Особенности формирования и физические свойства наноразмерных структур на основе висмута тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Хрипунов, Юрий Вадимович

• Хрипунов, Юрий Вадимович
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Хрипунов, Юрий Вадимович

СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1 ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВИСМУТА

1.1 Кристаллы висмута

1.1.1 Кристаллическая структура висмута

1.1.2 Зонная структура висмута

1.1.3 Дефекты в кристаллах висмута

1.2 Поверхность кристаллов висмута

1.2.1 Структура поверхности кристаллов висмута

1.2.2 Наноструктурные особенности на поверхности кристаллов висмута

1.2.3 Электронные свойства поверхности кристаллов висмута

1.3 Наноразмерные структуры висмута

1.3.1 Фабрикация наноразмерных структур висмута

1.3.2 Энергетические свойства наноразмерных структур висмута

1.3.3 Моделирование наноструктур висмута

ГЛАВА 2 МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ

НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ВИСМУТА

2.1. Контроль морфологии поверхности кристаллов висмута

2.1.1. Сканирующая зондовая микроскопия поверхности кристаллов висмута

2.1.2. Электронная микроскопия поверхности кристаллов висмута

2.1.3. Металлографическая микроскопия поверхности кристаллов висмута

2.2. Получение и моделирование наноразмерных структур висмута

2.2.1. Экспериментальная установка для обработки атомарным водородом поверхности кристаллов висмута

2.2.2. Методы выращивания, разделения и обработки поверхности кристаллов висмута

2.2.3. Квантово-химическое моделирование нанокластерных систем висмута

ГЛАВА 3 МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛА И САМООРГАНИЗАЦИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ВИСМУТА

3.1. Исследование морфологии поверхности монокристалла висмута

3.1.1. Морфология поверхности кристаллов висмута после различных видов обработки

3.1.2. Морфология поверхности скола монокристалла висмута

3.2. Исследование влияния плазменной обработки водородом на морфологию поверхности скола монокристалла висмута

3.3. Процессы самоорганизации наноразмерных структур на поверхности скола монокристалла висмута

ГЛАВА 4 ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОКЛАСТЕРОВ ВИСМУТА ПО ДАННЫМ КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ

4.1. Геометрические параметры нанокластеров висмута различной размерности

4.2.Эволюция зонных параметров нанокластеров висмута

4.2.1. Изменение ширины запрещенной зоны нанокластеров

висмута

4.2.2. Изменение ширины разрешенной зоны нанокластеров

висмута

4.3. Энергетические характеристики нанокластеров висмута

4.3.1. Изменение значения энергии ионизации нанокластеров висмута

4.3.2. Изменение значения энергии диссоциации нанокластеров висмута

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

БЛАГОДАРНОСТИ

ПРИЛОЖЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности формирования и физические свойства наноразмерных структур на основе висмута»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы Развитие современного приборостроения требует создания новых полупроводниковых материалов, имеющих специальные свойства. А тенденции уменьшения размеров рабочих элементов электроники заставляют исследователей переходить на уровень наноразмеров [1-4]. На наноуровне определяющими факторами свойств материалов служат квантово-размерные эффекты и состояние поверхности [5-10]. Поверхность является одним из основных дефектов трехмерной структуры кристаллов. Отличительной чертой поверхности является ее гетерогенность, что обусловлено рядом взаимосвязанных факторов: геометрическая и структурная неоднородность, химическая неоднородность, неоднородность электронных свойств. Поверхность реального кристалла неоднородна, она содержит дефекты кристаллической решетки: вакансии, террасы, ступеньки, места выхода дислокаций и другие дефекты кристаллической решетки, обладающие различной реакционной способностью и различными физическими свойствами [6-8]. На современном этапе развития нанотехнологической отрасли для создания полупроводниковых и функциональных материалов (с квазикристаллической, субмолекулярной, нанокристаллической или аморфно-нанокристаллической структурой) широко используются процессы, протекающие на поверхности твердых тел [10-14]. При введении поверхности в атмосферу химически активных сред (жидкие, газовые), адсорбционные и каталитические процессы изменяют ее конфигурацию на наноуровне, в связи с чем появляется возможность наблюдения новых эффектов. Взаимное влияние газовой и кристаллической подсистем может приводить к синергетическим эффектам, в частности, формированию различных наностуктурных образований (нанокластеров), обладающих особыми свойствами [11-16]. Изучение поверхности представляет как теоретический, так и прикладной интерес, поэтому важно контролировать изменение ее структуры и исследовать влияние внешних факторов на конфигурацию и состояние.

На современном этапе развития физики поверхности сочетание передовых методов анализа поверхности и моделирования наносистем, вакуумных технологий и быстродействующей компьютерной техники позволяет решать широкий круг проблем, связанных с исследованиями поверхности кристаллов и наноструктур.

Висмут и его сплавы относятся к классу полуметаллов и узкозонных полупроводников и обладают широким комплексом свойств. [17, 18]. Высокая чувствительность зонных параметров висмута к внешним воздействиям: изменению температуры, давления, магнитного и электрического полей представляет большой практический интерес. Эти свойства висмута позволяют изготавливать из него болометры, тензометры, датчики Холла, Нернста, потока тепла, усилители звука, криостатированные фотоприемные устройства для космических аппаратов, применяемых во внеатмосферной астрономии и ИК-зондировании Земли и т.д. Особое значение имеет практическое применение висмута и при создании термоэлектрических преобразователей [19, 20]. При размерном квантовании наноразмерные структуры висмута могут переходить в полупроводниковое состояние, что может оказать существенное влияние при создании наноматериалов эффективных термоэлектриков.

Не смотря на огромное количество теоретических и экспериментальных исследований, посвященных висмуту, известно мало работ по изучению поверхности монокристаллов висмута на наноуровне и наноструктур [21-31].

Целью работы является получение наноразмерных структур на поверхности монокристалла висмута и исследование их геометрических и энергетических параметров.

Задачи исследования:

1.- Исследование морфологии поверхности скола монокристалла висмута, формирующейся при комнатной температуре и температуре кипения жидкого азота.

2.- Исследование влияния плазменной обработки водородом на

наноструктуру поверхности скола монокристалла висмута.

5

3.- Проведение квантово-химического моделирования нанокластеров висмута BiN (N - количество атомов) с целью прогнозирования свойств наноструктурированных образований на поверхности висмута.

Предмет и объект исследований Объектом исследований являются наноразмерные структуры на основе висмута. Предметом - морфология поверхности монокристаллов и нанокластерные системы висмута.

Научная новизна:

1. Установлено, что повышение температуры скалывания монокристаллов висмута по плоскости спайности приводит к образованию отщепленных микро- и нанотеррас с углом наклона 2.7° к плоскости (111), обусловленное двойникованием в результате пластической деформации.

2. Выявлено, что влияние плазменной обработки водородом поверхности скола (111) монокристалла висмута в зависимости от времени приводит к селективному распылению поверхности с последующей самоорганизацией пирамидальных образований. Изучены характер и физические основы изменения морфологии поверхности скола монокристалла висмута при плазменной обработке водородом, предложена физическая модель определяющей роли дефектов кристаллической решетки в процессе формирования микро- и нановыступов в результате распыления приповерхностной области.

3. Проведено квантово-химическое моделирование методами Хартри-Фока (HF) и функционала плотности (DFT) физических свойств нанокластеров висмута в зависимости от количественного содержания атомов. Определены геометрия, межатомные расстояния, энергии диссоциации и ионизации, ширины запрещенных зон. Сделана оценка области перехода из полупроводникового состояния в полуметаллическое.

