Особенности микродефектов в нестехиометрических монокристаллах GaAs и GaP, выявляемые рентгеноструктурными методами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Филатов, Павел Александрович

• Филатов, Павел Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Филатов, Павел Александрович

Введение.

Глава 1.

1.1 Общие сведения о микродефектах и особенности их образования.

1.1.1 Понятие микродефекта.

1.1.2 Термодинамика собственных точечных дефектов.

1.1.3 Область гомогенности АШВУ.

1.2 Особенности образования и поведения СТД в легированных кристаллах

1.3 Основные типы и свойства известных микродефектов в АШВУ.

1.3.1 Образование микродефектов в фосфиде галлия, легированном примесью серы.

1.3.2 Особенности образования микродефектов и их виды в арсениде галлия.

Выводы по главе 1.

Глава 2.

2.1 Метод диффузного рассеяния рентгеновских лучей.

2.1.1 Интенсивность ДРРЛ на одиночном изолированном дефекте.

2.1.2 Распределение интенсивности рассеяния Хуанга в окрестностях узлов обратной решетки и анализ симметрии дефектов.

2.1.3 Интенсивность ДРРЛ на микродефектах в монокристаллах.

2.1.4 Методика измерения интенсивности ДРРЛ.

2.1.5 Закономерности убывания интенсивности ДРРЛ.

2.1.6 Особенности убывания интенсивности ДРРЛ при экспериментальных измерениях на ТРД.

2.1.7 Основы идентификации микродефектов.

2.2 Прецизионное определение параметра решетки.

2.2.1 Описание установки метода Бонда.

2.2.2 Ошибки измерения.

2.2.3 Зависимость параметра решетки от концентрации точечных дефектов.

Выводы по главе 2.

Глава 3.

3.1 Описание объектов и условий эксперимента.

3.2 Моделирование ДРРЛ.

3.2.1 Тяжи интенсивности.

3.3 Расчет протяженности области гомогенности GaP.

3.4 Расчет протяженности области гомогенности GaAs.

Выводы по главе 3.

Глава 4.

4.1 Изучение МД в монокристаллах GaP, выращенных методом ЧЖГР из под слоя флюса.

4.2 Изучение МД в монокристаллах GaP(Zn), выращенных методом ЧЖГР из под слоя флюса.

4.3 Фосфид галлия, легированный серой.

4.3.1 Распад твердого раствора серы в GaP(S).

4.3.2 МД в GaP(S), выращенных методом ЧЖГР из под слоя флюса. 100 Выводы по главе 4.

Глава 5.

5.1 Изучение МД в монокристаллах BHK-GaAs(Si).

5.1.1 Влияние добавки оксида бора и условий роста на структурное совершенство кристаллов BHK-GaAs(Si).Ill

5.2 МД в монокристаллах GaAs, выращенного из раствора-расплава с избытком галлия.

Выводы по главе 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности микродефектов в нестехиометрических монокристаллах GaAs и GaP, выявляемые рентгеноструктурными методами»

Уменьшение плотности дислокаций и рост диаметров кристаллов, локальные неоднородности распределения точечных дефектов (ТД) приобретают все более важное значение из-за растущего спроса полупроводниковой промышленности на однородные, совершенные подложки арсенида и фосфида галлия для производства различных приборов. Получение монокристаллов полупроводников соединений АШВУ с заданной концентрацией, структурным состоянием и распределением по объему кристалла сложной композиции ТД - проблема далекая от разрешения. Еще менее изучены процессы ассоциации ТД, происходящие в растущих, термообрабатываемых и облученных кристаллах.

Нарушение идеальности монокристаллов, вызванное ассоциациями ТД различного размера, формы и типа (дислокационные петли, неоднородности с размытой границей, зародыши стабильных и метастабильных образований при распаде твердых растворов, пересыщенных собственными компонентами или примесями) можно определить общим понятием — микродефекты (МД). Очевидна взаимосвязь между концентрацией собственных точечных дефектов вблизи температуры плавления, степенью легирования и характером отклонения состава кристаллизующейся фазы от стехиометрии, скоростью охлаждения и образованием МД, так как при конечной скорости охлаждения возникает пересыщение точечными дефектами. Распад таких растворов является существенным элементом формирования реальной структуры монокристаллов при постростовом охлаждении, термических и других воздействиях.

Несмотря на многочисленные исследования процессов распада, некоторые аспекты механизма ранних стадий распада до настоящего времени не выяснены. Использование различных электрофизических и структурных методов исследования позволяют выявлять различные стороны процесса.

Основным методом исследования является метод диффузного рассеяния рентгеновских лучей (ДРРЛ), обладающий высокой степенью статистической достоверности и чувствительностью к структурным изменениям на ранних стадиях распада неравновесных твердых растворов, зачастую не выявляемым другими методами включая электронную микроскопию. Современные дифрактометры позволяют в той же точке образца проводить прецизионные измерения периода решетки, дополняя метод ДРРЛ информацией об изменениях концентраций точечных дефектов.

