Особенности энерговклада в пространственно ограниченные ВЧ индуктивные источники плазмы низкого давления тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.08, доктор физико-математических наук Кралькина, Елена Александровна

• Кралькина, Елена Александровна
• доктор физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Кралькина, Елена Александровна

Введение

Глава 1. Индуктивный ВЧ разряд низкого давления.

Методы получения и исследования.

1.1. Введение

1.2. Способы получения индуктивного ВЧ разряда.

1.3. Схема устройств, работающих на индуктивном ВЧ разряде без магнитного поля.

1.4. Устройства, работающие на индуктивном ВЧ разряде, помещенном во внешнее магнитное поле

1.5. Эквивалентная электрическая схема разряда.

1.6. Понятие эквивалентного сопротивления.

1.7. Баланс мощности во внешней цепи индуктивного ВЧ разряда.

1.8. Самосогласованная модель индуктивного ВЧ разряда низкого давления.

1.9. Экспериментальные установки и базовые методики измерений.

Глава 2. Исследование поглощения ВЧ мощности плазмой индуктивного

ВЧ разряда низкого давления при отсутствии магнитного поля

2.1. Обзор литературы

2.2. Экспериментальное исследование эквивалентного сопротивления плазмы индуктивного ВЧ разряда низкого давления

2.3. Численное моделирование поглощения ВЧ мощности плазмой индуктивного ВЧ разряда низкого давления

2.4. Сравнение экспериментальных данных с результатами численного моделирования

Глава 3. Исследование поглощения ВЧ мощности плазмой индуктивного ВЧ разряда низкого давления при наличии внешнего магнитного поля

3.1. Обзор литературы

3.2. Экспериментальное исследование эквивалентного сопротивления плазмы индуктивного ВЧ разряда низкого давления, помещенного во внешнее магнитное поле

3.3. Теоретическая модель индуктивных источников плазмы низкого давления с внешним магнитным полем

3.4. Области существования объемных волн

3.5. Резонансы

3.6. Боковая спиральная антенна

3.7. Боковая антенна с продольным током (/=0). Результаты численного моделирования

3.8. Антенны с />0. Результаты численного моделирования

Глава 4. Особенности индуктивного ВЧ разряда низкого давления, горящего в режиме Rpi<Rant

4.1. Особенности индуктивного ВЧ разряда, наблюдаемые при изменении величины магнитного поля

4.2. Особенности индуктивного ВЧ разряда, наблюдаемые при изменении величины мощности ВЧ генератора

4.4. Динамика параметров плазмы и величины поглощенной ВЧ мощности при изменении внешнего магнитного поля

4.5. Влияние эффективного сопротивления антенны на свойства индуктивного ВЧ разряда

4.6. Численное моделирование индуктивного ВЧ разряда. (Самосогласованная модель разряда).

Глава 5. Влияние емкостной составляющей на свойства индуктивного ВЧ разряда

5.1 Методика эксперимента

5.2. Результаты экспериментов

5.3. Самосогласованная модель разряда с независимыми индуктивным и емкостным каналами

5.4. Результаты математического моделирования

5.5. Гибридный разряд

Глава 6. О возможности оптимизации индуктивных источников плазмы низкого давления

6.1. Как выбрать схему источника плазмы и оптимизировать ввод мощности в плазму

6.2. Как получить максимально возможную плотность плазмы в источнике при заданном уровне мощности

6.3. Параметры, влияющие на пространственное распределение плотности плазмы

6.4. Как обеспечить стабильную работу источника плазмы и облегчить поджиг разряда

Глава 7. Разработка перспективных моделей ВЧ источников плазмы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности энерговклада в пространственно ограниченные ВЧ индуктивные источники плазмы низкого давления»

Актуальность темы.

Одним из важнейших вопросов организации плазменного технологического процесса является разработка источников плазмы, обладающих свойствами, оптимальными для данного технологического процесса, например, высокой однородностью, заданными плотностью плазмы, энергией заряженных частиц, концентрацией химически активных радикалов. Анализ показывает, что наиболее перспективными для применения в промышленных технологиях являются индуктивные ВЧ источники плазмы, так как они позволяют получать высокую плотность плазмы при относительно невысоком уровне ВЧ мощности, обрабатывать не только проводящие, но и диэлектрические материалы, использовать в качестве рабочих химически активные газы. В настоящее время известно несколько типов индуктивных источников плазмы: это традиционные индуктивные источники плазмы без магнитного поля, где разряд возбуждается спиральной антенной, а также источники плазмы, усиленные магнитным полем. Очевидно, что развитие ионно-пучковых и плазменных технологий неизбежно приводит к повышению требований к возможностям и параметрам источников плазмы, дает новый толчок к переосмыслению концепций и усовершенствованию устройств. Такая работа может быть выполнена только на основе детального понимания физических процессов, происходящих в индуктивном ВЧ разряде при отсутствии и наличии внешнего магнитного поля. Одной из центральных задач физики источников плазмы является исследование закономерностей энерговклада в плазму разряда и выявление областей параметров плазмы, при которых поглощение ВЧ мощности происходит наиболее эффективно. Индуктивный ВЧ разряд известен уже более ста лет. За эти годы накоплен огромный экспериментальный материал, построен ряд теоретических моделей, проясняющих механизмы поглощения ВЧ мощности. Вместе с тем обзор литературы показывает, что вопрос о закономерностях вложения мощности в пространственно ограниченные индуктивные источники плазмы низкого давления, особенно при наличии магнитных полей, соответствующих условиям возбуждения геликоноподобной и квазипродольной косой ленгмюровской волн, исследован далеко не полностью. Не изучено в полной мере влияние потерь ВЧ мощности во внешней цепи источников плазмы на свойства разряда. Не потерял актуальности и вопрос о роли емкостной составляющей разряда в балансе мощности, поступающей в плазму индуктивного ВЧ разряда. Это означает, что отсутствует последовательная физическая модель пространственно ограниченных индуктивных источников плазмы малой мощности, которая описывала бы физические механизмы поглощения ВЧ мощности в широком диапазоне условий существования плазмы, проясняла бы влияние внешней цепи, а также емкостной составляющей разряда на величину энерговклада в плазму и ее параметры, как при отсутствии, так и при наличии внешнего магнитного поля. Восполнить существующий пробел возможно только опираясь на фундаментальные исследования, т.е. эксперименты и численное моделирование, выполненные в широком диапазоне физических параметров, а также на сопоставление полученных результатов с выводами теоретических моделей. Исследование детальной картины поглощения ВЧ мощности плазмой индуктивного ВЧ разряда позволит создать основу для разработки перспективных моделей технологических источников плазмы.

