Особенности дефектной структуры полупроводниковых материалов, связанные с упругой анизотропией тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Подрезов, Анатолий Аркадьевич

• Подрезов, Анатолий Аркадьевич
• кандидат физико-математических наук
• 1983

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Подрезов, Анатолий Аркадьевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПРИМЕСИ СО СТРУКТУРНЫМИ ДЕФЕКТАМИ ^ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)

1.1. Взаимодействие атомов примеси и дислокаций в объеме кристалла.

1.2. Внутренние границы раздела в кристалле. Их взаимодействие с атомами примеси.

1.3. Взаимодействие дефектов на свободной поверхности кристалла

1.4. Выводы.

1.4.1. Упругое взаимодействие примесь-дислокация

1.4.2. Структура межзеренных границ и взаимодействие примеси с упругими полями таких границ

1.4.3. Упругое взаимодействие дефектов на свободной поверхности.

ГЛАВА 2. ВЛИЯНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ УПРУГОЙ ПРИМЕСНОЙ АТМОСФЕРЫ

НА ОРИЕНТАЦИЮ ПРЯМОЛИНЕЙНЫХ КРАЕВЫХ ДИСЛОКАЦИЙ

2.1. Расчетные формулы и результаты их качественного рассмотрения

2.1.1. Определение kjj и методом решении уравнений совместности деформаций.

2.1.2. Зависимость энергии взаимодействия дислокация-атмосфера от концентрации примеси. Возможность переориентации дислокационной линии

2.2. Результаты количественных расчетов для системы дислокация-атмосфера в кремнии.

2.2.1» Собственная энергия дислокации

2.2.2. Энергия взаимодействия дислокация-атмосфера

2.2.3. Энергия сиитемы дислокация-атмосфера

2.3. Обсуждение корректности применения статистики Больцмана для описания распределения примесных атомов в атмосфере

2.4. Твердый растворы с двумя типами примеси

2.5. Использование полученных результатов для интерпретации экспериментально наблюдаемого эффекта переогранки шестиугольной петли Франка в легированном кремнии

2.6. Выводы.

ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЯМИ ВОЛЬТЕРРА МЕ13ЕРЕНН0Й <Ю0> ГРАНИЦУ ВРАЩЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ С Г.Ц.К. РЕШЕТКОЙ

3.1. Малоугловая граница.

3.1.1. Поле смещений и структурный фактор рассеяния на границе в изотропной среде

3.1.2. Малоугловая граница в анизотропной среде

3.1.3. Влияние ориентации сетки зернограничных дислокаций на расположение и интенсивности дифракционных рефлексов

3.2. Большеутловая граница.

3.2.1. Поле смещений отдельной дислокации

3.2.2. Поле смещений сетки зернограничных дислокаций. Структурный фактор рассеяния на границе

3.3. Структурный фактор рассеяния на границе с большим угловым несоответствием (сравнение с литературными данными)

3.4. Дилатационные поля сетки зернограничных дислокаций. Перераспределение примеси вблизи границы .III

3.5. Выводы.

ГЛАВА 4. УПРУГОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ НА <ЮО>

СВОБОДНОЙ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛА.

4.1. Поле смещений дефекта на поверхности.

4.2. Энергия взаимодействия поверхностных дефектов

4.3. Взаимодействие дефектов в приближении кристалла изотропной средой

4.4. Влияние упругой анизотропии на поля смещений и энергию взаимодействия дефектов на поверхности

4.5. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности дефектной структуры полупроводниковых материалов, связанные с упругой анизотропией»

Дефекты кристаллической структуры являются важнейшей при- ! чиной ухудшения электрофизических параметров полупроводниковых приборов, уменьшения выхода годных, ускорения деградационных процессов [5,21]. Их роль неуклонно возрастает по мере того, как микроэлектронная промышленность переходит от выпуска приборов специального назначения, где фактор стоимости не играет сущест- !' венной роли, к массовому производству, В то же время устойчивая тенденция к микроминиатюризации полупроводниковых интегральных схем ведет к уменьшению размеров рабочих областей приборов и тем самым к удельному росту влияния структурных дефектов на рабочие и надежностные характеристики микроэлектронных приборов [2,82,ЮЭ]#

С другой стороны усложнение и интенсификация технологий ведут к тому, что в ходе технологических циклов в рабочие объемы вводятся различного рода дефекты - дислокации, дефекты упаковки, преципитаты и так далее. В дальнейшем при эксплуатации приборов эти дефекты являются причинами как катастрофических отказов, так и ускоренной деградации приборов. Кроме того, использование легирования как основного метода регулирования электрофизических свойств полупроводниковых материалов, сложная архитектура современных приборов, расширяющееся применение поликристаллических веществ приводит к наличию "запланированных" структурных дефектов - атомов примеси, границ раздела. Неустранимым дефектом кристаллической структуры является свободная поверхность и ее роль резко возрастает в связи с ростом степени интеграции микросхем, а также в связи с тем обстоятельством, что во многих современных приборах активные районы лежат в тонких приповерхностных областях.