Основная цель работы: развитие метода диффузного рассеяния рентгеновских лучей для исследования разных этапов распада неравновесных твердых растворов полупроводников; выявление закономерностей »образования МД и предложение моделей структурных превращений на основе характеризации микродефектов, в монокристаллах ваАэ и ваР разного состава и после разных термообработок, для выяснения механизмов образования МД и способов управления процессами формирования структуры в монокристаллах, используемых в твердотельной микроэлектронике.

Для достижения поставленных в работе целей необходимо было решить следующие задачи: о г

1. Рассчитать области гомогенности изучаемых соединений А В и температурные зависимости равновесных концентраций собственных точечных дефектов (СТД) вблизи температуры плавления и при последующем охлаждении; установить экспериментальную связь с количеством и типом МД, образующихся в кристалле при посткристаллизационном охлаждении.

2. Провести модельные расчеты распределения диффузного рассеяния рентгеновских лучей на микродефектах различной симметрии поля смещений. Сопоставить экспериментальные распределения ДРРЛ и смоделированные.

3. На основе экспериментальных данных и термодинамического анализа возможности образования различных флюктуаций состава предложить конфигурацию МД или механизм структурных превращений СТД в МД.

Научная новизна работы заключается в следующем:

• Выявлены особенности структурных превращений МД при охлаждении кристаллов ОаАз(81), выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации (ВНК). В кристаллах образуются два типа МД: высокотемпературные выделения избыточного Аб и МД, образующиеся при выпадении 81. Размеры и количество последних зависит от скорости охлаждения кристаллов или термообработок.

• На основе впервые проведенных исследований ДРРЛ на МД в монокристаллах нелегированного ваР, выращенного методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (ЧЖГР) и в монокристаллах СаАэ, выращенного из раствора-расплава с избытком галлия, при Т ~ 950-1000 °С, показана связь между распадом неравновесных растворов замещения на основе соединении А3В5 и одновременным образованием МД межузельного и вакансионного типов. В частности, показано, что в кристаллах ЧЖГР-ваР, в которых основным типом дефектов являются вакансии фосфора (—2x1018 о см" ), тем не менее, при охлаждении образуются МД с положительной мощностью. Предложена схема, объясняющая этот эффект.

• Впервые рентгеноструктурными методами исследованы МД в монокристаллах ЧЖГР-СаР(8) и ЧЖГР-СаР(2п). Сделана попытка объяснить различие во влиянии 8 и Ъху на основе анализа трехкомпонентной диаграммы фазовых равновесий. Предложена модель структурного раствора для объяснения аномального уменьшения периода решетки в монокристаллах, легированных серой.

• Впервые использован анализ распределения бора в ВНЕС-ОаАз^) для характеризации особенностей формирования дислокационной структуры этих монокристаллов.

• Впервые оценена чувствительность метода ДРРЛ и показана возможность отследить по картине распределения интенсивности ДРРЛ в монокристаллах полупроводников разные этапы процесса распада неравновесных твердых растворов.

Практическая значимость результатов работы.

1. Совокупность структурных методов, используемых в работе, может применяться для оценки стехиометрии монокристаллов, определения состава МД в процессе роста и диагностики процессов распада собственных и примесных компонентов при посткристаллизационном охлаждении.

2. Полученные экспериментальные закономерности формирования дефектной структуры монокристаллов могут быть использованы в технологии выращивания монокристаллов и при изготовления приборов.

3. Возможность количественной оценки содержания бора по результатам измерений величины периода решетки ВНК-ОаАБ^), а также возможность управлять величиной периода, путем изменения количества флюса В203. Распределение периода решетки вдоль радиуса пластины можно использовать в качестве индикатора формы фронта кристаллизации.

Научные результаты, выносимые на защиту:

1. Сочетание метода Бонда и ДРРЛ является эффективным способом контроля эволюции реальной структуры нестехиометрических монокристаллов А3В5 в зависимости от условий роста. В частности, можно проследить различные этапы формирования МД в процессе распада неравновесных твердых растворов.

2. Механизм распада неравновесных растворов вычитания на основе о г соединений А В и образования МД с положительной и отрицательной мощностью.

3. Зависимость плотности и характера распределения дислокаций в ВШС-ваАз от формы фронта кристаллизации, выявляемой по профилю распределения концентрации бора.

4. Образование МД в ВНК-ваАз и их структурные превращения при постростовом охлаждении кристаллов.