Практическая и теоретическая значимость С использованием набора

экспериментальных методов и квантово-химического моделирования

проведено комплексное исследование поверхности монокристаллов и

наноструктур висмута. Показаны структурные особенности и целесообразность

6

детального изучения поверхностной морфологии в процессе электроискровой резки, скалывания и технологической обработки кристаллов. Определена роль дефектов структуры поверхности скола в процессе водородно-плазменной модификации ее морфологии, с самоорганизацией наноразмерных кристаллических пирамидальных кластеров. Рассчитаны энергетические параметры нанокластеров висмута, указывающие на переход «полуметалл-полупроводник». Дана оценка количества атомов в кластере, при котором наступает бесщелевое состояние. Полученные данные могут быть полезны при создании веществ и материалов с прогнозируемыми свойствами.

Основные положения выносимые на защиту:

1. Скалывание по плоскости совершенной спайности монокристалла висмута при комнатной температуре приводит к появлению отщепленных микро- и нанотеррас с углом наклона 2.7° к плоскости (111), что обусловлено двойникованием в результате пластической деформации, исчезающим при скалывании после охлаждения в жидком азоте.

2. Обработка поверхности скола (111) монокристалла висмута холодной водородной плазмой вызывает самоорганизацию комплекса пирамидальных микро- и нановыступов, с угловыми параметрами характерными для кристаллической решетки висмута. Формирование системы микро- и нановыступов обусловлено террасированной и дислокационной морфологией исходной поверхности скола монокристалла висмута.

3. В результате квантово-химического моделирования определены геометрические параметры и энергетические характеристики нанокластеров висмута, зависящие от количества содержащихся в них атомов, увеличение которого до величины ~103 приводит к переходу из полупроводникового в полуметаллическое состояние.

Достоверность полученных результатов Достоверность результатов

исследования определяется использованием качественных монокристаллов,

системы основных современных экспериментальных взаимодополняющих

7

методов исследования поверхности (СТМ, АСМ, СЭМ, МГ) и методов квантово-химического моделирования (Н1% О ИТ), многократной повторяемостью результатов эксперимента. Полученные результаты допускают непротиворечивую теоретическую интерпретацию.

Апробация работы Изложенные в диссертации результаты

докладывались на 15, 16, 17 Всероссийских научных конференциях студентов-

физиков и молодых ученых «ВНКСФ-15, 16, 17» (Кемерово - Томск - 2009,

Волгоград - 2010, Екатеринбург - 2011) ), 1-й Всероссийской научной

конференции «Методы исследования состава и структуры функциональных

материалов» - «МИССФМ-2009» (Новосибирск - 2009), 52 и 53 научной

конференции МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных

наук» (Московская обл., г. Долгопрудный - 2009, 2010), Международных

школах-семинарах молодых ученых России и Украины «Методы дискретных

особенностей в задачах математической физики» (Орел - 2009, 2010),

Всероссийской научно-практической конференции «Неравновесные процессы в

природе» (Елец - 2009), Международной научной конференции «Прочность и

разрушение материалов и конструкций» (Оренбург. - 2010), X юбилейной

международной научной конференции «Химия твердого тела: наноматериалы,

нанотехнологии» (Ставрополь - 2010), 50 Международном симпозиуме

«Актуальные проблемы прочности» (Белоруссия, Витебск - 2010), V (XXXVI)

Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и

молодых ученых «Образование, наука, инновации - вклад молодых

исследователей» (Кемерово - 2010), 17 и 18 Международных конференциях

студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов-2010, 2011» (Москва -

2010, 2011), XI Всероссийской молодежной школе-семинаре по проблемам

физики конденсированного состояния вещества «СПФКС-11» (Екатеринбург -

2010), 13-й научной молодежной школе по твердотельной электронике «Физика

и технология микро- и наносистем» (Санкт-Петербург - 2010), Международной

конференции «Структурные основы модификации материалов» - «МНТ-Х1»

(Обнинск 2011), IX Международной конференции «Взаимодействие излучения

8

с твердым телом» - «ВИТТ-2011» (Белоруссия, Минск, 2011), 2-й Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы химической науки, практики и образования». (Курск - 2011), 51 Международной конференции Актуальные проблемы прочности (Харьков -2011), , IV Всероссийской конференции по наноматериалам «НАН02011» (Москва - 2011), XLVII Всероссийской конференции по проблемам физики частиц, физики плазмы и конденсированных сред, оптоэлектроники (Москва -2011), V школе-семинаре молодых ученых «Квантово-химические расчеты: структура и реакционная способность органических и неорганических молекул» (Иваново - 2011).

Личный вклад автора В диссертации изложены результаты, полученные как лично автором под научным руководством Маркова О.И., так и в сотрудничестве с Грибановым E.H. (квантово-химические расчеты), Коростелевым Д.А. (плазменная обработка), Корчагиным П.С. (металлографические исследования). Подготовка эксперимента, обработка и интерпретация полученных экспериментальных данных, построение зависимостей и физических моделей, СТМ-, ЭМ- и АСМ-исследования проводились соискателем самостоятельно. Научным руководителем Марковым О.И. была оказана помощь в планировании эксперимента и построении физических моделей. Монокристаллы висмута для эксперимента предоставлены Марковым О.И.

Соответствие диссертации паспорту научной специальности Диссертационное исследование соответствует п. 3. «Примеси и дефекты в полупроводниках и композитных структурах»; п. 4. «Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, контактные явления»; п. 5. «Электронные спектры полупроводниковых материалов и композиционных соединений на их основе»; п. 17. «Моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и структурах, технологических процессов и полупроводниковых приборов» паспорта специальности 01.04.10 — «Физика полупроводников».

Публикации По результатам исследований автором опубликовано 33 работы, в том числе 6 статей в рецензируемых научных журналах, 27 публикаций в научных изданиях, сборниках материалов и тезисов докладов на Международных, Всероссийских и региональных конференциях.

Структура и объем диссертации Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитированной литературы и приложения. Материал изложен на 129 страницах, содержит 64 рисунка, 10 таблиц и 11 формул. Список литературы содержит 170 наименований.

Во введении обоснована актуальность работы, сформулированы цель, задачи и основные защищаемые положения, раскрыты научная и практическая значимость работы.

В первой главе описаны физические свойства висмута: кристаллическая структура, рост и методы выращивания монокристаллов висмута, модели зонной структуры. Приведены исследования различных типов дефектных особенностей, характерных для кристаллического висмута. Особое внимание уделено экспериментальным и теоретическим исследованиям поверхности и наноструктур висмута и описанию методов квантово-химического моделирования РМЗ, HF и DFT. Так же показана недостаточность исследований наноразмерных структур и поверхности монокристаллов висмута.

Во второй главе описана методика эксперимента. Изложены основные принципы СЗМ (СТМ и АСМ). Представлено описание СТМ- и АСМ-режимов и методика работы. Приведены подобранные параметры сканирования и соответствие измеряемых параметров калибровочной мере. Изложены методы анализа и обработки полученных СЗМ-изображений, включающие в себя специальные фильтрационные процедуры и системы количественного описания. Представлены методы электронной микроскопии и металлографии. Приведено описание экспериментальной установки предназначенной для изучения взаимодействия активных газов с поверхностью твердого тела.

В третьей главе представлены основные экспериментальные результаты работы. В начале главы рассматриваются особенности структуры поверхности монокристаллов висмута различного рода, выявленные в АСМ-, СТМ-, ЭМ-, МГ- исследованиях. Излагаются результаты исследований морфологии поверхности скола после плазменной обработки водородом, в ходе которых выявлены особенности и зависимости структуры поверхности монокристаллов висмута на наноуровне от времени экспозиции с появлением массивов нанокластерных образований, отвечающим кристаллографическим параметрам решетки висмута.

В четвертой главе рассматриваются результаты квантово-химического моделирования (HF, DFT) нанокластеров висмута. Установлены геометрические и энергетические параметры нанокластеров висмута.

