Особенности переключения поляризации в сегнетокерамиках на основе феррониобата и ферротанталата свинца тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Минасян, Тигран Арменович
- Специальность ВАК РФ01.04.07
- Количество страниц 119
Оглавление диссертации кандидат наук Минасян, Тигран Арменович
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1 Факторы влияющие на процесс переключения поляризации в сегнетоэлектрической керамике (обзор литературы)
1.1 Феррониобат свинца и ферротанталат свинца
1.2 Частотные зависимости параметров переключения поляризации
1.3 Поверхностные слои в сегнетоэлектриках-полупроводниках
1.4 Эффект динамической усталости
1.5 Температурная зависимость параметров переключения поляризации
1.6 Магнитоэлектрическое взаимодействие в керамиках PFN и PFT
2 Методики приготовления и исследования образцов
2.1 Изготовление объектов исследования
2.2 Осциллографический метод исследования
2.3 Измерения диэлектрических характеристик, пироэлектрического тока и мёссбауэровских спектров
3 Эффект динамической усталости в керамике (1-x)PFN+xPT
3.1 Влияние эффекта динамической усталости на параметры петель диэлектрического гистерезиса керамики (1-x)PFN+xPT
3.2 Влияние эффекта динамической усталости на диэлектрические и пьезоэлектрические характеристики керамики 0,92PFN+0,08PT
4 Влияние частоты измерительного поля на особенности переключения поляризации в керамике PbFe1/2NЪ1/2Oз+xPbTiOз ((1-x)PFN+xPT)
4.1 Частотные зависимости параметров петель диэлектрического гистерезиса керамики (1-x)PFN+xPT
4.2 Экранирование спонтанной поляризации в керамике на основе PFN
5 Особенности температурных зависимостей параметров переключения поляризации и диэлектрических характеристик керамик PFN и PFT в области магнитного фазового перехода
5.1 Температурные зависимости диэлектрических и поляризационных характеристик керамики PFN
5.2 Температурные зависимости диэлектрических и поляризационных характеристик керамики PFT
6 Влияние механоактивации и легирования Li на диэлектрические и поляризационные свойства керамики PFN
6.1 Влияние механоактивации на диэлектрические характеристики керамики РБК
6.2 Совместное влияние механоактивации и легирования Li на диэлектрические и поляризационные свойства керамики PFN
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ПУБЛИКАЦИИ АВТОРА
Работа выполнена при поддержке проектной части гос. задания Министерства образования и науки РФ № 3.1649.2017/ПЧ.
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК
Исследование электрофизических свойств сегнето-пьезокерамики на основе титаната бария2022 год, кандидат наук Диков Роман Викторович
Диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства керамики твердых растворов на основе ниобата бария – кальция2023 год, кандидат наук Гусева Ольга Сергеевна
Переключение поляризации и эволюция нанодоменных структур в монокристаллах релаксорных сегнетоэлектриков ниобата бария-стронция и цинко-ниобата свинца2011 год, кандидат физико-математических наук Шихова, Вера Анатольевна
Особенности электрофизических свойств ряда сегнетомягких материалов на основе ЦТС2013 год, кандидат наук Акбаева, Галина Михайловна
Влияние внешних воздействий на релаксорные оксидные кристаллы2015 год, кандидат наук Лыу Тхи Ньян
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности переключения поляризации в сегнетокерамиках на основе феррониобата и ферротанталата свинца»
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность темы. Сегнетоэлектрики, традиционные объекты физики конденсированного состояния, обладают рядом перспективных электрофизических свойств, которые позволяют применять их в устройствах современной микроэлектроники. Возможность переключения направления поляризации под воздействием внешнего электрического поля, является одним из наиболее важных свойств сегнетоэлектриков. Эффективным и общепринятым инструментом для исследования особенностей переключения поляризации являются петли диэлектрического гистерезиса, параметры которых зависят как от свойств материала, в частности, размеров или границ кристаллитов, степени легирования и кристаллической структуры, так и от условий измерения, то есть амплитуды, частоты, количества циклов внешнего переполяризующего поля, температуры и давления. Влияние этих факторов на свойства материала отражается на форме петель диэлектрического гистерезиса, поэтому их исследование при разных условиях может привести к пониманию динамики переключения поляризации.
Феррониобат свинца PbFe1/2NЪ1/2Oз ^^ и твёрдые растворы на его основе (1-.x)PЪFe1/2Nb1/2Oз+xPЪTЮз ((1-.x)PFN+xPT) обладают перспективными сегнетоэлектрическими и магнитными свойствами [1-4] для практических применений. Система (1-.x)PFN+xPT представляет большой технологический интерес из-за наличия морфотропного фазового перехода между ромбоэдрической и тетрагональной фазами [1, 2], который при комнатной температуре локализован в области х ~ 0,06...0,07. Но, несмотря на эти многообещающие характеристики, особенности переключения поляризации в сегнетокерамике на основе PFN недостаточно изучены. В значительной степени это связано с трудностью [2 - 4] изготовления керамики PFN с низкой проводимостью. Из-за большой проводимости нелегированной керамики PFN петли диэлектрического гистерезиса часто не достигают необходимого насыщения и их параметры не описывают реальные свойства керамики. Одним из возможных способов увеличения удельного сопротивления керамики PFN
4
является снижение температуры спекания Тц. Известно, что легирование литием Li ведёт [2 - 4] к снижению оптимальной Т до 1030... 1050 °С и увеличению сопротивления керамики PFN. Однако механизм воздействия Li на сопротивление керамики до сих пор остается не ясным. Другим методом снижения Т керамики является механическая активация порошка, синтезированного обычным методом твёрдофазной реакции либо механохимический синтез порошка.
Соединение PbFe1/2Ta1/2O3 (PFT) является аналогом PFN: они имеют одинаковую последовательность фазовых переходов, близкие и достаточно высокие (~150 К) значения [5] температуры Нееля. Эффекты, обусловленные магнитоэлектрической связью, в керамике PFN исследованы более подробно, чем в PFT. Тем не менее, особенности переключения поляризации в области магнитного фазового перехода в PFN, как и в PFT, ранее не были изучены.
Таким образом, тема диссертации, посвящённой определению особенностей переключения поляризации в сегнетокерамиках на основе PFN и PFT, при разных температурах и параметрах измерительного поля, является важной и актуальной.
Цель работы: установить особенности переключения поляризации в сегнетокерамике на основе PFN и PFT, в зависимости от времени воздействия, частоты и амплитуды переменного поля, а также от температуры.
Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:
1. Изготовить керамические образцы PFN, PFT и твёрдых растворов (1-.x)PFN-xPT с высоким сопротивлением, выдерживающие приложение сильных электрических полей.
2. Измерить петли диэлектрического гистерезиса твёрдых растворов (1-.x)PFN-xPT при разных частотах и амплитудах внешнего переменного поля и определить возможные механизмы частотной зависимости их параметров.
3. Выявить влияние времени воздействия переменного поля на поляризационные, диэлектрические и пьезоэлектрические свойства, а также определить возможные причины эффекта динамической усталости в твёрдых растворах (1-.)PFN-.PT.
4. Установить температурные зависимости параметров петель диэлектрического гистерезиса сегнетокерамики PFN и PFT в области магнитного фазового перехода.
5. Определить диэлектрические и поляризационные свойства керамик PFN, оптимальная температура спекания которых снижена за счёт использования механоактивации.
Научная новизна: впервые
• выявлен эффект динамической электрической усталости в керамиках ТР (1-.)PFN-.PT, легированных литием. и выявлены основные механизмы деградации переключаемой поляризации, диэлектрических и пьезоэлектрических характеристик в этих материалах;
• установлены зависимости параметров петель диэлектрического гистерезиса высокомных керамик (1-.)PFN-.PT, легированных литием, от частоты измерительного поля и определена роль слоёв объёмного заряда на границах зёрен в формировании частотных зависимостей параметров петель;
•установлены температурные зависимости параметров петель диэлектрического гистерезиса сегнетоэлектрических керамик PFN и PFT, легированных Li в области магнитного фазового перехода.
•показано, что одного снижения температуры спекания недостаточно для значительного повышения электрического сопротивления керамики PFN.
Практическая значимость. Установленные зависимости параметров процессов переключения поляризации и диэлектрических характеристик от различных факторов пополняют экспериментальные данные о свойствах
мультиферроиков феррониобата и ферротанталата свинца. Новые результаты и выводы диссертации могут быть использованы для определения быстродействия, производительности, а также рабочих диапазонов частот и температур устройств с использованием материалов на основе PFN и PFT.
Основные научные положения, выносимые на защиту
1. Эффект динамической усталости в керамических твёрдых растворах (1-.x)PbFe1/2Nb1/2O3 - .xPbTiO3 обусловлен в основном стабилизацией доменов заряжёнными дефектами, локализованными по всему объёму керамики, а не образованием микротрещин, и выражен гораздо слабее, чем в материале ПКР-7М на основе ЦТС.
2. Уменьшение остаточной поляризации керамики твёрдых растворов (1-.x)PbFe1/2Nb1/2O3 - .xPbTiO3 с увеличением частоты измерительного поля связано преимущественно с эффектом экранирования поляризации объёмными зарядами, локализованными вблизи границ зёрен керамики.
3. На температурных зависимостях обратной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, коэрцитивного поля и производной спонтанной поляризованности по температуре мультиферроиков PbFel/2Nbl/2Oз и PbFel/2Tal/2Oз в области антиферромагнитного фазового перехода имеют место аномалии, вызванные магнитоэлектрическим и/или магнитоупругим взаимодействием.
4. Снижение оптимальной температуры спекания нелегированной керамики PbFe1/2Nb1/2O3 с использованием механоактивации не уменьшает её проводимость и диэлектрические потери, тогда как совместное использование механоактивации и легирования литием позволяют изготовить при низкой температуре спекания порядка 900 °С плотную керамику PFN с высокими диэлектрическими и поляризационными свойствами.
