Особенности распределения компонентов в наноразмерных структурах, выявленные методом вторично-ионной масс-спектрометрии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Молоканов, Олег Артемович

• Молоканов, Олег Артемович
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Молоканов, Олег Артемович

Введение.

1. Методика исследований методом вторично-ионной массспектрометрии и используемая аппаратура.

1.1. Методические особенности исследования поверхностного слоя материалов с помощью ВИМС.

1.1.1. Взаимодействие ускоренных ионов с веществом мишени.

1.1.2. Распыление мишени при ионной бомбардировке.

1.1.3. торичная ионная эмиссия.

1.2. Применения ВИМС для анализа поверхности и приповерхностных слоев материалов.

1.2.1. Исследование поверхности.

1.2.2. Глубинные профили концентрации.

1.2.3. Распределение частиц по поверхности, микроанализ и объемный анализ.

1.3. Методика количественного анализа методом ВИМС поверхностного слоя образцов.

1.3.1. Профили распределения концентрации компонентов по глубине.

1.3.2. Приборные факторы, влияющие на разрешение по глубине при построении профилей концентрации.

1.3.3. Влияние ионно-матричных эффектов на разрешение по глубине при построении профилей концентрации.

1.4. Аппаратура, применяемая для ВИМС.

1.4.1. Общее устройство установки для ВИМС.

1.4.2. Установки для решения частных аналитических проблем.

1.4.3. Установки, позволяющие получать сведения о распределении компонентов по поверхности.

1.4.4. Установки с прямым изображением.

Выводы из 1 главы.

2. Вторично-ионный масс-спектрометр МС-7201 и его модернизация для анализа наноструктурных полупроводниковых материалов.

2.1. Масс-спектрометр вторичных ионов МС

2.2. Модернизация масс-спектрометра МС-7201 для анализа наноструктурных полупроводниковых материалов.

2.2.1. Стабилизация тока первичных ионов на образец.

2.2.2. Компенсация статического заряда.

2.2.3. Расширение диапазона исследуемых масс.

2.2.4. Логарифмирование выходного сигнала.

2.2.5. Ячейка для напуска кислорода.

2.2.6. Уменьшение эффекта стенок кратера.

2.2.7. Дополнительные камеры для технологических операций по приготовлению образцов.

2.2.8. Аттестация вторично-ионного масс-спектрометра КБГУ.

Выводы из 2 главы.

3. Результаты исследований профилей распределения компонентов в полупроводниковых наноразмерных структурах.

3.1. Исследования методом ВИМС влияния химической обработки и ионной имплантации на степень загрязнения кремниевых пластин

3.2. Исследование распределения алюминия, внедренного в кремний

3.3. Исследование распределения бора и атомов отдачи алюминия, одновременно имплантируемых в кремний.

3.4. Профили распределения элементов в р+-р-области при формировании пролетных областей ЛПД.

Выводы из 3 главы.

4. Исследования распределения компонентов в наноразмерных системах металл - полупроводник.

4.1. Сегрегация бора и фосфора на межфазной границе металлическая пленка - кремний.

4.2. Влияние процесса силицидообразования на перераспределение примеси бора в системах Ni-Si и Ti-Si.

4.3. Перераспределение легирующей примеси в системе металлическая пленка - легированный бором кремний.

Выводы из 4 главы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности распределения компонентов в наноразмерных структурах, выявленные методом вторично-ионной масс-спектрометрии»

Актуальность темы

Вопросы распределения элементов в поверхностном слое и на межфазных границах в различных классах систем и изменения этих распределений становятся все более актуальными при формировании технологических основ процессов в различных областях современной нанотехники и нанотехнологии, в частности, при разработке и исследованиях технологических основ создания изделий микро- и наноэлектроники.

Особенно наглядны эти проблемы при разработке и исследованиях технологических основ создания изделий микро- и наноэлектроники и других устройств микро- и нанотехники (микромеханика, микросенсорика, микрофотоника), где свойства поверхностей и границ раздела металл - полупроводник, а также поверхностных и межфазных слоев манометровой протяженности в направлении нормали к поверхности в значительной степени определяют электрофизические свойства, надежностные характеристики и срок работы приборов.