В заключении приведены основные результаты диссертационной работы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Хрипунов, Юрий Вадимович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Исследована структура поверхности монокристалла висмута, полученной при электроискровой резке и последующей механической и химической обработке. Получены топографии характерных участков, проанализированы особенности профилей рельефа по глубине, измерена шероховатость. По результатам исследований сделан вывод о целесообразности детального изучения поверхностной морфологии в процессе технологической обработки кристаллов.

2. Установлено, что скалывание монокристалла висмута при комнатной температуре ведет к высокой дефектности поверхности, связанной с пластической деформацией, приводящей к двойникованию. При этом высоты ступеней между террасами составляет от 15 до 70 нм, ширина террас меняется от 13 до 1300 нм Снижение температуры скалывания до температуры кипения жидкого азота позволяет получить менее дефектный скол, на поверхности которого количество террас значительно сокращается, а ширина их соответственно увеличивается до 800 нм - 2.5 мкм. В тоже время высота ступеней между террасами существенно уменьшается до 1.5 - 15 нм.

3. Исследована морфология поверхности монокристаллов висмута, изучены характер и физические основы изменения морфологии поверхности скола монокристалла висмута при плазменной обработке водородом. При этом обнаружено: изменение морфологии поверхности; поверхность монокристалла висмута при плазменной обработке водородом распыляется неоднородно; установлено селективное распыление поверхности кристалла висмута; установлено, что процесс модификации поверхности зависит от длительности обработки; воздействие атмосферы водорода приводит к появлению на поверхности монокристалла висмута ансамбля нановыступов в форме многогранников (и их конгломератов) с треугольным основанием ограненных кристаллографическими плоскостями.

4. Увеличение продолжительности плазменной обработки водородом привело к повышению количества пирамидальных образований с четко выделенными кристаллическими гранями. Углы наклона грани у основания пирамиды 56° и у вершины 20° позволяют заключить, что грани пирамид, образованы плоскостями {100} и {211}. Формирование самоорганизующейся системы нановыступов обусловлено террасированной и дислокационной морфологией исходной поверхности монокристалла висмута.

5. С помощью квантово-химического моделирования установлено, что нанокластеры висмута Вщ, Bil8, Bi50, Bi9%, Bil62 находятся в полупроводниковом состоянии. Показаны закономерности изменения ширины запрещенной (АЕ) и разрешенной зон для каждого метода, на основе которых дана оценка количества атомов для нанокластера, равная по порядку величины 103, при которой происходит переход «полуметалл-полупроводник». Полученные данные коррелируют с известными экспериментальными данными по исследованию тонких пленок висмута. Рассчитаны энергии ионизации и диссоциации для каждого кластера.

6. Полученные в результате самоорганизации наноразмерные структуры на поверхности монокристалла висмута находятся в полупроводниковом состоянии и поэтому могут представлять интерес с точки зрения технологии получения квантовых точек.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Хрипунов, Юрий Вадимович, 2012 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Пул, Ч. - мл. Нанотехнологии [Текст] / Ч. Пул - мл., Ф. Оуэне. - М.: Техносфера, 2009. - 336 с.

2. Драгунов, В. П. Основы наноэлектроники [Текст] / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. - М.: Университетская книга; Логос; Физматкнига, 2006. - 496 с.

3. Воронов, В.К. Физика на переломе тысячелетий: Физические основы нанотехнологий [Текст] / В.К. Воронов, A.B. Подоплелов, Р.З. Сагдеев. - М.: Книжный дом «ЛИБРОКОМ», 2011. - 432 с.

4. Гусев А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии [Текст] / А. И. Гусев. - М.: Физматлит, 2009. - 416 с.

5. Физика низкоразмерных систем [Текст] / А. Я. Шик, Л. Г. Бакуева, С. Ф. Мусихин, С. А. Рыков. - СПб.: Наука, 2001.- 160 с.

6. Киселев, В.Ф. Основы физики поверхности твердого тела [Текст] / В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, A.B. Зотеев. - М.: МГУ, 1999. - 287 с.

7. Введение в физику поверхности [Текст] / К. Оура, В.Г. Лифшиц, A.A. Саранин и др. - М.: Наука, 2006. - 490 с.

8. Погосов, В.В. Введение в физику зарядовых и размерных эффектов. Поверхность, кластеры, низкоразмерные системы [Текст] / В.В. Погосов. - М.: Физматлит, 2006. - 328 с.

9. Имри, Й. Введение в мезоскопическую физику [Текст] / Й. Имри. - М.: Физматлит, 2004. - 304 с.

10. Суздалев, И.П. Нанотехнология: физико-химия кластеров, наноструктур и наноматериалов [Текст] / И.П. Суздалев. - М.: КомКнига, 2006. - 592 с.

11. Semiconductor Nanocrystal Quantum Dots. Synthesis, Assembly, Spectroscopy and Applications [Text] / ed. A. L. Rogach. - Wien: Springer-Verlag, 2008.-372p.

12. Наноструктурные материалы [Текст] / под ред. Р. Ханника, А. Хилл. - М.: Техносфера, 2009. - 488 с.

13. Поздняков, В. А. Физическое материаловедение наноструктурных материалов: Учебное пособие [Текст] / В. А. Поздняков. - М.: МГИУ, 2007. -204 с.

14. Гусев, А.И. Нанокристаллические материалы [Текст] / А.И. Гусев, А.А. Ремпель. - М.: Физматлит, 2001. - 224 с.

15. Родунер, Э. Размерные эффекты в наноматериалах [Текст] / Э. Родунер. -М.: Техносфера, 2010.-352 с.

16. Ihn, Т. Semiconductor Nanostructures. Quantum States and Electronic Transport [Text] / T. Ihn. - Oxford university press, 2010. - 552 p.

17. Фальковский, JI. А. Физические свойства висмута [Текст] / Л. А. Фальковский // УФН. - 1968. - Т. 94. - Вып. 1. - С. 3-41.

18. Эдельман, В. С. Свойства электронов в висмуте [Текст] / В. С.Эдельман // УФН. - 1977. - Т. 123. - Вып. 2 - С. 257-287.

19. Goldsmid, H.J. Bismuth - The Thermoelectric Materials of the Future? [Text] / Goldsmid H.J. // Proceedings of the XXV Int. Conf. on Thermoelectrics. Wien, Austria, 2006. - Wien, 2006. - P.5-10.

20. Goldsmid, H.J. Introduction to Thermoelectricity [Text] / H.J. Goldsmid -Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2010. - 242 p.

21. Остриков O.M. Физические закономерности двойникования при воздействии внешних ортогональных друг другу электрических и магнитных полей, прикладываемых к монокристаллам висмута, облученных ионами бора [Текст] / О.М. Остриков // ЖТФ. - 2000. - Т. 70. - Вып. 12. - С. 39-42.

22. Офицеров, А. В. Исследование электронных свойств поверхности висмута методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии [Текст]: дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.09 / Офицеров Алексей Владиславович. - Москва, 2004. - 120 с.

23. Sun, J. Structural determination of the Bi(110) semimetal surface by LEED

analysis and ab-initio calculations [Text] / J. Sun, A. Mikkelsen, Fuglsang Jensen M.,

112

Y. M. Koroteev, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, D. L. Adams, Ph. Hofmann, K. Pohl // Phys. Rev. В - 2006. - Vol. 74. - P. 245406.

24. Hoffman, C.A. Semimetal-to-Semiconduktor transition in bismuth thin films [Text] / C.A. Hoffman, J.R. Meyer, F.J. Bartoli, A. Di Venere, X.J. Yi, C.L. Hou, H.C. Wang, J.B. Ketterson, G.K. Wong // Phys. Rev. B. - 1993. - Vol. 48. - P.11431-11434.

