Особенности распределения заряженных центров в области пространственного заряда оптоэлектронных структур при их формировании, термополевых и радиационных воздействиях тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Маняхин, Федор Иванович

• Маняхин, Федор Иванович
• доктор физико-математических наук
• 1998

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности распределения заряженных центров в области пространственного заряда оптоэлектронных структур при их формировании, термополевых и радиационных воздействиях»

СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА ПО ИССЛЕДОВАНИЮ ВЗАИМОСВЯЗИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ОПТО-ЭЛЕКТРОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХКТУР и

РАСПРЕДЕЛЕНИЯ В НИХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЦЕНТРОВ.

Полупроводниковые структуры некогерентного излучения и их свойства.

Конструктивно—тежологические характеристики и свойства излучающих структур, природа и параметры дефектов в них.

Изменение характеристик, концентрации заряженных центров в светодиодных структурах при длительном протекании прямого тока .

Модели механизмов деградации светодиодных структур при протекании прямого тока .

Влияние высокоэнергетических частиц на параметры излучающих полупроводниковых структур.

Выводы и определение проблем.

Фоточувствительные поликристалгогчесжие структуры и их свойства .

Методы получения шликристаллических слоев сульфида свинца и свойства фоточувствительных структур на их основе.

Влияние термополевых воздействий на распределение заряженных центров и характеристики фоточувствительных поликристаллических пленок сульфида свинца.

Изменение свойств поликристаллических фоточувствительных пленок при действии радиационного излучения.

Выводы и определение проблем .

Выводы и постановка задач ,,,,,,,,.

МЕТОДЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ.

Обзор вольт—фарадных методов исследования параметров и распределения заряженных центров в полупроводниках и полупроводниковых структурах.

Разработка оригинальных методов измерения параметров и характеристик полупроводниковых структур.

Метод измерения распределения эффективной концентрации заряженных центров в полупроводниковых структурах и устройство для его реализации .

Метод измерения параметров заряженных центров в полупроводниках и полупроводниковых структурах.

Метод измерения вольт—амперных характеристик и их параметров .

Выводы.

ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР И ОСОБЕННОСТИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ В НИХ ЭФФЕКТИВНОЙ КОНЦЕНТРАЦИИ ЗАРЯЖЕННЫХ ЦЕНТРОВ ПРИ ТЕРМОПОЛЕВЫХ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ

Конструктивно—технологические параметры и характеристики исследуемых структур.

Влияние длительного высокотемпературного воздействия и протекания прямого тока на свойства светодиодных структур на основе СаР, АУЗа^АБ.

Изменение распределения эффективной концентрации заряженных центров и характеристик светодиодных структур на основе СаР, А1хСа1хАз при формировании омических контактов .

Свойства гетероструктур и —А1хСа1 .хАз(Те)/р - СаАн(Се) и распределение в них эффективной концентрации заряженных центров.

Распределение эффективной концентрации заряженных центров .

Природа красного свечения в инфракрасных гетероструктурахп-А1о.з50ао.б5Аз(Те)/р-ОаАз(Ое).,.,.,.,,.

Перенос тепла в области гетероперехода инфракрасных структур Г1-А1о.з5Оао.б5^(Те)/р=-ОаАз(Ое).

Свойства высокоэффективных излучающих ЛуЗа^ Х1\Г/ 1г1уСа1у1\1/ ОаЫ гетероструктур с квантовыми ямами и осо -бенности распределения в них эффективной концентрации заряженных центров.

Спектральные характеристики светодиодных структур

А1хСа1 -хЩпуСа] уЫ/СаЫ с квантовыми ямами.

Электрофизические характеристики.

Физическая модель гетероструктур А1х(3а1 ХЫ/ 1пуОа1 уЫ/ОаМ с квантовыми ямами и распределение в них эффективной концентрации электрически активных центров в области пространственного заряда.

Выводы.

ИЗМЕНЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР И РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОЙ КОНЦЕНТРАЦИИ ЗАРЯЖЕННЫХ ЦЕНТРОВ В ОБЛАСТИ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ ПРОТЕКАНИИ

ПРЯМОГО ТОКА .

Влияние длительного протекания прямого тока на электрофизические характеристики гетероструктур п А1>:Ог|; .;Дз(Те)/р" СаАк(Сс). ряженных центров в области пространственного заряда светодиодных структур на основе СаР.

Изменение характеристик и распределения эффективной концентрации заряженных центров в области пространственного заряда в светодиодных структурах

АЮаЩпСаЩЗаЫ с квантовыми ямами .

Феноменологическая модель механизма образования точечных дефектов кристаллической решетки при воздействии горячих носителей заряда.

Прохождение горячих электронов через потенциальный барьер в гетеропереходе п+ - А1хСа1 -хАз/р - СаАд.

Выводы.

ОСОБЕННОСТИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ СУЛЬФИДА СВИНЦА.

Распределение элементного, фазового состава и электрически активных центров в фоточувствительных пленках сульфида свинца.

Механизм возникновения и релаксации фотопроводимости. Физическая модель фоточувствительной поликристаллической пленки .

Влияние особенностей распределения эффективной концентрации заряженных центров и параметров кристаллитов на свойства поликристшшических пленок.

Выводы .

ИЗМЕНЕНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ В ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУРАХ И ИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИ РАДИАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙ-СТВИИЯХ.

Создание радиационных дефектов в поликристаллических пленках и светодиодных структурах воздействием быстрых электронов и гамма-квантов .

Создание радиационных дефектов в поликристаллических пленках методом ионной имплантации.

Изменение распределения эффективной концентрации заряженных центров в области пространственного заряда светодиодных структур и их характеристик при создании в них радиационных дефектов .

Изменение свойств светодиодных структур при воздействии быстрых электронов и гамма—квантов.

Изменение свойств светодиодных структур при гамма нейтронном облучении,.,,.,.,.,.,.

Закономерности изменения характеристик и распределения заряженных центров в фоточувствительных пленках сульфида свинца при избирательном введении радиационных дефектов.

Механизм изменения характеристик фоточувствительных пленок сульфида свинца при создании радиациоялых дефектов в локальных областях методом ионной имплантации Механизм изменения характеристик фоточувствительных пленок сульфида свинца при создании радиационных дефектов быстрыми электронами и протонами.

Выводы .

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ . ттт/гтч^то л гш го л 7

ВВЕДЕНИЕ

Полупроводниковая электроника базируется, как правило, на использовании свойств неоднородных как по степени легирования, так и по химическому составу полупроводников и полупроводниковых структур (ПС), активным элементом которых является переходная область с большим градиентом концентрации примеси, либо химического состава полупроводника. Основным требованием к ПС является повторяемость свойств при изготовлении и стабильность их характеристик и параметров при эксплуатации, хранении и воздействии внешних энергетических факторов, таких как температура, ионизирующее излучение и облучение высокоэнергетическими частицами.

Причина разброса исходных параметров и характеристик ПС и их нестабильности при эксплуатации и внешних воздействиях — влияние факторов нагрузки на распределение электрически активных центров, изменение электрической активности и свойств точечных дефектов полупроводника, а также состояния его кристаллической решетки. В процессе эксплуатации протекание тока и высокие электрические поля в переходных областях приводят к необратимому изменению свойств ПС. Проблема деградации их свойств в последнее время интенсивно изучается, однако общая концепция еще до конца не разработана и необходимы дальнейшие исследования.

Наиболее нестабильными в поведении основных параметров являются полупроводниковые оптоэлектронные структуры (ПОС) и приборы, особенно поликристаллические резисторные фотоприемники и светоизлучающие диоды (СД) некогерентного и когерентного излучения.

Несмотря на очевидность взаимосвязи свойств ПОС и особенностей характера распределения эффективной концентрации заряженных центров (ЭКЗЦ) в переходных областях ПОС систематические детальные экспериментальные исследования распределения в них ЭКЗЦ с усреднением по глубине порядка нескольких периодов решетки практически не проводились. 8

Проведенный анализ работ указывает на необходимость экспериментальных исследований в этом направлении, углубления теоретических представлений о закономерностях взаимосвязи свойств ПОС и пространственного распределении электрически активных центров. Кроме того, такие исследования требуют разработки соответствующих методов, обладающих возможностями применения в физических лабораториях и на производстве.

Цель работы : установление причин и механизмов нестабильности и особенностей пространственного распределения электрически активных центров в области пространственного заряда полупроводниковых огггоэлектронных структур при их формировании, термополевых и радиационных воздействиях.

Для достижения поставленной цели предстояло решить следующие задачи:

1. Провести экспериментальные исследования распределения ЭКЗЦ в области пространствешюго заряда (ОПЗ) ПОС с конструктивно—тешологическими различиями для установления общих закономерностей их взаимосвязи со свойствами структур.

2. Провести сравнительный анализ теоретических и экспериментальных характеристик ПОС для выявления факторов и причин, влияющих на их параметры.

3. Провести экспериментальные исследования влияния режимов работы и внешних воздействий на свойства ПОС и распределение ЭКЗЦ в ОПЗ.

4. Установить причины необратимых и обратимых изменений характеристик и параметров ПОС, возникающих в результате термополевых воздействий.

5. Развить модельные представления о структурных и электрофизических особенностях ПОС на основании экспериментально—теоретического анализа взаимосвязи их свойств и распределения ЭКЗЦ.

6. Разработать методы и устройства для экспериментального исследования распределения ЭКЗЦ в ОПЗ и их параметров в ПС.

Научная новизна работы состоит в развитии и обобщении физических 9 представлений о взаимосвязи характеристик и параметров полупроводниковых оптоэлектронных структур с характером распределения в них эффективной концентрации заряженных центров и их свойствами,

К наиболее существенным результатам, представленным в диссертации, относятся:

1. Результаты экспериментального исследования изменения распределения эффективной концентрации электрически активных центров в ОПЗ СЪ©То,ЦМи|1111±>1л структур (ОДСу В СТХб СГРВЙ 6 ТТТТУГУ 6ЛЬ НОГО ХТрОТбКЭХхуйИ ИрМ Да О! 'и тока: в легированной области активного слоя СД гетероструктур с разрывом краев зон и компенсированной областью вблизи р—п перехода наблюдается изменение распределения ЭКЗЦ в слое шириной порядка длины свободного пробега электронов; причиной изменения распределения концентрации электрически активных центров является образование точечных дефектов в результате кинетического рассеяния горячих носителей заряда, образующихся на границе разрыва зон гетероперехода и в дрейфовом поле компенсированного слоя.

2. Явление подпорогового дефектообразования при взаимодействии горячих электронов с атомами кристаллической решетки; установлен механизм дефектообразования при взаимодействии горячих электронов с атомами решетки полупроводника; получены аналитические зависимости, устанавливающие взаимосвязь между концентрацией смещенных атомов, распределением кинетической энергии горячих электронов, плотностью их потока и временем протекания, определены условия проявления этого механизма.

