Особенности диэлектрических аномалий Pb1-xGexTe(Ga) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Барышников, Александр Сергеевич

• Барышников, Александр Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Барышников, Александр Сергеевич

Введение.

Глава 1 Сегнетоэлектрики-полупроводники А4В6 (Литературный обзор)

1.1 Электронные свойства полупроводников А4В6.

1.2 Влияние примеси галлия на электрические свойства сплавов Pfc>ixGexTe.

1.3. Сегнетоэлектрические свойства соединений А4В6 и их связь с электронными параметрами.

1.4. Исследование диэлектрических свойств соединений А4В6.

1.5 Кооперативные явления, вызванные нецентральными примесями в PbixGexTe.

1.6 Проявление спонтанной поляризации в сегнетоэлектриках-полупроводниках.

Глава 2. Методика измерения электрических свойств сегнетоэлектриков-полу проводников.

2.1 Низкочастотные измерения комплексной диэлектрической проницаемости.

2.2. Функциональные возможности и принципы программирования

Advantech PCL-812PG.

2. 3. Метод двух измерений для исследования диэлектрических свойств полупроводников в автоматизированном режиме.

2. 4 Установка для исследования полярной составляющей термо-ЭДС сегнетоэлектриков-полупроводников.

Глава 3. Свойства Pb!xGexTe (Ga), связанные с проявлением сегнетоэлектрического фазового перехода.

3.1 Особенности диэлектрических аномалий PbixGexTe (Ga) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода.

3.2 Диэлектрические потери в сегнетоэлектрике-полупроводнике PbbxGexTe (Ga).

3.3 Проявление спонтанной поляризации в Pbo^sGeo.osTe.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности диэлектрических аномалий Pb1-xGexTe(Ga) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода»

Соединения А4Вб, к которым относится Pb]xGexTe, представляют собой полупроводники с узкой запрещенной зоной (Eg~ 0.2-Ю.4 eV), в то же время они являются сегнетоэлектриками. Особенности физических свойств Pb]xGexTe вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода были исследованы различными методами, включая измерения теплоемкости [1,10], электропроводности [2], диэлектрической проницаемости [3,4], комбинационного рассеяния [8]. Детальное изучение фазовых переходов в сегнетоэлектри-ках А4Вб показало, что хотя в ряде из них (SnTe, Pb!xSnxTe) фазовые переходы могут быть удовлетворительно описаны в рамках теории, предполагающей сильное электрон-фононное взаимодействие [5,6], однако, свойства PbixGexTe не укладываются в рамки этой модели. Для объяснения этих отличий в [112] было предположено, что положение атомов Ge в узлах решетки РЬТе неустойчиво и атомы Ge, смещаясь из узлов, становятся нецентральными. Позднее в работе [7] при изучении тонкой структуры спектров рентгеновского поглощения (EXAFS) в области К-края поглощения Ge и L-края РЬ на синхротронном излучении было установлено, что как ниже, так и выше Тс атомы Ge смещены из узлов в направлении <111>, а величина смещения составляет —0.8А.

На то, что за возникновение фазового перехода в Pb].xGexTe действительно ответственна нецентральность Ge, указывает целый ряд необычных свойств этого смешанного кристалла. Во-первых, в Pb]xGexTe очень резко увеличивается температура фазового перехода при увеличении концентрации Ge, достигая значений Тс « 200 К при х = 0.1; во-вторых, температурная зависимость диэлектрической проницаемости отличается от закона Кюри - Вейс-са [4]. Кроме того, без привлечения концепции о нецентральности Ge нельзя объяснить и особенности электропроводности [2].

В литературе показано, что Pbi.xGexTe относятся к кристаллам с нецентральными примесями, которые являются весьма перспективными объектами для изучения кооперативных явлений в неупорядоченных системах ди-польных частиц. Однако к настоящему времени и в теории, и в эксперименте сделаны лишь первые шаги. Поэтому представляют интерес экспериментальные исследования PbixGexTe с целенаправленным поиском проявления кооперативных эффектов в диэлектрических свойствах этих веществ.

Целью диссертационной работы является исследование свойств Pbi-xGexTe, обусловленных наличием сегнетоэлектрического фазового перехода и спонтанной поляризации, и явлений, обусловленных проявлением кооперативных эффектов.

В качестве объекта исследования были выбраны поликристаллические образцы Pb]xGexTe(Ga) с содержанием Ge 2, 3, 5 ат% и Ga. 1-1.5 ат%.

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать методику исследования диэлектрических свойств сегнето

3 7 электриков - полупроводников в частотном диапазоне 10-10 Гц.

2. Исследовать температурно-частотную зависимость комплексной диэлектрической проницаемости Pb]-xGexTe(Ga) вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода.

3. Изучить влияние содержания Ge на температуру фазового перехода и диэлектрические свойства Pbj-xGexTe.

4. Сопоставить полученные экспериментальные результаты с теоретическими оценками и результатами работ других авторов.

Научная новизна

Впервые обнаружено, что для Pbi-xGexTe(Ga) не только температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс, но и абсолютное значение s существенно растет с ростом содержания Ge. Впервые исследованы и выделены потери, обусловленные сквозной проводимостью и релаксационными потерями.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Для PbixGexTe(Ga) (х=0.02; 0.03; 0.05) в интервале температур 77- 180 К не только температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс, но в' существенно растет с ростом содержания Ge.

2. В составах Pb!xGexTe(Ga) на температурной зависимости диэлектрической проницаемости наблюдаются два пика: при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода Тс и добавочный при Т\ > Тс> обусловленный кооперативным эффектом.

3. Увеличение концентрации свободных носителей для PbixGexTe(Ga) приводит к уменьшению в', увеличению в" и снижению температуры сегнетоэлектрического фазового перехода.