25. Rogacheva, E.I Quantum size effects and transport phenomena in thin Bi layers [Text] / E.I. Rogacheva, S.G. Lyubchenko, O.N. Nashchekina, A.V. Meriuts, M.S. Dresselhaus //Microelectronics Journal - 2009. - Vol. 40. - P. 728-730.

26. Демидов, E.B. Блочная структура пленок висмута и ее влияние на подвижность носителей заряда [Текст]: дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07: защищена 10.12.2009 / Демидов Евгений Владимирович. - С.-Петербург,.2009. -150 с.

27. Hirahara, Т. Quantum well states in ultrathin Bi films: Angle-resolved photoemission spectroscopy and first-principles calculations study [Text] / T. Hirahara, T. Nagao, I. Matsuda, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, Yu. M. Koroteev, S. Hasegawa // Phys. Rev. В - 2007. - Vol.75, - P. 035422.

28. Huber, Т. E. Electronic transport in a three-dimensional network of one-dimensional bismuth quantum wires [Text] / Т. E. Huber, M. J. Graf // Phys. Rev. В -1999.-Vol. 60.-P. 16880.

29. Scott, Shelley A. Growth of oriented Bi nanorods at graphite step-edges [Text] / Shelley A. Scott, Milo V. Krai, and Simon A. Brown // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 72.-P. 205423.

30. Farhangfar, Shadyar Quantum size effects in a one-dimensional semimetal [Text] / Shadyar Farhangfar // Phys. Rev. В - 2006. - Vol. 74. - P. 205318..

31. Reichel, Ren'e Nano scale cluster devices [Text] // A thesis submitted in partial fulfillment of the requirements for the Degree of Doctor of Philosophy in Physics in the University of Canterbury / Ren'e Reichel. - Christchurch, New Zealand, 2007. -163 p.

32. Szwaski, N.G. Basic elements of crystallography [Text] / N.G. Szwaski, T. Szwaska- Singapore: Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., 2010.- 195 p.

33. Брандт, Н.Б. Исследование эффекта де Гааза-ван Альрена у висмута при сверхнизких температурах [Text] / Н.Б. Брандт, Т.Ф. Долголенко, H.H. Ступоченко //ЖЭТФ -1963. - Т. 45. -Вып. 5. - С.1319-1335.

34. Эдельман, B.C. Форма электронной поверхности Ферми висмута [Текст] / B.C. Эдельман // ЖЭТФ - 1973, - Т. 64, - №5. - С. 1734-1745.

35. Брандт, Н.Б. Исследование квантовых осциляций магнитной восприимчивости висмута при сверхнизких температурах [Текст] / Н.Б. Брандт, А.Е. Дубровская, Г.А. Кытин // ЖЭТФ - 1959. - Т. 37. - Вып. 2. С.572-574.

36. Mase, S. Electronic structure of Bismuth Type Cristals [Text] / S. Mase // J. Phys. Soc. Japan - 1958. - Vol. 13. - P.434-445.

37. Fereira, L.G. Relativistic Band Structure calculation for bismuth [Text] / L.G. Fereira//J.Phys.Chem.Solids - 1967. - Vol. 28. - No. 10. - P.1891-1902.

38. Fereira, L. G., Band structure calculation for bismuth: Comparison with experiment [Text] / L. G Fereira. // J. Phys. Chem. Solids. - 1968. - Vol. 29. - No. 2. -P. 357-365.

39. Golin, S. Band structure of bismuth: Pseudopotential approach [Text] / S. Golin // Phys. Rev. - 1968. - Vol. 166. - No. 3. - P. 643-651.

40. Xu, J. H. A tight-binding theory of the electronic structures for rhombohedral semimetals [Text] / J.H. Xu, E.G. Wang, C.S. Ting, W.S. Su //Phys. Rev. В - 1993. -Vol. 48.-P. 17271.

41. Liu, Y. Electronic structure of the semimetals Bi and Sb [Text] / Y. Liu, R.E. Allen//Phys. Rev. В - 1995. - Vol. 52. - P. 1566-1577.

42. Фальковский, JI.A. Электроны и дырки в висмуте [Текст] / Л.А. Фальковский, Г.С. Разина // ЖЭТФ - 1965. - Т. 49. - Вып. 1(7). - С. 265-274.

43. Абрикосов, A.A. Некоторые вопросы теории полуметаллов [Текст] / A.A. Абрикосов // ЖЭТФ - 1973. - Т. 65. - Вып. 5. - С. 2063-2074.

44. Волков, Б.А. Электронная структура полуметаллов группы V [Текст] / Б.А. Волков, Л.А. Фальковский // ЖЭТФ - 1983. - Т. 85. - Вып. 6. - С. 21352151.

45. Lax, В.Band Structure of Indium Antimonide [Text] / B. Lax // Rev. of Mod. Phys. - 1958. - Vol. 30. - № 1. - P.122-154.

46. Cohen, M.H. Energy bands in the bismuth structure. I. A nonellipsoidal model for electrons in Bismuth [Text] / M.H. Cohen // Phys. Rev. - 1961. - Vol. 121. - P. 387-395.

47. McClure, J.W. The energy band model for bismuth: Resolution of a theoretical discrepancy [Text] / J.W. McClure // J. Low Temp. Phys. - 1976. - Vol. 25. - No. 5-6.-P. 527-540.

48. McClure, J.W. Energy band model and properties of electrons in bismuth / J. W. McClure, К. H. Choi // Sol. St. Commun. - 1977. - Vol. 21. - No. 11. - P. 1015-1018.

49. Шувалов Л.А.Современная кристаллография [Текст]: в 4-х томах / Л. А. Шувалов, А. А. Урусовская, И. С. Желудев, А. В. и др.; АН СССР, ин-т Кристаллографии им. А. В. Шубникова, М., Наука. 1981.- 496с. - 4т.

50. Физическое металловедение [Текст] / Под ред. Р. Кана. - Вып. 3. -М.:Мир, 1968.-427 с.

51. Келли, А. Кристаллография и дефекты в кристаллах [Текст] / А. Келли, Г. Гровс; пер. с англ. С. Н. Горина, О. М. Кугаенко, В. С. Савченко, науч. ред. М. П. Шаскольская. - М.: Мир, 1974. - 496с.

52. Солдатов В.П. Об упругом двойниковании кристаллов висмута [Текст] / В. П. Солдатов, В. И. Старцев // ФТТ - 1964. - Вып.6. -№6. -С. 1671-1674.

53. Блочная структура кристаллов висмута, сурьмы и сплавов системы висмут-сурьма, выращенных методом зонной перекристаллизации [Текст] / В. М. Грабов, Г. А. Иванов, В. Л. Налетов и др. // Известия АН СССР. - 1982. -Т.18. - №1. - С. 33-37.

54. Физика полуметаллов и низкоразмерных структур на их основе [Текст]: учебное пособие / В. М. Грабов, В. А. Комаров, И. И. Худякова, В. А. Яковлева. - СПб.: Изд-во РГПУ им. А.И. Герцена, 2011. - 293с.

55. Панкин, C.B. Механическое двойникование кристаллов типа висмута [Текст] / C.B. Ланкин, Ю.Т. Левицкий. - Благовещенск: АмурКНИИ ДВО РАН, 1996. - 26с.

56. Солдатов, В.П. О равновестной форме двойника, затормозившегося у препятствия [Текст] / В.П. Солдатов, В.И. Старцев // Доклады АН СССР. 1966. -Т.166. -№3. -С.588-591.

57. Косевич, A.M. Дислокации в теории упругости (влияние дислокаций на механические свойства кристаллов) [Текст] / A.M. Косевич. - Киев: Наук. Думка, 1978.-220 с.

58. Лаврентьев Ф.Ф. Взаимодействие дислокаций в цинке, висмуте и сурьме при двойниковании [Текст] / Ф.Ф. Лаврентьев // Физика металлов и металловедение. - 1964. - Т. 18. - Вып.З - С. 429-436.