5. Механизм политропии серы в ваР.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Филатов, Павел Александрович

Общие выводы по работе

1. Развиты рентгеновские методы изучения структурных превращений точечных дефектов в неравновесных твердых растворах соединений ANB8"N на основе метода прецизионного измерения периода решетки и метода диффузного рассеяния рентгеновских лучей монокристаллами.

2. Результаты изучения МД в важнейших материалах твердотельной электроники GaAs и GaP позволяют считать, что ДРРЛ является удобным, чувствительным и неразрушающим методом определения пределов растворимости примесей в полупроводниковых монокристаллах, включая и определение стехиометрического состава в соединениях типа GaAs, GaP и т.п.

3. Показано, что, наблюдая эволюцию изодиффузных контуров, получаемых при измерении распределения интенсивности ДРРЛ и изменение периодов решетки, можно различать стадии распада твердых растворов, начиная со стадии образования раствора дефектов Френкеля когерентного с матрицей до стадии, когда происходит релаксация упругих напряжений вокруг МД.

4. На примере монокристаллов GaAs и GaP, выращенных с избытком металлического компонента показано, что существенным фактором, формирующим структуру нестехиометрических кристаллов, является процесс изменения структурного состояния избыточного галлия. Форма микродефектов позволяет полагать, что в результате взаимодействия точечных дефектов, образующихся при изменении структурного состояния Ga (VGa и Ga¡) с остаточными точечными дефектами, образующимися при кристаллизации (As¡ и Vas в GaAs и P¡ и Ga¡ в GaP) возникают комплексы (GaAs); и VqoAs или (GaP); и VGap- Последующая ассоциация этих комплексов и приводит к образованию плоских микродефектов внедренного типа с орторомбической симметрией поля смещений и сферических пор с соответствующей симметрией полей смещений.

5. Впервые изучены особенности образования микродефектов в монокристаллах ОаАэ, легированных кремнием, выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации, наиболее перспективном методом получения этого важного для твердотельной электроники материала. Показано, что в кристаллах, выращенных при некотором избытке Аб образуются два типа МД. Высокотемпературные МД — выделения избыточного Аб и МД, образующиеся при выпадении 81. Размеры и количество последних зависит от скорости охлаждения кристаллов после кристаллизации или термообработок.

6. Анализ периода решетки позволил выявить связь между формой фронта кристаллизации и распределением плотности дислокаций по сечению кристаллов, выращенных методом ВНЕС. Форма фронта кристаллизации выявлялась по характеру распределения бора по сечению слитков и может успешно контролироваться с помощью прецизионных измерений периода решетки.

7. Установлено, что легирование серой или цинком качественно по разному влияют на интенсивность образования МД в ОаР. Показано, что ни сера, ни цинк из раствора не выпадали. Сера образует соединение с галлием, а цинк с фосфором, отсюда различный вид трехкомпонентных диаграмм фазовых равновесий. Сера уменьшает растворимость галлия, а цинк увеличивает. Поэтому, при заданном отклонении от стехиометрии в кристаллах, легированных серой раствор распадается интенсивнее, чем в кристаллах, легированных цинком. При этом микродефекты образуются только из собственных компонентов.

8. Установлено, что концентрация серы в форме мелкого донора составляет 0,12 от общего содержания серы в кристаллах во всем

18 3 исследованном интервале концентраций (1-3,5x10 см-). На основе экспериментальных данных ВИМС, измерений периода решетки и интенсивности ДРРЛ можно предположить, что политропия серы связана не с ее выпадением из твердого раствора, а с тем, что сера растворяется преимущественно в виде изоморфных молекул ва283 в которых сера не является донором, образуя псевдобинарный раствор (Оа283)хОаР(1Х).

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Филатов, Павел Александрович, 2008 год

1. Roedel R.L. / R.L. Roedel, A.R. VonNeida, D. Caruso, L.R. Dawson // J. Electrochem. Soc. 1979. -V. 126. - P. 623.

2. Honda T. / T. Honda, Y. Ishii, S. Miyarawa, H. Yamazaki, Y. Nanishi // Jap. J. Appl. Phys. 1983. - V. 22. - P. 270.

3. Suchet P. Kinetics of microprecipitates formation in GaAs obtained from high resolution IRT and A-B etching / P. Suchet, M. Duseaux // Inst. Phys. Conf. Ser. 1988. - V. 91. - P. 375-378.

4. Akai S. / S. Akai, K. Fujita, S. Kishine, N. Kito, Y. Sato, S. Yoshitake, M. Sekinobu // Proc. SymP. on III-V Optoelectronics Epitaxy. — 1983. P. 41.

5. Кривоглаз M.A. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах / М.А. Кривоглаз. Киев : Наукова думка, 1983.

6. Бублик В.Т. / В.Т. Бублик, М.Г. Мильвидский // Материаловедение. — 1998.-№5.-С. 16-29.

7. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках / Б.И. Болтакс. Ленинград : Наука, 1972.

8. Горелик С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С.С. Горелик, M .Я. Дашевский. М. : МИСиС, 2003.

9. Морозов А.Н. Природа и концентрация собственных точечных дефектов в нелегированных монокристаллах InP. Влияние состава расплава /

10. А.Н. Морозов, В.Т. Бублик, В.Ю. Освенский, A.B. Беркова, Е.В. Микркжова, А .Я. Нашельский, C.B. Якобсон, А. Д. Попов // Кристаллография. 1983. - Т. 28.-№4.-С. 776-781.

11. Бублик В.Т. Собственные точечные дефекты в нелегированных монокристаллах антимонида индия / В.Т. Бублик, М.Н. Кеворков, В.Б. Освенский, А.Н. Попков, О.Г. Столяров // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1984. - Т. 20. -N 3. - С. 364-366.

12. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер. М. : Мир, 1969.-656 с.

13. Морозов А.Н. Собственные точечные дефекты в монокристаллах фосфида галлия / А.Н. Морозов, В.Т. Бублик, И.А. Ковальчук, О.Г. Столяров // Кристаллография. 1986. - Т. 31. - №5. - С. 986-993.

14. Бублик В.Т. Расчет области гомогенности арсенида индия / В.Т. Бублик, В.В. Каратаев, М.Г. Мильвидский, А.Н. Морозов // Кристаллография. 1981. - Т. 26. - №3. - С. 554-560.

15. Морозов А.Н. Природа и концентрация собственных точечных дефектов в нелегированных монокристаллах InP.II. Область гомогенности фосфида индия / А.Н. Морозов, В.Т. Бублик, Т.П. Григорьева // Кристаллография. 1984. - Т. 29. -N4. - С. 757-763.

16. Морозов А.Н. К вопросу о механизме формирования и деградации полуизолурующих свойств нелегированного GaAs / А.Н. Морозов, В.Т. Бублик, О.Ю. Трокина // Электронная техника. Серия 6: Материалы. — 1985. №5. - С. 33-39.

17. Абаева T.B. Структурный тип преобладающих собственных точечных дефектов и область гомогенности InSb / T.B. Абаева, В.Т. Бублик, А.Н. Морозов // Неорганические материалы. 1988. - Т. 24. - №1. - С. 15-18.

18. Bublik V.T. The Mean Square Atomic Displacements and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors / V.T. Bublik // Phys. Stat. Sol. (a). — 1978.-V. 45.-P. 543-548

19. Бублик В.Т. Расчет области гомогенности арсенида галлия / В.Т. Бублик, А.Н. Морозов, В.Б. Освенский, Л.И. Гайдай, С.П. Гришина, О.Г. Портнов // Кристаллография. 1979. - Т. 24. - С. 1230-1236.

20. Освенский В.Б. Внутреннее трение в монокристаллах GaAs / В.Б. Освенский, Л.П. Холодный, М.Г. Мильвидский // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1972. - Т. 8. - №5. - С. 802-807.

21. Вернер В. Д. Исследование точечных дефектов решетки в соединениях методом внутреннего трения / В.Д. Вернер, В.Я. Ковязин, М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский, Л.П. Холодный i i Физика твердого тела. -1977.-Т. 19.-№11.-С. 3304-3307.

22. Cullis A.G. Arsenic precipitation at dislocation in GaAs substrate material / A.G. Cullis, P.D. Augustus, D.T. Stirland // J. Appl. Phis. 1980. - V. 51.-№5.-P. 2556-2560.

23. Каратаев B.B. Эффективные коэффициенты распределения избыточных основных компонентов при кристаллизации арсенида галлия из расплава / В.В. Каратаев, М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский, О.Г. Столяров // Кристаллография. 1973. - Т. 18. - №4. - С. 830-832.

24. Каратаев В.В. Влияние условий выращивания на электрические свойства нелегированного арсенида индия / В.В. Каратаев, М.Г. Мильвидский, И.А. Долгих, Э.В. Колобова, A.A. Вельский // Электронная техника. Серия 6. Материалы. 1975. — №3. — С. 51—57.

25. Соловьева Е.В. Влияние типа и концентрации точечных структурных дефектов на электрофизические свойства нелегированного арсенида галлия / Е.В. Соловьева, В.В. Каратаев, М.Г. Мильвидский, В.Б.

26. Освенский, О.Г. Столяров // Физика твердого тела. 1972. - Т. 14. - №2. - С. 528-532.

27. Morozov A.N. Effect of In and Sb vacancies on Temperature Dependance of InSb Lattice Parameter at High Temperatures / A.N. Morozov, T.V. Abaeva, V.T. Bublic // Cryst. Res. Technol. 1986. - V. 21.- №5. - P. 613618.