4. Наличие спонтанной поляризации в Pb0.95Ge0.o5Te(Ga) ниже фазового перехода ведет к появлению полярных компонент термотока. Эти компоненты пропорциональны вектору спонтанной поляризации и не зависят от направления температурного градиента.

Практическая и научная значимость

В практическом плане внимание исследователей к соединениям группы А4В6 связано с наличием ряда особых физических свойств, позволяющих успешно использовать эти материалы при изготовлении термоэлектрических преобразователей энергии, фотоприемников, туннельных диодов и других приборов.

В теоретическом плане эти вещества интересны тем, что в них наиболее сильно проявляется влияние электронных параметров на сегнетоэлектриче-ские свойства и сегнетоэлектрических на электронные. При разработке и эксплуатации приборов на основе Pbi-xGexTe должна быть учтена зависимость электрофизических свойств этих материалов от примесей, температуры и частоты.

Значимость результатов, полученных в диссертации, состоит в том, что они существенно расширяют сведения о температурно-частотной зависимости диэлектрической проницаемости и уточняют представления о влиянии

Ge на сегнетоэлектрические свойства PbixGexTe, что является важным как в общефизическом плане, так и в плане конкретных приложений.

Апробация работы

Основные результаты диссертации докладывались на: VI Международной конференции «Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов» (Александров, 2003); IX Российско-Китайском Симпозиуме «Новые материалы и технологии» (Астрахань, 2007); XI Международной конференции по физике диэлектриков (Санкт-Петербург, 2008); Всероссийском семинаре "Процессы переключения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках" (Тверь, 2002); региональных научных конференциях "Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование" (Владивосток, 2003, 2007); региональной школе-симпозиуме «Физика и химия твердого тела» ДВО РАН, АНЦ (Благовещенск, 2003); VIII межрегиональной научно-практической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов (Нерюнгри, 2007); IX региональной межвузовской научно-практической конференции «Молодежь XXI века: шаг в будущее» (Благовещенск, 2008).

По теме исследования опубликовано 10 статей, из них 3 в журналах, входящих в списки ВАК.

Объем работы и её структура

Диссертация состоит из введения, трех глав и заключения, включает 5 таблиц, 36 рисунков и библиографию из 192 наименований. Общий объём диссертации - 109 стр. машинописного текста.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Барышников, Александр Сергеевич

Заключение

В работе экспериментально исследованы диэлектрические свойства

Pb]-xGexTe (Ga) и термо-ЭДС в районе сегнетоэлектрического фазового перехода. Получены следующие результаты.

1. Разработана методика исследования диэлектрических свойств сегнетоэлек-триков-полупроводников PbixGexTe (Ga) в частотном диапазоне 102 - 107 Гц.

2. Исследована температурная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости для Pbi-xGexTe (Ga) для х = 0.02; 0.03; 0.05 в интервале температур 77- 160 К. Показано, что не только температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс, но е существенно растет с ростом содержания Ge.

3. Обнаружено, что для всех исследованных составов Pb].xGexTe (Ga) на температурной зависимости диэлектрической проницаемости наблюдаются два пика: при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода Тс и добавочный при Т] >ТС.

4. Исследована частотная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости PbixGexTe (Ga) сх = 0.02; 0.03; 0.05 в диапазоне 102-106Гц. Рассчитан tg5, обусловленный поляризационными токами. Показано, что релаксационные потери зависят от концентрации свободных носителей.

5. Исследовано поведение термо-ЭДС для Pb0.95Ge0.05Te (Ga). Показано, что наличие спонтанной поляризации ниже фазового перехода ведет к появлению полярных компонент термотока. Эти компоненты пропорциональны вектору спонтанной поляризации и не зависят от направления температурного градиента.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Барышников, Александр Сергеевич, 2008 год

1. Yaraneri Н., Grassie A.D.C., Loram J.W. Coupled phase transitions in Pbi.xGexTe //Lect. Notes in Phys.- 1982.-V.152.- P.270-274.

2. Epifanov Yu.N., Pevanyuk L.A., Levanyuk G.M. Interaction of carriers with to-phonons and electrical conductivity of ferroelectrics // Ferroelectrics.1981. -V.35 P.199-202.

3. Maslov V.V., Baryshnikov S.V., Copelevich Ya.V. Photostimulated phase transition shift in a narrow gap ferroelectric-semiconductor //Ferroelectrics. —1982.-V.45.- P.51-54.

4. Katayama S., Murase K. Role of local displacement of Ge ions on structural instability in Pbi.xGexTe //Sol. State Comm. N8 -1980. -V.36.-P.707-711.

5. Гиршберг Я.Г., Тамарченко В.И. Неустойчивость и фазовый переход в системах с межзонным взаимодействием //ФТТ. -1976. Т. 18, №4-С.1066 -1072.

6. Sakai К. Vibronic theory of a structural phase transition and a tricritical point in IV-VI compounds //Phys.Rev В.- 1986.-V.34.- P.8019-8037.

7. Islam Q.T., Bunker B.A. Ferroelectric Transition in Pb.xGexTe: Extended X-Ray-Absorption Fine-Structure Investigation of the Ge and Pb Sites // Phys. Rev. Lett.- 1987.-V.59.-P.2701-2704.

8. Rong Lu, Muneaki Hase, Masahiro Kitajima, Shinichi Nakashima, and Shunji Sugai.Ultrafast critical dynamics of a ferroelectric phase transition in PbixGexTe//Phys. Rev.-2007.-B 75.-P.012107-012111.

9. Бушмарина Г.С., Грузинов Б.Ф., Драбкин И.А., Лев Е.Я., Нельсон И.В. О стабилизации уровня Ферми в сплавах PbixGexTe, легированных Ga //ФТП. 1977.-T.il, №10. - С.1874 -1881.

10. Lombardo G., Pohl R.O. Electrocaloric Effect and a New Type of Impurity Mode // Phys. Rev. Lett.- 1965-V.l5-P.291-293.

11. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении халькогенидов свинца РЬТе, PbSe, PbS. М.: Наука, 1968.-361с.

12. Абрикосов Н.Х., Шелимова JI.E. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. -М.: Наука, 1975. 195с.

13. Соболев В.В. Собственные энергетические уровни соединений A1VBVI-Кишенев: Штиинца, 1981. 284с.

14. Коржуев М.А. Теллурид германия и его физические свойства М.: Наука, 1986. -103с.

15. Lovett D. Semimetals and narrow bandgap semiconductors // L. Pion. Imt.-1977.-P.256.

16. Смит P. Полупроводники /Перевод с английского под редакцией Н.А. Ленина. М.: Мир, 1982. - 589с.

17. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: Наука, 1972.-640с.

18. Herman F., Kortum R.L., Otenburger I.B., van Dyke J.P. Relativistic band structure of Ge, PbTe, PbSe and PbS //J. Phys. 1968. - V.29, suppl. 11/12 . -P.C4-64 - C4-77.

19. Otenburger I.B., Rudge W.E. Band structure of the rhombohedrally distorted form of GeTe //Bull. Amer. Phys. Soc. 1973. - V18, №3.-P.323BF8.

20. Cohen M.L., Falicov L.M., Golin S. Crystal chemistry and band structures of the group V semimetals and the IV-VI semiconductors //IBM J. Res. and Develop. 1964. - V.8, 17. - P.215 -223.

21. Tung Y.W., Cohen M.L. Relativistic band structure and electronic properties of SnTe, GeTe and PbTe //Phys. Rev. 1969. - V. 180, №3. - P.823-826.

22. Cohen M.L., Tung Y.W. Relativistic band structure of IV—VI compounds //J. Phys. 1968. - V.29, suppl. 11/12. -P.64-78.

23. Poladoglou H.M., Teodonou G., Economou N.A. Band structure of cubic and rhombohedral GeTe //Lect. Notes. Phys. 1982. - №152. - P.221-225.

24. Коломеец H.B., Лев Е.Я., Сысоева JI.M. Электрические свойства и модель валентной зоны GeTe //ФТТ. 1964. - Т.6, №3. - С.706-713.

25. Levis J.E. Optical properties and energy gap of GeTe from reflectance studies // Phys. Stat. Sol. (b). 1973. - V.59, №1. - P.367-377.

26. Yamanaka S., Ogawa S., Morimoto I., Ueshima Y. Electronic structures and optical properties of GeTe and Ge2Sb2Te5 //Jap. Jour. App. Phys. Part 1. -1998.-V.37.-P.3327-333.

27. Вишняков Е.М., Зломанов В.П., Яценко О.Б. Фотопроводимость кристаллов PbixSnxTe, выращенных из пара //ФТП. -1978. — Т. 12, №6. -С.121-1214.

28. Анисимов Б.Б., Джамагидзе Ш.З., Швангирадзе P.P. Оптическая эффективная масса дырок в а и у -GeTe //ФТП. 1981. - Т.15, № 8. - С.1585-1588.

29. Conklin J.B., Johnson L.E. and Pratt G.W. Energy Bands in PbTe //Phys. Rev. A. 1965.-V.137.-P.1282

30. Консин П.И. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны и электронных спектров сегнетоэлектриков-полупроводников AIVBVI //ФТТ. 1982. - Т.24, №5. - С.1321-1327.

31. Яфесов A.M. Электрофизические свойства поверхностей PbTe и (PbSn)Te //ФТП. 1994. - Т.28, №4. - С.619-624.

32. Лашкарев Г.В., Кикодзе P.O., Бродовой А.В. Магнитная восприимчивость и зонный спектр узкощелевых твердых растворов Pbj.xSnxTe (х = 0,18) //ФТП.-1978.-Т12, №6. С.1066-1073.

33. Аверкин А.А., Гуриева Е.А., Ефимова Б.А., Стильбанс JI.C. Исследования твердых растворов на основе РЬТе при всестороннем давлении //ФТП.- 1978.-Т12, №6.-0.1144-1148.

34. Зломанов В.П., Лихтер А.И., Пель Э.Г., Тананаева О.И. Электрические свойства монокристаллов PbxSn^Te при высоком давлении //ФТП. -1975. Т.9, №7. - С.1396-1398.

35. Акимов Б.А., Рябов Л.И., Яценко О.Б., Чудинов С.М. Перестройка энергетического спектра в сплавах Pb.xSnxTe с примесью In при изменении их состава под давлением //ФТП. -1979. Т. 13, №4. - С.752-759.

36. Аверкин А.А., Кайданов В.И., Мельник Р.Б. О природе примесных со- . стояний в теллуриде свинца //ФТП. 1971. - Т.5, №1. - С.91-95.

37. Narrow Gap Semiconductors edited by J. Kono //Proceed, of the 12 Int. Conf. Toulouse, Francis, 2006. - 650p.

38. Скипетров Е.П., Некрасов A.H., Пелехов Д.В., Рябова Л.И., Сидоров В.И. Электрофизические и фотоэлектрические свойства PbTe(Ga), облученного электронами //ФТП. -1994. -Т.28, №9. С. 1626 -1635.

39. Абромян Ю.А., Гавриленко В.И., Красильник З.Ф., Козлов И.Н., Сераго В.И., Стафеев В.И. Фотопроводимость PbjxSnxTe(In) в миллиметровой области спектра //ФТП. -1994. Т.28, №3. - С.533 -538.

40. Немов С.А., Мусихин С.Ф., Попов В.В., Прошин В.И., Шамшур Д.В. Сверхпроводящие и электрофизические свойства тонких пленок Sn,.xGexTe: 1п//ФТТ. 1995. -Т.37, №11. - С. 3366 -3373.