Бее это определяет исключительный интерес, проявляемый учеными и инженерами к изучению структурных дефектов кристаллических веществ. За последние годы в мире опубликованы буквально тысячи работ, посвященных генерации дефектов при выращивании полупроводниковых материалов, при технологических операциях производства приборов и их эксплуатации, взаимодействию различных дефектов, их влиянию на электрофизические параметры [109]♦

Значительная часть этих работ посвящена наиболее общей составной части сложного комплексного воздействия дефектной структуры на свойства и процессы, происходящие в кристаллах, - упругому взаимодействию дефектов. Это взаимодействие зачастую играет одну из основных ролей во многих технологически важных процессах в кристаллических материалах. Например, упругое взаимодействие примеси с дислокациями является основным фактором, ответственным за стабильность тех или иных дислокационных конфигураций [6,19,53], особенности их генерации и распространения [24,94,118,119] , влияет на диффузию и активность примеси [74,91,92]; а упругое взаимодействие примесных атомов с внутренними границами раздела определяет такие взаимосвязанные процессы как сегрегация примеси на границах [87,122] , материальный транспорт через границы [75], их электрическую активность [108,110] и так далее.

Однако, не смотря на большое количество научных публикаций, посвященных упругому взаимодействию дефектов, полученные в них результаты в известной мере ограничены. Это объясняется тем, что до последнего времени основные свойства структурных дефектов описывались в рамках изотропного приближения 1.31] • Сложившаяся ситуация объясняется несколькими причинами.

Во-первых, изотропное приближение удовлетворительно предсказывало общие закономерности поведения дефектов в материалах с малой анизотропией упругих свойствгршпример, в кремнии (отношение анизотропии [31]A=I.57j , поэтому многие результаты изотропной теории оказались справедливыми. Кроме того ошибки, возникающие за счет изотропного приближения, во многих случаях оценивались как несущественные из-за наличия других аппроксимаций в теории упругости, или в результате ошибок экспериментальных наблюдений [31]. Однако в ряде публикаций было показано, что не только, как и ожидалось, изотропная теория плохо описывает поведение дефектов в веществах с большей степенью анизотропии таких, например, как (А =2.00), А% [А =2,92), Ctt (A =3,2l), но даже для слабоанизотропных веществ упругая анизотропия играет заметную роль. В качестве примера можно сослаться на ставшую классической работу [39] о скольжении ромбической дислокационной петли по {ill} призме в At (/|=1#2з) и Си, экспериментальные результаты Тимашевой и Сорокина о наличии преимущественных ориентаций краевых дислокаций в легированном кремнии [28]. В статье Чернова [5б] указывается на частный характер, а в ряде случаев и на ошибочность результатов, полученных в рамках изотропного приближения, в вопросах взаимодействия точечных дефектов (атомов примеси, собственных межузельных атомов) с дислокациями. Результаты ряда работ, наглядно иллюстрирующих необходимость учета анизотропии при исследовании упругого взаимодействия примесь-дислокация, подробно анализируется в обзоре [38]. Радикальные отличия некоторых характеристик взаимодействия точечных дефектов между собой в анизотропной и изотропной средах получены в работах [97] (взаимодействие в неограниченной среде) и [85} (взаимодействие с учетом влияния свободной поверхности). В последней работе исследовалось такое слабоанизотропное вещество как ванадий (А =0.87).

Второй основной причиной более широкого распространения изотропных методов обычно называют значительное усложнение математики в анизотропном подходе [31,38,114]. Однако учет симметрии кристаллов позволяет значительно упростить вычисления (прекрасной иллюстрацией может служить монография Стиидса [114]J. Кроме того прогресс, достигнутый в 70е годы в разработке анизотропной теории решеточных дефектов, не только не делает этот предмет более сложным, а скорее наоборот. И во многих задачах анизотропный подход вызывает не намного больше математических трудностей, чем это наблюдается в изотропном приближении.

Развитие анизотропной континуальной теории в последнее время происходило в двух направлениях [38]: с одной стороны было показано, что упругие поля дислокаций произвольной формы, дисло-ций на границе раздела двух сред с различными упругими константами, дефектов на поверхности и некоторых других объектов могут быть сконструированы из полей бесконечных прямолинейных дислокаций в объеме кристалла, а с другой стороны были получены выражения для двумерных полей прямолинейных дислокаций в форме, ориентированной на их численное определение, что позволяет получить эти начальные для решения основной задачи данные на ЭВМ с небольшими затратами машинного времени.