3. Результаты экспериментального исследования особенностей распределения ЭКЗЦ в ОПЗ вблизи границы раздела областей с высоким градиентом концентрации и химического состава полупроводниковой структуры; выявлено наличие компенсированных областей вблизи металлургической границы р—п переходов, поверхностей полупроводниковых кристаллов; обсуждена

10 природа и определено влияние этих областей на свойства полупроводниковых структур;

4. Результаты анализа взаимосвязи распределения ЭКЗЦ в ОПЗ светодиодных гетероструктур на основе А1хОа1 хМ/1пуОа1уК/ОаМ с одной (ОКЯ) и множественными (МКЯ) квантовыми ямами (активным слоем) и их высокой квантовой эффективности; разработана физическая модель светодиодных структур Л!хСа1хЩпуСа, уМ/СаМ с квантовыми ямами.

5. Результаты экспериментального исследования влияния условий формирования омического контакта на распределение ЭКЗЦ в ОПЗ светодиодных структур на основе СаР и СаАз; обнаружено изменение градиента концентрации заряженных центров в ОПЗ СДС после формирования омических контактов; установлены причины наблюдаемого изменения;

6. Результаты анализа взаимосвязи особенностей электрофизических характеристик и распределения ЭКЗЦ в фоточувствительных поликристаллических пленках сульфида свинца; свойства фоточувствитель— ных пленок сульфида свинца, изготовленных по различным технологиям определяются неоднородностью распределения донор но—акцепторных центров по площади и толщине пленок, потенциального рельефа, наличием продольных каналов протекания темнового и фототока по уровню протекания, а также продольных и поперечных рекомбинационных барьеров;

7. Неразрушающий метод и его математический аппарат исследования распределения ЭКЗЦ в ОПЗ ПС (авторские свидетельства №1087002 и №1316485), основанный на измерении параметров динамической барьерной емкости; создан макет установки для реализации метода.

8. Неразрушающий метод и его математический аппарат для определения параметров электрически активных центров в ОПЗ ПС, основанный на измерении температурно-частотной -зависимости параметров динамической барьерной емкости; создан макет устройства для его реализации.

Практическая значимость проведенных исследований состоит в разработке

11 неразрушающего метода и его математического аппарата , а также макета устройства для измерения распределения концентрации заряженных центров в области пространственного заряда полупроводниковых структур (р—п переходов, барьеров Шоттки, МДП-структур) (а.с,№ 1087002, а.с.ГФ 1316485). Метод и устройство для его реализации могут быть использованы при проведении как научных исследований, так и при контроле технологических опера— ций в промышленных условиях.

Для определения параметров электрически активных центров разработан метод и его математический аппарат, Метод предназначен для исследования свойств электрически активных центров как с мелким (<0.1 эВ), так и глубоким расположением уровней в запрещенной зоне.

Полученные экспериментальные результаты и выводы по влиянию режимов работы структур на распределение электрически активных центров в области пространственного заряда и их характеристики могут быть использованы при проектировании СД структур и полупроводниковых лазеров.

Полученные в диссертационной работе результаты и разработанные методики используются в научных и учебных лабораториях и в учебных курсах "Физика твердого тела", "Оптоэлектронные полупроводниковые приборы", в постановке и выполнении дипломных работ кафедры полупроводниковой электроники и физики полупроводников, материаловедения полупроводников.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту: 1. Экспериментальные результаты исследования причин и механизмов особенностей распределения эффективной концентрации электрически активных центров в СДС. Существенные изменения в распределении ЭКЗЦ в ОПЗ СДС за времена порядка 100-1000 часов происходят в результате воздействия высоких температур, когда проявляются механизмы диффузии; при умеренных температурах изменения в распределении ЭКЗЦ происходят при пропускании тока, когда напряженность электрического поля в областях с повышенным сопротивлением достигает значений, при которых происходит

12 разогрев носителей заряда. Повышение эффективности СДС на начальной стадии старения связано с изменением соотношения между концентрациями избыточных дефектов, обусловленных технологическими воздействиями (технологические дефекты), и избыточных дефектов, возникающих вследствие протекания тока (динамические дефекты), когда время существования технологических дефектов меньше времени существования динамических дефектов.

2. Механизм подпорогового дефектообразования при взаимодействии I орячих электронов с атомами кристаллической решетки. При рассеянии горячих носителей заряда, образующихся в области разрыва краев зон гетероперехода или в дрейфовом поле компенсированного слоя р—п структур, образуются пары Френкеля и преобразуются комплексы вследствие передачи атомам энергии смещения Ей горячими носителями заряда с температурой Те; временная зависимость избыточной концентрации неравновесных дефектов определяется временем их существования и плотностью тока, а пространственное распределение - механизмом разогрева носителей заряда и технологическими особенностями переходной области полупроводниковой структуры.

3. Физическая модель высокоэффективных светодиодных гетероструктур на основе гетеропереходов АЮа1 хЩпуСа| у!м/СаМ синего и зеленого диапазонов спектра. При формировании этих структур на границах гетеропереходов с легированными п-- и р=областями самопроизвольно образуются широкие компенсированные области и заряженные "стенки" из- за диффузии примес= ных центров к границам гетеропереходов, вызванной деформационным потенциалом на границе А1хОаьх1Ч/1п Оа N. Вследствие образования противоположно заряженных близко расположенных "стенок" в активном слое ¡пра^,^ возникает высокая напряженность электрического поля (порядка 106В/см) и создаются условия эффективной двойной инжекции в нее электронов и дырок. Это приводит к 100% преобразованию рекомбинационного потока

13 в излучение. Энергия квантов определяется шириной запрещенной зоны {пСа, (долей 1п). Снижение внешнего квантового выхода наблюдается при появлении туннельной или диффузионной составляющих в прямом токе.

4. Механизм пробойной электролюминесценции в высокоэффективных светодиодных структурах А1>Са] хЩпуСа] у1\Г/СаЫ синего диапазона спектра с ОКЯ, обусловленный особенностями распределения ЭКЗЦ. При приложении обратного напряжения смещения около или больше ЗЕ (Ед~ ширина запрещенной зоны А15ра1 ) возникает электролюминесценция с уширенным спектром, которая вызвана рекомбинацией электронно - дырочных пар на краях области пространственного заряда вне ОПЗ, возникающих в результате ударной ионизации протуннелировавшими и ускоренными в поле активного слоя порядка Ю7 В/см носителями заряда, В спектре люминесцещии обнаружены дефектные пики, интенсивность которых изменяется в процессе деградации светодиодов и изменения распределения ЭКЗЦ.

5. Результаты анализа влияния протекания тока через СДС на изменение характера распределения в них ЭКЗЦ и концентрации точечных дефектов. При высоких плотностях тока в режиме прямого смещения СДС, когда и > фк, в них в результате рассеяния кинетической энергии горячюс носителей заряда образуются точечные дефекты и преобразуются комплексы в компенсированном слое и легированной области шириной порядка длины свободного пробега носителей заряда, приводящие к увеличению степени компенсации материала и деградации основных параметров СДС.

6. Физическая модель фоточувствительных структур на основе поликристаллических пленок сульфида свинца. При высокотемпературной выдержке в кислородосодержащей среде поликристаллические пленки приобретают квазиупорядоченную продольную р ' • р -т - ■ п структуру с развитым пространственно-неоднородным потенциальным рельефом в сильно легированном п-слое. Образование р к р — 1 слоя и развитие потенциального рельефа п- слоя связано с диффузией свинца к поверхности

14 пленки и образованием его вакансий в тонком приповерхностном слое, появлением поверхностных уровней акцепторного типа с высокой концентрацией. Протекание тока по слоям происходит по механизму перколяционной электропроводности. Энергетические параметры температурных зависимостей темповой проводимости, фотопроводимости, постоянной времени фотоответа и эффективной концентрации основных носителей заряда определяются соотношением размеров зерен кристаллитов и ширины области пространственного заряда в кристаллитах.

7. результаты анализа влияния высокотемпературного воздействия и тешологическмх условий при формировании омическжконтактов к СДС на их характеристики и распределение ЭКЗЦ в ОПЗ. При формировании омическюс контактов три воздействии температуры 450— 750°С изменения в распределении ЭКЗЦ происходят в структурах, содержащих цинк или при подлегировании поверхности цинком, Основные эффекты высокотемпературного подлегировании — уширение компенсированного слоя и снижение квантовой эффективности - связаны с аномально высокой скоростью диффузии цинка в материалахАшВ¥

8. Результаты анализа влияния облучения высокоэнергетическими частицами — электронами, протонами, гамма-квантами, ускоренными ионами, - на распределение и параметры электрически активных центров в области пространственного заряда СДС и фоточувствительных поликристаллических пленок РЬЗ. При облучении СДС основные изменения в распределении ЭКЗЦ происходят вблизи компенсированного слоя. Образование точечных дефектов приводит к компенсации материала активного слоя и образованию безызлучательных центров. Заметные изменения в распределении ЭКЗЦ легированных слоев происходят при высоких интегральных потоках электронов и дозах гамма—квантов, когда излучательные свойства СДС подавляются полностью,

В поликристаллических фоточувствительных пленках эффект действия

15 высокоэнергетических частиц определяется областью локализации дефектов. Приповерхностный р1 р слой является наиболее чувствительным к образованию дефектов вследствие разрушения центров, создающих поверхностные уровни акцепторного типа, уменьшения поверхностного потенциала и роста по этой причине скорости поверхностной рекомбинации избыточных носителей заряда.

9. Метод измерения распределения ЭКЗЦ в ОПЗ ПС и устройство для его реализации. При модуляции ширины ОПЗ полупроводниковых структур, эквивалентно представляющей собой барьерную емкость, модулированным гармоническим зарядом смещения постоянной амплитуды, образуется динамическая барьерная емкость, по параметрам которой определяется концентрация заряженных центров на краю ОПЗ при заданном смещении с усреднением по глубине профиля до 10~7 см. Глубина залегания профиля определяется по параметрам квазипостоянной барьерной емкости. Непрерывный профиль ЭКЗЦ получается при изменении напряжения смещения.

10. Метод измерения параметров заряженных центров в ОПЗ ПС. При изменении температуры полупроводниковой структуры изменяется инерционность перезарядки центров, определяющих параметры динамической барьерной емкости, энергетический уровень которых совпадает с уровнем Ферми в ОПЗ, и как следствие возникает температурная зависимость ЭКЗЦ. По температурной зависимости концентрации заряженных центров при фиксированной частоте измерительного гармонического сигнала определяется энергия ионизации центров и сечение захвата на них носителей заряда. Использование малого гармонического сигнала с частотой порядка МО5—ЫО6 Гц позволяет исследовать центры с энергией ионизации меньше 0.1 эВ в локальных сечениях ОПЗ с усреднением их концентрации по глубине до Ю-7 см.