Несмотря на довольно большое разнообразие экспериментальных методов исследования поверхности, поверхностных и межфазных слоев и границ раздела в наноразмерных структурах, только вторично-ионная масс-спектрометрия позволяет в одном приборе и одним методом получить наиболее полную информацию о качественном и количественном составе многокомпонентных систем, а также построить пространственное (по глубине исследуемого образца) распределение элементов в поверхностном слое. В случае оснащения вторично-ионного масс-спектрометра микрозондом метод позволяет получать распределение компонентов также и по площади как на исходной поверхности, так и на поверхности, образованной стравливанием верхнего слоя образца.

Во всех случаях определения химического состава и характера распределения компонентов в поверхностном слое и на межфазных границах все методы, как правило, дают усредненное значение по некоторой достаточно большой толщине материала при обычно используемых режимах работы стандартных измерительных установок, то есть имеют ограниченное разрешение по глубине. Это обстоятельство искажает реальную картину распределения компонентов и, следовательно, затрудняет понимание природы объектов исследования. Несвободен от этих недостатков и метод вторично-ионной масс-спектрометрии, однако, в случае реализации статического режима работы, этот метод позволяет, в пределе, получать информацию об одном внешнем моноатомном слое поверхности образца.

Все перечисленные факторы, взятые в совокупности, делают вторично-ионную масс-спектрометрию наиболее подходящим методом для исследования наноразмерных структур, формируемых в технологических процессах создания изделий микро- и наноэлектроники.

Цель работы

Цель настоящей работы заключается в получении новых экспериментальных данных о распределении компонентов в наноразмерных структурах, формирующихся на границах раздела тонкой металлической пленки с полупроводниковыми, металлическими и диэлектрическими подложками в технологических процессах создания изделий микро- и наноэлектроники. Для достижения указанной цели в работе ставились и решались следующие задачи:

1. Расширение функциональных возможностей и улучшение характеристик серийного вторично-ионного масс-спектрометра МС-7201 с целью применения его для анализа наноразмерных поверхностных слоев материалов и границ раздела полупроводниковых наноразмерных структур в различных режимах работы масс-спектрометра.

2. Исследование профилей концентрационных распределений легирующих примесей полупроводника и компонентов пленочных слоев в полупроводниковых наноразмерных структурах, формируемых в технологических процессах создания активных областей различных изделий микро-и наноэлектроники.

3. Изучение особенностей перераспределения легирующих примесей полупроводника в поверхностном слое и на границе раздела металлическая пленка - кремниевая подложка в зависимости от сочетаний примесь — металлическая пленка и при различных термодинамических условиях.

4. Построение модели распределения концентраций компонентов в результате сегрегации на границе раздела металлическая пленка - кремниевая подложка.

5. Разработка методики определения толщины и скорости роста наноразмерных силицидных слоев, формирующихся в зоне раздела металлическая пленка - кремниевая подложка, по данным сегрегации легирующих примесей полупроводника на межфазных границах кремний - силицид металла - металл.

Научная новизна

В ходе выполнения работы были получены следующие результаты, обладающие признаками конструктивной, методической и научной новизны.

1. Произведено усовершенствование вторично-ионного масс-спектрометра, которое расширило функциональные возможности установки и позволило проводить исследования наноразмерных металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов как в статическом, так S и в динамическом режимах.

2. Изучены профили концентрационного распределения легирующих примесей полупроводника и компонентов пленочных слоев в полупроводниковых наноразмерных структурах, формируемых в технологических процессах создания активных областей различных изделий микро- и нано-электроники.

3. Экспериментально выявлены особенности перераспределения легирующих примесей бора и фосфора в результате их сегрегации на границе раздела кремния с металлической пленкой алюминия, титана, хрома, никеля, молибдена и вольфрама.

4. Впервые экспериментально изучено перераспределение легирующей примеси полупроводника в процессе роста силицида металла на границе металлическая пленка - кремний.