До последнего времени еще одной причиной, сдерживающей широкое распространение методов анизотропной упругости, являлось отсутствие единого подхода в изучении упругих взаимодействий и, как следствие этого, отсутствие единой терминологии [114]. Этот пробел заполняется с выходом обзоров [16,38,42].

Суммируя все сказанной выше, можно сделать следующие выводы. Во-первых, тенденции развития современной микроэлектроники: рост степени интеграции микроэлектронных схем, усложнение технологии изготовления и переход к массовому производству полупроводниковых приборов, ужесточение требований к надежности выпускаемой продукции, широкое использование поликристаллических материалов - обуславливают необходимость глубокого теоретического изучения структурных дефектов кристаллов. Наиболее важными вопросами в теории дефектов являются вопросы взаимодействия примеси с дислокациями в объеме кристалла, взаимодействия дефектов на свободной поверхности кристалла, о равновесной конфигурации внутренних границ раздела и сегрегации примеси на таких границах. Во-вторых, важность перечисленных вопросов, а также анализ экспериментальных данных, их интерпретации методами изотропной упругости и результатов немногочисленных работ, выполненных в рамках анизотропной упругости, определяют актуальность анизотропно! исследования этих вопросов. И в-третьих, современное состояние анизотропной континуальной теории упругости позволяет решать сложные задачи об упругом взаимодействии структурных дефектов и его влиянии на физические свойства кристаллических веществ.

Из этого следует актуальность поставленных в диссертационной работе следующих задач.

1. Исследование влияния упругого взаимодействия примеси с краевыми дислокациями в объеме кристалла на их ориентацию.

2. Моделирование межзеренной границы дислокациями Вольтерра и исследование на основе полученных полей смещений перераспределения примеси и структурного фактора рассеяния на таких границах.

3. Исследование упругого взаимодействия точечных дефектов (атомы примеси, островки в несплошной пленке) на свободной поверхности кристаллов.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Подрезов, Анатолий Аркадьевич

щие выводы.

1. В изотропном приближении а) наличие дефекта на границе не вызывает смещений нормальных к поверхности, а в плоскости границы все точки поверхности испытывают радиальное смещение, величина которого уменьшается с увеличением расстояния до дефекта, б)ориен-тационная зависимость энергии взаимодействия отсутствует и в) силы взаимодействия одинаковых по знаку дефектов (оба дефекта расширения или сжатия) являются силами отталкивания.

2. Упругая анизотропия кристалла существенно изменяет вид упругих полей дефекта и силовые и энергетические характеристики их взаимодействия и эти изменения тем значительнее, чем больше степень анизотропии кристалла. Расчеты показали, что в анизотропном приближении в отличии от изотропного а)возникают смещения точек поверхности в направлении нормали к границе (рис. 4.2), а смещения в плоскости границы носят более сложный характер (рис. 4.3),-б)энергия взаимодействия двух одинаковых дефектов зависит от расположения дефектов друг относительно друга и для кристаллов с отношением анизотропии А>1 минимальна при их взаимном расположении вдоль направлений типа <100> (рис. 4.4) и в)для кристаллов с 1гА&2 силы взаимодействия являются силами отталкивания, а при дальнейшем увеличении отношения анизотропии вокруг направлений ^Ю0> возникают зоны углов, в которых силы взаимодействия меняют знак; размер таких зон увеличивается с увеличением А (рис. 4.6).

Полученные в работе характеристики упругого взаимодействия поверхностных дефектов описывают важную составную часть сложного комплексного взаимодействия в системе: кристалл-поверхностный дефект (или группа дефектов)-окружающая среда, вызывающего пристальный интерес ученых и инженеров в связи с возрастающей важностыо его изучения в свете тенденций развития современной микроэлектроники. Когда вклад упругого взаимодействия дефектов в общую энергию взаимодействия на поверхности достаточно велик, это взаимодействие может стать одним из основных механизмов, определяющих взаимное расположение поверхностных дефектов, их миграцию, другие характеристики процессов на поверхности. В частности анизотропный характер исследуемого взаимодействия, выразившийся в существовании преимущественных напралений взаимного расположения дефектов, позволит по новому взглянуть на имеющиеся в научной литературе экспериментальные данные о коррелированном расположении островков в несплошных пленках [14,60].

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные научные результаты диссертационной работы можно сформулировать следующим образом.

1. Впервые исследованы энергетические характеристики упругого взаимодействия дислокаций с коллективом примесных атомов в анизотропном кубическом кристалле. Показано, что формирование примесных атмосфер упругого типа на дислокациях всегда энергетически оправдано и приводит к существованию преимущественных ориентаций дислокаций, причем эти ориентации могут отличаться от преимущественных ориентаций тех же дислокаций в беспримесных кристаллах.