28. Абаева T.B. Природа собственных точечных дефектов в монокристаллах InSb / T.B. Абаева, В.Т. Бублик, А.Н. Морозов, А.Т. Переверзев // Изв. АН СССР, неогранические материалы. 1987. - Т. 23 — №2.-С. 195-197.

29. Baker J.F.C. Precise lattice parameter determination of dislocation free gallium arsenide / J.F.C. Baker, M.A.L. Hart, R. Hackingbottom // Solid State Electronics. - 1976.-V. 19.-P. 331-339.

30. Mullin T.V. Lattice superdilatation phenomena in doped GaAs / T.V. Mullin, B.W. Straughan, C.M.H. Driscall, A.T.W. Willonghby // J. Appl. Phys. -1976. V. 47. - №6. - P. 2584-2587.

31. Kaufmann U. ERS detection of antisite lattice defects in GaP, GaSiP2, and InGeP2 / U. Kaufmann, T. Schneider, A. Bouber // Appl. Phys. Lett. 1976. -V. 29.-№5.-P. 312-313.

32. Kaufmann U. Quantitative ERS Analysis of deep defects in LEC — grown GaP / U. Kaufinann, T.A. Kennedy // J. Electron Maret. 1981. - V. 10. -№2.-P. 347-360.

33. Kaufmann U. Point defects in GaP, GaAs, InP / U. Kaufinann, T. Schneider // Advances in Electronics and Electron physics. — N. — L.: Plenum Press, 1982. V. 58. -P. 81-141.

34. Jordan A.S. Determination of the Solidus and Gallium and Phosphorus vacancy concentration in GaP / A.S. Jordan, A.R. von Neida, R. Caruso, C.K. Kim //J. Electrochem. Soc. 1974. - V. 121.-№1.-P. 153-158.

35. Та L.B. Effect of stoichiometry on thermal stability of undoped semiinsulated GaAs / L.B. Та, N.T. Nobgood, A. Pohatgi, R.N. Thomas // J. Appl. Phys. 1982. - V. 53. - №8. - P. 5771.

36. Баранов A.H. Изменение концентрации природных акцепторов в GaSb / A.H. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев // Письма в ЖТФ. 1987. - Т.13. - №18. - С. 1103-1108.

37. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников / М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. — М. : Металлургия, 1984. 256 с.

38. Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров Б.А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений / М.Г. Мильвидский, О.В. Пелевин, Б.А. Сахаров. М. : Металлургия, 1974. — 391 с.

39. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники / Н.А. Горюнова.-М.: Советское радио, 1968.

40. Бублик В.Т. Природа и особенности поведения точечных дефектов вл с ^легированных монокристаллах соединений А В / В.Т. Бублик, М.Г.

41. Мильвидский, В.Б. Освенский // Известия высших учебных заведений. Физика. 1980. -№1. - С. 7-22.

42. Анастасьева H.A. О природе дефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного оловом / H.A. Анастасьева, В.Т. Бублик, В.Б. Освенский, М.Г. Мильвидский, О.Г. Столяров, Л.П. Холодный // Кристаллография. 1978. - Т. 23. - №2. - С. 314-319.

43. Гайдай Л.И. Природа точечных дефектов в арсенида галлия, легированного теллуром / Л.И. Гайдай, В.Т. Бублик, H.A. Анастасьева, С.П. Гришина // Электронная техника. Серия 6: Материалы. 1979. — №2. - С. 8486.

44. Гайдай Л.И. Влияние легирования кремнием на период решетки арсенида галлия / Л.И. Гайдай, В.Т. Бублик, H.A. Анастасьева, С.П. Гришина // Электронная техника. Серия 6: Материалы. 1979. — №2. — С. 81—83.

45. Морозов А.Н. Природа, механизмы образования и концентрация собственных точечных дефектов в полупроводниковых соединениях AIIIBV : дис. .канд. физ. мат. наук : 01.04.10. -М., 1983. - 186 с.

46. Освенский В.Б. Исследование дефектов в арсениде галлия методом внутреннего трения / В.Б. Освенский, Л.П. Холодный, М.Г. Мильвидский // Физика твердого тела. 1971. - Т. 13. -№7. - С. 2135-2138.

47. Освенский В.Б. Внутреннее трение в монокристаллах GaAs / В.Б. Освенский, Л.П. Холодный, М.Г. Мильвидский // Известия АН СССР. Неорганические материалы. — 1972. Т. 8. - №5. - С. 802—807.

48. Гришина С.П. Превращение в сильнолегированном теллуром арсениде галлия при термообработке / С.П. Гришина, М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский, В.И. Фистуль // Физика и технология полупроводников. — 1970. Т. 4. - №2. - С. 294-298.