5. Разработана методика и получен патент на способ определения толщины и скорости роста силицидных нанослоев, формирующихся в зоне раздела металлическая пленка - кремниевая подложка, по данным сегрегации легирующих примесей полупроводника на межфазных границах кремний - силицид металла - металл.

Практическая значимость

Усовершенствованный масс-спектрометр МС-7201 применяется для выполнения научно-исследовательских работ и в учебном процессе на факультете микроэлектроники и компьютерных технологий Кабардино-Балкарского государственного университета: в лабораторном практикуме, в научно-исследовательской работе магистрантов и аспирантов, а также при выполнении курсовых и выпускных квалификационных работ специалистов и магистров.

Полученные в работе научные результаты по исследованию распределения и перераспределения компонентов в наноразмерных структурах, формируемых в технологических процессах создания изделий микро- и наноэлектроники, а также изделий вакуумной микроэлектроники, внедрены в производство сверхбыстродействующих цифровых ТТЛШ ИС, мощных высоковольтных транзисторов, лавинно-пролетных диодов миллиметрового диапазона и других в ОАО СКВ «Элькор», ОАО НЗПП (г. Нальчик) и в производство мелкоструктурных микроканальных пластин нового поколения для техники ночного видения в ООО ВТЦ «Баспик» (г. Владикавказ).

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Усовершенствование вторично-ионного масс-спектрометра МС-7201, позволившее проводить исследования качественного и количественного состава наноразмерных структур на поверхности материалов проводящей, полупроводниковой и диэлектрической природы в расширенном диапазоне масс и с дополнительными функциональными возможностями.

2. Особенности перераспределения легирующих примесей бора и фосфора в результате их сегрегации на границе раздела кремния с металлической пленкой алюминия, титана, хрома, никеля, молибдена и вольфрама при различных температурах.

3. Специфика перераспределения легирующей примеси полупроводника в процессе роста силицида металла на границе кремния с металлической пленкой никеля и титана.

4. Влияние процесса силицидообразования на перераспределение легирующей примеси бора в системах металлическая пленка - кремний.

5. Методика определения толщины и скорости роста наноразмерных силицидных слоев, формирующихся в зоне раздела металлическая пленка-кремниевая подложка, по данным сегрегации легирующих примесей полупроводника на межфазных границах кре*мний - силицид металла - металл.

Личный вклад автора

Автору принадлежит разработка принципиальных электрических схем, а также конструкций устройств по усовершенствованию масс-спектрометра МС-7201. В статьях, опубликованных с участием автора и в полученных патентах, соавторам принадлежат приблизительно равные доли творческого участия. Все сделанные в настоящей работе выводы принадлежат автору.

Апробация результатов

Основные результаты, полученные в работе, докладывались на 1-й подотраслевой научно-технической конференции молодых ученых и специалистов (Нальчик, 1985); VI-м Всесоюзном семинаре «Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия» (Харьков, 29-31 октября 1991 г.); Российской научной конференции «Приборы и техника ночного видения» (Нальчик, 10-15 июля 2002 г.); Российской межотраслевой научной конференции «Тепломассоперенос и свойства жидких металлов» - Теплофизика-2002 (Обнинск, 29-31 октября 2002 г.); Ш-ей Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» — (Кисловодск, 14-19 сентября 2003 г.); IV-ой Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 19-24 сентября 2004 г.); XXI-ой Международной научной конференции «Relaxation Phenomena in Solids» - RPS-21 (Воронеж, 5-8 октября 2004 г.).

Благодарности

Автор выражает глубокую благодарность всем своим учителям и коллегам, с которыми связывает более чем 25-летнее творческое общение и более чем 20-летние совместные исследования, за их помощь, поддержку и одобрение; научному руководителю работы профессору Кармоко-ву А. М. за его руководящее начало, постоянное внимание и настойчивость; сотрудникам СКБ «Элькор» за подготовку образцов, обсуждение результатов и использование этих результатов в своих разработках; коллегам по факультету микроэлектроники и компьютерных технологий за полезные обсуждения, критику и замечания по работе. t

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Молоканов, Олег Артемович

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Произведенная модернизация масс-спектрометра вторичных ионов МС-7201 позволила исследовать наноразмерные структуры металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов в квазистатическом режиме работы со скоростью распыления 0,5.0,7 А/мин., с разрешением по глубине до 5 % и чувствительностью до 10~5 монослоя в соответствии с принятыми к ВИМС требованиями.

