Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Мозжерин, Александр Владимирович

• Мозжерин, Александр Владимирович
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Мозжерин, Александр Владимирович

Оглавление

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОБРАЗОВАНИЕ И ЭВОЛЮЦИЯ СТРУКТУРНЫХ

ДЕФЕКТОВ В МАТЕРИАЛАХ И ИХ СВЯЗЬ С

ЭНЕРГИЕЙ ДЕФЕКТА УПАКОВКИ (ЭДУ)

1.1 Роль энергии дефекта упаковки в образование дефектной

сети в металлах и сплавах

1.1.1 Энергия дефекта упаковки в металлах и сплавах

1.1.2 Влияние ЭДУ на металлы и сплавы

1.1.3 К вопросу об определении ЭДУ в металлах и сплавах

1.2 Структурные дефекты в полупроводниковых материалах

с учетом роли энергии дефекта упаковки

1.2.1 Вычисление ЭДУ в полупроводниковых материалах

1.2.2 Структурные дефекты в кремнии и германии с учетом ЭДУ

1.2.3 Структурные дефекты в полупроводниках А2В6

1.2.4 Структурные дефекты в гетероструктурах солнечных элементов соединений А2В6

1.2.5 Энергия дефекта упаковки в соединения А2В6 49 Выводы по главе 1 52 ГЛАВА 2 МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРНЫХ

ДЕФЕКТОВ

2.1 Методика просвечивающей электронной микроскопии и приготовление образцов для исследования

2.1.1 Взаимодействие электронов с веществом

2.1.2 Электронная микроскопия

2.1.3 Внедрение и усовершенствование методик приготовления образцов для просвечивающего электронного микроскопа

2.2 Методики работы на просвечивающем электронном микроскопе и идентификации дефектов

2.2.1 Формирование изображения в просвечивающем

электронном микроскопе

2.2.2 Методика определения структурных дефектов и экстинционные контуры

2.3 Методики определения энергии дефекта упаковки в

полупроводниках

2.3.1 Определение ЭДУ по ширине полосок дефекта упаковки

2.3.2 Определение ЭДУ по растянутым узлам

2.3.3 Определение ЭДУ по частичным дислокационным петлям 88 Выводы по главе 2 92 ГЛАВА 3 ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ НА СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

3.1 Лавинное умножение и излучательная рекомбинация носителей тока в кремниевых солнечных элементах

3.2 О «разогреве» носителей тока в сильном электрическом поле 96 Выводы по главе 3 102 ГЛАВА 4 ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТОЙКОСТИ

ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С УЧЕТОМ 103 ЭНЕРГИИ ДЕФЕКТА УПАКОВКИ

4.1 Исследование структурных дефектов в кремнии и германии с 103 вычислением энергии дефекта упаковки

4.2 Вычисление критических радиусов дислокационных, с 110 применением современных методов вычисления ЭДУ

4.2.1 Вычисление критических радиусов дислокационных петель 110 в кремнии, германии и арсениде галлия

4.2.2 Оценка критических радиусов дислокационных петель в 115 материалах группы А2В6

Выводы по главе 4

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки»

Введение

С давних времен известно об не идеальности кристаллических структур, т.е. в них имеются достаточно многочисленные нарушения регулярного расположения атомов. Любое отклонение от периодической структуры кристалла называют дефектом. Дефекты структуры оказывают существенное, порой определяющее, влияние на свойства твердых тел. Такими структурно-чувствительными, т. е. зависящими от дефектов структуры, свойствами являются электропроводность, фотопроводимость, люминесценция, прочность и пластичность, окраска кристаллов и т. д. Процессы диффузии, роста кристаллов, рекристаллизации и ряд других можно удовлетворительно объяснить, исходя из предположения об их зависимости от дефектов. В настоящее время основные сведения о дефектах необходимы не только физикам, но также конструкторам и создателям приборов на основе твердых тел, занимающимся выращиванием совершенных монокристаллов, а также другим специалистам.

Одними из самых перспективных сегодня являются полупроводниковые материалы, такие как кремний, германий, арсенид галлия и соединения группы А2В6. Поскольку они являются основными материалами современной полупроводниковой электроники, силовой электроники и солнечной энергетики. Производство этих стратегических материалов, элементов и устройств на их основе является исключительно важной составной частью национальной экономики, и в значительной степени определяет уровень развития высокотехнологических отраслей промышленности, систем коммуникации и национальной безопасности.

Особенности формирования структурных дефектов в таких материалах активно изучаются. Сегодня хорошо известно о механизмах зарождения, развития и эволюции структурных дефектов в них, однако, в тоже время остается не достаточно изученным вопрос о ряде параметров, по которым можно говорить о стойкости к дефектам того или иного материала. Изучение

роли энергии дефекта упаковки (ЭДУ), а также использование классических и разработка новых методов ее определения позволит изучить эволюции структурных дефектов и стойкость различных материалов в них на более качественном уровне. Также, используя ЭДУ, возможно изучить сами дефекты, не прибегая к более сложным и долговременным методам, используемым в настоящее время.

В связи с вышеизложенным, задачи диссертационных исследований заключались:

1) Исследование закономерностей дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах с различными значениями энергии дефекта упаковки методами просвечивающей электронной микроскопии с предварительной пробоподготовкой образцов усовершенствованными методами.

2) Вычисление энергии дефекта упаковки, выявление способов контроля стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов с установлением роли ЭДУ в этих процессах.

3) Разработка оптимальных методов контроля структурных дефектов в солнечных элементах.

4) Интерпретация полученных результатов на основе модельных представлений и объяснение механизма взаимосвязи степени дефектообразования от ЭДУ материалов.

На защиту выносятся следующие основные положения:

• «Критические» радиусы дислокационных петель в материалах с различным значением энергии дефекта упаковки, характеризующие переход частичных дислокационных петель в полные дислокационные петли, можно рассматривать как параметр дефектостойкости материалов.

• С ростом ЭДУ увеличивается стойкость полупроводников к образованию дефектов, уменьшается плотность и размеры дефектов. При уменьшении ЭДУ происходит более интенсивная эволюция вторичных дефектов,

появляются новые типы дефектов, увеличивается плотность дефектов и их размеры.

• Контроль интенсивности и количества микроплазм, возникающих на лицевой поверхности солнечных элементов при увеличении приложенного к р-п-переходу обратного напряжения, можно использовать как экспресс метод обнаружения микродефектов и оценки качества солнечных батарей.

Результаты исследований, изложены в данной диссертации, опубликованы в журналах: «Фундаментальные исследования», «Естественные и технические науки», «Вестник СибГАУ», «Успехи современного естествознания» и трудах конференций: XIII - XV международных конференциях «Решетневские чтения» СибГАУ, юбилейной X школе-семинаре по «Проблемам физики конденсированного состояния вещества» УрО РАН, ХЬУП Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс»: НГУ и СО РАН, Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ), Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Молодежь и наука» СФУ.

ГЛАВА 1 Образование и эволюция структурных дефектов в материалах и их связь с энергией дефекта упаковки

1.1 Роль энергии дефекта упаковки в образование дефектной сети в металлах и сплавах.