49. Гринштейн П.М. Исследование кинетики распада пересыщенноготвердого раствора теллура в GaAs / П.М. Гринштейн, М.Я. Липкес, Н.С. Рытова, В.И. Фистуль // Физика и технологи полупроводников. 1975. - Т. 9. — №6. - С. 1102-1107.

50. Фистуль В.И. Распад пересыщенных твердых растворов / В.И. Фистуль. М: Металлургия, 1977. - 238 с.

51. Гончарова Н.В. Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра : дис. . канд. техн. наук : 04.04.10. — М., 2002. 188 с.

52. Laister D. / D. Laister, G.M. Jenkins // Philos. Mag. 1969. - V. 20. - P.164.

53. Laister D. Electrical and electron microscope studies of the annealing of Te-doped GaAs / D. Laister, G.M. Jenkins // Philos. Mag. 1971. - V. 23. -№185.-P. 1077-1100.

54. Morgulis L.M. / L.M. Morgulis, V.B. Osvenskiy, M.G. Milvidskiy, V.G. Fomin, A.G. Novikov, S.P. Grishina // Defecti Structuri v Poluprovodnikah. -Novosibirsk. 1973. - P. 174.

55. Hutchinson P.W. The nature of defects in n-GaAs / P.W. Hutchinson, P.S. Dobson // Phil. Mag. 1974. - V. 30. - №.1. - P. 65-73.

56. Morgulis L.M. / L.M. Morgulis, M.G. Milvidskiy, V.B. Osvenskiy // Izv. Acad. Sei. USSR. Fiz. 1974. -V. 38. - P. 1447.

57. Abrahams M.S. / M.S. Abrahams, J. Blanc, C.J. Buiocchi // J. Appl. Phys. 1974. - V. 45. - P. 3277.

58. Hutchinson P.W. Interstitial condensation in n-GaAs / P.W. Hutchinson, P.S. Dobson//J. Mater. Sei. 1975. -V. 10.-№9.-P. 1636-1641.

59. Verner V.D. The nature of defects of crystalline structure in GaAs heavily doped with Те / V.D. Vemer, S.K. Maksimov, D.K. Nichugovskiy // Phys. Stat. Sol. 1976. - V. 33. - №2. - P. 755-763.

60. Dobson P.S. / P.S. Dobson, P.F. Fewster, D.T.J. Hurle, P.W. Hutchinson, J.B. Mullin, B.W. Stranghan, A.F.W. Willonghby // Inst. Phis. Conf. Ser. 1979. -V. 45.-P. 163.

61. Hutchinson P.W. The nature of inclusions in heavily Te-doped GaAs / P.W. Hutchinson, B.D. Bastow // J. Mater. Sci. 1974. - V. 9. - №.9. - P. 14831492.

62. Ruvimov S.S. / S.S. Ruvimov, L.M. Sorokin, M. Passeman, L. Heidenrighe, F. Sholtz, R.O. Starobogatov // Soviet Physics. Solid State. 1982. -V. 24.-P. 869.

63. Марков A.B. Особенности образования микродефектов вблизи дислокаций в кристаллах GaAs, легированных различными примесями / А.В. Марков, М.Г. Мильвидский, С.С. Шифрин // Кристаллография. 1984. - Т. 29. - С. 343-349.

64. Марков А.В. Влияние дислокаций и микродефектов подложки на формирование дислокационной структуры гомоэпитаксиального слоя / А.В. Марков, М.Г. Мильвидский, Т.Г. Югова // Кристаллография. 1985. - Т. 30. -№3. - С. 535-541.

65. Мильвидский М.Г. / М.Г. Мильвидский, А.А. Калинин, А.В. Марков, А.Н. Шершаков // Физика кристаллизации. — Калинин, 1986. — С. 3.

66. Brown J.T. / J.T. Brown // Ann. Rev. Mater. Sci. 1987. - V.17. - P.123.

67. Cullis A.G, Arsenic precipitation at dislocation in GaAs substrate material / A.G. Cullis, P.D. Augustus, D.T. Stirland // J. Appl. Phis. 1980. - V. 51.-№5.-P. 2556-2560.

68. Lee B.T. Transmission electron microscope study of arsenic precipitates in GaAs: morphology and orientation relationship with the matrix / B.T. Lee, R. Gronsky, E.D. Bourret // J. Crystal Growth. 1989. - V. 96. - P. 333-338.

69. Cornier J.P. / J.P. Cornier, M. Duseaux, J.P. Chevalier // Appl. Phys. Lett. 1984. - V. 45. - P. 1105.

70. Cornier J.P. / J.P. Cornier, M. Duseaux, J.P Chevalier// Inst. Phys. Conf. Ser. 1985. - V.76. — P. 95.

71. Ponce F.A. / F.A. Ponce, F.C. Wang, R. Hiskes // Semi-Insulating III-V Materials. 1984.-P. 68.

72. Williams G.M. First direct observation of voids in bulk, undoped, semi-insulating GaAs / G.M. Williams, A.G. Cullis // Appl.Phys.Lett. 1991. - V. 59. -P. 2585.