2. Расчитаны зоны существования ориентаций <П0> и <П2> для краевых дислокаций с векторами Бюргерса 1/2<П0> и 1/3<III> в легированном кремнии в широком диапазоне изменения температуры, концентрации примеси и размерного несоответствия атомов примеси и матрицы. На основании этих данных объяснено экспериментально наблюдаемое изменение огранки шестиугольной петли Франка от направления <П2> к <ЕЮ> при высокотемпературном отжиге легированного сурьмой кремния.

3. Путем сопоставления теоретических и экспериментальных результатов показано, что либо а)существует ориентационная зависимость параметра обрезания, или радиуса ядра дислокации, у*0, либо б) для дислокации с атмосферой #/7.

4. Впервые получены упругие поля межзеренной <Ю0> границы вращения в анизотропных кристаллах с г.ц.к. решеткой для границ с малым и большим угловым несоответствием.

5. Исследована зависимость интенсивностей дифракционных рефлексов при рассеянии на такой границе в г.ц.к. кристаллах от степени упругой анизотропии кристалла и ориентации сетки зерногранич-ных дислокаций. Проведено сравнение расчетных интенсивностей с имеющимися в научной литературе экспериментальными и теоретическими данными, которое показало, что развитые в диссертации анизотропные модели адекватно описывают экспериментальный материал и имеют определенные преимущества перед разработанными ранее изотропными моделями.

6. Установлено наличие ненулевых дилатационных полей <100> границы вращения в кристаллах с г.ц.к. решеткой. Тем самым предсказана возможность перераспределения примеси на таких границах.

7. Впервые получены упругие поля и энергетические и силовые характеристики упругого взаимодействия точечных дефектов на <100> свободной поверхности анизотропного кубического кристалла.

8. Показано, что упругая анизотропия приводит к существованию преимущественных ориентаций взаимного расположения поверхностных дефектов, а для кристаллов с отношением анизотропии А£-2 - к инверсии знака сил взаимодействия.

X 5 X

В заключении автор выражает глубокую благодарность своему руководителю Виктору Ивановичу Мурыгину за оказанное доверие, доброжелательное отношение и поддержку в работе, а также Геннадию Николаевичу Гайдукову за исключительно полезное сотрудничество и постоянное внимание и Сергею Кирилловичу Максимову, чья помощь и критические замечания были всегда уместны и своевременны.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Подрезов, Анатолий Аркадьевич, 1983 год

1. Гегузин Я. Е., Кагановский Ю.С. Диффузионный перенос массы в островковых пленках. УФН, 1978, 5®. 125, вып. 3, с. 489-525;

2. Губанов А.И. Анизотропная теория границы двух кристаллов. -ФТТ, 1975, т. 17, № 4, с. 1089-1095.

3. Делингер У. Теоретическое материаловедение. М.: Металлург-издат, I960, 296 с.

4. Дистлер Г.И. и др. Декорирование поверхности твердых тел. -МЛ Наука, 1976, 112 с.

5. Дистлер Г.И. Кристаллизация как матричный репликационный процесс. -В;5кн.: Рост кристаллов. Ереван: изд. Ереванского университета, 1975, т. II, с. 47-62.

6. Инденбом В.Л., Альшвиц В.И., Чернов В.М. Дислокации в анизот^-грешной теории упругости. В кн.: Дефекты в кристаллах и ихмоделирование на ЭВМ. Л.: Наука, 1980, с. 23-76.

7. Инденбом В.Л. Роль упругого взаимодействия в явлении эпитакстг сии. В кн.: Рост кристаллов. - Ереван: изд. Ереванскогоуниверситета, 1975, т. II, с. 62-64.

8. Майер К. Физико-химическая кристаллография. М.: Металлургия, 1972, 480 с.

9. Никитенко В.И., Осипьян Ю.А. Влияние дислокаций на электрические, оптические, магнитные свойства кристаллов. В кн.: Проб- • лемы современной кристаллографии. - М.: Наука, 1975, с.235-261.

10. Новацкий В. Теория упругости. М.: Мир, 1975, 872с.

11. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок.- М.: Наука, 1972, 320 с.

12. Петухов Б.В., Сухарев В.Я. 0 влиянии упругих полей точечных дефектов на подвижность дислокаций в кристаллическом рельефе. -ФТТ, 1981, т. 23, № 4. с. 1093.^1096.

13. Рябов А.В., Смирнов Б.И., Шульцман С.Г., Жукова Т.Б., Смирнов И.А 0 механизме стабилизации металлической фазы на поверхности кристалла SrruS. ФТТ, 1977, т. 19, № 9, с. 1699-1702.

14. Смирнов Б.И., Кестнер Г., Рябов А.В., Смирнов И.А. Исследование дефектной структуры межфазной границы металл-полупроводник в SntS методом высоковольтной электронной микроскопии.