Целью диссертационной работы является исследование закономерностей вложения мощности в пространственно ограниченные индуктивные источники плазмы низкого давления, нахождение ключевых параметров, позволяющих оптимизировать вложение мощности в плазму индуктивных ВЧ источников низкого давления и разработку перспективной модели источника ионов для технологических приложений.

Достижение указанной цели предполагает решение следующих основных задач:

• выявления доминирующих механизмов, определяющих поглощение ВЧ мощности плазмой пространственно ограниченного индуктивного ВЧ разряда низкого давления без магнитного поля и при наличии внешнего магнитного поля, величина которого соответствует области возбуждения геликоноподобной и квазипродольной косой ленгмюровской волн; изучения особенностей режимов горения индуктивного ВЧ разряда, при которых существенно перераспределение мощности между плазмой и внешней цепью разряда; изучения влияния емкостной составляющей разряда на ввод мощности через индуктивный канал и параметры индуктивного ВЧ разряда низкого давления; построения самосогласованной модели индуктивного ВЧ разряда низкого давления, учитывающего потери ВЧ мощности во внешней цепи разряда и наличие емкостного канала ввода мощности; выявления ключевых факторов, влияющих на эффективность поглощения ВЧ мощности плазмой и выработку рекомендаций, необходимых для разработки перспективных моделей источников плазмы; разработку перспективных источников ионов.

Научная новизна работы состоит в следующем:

Выполнено комплексное, систематическое исследование поглощения ВЧ мощности плазмой пространственно ограниченного индуктивного ВЧ разряда низкого давления без магнитного поля. Выполнены экспериментальные исследования и численное моделирование эффективности поглощения ВЧ мощности плазмой (эквивалентного сопротивления плазмы) при изменении плотности плазмы, давления и рода нейтрального газа, геометрических размеров источников плазмы. Показано, что эффективность поглощения ВЧ мощности (эквивалентное сопротивление плазмы) немонотонно зависит от концентрации электронов вследствие конкуренции двух факторов - роста количества участвующих в поглощении электронов за счет повышения их концентрации и уменьшения количества поглощающих электронов за счет уменьшения ширины скинслоя. При давлении меньшем, чем ІмТор, механизм поглощения мощности носит черенковский характер, при давлениях более ЮОмТор -столкновительный. Росту эффективности поглощения ВЧ мощности способствует увеличение давления нейтрального газа, радиуса источника плазмы и выбор рабочей частоты в соответствии с требуемой плотностью плазмы.

2. Выполнено комплексное, систематическое исследование эффективности и механизмов поглощения ВЧ мощности плазмой пространственно ограниченных индуктивных источников плазмы низкого давления при наличии внешнего магнитного поля. Показано, что в ограниченных источниках плазмы возможно возбуждение объемных, связанных друг с другом геликоноподобной и квазипродольной косой ленгмюровской волн. Область существования объемных волн сужается при уменьшении длины источника плазмы и с ростом давления рабочего газа. При условиях, соответствующих области возбуждения объемных волн, зависимость эффективности поглощения ВЧ мощности плазмой (эквивалентного сопротивления плазмы) от величины магнитного поля носит существенно немонотонный характер. Локальные максимумы эквивалентного сопротивления соответствуют областям резонансного возбуждения геликоноподобной и квазипродольной косой ленгмюровской волн. Поглощение ВЧ мощности плазмой при давлениях менее ЮмТор определяется главным образом поглощением квазипродольной волны, доминирующим механизмом диссипации является бесстолкновительное черенковское поглощение. Рост давления выше ЮмТор приводит понижению роли черенковского механизма поглощения, к сглаживанию зависимости эквивалентного сопротивления от величины магнитного поля и к понижению абсолютных значений эквивалентного сопротивления.

3. Выполнены систематические экспериментальные исследования параметров плазмы индуктивного ВЧ разряда низкого давления. Параметры разряда сопоставлены с величиной мощности, поглощаемой плазмой, при этом выявлен самосогласованный характер режимов разряда, при которых существенны потери во внешней цепи. Показано, что самосогласованный характер разряда проявляется в немонотонном изменении плотности плазмы при изменении величины внешнего магнитного поля, срывах разряда, гистерезисе параметров плазмы при увеличении и уменьшении величин внешнего магнитного поля и мощности ВЧ генератора, насыщении плотности плазмы при увеличении мощности ВЧ генератора.

4. Построена самосогласованная модель индуктивного ВЧ разряда низкого давления, учитывающая затраты ВЧ мощности на нагрев и поддержание плазмы, а также потери во внешней цепи. На основании модели объяснены наблюдавшиеся особенности разряда в источниках плазмы.

5. Выполнено экспериментальное исследование влияния емкостной составляющей разряда на ввод ВЧ мощности через индуктивный канал и параметры плазмы. Показано, что наличие емкостной составляющей разряда приводит к изменению доли мощности, поступающей в разряд через индуктивный канал. Это приводит к уменьшению пороговой мощности, при которой происходит переход из моды разряда с низкой плотностью плазмы в моду с высокой плотностью, более плавному изменению параметров плазмы в области перехода и исчезновению гистерезиса.

6. Построена самосогласованная модель индуктивного ВЧ разряда с независимым емкостным каналом ввода мощности. На основании модели объяснены наблюдавшиеся экспериментальные особенности поведения разряда. Показано, что наличие емкостного канала приводит к увеличению доли мощности, поступающей в плазму через индуктивный канал при условии, что плотность плазмы соответствует области возрастания эквивалентного сопротивления с увеличением концентрации электронов и уменьшению доли мощности, поступающей в плазму через индуктивный канал при условии, что плотность плазмы соответствует области убывания эквивалентного сопротивления.

7. Сформулированы рекомендации по выбору оптимальной схемы рабочего процесса в источниках плазмы в зависимости от назначения и необходимых условий его работы.

8. Разработаны перспективные модели источников ионов для космических и наземных технологий.

Достоверность полученных результатов. Экспериментальные результаты получены на различных экспериментальных установках с привлечением там, где это возможно, нескольких независимых диагностических методик. Полученные результаты сопоставлены с результатами других групп исследователей. Выполнено численное моделирование параметров разряда, которые сопоставлены с экспериментом. Это позволяет считать полученные результаты полностью обоснованными и достоверными.

Практическая значимость работы.

Полученные результаты могут служить:

• для объяснения физических особенностей пространственно ограниченного индуктивного ВЧ разряда низкого давления и построения полной физической модели такого разряда;

• дают возможность оценить влияние внешней цепи индктивного ВЧ разряда и его емкостной составляющей на параметры плазмы;

• являются научной базой при конструировании и выборе оптимальных режимов технологических источников плазмы низкого давления.