Апробация работы. Основные результаты исследований, изложенные в диссертации, и ее научные положения докладывались и обсуждались на следующих конференциях, совещаниях и семинарах: II Всесоюзная конференция

16 по физике и технологии тонких пленок. Ивано-Франковск, 1984, май; Вторая Всесоюзная конференция "Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников". Черновцы, 1986, октябрь; научно-техническое совещание "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах", П.Черноголовка московской обл., 1990, ноябрь; Третья Всесоюзная конференцю "Физические основы надежности и деградации полупроводнжовыхприборов", Кишинев, 1991, май; Третье Всесоюзное совещание "Физические основы деградации и надежности полупроводнжовых приборов". Москва, 1991, октябрь; научно-техническая конференция "Физические основы деградации и надежности полщроводниковых приборов и тггегралъных схем", Нижний Новгород-Астрахань, 1992 г.; Межрегиональная научно-техническая конференция "Комплексное математическое и физическое моделирование, обеспечение надежности электронных приборов и аппаратуры", Бердянск, 1994, сентябрь; VI межотраслевой семинар "Радиационные процессы в электронике". Москва, МИФИ, 1994; III Всесоюзная конференция по физике поверхностных явлений в полупроводниках. Киев, 1994 г.; V Международная конференция по физике и технологии тонких пленок (МКФТТП-У), Ивано-Франковск, 1995; научно—технический семинар "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах", Москва, МЭИ, 1994,1995,1996 годы; международный научно-технический семинар "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах", 1997 г.; Первая Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологии получении легированных кристаллов кремния ("Кремний-96"). Москва, МИСиС, 1996, ноябрь; научно—техническая конференция "Моделирование электронных приборов и техпроцессов, обеспечение качества и надежности аппаратуры" (Моделирование приборов и техпроцессов - 96), Севастополь, 1996, 6-13 сентября; международная научно—техническая конференция "Конверсия, приборостроение, рынок", Суздаль, 14—16 мая 1997 г.; 1-е Всероссийское совещание " Нитрид галлия - структуры и приборы", Москва, МГУ

17 им. М.В.Ломоносова, 2 шож 1997 г.; 2-е Всероссийское совещание " Нитрид галлия, индия и алюминия — структуры и приборы", Санкт— Петербургский Технический Университет, Санкт-Петербург, 2 июня 1998 г.; III Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники4 97"4 Москва, ФИАН, деКаирь хэш г., ¿о—iuiül. оушр. ükiiuu. L/Ошр., lowb —¿.о dl — reieisuurg, оср^шиш 1996; Mat. Res, Soc, 1996, Fall Meeting, Boston, december 1996; Second European GaN Workshop, 11-13 June 1996, Valbonne , France; Meeting of Electrochem. Soc., Paris, September 1997; MRS Meeting, Tocushima, Japan, october 1997; Mat, Res, Fall Meeting, Boston, desember 1997, Second Symposium on III—V Nitride Materials and Processes, Pennington, 1998; The Third European GaN Workshop EGW-3, Warsaw, June 22-24, 1998.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 54 работы. Список основных работ приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введенш, шести глав, основных выводов, списка литературы из 286 наименований. Объем диссертации 335 страниц, включая 118 страниц рисунков.

Первая глава посвящена анализу литературных источников, содержащих сведения по структурно - тешояошчееким параметрам ПОС при их формировании, материалы экспериментальных и теоретических исследований деградационных процессов и механизмов образования дефектов в полупроводниковых структурах при термополевых и радиационных, воздействиях. На основании этого анализа определена цель и поставлены задачи работы.

Во второй главе проведен сравнительный анализ сухцествующук методик измерения распределения эффективной концентрации заряженных центров в области пространственного заряда полупроводниковых структур и их параметров; представлена методика измерения распределения ЭКЗЦ в ОПЗ полупроводниковых структур, с помощью которой проведены экспериментальные исследования, описано устройство для ее реализации. Описана методика

18 измерения ВАХ и фактора неидеальности ВАК.

В третьей главе представлены результаты исследования изменения распределения ЭКЗЦ и параметров СД на основе ОаР зеленого, желтого и красного свечения и А1ра1хАз красного и инфракрасного диапазонов спектра после длительного воздействия температуры от комнатной до 100°С, протекания прямого тока плотностью до 25 А/см2, проведения технологической операции формирования омических контактов. Выявлены основные причины изменения распределения ЭКЗЦ при этих условиях. Исследованы свойства и разработана физико • технологическая модель высокоэффективных СД структур на основе ОаМ.

В четвертой главе представлены результаты измерения распределения ЭКЗЦ в излучающих структурах после длительного пропускания прямого тока. Выявлены режимы, при которых наблюдается существенное изменение концентрации заряженных центров в прилегающих к р п переходу легированных областях. Получены количественные характеристики распределения ЭКЗЦ и измерены параметры образующихся заряженных центров. Разработана феноменологическая модель образования неравновесных точечных дефектов при протекании через р—п переход прямого тока.

В пятой главе представлены и проанализированы результаты изучения фазово—элементного состава и структуры поликристаллических пленок сульфида свинца до и после высокотемпературной выдержки в кислородосодержащей среде. Выявлена взаимосвязь изменения распре деления эффективной концентрации заряженных центров и фоточувствительных свойств поликристаллических пленок.

В шестой главе представлены результаты исследования электрофизических и фотоэлектрических характеристик ПОС при введении в них радиационных дефектов. Измерены распределения ЭКЗЦ заряженных центров после радиационного воздействия, Установлены закономерности изменения ЭКЗЦ в ОПЗ ПОС при радиационных воздействиях.

В основных выводах и заключении сформулированы основные результаты

19 диссертационной работы.

Измерения и обработка экспериментальных данных спектров электролюминесценции, распределения ЭКЗЦ, вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик проводились с использованием программы Origin 4.0.

Расчеты по аналитическим зависимостям проводились с использованием программы Mathcad 7.

20

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Маняхин, Федор Иванович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

При проведении комплексных исследований взаимосвязи свойств ПОС и характера распределения ЭКЗЦвОПЗпри их формирования, термополевых и радиационных воздействий получены следующие основные результаты.

1. Выявлено, что в приграничной области раздела полупроводниковых структур с высоким градиентом примеси и химического состава кристаллов полупроводника существует компенсированная область, размеры которой как правило обратно пропорциональны концентрации мелких примесных центров. Образование этой области обусловлено диффузионно-дрейфовым механизмом формирования р-п переходов в структурах, полученных диффузией, эпитаксией, а также в ряде поликристаллических пленок. На границе эпитаксиальных слоев могут образовываться области с повышенной концентрацией примеси вследствие стока примесных атомов и точечных дефектов. Наличие компенсированных слоев и слоев с повышенной концентрацией примесных центров у границ р-п переходов существенным образом влияет на параметры вольт - фарадных и во лът - амперных характеристик структур и во многом определяет их основные свойства.

2. Экспериментально обнаружено изменение распределения ЭКЗЦ в ОПЗ СДС на основе СаР и АЮа1хАБ при формировании к ним омических контактов. Установлено, что при подлегировании Ъп поверхностного слоя структур с термообработкой при Т=750°С существенно снижается градиент концентрации заряженных центров в ОПЗ, увеличивается компенсированная область, а вместе с этим ухудшаются их фотоэлектрические параметры. Предполагается, что этот эффект связан с аномально высокой подвижностью атомов цинка, диффундирующих за время технологического цикла в область р-п перехода.

3. Обнаружено изменение распределения эффективной концентрации электрически активных центров в области пространственного заряда гетероструктур инфракрасного излучения п-АЮа, Аз(Те)/р- СаАз(Се), СД

305 характеристик. Предложена физическая модель высокоэффективных светоизлучающих гетероструктур на основе нитрида галлия.

6. Обнаружена электролюминесценция из гетероструктур с ОКЯ на основе нитрида галлия при приложении обратного напряжения смещения больше ЗЕд1 измерены спектры излученш в процессе длительной работы. Предложена модель механизма возникновения пробойной люминесценции в этих структурах. На основании анализа ВАХ , ВФХ и спектров люминесценции с применением разработанной физической модели СДС развиты представления о примесно-дефектном составе и подтверждены теоретические гипотезы зонной структуры АЮа, N.

X 1-х

7. Установлена причина и механизм наблюдаемого эффекта красного свечения в инфракрасных гетероструктурах-АЮа1 хАз/СаАБ. За границей барьера межзонная рекомбинация может происходить посредством перехода электронов в валентную зону без участия и с участием фононов.

8. Обнаружен эффект охлаждения области гетероперехода А1ра1 хАб/ ОаАз по механизму Пельтье, Зависимости интенсивности излучения от напряжения смещения при плотностях тока до 1 А/см2 имеет температурный показатель экспоненты Ь~ехр(дИ/кТ) кТ меньше характерного для температуры окружающей среды. Причиной этого эффекта является перераспределение тепловой энергии в области гетероперехода.

9. Обнаружено необратимое изменение распределения ЗКЗЦ в ОПЗ СДС с паразитным динисторным эффектом при пропускании через них прямого тока в течение длительного времени. Вследствие этого структуры приобретают устойчивые свойства обычных светодИодов. Дано объяснение наблюдаемым результатам.

10. Исследованиями элементного, фазово-химического, электронно— зондового анализа фоточувствительных поликристаллических пленках сульфида свинца, полученных вакуумным напылением и высокотемпературным очувствлением на воздухе, и изучения распределения в них электрически активных

306 донорно-акцепторных центров выявлены особенности структуры таких пленок и предложена физическая модель, уточнен механизм их электропроводности и фотопроводимости, получены соотношения, определяющие взаимосвязь энергий активации температурных зависимостей параметров. Установлено, что они реально представляют собой не фоторезисторы в обычном их понимании, а являются активными элементами с продольной биполярной р ' р -1-п структурой и изотипными межкристаллитными барьерами.

11. Получено и проанализировано распределение ЗКЗЦ в ОПЗ ПОС при воздействии на них высокоэнергетических частиц в широком диапазоне потоков идоз: электронов с энергией 6 МэВ (Фе—1011—1016 см~2), у—квантов от источника Со60 с энергией 1.25 МэВ ( Бу=104-108 рад), ионов с различными атомными массами.

Обнаружено, что существенные изменения в распределении ЗКЗЦ СДС происходит вблизи границы р-п перехода, где изменяются параметры компенсированного слоя и градиент концентрации. Наблюдалась слабая зависимость характера изменения распределения ЭКЗЦ от режима, при котором происходило облучение. Общей тенденцией является компенсация материала полупроводника, заключающаяся в снижении ЭКЗЦ в ОПЗ. Причиной этого является образование спектра глубоких уровней точечных дефектов и их комплексов.