41. Алтухов В.И. Теория аномальной проводимости сегнетоэлектриков . полупроводников AIVBVI //ФТТ. - 1984. - Т.26, №11.- С.3426-3431.

42. Katayama S. Anomalous resistivity in structural phase transition of IV VI compound//Sol. State Communs. - 1970. - V.19. - P.381-383.

43. Takaoka S., Murase К. Anomalous resistivity near the ferroelectric phase transition in (Pb, Ge, Sn)Te alloy semiconductors // Phys. Rev. B. 1979. -V.20. -P.2823-2833.

44. Немов С.А., Равич Ю.И., Прошин Т.Г., Абайдулин Т.Г. Явления переноса в твердом растворе (РЬ0.78$п0.22)о.971по.озТе в области прыжковой проводимости //ФТП. 1998. - Т.32, №3. -С.311-314.

45. Гришечкина С.П., Воронова И.Д. Электропроводность Pb07sSn022Te и Pb.xGexTe «-типа в сегнетоэлектрической области //ФТТ. 1995. - Т.37, №9. - С.2732 -2744.

46. Акимов В.В., Лебедев А.И., Рябов Л.И. Изменение зонной структуры в PbTe,.xSx при фазовом переходе //ФТТ. 1993. - Т.35, № 1.- С.169-172.

47. Виноградов B.C., Кучеренко И.В. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов Pbi.xSnxTe (х = 0,25) //ФТТ. 1991. - Т.ЗЗ, № 9. С.2572-2578.

48. Лебедев А.И., Случинская И.А. Влияние легирующих примесей на сегнетоэлектрические переходы в PbixSxTe и Pb(.xGexTe //ФТТ. 1993. -Т.35, №3. - С.629-635.

49. Лебедев А.И., Случинская И.А., Демин В.Н., Манро И. Нецентральность примесных атомов РЬ и Sn, индуцированная сильным локальным напряжением в решетке GeTe //ЖЭТФ. 1996. - Т.63, №8. - С.601-604.

50. Лебедев А.И., Случинская И.А., Демин В.Н., Манро И. Исследование методом EXAFS-спектроскопии влияния примесей на фазовый переход в GeTe //Изв. РАН. Сер. физ. 1996. - Т.60, №10. - С.46-52.

51. Леванюк А.П., Осипов В.В., Сигов А.С., Собянин А.А. Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов //ЖЭТФ. 1979. - Т.76, №1. - С.345-368.

52. Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Белоусов В.В., Скипетрова Л.А., Слынько Е.И. Глубокий уровень галлия в сплавах РЬ^ОеДеУ/ФТП. 2000.-Т.34.-вып. 8. - С.932-934.

53. Akimov B.A., Dmitriev A.V., Khokhlov D.R., Ryabova L.I. Carrier Transport and Non-Equilibrium Phenomena in Doped PbTe and Related Materials //Physica Status Solidi (a).-1993.- V.137.- Issue 1.- P.9-55.

54. Belogorokhov A.I., Ivanchik I.I., Khokhlov D.R., Ponomarev. S.Brazil. Глубокий уровень галлия в сплавах Pb Ge Те // J. Phys—1996- V.26 — P.308.

55. Бушмарина Г.С., Драбкин И.А., Квантов М.А., Квятковский О.Е. Магнитная восприимчивость в слабом магнитном поле и строение валентной зоны теллурида олова. НФТТ.- 1990. Т.32, №10.- С.2869-2880.

56. Feit Z., Eger D., Zemel A. Quasilocal impurity states in PbixSnxTe and PbSe0.o8Te0.92 liquid-phase epitaxial layers doped with group-Ill elements //Phys. Rev. B.-1985. -V. 31.-P. 3903-3909.

57. Акимов Б.А., Албул A.B., Иванчик И.И., Рябова Л.И., Слынько Е.И., Хохлов Д.Р. Влияния легирования галлием на свойства твердых растворов PbixGexTe. //ФТП. 1993.-Т.27. - С. 351-354.

58. Лебедев А.И., Абдуллин X.A. Исследование электрических свойств Pbj. ^GevTe с примесью индия в области фазового перехода // ФТП.-1984-Т.18 С.624-627.

59. Lebedev A.I., Michurin A.V., Sluchinskaya I.A., Demin V.N., Munro I.H. EXAFS and electrical studies of new narrow-gap semiconductors: InTeixSex and InixGaxTe. //J. Phys. Chem. Sol. -2000. -V.61.-P.2007

60. Antcliffe G.A., Chapman R.A. Diffused junction photovoltaic infrared detectors using Pb,.xGexTe with 0.05<x<0.11 //Appl. Phys. Lett.-1975.-V.26.-P.576-577.

61. Акимов Б.А., Прядун В.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Импеданс твердых растворов на основе теллурида свинца, легированного галлием // ФТП. — 2004—Т. 38, вып. 3.- С.293-295.

62. Онопко Д.Е., Рыскин А.И. Структура метастабильных центров атомов III группы в кристаллах IV-VI. // ФТП. -2000.-Т. 34, вып. 3.- С.270-274.

63. Равич Ю.М., Немов С.А. Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в РЬТе и твердых растворах на его основе// ФТП.-2002—Т. 36, вып. 1С.3-23.

64. Скипетров E.JL, Зверева Е.А., Скипетрова JI.A., Волкова О.С., Слынько Е.М. О стабилизации уровня Ферми в сплавах на основе теллурида свинца, легированных галлием // ФТП. -2002.-Т. 36, вып. 7 С.37-40.

65. Долженко Д.Е., Демин В.Н., Иванчик И.И. Хохлов. Неустойчивость DX-подобных примесных центров в РЬТе(Са) при отжиге // ФТП 2002Т. 34, вып. 10,-С. 1194-1196.

66. Кайданов В. И., Тавич Ю.И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI//У ФН.-1985.-Т. 145, вып. 1.- С.51-83.