2. Отклонение концентрационных профилей примесей, ионно-имплантированных в полупроводниковые структуры, от гауссовй формы распределения проявляются на поверхностях образцов, обогащенных за счет сегрегации активной примеси, а также в «хвостах» распределений, что связано с эффектом стенки кратера.

3. Профили распределения легирующих примесей бора и фосфора в кремнии на границе с металлической пленкой изменяются в зависимости от вида металла пленки. Установлено, что бор является межфазно активным в системах Mo - Si, Ni - Si и Ti - Si, а фосфор - в системах А1 — Si и Mo - Si. Бор в системе А1 - Si и обе примеси в системе Cr - Si являются и инактивными. По данным ВИМС протяженность межфазного слоя в направлении нормали к поверхности раздела для исследованных систем составляет 8.15 нм.

4. В процессе отжига и роста силицидных пленок в системах Ti - Si и Ni - Si происходит перераспределение легирующей примеси бора на межфазную границу металл-кремний, а также обогащение примесью металлической пленки и силицида. С увеличением времени отжига в металлической пленнике растет фаза нового стехиометрического состава, и на межфазной границе двух силицидных фаз наблюдается концентрирование примеси бора.

5. Установлена полуэмпирическая зависимость распределения примесей в системе кремний - межфазная граница - металлическая пленка — поверхность пленки.

6. Исходя из баланса масс установлено изменение удельной проводимости кремния в тонком слое вблизи межфазной границы, происходящее в результате перераспределения легирующей примеси.

7. Межфазная сегрегация бора в силицидных слоях и на границе раздела кремний - титан позволяет определить с высокой точностью толщину нанометровых силицидных слоев, образующихся в процессе отжига. На основе этих исследований разработана методика определения толщины силицидных пленок, на которую получен патент.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Молоканов, Олег Артемович, 2004 год

1. Петров Н. Н., Аброян И. А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. - Л.: Из-во ЛГУ. 1977. -160 с.

2. Мак-Хью И. А. Вторично-ионная масс-спектрометрия: / в кн.: Методы анализа поверхности. / Под ред А. Зандерны. Пер. с англ.-М.: Мир, 1979.-с. 276-342.

3. Черепин В. Т. Масс-спектрометрия вторичных ионов // Электронная промышленность, 1979, № 1-2, с. 17-34.

4. Морисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. Пер. с англ. М.: Мир, 1980, - 488 с.

5. Черепин В. Т. Ионный зонд. Киев: Наукова думка, 1981. - 328 с.

6. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. Под ред. Л. Фирмэнса, Дж. Вэнника и В. Декейсера. Пер. с англ. М.: Мир, -1981.-468 с.

7. Черепин В. Т., Васильев М. А. Методы и приборы для анализа поверхности материалов: Справочник. Киев: Наукова Думка, 1982. — 400 с.

8. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии: Пер. с англ. М.: Мир, 1985. - 496 с.

9. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности: Пер. с англ.- М.: Мир, 1989.-564 с.

10. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 344 с.

11. Arnot F.L., Milligan J.C. A new process of negative ion formation. //. Proceedings of the Royal Society of London, A, № 156, 1936, P. 538-560.

12. Herzog R. F. K., Viehbock F. P. Ion sours for mass spectrography. // Phys. Rev., 1949, 76,-P. 855.

13. Werner H.W., de Grefte H. A. M., // Vakuum-Technik, 1967, 17, 37,.

14. Carter G., Colligon J. S., Ion Bombardment of Solids. New York: American Elsevier Pub. Co., 1968, - 200 p.

15. LindhardJ., ScharffM., Energy Dissipations by Ions in the keV Region, Physical Review, 1961, 124, pp. 128- 130.

16. Ishitani Т., Schimizu R., Computer simulation of knock-on effect under ion bombardment. Physics Letters A, 1974, Volume 46, Issue 7, pp. 487 488.