Свойства поликристаллических пленок сульфида свинца существенным образом зависят от места локализации радиационных дефектов, что хорошо объясняется на основе разработанной модели этих пленок.

13, Разработан неразрушающий экспериментальный метод, его математический аппарат, а также макет устройства для измерения и анализа распределения ЗКЗЦ в ОПЗ полупроводниковых структур. Метод обладает высокой чувствительностью и разрешающей способностью, позволяющей проводить измерения концентрации заряженных центров с усреднением по глубине исследуемого слоя до 10 7 см. Метод позволяет проводить исследования ЭКЗЦ в

307 резких несимметричных р—п переходах, МДП-структурах и структурах типа барьера Шоттки.

14. Разработан экспериментальный метод измерения параметров заряженных центров в ОПЗ полупроводниковых структур по анализу температурно-частотной зависимости ЭКЗЦ. Он особенно эффективен при исследовании параметров центров с мелкими уровнями в запрещенной зоне (<0.1 эВ) и позволяет исследовать их параметры в квазиравновесном режиме с высоким разрешением по глубине ОПЗ.

Из обобщения результатов работы можно сделать следующие выводы.

Развиты теоретические представления о механизмах изменения распределения ЭКЗЦ в области пространственного заряда полупроводниковых структур на различных этапах их формирования, при термополевых и радиационных воздействиях.

Проведенные исследования объединяет общее направление - разработка методологии исследования механизмов необратимого изменения электрической активности легирующей примеси, рекомбинационных и рассеивающих центров, определения взаимосвязи этих процессов с изменениями электрофизических характеристик и параметров полупроводниковых структур с учетом их особенностей.

Основой практически всех проведенных исследований были созданные в настоящей работе методы измерения распределения эффективной концентрации и параметров заряженных центров в области хросгранствешюго заряда. Высокая эффективность и разрешающая способность этих методов, достоверность результатов измерений позволили дать физическое и аналитическое описание механизмов протекающих процессов.

Таким образом, представленная работа открывает новое научное направление, в рамках которого дается развитие и обобщение теоретических

308 представлений о природе процессов нестабильности характеристик и параметров полупроводниковых структур на основе экспериментального исследования динамики изменения распределения в них заряженных центров.

309

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Маняхин, Федор Иванович, 1998 год

1. АБерг, П. Дин. Светодиоды. Пер. с англ. под ред. к.ф. —м.н. А.Э. Юновича. Изд. Мир, 1979, 686 с.

2. Гарба Л.С., Голованов Ю.А., Михайлов Л.Н., Сушков В.П. Яркие светоизлучающие диоды желтого цвета свечения на основе прямозонных твердых растворов friGa^ Р, полученные эпитаксией из паровой фазы . // Письма в ЖТФ. 1977. Т.З. В.24. С,5339~ 5340.

3. LadaniJ., KresselH. An experimental study of high—efficiency GaP:N green—light -emitting diodes.-//RCAReview. 1972. V 33. № 3. PP 517-536.

4. Saul R.H., Armstrong J., Hackett WH. GaP red luminescent diodes with an external quantum effisiency of 7%. //Appl. Phys. Lett. 1969.Ш5. №.7. P 229-231.

5. Коган Л.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды. М., Энергоатомиздат. 1983. 208 с.

6. Коган Л.М., Водовозова МЛ, Мельник Ф.Е. и др. Селективная жщкостная эпитаксия арсенида галлия и фосвида галлия.// Электронная техника. Сер. Материалы. 1975. В.1. С. 122-124.

7. Gorshenzon М., Mikulyak R.M. Elektroluminescence at p-n junctions in gallium phosphide.//Journ. ofAppl.Phys. 1961. V32.M>7. EP 1338-1348.

8. Grimmeis H J., Scholz H. Efficiency of recombination radiation in GaP// Phys. Lett. 1964. V8. №4.EE 233-235.

9. Lorenz M.R., Pilkuhn M. Preparation and properties of solution-grow epitaxial p-n junctions in GaP//Journ. of Appl. Phys. 1966. Y37. PP 4094-4102.

10. Грачев B.M., Евстропов B.B., Коган Л.М. и др. Высокоэффективные источники красного излучения из GaP .// ФТП. 1968. Т.2. В.7. С. 1055-1057.

11. П. Ladany J.,McParIane S.H., Bass S.J. Comparison of liquidencapsulated and solution-grown substrates for efficient GaP-diodes.// Journ. of Appl. Phys. 1969. V40.12. РР 4984 4988.

12. Амосов В,И., Изергин А.П., Коган JIM. и др. Диодные источники красногоизлучения из GaR полученного методом Чохральского. // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1972. В.1. С.121-123.

13. Dean PJ., Gershenzon М., Kaininsky G. Green electrolmninescence from galliumi^hriaribiHo HioHoo пояг rorirri tapiT^or^hiria// Tmirri ryf Дт~\п1 РЪлг<з 1 QR7 А^ЯЯ N<~> 1 Я

14. J^JLXWt^^fJ. I.t V 4 UU.WVJHJLJ IXULU J- V-/ L\/1J.J.^/ V/J.UL Lii \—fI J V—» Ы1. XX« WX Л. . J- XXjr U . 1 V J. ■ «1 wV>. J. X U <

15. PP qOQO^RQ/IO Г.Г. DkJ\JCJ UU-tü.

16. Вишневская Б.И., Гальчина H.A., Коган Л.М. и др. Влияние азота на эффективность GaP р—п структур, излучающих зеленый свет.// В кн.: Краткое содержание докладов Всесоюзной конференции по рекомбинационному

17. ГЛПГП/ЧОТ11ЛТП ТA rrnnvi IПЛПЛПТгт/гь'гтт-.тъл тлрггои1 /I портя Hairy 1 Q71 1 9Д

18. J J , J Wl .11 И ' .1 n / ; i V J (W^ у 1 .i t. V (L /L H' у .W 1 W I . I < им I ni vSvivi. ' '1 . I I i i i , v.^ . .1 lJ 1 .

19. Деготь Ю.М., Коган Л.М., Козырева Н.И. и др. О зеленой электролюминесценции GaP р-п структур.// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1972. В.4. С. 123-125.

20. Вишневская Б.И., КорнеевВ.М., Коган Л.М,, Юнович А.Э. Зависимость спектра электролюминесценции GaP легированного азотом, от температуры.// ФТП. 1972. T.6.B.8.G. 1591-1594.

21. Lorimor O.G., Dapkus PD., Hackett Wh. Very high efficient GaP green light emit -ting diodes .//Jomn. of Electrochemical Sosiety. 1975. V122. №3. PP407-412.

22. Вишневская Б.И., Коган Л.М,, Минаджинов М.С. и др. Высокоэффективные светоизлучающие диоды зеленого и желтого свечения на основе жидкофазных GaP р-п-структур.// Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1980. В.6(141).С.60—64.

23. Вишневская Б .И., Голубев А.Ю. и др. Излучательная рекомбинации в структурах GaP: (Zn,0)—n-GaP: (Tfe.N) для желтых и оранжевых светодиодов. // ФТП. 1979.Т.13. В.З. С.478-487.

24. Фистуль В.И. Амфотерные примеси в полупроводниках. М. Металлургия. 1992.311240 с.

25. Aim В.И., Shurtz R,R., Trussol G,W Dependence of growth properties of silicon-doped GaAs:Si epitaxial layers upon orientation//Journ. of Appl. Phys. 1971. V42. № 11. PP 4512-4514.

26. Rupprecht Н., Woodall J.M., KonnerthK., Petit D.G. Efficient electroluminescence from GaAs diodes at 300K.// Appl. Phys. Lett. 1966. V9. №6. PP221-223.

27. Алферов Ж.И., Андреев B.M., Гарбузов Д.Э., Трукан М.К. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном компенсированном арсениде галлия.// ФТП. 1972. Т.6.В.10. С.2015-2026.

28. Роуз А. Основы теории фотошводимости. М. Мир. 1966. 192 с.

29. Карась В.И., Ломако В.М., Новоселов А.М., Ткачев В.Д. Влияние структурных дефектов на квантовый выход светодиодов из компенсированного GaAs (Si) // ФТП. 1978. Т. 12. В.З. С.422-426.

30. Nakamura S. InGaN light-emitting diodes witth quantum-well structures // Mat. Res. Soc. Proc. Vol. 395. 1996. PP 979-887.

31. Koike M., Shibata N.Jamasaki S., Nagai S, Asami S., Kato H., Koide N., Amano H„ Akasaki I. Light-emitting devices based on gallium nitride and related compound semiconductors// Mat. Res. Soc. Syrap. Proc. Vol.395. 1996. PP889- 895

32. M.Koike, N.Koide, S.Asami, J.Umezaki, S.Nagai, S.Yamasaki, N. Shibata, HAmano,312

33. Akasaki. "GalnN/GaN multiple quantum wells green LEDs". Proc. of SPIE-Intern.Soc.Opt.Engin., v.3002, 1997.

34. S.Nakamura, M.Senoh, S.Nagahama, N.Iwasa. Present status of InGaN/GaN/ AlGaN—based laser diode// Proc.of 2-nd Intern.Conf.on Nitride Semicond., S— 1, p.444, Oct. 1997.

35. Nakamura S., Iwasa M.S. Method of manufacturing p—tipe compound semiconductors. Patent N5,306,662. Apr. 1994. Japan.

36. Amano H., Akasaki I. et.al. Method for producing a luminous element of II-group nitride. Patent N 5,496,766. Mar. 1996. Japan.

37. Kong H-S., Leonard M„ Bulman G., Negley G, Edmond J. AlGaN/GaN/AlGaN double-heterojunction blue LEDs 0116H—SiC substrates// Mat. Res, Soc. Symp. Proc. V395. 1996. PP 903-907

38. Dmitriev V.A., Kuznetsov N.I., Irvine K.G., Carter C.H. Electric breakdown in nitride pn junction//Mat. Res. Soc. Symp. Proc. V395. 1996. PP 909-911.

39. The Third European GaN Workshop (EGW-3). Book of Abstracts. Warsaw. June 22-24. 1998. 97 P

40. Нитрид галотя- структуры и приборы. Материалы Первого Всероссийского Совещания. Москва. МГУ им. М.В.Ломоносова. 2 июня 1997 г.

41. Нитриды галлия, алюминия и индия: структуры и приборы. Материалы Второго всероссийского Совещания. С.-Петербург. Технический университет. 2 июня. 1998 г.

42. K.G.Zolina, VE.Kudryashov, AN.Thrkin, A.E.Yunovich, S.Nakamura, Luminescense Spectra of Superbright Blue and Green InGaN/AlGaN/GaN Light-Emitting Diodes. // MRS Internet Journ. of Nitride Semiconductor Research, 1/11.