Результаты исследований могут быть использованы в следующих организациях: МАИ, МИРЭА, МВТУ им. Э.Баумана, ИВТ РАН, ИОФ РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ЦНИИМаш'е и ряде других.

Апробация работы. Основные результаты были представлены на научных семинарах кафедры физической электроники, Московского авиационного института, ИОФ РАН, университета г.Орлеан (Франция), университета г. Гиссен (Германия), Корейского института науки и технологии, фирмы PROEL (Италия), доложены и обсуждены на ряде международных и национальных конференций, в том числе: на Всесоюзной научно-технической конференции "Методы диагностики двухфазных и реагирующих потоков". Алушта, 1988; на Международных конференциях по явлениям в ионизованных газах (XIX - Belgrade, 1989, XXI -Hoboken USA, 1995, XXIII - Toulouse France, 1997, XXV - Nagoya, Japan, 2001, XXVIII - Prague, Czech Republic, 2007), на Европейской конференции по атомной и молекулярной физике ионизованных газов - ESCAMPIG (XI - St.-Peterburg 1992, XV - Hungary 2000 ), на Международной конференции по физике плазмы и плазменным технологиям (IV- Minsk, Belarus 2003, V - Minsk, Belarus 2006), на Международных конференциях по электрореактивным двигателям (XXIV - Moscow 1995, XXIX - Princeton 2005), на Ломоносовских чтениях по физике на физическом факультете МГУ (2003), на Международных (Звенигородских) конференциях по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу (Звенигород, Россия, 2001, 2003, 2008), X Конференции по физике газового разряда. (Рязань 2000), Российской конференции по физической электронике (Махачкала, 2003).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 20 статей в реферируемых журналах, 29 докладов в трудах международных конференций, 9 тезисов докладов на конференциях, получено 4 патента. Список основных публикаций приведен в конце диссертации.

Личный вклад автора. Вклад соискателя в работы, написанные в соавторстве и вошедшие в диссертацию, является определяющим. Автором по всем разделам работы определена постановка задач, обоснованы и разработаны методики исследований. При непосредственном участии автора были созданы экспериментальные установки, проведены экспериментальные исследования и обработка полученных результатов. Автором выполнена постановка задач для численных расчетов, выполнен большой объем вычислений и проведено сопоставление их результатов с экспериментом. На основании полученных данных автором сформулированы и обоснованы выводы диссертации.

Объем и структура работы. Основное содержание диссертации изложено на 301 странице машинописного текста. Работа состоит из введения, 7 глав и заключения, в котором сформулированы основные выводы. Список цитируемой литературы содержит 144 наименования. Диссертация содержит 198 рисунков.

Заключение диссертации по теме «Физика плазмы», Кралькина, Елена Александровна

В заключение сформулируем основные выводы, следующие из работы:

1. Выполнено комплексное, систематическое исследование поглощения ВЧ мощности плазмой индуктивного ВЧ разряда низкого давления при отсутствии внешнего магнитного поля. Показано, что эффективность поглощения ВЧ мощности (эквивалентное сопротивление плазмы) немонотонно зависит от плотности плазмы: в области низких концентраций электронов эквивалентное сопротивление плазмы растет с плотностью плазмы, в области высоких концентраций эквивалентное сопротивление падает. При низких давлениях область малых концентраций электронов соответствует случаю слабой пространственной дисперсии, здесь эквивалентное сопротивление плазмы растете с концентрацией электронов. Напротив, в области высоких концентраций электронов, когда преобладает бесстолкновительное поглощение, т.е. в области аномального скин-эффекта, зависимость эквивалентного сопротивления от концентрации электронов является убывающей. В целом же немонотонная зависимость эквивалентного сопротивления от плотности плазмы объясняется конкуренцией двух факторов: с одной стороны, поглощение ВЧ мощности растет с ростом концентрации электронов, с другой стороны, глубина скин-слоя, определяющая ширину области поглощения ВЧ мощности, убывает с ростом пе. При минимальном из рассмотренных давлений /?=0.1мТор подавляющим является черенковский механизм диссипации. Электрон-атомные столкновения практически не оказывают влияния на величины эквивалентного сопротивления, а электрон-ионные столкновения приводят лишь к незначительному повышению эквивалентного сопротивления при пе>ЗТОпст"3. Увеличение давления, т.е. частоты электрон-атомных столкновений приводит к росту эквивалентного сопротивления за счет повышения роли столкновительного механизма поглощения ВЧ мощности.

2. Выполнено комплексное, систематическое исследование эффективности и механизмов поглощения ВЧ мощности плазмой пространственно ограниченных индуктивных источников плазмы низкого давления при наличии внешнего магнитного поля. Показано, что в ограниченных источниках плазмы возможно возбуждение объемных, связанных друг с другом геликоноподобной и квазипродольной косой ленгмюровской волн. Область существования объемных волн сужается при уменьшении длины источника плазмы и с ростом давления рабочего газа. При условиях, соответствующих области возбуждения объемных волн, зависимость эффективности поглощения ВЧ мощности плазмой (эквивалентного сопротивления плазмы) от величины магнитного поля носит существенно немонотонный характер. Локальные максимумы эквивалентного сопротивления соответствуют областям резонансного возбуждения геликоноподобной и квазипродольной косой ленгмюровской волн. Поглощение ВЧ мощности плазмой при давлениях менее ЮмТор определяется главным образом поглощением квазипродольной волны, доминирующим механизмом диссипации является бесстолкновительное черенковское поглощение. Увеличение частоты столкновений, вызванное увеличением давления газа или ростом электрон-ионных столкновений с ростом плотности плазмы приводит к сглаживанию зависимости эквивалентного сопротивления от величины магнитного поля и понижению абсолютных значений эквивалентного сопротивления. Кроме того, с ростом частоты столкновений амплитуда квазипродольной косой ленгмюровской волны понижается, и ее ВЧ поля перестают проникать в объем плазмы. С ростом частоты столкновений амплитуда и проникновение геликона в плазму не изменяются.