15. ФТТ, 1983, т. 25, № 2, с. 541-546.

16. Сорокин Л.М., Подрезов А.А., Старобогатов P.O., Тимашева Т.П. Влияние примесной атмосферы около сидячей петли Франка на ее равновесную конфигурацию. ФТТ, 1983, т.25, В 7, с. 2051-2056.

17. Тимашева Т.П., Сорокин Л.М. Природа дефектов, возникающих при распаде твердого раствора сурьмы в кремнии. В кн.: Легированные полупроводники. - М.: Наука, 1975, с. 100-103.

18. Трусов Л.И., Холмянский В.А. Островковые металлические пленки. -М.: Металлургия, 1973 , 321 с.

19. Форсайт Дж., Малькольм М., Моулер К. Машинные методы математических вычислений. М.: Мир, 1980,

20. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972,600с.

21. Хирт Лд., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972, 600с.

22. Шермергор Т.Д. Теория упругости микронеоднородных сред. М.: Наука, 1977, 400с.

23. Ху С. Диффузия в кремнии и германии. В кн.: Атомная диффузия в полупроводниках. - М.: Мир, 1975, с. 248-405.

24. Чернов А.А. Слоисто-спиральный рост кристаллов. УФН, 1962, т. 73, вып. 2.

25. Эпштейн Э.М. Фазовый переход монокристалл-поликристалл, обусловленный межкристаллитной внутренней адсорбцией примесей. -Кристаллография, 1983, т. 28, вып. I, с. 164-165.

26. Asaro R.J., Hirth J.P., Barnett D.M. A Further Synthesis of Sextic and Integral Theories for Dislocations and Line Forces in Anisotropic Media. Phys. Stat. Sol. (Ъ), 1973, v. 60,1. 1, p. 261-271.

27. Bacmann J-J., Silvestre G., Petit M. Partial Secondary Dislocations in Germanium Grain Boundary I. Periodic Network in a £.=5 Coincidence Boundary. - Phyl. Mag. A, 1981, v. 4-3, N 1,p. 189-200.

28. Bacon D.J., Barnett D.M., Scattergood R.O. Anisotropic Continuum Theory of Lattice Defects. Progr. Materials Sci., 1978, v. 23, N 2-4, p. 51-266.

29. Bacon D.J., Bullough R., Willis J.R. The Anisotropic Elastic Energy of a Rhombus-shaped Dislocation Loop. Phil. Mag., 1970, v. 22, N 175, p. 31-45.

30. Balluffi R.W., Brokman A., King A.H. CSL/DSC Lattice Model for General Crystal-crystal Boundaries and Their Line Defects. -Acta Metall., 1982, v. 30, N 8, p. 1453-1470.

31. Bapna M.S., Parameswaran V.R. Anisotropic Elastic Interaction

32. Between Misfit Defects and Extended Screw Dislocations in FCC Metals. J. Appl. Phys., 1980, v. 51, N 6, p. 3186-3195.

33. Barnett D.M. Advances in the Continuum Theory of Dislocations. -Ins Dislocat. Model. Phys. Syst. Proc. Conf., Gainesville, Pla, June 22-27, 1980.- Oxford e.a., 1981, p. 224-237.

34. Barnett D.M., Lothe J. An Image Force Theorem for Dislocations in Anisotropic Bicrystals. J. Phys. F, 1974-, v. N 10,p. 1618-1635.

35. Barnett D.M., Lothe J. Physica Norvegica, 1975, v. 8, N 1,p. 13-22. Line Force Loading on Anisotropic Half-Spaces and Wedge

36. Barnett D.M., Lothe J. Synthesis of the Sextic and Integral Formalism for Dislocations, Green Function, and Surface Waves in Anisotropic Elastic Solids. Physica Norvegica, 1973,v. 7, N 1, p. 13-19.

37. Barnett D.M., Oliver W.C., Nix W.D. The Binding Fo^ce Between an Edge Dislocation and a Fermi-Dirac Solute Atmosphere. -Acta Metall., 1982, v. 30, N 3, p. 673-678.

38. Bishops G.H., Chalmers B. Dislocation Structure and Contrast in High-Angle Grain Boundaries. Phil. Mag., 1971, v. 24,1. 189, p. 515-526.

39. Bollmann W. Crystal Defects and Crystalline Interfaces. -Berlin: Springer-Verlag, 1970, p.

40. Bonnet K. Periodic Elastic Fields in Anisotropic Two-Phase Media. Application to Interfacial Dislocation. Acta Metall., 1981, v. 29, N 2, p. 437-4-45.