43. K.G.Zolina, YE.Kudryashov, A.N.TUrkm, A.E.Yunovich, S.Nakamura. Luminescence Spectra of Superbright Blue and Green InGaN/AIGaN/GaN Light Emitting Diodes,// Journ. of European Ceramic Society, 1996.зв

44. Пушный Б.В., Усиков А.С,,Бер Б.Я., Лундин В.В., Сахаров A.B. и др.// III Всеросиийская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. С.359.

45. Поляков А.Я., Смирнов Н.Б., Говорков A.B., Мильвидский М.Г. Легирование AlGaN донорными атомами кремния и замороженная проводимость в этом материале.//Там же. С. 358.

46. К.Г.Золина, В.Е.Кудряшов, А.Н.Туркин, А.Э.Юнович. Спектры люминесценцииголубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/CaN с квантовыми ямами. // ФТГ1, 1997, т,31, N9, с.1055—1061.

47. Shchukarev A.V, Kalinina E.V. Interface Chemistry of Metal Contacts to GaN: AR XPS Study// The Third European GaN Workshop (EGW-3). Book of Abstracts. Warsaw. June 22-24. 1988. P 76

48. BuzyninAN., OsikoW, BuzyninYu.N., PushnyiB. Growth of GaN on fianit by M08VD capillary epitaxy technique //The Third European GaN Workshop (EGW- 3). Book of Abstracts. Warsaw. June 22-24. 1988. RS5.

49. KarpovS.Yu., MakarovYu.N,, Thlalaev RA., Yakovlcv E .V Modelling of InGaN MOWE in AIX- -2400 Planetary Reactor// The Third European GaN Workshop (EGW-3). Book of Abstracts. Warsaw. Tune 22-24. 1988. P26

50. Kovarsky A.P Image Secodary Ion Mass Spectrometry of Gallium Nitride Epilayers / / The Third European GaN Workshop (EGW-3). Book of Abstracts. Warsaw. June 22-24. 1988. 97 P

51. Mamutin V.VJmerik V.N., Vekshin V.A., Toropov A.A, Shubina T.V, Ivanov S.V. Kop'evPS., Wagner A, Strupinski W, Jelenski A. Comparative studies of MBE GaN grown onneodim gallate and sapphire substrates. // Там же. P 68.

52. Usikov A.S., RatrikovV.V. at al. Macro- andMicrostrainsin the MOCVD-grown GaN Films // Там же. P 75.314

53. W.E.Carlos, J.AFreitas, M.Azif Khan, D.T.Olson, J.N.Kuznya. Phys.Rev.B, 48, 17878, 1993.

54. Shur M., Khan M. // MRS Bui. Febr. 1997. --P44-49.

55. TianL.J., Dharma—Wardana W.C., Levis L.J. Electronic structures of wide bandgap (AlN)m(GaN)n001. superlattices //Mat. Res. Soc. Symp. Proc. V.395. 1996. PP473—478.

56. Oguzman I.H., Kolnik J., Brennan K.E, Wang R., Rüden PP Monte Carlo calculation of hole transport in bulk zincblende phase of GaN including a pseudopotential calculated band structure//Mat. Res. Soc. Symp. Proc. V.395. 1996. PP 479-483.

57. Ponce E//MRS Bui. Febr. 1997. -P51-57.

58. Dmitriev VA., Irvin KG., Edrnond JA, Karter C.H., Kuznetsov N.I., Zubrilov AS., Kalinina E.V, Tsvetkov DM. Nitride pn junctions grown on SiC substrates.W Inst.Phys.Conf.Ser №142. Chapter 6. PP 1019-1022

59. Бойко М.Е., Мохов E.H. Исследование периодичности сверхструктуры в толстых слоях GaN на подложках SiC // Там же. С. 30 -31.

60. ДрижукАГ., Лебедев Я.Д., Шагалов Н.Д.//ФТП. 1984. Т.18. Вьш.2.-С.379-380,

61. Foxon Т. The growth of group III-Nitrides by Molecular Beam Epitaxy// The Third European GaN Workshop (EGW-3). Book of Abstracts. Warsaw. June 22-24.1988. P16.

62. Торчинская T.B., Карабаев А.Г., Абдуллаев Ж.С. и др. Некоторые причины нестабильности свечения GaP:N светодиодов.\\Письма вЖТФ. 1988. Т. 14. В. 18. С.1710—1716.315

63. Абдуллаев Ж.С., Гусев М.Ю., Зюганов А.Н., Торчинская Т.В. Параметры глубоких центров в светодиодах AlGaAs, оцененные методами емкостной и инжекционной спектроскопии. //Укр.физ.журн. 1989. Т.34.№8.С. 1220-1224

64. Птащенко А.А., Преснов В.А., Круглов И.И., Голембиевский Н.Н., Литовченко Л.Ф. Деградация светодиодов на основе GaAs. Р иСа, A1 As//Электронная1 ""X X J "X Xтехника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1973. №2. С.37-43

65. Лев Б.И., Торчинская Т.В., Томчук П.М., Шейнкман М.К. Кинетика инжекционно-стимулированного преобразования дефектов в светоизлучающих GaAs:Si структурах //ФТП. 1989. Т.23. В.9. С. 1529-1537.

66. Птащенко А.А., Литовченко Л.Ф., Тепляков В,А., Баранов В.М. Движение примесных центров при комнатной температуре в р-n— переходах на основе GaAs, Ga. A1 As, GaAs, P //УФЖ. 1978. T.23.№1. C. 100-1071 X X 1 ""X X

67. ВеденинВ.Д., ЕвстроповВ.В., КалининБ.Н., ЦаренковБ.В. О безызлучательной компоненте тока, возрастающей при деградации GaP р-n структур// ФТП. 1975. Т.9.В.10. С. 1976-1982

68. Лукьянчикова Н.Б., Гарбар Н.П., Шейнкман М.К. Избыточные токи и шумы прямосмещенныхGaP диодов//ФТП. 1972. Т6.В.5. С. 869-877.

69. Птащенко А А. В кн. : Труды Всесоюз. совещ. по исследованию GaAs.-Томск.1978. С.27.

70. Нагтап R.L., Schwartz В., Kuhn М. Degradation and passivation of GaP light emitting diodes//Appl. Phys. Lett. 1971.Ш8. PP304-307.

71. Schwartz B. Preliminary rezults on the oxidation of GaAs and GaP during chemical etching. //J. Electrochem.Soc, 1971. VI18, PE857-658.

72. Kressel H., Byer N.E. Physical basis of non-catastrophic degradation in GaAs injection lasers. // Proc. IEEE. 1969. У.57.Р.Р.25-33.

73. Bergh A.A. Bulk degradation of GaP red LEDs. IEEE Trans. Electron. Devices. 1971.VED-18. PP 166-170.316

74. Baird J.R., Pittman G.E., Leezer J.E Degradation of quantum efficiency in Gallium Arsenide.// Proc. Int. Symp. Reading. England. Sept. 1966. Inst. Phys. and Phys. Soc. London.England.1967.PP 113-117.

75. Kanza C., Konnerth K.L., Kelly C.E. Aging effects in GaAs electroluminescent diodes. Sol. St. Electron. 1967. V10. PP21-31.

76. Egava T., Ishikava HM Jimbo T., Umeno M. Degradation of InGaN/AlGaN/GaN Leds on Saphire Substrate Grown by MOCVD// Mat.Res.Soc.Symp.Proc. V449. 1997. EE1191-1196.

77. Longini R.L. Rapid zinc diffusion in gallium arsenide. // Solid- State Electonics. 1962. V5. EP 127—130.

78. Gold R.D., Weisberg L.R. Permanent degradation of GaAs tunnel diodes. // Solid -State Electonics. 1964. V7. PP 811 -821.

79. Сушков В.П., Шепетилова Л.А. Изучение механизма деградации GaAs электролюминесцентных диодов. //ФТП. 1970. Т.4. В.4. С. 788-790.

80. Гофпггейн-Гардг АЛ., ЕвстроповВ.В., Коган Л.М. и др. Деградация источников красного света из GaP// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1971. В.5. С.8—15.

81. Евстропов В.В., Коган Л.М., Трушина В.Е., Царенков Б.В. Об измененииконцентрации рекомбинационных центров в результате длительного протекания инжекционного тока через GaP— р—п— структуру// ФТП. 1971, Т.5. В.7. С. 1454-1457.

82. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М. Наука. 1981. 368 с.

83. Торчинская Т.В., ШейнкманМ.К, Физическая природа деградации светодиодов и полупроводниковых лазеров. //ЖПС. 1983. Т.38. В.З. С. 371-382.

84. Торчинская Т.В., Шейнкман M.K. Связь кинетики деградации GaP:N;Zn-0 светодиодов с интенсивностью красной полосы свечения//Письма вЖТФ. 1987, Т. 13.В.20.С. 1221 -1227.

85. Торчинская Т.В., Шматов A.A., Абдуллаев Ж.С., Шейнкман MX Рекомбитационш-стимулированное преобразование глубоких центров в светодиодахна основе гетероструктурАЮаАБ-СаАз,//УФЖ,, 1988. Т.ЗЗ, №11, С, 1696-1702.

86. ТорчинскаяТ.В., СеменоваГ.Н., БердинскшТ.Г.,ЗаречневA.B. Инжекционно-стимулированные реакции дефектов в GaAs:Si светоизлучающих диодах // Квантовая электроника. 1989.В.37.С.53-59.

87. Торчинская Т,В,( Семенова Г,Н,( Шейшман MX Преобразование дефектов в свотоизлучающих диодах GaAs; Si в неравновесных условиях //УФЖ,, 1989. Т,34. №7. С. 1079-1084.

88. Григорьев 1 LR, Кудыкина ТА Рекомбинационныймешнизм нагрева включений //УФЖ, 1987. Т.32. №10. С.1460-1461,

89. Аладинский В.К., Горелкина E.H., Соляр В.Г. Прогнозирование надежности светоизлучающих диодов П Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1977. В.8(1180. 0.1.

90. Птащенко АЛ., Преснов В.А, и др. Деградация светодиодов на осцове GaAs Р и Ga AI As//Электронная техника,Сер,2, Полупроводниковые1 —X X 1 -X Xприборы, 1973, №2, С,37-44,

91. Птащенко A.A. Деградация излучения GaAs:Si светодиодов при высоких плотностях тока//ФТП. 1975. Т.9. В. 10. С.2043.

92. Коршунов Г,В., Гатальский Г.В,, Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниках. Минск. Наука и техника. 1978. 231 с.

93. ДомакоВ.М., Новоселов А.М., Смирнов Л.С. //ФТП. 1976. Т. 10. С.900,

94. Ангошш ААГатальский Г,В,, коршунов Ф.П. Влияние облучения электронами319различных энергий на электролюминесценцию GaP:Zn,0 р-п -переходов // ЖПС. 1979. Т.ХХХ. В,2, С.339-341.

95. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. Под ред. д.т.н. Е.А.Ладыгина. Москва. "Советсткое радио". 1980. 224 с.