3. Показано, что при горении индуктивного ВЧ разряда в режиме, когда эквивалентное сопротивление плазмы меньше или порядка эффективного сопротивления антенны, происходит самосогласованное перераспределение мощности между плазмой и активным сопротивлением внешней цепи, которое проявляется: в существовании двух мод индуктивного ВЧ разряда с сильно различающейся плотностью плазмы; в появлении гистерезиса параметров плазмы при переходе разряда из моды с низкой плотностью плазмы в моду с высокой плотностью и обратно; в появлении гистерезиса параметров плазмы при увеличении и уменьшении внешнего магнитного поля; в насыщении зависимости концентрации плазмы от мощности ВЧ генератора в области высоких концентраций электронов; в ограничении при наличии внешнего магнитного поля области существования разряда со стороны больших магнитных полей; немонотонной зависимости плотности плазмы от внешнего магнитного поля. Выполнено комплексное исследование влияния емкостной составляющей разряда на ввод ВЧ мощности через индуктивный канал и параметры плазмы. Показано, что наличие емкостной составляющей разряда приводит к изменению доли мощности, поступающей в разряд через индуктивный канал. Увеличение за счет вклада мощности через емкостной канал концентрации электронов выше величины, характерной для чисто индуктивного разряда, приводит к увеличению вклада ВЧ мощности через индуктивный канал при условии, что плотность плазмы ниже величины, при которой эквивалентное сопротивление достигает максимума. Это проявляется в смещении положения перехода разряда из моды с низкой плотностью плазмы в моду с высокой плотностью, более плавному переходу из «низкой» моды разряда в «высокую» и исчезновению гистерезиса. Увеличение за счет вклада мощности через емкостной канал концентрации электронов выше величины, при которой эквивалентное сопротивление достигает максимума, приводит к уменьшению вклада ВЧ мощности через индуктивный канал. В связи с этим физически не оправдано сопоставление мод индуктивного ВЧ разряда с низкой и высокой концентрацией электронов с емкостной и индуктивной модами, т.к. наличие одного канала ввода мощности в плазму приводит к изменению доли мощности, поступающей в плазму через другой канал.

5. Разработана самосогласованная модель пространственно ограниченных индуктивных ВЧ источников плазмы низкого давления, учитывающая потери ВЧ мощности во внешней цепи разряда и наличие независимого емкостного канала ввода мощности. Модель позволяет рассчитать параметры плазмы и долю мощности, поглощенную плазмой на основании известных мощностей ВЧ генераторов, питающих индуктивный и емкостной канал, эффективного сопротивления антенны, площади обкладок конденсатора и величины квазистационарного приэлектродного скачка потенциала, геометрических размеров источника плазмы, давления и величины внешнего магнитного поля.

6. Разработаны рекомендации, позволяющие оптимизировать работу индуктивных источников плазмы низкого давления. Показано, что при давлениях выше ЮмТор наилучший способ организации разряда - это индуктивный разряд без магнитного поля, где превалирует столкновительный механизм поглощения ВЧ мощности. Понижение давления и роли столкновительных механизмов поглощения ВЧ мощности приводят к необходимости усиления бесстолкновительного поглощения ВЧ мощности, что в области низких концентраций электронов возможно при условии ЭЦР, а в области более высоких концентраций - при возбуждении объемных геликоноподобной и квазипродольной косой ленгмюровской волн. В области низких давлений ВЧ мощность лучше вкладывается в источники большого радиуса. Повысить эффективность ввода ВЧ мощности в источники малого

285 радиуса возможно при увеличении длины источника или при увеличении рабочей частоты.

7. Разработаны прототипы источников ионов для космических и наземных технологий.

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность А.А.Рухадзе за постоянное внимание к данной работе и большую помощь при ее выполнении; А.Ф.Александрову за многочисленные обсуждения результатов работы; В.А.Черникову, В.П.Савинову и М.В. Кузелеву за замечания, позволившие существенно улучшить работу; К.В.Вавилину и В.Б. Павлову за большую помощь в проведении расчетов и экспериментов, а также всему коллективу кафедры физической электроники за большую моральную поддержку.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Кралькина, Елена Александровна, 2008 год

1. Hopwood J., Plasma Sources Sei., Tech. 1, 109-116, (1992).

2. Lenz В., Schweitzer М. and Loeb H.W. . "Improved RF-Coupling Method for RJT-Engines", AIAA, 79-2057, (1979).

3. Lieberman M. A. and Godyak V., IEEE Transactions on plasma physics, 26, N3, 955-986,(1998).

4. Stevens J.E., Electron Cyclotron Resonance Plasma Sources, in High Density Plasma Sources, edited by Oleg A.Popov, pp. 312 379, (1996).

5. Uchiba T. Jpn. J. Appl. Phys 33, L43 L44, (1994).

6. Tsuboi H., Itoh M., Hayashi Т., Uchiba T. Japan J. Appl. Phys 33, 2476 -2481,(1995).

7. Yoshida Z. and Uchiba T. Japan J. Appl. Phys, 34,4213 4216, (1995).

8. Uchiba T. J. Vac. Sei. Technol A. 16, 1529, (1998).

9. Uchiba T. Japan patants 07-090632, 08-078188, 07-263190 (1994).

10. Арсенин A.B., Лейман В.Г., Тараканов В.П. Краткие сообщения по физике ФИАН, 4, стр. 19-29, 2003.

11. Roderick W. Boswell United States Patent 4,810,93 5, 1989.

12. Chen F.F., Helicon Plasma Sources, in High Density Plasma Sources, edited by Oleg A.Popov, pp. 1 -75, 1996.

13. Y.Ye and all United States Patent 6,178,920, 2001.

14. Stevens J.E., J. Vac.Sei. Technol. A 13(5), Sep/Oct, (1995).

15. Александров А.Ф., Воробьев Н.Ф., С.Г., Кралькина E.A., Обухов В.А., Рухадзе A.A., Журнал Технической Физики 64, №11, стр. 53 58, (1994).

16. Александров А.Ф. и др. Патент РФ 2095877.

17. Thomson J.J., Phil. Mag. 4 1128 60, (1927).

18. Gudmundsson J.T. and Liberman M.A. Plasma Sources Sei., Tech. 6, 540-550, (1997).

19. Гинзбург В.Л., Рухадзе A.A. Волны в магнитоактивной плазме. Наука, 1970.

20. Piejak R.B., Godyak V.A., and Alexandrovich B.M., Plasma Sources. Sei. Technol., 1, p.179, (1992).

21. Godyak V.A., Piejak R.B., and Alexandrovich B.M., Plasma Sources. Sei. Technol., 3, pp. 169-176. (1994).

22. Godyak V.A., Piejak R.B., and Alexandrovich B.M., J. of Appl. Phis., 85, 2, pp. 703-712,(1999).

23. А.Ф.Александров, Г.Э.Бугров, K.B. Вавилин, И.К.Керимова, С.Г.Кондранин, Е.А.Кралькина, В.Б.Павлов, В.Ю.Плаксин, А.А.Рухадзе. Физика плазмы, 2004, том 30, №5, стр 434.

24. К.В. Вавилин, А.А.Рухадзе, М.Х.Ри, В.Ю.Плаксин. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 5, стр44.

25. К.В. Вавилин, А.А.Рухадзе, М.Х.Ри, В.Ю.Плаксин. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 6, стр 25.