17. Whitlow H. J., KeinonenJ., and Hautala M. Mixing of A1 in Si by Ne+ ions. Journal of Applied Physics. 1985. Vol. 58 (8), pp. 3246 3248.

18. McKracken G. M. The Behaviour of Surfaces under Ion Bombardment, Reports on Progress in Physics, 1975, 38, № 2, 241 3278.

19. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел: Сборник татей 1986- 1987 гг. Перевод с английского. / Составитель Е. С. Машкова. М.: Мир, 1989. - 349 с.

20. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Выпуск I. / Под ре. Р. Бериша. / Пер. с англ. М.: Мир, 1984.

21. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Выпуск II. / Под ре. Р. Бериша. / Пер. с англ. М.: Мир, 1986.

22. Sigmund P. Theory of sputtering. I. Sputtering yield of amorphous and polycrystalline targets. // Phys. Rev., 1969, 184, № 2. P. 383 416.

23. Векслер В. И. Вторичная ионная эмиссия металлов. М.: Наука, 1978.-240 с.я

24. Loebach E. Analysis of monomolecular layers of solids by the static method of secondary ion mass spectroscopy (SIMS). J. Radioanal. Chem., 1972, 12, № 1, p. 95 - 100.

25. Treitz N. Analysis of solid surface monolayers by mass and energy spectrometry methods. J. Phys. E: Science Instruments. 1977, V. 10, pp. 573 -585.

26. Stumpl E., Benninghoven A. Surface oxidation stadies of iron using the static method of secondary ion mass spectroscopy (SIMS). Phys. Status solidi (a), 1974, 21, № 2, p. 479 486.

27. Ремнев Г. E., Исаков И. Ф., Опекунов М. С., Матвиенко В. М. Источники мощных ионных пучков для практического применения. // Известия вузов. Серия Физика. 1998. Том 41. № 4. С. 92 111.

28. Войцеховский А. В., Коротаев А. Г., Коханенко А. П. Формирование наноразмерных высоколегированных профилей бора в кремнии мощными ионными пучками. // Прикладная физика, 2000, № 6. С. 45 49.

29. Croset М., Quantitativ analysis of boron profiles in silicon using ion mi-croprobe mass spectrometry. J. Radioanal. Chem., 1972, 12, № 1. P. 69 — 75.

30. Wittmaack K. High-sensitivity depth profiling of arsenic and phosphorus in silicon by means of SIMS. Applied Physics Letters, 1976, Volume 29, Issue 9. P. 552 - 554.

31. Hofer W. O., Liebl H., Ross G., Staudenmaier G. An electronic aperture for in-depth analysis of solid with an ion microprobe. International Journal of Mass Spectrometry and Ion Physics, 1976, Volume 19, Issue 3, pp. 327324.

32. Dawson P. H. Quadrupoles for secondary ion mass spectrometry. Int. J. Mass Spectrom. And Ion Phys., 1975. Vol. 17. P. 447 - 467.

33. Слабоденюк Г. И. Квадрупольные масс-спектрометры.-М.: Атомиз-дат, 1975,-272 с.

34. Liebl Н. Ion microprobe mass analiyzer. // Journal of Applied Physics, 1967, V. 38, Issue 13, P. 5277 5283.

35. Методики валового и послойного анализа непроводящих проб на масс-спектрометрах типа «Мини-ВИМС». Москва, ГЕОХИ АН СССР, 1987.45 с.

36. Масс-спектрометр МС-7201. Техническое описание ЦФ 1.560.015.ТО. Сумы: ПО Электрон. 1983.

37. Кармоков А. М., Шебзухов А. А. Методическая разработка «Методы диагностики материалов и изделий электронной техники с помощью ионного пучка». Нальчик: Изд. КБГУ, 1992. - 86 с.

38. Paul W., Zahn U. von, Zs. Physic, 1958, 152. P. 143.

39. Система напуска автоматическая CHA-1. Техническое описание и инструкция по эксплуатации ЦФ2.950.084.РЭ. Сумы: ПО Электрон. 1983.