59. Готтштайн, Г. Физико-химические основы материаловедения [Текст] / Г. Готтштайн; пер. с англ. под ред. В. П. Зломаного. - М.: БИНОМ, Лаборатория знаний, 2009. - 400 с.

60. Судзуки, Т. Динамика дислокаций и пластичность. [Текст] / Т. Судзуки, X. Ёсинага, С. Такеути; пер. с яп. А. В. Хачояна; под ред. Ю. А. Осипьяна, Р. А. Варданяна. - М.: Мир, 1989. - 296 с.

61. Чернобай, В. И. Идеальная и дислокационная структура кристаллов висмута [Текст] / В.И. Чернобай, Г. А. Иванов, Г. Б. Багдуев, Т. В. Чернобай // Полуметаллы и полупроводники: сб. науч. тр. / ЛГПИ им. А.И. Герцена -Ленинград, 1975. - С.37-43.

62. Любалин, М.Д. Рост кристаллов в расплаве. Кристаллографический анализ и эксперимент [Текст] / М.Д. Любалин. - СПб.: Наука, 2008. - 391 с.

63. Пунин, Ю. О. Авто деформационные дефекты кристаллов [Текст] / Ю. О. Пунин, А. Г. Штукенберг. - СПб.: Изд-во С.-Петерб. Ун-та, 2008. - 318с.

64. Косевич, A.M. Образование дислокаций при расколе кристалла висмута по плоскости спайности [Текст] / А. М. Косевич // Кристаллография. - 1962. - Т. 7.-Вып. 1.-С. 97-102.

65. Трояновский, А. М. Амплитуда атомной гофрировки поверхности скола висмута, измеренная сканирующим туннельным микроскопом [Текст] / А. М. Трояновский, B.C. Эдельман // Письма в ЖЭТФ. - 1994. - Т. 60. - Вып. 4. - С. 285-289.

66. Трояновский, А. М. Образование атомно гладких террас при сколе кристалла висмута и динамика их границ [Текст] / А. М. Трояновский, В. С. Эдельман // Письма в ЖЭТФ. - 1994. - Т. 60. - Вып. 2. - С. 104-108.

67. Трояновский, А. М. Сканирующая туннельная микроскопия поверхности скола висмута [Текст] / A.M. Трояновский, B.C. Эдельман // Кристаллография. -1999. - Т. 44. - №. 2. - С. 336-346.

68. Хайкин, М. С. Изготовление монокристаллов легкоплавких металлов [Текст] / М. С. Хайкин, С. М. Черемисин, В. С. Эдельман // ПТЭ. - 1970. - №4. -С.225-227.

69. Эдельман, В. С. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия атомно-чистой поверхности висмута [Текст] / В. С. Эдельман // УФН. - 2005. -Т.175. - №10 - С. 1111-1115.

70. Mönig, H. Structure of the (111) surface of bismuth: LEED analysis and first-principles calculations [Text] / H. Mönig, J. Sun, Yu. M. Koroteev, G. Bihlmayer, J. Wells, E. V. Chulkov, K. Pohl and Ph. Hofmann // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 72. -P. 085410.

71. Офицеров, А. В. Исследование спектра поверхностных состояний в висмуте методом сканирующей туннельной спектроскопии [Текст] / А. В. Офицеров, В. С. Эдельман // ЖЭТФ. - 2001. - Т. 120. - Вып. 3(9). - С. 731-739.

72. Трояновский, A.M. Неоднородные электронные состояния у поверхности скола висмута [Текст] / А. М. Трояновский, В. С. Эдельман // ЖЭТФ. - 1999. -Т.115. - Вып. 6. - С. 2214-2227.

73. Sondergaard C.S. An investigation of surface electronic structure and electron-phonon interaction by photoemission spectroscopy [Text]: Ph.D. thesis / Sondergaard Christian Skou - Institute for Storage Ring Facilities University of Aarhus, Denmark, 2001.- 136p.

74. Koroteev, Yu. M. Strong Spin-Orbit Splitting on Bi Surfaces [Text] / Yu. M. Koroteev, G. Bihlmayer, J. E. Gay one, E. V. Chulkov, S. Blugel, P. M. Echenique, and Ph. Hofmann // Phys. Rev. Lett. - 2004. - Vol. 93. - P. 046403.

75. Hofmann, Ph. Electronic structure and Fermi surface of Bi (100) [Text] / Ph. Hofmann, J. E. Gayone, G. Bihlmayer, Yu. M. Koroteev, and E. V. Chulkov // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 71. - P. 195413.

76. Kim, Т. K. Evidence against a charge density wave on Bi(lll) [Text] / Т. K. Kim, J. Wells, C. Kirkegaard, Z. Li, S. V. Hoffmann, J. E. Gayone, I. Fernandez-Torrente, P. Haberle, J. I. Pascual, К. Т. Moore, A. J. Schwartz, H. He, J. С. H. Spence, К. H. Downing, S. Lazar, F. D. Tichelaar, S. V. Borisenko, M. Knupfer, and Ph. Hofmann // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 72. - P. 085440.

77. Chu, H. T. Comment on "Semimetal-to-semiconductor transition in bismuth thin films" [Text] / H. T. Chu // Phys. Rev. B. - 1993. - Vol. 51. - No. 8. - P. 55325534.

78. Shick, A. B. Electronic structure, phase stability, and semimetal-semiconductor transitions in Bi [Text] / A. B. Shick, J. B. Ketterson, D. L. Novikov, A. J. Freeman // Phys. Rev. B. - 1999. -Vol. 60.-No. 23.-P. 15484-15487.

79. Грабов, В. M. Атомно-силовая микроскопия пленок висмута [Текст] / В. М. Грабов, Е. В. Демидов, В. А. Комаров // ФТТ. - 2008. - Т. 50. Вып. 7. - С. 1312-1316.

80. Грабов, В. М. Сканирующая зондовая микроскопия поверхности кристаллов и пленок висмута [Текст] / В. М. Грабов, Е. В. Демидов, В. А. Комаров, Климантов М. М. // Сб. материалов Всероссийской научно-практической конференции / Чита, 2009. - Чита: ЗабГГПУ, 2009. - С. 17-23.

81. Грабов, В. М. Атомно-силовая микроскопия декорированных

оксидированием дефектов пленок висмута [Текст] / В. М. Грабов, Е. В.

118

Демидов, В. А. Комаров, М. М. Климантов // ФТТ. - 2009. - Т. 51. - Вып. 4. - С. 800-802.

82. Yaginuma, Shin Electronic Structure of Ultrathin Bismuth Films with A7 and Black-Phosphorus-like Structures [Text] / Yaginuma Shin, Katsumi Nagaoka, Tadaaki Nagao, Gustav Bihlmayer, Yury M. Koroteev, Eugene V. Chulkov, and Tomonobu Nakayama // J. Phys. Soc. Jpn. - 2008. - Vol. 77. P. 014701.

83. Dresselhaus, M. S. Nanowires [Text] / M. S. Dresselhaus, Y. M. Lin, O. Rabin, M. R. Black, G. Dresselhaus // Springer Handbook of Nanotechnology / ed. Bharat Bhushan. - Springer Berlin Heidelberg New York, 2007. P. 113-160

84. Black, M. R. Dresselhaus Infrared absorption in bismuth nanowires resulting from quantum confinement [Text] / M. R. Black, Y.-M. Lin, S. B. Cronin, O. Rabin, and M. S. Dresselhaus // Phys. Rev. B. - 2005. Vol. 65. P. 195417.

85. Black, M. R. Optical absorption from an indirect transition in bismuth nanowires [Text] / M. R. Black, P. L. Hagelstein, S. B. Cronin, Y. M. Lin and M. S. Dresselhaus // Phys. Rev. B. - 2003. - Vol. 68. - P. 235417.