41. Brandon D.G. The Structure of High-Ahgle Grain Boundaries. -Acta Metall., 1966, v. 14, N 11, p. 1479-1484.

42. Bristowe P.D., Sass S.L. The Atomic Structure of a Large Angle 001. Twist Boundary in Gold Determined by a Joint Computer

43. Modelling and X-Ray Diffration Study. Acta Metall., 1980, v. 28, IT 5, P. 575-588. 52. Brokman A., Balluffi R.W. Coincidence Lattice Model for the Structure and Energy of Grain Boundaries. - Acta Metall., 1981, v. 29, N 10, p. 1705-1719.

44. Carter C.B. The Effect of Solute Interaction and Anisotropic Elasticity on Shockley Partial Dislocations in an FCC Alloys. -Phys. Stat. Sol. (a), 1980, v. 61, N 1, p. 147-157.

45. Chernov V.M. On the Calculation of Elastic Interaction of, Dislocations with Point Defects. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v. 68, N 2, p. 579-584.

46. Chung D.H., Buessem W.R. The Elastic Anisotropy of Crystals. -In: Anisotropy in Single Crystal Refractory Compaunds/Eds. Valdiek F.W., Mersol S.A. New-York/London: Plenum Press, 1968, p. 217-245.

47. Chung D.H., Buessem W.R. The Voigt-Reuss-Hill Approximation and Elastic Moduli of Polycrystalline MgO, CaF2, -Z11S, ZnSe, and CdTe.- J. Appl. Phys., 1967, v. 58, N 6, p. 2555-2540.

48. Cottrell A.H. Report of a Conference on the Strength of Solids.-London: The Physical Society, 1948, p. 50.

49. Denligh P.N., Dove D.B. Scanning Electron Diffraction Observations on Diffuse Inner Rings. J. Appl. Phys., 1967, v. 58,1. N 1, p. 99-102.

50. Desrousseaux G., Garlan A. Intergranular Forces of Dynamic

51. Coalescence in Very Thin Films. J. Appl. Phys., 1974, v. 45, N 2, p. 583- 587.

52. D'Heurle;F.M., Rosenberg R. Electromigration in Thin Films. -In: Phys. Thin Films/Eds. Hass G., Francombe M.H., Hoffman R.W.- 1973, v. 7, P. 257-310.

53. Duncan T.R., Kuhlmann-Wilsdorf D. The Stress Field of Dislocation Tilt Boundaries in Anisotropic Cubic and Diamond-Type Crystals. Phys. Stat. Sol., 1966, v. 18, N 1, p. 231-239.

54. Dupeux M., Bonnet R. Stresses, Displacements and Energy Calculation for Interfacial Dislocations in Anisotropic Two-Phas< Media. Acta Metall., 1980, v. 28, N 6, p. 721-728.

55. Fastow R.M. et al. Laser Growth of Thin Silicon Crystals in Patterned Structures. In: Laser and Electron-Beam Solid Inter-, action and Materials Processing/Eds. Gibbons J.F., Hess L.D., Sigmon T.W. - Elsevier North Holland, Inc., 1981, p. 495-502.

56. Fuentes-Samaniego R., Nix W.D., Pound G.M. Vacancy and Substitutional Solute Distribution around an Edge Dislocation in; Equilibrium and in Steady-State Glide Motion. Phil. Mag. A, 1980, v. 42, N 5, p. 591-600.

57. Gaidukov G.N., Hirth J.P. The Influence of Thermodynamic Solution Properties on Solute Atmosphere at Dislocations.

58. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v. 66, N2, p. 601-606.

59. Gaidukov G.N., Maksimov S.K., Filippov A.P. Effect of a Cloud 0f Impurity Atoms hear a Dislocation on Electron Microscopic

60. Contrast. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v. 64, N 2, p. 519-525.

61. Gaidukov G.N., Maksimov S.K., Podrezov A.A. Effect of Impurity Atmosphere Formation on the Orientation of Straight Edge Dislocations in Silicon. Scripta Metall., 1983, v. 17, N 9

62. Gaidukov G.F., Maksimov S.K., Podrezov A .A. The Effect of the Crystal Anisotropy on the Energy of the Dislocation-Impurity Atmosphere Elastic Interaction in Silicon. Phys. Stat. Sol.(a) 1983, v. 76, N 2, p. 453-460.

63. Gaudig W., Guan D.Y., Sass S.L. X-Bay Diffraction Study of Large-Angle Twist Grain Boundaries. Phil. Mag., 1976, v. 34» N 5» p. 923-928.

64. Gaudig W., Sass S.L. X-Ray Diffraction Study of the Structure of Large-Angle L001l Twist Boundaries in Gold. Phil. Mag.A, 1979. v. 39, N 6, p. 725-741.

65. Gibbons J.P. Beam-Recrystallised Polysilicon Films for Integrated Circuit Applications. Inst. Phys. Lond. Conf. Ser., 1981, v. 60, p. 431-440, section 9.