1.1.1 Энергия дефекта упаковки в металлах и сплавах

Исследованию дефектной сети в металлах посвящено большой количество работ, наиболее эффективно они стали проводится с использованием методов электронной микроскопии, благодаря которым в металлах помимо стандартных процессов дефектообразования были изучены механизмы формирования дефектов с учетом энергии дефекта упаковки. Известно, что дефектная сеть в полупроводниках и металлах различна, однако, анализируя ряд работ, можно обнаружить взаимосвязь между причинами образования дефектов в металлах, сплавах и полупроводниках, делая акцент на энергии дефекта упаковки (ЭДУ). А также интересным является анализ изменения ЭДУ при облучении металлов или вследствие прочих воздействий.

С момента изучения структурных дефектов в металлах и сплавах появилась необходимость знать ЭДУ, так как она является важной величиной, влияющей на такие свойства как прочность, предел текучести, скорость ползучести дефектов, электрические свойства и др. Принимая это во внимание, необходимо знать, как меняется ЭДУ при легировании. Косвенную информацию о ЭДУ в чистых металлов получали из методов рентгенодифракции, однако, данный метод давал лишь оценочные параметры величины ЭДУ и не учитывал ряд важных факторов, тем не менее, он активно применялся, пока не был разработан метод определения ЭДУ по растянутым узлам дислокаций. По нему вычислялась ЭДУ в сплавах

стали, затем он был эффективно применен для чистых металлов и сплавов меди и серебра [1].

Используя вышеуказанные методы: ренгенодифракции и электронной микроскопии (метод растянутых узлов дислокаций), в работе [1] приводится расчет ЭДУ в чистых металлах меди и серебра и металлах легированных марганцем раз личной концентрации (таблица 1.1).

Таблица 1.1.

Измерение энергии дефекта упаковки для А§(Мп) и Си(Мп) [1].

Материал Ат.% Мп ЭДУ (у) мДж/м2

Аё (Мп) 0 22.8

1.9 22.4

3.8 20.5

7.5 20.5

13 22.0

18 22.4

Си (Мп) Ат.% Мп

0 42

5.5 59

9 55

12.1 48

15.9 42.5

18.05 42

Из данных работы [1] можно сделать предположение, что плотность дефектов в серебре, легированном марганцем концентрацией 1.9 - 7.5 атомных процентов, следует тенденции к снижению, а 13 - 18 - возрастанию. В то время как легирование марганцем меди приводило к увеличению дефектной сети в образцах вплоть до значений легирующей примеси 16-18 атомных процентов, где плотность дефектов приходила в равнозначное состояние с чистым металлом. Важным является установление параметра (ЭДУ), который показывает: какую концентрацию легирующей примеси нужно взять для того, чтобы иметь образец, в котором необходимость легирование не приводила бы к серьезным изменениям свойств вследствие образования дефектов. И хотя в работе не приводится данным по плотности

дефектов в исследуемых образцах, современные данные ряда работ подтверждают, что значение энергии дефекта упаковки и плотности дефектов, а также их эволюции взаимосвязаны.

о

В работе китайских ученых Чжан Сяо-фэна и Лян Фенга по влиянию ЭДУ на а-фазу бронзы производится вычисление ЭДУ по современным методам [2]. В данной работе приводится вычисленное значение ЭДУ для меди, в зависимости от концентрации алюминия (таблица 1.2), точно также как и для меди легированной марганцем (таблица 1.1).

Таблица 1.2.

Измерение энергии дефекта упаковки для Си(Мп) [2].

Материал Ат.% А1 ЭДУ (7) мДж/м2

0 41.8

0.92 32.9

2.47 22.0

2.92 20.9

СиА1 3.87 15.9

5.14 9.3

7.28 3.4

7.38 3.0

8.98 1.6

9.38 1.5

Интересным здесь является то, что ЭДУ чистого материала значительно выше, чем у сплава, причем концентрация легирующей примеси ~ 10 атомных процентов резко увеличивает плотность дефектов, что подтверждается экспериментально [2]. А также при помощи ЭДУ установлено, что в бронзе содержание дефектов существенно выше, чем в чистых меди и алюминии. Это свидетельствует о том, что использование бронзы не выгодно там, где дефекты вносят серьезные изменения в физико-химические свойства чистых металлов. Однако, механические свойства бронзы, изменяющиеся из-за низкой ЭДУ, более выгодны в ряде случаев.

При изучении ЭДУ в бронзе также установлена температурная зависимость ЭДУ, при измерении энергии дефекта упаковки в сплаве меди с

7% алюминия до 275°С, однако после 340°С происходило резкое возрастание ЭДУ. После охлаждения значение ЭДУ сильно не изменялось, т.е. при нагреве происходили необратимые изменения [4]. Исходя из этих данных, можно установить прямую температурную зависимость ЭДУ в металлах. При незначительных температурах плотность дефектов значительно не меняется, при нагреве и последующем охлаждении образца, тогда как после определенной температуры, происходят необратимые изменения в металле. После охлаждения металлах сохранял повышенную ЭДУ. Дополнительные вариации с температурой не смогли перевести его в первоначальное состояние, что говорит о необратимости процесса.

Работы по ЭДУ в меди и её сплавах являются наиболее показательными об её роли в большинстве металлов. В других металлах тоже проводились исследования ЭДУ. В системе №-Со (содержание кобальта примерно 75%) определена энергия дефекта упаковки (рисунок 1.1) [3], также установлено при 20°С падает практически до нуля. ЭДУ чистого никеля равна порядка 220 мДж/м [8], что говорит о достаточной дефектостойкости данного металла, однако в сплаве его с кобальтом ЭДУ резко падает, причем в прямой зависимости от концентрации кобальта. При увеличении кобальта до 20% в сплаве обнаруживались дислокационные петли, а при достижении кобальта в 60% идентифицированы еще и тетраэдрические дефекты упаковки [3,6].

Рисунок 1.1. ЭДУ как функция состава сплавов системы никель-кобальт [3,5].

Стоит обратить внимание, что в системе никель - кобальт, установлена такая же зависимость ЭДУ, как в системе медь - алюминий. Наблюдалось существенное снижение ЭДУ в сплаве Cu-Al и Ni-Co. И там и там четко выражена зависимость ЭДУ от формирования дефектов, а причины изменения значения ЭДУ лежат, вероятно, в механизмах взаимодействия атомов элементов при образовании сплава и определяются исключительно энергетической выгодой снятия напряжений возникающих в данных материалах. Стоит отметить, что в полупроводниковых материалах не наблюдается таких сильных изменений ЭДУ вследствие того, что в них концентрации легирующих примесей очень низкие по сравнению с металлами. Поэтому данный результат особо важный только для металлических образцов.

В связи ЭДУ и образовании дислокационных петель, в металлах было сделано несколько исследований. Их результаты необходимо отметить, так как подобное, вероятно, происходит и в полупроводника, где образование дислокационных петель наиболее вероятно.