73. Matsumo V. Inhomogeneity in semi-insulating GaAs revealed by leakage current measurements / V. Matsumo, H. Watanabe // JaP. J. Appl. Phys. Lett. -1982.-V. 21.-№8.-P. 515-517.

74. Lagowski J. Origin of the 0,82 eV electron trap in GaAs and its annihilation by shallow donors / J. Lagowski, H.C. Gatos, J.M. Parsey et al. // Appl. Phys. Lett. 1982. - V. 40. - №4. - P. 342-344.

75. Мильвидский М.Г. Особенности взаимодействия дислокаций с точечными дефектами в монокристаллах арсенида галлия / М.Г. Мильвидский, А.В. Марков // Рост кристаллов. 1991. - Т. 18. - С. 105-117.

76. Щербачев К.Д. Особенности микродефектов в монокристаллах соединений АШВУ, выявленные методом диффузного рассеяния рентгеновских лучей : дис. . канд. физ. мат. наук : 01.04.10. - М, 1994. -187 с.

77. Booker G.R. Nature, origin and effect of dislocation in epitaxial semiconductor layers / G.R. Booker, J.M. Titchmarsh, J. Fletcher, D.B. Darby, M. Hokly, M. Al-Jassim // J. Cryst. Growth. 1978. - V.45. - №1. - P. 407^25.'

78. Werkhoven C. Effect of dislocation loops in macroscopicaly dislocation-free GaP substrates on the perfection of homo-epitaxial deposits / C. Werkhoven, J.H.T. Hengst, W.J. В artels // J. Cryst. Growth. 1977. - V. 42. - №1. - P. 632638.

79. Wagner G. / G. Wagner, V. Gottchalch, M. Pasemann // Cryst. Res. Technol.- 1982.- V. 17.-P. 57-66.

80. Charniy L.A. X-ray diffuse scattering identification of matrix As-richmicrodefects in GaAs / L.A. Charniy, A.N. Morozov, K.D. Scherbachev, V.T. Bublik, I.V. Stepantsova // J. Cryst. Growth. 1992. - V. 118. - P. 163-172.

81. Trinkaus H. On the determination of the double-force tensor of point defect in cubic crystals by diffuse scattering / H. Trinkaus // Phys. Stat. Sol. (b). — 1972.-V. 51.-P. 307-309.

82. Larson B.C. Huang diffuse scattering from dislocation loops and cobalt precipitates in copper / B.C. Larson, W. Schmatz // Phys. Rev. B. 1974. - V. 10.- №6. — P. 2307-2314.

83. Trinlcaus H. Der reflexferne Teil der diffusen Streuung von Röntgenstrahlen an Kristallen mit stark verzerrender Defekten / H. Trinkaus // Zeit, fur ang. Physic. 1971. -V. 31. - P. 229-235.

84. Ehrhart P. Diffuse scattering from dislocation loops / P. Ehrhart, H. Trinkaus, B.C. Larson // Phys. Rev. B. 1982. - V. 25. - P. 834.

85. Даценко Л.И., Молодкин В.Б., Осиновский M.E. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей реальными кристаллами / Л.И. Даценко, В.Б. Молодкин, М.Е. Осиновский. Киев : Наукова думка. - 1988. - 199 с.

86. Афанасьев A.M., Александров П.А., Имамов P.M. Рентгеновская структурная диагностика / A.M. Афанасьев, П.А. Александров, P.M. Имамов.- М.: Наука. 1986. - 93 с.

87. Iida A. Separate measurements of dynamical and kinematical X-ray diffraction from Si with TCD / A. Iida, K. Köhra // Phys. Stat. Sol. (a). 1979. -V. 51.-P. 533-542'.

88. Молодкин В.Б. / В.Б. Молодкин, С.И. Олиховский, М.Е. Осиновский и др. // Металлофизика. 1984. - Т. 6. - №3. - С. 7-15

89. Charniy L.A. Microdefect Density Determination by X-Ray Huang Scattering Normalized over Thermal Diffuse Scattering / L.A. Charniy, K.D. Scherbachev, V.T. Bublik // Phys. Stat. Sol. (a). 1991. - V. 128. - № 2. - P. 303310.

90. Wooster H.A. Diffuse X-Ray Reflection from Crystals / H.A. Wooster. -Oxford: Clarendon Press. — 1962.

91. Вустер У. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей в кристаллах / У. Вустер. М. : ИЛ., 1963.