96. J.C.Bourgoin, H.J. von Bardeleben, D.S.Stievenard. // Native defects in gallium arsenide. //J, Appl, Phys, V64(9). 1988, PR65-R91.

97. T, van der Rest and PPecheve Electronic dencity of states of ideal vacancies and antystructure defects in GaAs,//Physica 116B (1983) Ш-З.Р121-126.

98. Yamaguchi, C.Vemure, Chenges in electrical properties of GaAs due to electron irradiation.//J. Appl. Phys. 57(2) 1985. P604-606

99. G.Guilliot, S.Loualiche, ANovaihat. Study of defects states by transient capacitance methode in proton irradiated GaAs of low temperature.// Defects and Radiation Effects in Semiconductors. 1980. 323-328.

100. GABarraf,. Larnioo. Modiling the Electronics Structure of EL2. // Rev. Phys. Appl. 23(1988),№5, p,817-831,

101. Быковский В. А., Бычков АГ,,. Зуев В, А, идо. Исследование ионно-облученных слоев арсенида галлия методами фотолюминесценции и эффекта Холла // Поверхность. Физика, хршия, механика. 1985. №10. С.48-55.

102. Глинчук К.Д., Гурошев В.И., Прохорович А.В. Увеличение концентрации центров тушения люминесценции при отжиге облученных электронами кристаллов арсенвда га ллия // ФТП, 1985, Т, 19, В,6, С, 1163-1164.

103. Makram Ebeid S., Boher Р, Lanrioo M. Interaction between bombardment—in320duced defects in GaAs //Appl. Phys. Lett. 1987. V50. N5, PP 270-272.

104. Pons D., Mircea A., Mitonneau A., Martin G.M. Electron traps in irradiated GaAs: comparison with native defects //Inst, Phys. Conf. Ser. N46. Ch.5. PE352-359.

105. Щемаев Б,В. О радиационньш дефектах, вводимых в GaAs облучением протонами средних энергий //ФТП. 1986, Т.20. В.2. С.388.

106. MirseaA., BoisD. A review of deep-level defects in III-V semiconductors //Inst, Phys. Conf. Ser. No.46. Ch. 1. PR82-99.

107. Корсунская H.E., Маркович И.В. и др. Механизм фотоутомляемости фоторезисторов на основе спеченных слоев CdS:Cu:Cl //УФЖ. 1981. Т.26. №8. С, 1335-1340.

108. Торчинская Т.В., Байдоха Л.Н., Городецкий И.Я. Процессы старения фоторезисторов на основе тонких пленок CdS:Cu:Gl // Электронная техника. Сер. управление качеством, , стандартизацш, метрологш, испытания, 1982. В,6(89). С.3-5.

109. Торчинская И.В., Байдоха Л.Н. О природе стоков избыточных атомов в поликристаллических пленках CdS, легированных медью и хлором // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. мат. 1984. Т.20. №10. С. 1748-1750.

110. Корсунская Н,Е,, Маркевич И,В, и др, ton низ физических процессов , опредежющих нестабильность фоторезисторов на основе тонких пленок CdS:Cu:Cl// ОПТ. 1982. NqL С.98-100.

111. Корсунская Н,Е,, Маркевич И.В, и др, Электродиффузш глубоких доноров в кристаллах CdS:Cu// ФТП, 1980. Т. 14, №10, С.2031-2033.

112. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М. ИЛ. 1962. 558 с.

113. Moss T.S. Lead Salt Pliotocondiiktors. //Proc. IRE. 1955.V43.№11,PR1869- 1881.

114. Guy Giroux. Consistent Model for PbS Photodetectors. I. Experimental Results. Canadian J. of Phys. 1963, V41. -EE1840-1855.

115. Guy Giroux, Consistent Model for PbS Photodetectors, II, New Model, // Canadian321

116. J, ofPhys, 1963. V41. -BP1856-1867.

117. Mahlman G.W Photoconductivity of Lead Sulfide Films. I I Phis. Rev. 1956. V103. №6. —EE1619—1630.

118. Slater .S. Barrier Theory of the Photokonductivity of Lead Sulfide. // Phys. Rev. 1956. V103. №6, -PP1631 —1644.

119. Espevic E., Wu C.( Bube H, Mechanism of Photoconductivity in Chemically Deposited Lead Sulfide Leyers. //Appl. Phys. 1971. V42. №9. -PP3513-3529.

120. Petritz R.L., Lummis F.L., Sorrows H.E., Woods J.E. Surfase Studies on Photocoductive Lesd Sulfide Films. // Semicond. Surf. Phys. Philadelphia. 1956. -PP229—237.

121. Агарев B.H., Стафеев В.И. О механизме проводимости и фотопроводимости в поликристашшческих тонких пленках. //ФТП. 1977. Т.П. Вып.9. С. 1684-1690.

122. Неустроев Л.Н., Осипов В.В. О механизме протекания тока и фототока в поликристаллах PbS.//ФТП. 1984. Т. 18. Вып.2, С.359-362.

123. Неустроев Л.Н., Осипов В.В. К теории физических свойств фоточувствительных поликристалличесюш пленок типа PbS. I. Модель, проводимость и эффект Холла.//ФТП. 1986. Т.20. Вып. 1.С.58-65.

124. Неустроев Л.Н., Осипов В.В. К теории физических свойств фоточувсгвительных поликристаллических пленок типа PbS. II. Фотопроводимость. Сравнение с экспериментом. //ФТП. 1986. Т.20. Вып. 1.С.66- 72.

125. Ковалев А.Н., Парамонов В.И. Формирование фоточувствительных слоев свинца. //Поверхность. 1985. №8. С.90 -96.

126. Берлага Р.Я., Руденок М.И., Страхов Л.П. О структуре поверхности тонких слоев PbS, полученных испарением в вакууме. //ЖТФ. 1956. Т.26. Вып. 1. С.З.

127. Верцнер В.Н, Исследование структуры PbS-сублиматов методами электронной микроскопии и элекгроннофотографии.// Изв. АН СССР. Сер. Физич. 1959. Т.23. №6. С.673-675.322

128. Берлага Р .Я. Структура и фотоэлектрические свойства сернисто свинцовых слоев. //Изв. АН СССР. Сер. физич. 1959. Т.23.№6. С.676-679.

129. Wilmaii Н. The Structure of Photo-Sensitive Lead Sulphide and Lead Selenide Deposits and the Effect of Sentisation by Oxigen // Proc. Phys. Soc. 1948. Y60. -PP117-132.

130. Wilman H. The Interpretation and Application of Electron Defection "Kikushi-Line". Patterns-Part I. The Determination of the Crystal Unit Cell, its Orientation, and the Crystal Symmetry.//Proc. Phys. Soc. 1948. V60. -PP341-360.

131. Рывкин C.M. Комплексное исследование влияния кислорода на электрофизические и фотоэлектрические свойства серно-свинцовых сопротивлений. //ЖТФ. 1952. T.XXII. В. 12. С. 1930-1944.

132. Быкова Т.Т., Руденок М.И., Румш М.А., Страхов Л.П., Берлага Р.Я. Исследование фотоэдс в тонких слоях сернистого свинца, // Вопр. электр, тв. тела. Сб.1. Уч. записки ЛГУ им. А.АЖданова. 1968. С.92-95.

133. Коломиец Б.Т., Ларичев В.Н. К вопросу о механизме проводимости и фотопроводимости в полюфисталшческихслояхполупроводнжов группы PbS. //ЖТФ. 1958. Т.28. В.6. С.1358-1362.

134. Sosnovski L., Starkievicz J., Simpson О. Lead Sulphide Photoconductive Cells.// Nature. 1947. V159. №5. -PR818-819.

135. Берлага Р.Я., Винокуров И.В., Коноров П.П. Электрические свойства монокристаллических и поликристаллмческих слоев сернистого свинца.//ФТТ. 1963. Т.5. В.12.С.3435 — 34— 38.

136. Minden Н.Т. Space-Charge Formation on Small PmS Particles. //. Chem. Phys. 1956. V25. №2. —PP241 — 248.

137. Зарифьянц Ю.А., Попик Ю.В. О приоде центров фоточувствительности в физических слоях PbS//ФТП. 1969. Т.З. №3. С.458-460.

138. Заикин Ю.В., Зарифьянц Ю.А., Зломанов В.П. Влияние фазового состава на323энергетический спектр ловушек в структуре PbS-основные сульфаты свинца.

139. Петров В.И., Прохоров В.А., Юнович А.Э. Исследование локальных неоднородностей фоточувствительности и люминесценции пленок халькогенидов свинца в растровом электронном микроскопе. // ФТП. 1984. Т. 18. В.З. С.^84-488.

140. Riedl H.R., Schoolar R.B. Photosensitivity in Epitaxial PbS Films.//Appl. Phys. 1968. V39.№11.-EE5086-5092.

141. Равич Ю.И., Ершов Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTb, PbSe и PbS, М. Наука. 1968. 383 с.

142. Kubovy А. Теопе Elektricke vodivosti polikristalickych nekovovych materiali. // Silikaty. 1978. V22. -EE 261-278.

143. Бережная И.А., Бирюлев B.M., Копилевич И.Г., Прокофьев Е.В. О механизме фотопроводимости в слоях сернистого свинца. // ФТТ. 1964. Т.6. В.9. С.2873

144. Ерофеичев В.Г., Курбатов Л.Н. Температурная зависимость фотопроводимости и временижизни в cnoaxPbS на частоте 1010Гц.//ФТТ. 1961. Т.З. В, 2. С.595-598.

145. Ерофеичев В.Г. Температурная зависимость фотопроводимости и времени жизни в слоях PbS на частоте 1010Гц. //ФТТ. 1961. Т.З, В.11. С.3429-3434.

146. Ткач Ю.Я. Фотопроводимость аморфного полупроводника в модели искривленных зон. //ФТП. 1975. Т.9. В.6. С.1071-1075.

147. Шик А.Я. Фотопроводимость случайно неоднородных полупроводников.// ЖЭТФ, 1975. Т.68. В.5. С. 1859-1867.

148. Чечурин С.Н. Электрические процессы в межкристаллитных прослойках сернистосвинцовыхфотосопротивлений. //ФТТ. 1964. Т.6. В.9. С.2750-2755.

149. Атакулов Ш.Б., Онаркулов К.Э. О перколяционной проводимости фоточувствительныххимически осажденных слоев сернистого свинца.// ФТП.3241985. Т.19.В.7. G. 1324-1326.

150. Винников АЯ., Мешков AM., СавушюшВ.Н. Экспериментальное обнаружение перколяционной электропроводности в сильных электрических полях. // ФТТ. 1980. Т.22. В.10. С. 1989—2995.

151. Винников А.Я., Мешков А.М., Савушкин В.Н. Нелинейная перколяционная проводимость поликристаллической структуры.// Письма вЖТ'Ф. 1980. Т.6. В. 12. С. 726-729.

