InP and n-type GaAs // Electron. Lett. 1971. - Vol. 7, № 24. - P. 722-723.

162. Glover G.H. Microwave measurement of the velocity-field characteristic of n-type InP // Appl. Phys. Lett. 1977. - Vol. 48, № 2. - P. 224-225.

163. Shur M.S. GaN-based Electronic Devices // High-Temperature Electronics in Europe / V. Dmitriev, T.P. Chow, S.P. DenBaars etc. Baltimore: Loyola College in Maryland, 2000. -P. 61-86.

164. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1995. - Т. 38, № 10.-С. 43-51.

165. Свидетельство на полезную модель 9351 РФ, МКИ 6 H 03 D 7/00. Преобразователь частоты СВЧ диапазона / А.И. Михайлов, С.А. Сергеев, Ю.М. Игнатьев (РФ). № 98117279/20; Заявлено 31.08.98.; Опубл. 16.02.99.; Приоритет от 31.08.98., Бюл. № 2.

166. Патент 2138116 РФ, МКИ H 03 D 7/00, 7/12, H 01 L 27/095. Преобразователь частоты СВЧ диапазона / А.И. Михайлов, С.А. Сергеев, Ю.М. Игнатьев (РФ). № 98116381/09; Заявлено 31.08.98.; Опубл. 20.09.99.; Приоритет от 31.08.98., Бюл. № 26.

167. Михагтов А.И., Сергеев С.А., Братаиюв Д.Н. Влияние частоты накачки на эффективность параметрической связи волн пространственного заряда в тонкопленочных структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью // Физика и техниче