40. Молоканов О. А., Кармоков А. М. Некоторые изменения в электронных схемах масс-спектрометра МС-7201. / Вторичная ионная и ионнофотонная эмиссия. Тезисы докладов VI-го Всесоюзного семинара 29 -31 октября 1991 г. Харьков 1991. С. 247 - 249.

41. Афицинский А. Д., Кармоков, Молоканов О. А. Устройство стабилизации тока первичных ионов на образец для вторично-ионного масс-спектрометра МС-7201. Удостоверение на рационализаторское предложение КБГУ № 73 от 4 декабря 1986 г.

42. Черепин В. Т., Васильев М. А. Вторичная ионно-ионная эмиссия металлов и сплавов. Киев: Наукова думка, 1975. - 240 с.

43. Werner Н. W., Morgan А. Е, J. Journal of Applied Physics, 1976, Volume 47, Issue 4 P. 1232-1242.

44. Goff R. F.: Ion Scattering Spectrometer With Neutralization. Патент США US3665185, опубл. 1975.

45. Багров Н. Н., Гусляков А. А., Пилипенко А. П., Фурманский А. Г., Янов А. Е. Расширение диапазона масс однополярного масс-спектрометра. Приборы и техника эксперимента, 1970, № 4. С. 237 -238.

46. Benninghoven A., Mueller A., Physics Letters А. 1972, Volume 40, Issue 2. P. 169- 170.

47. Benninghoven A., Miiller A., Investigation of surface oxidation of metals in the sub-monolayer and monolayer range with the static method of secondary ion mass spectrometry. Thin Solid Films, 1972, 12, № 2. P. 439 -442.

48. Hofer W. O., Liebl H. / Appl. Phys. 1975. Vol. 8. P. 359.

49. Гуревич Ю. Я. Твердые электролиты. М.: Наука, 1986. - 176 с.

50. Полупроводниковые и твердоэлектролитные сенсоры. / П. М. Талан-чук, Б. П. Шматко, JI. С. Заика, О. Ю. Цветкова. Киев.: Техника, 1992.-224 с.

51. Афицинский А. Л., Кармоков, Молоканов О. А. Устройство для напуска кислорода в источник ионов масс-спектрометра МС-7201 на основе твердотельной электролитической ячейки. Удостоверение на рационализаторское предложение КБГУ № 72 от 4 декабря 1986 г.

52. Бородин О. М., Гиммельфарб Ф. А., Орлов П. Б. и др. // ЖАХ. -1986, т. 41, - №12. - С. 2164 - 2174.

53. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей / А. Ф. Буренков. Ф. Ф. Комаров, М. А. Кумахов, М. М. Темкмн. Минск.: Изд-во БГУ, 1980. - 352 с.

54. Шауцуков А. Г., Журтов 3. М., Кармоков А. М., Шухостанов А. К. Оже-анализ концентрационных профилей имплантированных слоев кремния. / Тезисы 1-ой подотраслевой научно-технической конференции молодых ученых и специалистов. Нальчик, 1985. - С. 71.

55. Fuller С. S., Ditzenberger J. А. Diffusion of Donor and Acceptor Elements in Silicon. Journal of Applied Physics, 1956, Volume 27, Issue 5. P. 544-553.

56. NeubergerM., Group IV Semiconducting Materials, Handbook of Electronic Materials. Vol. 5 (IFI/Plenum, New York, 1971).

57. Болтакс Б. И. Процессы диффузии в полупроводниках и деградация полупроводниковых структур. Л.: Наука. 1982.

58. Mizuo С., Higuchi Н. Effects of Oxidation on Aluminium diffusion in Silicon. / Jap. J. Appl. Phys., 1982, Vol. 21, Part. 1, № 1. p. 56 60.

59. Альтудов Ю. К., Быковский А., Неволин H. Малогабаритная установка для прямого легирования с лазерным источником. // ЖТФ, 1980, т. 40, № 1. С. 173- 179.