152. Винников А.Я., Мешков А.М., Савушкин В.Н. Теория нелинейной перколяционной электропроводности неупорядочешой полупроводниковой системы с межкристаллитными барьерами. // ФТТ. 1982. Т.24. В.5. С, 13521359.

153. Шкловский Б.И. Перколяционная электропроводность в сильных электрических полях//ФТП. 1979. Т. 13. В.1. С.93-97.

154. Агарев В.Н., Стафеев В.И. О нелинейности вольт—амперных характеристик неоднородных полупроводниковых структур с р-n переходами. // ФТП. 1976. Т.10. В.7. С. 1308-1310.

155. Буткевич В.Г., Дрозд И.А, Ниязова О.Р.,Сусова АИ. О роли поверхностного окисла в фоточувсгвительности поликристаллических пленок сульфида свинца. //ФТП. 1976. Т.10. В.8. С. 1528-1531

156. Нестеренко Б,О., Паачник Ю.А., Снитко О.В., Фролов О.С. Достидження впливу зовшшнього електричного поля на фотопровщшсть тонких niapiB сульфщу свинцю //УФЖ 1965. Т.Х. №1, С.47-54.

157. Рогачев A.A., Чечурин С.Н. Эффект поля и фотопроводимость в слоях сернистого свинца//ФТТ. 1962. Т.4. В.5. С. 1174-1179.

158. Заитов Ф.А., Глобус Е.Р, Исаев Ф.К., Матершев Ю.В, Шавыров А.Е. Влияние способа изготовления фоточувствительного слоя на изменение фотоэлектрических свойств фотослоя при облучении гаммаквантами325кобальта-60. //ДАН АзССР. 1982. Т.38. №3. С.24-26.

159. Атакулов Ш.Б., Заитов Ф.А., Матершев Ю.В., Онаркулов К.Э., Шавров А.Е. О диффузионном характере радиациошюй деградацш фотопроводящж пленок сернистого свинца. // ФТП. 1985. Т. 19. В. 11. С.2088-2092.

160. Seltzer M.S., Wagner J.B. Diffusion of Lead in Lead Sulphide at 700°C // J. Phys. Chem. Solids. 1963. V.24. -P.P. 1525-1530.

161. Seltzer M.S., Wagner J.B. Diffusion of Sulfur 35 in Singl Cristals of Lead Sulphide as a Function of Stoichiometry and Doping additions // J. Phys. Chem. Solids. 1965. V.26. -P.P.233-242.

162. Hemstreet L.A. Claster Calculations of the Effects of singl Vacancies of the Electronic Properties of PbS // Phys. Rev. 1975. V.l 1. №6. -P.P.2260-2270 .

163. Heinrich H., Lopes-Otero A., Palmetsofer L., Haas L.D. Ionization of interstitial lead and tellurium in PbTe // Inst. Phys. Conf. Ser. №23. 1975. Chapter 3. -P.P.264-271.

164. Palmetshofer L., Heinrich H., Benka O., Resheneder W. Ion-implantation-induced Lattice Defects in PbTe // Appl. Phys. Lett. V.30. №11.1977. -P.P.557-559.

165. Смит P. А. Полупроводники, чувств1ггельные в инфракрасной области спектра //УФН. 1956. T.LVIII/B.3. С.433-486.

166. Duh K.Y., Zemel J.N. Properties of PbS Epitaksial Films Grown by a Hat Wall Method // Thin Solid Films . 1975. V.26. №1. -P.P.I65-179.

167. Lischka K. Bound Defect States in IV-VI Semiconductors // Appl. Phys. 1982.3261. А29.-Р.Р.177-189.

168. Palmetshifer L. Ion Implantation in IV-VI Semiconductors. //Appl. Phys. A34. 1984. -P.P. 139-153.

169. Heinrich H. Defects in IV-VI Compounds / Lect. Notes in Phys. 1980. V.133. • P.P.407-426.

170. Jeshot J.,Sneider V Hall effect in pelycrystalline semiconductor // Thin Solid Films. 1978. VS2. PP 379-395.

171. Petritz R. Theory of an experiment for measuring the mobility and density of carriers in the space-charge region of a semiconductor surface //Phys Rev. 1958. VI10. N6. PE1254-1262.

172. Берман Л.С. Нелинейная полупроводниковая емкость. Москва. Изд. физмат. лит. 1963. 86 с.

173. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. Ленинград. Наука. 1972. 104 с.

174. Берман Л.С., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Ленинград. Наука. 1981. 176 с.

175. Berman L.S. Purity control of semiconductors by method of capacitance transient spectroscopy. St—Petersburg, Russia. "Electronics Integral Systems". 1995. P 114.

176. Блад П., Ортон Дж.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. 4.1//Зарубежнаярадиоэлектроника. 1981. №1. С.3-50.

177. Baxandall PJ., Colliver D.J., Fray A.E An instrument for the rapid determination of semiconductor impurity profils //Journal of Physics E: Scientific Instruments. 1971. V4.PP 213-221.

178. Gupta D. C., Chan J.Y Direct Measurement of Impurity Distribution in Semiconducting Materials // J, Appl. Phys. 1972. V 43. №2. PP 515-522.

179. Kazmiersky K, Philippe P, Poulin p de Gremoux В. С—Vmeasurement and •327modélisation of GalnÄs/inP heterointerface with traps II. Appl, Phys. 1987. V 61. №5. PP 1941-1945.

180. Мурылева И.В., Пашинцев Ю.И., Карамышев В.П. Определение профиля концентрации основных носителей полупроводника в ОПЗ по вольт-фарадной характеристике // Микроэлектроника. 1980. Т.9. В.З. С.236—240.

181. Двинских В .А., Парусов В.Н., Сергеев A.C. Характериограф для снятия вольт-фарадныххарактеристик р-п—переходов с большими потерями // ПТЭ.Ш79. №2. С. 186—189.

182. Фреик Д.М., Ткачук Р.З. Способ емкостных исследований полупроводников с высокой диэлектрической проницаемостью//ПТЭ. 1983. №З.С. 207-208,

183. Fahrner IR,, Klaussmann Е. Characterization of MOS Structures with Burid Layers//Phys. Stat. Sol. (a) 1978.Y50. №2. PP433-444.

184. Fahrner W.R., Bach H.G., Braunig D., Knoll M. Implantation Profiles Layers (MOS pn) from HF or LF C(U) Curves // Phys. Stat. Sol. (a). 1982. V.74 PP421

185. Усик В.И. Устройство для измерешя концентрации легирующих примесей в полупроводниках. A.c. № 924634.

186. Копеланд Д.А. Способ определенш концентрации примесей в полупроводниковых пластинах. Патент №504516.

187. Усик В.И. Устройство для измерения концентрации примесей в полупроводникахю A.c. № 924634.

188. Двинских В.А., Парусов В.П., Маслов С.С., Сергеев A.C. Устройство для измерения профиля легирующей примеси в полупроводниковых структурах. Ас. 517683.

189. В.И.Усик Устройство для измерения профиля концентрации цримесей в полупроводниках. Ас. 1150589.

190. Сукегава Т., Огита М. Способ и устройство для измерения распределения примеси в полупроводниках. Яп, патент № 52-44030.328

191. Сукегава, Огита. Двухчастотный метод регистрации профиля распределения прмеси // Приборы для научных исследований. 1979. № 1. С.4953.

192. Стриха В.И., Третях О.В., Шматов A.A., Мозок Г.М. К вопросу об измерении релаксации емкости в спектроскопии глубоких уровней // ФТП. 1987. Т.21.1. B.4. С.653—656.

193. Турчаников В.И., Лысенко B.C., Гусев В.А. Устройство для определения параметров глубоких уровней в поверхностно-барьерных структурах. A.c. 1101088.

194. Астрова Е.В., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках при фототермической эмиссии носителей тока.//ФТП. 1986. Т.20. В.4. С. 683-686.

195. Zohta Y Frequency dependence of С and AV/A(C~2) of Schottky barriers containing deep impurities // Sol. Stat. El. 1973. V16. EP1029-1035.

196. Гончаров В.П., Гусев A.C., Ухин H.A. Устройство для измерения параметров дефектов в полупроводниковых приборах. A.c. №746347.

197. Принц В.Я., ОрловО.М. Способ контроля глубокихуровней в полупроводниках и устройство для егоосуществления. A.c. №843642.

198. Алферов Ж.И., Корольков В.И., Трукан М.К. Электрические свойства р—п гетеропереходов фосфид галлия-арсенид галлия // ФТП. 1966. Т.8. В. 12.1. C.3513-3522.

199. Царешсов Б.В., Гофштейн-Гардт А.Л. и др. Температурная зависимость электрических и электролюминесцентных характеристик диодных источников красного света из GaP // Электронная техн. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1974. В.6(88). С.3-7.

200. Гудков И.Д., Гурков Л.Н., Сушков В.П., Титов М.Н. Изучение глубоких энергетических уровней в GaAs Р в светоизлучаюгцих диодах //060 0.40329

201. Электронная техн. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1974. В.4(122). С.62-69.

202. Царенков Б.В., Вишневская Б.И. и др. Температурная зависимость электрических и электролюминесцентных свойств GaP светодиодов зеленого свечения // Электронная техн. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1974. В.6(88). С.8—11.

203. Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах М. Атомиздат, 1980. 280 с.

204. Джафаров Т.Д. Радиационно стимулированная диффузия в полупроводниках. - М. Энергоатомиздат, 1991. 288 с.

205. Rose A. Comparative anatomy of models for double injection of electrons and holes into solids //J. of Appl. Phys. 1964. V35. N9. PP 2664-2678.

206. Акимов Ю.С., Бабаенко B.A., Кмита Т.Г., Рыжиков И.В., Сыпко Н.И., Тепай-кина П.И. Ампер яркостные характеристики инжекционных светодиодов // Электронная техн. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1974. В.2(84). С,24-46.

207. Ashly K.L., Bailey R.L., Butler J.K. GaAs:Mn Double-Injection devices// Solid Stat. El. 1973. V16.PP 1125-1131.

208. Алмазов А.Б., Куликова E.B., Куринный В.И., Рыжиков И.В. К расчету вольт-амперных характеристик "квазирезких" несимметричных р- п переходов // ФТП. 1970. Т.4. В.8. С.2070-2076.

209. ОсиповВ.В.ДолодновВА. Теоршдиодовсизлучательнойибезизлучательной примесной рекомбинации // ФТП. 1970. Т.4.В.12. С.2241-2250.

210. Рыжиков И.В. К вопросу об инжекционных свойствах несимметричных р+-р(п)-п+ структур с тонкой компенсированной областью // Электронная техн. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1971. B.S. С.29-37.