1 Факторы влияющие на процесс переключения поляризации в сегнетоэлектрической керамике (обзор литературы)
Важным свойством сегнетоэлектриков является наличие петель диэлектрического гистерезиса при приложении соответствующего внешнего переменного электрического поля Е. При помощи петли диэлектрического гистерезиса (рис. 1.1), типичной для полидоменных сегнетоэлектрических материалов, напрямую можно оценить такие их свойства как спонтанная поляризация Р8, остаточная поляризация Рг и коэрцитивное поле Ес.
Из-за условия минимума энергии, зёрна в поликристаллических сегнетоэлектриках разбиваются на множество доменов, направления которых, при отсутствии внешнего поля распределены случайным образом. Приложением внешнего поля, превышающего Ес, сегнетоэлектрик можно перевести в поляризованное состояние. С увеличением внешнего поля Е макроскопическая поляризация постепенно растёт за счет переключения отдельных доменов, однако вблизи Ес наблюдается резкое изменение поляризации (см. рис. 1.1), которое связано с переключением направления большей части доменов (переполяризация), а при дальнейшем увеличении поля поляризация достигает насыщения. При последующем уменьшении поля Е, некоторые домены переключаются обратно, но при нулевом поле макроскопическая поляризация не исчезает, остаётся некоторая остаточная поляризация Рг. Чтобы уменьшить поляризацию до нуля, нужно приложить электрическое поле с противоположным направлением и значением равным Ес.
Спонтанную поляризацию Р8 можно оценить экстраполяцией линейной части петли гистерезиса до пересечения с осью поляризации (см. рис. 1.1). Петля диэлектрического гистерезиса идеальной сегнетоэлектрической системы должна быть симметричной, положительные Ес и Рг должны быть равны отрицательным. Тем не менее, формы петель гистерезиса реальных сегнетоэлектрических материалов зависят от таких факторов как толщина образца, состав материала, присутствие заряженных дефектов, механические напряжения и условия измерения.
Рисунок 1.1 - Петля диэлектрического гистерезиса, типичная для сегнетоэлектрических материалов и соответствующие переключения доменов
Рисунок 1.2 - Изменение формы петель гистерезиса, при увеличении проводимости сегнетоэлектрического образца (а) и линейного конденсатора (б), с соответствующими эквивалентными схемами по данным работы [18]
Влияние этих факторов на свойства самого материала хорошо отражаются на формах петель диэлектрического гистерезиса. Следовательно, изучение петель диэлектрического гистерезиса может помочь в понимании свойств и структурных особенностей сегнетоэлектрических материалов. Однако, сравнительно большая проводимость образцов часто становится причиной ослабления сегнетоэлектрического отклика и неправильной интерпретации петель гистерезиса, так как экранирование поляризации свободными или локализованными носителями заряда мешает эффективному переключению доменов, и петли гистерезиса не достигают насыщения. Как было показано в работе [16], большой проводимостью в этом случае считается а>10-6 Ом-1 см-1, а маленькой - а<10-7 Ом-1 см-1. Петли диэлектрического гистерезиса сегнетоэлектрического образца с увеличением проводимости становятся более округленными, а резкий скачок поляризации в области Ес [18] становится (рис. 1.2, а) более плавным. При большой проводимости поляризация, обусловленная переключением доменов [16 - 18], полностью подавляется. На петлях Р-Е (рис. 1.2, б) системы линейного конденсатора (здесь термин ''линейный'' означает, что ёмкость конденсатора не зависит от внешнего поля) и резистора при повышении проводимости, хотя и проявляются некоторые черты гистерезиса, но значения спонтанной поляризации или коэрцитивного поля из этих петель [18] невозможно определить. Следовательно, такую систему нельзя считать сегнетоэлектрической.
1.1 Феррониобат свинца и ферротанталат свинца
Феррониобат свинца РЪБе1/2МЬ1/2Оз (РБ^ и его твёрдые растворы обладают высокой диэлектрической проницаемостью, ярко выраженными пьезоэлектрическими, пироэлектрическими и электрострикционными откликами [6 - 15]. При охлаждении PFN переходит из кубической параэлектрической в тетрагональную сегнетоэлектрическую фазу при Тст ~ 380 К, затем в моноклинную (по некоторым данным - ромбоэдрическую [6, 11]) сегнетоэлектрическую фазу при Ттм = 350.360 К и, наконец, в
антиферромагнитную фазу G- типа при температуре Нееля TN = 110.150 К [6, 11, 15, 19]. Температура спекания этих материалов относительно низкая (1050. 1150 С), что также увеличивает перспективность данных материалов для применения в микроэлектронике.
Рисунок 1.3 - Квазилинейные петли Р-Е нелегированной керамики PFN, измеренные в работах [20] [21] (б), [22] (в) и [23] (г)
Основной проблемой при получении керамики PFN является высокая
электрическая проводимость а и связанные с этим высокие диэлектрические
потери, а также формирование второй не перовскитовой фазы, а фазы
пирохлора. Из-за большой проводимости петли диэлектрического гистерезиса
керамик на основе PFN часто не достигают насыщенного состояния и не
отражают реальные свойства материала. Это является препятствием для
исследования особенностей переключения поляризации в сегнетокерамиках,
основанных на PFN, и существенно сужает области применения данного
11
материала. К сожалению, в литературе часто встречаются исследования свойств керамики PFN, основанные на петлях Р-Е квазилинейной формы, например, петли Р-Е (рис. 1.3), полученные в работах [21] и [20], в которых поляризация не достигает необходимого насыщения из-за большой проводимости образцов. Следовательно, построенные в работах [21] и [20] температурные зависимости параметров керамики PFN нельзя считать корректными. Многочисленные исследования показали, что при помощи легирования Li можно уменьшить проводимость керамики PFN и сделать формы петель диэлектрического гистерезиса более типичными для сегнетоэлектрических материалов [з, 4, 10-12]. Легирование Li также уменьшает размытость фазового перехода, увеличивает максимальную величину диэлектрической проницаемости и снижает диэлектрические потери. Максимум диэлектрической проницаемости при легировании Li немного смещается [з, 4].
Ферротанталат свинца PbFe1/2Ta1/2Oз (PFT) является аналогом PFN и имеет одинаковую с ним последовательность фазовых переходов, переходя при охлаждении из кубической параэлектрической в тетрагональную сегнетоэлектрическую фазу при ТСТ ~ 270 К, затем в моноклинную сегнетоэлектрическую фазу при Ттм ~ 200.220 К и, наконец, в антиферромагнитную фазу G-типа [5, 13] при Т^ ~ 120.180 К.
Несмотря на это сходство, PFT и PFN обладают очень разными диэлектрическими характеристиками. В обоих этих соединениях катионы Fe3+ и Tа5+(NЪ5+), предположительно, случайным образом занимают позиции В в кристаллической решётке типа перовскита [15, 19], и можно ожидать, что по аналогии с другими неупорядоченными перовскитами ~РЪВ^2 Ву203 где В3+= Sc, 1п или Yb; В5+= № или Ta [24 - 28] они будут демонстрировать релаксорные свойства. Это действительно так для монокристаллов и керамики PFT, в которых был замечен в работах [29 - 31] существенный частотный сдвиг температуры максимума Тт диэлектрической проницаемости е, типичный для сегнетоэлектриков- релаксоров. В отличие от этого, в случае PFN Тт не зависит [4, 11, 32] от частоты. Характер такого резкого различия в диэлектрических свойствах этих очень схожих
соединений остаётся не совсем ясным. Одним из возможных объяснений является разная степень локального упорядочения (ближний порядок) катионов Fe3+ и Tа5+(Nb5+). Такое наноразмерное упорядочение не выявляется с помощью рентгеновских лучей или дифракции нейтронов.
Рисунок 1.4 - Петли диэлектрического гистерезиса при комнатной температуре и частоте 1Гц керамики PFN с разным содержанием Li: 0 (а); 0,5 (б); 1,0 (в); 1,5 (г) и 2,0 ат.% (д) из работы [з]
р 10, Кч/м2
4- !
4
Рисунок 1.5 - Петли диэлектрического гистерезиса при комнатной температуре и частоте 50Гц нелегированной (1) и легированной Li (2) керамики PFN,
измеренные в работе [11]
1з
Тем не менее, следует иметь в виду, что по аналогии с другими перовскитами РЬМ^№1/203 (М3+= 1п или Sc), локальная структура как PFN так и PFТ может сильно отличаться от макроскопической, о чём свидетельствуют спектры протяжённой тонкой структуры рентгеновского поглощения (ЕХА^), ядерного магнитного резонанса (ЯМР) и комбинационного рассеяния света [33 - 35]. Наличие ближнего упорядочения ионов Fe в PFT и PFN подтверждается тем фактом, что их температуры Нееля ^ антиферромагнитного фазового перехода значительно ниже, чем рассчитанные для полностью неупорядоченного случая, когда ^ ~ 300 К [14], что было показано в работе [36] исследованиями спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), ЯМР [35], мёссбауэровского поглощения [37], а также расчётами [37] из первых принципов. Изменения степени локального упорядочения катионов Fe3+ и Ta5+ (или МЬ5+), вызванные в работе [38] механической активацией керамики или влиянием механических напряжений [39, 40], присущих эпитаксиальным наноплёнкам, также могут быть возможными причинами большого различия значений ^ для PFN и PFT в разных работах.
1.2 Частотные зависимости параметров переключения поляризации
Сильно нелинейные характеристики петель диэлектрического гистерезиса до сих пор препятствуют полному пониманию некоторых фундаментальных вопросов. Один из таких вопросов — это зависимость параметров петель диэлектрического гистерезиса от частоты, то есть зависимость процесса переключения поляризации от скорости изменения переменного электрического поля.
Исследованием петель гистерезиса при разных частотах можно получить зависимости от частоты таких важных параметров сегнетоэлектрика, как спонтанная поляризация Р8, остаточная поляризация Рг и коэрцитивное поле Ес, а также понять зависимость процессов движения доменных стенок от скорости изменения измерительного поля. Для лучшего понимание вопроса следует обратить внимание на частотные зависимости параметров петель
диэлектрического гистерезиса хорошо изученных сегнетоэлектрических твёрдых растворов РЬ(7г,Т^03 (Р2Т) и их различных модификаций.