26. К.В. Вавилин, А.А.Рухадзе, М.Х.Ри, В.Ю.Плаксин. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 6, стр 29.

27. К.В. Вавилин, А.А.Рухадзе, М.Х.Ри, В.Ю.Плаксин. Физика плазмы, 2004, том 30, №8, стр 739.

28. А.Ф. Александров, Г.Э. Бугров, К.В. Вавилин, И.Ф. Керимова, Е.А. Кралькина, В.Б. Павлов, В.Ю. Плаксин, A.A. Рухадзе. Прикладная физика, 2006, №2 стр. 41-46.

29. А.Ф. Александров, Г.Э. Бугров, К.В. Вавилин, И.Ф. Керимова, Е.А. Кралькина, В.Б. Павлов, В.Ю. Плаксин, A.A. Рухадзе. Прикладная физика, 2006, № 4 стр. 54 59.

30. Boswell R.W., Phys. Lett., ЗЗА, р.457 (1970).

31. Chen F.F., Plasma Phys. Contr. Fusion, 33, 4, p.339, (1991).

32. Александров А.Ф., Воробьев Н.Ф., С.Г., Кралькина E.A., Обухов В.А., Рухадзе A.A., Журнал Технической Физики 64, № 11, стр. 53 58, (1994).

33. А.Ф. Александров, Г.Э. Бугров, К.В. Вавилин, И.Ф. Керимова, Е.А. Кралькина, В.Б. Павлов, В.Ю. Плаксин, A.A. Рухадзе. Прикладная физика, 2006, № 5 стр. 33 38.

34. А.Ф. Александров, К.В. Вавилин, Е.А. Кралькина, В.Б. Павлов, А.А. Рухадзе. Физика плазмы, 2007, том 33, №9, стр 802-815.

35. А.Ф. Александров, К.В. Вавилин, Е.А. Кралькина, В.Б. Павлов, А.А. Рухадзе. Физика плазмы, 2007, том 37, №9, стр 816 827.

36. Shamrai K.R., Taranov V.B., Plasma Sources Sci. Techn., 1999, v.5, p. 474.

37. Turner M.M. and Lieberman M.A. Plasma Sources Sci. Techn., 1999, v.8, p. 313-324.

38. А.Ф.Александров, Г.Э.Бугров, К.В.Вавилин, И.Ф.Керимова, Е.А. Кралькина, В.Б.Павлов, В.Ю.Плаксин, А.А.Рухадзе, В.П.Савинов. Прикладная физика, 2006, № 1 стр. 36 42.

39. А.Ф. Александров, Г.Э. Бугров, К.В. Вавилин, И.Ф. Керимова, Е.А. Кралькина, В.Б. Павлов, В.Ю. Плаксин, А.А. Рухадзе, В.П. Савинов. Прикладная физика, 2006, № 5 стр. 39 46.

40. A.F. Alexandrov, K.V. Vavilin, I.F. Kerimova, Е.А. Kralkina, V.B. Pavlov,

41. A.A. Rukhadze, V.P. Savinov. XXVIII International Conference on Phenomena in Ionized Gases July 15 -20 2007, Prague, Czech Republic 5P09-10.

42. А.Ф.Александров, К.В.Вавилин, И.Ф.Керимова, Е.А.Кралькина,

43. B.Б.Павлов, Н.Н.Плахотный, А.А.Рухадзе, В.П.Савинов. Звенигород 2007.

44. Godyak V.A. and В.М.Alexandravich, Plasma Sources Sci. Technol. 1, (1992), 179-186.

45. Gilles Cunge, Brendan Crowley, David Vender and Miles M Turner. Plasma Sources.Sci.Technol. 1999, 8,576-586.

46. Александров А.Ф., Бугров Г.Э., Вавилин K.B., Кралькина Е.А., Павлов В.Б., Плаксин В.Ю., Рухадзе А.А. Наукоемкие технологии, No 1, 2005, т.6, стр. 5.

47. A.F.Alexandrov, E.A.Kralkina, V.B.Pavlov, A.A.Rukhadze, A.I.Bugrova, G.E.Bugrov, K.V.Vavilin, IEPC2005-122, p. 1-18.

48. Плазменные ускорители и ионные инжекторы, под ред.Н.П.Козлова и А.И.Морозова, М.; Наука, 1984, 272с.

49. A.F. Alexandrov, G.E. Bougrov, S.K. Kondranin, E.A. Kralkina, V.B. Pavlov, A.A. Rukhadze, K.V. Vavilin. Proceedings of XXV International Conference on Phenomena in Ionized Gases, 17-22 July 2001 Nagoya, Japan vol. 1 pp.33-34.

50. Suzuki K., Nakamura K., Ohkubo H. and Sugai H., Plasma Sources Sei. Technol., 7, pp.13 20, (1998).

51. А.Ф.Александров, Т.Б.Антонова, Г.Э.Бугров, С.Г.Кондранин, Кралькина E.A. А.А.Рухадзе, В.Б.Павлов. Патент РФ 2121729.

52. А.Ф.Александров, Г.Э.Бугров, Вавилин К.В., С.Г.Кондранин, Кралькина Е.А. А.А.Рухадзе, В.Б.Павлов. Патент РФ №2196395.

53. A.F.Alexandrov, E.A.Kralkina, V.B.Pavlov, A.A.Rukhadze, A.I.Bugrova, G.E.Bugrov, K.V.Vavilin. Proceedings of XXIXIEPC, Princeton 2005, p.1-17.

54. Thomson J.J. Phil. Mag., 32 321-36, (1891).

55. Thownsend J.S., Donaldson R.H. Philos. Mag. v.5 (1928), p. 178; v.7 (1929), p.600.

56. Mak-Kinton K.A. Philos. Mag. v.8 (1929), p.605.

57. Баббат Г.И. Вестник электропромышленности, вып.2, вып.З, 1 (1942).

58. Godyak V.A. Plasma Phenomena in Inductive Discharges, Invited talk, 30th Conference on Controlled Fusion and Plasma Physics, St.Petersburg, July 7-11, 2003.

59. Eckert H.U. Proc. 2nd Ann. Int. Conf. On Plasma Chemistry and Technology, ed H Boenig (Technomic), 1986.

60. Henriksen B.B.,Keefer D.R. and Clarkson M.H. ,J.Appl. Phys. 42 5460 4, 1971.

61. Denneman J.W. ,J.Phys D: Appl. Phys 23 293 8, (1990).

62. Schottky W. Physykalische Zeitschrift, 25, p.342, 635 (1924).

63. Pippard A.B., Proc. R.Soc. A 191 385, (1947).

64. Reuter G.E.H., Sondheimer E.H. Proc. Roy. Sos., A195., (1948).

65. Силин В.П., Рухадзе A.A. Электромагнитные свойства плазмы и плазмоподобных сред. Госатомиздат 1961.