86. Nikolaeva, A. Quantum interference of surface states in bismuth nanowires probed by the Aharonov-Bohm oscillatory behavior of the magnetoresistance [Text] / A. Nikolaeva, D. Gitsu, L. Konopko, M. J. Graf, and Т. E. Huber // Phys. Rev. B. -2008. - Vol. 77. P. 075332.

87. Huber, Т. E. Electronic transport in a three-dimensional network of one-dimensional bismuth quantum wires [Text] / Т. E. Huber, M. J. Graf // Phys. Rev. B. - 1999.-Vol. 60.-P. 16880.

88. Khanna, S. N. Atomic clusters: Building blocks for a class of solids [Text] / S. N. Khanna and P. Jena // Phys. Rev. B. - 1995. - Vol. 51. - No. 19. - P. 13705-13716.

89. Цидильковский И.М. Бесщелевые полупроводники - новый класс веществ [Текст] / И.М. Цидильковский. - М.: Наука, 1986. - 240 с.

90. Kubatkin, Sergey Е. Spontaneous Shape Distortion in Quench-Condensed Bismuth Clusters below 8 К [Text] / Sergey E. Kubatkin, Andrey V. Danilov, Hakan Olin and T. Claeson // Phys. Rev. Lett. - 2000. - Vol. 84. - No. 25. P. 5836-5839.

91. Ikemoto, H. Phase transitions of bismuth clusters [Text] / H. Ikemoto, T. Miyanaga, T. Kiuchi // J. of Non-Crystalline Solids. - 2007. - Vol. 353.- P. 33943398.

92. Грибов, JI. А. Модели, математика и понятие точности в квантовой химии [Текст] / Л. А. Грибов // РХЖ. - 2005. - Т. XLIX. - №2. - С. 137-142.

93. Степанов, Н. Ф. Квантовая механика и квантовая химия [Текст] / Н. Ф. Степанов. - М.: Мир, 2001. - 519 с.

94. Минкин, В. И. Теория строения молекул [Текст] / В. И. Минкин, Б. Я. Симкин, Р. М. Миняев. - Ростов-на-Дону: «Феникс», 1997. - 560 с.

95. Sholl, D. S. Density functional theory : a practical introduction [Text] / D. S. Sholl, J. Steckel. - Hoboken, New Jersey: John Wiley & Sons, Inc., 2009. - 238 P.

96. Becke, A. D. Density-functional exchange-energy approximation with correct asymptotic behavior [Text] / A. D. Becke // Phys. Rev. A. - 1988. - Vol. 38. - No. 6. -P. 3098-3100.

97. Becke, A. D. Density - functional thermochemistry III. The role of exact exchange [Text] / A. D. Becke // J. Chem. Phys. - 1993. - Vol. 98. - No. 7. - P. 5648 -5652.

98. Lee, C. Development of the Colle- Salvetti correlationenergy formula into a functional of the electron density [Text] / C. Lee, W. Yang, R.G. Parr // Phys. Rev. B. - 1988. - Vol. 37. - No. 2. - P. 785 - 789.

99. Миронов, В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии [Текст] / В. Л. Миронов - Н.-Новгород: РАН. Институт физики микроструктур, 2004. - 115 с.

100. Binnig, G. Scanning tunneling microscopy [Text] / G. Binnig, H. Rohrer // Helv. Phys. Acta. - 1982. - Vol. 55. - No. 6. - P. 726-735.

101. Binnig, G. Atomic-forse microscope [Text] / G. Binnig, C. F. Quate, Ch. Gerber // Phys. Rev. Lett. - 1986. - Vol. 56. - No. 9. - P. 930-933.

102. Быков В. А.. Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхности [Текст]: Дисс ... д. т. н.: 05.27.01,

01.04.01: защищена 13.09.2000 / Быков Виктор Александрович. - М.: Гос. НИИФП, 2000. - 393 с.

103. Логинов, Б. А. Сканирующая туннельная и атомно-силовая микроскопия [Текст]: учебное методическое пособие. / Б. А. Логинов. - М.: ГОУ МИФИ (ГУ), 2008. - 92 с.

104. Хрипунов, Ю. В. Методика исследования поверхности скола монокристаллов висмута с помощью сканирующей туннельной микроскопии [Текст] / Хрипунов Ю. В. // Вестник науки: сб. статей / ОГУ - Орёл, 2009. -Вып. 8.-С. 110-114.

105. Хрипунов, Ю. В. Методика исследования поверхности монокристаллов висмута с помощью атомно-силовой микроскопии [Текст] / Хрипунов Ю. В. // Вестник науки: сб. статей / ОГУ - Орёл, 2010. - Вып. 9. - С. 168-172.

106. Хрипунов Ю. В. Атомно-силовая и сканирующая туннельная микроскопии поверхности кристаллов на мультимикроскопе СММ-2000 [Текст] / Хрипунов Ю. В. // Вестник науки: сб. статей / ОГУ - Орёл, 2010. - Вып. 10. -С. 179-183.

107. Хрипунов, Ю. В. Использование Фурье-преобразования для анализа поверхности монокристалла висмута [Текст] / Ю. В. Хрипунов // Труды Международных школ-семинаров Методы дискретных особенностей в задачах математической физики / Орел, Россия, 2009 - Орел: ОГУ, 2009. - Вып. 7. - С. 113-117.

108. Кузькин, В. И. Обработка и анализ изображений в сканирующем зондовом микроскопе СММ-2000 [Текст]: учебное пособие. / В. И. Кузькин, Б. Г. Львов, А. В. Николаевский. - М.: Моск. Гос. Ин-т электроники и математики, 2009. - 20 с.

109. Криштал, М. М. Ульяненков А. Г. Сканирующая электронная микроскопия и рентгеноспектральный микроанализ в примерах практического приминения [Текст] / М. М. Криштал, И. С. Ясников, В. И. Полунин, А. М. Филатов. - М.: Техносфера, 2009. - 208 с.

110. Пантелеев, В. Г. Компьютерная микроскопия [Текст] / В. Г. Пантелеев, О. В. Егорова, Е. И. Клыкова. - М.: Техносфера, 2005. - 304 с.

111. Чупрунов, Е. В. Кристаллография [Текст] / Е. В. Чупрунов, А. Ф. Хохлов, М. А.Фадеев. -М.: Изд-во Физ.-мат. лит-ры, 2000. - 496 с.

112. Сангвал, К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение [Текст] / К. Сангвал; пер. с англ. А. В. Быстрицкий, Т. И. Маркова. - М.: Мир, 1990.-492 с.

113. Амеликс, С. Методы прямого наблюдения дислокаций [Текст] / С. Амеликс; пер. с англ. В. М. Кардонского - М.: Мир, 1968. - 440 с.

114. Брандон, Д. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля [Текст] / Д. Брандон, У. Каплан; пер. с англ. под ред. С. JI. Баженова. -М.: Техносфера, 2004. - 377 с.

115. Лаборатория металлографии [Текст] / Е. В. Панченко, Ю. А. Скаков, К. В. Попов и др.; под ред. Б. Г. Лившица. - М.: Металлургиздат, 1957. - 696 с.

116. Хрипунов, Ю. В. Методика исследования поверхности кристаллов висмута методами металлографии [Текст] / Ю. В. Хрипунов, П. С. Корчагин // Вестник науки: сб. статей / ОГУ - Орёл, 2010. - Вып. 10. - С. 184-188.

117. Луке, Г. Экспериментальные методы в неорганической химии [Текст] / Г. Луке; пер. с немец. Н. С. Афонского, Л. М. Михеевой под ред. В. И. Спицина, Л. Н. Комиссаровой. - М.: Мир, 1965. - 654 с.