60. Ortiz Ch., Grob J. J., Mathiot D., Claverie A., Dubois Ch., Jurisia R. Thermal Redistribution of A1 implanted in Si: evidences for interactions with extended defects. Nuclear Instruments and Methods in Physics. 1998, Res. 147. P. 122.

61. Magee C. W., Harrington W L., and Honig R. E. Secondary ion quadrupole mass spectrometer for depth profiling design and performance evaluation. Review of Scientific Instruments. 1978. Vol. 49 (4). P. 477 - 485.

62. Bruel М.; Spinelli P. Process for doping semiconductors. European Patent EP067090A1, 1982, EP067090B1, 1985

63. Шухостанов А. К., Шауцуков А. Г., Кармоков A. M., Кожокова Ф. M., Молоканов О. А., Шебзухов А. А. Исследование распределения бора ич атомов отдачи алюминия, одновременно имплантируемых в кремний.

64. Физико-химия межфазных явлений. Сборник научных трудов. Нальчик, 1986. - С. 131-136.

65. Шухостанов А. К. Лавинно-пролетные диоды: физика, технология, применение. М.: радио и связь, 1997. - 208 с.

66. Шухостанов А. К., Шауцуков А. Г., Кармоков А. М., Кожокова Ф. М., Молоканов О. А. Исследование профилей распределения примесей ви р+-р-слоях двухпролетных лавинно-пролетных диодов методом

67. ВИМС. // Электронная техника. Серия 2, полупроводниковые приборы,- 1989,-в. 2.-С. 57-60.

68. Шухостанов А. К., Ахметов Т. X., Волков С. И., Шекихачев А. М. Кремниевые лавинно-пролетные диоды миллиметрового диапазона (конструкция, технология, надежность).Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 1990, выпуск 5. С. 59.

69. Шауцуков А. Г., Дружинин А. В., Шухостанов А. К., Аталиков С. Ч. Автоматизированное проектирование многократной имплантации длясоздания р-областей двухпролетных ЛПД. // Электронная промышленность. М., ЦНИИ. - 1990. - В. 2. - С. 26 - 27.

70. Заводинский В. Г., Куянов И. А. Влияние примеси в приграничном слое кремния на величину барьера Шоттки в эпитаксиальной системе Al/tf-Si. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронныеисследования. 1996, - № 11. - С. 51 - 55.

71. Horiuchi Masatada, Yamaguchi Ken. SOLID: high-voltage, high-gain 300 nm channel-length MOSFETs-1. Simulation.// Solid-State Elektron. -1985. 28, - № 5. P. - 465 - 472.

72. Васильев C.B., Герасименко H.H. Поведение примеси в процессе формирования силицидов металлов. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1986. -№7. -С. 57- 62.

73. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир. -1986. -176 с.

74. Кармоков А. М., Кожокова Ф. М., Молоканов О. А. Исследование сегрегации легирующих примесей на межфазной границе кремний металл. // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1996,-№ 2. С. 81 -84.

75. Островский И. В., Надточий А. Б., Подолян А. А. Стимулированное ультразвуком низкотемпературное перераспределение примесей в кремнии. // Физика и техника полупроводников, 2002. Том 36, вып. 4.-С. 389-391.

76. Zhang S.-L. Self-aligned silicides for Ohmic contacts in complementary metal-oxide-semiconductor technology: TiSi2, CoSi2, and NiSi. Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films-July 2004 Volume 22, Issue 4. P. 1361 - 1370.

77. Кожокова Ф.М., Кармоков A.M. Перераспределение ионов бора и фосфора на границе металл- кремний. // Тезисы докладов и сообщений республиканской конференции молодых ученых. 1988. - С. 23.

78. Kogokova F. М., Karmokov А. М., Matveev G. N. The diagnostic of semiconductor structures by ion beams. / The 4-th АН-Union Conference on Interaction of Radiation with Solids. Moscow. 1990. P. 20.

79. Кожокова Ф. M., Кармоков A. M. Исследование сегрегации легирующей примеси на межфазных границах кремний силицид - металл. / Вторичная ионная и ионо-фотонная эмиссия. Тезисы докладов VI

80. Всесоюзного семинара 29-31 октября 1991г. Харьков 1991.-С. 148- 149.