Известно, что если кристалл быстро охладить, то вакансии могут выйти на поверхность или образовать агломерацию, форма которой может быть любой, однако, очень часто она имеет форму диска, который потом захлопывается в круговую дислокацию. Начиная с некоторого размера, образование дислокационной петли является более энергетически выгодным. Энергия дислокационной петли определяется выражением [3]:

2 ГП 2

Е, = jub d + — 7rd у

(1.1)

Где ц - модуль сдвига, Ь - вектор Бюргерса, с1 - диаметр дислокационной петли, у - удельная ЭДУ. Второе слагаемое учитывается, если дислокационная петля содержит дефект упаковки. Если, допустить, что

образуется не дислокационная петля, а дисковая полость, то её энергия приблизительно равна[3]:

где а - поверхностная энергия.

В итоге получаем, что дислокационная петля образуется, когда Е( < Ес при:

Большинство материалов происходит образование дислокационной петли, однако, вначале скопления вакансий имеет сферически-подобную форму, а затем превращаются в петли, формируясь первоначально в диск. При этом требуется некоторая энергия активации. Поэтому в веществах с высокой поверхностной энергией, например в платине, скопления, могут оставаться в виде сферических пор [3,7]. Тем ни менее зависимость образования дефектов от ЭДУ сохраняется во всех материалах. А при образовании петель установлена зависимость их геометрии и вектора Бюргерса от ЭДУ [3,7]. В наших работах на полупроводниковом кремнии также проводится исследование на установление этой зависимости.

В случае гранецентрированной кубической решетки в металлах точно установлена зависимость образования дислокационной петли от ЭДУ. Самый плотноупакованный слой атомов, в который выделяются вакансии и междоузельные атомы находится в плоскости (111). Когда он замыкается на себя, образуется дислокационная петля, которая охватывает дефект упаковки. Если энергия дефекта упаковки высокая, самым вероятным оказывается образование частичной дислокации с вектором Бюргерса (а/6) [112] , на краю петли и замещением дефекта упаковки частичной дислокацией. В результате петля трансформируется в полную дислокацию, не содержащую дефект упаковки. Вектор Бюргеса данной петли будет равен:

(1.2)

2

(1.3)

£[111]+£|п2]-^[110]

5 о 1

(1.4)

Необходимым условием такого процесса является, чтобы энергия полной дислокационной петли (Е2) была меньше энергии дефекта упаковки. Где [3]:

3 1 - V

Г

Ш^-2

V >"о

+ 7СЯ у

(1.5)

¿2 =

2 1 1 2-у

--+--;-

/иЬ2Я 4Я

1п 2

_ го

(1.6)

Здесь И. - радиус петли, г0 - внутренний радиус дефекта, ц - модуль сдвига, Ь - вектор Бюргерса, у - удельная ЭДУ, V - коэффициент Пуассона. Получаем:

цЪ1 2-У 1

у>

3/г 2(1-к)/?

ьЗ-2

V ^

(1.7)

Напряжение сдвига, создаваемое дефектом упаковки, рано у/Ь. Под действием такого напряжения может образоваться частичная дислокация. Было показано, что такой процесс действительно происходит в алюминии высокой чистоты (у ~ 160 мДж/м2) [3,8-9]

Рисунок 1.2. Вакансионные петли в закаленной алюминиевой фольге [7].

В закаленном алюминии вдоль границы зерен обнаруживаются пустые зоны, при условии, что границы являются стоками вакансий (рисунок 1.2). Петли такого рода перемещаются по образцу путем скольжения или переползания. В случае переползания они поворачиваются вокруг оси, лежащей в плоскости петли. Если энергия дефекта упаковки несколько ниже предела, соответствующего (7), то дефект упаковки может остаться в дислокационной петле. Подобное было обнаружено в сплавах алюминий -серебро [1,3].

Если ЭДУ очень низкая, как в случае золота после закалки 950°С) и последующего старения (100 - 250°С, в течение 1 часа), вместо дислокационных петель образуются объемные дефекты. Электронно-микроскопические методы с использованием эффектов контраста при различных ориентациях образцов показал, что дефекты представляют собой тетраэдры, ограниченные плоскостями (111). Ребрами тетраэдров служат вершинные дислокации с вектором Бюргерса (а/6)[110], а гранями - дефекты упаковки. [3,7].

На представленных примерах ясно видно, что условия образования линейных или объемных дефектов в материалах зависит от ЭДУ и формируется из условий роста и природы кристалла. Механизмы образования подобных дефектов описываются в работе [3]. Для нас является актуальными установление прямого влияния на эти процессы ЭДУ и зависимости не только плотности и размеров дефекта от ЭДУ, а и формирования особого класса дефектов вследствие этой энергии.

1.1.2 Влияние ЭДУ на металлы и сплавы

С момента изучения ЭДУ в металлах и сплавах до сегодняшнего дня исследовано большое количество материалов. Многие из них используются в высокотехнологичных отраслях промышленности. Сегодня большое количество научных работ уделяют внимание влиянию ЭДУ на процессы

дефектообразования в металлах и сплавах, особенно на полученные недавно, или имеющие большое прикладное значение. О том, что такая характеристика, как ЭДУ в металлах и сплавах имеет большое значение, соглашается подавляющее большинство ученых, однако ее роль и степень влияния все же рознятся.

Зависимость плотности, размеров и типов дефектов мы рассматривали выше, сегодня же является наиболее актуальным о влиянии ЭДУ на внутренние деформационные механизмы, происходящие в кристалле. В работах по влиянию ЭДУ на пластическую деформацию гранецентрированной кубической решетки (ГЦК) металлов установлено, на примере никеля легированного железом или медью обнаруживалось снижение ЭДУ, уменьшение которой вызывает увеличение деформационного упрочнения ГЦК металлов [9].

Пластическая деформация (крупнозерновая) ГЦК металлов регулируется группами дислокаций в зернах. Уменьшение размеров зерен делает этот процесс достаточно трудным. Вследствие уменьшения ЭДУ, от величины, которой зависят растягивающие напряжения в ГЦК металлах, происходит увеличения деформации упрочнения. Это связано с задержкой поперечного скольжения винтовой компоненты дислокации. Установлено, что изменения ЭДУ влияют на увеличение деформации упрочнения вследствие изменения размера зерен. Также установлено, что даже при увеличении размера зерен в сплавах никеля по сравнению с чистым материалом происходит значительно уменьшение деформации упрочнения и увеличение ЭДУ. Что говорит о сильном влиянии легирующей примеси, которую можно дозировать, вычисляя ЭДУ [9].

Другим примером является влияние ЭДУ на высокую пластичность и прочность мелкозерновой меди и ее сплавов. Ультрамелкозернистые (УМЗ) материалы, полученные пластической деформацией, имеют, как правило, низкую пластичность, однако, в работе [10] авторами уставлено, что возможно увеличение пластичности и прочности материалов за счет

варьирования энергии дефекта упаковки путем легирования. Вследствие этого получаются УМЗ сплавы с отличными механическими свойствами.

Прочность и пластичность, наиболее важные механические свойства конструкционных материалов, однако, почти всегда являются и взаимоисключающими. УМЗ металлы не являются исключением, они имеют высокую прочность, но очень низкую пластичность. Подобные свойства серьезно ограничивают их использование, поэтому, сегодня ведутся работы по выявлению причин и путей решения этой проблемы. Установлено, что низкая пластичность УМЗ материалов связана с отсутствием деформационного упрочнения, вызванного их неспособности аккумулировать дислокации вследствие малых размеров зерен. Из данных [9] установлена зависимость размеров зерен и ЭДУ.