67. Xing Gao and Murray S. Daw. Investigation of band inversion in (Pb,Sn)Te alloys using ab initio calculations.//Phys. Rev. 2008 - В 77. - P.033103

68. Kerstin Hummer, Andreas Griineis, and Georg Kresse. Structural and electronic properties of lead chalcogenides from first principles.//Phys. Rev-2007-В 75.-P.195211

69. Sawada Y., Burstein E., Carter D.L., Testardi L. Magneto-optical study of PbTe at microwave frequencies. Plasma effects in solids.// Dunod. Paris-1964.-P.71.

70. Cochran W., Cowley R.A., Dolling G., Eicomb M.M. The crystal dynamics of lead telluride //Proc. Roy. Soc. 1966. - V.A293. - P.433-451.

71. Powley G.S., Cochran W., Cowley R.A., Dolling G. Diotomic ferroelectrics //Phys. Rev. Lett.- 1966. -V.17. -P.753-755.

72. Powley G.S. Evidence of ferroelectricity in IV—VI compounds //J. Phys. -1968. -V.29, №11/12. — P.C4-145-C4-150.

73. Goldak J., Barret C.S., Innes D., Youdelis W. Structure of alpha GeTe //J. Chem. phys. 1966. - V.41. - P.3323-3325.

74. Iizumi M., Hamaguchi D.F., Kamatsubara S., Kato Y. Phase transition in SnTe with low carrier concentration //J. Phya. Soc. Jap. 1975. — V.38. -P.443-449.

75. Akiko Natori. Displacive phase transition in narrow-gap semiconductors //J. Phys. Soc. Jap.- 1976.- V.40, №1.-P.163-171.

76. Sugai M., Murase K., Katayama S., Takaoka S., Kawamura H. Carrier density dependence of soft TO-phonon in SnTe by Raman scattering //Sol. State. Communs. 1977. - V.24. -P.407-409.

77. Kinch M.A., Buss D.D. Far IR determination of the transverse optic lattice mode in PbTe at low temperature //Sol. State Communs. 1972. - V.ll. -P.319-322.

78. Muldawer L. New studies of the low temperature transformation in SnTe //J. Nonmetals. 1973. - №1. - P. 177-182.

79. Браташевский Ю.А., Прозоровский В.Д., Харионовский Ю.С. Фазовый переход в Pb ixSnxTe //ФТП. 1975. - Т.9, №8. - С. 1612-1613.

80. Takano S., Hatta S., Kawamura H., Kato Y., Kaboyashi K.L.I., Komatsubara K.F. Studies of dielectric properties and band parameters of n-PbixSnxTe by magneto-plasma waves //J. Phys. Soc. Jap. 1974. - V.37, №4. - P. 10071015.

81. Kawamura H., Murase K., Nishikawa S., Nishi S., Katayama S. Dielectric constant and soft mode of Pb.xSnxTe by magnitoplasma reflection //Sol. State. Comm. 1975.- V.17, №3.-P.341-344.

82. Насыбулин P.A. Связь температуры фазового перехода в узкощельных сегнетоэлектриках-полупроводниках Pbi.xSnxTe с параметрами электронного спектра вблизи инверсии зон: Автореферат кан. дисс. — Ленинград, 1983.- 15с.

83. Виноградов B.C., Кучеренко И.В. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов PbixSnxTe ( х = 0,25) //ФТТ. 1991. - Т.ЗЗ, № 9. - С.2572-2578.

84. Dolling G., Buyers W.J.L. Soft modes and Landau transitions in PbixSnxTe alloys //J. Nonmetals. 1973. -V.l. -P.l59-164.

85. Kawamura H. Electron-phonon interaction induced phase transition in IV- VI compounds //Physics of narrow gap semiconductors. Proceed, of the third Int. Conf. Warszawa, 1978. - P.7-24.

86. Foley G.M.T., Langenberg D.N. Room temperature static lattice dielectric constant of lead telluride by a microwave cavity-perturbation technique //Sol. State Communs. 1976. -V.l 8.- P.351-353.

87. Bate R.T., Garter D.L., Wrobel J.S. Paraelectric behavior of PbTe //Phys. Rev. Lett. 1970. - V.25, №3. -P.159-162.

88. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл. Титанат бария. М.: Наука, 1974. -295с.

89. Квятковский О.Е., Максимов Е.Г. Микроскопическая теория динамики решетки и природа сегнетоэлектрической неустойчивости в кристаллах //УФН.- 1988.-Т.154, №1. С.3-48.

90. Квятковский О.Е. Диполь-дипольное взаимодействие в кристаллах и сегнетоэлектрические свойства А4В6 //ФТТ. -1986. Т.28, №4. - С.983 -990.

91. Jantsch W. Dielectric properties and soft modes in semiconducting (Pb,Sn,Ge)Te. In: Dynamical properties of IV-VI compounds //Springer tracts in modern physics, v. 99. Springer-Verlag. 1983 - P. 1-50.

92. Salameh Ahmad, S. D. Mahanti, Khang Hoang, and M. G. Kanatzidis. Ab initio studies of the electronic structure of defects in PbTe //Phys. Rev. -2006.1. B 74.-P. 155205.

93. Bilz H., Bussmann-Holder A. Ferroelectricity in ternary compounds. 11 Nuovo Cim. D. -1983.-V. 2, N 6.-P.1957-1963.

94. Nishi S., Kawamura H., Murase K. Study of lattice instability by mm-wave magnetoplasma reflection in PbTe-SnTe compound semiconductors. // Phys. Stat. Sol. (b). 1980.- V. 97, N.2.-P.581-590.

95. Jantsch W., Lopez-Otero A., Bauer G. Submillimetre spectroscopy of Pb!.xGexTe. // Infrared Phys.- 1978.- V.18, N. 5/6.- P.877-881.