В работах [41] и [42] удалось получить хорошо насыщенные петли гистерезиса правильной формы (амплитуда измерительного поля Етах ~ 2ЕС при частоте / = 50 Гц) на высококачественных эпитаксиальных плёнках Р7Т толщиной 100 нм, выращенных на подложках SrRuO3/(001)SrTiO3 методом импульсного лазерного напыления. Исследования частотных зависимостей параметров петель гистерезиса показали [41] увеличение коэрцитивного поля Ес примерно на 80% с увеличением частоты [42] с 50 до 2000 Гц (рис. 1.6) и на 100% - с увеличением частоты с 1 до 100 кГц. Прямоугольная форма петли, которая наблюдается при частоте 50 Гц, сильно изменяется, приобретая более округлённые концы при 100 кГц. Изменения остаточной Рг или спонтанной Р8 поляризаций с увеличением частоты для эпитаксиальных плёнок Р7Т в работах [41] и [42] не были замечены. Однако проведённые разными авторами исследования керамических образцов Р7Т, показали в работах [43 - 46] уменьшение значений остаточной поляризации Рг с увеличением частоты внешнего переполяризующего поля.
В работе [43] представлено исследование петель диэлектрического гистерезиса керамики РЬ(7г0,45Т^,55)03 (Р7Т45/55) при разных частотах: 1, 10, 50 и 100 Гц внешнего электрического поля. Показано, что для разных амплитуд поля Етах характер частотных зависимостей параметров петель (рис. 1.6) изменяется. При маленьких амплитудах поля (Етах ~ 0,5Ес) петли гистерезиса не достигают насыщения и имеют эллиптическую форму, которая заметно сужается при увеличении частоты с 1 до 100 Гц. С увеличением амплитуды поля (Етах ~ Ес) петли приобретают более квадратную форму (см. рис. 1.6), и частотная зависимость параметров петель становится более выраженной. При увеличении частоты с 1 до 100 Гц, остаточная поляризация Рг уменьшается почти на 76%, а Ес - на ~20 %.
Рисунок 1.6 - Частотная зависимость петель диэлектрического гистерезиса керамики при Т = 300 К: стрелка показывает направление увеличения частоты [41]
Рисунок 1.7 - Частотные зависимости петель диэлектрического гистерезиса керамики PZT45/55 при комнатной температуре и амплитудах внешнего поля: 40кВ/см (~ Ес) (а) и 56кВ/см (~1.6Ес) (б) из работы [43]
В работе [43] отмечается, что при малых частотах /= 1.10 Гц остаточная поляризация Рг уменьшается значительно от 16,2 до 9,5 мкКл/см2, в то время как при больших частотах / = 50.100 Гц частотная зависимость Рг ослабевает (от 5,1 до 3,9 мкКл/см2). При последующем увеличении амплитуды поля (Етах ~ 1,6ЕС) петли достигают состояния полного насыщения, а частотная зависимость Рг ослабевает (см. рис. 1.7, б). С увеличением частоты в интервале / = 1. 100 Гц, Рг почти не изменяется, а ЕС увеличивается на 30%.
Керамические образцы Р7Т, легированные донорами №205 (Р7ТК) либо акцепторами Fe203 (PZTF), исследованы в работе [44]. Петли диэлектрического гистерезиса, приведённые там, были получены при амплитуде внешнего поля Етах ~ 2,5Ес. При увеличении частоты от 1мГц до 1Гц остаточная поляризация Рг в случае PZTN уменьшается на 14%, коэрцитивное поле ЕС увеличивается на 28%, а в случае PZTF Рг уменьшается на 17%, а ЕС не изменяется.
Рисунок 1.8 - Частотная зависимость петель диэлектрического гистерезиса
керамики PMnN-PZT из работы [45]
Тем не менее, есть работы [45, 46], в которых сообщается об уменьшении Ес с увеличением частоты. Исследования, проведённые на керамических образцах рь(мп1/3№>2/3)03-рьтю3-рь7г03 ^МШ^Т), показали (рис. 1.8) при увеличении частоты от 10 мГц до 20 Гц уменьшение Ес [45] примерно на 11% и Рг - примерно на 55 % при Ешах~4,7Ес. Работа [46] одна из тех редких работ, где удалось получить и исследовать насыщенные петли диэлектрического гистерезиса керамики PFN, и было показано, что с увеличением частоты от 10-4 до 100 Гц величины Р8 и Ес уменьшаются примерно на 30 и 45%, соответственно.
Наиболее часто используемые теоретические модели описывают частотные зависимости особенностей переключения поляризации в сегнетоэлектрических материалах, исходя из динамики движения доменных стенок. Как пример, можно привести феноменологическую модель Ишибаши - Орихара [47], которая основана на классическом подходе зарождения и последовательного роста доменов с увеличением значения внешнего электрического поля. В этой модели рассчитывается временная зависимость объёма ориентированных по внешнему полю доменов, основываясь на расширенной теории Авраами [48]. В рамках модели временная зависимость переключаемой части поляризации Р8№ рассчитывается по формуле:
г
Р™ (г) = 2 р
1 - ехр(-) т
(1.1)
где т и п - характеристические время переключения и степенной коэффициент, соответственно, которые зависят от плотности зарождения доменов и скоростей движения доменных стенок и роста доменов. Коэрцитивное поле в данной модели описывается простым степенным законом:
Ес~/в, (1.2)
где f - частота внешнего электрического поля, а в зависит от плотности зарождения доменов и закона изменения внешнего переменного поля. Однако в модели Ишибаши - Орихара уделяется мало внимания эффектам, связанным с заряжёнными дефектами и границами кристаллитов, которые играют
существенную роль в процессах зарождения и роста доменов.
В работе [41] была предложена модель, которая рассматривает динамику доменов с учётом неоднородного потенциала, формирующегося по всей неупорядоченной среде сегнетоэлектрика из-за заряжённых дефектов. Величина такого неоднородного потенциала меняется в процессе увеличения внешнего поля, что приводит к разным режимам движения доменных стенок в процессе установления поляризации. В зависимости от скорости увеличения поля от 0 до максимального значения, изменяется длительность разных режимов движения доменных стенок, что приводит к формированию частотной зависимости коэрцитивного поля ЕС. Однако, такой подход больше подходит для описания частотных зависимостей параметров петель гистерезиса монокристаллических образцов [41, 42], в которых частотная зависимость поляризации слабая. Для описания свойств керамических сегнетоэлектриков следует учесть эффекты, связанные с экранированием поляризации объёмными зарядами вблизи границ кристаллитов [49 - 55].
1.3 Поверхностные слои в сегнетоэлектриках-полупроводниках
Из энергетических соображений нормальная составляющая спонтанной поляризации Р8 на поверхности сегнетоэлектриков должна экранироваться. В отсутствие свободных зарядов в сегнетоэлектрическом кристалле экранирование Р8 осуществляется за счёт адсорбции ионов или других заряжённых частиц. Но в случае сегнетоэлектриков-полупроводников экранирование происходит за счёт [54] свободных носителей заряда (электроны или дырки). Один из возможных механизмов осуществления такого экранирования связан с наличием поверхностных слоёв с особыми диэлектрическими свойствами. По данным электронографического и рентгеноструктурного анализов на поверхности (001) кристалла ВаТЮ3 существует поверхностный слой толщиной ~10-4.10-6 см и низкой диэлектрической проницаемостью (е' ~ 5). Электрическое поле в объёме слоя довольно сильное [54] порядка 104. 106 В/см. Наличие поверхностного слоя с диэлектрическими свойствами, резко отличающимися от свойств объёма
сегнетоэлектрика изменяет характер распределения внутреннего поля при экранировании спонтанной поляризации.
В поликристаллических сегнетоэлектриках-полупроводниках такие диэлектрические слои существуют также вблизи границ зёрен. Наличие высокоомных слоев вблизи границ зёрен было экспериментально подтверждено методами декорирования [56], эмиссионной микроскопии [57] и катодолюминесценции [58].
С высокоомными областями вблизи границ зёрен связаны некоторые нелинейные эффекты, которые имеют место в поликристаллических сегнетоэлектриках-полупроводниках, но отсутствуют или очень слабо выражены в монокристаллах. Один из таких эффектов - это эффект положительного температурного коэффициента сопротивления (позисторный эффект) [59 - 62], который заключается в резком возрастании электросопротивления в области сегнетоэлектрического фазового перехода (точки Кюри 7с). Для объяснения возникновения эффекта положительного температурного коэффициента сопротивления в работе [63] были исследованы полупроводниковые монокристаллы ВаТЮ3 легированные самарием, в которых такого эффекта не было обнаружено, однако в керамических образцах, приготовленных из порошка, полученного дроблением монокристаллов ВаТЮз, наблюдался эффект положительного температурного коэффициента сопротивления.
Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК
Низко- и инфранизкочастотные диэлектрические свойства тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца2003 год, кандидат физико-математических наук Лалетин, Роман Алексеевич
Исследование температурных зависимостей электрофизических свойств сегнетоэлектрических материалов2019 год, кандидат наук Буй Минь Туан
Исследование эволюции доменной структуры при переключении поляризации и фазовых переходах в сегнетоэлектрической керамике титаната бария2023 год, кандидат наук Гимадеева Любовь Вячеславовна
Влияние дефектов радиационной природы на диэлектрическую релаксацию сегнетокерамики цирконата - титаната свинца, модифицированной лантаном, и скандониобата свинца в области низких и инфранизких частот1999 год, кандидат физико-математических наук Шишлов, Сергей Юрьевич
Исследование особенностей диэлектрических и поляризационных свойств сегнетоэлектрических плёнок ЦТС и ТБС2004 год, кандидат физико-математических наук Кудашев, Алексей Сергеевич
Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Минасян, Тигран Арменович, 2017 год
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Singh, S. P. Ferroic transitions in the multiferroic (1-x) PbFe1/2Nb1/2O3-xPb-TiO3 system and its phase diagram / S. P. Singh, S. M. Yusuf, S. Yoon, S. Baik, N. Shin, and D. Pandey // Acta Mater. - 2010. - V. 58 - P. 5381 - 5392.