66. Демирханов P.A., Кадыш И.Я. и Ходырев Ю.С. ЖЭТФ 19 стр.791, (1964).

67. Weibel E.S. ,Phys. Fluids 10 741, (1967)

68. Kofoid M.J., Phys. Fluids 12 1290, 1969.

69. Кондратенко A.H., Проникновение поля в плазму. Москва, Атомиздат. 1979.

70. Kolobov V.l. and Economou D.J., Plasma Sources Sei. Technol. 6, R1-R171997).

71. Дикман C.M. and Мейерович Б.Е., ЖЭТФ, 37, стр. 837, (1973).

72. Александров А.Ф., Богданкевич JI.C., Рухадзе A.A. Основы электродинамики плазмы. -М.: Высшая школа, 1978.

73. Smolyakov A.I., Godyak V.A., Tyshetskiy Y.O., Physics of Plasmas 10, 5, pp.2108-2116, (2003).

74. Godyak V.A., Kolobov V.l., Physical Review Letters 81, 2 pp. 369 372,1998).

75. Tyshetskiy Yu.O., Smolyakov A.I., Godyak V.A., Physical Review Letters 90, 25, 255002-1 255002-4 , (2003).

76. Kolobov V.l. "Anomalous skin effect in bounded plasmas", in Electron Kinetics in Glow Discharges, U. Korthagen and L.D. Tsendin, Eds. New York: Plenum, (1998).

77. Blevin H.A., Reynolds J.A. and Thonemann P.C., "Penetration of an electromagnetic wave into a hot plasma slab", Phys.Fluids, 13, p. 1259, (1970).

78. Blevin H.A., Reynolds J.A. and Thonemann P.C., "Measurement of the attenuation of an electromagnetic wave in a bounded hot electron plasma", Phys.Fluids, 16 p.82, (1973).

79. Т.Б. Антонова, Г.Э. Бугров, E.A. Кралькина, B.A. Обухов. Рук. деп. в ВИНИТИ N 7415-В88.

80. Sobelman, L.A. Vainstein, E.A. Yukov, Excitation of Atoms and Broadening of Spectral Lines. Springer-Verlag, New York, 1981, 315p.

81. Biberman L.M., Vorobjev I.S. and Yakubov I.T., Kinetics of nonequilibrium low temperature plasma. Moscow, Nauka, 1982.

82. Gryzinski M., Classical theory of atomic collisions. I. Theory of inelastic collisions. Phys. Rev. 138, 3 (1965).

83. Торонов О.Г., Автореферат кандидатской диссертации, С-Перербург, ЛГУ, 1983.

84. Aymar М. and Coulombe М., Atomic Data and Nuclear Data Tables. 21(6), 1 (1978).

85. Земцов Ю.К., Скороход Е.П., Силы осцилляторов переходов между возбужденными уровнями атомов Хе. Рукопись депонирована в ВИНИТИ, No2403- 80, 1980.

86. Ф.Чен. в книге Диагностика плазмы под ред. Р.Хаддлстоуна и С.Леонарда. Мир, М., 1967.

87. L.Shott. Electrical probes. Plasma diagnostics. Edited by W.Lochte-Holtgreven, NewYork, 1995, p.668-731.

88. Тихонов A.H., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. Москва, Наука, 1974, 223с.

89. Волкова Л.М., Девятое A.M., Меченов А.С., Седов Н.Н., Шериф М.А. Вестник МГУ, сер. Физика, астр, 1975, N3, р.371-374.

90. S. Kondranin, Е.А. Kralkina, T.B.Antonova, G.E.Bougrov, N.F.Yorobjev, Won-Kook Choi, Hyung Jin Jung, Seoh-Keun Koh. J. of Korean Physical Society v.32, N2,(1998), pp.195-199.

91. Эффективные сечения возбуждения атомов и ионов электронным ударом. Изд.Стандартов, 1989г.

92. S. Kondranin, Е.А. Kralkina, L.M.Volkova, A.M.Devyatov, T.B.Antonova, G.E.Bougrov, N.F.Vorobjev, Won-Kook Choi, Hyung Jin Jung, Seoh-Keun Koh. J. of Korean Physical Society v.32, N2, 1998, pp.280-285.

93. Диагностика плазмы под ред. Р.Хаддлстоуна и С.Леонарда. Мир, М., 1967.

94. Ю.П.Райзер. Газовый разряд. М., Наука, 1987, 591стр.

95. Lieberman М.А. and Lichtenberg A.J. Principles of plasma discharges and material processing. A Wiley- Interscience publication, JohnWiley&sons, Inc. New York, 1994.

96. Lieberman M. A. and Godyak V., IEEE Transactions on plasma physics, 26, N3, 955-986, (1998).

97. Godyak V.A. and Piejak R.B., J.Appl.Phys. 82(12), p.5944, (1997).

98. Tyshetskiy Yu.O., Smolyakov A.I., Godyak V.A., Plasma Sources Sci. Technol.,1., pp.203-207, (2002).

99. Smolyakov A.I., Godyak V.A., Tyshetskiy Yu.O., Physics of Plasmas, 8, 9, p.3857, (2001).

100. Godyak V.A. and Kolobov V.I., Phys. Rev. Lett., 81, 2, p. 369, (1998).

101. Godyak V.A., Plasma Phys.Control.Fusion, 45, A399-A424, (2003).

102. Stevens J.E., Cecchi J.L. Japan J. Appl. Phys., 32, pp.3007 3012 (1993). lOl.Shamrai K.P. and Taranov V.B. Plasma Phys. Control. Fusion, 36, 1719, (1994).

103. Lehane J.A. and Thonemann PC., "An experimentel study of helicon wave propagation in a gaseous plasma", Proc. Phys. Soc. 85, p301, (1965).