Данные работы [2], где вычислены значение ЭДУ для бронзы, ниже, нежели чистой меди полностью согласуются с данными работы [10] где видно, что данный сплав обладает более высокими механическими свойствами, чем чистые металлы меди или алюминия из-за более низкой ЭДУ. Поэтому возможно, что и вариации ЭДУ УМЗ металлов путем легирования приведут данный материал к необходимым механическим свойствам.

Установлено, что УМЗ медь имеет более высокую ЭДУ, чем УМЗ бронза, что говорит об более высокой прочности последней. Вызвано это способностью дислокаций соединяться и образовывать дислокационную сеть, дефекты упаковки (Рисунок 1.3) и двойники. Данные дефекты увеличивают деформацию упрочнения в материале. Данные подтверждают, что в ультрамелкозерновых материалах влияние ЭДУ особо существенно, что ярко демонстрируется на изменении пластичности и прочности [10].

Рисунок 1.3. Высокоразрешающее электронно-микроскопическое изображение дефекта

упаковки в УМЗ бронзе направления (110). Стрелками показаны диссоциированные дислокации. На врезке под белыми линиями показан увеличенный дефект упаковки [10].

Подобно УМЗ меди и ее сплавов исследования влияния ЭДУ проводились на никеле в сплавах с различными металлами: ниобием, вольфрамом, марганцем, железом, медь (таблица 1.З.). Установлено, что сплавы имеют существенно низкое значение ЭДУ, что сопровождается образованием в них различных дефектных комплексов, и их склонностью к деформационному двойникованию [11].

Таблица 1.3.

Значения ЭДУ никеля и его сплавов [11]

Материал ЭДУ (7) мДж/м2

№ 110

59

38

№-Мп 86

МТе 86

№-Си 86

По полученным данным (таблицы 1.3) видно, что ЭДУ в сплавах N1 снижается, было показано, что уменьшение ЭДУ сопровождается увеличением во всех сплавах плотности дислокаций, а в образцах никель-вольфрам отчетливо установлено развитие деформационного двойникования,

которое, впрочем, присуще всем сплавам N1. В то время как в чистом никеле такие процессы обнаружены не были [11]. Результаты подтверждают, что снижение ЭДУ сопровождается формирование более сложных дефектных комплексов в сплавах никеля, причем, чем ниже значение у, тем с более высокой скоростью идут эти процессы.

Самые последние публикации по ЭДУ в металлах и сплавах исследуют её влияние на частичные дислокации в ГЦК металлах согласно дислокационной динамической модели. При исследовании диссоциации идеальных дислокаций в частичные для алюминия, палладия и никель с использованием модели динамики фазового поля дислокации (ДФДП), обнаружено, что увеличение внутренней ЭДУ ведет к сужению ширины дефекта упаковки в этих материалах [13].

В целом из анализа работ установлено прямое влияние ЭДУ на деформационные процессы, формирования дефектов в металлах и сплавах, а также о роли энергии дефекта упаковки в создании сплавов, отвечающих ряду требований: имеющих необходимые механические и электрические свойства, а также обладающие нужной степенью легирования, при которой не происходит образование сложных дефектных комплексов и эволюции дислокационной сети. Возможность управления деформацией упрочнения также усТановлена в соответствии с энергией дефекта упаковки.

Особое внимание стоит уделить вопросу влияния ЭДУ на изменение структуры и свойств металлов и сплавов в результате радиационного или термического воздействия.

Облучение материалов, как правило, приводит к увеличению прочности (радиационное упрочнение), повышение низкотемпературной ползучести и снижению пластичности (радиационное охрупчивание). Исследование этих эффектов проводится достаточно эффективно, однако, физико-химическая природа и механизмы указанных процессов окончательно не установлены. Тем не менее, сегодня можно утверждать, что особенности и масштабы эффектов радиационного повреждения сильно

зависят от энергии дефекта упаковки [14-16]. Это подтверждается многочисленными данными о связи ЭДУ с процессами в облученных металлических материалах: распухание [17], коррозийном растрескивании под напряжением [18] и т.д.

Интересным является исследование процессов развития междоузельных петель при отжиге облученных металлов и сплавов с различной ЭДУ. При определенных условиях облучение и последующий отжиг приводит к образованию дислокационных петель вакансионного или междоузельного типа [18-19]. Они связаны с радиационным распуханием, поскольку распухание связано с газообразными элементами, то возможно, используя материалы, содержащие такие элементы (молибден, нержавеющие аустенитные стали 0Х16Н15МЗБ, 0Х16Н15МЗТ), можно узнать природу этих петель. Как показали результаты исследований стали 0Х16Н15МЗБ, облученной на циклотроне альфа-частицами (50 МэВ, 1017 ч/см2), практически все петли имеют дефект упаковки и являются дислокационными петлями Франка междоузельного типа с вектором Бюргерса а/3 <111>, лежащих в полостях {111}, в некоторых случаях они трансформируются в полные петли типа а/2 <110>. [14,21-24] по формуле (1.8)

Анализируя результаты [20-23], выходит, что на температурный рост петель в металлических материалах, в основном оказывает влияние такие факторы, как тип кристаллической решетки, содержание легирующих примесей и добавок, а также наличие дефекта упаковки и ЭДУ. В работе [14] проводится сравнительное изучение результатов кинетики дислокационных петель в некоторых металлах и сплавах, облученных и отожженных при сопоставимых условиях. (Таблица 1.4), (Рисунок 1.4).

а

[111]+£[112]=^[110]

6 2

3

(1.8)

Таблица 1.4.

Средний размер междоузельных петель в имплантированных гелием и отожженных металлах и сплавах с различной ЭДУ [14]

Материал Парамет\_ Мо ыь 0Х16Н15МЗБ

Диаметр петли, нм. 15 40 70

ЭДУ, мДж/м2 -300 -150 -50

Концентрация гелия, ат. % 4.5-10"2 1.3-10'2 МО"2

Термообработка, К, 1 час. 1370 1270 970

*> »

• *

^ ^ Л

' V Ч

>

А б

Рисунок 1.4. а) дислокационные петли в имплантированной гелием (10 3 ат.%) и отожженной (973 К, 1 ч) стали 0Х16Н15МЗТ; б) ПЭМ-изображение микроструктуры ниобия, иплантированного гелием до концентрации 1,3><10 2 ат.% и отожженного при 1273

, 1 ч [14].

По данным, представленным в таблице 4, можно отметить, что при отжиге в течение 1 часа, проводимого при 50% температуре плавления, выполняется следующее утверждение: чем меньше ЭДУ материала, тем больше средний размер дислокационных петель. И распухание материалов вследствие облучения тем существеннее, чем выше энергия дефекта упаковки [14].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Мозжерин, Александр Владимирович, 2014 год

Литература

1. Quader, М. A. The Stacking-Fault Energies of Ag(Mn) and Cu(Mn) Solid Solutions / M. A. Quader, R. A. Dodd // Journal of Applied Physics. - 1968. -Vol. 39, No. 10. - P. 4726^1728.