2. Laguta, V.V. Magnetoelectric effect in antiferromagnetic multiferroic Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 and its solid solutions with PbTiO3 / V.V. Laguta, V.A. Stephanovich, I.P. Raevski, S.I. Raevskaya, V.V. Titov, V.G. Smotrakov, V.V. Eremkin // Phys. Rev. B - 2017. - V.95. - P. 014207-1 - 014207-13.
3. Bochenek, D. Multiferroic ceramics Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 doped by Li / D. Bochenek, P. Kruk, R. Skulski, and P. Wawrza // J Electroceram. - 2011. - V. 26 - P. 8-13.
4. Pavlenko, A.V. Microstructure and dielectric and piezoelectric properties of PbFe0.5Nb0.5O3 ceramics modified with Li2CO3 and MnO2 / A.V. Pavlenko, N. A. Boldyrev, L. A. Reznichenko, I. A. Verbenko, G. M. Konstantinov, L. A. Shilkina // Inorg Mater - 2014. - V. 50 - N 7 - P. 750-756.
5. Raevski, I. P. Studies of ferroelectric and magnetic phase transitions in multiferroic PbFe0.5Ta0.5O3 / I. P. Raevski, M. S. Molokeev, S. V. Misyul, E. V. Eremin, A. V. Blazhevich, S. P. Kubrin, H. Chen, C-C. Chou, S. I. Raevskaya, V. V. Titov, D. A. Sarychev, M. A. Malitskaya // Ferroelectrics - 2015. - V. 475 -P. 52-60.
6. Raevski, I. P. Dielectric and Mossbauer studies of perovskite multiferroics / I. P. Raevski, S. P. Kubrin, S. I. Raevskaya, V. V. Stashenko, D. A. Sarychev, M. A. Malitskaya, M. A. Seredkina, V. G. Smotrakov, I. N. Zakharchenko, V. V. Eremkin // Ferroelectrics - 2008. - V. 373 - P. 121-126.
7. Raevski, I. P. Experimental evidence of the crucial role of nonmagnetic Pb cations in the enhancement of the Neel temperature in perovskite Pbi-xBaxFemNb1/2O3 / I. P. Raevski, S. P. Kubrin, S. I. Raevskaya, V. V. Titov, D. A. Sarychev, M. A. Malitskaya, I. N. Zakharchenko, S. A. Prosandeev // Phys. Rev. - 2009. - V. 80 - P. 024108-1 - 024108-6.
8. Raevski, I. P. Studies of ferroelectric and magnetic phase transitions in Pbi-xAxFemNbmOs (A-Ca, Ba) solid solutions / I. P. Raevski, S. P. Kubrin, S. I. Raevskaya, V. V. Titov, D. A. Sarychev, M. A. Malitskaya, I. N. Zakharchenko, S. A. Prosandeev // Ferroelectrics - 2010. - V.398 - P. 16-25.
9. Sitalo, E. I. Bias field effect on dielectric and pyroelectric properties of (1-x)Pb(Fei/2Nbi/2)O3-xPbTiO3 / E. I. Sitalo, YuN Zakharov, A. G. Lutokhin, S. I. Raevskaya, I. P. Raevski, M. S. Panchelyuga, V. V. Titov, L. E. Pustovaya, I. N. Zakharchenko, A. T. Kozakov, A. A. Pavelko, //, Ferroelectrics - 2009. - V. 389
- P. 107-113.
10. Sitalo, E. I. Dielectric and piezoelectric properties of PbFe1/2Nb1/2O3-PbTiO3 ceramics from the morphotropic phase boundary compositional range / E. I. Sitalo, I. P. Raevski, A. G. Lutokhin, A. V. Blazhevich, S. P. Kubrin, S. I. Raevskaya, YuN Zakharov, M. A. Malitskaya, V. V. Titov, and I. N. Zakharchenko // IEEE Trans Ultrason Ferroelect Freq Contr. - 2011. - V. N 9 -P. 1914-1919.
11. Raevskii, I. P. Phase transitions and ferroelectric properties of lead ferroniobate / I. P. Raevskii, S. T. Kirillov, M. A. Malitskaya, V. P. Filippenko, S. M. Zaitsev, and L. G. Kolomin // Inorg Mater - 1988. - V. 24 - P. 217-220.
12. Zakharov, Yu. N. Field-induced enhancement of pyroelectric response of PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3 and PbFe1/2Nb1/2O3-PbTiO3 solid solution ceramics / Yu. N. Zakharov, S. I. Raevskaya, A. G. Lutokhin, V. V. Titov, I. P. Raevski, V. G. Smotrakov, V. V. Eremkin, A. S. Emelyanov, and A. A. Pavelko // Ferroelectrics
- 2010. - V.399 - P. 20-26.
13. Raevski, I. P. Studies of ferroelectric and magnetic phase transitions in multiferroic PbFe05Tao.5O3 - PbTiO3 solid solution ceramics / I. P. Raevski, V. V. Titov, M. A. Malitskaya, E. V. Eremin, S.P. Kubrin, A. V. Blazhevich, H. Chen, C-C. Chou, S. I. Raevskaya, I. N. Zakharchenko, D. A. Sarychev, S. I. Shevtsova // J. Mater. Sci. - 2014. - V. 49 - P 6459 - 6466.
14. Nomura, S. Dielectric and magnetic properties of Pb(Fei/2Tai/2)O3 / S. Nomura, H. Takabayashi, T. Nakagawa //. Jap. J. Appl. Phys. - 1968. - V. 7 - N 6 - P. 600-604.
15. Geddo-Lehmann, A. Ferroelastic symmetry changes in the perovskite PbFe0.5Ta0.5O3 / A. Geddo-Lehmann, P. Sciau // J. Phys.: Condens. Matter. -1999. - V. 11 - P. 1235-1245.
16. Dawber, M. Physics of Thin-Film Ferroelectric Oxides / M. Dawber, K. M. Rabe, J. F. Scott // Rev. Mod. Phys. - 2005. - V. 77 - P. 1083.
17. Cheng, Z. Improved Ferroelectric Properties in Multiferroic BiFeO3Thin Films Through La and NbCo doping / Z. Cheng, X. Wang, S. Dou // Phys. Rev. B -2008. - V. 77 - P. 092101-1 - 092101-4.
18. Li, J. Decoding the Fingerprint of Ferroelectric Loops: Comprehension of the Material Properties and Structures / J. Li, F. Li, S. Zhang // The American Ceramic Society - 2014. - V. 97 - N 1 - 27 p.
19. Bonny, W. Phase transitions in disordered lead iron niobate: X-ray and synchrotron radiation diffraction experiments / W. Bonny, M. Bonin, Ph. Sciau, KJ. Schenk, G. Chapuis // Solid State Commun. - 1997. - V.102 - N 1 - P. 347 -352.
20. Matteppanavar, S. Evidence for magneto-electric and spin-lattice coupling in PbFe05Nb05O3 through structural and magneto-electric studies / S. Matteppanavar, S. Rayaprol, K. Singh, V. R. Reddy, B. Angadi // J Mater Sci. -2015. - V.50 - P. 4980 - 4993.
21. Font, R. Evidence of magnetodielectric coupling in multiferroic PbFe05Nb05O3 ceramics from ferroelectric measurements and electron paramagnetic resonance / R. Font, G. Alvarez, O. Raymond, J. Portelles, J. M. Siqueiros // Applied Physics Letters - 2008. - V.93 - P. 172902-1 - 172902-3.
22. Font, R. Ferroelectric hysteresis and aging effect analysis in multiferroic PbFe05Nb05O3 ceramics / R. Font, O. Raymond, E. Martinez, J. Portelles, J. M. Siqueiros // Journal of applied physics - 2009. - V. 105 - P. 114110-1 - 1141107.
23. Raymond, O. Magnetoelectric coupling study in multiferroic Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 ceramics through small and large electric signal standard measurements / O. Raymond, R.Font, J. Portelles, J.M. Siqueiros // Journal of applied physics -20011. - V. 109 - P. 094106-1 -094106-5.
24. Raevski, I.P. Spontaneous phase transition from relaxor to macrodomain ferroelectric state in single-crystal PbSc0.5Nb0.5O3- BaSc0.5Nb0.5O3 solid solutions / I.P. Raevski, V.V. Eremkin, V.G. Smotrakov, E.S. Gagarina, M.A. Malitskaya // Phys Solid State - 2000. - V. 42 - N 1 - P. 161 - 164.
25. Chu, F. Investigation of relaxors that transform spontaneously into ferroelectrics / F. Chu, I.M. Reaney, N. Setter // Ferroelectrics - 1994. - V. 151 - P. 343 - 348.
26. Raevski, I.P. Random-Site Cation Ordering and Dielectric Properties of PbMg1/3Nb2/3O3-PbSc1/2Nb1/2O3 / I.P. Raevski, S.A. Prosandeev, S.M. Emelyanov, F.I. Savenko, I.N. Zakharchenko, O.A. Bunina, A.S. Bogatin, S.I. Raevskaya, E.S. Gagarina, E.V. Sahkar, L. Jastrabik // Integrated Ferroelectrics - 2003. - V. 53 - P. 475 - 487.
27. Raevski, I.P. X-ray and dielectric studies of liquid-phase sintered PbB1/23+B1/25+O3 ceramics with differing degree of compositional ordering / I.P. Raevski, V.Y. Shonov, M.A. Malitskaya, E.S. Gagarina, V.G. Smotrakov, V.V. Eremkin // Ferroelectrics - 1999. - V. 235 - P. 205 - 210.
28. Yasuda, N. Diffuse phase transition in a new perovskite Pb(In1/2Ta1/2)O3 / N. Yasuda, S. Imamura // Appl Phys Lett. - 1991. - V. 59 - N 26 - P. 3493 - 3495.
29. Martinez, R. Nanoscale ordering and multiferroic behavior in PbFe1/2Ta1/2O3 / R. Martinez, R. Palai, H. Huhtinen, J. Liu, J. F. Scott, R. S. Katiyar // Phys Rev B. -2010. - V. 82 - N 6 - P. 134104-1 - 134104-4.
30. Zhu, W.Z. Preparation and characterization of Pb(Fe1/2Ta1/2)O3 relaxor ferroelectric / W.Z. Zhu, A. Kholkin, P.Q. Mantas, J.L. Baptista // J. Eur. Ceram. Soc. - 2000. - V. 20 - P. 2029 - 2034.