96. Hohnke D.K., Holloway H., Kaiser S. Phase relations and transformations in the system PbTe-GeTe. // J.Phys.Chem. Solids. -1972.- V.33, N.ll- P.2053-2062.

97. Antcliffe G.A., Bate R.T., Buss D.D. On the ferroelectric nature of the cubic rhombohedral phase transition in PbixGexTe. // Solid State Com-mun-1973-V.13, N.7.-P.1003-1006.

98. Jantsch W., Mitter H., Lopez-Otero A. Anomalies of the static dielectric constant of PbbxGexTe. // Z.Phys.B.-1981.- V.41, N.4.- P.287-290.

99. Suski Т., Takaoka S., Ishii K., Murase K. High-pressure investigations of ferroelectric phase transition in PbGeTe. // J. Phys.C.- 1984. -V.17, N.12.-P.2181-2192.

100. ЮЗ.Гришечкина С.П., Жоховец С.В., Шотов А.П. Сегнетоэлектрические константы узкощелевых полупроводников типа AIVBVI. // ФТТ.-1980-Т.22, В.8.— С.2516-2518.

101. Гришечкина С.П., Жоховец С.В., Копыловский Б.Д., Шотов А.П. Влияние сегнетоэлектрического фазового перехода на электрические характеристики р-п-переходов в Pb|xGexTe. // ФТП— 1978.-Т.12, В.6-С.1132-1137.

102. Jantsch W. Dielectric properties of (Pb,Sn,Ge)Te — influence of defects. // In: Lect. Notes in Phys. -1982. V.152. - P.226-237.

103. Bauer G., Burkhard H., Jantsch W., Unterleitner F., Lopez-Otero A., Schleussner G. Influence of free carriers and lattice defects on the TO-phonon softening in PbTe. // Proc. Int. Conf. on lattice dynamics. Paris, 1977 — P.669-672.

104. Jantsch W., Lopez-Otero A. Influence of lattice defects on the paraelectric behaviour of PbTe. // Proc. 13th Int. Conf. Phys. Semicond. -Rome, 1976. -P.487-490.

105. Suski Т., Konczykowski M., Leszczynski M., Lesueur D., Dural J. Ferroelectric phase transition in electron irradiated PbSnTe crystals. // J. Phys.C. 1982.-V.15, N.27. - P. L953-L956.

106. Акимов Б.А., Борщевский B.B., Брандт Н.Б., Пирогов Ю.А. Влияние примеси индия на диэлектрические и фотопроводящие свойства полу-проводников-сегнетоэлектриков Pbi.xSnxTe. //ФТТ. -1990 Т.32, В.1.— С.273-275.

107. Sugimoto N., Matsuda Т., Hatta I. Specific heat capacity of Pbl-xGexTe at their structural phase transitions //J. Phys. Soc. Jap.-1981. V.50. - P.1555-1559.

108. Рычгорский B.B., Турлов A.B. Измерение температурной зависимости диэлектрической проницаемости в Pb0.97Ge0.03Te. //В сб.: Элементарные возбуждения в сегнетоэлектриках. JI. 1983. - С. 47-48.

109. Логачев Ю.А., Мойжес Б.Я. Фазовый переход в твердом растворе с нецентральными примесями (Pbi.xGexTe)./AI>TT.-1977.-T.19, В.9.- С. 17931795.

110. Логачев Ю.А., Мойжес Б.Я. Теория рассеяния фононов на дефектах в сильно анизотропных кристаллах с решеткой NaCl. // ФТТ. 1975. -Т.17, В.8. -С.2209-2216.

111. Кристофель Н.Н. Теория примесных центров малых радиусов в ионных кристаллах М.: Наука. 1974 - 336с.

112. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах. / Пер. с англ.,-М.: Мир.- 1978.-Т.2.-Гл.21.

113. Вугмейстер Б.Е., Глинчук М.Д. Кооперативные явления в кристаллах с нецентральными ионами — дипольное стекло и сегнетоэлектричество. // УФН. 1985. -Т.146, В.З. - С.459-491.

114. Pantelides S.T., Harrison W.A., Yndurain F. Theory of off-center impurities in semiconductors. // Phys.Rev.B. 1986. - V.34, N.8. - P.6038-6040.

115. Hock K.H., Thomas H. Statics and dynamics of «soft» impurities in a crystal. // Zs. Phys. B. 1977. - Bd. 27. - N 3. - P.267-271.

116. Hock K.H., Schafer R., Thomas H. Dynamics of a locally distorted impurity in a host crystal with displacive phase transition. // Zs. Phys. B. 1979. — Bd.36. -N.2. - P.151-160.

117. Hochli U.T., Weibel H.E., Rehwald W. Elastic and dielectric dispersion in the dipole glass Kj.xLixTa03. // J.Phys.C. 1982. - V.15, N.30. - P.6129- 6140.

118. Chitta V. A., Desrat W., Maude D. K., Piot B. A., Oliveira N. F., Rappl P. H., Ueta A. Y., and Abramof E. Multivalley transport and the integer quantum Hall effect in a PbTe quantum well Phys. Rev. -2005. -B 72. P. 195326

119. Брус А., Каули P. Структурные фазовые переходы. / Пер. с англ. М.: Мир.- 1984.- 408с.

120. Axe J.D., Shapiro S.M., Shirane G., Riste Т. Neutron scattering studies of soft mode dynamics. // In: Anharmonic lattices, structural transitions and melting. NATO Adv.Study Inst.Ser., Ser. E.- 1974. P. 23-37.

121. Halperin B.I., Varma C.M. Defects and the central peak near structural phase transitions. // Phys. Rev.B. 1976. - V.14, N.9. - P.4030-4044.

122. Thomas H. Dynamics of defects at structural phase transitions.// Ferroelec-trics. 1981. -V.35. -P.89-97.

123. Schmidt H., Schwabl F. Localized modes and central peak at displacive phase transitions. // Phys. Lett. A. -1977. -V.61, N.7. P.476-478.

124. Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A. EXAFS study of the influence of impurities on the phase transition in GeTe.// Ferroelectrics- 2004. -V.298. P. 189.

125. Лебедев Н.И., Леванюк А.П., Сигов А.С. Поляризованные дефекты и аномалии свойств кристаллов при фазовых переходах. // ЖЭТФ. — 1983. -Т.85, В.4. С.1423-1436.

126. Аксенов В.Л., Плакида Н.М., Стаменкович С. Рассеяние нейтронов сег-нетоэлектриками М.: Энергоатомиздат-1984 — 255с.

127. Аксенов В.Л., Бретер X., Плакида Н.М. Динамика решетки сегнето-электриков с примесями. // ФТТ. 1978. -Т.20, В.5. - С.1469-1476.

128. Tolwdano J.-C. Dwfauts et transitions de phase structurales. //Ann. Telecom-mun. 1984. - V.39, N.7-8. - P.277-297.

129. Vugmeister B.E., Glinchuk M.D. Dipole glass and ferroelectricity in random-site electric dipole systems. //Rev. Mod. Phys. 1990. -V.62, N.4. -P.993-1026.

130. Вугмейстер Б.Е., Глинчук М.Д. Особенности кооперативного поведения параэлектрических дефектов в сильно поляризуемых кристаллах. //ЖЭТФ. 1980. - Т.79, В.З. - С.947-952.

131. Klein M.W., Held С., Zuroff Е. Dipole interactions among polar defects: a self-consistent theory with application to OH- impurities in KC1. //Phys. Rev.B. 1976. - V. 13, N.8. -P.3576-3589.

132. Aharony A. Absence of ferromagnetic long range order in random isotropic dipolar magnets and in similar systems. //Solid State Com-mun. -1978. -V.28, N.8. -P.667-670.

133. Sadreev A.F. Absence of long-range order in a dipole system. //Phys. Lett. A-1986.- V .115, N.5P. 193-195.

134. Fischer В., Klein M.W. New kind of phase transition in randomly distributed tunneling dipoles in alkali halides. //Phys. Rev. Lett 1976 - V.37, N.12-P.756-759.

135. Вугмейстер Б.Е. Возникновение сегнетоэлектрического дальнего порядка в примесных дипольных системах.// ФТТ.— 1984- Т.26, В.8.— С.2448-2455.

136. Вихнин B.C., Борковская Ю.Б. Индуцированный затуханием критических фононов переход из сегнетоэлектрической фазы в фазу псевдоспинового дипольного стекла в сегнетоэлектриках с дипольными примесями. // ФТТ.- 1982.- Т.24, В.З.- С.860-865.

137. Vugmeister В.Е., Stephanovich V.A. New random field theory for the concen-trational phase transitions with appearance of long-range order. Application to the impurity dipole systems. // Solid State Commun- 1987- V.63, N.4.-P.323-327.

138. Вугмейстер Б.Е., Косевич Ю.А. Упорядочение нецентральных ионов на поверхности сильно поляризуемых кристаллов. Локализованное сегнето-и пьезоэлектричество. // ФТТ.- 1989.- Т.31, B.l 1.-С.59-62.

139. Глинчук М.Д., Смолянинов И.М. Особенности взаимодействия упругих диполей и индуцированные переходы в виртуальных сегнетоэлектриках. // ФТТ. -1988. -Т.30, В.4. -С. 1197-1199.

140. МЗ.Глинчук М.Д., Смолянинов И.М. Сегнетоэластический фазовый переход в мягких решетках со случайными упругими полями. // Изв. АН СССР, сер. физ. -1989. -Т.53, В.7. -С.1261-1264.

141. Glinchuk M.D., Smolyaninov I.M. Structural phase transition induced by elastic fields of impurities. //Phase Transitions. -1990. -V.29. -P.95-103.

142. Takano S., Kumashiro Y., Tsuji K. Resistivity anomalies in Pbl-xGexTe at low temperatures.// J. Phys. Soc. Jap. -1984. -V.53, N.12. -P.4309- 4314.

143. Литвинов В.И. Индуцированный примесными диполями фазовый переход в полупроводниках А4В6. // ФТТ. -1987. -Т.29, В.7. С.2206-2209.

144. Вугмейстер Б.Е., Глинчук М.Д. Сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах с нецентральными примесями. // ФТТ. —1979. -Т.21, В.4. -С.1263-1265.

145. Вугмейстер Б.Е. Эффекты ангармонизма решетки вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода, индуцированного дипольными примесями. // ФТТ. -1985. Т.27, В.4. - С.1190-1193.

146. Yantsch W., Mitter Н., Lopez-Otero A. Anomales of static dielectric constant of Pbi.xGexTe HZ. Phys. B. Condensed Matter. 1981. - V.41. - P.287-290.

147. Вугмейстер Б.Е., Стефанович В.А. Высокотемпературная восприимчивость сильно поляризуемых диэлектриков с дипольными примесями. // ФТТ. -1985. -Т.273-7. С.2034-2038.

148. Коренблит И .Я., Шендер Е.Ф. Ферромагнетизм неупорядоченных систем. // УФН. -1978. -Т. 126, В.2. С.233-268.

149. Hochli U.T. Experimental studies on quantum ferroelectrics. // Ferro-electrics. -1981. -V.35. P. 17-30.

150. Yaraneri H., Grassie A.D.C., Loram J.W. Coupled phase transitions in Pb,.xGexTe. // In: Lect. Notes in Phys. -1982. -V.152. P.270-274.

151. Литвинов В.И. Кооперативное поведение собственных дефектов в се-гнетоэлектрике Pb,.xGexTe. // ФТТ. -1984. -Т.26,В.4. С.1184-1186.