2. Zhang, Xiao-Feng The effect of stacking fault energy on the cavitation erosion resistance of a-phase aluminum bronzes / Xiao-Feng Zhang, Liang Fang // Wear. - 2002. - 253. - P. 1105-1110. •

3. Амелинкс, С. Методы прямого наблюдения дислокаций: уч. изд. / С. Амелинкс. - М.: изд-во МИР, 1968. - 440 с.

4. Swann P., Nutting J., Journ. Inst. Met., 90, 133 (1962-63)

5. Howie A., Swann P. R., Phil. Mag., 6, 1215 (1961)

6. Mader S., Simsch E., Proc. European Regional Conference on Electron Microscopy (Delft, 1960), vol. 1961, p. 375

7. Хирш, П. Электронная микроскопия тонких кристаллов: уч. изд. / П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, Д. Пэшли, М. Уэлан. - М.: изд-во МИР, 1968. -575 с.

8. Reed, R. P. Relationship between stacking-fault energy and x-ray measurements of stacking-fault probability and microstrain / R. P. Reed and R. E. Schramm // Journal of Applied Physics. - 1974. - Vol. 45, No. 11. - P. 47054711.

9. Ebrahimi, F. Effect of stacking fault energy on plastic deformation of nanocrystalline face-centered cubic metals / F. Ebrahimi, Z. Ahmed, H. Li // Applied Physics Letters. - 2004. - Vol. 85, No. 17.-P. 3749-3751.

10. Zhao, Y. H. Tailoring stacking fault energy for high ductility and high strength in ultrafine grained Cu and its alloy / Y. H. Zhao, Y. T. Zhu, X. Z. Liao, Z. Horita, T. G. Langdon // Applied Physics Letters. - 2006. - Vol. 89, 121906. -P. 1-3.

11. Siegel, Donald J. Generalized stacking fault energies, ductilities, and twinnabilities of Ni and selected Ni alloys / Donald J. Siegel // Applied Physics Letters.-2005.-Vol. 87, 121901.-P. 1-3.

12. Платов, Ю.М. Зарождение и рост дислокационных междоузельных петель в облученном алюминии / Ю.М. Платов, В.П. Колотов, В.М. Лазоренко, В.И. Товтин, Ф.А. Хасанов \\ Физика и химия обработки материалов 2010, №3, с. 15-18

13. Hunter, A. Influence of the stacking fault energy surface on partial dislocations in fee metals with a three-dimensional phase field dislocations dynamics model / A. Hunter, I. J. Beyerlein, Т. C. Germann, M. Koslowski // Physical review b. - 2011. -Vol. 84, 144108.-P. 1-10.

14. Вотинов, С. H. К вопросу о роли энергии дефекта упаковки в изменении структуры и свойств металлов и сплавов в результате радиационного и термического воздействия / С. Н. Вотинов, О. П. Максимкин // Вопросы атомной науки и техники / серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. - 2002. -№3 (81).-С. 23-30.

15. Орлов, А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах: науч. изд. / А. Н. Орлов - М.: Высшая школа, 1983, - 144 с.

16. Вишняков, Я.Д. Дефекты упаковки в кристаллической структуре: науч. изд. /Я. Д. Вишняков - М.: Металлургия, 1970, - 216 с.

17. Хмелевская, B.C. Влияние энергии дефектов упаковки на процессы, происходящие в материалах при облучении / B.C. Хмелевская, В. Г. Малынкин, В. Н. Быков., Ю. В Желтов, А. И Иванов // ВАНТ, серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 1988, вып. 1(43), 1-80, стр.29-36.

18. Зеленский, В.Ф. Радиационные дефекты и распухание металлов : науч. изд. /В. Ф. Зеленский, И. М. Неклюдов, Т. П.Черняева - Киев, «Наукова думка», 1988,- 293 с.

19. Конобеев, Ю. В. Радиационные дефекты в металлах /Ю. В. Конобеев // Моделирование на ЭВМ дефектов в кристаллах: сб. науч. тр. / Ленинград, 1979, стр. 40-75.

20. Ибрагимов, Ш. Ш. Проблемы поведения гелия в металлах /Ш. Ш. Ибрагимов, В.Ф. Реутов // Радиационные дефекты в металлах: сб. науч. тр. / Алма-Ата, 1988, Наука, стр. 3-24.

21. Ждан, Г.Т. Особенности влияния гелия на процесс старения стали 0Х16Н15МЗБ / Г.Т. Ждан, Б.М. Сукуров, Б.Д. Уткелбаев // Атомная энергия, 1990, №5, стр. 294-297.

22. Реутов, В.Ф. Термическая стабильность дислокационных петель и формирование мелкодисперсных фаз в стали 0Х16Н15МЗБ, легированной гелием /, В.Ф. Реутов, Б.Д. Уткелбаев, С.П. Вагин, Г.Т. Ждан // Атомная энергия, 1990, т. 69 №3, стр. 140-142.

23. Ибрагимов, Ш. Ш. Развитие дислокационных петель в Мо, легированном гелием, в процессе послерадиационного отжига /Ш. Ш. Ибрагимов, В.Ф. Реутов, Г.Т. Ждан // Радиационные эффекты в металлах и сплавах: сб. науч. тр. / Алма-Ата, Из-во «Наука», 1985, стр. 20-28.

24. Балашов, В.Д., Роль реакторного облучения в высокотемпературной хрупкости сталей / В.Д. Балашов, С.Н. Вотинов, П.П. Гринчук // Доклад IAEA-SM-12/D-8, Vienna, 1969, v.l, р. 429^159.

25. Ибрагимов, Ш. Ш. Пластичность облученной стали 12Х18Н10Т в области температур 293 - 823 К. / Ш. Ш. Ибрагимов, О.П. Максимкин // Известия АН КазССР, 1987, №6, с. 6-9.

26. Ibragimov, Sh. Sh. Grain boundary deformation in nickel irradiated by a-particles / Sh. Sh. Ibragimov, O. P. Maksimkin, Sh. B. Shiganakov // Phys. Status Sol. (a), v. 75, 1983, p. 55-58.

27. Балашов, В.Д., Влияние облучения на механические свойства ГЦК-сплавов системы Fe-Cr-Ni: препринт / В.Д. Балашов, С.Н. Вотинов, В. И. Прохоров; НИИАР П-79, 1970.

28. Максимкин, О.П. Исследование зернограничного проскальзывания в никеле и стали 12Х18Н10Т, облученной нейтронами и а-частицами / О.П. Максимкин, Ш. Б. Шиганаков // Изв. АН КазССР, сер.: «Физ.-мат.», 1987, №6, с. 18-23.

29. Ибрагимов, Ш. Ш. Мартенситное превращение и механические свойтсва стали 12Х18Н10Т, облученной нейтронами / Ш. Ш. Ибрагимов, О.П. Максимкин, Д. X. Садвакасов // ФММ, 1990, №7, с. 199-201.

30. Максимкин, О.П. Влияние скорости деформации на мартенситное превращение в облученной нейтронами стали / О.П. Максимкин, Д. X. Садвакасов // ФММ, 1991, №9, с. 202-205.

31. Максимкин, О.П. Влияние температуры деформации иотжига на мартенситное превращение в облученной нейтронами стали / О.П. Максимкин, Д. X. Садвакасов // ФММ, 1992, №5, с. 136-139.