31. Woo, B.C. Effects of niobium addition on the relaxor ferroelectric properties and ordering structures of lead iron tantalates / B.C. Woo, B.K. Kim // Jpn J App. Phys. - 2003. - V. 42 - P. 6037 - 6040.
32. Bochenek, D. Ferroelectric and magnetic properties of ferroelectromagnetic PbFei/2Nbi/2Ü3 type ceramics / D. Bochenek, P. Guzdek // J Magn Magn Mater. -2011. - V. 323 - P. 369 - 374.
33. Shuvaeva, V.A. The local structure of mixed-ion perovskites / V.A. Shuvaeva, I. Pirog, Y. Azuma, K. Yagi, K. Sakaue, H. Terauchi, I.P. Raevskii, K. Zhuchkov, M. Yu. Antipin // J Phys: Condens Matter. - 2003. - V. 15 - P. 2413-2421.
34. Aleksandrova I.P., Local structure of disordered PbSc1/2Nb1/2O3 in the region of the diffuse tetragonal phase-rhombohedral phase transition / I.P. Aleksandrova, A.A. Sukhovsky, Yu.N. Ivanov, I.P. Raevsky // Phys Solid State. - 2012. - V. 54 - P. 316-323.
35. Kouril, K. NMR study of multiferroic iron niobate perovskites / K. Kouril, V. Chlan, H. Stepankova, R. Reznicek, K. Ulicna, V.V. Laguta, I.P. Raevski // Acta Phys Polonica A. - 2015. - V. 127. - P. 234-236.
36. Laguta, V.V. 93Nb NMR and Fe3+ EPR study of local magnetic properties of disordered magnetoelectric PbFe1/2Nb1/2O3 / V.V. Laguta, J. Rosa, L. Jastrabik, R. Blinc, P. Cevc, B. Zalar, M. Remskar, S.I. Raevskaya, I.P. Raevski // Mater Res Bull. - 2010. - V. 45 - P. 1720-1727.
37. Raevski, I.P. Magnetic properties of PbFemNbmO^ Mossbauer spectroscopy and first principles calculations / I.P. Raevski, S.P. Kubrin, S.I. Raevskaya, D.A. Sarychev, S.A. Prosandeev, M.A. Malitskaya // Phys Rev B. - 2012. - V. 85 - P. 224412-1 - 224412-5.
38. Gusev, A.A. Electron microscopy, X-ray diffraction and Mossbauer studies of PbFe05Nb05O3, PbFe05Tao.5O3 and BaFe05Nb05O3 ceramics sintered from mechanoactivated nanopowders / A.A. Gusev, S.I. Raevskaya, V.V. Titov, V.P. Isupov, E.G. Avvakumov, I.P. Raevski, H. Chen, C-C. Chou, S.P. Kubrin, S.V. Titov, M.A. Malitskaya, D.A. Sarychev, V.V. Stashenko, S.I. Shevtsova // Ferroelectrics. - 2016. - V. 496 - P. 231-239.
39. Peng, W. Spin-lattice coupling in multiferroic Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 thin films / W. Peng, N. Lemee, M. Karkut, B. Dkhil, V. Shvartsman, P. Borisov, W. Kleemann,
J. Hole, M. Kosec, R. Blinc // Appl. Phys. Lett. - 2009. - V. 94 - P. 012509-1 -012509-3.
40. Prosandeev, S.A. Influence of epitaxial strain on clustering of iron in Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 thin films / S.A. Prosandeev, I.P. Raevski, S.I. Raevskaya, H. Chen // Phys Rev B. - 2015. - V. 92 - P. 220419(R)-1 - 220419(R)-6.
41. Yang, S. M. Ac dynamics of ferroelectric domains from an investigation of the frequency dependence of hysteresis loops / S. M. Yang, J. Y. Jo, T. H. Kim, J.-G. Yoon, T. K. Song, H. N. Lee, Z. Marton, S. Park, Y. Jo, T. W. Noh // Phys. Rev. Lett. - 2010. - V. 82 - P. 174125-1 - 174125-7.
42. So, Y. W. Polarization switching kinetics of epitaxial Pb(Zr04Ti06)O3 thin films / So, Y. W., Kim D. J., Noh T. W., Jong-Gul Yoon, Song T. K. // Appl. Phys. Lett.
- 2005. - V. 86 - P. 092905-1 - 092905-3.
43. Chen, X. Field and Frequency Dependence of the Dynamic Hysteresis in Lead Zirconate Titanate Solid Solutions / Chen X., Dong X., Cao F., Wang J., Wang G. // J. Am. Ceram. Soc. - 2014. - V.97 - N 1 - P.213 - 219.
44. Lente, M. H. 90° domain wall relaxation and frequency dependence of the coercive field in the ferroelectric switching process / M. H. Lente, A. Picinin, J. P. Rino, J. A. Eiras // J. Appl. Phys. - 2004. - V.95 - N 5 - P. 2646 - 2653.
45. Li, B. S. Pinning and depinning mechanism of defect dipoles in PMnN-PZT ceramics / Li G. R., Yin Q. R., Zhu Z. G., Ding A. L., Cao W. W. // J. Phys. D: Applied Physics - 2005. - V.38 - P.1107 - 1111.
46. Rossignol, J. Influence de la temperature de frittage sur les caracteristiques ferroelecriques et pyroelectriques de ceramiques de composition Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 / J. Rossignol, A. Simon, J. Ravez, P. Hagenmuller // Revue de Chimie Minerale
- 1985. - V.22 - N 5- P.577 - 586.
47. Ishibashi, Y. A theory of D-E hysteresis loop / Y. Ishibashi, H. Orihara // Integr. Ferroelectr. - 1995 - V. 9 - P. 57 - 61.
48. Avrami, M. Granulation, Phase Change, and Microstructure Kinetics of Phase Change. III / M. Avrami //J. Chem. Phys. - 1941. - V. 9 - P. 177 - 184.
49. Wang, D. Y. Spontaneous Polarization Screening Effect and Trap-State Density at Grain Boundaries of Semiconducting Barium Titanate Ceramics / D. Y. Wang, K. Umeya // J. Am. Ceram. Soc. - 1991. - V. 74 - N 2 - P. 280 - 286.
50. Павлов, А. Н. Возникновение частотной зависимости петли гистерезиса высокоомной керамики PbFe1/2Nb1/2O3 / А.Н. Павлов, И.П. Раевский // Науковедение - 2013 - N5 -7 с.
51. Pavlov, A. N. Influence of Crystallite-Boundary Potential Barriers on the Thermopower and Peltier Effect in Polycrystalline Ferroelectric Semiconductors / A. N. Pavlov, I. P. Raevsky, V. P. Sakhnenko, S. A. Kuropatkina, S. I. Raevskaya // Physics of the Solid State - 2006. - V. 48 - N 10 - P. 1924 - 1928.
52. Pavlov, A. N. Piezoresistive Effect in Polycrystalline Ferroelectric Semiconductors / A. N. Pavlov, I. P. Raevskii // Physics of the Solid State - 2002. - v. 44 - N 9 - P. 1748 - 1753.
53. Павлов, А. Н. Особенности диэлектрической приницаемости поликристаллических сегнетоэлектриков (роль областей Шоттки) / А. Н. Павлов, И. П. Раевский, В. П. Сахненко // Физика твердого тела - 2003. - Т. 45 - вып. 10 - С. 1875 - 1879.
54. Фридкин, В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники / В.М. Фридкин // М.: Наука - 1976. - 408 с.
55. Павлов, А. Н. Влияние заряженных поверхностных состояний на процессы переноса заряда и поляризации в поликристаллических сегнетоэлектриках: диссертация Павлова А. Н., доктора физико-математических наук: 01.04.07 -Ростов-на-Дону, 2005 - 298 с.
56. Белова, Л.А. Особенности получения полупроводниковой керамики BaTiO3 легированием из жидкой фазы / Л.А. Белова, Ю.И. Гольцов, О.И. Прокопало, И.П. Раевский // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы - 1986. - Т. 22. N 6 - С. 1004—1008.
57. Rehme, N. Electronenmikroskopische Untersuchung zum Mechanismus von Bariumtitanat-Kaltleiterkeramik / N. Rehme // Phys. Status. Solidi. - 1968. - V. 26 - N 1 - P. K1—K3.
58. Ihrig, H. Visualization of the grain-boundary potential barriers of PTCR-type BaTiÜ3 ceramics by cathodoluminescence in an electron-probe microanalyzer / H. Ihrig, M. Klerk // Appl. Phys. Lett. - 1979. - V. 35 - N 4 - P. 307 - 309.
59. Раевский, И.П. Электрическая проводимость и позисторный эффект в оксидах семейства перовскита / Раевский И.П., Прокопало О.И., Панич А.Е. Бондаренко Е.И., Павлов А.Н. // Ростов-на-Дону: Изд. СКНЦ ВШ. - 2002. -280 с.
60. Раевский, И. П. Особенности эффекта положительного температурного коэффициента сопротивления в KNbO3 / И. П. Раевский, Е.И. Бондаренко, А.Н. Павлов, О.И. Прокопало // ФТТ. - 1984. - Т. 26 - N 1- С. 301-303.
61. Heywang, W. Resistivity anomaly in doped barium titanate / Heywang, W. J. // Amer. Ceram. Soc. - 1964. - V.47 - N 10 - P.484 - 490.
62. Pavlov, A. N. The Role of the Spatial Distribution of Local Polarization Perturbations in the Posistor Effect Onset / A. N. Pavlov, I. P. Raevskii, and V. P. Sakhnenko // Physics of the Solid State - 2000 - V. 42 - N 11 - P. 2123-2128.
63. Goodman, G. Electrical Conduction Anomaly in Samarium-Doped Barium Titanate / G. Goodman // J. Amer. Ceram. Soc. - 1963. - V. 46 - N 1 - P. 48 - 54.
64. Brown, F. Electrical conductivity of niobium-doped barium titanate / Brown F., Taylor G. E. // J. Appl. Phys. - 1964. - V. 35. - P. 2554—2556.