118. Роберте, М. Химия поверхности раздела металл-газ [Текст] / М. Роберте, Ч. Макки ; пер. с англ. И. В. Важениной ; под ред.М. В. Грязнова. - М.: Мир, 1981.-539 с.

119. Харламов, В. Ф. Химическая эмиссия электронов и фотонов с поверхности кристаллофосфоров [Текст]: автореф. дис. на соиск. учен. степ, докт. физ.-мат. наук (01.04.04) / Харламов Владимир Федорович. -Новосибирск, 1990. - 31 с.

120. Макушев, И. А. Формирование «пакета» радикалов с короткой длительностью фронта нарастания их концентрации в газовой среде над

поверхностью твердого тела [Текст] / И. А. Макушев, А. В. Бармин, В. Ф. Харламов, К. М. Ануфриев, М. И. Быковский // ПТЭ. - 2003. - № 1. - С. 1 - 2.

121. Марков, О. И. Неразрушающий контроль состава и качества монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма [Текст] / О. И. Марков // Контроль. Диагностика.- 2007.- №2.- С. 69-72.

122. Марков О.И. Контроль качества ветвей термоэлементов на основе твердых растворов висмут-сурьма [Текст] / О. И. Марков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2007. - № 6. - С. 61-63.

123. Марков О.И. Контроль состава ветвей термоэлементов на основе монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма [Текст] / О. И. Марков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2008. - № 4. - С. 4446.

124. Марков О.И. Контроль концентрации донорной примеси в «-ветви термоэлемента на основе монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма [Текст] / О. И. Марков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2010. - №3. - С. 42-44.

125. Gaussian 03 / Frisch M.J., Trucks G.W., Schlegel H.B.and etc. - Gaussian 03, Revision B-03. Gaussian, Inc., - Pittsburgh, PA, 2003. - [Электронный ресурс]: режим доступа: http://www.gaussian.com, свободный.

126. Chemcraft - Graphical program for visualization of quantum chemistry computations [Электронный ресурс]: Сайт разработчиков - Режим доступа: http://www.chemcraftprog.com/, свободный.

127. Stevens, W. J Relativistic compact effective potentials and efficient shared-exponent basis sets for the third-, fourth- and fifth-row atoms [Text] / W. J. Stevens, M. Krauss, H. Basch, P. G. and Jasien // Can. J. Chem. - 1992. - Vol. 70. - No. 2. -P. 612-630.

128. Хрипунов, Ю. В. Авто деформация кристаллов висмут-сурьма [Текст] / Ю. В. Хрипунов, П. С. Корчагин // Материалы 17 Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых «ВНКСФ-17» /

Екатеринбург, Россия, 2011. - Екатеринбург, 2011. - Т. 1. - С. 606-607.

123

129. Корчагин, П. С. Автодеформационные дефекты монокристаллов висмут-сурьма [Текст] / П. С. Корчагин, О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов // Учёные записки Орловского государственного университета. - 2011. - № 3(41). - С. 6166.

130. Корчагин, П. С. Исследование дефектов на поверхности монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма [Текст] / П.С. Корчагин, О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов // Учёные записки Орловского государственного университета. -2011.-№5 (43).-С. 173-179.

131. Хрипунов, Ю. В., Об особенностях структуры поверхности монокристалла висмута [Текст] / Ю.В. Хрипунов, О.И. Марков // Альманах современной науки и образования. - 2009. - №12(31). - Ч. 1. - С.138-141.

132. Аношина, О. В. Особенности дефектообразования на поверхности монокристалла висмута [Текст] / О. В. Аношина, П. С. Корчагин, О.И. Марков, А. В. Сорокин, Ю. В. Хрипунов // Научный журнал «Молодой ученый». -2010. -Т. 1. - №5(16). - С.22-26.

133. Хрипунов, Ю. В. Атомно-силовая микроскопия поверхности монокристаллов висмута/ Ю. В. Хрипунов [Текст] // Материалы 16 Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых «ВНКСФ-16» / Екатеринбург-Волгоград, Россия, 2010. - Екатеринбург-Волгоград, 2010.-Т. 1.-С. 771-772.

134. Марков, О.И. Диагностика структуры поверхности, полученной при электроискровой резке монокристаллов висмута [Текст] / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Тезисы докладов I Всероссийской научной конференции «Методы исследования состава и структуры функциональных материалов» / Новосибирск, Россия, 2009. - Новосибирск, 2009. - С. 275.

135. Марков, О.И. Контроль поверхности кристалла висмута после технологической обработки [Текст] / О.И.Марков, Ю.В.Хрипунов // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2011. - №8. - С.56-59.

136. Марков, О.И. Особенности структуры поверхности кристаллов висмута

после химического травления [Текст] / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов, E.H.

124

Грибанов // Сборник статей 2-й международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы химической науки, практики и образования» /Курск, Россия, 2011. - Курск: ЮЗГУ, 2011. - С. 124-127.

137. Хрипунов, Ю.В. Исследование модификации структуры слоев поверхности монокристалла висмута [Текст] / Ю.В. Хрипунов, О.И. Марков // Материалы VI Международной конференции «Прочность и разрушение материалов и конструкций» / Оренбург, Россия, 2010. - Оренбург: ОГУ, 2010. -С. 395-401.

138. Хрипунов, Ю.В. Поверхность монокристалла висмута после различных видов обработки [Текст] / Ю.В. Хрипунов // Материалы V (XXXVII) Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Образование, наука, инновации - вклад молодых исследователей» / Кемерово, Россия, 2010. - Кемерово, 2010. - Вып. 11. - Т. 2. -С. 641-645.

139. Марков, О. И. АСМ исследование поверхности кристалла висмута после технологической обработки [Текст] / О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов // Инженерная физика. -2011. - № 5. - С. 20-24.

140. Хрипунов Ю.В. Топология поверхности скола монокристалла висмута [Текст] / Ю.В. Хрипунов // Материалы 15 Всероссийской научной конференци студентов-физиков и молодых ученых «ВНКСФ-15»/ Кемерово-Томск, Россия, 2009. - Кемерово-Томск, 2009. - С. 784.

141. Хрипунов, Ю.В. Исследование поверхности монокристалла висмута сканирующим туннельным микроскопом [Текст] / Ю.В. Хрипунов, О.И. Марков // Учёные записки Орловского государственного университета. - 2009. -№2(32). - С.27-37.

142. Хрипунов, Ю. В. Исследование структуры поверхности скола

монокристалла висмута с помощью атомно-силовой микроскопии [Текст] / Ю.

В. Хрипунов // Тезисы докладов XI Всероссийской молодежной школы-

семинара по проблемам физики конденсированного состояния вещества

«СПФКС-11» / Екатеринбург, Россия, 2010. - Екатеринбург, 2010. - С. 173.

125

143. Марков, О.И. Разрушение монокристалла висмута посредством скола [Текст] / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Материалы 50-го международного симпозиума «Актуальные проблемы прочности» / Витебск, Белоруссия, 2010. -Витебск: УО «ВГТУ», 2010. - Ч. 2. - С. 147-149.

144. Марков, О.И. Некоторые аспекты металлографических исследований монокристаллов висмут-сурьма [Текст] / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Учёные записки Орловского государственного университета. - 2010. - №4(38). -С.27-32.

145. Хрипунов, Ю.В. Исследование дислокационных структур поверхности кристаллов висмута [Текст] / Ю.В. Хрипунов, О.И. Марков // Труды 53 научной конференции МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук» / Москва, Россия, 2010. - М.:МФТИ, 2010. - 4.5. - С.195-196.

146. Марков, О.И. Определение направлений дислокаций в монокристаллах висмута по ямкам травления [Текст] / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Материалы 51 Международной конференции «Актуальные проблемы прочности» / Харьков, Украина, 2011. - Харьков, 2011. - С. 351.