32. Maksimkin, О.Р The characteristics of Strength and Ductility for NeutronIrradiation Metals and Alloys / O. P. Maksimkin, О. V. Tivanova //In "Effects of Radiation on Materials "(20-th International Symposium) ASNM 100 Barr Harbor Drive P.O. Box С 700 West Conshohocken, PA19428-2959, pp.343355.

33. Быстров, JI. H. Действие излучений на металлические материалы / Л. Н. Быстров, Л. Н. Иванов // Физика и химия обработки материалов, 1976, №1, стр. 17-26.

34. Chandran, M. First-principle calculation of stacking fault energies in Ni and Ni-Co alloy / Mahesh Chandran, S. K. Sondhi // Journal of Applied Physics. -2011.-Vol. 109, 103525.-P. 1-6.

35. Herrera, M. Unfaulting of dislocation loops in the GalnNAs alloy: An estimation of the stacking fault energy / M. Herrera, D. González, J. G. Lozano, R. Garcia, M. Hopkinson, H. Y. Liu, M. Gutierrez, P. Navaretti // J. Appl. Phys. -2005.-Vol. 98, 023521.-P. 1-7.

36. Fullman, R. L. Journ. Appl. Phys., 22, 448 (1950)

37. Синдо, Д. Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия: науч. изд. / Д. Синдо, Т. Оикава. - Москва: Техносфера, 2006. - 256 с.

38. Aerts, Е. Stacking Fault Energy in Silicon / E. Aerts, P. Delavignette, R. Siems, S. Amelinckx // Journal of Applied Physics. - 1962. - Vol. 33, No. 10. -P. 3078-3080.

39. Art, A. Stacking Fault Energy in Germanium / A. Art, E. Aerts, P. Delavignette, S. Amelinckx // Applied Physics Letters. - 1963. - Vol. 2, No. 2. -P. 40-41.

40. Мозжерин, А. В. Изучение энергии дефекта упаковки в кремнии методом электронной микроскопии / А. В. Мозжерин // Естественные и технические науки. -2011. -№3. - С. 50-53.

41. Плебанович, В. И. Создание бездислокационных ионно-легированных слоев кремния / В. И. Плебанович, А. И. Белоус, А. Р. Челядинский, В. Б. Оджаев // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 8. - С. 1378-1382.

42. Рейви, К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии: науч. изд. / К. Рейви. - М. Мир, 1984. - 475 с.

43. Фридель, Ж. Дислокации: науч. изд. / Ж. Фридель. - М.: 1967.

44. Glas, Frank. A simple calculation of energy changes upon stacking fault formation or local crystalline phase transition in semiconductors / Frank Glas // Journal of Applied Physics. - 2008. - Vol. 104, 093520. - P. 1-6.

45. Мозжерин, A.B. Современные методы оценки энергии дефекта упаковки в полупроводниковых материалах / А.В. Мозжерин // Молодёжь и наука: сборник материалов VII Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, посвященной 50-летию первого полета человека в космос [Электронный ресурс] /отв. ред. О.А.Краев - Красноярск : Сиб. федер. ун-т., 2011

46. Мозжерин, А. В. Электронно-микроскопические исследования процессов дефектообразования в основных полупроводниковых материалах/ А. В. Мозжерин, Ю. Ю. Логинов // Юбилейная X Всерос. Школа-семинар по пробл. физики

конденсир. состоял в-ва, Екатеринбург, 9-15 ноября 2009 г.: ИФМ УрО РАН, 2009.

- С.249-250.

47. Электронно-микроскопические изображения дислокаций и дефектов упаковки: науч. изд. / под ред. В. М. Косевича, JI. С. Палатника. - М. Наука, 1976 г.

48. Мозжерин, А. В., Исследование процессов дефектообразования в кристаллах кремния и германия методом просвечивающей электронной микроскопии/ А. В. Мозжерин, Ю. Ю. Логинов // Матер. XIV Межд. научн. конф. Решетневские чтения, Красноярск: СибГАУ, 2010. - 4.2. - С.589-590.

49. Plaskett Т. S., Trans. AIME, 233, 809 (1965).

50. Ravi К. V., Varker С. J., J. Appl. Phys., 45, 263 (1974).

51. de Koch A. J. R., J. Electrochem. Soc.,118,1851(1971).

52. Bardeen J., Herring C., Atom Movements, American Society for Metals, Cleveland, Qhio, 1951, p. 87.

53. Eikum A., Thomas G., J. Appl. Phys., 34, 3363 (1963).

54. Haase, M. A. Blue-green laser diodes/ M. A. Haase, J. Qiu, J. M. DePuydt, H. Cheng // Appl.Phys.Lett - 1991.-V.59,N 11.-P. 1272-1274.

55. Butkhuzi, Т. V. Blue light emitting diodes on the base of ZnSe single crystals / Т. V. Butkhuzi, A. N Georgobiani, В. T. Eltazarov, T. G Khulordava, M. B. Kotljarevsky // J. Cryst. Growth.-1992.-V.l 17,-P.1055-1058.

56. Isshiki, M., Photoluminescence of Li-doped ZnSe single crystals / M. Isshiki, K. S. Park, Y. Furukawa, W. Uchida// J. Cryst. Growth. - 1992.-V.117.

- P.410-414. •

57. DePuydt, J.M., Room temperature II-VI lasers with 2,5 mA threshold / J.M. DePuydt, M.A. Haase, S. Guha, J. Oiu, H. Cheng, J. WuB., G.E. Hofler, G. Meis-Haugen, M.S. Hagedorn, P.F. Baude // J. Cryst. Growth. - 1994. - V.138.

- P.667-676.

58. Логинов, Ю.Ю. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6: науч. изд. / Ю. Ю. Логинов, Браун Пол Д., Дьюроуз Кен. - М.: Логос, 2003. - 304 с.

59. Физика и химия соединений А2В6 / Под ред.С. А. Медведева. -М.: Мир, 1970. 624 с.

60. Marfaing, Y. Models of donor impurity compensation in cadmium telluride / Y. Marfaing // Rev. Phys. Appl. - 1977. - V.12, N2.- P.211-217.

61. Ray, A.K. The defect structure of ZnSe:Ga / A.K. Ray, F.A. Kroger // J. Electrochem. Soc. - 1978. - V.125, N8. - P.1355-1361.

62. Ray, A.K. The defect structure of pure and doped ZnSe / A.K. Ray, F.A. Kroger // J. Electrochem. Soc. - 1978. - V.125, N8. - P.1348-1355.

63. Loginov, Y.Y. ТЕМ studies of doped II-VI compounds / Y. Y. Loginov, P.D. Brown, N. Thompson, G.J. Russell, J. Woods // Microsc. Semicond. Mater. - Bristol, London: Inst. Phys. Conf., 1989. - Ser. № 100. - P.433 - 438.

64. Faress, А. ТЕМ in situ investigation of dislocation mobility in II-VI semiconductor compound ZnS / A. Faress, C. Levade, G. Vanderschaeve // Pil. Mag. A. - 1993. - V.68, N1. - P.97-112.