66. Gibbons J.F. Ion Implantation in Semiconductors-II. Damage Production and Annealing. Proc.IEEE, 1972, v. 60, N 9, p. 1062-1096.75* Gleiter H., Chalmers B. High-Angle Grain Boundaries. -Oxford: Pergamon Press, 1972, 274 p.

67. Glicksman M.E., Masumura R.A. Grain Boundary Structure and Energetics. Metall. Trans. A, 1977, v. 8, N 9, p. 1373-1382.

68. Goodman J.W., Sines G. Cubic Crystal Anisotropy as a Parameter in Edge Dislocation-Point Defect Elastic Interaction. -Scripta Metall., 1971, v. 5, N 7, p. 631-634.

69. Guan D.Y., Sass S.L. Diffraction from Periodic Array of Dis-location-I. The Structure Factor of a Square Grid of Screw Dislocation in Low-Angle 001 . Twist Boundary. Phil. Mag., 1973, v. 27, И , p. 1211-1223.

70. Gupta D. Influence of Solute Segregation on Grain Boundary / Energy and Self-Diffusion. Metall. Trans. A., 1977, v. 8, 17 9, P. 1431-1438.

71. Guttmann M. Grain Boundary Segregation, Two Dimensional Com-paund Formation, and Precipitation. Metall. Trans. A, 1977, v. 8, Ж 9, p. 1383-1401.■

72. Hamar R., Riquet J.P. Estimation de l'energie d'un joint de phases metalliques. Phys. Stat. Sol. (a), 1982, v. 70,1. N 1, p. 127-138.

73. Handbook on Silicon/Eds. Moos Т., Keller S. P. North-Holl., Amsterdam/New-York/London, 1980, v. 3, 681 p.

74. Head A.K. Edge Dislocations in Inhomogeneous Media. Proc. Phys. Soc. B, 1953, v. 66, part 8, N 405b, p. 793-801.

75. Hirsekorn R.-P., Siems R. Elastic Dipole Interaction of Point Defects in a Sphere of Elastically Anisotropic Cubic Material.- Z. Phys. B, 1982, v. 47, p. 155-166,N1.

76. Hirth J.P., Balluffi R.W. On Grain Boundary Dislocations and Ledges. Acta Metall., 1973, v. 21, N , p. 929-942.

77. Hondros E.D., Seah M.P. Segregation to Interfaces. Int. Metals Rev., 1977, v. 22, N 222, p. 262-301.

78. Hondros E.D., Seah M.P. The Theory of Grain Boundary Segregation in Terms of Surface Adsorption Analogues. Metall. Trans. A, 1977, v. 8, N 9, p. 1363-1371.

79. Hwang M., Laughlin D.E., Bernstein I.M. Interphase Interfaces of Au-Ag and Au-Pd. Acta Metall., 1980, v. 28, N 5, p.621-632.

80. Ingerbrigtsen K.A., Tonning A. Elastic Surface Waves in Crystals. Phys. Rev., 1969, v. 184, N 3, p. 942-951.

81. Kirchheim R. Interaction of Hydrogen with Dislocations in Pal-ladium-I. Activity and Diffusivity and Their Phenomenological Interpretation. Acta Metall., 1981, v. 29, N 5, p. 835-843.

82. Kirchheim R. Interaction of Hydrogen with Dislocations in Pal-ladium-II. Interpretation of Activity Results by a Fermi-Dirac Distribution. Acta Metall., 1981, v. 29, N 5, p. 845-853.

83. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. New Series. Berlins Springer, 1966,1969, v. III/1, III/2 .

84. Malygin G.A. Impurity Atmosphere and Effective Activation Parameters of Dislocation Motion with Special Reference to Al-Mg and Zr-0 Alloys. Phys. Stat. Sol. (a), 1982, v. 72, N 2,p. 493-502.

85. Marcinkowski M.J. Unified Theory of Grain Boundaries. Phys. Stat. Sol. (a), 1982, v. 73, N2, p. 409-419.

86. Marcus R.B., Joyce W.B. Electrostatic Forces between Small ; Charged Islands in the Early Stages of Thin Film Growth.1.. Interactions during Growth. Thin Solid Films, 1972, v. 10, p. 1-10.

87. Masumura R.A., Sines G. Elastic Field of a Point Defect in a Cubic Medium and Its Interaction with Defects. J. Appl. Phys., 1970, v. 41, N 10, p. 3930-3940.

88. Michael D., Michel B. Mechanical Interaction of Point Defects and Volume Defects near Curved Surfaces. Cryst. Res. Tech., 1981, v. 16, N 10, p. 1123-1130.