81. Кармоков А. М., Кожокова Ф. М., Молоканов О. А., Влияние процесса силицидообразования и перераспределения примеси бора в системах Ni — Si и Ti — Si. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1995, -№2-С. 41-44.

82. Кармоков A. M., Молоканов О. А., Кожокова Ф. M. Способ измерения толщины интерметаллического слоя. Патент № 1777667 от 9.07.90 за-регистр. 22.07.92.

83. TsaiM. У., Chao Н. Н., Ephrath L. М., CrowderB. L., Cramer A., Bennett R. S., Lucehese С. A., Wordeman M. R. // Journal of The Electrochemical Society, 1981, 128, p. 2207.

84. Pan P., HsiehN., Gorpel H. J., Slusser G.J. // J. Appl. Phys., 1982, 53, p. 3059.

85. Ostling M., Petersson C. S., Norstrom H., Runove, Buchta R., Wiklund P. The Behavior of Arsenic in TiSi2. / Polyside Layers, ESSDERC, Sept. 1982, Munchen, W. Germany.

86. Фельдман Э. П., Юрченко В. Н. Кинетика сегрегации примесей на поверхностях раздела в твердых телах. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1990, -№12. - С. 138.

87. Fair R. В., Concentration Profiles of Diffused Dopands in Silicon, Wang F. F. Y. (ed.), Impuring Doping Processes in Silicon, North-Holland, new York, 1981, ch. 7.

88. Примаченко В. Е., Снитко О. В. Физика легированной металлами поверхности полупроводников. Киев: Наукова думка, 1988. - 232 с.

89. Gibbon С. F., Povilonis Е. I., Ketchow D. R., The Effect of Mask Edges on Dopand Diffusion into Semiconductors, J. Electrochem. Soc. 1972, 119. P. 767.

90. Komeda Т., Nishioka Y. Atomic structure of segregated boron on Si (001) surface; scanning tunneling microscopy and cluster model calculation study. Surface Science 1998, 405. P. 38 45.

91. Molokanov О. A., Karmokov А. М., Teshev R. S. Redistribution of dopant impurity of boron on interface Me-Si. Труды XXI-ой Международной научной конференции «Relaxation Phenomena in Solids» RPS-21 (Воронеж, 5-8 октября 2004 г.).

92. Kaloyeros A. E., Eisenbraun E. Ultrathin diffusion barriers/liners for gigas-cale copper metallization. // Annual Review of Materials Science. 2000. Vol. 30. P. 363 -385.

93. Pelleg J., G. Sade. Diffusion barrier properties of amorphous TiB2 for application in Cu metallization. // Journal of Applied Physics. 2002, Vol 91 (9). P. 6099-6104.1. Приложжение!

94. УТВЕРЖДАЮ Генеральный директоро внедрении результатов научно^яшШовательской работы по темам: "Факт-174/175". "факт-161". "Факт-374/375".

95. Организация-разработчик: Кабардино-Балкарский госуниверситет. 1.1. Подразделение-разработчик:лафедра физических основ микроэлек

96. Представленные материалы: Исследование методом ВИМС скорости роста силицидных слоев переходных металлов (Pt, Mo. W, Cr,

97. Организация, внедряющая результаты НИР: ОАО СКБ "Элькор".

98. Предмет внедрения: Технология контроля кинетики образования сили-цидной фазы при формировании диодов Шоттки на быстродействующих интегральных схемах серий 1531иКР1531.

99. Экономический эффект: 500 тыс. руб.

100. Сроки внедрения: плановый 1992 г.: фактический1992 г.

101. Работники, принимающие участие во внедрении: от организации разработчика: Кармоков А. М, Молоканов О. А.;от организации, внедряющей результаты НИР: главный инженер ОАО СКБ "Элькор", доктор тех, наук, профессор Мустафаев Г. А.1. Нач. отделатроники,

102. Руководитель темы: Кармоков А. М;отв. исполнитель: Молоканов О. А.1. Ti N1).1. ОАО СКБ "Элькорit1. Фицев X. X.