65. Loginov, Y.Y. Transmission electron microscopic study of defect formation within II-VI compounds irradiated with 100 keV electrons / Y.Y. Loginov, P.D. Brown, N. Thompson, K. Durose // J. Cryst. Growth. - 1992. - V.117. P.682 -688.

66. Brown, P.D. Microstructural properties of epitaxial CdS, (Cd,Zn)S and CdS//(Cd,Zn)S superlattices / P.D. Brown, Y.Y. Loginov, K. Durose, J.T. Mullins, T. Taguchi, T. Burbery, S. Lawson-Jack, I. Jones // J. Cryst. Growth.-1992. V.117. P. 536-542.

67. Loginov, Y.Y. ТЕМ Study of the structural damage produced within II-VI compounds by 100 keV electrons / Y.Y. Loginov, P.D. Brown // Electron Microscopy 1. - Singapore, New Jersey, London, Hong Kong: World Scientific, 1992.-P.568-569.

68. Логинов, Ю.Ю. Образование примесных выделений в CdTe, легированном Ga и С1 / Ю.Ю. Логинов, П.Д. Браун // Известия АН. Неорг. Матер, - 1995,-Т.31, N9.-С.1177- 1179.

69. Kim, W.J. Effect of Cd-annealing on the IR transmittance of CdTe wafers grown by the bridgman method / W.J. Kim, M.J. Park, S.U. Kim, T.S. Lee, J.M. Kim, W.J. Song, S.H. Suh // J. Cryst. Growth. - 1990. - V.104, N3. - P.677 -682.

70. Shin, S.H. Characterization of Те precipitates in CdTe crystals / S.H. Shin, J. Bajaj, L.A. Moudy, D.T. Cheung // Appl. Phys. Lett. - 1983. - V.43, N1. -P.68 - 70.

71. Rai, R.S. Characterization of CdTe, (Cd,Zn)Te, and Cd(Te,Se) single crystals by transmission electron microscopy /R.S. Rai, S. Mahajan, S. McDevitt, C.J. Johnson // J. Vac. Sci. and Technol. - 1991. - V.B9, N3. - P. 1892- 1896.

72. Sochinskii, N.V. Effect of thermal annealing on Те precipitates in CdTe wafers studied by Raman scattering and cathodoluminescence / N.V. Sochinskii, M.D. Serrano, E. Dieguez, F. Agullo-Rueda, U. Pal, J. Piqueras, P. Fernandez // J. Appl. Phys. - 1995. - V.77, N6. - P.2806 - 2808.

73. Brown, P.D. Anisotropic defect distribution in CdTe/(Cd,Zn)Te strained layer superlattices / P.D. Brown, T.D. Golding, G.J. Russell, J.H. Dinan, J. Woods // Microscopy of Semicond. Mater. - Bristol, N.Y.: Inst. Phys. - 1989. -Ser.N 100.-P. 357-362.

74. Kroger, F.A. The defect structure of CdTe / F.A. Kroger // Rev. Phys. Appl.

- 1977. - V.12, N2. - P.205 - 210.

75. Логинов, Ю.Ю. Влияние легирующей примеси на образование структурных дефектов в CdTe, облученном электронами и ионами / Ю.Ю. Логинов, П.Д. Браун, К. Дж. Хамфрейс // ФТТ. - 1996. - T.38,N4. -С. 1251

- 1261.

76. Логинов, Ю.Ю. Образование примесных выделений в CdTe, легированном индием, после отжига и облучения ионами и электронами / Ю.Ю. Логинов, П.Д. Браун // ФТТ. - 1995. - Т.37, N10. - С.3115 - 3123.

77. Логинов, Ю.Ю. Образование примесных выделений в CdTe, легированном фосфором после выращивания / Ю.Ю. Логинов, П.Д. Браун,

К. Дьюроуз, А.А. Алнаджар // Известия АН. Неорг. Матер. - 1995. - Т.31, N9.-C.1180- 1183.

78. Vere, A.W. Growth of CdTe by solvent evaporation / A.W. Vere, V. Steward, C.A Jones., D.J. Williams, N. Shaw // J. Cryst. Growth. - 1985. -V.72, N.l -2.-P.97- 101.

79. Wada, M. Characterization of Те precipitates in CdTe crystals / M. Wada, J. Suzuki // Jap. J. Appl. Phys. Lett. - 1988. - V.27, N6. - P. L972 - L975.

80. Narayanan, G.H. A study of annealing-induced lattice defects in P-doped CdTe by transmission electron microscopy / G.H. Narayanan, S.H. Rustomji // J. Electrochem. Soc. - 1979. - V.126. - P.809 - 817.

81. Loginov, Y.Y. А ТЕМ study of the interaction of sub-threshold electron beam induced defects in II-VI compounds / Y.Y. Loginov, P.D. Brown, N. Thompson //Phys. Stat. Sol.(a).-1991. - V.127. -P.75 - 86.

82. Loginov, Y.Y. ТЕМ investigation of point defect interactions in II-VI compounds / Y.Y. Loginov, P.D. Brown, C.J. Humphreys // Mater. Sci. Forum. - 1995.-V.196-201.-P. 1461 - 1466.

83. Chen, G.S. Direct electron-beam fabrication of nanometre scale silicon columns / G.S. Chen, C.B. Boothroyd, C.J. Humphreys // Microsc. Semicond. Mater. - Bristol, Philadelphia: Inst. Phys. - 1993. - Ser. N134. -P.503 - 508.

84. Брауи, П. Д. Формирование микродвойников в (001) гетероэпитаксиальных слоях / П.Д. Браун, Ю.Ю. Логинов, У.М. Стоббс, К.Дж. Хамфрейс // ФТТ. - 1996. - T.38,N1. - С.284 - 294.

85. Логинов, Ю.Ю. Формирование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях ZnTe и (Cd,Zn)Te, выращенных на (OOl)GaAs / Ю.Ю. Логинов, П.Д. Браун, К.Дж. Хамфрейс // Известия АН. Неорг. Матер. - 1996. - T.32.N1. - С.30 - 33.

86. Логинов, Ю.Ю. Эффект дальнодействия и закономерности формирования скоплений точечных дефектов в полупроводниках AnBVI при ионном травлении /Ю.Ю. Логинов, П.Д. Браун // Известия АН. Неорг. Матер. - 1998.-Т. 34, N9. - С.1148-1152.

87. Браун, П.Д. Формирование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях ZnTe, выращенных на GaAs и GaSb / П.Д. Браун, Ю.Ю. Логинов, К. Дьюроуз // Материал, электрон, техн., получение и свойства. Красноярск: КГУ, 1998.-С.116- 142.

88. Гаврилов, С. А. Оптоэлектронные свойства пленок CdS для солнечных элементов с тонким абсорбирующим слоем / С. А. Гаврилов, А. А. Шерченков, А. Б. Апальков, Д. А. Кравченко // Российские нанотехнологии. - 2006. - Т. 1, №1. - С. 228-232.

89. Brown, P.D. Microtwin nucleation and propagation in heteroepitaxial II-Vlcompounds on (OOl)-oriented GaAs substrates / P.D. Brown, Y.Y. Loginov, W.M. Stobbs, C.J. Humphreys // Phil. Mag.(a). - 1995. - V.72, N1. - P.39-57.