89. Murr L.E. Interfacial Phenomena in Metals and Alloys. -Addison-Wesley, Reading, MA, 1975» 576 p.

90. Navi P., Goodman J.W., Sines G. Finite Size Lattice Defeet;-in Anisotropic Copper% Interaction with Extended Edge Dislocation.- Scripta Metall., 1972, v. 6, N 1, p. 71-76.

91. Nishioka K. Lothe J. Isotropic Limiting Behaviour of the Six-Dimensional Formalism of Anisotropic Dislocation Theory and Anisotropic Green's Function Theory. Phys. Stat. Sol.(b-), 1972, v. 31, N , p. 645-656.

92. Pareja R. Dislocation Networks in (001) Twist Grain Boundaries in Thin-Film Bicrystals of Silver. Phys. Stat. Sol.(a), 1980, v. 62, N 1, p. 305-311.

93. Pond B.C. Observation of Grain Boundary Structure. Ins Dislocat. Model. Phys. Syst. Proc. Conf., Gainesville, Fla, June 22-27, 1980. - Oxford e.a., 1981, p. 524-543.

94. Pond R.C., Smith D.A., Southerden P.W.J. On the Role of Grain Boundary Dislocations in High Temperature Creep. Phil. Mag. A, 1978, v. 37, N 1, p. 27-40.

95. Robinson J.Т., Peterson N.L. Correlation Effects in Grain ~ Boundary Diffusion. Surf. Sci.,1972, v. 31, p. 586-616.

96. Rocher A., Fontaine C., Dianteill C. Grain Boundaries in Silicon: ТЕМ Characterisation and EBIC observations. -Inst. Phys. Conf. Ser., 1981, v. 60, p. 289-293.

97. Rosgonyi G.N. Semiconductor Materials Engineering via Defect Diagnostics. In: Semiconductor Silicon 1981, USA, Minneapolis, 1981, p. 487-496.

98. Russell G.J., Waite P., Woods J., Lewis K.L. Electrically Active Grain Boundaries in Polycrystalline Zinc Selenide. -Inst. Phys. Conf. Ser., 1981, v. 60, p. 371-376.

99. Sass S.L., Tan T.I., Balluffi R.W. The Detection of the Periodic Structure of High-Angle Twist Boundaries-I. Electron Diffration Study. Phil. Mag., 1975, v. 31, N 3, p.559-573.

100. Schober Т., Balluffi R.W. Quantitative Observation of Misfit Dislocation Arrays in Low and High Angle Twist Grain Boundaries. Phil. Mag., 1970, v. 21, IT 169, p. 109-125.

101. Seifert W., Michel B. Influence of Defect-Matrix Modulus Effect on Elastic Interaction of Point Defects. Cryst. Res. Tech., 1981, v. 16, IT 10, p. 1151-1136.

102. Steeds J.W. Anisotropic Elasticity Theory of Dislocations. -Oxford: Clarendon Press, 1973 , 274р.115» Stoop L.C.A., van der Merwe J.H. Elastic Interaction between Small Epitaxial Islands.- Cryst. Growth, 1974, v. 24/25, p. 289-292.

103. Stoop L.C.A. Small Epitaxial Islands-I. On Layered Growth. -Thin Solid Films, 1974, v. 24, p. 229-249.

104. Stroh A.N. Dislocations and Cracks in Anisotropic Elasticity. Phil. Mag., 1958, v. 3, N , p. 625-646.

105. Suprun I.T. The Influence of External Stress on the Interaction of Dislocation with Impurity Atoms. Phys. Stat. Sol.(a), 1981, v. 66, N 1, p. 561-370.

106. Takeuchi S., Argon A.S. Glide and Climb Resistance to the Motion of an Edge Dislocation due to Dragging a Cottrell Atmosphere. Phil. Mag. A, 1979, v. 40, N 5, p. 65-75.

107. Tasker P.W., Bullough T.J. An Atomistic Calculation of Extended Planar Defects in Ionic Crystals. Application to Stacking Fault in the Alkali Halides.- Phil. Mag. A, 1981, v. 43, Ж 2, p. 313-324.

108. Vitek V., Sutton A.P., Smith D.A., Pond R.C. On the Structure of Grain Boundary Dislocations. Phil. Mag. A, 1977, v. 39, N 2, p. 213-224.

109. Watanabe Т., Murakami Т., Karashima S. Misorientation Dependence of Grain Boundary Segregation. Scripta Metall., 1978, v. 12, E 4, p. 361-365.

110. White C.L., Coghlan W.A. The Spectrum of Binding Energies Approach to Grain Boundary Segregation. Metall. Trans. A, 1977, v. 8, N 9, p. 1403-1411.

111. Wolterdorf J. Misfit Accomodation at Interfaces by Dislocation. Appl. Surf. Sci., 1982, v. 11-12, p. 495-516.

112. Экономический эффект сост-авил 15000 руб.1. Начальник отдела1. А.А.ЧИСТИЛИН