65. Takeda, T. Resistivity of Gd3+ doped BaTiO3 crystals grown in molten F / Takeda T., Watanabe A., Sasaki H. // J. Phys. Soc. Japan. - 1966. - V. 21. - P. 2414— 2415.
66. Kawabe, K. Resistivity anomaly in oxygen deficient single crystals of BaTiO3 / K. Kawabe, Y. Inuishi // Japan J. Appl. Phys. - 1963. - V. 2. - P. 590—591.
67. Koops, C. G. Dispersion of Resistivity and Dielectric Constant of Some Semiconductors at Audio Frequencies/ C. G. Koops, // Phys. Rev. - 1951. - V. -P. 121—124.
68. Peria, W. T. Possible explanation of positive temperature coefficient in resistivity of semiconducting ferroelectrics / W. T. Peria, W. R. Bratschun, R. D. Fenity // J. Amer. Ceram. Soc. - 1961. - V. - P. 249—250.
69. Tagantsev A. K. Polarization fatigue in ferroelectric films: Basic experimental findings, phenomenological scenarios, and microscopic features / A. K. Tagantsev, I. Stolichnov, E. L. Colla, N. Setter // Journal of Applied Physics. -2001. - V.90 - N 3 - P. 1387 - 1402.
70. Lupascu D.C. Fatigue in Bulk Lead Zirconate Titanate Actuator Materials / D. C. Lupascu, J. Rodel // Adv. Eng. Mater. - 2005. - V.7 - N 10 - P. 882 - 898.
71. Balke N. Bipolar Fatigue Caused by Field Screening in Pb(Zr,Ti)O3 Ceramics / N. Balke, H. Kungl, T. Granzow, D. C. Lupascu, M. J. Hoffmann, J. Rodel // J. Am. Ceram. Soc. - 2007. - V.90 - P.3869 - 3874.
72. Lou X. J. Polarization Fatigue in Ferroelectric Thin Films and Related Materials / X. J. Lou // J. Appl. Phys. - 2009. - V.105 - P.024101-1 - 024101-24.
73. Merz W. J. Ferroelectric Storage Devices / W. J. Merz, J. R. Anderson // Bell Lab. Rec. - 1955. - V.33 - P.335 - 342.
74. Grossmann M. Correlation between switching and fatigue in PbZr0.3Ti0.7O3 thin films / M. Grossmann, D. Bolten, O. Lohse, U. Boettger // Applied Physics Letters. - 2000. - V.11 - N 12 - P.1894 - 1896.
75. Chae B. G. Asymmetry in fatigue and recovery in ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 thin-film capacitors / B. G. Chae, C. H. Park, Y. S. Yang, M. S. Jang // Appl. Phys. Lett. - 1999. - V.75 - N 14 - P.2135 - 2137.
76. Schorn P. J. Fatigue effect in ferroelectric PbZr1-xTixO3 thin films / P. J. Schorn, D. Bräuhaus, U. Böttger, R. Waser, G. Beitel, N. Nagel, R. Bruchhaus // J. Appl. Phys. - 2006. - V.99 - P. 114104-1 - 114104-5.
77. Larsen P. K. Ferroelectric properties and fatigue of PbZr0.51Ti049O3 thin films of varying thickness: Blocking layer model / P. K. Larsen, G. J. M. Dormans, D. J. Taylor, P. J. van Veldhoven // J. Appl. Phys. - 1994 - V.76 - N 4 - P. 2405 -2413.
78. Nuffer J. Damage evolution in ferroelectric PZT induced by bipolar electric cycling / J. Nuffer, D.C Lupascu, J Rödel // Acta Materialia - 2000. - V.48 - P. 3783 - 3794.
79. Wang D. Influence of temperature on the electromechanical and fatigue behavior
109
of piezoelectric ceramics / D. Wang, Y. Fotinich, G. P. Carman // J. Appl. Phys. -1998. - V.83 - N 10 - P. 5342 - 5350.
80. Colla E. L. Discrimination between bulk and interface scenarios for the suppression of the switchable polarization (fatigue) in Pb(Zr,Ti)O3 thin films capacitors with Pt electrodes / E. L. Colla, D. V. Taylor, A. K. Tagantsev, N. Setter // Applied Physics Letters - 1998. - V.72 - N 19 - P. 2478 - 2480.
81. Morimoto, A. Fatigue Behavior in Lead-Zirconate-Titanate Thin-Film Capacitors Prepared by Pulsed Laser Ablation on Ni-Alloy Electrodes / A. Morimoto, Y. Yamanaka, and T. Shimizu // Jpn. J. Appl. Phys. - 1995. - V. 34 - N 8A - P.4108
- 4112.
82. Lee, K. Characteristics of ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 thin films having Pt/PtOx electrode barriers / K. Lee, B. R. Rhee, C. Lee // Appl. Phys. Lett. - 2001. - V. 79
- N 6 - P. 821 - 823.
83. Majumder, S.B. Fatigue resistance in lead zirconate titanate thin ferroelectric films: Effect of cerium doping and frequency dependence / S. B. Majumder, Y. N. Mohapatra, D. C. Agrawal // Appl. Phys. Lett. - 1997. - V. 70 - P. 138 - 140.
84. Pawlaczyk, C. Z. Fatigue, rejuvenation and self-restoring in ferroelectric thin films / C. Z. Pawlaczyk, A. K. Tagantsev, K. Brooks, I. M. Reaney, R. Klissurska, N. Setter // Integr. Ferroelectr. - 1995. - V. 9 - P. 293 - 316.
85. Brennan, C. J. Temperature dependent fatigue rates in thin-film ferroelectric capacitors / C. J. Brennan, R. D. Parrella, D. E. Larsen // Ferroelectrics - 1994. -V. 151 - P. 33 - 38.
86. Paton, E. A critical study of defect migration and ferroelectric fatigue in lead zirconate titanate thin film capacitors under extreme temperatures / E. Paton, M. Brazier, S. Mansour, A. Bement // Integr. Ferroelectr. - 1997. - V. 18 - P. 29 -37.
87. Mihara, T. Polarization fatigue characteristics of sol-gel ferroelectric Pb (Zr0.4Ti0.6)O3 thin-film capacitors / T. Mihara, H. Watanabe, C. A. P. de Araujo // Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 - 1994. - V. 33 - N 7A - P. 3996 - 4002.
88. Taylor, D. J. Pulse switching characterization of organometallic chemical vapor
110
deposited PbZrxTi1-xO3 thin films for high-density memory applications / D. J. Taylor, P. K. Larsen, G. J. M. Dormans, A. E. M. Deveirman // Integr. Ferroelectr. - 1995. - V. 7 - P. 123 - 138.
89. Jiang, Q. Y. Effect of composition and temperature on electric fatigue of Ladoped lead zirconate titanate ceramics / Q. Y. Jiang, E. C. Subbarao, and L. E. Cross // Journal of Applied Physics - 1994. - V. 75 - N 11 - P. 7433 - 7443.
90. Lee, J. S. Fatigue and Data Retention Characteristics of Single-Grained Pb(Zr,Ti)03 Thin Films / J. S. Lee, C. S. Kim, S. K. Joo // IEEE Proceeding of the 12th International Symposium on the Applications of Ferrroelectrics (ISAF) -2000. - P. 595 - 598.
91. Gruverman, A. Nanoscale investigation of fatigue effects in Pb (Zr, Ti) O3 films / A. Gruverman, O. Auciello, H. Tokumoto // Appl. Phys. Lett. - 1996. - V. 69 - N 21 - P. 3191 - 3193.
92. Colla, E. L. Direct observation of region by region suppression of the switchable polarization (fatigue) in Pb(Zr, Ti)O3 thin film capacitors with Pt electrodes / E. L. Colla, S. Hong, D. V. Taylor, A. K. Tagantsev, N. Setter, // Appl. Phys. Lett. -1998. - V. 72 - N 21 - P. 2763 - 2765.
93. Warren, W. L. Relationships among ferroelectric fatigue, electronic charge trapping, defect-dipoles, and oxygen vacancies in perovskite oxides / W. L. Warren, D. Dimos, B. A. Tuttle, G. E. Pike, H. N. Al-Shareef // Integr. Ferroelectr. - 1997. - V. 16 - P. 77 - 87.
94. Dimos, D. Photoinduced changes in the fatigue behavior of SrBi2Ta2O9 and Pb (Zr, Ti)O3 thin films / D. Dimos, H. N. Al-Shareef, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, J. Appl. Phys. - 1996. - V. 80 - P. 1682 - 1687.
95. Poykko, S. Dipolar Defect Model for Fatigue in Ferroelectric Perovskites / S. Poykko, D. J. Chadi // Phys. Rev. Lett. - 1999. - V. 83 - N 6 - P. 1231 - 1234.
96. Subbarao, E. C. Domain switching and microcracking during poling of lead zirconate titanate ceramics / E. C. Subbarao, V. Srikanth, W. Cao, L. E. Cross // Ferroelectrics - 1993. - V. 145 - P. 271 - 281.
97. Nuffer, J. Microcrack clouds in fatigued electrostrictive 9.5/65/35 PLZT / J.
111
Nuffer, D. C. Lupascu, J. Rodel // J. Eur. Ceram. Soc. - 2001. - V. 21 - P. 1421 -1423.
98. Kim S. J. Microcracking and electric fatigue of polycrystalline ferroelectric ceramics / S. J. Kim, Q. Jiang // Smart Mater. Struct. - 1996. - V. 5 - P. 321 -326.
99. Damjanovic, D. Ferroelectric, Dielectric and Piezoelectric Properties of Ferroelectric Thin Films and Ceramics / D. Damjanovic // Rep. Prog. Phys. -1998. - V61 - P. 1267 - 1324.
100. Yimnirun, R. Temperature scaling of dynamic hysteresis in soft lead zirconate titanate bulk ceramic / R. Yimnirun, R. Wongmaneerung, S. Wongsaenmai, A. Ngamjarurojana, S. Ananta, and Y. Laosiritaworn // Applied Physics Letters -2007. - V.90 - P. 112906-1 - 112906-3.