147. Черныш, В. С. Формирование нанорельефа при ионном облучении поверхности германия и кремния [Текст] / В. С. Черныш, А. С. Патракеев, Е. С. Солдатов, Д. В. Петров, С. В. Алышев // Поверхность. - 2007. - № 12. - С. 25-29.

148. Жавжаров, Е. Л. Воздействие атомарного водорода на свойства кристаллов элементарных полупроводников / Е. Л. Жавжаров, В. М. Матюшин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -2004. - №12. - С. 36-39.

149. Зимин, С. П., Морфология поверхности эпитаксиальных пленок РЬх_х Еих8е после плазменной обработки [Текст] / С. П. Зимин, Е. С. Горлачев, М. Н. Герке, С. В. Кутровская, И. И. Амиров // Изв. ВУЗов. Физика. - 2007. - Т. 50. -№11.-С. 90-93.

150. Хрипунов, Ю.В. Влияние выдержки в атмосфере водорода на

поверхность монокристалла висмута [Текст] / Ю.В. Хрипунов // Труды 52-й

всероссийской научной конференции МФТИ «Современные проблемы

126

фундаментальных и прикладных наук» / Москва-Долгопрудный, Россия, 2009. -Москва-Долгопрудный: МФТИ, 2009. -Ч. 5. - Т. 1. - С.79-82.

151. Хрипунов, Ю.В. Реструктуризация поверхности среза кристалла висмута в атмосфере водорода [Текст] / Ю.В. Хрипунов, О.И. Марков // Учёные записки Орловского государственного университета. - 2009. - №4(34). - С. 11-15.

152. Марков, О. И. Восстановительные процессы на поверхности монокристалла висмута в атмосфере водорода [Текст] / О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов // Материалы X юбилейной международной научной конференции «Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии» / Ставрополь, Россия,

2010. - Ставрополь: СевКавГТУ, 2010. - С. 332-334.

153. Хрипунов, Ю.В. Исследование поверхности монокристалла висмута после обработки молекулярным и атомарным водородом [Текст] / Ю.В. Хрипунов, О.И. Марков, Д.А. Коростелев // Учёные записки Орловского государственного университета. - 2010. - №2(36). - С. 64-70.

154. Хрипунов Ю. В. Исследование воздействия газовой среды водорода на поверхность монокристалла висмута [электронный ресурс] / Ю. В. Хрипунов // Материалы докладов XVII Международная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов» / Москва, Россия, 2010 - Электронные данные - .М.:МГУ, 2010.-1 эл. опт. диск (CD- ROM).

155. Хрипунов, Ю. В. Процессы реорганизации структуры поверхности монокристалла висмута [Текст] / Ю. В. Хрипунов, E.H. Грибанов // Тезисы докладов 13-й научной молодежной школы по твердотельной электронике «Физика и технология микро- и наносистем» /С.-Петербург, Россия, 2010. - С.-Пб.: ЛЭТИ, 2010.-С. 85.

156. Марков, О. И. Исследование влияния плазмы водорода на поверхность монокристаллов висмута [Текст] / О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов, Д. А. Коростелев, Е. Н. Грибанов // Тезисы докладов XLVII Всероссийской конференции по проблемам физики частиц, физики плазмы и конденсированных сред, оптоэлектроники / Москва, Россия, 2011. - М.: РУДН,

2011.-С. 29-31.

157. Хрипунов, Ю.В. Формирование наноструктур висмута под действием плазмы водорода [электронный ресурс] / Ю.В. Хрипунов, Д.А. Коростелев // Материалы докладов XVIII Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов» / Москва, Россия, 2011 Электронные данные - .М.:МГУ, 2011. - 1 эл. опт. диск (CD- ROM).

158. Марков, О.И.Эффект самоорганизации структур при облучении атомарным водородом [Текст] / О.И. Марков, Ю.В. Хрипунов // Тезисы докладов XI международной конференции Структурные основы модификации материалов «MHT-XI» / Обнинск, Россия, 2011. - Обнинск: ИАТЭ, 2011. - С. 59-64.

159. Марков, О. И. Явление самоорганизации структуры поверхности монокристалла висмута под действием атомарного водорода [Текст] / О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов // Материалы международной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом» / Минск, Белоруссия, 2011. -Минск, 2011.-С. 59-62.

160. Соколов, А. А. Квантовая механика [Текст] / А. А. Соколов, И. М. Тернов. -М.: Наука, 1979.-528 с.

161. Киттель, Ч. Введение в физику твердого тела [Текст] / Ч. Киттель; пер. с англ. изд. А. А. Гусева, А. В. Пахнева, под общ. ред. А. А. Гусева. - М.: Наука, 1978.-792 с.

162. Матюшин В. М. Влияние атомарного водорода на поверхность гетерогенной полупроводниковой структуры [Текст] / В. М. Матюшин, Д. А. Полеха // Поверхность. - 2007. - № Ю. - С. 93-95.

163. Сотников В. М. Эволюция поверхности конуса при ионной бомбардировке [Текст] / В. М. Сотников // Известия РАН. Серия физическая. -2008. - - Т. 72. - № 5. - С. 636-640.

164. Гринвуд, Н. Химия элементов [Текст]: в 2-х томах. / Н. Гринвуд, А. Эрншо; пер. с англ. В.А. Михайлова и др. . - М.:БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. - 607 с. - 1 т.

165. Химическая энциклопедия [Текст]: в 5 томах / ред. И. JI. Кунаянц (гл.) и др. -М.: Советская энциклопедия, 1988. - 623 с. - 1 т.

166. Хрипунов, Ю. В. Квантово-химическое моделирование наноструктур висмута [Текст ] / Ю. В. Хрипунов, О. И. Марков, Е. Н. Грибанов // Труды Международных школ-семинаров «Методы дискретных особенностей в задачах математической физики» / Орел, Россия, 2010. - Орел: ОГУ, 2010. - С.110-114.

167. Хрипунов, Ю.В. Моделирование нанокластеров висмута квантово-химическими методами [Текст] / Ю.В. Хрипунов, О.И. Марков, E.H. Грибанов // Сб. материалов IV Всероссийской конференции по наноматериалам «НАНО-2011» / Москва, Россия, 2011. -М.: ИМЕТ РАН, 2011. - С. 136.

168. Хрипунов, Ю.В. Определение параметров наноструктур висмута с помощью квантово-химического моделирования [Текст] /Ю.В. Хрипунов, E.H. Грибанов // Сборник статей V школы-семинара молодых ученых «Квантово-химические расчеты: структура и реакционная способность органических и неорганических молекул» / Иваново, Россия, 2011. - Иваново, 2011. - С. 240243.

169. Грибанов, Е. Н. Когда висмут становится полуметаллом? [Текст] / Грибанов Е. Н., Марков О. И., Хрипунов Ю. В. // Российские нанотехнологии. -2011.-№9-10.-С. 89-91.

170. Грибанов, Е. Н. Квантово-химическое моделирование кластеров висмута [Текст] / Е. Н. Грибанов, О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов: сб. науч. тр. / ТГУ - Тверь, 2011. - Вып. 3. - С.27-32.

БЛАГОДАРНОСТИ

Автор работы выражает благодарность своему научному руководителю профессору Маркову Олегу Ивановичу за чуткое руководство, понимание, внимание, терпение и продуктивные дискуссии на протяжении всей работы над диссертацией; своим друзьям и коллегам Грибанову Евгению Николаевичу, Коростелеву Дмитрию Александровичу и Корчагину Павлу Сергеевичу за помощь в проведении исследований; профессору Харламову Владимиру Федоровичу за ценные обсуждения и советы; а так же всем тем, кто находился рядом в нужную минуту.