104. Bleven H.A., Christiansen P.J. and Devies B.J., Phys. Rev. Lett. A, 28, p.230 (1968).

105. Devies B J. and Christiansen P.J., Plasma Phys., 11, p.987, (1969).

106. Ferrari R.L. and J.P. Klozenberg, Plasma Phys., 2, p.283, (1968).

107. Klozenberg J.P., McNamara B., Thonemann P.C., J. Fluid Meek, 21, p.545, (1965).

108. Woods L.C., J. Fluid Meek, 13, p.570 (1962).

109. Woods L.C., J. Fluid Meek, 18, p.401 (1964).

110. Boswell R.W., Phys. Lett., 33A, p.457 (1970).

111. Boswell R.W., Plasma Phys. Contr. Fusion 26, 1147 (1984).

112. I. Boswell R.W. and Henry D., Appl. Phys. Lett., 47, 1095 (1985).

113. Boswell R.W. and Porteus R.K., Appl. Phys. Lett., 50, 1130 (1987).

114. Boswell R.W. and Porteus R.K., J. Appl. Phys., 62, 3123 (1987).

115. Boswell R.W., Plasma Phys., 31, p.197, (1984).

116. Zhu P. and Boswell R.W., Phys.Fluids, 3 p.869, (1991).

117. Chen F.F. and Decker C.D., Plasma Phys. Contr. Fusion 34, p.635 (1992).

118. Loewenhardt P.K., Blackwell B.D. and Hamberger S.M., Plasma Phys. Contr. Fusion 37, p.229, (1995).

119. Shoji Т., Mieno Т. and К. Kadota К., Proc. Int. Sem. Reactive Plasmas, Nagoya, Japan, p.337, (1991).

120. Chen R.T.S., Breun R.A., Gross S., Hershkowitz N., Hsien M.J. and Jacobs J., Plasma Sources Sci. Technol., 4, p.337 (1996).

121. Ellingboe A.R., Boswel R.W., Booth J.P. and Sadeghi N., Phys. Plasmas, 2, p. 1807,(1995).

122. Ellingboe A.R., Boswel R.W., Booth J.P. and Sadeghi N., Gaseous Electronics Conf., Monreal, Canada, Abstract CA-5, (1993).

123. Molvic A.W., Ellingboe A.R. and Rognlien T.D., Phys. Rev. Lett. A, 79, p.233 (1997).

124. Blackwell D.D. and Chen F.F., Bull. Amer. Phys. Soc., 40, pi771, (1995).

125. Chen F.F., Plasma Phys. Contr. Fusion 39, p. 1533, (1997).

126. Sudit I.D. and Chen F.F., Plasma Sources Sci. Technol., 4, p.43 (1996).

127. Александров А.Ф., Воробьев Н.Ф., Бугров Г.Э., Кондранин С.Г., Кралькина Е.А., Обухов В.А., Рухадзе А.А., Прикладная физика, № 1, стр.3-22, (1995).

128. Shamrai К.Р., Alexandrov A.F., Bougrov G.E., Virko V.F., Katiukha V.P., Koh S.K., Kralkina E.A., Kirichenko G.S., Rukhadze A.A., Proceedings of XXIII Internation Conference on Phenomena in Ionized Gases, 17-22 July 1997, Toulouse -France.

129. Shamrai K.P. and Taranov V.B., Plasma Sources Sci. Technol. 5, pp. 474 491, (1996).

130. Shamrai K.P. and Taranov V.B., Phys. Lett. A, 204, p. 139, (1995).

131. Shamrai K.P., Pavlenko V.P., and Taranov V.B., Plasma Phys. Control. Fusion, 39, 505, (1997).

132. Shamrai K.P. and Pavlenko V.P., Physica Scripta, 55, p.612, (1997).

133. Chen F.F. and Arnush D., Phys. Plasmas 4 (9), September, (1997).

134. Chen F.F. and Arnush D., Physics of Plasmas, 5, 5, 1239 1254, (1998).

135. Chen F.F., Jiang J., Evans J.D., Tynan G. and Arnush D. Plasma Phys. Control. Fusion, 39, A411,(1997).294

136. Shamrai K.P., Virko V.F., Blom H.-O., Pavlenko V.P., Taranov V.B., Jonsson L.B., Hedlund C. and Berg S. J. Vac. Sci. Technol., 1977, A 15(6), pp 2864-2874.

137. Godyak V.A., Piejak R.B., and Alexandrovich. Plasma Sources Sci. Technol. 11, pp. 525 543, (2002).

138. Hittorf W. Ann. Phys. Chem., 21 90-139, (1884).

139. Godyak V.A., Piejak R.B., and Alexandrovich B.M., J. of Appl. Phys., 85, 2, pp. 703-712,(1999).

140. Valéry Godyak, Plasma Phys. Control. Fusion, 45 (2003), A399-A424.

141. Райзер Ю.П. , Шнейдер M.H., Яценко H.А. Высокочастотный емкостной разряд. Москва, Наука, Физматлит, 1995.

142. M.M.Turner et al. Plasma Sources.Sci.Technol. 1998, 7, 13-20.

143. Suzuki K., Nakamura K., Ohkubo H. and Sugai H., Plasma Sources Sci. Technol., 7, pp. 13-20, (1998).

144. Miljak David G. and Chen Francies F., Plasma Sources Sci. Technol. 1, pp.61 74, (1998).

145. Ho-Jun Lee, Il-Dong Yang and Ki-Woong Whang, Plasma Sources Sci. Technol. 5, pp.383-388, (1996).

146. Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

147. Т.Б. Антонова, Г.Э. Бугров, Е.А. Кралъкина, В.А. Обухов. Исследование механизма ионизации и возбуждения Хе1 в газоразрядной плазме низкого давления. Рук. деп. в ВИНИТИ N 7415-В88.

148. Т.Б. Антонова, Г.Э. Бугров, Е.А. Кралъкина, В.А. Обухов. Влияние быстрых электронов на свойства разряда в источниках ионов инертных газов низкого давления. Рук. деп. в ВИНИТИ N 7414-В88.

149. Л.А. Гончаров, Е.А. Кралъкина, В.А. Обухов. Исследование параметров плазмы в ксеноновом разряде с расходящимся магнитным полем. В тр. 1 Вс. н.-т.конф. "Методы диагностики двухфазных и реагирующих потоков". Алушта,1988, с. 191

150. Г.Э. Бугров, Л.А. Гончаров, Е.А. Кралъкина, В.А. Обухов. Study of non-monotonous EEDF in Xe low pressure discharge. Proc.of XIX ICPIG, Belgrade,1989, Cont. Pap., p.212

151. Г.Э. Бугров, Е.А. Кралъкина, В.А. Обухов, Е.С. Ситин. Экспериментальное исследование и численное моделирование процесссв в плазменном эмиттере ионов ксенона с периферийным магнитным полем. Радиотехника и электроника, XXXIV,9.1989, стр 1952.

152. T.B.Antonova, G.T.Bugrov, Е.А. Kralkina, V.A.Obukhov, J.Krempel-Heesse, J.Krumeich. Experimental Study of FEDF in inductively conpled Xe RF-discharge. Proc.of XI ESCAMPIG St.-Peterburg 1992 Contrib. Paperes, p. 113 114.

153. А.Ф.Александров, Н.Ф. Воробьев, Е.А. Кралъкина, В.А.Обухов, А.А.Рухадзе. Теория квазистатических плазменных источников. ЖТФ, 64, N11, стр.53 58

154. А.Ф.Александров, Н.Ф. Воробьев, Е.А. Кралъкина, Г.Э.Бугров, С.Г.Кондранин, В.А.Обухов, А.А.Рухадзе. Высокочастотные источники плазмы низкой мощности. Прикладная физика, 1995, Nol, стр. 3 22.