101. Gang, D. Linear temperature scaling of ferroelectric hysteresis in Mn-doped Pb(Mn 1/3 Sb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3 ceramic with internal bias field / Gang Du, Ruihong Liang, Li Wang, Kui Li, Wenbin Zhang, Genshui Wang, Xianlin Dong // Applied physics letters - 2013. - V.102 - P. 142903-1 - 142903-4.
102. Li, T. Temperature scaling behavior of dynamic hysteresis for (K,Na)NbO3 lead-free ferroelectric films / Tao Li, Genshui Wang, Gang Du, Kui Li, Ying Chen, Zhiyong Zhou, Fei Cao, Xianlin Dong // Journal of Applied Physics - 2013. -V.113 - P. 214103-1 - 214103-4.
103. Chen, X. Temperature scaling of dynamic hysteresis in Zr-rich PbZr1-xTixO3 ceramics / Xuefeng Chen, Xianlin Dong,1 Honglin Zhang,1 Ningbo Feng,1 Hengchang Nie, Fei Cao, Genshui Wang, Yan Gu, Hongliang He // Journal of Applied physics - 2009. - V.105 - P.096104-1 - 096104-3.
104. Zhang, S. Recent Developments on High Curie Temperature PIN-PMN-PT Ferroelectric Crystals / S. Zhang, F. Li, N. P. Sherlock, J. Luo, H. J. Lee, R. Xia, R. J. Meyer Jr., W. Hackenberger, T. R. Shrout // J. Cryst. Growth - 2011. - V. 318 - P. 846-850.
105. Yimnirun, R. Temperature scaling of ferroelectric hysteresis in hard lead
zirconate titanate bulk ceramic / R Yimnirun, A Ngamjarurojana, R
112
Wongmaneerung, S Wongsaenmai, S Ananta, Y Laosiritaworn // Applied Physics A - 2007. - V.89 - P.737-741.
106. Schmid, H. Multi-ferroic magnetoelectrics / H. Schmid // Ferroelectrics - 1994. -V. 162 - 317 p.
107. Fiebig, M. Revival of the magnetoelectric effect / M. Fiebig // J. Phys. D Appl. Phys - 2005. - V.38 - P. R123-R152.
108. Smolenskii, G. A. Ferroelectromagnets / G. A. Smolenskii, I. E. Chupis // Sov. Phys. Usp. - 1982. - V. 25 - 475 p.
109. Venevtsev, Y. N. Material Science Aspects of Seignette-Magnetism Problem, / Y. N. Venevtsev, V. V. Gagulin, I. D. Zhitomirsky // Ferroelectrics - 1987. - V. 73 -pp. 221-248.
110. Yang, Y. Magnetoelectric coupling in ferroelectromagnet Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 single crystals / Y. Yang, J-M. Liu, H.B. Huang, W.Q. Zou, P. Bao, Z.G. Liu // Phys Rev B. - 2004. - V. 70. - pp. 132101-1 -132101-4.
111. Raevski, I.P. Dielectric and Mossbauer Studies of High-Permittivity BaFe1/2Nb1/2O3 Ceramics with Cubic and Monoclinic Perovskite Structures / I.P. Raevski, S.A. Kuropatkina, S.P. Kubrin, S.I. Raevskaya, V.V. Titov, D.A. Sarychev, M.A. Malitskaya, A.S. Bogatin, I.N. Zakharchenko // Ferroelectrics. -2009. - V. 379. - P. 48-54.
112. Lente M. H., Nature of magnetoelectric coupling in multiferroic Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 ceramics / J.D.S. Guerra, G.K.S. de Souza, B.M. Frygola, C.F.V. Raigoza, D. Garcia, J.A. Eiras // Phys Rev B - 2008. - V. 78 - P. 054109-1-054109-6.
113. Sim, H. High-resolution structure studies and magnetoelectric coupling of relaxor multiferroic Pb(Fe0.sNb0.s)O3 / H. Sim, D.C. Peets, Lee Sanghyun, Lee Seongsu, T. Kamiyama, K. Ikeda, T. Otomo, S.-W. Cheong, J-G. Park // Phys Rev B. -2014. - V. 90. - P. 214438-1 - 214438-8.
114. Eiras, J.A. Anelastic and dielectric characterization of Pb(Fe0.sNb0.s)O3 multiferroic / Eiras J.A., Fraygola B.M., Lente M.H., Frizon N., Garcia D. // Ferroelectrics. - 2009. - V. 380 - P. 69-72.
115. Smirnova, E. Acoustic properties of multiferroic PbFemTamO3 / E. Smirnova, A. Sotnikov, N. Zaitseva, H. Schmidt, M. Weihnacht // Phys Lett A. - 2010. - V. 374 - P. 4256-4259.
116. Raevskaya, S.I. Bias field effect on the dielectric and pyroelectric response of Pb(Fe0.5Tac.5)O3 relaxor multiferroic ceramics / S.I. Raevskaya, V.V. Titov, I.P. Raevski, A.G. Lutokhin, Yu.N. Zakharov, V.Yu. Shonov, A.V. Blazhevich, E.I. Sitalo, H. Chen, C-C. Chou, S.A. Kovrigina, M.A. Malitskaya // Ferroelectrics. -
2015. - V. 475 - P. 31-40.
117. Gusev, A.A. Dielectric and Mossbauer studies of Pb(Fe1/2Ta1/2)O3 multiferroic ceramics sintered from mechanoactivated powders / A.A. Gusev, S.I. Raevskaya, V.V. Titov, E.G. Avvakumov, V.P. Isupov, I.P. Raevski, H. Chen, C-C. Chou, S.P. Kubrin, S.V. Titov, M.A. Malitskaya, A.V. Blazhevich, D.A. Sarychev, V.V. Stashenko, S.I. Shevtsova // Ferroelectrics. - 2015. - V. 475 - P. 41-51.
118. Kania, A. Dielectric and magnetic properties, and electronic structure of multiferroic perovskite PbFeo.5Tao.5O3 and incipient ferroelectric pyrochlore Pb2Fe0.34Ta1.84O7.11 single crystals and ceramics / A. Kania, S. Miga, E. Talik, I. Gruszka, M. Szubka, M. Savinov, J. Prokleska, S. Kamba // J Eur Ceram Soc. -
2016. - V. 36 - P. 3369-3381.
119. Дидковская, О.С. Структура и диэлектрические свойства систем твердых растворов PbFe1/2Nb1/2O3 - PbTiO3 / Дидковская О.С., Климов В.В., Веневцев Ю.Н. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганич. матер. - 1967. - Т. 3. - Н 7 - С. 12431247.
120. Raevski, I.P. High Dielectric Permittivity in AFe1/2B1/2O3 Nonferroelectric Perovskite Ceramics (A - Ba, Sr, Ca; B -Nb, Ta, Sb) / Raevski I.P. , Prosandeev S.A. , Bogatin A.S. , Malitskaya M.A., Jastrabik L. //Journal of Applied Physics. -2003. - v.93 - N 7 - p.4130-4136.
121. Фесенко, E.T. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество / Е.Т. Фесенко // Атомиздат, Москва - 1972 -248 с.
122. Фесенко, E.T. Доменная структура многоосных сегнетоэлектрических кристаллов / Е.Т. Фесенко, В.Г. Гавриляченко, А.Ф. Семенчев // Изд. РГУ -
114
1990 - 186 c.
123. Verdier, C. Fatigue studies in compensated bulk lead zirconate titanate / F. D. Morrison, D. C. Lupascu, J. F. Scott, // J. Appl. Phys. - 2005 - V.97 - P.024107-6.
124. Gavrilyachenko, V.G. Dynamic Fatigue during Polarization Switching of Lead Zirconate Titanate Ceramics with Variable Ferroelectric Hardness / V. G. Gavrilyachenko, E. M. Kuznetsova, A. F. Semenchev, E. N. Sklyarova // Phys. Solid State. - 2006. - V.48 - N 6 - P.1149-1152.
125. S. Hasung, High-resolution structure studies and magnetoelectric coupling of relaxor multiferroic Pb(Fe0.sNb0.s)O3 / S. Hasung, C. P. Darren, L. Sanghyun, L. Seongsu, T. Kamiyama, K. Ikeda, T. Otomo, S.-W. Cheong, P. Je-Geun // Physical review B - 2014. - V. 90 - P. 214438-1 - 214438-8.
126. Rayevsky, I.P. Electric properties in the range of ferroelectric phase transitions in PbFeo.5Nbo.5O3 crystals and ceramics / I. P. Rayevsky, A.A. Bokov, A.S. Bogatin, S.M. Emelyanov, M.A. Malitskaya, O.I. Prokopalo // Ferroelectrics - 1992. - V. 126 (1) - P. 191-196.
127. Lei, C. Ferroelectric to relaxor crossover and dielectric phase diagram in the BaTiO3-BaSnO3 system / C. Lei, A. A. Bokov, Z. G. Ye // J Appl Phys - 2007. -V. 101 - P. 084105-1 - 084105-9.
128. Bokov, A. A. Empirical scaling of the dielectric permittivity peak in relaxor ferroelectrics / A. A. Bokov, Y. H. Bing, W. Chen, Z. G. Ye, S. A. Bogatina, I. P. Raevski, S. I. Raevskaya, and E. V. Sahkar // Phys Rev B. - 2003. - V. 68 - P. 052102-1 - 052102-4.
129. Eiras, J. A. Anelastic and dielectric characterization of Pb(Fe0.50Nb0.50)O3 multiferroic / J. A. Eiras, B. M. Fraygola, M. H. Lente, N. Frizon, D. Garsia // Ferroelectrics - 2009 - V. 380 - №1-2 - p. 69-72.
130. Druzhinina, N.S Raman spectra of PbFe0.5Nb0.5O3 multiferroic single crystals and ceramics / N.S. Druzhinina, Yu.I. Yuzyuk, I.P. Raevski, M. El Marssi., V.V. Laguta, and S.I. Raevskaya // Ferroelectrics. - 2012 - V.438 - №1-2 - p. 107-
131. Bokov, A.A. Compositional ordering and phase transitions in PbYb1/2Nb1/2O3 / A.A. Bokov, V. Yu. Shonov, I. P. Rayevsky, E. S. Gagarina, M. F. Kupriyanov // J. Phys. Condens. Matter. - 1993. - V. 5 - P. 5491-5504.