211. Курносов А,И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых330приборов и интегральных микросхем М. Высшая школа. 1979. 367 с.

212. Meed С.A. Physics of interfaces, ohmic contacts to cemiconductors // Electrochemical Society. New York. 1969. P3.

213. Mead С A, Spitzer WG. Fermi—level position at metall-semiconductor interfaces//Phys. Rev. 1964. VA134. P713.

214. Shih K.K., Blum J.M. Kontakt resistance of Au-Ge-Ni, Au-Zn and A1 to III-V compounds //Sol. St. Electron. 1972.V15. El 177.

215. Хилсум К., Роуз -Инс А Полупроводника типаАщВу. Пер. с англ. М.М.Горшкова и АЭ.Наджипа, Под ред, Н.П.Сажина и Г.В.Захваткина. М. ИЛ. 323 с.

216. ВикулинИ.М., СтафеевВ.И. Физика полупроводниковых приборов М.: Радио и связь. 1990. 264 с.

217. Anthony PJ. Alteration of diffusion profiles in semiconductors due to p—n junctions // Solid State El. 1982. V25. NolO. EP1003-1009.

218. Шарма Б JI., Пурохит P.K. Полупроводниковые гетеропереходы. Пер. с англ. под ред. Ю.В.Гуляева. М. Сов. радио. 1979 с.

219. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. Пер. с англ. -М.Мир. 1991.632 с.

220. Шур.М. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х кн. Кн.2. Пер. с англ. -М. Мир. 1992. 295 с.

221. Ансельм АИ. Введение в теорию полупроводников. М.Наука. Гл.ред. физ,-мат. литер. 1978. 615 с.

222. СтафеевВ.И. Инжекционный перенос тепла//ФТП. 1960. Т.2. В.З. С.438-444.

223. Амазаспян В.И., Бобров Д.П., Горюнов Н.Н. Расчет теплового сопротивления р-п перехода с учетом явления инжекционного переноса тепла // Электронная техн. Сер. 2 . Полупроводниковые приборы. 1976. №>8(110). С.3-8.

224. Schetzina J.E Growth and properties of III-V nitride films, quantum well structures and integrated heterostructure devices // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. V. 395 1996.3311. EP 123-135.

225. Mortem T.N. Phys. Rev. 1966, V148. P890.

226. Физические величины. Справочник,- Бабичев А,П., Бабушкина H.A., Братковский A.M. и др. Под ред Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. М., Энергоатомиздат. 1991. 1232 с.

227. Hoffman D.M., Kovalev D., Steude G., Volm D„ Meyer B.K., Xavrer C„ Monteiro T., Pereira E,, MokhovE.N,, Amano H,, Akasaki I. 2.2 eVluminescence in GaN //MRS Symp. Proc. V395. 1996. P619-624.

228. Юнович А.Э. Светодиоды на основе гетероструктур из нитрида галлия и его твердых растворов // Светотехника, 1996. №5—6. С.2-7.

229. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. Пер. с англ, М.Мир. 1989. 240 с.

230. Баландина Н.Б. Напряжения и диффузия в тонких металлических пленках. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Москва. 1996.

231. Satta A., Fiorentini V, Bosin A., Meloni F. , Vanderbilt D. Structural and electronic properties of AIN, GaN, and InN, and band ofsets at AIN/GaN (1010) and (0001) interfaces.//Mat, Res. Soc. Symp, Proc. V395. 1996.PP515-520.

232. Ильин В.И., Мусихин С.Ф. Полупроводниковые гетеропереходы, резкий анизотипный гетеропереход. Ленинградский поюетехнический институт им. М.И.Калинина. 1988. 38 с.

233. ПикусГ.Е. Теория полупроводниковых приборов.- М. Мир. 1985. 347 с.

234. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М. Мир, 1984. Т. 1. с. 111.

235. Carlos V.E, , Freitas J.A., Azif Khan M., Olson D.T., Kuznja J.N. // Phys. Rev. B, 48,1993. P 17878.

236. Лисянский M.И., Лукьянчикова Н.Б. Исследование природы шума в нестабильныхGaP:N- светодиодах//ФТП. 1989. Т.23. В. 12. С.2143-2148,332

237. HoogeEN. 1/fnoise is no surface effect//Physics Letters. 1969, V29A. N3, PP 139-140.

238. Торчинская T.B., Семенова Г.H., Бердинских T.Г. Эффект малых доз и деградационная стойкость In Ga As : Si светоизлучающих диодов // Письма в1. X 1-х

239. ЖТФ, Т.П. В. 18. 1985. С. 1114-1118.

240. Вихнин B.C., Шейнкман М.К. Квантовая диффузия дефектов в возбужденном состоянии//ФТП. 1985, Т. 19, В. (, С. 1577-1584.

241. Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. Диффузия атомов в неметаллических кристаллах, стимулированная рекомбинацией носителей тока // ФТП. 1982. Т.24,1. В.7. С.2170—2176.

242. Вавилов B.C. Миграция атомов в полупроводниках и изменение числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы //УФН. 1997. Т. 167. №4. С.407-412.

243. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков — М. Металлургия. 1988. 574 с.

244. Ланно М., Бургуэн Ж, Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты: пер.с англ.- М. Мир. 1985. 304 с.

245. Винецкий В.Л.Чайка Г.Е. — В кн.: Тез. докл. IX совещ. по теории полупроводников. Тбилиси: Изд. ТГУ, 1978, с.84.

246. Винецкий В.Л.Долодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев. Изд. Наукова Думка. 1969,187 с.

247. Маганюк А.П., Стар конский Н,И,, ЮрчукС.Ю,, Гульянова С.Г., ак. Грязнов В.М. Участие электронов проводимости повышенной энергии в адсорбции кислорода и окислении этилена ш металлах//Докл. академшнаук. 1995. Т.341. №6. С.779—780.

248. Capasso Е, Tfeang W.T., Hutchinson A.L., Williams G.E Enhancement of electron impact ionization in a superlattice: a newavalenche phptodiode with a large ionization333rate ratio//Appl. Phys. Lett. 1982. V40. Nol. PP38-40.

249. Borgarino M., Menozzi R., Baeyens Y, Cova R, Fantini E Hot electron degradation of the DC and RF characteristics of AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT's // IEEE Trans, on El. Dev. 1998. V45. No2. PR366-371.

250. Chiang S.Y, Pearson G.L. Properties of vacancy defects in GaAs singl crystals // Jornal of Appl Phys. 1975, Vol.46, No7, EP 2986-2991.

251. Wan de Walle C.G., Stampfl G.( Neugebauer J. Theory of doping defects in III-V Nitrides //Mat. Res. Soc. Symp. Proc. V394. 1995. RP386-387.

252. Neugebauer J., Van de Walle G. Theory of point defects and complexes in GaN// MRS Symp. Proc. Vol.395. 1996. PP645-655.

253. Дж. Блейкмор. Физика твердого тела. Пер. с англ. М.: Мир. 1988. 608 с.

254. Матвеев А.Н. Атомная физика,- М. Высш. шк. 1989. 439 с.

255. Гаськов A.M., Гольденвейзер А.А., Соколов И.А., Зломанов В.П., ак. Новоселова А.В. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца // Докл. АН СССР. 1983. Т.269. №3. С.607—609.

256. Буткевич В.Г., Ниязова О.Р., Сусова A.M., Ткаченко С.Д., Заикин Ю.В. Исследование послойного распределения фазового состава поликристаллических слоев сульфида свинца // Электронная техника. 1983. с. 11-15.

257. Берченко Н.Н., Евстигнеев А.И., Ерохов В.Ю., Матвеенко А.В. Свойства поверхности узкозонных полупроводников и методы ее защиты // Зарубежнаяэлектронная техника, 1981. №3. С.3-68.

258. Заикин Ю.В., Олоновский АН., Зломанов В.П., Зарифьянц Ю.А. Кинетика роста и фазовый состав пленок, образующихся при окислении монокристалла сульфида свинца // Журнал неорганической химии. 1987. T.XXII. В.8. С.2073—2074.334

259. Иконникова ОТ,, Неустроев Л.Н., Осипов В,В, Теория фоторезисторов на основе узкозонных полупроводников с инверсным изгибом зон у поверхности

260. Нахмансон Р.Я. Учет рекомбинации в области объемного заряда вблизи поверхности полупроводника//ФТТ. 1965. Т.7. С.3439-3442.

261. Duh K.Y., Zemel J.N. Properties of PbSepitaxial films grown by a hat well method//Thin Solid Films .1975. V26. N1. PP165-179,

262. Неустроев Л,Н,, Осипов B.B. Физические процессы в поликристаллических пленках типа PbS // Вторая всесоюзная конференция "Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников". Черновцы. 1987.1. Тезисы докл. T.II. G.40.

263. Бонч—БруевичВЛ, Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2-е изд.-М. Наука, Гл.ред, физ.-мат. наук. 1990. 688 с.

264. Ван-дер-Зил А. Шум. Источники, описание, измерение. М. Сов. радио. 1976. 288 с.

265. Rogalski A., Rutkovski J. Temperature dependence of the R0A product for lead chalcogenide photovoltaic detectors // Infrared Phys, 1981. V21. N4, PR 191199.

266. Ладыгин E.A. Радиационная технология твердотельных электронных приборов .- М, Изд. ЦНИИ "Электроника". 1976. 345 с.

267. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии, М. Высшая шк. 1984, 320 с,335

268. Аброян И.А. Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников //УФН. 1971. Т. 104. В.1. С. 15-50.

269. LindhaidJ„ Scharf М„ Schiott H.E. //Mat. Phys. Medd. V33. N14. 1963.

270. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация Пер. с нем. М. Наука. 1983. 360 с.

271. Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ. Ленинград. Наука. 1980.214 с.

272. Жевно АН., Поклонский H.A., Стельмах В.Ф., В кн.: Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск. Изд, БГУ.1972.С.163.

273. Вавилов B.C., Горин Б.М., Данилин Н.С. и др. Радиационные методы в твердотельной электронике,- М. Радио и связь, 1990. 184 с.

274. Буткевич В.Г., Ниязова O.P., Сусова A.M., Ткаченко С.Д., Заикин Ю.В. Исследование послойного распределения фазового состава поликристаллических слоев сульфида свинца. // Электронная техника. 1983. С.11 —15.

275. ШикАЯ. Проводимость облученных полупроводников //ФТП. 1977. Т.П. №9. С. 1758-1764.

276. Ленченко В.М., Акилов Ю.З. Исследование с помощью ЭВМ структуры каскадов смещения в Si, Ge и PbS // ФТП. 1971. Т.5. В.З. С.397-402.

277. АгаханянТ.М., АствацатурьянЕ.Р., СкоробогатовП.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах -М, Энергоатомиздат. 1989. 256 с.

278. Бару В.Г., ВолькенштейнФ.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников .- М. Наука. 1978. 228 с.