90. Loginov, Y.Y. Transmission electron microscopy of CdTe/CdS based solar cells / Y.Y. Loginov, S.A. Galloway, K. Durose, H.M. Al-Allak, S. Oktik, A.W. Brinkman//J. Cryst. Growth.- 1996.-V.161,N1 -4.-P. 159-163.

91. Mochizuki, K. Growth of CdTe single-crystals by THM (traveling heater method) and it repetition effect / K. Mochizuki, K. Masumoto // Mater. Lett. -1986. - V.4, N.5-7. - P.298-300.

92. Triboulet, R. Properties of CdTe crystals grown by THM using Cd as the solvent / R. Triboulet, R. Legros, A. Heurtel, B. Sieber, G. Didier, D. Imhoff // J. Cryst. Growth. - 1985. - V.72, P.90-96.

93. Логинов, Ю.Ю. Электронно-микроскопические исследования гетероэпитаксиальных наноструктур солнечных элементов / Ю.Ю. Логинов, А.В. Мозжерин // Матер. ХШ Межд. научн. конф. Решетневские чтения, Красноярск: СибГАУ, 2009. - 4.2. -С.682-683.

94. Логинов, Ю.Ю. Закономерности дефектообразования в облученных полупроводниках / Логинов Ю.Ю., Мозжерин А.В. // Матер. XV Межд. научн. конф. Решетневские чтения, Красноярск: СибГАУ, 2011. - Ч. 1. - С.398-399.

95. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия: учеб. / Усманский Я.С. и др. М.: Металлургия, 1982, 632 с.

96. Эгертон, Р.Ф. Физические принципы электронной микроскопии: науч. изд. / Р.Ф. Эгерсон - Москва: Техносфера, 2010. - 304 с.

97. Фульц, Б. Просвечивающая электронная микроскопия и дифрактометрия материалов: науч. изд. / Б. Фульц, Дж. М. Хау - Москва: Техносфера, 2011. - 904 с.

98.Томас, Г., Просвечивающая электронная микроскопия материалов: науч. изд. / Г.Томас, М.Дж. Гориндж - М.: Наука, 1983. - 320 С.

99. Стоянова, И. Г. Физические основы методов просвечивающей электронной микроскопии[Тескт]: науч. изд. / И. Г. Стоянова, И. Ф. Анаскин- М., 1972.

100. Хирт, Д.Т. Теория дислокаций: науч. изд. /Д.Т. Хирт, И. Лоте. - М.: Атомиздат, 1972.

101. Ленченко, В.М. Лавинное умножение и излучательная рекомбинация носителей тока в кремниевых солнечных элементах / В.М. Ленченко, Ю.Ю. Логинов, A.B. Мозжерин // Вестн. Сиб. гос. аэрокосмич. ун-та им. акад. М.Ф.Решетнева. 2010, вып. 4(30). - С. 11-15.

102. Ленченко, В.М. Оценка эффективности фотопреобразования в кремниевых солнечных элементах с учетом рекомбинационных и тепловых потерь энергии / В.М. Ленченко, Ю.Ю. Логинов, A.B. Мозжерин // Успехи современного естествознания. - 2011, № 9. - С. 89-93.

103. Ленченко, В.М. Влияние омических потерь в лицевом п+ слое на выходные характеристики СЭ п+-р-типов / В.М. Ленченко, Ю.Ю. Логинов, Д.О. Малков // Вестник КрасГУ, физико-математические науки, 2005, №4, стр.33-39.

104. Ленченко, В.М., Анализ тепловых и рекомбинационных потерь фототока в солнечных элементах космических аппаратов / В.М. Ленченко, Ю.Ю. Логинов, A.B. Мозжерин // Вестн. Сиб. гос. аэрокосмич. ун-та им. акад. М.Ф.Решетнева. 2011, вып. 3(36). - С.43-48.

105. Логинов, Ю.Ю. Влияние режимов роста монокристаллов на перенос и накопление примесных атомов в растущем кристалле / Ю.Ю. Логинов,

В.М. Ленченко, A.B. Мозжерин // Вестн. Сиб. гос. аэрокосмич. ун-та им. акад. М.Ф.Решетнева. 2009, вып. 4(25). - С. 120-124.

106. Мозжерин, А. В. Электронно-микроскопические исследования структурных дефектов в кремнии и германии / A.B. Мозжерин // Материалы пятнадцатой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых учёных ВНКСФ-15: Кемерово-Томск. 2009, С. 209 -210.

107. Мозжерин, А. В. Особенности дефектообразования в полупроводниковых кристаллах кремния и германия / A.B. Мозжерин // Материалы XLVII Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс»: Физика / Новосибирский государственный университет. 2009, С. 156.

108. Мозжерин, А. В. Исследование процессов дефектообразования в кристаллах кремния и германия методом просвечивающей электронной микроскопии / A.B. Мозжерин, Ю.Ю. Логинов // Матер. ХГ/Межд. научн. конф. Решетневские чтения, Красноярск: СибГАУ, 2010. - 4.2. - С.589-590.

109. Мозжерин, А. В. Исследование структурных дефектов сульфида цинка, легированного галлием или индием / A.B. Мозжерин, Ю.Ю. Логинов // Материалы семнадцатой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых учёных ВНКСФ-17: Екатеринбург. 2011, С. 194.

110. Мозжерин, A.B. Исследование энергии дефекта упаковки в германии методом электронной микроскопии / A.B. Мозжерин // Молодежь и наука: сборник материалов VIII Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, посвященной 155-летию со дня рождения К.Э.Циолковского [Электронный ресурс] № заказа 7880/отв. ред. О.А.Краев - Красноярск : Сиб. федер. ун-т., 2012

111. Мозжерин A.B. Оценка критического радиуса дислокационных петель в кремнии и германии с учетом энергии дефекта упаковки // Фундаментальные исследования. - 2012. - № 11 (часть 3). - стр. 700-704;

112. Химическая энциклопедия: В 5 т./ Гл. ред. И. JI. Кнунянц [до 1992 г.], Н. С. Зефиров [с 1995 г.]. — М.: Сов. энцикл.; Большая Рос. энцикл., 1988 — 1998. — ISBN 5-85270-008-8.

113. Горичок, И. В. Энтальпия образования дефектов Шоттки в полупроводниках / И. В. Горичок // ФТТ. - 2012. Том 54 - вып. 3. - С. 1373-1376.

114. Кристаллические материалы [Электронный ресурс]. — Режим доступа: http://www.elektrosteklo.ru/Crystals.htm (дата обращения 01.07.2013).

115. Логинов, Ю.Ю. Оценка степени дефектообразования в полупроводниках по критическому радиусу дислокационных петель /Ю.Ю. Логинов, A.B. Мозжерин, A.B. Брильков // Фундаментальные исследования. - 2013. - № 8 (часть 5). - стр. 1071-1074;

116. Логинов, Ю.Ю. Влияние упругих напряжений на формирование структурных дефектов в полупроводниках/ Ю.Ю. Логинов, A.B. Мозжерин, A.B. Брильков.// Вестн. Сиб. гос. аэрокосмич. ун-та им. акад. М.Ф.Решетнева. 2013, вып. 2 (48). - С.198-200.