152. Yaraneri Н., Grassie A.D.C., Yusheng Не., Loram J.W. A quasi-Kondo effect inPb,.xGexTe alloys.//J. Phys. C. 1981.-V.14,No 15. - P.441-444.

153. Yaraneri H., Grassie A.D.C., Loram J.W. Coupled phase transitions in Pbi xGexTe. // In: Lect. Notes in Phys. 1982. -V.152. - P. 270-274.

154. Равич Ю.И., Немов C.A. Прыжковый перенос в твердых растворах (Pbo.78Sno.22)i-xInxTe при дополнительном легировании.//ФТП-2001 -Т.ЗЗ, №2 С.164-170

155. Hohnke D.K., Holloway Н., Kaiser S. Phase relations and transformations in the system PbTe GeTe. J. Phys. Chem. Solids. 1972. -V. 33, N 11. - P. 2053-2062.

156. Takaoka S., Murase K. Anomalous resistivity near the ferroelectric phase transition in (Pb, Ge, Sn)Te alloy semiconductors // Phys. Rev. Ser. B. -1979. -V.20. -P.2823-2833.

157. Murase К Ferroelectric lattice instabilities in narrow band gap semiconduc-tors.//Ferrolectrics. 1981. - V.35. - P.67-72.

158. Suski Т., Takaoka S., Murase K. New phenomena of low temperature resistivity enhancement in quantum ferroelectric semiconductors // Sol. State Comm. 1983. - V.45(3) - P.259-262.

159. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука, 1968. -462с.

160. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики.- М.г Наука, 1971.-476с.

161. Вакс В. Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков-М.: Наука, 1973.-327с.

162. Берсукер И.Б., Вехтер Б.Г. Межзонное взаимодействие и спонтанная поляризация кристаллических решёток. //ФТТ 1967 - С.2652-2660.

163. Блинц Р., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики /Перевод с английского под редакцией J1.A. Шувалова. М.: Мир, 1975. - 398с.

164. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М.: Наука, 1976-408с.

165. Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука, 1979. - 464с.

166. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы /Перевод с английского под редакцией В.В. Леманова, Г.А. Смоленского -М.: Мир, 1981.-736с.

167. Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М.: Наука, 1982. - 400с.

168. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах .- М.: Наука, 1995. 302с.

169. Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г., Трунов Н.Н. Межзонная модель сегнето-электричества. Теория и эксперимент. // Изв. ВУЗов. Физика. 1981. -№8. - С.94-109.

170. Бурсиан Э.В. Полярные и когерентные эффекты в сегнетоэлектриках //Межзонная модель сегнетоэлектрика: Сб. научных трудов. Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена. -1987. С.88-107.

171. Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г. Когерентные эффекты в сегнетоэлектриках. -М.: Прометей 1989. - 198с.

172. Белиничер В.И., Стурман Б.И. Фотовольтаический эффект в средах без центра инверсии //УФН. -1980. Т. 130. - С.415-458.

173. Стурман Б.И., Фридкин В.М. Фотогальванический эффект в средах без центра инверсии и родственные явления. — М.: Наука. — 1992. — 208с.

174. Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г., Трунов Н.Н. Аномальный фотовольтаический эффект в системах с электронным и фононным параметром порядка //ЖЭТФ. 1982. - Т.82, №4. - С.1170-1175.

175. Girshberg Ya. G., Kalimullin R.Kh., Egorov V.A., Bursian E.V. Polar ther-moelectromotive power and polar heat conductivity in ferroelectrics //Sol. State. Communs. 1985. - V.53. - P.633-636.

176. Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г., Калимуллин P.X., Клецкин А.В., Харио-новский Ю.С. Полярная теплопроводность в сегнетоэлектрике //ФТТ. -1985. Т.27,- № 9. - С.2825-2826.

177. Glass A.M., von der Linde P., Negren T.I. Highvoltage bulla photovoltaic effect and the photorefractive process in LiNb03 //Appl. Phys. Lett. 1974. - V.25, №4. - P.233-235.

178. Koch W.T.H., Munser R., Ruppel W., Wurfer P. Bulk photovoltaic effect in BaTi03 //Sol. St. Communs. 1975. - V.17, №7. - P.847-850.

179. Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г., Егоров В.А., Калимуллин Р.Х. Переход сегнетоэлектрика в состояние с магнитным моментом во внешнем электромагнитном поле //Письма в ЖЭТФ. 1983. - Т.37, №11.- С.520 -522.

180. Фридкин В.М., Попов Б.Н., Ионов П.В. Температурная и спектральная зависимость фотовольтаического тока в сегнетоэлектриках //Изв. АН СССР. Сер.физ.- 1977. — Т.41. — С.771-774.

181. Физическая энциклопедия, Т.1, М: Советская энциклопедия. -1988. -700с.

182. Корецкий Ю.В. Основы физики диэлектриков. -М: "Энергия".- 1979. -25с.

183. Гудков О.И., Егоров В.Н., Кащенко М.В. Современное состояние и перспективы развития метрологического обеспечения диэлектрических измерений. //Измерительная техника. 1994. - №12. - С.34-40.

184. Барышников С.В., Барышников А.С., Маслов В.В. Релаксационные потери в Pb.xGexTe, легированном Ga. // Известия РАН, сер. Физическая. -2003. Т.67, №8. - С.1133-1135.

185. Барышников С.В, Ланкин С.В. //Труды 5ой Международной конференции. «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Том I. Александров, ВНИИСИМС. 2001. - С.477.

186. Бурсиан Э.В., Егоров В.А., Калимулин Р.Х., Гиршберг Я.Г.//Изв.АН СССР. Сер.Физ. 1984. - Т.48, №6. - С.1120.

187. Стыценко Е.В. Четный по полю ток в одноосных сегнетоэлектриках: Автореферат канд. дисс. Ростов-на-Дону - 1996. - 23 с.