92. Бублик В.Т. / В.Т. Бублик, С.Ю. Мацнев, К.Д. Щербачев и др. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. - №10. - С. 1825-1832.

93. Bond W.L. Precision lattice constant determination / W.L. Bond // Acta Crystallografica. 1960. -V. 13. - P. 814-818.

94. Лисойван В.И. Измерение элементарной ячейки на однокристальном спектрометре / В.И. Лисойван. — Новосибирск : Наука, 1982.- 123 с.

95. Бублик В.Т. Определение параметра решетки и коэффициента теплового расширения монокристалла по методу Бонда / В.Т. Бублик, Е.П. Коняева, И.С. Смирнов // Заводская лаборатория. 1976. — Т. 42. - С. 284— 286.

96. Cherbatchev K.D. / K.D. Cherbatchev, V.T. Bublik // Inst Phys Conf. 1997.- №160. -P. 187.

97. Бублик В.Т. / В.Т. Бублик, К.Д. Щербачев, С.Ю. Мацнев // Изв. вузов. Материалы электрон, техники. 2005. №1. - С. 54.

98. Бублик В.Т. / В.Т. Бублик, К.Д. Щербачев, С.Ю. Мацнев // Изв. вузов. Материалы электрон, техники. 2004. №1. - С. 75.

99. Бублик В.Т. / В.Т. Бублик, К.Д. Щербачев, Е.В. Жевнеров // Изв. вузов. Материалы электрон, техники. 1998. — №3. — С. 72.

100. Loxley N. / N. Loxley, B.K. Tanner, D.K. Bowen // J. Appl. Cryst. -1995.-V. 28. P. 314.

101. Dederichs P.H. / P.H. Dederichs, J. Pollmann // Zeitschrift fur Physik A Hadrons and Nuclei. 1972. - V. 255. - P. 315-324.

102. Trinkaus H. / H. Trinkaus // Phys. Status Solidi b. 1972. - V. 54. - P.209.

103. Larson B.C. / B.C. Larson, W. Schmatz // Phys. Status Solidi b. 1980. -V. 99.-P. 267.

104. Klang P. X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers / P. Klang, V. Holy, J. Kubena, R. Stoudek // J. Phys.D: Appl. Phys. 2005. - V. 3. - P. 105-110.

105. Klang P. X-ray diffuse scattering from stacking faults in Czochralski silicon / P. Klang, Y. Holy // Semicond. Sei. Technol. 2006. - V. 21. - P. 352357.

106. Бублик B.T. / B.T. Бублик, М.Г. Мильвидский // Материаловедение. 1997. - № 2. - С. 21-29.

107. Арефьев И.С. / И.С. Арефьев, В.Т. Бублик, А.Н. Морозов и др. // Кристаллография. 1987. Т. 32. -№2. - С. 460-466.

108. Oda О. / О. Oda, М. Yamamoto // Semicond. Sei. Technology А.1992.

109. Kuramoto К. / К. Kuramoto, Т. Sato, К. Ishida // J. Electrochem. Soc. — 1987.-V. 134.-№5.-P. 1286-1291.

110. Hurle D.TJ. / D.T.J. Hurle // Journal of applied physics. 1999. V. 85. -№10.-P. 6957-7022.

111. Richman D. / D. Richman // J. Phys. Chem. Solids. 1963. V. 24. - № 9.-P. 1131-1140.

112. Matiessen D.H. / D.H. Matiessen // J. Cryst. Growth. 1994. V. 137. -P. 255.

113. Wenzl H. / H. Wenzl, A. Dahlen, A. Fattah et. al. // Ibid. 1991. V. 109.-P. 191-195.

114. Глазов B.M. / B.M. Глазов, JI.M. Павлова / Изв. вузов. Материалы электрон, техники. 1999. — №3. С. 45.

115. Morozov A.N. / A.N. Morozov, V.T. Bublik // J.Cryst.Growth. 1986. -V. 75. — №3. - P. 497.

116. Белоусова Ю.Е. / Ю.Е. Белоусова, Т.Н. Ольховикова, Ф.Р. Хашимов, Ю.А. Окунев // Электронная техника. Серия материалы. — 1987. — Т. 226. -№8. С. 16-20.

117. Quadbeck P. / P. Quadbeck, P. Ebert, K. Urban // J. Appl. Phys. Lett. -2000. V. 76. - №3. - P. 300-302.

118. Lee B.T. / B.T. Lee, R. Gronsky, E.D. Bourret // J. Cryst. Growth. -1989.-V. 96.-P. 333.о г

119. Стрельченко С.С. Соединения А В / С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. -М. : Металлургия, 1984. 144 с.

120. Bassignana L.C. / L.C. Bassignana, D.A. Macquistan, G.C. Hillier et al // J. Crystal Growth. 1997. V. 178. - P. 445-450.