132. Prosandeev, S. A. Study of intrinsic point defects in oxides of the perovskite family. I / S. A. Prosandeev, A. V. Fisenko, A. V. Riabchinski, I. A. Osipenko, I. P. Raevski, Safontseva // Theory. J. Phys.: Condens. Matter. - 1996. - V. 8 - P. 6705-6717.
133. Raevski, I. P. Study of intrinsic point defects in oxides of the perovskite family. II / I. P. Raevski, S. M. Maksimov, A. V. Fisenko, S. A. Prosandeev, I. A. Osipenko, and P. F. Tarasenko // Experiment. J. Phys.: Condens. Matter. - 1998. - V. 10 - P. 8015-8032.
134. Singh, S.P. Evidence for monoclinic crystal structure and negative thermal expansion below magnetic transition temperature in Pb(Fe1/2Nb1/2)O3/ S. P. Singh, D. Pandey,S. Yoon, S. Baik.// Appl. Phys. Lett. -2007.- V. 90. - P. 242915.
135. Ananta, S. Relationships between Sintering Conditions, Microstructure and Dielectric Properties of Lead Iron Niobate / S. Ananta, N.W. Thomas // J. Eur. Ceram. Soc. - 1999. - V.19 - P. 1873-1881.
136. Raevski, I.P. The Effect of PbO Nonstoichiometry on Dielectric and Semiconductive Properties of PbFe0.5Nb0.5O3 -Based Ceramics / I.P. Raevski, S.P. Kubrin, S.A. Kovrigina, S.I. Raevskaya, V.V. Titov, A.S. Emelyanov, M.A. Malitskaya and I.N. Zakharchenko // Ferroelectrics. 2010. V. 397. p.96-101.
ПУБЛИКАЦИИ АВТОРА
А1. Raevski, I.P. Comparative studies of ferroelectric and magnetic phase transitions in Pb(Fei/2Nbi/2)O3 -РЬМОз (M-Ti, Zr) multiferroic solid solutions / I.P. Raevski, S.P. Kubrin, V.V. Laguta, M. Marysko, H. Chen, S.I. Raevskaya, V.V. Titov, C.-C. Chou, A.V. Blazhevich, E.I. Sitalo, D.A. Sarychev, T.A. Minasyan, A.G. Lutokhin, Yu.N. Zakharov, L.A. Pustovaya, I.N. Zakharchenko, M.A. Malitskaya // Ferroelectrics - 2015. - V. 475 - P.20-30. А2. Gusev, A. A. Electron microscopy, XRD, dielectric, and Mossbauer studies of Li-doped Pb(Fe05Nb05)O3 ceramics sintered from mechanically activated powders / A. A. Gusev, S. I. Raevskaya, I. P. Raevski, V. P. Isupov, E. G. Avvakumov, S. P. Kubrin, H. Chen, V. V. Titov, T. A. Minasyan, C.- C. Chou, S. V. Titov, M. A. Malitskaya // Ferroelectrics - 2016. - V. 496 - P. 250-260. А3. Savinov, M. Dielectic and polarization studies of magnetoelectric coupling in non-relaxor Pb(FemTam)O3 multiferroic ceramics / M. Savinov, P. Bednyakov, S.I. Raevskaya, A.A. Gusev, V.P. Isupov, I. P. Raevski, V.V. Titov, H. Chen, S.A. Kovrigina, C-C. Chou, T.A. Minasyan, M.A. Malitskaya // Ferroelectrics -2017. - V.509 - DOI: 10.1080/00150193.2017.1294039. А4. Pavlov, A.N. Polarization switching dynamics in PbFe1/2NbmO3 ceramics as seen via the frequency dependence of hysteresis loops / A.N. Pavlov, I.P. Raevski, T.A. Minasyan, S.I. Raevskaya, M.A. Malitskaya, V.V.Titov, D.Pandey, A.A.Bokov // Advanced Materials - Techniques, Physics, Mechanics and Applications, Editors: Parinov, I. A., Chang, S.-H., Jani, M. A. Springer Proceedings in Physics,- 2017. - V. 193 - P.157-166. А5. Semenchev, A.F. Effect of dynamic fatigue on dielectrtic and pyroelectric properties of (1-x)PbFemNb1/2O3 - xPbTiO3 ceramics / A.F. Semenchev, I.P. Raevski, S.I. Raevskaya, T.A. Minasyan, S.P. Kubrin, H. Chen, C-C Chou, M.A. Malitskaya, V. V. Titov // Proceedings of the 2015 International Conference on, Physics, Mechanics of New Materials and Their Applications. Editors: I. A. Parinov, S.-H. Chang, V. Yu. Topolov. Nova science publishers, New York, 2016. - P. 239-244.
А6. Павлов, А.Н. Зависимость параметров петли гистерезиса керамики сегнетоэлектрика феррониобата свинца от частоты / А.Н. Павлов, Т.А. Минасян, И.П. Раевский, М.А. Малицкая, С.И. Раевская, С.И. Шевцова, И.Н. Захарченко // Материалы Международной научно-технической конференции "Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения", 2-6 декабря 2013 г., Москва, Ответственный редактор: А. С. Сигов - 2013. - Т. 2 - с. 143-146.
А7. Semenchev, A.F. Studies of dynamic fatigue effect on dielectric and pyroelectric properties of soft piezoelectric (1-x)PbFe1/2Nb1/2O3-(x)PbTiO3 ceramics / A.F Semenchev, I.P. Raevski, S.I. Raevskaya, T.A. Minasyan, S.P. Kubrin, H. Chen, C-C Chou, M.A. Malitskaya, V. V. Titov. // Proceedings of the 4th International Meeting "Physics of lead-free piezoactive and relative materials (Analysis of current state and prospects of development)". 2-6 September 2015. Rostov-on-Don - Tuapse, Russia. V.1. P. 29-32.
А8. Gusev, A.A. Dielectric properties of undoped and Li-doped Pb(Fe1/2Nbm)O3 ceramics sintered from mechanochemichally synthesized powders / A.A. Gusev, I. P. Raevski, E.G. Avvakumov, V.P. Isupov, S.I. Raevskaya, H. Chen, V.V. Titov, C.-C. Chou, S.P. Kubrin, T.A. Minasyan, P.F. Tarasenko, N.N. Nevskaya, M.A. Malitskaya. // Proceedings of the International Meeting "Physics of lead-free piezoactive and relative materials (Analysis of current state and prospects of development)". 2-6 September 2014. Rostov-on-Don - Tuapse, Russia. V.1. P. 50-53.
А9. Pavlov, A.N. Polarization hysteresis loops of Li-doped Pb(Fe1/2Nbm)O3 - PbTiO3 ceramics: influence of measuring frequency / A.N. Pavlov, T.A. Minasyan, I. P. Raevski, A. A. Bokov, Z.-G. Ye, S. I. Raevskaya, H. Chen, V.V. Titov, C.-C. Chou, M.A. Malitskaya // Proceedings of the International Meeting "Physics of lead-free piezoactive and relative materials (Analysis of current state and prospects of development)". 2-6 September 2014. Rostov-on-Don - Tuapse, Russia. V.1. P. 64-67.
А10. Gusev, А.А. The effect of Li-doping on the properties of multiferroic
PbFe0.5Nb0.5O3 ceramics obtained from mechanically activated powders / А.А.
118
Gusev, I.P. Raevski, E.G. Avvakumov, V.P. Isupov, S.P.Kubrin, D.A. Sarychev, V.V. Titov, S.I. Raevskaya, T.A. Minasyan, V.V. Stashenko // Abstracts of 2014 International Symposium on "Physics and Mechanics of New Materials and Underwater Applications" (PHENMA 2014), Khon Kaen, Thailand, March 27-29, 2014. P.37.
All. Raevskaya, S.I. Phase transition diffusion and relaxor behavior in A- and B-site substituted PbFe0.5Nb0.5O3 ceramics / S.I. Raevskaya, V.V. Titov, I. P. Raevski, A. V. Blazhevich, V.Yu. Shonov, H. Chen, S.P. Kubrin, C.-C. Chou, A.G. Lutokhin, Yu. N. Zakharov, M.A.Malitskaya, E.I. Sitalo, T.A. Minasyan, and I.N. Zakharchenko // Abstr. International Workshop on Relaxor Ferroelectrics (IWRF-14). 12-16 October 2014. Stirin, Czech Republic. P.49.
A12. Pavlov, A.N. Grain - boundary Schottky layers as the origin of the frequency dependence of polarization hysteresis loops in Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 ceramics / A.N. Pavlov, I.P. Raevski, T.A. Minasyan, S.I. Raevskaya, M.A.Malitskaya // Abstracts of Joint ISFD-11th-RCBJSF symposium including the 11-th International Symposium on Ferroic Domains and Micro- to Nanoscopic Structures (ISFD), and the 11-th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity (RCBJSF) Ekaterinburg, Russia, August 21- 25, 2012, P. 195.
A13. Pavlov, A.N. Spontaneous polarization switching in polycrystalline ferroelectric oxide - semiconductors / A.N. Pavlov, I.P. Raevski, T.A. Minasyan, S.I. Raevskaya, M.A. Malitskaya // Abstr. Seventh International Seminar on Ferroelastic Physics, ISFP-7 (12), September 10-13, 2012, Voronezh, Russia, P.130.
A14.Raevskaya, S.I. Studies of polarization hysteresis loops in the relaxor-like and non-relaxor Li-doped ceramics of Pb(Fe1/2Ta1/2)O3 multiferroic / S.I. Raevskaya, M. Savinov, P. Bednyakov, A.A. Gusev, V.P. Isupov, S.P. Kubrin, V.V. Titov, C.-C. Chou, V.Yu. Shonov, I.P. Raevski, H. Chen, M.A. Malitskaya, T.A. Minasyan, E.I. Sitalo, I.N. Zakharchenko // Abstracts of the second international workshop "Modern nanotechnologies -2016" (IWMN-2016). August 27-29, 2016. Ekaterinburg, Russia. P. 35.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.