155. А.Ф.Александров, Т.Б.Антонова, Г.Э.Бугров, Н.Ф. Воробьев, Е.А. Кралъкина, С.Г.Кондранин, В.А.Обухов, А.А.Рухадзе. The low power HF ion source. Procceed.of XXI ICPIG, 1995, Hoboken USA v.4.

156. A.F. Alexandrov, T.B. Antonova, G.E. Bugrov, N.Vorobliev, A.F. Kalinin,

157. A.F. Alexandrov, T.B. Antonova, G.E. Bugrov, N.Vorobliev, G.Noci, N.Kutufa, S.Kondranin, E.A. Kralkina, V.Obukhov, A. Rukhadze. The low power HF ion thruster. 24-th International electric propulsion conference. Moscow, Russia, 1995, p. 1-15.

158. А.Ф.Александров, Т.Б.Антонова, Н.Ф.Воробьев, Г.Э.Бугров, С.Г.Кондранин, Е.А.Кралъкина, В.А.Обухов, Г.А.Попов, А.А.Рухадзе. Способ получения ионов и источник ионов для его осуществления. Патент РФ 2095877.

159. S.K . Koh, H.G. Jang, W.K Choi, H.-J.Jung, .G. Kondranine, E.A. Kralkina. Design and test of the new partially ionized beam source. Review of Scientific Instruments. Vol.67, No. 12, December 1996, pp4114-4116.

160. Г.Э.Бугров, К.В. Вавилин, С.Г.Кондранин, E.A. Кралькина, В.Б.Павлов. Экспериментальное исследование параметров плазмы в источнике ионов с холодным катодом. X Конференция по физике газового разряда. Рязань, 2000 стр. 121.

161. Г.Э.Бугров, К.В. Вавшин, Е.А. Кралькина. Разработка плазменного реактора малой мощности. X Конференция по физике газового разряда. Рязань, 2000 стр. 123

162. G.E. Bugrov, S.K. Kondranin, Е.А. Kralkina, V.B . Pavlov, К. V. Vavilin. Study of plasma parameters in the "cold cathode" ion source. Proc.of XI ESCAMPIG, August 2000 Hungary.

163. A.F.Alexandrov, G.E.Bougrov, E.A.Kralkina, A.A.Rukhadze, K.V. Vavilin. Development of RF low power plasma reactor prototypes. Proc.of XV ESCAMPIG, August 2000 Hungary.

164. А.Ф.Александров, Т.Б.Антонова, Г.Э.Бугров, С.Г.Кондранин, Е.А.Кралькина, А.А.Рухадзе. Газоразрядное устройство. Патент РФ 2121729.

165. G.E.Bugrov, S.K.Kondranin, E.A.Kralkina, V.B.Pavlov, and K.V.Vavilin. Development of "cold cathode" ion source family. Proceedings of XXV International Conference on Phenomena in Ionized Gases, 17-22 July 2001 Nagoya, Japan vol. 4, pp.97 98.

166. G.E.Bugrov, S.KKondranin, E.A.Kralkina, V.B.Pavlov, К. V. Vavilin, Heon-Ju Lee. Development and test of ion source with small orifice cold cathode. J. of Korean Vacuum Science & Technolojy, 5, pp.19 24 (2001).

167. A.F.Alexandrov, G.E.Bougrov ,I.K Kerimova, S.K. Kondranin, E.A.Kralkina, V.B. Pavlov, V.J. Plaksin, A.A. Rukhadze, K.V. Vavilin. An Absorption of RF Power by Inductive Discharge Plasma Placed in External Magnetic Field Experimental

168. Study. Proceedings of the 30-th International (Zvenigorod)Conference of Plasma Physics and Controlled Fusion. Zvenigorod, Russia, February 24-28, 2003. Contributed papers, T4.

169. G.E. Bugrov, S.G. Kondranin, E.A.Kralkina, V.B. Pavlov, D.V Savinov, К. V Vavilin, Heon-Ju Lee. Optimisation of cold cathode ion source model. Current Applied Physics, 3(2003), 485-489.

170. Г. Э. Бугров, С.Г. Кондранин,Е.А. Кралькина, В.Б. Павлов. Плазменный источник ионов с ленточным пучком (варианты). Патент РФ 2151438.

171. К.В.Ваваилин, Е.А. Кралькина, А.А.Рухадзе. К обоснованию несамосогласованной теории радиочастотного источника плазмы. Краткие сообщения по физике, N8, с. 44, (2004).

172. Александров А. Ф., Бугров Г.Э., Вавшин КВ., Кралькина Е.А., Павлов В.Б., Плаксин В.Ю., Рухадзе A.A. Физические принципы разработки ВЧ-индуктивных источников плазмы низкого давления. Наукоемкие технологии, No 1, 2005, т.6, стр. 5.

173. A.F.Alexandrov, E.A.Kralkina, V.B.Pavlov, A.A.Rukhadze, A.I.Bugrova, G.E.Bugrov, K.V.Vavilin. On the possibilities of RF ion thrusters optimization. Proceedings of XXIXIEPC, Princeton 2005, p. 1-17.

174. А.Ф. Александров, КВ. Вавилин, E.A. Кралъкина, В.Б. Павлов, А.А. Рухадзе. Особенности индуктивного ВЧ разряда низкого давления. I (эксперимент). Физика плазмы, 2007, том 33, №9, стр 802 815.

175. А.Ф. Александров, КВ. Вавилин, Е.А. Кралъкина, В.Б. Павлов, А.А. Рухадзе. Особенности индуктивного ВЧ разряда низкого давления. II (математическое моделирование). Физика плазмы, 2007, том 37, №9, стр 816 — 827.

176. A.F. Alexandrov, K.V. Vavilin, I.F. Kerimova, E.A. Kralkina, V.B. Pavlov,

177. А.Ф.Александров, К.В.Вавилин, И.Ф.Керимова, Е.А.Кралъкина,

178. А.Ф.Александров, К.В.Вавилин, ,Е.А.Кралъкина, И.С.Максимов, В.Б.Павлов, А.А.Рухадзе, В.П.Савинов. Изучение гибридного ВЧ разряда. Тезисы докладов XXXY Международной (Звенигородской) конференции по физике плазмы и УТС, с.ЗЗЗ, 2008.

179. Е.А.Кралъкина. Индуктивный высокочастотный разряд низкого давления и возможности оптимизации источников плазмы на его основе. УФН, том 178, №5, с.519 540, (2008).